KR102383397B1 - Material for semiconductor element protection and semiconductor device - Google Patents

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히로시 마에나까
유우스께 고바야시
시게루 나까무라
다꾸지 아오야마
치즈루 김
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

도포성이 우수하고, 방열성 및 유연성이 우수한 경화물을 얻을 수 있고, 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있는 반도체 소자 보호용 재료를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이며, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재를 박리하지 않도록 접착 및 고정하는 경화물을 형성하는 것과는 다르며, 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, 23℃에서 액상인 경화제와, 경화 촉진제와, 열 전도율이 10W/m·K 이상이고 또한 구상인 무기 필러를 포함한다.Provided is a material for protecting semiconductor devices that can provide a cured product having excellent applicability and excellent heat dissipation and flexibility, and can protect semiconductor devices favorably. The semiconductor element protection material according to the present invention is a semiconductor element protection material used to protect the semiconductor element, applied on the surface of the semiconductor element, and used to form a cured product on the surface of the semiconductor element, and is a semiconductor element and other connection A flexible epoxy compound and an epoxy compound different from the flexible epoxy compound, different from forming a cured product that is disposed between target members and adhered and fixed so as not to separate the semiconductor element and the other connection target member; 23 A curing agent liquid at °C, a curing accelerator, and a spherical inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more are included.

Description

반도체 소자 보호용 재료 및 반도체 장치{MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT PROTECTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE}MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT PROTECTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE

본 발명은 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 도포해서 사용되는 반도체 소자 보호용 재료에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to a material for protecting a semiconductor element, which is applied and used on the surface of the semiconductor element to protect the semiconductor element. Further, the present invention relates to a semiconductor device using the above material for protecting semiconductor elements.

반도체 장치의 고성능화가 진행되고 있다. 이에 수반하여 반도체 장치로부터 발해지는 열을 방산시킬 필요가 높아지고 있다. 또한, 반도체 장치에서는, 반도체 소자의 전극은, 예를 들어 전극을 표면에 갖는 다른 접속 대상 부재에 있어서의 전극과 전기적으로 접속되어 있다.High performance of semiconductor devices is progressing. In connection with this, the need to dissipate the heat emitted from the semiconductor device is increasing. Moreover, in a semiconductor device, the electrode of a semiconductor element is electrically connected with the electrode in another connection object member which has an electrode on the surface, for example.

반도체 장치에서는, 예를 들어 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 에폭시 수지 조성물을 배치한 후, 그 에폭시 수지 조성물을 경화시킴으로써, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재가 접착 및 고정되어 있다. 또한, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되는 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물은 반도체 소자의 표면을 보호하기 위한 재료와는 다르다.In a semiconductor device, for example, after arranging an epoxy resin composition between a semiconductor element and another member to be connected, the epoxy resin composition is cured to adhere and fix the semiconductor element and another member to be connected. Further, the cured product of the epoxy resin composition disposed between the semiconductor element and another member to be connected is different from the material for protecting the surface of the semiconductor element.

또한, 반도체 장치에서는, 반도체 소자를 밀봉하기 위해서 에폭시 수지 조성물이 사용되는 경우가 있다.Moreover, in a semiconductor device, in order to seal a semiconductor element, an epoxy resin composition may be used.

상기와 같은 에폭시 수지 조성물이, 예를 들어 하기의 특허문헌 1 내지 4에 개시되어 있다.The above epoxy resin compositions are disclosed in the following Patent Documents 1 to 4, for example.

하기의 특허문헌 1에는, 에폭시 수지와, 페놀계 경화제와, 트리스(2,6-디메톡시페닐)포스핀 또는 트리스(2,4,6-트리메톡시페닐)포스핀인 경화 촉진제와, 알루미나를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 1의 실시예에서는, 분체인 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 1에서는, IC, LSI, 트랜지스터, 사이리스터, 다이오드 등의 반도체 장치의 밀봉용, 프린트 회로판의 제조 등에 적절하게 사용되는 것이 기재되어 있다.In Patent Document 1 below, an epoxy resin, a phenol-based curing agent, a curing accelerator that is tris(2,6-dimethoxyphenyl)phosphine or tris(2,4,6-trimethoxyphenyl)phosphine, and alumina An epoxy resin composition comprising a is disclosed. In the Example of patent document 1, the epoxy resin composition which is a powder is described. Regarding the use of the said epoxy resin composition, in patent document 1, it is described that it is suitably used for the sealing of semiconductor devices, such as an IC, LSI, a transistor, a thyristor, and a diode, manufacture of a printed circuit board, etc.

하기의 특허문헌 2에는, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제와, 경화 촉진제와, 무기 충전제를 포함하는 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 2의 실시예에서는, 분체인 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 2에서는, 일반 성형 재료로서 사용할 수도 있지만, 반도체 장치의 밀봉재에 사용되고, 특히 박형, 다핀, 롱 와이어, 좁은 패드 피치, 또는 유기 기판 또는 유기 필름 등의 실장 기판 위에 반도체 칩이 배치된, 반도체 장치의 밀봉재에 적절하게 사용되는 것이 기재되어 있다.The following patent document 2 discloses the epoxy resin composition for sealing containing an epoxy resin, a phenol resin hardening|curing agent, a hardening accelerator, and an inorganic filler. In the Example of patent document 2, the epoxy resin composition for sealing which is a powder is described. Regarding the use of the epoxy resin composition, in Patent Document 2, although it can also be used as a general molding material, it is used for a sealing material of a semiconductor device, and is particularly thin, multi-pin, long wire, narrow pad pitch, or mounting of an organic substrate or an organic film, etc. It is described that it is suitably used for a sealing material of a semiconductor device, in which a semiconductor chip is disposed on a substrate.

하기의 특허문헌 3에는, 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지와, 경화제와, 무기질 충전제를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 3의 실시예에서는, 고체인 에폭시 수지 조성물(용융 점도가 75℃ 이상)이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 3에는, 일반 성형 재료로서 사용할 수도 있지만, 반도체 장치, 예를 들어 TQFP, TSOP, QFP 등의 다핀 박형 패키지, 특히 매트릭스 프레임을 사용한 반도체 장치의 밀봉재로서 적절하게 사용되는 것이 기재되어 있다.The following Patent Document 3 discloses an epoxy resin composition containing a bisphenol F-type liquid epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler. In the Example of patent document 3, the solid epoxy resin composition (melt viscosity 75 degreeC or more) is described. Regarding the use of the epoxy resin composition, in Patent Document 3, although it can also be used as a general molding material, it is suitable as a sealing material for semiconductor devices, for example, multi-pin thin packages such as TQFP, TSOP, and QFP, especially semiconductor devices using a matrix frame. What is used is described.

하기의 특허문헌 4에는, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제와, 고열 전도성 충전제와, 무기질 충전제를 포함하는 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 4의 실시예에서는, 분체인 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 4에서는, 반도체 소자 등의 전자 부품의 밀봉 재료로서 사용되는 것이 기재되어 있다.Patent Document 4 below discloses an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing an epoxy resin, a phenol resin curing agent, a high thermal conductivity filler, and an inorganic filler. In the Example of patent document 4, the epoxy resin composition for semiconductor sealing which is a powder is described. Regarding the use of the said epoxy resin composition for semiconductor sealing, patent document 4 describes that it is used as a sealing material of electronic components, such as a semiconductor element.

또한, 하기의 특허문헌 5에는, 비스페놀 A형 에폭시 수지와, 골격 내에 가요성을 갖는 에폭시 수지를 포함하는 제1제와, 산 무수물 화합물과 경화 촉진제를 포함하는 제2제를 갖는 2액 타입의 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 5에서는, 2액 타입의 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서는, 케이스 내 충전재로서 유용한 것이 기재되어 있다.In addition, in Patent Document 5 below, a two-component type having a bisphenol A epoxy resin, a first agent containing an epoxy resin having flexibility in the skeleton, and a second agent containing an acid anhydride compound and a curing accelerator. An epoxy resin composition is disclosed. In patent document 5, regarding the use of the epoxy resin composition of a two-component type, what is useful as a filler in a case is described.

일본 특허 공개 평5-86169호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 5-86169 일본 특허 공개 제2007-217469호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2007-217469 일본 특허 공개 평10-176100호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 10-176100 일본 특허 공개 제2005-200533호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2005-200533 일본 특허 공개 제2014-40538호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2014-40538

특허문헌 1 내지 4에서는, 구체적으로는, 분체 또는 고체인 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 이러한 분체 또는 고체인 에폭시 수지 조성물은 도포성이 낮고, 소정의 영역에 고정밀도로 배치하는 것이 곤란하다.Patent Documents 1 to 4 specifically disclose a powder or solid epoxy resin composition. Such a powder or solid epoxy resin composition has low applicability, and it is difficult to accurately arrange it in a predetermined area.

또한, 종래의 에폭시 수지 조성물의 경화물에서는, 방열성이 낮은 경우가 있다. 또한, 종래의 에폭시 수지 조성물의 경화물에서는, 유연성이 낮은 경우가 있다. 경화물의 유연성이 낮으면, 예를 들어 반도체 소자의 변형 응력 등에 의해 경화물의 박리가 발생하는 경우가 있다.Moreover, in the hardened|cured material of the conventional epoxy resin composition, heat radiation property may be low. Moreover, in the hardened|cured material of the conventional epoxy resin composition, softness|flexibility may be low. When the flexibility of the cured product is low, peeling of the cured product may occur due to, for example, the strain stress of the semiconductor element.

또한, 특허문헌 1 내지 4에서는, 에폭시 수지 조성물의 구체적인 용도로서, 주로 밀봉 용도가 기재되어 있다. 특허문헌 5에서는, 에폭시 수지 조성물의 구체적인 용도로서, 주로 케이스 내 충전재 용도가 기재되어 있다. 한편으로, 반도체 장치에 있어서는, 반도체 소자를 밀봉하지 않더라도, 반도체 소자를 충분히 보호하는 것이 바람직하다. 또한, 특허문헌 1 내지 5에 기재된 에폭시 수지 조성물은 일반적으로 반도체 소자를 보호하기 위해서, 그 반도체 소자의 표면 위에 도포해서 사용되고 있지 않다.In addition, in patent documents 1 - 4, the sealing use is mainly described as a specific use of an epoxy resin composition. In patent document 5, as a specific use of an epoxy resin composition, the filler use in a case is mainly described. On the other hand, in a semiconductor device, even if it does not seal a semiconductor element, it is preferable to fully protect a semiconductor element. In addition, in order to generally protect a semiconductor element, the epoxy resin composition of patent documents 1-5 apply|coats on the surface of the semiconductor element, and is not used.

또한, 근년, 장치의 얇기나 의장성의 관점에서 IC 드라이버를 감소시키는 것이 요구되고 있다. IC 드라이버를 적게 하면, 반도체 소자에 걸리는 부담이 증대하여, 더욱 상당한 열을 띠기 쉬워진다. 종래의 경화물에서는, 방열성이 낮기 때문에, 방열성이 높은 경화물이 요구되고 있다. 또한, 종래의 경화물에서는, 변형 응력에 의해 박리가 발생하기 쉽다.Further, in recent years, there has been a demand to reduce the number of IC drivers from the viewpoint of device thinness and designability. When the number of IC drivers is reduced, the load on the semiconductor element increases, and it becomes more likely to generate considerable heat. In the conventional hardened|cured material, since heat dissipation property is low, the hardened|cured material with high heat dissipation property is calculated|required. Moreover, in the conventional hardened|cured material, peeling is easy to generate|occur|produce by a strain stress.

본 발명은 반도체 장치에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 그 반도체 소자의 표면 위에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a material for protecting a semiconductor element in a semiconductor device, which is used to protect a semiconductor element by applying it on the surface of the semiconductor element to form a cured product on the surface of the semiconductor element.

또한, 본 발명의 목적은 상기 용도에 있어서, 도포성이 우수하고, 방열성 및 유연성이 우수한 경화물을 얻을 수 있어, 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있는 반도체 소자 보호용 재료를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 상기 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 제공하는 것도 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a material for protecting semiconductor elements that can provide a cured product having excellent applicability and excellent heat dissipation and flexibility in the above use, and can protect semiconductor elements favorably. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device using the material for protecting a semiconductor element.

본 발명의 넓은 국면에서는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이며, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재를 박리하지 않도록 접착 및 고정하는 경화물을 형성하는 것과는 다르며, 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, 23℃에서 액상인 경화제와, 경화 촉진제와, 열 전도율이 10W/m·K 이상이고 또한 구상인 무기 필러를 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료가 제공된다.In a broad aspect of the present invention, in order to protect a semiconductor element, it is a semiconductor element protection material that is applied on the surface of the semiconductor element to form a cured product on the surface of the semiconductor element, and a member to be connected to the semiconductor element different from the semiconductor element. A flexible epoxy compound and an epoxy compound different from the flexible epoxy compound, different from forming a cured product that is disposed between A material for protecting semiconductor elements is provided, comprising a liquid curing agent, a curing accelerator, and a spherical inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화제가 알릴페놀노볼락 화합물이다.In the specific aspect of the material for semiconductor element protection which concerns on this invention, the said hardening|curing agent is an allylphenol novolak compound.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 가요성 에폭시 화합물이, 알킬렌글리콜기가 9 이상 반복된 구조 단위를 갖는 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르이다.In a specific aspect of the material for semiconductor element protection according to the present invention, the flexible epoxy compound is a polyalkylene glycol diglycidyl ether having a structural unit in which 9 or more alkylene glycol groups are repeated.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대해, 상기 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물의 함유량이 10중량부 이상 100 중량부 이하이다.On the specific situation with the material for semiconductor element protection which concerns on this invention, content of the epoxy compound different from the said flexible epoxy compound with respect to 100 weight part of said flexible epoxy compounds is 10 weight part or more and 100 weight part or less.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 무기 필러가, 알루미나, 질화알루미늄 또는 탄화규소이다.On the specific situation with the material for semiconductor element protection which concerns on this invention, the said inorganic filler is alumina, aluminum nitride, or silicon carbide.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 실란 커플링제, 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 티타네이트 커플링제, 또는 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 알루미네이트 커플링제를 포함한다.In a specific aspect of the material for protecting a semiconductor device according to the present invention, the material for protecting a semiconductor device is a silane coupling agent having a weight loss at 100°C of 10% by weight or less, and a titanate coupling agent having a weight loss of 10% by weight or less at 100°C. , or an aluminate coupling agent having a weight loss at 100° C. of 10% by weight or less.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 위에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위해서 적절하게 사용된다.In the semiconductor element protection material according to the present invention, in order to protect the semiconductor element, a cured product is formed on the surface of the semiconductor element, and a protective film is disposed on the surface opposite to the semiconductor element side of the cured product, the semiconductor device is used appropriately to obtain

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 위에 배치된 경화물을 구비하고, 상기 경화물이, 상술한 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있는, 반도체 장치가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising a semiconductor element and a cured product disposed on a first surface of the semiconductor element, wherein the cured product is formed by curing the above-described material for protecting a semiconductor element. do.

본 발명에 따른 반도체 장치의 어느 특정한 국면에서는, 상기 반도체 소자가 상기 제1 표면측과는 반대의 제2 표면측에 제1 전극을 갖고, 상기 반도체 소자의 제1 전극이, 제2 전극을 표면에 갖는 접속 대상 부재에 있어서의 상기 제2 전극과 전기적으로 접속되어 있다.In a specific aspect of the semiconductor device according to the present invention, the semiconductor element has a first electrode on a second surface side opposite to the first surface side, and the first electrode of the semiconductor element has a second electrode on its surface It is electrically connected with the said 2nd electrode in the connection object member which has.

본 발명에 따른 반도체 장치의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 위에 보호 필름이 배치되어 있다.On the specific situation of the semiconductor device which concerns on this invention, the protective film is arrange|positioned on the surface opposite to the said semiconductor element side of the said hardened|cured material.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, 23℃에서 액상인 경화제와, 경화 촉진제와, 열 전도율이 10W/m·K 이상이고 또한 구상인 무기 필러를 포함하므로, 도포성이 우수하다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 방열성 및 유연성이 우수하다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 도포하여 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.The material for protecting semiconductor devices according to the present invention includes a flexible epoxy compound, an epoxy compound different from the flexible epoxy compound, a curing agent liquid at 23° C., a curing accelerator, a thermal conductivity of 10 W/m·K or more, and a spherical shape Since phosphorus inorganic filler is included, it is excellent in applicability|paintability. In addition, the cured product of the semiconductor device protection material according to the present invention is excellent in heat dissipation and flexibility. Accordingly, by applying the semiconductor element protection material according to the present invention on the surface of the semiconductor element and curing it in order to protect the semiconductor element, the semiconductor element can be well protected.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a partial cut-away front sectional view which shows the semiconductor device using the material for semiconductor element protection which concerns on 1st Embodiment of this invention.
Fig. 2 is a partially cut-away front cross-sectional view showing a semiconductor device using a semiconductor element protection material according to a second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 형성하기 위해서 사용된다. 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재를 박리하지 않도록 접착 및 고정하는 경화물을 형성하는 것(재료)과는 다르다.The semiconductor device protection material according to the present invention is applied on the surface of the semiconductor device to protect the semiconductor device, and is used to form a cured product on the surface of the semiconductor device. The material for protecting a semiconductor element according to the present invention is different from forming a cured product (material) that is disposed between a semiconductor element and another member to be connected, and adhered and fixed so as not to peel the semiconductor element and the other member to be connected. .

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는 (A) 가요성 에폭시 화합물과, (B) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, (C) 23℃에서 액상인 경화제와, (D) 경화 촉진제와, (E) 열 전도율이 10W/m·K 이상이고 또한 구상인 무기 필러를 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자의 표면 위에 도포되기 때문에, 23℃에서 액상이며, 23℃에서 고체가 아니다. 또한, 액상에는 점조(粘稠)한 페이스트도 포함된다.A material for protecting a semiconductor device according to the present invention comprises (A) a flexible epoxy compound, (B) an epoxy compound different from the flexible epoxy compound, (C) a curing agent liquid at 23° C., (D) a curing accelerator, (E) Thermal conductivity is 10 W/m*K or more, and contains a spherical inorganic filler. Since the material for protecting a semiconductor device according to the present invention is applied on the surface of the semiconductor device, it is liquid at 23°C and not solid at 23°C. In addition, a viscous paste is also contained in a liquid phase.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는 상술한 구성을 구비하고 있으므로, 도포성이 우수하고, 도포 시의 의도하지 않은 유동을 억제할 수 있다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자의 표면 위에 양호하게 도포할 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자의 방열성을 높이고 싶은 부위의 표면 위에 선택적으로 고정밀도로 상기 반도체 소자 보호용 재료를 도포할 수 있다.Since the material for protecting a semiconductor element according to the present invention has the above-described configuration, it is excellent in applicability and can suppress unintended flow during application. The semiconductor element protection material can be applied favorably on the surface of the semiconductor element. For example, it is possible to selectively apply the semiconductor element protection material with high precision on the surface of a portion where the heat dissipation property of the semiconductor element is to be improved.

또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는 상술한 구성을 구비하고 있으므로, 경화물의 방열성이 우수하다. 이로 인해, 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 배치함으로써, 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 경유하여, 열을 충분히 방산시킬 수 있다. 이로 인해, 반도체 장치의 열 열화를 효과적으로 억제할 수 있다.Moreover, since the material for semiconductor element protection which concerns on this invention is equipped with the structure mentioned above, it is excellent in the heat dissipation property of hardened|cured material. For this reason, by arrange|positioning a hardened|cured material on the surface of a semiconductor element, a heat|fever can be fully radiated from the surface of a semiconductor element via a hardened|cured material. For this reason, thermal deterioration of a semiconductor device can be suppressed effectively.

또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 경화물은 유연성도 우수하다. 이로 인해, 반도체 소자의 변형 응력 등에 의해, 반도체 소자의 손상이 발생하기 어려워지고, 또한 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 박리하기 어렵게 할 수 있다.In addition, the cured product of the semiconductor device protection material according to the present invention is excellent in flexibility. For this reason, it becomes difficult to generate|occur|produce damage to a semiconductor element by the strain stress of a semiconductor element, etc., and can make it difficult to peel hardened|cured material from the surface of a semiconductor element.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 도포하여 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.Accordingly, by applying the semiconductor element protection material according to the present invention on the surface of the semiconductor element and curing it in order to protect the semiconductor element, the semiconductor element can be well protected.

또한, 상기 반도체 소자 보호용 재료의 경화물은 내열성도 우수하여, 크랙이 발생하기 어렵다. 또한, 상기 반도체 소자 보호용 재료의 경화물은 치수 안정성도 우수하다.In addition, the cured product of the material for protecting a semiconductor element is also excellent in heat resistance, it is difficult to generate cracks. Moreover, the hardened|cured material of the said semiconductor element protection material is excellent also in dimensional stability.

또한, 반도체 소자 보호용 재료의 반도체 소자의 표면에 대한 습윤성을 높이고, 경화물의 유연성을 한층 더 높이고, 나아가 경화물의 내습성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는 (F) 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, from the viewpoint of improving the wettability of the semiconductor element protection material to the surface of the semiconductor element, further enhancing the flexibility of the cured product, and further enhancing the moisture resistance of the cured product, the semiconductor element protection material contains (F) a coupling agent It is preferable to do

이하, 상기 반도체 소자 보호용 재료에 사용할 수 있는 각 성분의 상세를 설명한다.Hereinafter, the detail of each component which can be used for the said material for semiconductor element protection is demonstrated.

((A) 가요성 에폭시 화합물)((A) flexible epoxy compound)

(A) 가요성 에폭시 화합물을 사용함으로써, 경화물의 유연성을 높일 수 있다. (A) 가요성 에폭시 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(A) By using a flexible epoxy compound, the softness|flexibility of hardened|cured material can be improved. (A) As for a flexible epoxy compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

(A) 가요성 에폭시 화합물로서는, 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리부타디엔디글리시딜에테르, 술피드 변성 에폭시 수지 및 폴리알킬렌옥사이드 변성 비스페놀 A형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 경화물의 유연성을 한층 더 높이는 관점에서는, 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르가 바람직하다.(A) As a flexible epoxy compound, polyalkylene glycol diglycidyl ether, polybutadiene diglycidyl ether, a sulfide-modified epoxy resin, polyalkylene oxide-modified bisphenol A epoxy resin, etc. are mentioned. From a viewpoint of further improving the softness|flexibility of hardened|cured material, polyalkylene glycol diglycidyl ether is preferable.

경화물의 유연성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르는, 알킬렌글리콜기가 9 이상 반복된 구조 단위를 갖는 것이 바람직하다. 알킬렌기의 반복수의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 알킬렌기의 반복수는 30 이하여도 된다. 상기 알킬렌기의 탄소수는 바람직하게는 2 이상, 바람직하게는 5 이하이다.From a viewpoint of further improving the softness|flexibility of hardened|cured material, it is preferable that the said polyalkylene glycol diglycidyl ether has a structural unit in which 9 or more alkylene glycol groups were repeated. The upper limit of the repeating number of an alkylene group is not specifically limited. 30 or less may be sufficient as the repeating number of an alkylene group. The number of carbon atoms in the alkylene group is preferably 2 or more, preferably 5 or less.

상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르로서는, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르 및 폴리테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르 등을 들 수 있다.As said polyalkylene glycol diglycidyl ether, polyethyleneglycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, polytetramethylene glycol diglycidyl ether, etc. are mentioned.

상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량% 중, (A) 가요성 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 3중량% 이상, 보다 바람직하게는 5중량% 이상, 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 8중량% 이하이다. (A) 가요성 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면 경화물의 유연성이 한층 더 높아진다. (A) 가요성 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아진다.The content of the flexible epoxy compound (A) in 100% by weight of the semiconductor element protection material is preferably 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, preferably 10% by weight or less, more preferably 8% by weight or more. weight % or less. (A) The softness|flexibility of hardened|cured material becomes it still higher that content of a flexible epoxy compound is more than the said minimum. (A) The applicability|paintability of the material for semiconductor element protection becomes it still higher that content of a flexible epoxy compound is below the said upper limit.

((B) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물)((B) an epoxy compound different from the flexible epoxy compound)

(B) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물은 가요성을 갖지 않는다. (A) 가요성 에폭시 화합물과 함께 (B) 에폭시 화합물을 사용함으로써, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 내습성이 높아져서, 보호 필름에 대한 부착성을 저하시킬 수 있다. (B) 에폭시 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(B) An epoxy compound different from a flexible epoxy compound does not have flexibility. By using the (B) epoxy compound together with (A) a flexible epoxy compound, the moisture resistance of the hardened|cured material of the material for semiconductor element protection becomes high, and the adhesiveness to a protective film can be reduced. (B) As for an epoxy compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

(B) 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 화합물, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 화합물, 아다만탄 골격을 갖는 에폭시 화합물, 플루오렌 골격을 갖는 에폭시 화합물, 비페닐 골격을 갖는 에폭시 화합물, 바이(글리시딜옥시페닐)메탄 골격을 갖는 에폭시 화합물, 크산텐 골격을 갖는 에폭시 화합물, 안트라센 골격을 갖는 에폭시 화합물 및 피렌 골격을 갖는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 이들의 수소 첨가물 또는 변성물을 사용해도 된다. (B) 에폭시 화합물은 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르가 아닌 것이 바람직하다.(B) As the epoxy compound, an epoxy compound having a bisphenol skeleton, an epoxy compound having a dicyclopentadiene skeleton, an epoxy compound having a naphthalene skeleton, an epoxy compound having an adamantane skeleton, an epoxy compound having a fluorene skeleton, biphenyl and an epoxy compound having a skeleton, an epoxy compound having a bi(glycidyloxyphenyl)methane skeleton, an epoxy compound having a xanthene skeleton, an epoxy compound having an anthracene skeleton, and an epoxy compound having a pyrene skeleton. You may use these hydrogenated substances or modified substances. (B) It is preferable that an epoxy compound is not polyalkylene glycol diglycidyl ether.

본 발명의 효과가 한층 더 우수한 점에서, (B) 에폭시 화합물은 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물(비스페놀형 에폭시 화합물)인 것이 바람직하다.It is preferable that the (B) epoxy compound is an epoxy compound (bisphenol type epoxy compound) which has a bisphenol skeleton at the point which the effect of this invention is further excellent.

상기 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형 또는 비스페놀 S형의 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 단량체 등을 들 수 있다.As an epoxy compound which has the said bisphenol skeleton, the epoxy monomer etc. which have a bisphenol skeleton of a bisphenol A type, a bisphenol F type, or a bisphenol S type are mentioned, for example.

상기 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 디시클로펜타디엔 디옥시드, 및 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 페놀노볼락 에폭시 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a dicyclopentadiene skeleton include dicyclopentadiene dioxide and a phenol novolac epoxy monomer having a dicyclopentadiene skeleton.

상기 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1-글리시딜나프탈렌, 2-글리시딜나프탈렌, 1,2-디글리시딜나프탈렌, 1,5-디글리시딜나프탈렌, 1,6-디글리시딜나프탈렌, 1,7-디글리시딜나프탈렌, 2,7-디글리시딜나프탈렌, 트리글리시딜나프탈렌 및 1,2,5,6-테트라글리시딜나프탈렌 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having the naphthalene skeleton include 1-glycidyl naphthalene, 2-glycidyl naphthalene, 1,2-diglycidyl naphthalene, 1,5-diglycidyl naphthalene, and 1,6-diglycy. Dilnaphthalene, 1,7-diglycidylnaphthalene, 2,7-diglycidylnaphthalene, triglycidylnaphthalene, 1,2,5,6-tetraglycidylnaphthalene, etc. are mentioned.

상기 아다만탄 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,3-비스(4-글리시딜옥시페닐)아다만탄 및 2,2-비스(4-글리시딜옥시페닐)아다만탄 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having the adamantane skeleton include 1,3-bis(4-glycidyloxyphenyl)adamantane and 2,2-bis(4-glycidyloxyphenyl)adamantane. there is.

상기 플루오렌 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 9,9-비스(4-글리시딜옥시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-브로모페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-메톡시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디클로로페닐)플루오렌 및 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디브로모페닐)플루오렌 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a fluorene skeleton include 9,9-bis(4-glycidyloxyphenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycidyloxy-3-methylphenyl)fluorene, 9,9 -Bis(4-glycidyloxy-3-chlorophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycidyloxy-3-bromophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycy Dyloxy-3-fluorophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycidyloxy-3-methoxyphenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycidyloxy-3,5 -dimethylphenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycidyloxy-3,5-dichlorophenyl)fluorene and 9,9-bis(4-glycidyloxy-3,5-dibromo phenyl) fluorene and the like.

상기 비페닐 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 4,4'-디글리시딜비페닐 및 4,4'-디글리시딜-3,3',5,5'-테트라메틸비페닐 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a biphenyl skeleton include 4,4'-diglycidylbiphenyl and 4,4'-diglycidyl-3,3',5,5'-tetramethylbiphenyl. .

상기 바이(글리시딜옥시페닐)메탄 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,1'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,1'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,1'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,2'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,2'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄 및 1,2'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a bi(glycidyloxyphenyl)methane skeleton include 1,1'-bi(2,7-glycidyloxynaphthyl)methane, 1,8′-bi(2,7-glycy Dyloxynaphthyl) methane, 1,1'-bi (3,7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,8'-bi (3,7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,1 '-bi (3,5-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,8'-bi (3,5-glycidyl oxynaphthyl) methane, 1,2'-bi (2,7-glycy diloxynaphthyl)methane, 1,2'-bi(3,7-glycidyloxynaphthyl)methane, and 1,2'-bi(3,5-glycidyloxynaphthyl)methane; and the like. there is.

상기 크산텐 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,3,4,5,6,8-헥사메틸-2,7-비스-옥시라닐메톡시-9-페닐-9H-크산텐 등을 들 수 있다.1,3,4,5,6,8-hexamethyl-2,7-bis-oxiranyl methoxy-9-phenyl-9H-xanthene etc. are mentioned as an epoxy compound which has the said xanthene skeleton.

상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량% 중, (A) 가요성 에폭시 화합물과 (B) 에폭시 화합물의 합계의 함유량은 바람직하게는 5중량% 이상, 보다 바람직하게는 8중량% 이상, 바람직하게는 15중량% 이하, 보다 바람직하게는 12중량% 이하이다. (A) 가요성 에폭시 화합물과 (B) 에폭시 화합물의 합계의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성, 내습성, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해져서, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.The total content of the (A) flexible epoxy compound and (B) epoxy compound in 100% by weight of the semiconductor element protection material is preferably 5% by weight or more, more preferably 8% by weight or more, preferably 15% by weight or more. % or less, more preferably 12 wt% or less. If the total content of (A) flexible epoxy compound and (B) epoxy compound is equal to or higher than the above lower limit and equal to or lower than the upper limit, the coating property of the material for semiconductor device protection, the flexibility of the cured product, moisture resistance, and the adhesiveness of the cured product to the semiconductor device This further becomes favorable, and adhesion to a protective film can be suppressed further.

(A) 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대해, (B) 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 10중량부 이상, 보다 바람직하게는 20중량부 이상, 바람직하게는 100 중량부 이하, 보다 바람직하게는 90 중량부 이하이다. (B) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 높아진다. (B) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물의 유연성이 한층 더 높아진다.(A) To 100 parts by weight of the flexible epoxy compound, the content of the (B) epoxy compound is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 20 parts by weight or more, preferably 100 parts by weight or less, more preferably 90 parts by weight or less. (B) When content of an epoxy compound is more than the said minimum, the applicability|paintability of the material for semiconductor element protection becomes still higher, and the adhesiveness with respect to the semiconductor element of hardened|cured material becomes still higher. (B) The softness|flexibility of hardened|cured material becomes it still higher that content of an epoxy compound is below the said upper limit.

((C) 23℃에서 액상인 경화제)((C) curing agent liquid at 23°C)

(C) 경화제는 23℃에서 액상이다. 이로 인해, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 높아진다. 또한, 반도체 소자 보호용 재료의 반도체 소자의 표면에 대한 습윤성이 높아진다. (C) 경화제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(C) The curing agent is liquid at 23°C. For this reason, the applicability|paintability of the material for semiconductor element protection becomes high. Moreover, the wettability with respect to the surface of a semiconductor element of the material for semiconductor element protection becomes high. (C) Only 1 type may be used for a hardening|curing agent, and 2 or more types may be used together.

(C) 경화제로서는, 아민 화합물(아민 경화제), 이미다졸 화합물(이미다졸 경화제), 페놀 화합물(페놀 경화제) 및 산 무수물(산 무수물 경화제) 등을 들 수 있다. 단, 이들 경화제를 사용하는 경우에, 23℃에서 액상인 경화제가 선택된다. (C) 경화제는 이미다졸 화합물이 아니어도 된다.(C) As a hardening|curing agent, an amine compound (amine hardening|curing agent), an imidazole compound (imidazole hardening|curing agent), a phenol compound (phenol hardening|curing agent), an acid anhydride (acid anhydride hardening|curing agent), etc. are mentioned. However, when using these hardening|curing agents, the hardening|curing agent liquid at 23 degreeC is selected. (C) The curing agent may not be an imidazole compound.

경화물 중에서의 공극의 발생을 한층 더 억제하고, 경화물의 내열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (C) 경화제는 페놀 화합물인 것이 바람직하다.From a viewpoint of further suppressing generation|occurrence|production of the space|gap in hardened|cured material and raising the heat resistance of hardened|cured material further, it is preferable that (C) hardening|curing agent is a phenol compound.

반도체 소자 보호용 재료의 도포성을 한층 더 높이고, 경화물 중에서의 공극의 발생을 한층 더 억제하고, 경화물의 내열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (C) 경화제는 알릴기를 갖는 것이 바람직하고, 상기 페놀 화합물이 알릴기를 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the applicability of the semiconductor element protection material, further suppressing the occurrence of voids in the cured product, and further enhancing the heat resistance of the cured product, (C) the curing agent preferably has an allyl group, and the above phenolic compound It is preferable to have this allyl group.

상기 페놀 화합물로서는, 페놀노볼락, o-크레졸노볼락, p-크레졸노볼락, t-부틸페놀노볼락, 디시클로펜타디엔크레졸, 폴리파라비닐페놀, 비스페놀 A형 노볼락, 크실릴렌 변성 노볼락, 데칼린 변성 노볼락, 폴리(디-o-히드록시페닐)메탄, 폴리(디-m-히드록시페닐)메탄 및 폴리(디-p-히드록시페닐)메탄 등을 들 수 있다.Examples of the phenol compound include phenol novolac, o-cresol novolak, p-cresol novolak, t-butylphenol novolac, dicyclopentadiencresol, polyparavinyl phenol, bisphenol A novolac, and xylylene-modified furnace. rock, decalin-modified novolac, poly(di-o-hydroxyphenyl)methane, poly(di-m-hydroxyphenyl)methane, poly(di-p-hydroxyphenyl)methane, and the like.

(A) 가요성 에폭시 화합물과 (B) 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대해, (C) 경화제의 함유량은 바람직하게는 10중량부 이상, 보다 바람직하게는 20중량부 이상, 더욱 바람직하게는 30중량부 이상, 바람직하게는 100 중량부 이하, 보다 바람직하게는 90 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 80 중량부 이하이다. (C) 경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면 반도체 소자 보호용 재료를 양호하게 경화시킬 수 있다. (C) 경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물 내에 있어서의 경화에 기여하지 않은 (C) 경화제의 잔존량이 적어진다.(A) With respect to a total of 100 weight part of a flexible epoxy compound and (B) epoxy compound, content of (C) hardening|curing agent becomes like this. Preferably it is 10 weight part or more, More preferably, it is 20 weight part or more, More preferably, it is 30 It is more than a weight part, Preferably it is 100 weight part or less, More preferably, it is 90 weight part or less, More preferably, it is 80 weight part or less. (C) The material for semiconductor element protection can be hardened favorably as content of a hardening|curing agent is more than the said minimum. (C) Residual amount of hardening|curing agent which does not contribute to hardening in hardened|cured material that content of hardening|curing agent is below the said upper limit decreases.

((D) 경화 촉진제)((D) curing accelerator)

(D) 경화 촉진제의 사용에 의해, 경화 속도를 빠르게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 효율적으로 경화시킬 수 있다. (D) 경화 촉진제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(D) By use of a hardening accelerator, a hardening rate can be made fast and the material for semiconductor element protection can be hardened efficiently. (D) As for a hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

(D) 경화 촉진제로서는, 이미다졸 화합물, 인 화합물, 아민 화합물 및 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 효과가 한층 더 우수하다는 점에서, 이미다졸 화합물이 바람직하다.(D) As a hardening accelerator, an imidazole compound, a phosphorus compound, an amine compound, an organometallic compound, etc. are mentioned. Especially, an imidazole compound is preferable at the point which the effect of this invention is further excellent.

상기 이미다졸 화합물로서는, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-메틸이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 및 2-페닐-4-메틸-5-디히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 또한, 공지된 이미다졸계 잠재성 경화제를 사용할 수 있다. 구체예로서는, PN23, PN40, PN-H(상품명, 모두 아지노모또파인테크노사 제조)를 들 수 있다. 또한, 마이크로 캡슐화 이미다졸이라고도 불리는, 아민 화합물의 에폭시 어덕트의 수산기에 부가 반응시킨 경화 촉진제를 들 수 있고, 예를 들어 노바큐어 HX-3088, 노바큐어 HX-3941, HX-3742, HX-3722(상품명, 모두 아사히가세이 이머티리얼즈사 제조) 등을 들 수 있다. 또한, 포섭 이미다졸을 사용할 수도 있다. 구체예로서는, TIC-188(상품명, 닛본소다사 제조)을 들 수 있다.Examples of the imidazole compound include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, and 2-phenyl. -4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimida Sol, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyano Ethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1') )]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 -[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1') ]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydr and hydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethylimidazole. In addition, a known imidazole-based latent curing agent can be used. Specific examples include PN23, PN40, and PN-H (trade names, all manufactured by Ajinomoto Fine Techno). Moreover, the hardening accelerator made to add reaction with the hydroxyl group of the epoxy adduct of an amine compound, also called microencapsulation imidazole, is mentioned, For example, Novacure HX-3088, Novacure HX-3941, HX-3742, HX-3722. (a brand name, all are the Asahigasei E-materials company make) etc. are mentioned. In addition, inclusion imidazole can also be used. Specific examples include TIC-188 (trade name, manufactured by Nippon Soda Corporation).

상기 인 화합물로서는, 트리페닐포스핀 등을 들 수 있다.Triphenylphosphine etc. are mentioned as said phosphorus compound.

상기 아민 화합물로서는, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디에틸렌테트라민, 트리에틸렌테트라민 및 4,4-디메틸아미노피리딘 등을 들 수 있다.Examples of the amine compound include 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, diethylamine, triethylamine, diethylenetetramine, triethylenetetramine, and 4,4-dimethylaminopyridine.

상기 유기 금속 화합물로서는, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 옥틸산주석, 옥틸산코발트, 비스아세틸아세토나토코발트(II) 및 트리스아세틸아세토나토코발트(III) 등을 들 수 있다.Examples of the organometallic compound include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonatocobalt(II) and trisacetylacetonatocobalt(III).

(A) 가요성 에폭시 화합물과 (B) 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대해, (D) 경화 촉진제의 함유량은 바람직하게는 0.1중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량부 이상, 바람직하게는 10 중량부 이하, 보다 바람직하게는 8 중량부 이하이다. (D) 경화 촉진제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료를 양호하게 경화시킬 수 있다. (D) 경화 촉진제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물 내에 있어서의 경화에 기여하지 않은 (D) 경화 촉진제의 잔존량이 적어진다.(A) With respect to a total of 100 weight part of a flexible epoxy compound and (B) epoxy compound, content of (D) hardening accelerator becomes like this. Preferably it is 0.1 weight part or more, More preferably, it is 0.5 weight part or more, Preferably it is 10 It is a weight part or less, More preferably, it is 8 weight part or less. (D) The material for semiconductor element protection can be hardened favorably as content of a hardening accelerator is more than the said minimum. (D) Residual amount of hardening accelerator which does not contribute to hardening in hardened|cured material that content of hardening accelerator is below the said upper limit decreases.

((E) 열 전도율이 10W/m·K 이상이고 또한 구상인 무기 필러)((E) Thermal conductivity of 10 W/m·K or more and spherical inorganic filler)

(E) 열 전도율이 10W/m·K 이상이고 또한 구상인 무기 필러를 사용함으로써, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성을 높게 유지하면서, 또한 경화물의 유연성을 높게 유지하면서, 경화물의 방열성을 높일 수 있다. (E) 무기 필러는 열 전도율이 10W/m·K 이상이고 또한 구상이면 특별히 한정되지 않는다. (E) 무기 필러는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(E) By using a spherical inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more, the heat dissipation property of the cured product can be improved while maintaining high applicability of the semiconductor element protection material and maintaining high flexibility of the cured product . (E) An inorganic filler will not be specifically limited if a thermal conductivity is 10 W/m*K or more and it is spherical. (E) As for an inorganic filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

경화물의 방열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (E) 무기 필러의 열 전도율은 바람직하게는 10W/m·K 이상, 보다 바람직하게는 15W/m·K 이상, 더욱 바람직하게는 20W/m·K 이상이다. (E) 무기 필러의 열 전도율의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 열 전도율이 300W/m·K 정도인 무기 필러는 널리 알려져 있고, 또한 열 전도율이 200W/m·K 정도인 무기 필러는 용이하게 입수할 수 있다.From the viewpoint of further improving the heat dissipation property of the cured product, the thermal conductivity of the (E) inorganic filler is preferably 10 W/m·K or more, more preferably 15 W/m·K or more, still more preferably 20 W/m·K or more. am. (E) The upper limit of the thermal conductivity of an inorganic filler is not specifically limited. An inorganic filler having a thermal conductivity of about 300 W/m·K is widely known, and an inorganic filler having a thermal conductivity of about 200 W/m·K can be easily obtained.

경화물의 방열성을 효과적으로 높이는 관점에서는, (E) 무기 필러는 알루미나, 질화알루미늄 또는 탄화규소인 것이 바람직하다. 이들의 바람직한 무기 필러를 사용하는 경우에, 이들 무기 필러는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. (E) 무기 필러로서, 상기 이외의 무기 필러를 적절히 사용해도 된다.From a viewpoint of improving the heat dissipation property of hardened|cured material effectively, it is preferable that (E) inorganic filler is alumina, aluminum nitride, or silicon carbide. When using these preferable inorganic fillers, only 1 type may be used for these inorganic fillers, and 2 or more types may be used together. (E) As an inorganic filler, you may use suitably inorganic fillers other than the above.

(E) 무기 필러는 구상이다. 구상이란, 종횡비(긴 직경/ 짧은 직경)가 1 이상 2 이하인 것을 말한다.(E) The inorganic filler is spherical. Spherical means that the aspect ratio (major diameter / minor diameter) is 1 or more and 2 or less.

(E) 무기 필러의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 바람직하게는 150㎛ 이하이다. (E) 무기 필러의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상이면, (E) 무기 필러를 고밀도로 용이하게 충전할 수 있다. (E) 무기 필러의 평균 입자 직경이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아진다.(E) The average particle diameter of an inorganic filler becomes like this. Preferably it is 0.1 micrometer or more, Preferably it is 150 micrometers or less. (E) If the average particle diameter of an inorganic filler is more than the said minimum, (E) inorganic filler can be filled easily with high density. (E) The applicability|paintability of the material for semiconductor element protection becomes it still higher that the average particle diameter of an inorganic filler is below the said upper limit.

상기 「평균 입자 직경」이란, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정한 부피 평균에서의 입도 분포 측정 결과로부터 구해지는 평균 입자 직경이다.The said "average particle diameter" is an average particle diameter calculated|required from the particle size distribution measurement result in the volume average measured with the laser diffraction type particle size distribution analyzer.

상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량% 중, (E) 무기 필러의 함유량은 바람직하게는 60중량% 이상, 보다 바람직하게는 70중량% 이상, 더욱 바람직하게는 80중량% 이상, 특히 바람직하게는 82중량% 이상, 바람직하게는 92중량% 이하, 보다 바람직하게는 90중량% 이하이다. (E) 무기 필러의 함유량이 상기 하한 이상이면 경화물의 방열성이 한층 더 높아진다. (E) 무기 필러의 함유량이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아진다.In 100 weight% of the said semiconductor element protection material, content of (E) inorganic filler becomes like this. Preferably it is 60 weight% or more, More preferably, it is 70 weight% or more, More preferably, it is 80 weight% or more, Especially preferably, it is 82 weight%. % or more, preferably 92% by weight or less, and more preferably 90% by weight or less. (E) The heat dissipation property of hardened|cured material becomes it still higher that content of an inorganic filler is more than the said minimum. (E) The applicability|paintability of the material for semiconductor element protection becomes it still higher that content of an inorganic filler is below the said upper limit.

((F) 커플링제)((F) coupling agent)

상기 반도체 소자 보호용 재료는 (F) 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다. (F) 커플링제의 사용에 의해, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 내습성이 한층 더 높아진다. (F) 커플링제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.It is preferable that the said semiconductor element protection material contains (F) a coupling agent. (F) By use of a coupling agent, the moisture resistance of the hardened|cured material of the material for semiconductor element protection becomes still higher. (F) Only 1 type may be used for a coupling agent, and 2 or more types may be used together.

상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량% 중, (F) 커플링제의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.3중량% 이상, 바람직하게는 2중량% 이하, 보다 바람직하게는 1중량% 이하이다. (F) 커플링제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 내습성이 한층 더 높아진다. (F) 커플링제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아진다.In 100 wt% of the semiconductor element protection material, (F) the content of the coupling agent is preferably 0.1 wt% or more, more preferably 0.3 wt% or more, preferably 2 wt% or less, more preferably 1 wt% or more. is below. (F) The moisture resistance of the hardened|cured material of the material for semiconductor element protection becomes it still higher that content of a coupling agent is more than the said minimum. (F) The applicability|paintability of the material for semiconductor element protection becomes it still higher that content of a coupling agent is below the said upper limit.

상기 (F) 커플링제는 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 실란 커플링제, 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 티타네이트 커플링제, 또는 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 알루미네이트 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다. 이들의 바람직한 실란 커플링제를 사용하는 경우에, 이들 실란 커플링제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The (F) coupling agent is a silane coupling agent having a weight loss at 100°C of 10% by weight or less, a titanate coupling agent having a weight loss at 100°C of 10% by weight or less, or a weight loss at 100°C of 10% by weight or less It is preferable to include an aluminate coupling agent. When using these preferable silane coupling agents, only 1 type may be used for these silane coupling agents, and 2 or more types may be used together.

100℃에 있어서의 중량 감소가 10중량% 이하이면, 경화 중에 (F) 커플링제의 휘발이 억제되어, 반도체 소자에 대한 습윤성이 한층 더 높아지고, 경화물의 방열성이 한층 더 높아진다.When the weight loss in 100 degreeC is 10 weight% or less, volatilization of (F) coupling agent is suppressed during hardening, the wettability with respect to a semiconductor element becomes still higher, and the heat dissipation property of hardened|cured material becomes still higher.

또한, 100℃에 있어서의 중량 감소는 적외 수분계(게쯔토가가꾸겡뀨쇼사 제조 「FD-720」)를 사용하여, 50℃/분의 승온 속도로 100℃까지 승온하고, 10분 후의 중량 감소를 측정함으로써 구할 수 있다.In addition, the weight loss at 100 ° C. using an infrared moisture meter (“FD-720” manufactured by Gettsuto Chemical Engineering Co., Ltd.), the temperature was raised to 100 ° C. at a temperature increase rate of 50 ° C./min, and the weight loss after 10 minutes It can be calculated|required by measuring.

(다른 성분)(other ingredients)

상기 반도체 소자 보호용 재료는, 필요에 따라서, 카르나우바 왁스 등의 천연 왁스, 폴리에틸렌 왁스 등의 합성 왁스, 스테아르산이나 스테아르산아연 등의 고급 지방산 및 그의 금속염류 또는 파라핀 등의 이형제; 카본 블랙, 벵갈라 등의 착색제; 브롬화에폭시 수지, 삼산화안티몬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 붕산아연, 몰리브덴산아연, 포스파젠 등의 난연제; 산화비스무트 수화물 등의 무기 이온교환체; 실리콘 오일, 실리콘 고무 등의 저응력화 성분; 산화 방지제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The semiconductor element protection material may be, if necessary, a natural wax such as carnauba wax, a synthetic wax such as polyethylene wax, a higher fatty acid such as stearic acid or zinc stearate, and a metal salt thereof or a release agent such as paraffin; colorants such as carbon black and bengala; flame retardants such as epoxy bromide resin, antimony trioxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, zinc borate, zinc molybdate, and phosphazene; inorganic ion exchangers such as bismuth oxide hydrate; components for reducing stress, such as silicone oil and silicone rubber; Various additives, such as antioxidant, may be included.

상기 반도체 소자 보호용 재료는 폴리에틸렌 왁스 등의 합성 왁스를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량% 중, 폴리에틸렌 왁스 등의 합성 왁스의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.2중량% 이상, 바람직하게는 2중량% 이하, 보다 바람직하게는 1중량% 이하이다.The semiconductor element protection material preferably contains a synthetic wax such as polyethylene wax. The content of synthetic wax such as polyethylene wax in 100% by weight of the semiconductor element protection material is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.2% by weight or more, preferably 2% by weight or less, more preferably 1% by weight or more. % or less.

(반도체 소자 보호용 재료의 기타 상세 및 반도체 장치)(Other details of materials for semiconductor device protection and semiconductor devices)

상기 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 도포해서 사용된다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재를 박리하지 않도록 접착 및 고정하는 경화물을 형성하는 것과는 다르다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자의 표면을 피복하는 피복 재료인 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자의 측면 위에 도포되지 않는 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는 상기 반도체 소자를 밀봉하기 위한 재료와는 다른 것이 바람직하고, 상기 반도체 소자를 밀봉하기 위한 밀봉제가 아닌 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는 언더필재가 아닌 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자가 제2 표면측에 제1 전극을 갖고, 상기 반도체 소자 보호용 재료는 상기 반도체 소자의 상기 제2 표면측과는 반대의 제1 표면 위에 도포되어 사용되는 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 장치에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 형성하기 위해 적절하게 사용된다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 형성하기 위해 적절하게 사용되고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 위에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위해서 적절하게 사용된다.In order to protect the semiconductor element, the said semiconductor element protection material is apply|coated and used on the surface of the said semiconductor element. This is different from forming a cured product that is disposed between the semiconductor element and the other connection object member and adheres and fixes the semiconductor element and the other connection object member so that the semiconductor element and the other connection object member do not peel. It is preferable that the said semiconductor element protection material is a covering material which coat|covers the surface of a semiconductor element. Preferably, the semiconductor element protection material is not applied on the side surface of the semiconductor element. It is preferable that the material for protecting the semiconductor element is different from the material for sealing the semiconductor element, and not a sealing agent for sealing the semiconductor element. It is preferable that the said semiconductor element protection material is not an underfill material. It is preferable that the semiconductor element has a first electrode on the second surface side, and the semiconductor element protection material is applied and used on the first surface opposite to the second surface side of the semiconductor element. The said semiconductor element protection material is used suitably in order to protect a semiconductor element in a semiconductor device, in order to form hardened|cured material on the surface of the said semiconductor element. The semiconductor element protection material is suitably used to form a cured product on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element, and a protective film is disposed on the surface opposite to the semiconductor element side of the cured product, Appropriately used to obtain a device.

상기 반도체 소자 보호용 재료를 도포하는 방법으로서는, 디스펜서에 의한 도포 방법, 스크린 인쇄에 의한 도포 방법 및 잉크젯 장치에 의한 도포 방법 등을 들 수 있다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는 디스펜서, 스크린 인쇄, 진공 스크린 인쇄 또는 잉크젯 장치에 의한 도포 방법에 의해 도포되어 사용되는 것이 바람직하다. 도포가 용이하고, 또한 경화물 중에 공극을 한층 더 발생하기 어렵게 하는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는 디스펜서에 의해 도포되어 사용되는 것이 바람직하다.As a method of apply|coating the said semiconductor element protection material, the coating method by a dispenser, the coating method by screen printing, the coating method by an inkjet apparatus, etc. are mentioned. The semiconductor element protection material is preferably applied and used by a dispenser, screen printing, vacuum screen printing, or a coating method using an inkjet device. From the viewpoint of easy application and making it more difficult to generate voids in the cured product, the semiconductor element protection material is preferably applied and used by a dispenser.

본 발명에 따른 반도체 장치는 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 위에 배치된 경화물을 구비한다. 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 상기 경화물이, 상술한 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다.A semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor element and a cured product disposed on a first surface of the semiconductor element. In the semiconductor device which concerns on this invention, the said hardened|cured material is formed by hardening the above-mentioned material for semiconductor element protection.

상기 반도체 소자 보호용 재료는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 위에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위해서 사용되거나, 또는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있는 반도체 장치를 얻기 위해서 사용되는 것이 바람직하다. 상기 보호 필름은 전자 부품 등의 사용 전에 사용되어 있어도 되고, 전자 부품 등의 사용 시에 박리되어도 된다.The semiconductor element protection material forms a cured product on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element, and arranges a protective film on the surface opposite to the semiconductor element side of the cured product to obtain a semiconductor device In order to be used or to protect a semiconductor element, a cured product is formed on the surface of the semiconductor element, and the cured product is preferably used to obtain a semiconductor device in which a surface opposite to the semiconductor element side is exposed. . The said protective film may be used before use of an electronic component etc., and may peel at the time of use of an electronic component etc.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a partial cut-away front sectional view which shows the semiconductor device using the material for semiconductor element protection which concerns on 1st Embodiment of this invention.

도 1에 도시하는 반도체 장치(1)는 반도체 소자(2)와, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 위에 배치된 경화물(3)을 구비한다. 경화물(3)은 상술한 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 경화물(3)은 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 위의 일부 영역에 배치되어 있다.The semiconductor device 1 shown in FIG. 1 is equipped with the semiconductor element 2 and the hardened|cured material 3 arrange|positioned on the 1st surface 2a of the semiconductor element 2 . The hardened|cured material 3 is formed by hardening the material for semiconductor element protection mentioned above. The cured product 3 is disposed in a partial region on the first surface 2a of the semiconductor element 2 .

반도체 소자(2)는 제1 표면(2a)측과는 반대의 제2 표면(2b)측에, 제1 전극(2A)을 갖는다. 반도체 장치(1)는 접속 대상 부재(4)를 더 구비한다. 접속 대상 부재(4)는 표면(4a)에 제2 전극(4A)을 갖는다. 반도체 소자(2)와 접속 대상 부재(4)란, 다른 경화물(5)(접속부)을 개재해서 접착 및 고정되어 있다. 반도체 소자(2)의 제1 전극(2A)과, 접속 대상 부재(4)의 제2 전극(4A)이 대향하고 있고, 도전성 입자(6)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 제1 전극(2A)과 제2 전극(4A)이 접촉함으로써, 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 경화물(3)은 반도체 소자(2)의 제1 전극(2A)이 배치되어 있는 측과 반대측의 제1 표면(2a) 위에 배치되어 있다.The semiconductor element 2 has the 1st electrode 2A on the 2nd surface 2b side opposite to the 1st surface 2a side. The semiconductor device 1 further includes a connection object member 4 . The connection object member 4 has the 2nd electrode 4A on the surface 4a. The semiconductor element 2 and the connection object member 4 are adhere|attached and fixed through the other hardened|cured material 5 (connection part). The 1st electrode 2A of the semiconductor element 2 and 4 A of 2nd electrodes of the connection object member 4 oppose, and are electrically connected by the electroconductive particle 6 . When the first electrode 2A and the second electrode 4A contact each other, they may be electrically connected. The cured product 3 is disposed on the first surface 2a of the semiconductor element 2 opposite to the side on which the first electrode 2A is disposed.

경화물(3)의 반도체 소자(2)측과는 반대의 표면 위에, 보호 필름(7)이 배치되어 있다. 그에 의해, 경화물(3)에 의해 방열성 및 반도체 소자의 보호성을 높일뿐만 아니라, 보호 필름(7)에 의해서도, 반도체 소자의 보호성을 한층 더 높일 수 있다. 경화물(3)은 상술한 조성을 가지고 얻어지고 있기 때문에, 경화물(3)의 보호 필름(7)에 대한 부착을 억제할 수 있다.On the surface opposite to the semiconductor element 2 side of the hardened|cured material 3, the protective film 7 is arrange|positioned. Thereby, not only heat dissipation property and the protective property of a semiconductor element are improved by the hardened|cured material 3, but also the protective film 7 can further improve the protective property of a semiconductor element. Since the hardened|cured material 3 is obtained with the composition mentioned above, adhesion to the protective film 7 of the hardened|cured material 3 can be suppressed.

상기 접속 대상 부재로서는, 유리 기판, 유리 에폭시 기판, 플렉시블 프린트 기판 및 폴리이미드 기판 등을 들 수 있다.As said connection object member, a glass substrate, a glass epoxy board|substrate, a flexible printed circuit board, a polyimide board|substrate, etc. are mentioned.

반도체 소자의 표면 위에 있어서, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 두께는 바람직하게는 400㎛ 이상, 보다 바람직하게는 500㎛ 이상, 바람직하게는 2000㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1900㎛ 이하이다. 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 두께는 반도체 소자의 두께보다 얇아도 된다.On the surface of a semiconductor element, the thickness of the hardened|cured material of the material for semiconductor element protection becomes like this. Preferably it is 400 micrometers or more, More preferably, it is 500 micrometers or more, Preferably it is 2000 micrometers or less, More preferably, it is 1900 micrometers or less. The thickness of the hardened|cured material of the material for semiconductor element protection may be thinner than the thickness of a semiconductor element.

도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.[ Fig. 2] Fig. 2 is a partially cut-away front cross-sectional view showing a semiconductor device using a material for protecting semiconductor elements according to a second embodiment of the present invention.

도 2에 도시하는 반도체 장치(1X)는 반도체 소자(2)와, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 위에 배치된 경화물(3X)을 구비한다. 경화물(3X)은 상술한 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 경화물(3X)은 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 위의 전체의 영역에 배치되어 있다. 경화물(3X)의 반도체 소자(2)측과는 반대의 표면 위에, 보호 필름은 배치되어 있지 않다. 경화물(3X)의 반도체 소자(2)측과는 반대의 표면은 노출되어 있다.The semiconductor device 1X shown in FIG. 2 is equipped with the semiconductor element 2 and the hardened|cured material 3X arrange|positioned on the 1st surface 2a of the semiconductor element 2 . The hardened|cured material 3X is formed by hardening the above-mentioned material for semiconductor element protection. The cured product 3X is disposed over the entire area on the first surface 2a of the semiconductor element 2 . The protective film is not arrange|positioned on the surface opposite to the semiconductor element 2 side of 3X of hardened|cured material. The surface opposite to the semiconductor element 2 side of the hardened|cured material 3X is exposed.

상기 반도체 장치에서는, 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 위에, 보호 필름이 배치되어 있거나, 또는 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있는 것이 바람직하다.In the said semiconductor device, it is preferable that the protective film is arrange|positioned on the surface opposite to the said semiconductor element side of the said hardened|cured material, or that the surface opposite to the said semiconductor element side of the said hardened|cured material is exposed.

또한, 도 1, 2에 나타내는 구조는 반도체 장치의 일례에 지나지 않으며, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 배치 구조 등은 적절히 변형될 수 있다.In addition, the structure shown in FIGS. 1 and 2 is only an example of a semiconductor device, and the arrangement|positioning structure of the hardened|cured material of semiconductor element protection material, etc. can be deform|transformed suitably.

반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 열 전도율은 특별히 한정되지 않지만, 1.8W/m·K 이상인 것이 바람직하다.Although the thermal conductivity of the hardened|cured material of the semiconductor element protection material is not specifically limited, It is preferable that it is 1.8 W/m*K or more.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예 및 비교예를 드는 것에 의해, 본 발명을 명백하게 한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be clarified by giving specific examples and comparative examples of the present invention. In addition, the present invention is not limited to the following examples.

이하의 재료를 사용하였다.The following materials were used.

(A) 가요성 에폭시 화합물(A) flexible epoxy compound

EX-821(n=4)(나가세켐텍스사 제조, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 185)EX-821 (n = 4) (manufactured by Nagase Chemtex, polyethylene glycol diglycidyl ether, epoxy equivalent: 185)

EX-830(n=9)(나가세켐텍스사 제조, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 268)EX-830 (n = 9) (manufactured by Nagase Chemtex, polyethylene glycol diglycidyl ether, epoxy equivalent: 268)

EX-931(n=11)(나가세켐텍스사 제조, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 471)EX-931 (n = 11) (manufactured by Nagase Chemtex, polypropylene glycol diglycidyl ether, epoxy equivalent: 471)

EX-861(n=22)(나가세켐텍스사 제조, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 551)EX-861 (n = 22) (manufactured by Nagase Chemtex, polyethylene glycol diglycidyl ether, epoxy equivalent: 551)

PB3600(다이셀사 제조, 폴리부타디엔 변성 에폭시 수지)PB3600 (manufactured by Daicel, polybutadiene-modified epoxy resin)

(B) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물(B) an epoxy compound different from the flexible epoxy compound

jER828(미쯔비시가가꾸사 제조, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 188)jER828 (manufactured by Mitsubishi Chemical, bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent: 188)

jER834(미쯔비시가가꾸사 제조, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 연화점: 30℃, 에폭시 당량: 255)jER834 (manufactured by Mitsubishi Chemical, bisphenol A type epoxy resin, softening point: 30°C, epoxy equivalent: 255)

(C) 23℃에서 액상인 경화제(C) curing agent liquid at 23°C

후지큐어 7000(후지가세이사 제조, 23℃에서 액상, 아민 화합물)Fuji Cure 7000 (manufactured by FUJIGA SEI Co., Ltd., liquid at 23°C, amine compound)

MEH-8005(메이와가세이사 제조, 23℃에서 액상, 알릴페놀노볼락 화합물)MEH-8005 (manufactured by Meiwa Kasei, liquid at 23°C, allylphenol novolac compound)

(C') 그 밖의 경화제(C') other curing agents

TD-2131(DIC사 제조, 23℃에서 고체상, 페놀노볼락 화합물)TD-2131 (manufactured by DIC, solid at 23°C, phenol novolac compound)

(D) 경화 촉진제(D) curing accelerator

SA-102(산아프로사 제조, DBU 옥틸산염)SA-102 (manufactured by San Apro, DBU octylate)

(E) 열 전도율이 10W/m·K 이상이고 또한 구상인 무기 필러(E) Thermal conductivity of 10 W/m·K or more and spherical inorganic filler

FAN-f05(후루까와덴시사 제조, 질화알루미늄, 열 전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 6㎛)FAN-f05 (manufactured by Furukawa Denshi, aluminum nitride, thermal conductivity: 100 W/m·K, spherical, average particle diameter: 6 µm)

FAN-f50(후루까와덴시사 제조, 질화알루미늄, 열 전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 30㎛)FAN-f50 (manufactured by Furukawa Denshi, aluminum nitride, thermal conductivity: 100 W/m·K, spherical, average particle diameter: 30 µm)

CB-P05(쇼와덴꼬사 제조, 산화알루미늄, 열 전도율: 20W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 4㎛)CB-P05 (manufactured by Showa Denko, aluminum oxide, thermal conductivity: 20 W/m·K, spherical, average particle diameter: 4 µm)

CB-P40(쇼와덴꼬사 제조, 산화알루미늄, 열 전도율: 20W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 44㎛)CB-P40 (manufactured by Showa Denko, aluminum oxide, thermal conductivity: 20 W/m·K, spherical, average particle diameter: 44 µm)

SSC-A15(시나노덴끼세이렌사 제조, 질화규소, 열 전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 19㎛)SSC-A15 (manufactured by Shinano Denki Seiren, silicon nitride, thermal conductivity: 100 W/m·K, spherical, average particle diameter: 19 µm)

SSC-A30(시나노덴끼세이렌사제, 질화규소, 열 전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 34㎛)SSC-A30 (manufactured by Shinano Denki Seiren Co., Ltd., silicon nitride, thermal conductivity: 100 W/m·K, spherical shape, average particle diameter: 34 µm)

(E') 그 밖의 무기 필러(E') other inorganic fillers

HS-306(마이크론사 제조, 산화규소, 열 전도율: 2W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 2.5㎛)HS-306 (manufactured by Micron, silicon oxide, thermal conductivity: 2 W/m·K, spherical, average particle diameter: 2.5 µm)

HS-304(마이크론사 제조, 산화규소, 열 전도율: 2W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 25㎛)HS-304 (manufactured by Micron, silicon oxide, thermal conductivity: 2 W/m·K, spherical, average particle diameter: 25 µm)

(F) 커플링제(F) coupling agent

KBM-403(신에쯔가가꾸고교사 제조, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 100℃에 있어서의 중량 감소: 10중량%를 초과한다)KBM-403 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, weight loss at 100°C: more than 10% by weight)

A-LINK599(momentive사 제조, 3-옥타노일티오-1-프로필트리에톡시실란, 100℃에 있어서의 중량 감소: 10중량% 이하)A-LINK599 (manufactured by Momentive, 3-octanoylthio-1-propyltriethoxysilane, weight loss at 100°C: 10% by weight or less)

TOG(IPA 커트)(닛본소다사 제조, 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트, 100℃에 있어서의 중량 감소: 10중량% 이하)TOG (IPA cut) (manufactured by Nippon Soda, titanium-i-propoxyoctylene glycolate, weight loss at 100°C: 10% by weight or less)

AL-M(아지노모또파인테크노사 제조, 아세트알콕시알루미늄디이소프로필레이트, 100℃에 있어서의 중량 감소: 10중량% 이하)AL-M (manufactured by Ajinomoto Fine Techno, acetalkoxyaluminum diisopropylate, weight loss at 100°C: 10% by weight or less)

(기타 성분)(Other Ingredients)

하이왁스 200PF(미쯔이가가꾸사제, 폴리에틸렌 왁스)High Wax 200PF (manufactured by Mitsui Chemicals, polyethylene wax)

(실시예 1)(Example 1)

EX-821(n=4)을 6.5중량부, jER828을 2.5중량부, 후지큐어 7000을 5중량부, SA-102를 0.5중량부, CB-P05를 42.5중량부, CB-P40을 42.5중량부 및 하이왁스 200PF를 0.5중량부 혼합하고, 탈포를 행하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.EX-821 (n=4) 6.5 parts by weight, jER828 2.5 parts by weight, Fujicure 7000 5 parts by weight, SA-102 0.5 parts by weight, CB-P05 42.5 parts by weight, CB-P40 42.5 parts by weight And 0.5 weight part of high wax 200PF was mixed, defoaming was performed, and the material for semiconductor element protection was obtained.

(실시예 2 내지 15 및 비교예 1 내지 4)(Examples 2 to 15 and Comparative Examples 1 to 4)

배합 성분의 종류 및 배합량을 하기의 표 1, 2에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.A material for semiconductor element protection was obtained in the same manner as in Example 1 except that the type and compounding amount of the compounding component were changed as shown in Tables 1 and 2 below.

(평가)(evaluation)

(1) 25℃에 있어서의 점도의 측정(1) Measurement of viscosity at 25°C

B형 점도계(도끼산교사 제조 「TVB-10형」)를 사용해서 반도체 소자 보호용 재료의 25℃에 있어서의 10rpm에서의 점도(mPa·s)를 측정하였다.The viscosity (mPa*s) in 10 rpm in 25 degreeC of the material for semiconductor element protection was measured using the B-type viscometer ("TVB-10 type" by Toki Sangyo Co., Ltd.).

(2) 열 전도율(2) thermal conductivity

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하고, 경화시켜서, 100㎜×100㎜×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.The obtained material for semiconductor element protection was heated and hardened at 150 degreeC for 2 hours, and the hardened|cured material of 100 mm x 100 mm x 50 micrometers in thickness was obtained. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플의 열 전도율을, 교또덴시고교사 제조 열 전도율계 「신속 열 전도율계 QTM-500」을 사용하여 측정하였다.The thermal conductivity of the obtained evaluation sample was measured using the thermal conductivity meter "quick thermal conductivity meter QTM-500" manufactured by Kyoto Denshi Kogyo.

(3) 도포성(3) applicability

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 디스펜서 장치(무사시엔지니어링사 제조 「SHOTMASTER-300」)로부터, 폴리이미드 필름에 직경 5㎜, 높이 2㎜가 되도록 직접 토출한 후, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열해서 경화시켰다. 경화 후의 반도체 소자 보호용 재료의 형상으로부터 도포성을 하기의 기준으로 판정하였다.The obtained semiconductor element protection material was directly discharged from a dispenser device (“SHOTMASTER-300” manufactured by Musashi Engineering, Inc.) to a polyimide film to have a diameter of 5 mm and a height of 2 mm, and then the semiconductor element protection material was heated at 150° C. for 2 hours. and hardened it. From the shape of the semiconductor element protection material after hardening, applicability|paintability was judged by the following reference|standard.

[도포성의 판정 기준][Criteria for applicability judgment]

○: 직경 5.3㎜ 이상, 높이 1.8㎜ 미만(유동성 있음)○: Diameter 5.3 mm or more, height less than 1.8 mm (with fluidity)

△: 직경 5㎜를 초과하고, 5.3㎜ 미만, 높이 1.8㎜를 초과하고, 2㎜ 미만(유동성 조금 있음)(triangle|delta): diameter exceeds 5 mm, exceeds 5.3 mm, exceeds 1.8 mm in height, and is less than 2 mm (there is little fluidity)

×: 직경 5㎜, 높이 2㎜인 상태 그대로(유동성 없음)×: As it is with a diameter of 5 mm and a height of 2 mm (no fluidity)

(4) 내습성(4) moisture resistance

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하고, 경화시켜서, 100㎜×100㎜×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.The obtained material for semiconductor element protection was heated and hardened at 150 degreeC for 2 hours, and the hardened|cured material of 100 mm x 100 mm x 50 micrometers in thickness was obtained. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플을 DSM-8104(히오끼덴끼사 제조, 디지털 초절연/미소 전류계), 평판 시료용 전극 SME-8310(히오끼덴끼사 제조)을 사용해서 부피 저항률을 측정하였다.For the obtained evaluation sample, the volume resistivity was measured using DSM-8104 (manufactured by Hioki Denki Co., Ltd., digital ultra-insulating/microammeter) and electrode SME-8310 for flat plate samples (manufactured by Hioki Denki Co., Ltd.).

이어서, 프레셔 쿠커 시험을 고도 가속 수명 시험 장치 EHS-211(에스펙사 제조)로 행하였다. 121℃, 습도 100%RH 및 2atm의 조건에서 24시간 방치하고, 다음으로 23℃ 및 습도 50%RH의 환경에서 24시간 방치한 후, 부피 저항률을 측정하였다. 프레셔 쿠커 시험 전후의 부피 저항률의 저하율을 계산하여, 내습성을 하기의 기준으로 판정하였다.Next, the pressure cooker test was done with the highly accelerated life tester EHS-211 (made by SPEC). It was left for 24 hours under the conditions of 121° C., 100% RH and 2 atm, and then left for 24 hours in an environment of 23° C. and 50% RH, and then the volume resistivity was measured. The rate of decrease of the volume resistivity before and after the pressure cooker test was calculated, and moisture resistance was judged on the basis of the following criteria.

[내습성의 판정 기준][Criteria for moisture resistance judgment]

○: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 10% 이하○: The rate of decrease of the volume resistivity before and after the test is 10% or less

△: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 10%를 초과하고, 20% 이하(triangle|delta): The rate of decline of the volume resistivity before and behind a test exceeds 10%, and is 20% or less

×: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 20%를 초과한다x: The rate of decrease of the volume resistivity before and after the test exceeds 20%

(5) 접착력(다이 전단 강도)(5) Adhesion (die shear strength)

폴리이미드 기판 위에, 접착 면적이 3㎜×3㎜가 되도록 반도체 소자 보호용 재료를 도포하고, 한 변이 1.5㎜인 사각형의 Si 칩을 놓아, 테스트 샘플을 얻었다.On the polyimide substrate, the semiconductor element protection material was apply|coated so that the bonding area might be 3 mm x 3 mm, and a square Si chip of 1.5 mm on one side was placed, and the test sample was obtained.

얻어진 테스트 샘플을 150℃에서 2시간 가열하여, 반도체 소자 보호용 재료를 경화시켰다. 이어서, 다이 전단 시험기(아크테크사 제조 「DAGE4000」)를 사용하여, 300㎛/초의 속도로, 25℃에서의 다이 전단 강도를 평가하였다.The obtained test sample was heated at 150 degreeC for 2 hours, and the material for semiconductor element protection was hardened. Next, using a die shear tester ("DAGE4000" manufactured by Arctech Corporation), the die shear strength at 25°C was evaluated at a rate of 300 µm/sec.

[다이 전단 강도의 판정 기준][Criteria for determination of die shear strength]

○: 다이 전단 강도가 10N 이상○: die shear strength of 10N or more

△: 다이 전단 강도가 6N 이상 10N 미만△: die shear strength of 6N or more and less than 10N

△△: 다이 전단 강도가 5N 이상 6N 미만ΔΔ: die shear strength of 5N or more and less than 6N

×: 다이 전단 강도가 5N 미만×: die shear strength less than 5N

(6) 점착성(보호 필름 부착성)(6) Adhesion (protective film adhesion)

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하고, 경화시켜서, 100㎜×100㎜×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.The obtained material for semiconductor element protection was heated and hardened at 150 degreeC for 2 hours, and the hardened|cured material of 100 mm x 100 mm x 50 micrometers in thickness was obtained. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플을 23℃ 및 습도 50%RH의 분위기 하에서 24시간 방치하였다. 24시간 방치 후 즉시, 평가 샘플의 표면 점착성을, 점착성 시험기 TA-500(UBM사 제조)을 사용해서 점착성을 측정하였다.The obtained evaluation sample was left to stand in the atmosphere of 23 degreeC and 50%RH of humidity for 24 hours. Immediately after standing for 24 hours, the surface adhesiveness of the evaluation sample was measured for adhesiveness using an adhesive tester TA-500 (manufactured by UBM).

[점착성의 판정 기준][Criterion for determination of adhesiveness]

○: 응력이 50gf/㎠ 미만○: Stress is less than 50 gf/cm 2

△: 응력이 50gf/㎠ 이상 100gf/㎠ 미만△: Stress is 50 gf/cm 2 or more and less than 100 gf/cm 2

×: 응력이 100gf/㎠ 이상x: stress is 100 gf/cm 2 or more

(7) 필름 휨(7) Film Warp

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 디스펜서 장치(무사시엔지니어링사 제조 「SHOTMASTER-300」)로부터, 폴리이미드 필름에 세로 20㎜, 가로 100㎜, 높이 10㎜가 되도록 직접 토출한 후, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열해서 경화시켰다. 경화 후에 폴리이미드 필름의 휨을 육안으로 확인하고, 필름 휨을 하기의 기준으로 판정하였다.The obtained semiconductor element protection material was directly discharged from a dispenser device ("SHOTMASTER-300" manufactured by Musashi Engineering Co., Ltd.) to a polyimide film to have a length of 20 mm, a width of 100 mm, and a height of 10 mm. It was cured by heating for 2 hours. After hardening, the curvature of the polyimide film was visually confirmed, and the film curvature was judged by the following reference|standard.

[필름 휨의 판정 기준][Criteria for judging film warpage]

○: 폴리이미드 필름의 휨 없음○: No warpage of polyimide film

×: 폴리이미드 필름의 휨 발생x: Warpage occurrence of polyimide film

(8) 내열성(8) heat resistance

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하고, 경화시켜서, 100㎜×100㎜×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.The obtained material for semiconductor element protection was heated and hardened at 150 degreeC for 2 hours, and the hardened|cured material of 100 mm x 100 mm x 50 micrometers in thickness was obtained. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플을 DSM-8104(히오끼덴끼사 제조, 디지털 초절연/미소 전류계), 평판 시료용 전극 SME-8310(히오끼덴끼사 제조)을 사용해서 부피 저항률의 측정을 측정하였다.For the obtained evaluation sample, the volume resistivity was measured using DSM-8104 (manufactured by Hioki Denki, digital ultra-insulating/microammeter) and flat plate sample electrode SME-8310 (manufactured by Hioki Denki).

이어서, 180℃에서 100시간 방치하고, 다음에 23℃ 및 습도 50%RH의 환경에서 24시간 방치한 후, 부피 저항률을 측정하였다. 내열 시험 전후의 부피 저항률의 저하율을 계산하여, 내열성을 하기의 기준으로 판정하였다.Then, it was allowed to stand at 180° C. for 100 hours, and then left to stand for 24 hours in an environment of 23° C. and a humidity of 50%RH, and then the volume resistivity was measured. The rate of decrease in volume resistivity before and after the heat resistance test was calculated, and heat resistance was judged on the basis of the following criteria.

[내열성의 판정 기준][Criteria for judging heat resistance]

○: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 10% 이하○: The rate of decrease of the volume resistivity before and after the test is 10% or less

△: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 10%를 초과하고, 20% 이하(triangle|delta): The rate of decline of the volume resistivity before and behind a test exceeds 10%, and is 20% or less

×: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 20%를 초과한다x: The rate of decrease of the volume resistivity before and after the test exceeds 20%

조성 및 결과를 하기의 표 1, 표 2에 나타낸다.The composition and results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 112021116177055-pat00001
Figure 112021116177055-pat00001

Figure 112021116177055-pat00002
Figure 112021116177055-pat00002

1, 1X : 반도체 장치
2 : 반도체 소자
2a : 제1 표면
2b : 제2 표면
2A : 제1 전극
3, 3X : 경화물
4 : 접속 대상 부재
4a : 표면
4A : 제2 전극
5 : 다른 경화물
6 : 도전성 입자
7 : 보호 필름1, 1X: semiconductor device
2: semiconductor element
2a: first surface
2b: second surface
2A: first electrode
3, 3X: cured product
4: Connection target member
4a: surface
4A: second electrode
5: other cured products
6: conductive particles
7: protective film

Claims (15)

플렉시블 프린트 기판 또는 폴리이미드 기판에 접착 및 고정된 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 위에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 위에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이며,
폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와,
비스페놀 A형 에폭시 화합물과,
23℃에서 액상인 경화제와,
열전도율이 10W/m·K 이상이고 또한 구상인 무기 필러를 포함하고,
상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르 100중량부에 대해, 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 함유량이 10중량부 이상 49 중량부 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.In order to protect a semiconductor device that is adhered and fixed to a flexible printed circuit board or polyimide substrate, it is applied on the surface of the semiconductor device to form a cured product on the surface of the semiconductor device.
polyalkylene glycol diglycidyl ether;
A bisphenol A epoxy compound;
A curing agent that is liquid at 23 ° C, and
Thermal conductivity is 10 W / m · K or more and contains a spherical inorganic filler,
The material for semiconductor element protection whose content of the said bisphenol A epoxy compound is 10 weight part or more and 49 weight part or less with respect to 100 weight part of said polyalkylene glycol diglycidyl ethers. 제1항에 있어서, 반도체 소자 보호용 재료 100중량% 중, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계의 함유량이 5중량% 이상인, 반도체 소자 보호용 재료.The semiconductor element protection material according to claim 1, wherein the total content of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A epoxy compound is 5 weight% or more in 100 weight% of the semiconductor element protection material. 제2항에 있어서, 반도체 소자 보호용 재료 100중량% 중, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계의 함유량이 8중량% 이상인, 반도체 소자 보호용 재료.The semiconductor element protection material according to claim 2, wherein the total content of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A epoxy compound is 8% by weight or more in 100% by weight of the semiconductor element protection material. 제1항에 있어서, 반도체 소자 보호용 재료 100중량% 중, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계의 함유량이 15중량% 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The semiconductor element protection material according to claim 1, wherein the total content of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A epoxy compound is 15 weight% or less in 100 weight% of the semiconductor element protection material. 제4항에 있어서, 반도체 소자 보호용 재료 100중량% 중, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계의 함유량이 12중량% 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The semiconductor element protection material according to claim 4, wherein the total content of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A-type epoxy compound is 12% by weight or less in 100% by weight of the semiconductor element protection material. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대해, 상기 23℃에서 액상인 경화제의 함유량이 30중량부 이상인, 반도체 소자 보호용 재료.The content of the curing agent liquid at 23°C is 30 with respect to a total of 100 parts by weight of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A-type epoxy compound according to any one of claims 1 to 5 Part by weight or more, a material for protecting semiconductor devices. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대해, 상기 23℃에서 액상인 경화제의 함유량이 80중량부 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The content of the curing agent liquid at 23°C is 80 with respect to a total of 100 parts by weight of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A-type epoxy compound according to any one of claims 1 to 5. parts by weight or less, a material for protecting semiconductor devices. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 경화 촉진제를 추가로 포함하고,
상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대해, 상기 경화 촉진제의 함유량이 0.1중량부 이상인, 반도체 소자 보호용 재료.6. The method of any one of claims 1 to 5, further comprising a curing accelerator;
The material for semiconductor element protection whose content of the said hardening accelerator is 0.1 weight part or more with respect to a total of 100 weight part of the said polyalkylene glycol diglycidyl ether and the said bisphenol A epoxy compound. 제8항에 있어서, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대해, 상기 경화 촉진제의 함유량이 0.5중량부 이상인, 반도체 소자 보호용 재료.The material for semiconductor element protection according to claim 8, wherein the content of the curing accelerator is 0.5 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight in total of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A epoxy compound. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 경화 촉진제를 추가로 포함하고,
상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대해, 상기 경화 촉진제의 함유량이 10중량부 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.6. The method of any one of claims 1 to 5, further comprising a curing accelerator;
The material for semiconductor element protection whose content of the said hardening accelerator is 10 weight part or less with respect to a total of 100 weight part of the said polyalkylene glycol diglycidyl ether and the said bisphenol A epoxy compound. 제10항에 있어서, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대해, 상기 경화 촉진제의 함유량이 8중량부 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The material for semiconductor element protection according to claim 10, wherein the content of the curing accelerator is 8 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight in total of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A-type epoxy compound. 제1항에 있어서, 경화 촉진제를 추가로 포함하고,
반도체 소자 보호용 재료 100중량% 중, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계의 함유량이 8중량% 이상이고,
상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대해, 상기 경화 촉진제의 함유량이 8중량부 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The method of claim 1, further comprising a curing accelerator;
The total content of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A-type epoxy compound in 100% by weight of the semiconductor element protection material is 8% by weight or more,
The material for semiconductor element protection whose content of the said hardening accelerator is 8 weight part or less with respect to a total of 100 weight part of the said polyalkylene glycol diglycidyl ether and the said bisphenol A epoxy compound. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무기 필러가 알루미나인, 반도체 소자 보호용 재료.The material for semiconductor element protection according to any one of claims 1 to 5, wherein the inorganic filler is alumina. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 1,2-디메틸이미다졸을 추가로 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to any one of claims 1 to 5, further comprising 1,2-dimethylimidazole. 플렉시블 프린트 기판 또는 폴리이미드 기판과,
상기 플렉시블 프린트 기판 또는 폴리이미드 기판에 접착 및 고정된 반도체 소자와,
상기 반도체 소자의 제1 표면 위에 배치된 경화물을 구비하고,
상기 경화물이, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있는, 반도체 장치.a flexible printed circuit board or polyimide board;
a semiconductor device bonded and fixed to the flexible printed circuit board or polyimide substrate;
and a cured product disposed on the first surface of the semiconductor device,
The semiconductor device in which the said hardened|cured material is formed by hardening|curing the material for semiconductor element protection in any one of Claims 1-5.
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