KR20170041339A - Display apparatus and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a display apparatus which has excellent flexibility and effectively prevents external impurities from penetrating into the vicinity of a display element, and a manufacturing method thereof. The display apparatus comprises: a substrate; a display element disposed on the substrate; a first inorganic film layer covering the display element; a first organic film layer placed on the first inorganic film layer and having a flat upper surface; a second organic film layer placed on the first organic film layer and having a wrinkle on the upper surface thereof; and a second inorganic film layer placed on the second organic film layer and having a shape corresponding to the shape of the upper surface of the second organic film layer.

Description

디스플레이 장치 및 그 제조방법{Display apparatus and method for manufacturing the same}DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 우수한 플렉서블한 특성을 가지면서도 외부의 불순물이 디스플레이 소자 근방으로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a display device capable of effectively preventing external impurities from penetrating into the vicinity of a display element while having excellent flexible characteristics, and a method of manufacturing the same .

일반적으로 디스플레이 장치는 기판 상에 디스플레이소자가 위치한 구성을 갖는다. 그리고 이러한 디스플레이소자가 외부로부터의 산소나 수분 등으로 인해 손상되는 것을 방지하기 위해, 디스플레이소자를 덮도록 봉지막이 위치하도록 한다.Generally, a display device has a configuration in which a display element is located on a substrate. In order to prevent the display element from being damaged by oxygen or moisture from the outside, the sealing film is placed so as to cover the display element.

그러나 이러한 종래의 디스플레이 장치에는 플렉서블 특성의 저하라는 문제점이 있었다. 즉, 기판이나 디스플레이소자 등이 플렉서블 특성을 갖도록 하더라도, 봉지막의 플렉서블 특성이 낮아, 결과적으로 디스플레이 장치 전체의 플렉서블 특성이 낮아진다는 문제점이 있었다.However, such a conventional display device has a problem of deterioration of the flexible characteristics. That is, even if a substrate or a display element has a flexible characteristic, the flexible film of the sealing film is low, and as a result, the flexible characteristic of the entire display device is low.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 우수한 플렉서블한 특성을 가지면서도 외부의 불순물이 디스플레이 소자 근방으로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a display device and a method of manufacturing the display device which can effectively prevent external impurities from penetrating into the vicinity of the display device while having excellent flexible characteristics . However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 디스플레이소자와, 상기 디스플레이소자를 덮는 제1무기막층과, 상기 제1무기막층 상에 위치하며 상면이 평탄한 제1유기막층과, 상기 제1유기막층 상에 위치하며 상면에 주름이 형성된 제2유기막층과, 상기 제2유기막층 상에 위치하며 상기 제2유기막층의 상면의 형상에 대응하는 형상을 가진 제2무기막층을 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a display device comprising: a substrate; a display element disposed on the substrate; a first inorganic film layer covering the display element; a first organic film layer positioned on the first inorganic film layer, And a second inorganic film layer positioned on the second organic film layer and having a shape corresponding to the shape of the upper surface of the second organic film layer, the second organic film layer being formed on the first organic film layer, A display device is provided.

상기 제2유기막층은 헥사메틸디실록산 또는 아크릴레이트를 포함할 수 있다.The second organic film layer may include hexamethyldisiloxane or acrylate.

상기 제1유기막층의 최소두께는, 상기 제2유기막층의 최대두께보다 두꺼울 수 있다.The minimum thickness of the first organic layer may be greater than the maximum thickness of the second organic layer.

상기 제2무기막층은 일정한 두께를 가질 수 있다.The second inorganic film layer may have a predetermined thickness.

제1유기막층의 경화도는 제2유기막층의 경화도보다 클 수 있다.The degree of curing of the first organic film layer may be greater than the degree of curing of the second organic film layer.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 상에 디스플레이소자를 형성하는 단계와, 디스플레이소자를 덮도록 제1무기막층을 형성하는 단계와, 제1무기막층 상부에 제2유기막층을 형성하는 단계와, 제2유기막층 상에 제2무기막층을 형성하여 제2유기막층의 상면에 주름이 형성되어 제2무기막층이 제2유기막층의 상면의 주름진 형상에 대응하는 형상을 갖도록 하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device, including: forming a display element on a substrate; forming a first inorganic film layer to cover the display element; forming a second organic film layer on the first inorganic film layer; Forming a second inorganic film layer on the second organic film layer so that a wrinkle is formed on the upper surface of the second organic film layer so that the second inorganic film layer has a shape corresponding to the corrugated shape of the upper surface of the second organic film layer; A display device manufacturing method is provided.

상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 헥사메틸디실록산을 이용하여 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the second organic film layer may be a step of forming using hexamethyldisiloxane.

제1무기막층 상에 상면이 평탄한 제1유기막층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는 제1유기막층 상에 제1유기막층의 경화도보다 낮은 경화도를 갖도록 제2유기막층을 형성하는 단계일 수 있다.Forming a first organic film layer having a flat upper surface on the first inorganic film layer, wherein the step of forming the second organic film layer includes forming a first organic film layer on the first organic film layer so as to have a curing degree lower than that of the first organic film layer, 2 organic film layer.

이 경우, 상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 전체 가스 중 N2O의 비율이 제1비율인 상태에서의 화학기상증착법(CVD)으로 헥사메틸디실록산을 포함하는 제1유기막층을 형성하는 단계이고, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 전체 가스 중 N2O의 비율이 제1비율과 상이한 제2비율인 상태에서의 화학기상증착법으로 헥사메틸디실록산을 포함하는 제2유기막층을 형성하는 단계일 수 있다.In this case, the step of forming the first organic layer may include a step of forming a first organic film layer containing hexamethyldisiloxane by chemical vapor deposition (CVD) in a state where the ratio of N2O in the total gas is a first ratio And forming the second organic film layer includes forming a second organic film layer containing hexamethyldisiloxane by chemical vapor deposition in a state where the ratio of N2O in the total gas is a second ratio different from the first ratio Step.

한편, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트를 이용하여 형성하는 단계일 수 있다.Meanwhile, the step of forming the second organic layer may be performed using acrylate.

이 경우, 상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도의 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계이고, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도보다 낮은 제2조도의 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계일 수 있다. 또는, 상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계이고, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간보다 짧은 제2시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계일 수 있다.In this case, the step of forming the first organic layer may include the steps of positioning the acrylate layer and curing the first ultraviolet light by irradiating the first illuminance layer, And irradiating ultraviolet light having a second illuminance lower than the first illuminance to cure the light. Alternatively, the step of forming the first organic film layer may include the step of placing the acrylate layer and curing by irradiating ultraviolet light for a first time period, and the step of forming the second organic film layer may include the step of positioning the acrylate layer And irradiating ultraviolet light for a second time shorter than the first time to cure.

상기 제2유기막층을 형성하는 단계는 최대두께가 제1유기막층의 최소두께보다 얇도록 제2유기막층을 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the second organic film layer may be a step of forming the second organic film layer so that the maximum thickness is smaller than the minimum thickness of the first organic film layer.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 특허청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will be apparent from the following detailed description, claims, and drawings.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 우수한 플렉서블한 특성을 가지면서도 외부의 불순물이 디스플레이 소자 근방으로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention as described above, it is possible to implement a display device and a fabrication method thereof that can effectively prevent external impurities from penetrating the vicinity of the display device while having excellent flexible characteristics. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 보여주는 단면 사진이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.1 to 3 are sectional views schematically showing the steps of a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing a part of a display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically showing a part of a display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. The effects and features of the present invention and methods of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like or corresponding components throughout the drawings, and a duplicate description thereof will be omitted .

이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the following embodiments, when various components such as layers, films, regions, plates, and the like are referred to as being " on " other components, . Also, for convenience of explanation, the components may be exaggerated or reduced in size. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.In the following embodiments, the x-axis, the y-axis, and the z-axis are not limited to three axes on the orthogonal coordinate system, and can be interpreted in a broad sense including the three axes. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 구체적으로, 도 1 내지 도 3은 디스플레이소자로서 유기발광소자를 갖는 유기발광 디스플레이 장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 물론 본 발명이 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 국한되는 것은 아니며, 다른 디스플레이소자를 갖는 디스플레이 장치 제조방법에도 적용될 수 있다.1 to 3 are sectional views schematically showing the steps of a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention. 1 to 3 are cross-sectional views schematically showing processes of a method of manufacturing an organic light emitting display device having an organic light emitting element as a display element. Of course, the present invention is not limited to the method of manufacturing an organic light emitting display device, and may be applied to a method of manufacturing a display device having another display device.

먼저 도 1에 도시된 것과 같이 백플레인을 준비한다. 여기서 백플레인이라 함은 적어도 기판(100)과, 기판(100) 상에 형성된 복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B)과, 복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B) 각각의 중앙부를 포함한 적어도 일부를 노출시키도록 형성된 화소정의막(180)을 포함하는 것으로 이해할 수 있다. 이때 화소정의막(180)은 기판(100)을 중심으로 할 시 복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B)보다 (+z 방향으로) 돌출된 형상을 가질 수 있다.First, a backplane is prepared as shown in FIG. The backplane includes at least a substrate 100, a plurality of first electrodes 210R, 210G, and 210B formed on the substrate 100, and a plurality of first electrodes 210R, 210G, And a pixel defining layer 180 formed to expose at least a part of the pixel defining layer 180. [ At this time, the pixel defining layer 180 may have a shape protruding (in the + z direction) from the plurality of first electrodes 210R, 210G, and 210B when the substrate 100 is the center.

기판(100)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다.The substrate 100 may be formed of various materials such as a glass material, a metal material, or a plastic material such as PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), polyimide, or the like.

복수개의 제1전극들(210R, 210G, 210B)은 화소전극들로 이해할 수 있다. 화소전극들 중 화소전극(210B)은 제1화소전극으로, 화소전극(210R)은 제2화소전극으로, 화소전극(210G)은 제3화소전극으로 이해할 수 있다. 제1화소전극 내지 제3화소전극 상에 형성되는 중간층이 상이할 수 있기 때문이다. 이하에서는 편의상 제1전극, 제1화소전극, 제2화소전극 및 제3화소전극이 아닌, 화소전극(210R), 화소전극(210G) 및 화소전극(210B)이라는 용어를 사용한다.The plurality of first electrodes 210R, 210G, and 210B may be understood as pixel electrodes. Among the pixel electrodes, the pixel electrode 210B may be regarded as a first pixel electrode, the pixel electrode 210R may be referred to as a second pixel electrode, and the pixel electrode 210G may be regarded as a third pixel electrode. And the intermediate layer formed on the first pixel electrode to the third pixel electrode may be different. Hereinafter, the terms pixel electrode 210R, pixel electrode 210G, and pixel electrode 210B are used instead of the first electrode, the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode.

화소전극들(210R, 210G, 210B)은 (반)투명전극 또는 반사전극일 수 있다. (반)투명전극일 경우, 화소전극들(210R, 210G, 210B)은 예컨대 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)를 포함할 수 있다. 화소전극들(210R, 210G, 210B)이 반사전극일 경우에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등을 포함하는 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 포함할 수 있다. 물론 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다.The pixel electrodes 210R, 210G, and 210B may be (semi) transparent electrodes or reflective electrodes. The pixel electrodes 210R, 210G and 210B may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO) , Indium oxide (In2O3 indium oxide), indium gallium oxide (IGO), or aluminum zinc oxide (AZO). In the case where the pixel electrodes 210R, 210G and 210B are reflective electrodes, a reflective film containing Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, ZnO or In2O3. Of course, the structure and materials of the pixel electrodes 210R, 210G, and 210B are not limited thereto, and various modifications are possible.

이러한 화소전극들(210R, 210G, 210B)은 기판(100)의 디스플레이영역 내에 위치할 수 있다.The pixel electrodes 210R, 210G, and 210B may be positioned within the display region of the substrate 100. [

화소정의막(180)은 각 부화소들에 대응하는 개구, 즉 화소전극들(210R, 210G, 210B) 각각의 중앙부 또는 화소전극들(210R, 210G, 210B) 전체가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 할 수 있다. 또한, 화소정의막(180)은 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 단부와 화소전극들(210R, 210G, 210B) 상부의 대향전극(미도시) 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 단부에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The pixel defining layer 180 has openings corresponding to the respective sub-pixels, that is, the center of each of the pixel electrodes 210R, 210G, and 210B or the pixel electrodes 210R, 210G, and 210B, Can be defined. The pixel defining layer 180 is formed by increasing the distance between the ends of the pixel electrodes 210R, 210G and 210B and the counter electrodes (not shown) above the pixel electrodes 210R, 210G and 210B, 210R, 210G, and 210B.

물론 백플레인은 필요에 따라 그 외의 다양한 구성요소를 더 포함할 수 있다. 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT)나 커패시터(Cap)가 형성될 수 있다. 그리고 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(110), 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층과 게이트전극을 절연시키기 위한 게이트절연막(130), 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극/드레인전극과 게이트전극을 절연시키기 위한 층간절연막(150) 및 박막트랜지스터(TFT)를 덮으며 상면이 대략 평평한 평탄화막(170) 등이나 다른 구성요소들을 구비할 수 있다.Of course, the backplane may further include various other components as needed. For example, a thin film transistor (TFT) or a capacitor Cap may be formed on the substrate 100 as shown in FIG. A buffer layer 110 formed to prevent impurities from penetrating into the semiconductor layer of the thin film transistor TFT, a gate insulating film 130 for insulating the semiconductor layer and the gate electrode of the thin film transistor TFT, a thin film transistor TFT, An interlayer insulating layer 150 for insulating the source electrode / drain electrode of the TFT with the gate electrode, and a flattening film 170 covering the thin film transistor TFT and having a substantially flat top surface.

이와 같이 백플레인을 준비한 후, 도 1에 도시된 것과 같이 중간층들(220R, 220G, 220B)을 형성한다. 중간층들(220R, 220G, 220B)은 발광층을 포함하는 다층 구조일 수 있는데, 이 경우 중간층들(220R, 220G, 220B)은 도시된 것과 달리 일부 층은 기판(100)의 전면(全面)에 대략 대응하는 공통층일 수 있고, 다른 일부 층은 화소전극들(210R, 210G, 210B)에 대응하도록 패터닝된 패턴층일 수 있다. 중간층들(220R, 220G, 220B)은 저분자물질 또는 고분자물질로 형성될 수 있으며, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및/또는 전자주입층 등을 포함할 수 있다. 형성방법은 증착법, 스핀코팅법, 잉크젯프린팅법 및/또는 레이저열전사법 등의 다양한 방법을 이용할 수 있다.After the backplane is prepared as described above, the intermediate layers 220R, 220G, and 220B are formed as shown in FIG. The intermediate layers 220R, 220G and 220B may have a multilayer structure including a light emitting layer. In this case, the intermediate layers 220R, 220G, and 220B may have a structure in which some layers are formed on the entire surface of the substrate 100 And some of the other layers may be a patterned pattern layer corresponding to the pixel electrodes 210R, 210G, and 210B. The intermediate layers 220R, 220G, and 220B may be formed of a low molecular material or a high molecular material, and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and / or an electron injection layer. Various methods such as a vapor deposition method, a spin coating method, an inkjet printing method, and / or a laser thermal transfer method may be used.

중간층들(220R, 220G, 220B)을 형성한 후, 중간층들(220R, 220G, 220B) 상에 대향전극(230)을 형성한다. 대향전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 대향전극(230)이 (반)투명 전극일 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(230)이 반사형 전극일 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.After forming the intermediate layers 220R, 220G and 220B, the counter electrodes 230 are formed on the intermediate layers 220R, 220G and 220B. The counter electrode 230 may be a (semi) transparent electrode or a reflective electrode. A layer formed of Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg and compounds thereof and a layer formed of ITO, IZO, ZnO Or a (semi) transparent conductive layer such as In2O3 or the like. When the counter electrode 230 is a reflective electrode, it may have a layer formed of Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, Of course, the configuration and material of the counter electrode 230 are not limited thereto, and various modifications are possible.

대향전극(230)을 형성한 후, 화소전극들(210R, 210G, 210B), 중간층들(220R, 220G, 220B) 및 대향전극(230)을 포함하는 디스플레이소자들을 외부의 산소나 수분 등과 같은 불순물로부터 보호하기 위한 봉지막을 형성한다.After the counter electrode 230 is formed, the display elements including the pixel electrodes 210R, 210G, and 210B, the intermediate layers 220R, 220G, and 220B and the counter electrode 230 are exposed to external impurities such as oxygen, moisture, To form a sealing film for protecting the semiconductor device.

먼저 도 1에 도시된 것과 같이, 디스플레이소자를 덮도록 대향전극(230) 상에 제1무기막층(311)을 형성한다. 제1무기막층(311)은 예컨대 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수도 있고, 산화금속, 질화금속, 산화질화 금속 또는 탄화금속 등을 포함할 수도 있다. 이러한 제1무기막층(311)은 화학기상증착법(CVD) 등을 통해 형성할 수 있는데, 그 하부의 대향전극(230)의 굴곡, 즉 화소정의막(180) 등으로 인한 굴곡을 따라 대략 일정한 두께로 형성된다.First, as shown in FIG. 1, a first inorganic film layer 311 is formed on the counter electrode 230 so as to cover the display element. The first inorganic film layer 311 may include, for example, silicon nitride, silicon oxide and / or silicon oxynitride, and may include a metal oxide, a metal nitride, a metal oxynitride, a metal carbide, or the like. The first inorganic film layer 311 may be formed by chemical vapor deposition (CVD) or the like. The first inorganic film layer 311 may have a substantially constant thickness along the curvature of the counter electrode 230, .

제1무기막층(311) 상에는 제1유기막층(321)을 형성한다. 제1유기막층(321)은 제1무기막층(311)의 굴곡진 형상을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 이에 따라 제1유기막층(321)은 상면이 평탄한 형상을 가질 수 있다. 또한 제1무기막층(311)에 크랙이 발생해도 제1유기막층(321)이 제1무기막층(311)을 덮고 있기에, 크랙이 후술하는 것과 같이 제1유기막층(321) 상부에 형성되는 제2무기막층(312)으로 더 이상 연장되지 않도록 할 수 있다. 이러한 제1유기막층(321)은 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트 및 헥사메틸디실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다. A first organic film layer 321 is formed on the first inorganic film layer 311. The first organic film layer 321 may serve to flatten the curved shape of the first inorganic film layer 311. Accordingly, the first organic layer 321 may have a flat top surface. Even if cracks occur in the first inorganic film layer 311, the first organic film layer 321 covers the first inorganic film layer 311, so that cracks are formed on the first organic film layer 321 2 inorganic film layer 312 as shown in FIG. The first organic film layer 321 may be at least one selected from the group consisting of polyacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyethylene sulfonate, polyoxymethylene, polyarylate, and hexamethyldisiloxane Materials.

제1유기막층(321) 상에는 도 1에 도시된 것과 같이 제2유기막층(322)을 형성한다. 이때, 제2유기막층(322)은 제1유기막층(321)의 경화도보다 낮은 경화도를 갖도록 형성한다. 이러한 제2유기막층(322)은 헥사메틸디실록산을 이용하여 화학기상증착법으로 형성할 수 있다. 헥사메틸디실록산을 포함하는 유기막층을 화학기상증착법으로 형성할 시, 헥사메틸디실록산, 일산화질소 및 헬륨 가스를 섞어 유기막층을 형성하게 된다. 이때 전체 가스 중 일산화질소의 비율을 조절함으로써, 형성된 유기막층의 경화도를 조절할 수 있다.A second organic film layer 322 is formed on the first organic film layer 321 as shown in FIG. At this time, the second organic film layer 322 is formed to have a lower degree of curing than the degree of curing of the first organic film layer 321. The second organic film layer 322 may be formed by chemical vapor deposition using hexamethyldisiloxane. When an organic film layer containing hexamethyldisiloxane is formed by chemical vapor deposition, hexamethyldisiloxane, nitrogen monoxide and helium gas are mixed to form an organic film layer. By controlling the ratio of nitrogen monoxide in the total gas, the degree of curing of the formed organic film layer can be controlled.

예컨대 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322)을 모두 동일한 조성의 가스로 형성하여 모두 헥사메틸디실록산을 포함하도록 형성하더라도, 제1유기막층(321)을 형성할 시 전체 가스 중 일산화질소의 비율이 제1비율인 상태에서 화학기상증착법으로 형성하고, 제2유기막층(322)을 형성할 시 전체 가스 중 일산화질소의 비율이 제1비율과 상이한 제2비율인 상태에서 화학기상증착법으로 형성하면, 제1유기막층(321)의 경화도와 제2유기막층(322)의 경화도가 달라지게 된다. 예컨대 일산화질소의 비율이 높을수록, 유기막층의 경화도가 높아지게 된다.For example, even if the first organic film layer 321 and the second organic film layer 322 are both formed of gases having the same composition and are all formed to include hexamethyldisiloxane, in forming the first organic film layer 321, The ratio of the nitrogen monoxide to the nitrogen monoxide is in the first ratio by the chemical vapor deposition method and the ratio of the nitrogen monoxide in the total gas in the second ratio is different from the first ratio when the second organic film layer 322 is formed, The curing degree of the first organic film layer 321 and the curing degree of the second organic film layer 322 are different from each other. For example, the higher the proportion of nitrogen monoxide is, the higher the degree of curing of the organic film layer becomes.

물론 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322)을 상이한 물질로 형성하더라도, 제2유기막층(322)의 경화도가 제1유기막층(321)의 경화도보다 낮도록 할 수 있다. 그리고 제2유기막층(322) 형성용 물질이 헥사메틸디실록산으로 한정될 필요도 없다.Of course, even if the first organic film layer 321 and the second organic film layer 322 are formed of different materials, the degree of curing of the second organic film layer 322 can be made lower than the degree of curing of the first organic film layer 321. And the material for forming the second organic film layer 322 need not be limited to hexamethyldisiloxane.

예컨대 제2유기막층(322)을 아크릴레이트를 이용하여 형성할 수도 있다. 이 경우 제1유기막층(321) 상에 아크릴레이트를 프린팅법이나 코팅법 등을 통해 형성한 후 이를 경화시키는 정도를 조절함으로써, 제1유기막층(321)의 경화도보다 낮은 경화도의 제2유기막층(322)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 아크릴레이트층을 경화시킬 시 자외선광을 조사하여 경화시킬 수 있는데, 이때 조사하는 자외선광의 조도가 낮게 되면 경화도가 낮은 아크릴레이트층을 형성할 수 있다. 따라서 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도의 자외선광을 조사하여 경화시켜 제1유기막층(321)을 형성하고, 역시 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도보다 낮은 제2조도의 자외선광을 조사하여 경화시켜 제2유기막층(322)을 형성함으로써, 제1유기막층(321)보다 경화도가 낮은 제2유기막층(322)을 형성할 수 있다.For example, the second organic film layer 322 may be formed using acrylate. In this case, acrylate is formed on the first organic film layer 321 through a printing method, a coating method, or the like, and then the degree of curing is controlled, whereby the second organic film layer 321 having a curing degree lower than that of the first organic film layer 321 (322) can be formed. Specifically, when the acrylate layer is cured, it can be cured by irradiating ultraviolet light. When the illuminance of the ultraviolet light to be irradiated is low, an acrylate layer having a low degree of curing can be formed. Accordingly, the acrylate layer is positioned and cured by irradiating ultraviolet light of the first illuminance to form the first organic layer 321, and the acrylate layer is also positioned to irradiate ultraviolet light of the second illuminance lower than the first illuminance The second organic film layer 322 having a hardness lower than that of the first organic film layer 321 can be formed.

또는, 아크릴레이트층을 경화시킬 시 자외선광을 조사하는 시간을 조절하여 유기막층의 경화도를 조절할 수 있다. 즉 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시켜 제1유기막층(321)을 형성하고, 역시 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간보다 짧은 제2시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시켜 제2유기막층(322)을 형성함으로써, 제1유기막층(321)보다 경화도가 낮은 제2유기막층(322)을 형성할 수 있다.Alternatively, when the acrylate layer is cured, the curing degree of the organic layer can be controlled by adjusting the time for irradiating ultraviolet light. That is, the acrylate layer is positioned and cured by irradiating ultraviolet light for a first time to form a first organic layer 321. The acrylate layer is also positioned and irradiated with ultraviolet light for a second time shorter than the first time The second organic film layer 322 having a hardness lower than that of the first organic film layer 321 can be formed.

이와 같이 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322)을 형성한 후, 도 2에 도시된 것과 같이 제2유기막층(322) 상에 제2무기막층(312)을 형성한다. 제2무기막층(312)은 예컨대 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수도 있고, 산화금속, 질화금속, 산화질화 금속 또는 탄화금속 등을 포함할 수도 있다. 이러한 제2무기막층(312)은 화학기상증착법(CVD) 등을 통해 형성할 수 있다.After the first organic film layer 321 and the second organic film layer 322 are formed as described above, the second inorganic film layer 312 is formed on the second organic film layer 322 as shown in FIG. The second inorganic film layer 312 may include, for example, silicon nitride, silicon oxide and / or silicon oxynitride, and may include a metal oxide, a metal nitride, a metal oxynitride, a metal carbide, or the like. The second inorganic film layer 312 may be formed by chemical vapor deposition (CVD) or the like.

이때, 제2무기막층(312)에는 잔류응력(residual stress)이 존재하게 되는데, 이 제2무기막층(312)이 경화도가 높은 층 상에 형성될 경우에는 제2무기막층(312)에 변화가 거의 발생하지 않는다. 하지만 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법에서와 같이 경화도가 낮은 제2유기막층(322) 상에 제2무기막층(312)이 형성될 경우, 제2무기막층(312) 내의 잔류응력에 의해 제2유기막층(322)의 상면에 도 3에 도시된 것과 같이 대략 일정한 주기를 갖는 주름이 형성되며, 제2무기막층(312)은 이러한 제2유기막층(322)의 상면의 주름을 따라 굴곡지게 형성된다. 물론 도 2에 도시된 것과 같이 제2무기막층(312)의 형성이 완료된 후에만 도 3에 도시된 것과 같이 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되는 것만은 아니고, 제조 공정에 따라 제2무기막층(312)의 형성 중 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되면서 굴곡진 형상의 제2무기막층(312)의 형성이 완료될 수도 있다.At this time, residual stress is present in the second inorganic film layer 312. When the second inorganic film layer 312 is formed on the layer having a high degree of curability, a change in the second inorganic film layer 312 Hardly occurs. However, when the second inorganic film layer 312 is formed on the second organic film layer 322 having a low degree of curability as in the display device manufacturing method according to the present embodiment, the residual stress in the second inorganic film layer 312 3, and the second inorganic film layer 312 is bent along the corrugation of the upper surface of the second organic film layer 322. The second organic film layer 322 is formed on the upper surface of the second organic film layer 322, . 3, after the formation of the second inorganic film layer 312 is completed, as shown in FIG. 2, not only the wrinkles are formed on the upper surface of the second organic film layer 322 as shown in FIG. 3, The formation of the curved second inorganic film layer 312 may be completed while the upper surface of the second organic film layer 322 is formed while the second inorganic film layer 312 is formed.

이와 같이 본 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하게 되면, 제1무기막층(311), 제1유기막층(321), 제2유기막층(322) 및 제2무기막층(312)을 갖는 봉지막(300)을 갖게 되는데, 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되고 제2무기막층(312)은 그러한 주름을 따라 형성된다. 이에 따라 우수한 성능의 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.Thus, when the display device according to the present embodiment is manufactured, the sealing film having the first inorganic film layer 311, the first organic film layer 321, the second organic film layer 322, and the second inorganic film layer 312 300, with the corrugation formed on the upper surface of the second organic film layer 322 and the second inorganic film layer 312 formed along the corrugations. Accordingly, a flexible display device having excellent performance can be realized.

종래의 제조방법에 따라 제조된 디스플레이 장치에는 플렉서블 특성의 저하라는 문제점이 있었다. 즉, 기판이나 디스플레이소자 등이 플렉서블 특성을 갖도록 하더라도, 봉지막의 플렉서블 특성이 낮아, 결과적으로 디스플레이 장치 전체의 플렉서블 특성이 낮아진다는 문제점이 있었다. 예컨대 도 3에 도시된 것과 달리 제2무기막층(312)이 전체적으로 일정한 두께를 갖지만 평탄한 형성을 갖는다면, 디스플레이 장치의 중앙부가 +z 방향으로 볼록하게 휘어지고 디스플레이 장치의 +x 방향 가장자리와 -x 방향 가장자리가 -z 방향으로 휘어질 경우, 제2무기막층(312)에 크랙이 쉽게 발생하게 된다.The display device manufactured according to the conventional manufacturing method has a problem that the flexible property is deteriorated. That is, even if a substrate or a display element has a flexible characteristic, the flexible film of the sealing film is low, and as a result, the flexible characteristic of the entire display device is low. 3, if the second inorganic film layer 312 has a uniform overall thickness but has a flat formation, the central portion of the display device is curved convexly in the + z direction, and the + x-direction edge of the display device and the -x When the directional edge is bent in the -z direction, a crack easily occurs in the second inorganic film layer 312.

하지만 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법에 의해 제조된 디스플레이 장치의 경우, 도 3에 도시된 것과 같이 제2무기막층(312)이 전체적으로 일정한 두께를 갖지만 제2유기막층(322) 상면의 주름진 형상에 대응하는 형상을 갖는다. 따라서 디스플레이 장치의 중앙부가 +z 방향으로 볼록하게 휘어지고 디스플레이 장치의 +x 방향 가장자리와 -x 방향 가장자리가 -z 방향으로 휘어지더라도, 제2무기막층(312)의 주름진 형상이 펼쳐지는 효과가 발생하면서 제2무기막층(312)에 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 참고로 제1유기막층(321)이나 제2유기막층(322)의 경우에는 유기막층이라는 특성 상 플렉서블 특성이 우수하기에, 휘어지더라도 크랙이 발생하지 않는다.However, in the case of the display device manufactured by the method of manufacturing a display device according to the present embodiment, as shown in FIG. 3, the second inorganic film layer 312 has a uniform thickness as a whole, but the corrugated shape of the upper surface of the second organic film layer 322 As shown in Fig. Therefore, even if the central portion of the display device is bent convexly in the + z direction and the + x direction edge and the -x direction edge of the display device are bent in the -z direction, the effect of expanding the corrugated shape of the second inorganic film layer 312 It is possible to effectively prevent cracks from being generated in the second inorganic film layer 312 while it is generated. For reference, in the case of the first organic film layer 321 and the second organic film layer 322, since the characteristic of the organic film layer is excellent in the flexible property, cracks do not occur even if warped.

물론 도 3에 도시된 것과 같은 형상의 디스플레이 장치를 제조하기 위해 제2유기막층(322)을 형성할 시 그 상면이 주름진 형상을 갖도록 형성하고, 그 상부에 제2무기막층(312)을 형성하는 것도 고려할 수 있다. 하지만 별도의 공정을 거쳐 제2유기막층(322)을 형성할 시 그 상면이 주름진 형상을 갖도록 한다면, 이는 공정이 복잡해지고 제조비용이 급상승하는 문제를 야기할 수 있다.When the second organic film layer 322 is formed to form a display device having a shape as shown in FIG. 3, the upper surface of the second organic film layer 322 is formed to have a corrugated shape, and the second inorganic film layer 312 is formed thereon . However, when the second organic film layer 322 is formed through a separate process, if the upper surface of the second organic film layer 322 has a corrugated shape, this can complicate the process and cause a problem of a sharp increase in manufacturing cost.

그러나 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 경우에는 제2유기막층(322) 형성 시 공정 조건만을 조절하면 되기에, 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되도록 하기 위한 추가적인 별도의 공정이 필요치 않다. 따라서 제조 공정을 단순화하여 제조비용을 획기적으로 낮추면서 불량률 역시 낮출 수 있다. 또한 본 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 경우 제1무기막층(311), 제1유기막층(321), 제2유기막층(322) 및 제2무기막층(312) 모두를 화학기상증착법으로 형성할 수도 있는바, 이에 따라 제조 과정 중 기판(100)을 이동시키는 거리 역시 획기적으로 줄이면서 제조 공정을 단순화할 수 있다.However, in the case of the display device manufacturing method according to the present embodiment, since only the process conditions are required to be adjusted when the second organic film layer 322 is formed, a separate additional process Is not required. Therefore, the manufacturing process can be simplified, and the defective rate can be lowered while drastically lowering the manufacturing cost. In the display device manufacturing method according to the present embodiment, both the first inorganic film layer 311, the first organic film layer 321, the second organic film layer 322, and the second inorganic film layer 312 are formed by chemical vapor deposition Accordingly, the distance for moving the substrate 100 during the manufacturing process can be drastically reduced, and the manufacturing process can be simplified.

도 4는 그와 같은 과정을 거쳐 제조된 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 보여주는 단면 사진이다. 도 4에서, 상면이 평탄한 제1유기막층(321) 상에 제2유기막층(322)이 위치하며, 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되고 그 주름에 대응하는 형상으로 제2무기막층(312)이 형성된 것을 확인할 수 있다. 참고로 도 4의 경우 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322) 모두 헥사메틸디실록산을 포함하도록 형성한 경우이다.4 is a cross-sectional view schematically showing a part of a display device manufactured through such a process. 4, a second organic film layer 322 is formed on the first organic film layer 321 having a flat upper surface, and a corrugation is formed on the upper surface of the second organic film layer 322, It can be confirmed that the inorganic film layer 312 is formed. 4, both the first organic layer 321 and the second organic layer 322 are formed to include hexamethyldisiloxane.

특히 이러한 제2유기막층(322) 상면의 주름의 주기는, 제2유기막층(322)의 경화도가 낮을수록 짧아지는 것을 확인하였다. 아울러 실험을 통해 제2유기막층(322)의 두께가 얇을수록 제2유기막층(322) 상면의 주름의 주기가 짧아지는 것을 확인하였다. 따라서 도 1에 도시된 것과 같이 제2유기막층(322)을 형성할 시, 그 두께(t2)가 제1유기막층(321)의 최소두께(t1)보다 얇게 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 제조하게 되면, 도 3에 도시된 것과 같이 상면에 주름이 형성된 제2유기막층(322)에 있어서의 최대두께(t2') 역시 제1유기막층(321)의 최소두께(t1)보다 얇아지도록 할 수 있다.In particular, it was confirmed that the period of the wrinkles on the upper surface of the second organic film layer 322 became shorter as the degree of curing of the second organic film layer 322 was lower. In addition, it has been confirmed through experiments that the shorter the period of the wrinkles on the upper surface of the second organic film layer 322 becomes, the thinner the thickness of the second organic film layer 322 is. Therefore, when forming the second organic film layer 322, it is preferable that the thickness t2 thereof is made thinner than the minimum thickness t1 of the first organic film layer 321 as shown in FIG. 3, the maximum thickness t2 'in the second organic film layer 322 formed on the upper surface is also thinner than the minimum thickness t1 of the first organic film layer 321 .

한편, 제1무기막층(311), 제1유기막층(321), 제2유기막층(322) 및 제2무기막층(312)의 형성에 그치지 않고, 도 5에 도시된 것과 같이 제3유기막층(323), 제4유기막층(324) 및 제3무기막층(313)이 상부에 더 형성되도록 할 수도 있다. 즉, 주름진 형상의 제2무기막층(312)을 형성한 후, 이를 평탄화하도록 상면이 평탄한 제3유기막층(323)을 형성하고, 제3유기막층(323) 상에 그 두께(t3)보다 얇은 두께(t4)의 제4유기막층(324)을 형성하며, 이어 제3무기막층(313)을 제4유기막층(324) 상에 형성하면서 제3무기막층(313)의 잔류응력으로 인해 제4유기막층(324) 상면에 주름이 형성되도록 할 수 있다. 물론 이에 따라 제3무기막층(313)은 제4유기막층(324) 상면의 주름 형상에 대응하는 형상, 즉 굴곡진 형상을 갖게 된다.5, the first organic film layer 321, the second organic film layer 322, and the second inorganic film layer 312 are formed in the same manner as the first organic film layer 311, the first organic film layer 321, the second organic film layer 322, The third organic film layer 323, the fourth organic film layer 324, and the third inorganic film layer 313 may be further formed thereon. That is, after forming the corrugated second inorganic film layer 312, a third organic film layer 323 having a flat top surface is formed to planarize the third organic film layer 312. On the third organic film layer 323, The fourth organic film layer 324 having a thickness t4 is formed and the third inorganic film layer 313 is formed on the fourth organic film layer 324, It is possible to form a wrinkle on the upper surface of the organic film layer 324. Accordingly, the third inorganic film layer 313 has a shape corresponding to the wrinkle shape on the upper surface of the fourth organic film layer 324, that is, a curved shape.

이 과정에서 제3유기막층(323)의 형성과정 및 재료는 제1유기막층(321)의 형성과정 및 재료와 동일/유사하고, 제4유기막층(324)의 형성과정 및 재료는 제2유기막층(322)의 형성과정 및 재료와 동일/유사하며, 제3무기막층(313)의 형성과정 및 재료는 제2무기막층(312)의 형성과정 및 재료와 동일/유사하다. 그리고 이와 같이 제조하게 되면, 도 5에 도시된 것과 같이 상면에 주름이 형성된 제4유기막층(324)에 있어서의 최대두께(t4') 역시 제3유기막층(323)의 최소두께(t3')보다 얇아지도록 할 수 있다. 참고로 제3유기막층(323)의 최소두께(t3')는 그 하부의 제2유기막층(322)의 최대두께(t2')보다 두껍게 할 수 있다.In this process, the formation process and materials of the third organic film layer 323 are the same as or similar to the process and material of the first organic film layer 321, The formation process and materials of the third inorganic film layer 313 are the same as / similar to the formation process and material of the film layer 322, and / or the process and material of the second inorganic film layer 312. 5, the maximum thickness t4 'of the fourth organic film layer 324 formed on the upper surface is also the minimum thickness t3' of the third organic film layer 323, It is possible to make it thinner. The minimum thickness t3 'of the third organic film layer 323 may be larger than the maximum thickness t2' of the second organic film layer 322 thereunder.

지금까지 제1유기막층(321)을 형성하고 이 제1유기막층(321) 상에 제2유기막층(322)을 형성하며 이후 제1무기막층(312)을 형성함으로써 제2유기막층(322) 상면에 주름이 형성되도록 하는 것으로 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제1유기막층(321)을 형성하는 과정을 생략할 수도 있다.The second organic film layer 322 is formed on the first organic film layer 321 and then the first inorganic film layer 312 is formed by forming the first organic film layer 321 so far, The wrinkles are formed on the upper surface, but the present invention is not limited thereto. That is, the process of forming the first organic layer 321 may be omitted.

예컨대 제1유기막층(321)을 형성하지 않고 제1무기막층(311) 상에 낮은 경화도를 가지며 상면이 대략 평탄한 제2유기막층(322)만을 형성한 후, 이 제2유기막층(322) 상에 제2무기막층(312)을 형성함으로써, 제2유기막층(322)의 상면에 주름이 형성되도록 할 수도 있다. 이 경우 도 1 및 도 2에서 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322)을 합한 단일의 층이 제2유기막층인 것으로 이해할 수 있다. 또한, 도 5에서도 제3유기막층(323)을 형성하는 과정을 생략하고 낮은 강도의 제4유기막층(324)만을 형성한 후 이 제4유기막층(324) 상에 제3무기막층(313)을 형성함으로써, 제4유기막층(324)의 상면에 주름이 형성되도록 할 수도 있다. 이 경우 도 5에서 제3유기막층(323)과 제4유기막층(324)을 합한 단일의 층이 제4유기막층인 것으로 이해할 수 있다.Only the second organic film layer 322 having a low degree of curability and having a substantially flat upper surface is formed on the first inorganic film layer 311 without forming the first organic film layer 321, A wrinkle may be formed on the upper surface of the second organic film layer 322 by forming the second inorganic film layer 312 on the second organic film layer 322. [ In this case, in FIG. 1 and FIG. 2, it can be understood that a single layer of the first organic film layer 321 and the second organic film layer 322 is a second organic film layer. 5, the fourth organic film layer 324 is formed only after the formation of the third organic film layer 323 is omitted and the third inorganic film layer 313 is formed on the fourth organic film layer 324, Thereby forming a wrinkle on the upper surface of the fourth organic film layer 324. In this case, in FIG. 5, it can be understood that the single layer including the third organic film layer 323 and the fourth organic film layer 324 is the fourth organic film layer.

지금까지는 디스플레이 장치 제조방법에 대해 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 이와 같이 제조된 디스플레이 장치 역시 본 발명의 범위에 속한다.Although the display device manufacturing method has been described so far, the present invention is not limited thereto. That is, the display device thus manufactured also belongs to the scope of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 도 3에 도시된 것과 같은 구조를 취할 수 있다. 즉, 본 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(100), 기판 상에 배치된 디스플레이소자, 그리고 이 디스플레이소자를 덮는 봉지막(300)을 구비할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention may have a structure as shown in FIG. That is, the display device according to the present embodiment may include a substrate 100, a display element disposed on the substrate, and a sealing film 300 covering the display element.

봉지막(300)은 디스플레이소자를 덮는 제1무기막층(311)과, 이 제1무기막층(311) 상에 위치하며 상면이 평탄한 제1유기막층(321)과, 제1유기막층(321) 상에 위치하며 상면에 주름이 형성된 제2유기막층(322)과, 제2유기막층(322) 상에 위치하며 제2유기막층(322)의 상면의 형상에 대응하는 형상을 가진 제2무기막층(312)을 구비한다.The sealing film 300 includes a first inorganic film layer 311 covering the display element, a first organic film layer 321 located on the first inorganic film layer 311 and having a flat top surface, a first organic film layer 321, A second organic film layer 322 located on the second organic film layer 322 and having a shape corresponding to the shape of the upper surface of the second organic film layer 322, (312).

이와 같은 본 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 제2무기막층(312)이 전체적으로 일정한 두께를 갖지만 제2유기막층(322) 상면의 주름진 형상에 대응하는 형상을 갖는다. 따라서 디스플레이 장치의 중앙부가 +z 방향으로 볼록하게 휘어지고 디스플레이 장치의 +x 방향 가장자리와 -x 방향 가장자리가 -z 방향으로 휘어지더라도, 제2무기막층(312)의 주름진 형상이 펼쳐지는 효과가 발생하면서 제2무기막층(312)에 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 참고로 제1유기막층(321)이나 제2유기막층(322)의 경우에는 유기막층이라는 특성 상 플렉서블 특성이 우수하기에, 휘어지더라도 크랙이 발생하지 않는다.In the display device according to this embodiment, the second inorganic film layer 312 has a uniform thickness as a whole but has a shape corresponding to the corrugated shape of the upper surface of the second organic film layer 322. Therefore, even if the central portion of the display device is bent convexly in the + z direction and the + x direction edge and the -x direction edge of the display device are bent in the -z direction, the effect of expanding the corrugated shape of the second inorganic film layer 312 It is possible to effectively prevent cracks from being generated in the second inorganic film layer 312 while it is generated. For reference, in the case of the first organic film layer 321 and the second organic film layer 322, since the characteristic of the organic film layer is excellent in the flexible property, cracks do not occur even if warped.

이러한 제1무기막층(311), 제1유기막층(321), 제2유기막층(322) 및 제2무기막층(312)을 형성하는 방법 및 물질에 대해서는 전술한 것과 같다. 예컨대, 제2유기막층(322)은 헥사메틸디실록산 또는 폴리아크릴레이트를 포함할 수 있다. 그리고 제1유기막층(321)의 경화도는 제2유기막층(322)의 경화도보다 클 수 있다. 또한 제조 과정에서 제2유기막층(322) 상면에 주름이 짧은 주기로 효과적으로 형성되도록 하기 위해, 제2유기막층(322)의 최대두께(t2')가 제1유기막층(321)의 최소두께(t1)보다 얇도록 할 수 있다.The methods and materials for forming the first inorganic film layer 311, the first organic film layer 321, the second organic film layer 322, and the second inorganic film layer 312 are as described above. For example, the second organic film layer 322 may comprise hexamethyldisiloxane or polyacrylate. The degree of curing of the first organic film layer 321 may be greater than the degree of curing of the second organic film layer 322. The maximum thickness t2 'of the second organic film layer 322 is greater than the minimum thickness t1 of the first organic film layer 321 in order to effectively form wrinkles on the upper surface of the second organic film layer 322 during the manufacturing process ). ≪ / RTI >

물론 본 발명은 이에 그치지 않고, 도 5에 도시된 것과 같이 제3유기막층(323), 제4유기막층(324) 및 제3무기막층(313)이 제2무기막층(312) 상부에 위치하는 디스플레이 장치 역시 본 발명의 범위에 속한다. 즉, 주름진 형상의 제2무기막층(312) 상에 이를 평탄화하도록 상면이 평탄한 제3유기막층(323)이 위치하고, 제3유기막층(323) 상에 그 두께(t3)보다 얇은 두께(t4)를 가지며 상면에 주름이 형성된 제4유기막층(324)이 위치하며, 제4유기막층(324)의 상면 주름의 형상에 따라 굴곡진 제3무기막층(313)이 제4유기막층(324) 상에 위치하도록 할 수 있다.Of course, the present invention is not limited to this, and the third organic film layer 323, the fourth organic film layer 324, and the third inorganic film layer 313 may be disposed on the second inorganic film layer 312 as shown in FIG. 5 The display device is also within the scope of the present invention. That is, a third organic film layer 323 having a flat top surface is disposed on the second inorganic film layer 312 having a corrugated shape and a thickness t4 thinner than the thickness t3 is formed on the third organic film layer 323, A curved third inorganic film layer 313 is formed on the fourth organic film layer 324 in accordance with the shape of the upper surface wrinkles of the fourth organic film layer 324, As shown in FIG.

지금까지 상면이 대략 평탄한 제1유기막층(321)과 그 상부에 위치하며 상면에 주름이 형성된 제2유기막층(322)을 갖는 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제1유기막층(321)을 생략할 수도 있다. 이 경우 도 2에서 제1유기막층(321)과 제2유기막층(322)을 합한 단일의 층이 제2유기막층인 것으로 이해할 수 있다. 또한, 도 5에서도 제3유기막층(323)을 생략할 수도 있다. 이 경우 도 5에서 제3유기막층(323)과 제4유기막층(324)을 합한 단일의 층이 제4유기막층인 것으로 이해할 수 있다. 이러한 구조의 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에 대해서는 전술한 바와 같다.Although the first organic film layer 321 having a substantially flat upper surface and the second organic film layer 322 having a wrinkle formed on the upper surface of the first organic film layer 321 have been described, the present invention is not limited thereto. That is, the first organic film layer 321 may be omitted. In this case, it can be understood that a single layer of the first organic film layer 321 and the second organic film layer 322 in FIG. 2 is the second organic film layer. 5, the third organic film layer 323 may be omitted. In this case, in FIG. 5, it can be understood that the single layer including the third organic film layer 323 and the fourth organic film layer 324 is the fourth organic film layer. A manufacturing method of the organic light emitting display device having such a structure is as described above.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art . Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100: 기판 110: 버퍼층
130: 게이트절연막 150: 층간절연막
170: 평탄화막 180: 화소정의막
210R, 210G, 210B: 화소전극
220R, 220G, 220B: 중간층
230: 대향전극 300: 봉지막
311: 제1무기막층 312: 제2무기막층
313: 제3무기막층 321: 제1유기막층
322: 제2유기막층 323: 제3유기막층
324: 제4유기막층100: substrate 110: buffer layer
130: gate insulating film 150: interlayer insulating film
170: planarization film 180: pixel defining film
210R, 210G, and 210B:
220R, 220G, 220B: middle layer
230: opposing electrode 300: sealing film
311: first inorganic film layer 312: second inorganic film layer
313: Third inorganic film layer 321: First organic film layer
322: second organic film layer 323: third organic film layer
324: fourth organic film layer

Claims (13)

기판;
상기 기판 상에 배치된 디스플레이소자;
상기 디스플레이소자를 덮는 제1무기막층;
상기 제1무기막층 상에 위치하며 상면이 평탄한 제1유기막층;
상기 제1유기막층 상에 위치하며 상면에 주름이 형성된 제2유기막층; 및
상기 제2유기막층 상에 위치하며 상기 제2유기막층의 상면의 형상에 대응하는 형상을 가진 제2무기막층;
을 구비하는, 디스플레이 장치.Board;
A display element disposed on the substrate;
A first inorganic film layer covering the display element;
A first organic film layer on the first inorganic film layer and having a flat top surface;
A second organic film layer located on the first organic film layer and having a wrinkle on an upper surface thereof; And
A second inorganic film layer located on the second organic film layer and having a shape corresponding to a shape of an upper surface of the second organic film layer;
And a display device. 제1항에 있어서,
상기 제2유기막층은 헥사메틸디실록산 또는 폴리아크릴레이트를 포함하는, 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second organic film layer comprises hexamethyldisiloxane or polyacrylate. 제1항에 있어서,
상기 제1유기막층의 최소두께는, 상기 제2유기막층의 최대두께보다 두꺼운, 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the minimum thickness of the first organic film layer is thicker than the maximum thickness of the second organic film layer. 제1항에 있어서,
상기 제2무기막층은 일정한 두께를 갖는, 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
And the second inorganic film layer has a constant thickness. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
제1유기막층의 경화도는 제2유기막층의 경화도보다 큰, 디스플레이 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
And the degree of curing of the first organic film layer is larger than the degree of curing of the second organic film layer. 기판 상에 디스플레이소자를 형성하는 단계;
디스플레이소자를 덮도록 제1무기막층을 형성하는 단계;
제1무기막층 상부에 제2유기막층을 형성하는 단계; 및
제2유기막층 상에 제2무기막층을 형성하여, 제2유기막층의 상면에 주름이 형성되어 제2무기막층이 제2유기막층의 상면의 주름진 형상에 대응하는 형상을 갖도록 하는 단계;
를 포함하는, 디스플레이 장치 제조방법.Forming a display device on the substrate;
Forming a first inorganic film layer to cover the display element;
Forming a second organic film layer on the first inorganic film layer; And
Forming a second inorganic film layer on the second organic film layer so that a wrinkle is formed on the upper surface of the second organic film layer so that the second inorganic film layer has a shape corresponding to the corrugated shape of the upper surface of the second organic film layer;
And a display device. 제6항에 있어서,
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 헥사메틸디실록산을 이용하여 형성하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.The method according to claim 6,
Wherein the step of forming the second organic film layer is a step of forming using hexamethyldisiloxane. 제6항에 있어서,
제1무기막층 상에 상면이 평탄한 제1유기막층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2유기막층을 형성하는 단계는 제1유기막층 상에 제1유기막층의 경화도보다 낮은 경화도를 갖도록 제2유기막층을 형성하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.The method according to claim 6,
Forming a first organic film layer having a flat upper surface on the first inorganic film layer, wherein the step of forming the second organic film layer includes forming a first organic film layer on the first organic film layer so as to have a curing degree lower than that of the first organic film layer, 2 organic film layer. 제8항에 있어서,
상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 전체 가스 중 N2O의 비율이 제1비율인 상태에서의 화학기상증착법으로 헥사메틸디실록산을 포함하는 제1유기막층을 형성하는 단계이고,
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 전체 가스 중 N2O의 비율이 제1비율과 상이한 제2비율인 상태에서의 화학기상증착법으로 헥사메틸디실록산을 포함하는 제2유기막층을 형성하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.9. The method of claim 8,
The forming of the first organic film layer may include forming a first organic film layer containing hexamethyldisiloxane by a chemical vapor deposition method in a state where a ratio of N2O in the total gas is a first ratio,
The step of forming the second organic film layer may include a step of forming a second organic film layer containing hexamethyldisiloxane by chemical vapor deposition in a state where the ratio of N2O in the total gas is a second ratio different from the first ratio , And a method of manufacturing a display device. 제6항에 있어서,
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트를 이용하여 형성하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.The method according to claim 6,
Wherein the forming of the second organic film layer is performed using acrylate. 제8항에 있어서,
상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도의 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계이고,
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1조도보다 낮은 제2조도의 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계인,
디스플레이 장치 제조방법.9. The method of claim 8,
The step of forming the first organic film layer may include the steps of positioning an acrylate layer and irradiating ultraviolet light having a first illuminance to cure the acrylate layer,
Wherein the step of forming the second organic film layer includes the steps of positioning the acrylate layer and irradiating ultraviolet light having a second illuminance lower than the first illuminance to cure the second illuminated layer,
A method of manufacturing a display device. 제8항에 있어서,
상기 제1유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계이고,
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는, 아크릴레이트층을 위치시키고 제1시간보다 짧은 제2시간 동안 자외선광을 조사하여 경화시키는 단계인,
디스플레이 장치 제조방법.9. The method of claim 8,
The step of forming the first organic layer may include the step of placing the acrylate layer and curing by irradiating ultraviolet light for a first time,
Wherein the step of forming the second organic film layer comprises the steps of positioning the acrylate layer and irradiating ultraviolet light for a second period of time shorter than the first time period,
A method of manufacturing a display device. 제8항에 있어서,
상기 제2유기막층을 형성하는 단계는 최대두께가 제1유기막층의 최소두께보다 얇도록 제2유기막층을 형성하는 단계인, 디스플레이 장치 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the step of forming the second organic film layer is a step of forming a second organic film layer so that the maximum thickness is thinner than the minimum thickness of the first organic film layer.
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