KR102384292B1 - Display apparatus and method for manufacturing the same - Google Patents
Display apparatus and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102384292B1 KR102384292B1 KR1020150140612A KR20150140612A KR102384292B1 KR 102384292 B1 KR102384292 B1 KR 102384292B1 KR 1020150140612 A KR1020150140612 A KR 1020150140612A KR 20150140612 A KR20150140612 A KR 20150140612A KR 102384292 B1 KR102384292 B1 KR 102384292B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- film layer
- organic film
- organic
- display device
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 250
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 21
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 claims description 20
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 136
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L51/5237—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
-
- H01L27/3274—
-
- H01L51/0094—
-
- H01L51/56—
-
- H01L2227/32—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 우수한 플렉서블한 특성을 가지면서도 외부의 불순물이 디스플레이 소자 근방으로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 위하여, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 디스플레이소자와, 상기 디스플레이소자를 덮는 제1무기막층과, 상기 제1무기막층 상에 위치하며 상면이 평탄한 제1유기막층과, 상기 제1유기막층 상에 위치하며 상면에 주름이 형성된 제2유기막층과, 상기 제2유기막층 상에 위치하며 상기 제2유기막층의 상면의 형상에 대응하는 형상을 가진 제2무기막층을 구비하는, 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공한다.The present invention provides a display device capable of effectively preventing external impurities from penetrating into the vicinity of a display device while having excellent flexible characteristics and a method for manufacturing the same, a substrate, a display device disposed on the substrate, and the display A first inorganic film layer covering the device; a first organic film layer positioned on the first inorganic film layer and having a flat top; a second organic film layer positioned on the first organic film layer and having a wrinkled upper surface; and the second Provided are a display device and a method of manufacturing the same, including a second inorganic layer positioned on the organic layer and having a shape corresponding to the shape of the upper surface of the second organic layer.
Description
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 우수한 플렉서블한 특성을 가지면서도 외부의 불순물이 디스플레이 소자 근방으로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a display device and a manufacturing method thereof that can effectively prevent external impurities from penetrating into the vicinity of a display device while having excellent flexible characteristics. it's about
일반적으로 디스플레이 장치는 기판 상에 디스플레이소자가 위치한 구성을 갖는다. 그리고 이러한 디스플레이소자가 외부로부터의 산소나 수분 등으로 인해 손상되는 것을 방지하기 위해, 디스플레이소자를 덮도록 봉지막이 위치하도록 한다.In general, a display device has a configuration in which a display device is positioned on a substrate. And in order to prevent the display device from being damaged by oxygen or moisture from the outside, an encapsulation film is positioned to cover the display device.
그러나 이러한 종래의 디스플레이 장치에는 플렉서블 특성의 저하라는 문제점이 있었다. 즉, 기판이나 디스플레이소자 등이 플렉서블 특성을 갖도록 하더라도, 봉지막의 플렉서블 특성이 낮아, 결과적으로 디스플레이 장치 전체의 플렉서블 특성이 낮아진다는 문제점이 있었다.However, such a conventional display device has a problem in that the flexible characteristic is deteriorated. That is, even if the substrate or the display device has flexible characteristics, the flexible characteristics of the encapsulation film are low, and as a result, there is a problem that the flexible characteristics of the entire display device are lowered.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 우수한 플렉서블한 특성을 가지면서도 외부의 불순물이 디스플레이 소자 근방으로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is to solve various problems including the above problems, and to provide a display device capable of effectively preventing external impurities from penetrating into the vicinity of a display device while having excellent flexible characteristics and a method for manufacturing the same aim to However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 디스플레이소자와, 상기 디스플레이소자를 덮는 제1무기막층과, 상기 제1무기막층 상에 위치하며 상면이 평탄한 제1유기막층과, 상기 제1유기막층 상에 위치하며 상면에 주름이 형성된 제2유기막층과, 상기 제2유기막층 상에 위치하며 상기 제2유기막층의 상면의 형상에 대응하는 형상을 가진 제2무기막층을 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a substrate, a display device disposed on the substrate, a first inorganic layer covering the display device, and a first organic layer disposed on the first inorganic layer and having a flat top surface; a second organic film layer positioned on the first organic film layer and having a wrinkled upper surface thereof; and a second inorganic film layer positioned on the second organic film layer and having a shape corresponding to a shape of the upper surface of the second organic film layer; A display device is provided.
상기 제2유기막층은 헥사메틸디실록산 또는 아크릴레이트를 포함할 수 있다.The second organic layer may include hexamethyldisiloxane or acrylate.
상기 제1유기막층의 최소두께는, 상기 제2유기막층의 최대두께보다 두꺼울 수 있다.A minimum thickness of the first organic layer may be greater than a maximum thickness of the second organic layer.
상기 제2무기막층은 일정한 두께를 가질 수 있다.The second inorganic layer may have a constant thickness.
제1유기막층의 경화도는 제2유기막층의 경화도보다 클 수 있다.The degree of curing of the first organic layer may be greater than that of the second organic layer.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 상에 디스플레이소자를 형성하는 단계와, 디스플레이소자를 덮도록 제1무기막층을 형성하는 단계와, 제1무기막층 상부에 제2유기막층을 형성하는 단계와, 제2유기막층 상에 제2무기막층을 형성하여 제2유기막층의 상면에 주름이 형성되어 제2무기막층이 제2유기막층의 상면의 주름진 형상에 대응하는 형상을 갖도록 하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법이 제공된다.According to one aspect of the present invention, the steps of forming a display device on a substrate, forming a first inorganic layer to cover the display device, and forming a second organic layer on the first inorganic layer; forming a second inorganic film layer on the second organic film layer so that wrinkles are formed on the upper surface of the second organic film layer so that the second inorganic film layer has a shape corresponding to the corrugated shape of the upper surface of the second organic film layer; A method of manufacturing a display device is provided.
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 헥사메틸디실록산을 이용하여 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the second organic layer may be a step of forming using hexamethyldisiloxane.
제1무기막층 상에 상면이 평탄한 제1유기막층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는 제1유기막층 상에 제1유기막층의 경화도보다 낮은 경화도를 갖도록 제2유기막층을 형성하는 단계일 수 있다.The method further comprises the step of forming a first organic film layer with a flat top surface on the first inorganic film layer, wherein the forming of the second organic film layer is performed on the first organic film layer so as to have a lower degree of curing than that of the first organic film layer. 2 It may be a step of forming an organic layer.
이 경우, 상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 전체 가스 중 N2O의 비율이 제1비율인 상태에서의 화학기상증착법(CVD)으로 헥사메틸디실록산을 포함하는 제1유기막층을 형성하는 단계이고, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 전체 가스 중 N2O의 비율이 제1비율과 상이한 제2비율인 상태에서의 화학기상증착법으로 헥사메틸디실록산을 포함하는 제2유기막층을 형성하는 단계일 수 있다.In this case, the forming of the first organic film layer includes forming a first organic film layer including hexamethyldisiloxane by chemical vapor deposition (CVD) in a state where the ratio of N 2 O in the total gas is the first ratio. and forming the second organic film layer includes forming a second organic film layer containing hexamethyldisiloxane by chemical vapor deposition in a state where the ratio of N2O in the total gas is a second ratio different from the first ratio. may be a step.
한편, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트를 이용하여 형성하는 단계일 수 있다.Meanwhile, the forming of the second organic layer may be formed using an acrylate.
이 경우, 상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도의 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계이고, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도보다 낮은 제2조도의 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계일 수 있다. 또는, 상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계이고, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간보다 짧은 제2시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계일 수 있다.In this case, the step of forming the first organic layer is a step of locating an acrylate layer and curing it by irradiating an ultraviolet light of a first illuminance, and the step of forming the second organic layer is a step of positioning an acrylate layer It may be a step of curing by irradiating ultraviolet light of a second illuminance lower than the first illuminance. Alternatively, the step of forming the first organic layer is a step of placing an acrylate layer and curing it by irradiating UV light for a first time, and the step of forming the second organic layer includes placing an acrylate layer and It may be a step of curing by irradiating ultraviolet light for a second time shorter than the first time.
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는 최대두께가 제1유기막층의 최소두께보다 얇도록 제2유기막층을 형성하는 단계일 수 있다.The forming of the second organic layer may be a step of forming the second organic layer such that a maximum thickness is thinner than a minimum thickness of the first organic layer.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 특허청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will become apparent from the following detailed description, claims and drawings for carrying out the invention.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 우수한 플렉서블한 특성을 가지면서도 외부의 불순물이 디스플레이 소자 근방으로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention made as described above, it is possible to implement a display device and a manufacturing method thereof that can effectively prevent external impurities from penetrating into the vicinity of the display element while having excellent flexible characteristics. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 보여주는 단면 사진이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.1 to 3 are cross-sectional views schematically illustrating processes of a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional photograph schematically showing a portion of a display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically illustrating a portion of a display device according to another embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted. .
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the following embodiments, when various components such as layers, films, regions, plates, etc. are “on” other components, this is not only when they are “on” other components, but also when other components are interposed therebetween. including cases where In addition, in the drawings for convenience of description, the size of the components may be exaggerated or reduced. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.In the following embodiments, the x-axis, the y-axis, and the z-axis are not limited to three axes on a Cartesian coordinate system, and may be interpreted in a broad sense including them. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 구체적으로, 도 1 내지 도 3은 디스플레이소자로서 유기발광소자를 갖는 유기발광 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 물론 본 발명이 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 국한되는 것은 아니며, 다른 디스플레이소자를 갖는 디스플레이 장치 제조방법에도 적용될 수 있다.1 to 3 are cross-sectional views schematically illustrating processes of a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention. Specifically, FIGS. 1 to 3 are cross-sectional views schematically illustrating processes of a method of manufacturing an organic light emitting display device having an organic light emitting device as a display device. Of course, the present invention is not limited to a method of manufacturing an organic light emitting display device, and may be applied to a method of manufacturing a display device having other display devices.
먼저 도 1에 도시된 것과 같이 백플레인을 준비한다. 여기서 백플레인이라 함은 적어도 기판(100)과, 기판(100) 상에 형성된 복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B)과, 복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B) 각각의 중앙부를 포함한 적어도 일부를 노출시키도록 형성된 화소정의막(180)을 포함하는 것으로 이해할 수 있다. 이때 화소정의막(180)은 기판(100)을 중심으로 할 시 복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B)보다 (+z 방향으로) 돌출된 형상을 가질 수 있다.First, a backplane is prepared as shown in FIG. 1 . Here, the backplane refers to at least the
기판(100)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다.The
복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B)은 화소전극들로 이해할 수 있다. 화소전극들 중 화소전극(210B)은 제1화소전극으로, 화소전극(210R)은 제2화소전극으로, 화소전극(210G)은 제3화소전극으로 이해할 수 있다. 제1화소전극 내지 제3화소전극 상에 형성되는 중간층이 상이할 수 있기 때문이다. 이하에서는 편의상 제1전극, 제1화소전극, 제2화소전극 및 제3화소전극이 아닌, 화소전극(210R), 화소전극(210G) 및 화소전극(210B)이라는 용어를 사용한다.The plurality of
화소전극들(210R, 210G, 210B)은 (반)투명전극 또는 반사전극일 수 있다. (반)투명전극일 경우, 화소전극들(210R, 210G, 210B)은 예컨대 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)를 포함할 수 있다. 화소전극들(210R, 210G, 210B)이 반사전극일 경우에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등을 포함하는 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 포함할 수 있다. 물론 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다.The
이러한 화소전극들(210R, 210G, 210B)은 기판(100)의 디스플레이영역 내에 위치할 수 있다.The
화소정의막(180)은 각 부화소들에 대응하는 개구, 즉 화소전극들(210R, 210G, 210B) 각각의 중앙부 또는 화소전극들(210R, 210G, 210B) 전체가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 할 수 있다. 또한, 화소정의막(180)은 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 단부와 화소전극들(210R, 210G, 210B) 상부의 대향전극(미도시) 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 단부에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The
물론 백플레인은 필요에 따라 그 외의 다양한 구성요소를 더 포함할 수 있다. 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT)나 커패시터(Cap)가 형성될 수 있다. 그리고 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(110), 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층과 게이트전극을 절연시키기 위한 게이트절연막(130), 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극/드레인전극과 게이트전극을 절연시키기 위한 층간절연막(150) 및 박막트랜지스터(TFT)를 덮으며 상면이 대략 평평한 평탄화막(170) 등이나 다른 구성요소들을 구비할 수 있다.Of course, the backplane may further include various other components as needed. For example, as shown in FIG. 1 , a thin film transistor (TFT) or a capacitor (Cap) may be formed on the
이와 같이 백플레인을 준비한 후, 도 1에 도시된 것과 같이 중간층들(220R, 220G, 220B)을 형성한다. 중간층들(220R, 220G, 220B)은 발광층을 포함하는 다층 구조일 수 있는데, 이 경우 중간층들(220R, 220G, 220B)은 도시된 것과 달리 일부 층은 기판(100)의 전면(全面)에 대략 대응하는 공통층일 수 있고, 다른 일부 층은 화소전극들(210R, 210G, 210B)에 대응하도록 패터닝된 패턴층일 수 있다. 중간층들(220R, 220G, 220B)은 저분자물질 또는 고분자물질로 형성될 수 있으며, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및/또는 전자주입층 등을 포함할 수 있다. 형성방법은 증착법, 스핀코팅법, 잉크젯프린팅법 및/또는 레이저열전사법 등의 다양한 방법을 이용할 수 있다.After preparing the backplane in this way, the
중간층들(220R, 220G, 220B)을 형성한 후, 중간층들(220R, 220G, 220B) 상에 대향전극(230)을 형성한다. 대향전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 대향전극(230)이 (반)투명 전극일 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(230)이 반사형 전극일 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.After the
대향전극(230)을 형성한 후, 화소전극들(210R, 210G, 210B), 중간층들(220R, 220G, 220B) 및 대향전극(230)을 포함하는 디스플레이소자들을 외부의 산소나 수분 등과 같은 불순물로부터 보호하기 위한 봉지막을 형성한다.After the
먼저 도 1에 도시된 것과 같이, 디스플레이소자를 덮도록 대향전극(230) 상에 제1무기막층(311)을 형성한다. 제1무기막층(311)은 예컨대 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수도 있고, 산화금속, 질화금속, 산화질화 금속 또는 탄화금속 등을 포함할 수도 있다. 이러한 제1무기막층(311)은 화학기상증착법(CVD) 등을 통해 형성할 수 있는데, 그 하부의 대향전극(230)의 굴곡, 즉 화소정의막(180) 등으로 인한 굴곡을 따라 대략 일정한 두께로 형성된다.First, as shown in FIG. 1 , a first
제1무기막층(311) 상에는 제1유기막층(321)을 형성한다. 제1유기막층(321)은 제1무기막층(311)의 굴곡진 형상을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 이에 따라 제1유기막층(321)은 상면이 평탄한 형상을 가질 수 있다. 또한 제1무기막층(311)에 크랙이 발생해도 제1유기막층(321)이 제1무기막층(311)을 덮고 있기에, 크랙이 후술하는 것과 같이 제1유기막층(321) 상부에 형성되는 제2무기막층(312)으로 더 이상 연장되지 않도록 할 수 있다. 이러한 제1유기막층(321)은 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트 및 헥사메틸디실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다. A first
제1유기막층(321) 상에는 도 1에 도시된 것과 같이 제2유기막층(322)을 형성한다. 이때, 제2유기막층(322)은 제1유기막층(321)의 경화도보다 낮은 경화도를 갖도록 형성한다. 이러한 제2유기막층(322)은 헥사메틸디실록산을 이용하여 화학기상증착법으로 형성할 수 있다. 헥사메틸디실록산을 포함하는 유기막층을 화학기상증착법으로 형성할 시, 헥사메틸디실록산, 일산화질소 및 헬륨 가스를 섞어 유기막층을 형성하게 된다. 이때 전체 가스 중 일산화질소의 비율을 조절함으로써, 형성된 유기막층의 경화도를 조절할 수 있다.A second
예컨대 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322)을 모두 동일한 조성의 가스로 형성하여 모두 헥사메틸디실록산을 포함하도록 형성하더라도, 제1유기막층(321)을 형성할 시 전체 가스 중 일산화질소의 비율이 제1비율인 상태에서 화학기상증착법으로 형성하고, 제2유기막층(322)을 형성할 시 전체 가스 중 일산화질소의 비율이 제1비율과 상이한 제2비율인 상태에서 화학기상증착법으로 형성하면, 제1유기막층(321)의 경화도와 제2유기막층(322)의 경화도가 달라지게 된다. 예컨대 일산화질소의 비율이 높을수록, 유기막층의 경화도가 높아지게 된다.For example, even when both the first
물론 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322)을 상이한 물질로 형성하더라도, 제2유기막층(322)의 경화도가 제1유기막층(321)의 경화도보다 낮도록 할 수 있다. 그리고 제2유기막층(322) 형성용 물질이 헥사메틸디실록산으로 한정될 필요도 없다.Of course, even when the first
예컨대 제2유기막층(322)을 아크릴레이트를 이용하여 형성할 수도 있다. 이 경우 제1유기막층(321) 상에 아크릴레이트를 프린팅법이나 코팅법 등을 통해 형성한 후 이를 경화시키는 정도를 조절함으로써, 제1유기막층(321)의 경화도보다 낮은 경화도의 제2유기막층(322)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 아크릴레이트층을 경화시킬 시 자외선광을 조사하여 경화시킬 수 있는데, 이때 조사하는 자외선광의 조도가 낮게 되면 경화도가 낮은 아크릴레이트층을 형성할 수 있다. 따라서 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도의 자외선광을 조사하여 경화시켜 제1유기막층(321)을 형성하고, 역시 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도보다 낮은 제2조도의 자외선광을 조사하여 경화시켜 제2유기막층(322)을 형성함으로써, 제1유기막층(321)보다 경화도가 낮은 제2유기막층(322)을 형성할 수 있다.For example, the second
또는, 아크릴레이트층을 경화시킬 시 자외선광을 조사하는 시간을 조절하여 유기막층의 경화도를 조절할 수 있다. 즉 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시켜 제1유기막층(321)을 형성하고, 역시 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간보다 짧은 제2시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시켜 제2유기막층(322)을 형성함으로써, 제1유기막층(321)보다 경화도가 낮은 제2유기막층(322)을 형성할 수 있다.Alternatively, when curing the acrylate layer, the curing degree of the organic film layer may be adjusted by adjusting the irradiation time of ultraviolet light. That is, an acrylate layer is placed and cured by irradiating UV light for a first time to form a first
이와 같이 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322)을 형성한 후, 도 2에 도시된 것과 같이 제2유기막층(322) 상에 제2무기막층(312)을 형성한다. 제2무기막층(312)은 예컨대 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수도 있고, 산화금속, 질화금속, 산화질화 금속 또는 탄화금속 등을 포함할 수도 있다. 이러한 제2무기막층(312)은 화학기상증착법(CVD) 등을 통해 형성할 수 있다.After the first
이때, 제2무기막층(312)에는 잔류응력(residual stress)이 존재하게 되는데, 이 제2무기막층(312)이 경화도가 높은 층 상에 형성될 경우에는 제2무기막층(312)에 변화가 거의 발생하지 않는다. 하지만 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법에서와 같이 경화도가 낮은 제2유기막층(322) 상에 제2무기막층(312)이 형성될 경우, 제2무기막층(312) 내의 잔류응력에 의해 제2유기막층(322)의 상면에 도 3에 도시된 것과 같이 대략 일정한 주기를 갖는 주름이 형성되며, 제2무기막층(312)은 이러한 제2유기막층(322)의 상면의 주름을 따라 굴곡지게 형성된다. 물론 도 2에 도시된 것과 같이 제2무기막층(312)의 형성이 완료된 후에만 도 3에 도시된 것과 같이 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되는 것만은 아니고, 제조 공정에 따라 제2무기막층(312)의 형성 중 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되면서 굴곡진 형상의 제2무기막층(312)의 형성이 완료될 수도 있다.At this time, residual stress is present in the second
이와 같이 본 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하게 되면, 제1무기막층(311), 제1유기막층(321), 제2유기막층(322) 및 제2무기막층(312)을 갖는 봉지막(300)을 갖게 되는데, 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되고 제2무기막층(312)은 그러한 주름을 따라 형성된다. 이에 따라 우수한 성능의 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.When the display device according to the present embodiment is manufactured as described above, an encapsulation film ( 300), wrinkles are formed on the upper surface of the second
종래의 제조방법에 따라 제조된 디스플레이 장치에는 플렉서블 특성의 저하라는 문제점이 있었다. 즉, 기판이나 디스플레이소자 등이 플렉서블 특성을 갖도록 하더라도, 봉지막의 플렉서블 특성이 낮아, 결과적으로 디스플레이 장치 전체의 플렉서블 특성이 낮아진다는 문제점이 있었다. 예컨대 도 3에 도시된 것과 달리 제2무기막층(312)이 전체적으로 일정한 두께를 갖지만 평탄한 형성을 갖는다면, 디스플레이 장치의 중앙부가 +z 방향으로 볼록하게 휘어지고 디스플레이 장치의 +x 방향 가장자리와 -x 방향 가장자리가 -z 방향으로 휘어질 경우, 제2무기막층(312)에 크랙이 쉽게 발생하게 된다.A display device manufactured according to the conventional manufacturing method has a problem in that flexible characteristics are deteriorated. That is, even if the substrate or the display device has flexible characteristics, the flexible characteristics of the encapsulation film are low, and as a result, there is a problem that the flexible characteristics of the entire display device are lowered. For example, unlike in FIG. 3 , if the second
하지만 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법에 의해 제조된 디스플레이 장치의 경우, 도 3에 도시된 것과 같이 제2무기막층(312)이 전체적으로 일정한 두께를 갖지만 제2유기막층(322) 상면의 주름진 형상에 대응하는 형상을 갖는다. 따라서 디스플레이 장치의 중앙부가 +z 방향으로 볼록하게 휘어지고 디스플레이 장치의 +x 방향 가장자리와 -x 방향 가장자리가 -z 방향으로 휘어지더라도, 제2무기막층(312)의 주름진 형상이 펼쳐지는 효과가 발생하면서 제2무기막층(312)에 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 참고로 제1유기막층(321)이나 제2유기막층(322)의 경우에는 유기막층이라는 특성 상 플렉서블 특성이 우수하기에, 휘어지더라도 크랙이 발생하지 않는다.However, in the case of a display device manufactured by the method for manufacturing a display device according to the present embodiment, as shown in FIG. 3 , the second
물론 도 3에 도시된 것과 같은 형상의 디스플레이 장치를 제조하기 위해 제2유기막층(322)을 형성할 시 그 상면이 주름진 형상을 갖도록 형성하고, 그 상부에 제2무기막층(312)을 형성하는 것도 고려할 수 있다. 하지만 별도의 공정을 거쳐 제2유기막층(322)을 형성할 시 그 상면이 주름진 형상을 갖도록 한다면, 이는 공정이 복잡해지고 제조비용이 급상승하는 문제를 야기할 수 있다.Of course, when forming the second
그러나 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 경우에는 제2유기막층(322) 형성 시 공정 조건만을 조절하면 되기에, 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되도록 하기 위한 추가적인 별도의 공정이 필요치 않다. 따라서 제조 공정을 단순화하여 제조비용을 획기적으로 낮추면서 불량률 역시 낮출 수 있다. 또한 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 경우 제1무기막층(311), 제1유기막층(321), 제2유기막층(322) 및 제2무기막층(312) 모두를 화학기상증착법으로 형성할 수도 있는바, 이에 따라 제조 과정 중 기판(100)을 이동시키는 거리 역시 획기적으로 줄이면서 제조 공정을 단순화할 수 있다.However, in the case of the display device manufacturing method according to the present embodiment, only the process conditions need to be adjusted when the second
도 4는 그와 같은 과정을 거쳐 제조된 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 보여주는 단면 사진이다. 도 4에서, 상면이 평탄한 제1유기막층(321) 상에 제2유기막층(322)이 위치하며, 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되고 그 주름에 대응하는 형상으로 제2무기막층(312)이 형성된 것을 확인할 수 있다. 참고로 도 4의 경우 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322) 모두 헥사메틸디실록산을 포함하도록 형성한 경우이다.4 is a cross-sectional photograph schematically showing a portion of a display device manufactured through such a process. In FIG. 4 , the second
특히 이러한 제2유기막층(322) 상면의 주름의 주기는, 제2유기막층(322)의 경화도가 낮을수록 짧아지는 것을 확인하였다. 아울러 실험을 통해 제2유기막층(322)의 두께가 얇을수록 제2유기막층(322) 상면의 주름의 주기가 짧아지는 것을 확인하였다. 따라서 도 1에 도시된 것과 같이 제2유기막층(322)을 형성할 시, 그 두께(t2)가 제1유기막층(321)의 최소두께(t1)보다 얇게 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 제조하게 되면, 도 3에 도시된 것과 같이 상면에 주름이 형성된 제2유기막층(322)에 있어서의 최대두께(t2') 역시 제1유기막층(321)의 최소두께(t1)보다 얇아지도록 할 수 있다.In particular, it was confirmed that the period of wrinkles on the upper surface of the second
한편, 제1무기막층(311), 제1유기막층(321), 제2유기막층(322) 및 제2무기막층(312)의 형성에 그치지 않고, 도 5에 도시된 것과 같이 제3유기막층(323), 제4유기막층(324) 및 제3무기막층(313)이 상부에 더 형성되도록 할 수도 있다. 즉, 주름진 형상의 제2무기막층(312)을 형성한 후, 이를 평탄화하도록 상면이 평탄한 제3유기막층(323)을 형성하고, 제3유기막층(323) 상에 그 두께(t3)보다 얇은 두께(t4)의 제4유기막층(324)을 형성하며, 이어 제3무기막층(313)을 제4유기막층(324) 상에 형성하면서 제3무기막층(313)의 잔류응력으로 인해 제4유기막층(324) 상면에 주름이 형성되도록 할 수 있다. 물론 이에 따라 제3무기막층(313)은 제4유기막층(324) 상면의 주름 형상에 대응하는 형상, 즉 굴곡진 형상을 갖게 된다.Meanwhile, the formation of the first
이 과정에서 제3유기막층(323)의 형성과정 및 재료는 제1유기막층(321)의 형성과정 및 재료와 동일/유사하고, 제4유기막층(324)의 형성과정 및 재료는 제2유기막층(322)의 형성과정 및 재료와 동일/유사하며, 제3무기막층(313)의 형성과정 및 재료는 제2무기막층(312)의 형성과정 및 재료와 동일/유사하다. 그리고 이와 같이 제조하게 되면, 도 5에 도시된 것과 같이 상면에 주름이 형성된 제4유기막층(324)에 있어서의 최대두께(t4') 역시 제3유기막층(323)의 최소두께(t3')보다 얇아지도록 할 수 있다. 참고로 제3유기막층(323)의 최소두께(t3')는 그 하부의 제2유기막층(322)의 최대두께(t2')보다 두껍게 할 수 있다.In this process, the process and material of the third
지금까지 제1유기막층(321)을 형성하고 이 제1유기막층(321) 상에 제2유기막층(322)을 형성하며 이후 제1무기막층(312)을 형성함으로써 제2유기막층(322) 상면에 주름이 형성되도록 하는 것으로 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제1유기막층(321)을 형성하는 과정을 생략할 수도 있다.By forming the first
예컨대 제1유기막층(321)을 형성하지 않고 제1무기막층(311) 상에 낮은 경화도를 가지며 상면이 대략 평탄한 제2유기막층(322)만을 형성한 후, 이 제2유기막층(322) 상에 제2무기막층(312)을 형성함으로써, 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되도록 할 수도 있다. 이 경우 도 1 및 도 2에서 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322)을 합한 단일의 층이 제2유기막층인 것으로 이해할 수 있다. 또한, 도 5에서도 제3유기막층(323)을 형성하는 과정을 생략하고 낮은 강도의 제4유기막층(324)만을 형성한 후 이 제4유기막층(324) 상에 제3무기막층(313)을 형성함으로써, 제4유기막층(324)의 상면에 주름이 형성되도록 할 수도 있다. 이 경우 도 5에서 제3유기막층(323)과 제4유기막층(324)을 합한 단일의 층이 제4유기막층인 것으로 이해할 수 있다.For example, without forming the first
지금까지는 디스플레이 장치 제조방법에 대해 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 이와 같이 제조된 디스플레이 장치 역시 본 발명의 범위에 속한다.So far, a method for manufacturing a display device has been described, but the present invention is not limited thereto. That is, the display device manufactured in this way also falls within the scope of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 도 3에 도시된 것과 같은 구조를 취할 수 있다. 즉, 본 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(100), 기판 상에 배치된 디스플레이소자, 그리고 이 디스플레이소자를 덮는 봉지막(300)을 구비할 수 있다.The display device according to an embodiment of the present invention may have a structure as shown in FIG. 3 . That is, the display device according to the present embodiment may include a
봉지막(300)은 디스플레이소자를 덮는 제1무기막층(311)과, 이 제1무기막층(311) 상에 위치하며 상면이 평탄한 제1유기막층(321)과, 제1유기막층(321) 상에 위치하며 상면에 주름이 형성된 제2유기막층(322)과, 제2유기막층(322) 상에 위치하며 제2유기막층(322)의 상면의 형상에 대응하는 형상을 가진 제2무기막층(312)을 구비한다.The
이와 같은 본 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 제2무기막층(312)이 전체적으로 일정한 두께를 갖지만 제2유기막층(322) 상면의 주름진 형상에 대응하는 형상을 갖는다. 따라서 디스플레이 장치의 중앙부가 +z 방향으로 볼록하게 휘어지고 디스플레이 장치의 +x 방향 가장자리와 -x 방향 가장자리가 -z 방향으로 휘어지더라도, 제2무기막층(312)의 주름진 형상이 펼쳐지는 효과가 발생하면서 제2무기막층(312)에 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 참고로 제1유기막층(321)이나 제2유기막층(322)의 경우에는 유기막층이라는 특성 상 플렉서블 특성이 우수하기에, 휘어지더라도 크랙이 발생하지 않는다.In the display device according to the present exemplary embodiment as described above, although the second
이러한 제1무기막층(311), 제1유기막층(321), 제2유기막층(322) 및 제2무기막층(312)을 형성하는 방법 및 물질에 대해서는 전술한 것과 같다. 예컨대, 제2유기막층(322)은 헥사메틸디실록산 또는 폴리아크릴레이트를 포함할 수 있다. 그리고 제1유기막층(321)의 경화도는 제2유기막층(322)의 경화도보다 클 수 있다. 또한 제조 과정에서 제2유기막층(322) 상면에 주름이 짧은 주기로 효과적으로 형성되도록 하기 위해, 제2유기막층(322)의 최대두께(t2')가 제1유기막층(321)의 최소두께(t1)보다 얇도록 할 수 있다.Methods and materials for forming the first
물론 본 발명은 이에 그치지 않고, 도 5에 도시된 것과 같이 제3유기막층(323), 제4유기막층(324) 및 제3무기막층(313)이 제2무기막층(312) 상부에 위치하는 디스플레이 장치 역시 본 발명의 범위에 속한다. 즉, 주름진 형상의 제2무기막층(312) 상에 이를 평탄화하도록 상면이 평탄한 제3유기막층(323)이 위치하고, 제3유기막층(323) 상에 그 두께(t3)보다 얇은 두께(t4)를 가지며 상면에 주름이 형성된 제4유기막층(324)이 위치하며, 제4유기막층(324)의 상면 주름의 형상에 따라 굴곡진 제3무기막층(313)이 제4유기막층(324) 상에 위치하도록 할 수 있다.Of course, the present invention is not limited thereto, and as shown in FIG. 5 , the third
지금까지 상면이 대략 평탄한 제1유기막층(321)과 그 상부에 위치하며 상면에 주름이 형성된 제2유기막층(322)을 갖는 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제1유기막층(321)을 생략할 수도 있다. 이 경우 도 2에서 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322)을 합한 단일의 층이 제2유기막층인 것으로 이해할 수 있다. 또한, 도 5에서도 제3유기막층(323)을 생략할 수도 있다. 이 경우 도 5에서 제3유기막층(323)과 제4유기막층(324)을 합한 단일의 층이 제4유기막층인 것으로 이해할 수 있다. 이러한 구조의 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에 대해서는 전술한 바와 같다.The case of having the first
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As such, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, which are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. . Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.
100: 기판 110: 버퍼층
130: 게이트절연막 150: 층간절연막
170: 평탄화막 180: 화소정의막
210R, 210G, 210B: 화소전극
220R, 220G, 220B: 중간층
230: 대향전극 300: 봉지막
311: 제1무기막층 312: 제2무기막층
313: 제3무기막층 321: 제1유기막층
322: 제2유기막층 323: 제3유기막층
324: 제4유기막층100: substrate 110: buffer layer
130: gate insulating film 150: interlayer insulating film
170: planarization layer 180: pixel defining layer
210R, 210G, 210B: pixel electrode
220R, 220G, 220B: Interlayer
230: counter electrode 300: encapsulation film
311: first inorganic film layer 312: second inorganic film layer
313: third inorganic layer 321: first organic layer
322: second organic layer 323: third organic layer
324: fourth organic film layer
Claims (13)
상기 기판 상에 배치된 디스플레이소자;
상기 디스플레이소자를 덮는 제1무기막층;
상기 제1무기막층 상에 위치하며 상면이 평탄한 제1유기막층;
상기 제1유기막층 상에 위치하고, 상기 제1유기막층의 경화도보다 작은 경화도를 가지며, 상면에 주름이 형성된 제2유기막층; 및
상기 제2유기막층 상에 위치하며 상기 제2유기막층의 상면의 형상에 대응하는 형상을 가진 제2무기막층;
을 구비하는, 디스플레이 장치.Board;
a display device disposed on the substrate;
a first inorganic layer covering the display device;
a first organic layer positioned on the first inorganic layer and having a flat top surface;
a second organic film layer positioned on the first organic film layer, the second organic film layer having a degree of hardening smaller than that of the first organic film layer, and wrinkled on the upper surface; and
a second inorganic layer positioned on the second organic layer and having a shape corresponding to a shape of an upper surface of the second organic layer;
A display device comprising:
상기 제2유기막층은 헥사메틸디실록산 또는 폴리아크릴레이트를 포함하는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
The second organic layer includes hexamethyldisiloxane or polyacrylate, the display device.
상기 제1유기막층의 최소두께는, 상기 제2유기막층의 최대두께보다 두꺼운, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
The minimum thickness of the first organic film layer is thicker than the maximum thickness of the second organic film layer, the display device.
상기 제2무기막층은 일정한 두께를 갖는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
The second inorganic layer has a constant thickness, the display device.
디스플레이소자를 덮도록 제1무기막층을 형성하는 단계;
제1무기막층 상에 상면이 평탄한 제1유기막층을 형성하는 단계;
제1유기막층 상에 제1유기막층의 경화도보다 낮은 경화도를 갖는 제2유기막층을 형성하는 단계; 및
제2유기막층 상에 제2무기막층을 형성하여, 제2유기막층의 상면에 주름이 형성되어 제2무기막층이 제2유기막층의 상면의 주름진 형상에 대응하는 형상을 갖도록 하는 단계;
를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법.forming a display device on a substrate;
forming a first inorganic layer to cover the display device;
forming a first organic layer having a flat top surface on the first inorganic layer;
forming a second organic film layer having a degree of curing lower than that of the first organic film layer on the first organic film layer; and
forming a second inorganic film layer on the second organic film layer so that wrinkles are formed on the upper surface of the second organic film layer so that the second inorganic film layer has a shape corresponding to the corrugated shape of the upper surface of the second organic film layer;
A method of manufacturing a display device, comprising:
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 헥사메틸디실록산을 이용하여 형성하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.7. The method of claim 6,
The step of forming the second organic layer is a step of forming using hexamethyldisiloxane, a method of manufacturing a display device.
상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 전체 가스 중 N2O의 비율이 제1비율인 상태에서의 화학기상증착법으로 헥사메틸디실록산을 포함하는 제1유기막층을 형성하는 단계이고,
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 전체 가스 중 N2O의 비율이 제1비율과 상이한 제2비율인 상태에서의 화학기상증착법으로 헥사메틸디실록산을 포함하는 제2유기막층을 형성하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.7. The method of claim 6,
The step of forming the first organic film layer is a step of forming a first organic film layer containing hexamethyldisiloxane by chemical vapor deposition in a state where the ratio of N 2 O in the total gas is the first ratio,
The forming of the second organic film layer includes forming a second organic film layer containing hexamethyldisiloxane by chemical vapor deposition in a state where the ratio of N 2 O in the total gas is a second ratio different from the first ratio. Step, a method of manufacturing a display device.
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트를 이용하여 형성하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.7. The method of claim 6,
The step of forming the second organic layer is a step of forming using an acrylate, a method of manufacturing a display device.
상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도의 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계이고,
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도보다 낮은 제2조도의 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계인,
디스플레이 장치 제조방법.7. The method of claim 6,
The step of forming the first organic film layer is a step of placing an acrylate layer and curing it by irradiating an ultraviolet light of a first illuminance,
The step of forming the second organic film layer is a step of placing an acrylate layer and curing it by irradiating ultraviolet light with a second illuminance lower than the first illuminance,
A method for manufacturing a display device.
상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계이고,
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간보다 짧은 제2시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계인,
디스플레이 장치 제조방법.7. The method of claim 6,
The step of forming the first organic film layer is a step of placing an acrylate layer and curing it by irradiating ultraviolet light for a first time,
The step of forming the second organic film layer is a step of placing the acrylate layer and curing it by irradiating UV light for a second time shorter than the first time,
A method for manufacturing a display device.
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는 최대두께가 제1유기막층의 최소두께보다 얇도록 제2유기막층을 형성하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.7. The method of claim 6,
The forming of the second organic film layer is a step of forming the second organic film layer so that the maximum thickness is thinner than the minimum thickness of the first organic film layer.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150140612A KR102384292B1 (en) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Display apparatus and method for manufacturing the same |
| US15/270,536 US10074826B2 (en) | 2015-10-06 | 2016-09-20 | Display apparatus and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150140612A KR102384292B1 (en) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Display apparatus and method for manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170041339A KR20170041339A (en) | 2017-04-17 |
| KR102384292B1 true KR102384292B1 (en) | 2022-04-08 |
Family
ID=58703157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150140612A KR102384292B1 (en) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Display apparatus and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102384292B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102531868B1 (en) | 2018-01-23 | 2023-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4138672B2 (en) * | 2003-03-27 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | Manufacturing method of electro-optical device |
| KR100879864B1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR101213499B1 (en) * | 2009-12-31 | 2012-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | Barrier film composites, display apparatus comprising the same |
| KR101873476B1 (en) * | 2011-04-11 | 2018-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
-
2015
- 2015-10-06 KR KR1020150140612A patent/KR102384292B1/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170041339A (en) | 2017-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11744102B2 (en) | Display device | |
| KR102552267B1 (en) | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same | |
| US20240334802A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US10224377B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
| KR102648401B1 (en) | Display apparatus | |
| TWI688089B (en) | Organic light-emitting diode (oled) display, electronic device including the same, and method of manufacturing the oled display | |
| US9793512B2 (en) | Display device | |
| KR102414110B1 (en) | Display apparatus | |
| KR102218573B1 (en) | Display devices and methods of manufacturing display devices | |
| US9806137B2 (en) | Display substrates, methods of manufacturing the same and display devices including the same | |
| KR102435156B1 (en) | Transparent display substrates and transparent display devices | |
| US9893285B2 (en) | Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus and organic light-emitting display apparatus | |
| US20170098798A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US20160343945A1 (en) | Mask and method of manufacturing display device by using the same | |
| KR20100009057A (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing thereof | |
| KR102610026B1 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same | |
| KR102169862B1 (en) | Organic light emitting diode display device and fabricating method thereof | |
| KR20140041315A (en) | Method for manufacturing of organic light emitting display device | |
| KR102384292B1 (en) | Display apparatus and method for manufacturing the same | |
| KR102052075B1 (en) | Deposition apparatus, method for forming thin film using the same, organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same | |
| KR102092708B1 (en) | Display apparatus and method for manufacturing the same | |
| KR20190015736A (en) | Display apparatus and method for manufacturing the same | |
| US20210296623A1 (en) | Apparatus and method for display manufacturing | |
| KR20100009058A (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing thereof | |
| KR20240099546A (en) | Display apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |