KR102347990B1 - 캐비티 필터 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

주파수 튜닝과정이 필요하지 않은 캐비티 필터가 제공된다. 이러한 캐비티 필터는, 하우징, 적어도 하나의 공진 소자 및 커버 플레이트를 포함한다. 상기 하우징은 하부플레이트 및 하부플레이트로부터 상부로 연장되어 형성된 측벽부를 포함한다. 적어도 하나의 상기 공진 소자는 상기 하우징 내부에 배치된다. 상기 커버 플레이트는 상기 하우징의 상기 측벽부와 결합하여 상기 하우징을 커버한다. 상기 커버 플레이트는, 유전체 플레이트 및 하면 메탈층을 포함한다. 상기 유전체 플레이트는 상면 및 하면을 포함한다. 상기 하면 메탈층은 상기 유전체 플레이트의 상기 하면에 형성된다. 상기 하면 메탈층은 하면 튜닝 패턴 및 하면 실딩부를 포함한다. 상기 튜닝 패턴은 상기 공진 소자와 마주한다. 상기 하면 실딩부는 상기 하면 튜닝 패턴을 둘러쌓는다.

Description

캐비티 필터 및 이의 제조방법{CAVITY FILTER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 필터 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세히, 캐비티 필터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

필터는 입력된 여러 주파수 성분중 원하는 주파수만 통과시키고 나머지는 감쇄시켜 버리는 역할을 하기 위한 수동회로이다.

이러한 필터는 대역 통과 특성에 따라서, 고주파수만을 통과시키는 하이패스필터(HPF), 저주파수만을 통과시키는 로우패스필터(LPF), 특정 대역의 주파수만을 통과시키는 밴드패스필터(BPF) 및 특정 대역의 주파수만을 저지하는 밴드저지필터(BSF)로 구분될 수 있다.

또한, 이러한 필터는 구현 형태에 따라서, LC 소자를 조합하여 형성하는 럼프트 필터, 패터닝된 전송선로를 이용하는 스트립필터, 고유전체의 세라믹을 이용하는 세라믹 필터 및 도파관을 이용하는 캐비티 필터 및 어쿠스틱 웨이브를 이용하는 SAW 등으로 구분될 수 있다.

이중에서, 무선통신 기지국과 같은 하이파워를 필요로하는 필터에는 캐비티 필터가 널리 사용되고 있다. 대한민국 등록특허 제 10-2040689, "캐비티 필터"과 같은 종래의 캐비티 필터는 주파수 튜닝을 위해서 튜닝 볼트가 널리 사용되고 있다. 도 1은 튜닝볼트를 이용하여 튜닝이 행해지는 종래의 캐비티 필터의 측단면도이다.

도 1을 참조하면, 종래의 캐비티 필터(200)는 하우징(210) 내부에 공진 소자(220)가 배치되고, 상부에 커버(230)가 상기 하우징(210)과 결합되어 내부 공간을 정의한다. 한편, 이러한 내부 공간들의 연결에 의해서 주파수를 선택하게 된다.

이때, 상기 커버(230)에는 나사산이 형성된 튜닝 볼트(240)가 체결되어, 튜닝 볼트(240)를 회전 시킴에 따라서, 상기 튜닝 볼트(240)와 상기 공진 소자(240)의 간격에 변화가 있게 되어 튜닝 볼트(240)과 공진 소자(2400 사이의 캐패시턴스가 변화되어 캐비티 필터(200)의 공진 주파수를 튜닝한다.

그러나, 이러한 종래의 캐비티 필터의 경우, 공진 주파수의 튜닝 과정이 필요하게 됨에 따라서, 제조에 어려움이 있다.

대한민국 등록특허 제 10-2040689호

그에 따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 주파수 튜닝과정이 필요하지 않은 캐비티 필터를 제공하는 것이다.

이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 캐비티 필터는, 하우징, 적어도 하나의 공진 소자 및 커버 플레이트를 포함한다. 상기 하우징은 하부플레이트 및 하부플레이트로부터 상부로 연장되어 형성된 측벽부를 포함한다. 적어도 하나의 상기 공진 소자는 상기 하우징 내부에 배치된다. 상기 커버 플레이트는 상기 하우징의 상기 측벽부와 결합하여 상기 하우징을 커버한다. 상기 커버 플레이트는, 유전체 플레이트 및 하면 메탈층을 포함한다. 상기 유전체 플레이트는 상면 및 하면을 포함한다. 상기 하면 메탈층은 상기 유전체 플레이트의 상기 하면에 형성된다. 상기 하면 메탈층은 하면 튜닝 패턴 및 하면 실딩부를 포함한다. 상기 튜닝 패턴은 상기 공진 소자와 마주한다. 상기 하면 실딩부는 상기 하면 튜닝 패턴을 둘러쌓는다.

바람직하게, 상기 커버 플레이트는, 상기 유전체 플레이트의 상기 상면에 형성된 상면 메탈층을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 상면 메탈층은 상면 튜닝 패턴 및 상기 상면 튜닝 패턴을 둘러쌓는 상면 실딩부를 포함할 수 있다.

바람직하게, 상기 상면 튜닝 패턴과 상기 하면 튜닝 패턴은 튜닝패턴 연결비아를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다.

또한, 상기 하면 실딩부 및 상기 상면 실딩부는 실딩부 연결비아를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다.

이때, 상기 실딩부 연결비아는 다수개로 형성되고, 다수의 실딩부 연결비아는 상기 상면 튜닝 패턴 및 상기 하면 튜닝 패턴을 둘러 쌓도록 배치될 수 있다.

또한, 상기 커버 플레이트는, 상기 하면 메탈층을 보호하는 하면 보호층, 및 상기 상면 메탈층을 보호하는 상면 보호층을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 캐비티 필터 제조방법은, 유전체 플레이트의 상면 및 하면에 각각 상면 메탈층과 하면 메탈층을 형성된 커버부재에서, 상기 상면 메탈층과 하면 메탈층을 식각하여 폐곡선 형태를 제거하여 상기 상면 메탈층에는 상면 튜닝 패턴 및 상기 상면 튜닝 패턴을 둘러쌓는 상면 실딩부를 형성하고, 상기 하면 메탈층에는 하면 튜닝 패턴 및 상기 하면 튜닝 패턴을 둘러쌓는 하면 실딩부를 형성하여, 커버 플레이트를 제조하는 단계와, 하부플레이트 및 하부플레이트로부터 상부로 연장되어 형성된 측벽부 포함하는 하우징 내부에 공진 소자를 결합하는 단계, 상기 공진 소자가 결합된 상기 하우징과 상기 커버 플레이트를 결합하는 단계, 미세튜닝이 필요한지 판단하는 단계, 및 미세튜닝이 필요한 경우, 미세튜닝을 수행하는 단계를 포함한다.

이때, 커버 플레이트를 제조하는 단계는, 유전체 플레이트에 관통홀을 형성하는 단계, 및 상기 유전체 플레이트의 상면과 하면에 도금층을 형성하여 관통홀을 통해서 서로 연결된 상기 상면 메탈층과 상기 하면 메탈층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

이때, 커버 플레이트를 제조하는 단계는, 상기 상면 메탈층과 상기 하면 메탈층에, 폐곡선 형태를 노출시키는 마스크층을 형성하는 단계, 및 상기 상면 메탈층과 상기 하면 메탈층의 노출된 부분을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.

이와 같이 본 발명에 의한 캐비티 필터는, 공진소자와의 캐패시턴스가 정밀하게 제어된 커버 플레이트를 부착하게 되어, 종래의 튜닝볼트에 의한 추가적인 튜닝과정을 필요로 하지 않게 된다. 즉, 본 발명에 의한 캐비티 필터는, 공진소자와 하면 튜닝 패턴간의 오버랩 면적이 정밀하게 제어된 샘플의 반복적인 생산으로, 튜닝과정이 필요하지 않게 된다.

그러나, 공정오차에 의해 미세 튜닝이 필요한 경우, 하면 튜닝 패턴의 일부를 제거함으로써, 공진 주파수를 튜닝할 수 있다.

한편, 상기 하면 튜닝 패턴과 전기적으로 연결된 상면 튜닝 패턴이 형성된 경우, 상기 커버 플레이트를 하우징으로부터 분리하지 않고, 상면 튜닝 패턴의 일부를 제거함으로써 공진 주파수를 튜닝할 수 있다.

또한, 하면 실딩부 및 상면 실딩부가 각각 하면 튜닝패턴 및 상면 튜닝패턴을 각각 실딩함으로써, 이웃하는 하면 튜닝패턴 및 상면 튜닝패턴과의 간섭을 최소화할 수 있다.

또한 상기 하면 보호층 및 상기 상면 보호층이 형성되는 경우, 상기 하면 메탈층과 상기 상면 메탈층이 박리되는 것을 방지할 수 있다.

도 1은 튜닝볼트를 이용하여 튜닝이 행해지는 종래의 캐비티 필터의 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 캐비티 필터의 사시도이다.
도 3은 도 2에서 도시된 캐비티 필터의 분해 사시도이다.
도 4는 도 2에서 도시된 공진소자 및 하우징의 사시도이다.
도 5는 도 3에서 도시된 커버 플레이트의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 캐비티 필터 제조방법을 도시한 순서도이다.
도 7 내지 도 9는 도 6의 커버 플레이트를 제조하는 단계(S110)를 보여주는 단면도이다.
도 10은 본 발명에 의한 캐비티 필터의 상면 튜닝 패턴의 면적에 따른 공진 대역의 특성의 결과를 도시하는 시뮬레이션 결과이다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 과장하여 도시한 것일 수 있다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, A와 B가'연결된다', '결합된다'라는 의미는 A와 B가 직접적으로 연결되거나 결합하는 것 이외에 다른 구성요소 C가 A와 B 사이에 포함되어 A와 B가 연결되거나 결합되는 것을 포함하는 것이다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. 또한, 방법 발명에 대한 특허청구범위에서, 각 단계가 명확하게 순서에 구속되지 않는 한, 각 단계들은 그 순서가 서로 바뀔 수도 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 캐비티 필터의 사시도이고, 도 3은 도 2에서 도시된 캐비티 필터의 분해 사시도이다. 도 4는 도 2에서 도시된 공진소자 및 하우징의 사시도이고, 도 5는 도 3에서 도시된 커버 플레이트의 단면도이다. 도 3에서 설명의 편의상 유전체 플레이트로부터 상면 메탈층과 하면 메탈층을 분리하여 도시하였으나, 실제의 경우 도금으로 형성되어, 보이는 것과 같이 분리되지 않을 수 있다.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 캐비티 필터(100)는, 하우징(110), 적어도 하나의 공진 소자(120) 및 커버 플레이트(130)를 포함한다.

상기 하우징(110)은 하부플레이트(111) 및 하부플레이트(111)로부터 상부로 연장되어 형성된 측벽부(112)를 포함한다. 상기 하부플레이트(111) 및 상기 측벽부(112)는 일체로 형성될 수 있으나, 이와 다르게 별도로 제조되어 결합될 수 도 있다. 상기 하우징(110)은 예컨대, 메탈로 형성될 수 있다.

적어도 하나의 상기 공진 소자(120)는 상기 하우징(110) 내부에 배치된다. 상기 공진 소자(120) 예컨대, 디스크형의 헤드부 및 헤드부를 상기 하우징(110)의 상기 하우플레이트(111)와 결합시키는 원통형의 지지부를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 공진 소자(120)는 메탈로 형성될 수 있다.

상기 커버 플레이트(130)는 상기 하우징(110)의 상기 측벽부(112)와 결합하여 상기 하우징(110)을 커버한다. 상기 커버 플레이트(130)는, 유전체 플레이트(131) 및 하면 메탈층(132)을 포함한다. 바람직하게, 상기 커버 플레이트(130)는, 상기 유전체 플레이트(131)의 상면 메탈층(133)을 더 포함할 수 있다.

상기 유전체 플레이트(131)는 상면 및 하면을 포함한다. 상기 유전체 플레이트(131)의 외형은, 상기 하우징(110)의 격벽에 의해 정의되는 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 하면 메탈층(132) 및 상기 상면 메탈층(133)은 예컨대 구리(Cu)로 형성될 수 있으나, 도전체인 이상 이에 한정되진 않는다.

상기 하면 메탈층(132)은 상기 유전체 플레이트(131)의 상기 하면에 형성된다. 상기 하면 메탈층(132)은 하면 튜닝 패턴(132a) 및 하면 실딩부(132b)를 포함한다. 상기 하면 튜닝 패턴(132a)은 상기 공진 소자(120)와 마주한다. 예컨대, 상기 하면 튜닝 패턴(132a)은 상기 공진소자(120)의 헤드부와 같이 원형으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 하면 튜닝 패턴(132a)의 면적은, 기 튜닝된 면적으로서 상기 공진소자(120)의 헤드부와 크기가 상이할 수도 있다.

상기 하면 실딩부(132b)는 상기 하면 튜닝 패턴(132a)을 둘러쌓는다.

상기 상면 메탈층(133)은 상기 유전체 플레이트(131)의 상기 상면에 형성될 수 있다. 상기 상면 메탈층(133)은 상면 튜닝 패턴(133a) 및 상면 실딩부(133b)를 포함할 수 있다. 상기 상면 튜닝 패턴(133a)은 상기 하면 튜닝 패턴(132a)와 마주한다. 예컨대, 상기 상면 튜닝 패턴(133a)는 상기 하면 튜닝 패턴(132a)와 같이 원형으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 상기 상면 튜닝 패턴(133a)의 면적은 기 튜닝된 면적으로서 상기 하면 튜팅 패턴(132a)의 면적과 상이할 수 있다.

상기 상면 실딩부(133b)는 상기 상면 튜닝 패턴(133a)을 둘러쌓으며, 상기 하면 실딩부(132b)와 마주한다.

바람직하게, 상기 상면 튜닝 패턴(133a)과 상기 하면 튜닝 패턴(132a)은 튜닝패턴 연결비아(134)를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 하면 실딩부(132b) 및 상기 상면 실딩부(133b)는 실딩부 연결비아(135)를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다.

이때, 상기 실딩부 연결비아(135)는 다수개로 형성되고, 다수의 실딩부 연결비아(135)는 상기 상면 튜닝 패턴(133a) 및 상기 하면 튜닝 패턴(132a)을 둘러 쌓도록 배치될 수 있다.

한편, 상기 커버 플레이트는, 상기 하면 메탈층을 보호하는 하면 보호층(도시안됨), 및 상기 상면 메탈층을 보호하는 상면 보호층(도시안됨)을 더 포함할 수 있다. 이와 같이, 상기 하면 보호층(도시안됨) 및 상기 상면 보호층(도시안됨)이 형성되는 경우, 상기 하면 메탈층(132)과 상기 상면 메탈층(133)이 박리되는 것을 방지할 수 있다.

이와 같이 본 발명에 의한 캐비티 필터(100)는, 공진소자(120)와의 캐패시턴스가 정밀하게 제어된 커버 플레이트(130)를 부착하게 되어, 종래의 튜닝볼트(도 1의 230)에 의한 추가적인 튜닝과정을 필요로 하지 않게 된다. 즉, 본 발명에 의한 캐비티 필터(100)는, 공진소자(120)와 하면 튜닝 패턴(132a)간의 오버랩 면적이 정밀하게 제어된 샘플의 반복적인 생산으로, 튜닝과정이 필요하지 않게 된다.

그러나, 공정오차에 의해 미세 튜닝이 필요한 경우, 하면 튜닝 패턴(132a)의 일부를 제거함으로써, 공진 주파수를 튜닝할 수 있다.

한편, 상기 하면 튜닝 패턴(132a)과 전기적으로 연결된 상면 튜닝 패턴(133a)이 형성된 경우, 상기 커버 플레이트(130)를 상기 하우징(110)으로부터 분리하지 않고, 상면 튜닝 패턴(133a)의 일부를 제거함으로써 공진 주파수를 튜닝할 수 있다.

또한, 하면 실딩부(132b) 및 상면 실딩부(133b)가 각각 하면 튜닝패턴(132a) 및 상면 튜닝패턴(133a)을 각각 실딩함으로써, 이웃하는 하면 튜닝패턴(132a) 및 상면 튜닝패턴(133a)과의 간섭을 최소화할 수 있다.

도 6은 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 캐비티 필터 제조방법을 도시한 순서도이다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 캐비티 필터 제조방법은, 커버 플레이트를 제조하는 단계(S110), 하우징 내부에 공진소자를 결합하는 단계(S120), 커버 플레이트 및 하우징을 결합하는 단계(S130), 미세튜닝이 필요한지 판단하는 단계(S140), 및 미세튜닝이 필요한 경우, 미세튜닝을 수행하는 단계(S150)를 포함한다.

상기 커버 플레이트를 제조하는 단계(S110)에서는, 유전체 플레이트의 상면 및 하면에 각각 상면 메탈층과 하면 메탈층을 형성된 커버부재에서, 상기 상면 메탈층과 하면 메탈층을 식각하여 폐곡선 형태를 제거하여 상기 상면 메탈층에는 상면 튜닝 패턴 및 상기 상면 튜닝 패턴을 둘러쌓는 상면 실딩부를 형성하고, 상기 하면 메탈층에는 하면 튜닝 패턴 및 상기 하면 튜닝 패턴을 둘러쌓는 하면 실딩부를 형성한다.

이하, 도면을 중심으로 보다 상세히 설명한다.

도 7 내지 도 9는 도 6의 커버 플레이트를 제조하는 단계(S110)를 보여주는 단면도이다.

도 2, 도 5 및 도 7을 참조하면, 상기 유전체 플레이트(131)의, 상기 튜닝패턴 연결비아(134)와 상기 실딩부 연결비아(135)가 형성될 부분에 관통홀(h)을 형성한다.

도 8을 참조하면, 이후, 상기 유전체 플레이트(131)의 하면 및 상면에 각각 하면 메탈층(132) 및 상면 메탈층(133)이 형성된다. 상기 하면 메탈층(132) 및 상면 메탈층(133)은 도금공정을 통해서 형성될 수 있으며, 이때 상기 관통홀(h)은 매립되어 상기 튜닝패턴 연결비아(134)와 상기 실딩부 연결비아(135)가 형성된다.

도 9를 참조하면, 이후, 상기 유전체 플레이트(131)의 하면 및 상면에 각각 마스크층을 형성하고, 원형이 폐곡선 부분을 제거하여 마스크 패턴(M)을 형성한다. 이후, 이러한 마스크 패턴(M)을 이용하여 하면 메탈층(132) 및 상면 메탈층(133)을 식각함으로써 도 5에서 도시된 커버 플레이트(130)을 형성할 수 있다.

다시 도 3 및 도 6을 참조하면, 하우징 내부에 공진 소자를 결합하는 단계(S120)에서는, 하부플레이트 및 하부플레이트로부터 상부로 연장되어 형성된 측벽부 포함하는 하우징 내부에 공진 소자를 결합한다(S120).

이후, 하우징(110)과 상기 커버 플레이트(130)를 체결한다(S130).

이후, 캐비티 필터의 공진 주파수를 측정하고, 미세튜닝이 필요한지를 판단한다(S140). 미세튜닝이 필요한 경우, 하면 튜닝 패턴(132a) 또는 상면 튜닝 패턴(133a)의 일부를 제거하여 미세튜닝을 수행한다(S150). 상면 튜닝 패턴(133a)이 형성되지 않은 경우에는 하우징(110)으로부터 커버 플레이트(130)를 분리하고, 하면 튜닝 패턴(132a)의 일부를 제거해야 하지만, 상면 튜닝 패턴(133a)이 형성된 경우에는 하우징(110)으로부터 커버 플레이트(130)를 분리할 필요 없이, 상면 튜닝 패턴(133a)의 일부를 제거할 수 있으므로, 미세튜닝이 보다 용이해진다.

도 10은 본 발명에 의한 캐비티 필터의 상면 튜닝 패턴의 면적에 따른 공진 대역의 특성의 결과를 도시하는 시뮬레이션 결과이다.

도 10을 참조하면, 상면 튜닝 패턴의 일부를 제거함으로써, 공진 대역이 시프트되는 것을 볼 수 있다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

100, 200: 캐비티 필터
110. 210: 하우징 111: 하부 플레이트
112: 측벽부 120, 220: 공진소자
130: 커버 플레이트 131: 유전체 플레이트
132: 하면 메탈층 132a: 하면 튜닝패턴
132b: 하면 실딩부 133: 상면 메탈층
133a:상면 튜닝패턴 133b; 하면 실딩부
134: 튜닝패턴 연결비아 135: 실딩부 연결비아
230: 커버 240: 튜닝 볼트
M: 마스크 패턴 h: 관통홀

Claims (10)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 유전체 플레이트의 상면 및 하면에 각각 상면 메탈층과 하면 메탈층을 형성된 커버부재에서, 상기 상면 메탈층과 하면 메탈층을 식각하여 폐곡선 형태를 제거하여 상기 상면 메탈층에는 상면 튜닝 패턴 및 상기 상면 튜닝 패턴을 둘러쌓는 상면 실딩부를 형성하고, 상기 하면 메탈층에는 하면 튜닝 패턴 및 상기 하면 튜닝 패턴을 둘러쌓는 하면 실딩부를 형성하여, 커버 플레이트를 제조하는 단계;
   하부플레이트 및 하부플레이트로부터 상부로 연장되어 형성된 측벽부 포함하는 하우징 내부에 공진 소자를 결합하는 단계;
   상기 공진 소자가 결합된 상기 하우징과 상기 커버 플레이트를 결합하는 단계;
   미세튜닝이 필요한지 판단하는 단계; 및
   미세튜닝이 필요한 경우, 미세튜닝을 수행하는 단계;
   를 포함하는 캐비티 필터 제조방법.
   
8. 제7 항에 있어서,
   커버 플레이트를 제조하는 단계는,
   유전체 플레이트에 관통홀을 형성하는 단계; 및
   상기 유전체 플레이트의 상면과 하면에 도금층을 형성하여 관통홀을 통해서 서로 연결된 상기 상면 메탈층과 상기 하면 메탈층을 형성하는 단계;
   를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐비티 필터 제조방법.
   
9. 제8 항에 있어서,
   커버 플레이트를 제조하는 단계는,
   상기 상면 메탈층과 상기 하면 메탈층에, 폐곡선 형태를 노출시키는 마스크층을 형성하는 단계; 및
   상기 상면 메탈층과 상기 하면 메탈층의 노출된 부분을 제거하는 단계;
   를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐비티 필터 제조방법.
   
10. 제7 항에 있어서,
    미세튜닝을 수행하는 단계는,
    상기 상면 튜닝 패턴 또는 상기 하면 튜닝 패턴의 일부를 제거함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 캐비티 필터 제조방법.

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