KR102388283B1 - Semiconductor device - Google Patents

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쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
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Abstract

실시예는 기판; 상기 상에 배치되는 필터층; 상기 필터층 상에 배치되는 제1 도전형 제1 반도체층; 상기 제1 도전형 제1 반도체층 상에 배치되는 완화층; 상기 완화층 상에 배치되는 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 배치되는 제1 도전형 제2 반도체층; 상기 제1 도전형 제2 반도체층 상에 배치되는 증폭층; 및 상기 증폭층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 광흡수층은 상기 제1 도전형 제1 반도체층보다 격자 상수가 큰 물질을 포함하고, 상기 완화층은 상기 광흡수층보다 격자 상수가 큰 물질을 포함하는 반도체 소자를 개시한다.An embodiment includes a substrate; a filter layer disposed on the above; a first conductivity-type first semiconductor layer disposed on the filter layer; an alleviation layer disposed on the first conductivity-type first semiconductor layer; a light absorption layer disposed on the alleviation layer; a first conductivity-type second semiconductor layer disposed on the light absorption layer; an amplification layer disposed on the first conductivity-type second semiconductor layer; and a second conductivity type semiconductor layer disposed on the amplification layer, wherein the light absorption layer includes a material having a lattice constant greater than that of the first conductivity type first semiconductor layer, and the relaxation layer has a lattice greater than that of the light absorption layer. Disclosed is a semiconductor device including a material having a large constant.

Description

반도체 소자{SEMICONDUCTOR DEVICE}Semiconductor device {SEMICONDUCTOR DEVICE}

실시예는 반도체 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a semiconductor device.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaN or AlGaN has many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy, and thus can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors have developed red, green, and Various colors such as blue and ultraviolet light can be implemented, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or combining colors. , safety, and environmental friendliness.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.In addition, when a light receiving device such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a semiconductor group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material, it absorbs light in various wavelength ranges and generates a photocurrent. By doing so, light of various wavelength ranges from gamma rays to radio wavelength ranges can be used. In addition, it has the advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy adjustment of device materials, so it can be easily used for power control or ultra-high frequency circuits or communication modules.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device can replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp or an incandescent light bulb that replaces a cold cathode fluorescence lamp (CCFL) constituting a transmission module of an optical communication means and a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. The application is expanding to include white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the application of the semiconductor device may be extended to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

특히, 수광 소자의 경우 소정 파장 대역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성하므로, 바이어스의 크기에 따라 변하는 전계로 인해 흡수되는 빛의 파장 대역이 커질 수 있다. 이에, 소정의 파장을 갖는 빛에 대해 민감도를 개선하기 위해서 변하는 전계에 따라 파장 대역을 축소할 필요성이 있다.In particular, in the case of the light receiving element, since a photocurrent is generated by absorbing light of a predetermined wavelength band, the wavelength band of the absorbed light may be increased due to an electric field that varies according to the magnitude of the bias. Accordingly, in order to improve sensitivity to light having a predetermined wavelength, it is necessary to reduce a wavelength band according to a changing electric field.

실시예는 응력에 의한 전계 방향을 조절하여 개선된 응답도를 갖는 반도체 소자를 제공한다.The embodiment provides a semiconductor device having improved responsiveness by adjusting the direction of an electric field due to stress.

실시예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.The problem to be solved in the embodiment is not limited thereto, and it will be said that the purpose or effect that can be grasped from the method of solving the problem described below or the embodiment is also included.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자는 기판; 상기 상에 배치되는 필터층; 상기 필터층 상에 배치되는 제1 도전형 제1 반도체층; 상기 제1 도전형 제1 반도체층 상에 배치되는 완화층; 상기 완화층 상에 배치되는 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 배치되는 제1 도전형 제2 반도체층; 상기 제1 도전형 제2 반도체층 상에 배치되는 증폭층; 및 상기 증폭층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 광흡수층은 상기 제1 도전형 제1 반도체층보다 격자 상수가 큰 물질을 포함하고, 상기 완화층은 상기 광흡수층보다 격자 상수가 큰 물질을 포함한다.A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a substrate; a filter layer disposed on the above; a first conductivity-type first semiconductor layer disposed on the filter layer; an alleviation layer disposed on the first conductivity-type first semiconductor layer; a light absorption layer disposed on the alleviation layer; a first conductivity-type second semiconductor layer disposed on the light absorption layer; an amplification layer disposed on the first conductivity-type second semiconductor layer; and a second conductivity type semiconductor layer disposed on the amplification layer, wherein the light absorption layer includes a material having a lattice constant greater than that of the first conductivity type first semiconductor layer, and the relaxation layer has a lattice greater than that of the light absorption layer. Contains substances with large constants.

상기 완화층은 상기 광흡수층보다 밴드 갭 에너지가 높을 수 있다.The alleviation layer may have a higher band gap energy than the light absorption layer.

상기 광흡수층은 상기 완화층에서 상기 광흡수층을 향한 방향으로 전계를 가질 수 있다.The light absorption layer may have an electric field in a direction from the alleviation layer toward the light absorption layer.

상기 완화층은 상기 완화층에서 상기 제1 도전형 제1 반도체층을 향한 방향으로 전계를 가질 수 있다.The alleviation layer may have an electric field in a direction from the alleviation layer toward the first conductivity-type first semiconductor layer.

상기 기판과 상기 필터층 사이에 배치되는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.It may further include a buffer layer disposed between the substrate and the filter layer.

상기 완화층은 상기 광흡수층보다 밴드 갭 에너지가 낮고, 제1 방향으로 두께가 10nm 내지 50nm이며, 상기 제1 방향은 반도체 구조물의 적층 방향일 수 있다.The alleviation layer may have a lower band gap energy than the light absorption layer, and may have a thickness of 10 nm to 50 nm in a first direction, and the first direction may be a stacking direction of the semiconductor structure.

상기 제1 도전형 제1 반도체층과 접하는 부분의 Al 조성은 상기 제1 도전형 제1 반도체층의 Al 조성과 동일하고, 상기 광흡수층과 접하는 부분의 Al 조성은 상기 광흡수층의 Al 조성과 동일할 수 있다.The Al composition of the portion in contact with the first conductivity type first semiconductor layer is the same as the Al composition of the first conductivity type first semiconductor layer, and the Al composition of the portion in contact with the light absorption layer is the same as the Al composition of the light absorption layer can do.

실시예에 따른 센서는 하우징; 상기 하우징 내에 배치되고 자외선 광을 방사하는 제1 반도체 소자; 및 상기 하우징 내에 배치되는 제2 반도체 소자;을 포함하고, 상기 제2 반도체 소자는, 기판; 상기 상에 배치되는 필터층; 상기 필터층 상에 배치되는 제1 도전형 제1 반도체층; 상기 제1 도전형 제1 반도체층 상에 배치되는 완화층; 상기 완화층 상에 배치되는 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 배치되는 제1 도전형 제2 반도체층; 상기 제1 도전형 제2 반도체층 상에 배치되는 증폭층; 및 상기 증폭층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 광흡수층은 상기 제1 도전형 제1 반도체층보다 격자 상수가 큰 물질을 포함하고, 상기 완화층은 상기 광흡수층보다 격자 상수가 큰 물질을 포함한다.A sensor according to an embodiment includes a housing; a first semiconductor element disposed in the housing and emitting ultraviolet light; and a second semiconductor device disposed in the housing, wherein the second semiconductor device includes: a substrate; a filter layer disposed on the above; a first conductivity-type first semiconductor layer disposed on the filter layer; an alleviation layer disposed on the first conductivity-type first semiconductor layer; a light absorption layer disposed on the alleviation layer; a first conductivity-type second semiconductor layer disposed on the light absorption layer; an amplification layer disposed on the first conductivity-type second semiconductor layer; and a second conductivity type semiconductor layer disposed on the amplification layer, wherein the light absorption layer includes a material having a lattice constant greater than that of the first conductivity type first semiconductor layer, and the relaxation layer has a lattice greater than that of the light absorption layer. Contains substances with large constants.

실시예에 따른 전자 제품은 케이스; 상기 케이스 내에 배치되는 센서; 및 상기 센서와 통신하는 제어부를 포함하고, 상기 센서는, 하우징; 상기 하우징 내에 배치되고 자외선 광을 방사하는 제1 반도체 소자; 및 상기 하우징 내에 배치되는 제2 반도체 소자;을 포함하고, 상기 제2 반도체 소자는, 제1 도전형 제1 반도체층; 기판; 상기 상에 배치되는 필터층; 상기 필터층 상에 배치되는 제1 도전형 제1 반도체층; 상기 제1 도전형 제1 반도체층 상에 배치되는 완화층; 상기 완화층 상에 배치되는 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 배치되는 제1 도전형 제2 반도체층; 상기 제1 도전형 제2 반도체층 상에 배치되는 증폭층; 및 상기 증폭층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 광흡수층은 상기 제1 도전형 제1 반도체층보다 격자 상수가 큰 물질을 포함하고, 상기 완화층은 상기 광흡수층보다 격자 상수가 큰 물질을 포함한다.An electronic product according to an embodiment includes a case; a sensor disposed within the case; and a control unit communicating with the sensor, wherein the sensor includes: a housing; a first semiconductor element disposed in the housing and emitting ultraviolet light; and a second semiconductor device disposed in the housing, wherein the second semiconductor device includes: a first conductivity-type first semiconductor layer; Board; a filter layer disposed on the above; a first conductivity-type first semiconductor layer disposed on the filter layer; an alleviation layer disposed on the first conductivity-type first semiconductor layer; a light absorption layer disposed on the alleviation layer; a first conductivity-type second semiconductor layer disposed on the light absorption layer; an amplification layer disposed on the first conductivity-type second semiconductor layer; and a second conductivity type semiconductor layer disposed on the amplification layer, wherein the light absorption layer includes a material having a lattice constant greater than that of the first conductivity type first semiconductor layer, and the relaxation layer has a lattice greater than that of the light absorption layer. Contains substances with large constants.

실시예에 따르면, 실시예는 응력에 의한 전계 방향을 조절하여 개선된 응답도를 갖는 반도체 소자를 구현할 수 있다.According to the embodiment, a semiconductor device having improved responsiveness may be implemented by adjusting the direction of an electric field due to stress.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above, and will be more easily understood in the course of describing specific embodiments of the present invention.

도 1은 실시예에 따른 센서를 도시한 도면이고,
도 2는 도 1에서 발광 소자의 여기광과 곰팡이의 형광에 대한 파장 별 강도를 도시한 도면이고,
도 3은 실시예에 따른 전자 제품을 도시한 개념도이고,
도 4는 실시예에 따른 반도체 소자의 단면도이고,
도 5a 내지 도5c는 격자 상수에 따른 전계 변화를 설명하는 도면이고,
도 6a는 실시예에 따른 반도체 소자의 밴드 다이어 그램이고,
도 6b는 6a의 변형예이고,
도 7은 실시예에 따른 반도체 소자의 효과를 설명한 전계 분포(electric Field)를 도시한 도면이다.1 is a view showing a sensor according to an embodiment,
2 is a view showing the intensity of each wavelength for the excitation light of the light emitting device and the fluorescence of mold in FIG. 1;
3 is a conceptual diagram illustrating an electronic product according to an embodiment;
4 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the embodiment;
5A to 5C are diagrams for explaining the electric field change according to the lattice constant,
6A is a band diagram of a semiconductor device according to an embodiment;
Figure 6b is a modification of 6a,
7 is a diagram illustrating an electric field for explaining an effect of a semiconductor device according to an embodiment.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Since the present invention may have various changes and may have various embodiments, specific embodiments will be illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including an ordinal number such as second, first, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.

본 실시예에 따른 반도체 소자는 수광소자일 수 있다.The semiconductor device according to the present embodiment may be a light receiving device.

수광소자는 광자의 에너지를 열 에너지로 변환하는 열소자, 또는 광자의 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전소자 등을 포함할 수 있다. 특히, 광전소자는 광흡수층에서 광흡수층 물질이 갖는 에너지 밴드갭 이상의 광 에너지를 흡수하여 전자와 정공을 발생시킬 수 있다. 그리고 광전소자의 외부에서 가해지는 전기장에 의하여 전자와 정공이 이동함으로써 전류가 발생될 수 있다.The light receiving element may include a thermal element that converts photon energy into thermal energy, or a photoelectric element that converts photon energy into electrical energy. In particular, the photoelectric device may generate electrons and holes by absorbing light energy greater than or equal to the energy band gap of the light absorbing layer material in the light absorbing layer. In addition, current may be generated by the movement of electrons and holes by an electric field applied from the outside of the photoelectric device.

본 실시예에 따른 반도체 소자는 APD(Avalanche PhotoDiode)일 수 있다. APD는 제1, 2 도전형 반도체층 사이에 높은 전계를 갖는 증폭층을 더 포함할 수 있다. 증폭층으로 이동된 전자 또는 정공은 높은 전계에 의하여 그 주변의 원자들과 충돌함으로써 새로운 전자와 정공을 만들고, 이러한 과정의 반복으로 전류가 증폭될 수 있다. 따라서, APD는 소량의 광에 의해서도 민감하게 반응 가능하므로, 고감도의 센서나 장거리 통신 등에 이용될 수 있다.The semiconductor device according to the present embodiment may be an Avalanche PhotoDiode (APD). The APD may further include an amplification layer having a high electric field between the first and second conductivity-type semiconductor layers. Electrons or holes moved to the amplification layer collide with atoms around them by a high electric field to create new electrons and holes, and the current can be amplified by repeating this process. Accordingly, the APD can respond sensitively to even a small amount of light, and thus can be used as a high-sensitivity sensor or long-distance communication.

이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them.

도 1은 실시예에 따른 센서를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a sensor according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 감지 센서는 하우징(3000), 하우징(3000)상에 배치되는 발광소자(2000), 및 하우징(3000)상에 배치되는 반도체 소자(1000)를 포함한다. 여기서, 반도체 소자(1000)는 상기 설명한 실시예에 따른 반도체 소자일 수 있다.Referring to FIG. 1 , the detection sensor according to the embodiment includes a housing 3000 , a light emitting device 2000 disposed on the housing 3000 , and a semiconductor device 1000 disposed on the housing 3000 . Here, the semiconductor device 1000 may be the semiconductor device according to the above-described embodiment.

하우징(3000)은 자외선 발광소자(2000) 및 반도체 소자(1000)와 전기적으로 연결되는 회로패턴(미도시)을 포함할 수 있다. 하우징(3000)은 외부 전원과 소자를 전기적으로 연결하는 구성이면 특별히 제한되지 않는다.The housing 3000 may include a circuit pattern (not shown) electrically connected to the ultraviolet light emitting device 2000 and the semiconductor device 1000 . The housing 3000 is not particularly limited as long as it is configured to electrically connect an external power source and an element.

하우징(3000)의 내부에는 제어모듈(미도시됨) 및/또는 통신모듈(미도시됨)을 포함할 수 있다. 따라서, 센서의 사이즈를 소형화할 수 있다. 제어모듈은 자외선 발광소자(2000)와 반도체 소자(1000)에 전원을 인가하거나, 반도체 소자(1000)가 검출한 신호를 증폭하거나, 검출한 신호를 외부로 전송할 수 있다. 제어모듈은 FPGA 또는 ASIC일 수 있으나. 이에 한정되는 것은 아니다.The housing 3000 may include a control module (not shown) and/or a communication module (not shown). Accordingly, the size of the sensor can be reduced. The control module may apply power to the ultraviolet light emitting device 2000 and the semiconductor device 1000 , amplify a signal detected by the semiconductor device 1000 , or transmit the detected signal to the outside. The control module may be an FPGA or an ASIC. The present invention is not limited thereto.

발광소자(2000)는 하우징(3000)의 외부로 자외선 파장대의 광을 출력할 수 있다. 발광소자(2000)는 근자외선 파장대의 광(UV-A)을 출력할 수도 있고, 원자외선 파장대의 광(UV-B)을 출력할 수도 있고, 심자외선 파장대의 광(UV-C)을 방출할 수 있다. 자외선 파장대는 발광소자(1000)의 Al의 조성비에 의해 결정될 수 있다. 예시적으로, 근자외선 파장대의 광(UV-A)는 320nm 내지 420nm 범위의 파장을 가질 수 있고, 원자외선 파장대의 광(UV-B)은 280nm 내지 320nm 범위의 파장을 가질 수 있으며, 심자외선 파장대의 광(UV-C)은 100nm 내지 280nm 범위의 파장을 가질 수 있다.The light emitting device 2000 may output light in the ultraviolet wavelength band to the outside of the housing 3000 . The light emitting device 2000 may output light (UV-A) in the near-ultraviolet wavelength band, may output light (UV-B) in the far-ultraviolet wavelength band, and emit light (UV-C) in the deep-ultraviolet wavelength band. can do. The ultraviolet wavelength band may be determined by the Al composition ratio of the light emitting device 1000 . Illustratively, the light (UV-A) of the near-ultraviolet wavelength band may have a wavelength in the range of 320 nm to 420 nm, and the light (UV-B) in the far-ultraviolet wavelength band may have a wavelength in the range of 280 nm to 320 nm, deep ultraviolet rays Light (UV-C) in the wavelength band may have a wavelength in the range of 100 nm to 280 nm.

외부 공기 중에 다양한 미생물(microorganisms)이 존재할 수 있다. 미생물(P)은 곰팡이, 세균, 박테리아 등을 포함하는 생물학적 입자일 수 있다. 즉, 먼지와 같은 비생물 입자와 구분될 수 있다. 미생물(P)은 강한 에너지를 흡수할 경우 특유의 형광을 발생한다. A variety of microorganisms can be present in the outside air. The microorganism (P) may be a biological particle including mold, bacteria, bacteria, and the like. That is, it can be distinguished from non-living particles such as dust. When the microorganism (P) absorbs strong energy, a characteristic fluorescence is generated.

예컨대, 미생물(P)은 소정의 파장 대역의 광을 흡수하여 소정의 파장 대역의 형광 스펙트럼을 방출할 수 있다. 즉, 미생물(P)은 흡수한 광의 일부를 소모하고 일정 파장대의 형광 스펙트럼을 방출한다.For example, the microorganism P may absorb light of a predetermined wavelength band and emit a fluorescence spectrum of a predetermined wavelength band. That is, the microorganism P consumes a part of the absorbed light and emits a fluorescence spectrum in a certain wavelength band.

이에, 반도체 소자(1000)는 미생물(P)이 방출한 형광 스펙트럼을 검출한다. 미생물(P)은 각자 방출하는 형광 스펙트럼이 상이하므로, 미생물(P)이 방출하는 형광 스펙트럼을 조사하면 미생물(P)의 존재 및 종류를 알 수 있다.Accordingly, the semiconductor device 1000 detects the fluorescence spectrum emitted by the microorganism P. Since each microorganism (P) emits a different fluorescence spectrum, the existence and type of the microorganism (P) can be known by examining the fluorescence spectrum emitted by the microorganism (P).

발광소자(2000)는 UV 발광다이오드일 수 있고, 반도체 소자(1000)는 상기 설명한 실시예에 따른 반도체 소자로 UV 포토다이오드 일 수 있다. The light emitting device 2000 may be a UV light emitting diode, and the semiconductor device 1000 may be a semiconductor device according to the above-described embodiment and may be a UV photodiode.

도 2는 도 1에서 발광 소자의 여기광과 곰팡이의 형광에 대한 파장 별 강도를 도시한 도면이다.FIG. 2 is a view showing the intensity of each wavelength for the excitation light of the light emitting device and the fluorescence of mold in FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 도 1에서 수광 소자인 반도체 소자에 인가되는 광은 발광소자로부터 발생한 여기광과 여기광에 의해 곰팡이 등에 의해 발생된 형광을 포함할 수 있다. 또한, 이하 설명과 같이 여기광은 280nm과 325nm의 파장에서 높은 반응 강도를 가질 수 있다. Referring to FIG. 2 , the light applied to the semiconductor device as the light receiving device in FIG. 1 may include excitation light generated from the light emitting device and fluorescence generated by mold or the like by the excitation light. In addition, as described below, the excitation light may have a high response intensity at wavelengths of 280 nm and 325 nm.

이에, 실시예에 따른 센서에서 반도체 소자는 필터층이 320nm 이상의 광을 최대한 통과시키기 위해 Al 조성비와 두께가 제어될 수 있다. 또한, 실시예에 따른 반도체 소자는 광흡수층의 두께 변화에도 증폭층과 광흡수층에서 전기장 세기가 변하지 않도록(증폭층의 전기장 세기가 광흡수층의 전기장 세기보다 높도록) 제1 도전형 제2 반도체층의 두께 및 Si 도핑 농도를 설정될 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 반도체 소자는 광흡수층에서 다수의 광흡수로 개선된 게인을 제공하고, 원하는 파장 대역의 광만을 감지하는데 정확도를 개선할 수 있다.Accordingly, in the semiconductor device in the sensor according to the embodiment, the Al composition ratio and thickness may be controlled in order to allow the filter layer to pass light of 320 nm or more as much as possible. In addition, in the semiconductor device according to the embodiment, the first conductivity type second semiconductor layer so that the electric field strength does not change in the amplification layer and the light absorption layer even when the thickness of the light absorption layer changes (so that the electric field strength of the amplification layer is higher than the electric field strength of the light absorption layer) The thickness and Si doping concentration can be set. With this configuration, the semiconductor device may provide an improved gain by absorbing a plurality of light in the light absorption layer, and improve accuracy in sensing only light of a desired wavelength band.

도 3는 실시예에 따른 전자 제품의 개념도이다.3 is a conceptual diagram of an electronic product according to an embodiment.

도 3를 참조하면, 실시예에 따른 전자 제품은, 케이스(2), 케이스(2) 내에 배치되는 감지 센서(10), 제품의 기능을 수행하는 기능부(40) 및 제어부(20)를 포함한다.Referring to FIG. 3 , the electronic product according to the embodiment includes a case 2 , a detection sensor 10 disposed in the case 2 , a functional unit 40 performing a function of the product, and a control unit 20 . do.

전자 제품은 다양한 가전 기기 등을 포함하는 개념일 수 있다. 예시적으로, 전자 제품은 냉장고, 공기 청정기, 에어컨, 정수기, 가습기 등과 같이 전원을 공급받아 소정의 역할을 수행하는 가전 가기일 수 있다. The electronic product may be a concept including various home appliances and the like. For example, the electronic product may be a home appliance that performs a predetermined role by receiving power, such as a refrigerator, an air purifier, an air conditioner, a water purifier, and a humidifier.

그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 전자 제품은 자동차와 같이 소정의 밀폐 공간을 갖는 제품을 포함할 수도 있다. 즉, 전자 제품은 미생물(1)의 존재를 확인할 필요가 있는 다양한 제품을 모두 포함하는 개념일 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the electronic product may include a product having a predetermined sealed space, such as an automobile. That is, the electronic product may be a concept including all of the various products that need to confirm the existence of the microorganism 1 .

기능부(40)는 전자 제품의 주기능을 수행할 수 있다. 예시적으로, 전자 부품이 에어컨인 경우, 기능부(40)는 공기의 온도를 제어하는 부분일 수 있다. 또한, 전자 부품이 정수기인 경우, 기능부(40)는 물을 정수하는 부분일 수 있다.The function unit 40 may perform a main function of the electronic product. For example, when the electronic component is an air conditioner, the functional unit 40 may be a part that controls the temperature of the air. Also, when the electronic component is a water purifier, the functional unit 40 may be a water purifier.

제어부(20)는 기능부(40) 및 감지 센서(10)와 통신할 수 있다. 제어부(20)는 케이스(2) 내부로 유입된 미생물의 존재 및 종류를 탐지하기 위해 감지 센서(10)를 동작시킬 수 있다. 전술한 바와 같이 실시예에 따른 감지 센서(10)는 모듈 형태로 소형화가 가능하므로 다양한 사이즈의 전자 제품에 장착될 수 있다.The control unit 20 may communicate with the functional unit 40 and the detection sensor 10 . The control unit 20 may operate the detection sensor 10 to detect the presence and type of microorganisms introduced into the case 2 . As described above, since the detection sensor 10 according to the embodiment can be miniaturized in the form of a module, it can be mounted on electronic products of various sizes.

제어부(20)는 감지 센서(10)에서 검출된 신호를 미리 저장된 데이터와 비교하여 미생물의 농도 및 종류를 검출할 수 있다. 미리 저장된 데이터는 룩-업 테이블 형식으로 메모리에 저장될 수 있으며, 주기적으로 갱신될 수 있다.The control unit 20 may compare the signal detected by the detection sensor 10 with previously stored data to detect the concentration and type of the microorganism. The pre-stored data may be stored in the memory in the form of a look-up table, and may be periodically updated.

제어부(20)는 검출 결과, 미생물의 농도 등이 미리 설정된 기준값 이상인 경우 세척 시스템을 구동시키거나, 디스플레이부(30)에 경고 신호를 출력할 수 있다.As a result of the detection, when the concentration of microorganisms is greater than or equal to a preset reference value, the control unit 20 may drive the washing system or output a warning signal to the display unit 30 .

도 4는 실시예에 따른 반도체 소자의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to an embodiment.

도 4를 참조하면 실시예에 따른 반도체 소자(100)는 기판(110), 반도체 구조물(120), 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)을 포함할 수 있다. 또한, 기판(110)과 반도체 구조물(120) 사이에는 버퍼층(115)이 더 배치될 수 있다.Referring to FIG. 4 , the semiconductor device 100 according to the embodiment may include a substrate 110 , a semiconductor structure 120 , a first electrode 131 , and a second electrode 132 . In addition, a buffer layer 115 may be further disposed between the substrate 110 and the semiconductor structure 120 .

먼저, 기판(110)은 투광성, 전도성 또는 절연성 기판(110)일 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, 및 Ga2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.First, the substrate 110 may be a light-transmitting, conductive, or insulating substrate 110 . For example, the substrate 110 may include at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga 2 O 3 .

기판(110)은 두께(T1)는 2400nm 내지 3600nm일 수 있다. 여기서, 두께는 반도체 소자(100)의 적층 방향으로 길이를 의미한다. 다만, 이러한 길이에 한정되는 것은 아니다. 적층 방향은 제1 방향(X축 방향)이며, 제1 방향(X축 방향)은 제1-1 방향(X1축 방향), 제1-2 방향(X2축 방향)을 포함할 수 있다. 제1-1 방향(X1축 방향)은 반도체 구조물(120)에서 기판(110)을 향한 방향이고, 제1-2 방향(X2축 방향)은 제1-1 방향(X1축 방향)의 반대 방향으로 기판(110)에서 반도체 구조물(120)을 향한 방향일 수 있다.The substrate 110 may have a thickness T 1 of 2400 nm to 3600 nm. Here, the thickness means a length in the stacking direction of the semiconductor device 100 . However, it is not limited to this length. The stacking direction may be a first direction (X-axis direction), and the first direction (X-axis direction) may include a 1-1 direction (X 1 axis direction) and a 1-2 direction (X 2 axis direction). . A 1-1 direction (X 1 axis direction) is a direction from the semiconductor structure 120 toward the substrate 110 , and a 1-2 direction (X 2 axis direction) is a 1-1 direction (X 1 axis direction). It may be a direction from the substrate 110 toward the semiconductor structure 120 in a direction opposite to .

버퍼층(115)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(115)은 기판(110) 과 제1 도전형 제1 반도체층(122) 사이의 격자 상수 차이에 따라 발생하는 변형을 완화시킬 수 있다. The buffer layer 115 may be disposed on the substrate 110 . The buffer layer 115 may relieve deformation caused by a difference in lattice constant between the substrate 110 and the first conductivity-type first semiconductor layer 122 .

또한, 버퍼층(115)은 기판(110)이 포함하는 물질의 확산을 방지할 수 있다. 이를 위해, 버퍼층(115)은 300 내지 3000nm의 두께를 가질 수 있으나, 이것으로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 여기서 두께는 반도체 구조물(120)의 두께 방향이며, 제1 방향이다. Also, the buffer layer 115 may prevent diffusion of a material included in the substrate 110 . To this end, the buffer layer 115 may have a thickness of 300 to 3000 nm, but the present invention is not limited thereto. Here, the thickness is the thickness direction of the semiconductor structure 120 , and is the first direction.

버퍼층(115)은 AlN, AlAs, GaN, AlGaN 및 SiC 중 선택된 하나 또는 이들의 이중층 구조를 포함할 수 있다. 버퍼층(115)은 경우에 따라 생략될 수 있다.The buffer layer 115 may include one selected from AlN, AlAs, GaN, AlGaN, and SiC, or a double layer structure thereof. The buffer layer 115 may be omitted in some cases.

버퍼층(115)의 두께(T2)는 640nm 내지 960nm일 수 있으나, 이러한 길이에 한정되는 것은 아니다. 버퍼층(115)의 구성에 대해서는 이하 도 6a 내지 도 6c에서 자세히 설명한다.The thickness T 2 of the buffer layer 115 may be 640 nm to 960 nm, but is not limited thereto. The configuration of the buffer layer 115 will be described in detail below with reference to FIGS. 6A to 6C .

반도체 구조물(120)은 기판(110)(또는 버퍼층(115)) 상에 배치될 수 있다. 반도체 구조물(120)은 필터층(121), 제1 도전형 제1 반도체층(122), 완화층(123), 광흡수층(124), 제1 도전형 제2 반도체층(125), 증폭층(126) 및 제2 도전형 반도체층(127)을 포함할 수 있다.The semiconductor structure 120 may be disposed on the substrate 110 (or the buffer layer 115 ). The semiconductor structure 120 includes a filter layer 121 , a first conductivity type first semiconductor layer 122 , a relaxation layer 123 , a light absorption layer 124 , a first conductivity type second semiconductor layer 125 , and an amplification layer ( 126 ) and a second conductivity type semiconductor layer 127 .

반도체 구조물(120)의 각 층들(제1 도전형 제1 반도체층(122), 완화층(123), 광흡수층(124), 제1 도전형 제2 반도체층(125), 증폭층(126), 제2 도전형 반도체층(127))은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 반도체 구조물(120)은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 구조물(120)은 GaN을 포함할 수 있다.Each of the layers of the semiconductor structure 120 (the first conductivity type first semiconductor layer 122 , the relaxation layer 123 , the light absorption layer 124 , the first conductivity type second semiconductor layer 125 , and the amplification layer 126 ) , the second conductivity type semiconductor layer 127) may be implemented with at least one of group III-V and group II-VI compound semiconductors. The semiconductor structure 120 may be formed of, for example, a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). . For example, the semiconductor structure 120 may include GaN.

필터층(121)은 반도체 구조물(120) 최하부에 배치될 수 있다. 필터층(121)은 도핑되지 않은 비도핑(undoped)층일 수 있다.The filter layer 121 may be disposed on the lowermost portion of the semiconductor structure 120 . The filter layer 121 may be an undoped, undoped layer.

필터층(121)은 기판(110) 및 버퍼층(115)을 통해 수광되는 광 중 소정의 파장 이하의 광을 통과하고, 소정의 파장보다 큰 광은 필터링할 수 있다. 필터층(121)은 280nm의 중심 파장을 갖는 UV-C 광을 필터링할 수 있다. 예컨대, 필터층(121)은 UV-C 광의 중심 파장에 대해 일정 비율의 파장 대역의 광을 필터링할 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 필터층(121)은 곰팡이 등에 조사되는 UV-C광을 필터링하고 곰팡이로부터 발생하는 형광의 파장 대역의 광을 통과시킬 수 있다. 필터층(121)은 Al을 포함하여, 소정의 파장 대역의 광을 필터링 할 수 있다. 즉, 필터층(121)은 흡수되는 광의 파장대역에 따라 Al 조성이 다양할 수 있다. 예컨대, 실시예에 따른 반도체 소자(100)의 필터층(121)은 Al 조성이 15%로 320nm 이하의 광은 흡수할 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 320nm보다 큰 파장의 광은 필터층(121)을 통과할 수 있다.The filter layer 121 may pass light having a wavelength less than or equal to a predetermined wavelength among light received through the substrate 110 and the buffer layer 115 and may filter light having a wavelength greater than a predetermined wavelength. The filter layer 121 may filter UV-C light having a central wavelength of 280 nm. For example, the filter layer 121 may filter light in a wavelength band of a predetermined ratio with respect to the central wavelength of UV-C light. According to this configuration, the filter layer 121 may filter UV-C light irradiated to mold or the like and pass light in a wavelength band of fluorescence generated from the mold. The filter layer 121 may filter light of a predetermined wavelength band, including Al. That is, the Al composition of the filter layer 121 may vary according to the wavelength band of the absorbed light. For example, the filter layer 121 of the semiconductor device 100 according to the embodiment has an Al composition of 15% and can absorb light of 320 nm or less. With this configuration, light having a wavelength greater than 320 nm may pass through the filter layer 121 .

이에 따라, 필터층(121)은 원하는 파장보다 작은 파장을 갖는 광이 광흡수층(124)에 흡수되지 않도록, 원하는 파장 보다 작은 파장을 갖는 광을 필터링하도록 에너지 밴드갭을 가질 수 있다. Accordingly, the filter layer 121 may have an energy bandgap to filter light having a wavelength smaller than a desired wavelength so that light having a wavelength smaller than a desired wavelength is not absorbed by the light absorption layer 124 .

다만, 필터층(121)은 이러한 파장에 한정되어 광을 필터링하는 것은 아니며, 광흡수층(124)에서 흡수하는 광의 파장에 따라 가변적으로 필터링되는 파장 대역을 가질 수 있다. 예시적으로, 필터층(121)은 광흡수층(124)의 흡수 파장에 맞춰 두께, 조성을 조절될 수 있다. 이러한 경우, 필터층(121)은 광흡수층(124)의 파장 대역보다 큰 파장 대역의 광을 통과시킬 수 있다.However, the filter layer 121 is not limited to this wavelength to filter light, and may have a variably filtered wavelength band according to the wavelength of the light absorbed by the light absorption layer 124 . For example, the thickness and composition of the filter layer 121 may be adjusted according to the absorption wavelength of the light absorption layer 124 . In this case, the filter layer 121 may pass light of a wavelength band greater than that of the light absorption layer 124 .

또한, 필터층(121)의 두께(T3)는 400nm 내지 600nm일 수 있으나, 이러한 길이에 한정되는 것은 아니다. In addition, the thickness (T 3 ) of the filter layer 121 may be 400 nm to 600 nm, but is not limited thereto.

제1 도전형 제1 반도체층(122)은 기판(110)(또는 버퍼층(115)) 상에 배치될 수 있다. 제1 도전형 제1 반도체층(122)에는 제1 도펀트가 도핑될 수 있다. 여기서, 제1 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트일 수 있다. 즉, 제1 도전형 제1 반도체층(122)은 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 제1 도전형 제1 반도체층(122)은 500nm 내지 1500nm의 두께를 가질 수 있으나, 이것으로 본 발명을 한정하지는 않는다.The first conductivity-type first semiconductor layer 122 may be disposed on the substrate 110 (or the buffer layer 115 ). The first conductivity type first semiconductor layer 122 may be doped with a first dopant. Here, the first dopant may be an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. That is, the first conductivity-type first semiconductor layer 122 may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant. The first conductivity type first semiconductor layer 122 may have a thickness of 500 nm to 1500 nm, but the present invention is not limited thereto.

제1 도전형 제1 반도체층(122)은 저 저항층으로 전극과 접촉하는 컨택층일 수 있다. 또한, 제1 도전형 제1 반도체층(122)은 2차 필터링을 수행할 수 있다. 예시적으로, 제1 도전형 제1 반도체층(122)은 필터층(121)에서 필터링 되지 않은 320nm 이하의 광을 흡수하여 흡수층에 320nm보다 큰 파장의 광을 통과시켜 필터층(121)의 필터 기능을 보완할 수 있다.The first conductivity-type first semiconductor layer 122 may be a low-resistance layer and may be a contact layer in contact with an electrode. In addition, the first conductivity type first semiconductor layer 122 may perform secondary filtering. Illustratively, the first conductivity type first semiconductor layer 122 absorbs light of 320 nm or less that is not filtered by the filter layer 121 and passes light having a wavelength greater than 320 nm through the absorption layer to perform the filter function of the filter layer 121 . can be supplemented

또한, 제1 도전형 제1 반도체층(122)의 두께(T4)는 800nm 내지 1200nm일 수 있다. 다만, 이러한 길이에 한정되는 것은 아니다.Also, the thickness T 4 of the first conductivity-type first semiconductor layer 122 may be 800 nm to 1200 nm. However, it is not limited to this length.

완화층(123)은 제1 도전형 제1 반도체층(1222) 상에 배치될 수 있다. 또한, 완화층(123)은 제1 도전형 제1 반도체층(122)과 광흡수층(124) 사이에 배치될 수 있다.The alleviation layer 123 may be disposed on the first conductivity-type first semiconductor layer 1222 . Also, the alleviation layer 123 may be disposed between the first conductivity-type first semiconductor layer 122 and the light absorption layer 124 .

완화층(123)은 제1 도전형 제1 반도체층(122)와 광흡수층(124)보다 큰 격자 상수를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 완화층(123)은 제1-1 방향인 하부에 배치된 제1 도전형 제1 반도체층(122)의 물질보다 큰 격자 상수를 갖는 물질을 포함하여, 반도체 구조물로서 완화층(123)에 적층 방향인 C축 방향과 반대 방향으로 스트레인(strain)에 의해 제1-1 방향(X1축 방향)으로 전계(Electric Field)가 형성될 수 있다.The alleviation layer 123 may include a material having a larger lattice constant than that of the first conductivity-type first semiconductor layer 122 and the light absorption layer 124 . With this configuration, the alleviation layer 123 includes a material having a larger lattice constant than the material of the first conductivity-type first semiconductor layer 122 disposed below in the 1-1 direction, and serves as the relief layer as a semiconductor structure. At 123 , an electric field may be formed in the 1-1 direction (X 1 axis direction) by a strain in a direction opposite to the C-axis direction, which is the stacking direction.

또한, 완화층(123)은 상부에 배치된 광흡수층(124)보다 큰 격자 상수를 가진 물질을 포함할 수 있다. 다만, 완화층(123)은 광흡수층(124)보다 하부에 배치되어 있어, 광흡수층(124)은 보다 격자 상수가 낮은 물질을 포함하는 완화층(123) 상에 적층한 형태일 수 있다. 이로써, 앞서 설명한 내용과 반대로 완화층(123)과 제1 도전형 제1 반도체층(122) 사이에 발생하는 스트레인(strain)에 의한 전계(Electric Field)가 반대 방향으로 형성될 수 있다.Also, the alleviation layer 123 may include a material having a larger lattice constant than the light absorption layer 124 disposed thereon. However, since the alleviation layer 123 is disposed below the light absorption layer 124 , the light absorption layer 124 may be stacked on the relief layer 123 including a material having a lower lattice constant. Accordingly, contrary to the above description, an electric field due to a strain generated between the alleviation layer 123 and the first conductivity-type first semiconductor layer 122 may be formed in the opposite direction.

이러한 구성에 의하여, 광흡수층(124)은 적층 방향인 제1-2 방향(X2축 방향)으로 전계가 형성될 수 있다. 이로써, 광흡수층(124)은 제1-2 방향(X2축 방향)으로 형성된 전계에 의하여 광흡수층에서 형성된 전자 들이 증폭층(126)을 향해 제공될 수 있다. 이에, 증폭층(126)에서 캐리어 증배 및 전류 증폭이 커져, 실시예에 따른 반도체 소자는 응답도가 개선될 수 있다. (여기서 응답도는 1W의 광인가시 발생하는 전류(A)를 의미한다)With this configuration, an electric field may be formed in the first-second direction (X 2 axis direction) of the light absorption layer 124 as the stacking direction. Accordingly, in the light absorption layer 124 , electrons formed in the light absorption layer by the electric field formed in the 1-2 direction (X 2 axis direction) may be provided toward the amplification layer 126 . Accordingly, carrier multiplication and current amplification are increased in the amplification layer 126 , so that the responsiveness of the semiconductor device according to the embodiment may be improved. (Here, the response means the current (A) generated when 1W of light is applied)

완화층(123)과 광흡수층(124) 사이에서 포함하는 물질의 격자 상수 차이에 따라 스트레인에 의해 광흡수층(124)에 걸리는 전계 차이는 이하 도 5a 내지 도 5c에서 설명한다.The difference in the electric field applied to the light absorption layer 124 by strain according to a difference in lattice constants of materials included between the alleviation layer 123 and the light absorption layer 124 will be described below with reference to FIGS. 5A to 5C .

완화층(123)은 광흡수층(124)에 포함된 물질보다 격자 상수가 큰 물질을 포함할 수 있다. 실시예로, 광흡수층(124)은 GaN을 포함할 수 있다. 이에, 완화층(123)은 광흡수층(124)보다 큰 격자 상수를 갖는 물질을 포함할 수 있다.The alleviation layer 123 may include a material having a lattice constant greater than that of the material included in the light absorption layer 124 . In an embodiment, the light absorption layer 124 may include GaN. Accordingly, the alleviation layer 123 may include a material having a larger lattice constant than the light absorption layer 124 .

예컨대, 완화층(123)은 Ga2O3, MgO, ZnS, MgS, MgSe, MgTe, ZnO, In2O3, AlP, ZnSe, CdS, GaP, CdO, AlAs, ZnTe, GaAs, InP, CdSe, CdTe, InN, Si, Ge, InAs, GaS, InSb 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. For example, the alleviation layer 123 is Ga 2 O 3 , MgO, ZnS, MgS, MgSe, MgTe, ZnO, In 2 O 3 , AlP, ZnSe, CdS, GaP, CdO, AlAs, ZnTe, GaAs, InP, CdSe, It may include at least one of CdTe, InN, Si, Ge, InAs, GaS, and InSb.

이러한 구성에 의하여, 완화층(123)은 앞서 설명한 바와 같이 완화층(123)에 스트레인에 의한 전계 방향을 조절할 수 있다.With this configuration, the alleviation layer 123 may control the direction of the electric field caused by the strain in the alleviation layer 123 as described above.

또한, 완화층(123)은 광흡수층(124)보다 밴드 갭 에너지가 낮거나, 높을 수 있다.In addition, the band gap energy of the alleviation layer 123 may be lower or higher than that of the light absorption layer 124 .

완화층(123)은 광흡수층(124)보다 밴드 갭 에너지가 높을 수 있다. 예컨대, 완화층(123)은 Ga2O3, MgO, ZnS, MgS, MgSe, MgTe을 포함할 수 있다. 이 경우, 앞서 언급한 바와 같이 완화층(123)은 광흡수층(124)보다 격자 상수가 큰 물질을 갖고, 밴드 갭 에너지가 높을 수 있다. 이로써, 제1 도전형 제1 반도체층(122)을 통과한 광이 완화층(124)에서 흡수되지 않을 수 있다. 이에, 완화층(123)은 광 손실을 차단할 수 있다. 또한, 완화층(123)은 두께(T9)가 10nm 내지 500nm일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 두께는 더 커질 수 있다. 다만, 두께가 커짐에 따라 도핑을 증가시켜 두께에 따른 저항 증가 현상을 개선할 수 있다.The alleviation layer 123 may have a higher band gap energy than the light absorption layer 124 . For example, the alleviation layer 123 may include Ga 2 O 3 , MgO, ZnS, MgS, MgSe, or MgTe. In this case, as described above, the alleviation layer 123 may have a material having a larger lattice constant than the light absorption layer 124 and may have a high band gap energy. Accordingly, light passing through the first conductivity-type first semiconductor layer 122 may not be absorbed by the alleviation layer 124 . Accordingly, the alleviation layer 123 may block light loss. In addition, the alleviation layer 123 may have a thickness T 9 of 10 nm to 500 nm. However, the present invention is not limited thereto, and the thickness may be increased. However, as the thickness increases, doping is increased to improve the resistance increase according to the thickness.

또한, 완화층(123)은 광흡수층(124)보다 밴드 갭 에너지 낮을 수 있다. 예컨대, 완화층(123)은 ZnO, In2O3, AlP, ZnSe, CdS, GaP, CdO, AlAs, ZnTe, GaAs, InP, CdSe, CdTe, InN, Si, Ge, InAs, GaS, InSb 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 경우, 앞서 언급한 바와 같이 완화층(123)은 광흡수층(124)보다 격자 상수가 큰 물질을 포함하고, 밴드 갭 에너지가 낮을 수 있다.In addition, the alleviation layer 123 may have a lower band gap energy than the light absorption layer 124 . For example, the alleviation layer 123 may include at least one of ZnO, In 2 O 3 , AlP, ZnSe, CdS, GaP, CdO, AlAs, ZnTe, GaAs, InP, CdSe, CdTe, InN, Si, Ge, InAs, GaS, InSb. may contain one. In this case, as described above, the alleviation layer 123 may include a material having a lattice constant greater than that of the light absorption layer 124 and may have a lower band gap energy.

이 때, 완화층(123)은 두께(T9)가 10nm 내지 50nm일 수 있다. 완화층(123)의 두께(T9)가 10nm보다 작은 경우에, 앞서 설명한 전계 방향을 조절하기 어려운 한계가 존재한다. 그리고 완화층(123)의 두께(T9)가 50nm보다 큰 경우에, 제1 도전형 제1 반도체층(122)을 통과한 광을 흡수하여 응답도를 저하시키는 한계가 존재한다.In this case, the alleviation layer 123 may have a thickness T 9 of 10 nm to 50 nm. When the thickness T 9 of the alleviation layer 123 is less than 10 nm, there is a limit in which it is difficult to control the electric field direction described above. In addition, when the thickness T 9 of the alleviation layer 123 is greater than 50 nm, there is a limit in absorbing the light passing through the first conductivity-type first semiconductor layer 122 to reduce the responsiveness.

이에 대해서는 이하 도 6a 및 도 6b에서 설명한다.This will be described below with reference to FIGS. 6A and 6B .

또한, 완화층(123)은 에너지 밴드 갭이 제1 도전형 제1 반도체층(122)에서 광흡수층(124)측 방향으로 완만하게 감소하도록 물질을 포함할 수 있다.In addition, the alleviation layer 123 may include a material such that the energy band gap gently decreases from the first conductivity-type first semiconductor layer 122 toward the light absorption layer 124 .

완화층(123)은 제1 도전형 제1 반도체층(122)과 인접한 영역에서 에너지 밴드갭이 제1 도전형 제1 반도체층(122)의 에너지 밴드갭과 동일할 수 있다. 또한, 완화층(123)은 광흡수층(124)과 인접한 영역에서 에너지 밴드갭이 광흡수층(124)의 에너지 밴드갭과 동일할 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 광흡수층(124)에서 제1 도전형 제1 반도체층(122)으로 전계(Electric Field)가 형성되지 않고, 증폭층(126)에서 전계가 집중되어 전류 증폭 현상을 개선할 수 있다.In the region adjacent to the first conductivity-type semiconductor layer 122 , the alleviation layer 123 may have an energy bandgap equal to the energy bandgap of the first conductivity-type first semiconductor layer 122 . In addition, the energy bandgap of the alleviation layer 123 in a region adjacent to the light absorption layer 124 may be the same as that of the light absorption layer 124 . With this configuration, an electric field is not formed from the light absorption layer 124 to the first conductivity-type first semiconductor layer 122, and the electric field is concentrated in the amplification layer 126 to improve the current amplification phenomenon. there is.

즉, 완화층(123)은 제1 도전형 제1 반도체층(122)에서 광흡수층(124)을 향해 Al 조성이 감소하여, 제1 도전형 제1 반도체층(122)과 광흡수층(124) 사이의 격자 불균형에 따른 스트레인(strain)을 제거할 수 있다. 또한, 완화층(123)은 제1 도전형 제1 반도체층(122)과 광흡수층(124) 사이의 에너지 밴드갭 차이에 의해 발생하는 전위차의 뒤틀림(kink)과 전위차의 뒤틀림(kink)에 의한 네거티브 전계(Negative Electric Field)를 제거할 수 있다. 이로써, 완화층(123)은 증폭층(126)에 제2 도전형 반도체층(126)을 향한 전계(Electric Field)가 집중되어, 캐리어 증배 및 전류 증폭을 향상할 수 있다.That is, in the alleviation layer 123 , the Al composition decreases from the first conductivity type first semiconductor layer 122 toward the light absorption layer 124 , so that the first conductivity type first semiconductor layer 122 and the light absorption layer 124 . Strain due to lattice imbalance between them can be removed. In addition, the alleviation layer 123 is formed by a potential difference kink and a potential difference generated by the energy band gap difference between the first conductivity type first semiconductor layer 122 and the light absorption layer 124 . A negative electric field can be eliminated. As a result, in the alleviation layer 123 , an electric field toward the second conductivity type semiconductor layer 126 is concentrated in the amplification layer 126 , thereby improving carrier multiplication and current amplification.

광흡수층(124)은 완화층(123) 상에 배치될 수 있다. 광흡수층(124)은 완화층(123)보다 격자 상수가 낮은 물질로 이루어질 수 있다. 광흡수층(124)은 i형 반도체층일 수 있다. 즉, 광흡수층(124)은 진성(intrinsic) 반도체층을 포함할 수 있다. 여기서, 진성 반도체층이란, 언도프드(Undoped) 반도체층 또는 비의도적 도핑(Unintentionally doped) 반도체층일 수 있다.The light absorption layer 124 may be disposed on the alleviation layer 123 . The light absorption layer 124 may be made of a material having a lattice constant lower than that of the alleviation layer 123 . The light absorption layer 124 may be an i-type semiconductor layer. That is, the light absorption layer 124 may include an intrinsic semiconductor layer. Here, the intrinsic semiconductor layer may be an undoped semiconductor layer or an unintentionally doped semiconductor layer.

비의도적 도핑 반도체층이란, 반도체층의 성장 공정에서 도펀트 예를 들어, 실리콘(Si) 원자등과 같은 n형 도펀트의 도핑없이 N-vacancy가 발생한 것을 의미할 수 있다. 이 때, N-vacancy가 많아지면 잉여 전자의 농도가 커져서, 제조공정에서 의도하지 않았더라도, n-형 도펀트로 도핑된 것과 유사한 전기적인 특성을 가질 수 있다. 광흡수층(124)의 일부 영역까지는 확산에 의해 도펀트가 도핑될 수도 있다.The unintentionally doped semiconductor layer may mean that N-vacancy occurs without doping with a dopant, for example, an n-type dopant such as a silicon (Si) atom, in a semiconductor layer growth process. At this time, if the N-vacancy increases, the concentration of excess electrons increases, so that even if it is not intended in the manufacturing process, electrical properties similar to those doped with the n-type dopant may be obtained. Up to a partial region of the light absorption layer 124 may be doped with a dopant by diffusion.

광흡수층(124)에서는 반도체 소자(100)로 입사된 광의 흡수가 이루어질 수 있다. 즉, 광흡수층(124)은, 광흡수층(124) 형성 물질의 에너지 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 광을 흡수하여 전자와 정공을 포함하는 캐리어(carrier)를 생성할 수 있다. 반도체 소자(100)는 캐리어들의 이동에 의하여 전류가 흐를 수 있다. The light absorption layer 124 may absorb light incident on the semiconductor device 100 . That is, the light absorption layer 124 may absorb light having an energy greater than or equal to the energy bandgap of the material forming the light absorption layer 124 to generate carriers including electrons and holes. In the semiconductor device 100 , current may flow due to the movement of carriers.

또한, 광흡수층(124)은 두께에 따라 반도체 소자(100)의 게인에 영향을 줄 수 있다. 예컨대, 광흡수층(124)은 광흡수층(124)의 두께가 증가하면 광흡수층(124)에 형성된 전기장의 세기가 낮아져, 전기장의 세기 감소에 따라 아발란치 현상이 적게 발생하고 이에 따라 게인도 작아질 수 있다.Also, the light absorption layer 124 may affect the gain of the semiconductor device 100 according to its thickness. For example, in the light absorption layer 124 , when the thickness of the light absorption layer 124 increases, the strength of the electric field formed in the light absorption layer 124 decreases. can get

또한, 광흡수층(124)은 증폭층(126) 보다 전기장 세기가 상대적으로 낮을 수 있다. 또한, 광흡수층(124)은 곰팡이 등의 미생물이 발생하는 특유의 형광이 갖는 파장에 따라 상이한 물질을 가질 수 있다.In addition, the light absorption layer 124 may have a relatively lower electric field strength than the amplification layer 126 . In addition, the light absorption layer 124 may have different materials according to the wavelength of the characteristic fluorescence generated by microorganisms such as mold.

또한, 광흡수층(124)의 두께(T5)는 150nm 내지 400nm일 수 있다. 다만, 하기 설명과 같이 다양한 길이를 가질 수 있으며 이러한 길이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the thickness T 5 of the light absorption layer 124 may be 150 nm to 400 nm. However, it may have various lengths as described below, and is not limited thereto.

제1 도전형 제2 반도체층(125)은 광흡수층(124) 상에 배치될 수 있다. 제1 도전형 제2 반도체층(125)에는 상기에서 언급한 제1 도펀트가 도핑될 수 있다. 즉, 제1 도전형 제2 반도체층(125)은 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. The first conductivity-type second semiconductor layer 125 may be disposed on the light absorption layer 124 . The first dopant mentioned above may be doped in the first conductivity-type second semiconductor layer 125 . That is, the first conductivity-type second semiconductor layer 125 may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant.

제1 도전형 제2 반도체층(125)은 광흡수층(124)과 증폭층(126) 사이에 배치될 수 있다. 제1 도전형 제2 반도체층(125)은 두께 및 Si 도핑 농도를 조절하여 광흡수층(124)과 증폭층(126) 사이의 전계(Electric Field)를 상이하게 할 수 있다. 특히, 제1 도전형 제2 반도체층(125)은, 도 2에 도시된 바와 같이 증폭층(126)에서 보다 높은 전계가 집중될 수 있도록 할 수 있다. 이로써, 전계가 가장 높은 증폭층(126)에서 캐리어의 증배 작용이 집중될 수 있다.The first conductivity-type second semiconductor layer 125 may be disposed between the light absorption layer 124 and the amplification layer 126 . The first conductivity-type second semiconductor layer 125 may have a different electric field between the light absorption layer 124 and the amplification layer 126 by adjusting the thickness and Si doping concentration. In particular, the first conductivity type second semiconductor layer 125 may allow a higher electric field to be concentrated in the amplification layer 126 as shown in FIG. 2 . Accordingly, the multiplication action of carriers may be concentrated in the amplification layer 126 having the highest electric field.

제1 도전형 제2 반도체층(125)은 두께(T6)가 20nm 내지 60nm일 수 있다. 또한, 제1 도전형 제2 반도체층(125)은 Si 도핑이 2E18/cm3 내지 3E18/cm3일 수 있다. 이다만, 이에 한정되는 것은 아니다.The first conductivity-type second semiconductor layer 125 may have a thickness T 6 of 20 nm to 60 nm. In addition, the first conductivity-type second semiconductor layer 125 may have Si doping of 2E18/cm 3 to 3E18/cm 3 . However, the present invention is not limited thereto.

제1 도전형 제2 반도체층(125)은 제1 도전형 제2 반도체층(125) 내의 Si 도핑 농도가 증가하면 광흡수층(124)에서 최대 전기장 세기를 감소시키고, 증폭층(126)에서 최대 전기장 세기를 증가시킬 수 있다.The first conductivity type second semiconductor layer 125 decreases the maximum electric field strength in the light absorption layer 124 when the Si doping concentration in the first conductivity type second semiconductor layer 125 increases, and the maximum electric field strength in the amplification layer 126 is increased. The electric field strength can be increased.

이러한 구성에 의하여, 제1 도전형 제2 반도체층(125)은 광흡수층(124) 및 증폭층(126)에 가해지는 전계를 제어하여, 반도 소자의 게인 및 응답도를 개선할 수 있다. 다만, Si 농도뿐만 아니라, 두께, Al 등의 인자 조성비에 따라 전계는 변할 수 있다.With this configuration, the first conductivity-type second semiconductor layer 125 may control the electric field applied to the light absorption layer 124 and the amplification layer 126 to improve the gain and responsiveness of the semiconductor device. However, the electric field may vary depending on the composition ratio of factors such as thickness and Al as well as Si concentration.

증폭층(126)은 제1 도전형 제2 반도체층(125) 상에 배치될 수 있다. 증폭층(126)은 광흡수층(124)과 마찬가지로 i형 반도체층일 수 있다. 또한, 증폭층(126)은 Al을 더 포함할 수 있다. 즉, 증폭층(126)은 광흡수층(124)이 포함하는 물질과 Al의 화합물로 구성될 수 있다. 예를 들어, 증폭층(126)은 AlGaN을 포함하는 단층의 구조를 가질 수 있다. The amplification layer 126 may be disposed on the first conductivity-type second semiconductor layer 125 . Like the light absorption layer 124 , the amplification layer 126 may be an i-type semiconductor layer. In addition, the amplification layer 126 may further include Al. That is, the amplification layer 126 may be composed of a compound of the material included in the light absorption layer 124 and Al. For example, the amplification layer 126 may have a single-layer structure including AlGaN.

또한, 증폭층(126)은 앞서 언급한 실시예와 같이 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다.In addition, the amplification layer 126 has the composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) as in the above-mentioned embodiment. It can be formed of a semiconductor material having

증폭층(126)은 광흡수층(124)에서 생성된 캐리어를 증배시킬 수 있다. 즉, 증폭층(126)은 애벌런치(Avalanche) 기능을 가질 수 있다. 애벌런치란 역방향 바이어스가 인가된 반도체 소자(100)가 광을 흡수하여 캐리어를 생성하고, 이들에 의해 다른 캐리어들이 연속적으로 생성되어 전류가 증폭되는 현상을 내용으로 한다.The amplification layer 126 may multiply carriers generated in the light absorption layer 124 . That is, the amplification layer 126 may have an avalanche function. Avalanche refers to a phenomenon in which the semiconductor device 100 to which the reverse bias is applied absorbs light to generate carriers, whereby other carriers are continuously generated and current is amplified.

증폭층(126)으로 이동된 캐리어는 그 주변의 원자들과 충돌하여 새로운 전자, 정공의 캐리어들을 생성하고, 이들이 다시 주변의 원자들과 충돌하여 캐리어를 생성함으로써 캐리어의 증배 작용이 이루어질 수 있다. 증폭층(126)은 전계가 가장 높이 가해져, 캐리어의 증배 작용을 집중할 수 있다. 그리고 캐리어의 증배에 의하여 반도체 소자(100)의 전류가 증대될 수 있다. 즉, 반도체 소자(100)는 증폭층(126)에 의하여 낮은 에너지를 갖는 광이 입사되더라도, 캐리어의 증폭에 의하여 전류를 증폭시킬 수 있다. 다시 말해서, 낮은 에너지의 광을 검출할 수 있어 수광 감도가 향상될 수 있다.Carriers moved to the amplification layer 126 collide with surrounding atoms to generate new electron and hole carriers, which collide with surrounding atoms to generate carriers, thereby multiplying the carriers. In the amplification layer 126 , an electric field is applied the highest, so that the multiplication action of carriers can be concentrated. In addition, the current of the semiconductor device 100 may be increased by the multiplication of carriers. That is, the semiconductor device 100 can amplify a current by amplifying carriers even when light having a low energy is incident by the amplification layer 126 . In other words, light of low energy can be detected, so that light reception sensitivity can be improved.

한편, 증폭층(126)이 Al을 더 포함함으로써, 증폭 효과가 보다 향상될 수 있다. 즉, 증폭층(126)에 포함된 Al에 의하여 증폭층(126) 내의 전계가 더 커질 수 있다. 증폭층(126)의 두께(T7)는 50㎚ 내지 200㎚일 수 있다. Meanwhile, since the amplification layer 126 further includes Al, the amplification effect may be further improved. That is, the electric field in the amplification layer 126 may be increased by Al included in the amplification layer 126 . The thickness T 7 of the amplification layer 126 may be 50 nm to 200 nm.

제2 도전형 반도체층(126)은 증폭층(126) 상에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)에는 제2 도펀트가 도핑될 수 있다. 여기서, 제2 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트일 수 있다. 즉, 제2 도전형 반도체층(126)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)의 두께(T8)는 280nm 내지 420nm일 수 있으나, 이러한 길이에 한정되는 것은 아니다.The second conductivity type semiconductor layer 126 may be disposed on the amplification layer 126 . The second conductivity type semiconductor layer 126 may be doped with a second dopant. Here, the second dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba. That is, the second conductivity-type semiconductor layer 126 may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant. The thickness T 8 of the second conductivity type semiconductor layer 126 may be 280 nm to 420 nm, but is not limited thereto.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 구조물(120)은 제1 도전형 제2 반도체층(125)에 의하여 nin 다이오드와 nip 다이오드가 서로 접합된 구조를 가질 수 있다. 즉, 제1 도전형 제1 반도체층(122)(n형 반도체층), 광흡수층(124)(i형 반도체층), 제1 도전형 제2 반도체층(125)(n형 반도체층)이 nin 구조를 이루고, 제1 도전형 제2 반도체층(125)(n형 반도체층), 증폭층(126)(i형 반도체층), 제2 도전형 반도체층(126)(p형 반도체층)이 nip 구조를 이룰 수 있다.The semiconductor structure 120 according to the embodiment of the present invention may have a structure in which a nin diode and a nip diode are bonded to each other by the first conductivity-type second semiconductor layer 125 . That is, the first conductivity type first semiconductor layer 122 (n-type semiconductor layer), the light absorption layer 124 (i-type semiconductor layer), and the first conductivity type second semiconductor layer 125 (n-type semiconductor layer) are nin structure, a first conductivity type second semiconductor layer 125 (n-type semiconductor layer), an amplification layer 126 (i-type semiconductor layer), a second conductivity type semiconductor layer 126 (p-type semiconductor layer) You can achieve this nip structure.

일반적으로, i형 반도체층은 n형 반도체층 및 p형 반도체층보다 높은 저항값을 가짐으로써 높은 전계를 형성할 수 있다. 또한, n형 반도체층과 p형 반도체층 중 p형 반도체층이 보다 높은 저항값을 가져 보다 높은 전계를 형성할 수 있다. 따라서, 보다 높은 전계를 형성하는 p형 반도체층과 인접한 영역에서 캐리어의 증폭이 이루어지도록 하는 것이 유리할 수 있다.In general, the i-type semiconductor layer can form a high electric field by having a higher resistance value than that of the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. In addition, the p-type semiconductor layer of the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer has a higher resistance value, so that a higher electric field can be formed. Therefore, it may be advantageous to amplify carriers in a region adjacent to the p-type semiconductor layer that forms a higher electric field.

예컨대, 광흡수층(124)과 증폭층(126) 사이에 제1 도전형 제2 반도체층(125)을 배치하여, 증폭층(126)에 보다 높은 전계가 집중되도록 할 수 있다.For example, by disposing the first conductivity-type second semiconductor layer 125 between the light absorption layer 124 and the amplification layer 126 , a higher electric field may be concentrated in the amplification layer 126 .

또한, 증폭층(126)이 Al을 더 포함함으로써, 증폭층(126)의 전계가 보다 높아질 수 있다. 따라서, 증폭층(126)에 집중된 높은 전계에 의하여 캐리어의 가속 및 증배가 증폭층(126)에서 집중적으로 이루어질 수 있다.In addition, since the amplification layer 126 further includes Al, the electric field of the amplification layer 126 may be higher. Accordingly, acceleration and multiplication of carriers may be intensively performed in the amplification layer 126 by the high electric field concentrated in the amplification layer 126 .

제1 전극(131)은 제1 도전형 제1 반도체층(122) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(131)은 제1 도전형 제1 반도체층(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(131)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.The first electrode 131 may be disposed on the first conductivity-type first semiconductor layer 122 . The first electrode 131 may be electrically connected to the first conductivity-type first semiconductor layer 122 . The first electrode 131 may be selected from Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag, Au, and optional alloys thereof.

제2 전극(132)은 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(132)은 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(132)은 제1 전극(131)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.The second electrode 132 may be disposed on the second conductivity-type semiconductor layer 126 . The second electrode 132 may be electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer 126 . The second electrode 132 may be formed of the same material as the first electrode 131 .

도 5a 내지 도 5c는 격자 상수에 따른 전계 변화를 설명하는 도면이다.5A to 5C are diagrams for explaining an electric field change according to a lattice constant.

일실시예로, 광흡수층은 GaN을 포함할 수 있다. 이 경우, 도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 광흡수층은 복수 개의 제1 원소(P1)와 복수 개의 제2 원소(P2)를 포함하고, 복수 개의 제1 원소(P1)와 복수 개의 제2 원소(P2)에 의해 형성된 결정 구조를 가질 수 있다. 여기서, 제1 원소(P1)는 Ga일 수 있으며, 제2 원소(P2)는 N일 수 있다. 예컨대, 하나의 제1 원소(P1)에 4개의 제2 원소(P2)가 연결될 수 있으나, 도 5a 내지 도 5c는 반도체 소자에서 각 층의 적층 방향인 +C방으로 평면 상태를 나타낸 것으로 이해할 수 있다.In one embodiment, the light absorption layer may include GaN. In this case, referring to FIGS. 5A to 5C , the light absorption layer includes a plurality of first elements (P 1 ) and a plurality of second elements (P 2 ), and includes a plurality of first elements (P 1 ) and a plurality of It may have a crystal structure formed by the second element (P 2 ). Here, the first element (P 1 ) may be Ga, and the second element (P 2 ) may be N. For example, four second elements P 2 may be connected to one first element P 1 , but FIGS. 5A to 5C show a planar state in the +C room, which is the stacking direction of each layer in the semiconductor device. I can understand.

먼저, 도 5a는 스트레인(strain)이 없는 경우의 광흡수층의 구조를 나타낸다. 여기서, 제1 원소(P1)는 양 전하를 갖고, 제2 원소(P2)는 음전하를 가질 수 있다. 광흡수층에서 제1 원소(P1)와 제2 원소(P2)는 서로 대칭으로 배치될 수 있다. 이에, 구조적 대칭에 의해 광흡수층은 제1 원소(P1)와 제2 원소(P2)에 의한 전계(E1, E2)는 동일한 크기를 가져 평형상태일 수 있다. (다만, 광흡수층은 틀어진 내부 전계가 존재하나, 내부 전계가 존재 하지 않다고 가정하고 이하 설명한다)First, FIG. 5A shows the structure of the light absorption layer in the absence of strain. Here, the first element P 1 may have a positive charge, and the second element P 2 may have a negative charge. In the light absorption layer, the first element (P 1 ) and the second element (P 2 ) may be disposed symmetrically to each other. Accordingly, due to structural symmetry, the electric fields E 1 and E 2 caused by the first element P 1 and the second element P 2 in the light absorption layer may have the same size and thus be in an equilibrium state. (However, the light absorbing layer has a distorted internal electric field, but it is assumed that there is no internal electric field and will be described below)

그리고 도 5b는 광흡수층 하부에 광흡수층에 포함된 물질의 격자 상수보다 큰 물질을 갖는 층(이하 제1 층이며, 도 4에서 완화층일 수 있다)이 배치된 경우이다.5B is a case in which a layer (hereinafter, referred to as a first layer, which may be a relaxation layer in FIG. 4 ) having a material greater than a lattice constant of a material included in the light absorption layer is disposed under the light absorption layer.

이 때, 광흡수층 내 물질의 격자 상수보다 제1 층 내 물질의 격자 상수가 커, 제1 층의 상부에 배치된 광흡수층은 제1 층과 인접한 제2 원소(P2)가 제1 원소(P1)를 향해 팽창(K1)할 수 있다. 이에, 제2 원소(P2)에 의한 전계(E2')가 제1 원소(P1)에 의한 전계(E1')보다 작아질 수 있다. 이로써, 광흡수층은 전체적으로 적층 방향인 +C 방향으로 전계가 발생할 수 있다. 일실시예로, 광흡수층 내 물질의 격자 상수 보다 큰 물질을 포함하는 완화층이 광흡수층 하부에 배치되면 스트레인에 의해 적층 방향으로 전계가 형성된다. 즉, 완화층은 적층 방향으로 전계를 형성하여 전류 이동을 증가시킬 수 있다.At this time, the lattice constant of the material in the first layer is greater than the lattice constant of the material in the light absorption layer, so that the light absorption layer disposed on the first layer has a second element (P 2 ) adjacent to the first layer ( P 2 ) It can expand (K 1 ) toward P 1 ). Accordingly, the electric field E 2 ′ by the second element P 2 may be smaller than the electric field E 1 ′ by the first element P 1 . Accordingly, an electric field may be generated in the +C direction, which is the overall stacking direction of the light absorption layer. In an embodiment, when the relaxation layer including a material having a larger lattice constant than that of the material in the light absorption layer is disposed under the light absorption layer, an electric field is formed in the stacking direction by the strain. That is, the alleviation layer may increase the current movement by forming an electric field in the stacking direction.

그리고 도 5c는 광흡수층 하부에 광흡수층에 포함된 물질의 격자 상수보다 작은 물질을 갖는 층(이하 도 5b와 같이 제1 층이라 한다)이 배치된 경우이다.5C is a case in which a layer having a material smaller than the lattice constant of the material included in the light absorption layer (hereinafter referred to as a first layer as shown in FIG. 5B) is disposed under the light absorption layer.

이 때, 광흡수층 내 물질의 격자 상수보다 제1 층 내 물질의 격자 상수가 작아, 제1 층의 상부에 배치된 광흡수층은 제1 층과 인접한 제2 원소(P2)가 제1 원소(P1)를 향해 수축(K2)할 수 있다. 이에, 제2 원소(P2)에 의한 전계(E2'')가 제1 원소(P1)에 의한 전계(E1'')보다 커질 수 있다. 이로써, 광흡수층은 전체적으로 적층 방향인 +C 방향의 반대 방향(-C 방향)으로 전계가 발생할 수 있다. 이에 따라, 광흡수층 내 물질의 격자 상수보다 작은 격자 상수의 물질을 포함하는 제1 도전형 제1 반도체층이 광흡수층 하부에 배치되는 경우, 스트레인에 의해 적층 방향과 반대 방향으로 전계가 형성된다. 즉, 제1 도전형 제1 반도체층은 상부에 배치된 광흡수층에서 적층 방향의 반대 방향으로 전계를 형성하여 전류 이동을 저해할 수 있다. 이로 인해, 반도체 소자는 응답도가 저하되는 문제가 발생할 수 있다.At this time, the lattice constant of the material in the first layer is smaller than the lattice constant of the material in the light absorption layer, so that the light absorption layer disposed on the first layer has a second element (P 2 ) adjacent to the first layer as the first element ( It can contract (K 2 ) toward P 1 ). Accordingly, the electric field E 2 '' by the second element P 2 may be greater than the electric field E 1 '' by the first element P 1 . Accordingly, in the light absorption layer, an electric field may be generated in a direction opposite to the +C direction (-C direction), which is the overall stacking direction. Accordingly, when the first conductivity-type first semiconductor layer including a material having a lattice constant smaller than the lattice constant of the material in the light absorption layer is disposed under the light absorption layer, an electric field is formed in a direction opposite to the stacking direction by the strain. That is, the first conductivity-type first semiconductor layer may inhibit current movement by forming an electric field in a direction opposite to the stacking direction in the light absorbing layer disposed thereon. For this reason, a problem in that the responsiveness of the semiconductor device is deteriorated may occur.

도 6a는 실시예에 따른 반도체 소자의 밴드 다이어 그램이고, 도 6b는 6a의 변형예이다.6A is a band diagram of a semiconductor device according to an embodiment, and FIG. 6B is a modified example of 6A.

도 6a를 참조하면, 완화층(123)은 광흡수층(124)보다 격자 상수가 큰 물질을 포함하고, 밴드 갭 에너지가 작을 수 있다.Referring to FIG. 6A , the alleviation layer 123 may include a material having a larger lattice constant than the light absorption layer 124 and may have a smaller band gap energy.

이러한 밴드 갭 에너지 차이로 인해, 완화층(123)은 제1 도전형 제1 반도체층(122)을 통해 반도체 소자 내로 주입된 광을 일부 흡수할 수 있다. 이에, 상기와 같이 완화층(123)은 두께가 10nm 내지 50nm일 수 있다. 완화층(123)은 소정의 두께로 광흡수를 저감하면서 광흡수층(124)에서 적층 방향으로 전계를 형성할 수 있다.Due to the band gap energy difference, the alleviation layer 123 may partially absorb light injected into the semiconductor device through the first conductivity-type first semiconductor layer 122 . Accordingly, as described above, the alleviation layer 123 may have a thickness of 10 nm to 50 nm. The alleviation layer 123 may form an electric field in the stacking direction in the light absorption layer 124 while reducing light absorption to a predetermined thickness.

도 6b를 참조하면, 완화층(123)은 광흡수층(124)보다 격자 상수가 큰 물질을 포함하고, 밴드 갭 에너지가 클 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 완화층(123) 내 물질의 격자 상수는 제1 도전형 제1 반도체층(122) 내 물질의 격자 상수보다 커, 완화층(123)에서 제1 도전형 제1 반도체층(122)을 향한 전계가 형성될 수 있다. 다만, 완화층(123)이 광흡수층(124)보다 밴드 갭 에너지가 커 완화층(123)에서 광 흡수가 일어나지 않아 완화층(123)에서 제1 도??여 제1 반도체층(122)을 향한 전계가 형성되더라도 전류 이동에는 영향을 주지 않을 수 있다.Referring to FIG. 6B , the alleviation layer 123 may include a material having a lattice constant greater than that of the light absorption layer 124 , and may have a large band gap energy. As described above, the lattice constant of the material in the first conductivity-type first semiconductor layer 122 is greater than the lattice constant of the material in the first conductivity-type first semiconductor layer 122 in the alleviation layer 123 . ) can form an electric field. However, since the alleviation layer 123 has a higher band gap energy than the light absorption layer 124 , light absorption does not occur in the alleviation layer 123 , so that the first semiconductor layer 122 is moved by the first degree in the alleviation layer 123 . Even if a directed electric field is formed, the current movement may not be affected.

도 7은 실시예에 따른 반도체 소자의 효과를 설명한 전계 분포(electric Field)를 도시한 도면이다.7 is a diagram illustrating an electric field for explaining an effect of a semiconductor device according to an embodiment.

도 7a는 완화층이 없는 경우로, AlGaN을 포함하는 제1 도전형 제1 반도체층 상에 GaN을 포함하는 광흡수층이 배치된 반도체 소자의 전계 분포를 나타낸다. 이 때, 거리(distance)가 커지는 방향이 적층 방향으로, 도 4에서 제2-2 방향(X2축 방향)일 수 있다. 거리가 1000nm에서 제1 도전형 제1 반도체층 내 물질과 광흡수층 내 물질의 격자 상수 차이로 인해 광흡수층에 적층 방향과 반대 방향으로 마이너스(-) 전계가 형성됨을 알 수 있다.7A illustrates an electric field distribution of a semiconductor device in which a light absorption layer including GaN is disposed on a first conductivity-type first semiconductor layer including AlGaN in the case where there is no relaxation layer. In this case, the direction in which the distance increases may be the stacking direction, and may be the 2-2 direction (X 2 axis direction) in FIG. 4 . It can be seen that at a distance of 1000 nm, a negative (-) electric field is formed in the light absorption layer in a direction opposite to the stacking direction due to a difference in lattice constant between the material in the first conductivity type first semiconductor layer and the material in the light absorption layer.

도 7b는 완화층이 존재하는 경우로, AlGaN을 포함하는 제1 도전형 제1 반도체층과 GaN을 포함하는 광흡수층 사이에 완화층이 배치된 반도체 소자의 전계 분포를 나타낸다. 이 때, 완화층에 의해 광흡수층에 적층 방향과 반대 방향으로 마이너스(-) 전계가 형성되지 않음을 알 수 있다. 7B illustrates the electric field distribution of a semiconductor device in which the relaxation layer is disposed between the first conductivity-type first semiconductor layer including AlGaN and the light absorption layer including GaN in the case where the relaxation layer is present. At this time, it can be seen that a negative (-) electric field is not formed in the light absorption layer in a direction opposite to the lamination direction by the relaxation layer.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

Claims (9)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 필터층;
상기 필터층 상에 배치되는 제1 도전형 제1 반도체층;
상기 제1 도전형 제1 반도체층 상에 배치되는 완화층;
상기 완화층 상에 배치되는 광흡수층;
상기 광흡수층 상에 배치되는 제1 도전형 제2 반도체층;
상기 제1 도전형 제2 반도체층 상에 배치되는 증폭층; 및
상기 증폭층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 광흡수층은 상기 제1 도전형 제1 반도체층에 포함된 물질보다 격자 상수가 큰 물질을 포함하고,
상기 완화층은 상기 광흡수층에 포함된 물질보다 격자 상수가 큰 물질을 포함하고,
상기 광흡수층은 GaN을 포함하고,
상기 제1 도전형 제1 반도체층은 AlGaN을 포함하는 반도체 소자.
Board;
a filter layer disposed on the substrate;
a first conductivity-type first semiconductor layer disposed on the filter layer;
an alleviation layer disposed on the first conductivity-type first semiconductor layer;
a light absorption layer disposed on the alleviation layer;
a first conductivity-type second semiconductor layer disposed on the light absorption layer;
an amplification layer disposed on the first conductivity-type second semiconductor layer; and
a second conductivity-type semiconductor layer disposed on the amplification layer;
The light absorption layer includes a material having a larger lattice constant than the material included in the first conductive type first semiconductor layer,
The alleviation layer includes a material having a larger lattice constant than the material included in the light absorption layer,
The light absorption layer includes GaN,
The first conductivity-type first semiconductor layer is a semiconductor device including AlGaN.
 제1항에 있어서,
상기 완화층은 에너지 밴드 갭이 상기 광흡수층의 밴드갭 에너지보다 크고,
상기 광흡수층은 상기 완화층에서 상기 광흡수층을 향한 방향으로 전계를 갖는 반도체 소자.
According to claim 1,
The alleviation layer has an energy band gap greater than the band gap energy of the light absorption layer,
The light absorption layer is a semiconductor device having an electric field in a direction from the alleviation layer toward the light absorption layer.
 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 필터층 사이에 배치되는 버퍼층을 더 포함하는 반도체 소자.
According to claim 1,
The semiconductor device further comprising a buffer layer disposed between the substrate and the filter layer.
 제1항에 있어서,
상기 완화층은 상기 완화층에서 상기 제1 도전형 제1 반도체층을 향한 방향으로 전계를 갖고,
상기 완화층은 밴드 갭 에너지이 상기 광흡수층의 밴드 갭 에너지보다 낮고, 제1 방향으로 두께가 10nm 내지 50nm이며,
상기 제1 방향은 반도체 구조물의 적층 방향인 반도체 소자.
According to claim 1,
the alleviation layer has an electric field in a direction from the relief layer toward the first conductivity type first semiconductor layer;
The alleviation layer has a band gap energy lower than the band gap energy of the light absorption layer, and has a thickness of 10 nm to 50 nm in the first direction,
The first direction is a semiconductor device stacking direction of the semiconductor structure.
 제1항에 있어서,
상기 완화층이 상기 제1 도전형 제1 반도체층 또는 상기 광흡수층과 인접한 영역에서 밴드 갭이 동일한 반도체 소자.According to claim 1,
A semiconductor device in which the alleviation layer has the same band gap in a region adjacent to the first conductivity type first semiconductor layer or the light absorption layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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