KR102364305B1 - Heat Treatment Chamber And Inline Heat Treatment Apparatus - Google Patents

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KR102364305B1
KR102364305B1 KR1020210101913A KR20210101913A KR102364305B1 KR 102364305 B1 KR102364305 B1 KR 102364305B1 KR 1020210101913 A KR1020210101913 A KR 1020210101913A KR 20210101913 A KR20210101913 A KR 20210101913A KR 102364305 B1 KR102364305 B1 KR 102364305B1
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heat treatment
chamber
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microwave
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KR1020210101913A
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박재영
김익진
이재현
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주식회사 일진텍
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Abstract

Disclosed are a heat treatment chamber and an inline heat treatment apparatus. One embodiment of the present disclosure provides the heat treatment chamber comprising: a chamber which includes an outer frame that has an aperture on one side and is configured to block microwave of the inside, wherein a heat treatment material including a target for the heat treatment is disposed in the outer frame; at least one microwave oscillation unit configured to oscillate microwave into the inside of the chamber; at least one dispersion member which is disposed on an inner wall of the outer frame and is configured to disperse the incident microwave to the inside of the chamber; and a heating unit which is disposed inside the chamber and is configured to generate heat by the microwave oscillation unit. The heat treatment chamber uniformly heats the target for the heat treatment using the dispersion member and ferroelectrics.

Description

열처리 챔버 및 인라인 열처리 장치{Heat Treatment Chamber And Inline Heat Treatment Apparatus}Heat Treatment Chamber And Inline Heat Treatment Apparatus

본 개시는 열처리 챔버 및 인라인 열처리 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a heat treatment chamber and an inline heat treatment apparatus.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 개시에 대한 배경정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information for the present disclosure and does not constitute the prior art.

폴리이미드(polyimide)는 이미드 모노머(imide monomer)의 중합체를 의미하며, PAA(Poly Amic Acid)의 축합반응으로 변환되는데, 이러한 축합반응은 주로 열에 의한 이미드화 경로로 이루어진다.Polyimide refers to a polymer of an imide monomer, and is converted into a condensation reaction of PAA (Poly Amic Acid), which is mainly achieved through an imidization pathway by heat.

솔벤트가 포함된 PAA를 세정된 글라스 표면에 도포하고 일정 시간 진공상태에서 건조시킨 후, 일정 시간 동안 단계별로 온도를 가변하면서 가열하여 축합반응을 이끌어낸다. 이 때 열처리 대상인 PAA를 가열하기 위해 일반적으로 IR 방식의 열처리 챔버를 사용한다. 즉, 기존 열처리 챔버는 적외선을 이용하여 내부 온도를 증가시키는 방식을 사용한다.PAA containing solvent is applied to the cleaned glass surface, dried in a vacuum for a certain period of time, and then heated while varying the temperature step by step for a certain period of time to induce a condensation reaction. In this case, an IR-type heat treatment chamber is generally used to heat the PAA, which is a heat treatment target. That is, the existing heat treatment chamber uses a method of increasing the internal temperature using infrared rays.

이미드 모노머가 열에 의한 이미드화될 때, 각각의 범위가 덩어리지어 편석 (segregation) 현상이 발생되면서 축합반응이 일어난 후, 편석된 각각의 폴리이미드의 경계선에서 서로 결합되면서 전체적으로 하나의 폴리이미드로 변환된다.When the imide monomer is imidized by heat, each range is agglomerated and a segregation phenomenon occurs and a condensation reaction occurs, and then is combined with each other at the boundary of each segregated polyimide and converted into a single polyimide as a whole do.

폴리이미드를 열경화시키는 과정은 정해진 시간 내에 이루어져야 하며, 정해진 시간 내에 PAA의 이미드화가 이루어지지 않는 경우 폴리이미드의 품질이 저하된다는 문제가 있다.The process of thermosetting polyimide should be done within a predetermined time, and if imidization of PAA is not made within a predetermined time, there is a problem that the quality of polyimide is deteriorated.

또한, PAA를 경화시키는 과정에서 PAA가 이미드화 되면서 퓸(fume)이라는 가스가 발생되는데, 폴리이미드를 열경화시키는 시간이 길어지게 되면 퓸을 배출하는 시간이 부족하여 열처리 챔버 내에 퓸이 온전히 외부로 배출되지 않는다는 문제가 발생한다. 외부로 배출되지 않은 퓸은 열처리 챔버의 내벽에 달라붙어 열처리 챔버의 성능을 저하시킨다.In addition, in the process of curing PAA, a gas called fume is generated as PAA is imidized. If the time to thermally cure polyimide becomes longer, the time to discharge the fume is insufficient, so that the fume is completely discharged to the outside in the heat treatment chamber The problem arises that it doesn't. The fume that is not discharged to the outside adheres to the inner wall of the heat treatment chamber and deteriorates the performance of the heat treatment chamber.

이에, 본 개시는 마이크로파, 분산부재 및 강유전체(ferroelectrics)를 이용하여 열처리 대상을 균일하게 가열할 수 있다.Accordingly, the present disclosure can uniformly heat a heat treatment target using microwaves, a dispersion member, and ferroelectrics.

또한, 본 개시는 열처리 대상의 열처리 시간을 단축할 수 있다.In addition, the present disclosure can shorten the heat treatment time of the heat treatment target.

또한, 본 개시는 열처리 대상이 경화되면서 발생하는 가스를 열처리 챔버의 내벽에 달라붙지 않도록 할 수 있다.In addition, the present disclosure may prevent the gas generated while the heat treatment target is hardened from sticking to the inner wall of the heat treatment chamber.

또한, 본 개시는 열처리 챔버의 전력 소모량을 절약할 수 있다.In addition, the present disclosure can save power consumption of the heat treatment chamber.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 개시의 일 실시예에 의하면, 일측에 개구부가 형성되고 내부의 마이크로파를 차단하도록 구성된 외부프레임을 포함하고, 외부프레임의 내부에 열처리의 대상이 포함되는 열처리소재가 배치되는 챔버; 챔버의 내부로 마이크로파를 발진하도록 구성된 적어도 하나의 마이크로파 발진부; 외부프레임의 내벽에 배치되며, 입사된 마이크로파를 챔버의 내부로 분산시키도록 구성된 적어도 하나의 분산부재; 및 챔버 내에 배치되고 마이크로파 발진부에 의해 열이 발생하도록 구성된 마이크로파 발열부를 포함하는 열처리 챔버를 제공한다.According to an embodiment of the present disclosure, an opening is formed on one side and includes an external frame configured to block the microwave inside, a chamber in which a heat treatment material containing a subject of heat treatment is disposed inside the outer frame; at least one microwave oscillator configured to oscillate microwaves into the chamber; at least one dispersing member disposed on the inner wall of the outer frame and configured to disperse the incident microwave into the interior of the chamber; and a microwave heating unit disposed in the chamber and configured to generate heat by the microwave oscillation unit.

본 개시의 일 실시예에 의하면, 일측에 개구부가 형성된 외부프레임을 포함하고, 외부프레임의 내부에 열처리의 대상이 포함되는 열처리소재가 배치되는 챔버; 열처리소재의 적어도 일부를 지지하도록 구성된 열처리소재지지부; 및 제1 주파수 및 제1 진폭을 가지는 진동을 열처리의 대상에 전달하도록 배치된 열처리소재진동부를 포함하는 열처리 챔버를 제공한다.According to an embodiment of the present disclosure, a chamber including an outer frame having an opening formed on one side, and a heat treatment material including a subject to be subjected to heat treatment is disposed inside the outer frame; a heat treatment material support portion configured to support at least a portion of the heat treatment material; And it provides a heat treatment chamber comprising a heat treatment material vibrating unit arranged to transmit vibrations having a first frequency and a first amplitude to the object to be heat treated.

본 개시의 일 실시예에 의하면, 일측에 개구부가 형성된 외부프레임을 포함하고, 외부프레임의 내부에 열처리의 대상이 포함되는 열처리소재가 배치되는 챔버; 열처리소재의 적어도 일부를 지지하도록 구성된 열처리소재지지부; 및 외부프레임에 진동을 전달하도록 배치된 프레임진동부를 포함하는 열처리 챔버를 제공한다.According to an embodiment of the present disclosure, a chamber including an outer frame having an opening formed on one side, and a heat treatment material including a subject to be subjected to heat treatment is disposed inside the outer frame; a heat treatment material support portion configured to support at least a portion of the heat treatment material; And it provides a heat treatment chamber comprising a frame vibrating unit arranged to transmit the vibration to the outer frame.

본 개시의 일 실시예에 의하면, 일측에 개구부가 형성된 내부프레임을 포함하고 내부프레임의 개구부로부터 열처리의 대상이 반입 또는 반출되도록 구성된 내부챔버, 및 외부프레임을 포함하고 내부프레임의 외부를 감싸도록 형성되어 내부챔버를 단열하도록 구성된 외부챔버를 포함하는 챔버; 열처리소재의 적어도 일부를 지지하도록 구성된 열처리소재지지부; 및 내부프레임에 진동을 전달하도록 배치된 프레임진동부를 포함하는 열처리 챔버를 제공한다.According to an embodiment of the present disclosure, it is formed to include an inner frame having an opening formed on one side and an inner chamber configured to carry in or take out a subject to be subjected to heat treatment from the opening of the inner frame, and an outer frame to surround the outside of the inner frame. a chamber comprising an outer chamber configured to be configured to insulate the inner chamber; a heat treatment material support portion configured to support at least a portion of the heat treatment material; And it provides a heat treatment chamber comprising a frame vibrating unit arranged to transmit the vibration to the inner frame.

본 개시의 일 실시예에 의하면, 일측에 열처리의 대상을 포함하는 열처리소재가 진입하는 입구가 형성되고 타측에 열처리소재가 진출하는 출구가 형성되는 하우징; 하우징의 내부로 마이크로파를 발진하도록 구성된 적어도 하나의 마이크로파 발진부; 하우징의 내벽에 배치되며, 입사된 마이크로파를 하우징의 내부로 분산시키도록 구성된 적어도 하나의 분산부재; 하우징의 내부에 배치되며, 열처리소재를 입구에서 출구측 방향으로 이송시키는 이송부; 및 이송부의 상부에 이송부로부터 일정 거리 이격되어 배치되는 강유전체로 구성된 마이크로파 발열부를 포함하는 인라인 열처리 장치를 제공한다.According to an embodiment of the present disclosure, a housing having an inlet through which a heat treatment material including a subject of heat treatment enters is formed on one side and an outlet through which a heat treatment material advances on the other side is formed; at least one microwave oscillator configured to oscillate microwaves into the housing; at least one dispersing member disposed on the inner wall of the housing and configured to disperse the incident microwave into the interior of the housing; a transfer unit disposed inside the housing and transferring the heat treatment material from the inlet to the outlet; And it provides an in-line heat treatment apparatus including a microwave heating part made of a ferroelectric is disposed on the upper portion of the transfer unit to be spaced apart from the transfer unit by a predetermined distance.

이상에서 설명한 바와 같이 본 실시예에 의하면, 열처리 챔버는 분산부재를 이용하여 마이크로파를 균일하게 조사함으로써 열처리 대상을 균일하게 가열할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present embodiment, the heat treatment chamber has the effect of uniformly heating the heat treatment target by uniformly irradiating microwaves using the dispersion member.

또한, 열처리 챔버는 강유전체 및 분산부재를 이용하여 열처리 대상의 표면을 가열하는 동시에 열처리 대상의 내부를 함께 가열함으로써 유해 가스를 효율적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.In addition, the heat treatment chamber has an effect of efficiently removing harmful gases by heating the surface of the heat treatment target using a ferroelectric and a dispersing member and simultaneously heating the inside of the heat treatment target.

또한, 열처리 대상의 열처리 시간을 단축하여 생산 공정의 효율성을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that can increase the efficiency of the production process by shortening the heat treatment time of the heat treatment target.

또한, 열처리 대상에 진동을 일으키는 진동부를 배치하여, 열처리 대상의 열처리 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.In addition, by arranging a vibration unit that causes vibration in the heat treatment target, there is an effect that can shorten the heat treatment time of the heat treatment target.

또한, 열처리 챔버 내벽에 진동을 일으키는 진동부를 배치하여 내벽에 붙은 물질을 떨어뜨릴 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that the material attached to the inner wall can be dropped by disposing a vibrating unit that causes vibration on the inner wall of the heat treatment chamber.

도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 열처리 챔버의 사시도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 열처리 챔버의 내부 구조가 도시된 정면도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 분산부재의 사시도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 분산부재의 마이크로파 반사특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 개시의 분산부재의 원리를 설명하기 위한 예시이다.
도 6은 마이크로파가 강유전체로 구성된 마이크로파 발열부를 투과할 때 파장의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 개시의 다른 실시예에 따른 열처리 챔버의 내부 구조가 도시된 정면도이다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 개략도이다.
1 is a perspective view of a heat treatment chamber according to an embodiment of the present disclosure;
2 is a front view illustrating an internal structure of a heat treatment chamber according to an embodiment of the present disclosure;
3 is a perspective view of a dispersing member according to an embodiment of the present disclosure.
4 is a view for explaining the microwave reflection characteristics of the dispersing member according to an embodiment of the present disclosure.
5 is an example for explaining the principle of the dispersing member of the present disclosure.
FIG. 6 is a view for explaining a change in wavelength when microwaves pass through a microwave heating unit made of a ferroelectric.
7 is a front view illustrating an internal structure of a heat treatment chamber according to another embodiment of the present disclosure.
8 is a schematic diagram of an in-line heat treatment apparatus according to an embodiment of the present disclosure.

이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components in each drawing, it should be noted that the same components are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated in different drawings. In addition, in describing the present disclosure, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present disclosure, the detailed description thereof will be omitted.

본 개시에 따른 실시예의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, i), ii), a), b) 등의 부호를 사용할 수 있다. 이러한 부호는 그 구성요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 부호에 의해 해당 구성요소의 본질 또는 차례나 순서 등이 한정되지 않는다. 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 '포함' 또는 '구비'한다고 할 때, 이는 명시적으로 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In describing the components of the embodiment according to the present disclosure, reference numerals such as first, second, i), ii), a), b) may be used. These signs are only for distinguishing the elements from other elements, and the essence, order, or order of the elements are not limited by the signs. In the specification, when a part 'includes' or 'includes' a certain element, it means that other elements may be further included, rather than excluding other elements, unless explicitly stated otherwise. .

도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 열처리 챔버의 사시도이다. 도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 열처리 챔버의 내부 구조가 도시된 정면도이다. 도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 분산부재의 사시도이다. 도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 분산부재의 마이크로파 반사특성을 설명하기 위한 도면이다. 도 5는 본 개시의 분산부재의 원리를 설명하기 위한 예시이다. 도 6은 마이크로파가 강유전체로 구성된 마이크로파 발열부를 투과할 때 파장의 변화를 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view of a heat treatment chamber according to an embodiment of the present disclosure; 2 is a front view illustrating an internal structure of a heat treatment chamber according to an embodiment of the present disclosure; 3 is a perspective view of a dispersing member according to an embodiment of the present disclosure. 4 is a view for explaining the microwave reflection characteristics of the dispersing member according to an embodiment of the present disclosure. 5 is an example for explaining the principle of the dispersing member of the present disclosure. FIG. 6 is a view for explaining a change in wavelength when microwaves pass through a microwave heating unit made of a ferroelectric.

도 1 및 도 2을 참조하면, 열처리 챔버(10)는 외부 챔버(100), 내부챔버(200), 마이크로파 발진부(300), 분산부재(400), 열처리소재지지부(500), 열처리소재진동부(530), 프레임진동부(540), 온도센서(510), 가스순환장치(600), 마이크로파 발열부(700) 및 열 반사판(800)의 전부 또는 일부를 포함한다.1 and 2 , the heat treatment chamber 10 includes an outer chamber 100 , an inner chamber 200 , a microwave oscillation unit 300 , a dispersion member 400 , a heat treatment material support unit 500 , and a heat treatment material vibration unit 530 , the frame vibration unit 540 , the temperature sensor 510 , the gas circulation device 600 , the microwave heating unit 700 , and all or part of the heat reflection plate 800 .

외부 챔버(100)는 내부프레임(210)을 포함하고, 내부에 위치되는 열처리소재(520)를 열처리하도록 구성된다. 내부프레임(210)은 일측에 개구부가 형성되어 있다. 개구부는 도어부(130)측 방향으로 개구되어 있어, 도어부(130)에 의해 개폐가능하도록 형성되어 있다. 내부에 위치되는 열처리소재(520)는 열처리의 대상이 포함되어 있다. 예컨대, 열처리의 대상이 되는 물체는 폴리이미드일 수 있다.The outer chamber 100 includes an inner frame 210 and is configured to heat-treat the heat treatment material 520 positioned therein. The inner frame 210 has an opening formed on one side. The opening is opened in the direction toward the door unit 130 , and is formed so as to be opened and closed by the door unit 130 . The heat treatment material 520 positioned therein contains the subject of heat treatment. For example, the object to be subjected to heat treatment may be polyimide.

내부챔버(200)는 외부프레임(110) 및 단열재(미도시)의 전부 또는 일부를 포함한다. 외부 챔버(100)는 내부프레임(210)의 외부를 전체적으로 감싸도록 형성되어 내부 챔버(200)를 단열 및 마이크로파의 차단을 하도록 구성된다. 외부프레임(110)은 내부프레임(210)의 배치된 도어부(130)를 포함한다. 단열재(미도시)는 외부프레임(110)의 내벽에 배치되어 열이 외부프레임(110)의 외부로 빠져나가는 것을 방지한다. The inner chamber 200 includes all or a part of the outer frame 110 and the heat insulating material (not shown). The outer chamber 100 is formed to completely surround the outside of the inner frame 210 and is configured to insulate the inner chamber 200 and block microwaves. The outer frame 110 includes the door unit 130 disposed on the inner frame 210 . A heat insulating material (not shown) is disposed on the inner wall of the outer frame 110 to prevent heat from escaping to the outside of the outer frame 110 .

단열재(미도시)는 반드시 외부프레임(110)의 내벽에 배치되는 것이 바람직하나, 이에 한정되지 않고 단열재(미도시)가 배치되는 위치에 상관없이 내부챔버(200)를 단열시킬 수 있도록 배치되는 것으로 족하다.The insulator (not shown) is preferably disposed on the inner wall of the outer frame 110, but is not limited thereto and is disposed so as to insulate the inner chamber 200 regardless of the location where the insulator (not shown) is disposed. enough

외부프레임(110)은 단열뿐 아니라 외부챔버(100) 및 내부챔버(200) 내에 있는 마이크로파를 차단하도록 구성될 수 있다.The outer frame 110 may be configured to block microwaves in the outer chamber 100 and the inner chamber 200 as well as thermal insulation.

외부 챔버(100)에는 분산부재(400)가 배치될 수 있다. 단열재(미도시)가 외부프레임(110)의 내벽에 배치되어 있어, 내부챔버(200)가 가열될 때 외부 챔버(100)의 공간 또한 가열된다.The dispersing member 400 may be disposed in the outer chamber 100 . A heat insulating material (not shown) is disposed on the inner wall of the outer frame 110 , so that when the inner chamber 200 is heated, the space of the outer chamber 100 is also heated.

마이크로파 발진부(300)는 내부챔버(200) 및 외부챔버(100) 중 적어도 한 곳으로 마이크로파를 발진하도록 구성된다. 마이크로파 발진부(300)는 외부프레임(110)의 외측에 배치될 수 있다. 복수의 마이크로파 발진부(300)가 배치될 경우 서로 일정 간격 이상 이격되도록 배치할 수 있다. 도 2를 참조하면, 4개의 마이크로파 발진부(300)가 열처리 챔버(10)의 좌측 및 우측에 각각 2개씩 이격되어 배치되어 있다. 마이크로파 발진부(300)는 공급받는 전류의 세기에 따라 발진하는 마이크로파의 세기가 비례하여 증가한다. 제어부(미도시)가 마이크로파 발진부(300)에게 공급되는 전류의 세기를 제어함으로써 마이크로파의 세기가 조절될 수 있다.The microwave oscillation unit 300 is configured to oscillate microwaves to at least one of the inner chamber 200 and the outer chamber 100 . The microwave oscillator 300 may be disposed outside the outer frame 110 . When a plurality of microwave oscillation units 300 are disposed, they may be disposed to be spaced apart from each other by a predetermined distance or more. Referring to FIG. 2 , four microwave oscillation units 300 are disposed at left and right sides of the heat treatment chamber 10 , respectively, with two being spaced apart from each other. In the microwave oscillator 300, the intensity of the oscillating microwave increases in proportion to the intensity of the supplied current. The intensity of the microwave may be adjusted by controlling the intensity of the current supplied to the microwave oscillator 300 by a controller (not shown).

열처리소재지지부(500)는 열처리 대상이 있는 열처리소재(520)가 내부챔버(200)에 들어온 경우 열처리소재(520)를 지지하도록 구성된다. 열처리소재지지부(500)는 내부프레임(210)의 하부면과 수직한 기둥 형태로 배치될 수 있다. 열처리소재지지부(500)의 적어도 일부는 내부프레임(210)을 관통하여 형성될 수 있다. 열처리소재지지부(500)는 열처리소재(520)를 안정적으로 지지하기 위해 복수개가 구성될 수 있다. 열처리소재(520)는 열처리소재지지부(500)로부터 분리가능하도록 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 열처리소재지지부(500)와 결합된 상태로 구성될 수도 있다.The heat treatment material support unit 500 is configured to support the heat treatment material 520 when the heat treatment material 520 having a heat treatment target enters the inner chamber 200 . The heat treatment material support unit 500 may be disposed in the form of a column perpendicular to the lower surface of the inner frame 210 . At least a portion of the heat treatment material support unit 500 may be formed through the inner frame (210). The heat treatment material support unit 500 may be configured in plurality to stably support the heat treatment material 520 . The heat treatment material 520 may be configured to be detachable from the heat treatment material support unit 500 , but is not limited thereto, and may be configured in a state coupled to the heat treatment material support unit 500 .

열처리소재진동부(530)는 제1 주파수 및 제1 진폭을 가지는 진동을 열처리의 대상에 전달하도록 배치된다. 열처리소재진동부(530)는 열처리소재(520)의 적어도 일부 또는 열처리소재지지부(500)의 적어도 일부와 접하여 배치될 수 있다. 열처리소재진동부(530)는 초음파 방식으로 진동을 발생시킬 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 열처리의 대상이 있는 열처리소재(520)를 가열할 때, 열처리소재(520)를 진동시키면 열처리의 대상을 가열하여 경화시키는 시간을 단축시킬 수 있다. 예컨대, 열처리의 대상이 PAA(Poly Amic Acid)인 경우, PAA가 폴리이미드로 열경화되는 과정에서 PAA의 일부가 다른 일부보다 먼저 경화되는 편석(segregation) 현상이 발생할 수 있다. 열처리소재(520)에 진동을 발생시킬 경우 이러한 편석 현상을 예방하고 PAA를 균일하게 가열시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, PAA가 폴리이미드로 열경화되는 동안 퓸(fume)이 발생하게 되는데, PAA의 내부가 가열되어 퓸 가스가 발생할 경우 퓸이 PAA의 내부에 갇혀 폴리이미드의 품질이 저하될 수 있다. 열처리소재(520)에 진동을 발생시키면 PAA 내부에 갇힌 퓸 가스를 방출시킬 수 있는 효과가 있다. 여기서 제1 주파수는 20,000 Hz 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The heat treatment material vibrating unit 530 is disposed to transmit vibrations having a first frequency and a first amplitude to the subject of heat treatment. The heat treatment material vibrating unit 530 may be disposed in contact with at least a portion of the heat treatment material 520 or at least a portion of the heat treatment material support unit 500 . The heat treatment material vibrating unit 530 may generate vibration in an ultrasonic manner, but is not limited thereto. When heating the heat treatment material 520 having the object to be heat treated, if the heat treatment material 520 is vibrated, the time for heating and curing the heat treatment material 520 can be shortened. For example, when the subject of heat treatment is poly amic acid (PAA), a segregation phenomenon in which a portion of the PAA is cured before another portion may occur in the process of thermosetting the PAA to a polyimide. When vibration is generated in the heat treatment material 520, this segregation phenomenon can be prevented and the PAA can be uniformly heated. In addition, fume is generated while the PAA is thermally cured into polyimide. When the inside of the PAA is heated and fume gas is generated, the fume may be trapped inside the PAA and the quality of the polyimide may be deteriorated. When vibration is generated in the heat treatment material 520, there is an effect of releasing the fume gas trapped inside the PAA. Here, the first frequency may be 20,000 Hz or more, but is not limited thereto.

열처리소재진동부(530)는 열처리소재(520)의 하면 또는 열처리소재(520)의 상면에 복수개 배치될 수 있다. 열처리소재진동부(530)는 열처리소재(520)의 모서리 부분과 인접하여 배치될 수 있다.A plurality of heat treatment material vibrating units 530 may be disposed on the lower surface of the heat treatment material 520 or the upper surface of the heat treatment material 520 . The heat treatment material vibrating unit 530 may be disposed adjacent to a corner portion of the heat treatment material 520 .

프레임진동부(540)는 제2 주파수 및 제2 진폭을 가지는 진동을 내부프레임(210)에 전달하도록 배치될 수 있다. 여기서 제2 주파수는 제1 주파수보다 낮은 주파수를 지칭하고, 제2 진폭은 제1 진폭보다 큰 진폭을 지칭한다. 예컨대, 제2 주파수는 15,000 Hz 내지 20,000 Hz일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 프레임진동부(540)는 초음파 방식으로 진동을 발생시킬 수 있다. 프레임진동부(540)는 열처리소재진동부(530)보다 진폭을 크게 하여, 열처리 과정에서 발생하여 내부프레임(210)의 내벽에 달라붙는 이물질을 떨어뜨릴 수 있다. 여기서 이물질은 PAA의 경화과정에서 발생하는 퓸일 수 있다. 내부프레임(210)의 내벽에서 떨어진 이물질은 가스배출기(640)를 통하여 외부로 배출될 수 있다.The frame vibrator 540 may be disposed to transmit vibrations having a second frequency and a second amplitude to the inner frame 210 . Here, the second frequency refers to a frequency lower than the first frequency, and the second amplitude refers to an amplitude greater than the first amplitude. For example, the second frequency may be 15,000 Hz to 20,000 Hz, but is not limited thereto. The frame vibrator 540 may generate vibration in an ultrasonic manner. The frame vibrating unit 540 may have a larger amplitude than the heat treatment material vibrating unit 530 to drop foreign substances that are generated during the heat treatment process and adhere to the inner wall of the inner frame 210 . Here, the foreign material may be fumes generated during the curing process of the PAA. Foreign substances falling from the inner wall of the inner frame 210 may be discharged to the outside through the gas exhaust unit 640 .

프레임진동부(540)는 내부프레임(210)의 내벽에 복수개 배치될 수 있으며, 내부프레임(210) 내벽의 각 면에 적어도 하나가 배치될 수 있다. 프레임진동부(540)는 내부프레임(210)의 외벽에 배치될 수 있다.A plurality of frame vibrating units 540 may be disposed on the inner wall of the inner frame 210 , and at least one may be disposed on each side of the inner wall of the inner frame 210 . The frame vibrating unit 540 may be disposed on the outer wall of the inner frame 210 .

도 2에는, 열처리소재진동부(530) 및 프레임진동부(540)가 마이크로파를 이용하여 가열하는 열처리 장치에 함께 도시되어 있으나 이에 제한되지 않으며, 마이크로파가 아닌 종래의 IR 방식의 열처리장치에도 배치될 수 있다. 예컨대, IR 방식의 열처리장치의 경우 열처리소재진동부(530)는 열처리의 대상을 진동시키기 위해 열처리소재 또는 열처리소재와 인접한 부분에 배치될 수 있고, 프레임진동부(540)는 본 개시와 마찬가지로 이물질이 달라붙은 프레임의 내벽을 진동시키기 위해 프레임과 인접한 부분에 배치될 수 있다.In FIG. 2, the heat treatment material vibrating unit 530 and the frame vibrating unit 540 are shown together in the heat treatment apparatus for heating using microwaves, but the present invention is not limited thereto. can For example, in the case of an IR-type heat treatment apparatus, the heat treatment material vibrating unit 530 may be disposed in a heat treatment material or a portion adjacent to the heat treatment material in order to vibrate the object to be heat treated, and the frame vibrating unit 540 is a foreign material as in the present disclosure. It may be placed in a portion adjacent to the frame to vibrate the inner wall of the clinging frame.

온도센서(510)는 내부챔버(200) 영역에 배치되어 있다. 제어부(미도시)가 내부챔버(200) 영역이 균일하게 가열되는지 여부를 판단하기 위해 복수의 온도센서(510)가 서로 이격되어 배치될 수 있다. 본 개시의 일 실시예에 따르면 복수의 온도센서(510)는 열처리소재지지부(500)의 단부에 배치될 수 있다. 열처리소재지지부(500)의 단부에 배치될 경우 열처리 대상이 있는 열처리소재(520)와 근접한 위치에서 온도를 감지할 수 있다. 온도센서(510)를 열처리 대상이 있는 열처리소재(520)와 근접한 위치에 배치함으로써 열처리 대상이 균일하게 가열되는지 여부를 더 정확하게 파악할 수 있다. 온도센서(510)는 반드시 열처리소재지지부(500)의 단부에 배치되어야 하는 것은 아니고, 내부챔버(200) 영역의 온도를 감지할 수 있도록 배치될 수도 있다. The temperature sensor 510 is disposed in the inner chamber 200 region. In order for the controller (not shown) to determine whether the region of the inner chamber 200 is uniformly heated, a plurality of temperature sensors 510 may be disposed to be spaced apart from each other. According to an embodiment of the present disclosure, the plurality of temperature sensors 510 may be disposed at an end of the heat treatment material support unit 500 . When it is disposed at the end of the heat treatment material support unit 500, the temperature can be sensed at a position close to the heat treatment material 520 having a heat treatment target. By disposing the temperature sensor 510 in a position close to the heat treatment material 520 having the heat treatment target, it is possible to more accurately determine whether the heat treatment target is uniformly heated. The temperature sensor 510 does not necessarily have to be disposed at the end of the heat treatment material support unit 500 , but may be disposed to sense the temperature of the inner chamber 200 region.

내부챔버(200) 영역의 온도는 제어부(미도시)에 의해 제어된다. 제어부(미도시)는 온도센서(510)로부터 온도감지에 관한 신호를 수신하여 측정한 온도를 피드백 받아 내부챔버(200) 영역의 온도를 제어할 수 있다. 제어부(미도시)는 PI 제어 또는 PID 제어를 이용하여 온도를 제어할 수 있다. The temperature of the inner chamber 200 region is controlled by a controller (not shown). The controller (not shown) may receive a signal related to temperature sensing from the temperature sensor 510 and receive the measured temperature as feedback to control the temperature of the inner chamber 200 region. The controller (not shown) may control the temperature using PI control or PID control.

제어부(미도시)는 복수의 온도센서(510) 중 일부로부터 내부챔버(200) 영역의 온도를 피드백 받아 온도를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어부(미도시)는 복수의 온도센서(510) 중 하나의 온도센서(510)를 이용하여 온도제어를 수행할 수 있다. 또는 제어부(미도시)는 복수의 온도센서(510) 중 두개의 온도센서(510)를 이용하여 두 온도센서(510)로부터 측정된 온도의 평균값을 이용하여 온도제어를 수행할 수 있다.The controller (not shown) may receive feedback from some of the plurality of temperature sensors 510 and control the temperature of the region of the inner chamber 200 . For example, the controller (not shown) may perform temperature control using one temperature sensor 510 among the plurality of temperature sensors 510 . Alternatively, the controller (not shown) may use two temperature sensors 510 among the plurality of temperature sensors 510 to perform temperature control using an average value of the temperatures measured from the two temperature sensors 510 .

가스순환장치(600)는 가스관(610), 가스주입기(620), 가스분사기(630) 및 가스배출기(640)를 포함할 수 있다. 가스관(610)은 외부프레임(110) 및 내부프레임(210)을 관통하도록 구성된다. 가스분사기(630)는 가스관(610)을 관통하여 이동하는 가스를 내부챔버(200)로 분사하도록 구성된다. 가스분사기(630)는 적어도 하나가 배치될 수 있으며, 복수개가 배치된 경우 가스를 내부챔버(200)에 골고루 분사하기 위해 서로 소정 거리 이격되어 배치될 수 있다.The gas circulation device 600 may include a gas pipe 610 , a gas injector 620 , a gas injector 630 , and a gas exhauster 640 . The gas pipe 610 is configured to pass through the outer frame 110 and the inner frame 210 . The gas injector 630 is configured to inject the gas moving through the gas pipe 610 into the inner chamber 200 . At least one gas injector 630 may be arranged, and when a plurality of gas injectors 630 are arranged, they may be arranged to be spaced apart from each other by a predetermined distance in order to evenly inject gas into the inner chamber 200 .

열처리소재를 고온에서 열처리할 때, 열처리소재(520)가 경화되는 과정에서 열처리소재(520)에서 기체가 나올 수 있는데, 이러한 기체를 내부챔버(200)로부터 배출시켜야 한다. 예컨대, 폴리이미드를 열처리할 경우, 폴리이미드가 경화되는 과정에서 퓸(fume)이 발생된다. 퓸은 열처리 챔버(10)의 고장을 발생시키거나 가열 기능을 저하시키는 원인이 되므로 외부로 배출시켜 처리해야 한다. 퓸이 발생했을 때 가스주입기(620)에 가스를 주입한다. 가스는 가스관(610)을 거쳐 가스분사기(630)에 의해 내부챔버(200)로 분사된다. 여기서 가스는 비활성 가스로서 질소 또는 아르곤 등일 수 있다. When the heat treatment material is heat treated at a high temperature, gas may come out of the heat treatment material 520 while the heat treatment material 520 is hardened, and this gas must be discharged from the inner chamber 200 . For example, when polyimide is heat-treated, fume is generated while the polyimide is cured. Since the fume causes a malfunction of the heat treatment chamber 10 or deteriorates the heating function, it must be discharged to the outside for treatment. When fume is generated, gas is injected into the gas injector 620 . The gas is injected into the inner chamber 200 by the gas injector 630 through the gas pipe 610 . Here, the gas may be nitrogen or argon as an inert gas.

가스배출기(640)는 내부챔버(200)에 있는 가스의 적어도 일부를 배출하도록 구성된 장치이다. 가스배출기(640)는 적어도 하나가 배치될 수 있으며, 복수개가 배치된 경우 내부챔버(200) 내의 가스를 효과적으로 배출하기 위해 서로 소정 거리 이격되어 배치될 수 있다. 가스배출기(640)는 주로 내부챔버(200)의 공기중에 있는 퓸을 배출한다. The gas exhauster 640 is a device configured to exhaust at least a portion of the gas in the inner chamber 200 . At least one gas exhauster 640 may be disposed, and when a plurality of gas exhausters 640 are disposed, they may be disposed to be spaced apart from each other by a predetermined distance in order to effectively discharge gas in the inner chamber 200 . The gas exhauster 640 mainly discharges the fume in the air of the inner chamber 200 .

분산부재(400)는 외부프레임(110)의 내벽에 배치되며, 입사된 마이크로파를 내부챔버(200) 및 외부 챔버(100) 중 적어도 한 곳으로 분산시키도록 구성된다. 분산부재(400)는 조사된 마이크로파를 여러 방향으로 반사시켜 마이크로파가 열처리 챔버(10) 내부가 전체적으로 균일하게 가열되도록 형성된다.The dispersing member 400 is disposed on the inner wall of the outer frame 110 , and is configured to disperse the incident microwave to at least one of the inner chamber 200 and the outer chamber 100 . The dispersing member 400 is formed to reflect the irradiated microwaves in various directions so that the microwaves heat the entire interior of the heat treatment chamber 10 uniformly.

분산부재(400)는 알루미늄 등과 같이 마이크로파를 반사하는 재질로 이루어질 수 있다.The dispersing member 400 may be made of a material that reflects microwaves, such as aluminum.

분산부재(400)는 외부프레임(110)의 복수의 내벽 중 적어도 하나의 내벽에 복수개 배치될 수 있다. A plurality of dispersion members 400 may be disposed on at least one inner wall of the plurality of inner walls of the outer frame 110 .

하나의 분산부재(400)는 복수의 반사부(410)를 포함할 수 있다. 도 3을 참조하면, 분산부재(400)는 제1 내지 제5 반사부(410a 내지 410e)를 포함하고 있다. 제1 내지 제5 반사부(410a 내지 410e)는 분산부재(400)의 밑면(420)과 수직한 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.One dispersion member 400 may include a plurality of reflection units 410 . Referring to FIG. 3 , the dispersing member 400 includes first to fifth reflecting units 410a to 410e. The first to fifth reflection parts 410a to 410e may be formed to extend in a direction perpendicular to the bottom surface 420 of the dispersion member 400 .

복수의 반사부(410) 중 적어도 두 개의 반사부는 서로 다른 높이(l)를 가질 수 있다. 바람직하게는, 도 5에 도시된 바와 달리 복수의 반사부(410)는 각각 높이(l)를 달리하여 형성될 수 있다. At least two of the plurality of reflectors 410 may have different heights l. Preferably, unlike shown in FIG. 5 , the plurality of reflective units 410 may be formed to have different heights l.

각 반사부(410)는 반사부(410)의 일단에 형성된 상면 및 상면으로부터 수직하게 연장되는 측면을 포함할 수 있다. 반사부(410)는 반드시 직면으로만 이루어져야 하는 것은 아니고 상면 또는 측면이 곡면으로 이루어질 수도 있다.Each reflector 410 may include an upper surface formed at one end of the reflector 410 and a side surface extending vertically from the upper surface. The reflector 410 does not necessarily have to face only and may have a curved top or side surface.

분산부재(400)는 외부프레임(110) 내주면에 복수개가 따로 배치될 수 있으나, 일체형으로 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반사부(410)의 각각의 형상 및 배치구조를 하나의 반사패턴으로 정하고, 반사패턴이 반복되는 형태의 분산부재(400)가 형성될 수 있다. 이러한 일체형 분산부재(400)는 외부프레임(110)의 각 벽면에 한 개씩 배치될 수 있다.A plurality of dispersing members 400 may be separately disposed on the inner circumferential surface of the outer frame 110 , but may be formed integrally. That is, each shape and arrangement structure of the plurality of reflective units 410 may be set as one reflective pattern, and the dispersion member 400 in which the reflective pattern is repeated may be formed. One such integrated dispersing member 400 may be disposed on each wall surface of the outer frame 110 .

분산부재(400)의 형상은 상기 설명한 형상으로 한정되는 것이 아니라, 높이(l)를 달리하여 마이크로파의 위상을 다르게 반사시킬 수 있는 형상이라면 본 개시에 따른 분산부재(400)에 해당한다. 예컨대, 분산부재(400)는 반구(hemisphere) 형상을 가진 반사부를 포함할 수도 있다.The shape of the dispersing member 400 is not limited to the above-described shape, and any shape capable of reflecting the phase of microwaves differently by varying the height l corresponds to the dispersing member 400 according to the present disclosure. For example, the dispersing member 400 may include a reflective portion having a hemisphere shape.

도 3에는 제3 반사부(410c)가 나머지 반사부보다 넓은 폭을 가지도록 형성되어 있으나, 이에 제한되지 않으며 제1 내지 제5 반사부(410a 내지 410e)는 동일한 폭(f)을 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 도 3에는 분산부재가 중심선(C)을 기준으로 대칭적으로 형성되어 있으나 이는 예시적인 것으로 반드시 대칭을 이루어 형성되지 않아도 무방하다.In FIG. 3 , the third reflective part 410c is formed to have a wider width than the other reflective parts, but the present invention is not limited thereto, and the first to fifth reflective parts 410a to 410e may be formed to have the same width f. can In addition, although the dispersion member is formed symmetrically with respect to the center line (C) in FIG. 3, this is exemplary and may not necessarily be formed symmetrically.

각 반사부(410)는 마이크로파가 주로 반사되는 영역인 상면과, 상면에 수직한 측면으로 이루어질 수 있다. 각 면은 직면으로 형성되어 있으나, 곡면으로 형성될 수도 있다.Each reflector 410 may have an upper surface, which is a region where microwaves are mainly reflected, and a side surface perpendicular to the upper surface. Each surface is formed as a facing, but may also be formed as a curved surface.

도 3에 도시된 분산부재(400)의 형상은 예시적인 것으로서, 분산부재(400)에 포함된 각 반사부(410) 중 높이(l)를 달리하는 적어도 두 개 이상의 반사부(410)가 형성된다면 본 개시에 해당한다.The shape of the dispersing member 400 shown in FIG. 3 is exemplary, and at least two reflective units 410 having different heights l among the reflective units 410 included in the dispersing member 400 are formed. If yes, it falls under the present disclosure.

분산부재(400)가 높이(l)를 달리하는 복수의 반사부(410)로 이루어짐으로써, 마이크로파가 분산부재(400)의 각 반사부(410)를 반사할 때 반사부(410)의 높이(l) 차이에 따라 각기 다른 위상을 갖는 마이크로파가 발생된다. 반사되는 마이크로파의 위상이 다양해짐에 따라 내부챔버(200) 영역에 마이크로파를 균일한 세기로 조사한다는 기술적 특징이 있다. Since the dispersing member 400 is composed of a plurality of reflection units 410 having different heights l, the height of the reflection unit 410 when the microwave reflects each reflection unit 410 of the dispersing member 400 ( l) Microwaves with different phases are generated according to the difference. As the phases of the reflected microwaves are varied, there is a technical feature of irradiating the microwaves with a uniform intensity to the region of the inner chamber 200 .

즉, 마이크로파가 분산부재(400)에 입사하게 되면, 각 반사부(410)들의 표면에 부딪혀서 반사되어 맞은편의 분산부재(400)의 각 반사부(410)에 부딪혀 다시 반사되어 되돌아오게 되는 과정이 반복되기 때문에, 내부챔버(200) 영역에 마이크로파가 고르게 분산될 수 있다. 각 반사부(410)에 의해 반사되어 반사부(410)의 길이 차이에 따라 각기 다른 위상을 갖는 마이크로파가 형성된다. That is, when the microwave is incident on the dispersing member 400 , it collides with the surface of each reflective unit 410 and is reflected, collides with each reflective unit 410 of the dispersing member 400 on the opposite side, and is reflected back. Since it is repeated, microwaves may be evenly distributed in the area of the inner chamber 200 . Microwaves having different phases are formed by being reflected by each of the reflection units 410 and having different phases according to the difference in length of the reflection units 410 .

예컨대, 도 4를 참조하면, 제1 마이크로파(m1)가 하나의 반사부에 반사되는 경우, 반사된 제2 마이크로파(m2)가 맞은편에 배치된 반사부에 반사되는데, 맞은편 반사부의 높이가 서로 달라 제3 마이크로파(m3)로 반사될 때 다른 위상을 갖는 마이크로파가 형성될 수 있다.For example, referring to FIG. 4 , when the first microwave m1 is reflected by one reflective part, the reflected second microwave m2 is reflected by the reflective part disposed on the opposite side, and the height of the opposite reflective part is When different from each other and reflected by the third microwave m3, microwaves having different phases may be formed.

도 5의 (a)는 마이크로파가 일반적인 반사면을 반사하는 경우를 나타낸 그래프이고, 도 5의 (b)는 마이크로파가 본 개시의 일 실시예에 따른 분산부재를 반사하는 경우를 나타낸 그래프이다.FIG. 5A is a graph illustrating a case in which microwaves reflect a general reflective surface, and FIG. 5B is a graph illustrating a case in which microwaves reflect a dispersion member according to an embodiment of the present disclosure.

외부프레임(110) 내부에 본 개시의 일 실시예에 따른 분산부재(400)가 아닌 평평한 반사판이 배치되어 있을 경우, 마이크로파가 조사되어도 위상이 다양해지지 않아 도 5의 (a)와 같은 패턴으로 챔버 내에 마이크로파가 흐르게 된다. 이 경우 마이크로파의 세기가 약한 지역(Y)은 가열이 되지 않을 것이고, 마이크로파의 세기가 강한 특정 지역(X)만 국부가열된다는 단점이 발생한다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서는 주파수가 다른 다양한 마이크로파를 바꿔가며 발진해야 하는데, 현행법 상 상업에 이용할 수 있는 마이크로파의 주파수는 한정되어 있다. 즉, 단일주파수를 이용해야 한다. 열처리의 대상이 도포된 열처리소재(520)에 고온에서 발화되는 성분이 포함된 경우에는 국부가열로 인해 일부 지역이 지나치게 가열됨으로써 스파크 등과 같은 화재가 발생할 우려도 있다.When a flat reflector, not the dispersion member 400 according to an embodiment of the present disclosure, is disposed inside the outer frame 110, the phase does not vary even when irradiated with microwaves, so that the chamber has a pattern as shown in (a) of FIG. 5 . Microwaves flow through it. In this case, the area (Y) where the intensity of the microwave is weak will not be heated, and there is a disadvantage that only a specific area (X) having the intensity of the microwave is locally heated. In order to solve this problem, it is necessary to oscillate with various microwaves having different frequencies, but under the current law, the frequencies of microwaves available for commercial use are limited. That is, a single frequency must be used. If the heat treatment material 520 to which the heat treatment is applied contains a component that is ignited at a high temperature, there is a possibility that a fire such as a spark may occur due to excessive heating of some areas due to local heating.

도 5의 (b)를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 분산부재(400)를 사용하는 경우, 마이크로파가 서로 다른 높이를 가진 반사부(410)에 반사됨으로써, 다양한 위상의 마이크로파가 내부챔버(200) 영역에 조사될 수 있다. 본 개시에 따른 경우 도 7의 (b)와 같이 모든 지역에 균일한 세기로 마이크로파가 조사되고, 일부 지역에 지나친 국부가열이 발생하지 않음으로써 스파크 발생과 같은 위험한 상황을 예방할 수 있다. 즉, 분산부재(400)는 마이크로파의 파장의 길이는 그대로 유지시키되 위상을 달리하는 마이크로파를 형성함으로써, 열처리의 대상을 균일하게 가열할 수 있다.Referring to FIG. 5B , when the dispersing member 400 according to an embodiment of the present disclosure is used, the microwaves are reflected by the reflectors 410 having different heights, so that microwaves of various phases are generated inside. A region of the chamber 200 may be irradiated. In the case of the present disclosure, dangerous situations such as spark generation can be prevented by irradiating microwaves with uniform intensity to all regions as shown in FIG. 7B , and excessive local heating does not occur in some regions. That is, the dispersing member 400 can uniformly heat the subject of heat treatment by forming microwaves having different phases while maintaining the wavelength of the microwave as it is.

본 개시에 따른 일 실시예의 경우 마이크로파 및 분산부재(400)를 이용하여 효과적으로 열처리함으로써 열처리 공정의 시간을 단축시킬 수 있다. 즉, 고온에서 열경화시키는 시간을 단축시켜 열처리소재(520)에서 발생된 기체를 가스순환장치(600)를 이용하여 제거하는 시간을 충분히 확보할 수 있다. 그 결과 다른 종래기술보다 열처리 챔버(10)의 퓸에 의한 오염 및 오작동을 방지할 수 있다는 기술적 특징이 있다.In the case of an embodiment according to the present disclosure, the time of the heat treatment process can be shortened by effectively heat-treating using the microwave and the dispersing member 400 . That is, it is possible to sufficiently secure a time for removing the gas generated from the heat treatment material 520 by using the gas circulation device 600 by shortening the time for thermosetting at a high temperature. As a result, there is a technical feature that can prevent contamination and malfunction of the heat treatment chamber 10 by fume than other prior art.

내부챔버(200) 내에는 열처리소재(520)가 슬라이드 방식으로 삽입될 수 있도록 내부챔버(200) 내 좌우측에 삽입부(220)가 배치될 수 있다. 삽입부(220)에는 열처리소재(520)뿐 아니라 마이크로파 발열부(700) 및 열 반사판(800) 또한 슬라이드 방식으로 삽입될 수 있다.Insertion parts 220 may be disposed on the left and right sides of the inner chamber 200 so that the heat treatment material 520 can be inserted in the slide manner in the inner chamber 200 . In addition to the heat treatment material 520 , the microwave heating unit 700 and the heat reflector 800 may be inserted into the insertion unit 220 in a slide manner.

삽입부(220)에는 복수의 삽입홈이 형성되어 있어, 복수개의 열처리소재(520)가 삽입될 수 있다. A plurality of insertion grooves are formed in the insertion part 220 , so that a plurality of heat treatment materials 520 may be inserted therein.

마이크로파 발열부(700)는 내부챔버(200)에서 열처리소재(520)의 상부 또는 하부에 이격 배치되고, 마이크로파에 의해 발열되도록 구성된다. 마이크로파 발열부(700)에 마이크로파가 조사되면 가열이 되어 마이크로파 발열부(700)의 온도가 올라간다. 온도가 올라간 마이크로파 발열부(700)는 내부챔버(200) 내의 온도를 증가시킨다. 마이크로파 발열부(700)와 열처리소재(520) 사이 거리(h)가 좁을수록 열처리 효율은 더욱 증가한다.The microwave heating unit 700 is spaced apart from the upper or lower portion of the heat treatment material 520 in the inner chamber 200, and is configured to be heated by microwaves. When the microwave heating unit 700 is irradiated with microwaves, it is heated and the temperature of the microwave heating unit 700 rises. The microwave heating unit 700 having an increased temperature increases the temperature in the inner chamber 200 . The shorter the distance h between the microwave heating part 700 and the heat treatment material 520, the more the heat treatment efficiency increases.

마이크로파 발열부(700)는 강유전체로 구성될 수 있다. 마이크로파 발열부(700)가 강유전체로 구성될 경우 마이크로파 발열부(700)은 마이크로파에 의해 500도 이상 발열될 수 있다. 또한, 도 6에 도시된 바와 같이 강유전체로 구성된 마이크로파 발열부(700)는 마이크로파(f0)를 투과시킬 수 있다. The microwave heating unit 700 may be formed of a ferroelectric. When the microwave heating unit 700 is formed of a ferroelectric material, the microwave heating unit 700 may be heated by 500 degrees or more by microwaves. In addition, as shown in FIG. 6 , the microwave heating unit 700 made of a ferroelectric may transmit microwaves f0.

마이크로파(f0)가 마이크로파 발열부(700)를 투과하면서 에너지 일부가 손실되는데, 그로 인해 파장의 길이가 긴 제1 내지 제3 투과파(f1 내지 f3)가 형성된다. 도 6에 도시된 제1 내지 제3 투과파(f1 내지 f3)은 예시적인 것으로 강유전체로 구성된 마이크로파 발열부(700)는 다양한 종류의 파장을 가지는 투과파를 형성할 수 있다. As the microwave f0 passes through the microwave heating unit 700 , some energy is lost, thereby forming first to third transmitted waves f1 to f3 having a long wavelength. The first to third transmitted waves f1 to f3 shown in FIG. 6 are exemplary, and the microwave heating unit 700 made of a ferroelectric may form transmitted waves having various types of wavelengths.

강유전체로 구성된 마이크로파 발열부(700)를 투과되어 형성된 다양한 길이의 복수의 파장은 열처리의 대상이 있는 열처리소재(520)에 조사되어, 열처리의 대상을 더욱 골고루 가열시킬 수 있는 효과가 있다. 즉, 마이크로파 발진부(300)가 단일 주파수의 파장을 발진하더라도, 강유전체로 구성된 마이크로파 발열부(700)에 의해 다양한 주파수의 파장을 열처리소재(520)에 조사할 수 있다. 마이크로파 발열부(700)는 고온으로 발열되어 열처리의 대상의 표면을 가열할 수 있을 뿐 아니라, 다양한 종류의 투과파를 열처리의 대상에 조사할 수 있다.A plurality of wavelengths of various lengths formed by passing through the microwave heating unit 700 made of a ferroelectric are irradiated to the heat treatment material 520 to be subjected to heat treatment, so that the heat treatment target can be heated more evenly. That is, even if the microwave oscillation unit 300 oscillates a wavelength of a single frequency, the heat treatment material 520 may be irradiated with wavelengths of various frequencies by the microwave heating unit 700 made of a ferroelectric. The microwave heating unit 700 may be heated to a high temperature to heat the surface of the target to be heat treated, and may irradiate various types of transmitted waves to the target to be heat treated.

본 개시는, 마이크로파 발진부(300)에서 나오는 마이크로파가 열처리 대상이 되는 물체의 내부를 가열함과 동시에, 마이크로파 발열부(700)에서 발생한 열과 다양한 파장을 가지는 투과파가 열처리 대상이 되는 물체의 외부 및 내부를 가열하여 열처리 공정의 시간을 단축시키고 열처리 대상을 균일하게 가열할 수 있다는 기술적 특징이 있다.In the present disclosure, microwaves emitted from the microwave oscillation unit 300 heat the inside of the object to be subjected to heat treatment, and at the same time, the heat generated from the microwave heating unit 700 and transmitted waves having various wavelengths are external to the object and By heating the inside, the time of the heat treatment process can be shortened and the heat treatment target can be uniformly heated.

열 반사판(800)은 마이크로파 발열부(700)에서 발생되는 열을 반사하도록 마이크로파 발열부(700)와 인접하여 배치될 수 있다. 도 2의 경우, 열처리소재(520)가 마이크로파 발열부(700)의 하부에 배치되어 있으므로 열 반사판(800)을 마이크로파 발열부(700)의 상부에 배치할 수 있다. 열 반사판(800)을 마이크로파 발열부(700)의 상부에 배치함으로써 열이 발산되는 것을 방지할 수 있다.The heat reflection plate 800 may be disposed adjacent to the microwave heating unit 700 to reflect heat generated from the microwave heating unit 700 . In the case of FIG. 2 , since the heat treatment material 520 is disposed below the microwave heating unit 700 , the heat reflection plate 800 may be disposed above the microwave heating unit 700 . By disposing the heat reflection plate 800 on the microwave heating part 700, it is possible to prevent heat from being dissipated.

다만, 열처리소재(520)가 마이크로파 발열부(700)의 상부에도 추가적으로 배치된 경우 열 반사판(800) 구성은 생략될 수 있다.However, when the heat treatment material 520 is additionally disposed on the microwave heating part 700 , the configuration of the heat reflector 800 may be omitted.

도 7은 본 개시의 다른 실시예에 따른 열처리 챔버의 내부 구조가 도시된 정면도이다. 도 7에 도시된 열처리 챔버는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 달리 하나의 챔버로 이루어져 있다. 도 7에는 설명의 편의상 가스순환장치(600)가 생략되어 도시되었으나, 외부프레임(110)의 일부를 관통하는 가스주입기 및 가스배출기가 배치될 수 있다.7 is a front view illustrating an internal structure of a heat treatment chamber according to another embodiment of the present disclosure. The heat treatment chamber shown in FIG. 7 is configured as a single chamber unlike that shown in FIGS. 1 to 3 . Although the gas circulation device 600 is omitted in FIG. 7 for convenience of explanation, a gas injector and a gas exhauster penetrating a part of the outer frame 110 may be disposed.

도 7에 도시된 열처리 챔버는 열처리를 진행하는 과정에서 오염물질을 형성하지 않는 열처리의 대상을 열처리할 때 사용될 수 있다. 따라서, 챔버 내 오염물질을 배출하기 위해 구성된 가스순환장치(600)는 생략될 수 있다. 도 7에 도시된 열처리 챔버에 내부프레임(210) 및 가스순환장치(600) 등을 추가 구성하면 도 2의 열처리 챔버와 같이 될 수 있다.The heat treatment chamber shown in FIG. 7 may be used to heat an object to be heat treated that does not form contaminants during heat treatment. Accordingly, the gas circulation device 600 configured to discharge contaminants in the chamber may be omitted. If the inner frame 210 and the gas circulation device 600 are additionally configured in the heat treatment chamber shown in FIG. 7, the heat treatment chamber of FIG. 2 may be the same.

도 7에 도시된 바에 따르면, 열처리 챔버는 챔버, 마이크로파 발진부(300) 및 분산부재(400)를 포함할 수 있다. 챔버는 일측에 개구부가 형성되고 내부를 단열하도록 구성된 외부프레임을 포함하고, 개구부로부터 열처리의 대상이 반입 또는 반출되도록 구성된다. 마이크로파 발진부(300)는 챔버의 내부로 마이크로파를 발진하도록 구성된다. 마이크로파 발진부(300)는 복수개 배치될 수 있다. 분산부재(400)는 외부프레임(110)의 내벽에 배치되며, 입사된 마이크로파를 챔버의 내부로 분산시키도록 구성된다. 분산부재(400)는 복수개 배치될 수 있다.As shown in FIG. 7 , the heat treatment chamber may include a chamber, a microwave oscillation unit 300 , and a dispersion member 400 . The chamber is configured to have an opening formed on one side and include an external frame configured to insulate the inside, and to carry in or take out the subject of heat treatment from the opening. The microwave oscillator 300 is configured to oscillate microwaves into the chamber. A plurality of microwave oscillation units 300 may be disposed. The dispersing member 400 is disposed on the inner wall of the outer frame 110 and is configured to disperse the incident microwave into the interior of the chamber. A plurality of dispersing members 400 may be disposed.

도 7에 도시된 바에 따르면, 분산부재(400)는 외부프레임(110)의 내벽에 배치되어 있고, 외부프레임(110) 내부의 공간인 챔버에는 열처리소재(520)가 열처리소재지지부(500)에 의해 지지되어 배치되어 있다. 열처리소재(520)의 상부에는 마이크로파 발열부(700)가 배치될 수 있다. 열처리의 대상은 열처리소재(520) 상에 배치하여 열처리할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 도 2에 도시된 바와 같이 슬라이딩 방식으로 구성될 수도 있고 트레이 방식으로 구성될 수도 있다.As shown in FIG. 7 , the dispersion member 400 is disposed on the inner wall of the outer frame 110 , and the heat treatment material 520 is placed on the heat treatment material support unit 500 in the chamber that is the space inside the outer frame 110 . supported and placed by A microwave heating unit 700 may be disposed on the upper portion of the heat treatment material 520 . The subject of the heat treatment may be disposed on the heat treatment material 520 to be heat treated, but is not limited thereto and may be configured in a sliding manner or a tray method as shown in FIG. 2 .

도 7에 도시된 바에 따르면, 도 2에 도시된 열처리 챔버와는 달리, 프레임진동부(540)가 외부프레임(110)의 내벽에 배치될 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고 프레임진동부(540)는 외부프레임(110)의 외벽에 배치될 수 있다.As shown in FIG. 7 , unlike the heat treatment chamber shown in FIG. 2 , the frame vibrating unit 540 may be disposed on the inner wall of the outer frame 110 . However, the present invention is not limited thereto, and the frame vibrating unit 540 may be disposed on the outer wall of the outer frame 110 .

본 개시에 따르면, 마이크로파는 단순히 외부만 가열하는 것이 아니라 열처리 대상이 되는 물체 내부에 존재하는 액체 성분 등을 유도가열하는 것이므로, 표면 부분이 경화되기 이전에 내부가 경화되면서 퓸이 나올 수 있게 된다. 따라서 퓸을 제거하는 데 시간을 단축하여 생산공정 효율을 증대시킬 수 있고 열처리 챔버(10)에 소모되는 전력 또한 절약할 수 있다는 기술적 특징이 있다. According to the present disclosure, the microwave does not simply heat the outside, but induction heats the liquid component present inside the object to be heat treated, so that the fumes can be emitted while the inside is hardened before the surface part is hardened. Therefore, it is possible to increase the production process efficiency by shortening the time to remove the fume, there is a technical feature that can also save the power consumed in the heat treatment chamber (10).

이러한 마이크로파의 특성으로 인해 종래의 IR 방식에서는 450도 내지 500도 사이에서 열 경화를 진행했다면 본 개시에 따른 일 실시예는 350도 내지 400도 사이에서도 기존 열처리 챔버들보다 낮은 온도에서 더 짧은 시간에 열처리가 가능하다.If thermal curing was performed between 450 and 500 degrees in the conventional IR method due to the characteristics of these microwaves, an embodiment according to the present disclosure can be performed at a lower temperature and in a shorter time than conventional heat treatment chambers even between 350 and 400 degrees. Heat treatment is possible.

본 개시는 단일 주파수를 가진 마이크로파를 이용하여 내부챔버(200) 영역을 균등 가열할 수 있다는 데 기술적 특징이 있다.The present disclosure has a technical feature in that the region of the inner chamber 200 can be uniformly heated using a microwave having a single frequency.

도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 개략도이다. 도 8에 도시된 인라인 열처리 장치는 예시적인 것이다. 도 8에 도시된 구성 중 본 개시의 열처리 장치와 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.8 is a schematic diagram of an in-line heat treatment apparatus according to an embodiment of the present disclosure. The in-line heat treatment apparatus shown in FIG. 8 is exemplary. A description of the configuration overlapping with the heat treatment apparatus of the present disclosure among the configurations shown in FIG. 8 will be omitted.

도 8을 참조하면, 인라인 열처리 장치는 마이크로파 발진부(300), 분산부재(400), 마이크로파 발열부(700), 이송부(910) 및 하우징(920)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8 , the inline heat treatment apparatus may include a microwave oscillation unit 300 , a dispersion member 400 , a microwave heating unit 700 , a transfer unit 910 , and a housing 920 .

이송부(910)는 열처리의 대상이 하우징(920) 내에서 열처리되는 동안 열처리의 대상을 입구측에서 출구측 방향으로 이송시키는 장치이다. 이송부(910)는 이송롤러(911)와 이송벨트로 구성될 수 있으며, 복수의 이송롤러(911)가 회전됨으로써 이송벨트 상에 배치된 적어도 하나의 열처리소재(520)를 출구측으로 이동시킬 수 있다.The transfer unit 910 is a device for transferring the object to be heat treated from the inlet side to the outlet side while the subject to be heat treated is heat treated in the housing 920 . The transfer unit 910 may include a transfer roller 911 and a transfer belt, and by rotating the plurality of transfer rollers 911, at least one heat treatment material 520 disposed on the transfer belt may be moved to the exit side. .

열처리소재(520)의 일면에는 열처리소재진동부(530)가 배치될 수 있다. 하우징(920)의 내벽에는 프레임진동부(540)가 배치될 수 있다. 마이크로파 발열부(700)는 이송부(910)로부터 일정 거리 이격되어 배치된다. 마이크로파 발열부(700)는 이송부(910)의 상부에 일정 거리 이격되어 배치된다. 마이크로파 발열부(700)는 강유전체로 구성될 수 있다.A heat treatment material vibrating unit 530 may be disposed on one surface of the heat treatment material 520 . A frame vibrating unit 540 may be disposed on an inner wall of the housing 920 . The microwave heating unit 700 is disposed to be spaced apart from the transfer unit 910 by a predetermined distance. The microwave heating unit 700 is disposed on the upper portion of the transfer unit 910 to be spaced apart from each other by a predetermined distance. The microwave heating unit 700 may be formed of a ferroelectric.

인라인 열처리 장치의 하우징(920)은 열처리의 대상이 내부에서 열처리되는 동안 외부의 공기가 유입되지 않도록 하는 차폐벽이 배치될 수 있다. 하우징(920)은 열처리의 대상이 진입할 수 있는 입구가 일측에 형성되고, 타측에는 열처리의 대상이 진출할 수 있는 출구가 형성된다.In the housing 920 of the in-line heat treatment apparatus, a shielding wall may be disposed to prevent external air from being introduced while the object to be heat treated is heat treated inside. The housing 920 has an inlet through which the subject of heat treatment can enter on one side, and an outlet through which the subject of heat treatment can advance at the other side.

도 8에는 도시되지 않았으나, 인라인 열처리 장치는 도 2에 도시된 열처리 챔버와 마찬가지로 가스순환장치를 더 포함할 수 있다.Although not shown in FIG. 8 , the inline heat treatment apparatus may further include a gas circulation device, like the heat treatment chamber illustrated in FIG. 2 .

이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of this embodiment, and various modifications and variations will be possible without departing from the essential characteristics of the present embodiment by those skilled in the art to which this embodiment belongs. Accordingly, the present embodiments are intended to explain rather than limit the technical spirit of the present embodiment, and the scope of the technical spirit of the present embodiment is not limited by these embodiments. The protection scope of this embodiment should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present embodiment.

10: 열처리 챔버 100: 외부챔버
200: 내부챔버 300: 마이크로파 발진부
400: 분산부재 410: 반사부
500: 열처리소재지지부 600: 가스순환장치
700: 마이크로파 발열부 800: 열 반사판
10: heat treatment chamber 100: outer chamber
200: inner chamber 300: microwave oscillation unit
400: dispersion member 410: reflector
500: heat treatment material support 600: gas circulation device
700: microwave heating part 800: heat reflector

Claims (14)

일측에 개구부가 형성되고 내부의 마이크로파를 차단하도록 구성된 외부프레임을 포함하고, 상기 외부프레임의 내부에 열처리의 대상이 포함되는 열처리소재가 배치되는 챔버;
상기 챔버의 내부로 상기 마이크로파를 발진하도록 구성된 적어도 하나의 마이크로파 발진부;
상기 외부프레임의 내벽에 배치되며, 입사된 상기 마이크로파를 상기 챔버의 내부로 분산시키도록 구성된 적어도 하나의 분산부재;
상기 챔버 내에 배치되고 상기 마이크로파 발진부에 의해 열이 발생하도록 구성된 마이크로파 발열부;
제1 주파수 및 제1 진폭을 가지는 진동을 상기 열처리의 대상에 전달하도록 배치된 열처리소재진동부; 및
상기 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수 및 상기 제1 진폭보다 큰 제2 진폭을 가지는 진동을 상기 외부프레임에 전달하도록 배치된 프레임진동부
를 포함하는 열처리 챔버.
A chamber having an opening formed on one side and including an external frame configured to block the microwave inside, the heat treatment material containing the subject of heat treatment is disposed inside the external frame;
at least one microwave oscillator configured to oscillate the microwave into the chamber;
at least one dispersing member disposed on the inner wall of the outer frame and configured to disperse the incident microwave into the chamber;
a microwave heating unit disposed in the chamber and configured to generate heat by the microwave oscillation unit;
a heat treatment material vibrating unit disposed to transmit vibrations having a first frequency and a first amplitude to the subject of the heat treatment; and
A frame vibrator disposed to transmit vibrations having a second frequency lower than the first frequency and a second amplitude greater than the first amplitude to the external frame
A heat treatment chamber comprising a.
제1항에 있어서,
상기 챔버는,
일측에 개구부가 형성된 내부프레임을 포함하고 상기 내부프레임의 개구부로부터 열처리의 대상이 반입 또는 반출되도록 구성된 내부챔버; 및
상기 외부프레임을 포함하고, 상기 내부프레임의 외부를 감싸도록 형성되어 상기 내부챔버를 단열하도록 구성된 외부챔버
를 포함하는 열처리 챔버.
The method of claim 1,
The chamber is
an inner chamber including an inner frame having an opening formed on one side and configured to carry in or take out a subject to be heat treated from the opening of the inner frame; and
An outer chamber including the outer frame, formed to surround the outside of the inner frame, and configured to insulate the inner chamber
A heat treatment chamber comprising a.
제1항에 있어서,
상기 마이크로파 발열부와 인접하여 배치되고, 상기 마이크로파 발열부에서 발생되는 열을 반사하도록 구성된 열 반사판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 챔버.
According to claim 1,
The heat treatment chamber according to claim 1, further comprising a heat reflecting plate disposed adjacent to the microwave heating unit and configured to reflect heat generated from the microwave heating unit.
제1항에 있어서,
상기 마이크로파 발열부는 강유전체인 것을 특징으로 하는 열처리 챔버.
According to claim 1,
The microwave heat treatment chamber, characterized in that the ferroelectric.
제1항에 있어서,
상기 마이크로파 발열부는 상기 열처리소재의 상부 및 하부에 복수개 배치되는 것을 특징으로 하는 열처리 챔버.
According to claim 1,
A heat treatment chamber, characterized in that the microwave heating part is disposed in a plurality of upper and lower portions of the heat treatment material.
일측에 개구부가 형성된 외부프레임을 포함하고, 상기 외부프레임의 내부에 열처리의 대상이 포함되는 열처리소재가 배치되는 챔버;
상기 열처리소재의 적어도 일부를 지지하도록 구성된 열처리소재지지부;
제1 주파수 및 제1 진폭을 가지는 진동을 상기 열처리의 대상에 전달하도록 배치된 열처리소재진동부; 및
상기 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수 및 상기 제1 진폭보다 큰 제2 진폭을 가지는 진동을 상기 외부프레임에 전달하도록 배치된 프레임진동부
를 포함하는 열처리 챔버.
a chamber including an outer frame having an opening formed on one side, and in which a heat treatment material containing a subject to be heat treated is disposed inside the outer frame;
a heat treatment material support portion configured to support at least a portion of the heat treatment material;
a heat treatment material vibrating unit disposed to transmit vibrations having a first frequency and a first amplitude to the subject of the heat treatment; and
A frame vibrator disposed to transmit vibrations having a second frequency lower than the first frequency and a second amplitude greater than the first amplitude to the external frame
A heat treatment chamber comprising a.
제6항에 있어서,
상기 열처리소재진동부는 상기 열처리소재지지부의 적어도 일부 또는 상기 열처리소재의 적어도 일부와 접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 열처리 챔버.
7. The method of claim 6,
Heat treatment chamber, characterized in that the heat treatment material vibrating unit is disposed in contact with at least a portion of the heat treatment material support portion or at least a portion of the heat treatment material.
삭제delete 제6항에 있어서,
상기 프레임진동부는 상기 외부프레임의 내벽 또는 외벽에 배치되는 것을 특징으로 하는 열처리 챔버.
7. The method of claim 6,
The heat treatment chamber, characterized in that the frame vibration unit is disposed on the inner wall or the outer wall of the outer frame.
제6항에 있어서,
상기 챔버는,
일측에 개구부가 형성된 내부프레임을 포함하고 상기 내부프레임의 개구부로부터 열처리의 대상이 반입 또는 반출되도록 구성된 내부챔버; 및
상기 외부프레임을 포함하고, 상기 내부프레임의 외부를 감싸도록 형성되어 상기 내부챔버를 단열하도록 구성된 외부챔버
를 포함하는 열처리 챔버.
7. The method of claim 6,
The chamber is
an inner chamber including an inner frame having an opening formed on one side and configured to carry in or take out a subject to be heat treated from the opening of the inner frame; and
An outer chamber including the outer frame, formed to surround the outside of the inner frame, and configured to insulate the inner chamber
A heat treatment chamber comprising a.
제10항에 있어서,
상기 프레임진동부는 상기 내부프레임의 내벽 또는 외벽에 배치되는 것을 특징으로 하는 열처리 챔버.
11. The method of claim 10,
The heat treatment chamber, characterized in that the frame vibration unit is disposed on the inner wall or the outer wall of the inner frame.
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