KR102356409B1 - 인버터 장치 - Google Patents

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Abstract

인버터 장치에 대한 발명이 개시된다. 개시된 인버터 장치는: 하우징부와; 하우징부의 내부에 배치되고, 직류에너지가 출력되며, 제1출력홀부가 형성되는 제1출력버스바를 구비하는 DC 커패시터부와; DC 커패시터부와 이격되게 하우징부의 내부에 배치되고, 직류에너지가 입력되며, 제1출력홀부와 마주보는 제2입력홀부가 형성되는 제2입력버스바를 구비하는 스위칭소자 모듈부와; 스위칭소자 모듈부와 DC 커패시터부 사이에 배치되고, 제1출력홀부 및 제2입력홀부와 마주보는 연결홀부가 형성되는 연결버스바를 구비하는 스너버커패시터 모듈부와; 제1출력홀부와 제2입력홀부와 연결홀부를 관통하여 결합되는 결합부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

인버터 장치{INVERTER DEVICE}
본 발명은 인버터 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 스위칭소자 모듈부의 스위칭 전압의 과도한 상승을 막아 안정적으로 직류전원을 교류전원으로 변환하여 전력변환효율을 향상시키는 인버터 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 인터버 장치는 전원으로부터 공급되는 직류전원을 스위칭하여 구동모터로 교류전원을 인가한다. 인터버 장치에서는 고전압 스위칭에 의한 과도한 전압 상승을 제한하기 위해 스너버 커패시터가 설치된다. 그러나, 이러한 스너버 커패시터는 DC(Direct Current) 커패시터와 스위칭 소자(IGBT: Insulated Gate Bipolar mode Transistor)모듈 사이에 설치하기 어려운 문제점이 있다. 따라서, 이를 개선할 필요성이 요청된다.
본 발명에 대한 배경기술은 대한민국 공개특허공보 제10-1684021호(발명의 명칭:차량용 인버터의 커패시터 모듈, 등록일:2016.12.01)에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 필요성에 의해 창출된 것으로서, 스위칭소자 모듈부의 스위칭 전압의 과도한 상승을 막아 안정적으로 직류전원을 교류전원으로 변환하여 전력변환효율을 향상시키는 인버터 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 인버터 장치는: 하우징부; 상기 하우징부의 내부에 배치되고, 직류에너지가 출력되며, 제1출력홀부가 형성되는 제1출력버스바를 구비하는 DC 커패시터부; 상기 DC 커패시터부와 이격되게 상기 하우징부의 내부에 배치되고, 상기 직류에너지가 입력되며, 상기 제1출력홀부와 마주보는 제2입력홀부가 형성되는 제2입력버스바를 구비하는 스위칭소자 모듈부; 상기 스위칭소자 모듈부와 상기 DC 커패시터부 사이에 배치되고, 상기 제1출력홀부 및 상기 제2입력홀부와 마주보는 연결홀부가 형성되는 연결버스바를 구비하는 스너버커패시터 모듈부; 및 상기 제1출력홀부와 상기 제2입력홀부와 상기 연결홀부를 관통하여 결합되는 결합부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스너버커패시터 모듈부는, 스너버커패시터 회로기판; 상기 스너버커패시터 회로기판에 설치되고, 서로 간에 소정거리로 이격되게 배치되는 복수개의 스너버커패시터; 및 상기 스너버커패시터 회로기판에 결합되며, 상기 연결홀부가 형성되는 상기 연결버스바;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 연결버스바는 복수개로 이웃하는 상기 연결버스바와의 이격거리가 상기 제1출력버스바와 이웃하는 상기 제1출력버스바와의 이격거리와 동일한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 연결버스바는, 상기 스너버커패시터 회로기판 상에서 상기 스너버커패시터가 설치된 반대측면에 결합되는 제1연결버스바; 및 상기 제1연결버스바에서 상기 스너버커패시터 회로기판의 반대방향으로 연장형성되고, 상기 연결홀부가 형성되는 제2연결버스바;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스너버커패시터는 상기 스너커커패시터 회로기판 상에서 너비와 길이방향으로 소정거리로 이격되게 배치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스너커커패시터 회로기판에는 복수개의 비아홀부가 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 비아홀부는 상기 스너커커패시터 회로기판 상에서 길이방향으로 일렬로 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 인버터 장치는 스너버커패시터 모듈부를 스위칭소자 모듈부와 DC 커패시터부 사이에 배치하여 서로 연결함으로써, 스위칭소자 모듈부의 스위칭 전압의 과도한 상승을 막아 안정적으로 직류전원을 교류전원으로 변환하여 전력변환효율을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 DC 커패시터부의 제1출력버스바와 스위칭소자 모듈부의 제2입력버스바의 길이를 변경하거나, 스위칭소자 모듈부의 크기를 변경하는 등 부품의 상태의 변경없이 기존의 스위칭소자 모듈부의 제1출력홀부와 DC 커패시터부의 제2입력홀부를 그대로 활용하여 스너버커패시터 모듈부를 스위칭소자 모듈부와 DC 커패시터부와 연결할 수 있어 부품의 활용성이 증대될 뿐만 아니라, 스너버커패시터 모듈부를 연결하는 별도의 부품이 필요없어 부품이 간소화될 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에서 스너버커패시터는 스너버커패시터 회로기판 상에서 병렬과 직렬로 혼합되어 배치되므로, 스너버커패시터 모듈부를 다양한 종류의 인버터 장치에 적용하여 사용할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치의 하우징부에서 DC 커패시터부와 스위칭소자 모듈부와 스너버커패시터 모듈부를 분리한 것을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 스너버커패시터 모듈부을 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 일 실시예에 따른 인버터 장치의 DC 커패시터부와 스위칭소자 모듈부와 스너버커패시터 모듈부를 서로 분리한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 따른 인버터 장치의 DC 커패시터부와 스위칭소자 모듈부와 스너버커패시터 모듈부가 서로 결합된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치의 스너버커패시터 모듈부를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치의 스너버커패시터 모듈부를 다른 측면에서 바라본 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치의 스너버커패시터 모듈부를 또 다른 측면에서 바라본 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치를 설명하도록 한다.
이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치의 하우징부에서 DC 커패시터부와 스위칭소자 모듈부와 스너버커패시터 모듈부를 분리한 것을 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2의 스너버커패시터 모듈부을 확대한 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 일 실시예에 따른 인버터 장치의 DC 커패시터부와 스위칭소자 모듈부와 스너버커패시터 모듈부를 서로 분리한 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 따른 인버터 장치의 DC 커패시터부와 스위칭소자 모듈부와 스너버커패시터 모듈부가 서로 결합된 상태를 나타낸 단면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치의 스너버커패시터 모듈부를 나타낸 도면이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치의 스너버커패시터 모듈부를 다른 측면에서 바라본 도면이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치의 스너버커패시터 모듈부를 또 다른 측면에서 바라본 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 장치(1)는 하우징부(100), DC 커패시터부(200), 스위칭소자 모듈부(300), 스너버커패시터 모듈부(400) 및 결합부(500)를 포함한다.
하우징부(100)는 용기 형상으로 형성된다. 도 2과 같이, 하우징부(100)의 내부에는 DC 커패시터부(200), 스위칭소자 모듈부(300) 및 스너버커패시터 모듈부(400)가 설치된다.
DC 커패시터부(200)는 하우징부(100)의 내부에 배치되고, 제1출력버스바(230)를 구비한다. 제1출력버스바(230)는 직류에너지가 출력되며, 제1출력홀부(231a)가 형성된다. DC 커패시터부(200)는 고전압 배터리(미도시)에서 제1입력버스바(220)를 통해 입력된 직류에너지의 전압 맥동 성분을 제거하고, 스위칭소자 모듈부(300)의 스위칭에 의해 발생되는 고주파 리플 전류를 흡수한다.
스위칭소자 모듈부(300)는 하우징부(100)의 내부에 배치되고, 제2입력버스바(320)가 구비된다. 제2입력버스바(320)는 직류에너지가 입력되며, 제1출력홀부(231a)와 마주보는 제2입력홀부(321)가 형성된다.
스위칭소자 모듈부(300)는 복수개의 스위칭소자(미도시)가 구비되며, 복수개의 스위칭소자가 제어회로기판(340)으로부터 받은 전류 지령치를 기반으로 온/오프 스위칭되면서, DC 커패시터부(200)로부터 입력된 직류에너지를 교류에너지로 변환한다. 즉, 고전압 배터리에서 출력된 직류전압을 고주파 스위칭함으로써, 직류전원을 교류전원으로 변화되도록 한다.
스너버커패시터 모듈부(400)는 스위칭소자 모듈부(300)와 DC 커패시터부(200) 사이에 배치되고, 제1출력홀부(231a) 및 제2입력홀부(321)와 마주보는 연결홀부(432a)가 형성되는 연결버스바(430)를 구비한다. 스너버커패시터 모듈부(400)는 스위칭소자 모듈부(300)가 온/오프되면서 스위칭되는 순간 스위칭 전압의 과도한 상승을 방지하는 역할을 한다. 예를 들어, 직류전압을 800V 이상 인가한 뒤 출력전류를 1,000A 이상 흘리면서 스위칭소자 모듈부(300)의 스위칭에 의한 전압 상승을 확인하였을 때, 스너버커패시터 모듈부(400)가 없는 경우보다 스너버커패시터 모듈부(400)를 스위칭소자 모듈부(300)과 연결할 경우 약 24% 이상 순간적인 과도전압이 감소함을 알 수 있었다. 즉, 스너버커패시터 모듈부(400)를 스위칭소자 모듈부(300)와 연결하지 않은 경우에는 스위칭에 의한 전압이 순간적으로 약 290V까지 상승한 후 정상 직류전압으로 회복되지만, 스너버커패시터 모듈부(400)를 스위칭소자 모듈부(300)와 연결하면 약 220V까지만 상승하여 과도 전압 상승에 의해 스위칭소자 모듈부(300)가 손상되는 것을 방지할 수 있었다. 이로 인해, 과도한 전압 상승으로 스위칭소자 모듈부(300)가 손상되는 것이 방지될 수 있다.
결합부(500)는 볼트 형상으로 제1출력홀부(231a)와 제2입력홀부(321)와 연결홀부(432a)를 관통하여 결합된다(도 4 참조). 즉, 스너버커패시터 모듈부(400)는 별도의 연결부 없이도 DC 커패시터부(200) 및 스위칭소자 모듈부(300)와 견고하게 결합될 수 있다.
DC 커패시터부(200)는 DC 커패시터케이스(210), 제1입력버스바(220) 및 제1출력버스바(230)를 포함한다. DC 커패시터케이스(210)는 상자형상으로 내부에 유전체 필름타입의 DC 커패시터(미도시)가 구비된다(도 4 참조).
제1입력버스바(220)는 DC 커패시터케이스(210)의 일측에 구비되고, 직류에너지가 입력되며, 제1입력홀부(221)가 형성된다. 제1입력버스바(220)를 통해 입력된 직류에너지는 DC 커패시터부(200)로 전달된다.
제1출력버스바(230)는 DC 커패시터케이스(210)의 타측에 구비되고, 직류에너지가 출력되며, 제1출력홀부(231a)가 형성된다. 제1출력버스바(230)는 제1출력버스바본체(231)와 장착부(232)를 구비한다. 제1출력버스바본체(231)는 DC 커패시터케이스(210)의 타측에 구비되고, 제1출력홀부(231a)가 형성된다. 장착부(232)는 제1출력버스바본체(231)에서 하측으로(도 4 기준) 연장형성되며, 제1출력홀부(231a)와 연통되는 장착홀부(232a)가 형성된다. 이로 인해, 결합부(500)가 제1출력홀부(231a)를 통과하여 장착홀부(232a)에 결합됨으써, 결합부(500)가 견고하게 고정될 수 있다.
스위칭소자 모듈부(300)는 스위칭소자 모듈케이스(310), 제2입력버스바(320) 및 제2출력버스바(330)를 포함한다. 스위칭소자 모듈케이스(310)는 DC 커패시터케이스(210)와 이격되게 배치된다. 스위칭소자 모듈케이스(310) 상에 직류에너지를 교류에너지로 전환시키는 복수개의 스위칭소자(미도시)가 설치될 수 있다. 또한, 스위칭소자의 상측에는 스위칭소자의 온/오프를 제어하는 제어회로기판(340)이 설치될 수 있다(도 4 참조).
제2입력버스바(320)는 스위칭소자 모듈케이스(310)의 제1출력버스바(230)와 마주하는 면에 설치되고, 직류에너지가 입력되며, 제2입력홀부(321)가 형성된다. 즉, DC 커패시터부(200)로부터 출력된 직류에너지는 제2입력버스바(320)를 통해 스위칭소자 모듈부(300)로 입력된다.
제2출력버스바(330)는 스위칭소자 모듈케이스(310)에 구비되고, 교류에너지가 출력되며, 제2출력홀부(331)가 형성된다. 구체적으로, 스위칭소자가 온/오프 스위칭되면서 직류에너지가 교류에너지로 변환되어 제2출력버스바(330)를 통해 출력된다.
제1출력버스바(230)는 DC 커패시터케이스(210)의 일측에 복수개가 설치되고, 제2입력버스바(320)는 제1출력버스바(230)와 마주보는 스위칭소자 모듈케이스(310)의 면에 제1출력버스바(230)와 동일한 거리로 복수개가 이격되게 설치된다. 그 결과, 스위칭소자 모듈부(300)와 DC 커패시터부(200)가 근접하게 배치되면, 제1출력버스바(230)와 제2입력버스바(320)가 겹치도록 배치될 수 있다. 즉, 제1출력버스바(230)의 제1출력홀부(231a)와, 제2입력버스바(320)의 제2입력홀부(321)는 대응되는 위치에서 서로 마주볼 수 있다(도 5 참조).
스너버커패시터 모듈부(400)는 스너버커패시터 회로기판(410), 복수개의 스너버커패시터(420) 및 연결버스바(430)를 포함한다(도 6 내지 도 8 참조). 스너버커패시터 회로기판(410)은 사각형 판 형상으로 스너커패시터 회로기판(410) 상에 부착된 스너버커패시터(420) 등 부품을 보호하고 절연성능을 높이기 위해 표면이 엑폭시 몰딩(Epoxy Molding)으로 처리될 수 있다. 스너버커패시터 회로기판(410)에는 복수개의 비아홀부(411)가 형성된다. 비아홀부(411)는 스너버커패시터 회로기판(410) 상에서 길이방향으로 일렬로 배치된다. 이로 인해, 비아홀부(411)를 통해 전류가 분산되어 흐를 수 있다.
복수개의 스너버커패시터(420)는 스너버커패시터 회로기판(410)에 소정거리로 이격되게 설치된다. 스너버커패시터(420)는 금속 재질을 포함하여 이루어져, 차량의 진동에 의한 영향을 줄일 수 있다.
연결버스바(430)는 스너버커패시터 회로기판(410)에 결합되며, 연결홀부(432a)가 형성된다. 연결버스바(430)는 복수개로 이웃하는 연결버스바(430)와의 이격거리가 제1출력버스바(230)와 이웃하는 제1출력버스바(230)와의 이격거리와 동일하다. 그 결과, 스너버커패시터 모듈부(400)가 스위칭소자 모듈부(300)와 DC 커패시터부(200) 사이에 배치되면, 연결버스바(430), 제1출력버스바(230) 및 제2입력버스바(320)가 서로 겹치도록 배치될 수 있다.
도 5와 같이, 연결버스바(430)의 연결홀부(432a)가 제1출력버스바(230)의 제1출력홀부(231a) 및 제2입력버스바(320)의 제2입력홀부(321)와 대응되는 위치에서 마주볼 수 있다. 이로 인해, 결합부(500)를 제1출력홀부(231a)와 제2입력홀부(321)와 연결홀부(432a)를 관통하도록 결합시킬 수 있어, DC 커패시터부(200), 스위칭소자 모듈부(300) 및 스너버커패시터 모듈부(400)가 서로 견고하게 연결될 수 있다.
연결버스바(430)는 제1연결버스바(431)와 제2연결버스바(432)를 포함한다. 제1연결버스바(431)는 스너버커패시터 회로기판(410) 상에서 스너버커패시터(420)가 설치된 반대측면에 결합된다(도 6 내지 도 8 참조). 제1연결버스바(431)는 막대 형상으로 스너버커패시터(420)가 설치된 반대측면에 길이방향으로 설치된다.
제2연결버스바(432)는 제1연결버스바(431)에서 스너버커패시터 회로기판(410)의 반대방향으로 연장형성되고, 연결홀부(432a)가 형성된다. 도 7과 같이, 제2연결버스바(432)는 막대형상으로 제1연결버스바(431)에서 스너버커패시터 회로기판(410)의 반대방향으로 연장형성되므로, 드라이버 등 결합도구를 이용하여 결합부(500)를 결합시킬 때 결합도구를 사용할 수 있는 공간을 확보할 수 있어, 결합부(500)를 용이하게 제1출력홀부(231a)와 제2입력홀부(321)와 연결홀부(432a)를 관통하도록 결합시킬 수 있다.
스너버커패시터(420)는 스너버커패시터 회로기판(410) 상에서 너비와 길이방향으로 소정거리로 이격되게 배치된다(도 8 참조). 즉, 스너버커패시터(420)는 스너버커패시터 회로기판(410) 상에서 병렬과 직렬로 혼합되어 배치된다. 이에 따라, 스너버커패시터(420)는 직렬로 배치되어 내압을 올릴 수 있음은 물론, 병렬로 배치되어 필요한 정전 용량을 구현할 수 있다. 나아가, 스너버커패시터 모듈부(400)를 다양한 종류의 인버터 장치(1)에 적용하여 사용할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 인버터 장치(1)에서는 스너버커패시터 모듈부(400)를 스위칭소자 모듈부(300)와 DC 커패시터부(200) 사이에 배치하여 연결함으로써, 스위칭 전압의 과도한 상승을 막아 인버터 장치(1)의 출력밀도를 향상시킬 수 있다.
또한, DC 커패시터부(200)의 제1출력버스바(230)와 스위칭소자 모듈부(300)의 제2입력버스바(320)의 길이를 변경하거나, 스위칭소자 모듈부(300)의 크기를 변경하는 등 부품의 상태의 변경없이 기존의 스위칭소자 모듈부(300)의 제1출력홀부(231a)와 DC 커패시터부(200)의 제2입력홀부(321)를 그대로 활용하여 스너버커패시터 모듈부(400)를 스위칭소자 모듈부(300)와 DC 커패시터부(200)와 연결할 수 있어 부품의 활용성이 증대될 뿐만 아니라, 스너버커패시터 모듈부(400)를 연결하는 별도의 부품이 필요없어 부품이 간소화될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
1 : 인버터 장치 100 : 하우징부
200 : DC 커패시터부 210 : DC 커패시터케이스
220 : 제1입력버스바 221 : 제1입력홀부
230 : 제1출력버스바 231 : 제1출력버스바본체
231a : 제1출력홀부 232 : 장착부
232a : 장착홀부 300 : 스위칭소자 모듈부
310 : 스위칭소자 모듈케이스 320 : 제2입력버스바
321 : 제2입력홀부 330 : 제2출력버스바
331 : 제2출력홀부 340 : 제어회로기판
400 : 스너버커패시터 모듈부 410 : 스너버커패시터 회로기판
411 : 비아홀부 420 : 스너버커패시터
430 : 연결버스바 431 : 제1연결버스바
432 : 제2연결버스바 432a : 연결홀부
500 : 결합부

Claims (7)

  1. 하우징부;
    상기 하우징부의 내부에 배치되고, 직류에너지가 출력되며, 제1출력홀부가 형성되는 제1출력버스바를 구비하는 DC 커패시터부;
    상기 DC 커패시터부와 이격되게 상기 하우징부의 내부에 배치되고, 상기 직류에너지가 입력되며, 상기 제1출력홀부와 마주보는 제2입력홀부가 형성되는 제2입력버스바를 구비하는 스위칭소자 모듈부;
    상기 스위칭소자 모듈부와 상기 DC 커패시터부 사이에 배치되고, 상기 제1출력홀부 및 상기 제2입력홀부와 마주보는 연결홀부가 형성되는 연결버스바를 구비하는 스너버커패시터 모듈부; 및
    상기 제1출력홀부와 상기 제2입력홀부와 상기 연결홀부를 관통하여 결합되는 결합부;를 포함하고,
    상기 연결버스바는 복수개가 구비되고, 이웃하는 상기 연결버스바간의 이격거리가 상기 제1출력버스바와 이웃하는 상기 제1출력버스바와의 이격거리와 동일한 것을 특징으로 하는 인버터 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 스너버커패시터 모듈부는,
    스너버커패시터 회로기판;
    상기 스너버커패시터 회로기판에 설치되고, 서로 간에 소정거리로 이격되게 배치되는 복수개의 스너버커패시터; 및
    상기 스너버커패시터 회로기판에 결합되며, 상기 연결홀부가 형성되는 상기 연결버스바;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터 장치.
  3. 삭제
  4. 하우징부;
    상기 하우징부의 내부에 배치되고, 직류에너지가 출력되며, 제1출력홀부가 형성되는 제1출력버스바를 구비하는 DC 커패시터부;
    상기 DC 커패시터부와 이격되게 상기 하우징부의 내부에 배치되고, 상기 직류에너지가 입력되며, 상기 제1출력홀부와 마주보는 제2입력홀부가 형성되는 제2입력버스바를 구비하는 스위칭소자 모듈부;
    상기 스위칭소자 모듈부와 상기 DC 커패시터부 사이에 배치되고, 상기 제1출력홀부 및 상기 제2입력홀부와 마주보는 연결홀부가 형성되는 연결버스바를 구비하는 스너버커패시터 모듈부; 및
    상기 제1출력홀부와 상기 제2입력홀부와 상기 연결홀부를 관통하여 결합되는 결합부;를 포함하고,
    상기 스너버커패시터 모듈부는,
    스너버커패시터 회로기판;
    상기 스너버커패시터 회로기판에 설치되고, 서로 간에 소정거리로 이격되게 배치되는 복수개의 스너버커패시터; 및
    상기 스너버커패시터 회로기판에 결합되며, 상기 연결홀부가 형성되는 상기 연결버스바;를 포함하고,
    상기 연결버스바는,
    상기 스너버커패시터 회로기판 상에서 상기 스너버커패시터가 설치된 반대측면에 결합되는 제1연결버스바; 및
    상기 제1연결버스바에서 상기 스너버커패시터 회로기판의 반대방향으로 연장형성되고, 상기 연결홀부가 형성되는 제2연결버스바;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터 장치.
  5. 제 2항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 스너버커패시터는 상기 스너버커패시터 회로기판 상에서 너비와 길이방향으로 소정거리로 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 인버터 장치.
  6. 제 2항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 스너버커패시터 회로기판에는 복수개의 비아홀부가 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 비아홀부는 상기 스너버커패시터 회로기판 상에서 길이방향으로 일렬로 배치되는 것을 특징으로 하는 인버터 장치.
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