KR102389474B1 - 슬롯다이의 질화티타늄 코팅층 형성방법 - Google Patents

슬롯다이의 질화티타늄 코팅층 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 슬롯다이의 질화티타늄 코팅층 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 코팅층 형성방법에 따르면 슬롯다이 블록의 외표면에 질화티타늄을 함유하는 코팅층이 형성된다.

Description

슬롯다이의 질화티타늄 코팅층 형성방법{manufacturing method for Slot die with coating layer of titanium nitride}
본 발명은 슬롯다이의 질화티타늄 코팅층 형성방법에 관한 것으로, 구체적으로는 우수한 경도 및 내구성을 가지는 슬롯다이의 질화티타늄 코팅층 형성방법에 관한 것이다.
인쇄전자(Printed electronics) 기술이란 인쇄를 이용하여 전자소자를 제작하는 기술로서, 포토리소그래피(Photolithography) 공정의 획기적인 단축, 유연 기판의 쉬운 활용, 대면적 고속 인쇄의 장점으로 많은 연구가 진행되고 있다.
또한, 고가의 진공 장치 및 복잡한 패터닝 공정을 대체할 수 있는 차세대 소자 생산기술을 포함하고 있다. 나노 입자 또는 전도성 고분자 잉크가 개발되면서 이를 활용한 소자 구현에 적합한 생산 공정이다. 현재의 전자 소자들의 성능이 급격히 향상됨에 따라 다양한 소재 개발과 새로운 공정 기술 개발이 시도되고 있다.
인쇄전자 기술은 전기저항, 캐패시터, 인덕터 등과 같은 단순 수동 부품 적용에서 상용화 단계에 도달했다. 또한, 트랜지스터 및 디스플레이 등의 각종 능동 부품 적용을 위한 연구가 진행되고 있으며, 차세대 공정 기술로 많은 관심이 집중되고 있다. 인쇄전자 기술로는 유기 재료의 다중 적층 방식으로 구현되는 경우가 많으며, 주로 나노 두께의 유기물층을 다중 중첩 코팅하는 방식의 형태로 나타난다.
코팅은 제품의 품질에 직접적인 영향을 끼친다. 인쇄전자에서 사용되는 회로는 매우 정밀하고, 쉽게 손상될 수 있기 때문에 코팅 기술은 인쇄전자소자 제조 공정에 있어 중요한 기술 중의 하나이다. 코팅을 할 때 모든 부분에서 완벽하게 코팅이 이루어져야 기능을 유지할 수 있다. 중간에 코팅이 되지 않는 부분이 있다면 그 부분 때문에 제품 전체가 불량이 될 수 있어, 코팅은 제품의 품질에 대한 영향도가 크다.
코팅 기술은 포스트 미터(post-metered) 코팅과 프리 미터(pre-metered) 코팅으로 분류할 수 있다.
포스트 미터 코팅의 경우 코팅 후에 코팅 액의 양이 결정되며, 주로 스핀(spin) 코팅, 블래드(blade) 코팅이 사용된다.
스핀 코팅은 용액을 사용한 박막 형성법 중 가장 널리 쓰이는 방법이다. 회전하는 기판에 용액을 떨어 뜨려 기판이 회전하는 원심력에 의해 용액의 일부는 제거되면서 박막이 형성되는 원리이다. 공정 변수로는 기판의 회전속도, 용약의 점도 및 휘발성, 확산도, 고분자의 분자량, 농도 등이 있으며 용액의 양, 증착 속도, 시간 등은 그 영향이 적다. 재현성이 우수하고 건조 공정의 이점이 있어 대면적의 균일한 박막 제작이 가능한 장점이 있다.
하지만 박막 형성 기구가 복잡하고 제한된 범위의 두께제어만 가능하다는 단점이 있다. 또한, 기판의 크기가 커지면서 고속으로 회전시키기 위해서는 에너지 소모가 크고 잉크 소모량도 많으며, 기판의 파손 우려가 있다.
블래드 코팅은 스핀 코팅과는 대조적으로 용액손실이 매우 적으며 두께 제어가 용이한 기술이다. 코팅 층의 두께(10~500um)는 날카로운 블레이드와 기판 사이의 간극으로 제어한다. 최종 두께는 간극의 절반 정도이지만 기판의 표면에너지, 용액의 표면장력, 점도, 박막의 메니스커스 등에 의존한다. 공정 중 용액 손실이 거의 없어 소량의 소재로도 쉽게 박막을 제조할 수 있지만 초기 공정 최적화에 필요한 용액 소모량이 많아 반드시 스핀코팅보다 경제적인 것은 아니다. 또한, 스핀코팅에 비해 박막 형성 시간이 길어 용액 내 소재가 편석 또는 결정화가 될 수 있는 단점이 있다.
프리 미터 코팅은 공정 조건에 의해 예상 코팅 두께를 예측할 수 있으며 두께 제어에 용이하며, 커튼(curtain)코팅, 슬롯다이(slot die) 코팅 등이 있다.
커튼 코팅은 코팅 액이 다이로부터 흘러나와 중력에 의해 수평으로 이동 중인 기판에 떨어져 코팅이 되는 방식이다. 다층의 박막을 고속으로 코팅할 수 있는 장점이 있지만 두께가 불안정하다는 단점이 있다.
슬롯다이 코팅은 다이의 틈으로 코팅 액을 토출시켜 코팅하는 방식이다. 용액 공급부에서 다이 내부로 코팅 액이 들어가면서 공기와의 접촉이 적기 때문에 코팅 품질이 좋다. 그리고 넓은 부분을 한 번에 코팅을 해도 전체적으로 일정한 품질을 얻을 수 있어 인쇄 전자 분야에 가장 적합한 코팅 방식이다. 슬롯다이 코팅 기술을 사용하여 만든 대표적인 소자들로는 유기 발광소자(OLED, Organic Light-Emitting Device), 유기 태양전지(Organic solar cell), OFET (Organic field-effect transistor), Perovskite solar cell, Lithium-ion battery, 박막 트랜지스터(TFT, Thin Film Transistor) 등이 있다.
슬롯다이 코팅은 1~20000cP의 다양한 점도의 코팅액을 사용할 수 있고 코팅 두께를 미리 예측할 수 있어 산업적으로 많이 활용되고 있다.
슬롯다이 코팅은 다른 코팅법과는 다르게 재료의 주입부부터 토출부까지 폐쇄된 구조를 채택하여, 개방된 구조를 가지는 다른 코팅법들이 희석용제의 휘발에 의해 두께가 불균일해지고, 코팅 재료가 변질되는 현상을 원천적으로 차단할 수 있기 때문이다. 또한, 비접촉식 코팅법으로 기판에 직접 닿지 않기 때문에 기판의 훼손이 없으면서 높은 코팅 균일도를 갖는다. 코팅 액의 점도, 슬롯다이 내부 압력, 슬롯다이 내부 틈새의 폭, 코팅 속도에 따라 코팅의 품질이 좌우될 수 있다.
최근에는 2차 전지 에너지 밀도 향상 등을 위해 양극재 코팅액에 니켈, 백금 등과 같이 경도가 강한 금속 분말의 함유량이 증가하고 있어, 슬롯다이 코팅 시 코팅액에 함유된 금속 분말에 의해 슬롯다이에 마모가 발생한다. 이 경우, 슬롯다이의 슬롯 두께가 변화되어 코팅액의 토출량이 변화됨에 따라 코팅 불량 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 내마모성을 증가시킬 수 있는 슬롯 다이의 개발이 필요하다.
한국등록특허 제10-21130b24호는 코팅액의 코팅 특성에 따라 캐비티의 위치가 상이한 블록화된 캐비티 블록이 여러개 구비되어 있는 슬롯다이 장치를 개시하고 있다.
한국등록특허 제10-2140092호는 내부에 코팅 물질이 위치하는 저장 챔버를 형성하는 챔버부; 상기 저장 챔버를 관통하도록 상기 챔버부에 결합되며, 상기 저장 챔버에 위치하는 코팅 물질의 유동성을 향상시키는 롤러유닛; 및 상기 챔버부의 끝단에 결합되어, 상기 코팅 물질을 토출시키기 위한 소정의 간격을 형성하는 슬롯유닛을 포함하는 슬롯다이 코팅유닛을 개시하고 있다.
본 발명은 우수한 경도 및 내구성을 가지는 슬롯다이의 질화티타늄 코팅층 형성방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시형태는 슬롯다이 블록; 및 상기 슬롯다이 블록의 외표면에 형성되며, 질화티타늄을 함유하는 코팅층;을 포함하는 슬롯다이를 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 코팅층의 두께는 2 내지 4 ㎛이고, 비커스(Vickers) 경도법으로 HV2000 내지 HV2500의 경도를 가질 수 있다.
또한 상기 코팅층의 접착력은 VDI 3198 기준으로 HF1 내지 HF2일 수 있다.
상기 슬롯다이 블록은 스텐레스강(stainless steel: SUS)일 수 있고, 보다 구체적으로 상기 슬롯다이는 블록은 SUS 400계열, SUS 500계열, 또는 SUS 600계열의 스테인레스강(stainless steel: SUS)일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태는 슬롯다이 블록을 마련하는 마련단계; 상기 슬롯다이 블록을 열처리하는 열처리 단계; 및 상기 슬롯다이 블록에 질화티타늄 코팅층을 형성하는 코팅층 형성단계; 를 포함하는 슬롯다이의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 열처리 단계는 용체화(Solution) 공정, 서브제로(Sub-Zero) 공정, 석출경화(Precipitation hardening) 공정, 및 뜨임(Tempering) 공정으로 수행될 수 있다.
상기 열처리 단계는 1000 내지 1100℃의 온도에서 1 내지 5시간 동안 수행되는 용체화(Solution) 공정, -120 내지 -140℃의 온도에서 10 내지 15시간 동안 수행되는 서브제로(Sub-Zero) 공정, 482 내지 621℃의 온도에서 5 내지 10시간 동안 수행되는 석출경화 공정, 180 내지 220℃의 온도에서 5 내지 8시간 동안 수행되는 뜨임 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 열처리 단계 후 연마 공정 및 세척 공정을 추가로 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 코팅층 형성단계는 전처리 공정 및 스퍼터링 공정을 포함할 수 있다.
상기 스퍼터링 공정은 진공 챔버에 대하여 상대 회전하는 회전 플레이트와 반대 방향으로 회전하는 복수 개의 회전 로드에 슬롯다이 블록을 배치하되, 상기 복수 개의 회전 로드 중 서로 대향하여 반대편에 위치하는 회전 로드에 슬롯다이 블록을 배치하여 수행될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태는 슬롯다이 블록의 외표면에 형성되며, 질화티타늄을 함유하는 코팅층 형성방법을 제공한다.
상기 코팅층 형성방법은 슬롯다이 블록의 외표면을 에칭하는 전처리 공정 및 스퍼터링 공정을 포함할 수 있다.
상기 전처리 공정은 Ar가스 분위기에서 400 내지 450℃의 온도로 60 내지 70분간 에칭하여 수행될 수 있다.
상기 스퍼터링 공정은 진공 챔버에 대하여 상대 회전하는 회전 플레이트와 반대 방향으로 회전하는 복수 개의 회전 로드에 슬롯다이 블록을 배치하여 수행될 수 있다.
상기 슬롯다이 블록은 복수 개의 회전 로드 중 제1증착 로드와 상기 제1증착 로드에 대향하여 반대편에 배치된 제2증착 로드에 배치되어 수행될 수 있다.
상기 스퍼터링 공정은 타켓 소재가 어퍼 소스, 미들 소스 및 로어 소스로 구성된 스퍼터링 소스에 의하여 공급되어 수행될 수 있다.
상기 스퍼터링 공정은 진공 챔버의 공정압력이 6.3 X 10-5 Torr 내지 1.25 X 10-2 Torr이고, 출력 전력은 50 내지 300 W이며, 비활성가스와 질소의 가스의 유량(SCCM) 비율이 1:0.5 내지 3인 조건으로 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 질화티타늄 코팅층을 형성하기 전에 슬롯다이 블록을 1000 내지 1100℃의 온도에서 1 내지 5시간 동안 수행되는 용체화(Solution) 공정, -120 내지 -140℃의 온도에서 10 내지 15시간 동안 수행되는 서브제로(Sub-Zero) 공정, 482 내지 621℃의 온도에서 5 내지 10시간 동안 수행되는 석출경화 공정, 180 내지 220℃의 온도에서 5 내지 8시간 동안 수행되는 뜨임 공정을 포함하는 열처리 단계를 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 열처리 단계 후에 연마 및 세척 공정을 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이는 질화티타늄(TiN) 코팅층이 형성되어 우수한 경도 및 내구성을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이는 외표면에 질화티타늄 코팅층이 형성되어 저마찰, 내마모, 내소착, 내열, 내식 등 높은 경도와 내구성을 가지며, 특히 높은 온도에서도 강한 내구성을 가지며, 높은 경도로 인하여 코팅액에 니켈, 백금 등과 같이 경도가 강한 분말을 함유하고 있어도 슬롯다이의 마모 현상이 발생되지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 스퍼터링 타겟 소재가 균일하게 공급되어 균일한 질화티타늄(TiN) 박막을 형성할 수 있다.
또한, 진공챔버 내에 음극 전류가 형성되고, 슬롯다이 블록이 배치되는 제1증착 로드 및 제2증착 로드에는 양극 전류가 형성될 수 있고, 제1증착 로드 및 제2증착 로드가 회전 플레이트와 반대방향으로 회전되어 질화티타늄(TiN) 박막이 균일하게 증착될 수 있다.
또한, 슬롯다이 블록이 제1증착 로드 및 반대편에 위치하는 제2증착 로드에 배치되어서 간섭없이 질화티타늄(TiN) 박막이 균일하게 증착될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이 블록을 개략적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 질화티타늄 코팅층이 형성된 슬롯다이의 제조방법의 공정을 나타내는 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 열처리 공정의 온도 및 시간 조건을 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬롯다이 코팅 장치가 도시된 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬롯다이 코팅 장치의 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다.
그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재‘상에’위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우 뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를‘포함’한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어‘약’,‘실질적으로’등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본 발명의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어‘~(하는) 단계’또는‘~의 단계’는‘~ 를 위한 단계’를 의미하지 않는다.
본 발명은 질화티타늄 코팅층이 형성된 슬롯다이 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이는 우수한 경도 및 내구성을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이는 외표면에 질화티타늄 코팅층이 형성되어 저마찰, 내마모, 내소착, 내열, 내식 등 높은 경도와 내구성을 가지며, 특히 높은 온도에서도 강한 내구성을 가지며, 높은 경도로 인하여 코팅액에 니켈, 백금 등과 같이 경도가 강한 분말을 함유하고 있어도 슬롯다이의 마모 현상이 발생되지 않을 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이 및 이의 제조방법을 구체적으로 설명한다. 후술하는 슬롯다이의 제조방법에 의하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이가 보다 구체적으로 특정될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 질화티타늄 코팅층이 형성된 슬롯다이의 제조방법을 나타내는 순서도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 열처리 공정의 온도 및 시간 조건을 나타내는 그래프이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬롯다이 코팅장치가 도시된 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬롯다이 코팅장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이(Slot die)는 슬롯다이 블록(10); 및 상기 슬롯다이 블록(10)의 외표면에 형성되며, 질화티타늄(TiN)을 함유하는 코팅층; 을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 슬롯다이 블록(10)은 스텐레스강(stainless steel: SUS)일 수 있다. 이에 제한되지 않으나, 스테레스 강종은 Martensite, Ferrite, PH(Precipitation Hardening)일 수 있다.
이에 제한되지 않으나, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 슬롯다이 블록(10)은 SUS 400계열, SUS 500계열, 또는 SUS 600계열의 스테인레스강(stainless steel: SUS)일 수 있다. 구체적으로 SUS 410, SUS 420, SUS 420 J2, SUS 430, SUS 630, SUS 660일 수 있다.
슬롯다이 블록(10)에는 코팅액이 수용되는 캐비티(11), 상기 캐비티에 연결되어 코팅액이 토출되는 슬롯(12)이 형성될 수 있다.
캐비티(11)는 슬롯다이 블록(10)의 내부에 형성된다. 상기 캐비티(11)에는 코팅액이 수용될 수 있다. 코팅액은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 코팅액은 금속 분말을 함유할 수 있다. 실시예에 따라 금속 분말은 Ni, Pt 중 적어도 어느 하나로 실시될 수 있다.
슬롯(12)은 슬롯다이 블록(11)의 내부에 형성된다. 상기 슬롯(12)은 캐비티(11)에 연결되어, 코팅액을 토출한다. 이때, 코팅액에 함유된 금속 분말에 의해 슬롯(12)이 마모될 수 있다. 이 경우, 후술하는 질화티타늄 코팅층에 의해 내마모성이 향상될 수 있다. 이에 대하여는 후술한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 질화티타늄 코팅층의 두께는 2 내지 4 ㎛일 수 있고, 경도는 비커스(Vickers) 경도법으로 HV2000 내지 HV2500일 수 있고, 구체적으로 HV2200 내지 HV2400일 수 있다.
또한, 코팅 접착력은 VDI 3198 기준으로 HF1 내지 HF2일 수 있고, 구체적으로 HF1일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이는 질화티타늄과 높은 접착력을 가지며, 높은 경도와 내열성이 우수하여 높은 온도에서 사용될 수 있다. 이에 제한되지 않으나, 예를 들면 500 내지 650℃의 온도에서 사용될 수 있다. 또한 니켈, 백금 등과 같이 경도가 강한 분말을 함유하는 코팅액을 사용하는 인쇄전자 기술에 폭 넓게 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태는 슬롯다이 블록(10)의 외표면에 형성되며 질화티타늄을 포함하는 코팅층 형성방법과 질화티타늄(TiN) 코팅층을 포함하는 슬롯다이의 제조방법을 제공한다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 질화티타늄 코팅층이 형성된 슬롯다이의 제조방법의 공정을 나타내는 순서도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 열처리 단계(S2)의 온도 조건을 나타내는 그래프이고, 도 4는 본 발명의 일 실시에서 사용하는 슬롯다이 코팅장치를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 5는 슬롯다이 코팅장치를 개략적으로 나타내는 평면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이의 제조방법은 슬롯다이 블록(10)을 마련하는 마련단계(S1); 상기 슬롯다이 블록(10)을 열처리하는 열처리 단계(S2); 및 상기 슬롯다이 블록(10)에 질화티타늄(TiN) 코팅층을 형성하는 코팅층 형성단계(S3); 를 포함할 수 있다.
먼저, 마련단계(S1)에서, 슬롯다이 블록(10)을 마련할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 슬롯다이 블록(10)은 스텐레스강(stainless steel: SUS)일 수 있고, 이에 제한되지 않으나 SUS 400계열, SUS 500계열, 또는 SUS 600계열의 스테인레스강(stainless steel: SUS)일 수 있다. 구체적으로 SUS 410, SUS 420, SUS 430, SUS 630, SUS 660일 수 있다.
다음으로, 열처리 단계(S2)에서, 상기 슬롯다이 블록(10)을 열처리할 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 열처리 단계(S2)는 용체화(Solution) 공정(a), 서브제로(Sub-Zero) 공정(b), 석출경화(Precipitation hardening) 공정(c), 및 뜨임(Tempering) 공정(d)으로 수행될 수 있다. 다만, 도 3은 일 실시형태에 따른 온도 및 시간 조건을 나타내는 것으로, 도 3에 개시된 온도 및 시간 조건에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 용체화(Solution) 공정(a)은 1000 내지 1100℃의 온도에서 수행될 수 있다. 구체적으로, 상기 용체화 공정(a)은 1050 내지 1060℃온도에서 수행될 수 있다. 또한 상기 용체화 공정(a)은 1 내지 5시간 동안 수행될 수 있고, 구체적으로 1.5 내지 3시간 동안 수행될 수 있다.
상기 용체화 공정(a)은 강재의 내부에 존재하는 각종 탄화물과 석출물을 모두 용해하는 공정이다. 상기 온도 및 시간 조건을 벗어나는 경우 탄화물과 석출물이 충분히 용해되지 않아 이후 질화티타늄 코팅층과의 접착력이 저하될 수 있다.
용체화 온도로 승온 한 후 노내에서 서냉하고, 서브제로 공정을 수행할 수 있다.
상기 서브제로(Sub-Zero) 공정(b)은 0℃이하의 온도에서 뜨임 열처리를 하는 것으로, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 서브제로 공정(b)은 -120 내지 -140℃의 온도에서 수행될 수 있다. 서브제로 공정(b)은 10 내지 15시간 동안 수행될 수 있고, 구체적으로 11 내지 12시간 동안 수행될 수 있다.
상기 서브제로 공정(b)에 의하여 내마모성 향상 및 수명 증가, 치수 안전성을 확보할 수 있다. 상기 온도 및 시간 조건을 벗어나는 경우 경도 또는 내열성이 저하될 우려가 있다.
다음으로, 석출경화(Precipitation hardening) 공정(c)을 수행할 수 있다.
석출경화 공정(c)에서는 고용체 내의 합금원소들이 석출물을 만들도록 가열하여 석출물의 석출을 촉진한다. 석출물이 미세하게 많이 분포할수록 경도는 높아지고 내식성이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 석출경화 공정(c)은 482 내지 621℃의 온도에서 수행될 수 있다. 구체적으로 500 내지 540℃의 온도에서 수행될 수 있다. 수행시간은 5 내지 10시간일 수 있고, 구체적으로 5 내지 6시간 동안 수행될 수 있다.
다음으로, 뜨임(Tempering) 공정(d)을 수행할 수 있다.
뜨임 공정(d)은 내부의 응력이나 질량 효과를 완화해 경화된 조직에 인성을 부여하기 위한 열처리로, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 180 내지 220℃의 온도에서 수행될 수 있다. 또한, 수행시간은 5 내지 8 시간, 구체적으로 5 내지 6시간 동안 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 열처리 단계(S2) 후에 연마 공정을 수행할 수 있다. 실시예에 따라 연마 공정은 1차 연마 공정 및 2차 연마 공정으로 수행될 수 있다. 연마 공정은 슬롯다이 블록(10)의 표면 거칠기를 조절하기 위하여 정삭 연마, 경면 연마, 중삭 연마 공정을 수행할 수 있다. 연마 공정에서 슬롯다이블록(10)를 분해하여 연마할 수 있다. 이 경우, 슬롯(12)의 두께가 일정하게 되도록 슬롯(12)이 연마될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 연마 공정 후 세척 단계를 수행할 수 있다. 세척 단계에서는 연마된 슬롯 다이를 세척할 수 있다. 상기 연마 공정에서 발생한 연마 슬러지가 슬롯다이 블록(10)의 외표면에 잔존할 수 있다. 또한, 연마 시 연삭유가 슬롯다이 블록(10)의 외표면에 잔존할 수 있다. 세척 단계에서는 연마 슬러지 및/또는 연삭유를 슬롯다이 블록(10)의 외표면으로부터 제거하여, 후술하는 코팅층 형성단계(S3)에서 슬롯다이 블록(10)의 외표면에 코팅층이 균일하게 형성될 수 있도록 한다.
다음으로, 코팅층 형성단계(S3)에서, 상기 슬롯다이 블록(10)에 질화티타늄 코팅층을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 코팅층 형성단계(S3)는 전처리 공정 및 스퍼터링(Sputtering) 공정을 포함할 수 있다.
상기 전처리 공정은 슬롯다이 블록의 외표면을 에칭하는 공정으로 실시될 수 있다. 이에 제한되지 않으나, 전처리 공정은 챔버 내에서 400 내지 450℃의 온도에서 60 내지 70분간 에칭하는 공정으로 수행될 수 있다. 상기 공정은 Ar가스 분위기에서 수행될 수 있다.
다음으로, 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 질화티타늄 코팅층을 형성할 수 있다.
이하, 도 4 및 5를 참조하여 스퍼터링 공정을 구체적으로 설명한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 슬롯다이 코팅장치는 내부에 진공이 형성되는 진공챔버(110); 상기 진공챔버(110)의 하부에 구비되는 회전 플레이트(120); 상기 회전 플레이트(120)에 수직하게 구비되고, 슬롯다이 블록(10)이 배치되는 복수 개의 회전 로드(130); 상기 회전 로드(130)의 상부에 구비되며 상기 회전 로드(130)를 지지하는 루프 가이드(140); 및 상기 진공챔버(110)의 내부에 구비되며 상기 슬롯다이 블록(10)을 코팅하는 타켓 소재를 공급하는 스퍼터링 소스(150); 를 포함할 수 있다.
상기 회전 플레이트(120)는 진공 챔버(110)에 대하여 상대 회전될 수 있고, 회전 플레이트(120)는 일방향으로 회전될 수 있다. 본 발명의 일 실시예의 경우, 회전 플레이트(120)는 반시계방향으로 회전될 수 있다.
상기 회전 로드(130)는 회전 플레이트(120)에 수직하게 구비될 수 있고, 일 실시예에서 회전 플레이트(120)에 상방향으로 수직하게 배치될 수 있다.
상기 회전 로드(130)는 회전 플레이트(120)에 상대 회전되도록 구비되고, 회전 로드(130)는 일방향으로 회전될 수 있다. 즉, 회전 로드(130)는 회전 플레이트(120)와 반대 방향으로 회전될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따라 회전 플레이트(120)가 반시계방향으로 회전되는 경우, 회전 로드(130)는 시계방향으로 회전될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 스퍼터링 소스(150)는 복수개 구비될 수 있다. 상기 스퍼터링 소스(150)는 회전 로드(130)의 길이 방향을 따라 어퍼 소스(151), 미들 소스(152), 로어 소스(153)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서 스퍼터링 타켓 소재는 티타늄(Ti)일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 슬롯다이 블록(10)은 상기 회전 로드(130)에 배치될 수 있고, 슬롯다이 블록(10)은 회전 로드(130)의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다. 이 경우 슬롯다이 블록(10)은 회전 플레이트(120)에 수직하게 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 슬롯다이 블록(10)은 복수 개의 회전 로드(130) 중 제1증착 로드(130a) 및 상기 제1증착 로드(130a)의 반대편에 배치되는 제2증착 로드(130b)에 배치될 수 있다.
제1증착 로드(130a)는 복수 개의 회전 로드(130) 중 어느 하나의 회전 로드(130)로 정의될 수 있고, 제2증착 로드(130b)는 복수 개의 회전 로드(130) 중 제1증착 로드(130a)에 대향되어, 제1증착 로드(130b)의 반대편에 배치된 회전 로드(130)로 정의될 수 있다.
예를 들어, 도 5에 도시된 것과 같이, 회전 플레이트(120)에 제1회전 로드(131) 내지 제8회전 로드(138)가 구비된 경우, 제1증착 로드(130a)는 제1회전 로드로(131) 실시되고, 제2증착 로드(130b)는 제5회전 로드(135)로 실시될 수 있다. 이 경우, 제1회전 로드(131) 및 제5회전 로드(135)를 제외한 나머지 회전 로드(132, 133, 134, 136, 137, 138)에는 더미(dummy)(D)가 배치된다.
상술한 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면 제1증착 로드(130a) 및 제2증착 로드(130b)는 회전 플레이트(120)와 반대방향으로 회전된다. 회전 플레이트(120)가 반시계방향으로 회전되는 경우, 제1증착 로드(130a) 및 제2증착 로드(130b)는 시계방향으로 회전될 수 있다.
진공챔버(110) 내부에는 비활성 가스와 질소 가스를 주입할 수 있고, 이에 제한되지 않으나, 비활성 가스로는 아르곤을 사용할 수 있다.
상기 비활성 가스와 질소 가스의 유량(SCCM) 비율은 1:0.5 내지 3의 비율을 가질 수 있다. 또한 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 진공챔버(110) 내로 주입되는 비활성 가스를 차단한 후 질소 가스만을 사용하여 질화티타늄 박막을 증착할 수도 있다.
이를 통하여 진공챔버(110) 내부에 질소 이온을 안정적으로 생성함과 동시에 안정적으로 생성된 질소 이온을 통하여 슬롯다이 블록의 외표면에 큰 경도를 가지는 질화티타늄 코팅층을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 진공챔버(110)의 공정압력은 6.3 X 10-5 Torr 내지 1.25 X 10-2 Torr 범위일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 슬롯다이 블록(10)은 300 내지 500℃의 온도로 가열될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 진공챔버(110) 내에는 음극 전류가 형성되고, 슬롯다이 블록에는 양극 전류가 인가될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 타켓 소재에 대한 출력 전력은 50 내지 300 W일 수 있다. 출력 전력이 300W을 초과하면 증착 속도가 증가하여 최종 코팅막의 두께가 지나치게 증가하게 되고, 최종 코팅층의 밀도와 결정성이 저하될 수 있다.
또한, 출력 전력이 50W 미만이면 코팅막의 증착 속도가 감소하고, 코팅층의 접착력 및 내열성이 감소될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 스퍼터링 소스(150)는 회전 로드(130)의 길이 방향을 따라 어퍼 소스(151), 미들 소스(152), 로어 소스(153)로 구성되어 타겟 소재가 균일하게 공급됨에 따라 균일한 질화티타늄(TiN) 박막이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 슬롯다이 블록(10)이 배치되는 제1증착 로드(130a) 및 제2증착 로드(130b)가 회전 플레이트(120)와 반대방향으로 회전되며, 질화티타늄(TiN) 박막이 균일하게 증착될 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따르면 슬롯다이 블록(10)이 제1증착 로드(130a) 및 반대편에 위치하는 제2증착 로드(130b)에 배치되어서 간섭없이 질화티타늄(TiN) 박막이 균일하게 증착될 수 있다.
이후, 탈자단계(S4)에서, 슬롯다이 블롯(10)에 형성될 수 있는 자성을 제거할 수 있다.
상기 탈자단계(S4)에서는 상기 질화티타늄(TiN) 코팅층이 형성된 상기 슬롯다이 블록(10)의 자력을 제거한다. 질화티타늄 코팅층 형성 시 슬롯다이 블록(10)에 자성이 형성될 수 있다. 이 경우, 코팅액에 함유된 금속 분말이 슬롯(12)으로 토출 시, 자성에 의해 슬롯다이 블록(10)의 외표면에 부착되어, 코팅액의 토출이 분균일하게 될 수 있다. 상기 탈자단계(S4)에서는 슬롯다이 블록(10)의 자성을 제거하여, 금속 분말이 슬롯다이 블록(10)에 부착되는 것을 방지시켜, 코팅액이 균일하게 슬롯(12)으로 토출될 수 있게 한다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 이러한 실시예가 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
[실시예]
실시예
SUS 420 J2, SUS 630의 슬롯다이 블록(10)을 사용하였다. 도 3에 도시된 바와 같이, 슬롯다이 블록(10)을 1050℃에서 2시간 동안 용체화 공정(a)을 진행하고, 노내에서 서냉한 후 -120 내지 -140℃의 온도에서 12시간 동안 서브제로 공정(b)을 수행하였다.
이후, 540℃까지 승온하고, 6시간 유지한 후 노내 서냉하여 석출경화 공정(c)을 수행한 후, 다음 200℃까지 승온하고 6시간 동안 뜨임 공정(d)을 수행하였다.
이후, 연마 및 세척 공정 수행 후 스퍼터링 공정을 수행하였다. 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 슬롯다이 블록(10)을 제1증착 로드(130a) 및 제2증착 로드(130b)에 배치하고, 430℃의 온도에서 60분간 Ar가스를 주입하고 에칭하였다.
다음 회전 플레이트(120)와 제1증착 로드(130a) 및 제2증착 로드(130b)를 반대방향으로 회전시키며, 진공챔버(110)의 압력은 6.3 X 10-4 Torr로 하고, 아르곤 가스와 질소 가스를 1:2의 유량(SCCM) 비율로 주입하고, 출력 전력은 250W로 하여 스퍼터링 공정을 수행하였다. 이후 연마하고 탈자 공정을 거쳤다.
하기 표 1은 SUS 420 J2, SUS 630 소재의 특성과 TiN 코팅 후 특성 결과를 나타낸다.
구분 소재특성 코팅 후
STS420 J2 STS630 STS420 J2+TiN_ STS630+TiN
경도 HRC42 ↓
(열처리 기준)		 HRC40 ↓
(열처리 기준)		 HV 2,300 HV 2,300
코팅두께(㎛) - -　 4 3.5
색상 회색 회색 황금색 황금색
구조 마르텐사이트계 석출경화계 - -
처리온도(℃) - - 250~500 250~500
최고사용온도 - - 600 600
내식성 ★★ ★★★ ★★ ★★
접합력 - - HF1 HF1
내충격성 ★★★ ★★★ - -
내열성 ★★ ★★★ ★★★ ★★★
코팅 접착력은 VDI 3198 기준에 의한 것으로, HF1 내지 HF6로 표시되며, 번호가 낮을 수록 접착력이 높은 것을 나타낸다.
상기 표 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 슬롯다이 블록(10)은 모두 HF1를 나타내어 TiN 코팅층이 슬롯다이 블록(10)과 우수한 접착력을 가지는 것을 확인할 수 있었다.
경도의 경우 SUS 420 J2, SUS 630는 각각 HRC 42 이하, HRC 40 이하로 측정되었으나, 코팅 후 비커스(Vickers) 경도법으로 2,300을 나타내었다.
내식성, 내충격성, 내열성은 하기와 같은 기준으로 나타내었으며, 코팅 후 내열성이 향상된 것을 확인할 수 있었다.
★: 낮음
★ ★: 보통
★ ★ ★: 우수
이상에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.

Claims (9)

  1. 슬롯다이 블록의 외표면에 형성되며 질화티타늄을 함유하는 코팅층 형성방법에 있어서,
    상기 코팅층 형성방법은 슬롯다이 블록의 외표면을 에칭하는 전처리 공정 및 스퍼터링 공정을 포함하고,
    상기 스퍼터링 공정은 진공 챔버의 공정압력이 6.3 X 10-5 Torr 내지 1.25 X 10-2 Torr이고, 출력 전력은 50 내지 300 W이며, 비활성가스와 질소의 가스의 유량(SCCM) 비율이 1:0.5 내지 3인 조건으로 수행되는 코팅층 형성방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전처리 공정은 Ar가스 분위기에서 슬롯다이 블록 외표면을 400 내지 450℃의 온도에서 60 내지 70분간 에칭하는 코팅층 형성방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 스퍼터링 공정은 진공 챔버에 대하여 상대 회전하는 회전 플레이트와 반대 방향으로 회전하는 복수 개의 회전 로드에 슬롯다이 블록을 배치하여 수행되는 코팅층 형성방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 슬롯다이 블록은 복수 개의 회전 로드 중 제1증착 로드와 상기 제1증착 로드에 대향하여 반대편에 배치된 제2증착 로드에 배치되어 수행되는 코팅층 형성방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스퍼터링 공정은 타켓 소재가 어퍼 소스, 미들 소스 및 로어 소스로 구성된 스퍼터링 소스에 의하여 공급되어 수행되는 코팅층 형성방법.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 질화티타늄 코팅층을 형성하기 전에 슬롯다이 블록을 1000 내지 1100℃의 온도에서 1 내지 5시간 동안 수행되는 용체화(Solution) 공정, -120 내지 -140℃의 온도에서 10 내지 15시간 동안 수행되는 서브제로(Sub-Zero) 공정, 482 내지 621℃의 온도에서 5 내지 10시간 동안 수행되는 석출경화 공정, 180 내지 220℃의 온도에서 5 내지 8시간 동안 수행되는 뜨임 공정을 포함하는 열처리 단계를 수행하는 코팅층 형성방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 열처리 단계 후에 연마 및 세척 공정을 수행하는 코팅층 형성방법.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001179155A (ja) * 1999-12-27 2001-07-03 Toshiba Tungaloy Co Ltd 塗付装置用超硬合金製塗付工具部品およびその被覆超硬合金製塗付工具部品
JP2006142247A (ja) * 2004-11-22 2006-06-08 Dainippon Printing Co Ltd ダイヘッド
JP2010024486A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Daido Steel Co Ltd 高窒素マルテンサイト系ステンレス鋼
KR20100023459A (ko) * 2008-08-22 2010-03-04 (주)에스엔텍 피처리물 히팅 기능을 구비한 바렐 및 이를 구비한 코팅장치
KR20130094225A (ko) * 2012-02-15 2013-08-23 하우저 테크노 코팅 비브이 마르텐사이트 스틸 재질의 코팅된 물품 및 스필 재질의 코팅된 물품을 형성하는 방법
KR20140061120A (ko) * 2012-11-13 2014-05-21 (주)윈윈 디젤엔진용 분사노즐의 연료분사구 가공방법
KR101556369B1 (ko) * 2015-04-06 2015-10-01 디티알주식회사 절삭공구의 pvd 코팅 및 검사시스템과 이를 이용한 코팅검사공법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001179155A (ja) * 1999-12-27 2001-07-03 Toshiba Tungaloy Co Ltd 塗付装置用超硬合金製塗付工具部品およびその被覆超硬合金製塗付工具部品
JP2006142247A (ja) * 2004-11-22 2006-06-08 Dainippon Printing Co Ltd ダイヘッド
JP2010024486A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Daido Steel Co Ltd 高窒素マルテンサイト系ステンレス鋼
KR20100023459A (ko) * 2008-08-22 2010-03-04 (주)에스엔텍 피처리물 히팅 기능을 구비한 바렐 및 이를 구비한 코팅장치
KR20130094225A (ko) * 2012-02-15 2013-08-23 하우저 테크노 코팅 비브이 마르텐사이트 스틸 재질의 코팅된 물품 및 스필 재질의 코팅된 물품을 형성하는 방법
KR20140061120A (ko) * 2012-11-13 2014-05-21 (주)윈윈 디젤엔진용 분사노즐의 연료분사구 가공방법
KR101556369B1 (ko) * 2015-04-06 2015-10-01 디티알주식회사 절삭공구의 pvd 코팅 및 검사시스템과 이를 이용한 코팅검사공법

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