KR102347209B1 - High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range - Google Patents

High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range Download PDF

Info

Publication number
KR102347209B1
KR102347209B1 KR1020210046540A KR20210046540A KR102347209B1 KR 102347209 B1 KR102347209 B1 KR 102347209B1 KR 1020210046540 A KR1020210046540 A KR 1020210046540A KR 20210046540 A KR20210046540 A KR 20210046540A KR 102347209 B1 KR102347209 B1 KR 102347209B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
pipe
mfc
vaporized gas
mass flow
Prior art date
Application number
KR1020210046540A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
신현국
김대현
이영종
이희준
정근태
윤성한
오진욱
신은영
김민호
Original Assignee
(주)지오엘리먼트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)지오엘리먼트 filed Critical (주)지오엘리먼트
Application granted granted Critical
Publication of KR102347209B1 publication Critical patent/KR102347209B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber

Abstract

One embodiment discloses a high-purity precursor vaporization system having a wide operating temperature range, comprising: a first mass flow controller (MFC, 300) which is operatively coupled with a vaporization gas pipe (L1) to measure and control an amount of vaporization gas; a second heater which is thermally coupled with the first mass flow controller (MFC, 300); and a first gas temperature booster (200) which is thermally coupled with the vaporization gas pipe (L1) to control temperature of the vaporization gas moving through the vaporization gas pipe (L1). The first gas temperature booster (200) is located between the first mass flow controller (MFC, 300) and an outlet (111) of a canister (100). According to the present invention, the vaporization gas does not liquefy or solidify in the mass flow controller (MFC), and accuracy and reliability of measurement are improved.

Description

넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템{High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range}High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range

본 발명은 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a high purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range.

반도체, 디스플레이, 발광다이오드 등 전자재료의 제조 공정에 있어서 필수적인 박막을 입히는 화학기상장치(CVD)나 원자층 증착장치(ALD) 등과 같은 처리 설비에 사용되는 각종 원료(소스)는 가스, 액체, 또는 고체의 형태로 공급된다.Various raw materials (sources) used in processing facilities such as chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD), which coat a thin film essential in the manufacturing process of electronic materials such as semiconductors, displays, and light emitting diodes, are gas, liquid, or It is supplied in solid form.

가스의 형태를 가진 원료의 경우는 압력을 조절하여 일정량을 공급할 수 있는 방법으로 사용되지만 액체나 고체 소스(이하, '전구체'라고도 함)의 경우에는 자체적인 압력이 매우 낮기 때문에 대부분 캐니스터(100)라는 앰플에 담아서, 캐리어 가스(불활성 가스)를 이용한 버블링이나 가열을 통한 증기 발생을 통해서 기화를 시킨 이후에 반응 챔버로 공급하는 방법을 사용하고 있다.In the case of a raw material in the form of a gas, it is used as a method to supply a certain amount by controlling the pressure, but in the case of a liquid or solid source (hereinafter, also referred to as a 'precursor'), since its own pressure is very low, most canister 100 A method of supplying to the reaction chamber after vaporization through bubbling using a carrier gas (inert gas) or steam generation through heating is used.

캐니스터(100)에 액체 형태의 원료를 넣은 후 일정량씩 기화시켜 사용하는 방법에 대하여 다양한 기술들이 공지되어 있고, 예를 들면, 고체 원료를 기화 시키는 종래 기술의 하나로서 한국특허 공개공보 제10-2010-0137016호(2010. 12. 29)("기화기, 기화기 사용 방법, 기화 장치 사용 방법, 용기, 기화기 유닛 및 반도체 프로세스 챔버용 증기 발생 방법")나 미국특허등록공보 US6,296,025(2001. 10. 2)("Chemical Delivery system having purge system utilizing multiple purge techniques")에 개시된 기술들이 있다.Various techniques are known for a method of using a liquid raw material after putting a liquid raw material into the canister 100 and vaporizing it by a predetermined amount. -0137016 (2010. 12. 29) (“Vaporizer, method of using vaporizer, method of using vaporizer, vessel, vaporizer unit and method of generating steam for semiconductor process chamber”) or US Patent Registration No. US6,296,025 (October 2001) There are techniques disclosed in 2) (“Chemical Delivery system having purge system utilizing multiple purge techniques”).

도 1은 종래의 기화 기스템을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining a conventional vaporization system.

도 1을 참조하면, 종래의 기화 시스템은 전구체를 수용하는 캐니스터(10), 기화 가스 배관(L), 캐리어 가스 배관(L0), 및 질량유량제어기(MFC)(30)를 포함한다. Referring to FIG. 1 , a conventional vaporization system includes a canister 10 accommodating a precursor, a vaporization gas tube L, a carrier gas tube L0 , and a mass flow controller (MFC) 30 .

캐니스터(10)에는 기화 가스를 배출하기 위한 배출구(11)와 투입구(12)가 구비되어 있다.The canister 10 is provided with an outlet 11 and an inlet 12 for discharging the vaporized gas.

기화 가스 배관(L)에는 기화 가스와 캐리어 가스가 혼합된 혼합 가스(이하, '혼합 가스')가 흐르며, 혼합 가스의 흐름을 차단 또는 허용하는 밸브들(V1, V2)이 위치되어 있다. 캐리어 가스 배관(L0)에는 캐리어 가스의 흐름을 차단 또는 허용하는 밸브들(V3, V4)이 위치되어 있다. A mixed gas in which the vaporized gas and the carrier gas are mixed (hereinafter, 'mixed gas') flows in the vaporized gas pipe L, and valves V1 and V2 for blocking or allowing the flow of the mixed gas are located. Valves V3 and V4 for blocking or allowing the flow of the carrier gas are located in the carrier gas pipe L0.

캐리어 가스는 캐리어 가스 배관(L0)와 투입구(12)를 통해서 캐니스터(10)로 제공되고, 캐니스터(10)에서 기화된 기화 가스와 혼합되어 배출구(11)를 통해서 기화 가스 배관(L)으로 이동된 후 반응 챔버로 제공된다. The carrier gas is provided to the canister 10 through the carrier gas pipe L0 and the inlet 12, is mixed with the vaporized gas vaporized in the canister 10, and moves to the vaporized gas pipe L through the outlet 11 After being prepared, it is provided to the reaction chamber.

한편, 캐니스터(10)에 저장되어 있는 액상 또는 고상의 전구체는 기화 또는 승화 과정에서 기화열 또는 승화열로 인해서 빼앗기는 열의 빠른 회복이 필요하고, 열의 회복이 이루어지지 않을 경우 사용시간이 길어질수록, 전구체의 기화열 또는 승화열이 클수록 일정한 기화량을 기대하기가 어렵다. 이를 해결하기 위해서, 도 1에 도시된 바와 같이 종래 기화 시스템은 기화 가스 배관(L)에 고온용 질량유량제어기(MFC)(30)를 설치하여 고온용 질량유량제어기(MFC)(30)가 기화 또는 승화되는 가스의 양을 제어함으로써 혼합 가스의 기화량이 일정하도록 하였다. 하지만, 질량유량제어기(MFC)(30)의 내부에서 기화 가스가 액화 또는 응결되는 현상이 발생되어, 여전히 기화량을 일정하게 유지하기가 어려운 상태이다. On the other hand, the liquid or solid precursor stored in the canister 10 requires rapid recovery of heat lost due to heat of vaporization or heat of sublimation in the process of vaporization or sublimation. Alternatively, as the heat of sublimation increases, it is difficult to expect a constant amount of vaporization. In order to solve this, as shown in FIG. 1, in the conventional vaporization system, a high temperature mass flow controller (MFC) 30 is installed in the vaporization gas pipe (L), and the high temperature mass flow controller (MFC) 30 is vaporized. Alternatively, the vaporization amount of the mixed gas was made constant by controlling the amount of the sublimed gas. However, since the vaporized gas is liquefied or condensed inside the mass flow controller (MFC) 30 , it is still difficult to maintain a constant vaporization amount.

일 실시예에 따르면, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템이 제공된다. According to one embodiment, a high purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range is provided.

일 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 기화 가스의 온도를 조절하는 방법이 제공된다. According to one embodiment, there is provided a method for regulating the temperature of a vaporizing gas according to the present invention.

일 실시예에 따르면, 전구체를 저장할 수 있고, 기화 가스를 외부로 배출하기 위한 배출구(111)가 구비된 캐니스터(100); 캐니스터(100)의 배출구(111)와 연결되어, 배출구(111)를 통해서 배출되는 기화 가스가 이동될 수 있는 경로(path)를 제공하는 기화 가스 배관(L1); 기화 가스의 양을 측정하고 조절하기 위해 기화 가스 배관(L1)과 동작적으로 결합된 제1 질량유량제어기(MFC)(300); 및 기화 가스 배관(L1)을 통해서 이동되는 기화 가스의 온도를 조절하기 위해서, 기화 가스 배관(L1)과 열적으로 결합된 제1 가스온도부스터(200);를 포함하고, 제1 가스온도부스터(200)는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)와 캐니스터(100)의 배출구(111) 사이에 위치된 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템이 개시된다. According to one embodiment, it can store the precursor, the canister 100 provided with an outlet 111 for discharging the vaporized gas to the outside; a vaporized gas pipe (L1) connected to the outlet 111 of the canister 100 and providing a path through which the vaporized gas discharged through the outlet 111 can move; a first mass flow controller (MFC) 300 operatively coupled to the vaporizing gas pipe L1 for measuring and regulating the amount of vaporized gas; and a first gas temperature booster 200 thermally coupled to the vaporized gas pipe (L1) in order to control the temperature of the vaporized gas moved through the vaporized gas pipe (L1); including, a first gas temperature booster ( 200 ) is located between a first mass flow controller (MFC) 300 and an outlet 111 of a canister 100 , a high purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range is disclosed.

하나 이상의 실시예에 따르면, 질량유량제어기(MFC)에서 기화 가스가 액화되거나 응고되지 않게 된다. 또한, 질량유량제어기(MFC)의 온도에 따른 측정 값 보상이 필요없게 되어 측정값의 정확도와 신뢰도가 향상될 것으로 기대한다. In accordance with one or more embodiments, the vaporizing gas is neither liquefied nor solidified in the mass flow controller (MFC). In addition, it is expected that the accuracy and reliability of the measurement value will be improved as there is no need to compensate the measurement value according to the temperature of the mass flow controller (MFC).

도 1은 종래의 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스온도부스터를 설명하기 위한 도면들이다.
도 12는 본 발명의 기술적인 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 설명에 참고하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining a conventional vaporization system.
2 is a view for explaining a vaporization system according to a first embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining a vaporization system according to a second embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a vaporization system according to a third embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining a vaporization system according to a fourth embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining a vaporization system according to a fifth embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining a vaporization system according to a sixth embodiment of the present invention.
8 to 11 are views for explaining a gas temperature booster according to an embodiment of the present invention.
12 is a view for explaining the technical effects of the present invention.
13 is a diagram for reference in the description of the present invention.

이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will be easily understood through the following preferred embodiments in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed subject matter may be thorough and complete, and that the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art.

본 명세서의 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장되거나 축소된 것이다.In the drawings of the present specification, the thickness of the components is exaggerated or reduced for effective description of technical content.

본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.In various embodiments of the present specification, terms such as first, second, etc. are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Embodiments described and illustrated herein also include complementary embodiments thereof.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, the terms 'comprises' and/or 'comprising' do not exclude the presence or addition of one or more other components.

용어의 정의Definition of Terms

본원 명세서에서, '상류'와 '하류'는 유체가 흐르는 배관('라인')에서의 위치를 나타내기 위한 용어들로서, 구성요소 A가 구성요소 B보다 상류에 위치한다고 함은 유체가 구성요소 A에 먼저 도달하고 구성요소 A에 도달한 유체 중 적어도 일부의 유체가 구성요소 B에 도달하는 것을 의미한다. 또한, 구성요소 A가 구성요소 B보다 하류에 위치한다고 함은 유체가 구성요소 B에 먼저 도달하고 구성요소 B에 도달한 유체 중 적어도 일부의 유체가 구성요소 A에 도달하는 것을 의미한다.In this specification, 'upstream' and 'downstream' are terms for indicating a location in a pipe ('line') through which a fluid flows, and that the component A is located upstream than the component B means that the fluid is the component A It means that at least some of the fluids that arrive first and reach the component A reach the component B. Also, that the component A is located downstream of the component B means that the fluid arrives at the component B first, and that at least some of the fluids that reach the component B reach the component A.

본원 명세서에서, 어떤 구성요소(A)가 다른 구성요소(B)에 '동작적'으로 결합되어 있다고 함은, 구성요소(A)의 목적이나 기능을 수행하도록 구성요소(B)에 결합된 것을 의미한다. In the present specification, that a component (A) is 'operatively' coupled to another component (B) means that it is coupled to component (B) to perform the purpose or function of component (A). it means.

본원 명세서에서, '밸브'는 유체의 흐름을 차단하거나 유체의 흐름을 허용하는 동작을 수행할 수 있는 디바이스를 의미하며, 이러한 '밸브'가 어떤 구성요소(예를 들면, 배관 또는 배출구)에 동작적으로 결합되어 있다고 함은 그 구성요소를 따라 흐르는 유체의 흐름을 차단 또는 허용하도록 배관에 결합되어 있는 것을 의미한다. In this specification, a 'valve' means a device capable of performing an operation to block the flow of a fluid or allow the flow of a fluid, and such a 'valve' operates on a certain component (eg, a pipe or an outlet) To be positively coupled means to be coupled to a pipe to block or allow the flow of fluid flowing along the component.

본원 명세서에서, 어떤 구성요소(C)와 다른 구성요소(D)가 '열적'으로 결합되어 있다고 함은, 구성요소(C)에서 구성요소(D)로 열이 이동되거나, 구성요소(D)에서 구성요소(C)로 열이 이동되거나, 또는 구성요소(C)와 구성요소(D)가 서로 열교환이 일어나도록 결합된 것을 의미한다. In the present specification, that a certain component (C) and another component (D) are 'thermal' means that heat is transferred from the component (C) to the component (D), or the component (D) It means that heat is transferred from the to the component (C), or the component (C) and the component (D) are coupled so that heat exchange occurs with each other.

본원 명세서에서, 제어부가, 기화 가스 배관, 가스온도부스터, 또는 질량유량제어기(MFC)의 온도를 조절한다고 함은, 기화 가스 배관에 열적으로 결합된 히터(미 도시), 가스온도부스터에 열적으로 결합된 히터(미 도시), 또는 질량유량제어기(MFC)에 열적으로 결합된 히터(미 도시)에 열적으로 결합된 히터(미 도시)의 동작을 조절하는 것을 의미하는 것으로 사용한다. In this specification, the control unit, controlling the temperature of the vaporized gas pipe, the gas temperature booster, or the mass flow controller (MFC) means a heater (not shown) thermally coupled to the vaporized gas pipe, thermally to the gas temperature booster. It is used to mean controlling the operation of a heater (not shown) coupled to a heater (not shown) or a heater (not shown) thermally coupled to a heater (not shown) thermally coupled to a mass flow controller (MFC).

본원 명세서에서, '기화'는 액상의 전구체(즉, 액체 소스)가 기체로 변화되는 것과, 고상의 전구체(즉, 고체 소스)가 기체로 변화되는 것을 의미하는 것으로 사용하기로 한다.In the present specification, 'vaporization' is used to mean that a liquid precursor (ie, a liquid source) is changed into a gas, and a solid precursor (ie, a solid source) is changed into a gas.

본 발명에 따른 기화 시스템은 액체 소스 또는 고체 소스를 기화시켜서 처리 설비로 제공하는 장치이다. 처리 설비는 예를 들면 화학증기증착(CVD: chemical vapor deposition) 장치 또는 이온 주입장치(ion implanter)와 같은 반도체 가공 장비의 공정챔버(process chamber)와 같은 장치들이 될 수 있다.The vaporization system according to the present invention is a device for vaporizing a liquid source or a solid source and providing it to a processing facility. The processing facility may be, for example, devices such as a chemical vapor deposition (CVD) device or a process chamber of a semiconductor processing equipment such as an ion implanter.

본 발명에 따른 기화 시스템은 고체 소스 또는 액체 소스를 저장하는 캐니스터, 캐니스터로 캐리어 가스나 퍼지 가스의 이동을 위한 배관들, 캐리어 가스에 의해서 기화된 소스를 외부로 배출하기 위한 배관들, 상술한 배관들에 흐르는 유체의 흐름을 제어하기 위한 다양한 밸브들, 상술한 배관들에 설치되는 질량유량제어기(MASS FLOW CONTROLLER:이하, 'MFC'), 질량 유량계(MASS FLOW METER: 이하, 'MFM'), 및 밸브들의 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. 본 발명의 예시적 도면들에서, 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위해서, 캐리어 가스의 주입구, 히터, 각종 밸브, 각종 배관들, 및/또는 세정을 위한 배관과 같은 일부 구성요소들은 생략되었음을 본 발명이 속하는 기술분야에 종사하는 자(이하, '당업자')는 용이하게 이해할 것이다.The vaporization system according to the present invention includes a canister for storing a solid source or a liquid source, pipes for moving a carrier gas or a purge gas to the canister, pipes for discharging a source vaporized by the carrier gas to the outside, the above-described pipe Various valves for controlling the flow of fluid flowing in fields, a mass flow controller (MASS FLOW CONTROLLER: hereinafter, 'MFC') installed in the above-mentioned pipes, a mass flow meter (MASS FLOW METER: hereinafter, 'MFM'), and a control unit for controlling the operation of the valves. In the exemplary drawings of the present invention, in order not to obscure the gist of the present invention, some components such as an inlet of a carrier gas, a heater, various valves, various pipes, and/or a pipe for cleaning are omitted. Those who are engaged in the technical field to which it belongs (hereinafter, 'the person skilled in the art') will readily understand.

본원 발명에서, 전구체(또는 '소스'라고도 함)는 고체 소스 또는 액체 소스일 수 있으며, 예를 들면 붕소(B: boron), 인(P: phosphorous), 구리(Cu: copper), 갈륨(Ga:gallium), 비소(As:arsenic), 루테늄(Ru: ruthenium), 인듐(In: indium), 안티몬(Sb: antimony), 란탄(La: lanthanum), 탄탈륨(Ta: tantalum), 이리듐(Ir: iridium), 데카보란(B10H14: decaborane), 사염화 하프늄(HfCL7: hafnium tetrachloride), 사염화 지르코늄(ZrCL7: zirconium tetrachloride), 삼염화 인듐(InCl3: indium trichloride), 금속 유기 베타-디케토네이트 착물(metal organic β-diketonate complex), 사이클로펜타디에닐 사이클로헵타트리에틸 티타늄(CpTiChT:cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium), 삼염화 알루미늄(AlCl3: aluminum trichloride), 요오드화 티타늄(TixIy:titanium iodide), 사이클로옥타테트라엔 사이틀로펜타디에닐 티타늄((Cot)(Cp)Ti: cyclooctatetraene cyclopentadienyltitanium), 비스(사이클로펜타디에닐)티타늄 디아지드 [bis(cyclopentadienyl)titanium diazide], 텅스텐 카르보닐(Wx(CO)y: tungsten carbonyl)(여기서, x와 y는 자연수), 비스(사이클로펜타디에닐)루테늄(II)[Ru(Cp)2: bis(cyclopentadienyl)ruthenium (II)], 삼염화 루테늄(RuCl3: ruthenium trichloride), Molybdenum dichloride dioxide(MoO2Cl2), 및/또는 텅스텐 클로라이드(WxCly)(여기서, x와 y는 자연수)을 포함하는 물질일 수 있다. In the present invention, the precursor (or 'source') may be a solid source or a liquid source, for example, boron (B: boron), phosphorous (P: phosphorous), copper (Cu: copper), gallium (Ga :gallium), arsenic (As:arsenic), ruthenium (Ru: ruthenium), indium (In: indium), antimony (Sb: antimony), lanthanum (La: lanthanum), tantalum (Ta: tantalum), iridium (Ir: iridium), decaborane (B10H14: decaborane), hafnium tetrachloride (HfCL7), zirconium tetrachloride (ZrCL7: zirconium tetrachloride), indium trichloride (InCl3), metal organic beta-diketonate β -diketonate complex), cyclopentadienyl cycloheptatriethyl titanium (CpTiChT: cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium), aluminum trichloride (AlCl3: aluminum trichloride), titanium iodide (TixIy: titanium iodide), cyclooctatetraene cyclopentadienyl titanium ((Cot)(Cp)Ti: cyclooctatetraene cyclopentadienyltitanium), bis(cyclopentadienyl)titanium diazide [bis(cyclopentadienyl)titanium diazide], tungsten carbonyl (Wx(CO)y: tungsten carbonyl), where x and y is a natural number), bis(cyclopentadienyl)ruthenium(II)[Ru(Cp)2: bis(cyclopentadienyl)ruthenium (II)], ruthenium trichloride (RuCl3: ruthenium trichloride), Molybdenum dichloride dioxide (MoO2Cl2), and / or a material including tungsten chloride (WxCly) (where x and y are natural numbers).

상술한 소스들은 예시적인 것으로서 본원 발명은 그러한 소스들에만 한정되는 것이 아님을 당업자는 알아야 한다. 이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.It should be appreciated by those skilled in the art that the sources described above are exemplary and that the present invention is not limited to such sources. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템(이하, '기화 시스템')을 설명하기 위한 도면이다. 2 is a view for explaining a high-purity precursor vaporization system (hereinafter, 'vaporization system') having a wide usable temperature range according to the first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 기화 시스템(이하, '제1 실시예')은 캐니스터(100), 기화 가스 배관(L1), 가스온도부스터(이하, '제1 가스온도부스터)(200), 및 질량유량제어기(MFC)(이하, '제1 질량유량제어기(MFC)')(300)를 포함할 수 있다. 2, the vaporization system (hereinafter, 'first embodiment') according to the first embodiment includes a canister 100, a vaporization gas pipe (L1), a gas temperature booster (hereinafter, 'first gas temperature booster') 200 , and a mass flow controller (MFC) (hereinafter, 'first mass flow controller (MFC)') 300 .

캐니스터(100)는 전구체를 저장할 수 있고, 기화 가스를 외부로 배출하기 위한 배출구(111)를 구비하고 있다. 전구체를 기화시키기 위해서 캐니스터(100)에는 히터(미 도시)가 열적으로 결합되어 있다. 이러한 히터에 의해 캐니스터(100)의 내부 온도는 'T1'로 조절될 수 있다. The canister 100 may store a precursor and has an outlet 111 for discharging the vaporized gas to the outside. A heater (not shown) is thermally coupled to the canister 100 to vaporize the precursor. By such a heater, the internal temperature of the canister 100 may be adjusted to 'T1'.

배출구(111)와 기화 가스 배관(L1)에는, 기화 가스의 흐름을 차단 또는 허용하기 위한 밸브들(V11, V12, V13)이 결합되어 있다.Valves V11, V12, and V13 for blocking or allowing the flow of vaporized gas are coupled to the outlet 111 and the vaporized gas pipe L1.

기화 가스 배관(L1)은 캐니스터(100)의 배출구(111)와 연결되어 기화 가스가 이동될 수 있는 경로(path)를 제공한다. 본 실시예에서, 기화 가스 배관(L1)과 배출구(111)는 커넥터를 통해서 연결된다. 배출구(111)에는 밸브(V11)가 동작적으로 결합되어 있고, 밸브(V11)와 기화 가스 배관(L1)의 최 상류는 커넥터에 의해 연결된다. 기화 가스 배관(L1)의 최 하류는 챔버와 같은 처리 장치와 연결될 수 있다. 기화 가스 배관(L1)에는 히터(미 도시)가 열적으로 결합되어 있다. 기화 가스 배관(L1)에 열적으로 결합되는 히터(미 도시)는 예를 들면 한국특허공개번호 10-2015-0017319호(이하, '319호 특허')에 개시된 것과 같은 히팅 장치일 수 있다. '319호 특허'에 개시된 내용은 본원 명세서의 일부로 결합 된다. The vaporized gas pipe L1 is connected to the outlet 111 of the canister 100 to provide a path through which the vaporized gas may move. In this embodiment, the vaporized gas pipe L1 and the outlet 111 are connected through a connector. A valve V11 is operatively coupled to the outlet 111, and the valve V11 and the most upstream of the vaporized gas pipe L1 are connected by a connector. The most downstream of the vaporized gas pipe L1 may be connected to a processing device such as a chamber. A heater (not shown) is thermally coupled to the vaporized gas pipe L1. The heater (not shown) thermally coupled to the vaporization gas pipe L1 may be, for example, a heating device as disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2015-0017319 (hereinafter, 'Patent No. 319'). The contents disclosed in '319 Patent' are incorporated as a part of the present specification.

제1 가스온도부스터(200)는 기화 가스 배관(L1)을 통해서 이동되는 기화 가스의 온도를 조절하기 위해서, 기화 가스 배관(L1)에 열적으로 결합 되어 있다. 제1 가스온도부스터에는 히터(미 도시)가 구비되어 있으며, 이러한 히터에 의해 제1 가스온도부스터를 통과하는 기화 가스의 온도가 조절된다.The first gas temperature booster 200 is thermally coupled to the vaporized gas pipe L1 in order to control the temperature of the vaporized gas moved through the vaporized gas pipe L1. A heater (not shown) is provided in the first gas temperature booster, and the temperature of the vaporized gas passing through the first gas temperature booster is controlled by the heater.

제1 가스온도부스터(200)는 내부에 충분히 길고 직경이 작은 배관(미세 배관)을 포함하며, 이러한 미세 배관을 통해서 기화 가스가 이동되면서 'T3' 온도로 조절될 수 있게 된다. 여기서, 'T3'는 'Tmax' 와 같거나 작다.The first gas temperature booster 200 includes a pipe (fine pipe) having a sufficiently long and small diameter therein, and as the vaporized gas moves through the fine pipe, the temperature can be adjusted to 'T3'. Here, 'T3' is equal to or less than 'Tmax'.

제1 질량유량제어기(MFC)(300)는 기화 가스 배관(L1)을 통해서 이동되는 기화 가스의 양을 측정하고 조절하는 동작(이하, '유량 조절 동작'이라고도 함)을 수행하도록 기화 가스 배관(L1)에 동작적으로 결합되어 있다. 제1 질량유량제어기(MFC)(300)에는 히터(미 도시)가 열적으로 결합된다. 이러한 히터(미 도시)에 의해서 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부 배관을 흐르는 기화가스의 온도(또는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도)는 'T4'가 되도록 조절된다. 여기서, 'T4'는 'Tmax'와 같거나 작다.The first mass flow controller (MFC) 300 measures and adjusts the amount of vaporized gas moving through the vaporized gas pipeline L1 (hereinafter also referred to as a 'flow control operation') to perform an operation (hereinafter also referred to as a 'flow control operation') of the vaporized gas pipe ( L1) is operatively coupled. A heater (not shown) is thermally coupled to the first mass flow controller (MFC) 300 . The temperature of the vaporized gas flowing through the internal pipe of the first mass flow controller (MFC) 300 by such a heater (not shown) (or the internal temperature of the first mass flow controller (MFC) 300) is 'T4' is adjusted to be Here, 'T4' is equal to or less than 'Tmax'.

제1 질량유량제어기(MFC)(300)에 열적으로 결합되는 히터(미 도시)는, 예를 들면 319호 특허에 개시된 것과 같은 장치일 수 있다.A heater (not shown) thermally coupled to the first mass flow controller (MFC) 300 may be, for example, a device as disclosed in Patent No. 319 .

제1 실시예에서, 제1 가스온도부스터(200)는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)와 캐니스터(100)의 배출구(111) 사이에 위치된다. 즉, 제1 가스온도부스터(200)의 하류에 제1 질량유량제어기(MFC)(300)가 위치된다(환언하면, 제1 가스온도부스터(200)는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 상류에 위치된다.). 제1 실시예에서, 제1 가스온도부스터(200)와 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 사이의 배관에는 밸브(V13)가 동작적으로 결합되어 있다. In the first embodiment, the first gas temperature booster 200 is positioned between the first mass flow controller (MFC) 300 and the outlet 111 of the canister 100 . That is, a first mass flow controller (MFC) 300 is located downstream of the first gas temperature booster 200 (in other words, the first gas temperature booster 200 is a first mass flow controller (MFC) 300 ). ) is located upstream of). In the first embodiment, a valve V13 is operatively coupled to the pipe between the first gas temperature booster 200 and the first mass flow controller (MFC) 300 .

제1 실시예에 따른 기화 시스템은, 온도를 감지할 수 있는 적어도 하나의 센서(미 도시)와 제어부(미 도시)를 더 포함한다. 제어부(미 도시)는 적어도 하나의 센서(미 도시)의 감지 결과에 기초하여, 제1 가스온도부스터의 동작을 제어할 수 있다. 제어부(미 도시)는, 또한, 적어도 하나의 센서(미 도시)의 감지 결과에 기초하여, 캐니스터(100)에 열적으로 결합된 히터(미 도시), 기화 가스 배관(L1)에 열적으로 결합된 히터(미 도시), 또는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)에 열적으로 결합된 히터(미 도시)의 동작을 제어함으로써, 히터들(미 도시)이 결합된 구성요소들(예를 들면, 캐니스터(100), 기화 가스 배관(L1), 제1 질량유량제어기(MFC)(300))의 온도를 조절할 수 있다.The vaporization system according to the first embodiment further includes at least one sensor (not shown) and a controller (not shown) capable of sensing a temperature. The controller (not shown) may control the operation of the first gas temperature booster based on a detection result of at least one sensor (not shown). The control unit (not shown) is further, based on the detection result of at least one sensor (not shown), a heater (not shown) thermally coupled to the canister 100 , thermally coupled to the vaporization gas pipe (L1) By controlling the operation of a heater (not shown) or a heater (not shown) thermally coupled to the first mass flow controller (MFC) 300 , the heaters (not shown) are coupled components (eg, , the canister 100 , the vaporized gas pipe L1 , and the temperature of the first mass flow controller (MFC) 300 ) can be adjusted.

상술한 적어도 하나의 센서(미 도시)는, 캐니스터(100)의 내부에 장착된 온도 센서(미 도시), 캐니스터(100)의 외부에 장착된 온도 센서(미 도시), 기화 가스 배관(L1)의 외부에 장착된 온도 센서(미 도시), 가스 온도 부스터에 장착된 온도 센서(미 도시), 및/또는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부에 장착된 온도 센서(미 도시)를 포함한다.The above-described at least one sensor (not shown) includes a temperature sensor (not shown) mounted on the inside of the canister 100 , a temperature sensor (not shown) mounted on the outside of the canister 100 , and a vaporized gas pipe (L1). A temperature sensor (not shown) mounted to the outside of includes

본원 명세서에서, 배출구(111)로 배출되기 전의 기화 가스의 온도를 'T1', 제1 가스온도부스터로 유입되기 직전의 기화 가스(캐니스터(100)의 배출구(111)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관에 흐르는 기화 가스)의 온도를 'T2', 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화가스의 온도(가스온도부스터와 제1 질량유량제어기(MFC)(300) 사이의 배관에 흐르는 기화가스의 온도)를 'T3', 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부 배관을 흐르는 기화가스의 온도(제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도)를 'T4', 제1 질량유량제어기(MFC)(300)가 정상적으로 동작할 수 있는 최대 허용 온도를 'Tmax'라고 정의한다. 여기서, T1, T2, T3, T4, 및 Tmax는 각각 특정의 값 또는 소정의 범위를 나타낼 수 있다. 이하의 다른 실시예들에서도 동일한 의미로 사용하기로 한다. In the present specification, the temperature of the vaporized gas before being discharged to the outlet 111 is 'T1', and the vaporized gas immediately before flowing into the first gas temperature booster (the outlet 111 of the canister 100 and the first gas temperature booster ( 200) is the temperature of the vaporized gas flowing in the pipe between 'T2', the first mass flow controller (MFC) 300, the temperature of the vaporized gas immediately before flowing into the (gas temperature booster and the first mass flow controller (MFC)) ) 300) is 'T3', the temperature of vaporized gas flowing through the internal pipe of the first mass flow controller (MFC) 300 (first mass flow controller (MFC) 300) ) is defined as 'T4', and the maximum allowable temperature at which the first mass flow controller (MFC) 300 can normally operate is defined as 'Tmax'. Here, T1, T2, T3, T4, and Tmax may each represent a specific value or a predetermined range. It will be used in the same meaning in other embodiments below.

예를 들면, T1=80℃, T2=100℃, T3=120℃, T4=120℃ 일 수 있다. 다른 예를 들면, T1=130℃, T2=140℃, T3=150℃, T4=150℃일 수 있다. 이러한 수치들은 예시적인 것으로 본원 발명의 권리범위를 한정하고자 하는 것이 아니다. For example, it may be T1=80°C, T2=100°C, T3=120°C, and T4=120°C. As another example, it may be T1=130°C, T2=140°C, T3=150°C, and T4=150°C. These figures are illustrative and are not intended to limit the scope of the present invention.

또한, 본 발명의 설명의 목적을 위해서, 기화 가스 배관(L1)의 구간을 도면 부호를 부여하여 임의적으로 구분하였다. 예를 들면, 기화 가스 배관(L1) 전체, 즉, 커넥터로부터 시작하여 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 하류의 임의 위치까지를 'L1', 커넥터로부터 가스 온도 부스터 직전까지의 구간을 'L12', 가스 온도 부스터가 장착된 구간을 'L20', 가스 온도 부스터 이후부터 제1 질량유량제어기(MFC)(300) 직전까지의 구간을 'L23', 제1 질량유량제어기(MFC)(300)가 장착된 구간을 'L30'라고 언급한다. 이러한 구분은 다른 실시예들에서도 동일한 의미로 사용하기로 한다. In addition, for the purpose of explanation of the present invention, sections of the vaporized gas pipe L1 are arbitrarily divided by reference numerals. For example, the entire vaporization gas pipe L1, that is, from the connector to an arbitrary position downstream of the first mass flow controller (MFC) 300 is 'L1', and the section from the connector to just before the gas temperature booster is 'L12', the section where the gas temperature booster is installed is 'L20', the section from after the gas temperature booster to just before the first mass flow controller (MFC) 300 is 'L23', the first mass flow controller (MFC) ( 300) is referred to as 'L30'. This division will be used in the same meaning in other embodiments.

제1 실시예에 따르면, 제어부(미 도시)는 상술한 적어도 하나의 센서(미 도시)의 감지 결과에 기초하여, 제1 가스온도부스터(200)의 동작을 제어한다. 예를 들면, 제1 가스온도부스터의 외부 또는 내부에 온도를 감지하는 센서(미 도시)가 결합되어 있고, 이러한 센서의 감지 결과에 기초하여 제어부(미 도시)는 제1 가스온도부스터(200)에 열적으로 결합된 히터(미 도시)의 동작을 제어한다. According to the first embodiment, the controller (not shown) controls the operation of the first gas temperature booster 200 based on the detection result of the at least one sensor (not shown). For example, a sensor (not shown) for sensing a temperature is coupled to the outside or inside of the first gas temperature booster, and based on the sensing result of this sensor, the controller (not shown) is the first gas temperature booster 200 . Controls the operation of a heater (not shown) thermally coupled to the.

제1 실시예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)를 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)와 같거나 더 높도록, 제1 가스온도부스터(200)를 통해서 이동되는 기화 가스의 온도를 조절할 수 있다. According to the first embodiment, the first gas temperature booster 200 controls the temperature T3 of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 to the first mass flow controller (MFC) ( 300) may be equal to or higher than the internal temperature T4, the temperature of the vaporized gas moved through the first gas temperature booster 200 may be adjusted.

제1 실시예의 다른 예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높도록, 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절한다. 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높이기 위해서, 제1 가스온도부스터(200)에서 조절할 기화 가스의 온도는, 캐니스터(100)에 저장된 전구체의 종류, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 최대허용 온도(Tmax), 및/또는 기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스의 유량 속도 등등에 기초하여 결정된 것이다.According to another example of the first embodiment, in the first gas temperature booster 200, the degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is a first mass flow controller (MFC) (300). ), the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 is adjusted so as to be equal to or higher than the degree of unsaturation of the vaporized gas after the inflow. In order that the degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is equal to or higher than the degree of unsaturation of the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 , the first gas The temperature of the vaporized gas to be controlled by the temperature booster 200 is the type of the precursor stored in the canister 100, the maximum allowable temperature (Tmax) of the first mass flow controller (MFC) 300, and/or the vaporized gas pipe (L1) ) is determined based on the flow rate of the vaporized gas flowing in the

전구체의 포화와 불포화는 전구체의 포화증기압으로 설명할 수 있다. 포화증기압은 일정한 온도에서 밀폐된 용기에 들어있는 액체/고체와 그 증기가 동적 평형인 상태를 말하는 것으로써 일정한 온도에서 증기압은 어느 상한까지만 도달하고, 전구체의 특징과 밀폐된 용기(즉, 캐니스터)의 크기에 따라 상한까지 도달하는 시간이 달라지는 특징을 갖고 있다. 즉, 밀폐된 캐니스터(100)의 내부에서 전구체의 포화는 해당 온도에서 전구체의 증기압까지 올라간 상태를 의미한다. 예를 들어, 캐니스터(100)가 100도이면 기화 전구체는 100도에 해당하는 증기압(P1)까지 압력이 상승할 수 있고, 하드웨어적으로 배관의 온도가 120도이면 배관(예를 들면 도 2의 L23)에서는 120도의 증기압(P2)까지 압력이 상승할 수 있으나 캐니스터(100)에서 공급되는 기화가스 압력은 P1이므로 ΔP = (P2-P1)만큼의 불포화가 발생하게 된다. The saturation and unsaturation of the precursor can be explained by the saturated vapor pressure of the precursor. Saturated vapor pressure refers to a state in which a liquid/solid and its vapor in a closed container at a constant temperature are in dynamic equilibrium. At a constant temperature, the vapor pressure reaches only an upper limit, The time to reach the upper limit varies depending on the size of That is, saturation of the precursor in the sealed canister 100 means a state in which the vapor pressure of the precursor is raised at the corresponding temperature. For example, if the canister 100 is 100 degrees, the pressure of the vaporized precursor may rise to a vapor pressure P1 corresponding to 100 degrees, and if the temperature of the pipe is 120 degrees in hardware, the pipe (for example, in FIG. 2 ) In L23), the pressure may rise up to the vapor pressure P2 of 120 degrees, but since the vaporized gas pressure supplied from the canister 100 is P1, desaturation as much as ΔP = (P2-P1) occurs.

질량유량제어기(MFC)의 배관 유로가 매우 작아 질량유량제어기(MFC) 내부에서의 압력(P3)은 상승하게 되고 동일 유량을 기준으로 불포화도가 P2보다 낮아질 수 있다. 즉, 상태 조건은 P2<P3 이고, V2>V3 이 되는 상황이다. 여기서, P1는 캐니스터 내부의 압력, P2는 배관(예를 들면 도 2의 L23)의 압력, P3는 질량유량제어기(MFC)의 내부 배관의 압력이고, V2는 배관(예를 들면 도 2의 L23)의 부피이고, V3는 질량유량제어기(MFC)의 내부 배관의 부피이다.Since the pipe flow path of the mass flow controller (MFC) is very small, the pressure P3 inside the mass flow controller (MFC) increases, and the degree of unsaturation may be lower than that of P2 based on the same flow rate. That is, the state condition is P2<P3 and V2>V3. Here, P1 is the pressure inside the canister, P2 is the pressure of the pipe (for example, L23 in FIG. 2), P3 is the pressure of the internal pipe of the mass flow controller (MFC), and V2 is the pressure of the pipe (for example, L23 in FIG. 2) ), and V3 is the volume of the internal pipe of the mass flow controller (MFC).

상기와 같은 상황에서는, 도 13의 A지점(MFC 입구조건)에서 B 지점(MFC 배관조건)으로 상태 이동이 발생하여 MFC 전단 배관(예를 들면 도 2의 L23)보다 MFC 내부 배관에서 응축하여 막힐 가능성이 높아진다. . In the above situation, the state shift occurs from point A (MFC inlet condition) in FIG. 13 to point B (MFC piping condition), so that it condenses and clogs in the MFC internal pipe rather than the MFC front end pipe (for example, L23 in FIG. 2). chances are high .

이를 막기 위해서 본 발명의 일 실시예는, 도 13의 C 지점이나 온도 T 곡선의 어딘가에 MFC 입구조건을 형성하고 MFC 내부 배관조건을 A 지점으로 갈 수 있도록 MFC 입구에서 급격한 온도 상향이 이루어지도록 하는 구성을 가진다.In order to prevent this, an embodiment of the present invention forms an MFC inlet condition at point C or somewhere on the temperature T curve in FIG. 13 and a configuration in which the temperature rises rapidly at the MFC inlet so that the MFC internal piping condition can go to point A have

제1 실시예의 또 다른 예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)보다 낮도록 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하되, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스가 포화도가 100(백)%에 도달되지 않도록, 기화 가스(제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스 또는 배관(L23)에 흐르는 기화 가스)의 온도(T3)를 조절한다. 여기서의 기화 가스의 온도(T3)는, 예를 들면 캐니스터(100)에 저장된 전구체의 종류, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 최대허용 온도(Tmax), 및/또는 기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스의 유량 속도 등등에 기초하여 결정된 것이다.According to another example of the first embodiment, in the first gas temperature booster 200, the temperature T3 of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is adjusted to the first mass flow controller ( The temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 is adjusted to be lower than the internal temperature T4 of the MFC) 300 , but vaporized after flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 . Temperature (T3) of the vaporized gas (vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 or vaporized gas flowing through the pipe L23) so that the gas does not reach 100 (one hundred)% saturation adjust the Here, the temperature (T3) of the vaporized gas is, for example, the type of the precursor stored in the canister 100, the maximum allowable temperature (Tmax) of the first mass flow controller (MFC) 300, and/or the vaporized gas pipe ( It is determined based on the flow rate and the like of the vaporizing gas flowing in L1).

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining a vaporization system according to a second embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 제2 실시예에 따른 기화 시스템(이하, '제2 실시예')은 캐니스터(100), 기화 가스 배관(L1), 필터(400), 가스온도부스터(이하, '제1 가스온도부스터')(200), 및 질량유량제어기(MFC)(이하, '제1 질량유량제어기(MFC)')(300)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3 , the vaporization system (hereinafter, 'second embodiment') according to the second embodiment includes a canister 100, a vaporization gas pipe L1, a filter 400, a gas temperature booster (hereinafter, 'second embodiment'). One gas temperature booster') 200 , and a mass flow controller (MFC) (hereinafter, 'first mass flow controller (MFC)') 300 may be included.

제2 실시예도, 온도를 감지할 수 있는 적어도 하나의 센서(미 도시)와 제어부(미 도시)를 더 포함할 수 있다. 제2 실시예에 포함된 제어부(미 도시)는 적어도 하나의 센서(미 도시)의 감지 결과에 기초하여, 제1 가스온도부스터의 동작을 제어할 수 있다. 제2 실시예에 포함된 제어부(미 도시)는, 또한, 적어도 하나의 센서(미 도시)의 감지 결과에 기초하여, 캐니스터(100)에 열적으로 결합된 히터(미 도시), 기화 가스 배관(L1)에 열적으로 결합된 히터(미 도시), 제1 질량유량제어기(MFC)(300)에 열적으로 결합된 히터(미 도시)의 동작을 제어할 수 있다. 제2 실시예에 포함된 적어도 하나의 센서(미 도시)는, 캐니스터(100)의 내부에 장착된 온도 센서, 캐니스터(100)의 외부에 장착된 온도 센서, 기화 가스 배관(L1)의 외부에 장착된 온도 센서, 가스 온도 부스터에 장착된 온도 센서, 및/또는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부에 장착된 온도 센서를 포함할 수 있다. The second embodiment may further include at least one sensor (not shown) and a controller (not shown) capable of sensing a temperature. The controller (not shown) included in the second embodiment may control the operation of the first gas temperature booster based on a detection result of at least one sensor (not shown). The control unit (not shown) included in the second embodiment also includes a heater (not shown) thermally coupled to the canister 100 based on a detection result of at least one sensor (not shown), a vaporized gas pipe ( The operation of a heater (not shown) thermally coupled to L1) and a heater (not shown) thermally coupled to the first mass flow controller (MFC) 300 may be controlled. At least one sensor (not shown) included in the second embodiment may include a temperature sensor mounted inside the canister 100 , a temperature sensor mounted outside of the canister 100 , and an outside of the vaporized gas pipe L1 . It may include a mounted temperature sensor, a temperature sensor mounted to the gas temperature booster, and/or a temperature sensor mounted inside the first mass flow controller (MFC) 300 .

제2 실시예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)를 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)와 같거나 더 높도록, 기화 가스 배관(L1)을 통해서 이동되는 기화 가스의 온도를 조절할 수 있다. According to the second embodiment, the first gas temperature booster 200 is a first mass flow controller (MFC) (MFC) ( 300) may be equal to or higher than the internal temperature T4, the temperature of the vaporized gas moved through the vaporized gas pipe L1 may be adjusted.

제2 실시예의 다른 예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높도록, 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절한다.According to another example of the second embodiment, in the first gas temperature booster 200 , the degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is a first mass flow controller (MFC) 300 . ), the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 is adjusted so as to be equal to or higher than the degree of unsaturation of the vaporized gas after the inflow.

제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높이기 위해서 필요한 기화 가스의 온도는, 예를 들면 캐니스터(100)에 저장된 전구체의 종류, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 최대허용 온도(Tmax), 및/또는 기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스의 유량 속도 등등에 기초하여 결정된다.The degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is equal to or higher than the degree of unsaturation of the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) 300. The temperature is, for example, the type of the precursor stored in the canister 100 , the maximum allowable temperature Tmax of the first mass flow controller (MFC) 300 , and/or the flow rate of the vaporized gas flowing through the vaporized gas pipe L1 . It is determined based on speed, etc.

제2 실시예의 다른 예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)보다 낮도록 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하되, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스가 포화도가 100(백)%에 도달되지 않도록, 기화 가스(제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스 또는 배관(L23)에 흐르는 기화 가스)의 온도(T3)를 조절한다. 여기서의 기화 가스의 온도(T3)는, 예를 들면 캐니스터(100)에 저장된 전구체의 종류, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 최대허용 온도(Tmax), 및/또는 기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스의 유량 속도 등등에 기초하여 결정된 것이다. According to another example of the second embodiment, in the first gas temperature booster 200, the temperature T3 of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is the first mass flow controller (MFC). ) (300) but adjust the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be lower than the internal temperature (T4) of the 300, the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) (300) The temperature T3 of the vaporized gas (the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 or the vaporized gas flowing through the pipe L23) is adjusted so that the saturation degree does not reach 100 (100)%. Adjust. Here, the temperature (T3) of the vaporized gas is, for example, the type of the precursor stored in the canister 100, the maximum allowable temperature (Tmax) of the first mass flow controller (MFC) 300, and/or the vaporized gas pipe ( It is determined based on the flow rate and the like of the vaporizing gas flowing in L1).

한편, 제1 실시예와 비교하면 제2 실시예는 필터(400)를 더 포함하고 있다는 점에서 차이점이 있을 뿐, 제1 실시예와 제2 실시예는 동일하다. 제2 실시예에 포함된 제어부(미 도시)와 적어도 하나의 센서(미 도시)의 동작도 제1 실시예에서 설명한 것과 동일하다. 따라서, 이하에서는, 제1 실시예와의 차이점을 위주로 제2 실시예를 설명하기로 한다. Meanwhile, compared with the first embodiment, the second embodiment has only a difference in that it further includes a filter 400, and the first embodiment and the second embodiment are the same. Operations of the controller (not shown) and at least one sensor (not shown) included in the second embodiment are also the same as described in the first embodiment. Therefore, hereinafter, the second embodiment will be mainly described with respect to the differences from the first embodiment.

도 3을 참조하면, 필터(400)는 기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스에 포함된 입자를 제거할 수 있도록 기화 가스 배관(L1)에 동작적으로 결합되어 있다. 필터(400)는 제1 가스온도부스터(200)의 위치보다 상류에 위치되어 있다.Referring to FIG. 3 , the filter 400 is operatively coupled to the vaporized gas pipe L1 to remove particles included in the vaporized gas flowing through the vaporized gas pipe L1 . The filter 400 is located upstream from the position of the first gas temperature booster 200 .

필터(400)는 캐니스터(100)의 배출구(111)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관에 결합되어 기화 가스에 포함된 입자를 제거할 수 있다. 도 3에 도시된 실시예에서, 필터(400)는 밸브(V12)와 제1 가스온도부스터(200)와의 사이에 위치되어 있다. 한편, 필터(400)는 커넥터(C11)와 밸브(V11) 사이에 위치되도록 변화되는 것이 가능하며, 이하의 다른 실시예들에서도 필터(400)의 위치의 변화는 가능하다. The filter 400 may be coupled to a pipe between the outlet 111 of the canister 100 and the first gas temperature booster 200 to remove particles contained in the vaporized gas. In the embodiment shown in FIG. 3 , the filter 400 is positioned between the valve V12 and the first gas temperature booster 200 . Meanwhile, the filter 400 may be changed to be positioned between the connector C11 and the valve V11, and the position of the filter 400 may be changed in other embodiments below as well.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining a vaporization system according to a third embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 기화 시스템(이하, '제3 실시예')은 캐니스터(100), 기화 가스 배관(L1), 필터(400), 버퍼(500), 가스온도부스터(이하, '제1 가스온도부스터')(200), 및 질량유량제어기(MFC)(이하, '제1 질량유량제어기(MFC)')(300)를 포함할 수 있다. 또한, 제3 실시예도, 온도를 감지할 수 있는 적어도 하나의 센서(미 도시)와 제어부(미 도시)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the vaporization system (hereinafter, 'third embodiment') according to the third embodiment includes a canister 100 , a vaporization gas pipe L1 , a filter 400 , a buffer 500 , and a gas temperature booster. (hereinafter, 'first gas temperature booster') 200 , and a mass flow controller (MFC) (hereinafter, 'first mass flow controller (MFC)') 300 may be included. In addition, the third embodiment may further include at least one sensor (not shown) and a controller (not shown) capable of sensing a temperature.

제3 실시예에 포함된 제어부(미 도시)는 적어도 하나의 센서(미 도시)의 감지 결과에 기초하여, 제1 가스온도부스터의 동작을 제어할 수 있다. 제3 실시예에 포함된 제어부(미 도시)는, 제3 실시예에 포함된 적어도 하나의 센서(미 도시)의 감지 결과에 기초하여, 캐니스터(100)에 열적으로 결합된 히터(미 도시), 기화 가스 배관(L1)에 열적으로 결합된 히터(미 도시), 및 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 동작을 제어할 수 있다. 제3 실시예에 포함된 적어도 하나의 센서(미 도시)는, 캐니스터(100)의 내부에 장착된 온도 센서, 캐니스터(100)의 외부에 장착된 온도 센서, 기화 가스 배관(L1)의 외부에 장착된 온도 센서, 가스 온도 부스터에 장착된 온도 센서, 및/또는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부에 장착된 온도 센서를 포함할 수 있다. The controller (not shown) included in the third embodiment may control the operation of the first gas temperature booster based on a detection result of at least one sensor (not shown). A controller (not shown) included in the third embodiment includes a heater (not shown) thermally coupled to the canister 100 based on a detection result of at least one sensor (not shown) included in the third embodiment. , a heater (not shown) thermally coupled to the vaporized gas pipe L1 , and the first mass flow controller (MFC) 300 may be controlled. At least one sensor (not shown) included in the third embodiment may include a temperature sensor mounted inside the canister 100 , a temperature sensor mounted outside of the canister 100 , and an outside of the vaporized gas pipe L1 . It may include a mounted temperature sensor, a temperature sensor mounted to the gas temperature booster, and/or a temperature sensor mounted inside the first mass flow controller (MFC) 300 .

제3 실시예의 일 예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)를 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)와 같거나 더 높도록, 기화 가스 배관(L1)을 통해서 이동되는 기화 가스의 온도를 조절할 수 있다. According to an example of the third embodiment, the first gas temperature booster 200 adjusts the temperature T3 of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 to the first mass flow controller (MFC). ) (300) equal to or higher than the internal temperature (T4), it is possible to adjust the temperature of the vaporized gas moved through the vaporized gas pipe (L1).

제3 실시예의 다른 예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높도록, 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절한다. According to another example of the third embodiment, in the first gas temperature booster 200 , the degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is a first mass flow controller (MFC) (300). ), the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 is adjusted so as to be equal to or higher than the degree of unsaturation of the vaporized gas after the inflow.

제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높이기 위해서 필요한 기화 가스의 온도는, 예를 들면 캐니스터(100)에 저장된 전구체의 종류, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 최대허용 온도(Tmax), 및/또는 기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스의 유량 속도 등등에 기초하여 결정된다.The degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is equal to or higher than the degree of unsaturation of the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) 300. The temperature is, for example, the type of the precursor stored in the canister 100 , the maximum allowable temperature Tmax of the first mass flow controller (MFC) 300 , and/or the flow rate of the vaporized gas flowing through the vaporized gas pipe L1 . It is determined based on speed, etc.

제3 실시예의 다른 예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)보다 낮도록 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하되, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스가 포화도가 100(백)%에 도달되지 않도록, 기화 가스(제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스 또는 배관(L23)에 흐르는 기화 가스)의 온도(T3)를 조절한다. 여기서의 기화 가스의 온도(T3)는, 예를 들면 캐니스터(100)에 저장된 전구체의 종류, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 최대허용 온도(Tmax), 및/또는 기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스의 유량 속도 등등에 기초하여 결정된다.According to another example of the third embodiment, in the first gas temperature booster 200, the temperature T3 of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is the first mass flow controller (MFC). ) (300) but adjust the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be lower than the internal temperature (T4) of the 300, the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) (300) The temperature T3 of the vaporized gas (the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 or the vaporized gas flowing through the pipe L23) is adjusted so that the saturation degree does not reach 100 (100)%. Adjust. Here, the temperature (T3) of the vaporized gas is, for example, the type of the precursor stored in the canister 100, the maximum allowable temperature (Tmax) of the first mass flow controller (MFC) 300, and/or the vaporized gas pipe ( It is determined based on the flow rate and the like of the vaporizing gas flowing in L1).

한편, 제2 실시예와 비교하면 제3 실시예는 버퍼(500)를 더 포함하고 있다는 점에서 차이점이 있을 뿐, 제2 실시예와 제3 실시예는 동일하다. 제3 실시예에 포함된 제어부(미 도시)와 적어도 하나의 센서(미 도시)의 동작도 제3 실시예에서 설명한 것과 동일하다. 따라서, 이하에서는, 제2 실시예와의 차이점을 위주로 제3 실시예를 설명하기로 한다. On the other hand, compared with the second embodiment, the third embodiment has only a difference in that it further includes a buffer 500, and the second embodiment and the third embodiment are the same. Operations of the controller (not shown) and at least one sensor (not shown) included in the third embodiment are also the same as described in the third embodiment. Therefore, hereinafter, the third embodiment will be mainly described with respect to the differences from the second embodiment.

도 4를 참조하면, 버퍼(500)는 기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스를 일시적으로 저장하기 위해서 기화 가스 배관(L1)에 동작적으로 결합된다. 버퍼(500)는, 예를 들면, 제1 가스온도부스터(200)의 위치보다 상류에 위치되어 있고, 필터(400)의 위치보다는 하류에 위치될 수 있다. 버퍼(500)에 일시 저장되었던 기화 가스는 제1 가스온도부스터(200)로 이동된다. 버퍼(500)는 챔버로 제공되는 기화 가스의 양을 일정하게 유지하기 위한 용도로 제3 실시예에 사용되었다. Referring to FIG. 4 , the buffer 500 is operatively coupled to the vaporized gas pipe L1 to temporarily store the vaporized gas flowing in the vaporized gas pipe L1 . The buffer 500 is, for example, located upstream from the position of the first gas temperature booster 200 , and may be located downstream from the position of the filter 400 . The vaporized gas temporarily stored in the buffer 500 is moved to the first gas temperature booster 200 . The buffer 500 was used in the third embodiment for the purpose of maintaining a constant amount of vaporized gas supplied to the chamber.

도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a view for explaining a vaporization system according to a fourth embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 제4 실시예에 따른 기화 시스템(이하, '제4 실시예')은 캐니스터(100), 기화 가스 배관(L1), 필터(400), 제1 가스온도부스터(200), 제2 가스온도부스터(600), 제1 질량유량제어기(MFC)(300), 제2 질량유량제어기(MFC)(700), 캐리어 가스 배관(L2), 제1 공급배관(L3), 제2 공급배관(L7), 및 웨이스트 배관(L5)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5 , the vaporization system (hereinafter, 'fourth embodiment') according to the fourth embodiment includes a canister 100 , a vaporization gas pipe L1 , a filter 400 , and a first gas temperature booster 200 . , second gas temperature booster 600, first mass flow controller (MFC) 300, second mass flow controller (MFC) 700, carrier gas pipe (L2), first supply pipe (L3), first 2 may include a supply pipe (L7), and a waste pipe (L5).

제4 실시예에 따르면, 본 기화 시스템은 기화 모드, 세정 모드, 또는 퍼지 모드에서 동작할 수 있다. 기화 모드는, 캐니스터(100)에 저장된 전구체가 기화되어 기화 가스 배관(L1)을 통해서 챔버로 제공되는 동작이 수행되는 모드이다. 기화 모드에서, 기화 가스 배관(L1)에 위치된 밸브들(V11, V12, V13)과 캐리어 가스 배관(L2)에 위치된 밸브(V21)는 온(ON) 상태(개방된 상태로서 유체의 흐름을 허용하는 상태를 의미)이다. 나머지 밸브들(V31, V41, V51)은 오프(OFF) 상태(폐쇄된 상태로서 유체의 흐름을 허용하지 않는 상태)이다. According to a fourth embodiment, the vaporization system may operate in vaporization mode, cleaning mode, or purge mode. The vaporization mode is a mode in which an operation in which the precursor stored in the canister 100 is vaporized and provided to the chamber through the vaporization gas pipe L1 is performed. In the vaporization mode, the valves V11, V12, and V13 located in the vaporization gas pipe L1 and the valve V21 located in the carrier gas pipe L2 are in an ON state (open state and the flow of fluid) means a state that allows The remaining valves V31, V41, and V51 are in an OFF state (a closed state that does not allow the flow of a fluid).

세정 모드는 기화 가스 배관(L1)과 구성요소들을 세정하는 모드이다. 세정 모드에서, 제2 공급배관(L7)에 위치된 밸브(V41)와 웨이스트 배관(L5)에 위치된 밸브(V51)가 온(ON) 상태이고, 나머지 밸브들(V31, V12, V13, V21)은 오프(OFF) 상태이다. 세정 모드에서, 제2 공급배관(L7)을 통해서 세정제(예를 들면, 솔벤트)가 기화 가스 배관(L1)으로 공급되고, 세정제에 의해 기화 가스 배관(L1), 필터(400), 제2 가스온도 부스터가 세정된다. 세정을 마친 세정제는 웨이스트 배관(L5)을 통해서 배출된다. 한편, 세정 모드에서, 제2 공급배관(L7)에 위치된 밸브(V41)와 웨이스트 배관(L5)에 위치된 밸브(V51)와 밸브(V11)과 밸브(V12)가 온(ON) 상태이고, 나머지 밸브들(V31, V13, V21)은 오프(OFF) 상태로도 수행될 수 있다. 이러한 경우, 기화 가스 배관(L1)으로 공급된 세정제는, 웨이스트 배관(L5) 뿐만 아니라, 또한 밸브(V11)와 밸브(V12)를 경유하여 캐니스터(100)로도 이동됨으로써 외부로 배출될 수 있다.The cleaning mode is a mode for cleaning the vaporized gas pipe L1 and components. In the cleaning mode, the valve V41 located in the second supply pipe L7 and the valve V51 located in the waste pipe L5 are in an ON state, and the remaining valves V31, V12, V13, V21 ) is an OFF state. In the cleaning mode, a cleaning agent (eg, a solvent) is supplied to the vaporized gas piping L1 through the second supply piping L7, and the cleaning agent is used in the vaporized gas piping L1, the filter 400, and the second gas. The temperature booster is cleaned. After cleaning, the cleaning agent is discharged through the waste pipe L5. Meanwhile, in the cleaning mode, the valve V41, the valve V11, and the valve V12 located in the second supply pipe L7 and the waste pipe L5 are in an ON state and , the remaining valves V31, V13, and V21 may be performed in an OFF state. In this case, the cleaning agent supplied to the vaporized gas pipe L1 may be discharged to the outside by moving not only to the waste pipe L5 but also to the canister 100 via the valve V11 and the valve V12.

퍼지 모드에서, 제1 공급배관(L3)에 위치된 밸브(V31)와 웨이스트 배관(L5)에 위치된 밸브(V51)가 온(ON) 상태이고, 나머지 밸브들(V41, V12, V13, V21)은 오프(OFF) 상태이다. 퍼지 모드에서, 제1 공급배관(L3)을 통해서 캐리어 가스가 기화 가스 배관(L1)으로 공급되고, 캐리어 가스에 의해 기화 가스 배관(L1), 필터(400), 및 제1 가스온도부스터(200)가 퍼지된다. 퍼지를 마친 캐리어 가스는 웨이스트 배관(L5)을 통해서 배출된다. In the purge mode, the valve V31 positioned in the first supply pipe L3 and the valve V51 positioned in the waste pipe L5 are in an ON state, and the remaining valves V41, V12, V13, V21 ) is an OFF state. In the purge mode, the carrier gas is supplied to the vaporized gas pipe L1 through the first supply pipe L3, and the vaporized gas pipe L1, the filter 400, and the first gas temperature booster 200 by the carrier gas ) is purged. After purging, the carrier gas is discharged through the waste pipe L5.

제4 실시예도, 온도를 감지하기 위한 적어도 하나의 센서(미 도시)와 제어부(미 도시)를 더 포함할 수 있다. 제4 실시예에 포함된 제어부(미 도시)는, 기화 모드에서, 적어도 하나의 센서(미 도시)의 감지 결과에 기초하여, 제1 가스온도부스터의 동작과 제2가스온도부스터의 동작을 제어할 수 있다. The fourth embodiment may further include at least one sensor (not shown) and a controller (not shown) for sensing a temperature. The control unit (not shown) included in the fourth embodiment controls the operation of the first gas temperature booster and the operation of the second gas temperature booster based on the detection result of at least one sensor (not shown) in the vaporization mode can do.

제4 실시예에 포함된 제어부(미 도시)는, 기화 모드에서, 제4 실시예에 포함된 적어도 하나의 센서(미 도시)의 감지 결과에 기초하여, 캐니스터(100)에 열적으로 결합된 히터(미 도시)와 기화 가스 배관(L1)에 열적으로 결합된 히터(미 도시)의 동작을 제어할 수 있다. 제4 실시예에 포함된 적어도 하나의 센서(미 도시)는, 캐니스터(100)의 내부에 장착된 온도 센서, 캐니스터(100)의 외부에 장착된 온도 센서, 기화 가스 배관(L1)의 외부에 장착된 온도 센서, 가스 온도 부스터에 장착된 온도 센서, 및/또는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부에 장착된 온도 센서를 포함할 수 있다. The control unit (not shown) included in the fourth embodiment, in the vaporization mode, based on a detection result of at least one sensor (not shown) included in the fourth embodiment, a heater thermally coupled to the canister 100 . (not shown) and the operation of a heater (not shown) thermally coupled to the vaporized gas pipe L1 may be controlled. At least one sensor (not shown) included in the fourth embodiment may include a temperature sensor mounted inside the canister 100 , a temperature sensor mounted outside of the canister 100 , and a vaporized gas pipe L1 on the outside. It may include a mounted temperature sensor, a temperature sensor mounted to the gas temperature booster, and/or a temperature sensor mounted inside the first mass flow controller (MFC) 300 .

제4 실시예의 일 예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 기화 모드에서, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)를 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)와 같거나 더 높도록, 기화 가스 배관(L1)을 통해서 이동되는 기화 가스의 온도를 조절할 수 있다. According to an example of the fourth embodiment, the first gas temperature booster 200, in the vaporization mode, adjusts the temperature T3 of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 to the first mass. The temperature of the vaporized gas moving through the vaporized gas pipe L1 may be adjusted to be equal to or higher than the internal temperature T4 of the flow controller (MFC) 300 .

제4 실시예의 다른 예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 기화 모드에서, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높도록, 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절한다. According to another example of the fourth embodiment, in the first gas temperature booster 200, in the vaporization mode, the degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is determined by the first mass flow controller ( The temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 is adjusted so as to be equal to or higher than the degree of unsaturation of the vaporized gas after flowing into the MFC (300).

제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높이기 위해서 필요한 기화 가스의 온도는, 예를 들면 캐니스터(100)에 저장된 전구체의 종류, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 최대허용 온도(Tmax), 및/또는 기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스의 유량 속도 등등에 기초하여 결정된다.The degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is equal to or higher than the degree of unsaturation of the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) 300. The temperature is, for example, the type of the precursor stored in the canister 100 , the maximum allowable temperature Tmax of the first mass flow controller (MFC) 300 , and/or the flow rate of the vaporized gas flowing through the vaporized gas pipe L1 . It is determined based on speed, etc.

제4 실시예의 다른 예에 따르면, 제1 가스온도부스터(200)는, 기화 모드에서, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)보다 낮도록 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하되, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스가 포화도가 100(백)%에 도달되지 않도록, 기화 가스(제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스 또는 배관(L23)에 흐르는 기화 가스)의 온도(T3)를 조절한다. 여기서의 기화 가스의 온도(T3)는, 예를 들면 캐니스터(100)에 저장된 전구체의 종류, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 최대허용 온도(Tmax), 및/또는 기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스의 유량 속도 등등에 기초하여 결정된다.According to another example of the fourth embodiment, the first gas temperature booster 200, in the vaporization mode, the temperature T3 of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is the first mass The temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 is adjusted to be lower than the internal temperature T4 of the flow controller (MFC) 300 , but is introduced into the first mass flow controller (MFC) 300 . The temperature of the vaporized gas (the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 or vaporized gas flowing through the pipe L23) so that the saturation of the vaporized gas does not reach 100 (one hundred)%. Adjust (T3). Here, the temperature (T3) of the vaporized gas is, for example, the type of the precursor stored in the canister 100, the maximum allowable temperature (Tmax) of the first mass flow controller (MFC) 300, and/or the vaporized gas pipe ( It is determined based on the flow rate and the like of the vaporizing gas flowing in L1).

한편, 제3 실시예와 비교하면 제4 실시예는 캐리어 가스 배관(L2), 제2 가스온도부스터(600), 제2 질량유량제어기(MFC)(300), 제1 공급배관(L3), 제2 공급배관(L7), 및 웨이스트 배관(L5)을 더 포함하고 있고, 세정 모드와 퍼지 모드를 가지고 있다는 점에서 차이점이 있다. 이러한 차이점을 제외하면, 제3 실시예와 제4 실시예는 동일하다. 제4 실시예에 포함된 제어부(미 도시)와 적어도 하나의 센서(미 도시)의 동작도 제3 실시예에서 설명한 것과 동일하다. 따라서, 이하에서는, 제3 실시예와의 차이점을 위주로 제4 실시예를 설명하기로 한다. On the other hand, compared with the third embodiment, the fourth embodiment has a carrier gas pipe (L2), a second gas temperature booster (600), a second mass flow controller (MFC) (300), a first supply pipe (L3), There is a difference in that it further includes a second supply pipe (L7) and a waste pipe (L5), and has a cleaning mode and a purge mode. Except for these differences, the third and fourth embodiments are the same. Operations of the controller (not shown) and at least one sensor (not shown) included in the fourth embodiment are also the same as those described in the third embodiment. Therefore, hereinafter, the fourth embodiment will be mainly described with respect to the differences from the third embodiment.

제4 실시예에 따르면, 캐리어 가스 배관(L2)은 캐리어 가스가 이동될 수 있는 경로(path)를 제공한다. 캐리어 가스 배관(L2)에는, 캐리어 가스 배관(L2)을 통해서 이동되는 캐리어 가스의 양을 측정하고 조절할 수 있는 제2 질량유량제어기(MFC)(700)가, 동작적으로 결합되어 있다. 또한, 캐리어 가스 배관(L2)에는, 캐리어 가스 배관(L2)을 통해서 이동되는 캐리어 가스의 온도를 조절하기 위해서, 제2 가스온도부스터(600)가 열적으로 결합되어 있다. 제2 가스온도부스터(600)는 제2 질량유량제어기(MFC)(700)의 하류에 위치되어 있으며, 제2 가스온도부스터(600)의 하류의 배관은 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 하류의 배관에 연결된다. 따라서, 캐리어 가스 배관(L2)을 통해서 이동하는 캐리어 가스는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 하류에 흐르는 기화 가스와 합류된다. According to the fourth embodiment, the carrier gas pipe L2 provides a path through which the carrier gas can be moved. A second mass flow controller (MFC) 700 capable of measuring and adjusting the amount of carrier gas moved through the carrier gas pipe L2 is operatively coupled to the carrier gas pipe L2 . In addition, a second gas temperature booster 600 is thermally coupled to the carrier gas pipe L2 in order to adjust the temperature of the carrier gas moved through the carrier gas pipe L2. The second gas temperature booster 600 is located downstream of the second mass flow controller (MFC) 700 , and the downstream pipe of the second gas temperature booster 600 is a first mass flow controller (MFC) 300 . ) is connected to the downstream piping. Accordingly, the carrier gas moving through the carrier gas pipe L2 is merged with the vaporized gas flowing downstream of the first mass flow controller (MFC) 300 .

제4 실시예에 따르면, 제어부(미 도시)는, 기화 모드에서, 제1 가스온도부스터(200)의 동작을 제어할 뿐만 아니라 제2 가스온도부스터(600)의 동작도 제어할 수 있다. According to the fourth embodiment, the controller (not shown) may control the operation of the first gas temperature booster 200 as well as the operation of the second gas temperature booster 600 in the vaporization mode.

제4 실시예의 일 예에 따르면, 제2 가스온도부스터(600)는, 기화 모드에서, 캐리어 가스 배관(L2)을 따라서 흐르는 캐리어 가스의 온도를, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)를 통해서 배출되는 기화 가스의 온도와 동일하도록, 조절할 수 있다. According to an example of the fourth embodiment, the second gas temperature booster 600 controls the temperature of the carrier gas flowing along the carrier gas pipe L2 in the vaporization mode, and the first mass flow controller (MFC) 300 . It can be adjusted so as to be the same as the temperature of the vaporized gas discharged through it.

제4 실시예의 다른 예에 따르면, 제2 가스온도부스터(600)는, 기화 모드에서, 캐리어 가스 배관(L2)을 따라서 흐르는 캐리어 가스의 온도를, 제1 가스온도부스터(200)가 조절하는 기화 가스의 온도와 동일하도록 조절할 수 있다. According to another example of the fourth embodiment, the second gas temperature booster 600 is vaporized in which the first gas temperature booster 200 adjusts the temperature of the carrier gas flowing along the carrier gas pipe L2 in the vaporization mode. It can be adjusted to be the same as the temperature of the gas.

제4 실시예에 따르면, 제1 공급배관(L3)은 캐리어 가스 배관(L2)으로부터 분기되어 캐니스터(100)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관과 연결된다. 퍼지 모드에서, 캐리어 가스는 제1 공급배관(L3)을 통해서 기화 가스 배관(L1)으로 제공된다. 기화 가스 배관(L1)으로 공급된 캐리어 가스는 필터(400)와 제1 가스온도부스터(200)를 경유한 후, 웨이스트 배관(L5)을 통해서 배출된다. 웨이스트 배관(L5)은 제1 가스온도부스터(200)와 제1 질량유량제어기(MFC)(300) 사이의 배관으로부터 분기된 것이다. According to the fourth embodiment, the first supply pipe (L3) is branched from the carrier gas pipe (L2) and is connected to the pipe between the canister 100 and the first gas temperature booster (200). In the purge mode, the carrier gas is provided to the vaporized gas pipe L1 through the first supply pipe L3. The carrier gas supplied to the vaporization gas pipe L1 passes through the filter 400 and the first gas temperature booster 200, and then is discharged through the waste pipe L5. The waste pipe L5 is branched from the pipe between the first gas temperature booster 200 and the first mass flow controller (MFC) 300 .

제4 실시예에 따르면, 제2 공급배관(L7)은 캐니스터(100)와 제1 질량유량제어기(MFC)(300) 사이의 배관으로 연결된다. 세정 모드에서, 제1 공급배관(L3)을 통해서 세정제가 기화 가스 배관(L1)으로 제공된다. 기화 가스 배관(L1)으로 공급된 세정제는 필터(400)와 제1 가스온도부스터(200)를 경유한 후, 웨이스트 배관(L5)을 통해서 배출된다. 한편, 세정 모드에서, 제2 공급배관(L7)에 위치된 밸브(V41)와 웨이스트 배관(L5)에 위치된 밸브(V51)와 밸브(V11)과 밸브(V12)가 온(ON) 상태이고, 나머지 밸브들(V31, V13, V21)은 오프(OFF) 상태로도 수행될 수 있다. 이러한 경우, 기화 가스 배관(L1)으로 공급된 세정제는, 웨이스트 배관(L5) 뿐만 아니라, 또한 밸브(V11)와 밸브(V12)를 경유하여 캐니스터(100)로도 이동됨으로써 외부로 배출될 수 있다.According to the fourth embodiment, the second supply pipe L7 is connected to the pipe between the canister 100 and the first mass flow controller (MFC) 300 . In the cleaning mode, the cleaning agent is provided to the vaporized gas pipe L1 through the first supply pipe L3. The cleaning agent supplied to the vaporized gas pipe L1 passes through the filter 400 and the first gas temperature booster 200, and then is discharged through the waste pipe L5. Meanwhile, in the cleaning mode, the valve V41, the valve V11, and the valve V12 located in the second supply pipe L7 and the waste pipe L5 are in an ON state and , the remaining valves V31, V13, and V21 may be performed in an OFF state. In this case, the cleaning agent supplied to the vaporized gas pipe L1 may be discharged to the outside by moving not only to the waste pipe L5 but also to the canister 100 via the valve V11 and the valve V12.

한편, 도 4 실시예도 버퍼(500)(미 도시)를 더 포함할 수 있다. 버퍼(500)는 예를 들면 필터(400)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관에 동작으로 결합될 수 있다. 버퍼(500)에 대한 상세한 설명은 제3 실시예의 설명을 참조하기 바란다. Meanwhile, the embodiment of FIG. 4 may further include a buffer 500 (not shown). The buffer 500 may be operatively coupled to a pipe between the filter 400 and the first gas temperature booster 200 , for example. For a detailed description of the buffer 500, refer to the description of the third embodiment.

도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다. 6 is a view for explaining a vaporization system according to a fifth embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 제5 실시예에 따른 기화 시스템(이하, '제5 실시예')은 캐니스터(100), 기화 가스 배관(L1), 필터(400), 제1 가스온도부스터(200), 제2 가스온도부스터(600), 제1 질량유량제어기(MFC)(300), 캐리어 가스 배관(L2), 제1 공급배관(L3), 제2 공급배관(L7), 및 웨이스트 배관(L5)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6 , the vaporization system (hereinafter, 'fifth embodiment') according to the fifth embodiment includes a canister 100 , a vaporization gas pipe L1 , a filter 400 , and a first gas temperature booster 200 . , a second gas temperature booster 600, a first mass flow controller (MFC) 300, a carrier gas pipe (L2), a first supply pipe (L3), a second supply pipe (L7), and a waste pipe (L5) ) may be included.

제5 실시예에 따르면, 캐리어 가스 배관(L2)에서 분기된 제1 공급배관(L3)은 커넥터와 밸브(V11) 사이의 배관에 연결되어 있다는 점에서, 제4 실시예와 차이가 있다. According to the fifth embodiment, the first supply pipe L3 branched from the carrier gas pipe L2 is different from the fourth embodiment in that it is connected to a pipe between the connector and the valve V11.

제5 실시예도 기화 모드, 세정 모드, 또는 퍼지 모드에서 동작할 수 있다. 기화 모드와 세정 모드에서의 동작은 제4 실시예의 것과 동일하다. 제5 실시예에 따르면, 퍼지 모드에서 제1 공급배관(L3)에 위치된 밸브(V31)와 웨이스트 배관(L5)에 위치된 밸브(V51)와 기화 가스 배관(L1)에 설치된 밸브(V12)가 온(ON) 상태이고, 나머지 밸브들(V41, V11, V13, V21)은 오프(OFF) 상태이다.The fifth embodiment may also operate in vaporization mode, cleaning mode, or purge mode. The operations in the vaporization mode and the cleaning mode are the same as those of the fourth embodiment. According to the fifth embodiment, in the purge mode, the valve V31 positioned in the first supply pipe L3 and the valve V51 positioned in the waste pipe L5 and the valve V12 installed in the vaporized gas pipe L1 in the purge mode It is in an ON state, and the remaining valves V41, V11, V13, and V21 are in an OFF state.

한편, 도 5 실시예도 버퍼(500)(미 도시)를 더 포함할 수 있다. 버퍼(500)는 예를 들면 필터(400)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관에 동작으로 결합될 수 있다. 버퍼(500)에 대한 상세한 설명은 제3 실시예의 설명을 참조하기 바란다. 제5 실시예의 보다 상세한 설명은, 제4 실시예의 설명을 참조하기 바란다. Meanwhile, the embodiment of FIG. 5 may further include a buffer 500 (not shown). The buffer 500 may be operatively coupled to a pipe between the filter 400 and the first gas temperature booster 200 , for example. For a detailed description of the buffer 500, refer to the description of the third embodiment. For a more detailed description of the fifth embodiment, refer to the description of the fourth embodiment.

도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 기화 시스템을 설명하기 위한 도면이다. 7 is a view for explaining a vaporization system according to a sixth embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 기화 시스템(이하, '제6 실시예')은 캐니스터(100), 기화 가스 배관(L1), 필터(400), 가스온도부스터(200), 제1 질량유량제어기(MFC)(300), 캐리어 가스 배관(L2), 제1 공급배관(L3), 제2 공급배관(L7), 및 웨이스트 배관(L5)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7 , a vaporization system (hereinafter, 'sixth embodiment') according to a sixth embodiment of the present invention includes a canister 100 , a vaporization gas pipe L1 , a filter 400 , and a gas temperature booster 200 . ), a first mass flow controller (MFC) 300 , a carrier gas pipe L2 , a first supply pipe L3 , a second supply pipe L7 , and a waste pipe L5 .

제6 실시예에 따르면, 가스온도부스터(200)가 기화 가스 배관(L1)을 흐르는 기화 가스의 온도와 캐리어 가스의 온도를 같이 조절한다는 점에서만, 제5실시예의 것과 차이가 있다. 즉, 제6실시예에 따르면, 캐리어 가스 배관(L2)과 기화 가스 배관(L1)이 하나의 가스온도부스터(200)를 경유하도록 구성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 캐리어 가스의 온도와 기화 가스의 온도를 손쉽게 동일하도록 조절할 수 있게 된다. 제6 실시예의 보다 상세한 설명은, 상술한 다른 실시예들의 설명을 참조하기 바란다. According to the sixth embodiment, there is a difference from that of the fifth embodiment only in that the gas temperature booster 200 adjusts the temperature of the vaporized gas flowing through the vaporized gas pipe L1 and the temperature of the carrier gas together. That is, according to the sixth embodiment, the carrier gas pipe (L2) and the vaporization gas pipe (L1) are configured to pass through one gas temperature booster (200). With this configuration, it is possible to easily adjust the temperature of the carrier gas and the temperature of the vaporization gas to be the same. For a more detailed description of the sixth embodiment, refer to the description of other embodiments described above.

제6 실시예에 포함된 가스온도부스터의 도면부호와 제1 실시예, 제2 실시예, 및 제3 실시예에서의 가스온도부스터의 도면부호가 '200'으로 서로 동일하게 부여되었지만, 제6 실시예의 가스온도부스터의 구성과, 제1 실시예, 제2 실시예, 및 제3 실시예에서의 가스온도부스터의 구성은 상이할 수 있다. 즉, 제6 실시예의 가스온도부스터는 캐리어 가스의 온도와 기화 가스의 온도를 모두 조절하도록 구성되어 있음에 비하여, 제1 실시예, 제2 실시예, 및 제3 실시예에서의 가스온도부스터는 기화 가스의 온도를 조절하도록 구성되어 있다. Although the reference number of the gas temperature booster included in the sixth embodiment and the reference number of the gas temperature booster in the first, second, and third embodiments are the same as '200', the sixth The configuration of the gas temperature booster in the embodiment may be different from the configuration of the gas temperature booster in the first, second, and third embodiments. That is, the gas temperature booster of the sixth embodiment is configured to control both the temperature of the carrier gas and the temperature of the vaporized gas, whereas the gas temperature booster in the first, second, and third embodiments is and is configured to regulate the temperature of the vaporized gas.

한편, 제6 실시예도 버퍼(500)(미 도시)를 더 포함할 수 있다. 버퍼(500)는 예를 들면 필터(400)와 가스온도부스터(200)의 사이의 배관에 동작으로 결합될 수 있다. 버퍼(500)에 대한 상세한 설명은 제3 실시예의 설명을 참조하기 바란다. 제6 실시예에 대한 보다 상세한 설명은, 제4 실시예의 설명을 참조하기 바란다. Meanwhile, the sixth embodiment may further include a buffer 500 (not shown). The buffer 500 may be operatively coupled to a pipe between the filter 400 and the gas temperature booster 200 , for example. For a detailed description of the buffer 500, refer to the description of the third embodiment. For a more detailed description of the sixth embodiment, refer to the description of the fourth embodiment.

도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스온도부스터를 설명하기 위한 도면들이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스온도부스터의 사시도, 도 9는 도 8의 가스온도부스터의 일 부분의 단면(C1을 따라서 Z 방향으로 절단한 면)을 비스듬한 방향에서 바라본 단면 사시도이고, 도 10은 도 8과 도 9에서의 가스온도 부스터의 일 부분의 단면(C2를 따라서 Y 방향으로 절단한 면)을 나타낸 단면도이고, 도 11은 도 8과 도 9에서의 가스온도부스터의 일 부분의 단면(C3를 따라서 Y 방향으로 절단한 면)을 나타낸 단면도이다. 이해의 편의를 위해서, 도 10과 도 11에 유체가 흐르는 방향을 점선 화살표들로 표시하였다.8 to 11 are views for explaining a gas temperature booster according to an embodiment of the present invention. 8 is a perspective view of a gas temperature booster according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional perspective view of a portion of the gas temperature booster of FIG. , FIG. 10 is a cross-sectional view showing a cross-section (a surface cut along C2 in the Y direction) of a portion of the gas temperature booster in FIGS. 8 and 9, and FIG. 11 is one of the gas temperature boosters in FIGS. 8 and 9 It is a cross-sectional view showing the cross section of the part (plane cut along C3 in the Y direction). For convenience of understanding, the direction in which the fluid flows is indicated by dotted arrows in FIGS. 10 and 11 .

도 8 내지 도 11을 참조하면, 가스온도부스터(200)의 외부에는 가스온도부스터(200)의 온도를 조절하기 위한 히터(미 도시)가 결합되어 있다. 이러한 히터(미 도시)에 의해 가스온도부스터(200)의 내부의 온도(후술하는 '미세관'을 통해서 이동하는 기화 가스의 온도)가 조절된다. 8 to 11 , a heater (not shown) for controlling the temperature of the gas temperature booster 200 is coupled to the outside of the gas temperature booster 200 . The temperature inside the gas temperature booster 200 (the temperature of vaporized gas moving through a 'fine tube' to be described later) is controlled by such a heater (not shown).

도 8 내지 도 11을 참조하면, 가스온도부스터(200)는 기화 가스가 이동되면서 온도 조절이 될 수 있을 정도로 충분한 길이의 가느다란 배관(이하, '미세관')(L201, L203)(기화 가스 배관(L1)보다 직경이 작음)과 열전도성 바디부(201)를 포함한다. 열전도성 바디부(201)에 형성된 입구를 통해서 기화 가스가 유입되고, 입구로 유입된 기화 가스는 미세관(L201, L203)으로 유입되어 이동된 후, 열전도성 바디부(201)에 형성된 출구를 통해서 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 배출된다. 8 to 11 , the gas temperature booster 200 is a thin pipe (hereinafter, 'fine tube') (L201, L203) of sufficient length to be able to control the temperature while the vaporized gas moves. It includes a pipe (L1) having a smaller diameter) and a thermally conductive body portion 201 . The vaporized gas flows in through the inlet formed in the thermally conductive body portion 201, and the vaporized gas introduced into the inlet flows into and moves into the microtubules L201 and L203, and then moves through the outlet formed in the thermally conductive body portion 201. It is discharged to the first mass flow controller (MFC) 300 through the.

미세관(L201, L203)의 직경은, 가스온도부스터(200)보다 상류에 배치된 구성요소와 가스온도부스터(200)와의 사이의 배관보다 작다. 도 2의 실시예를 예로 들면, 미세관(L201, L203)의 직경은 캐니스터(100)와 가스온도부스터(200) 사이의 배관(L1)의 직경보다 작다. 도 3의 실시예를 예로 들면, 미세관(L201, L203)의 직경은 가스온도부스터(200)와 필터(400) 사이의 배관(L1)의 직경보다 작다. 도 4의 실시예를 예로 들면, 미세관(L201, L203)의 직경은 버퍼(500)와 가스온도부스터(200) 사이의 배관의 직경보다 작다. The diameters of the fine tubes L201 and L203 are smaller than a pipe between the gas temperature booster 200 and a component disposed upstream of the gas temperature booster 200 . Taking the embodiment of FIG. 2 as an example, the diameters of the microtubules L201 and L203 are smaller than the diameter of the pipe L1 between the canister 100 and the gas temperature booster 200 . Taking the embodiment of FIG. 3 as an example, the diameters of the microtubules L201 and L203 are smaller than the diameter of the pipe L1 between the gas temperature booster 200 and the filter 400 . Taking the embodiment of FIG. 4 as an example, the diameters of the microtubules L201 and L203 are smaller than the diameter of the pipe between the buffer 500 and the gas temperature booster 200 .

미세관(L201, L203)의 길이는, 예를 들면, 가스온도부스터(200)와 캐니스터(100) 사이의 배관의 길이보다 길 수 있다. The length of the microtubules L201 and L203 may be longer than the length of the pipe between the gas temperature booster 200 and the canister 100, for example.

미세관(L201, L203)은 제1미세관(L201)과 제2미세관(L203)을 포함하고, 제1미세관(L201)과 제2미세관(L203)은 상하로 적층되어 서로 연통되어 있다. 제1미세관(L201)이 제2미세관(L203)의 상부에 위치되거나, 또는 반대로 제1미세관(L201)이 제2미세관(L203)의 하부에 위치될 수 있다.The microtubules L201 and L203 include a first microtubule L201 and a second microtubule L203, and the first microtubule L201 and the second microtubule L203 are stacked up and down to communicate with each other. have. The first microtubule L201 may be positioned above the second microtubule L203 , or conversely, the first microtubule L201 may be positioned below the second microtubule L203 .

미세관(L201, L203)은 전반적으로 곡선형(예를 들면, 원형이나 타원형)으로 배치되어 있다. 미세관(L201, L203)을 통해서 흐르는 기화 가스는 열전도성에 부착된 히터(미 도시)에 의해 온도가 조절될 수 있다. 본 실시예에서, 가스온도부스터(200)에서의 미세관(L201, L203)의 길이는 충분히 길어서, 미세관을 통해서 이동하는 기화 가스의 온도가 용이하게 조절될 수 있다. 가스온도부스터(200)의 입구로 유입된 기화 가스는 미세관(L201)과 미세관(L203)을 경유한 후에 출구를 통해서 배출된다.The microtubules L201 and L203 are generally arranged in a curved shape (eg, circular or oval). The temperature of the vaporized gas flowing through the microtubules L201 and L203 may be controlled by a heater (not shown) attached to the thermal conductivity. In this embodiment, the length of the microtubules L201 and L203 in the gas temperature booster 200 is sufficiently long, so that the temperature of the vaporized gas moving through the microtubule can be easily adjusted. The vaporized gas introduced into the inlet of the gas temperature booster 200 is discharged through the outlet after passing through the microtubules L201 and L203.

도 8 내지 도 11을 참조하면, 미세관(L201, L203)은 적층된 구조를 가질수 있다. 일 예를 들면, 제1미세관(L201)이 제2미세관(L203)의 상부에 위치된 구조를 가지며, 제1미세관(L201)의 출구(L202)와 제2미세관(L203)의 입구(L204)는 서로 연통되어 있다. 제1미세관(L201)의 입구로 유입된 기화 가스는 제1미세관(L201)을 통해 이동하다가 제1미세관(L201)의 출구(L202)를 통해서 제2미세관(L203)의 입구(L204)로 유입된 후, 제2미세관(L203)을 통해서 이동하다가 가스온도부스터(200)의 출구를 통해서 배출된다.8 to 11 , the microtubules L201 and L203 may have a stacked structure. For example, the first microtubule L201 has a structure positioned above the second microtubule L203, and the outlet L202 of the first microtubule L201 and the second microtubule L203 The inlets L204 communicate with each other. The vaporized gas introduced into the inlet of the first microtube L201 moves through the first microtube L201 and passes through the outlet L202 of the first microtube L201 to the inlet of the second microtube L203 ( L204), it moves through the second microtubule L203, and is discharged through the outlet of the gas temperature booster 200.

도 8 내지 도 11을 참조하면, 제1미세관(L201)과 제2미세관(L203)은 상하로 적층되어 있고, 제1미세관(L201)은 열전도성 바디부(201)의 외곽에서부터 시작하여 회전하면서 열전도성 바디부(201)의 중앙으로 향하도록 구성되어 있고, 제2미세관(L203)은 열전도성 바디부(201)의 중앙에서부터 열전도성 바디부(201)의 외곽으로 회전하면서 향하도록 구성되어 있고, 제1미세관(L201)의 출구(L202)와 제2미세관(L203)의 입구(L204)는 서로 연통되어 있다. 이렇게 구성됨으로써, 미세관(L201, L203)을 통해서 흐르는 기화 가스는 최소 구역에서 최대한으로 열을 받을 수 있게 된다.8 to 11 , the first microtube L201 and the second microtube L203 are stacked up and down, and the first microtube L201 starts from the outside of the thermally conductive body 201 . is configured to face the center of the thermally conductive body portion 201 while rotating, and the second microtubule L203 rotates from the center of the thermally conductive body portion 201 to the outside of the thermally conductive body portion 201. and the outlet L202 of the first microtubule L201 and the inlet L204 of the second microtubule L203 communicate with each other. With this configuration, the vaporized gas flowing through the microtubules L201 and L203 can receive maximum heat in the minimum area.

도 8 내지 도 11을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 가스온도부스터(200)에서, 제1미세관(L201)은 열전도성 바디부(201)의 외곽에서부터 시작하여 회전하면서 열전도성 바디부(201)의 중앙으로 향하도록 구성되어 있고, 제2미세관(L203)은 열전도성 바디부(201)의 중앙에서부터 열전도성 바디부(201)의 외곽으로 회전하면서 향하도록 구성되어 있지만, 이와 다르게 변형하는 것도 가능할 것이다. 예를 들면, 제1미세관(L201)은 열전도성 바디부(201)의 중앙에서부터 시작하여 회전하면서 열전도성 바디부(201)의 외곽으로 향하도록 구성되어 있고, 제2미세관(L203)은 열전도성 바디부(201)의 외곽에서부터 열전도성 바디부(201)의 중앙으로 회전하면서 향하도록 구성되어 있도록 변형이 가능하다. 이러한 변형에서, 제1미세관(L201)의 외곽과 제2미세관(L203)의 외곽은 서로 연통되어 있고, 제1미세관(L201)의 입구와 가스온도부스터(200)의 입구가 연통되어 있고, 제2미세관(L203)의 출구는 가스온도부스터(200)의 출구와 연통되어 있을 것이다. In the gas temperature booster 200 according to the embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 8 to 11 , the first microtubule L201 rotates from the outside of the thermally conductive body portion 201 while rotating the thermally conductive body. It is configured to face the center of the portion 201, and the second microtubule L203 is configured to rotate from the center of the thermally conductive body portion 201 to the outside of the thermally conductive body portion 201 and to face, but this Other transformations may also be possible. For example, the first microtubule L201 starts from the center of the thermally conductive body 201 and rotates toward the outside of the thermally conductive body 201, and the second microtubule L203 is Deformation is possible so that it is configured to rotate from the outer portion of the thermally conductive body portion 201 toward the center of the thermally conductive body portion 201 . In this variation, the outside of the first microtube L201 and the outside of the second microtube L203 are in communication with each other, and the inlet of the first microtube L201 and the inlet of the gas temperature booster 200 are in communication with each other. And, the outlet of the second micro-tube (L203) will be in communication with the outlet of the gas temperature booster (200).

도 8 내지 도 11을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 가스온도부스터(200)는 제1 실시예 내지 제5 실시예에 사용되는 가스온도부스터로서 이용될 수 있다. 제6실시예에 사용되는 가스온도부스터는, 예를 들면, 도 8 내지 도 11을 참조하여 설명한 가스온도부스터를 2개 적층하고, 이렇게 적층된 2개의 가스온도부스터는 히터(미 도시)가 둘러싸는 구성을 가질 수 있다. The gas temperature booster 200 according to an embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 8 to 11 may be used as a gas temperature booster used in the first to fifth embodiments. As for the gas temperature booster used in the sixth embodiment, for example, two gas temperature boosters described with reference to FIGS. 8 to 11 are stacked, and the two gas temperature boosters stacked in this way are surrounded by a heater (not shown). may have a configuration.

도 12는 본 발명의 실시예에 따른 기술적 효과를 설명하기 위한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 종래 시스템 대비하여, 월등하게 안정적으로 기화량을 제공할 수 있게 된다. 12 is for explaining technical effects according to an embodiment of the present invention. According to an embodiment of the present invention, compared to the conventional system, it is possible to provide an amount of vaporization significantly and stably.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기화 가스의 온도를 조절하는 방법이 제공된다. 이하에서는, 도 1 내지 도 12를 참조하여 설명한 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른 기화 가스 시템을 사용한 기화 가스의 온도를 조절하는 방법에 대하여 예시적으로 설명하기로 한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a method for adjusting the temperature of a vaporized gas. Hereinafter, a method for controlling the temperature of the vaporized gas using the vaporized gas system according to one or more embodiments of the present invention described with reference to FIGS. 1 to 12 will be exemplarily described.

일 예를 들면, 본 발명에 따른 기화 가스의 온도를 조절하는 방법은,For example, the method of controlling the temperature of the vaporized gas according to the present invention,

캐니스터의 배출구(111)로 배출되기 전의 기화 가스의 온도를 'T1'로 조절하는 단계; 및 제1 가스온도부스터(200)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)를 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)와 같거나 더 높도록 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 가스온도부스터(200)는 예를 들면 도 8 내지 도 11을 참조하여 설명한 구성을 가질 수 있다. adjusting the temperature of the vaporized gas before being discharged to the outlet 111 of the canister to 'T1'; And the temperature (T3) of the vaporized gas immediately before the first gas temperature booster 200 flows into the first mass flow controller (MFC) 300, the temperature inside the first mass flow controller (MFC) 300 ( It may include adjusting the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be equal to or higher than T4). Here, the first gas temperature booster 200 may have, for example, the configuration described with reference to FIGS. 8 to 11 .

다른 예를 들면, 본 발명에 따른 기화 가스의 온도를 조절하는 방법은,For another example, the method of controlling the temperature of the vaporized gas according to the present invention,

캐니스터의 배출구(111)로 배출되기 전의 기화 가스의 온도를 'T1'로 조절하는 단계; 제1 가스온도부스터로 유입되기 직전의 기화 가스(캐니스터(100)의 배출구(111)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관에 흐르는 기화 가스)의 온도를 'T2'로 조절하는 단계; 및 제1 가스온도부스터(200)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)를 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)와 같거나 더 높도록 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하는 단계를 포함할 수 있다. adjusting the temperature of the vaporized gas before being discharged to the outlet 111 of the canister to 'T1'; Adjusting the temperature of the vaporized gas immediately before flowing into the first gas temperature booster (vaporized gas flowing in the pipe between the outlet 111 of the canister 100 and the first gas temperature booster 200) to 'T2' ; And the temperature (T3) of the vaporized gas immediately before the first gas temperature booster 200 flows into the first mass flow controller (MFC) 300 is the temperature inside the first mass flow controller (MFC) 300 ( It may include adjusting the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be equal to or higher than T4).

다른 예를 들면, 본 발명에 따른 기화 가스의 온도를 조절하는 방법은,For another example, the method of controlling the temperature of the vaporized gas according to the present invention,

캐니스터의 배출구(111)로 배출되기 전의 기화 가스의 온도를 'T1'로 조절하는 단계; 및 제1 가스온도부스터(200)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높도록, 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하는 단계를 포함할 수 있다. adjusting the temperature of the vaporized gas before being discharged to the outlet 111 of the canister to 'T1'; and the degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before the first gas temperature booster 200 flows into the first mass flow controller (MFC) 300 is the degree of unsaturation of the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 . It may include adjusting the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be equal to or higher than .

다른 예를 들면, 본 발명에 따른 기화 가스의 온도를 조절하는 방법은,For another example, the method of controlling the temperature of the vaporized gas according to the present invention,

캐니스터의 배출구(111)로 배출되기 전의 기화 가스의 온도를 'T1'로 조절하는 단계; 제1 가스온도부스터로 유입되기 직전의 기화 가스(캐니스터(100)의 배출구(111)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관에 흐르는 기화 가스)의 온도를 'T2'로 조절하는 단계; 및 제1 가스온도부스터(200)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높도록, 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하는 단계를 포함할 수 있다. adjusting the temperature of the vaporized gas before being discharged to the outlet 111 of the canister to 'T1'; Adjusting the temperature of the vaporized gas immediately before flowing into the first gas temperature booster (vaporized gas flowing in the pipe between the outlet 111 of the canister 100 and the first gas temperature booster 200) to 'T2' ; and the degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before the first gas temperature booster 200 flows into the first mass flow controller (MFC) 300 is the degree of unsaturation of the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 . It may include adjusting the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be equal to or higher than .

다른 예를 들면, 본 발명에 따른 기화 가스의 온도를 조절하는 방법은,For another example, the method of controlling the temperature of the vaporized gas according to the present invention,

캐니스터의 배출구(111)로 배출되기 전의 기화 가스의 온도를 'T1'로 조절하는 단계; 및 제1 가스온도부스터(200)가, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)보다 낮도록 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하되, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스가 포화도가 100%에 도달되지 않도록 조절하는 단계;를 포함할 수 있다. adjusting the temperature of the vaporized gas before being discharged to the outlet 111 of the canister to 'T1'; and the temperature T3 of the vaporized gas immediately before the first gas temperature booster 200 flows into the first mass flow controller (MFC) 300 is the temperature inside the first mass flow controller (MFC) 300 . Adjust the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be lower than (T4), but the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 does not reach 100% saturation It may include; adjusting so as not to.

다른 예를 들면, 본 발명에 따른 기화 가스의 온도를 조절하는 방법은,For another example, the method of controlling the temperature of the vaporized gas according to the present invention,

캐니스터의 배출구(111)로 배출되기 전의 기화 가스의 온도를 'T1'로 조절하는 단계; 제1 가스온도부스터로 유입되기 직전의 기화 가스(캐니스터(100)의 배출구(111)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관에 흐르는 기화 가스)의 온도를 'T2'로 조절하는 단계; 및 제1 가스온도부스터(200)가, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)보다 낮도록 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하되, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스가 포화도가 100%에 도달되지 않도록 조절하는 단계;를 포함할 수 있다. adjusting the temperature of the vaporized gas before being discharged to the outlet 111 of the canister to 'T1'; Adjusting the temperature of the vaporized gas immediately before flowing into the first gas temperature booster (vaporized gas flowing in the pipe between the outlet 111 of the canister 100 and the first gas temperature booster 200) to 'T2' ; and the temperature T3 of the vaporized gas immediately before the first gas temperature booster 200 flows into the first mass flow controller (MFC) 300 is the temperature inside the first mass flow controller (MFC) 300 . Adjust the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be lower than (T4), but the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 does not reach 100% saturation It may include; adjusting so as not to.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As such, the present invention is not limited to the described embodiments, and it is apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, it should be said that such modifications or variations belong to the claims of the present invention.

10, 100: 캐니스터
200: 가스온도부스터
201: 열전도성 바디부
30, 300, 700: 질량유량제어기(MFC)
40, 400: 필터
L1: 기화 가스 배관
L2: 캐리어 가스 배관
L3: 제1공급배관
L7: 제2공급배관
L5: 웨이스트 배관
P2, P3: 분기점
P1, P5, P6: 합류점10, 100: canister
200: gas temperature booster
201: thermally conductive body portion
30, 300, 700: mass flow controller (MFC)
40, 400: filter
L1: Vaporized gas pipe
L2: carrier gas pipe
L3: 1st supply pipe
L7: 2nd supply pipe
L5: waste pipe
P2, P3: Junction
P1, P5, P6: junction

Claims (15)

전구체를 저장할 수 있고, 기화 가스를 외부로 배출하기 위한 배출구(111)가 구비된 캐니스터(100);
캐니스터(100)의 배출구(111)와 연결되어, 배출구(111)를 통해서 배출되는 기화 가스가 이동될 수 있는 경로(path)를 제공하는 기화 가스 배관(L1);
기화 가스의 양을 측정하고 조절하기 위해 기화 가스 배관(L1)과 동작적으로 결합된 제1 질량유량제어기(MFC)(300);
기화 가스 배관(L1)을 통해서 이동되는 기화 가스의 온도를 조절하기 위해서, 기화 가스 배관(L1)과 열적으로 결합된 제1 가스온도부스터(200);
캐리어 가스가 이동될 수 있는 경로(path)를 제공하는 캐리어 가스 배관(L2);
캐리어 가스의 양을 측정하고 조절하기 위해 캐리어 가스 배관(L2)과 동작적으로 결합된 제2 질량유량제어기(MFC)(700); 및
캐리어 가스 배관(L2)을 통해서 이동되는 캐리어 가스의 온도를 조절하기 위해서, 캐리어 가스 배관(L2)과 열적으로 결합된 제2 가스온도부스터(600);를 포함하고
제1 가스온도부스터(200)는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)와 캐니스터(100)의 배출구(111) 사이에 위치하고,
제2 가스온도부스터(600)의 하류의 배관은 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 하류의 배관에 연결되어 있는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템. a canister 100 capable of storing a precursor and having an outlet 111 for discharging the vaporized gas to the outside;
a vaporized gas pipe (L1) connected to the outlet 111 of the canister 100 and providing a path through which the vaporized gas discharged through the outlet 111 can move;
a first mass flow controller (MFC) 300 operatively coupled to the vaporizing gas pipe L1 for measuring and regulating the amount of vaporized gas;
a first gas temperature booster 200 thermally coupled to the vaporized gas pipe (L1) in order to control the temperature of the vaporized gas moved through the vaporized gas pipe (L1);
a carrier gas pipe (L2) providing a path through which the carrier gas can be moved;
a second mass flow controller (MFC) 700 operatively coupled to the carrier gas pipe L2 for measuring and regulating the amount of carrier gas; and
In order to control the temperature of the carrier gas moved through the carrier gas pipe (L2), a second gas temperature booster 600 thermally coupled to the carrier gas pipe (L2); and
The first gas temperature booster 200 is located between the first mass flow controller (MFC) 300 and the outlet 111 of the canister 100,
The pipe downstream of the second gas temperature booster 600 is connected to the pipe downstream of the first mass flow controller (MFC) 300 , A high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range. 제1항에 있어서,
기화 가스에 포함된 입자를 제거하기 위해서, 기화 가스 배관(L1)에 동작적으로 결합된 필터(400);를 더 포함하며,
필터(400)는 제1 가스온도부스터(200)보다 상류에 위치된 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템. According to claim 1,
In order to remove particles contained in the vaporized gas, the filter 400 is operatively coupled to the vaporized gas pipe (L1); further comprising,
The filter 400 is a high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range, which is located upstream than the first gas temperature booster 200 . 제2항에 있어서,
기화 가스 배관(L1)에 흐르는 기화 가스를 일시적으로 저장하기 위해서 기화 가스 배관(L1)에 동작적으로 결합된 버퍼(500);를 더 포함하며,
버퍼(500)는 제1 가스온도부스터(200)보다 상류에 위치된 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.3. The method of claim 2,
Further comprising; a buffer 500 operatively coupled to the vaporized gas pipeline (L1) to temporarily store the vaporized gas flowing in the vaporized gas pipeline (L1);
The buffer 500 is a high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range, which is located upstream than the first gas temperature booster 200 . 제1항에 있어서,
기화 가스에 포함된 입자를 제거하기 위해서, 기화 가스 배관(L1)에 동작적으로 결합된 필터(400);를 더 포함하며,
필터(400)는 제1 가스온도부스터(200)보다 상류에 위치되어 있는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.According to claim 1,
In order to remove particles contained in the vaporized gas, the filter 400 is operatively coupled to the vaporized gas pipe (L1); further comprising,
The filter 400 is a high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range, which is located upstream than the first gas temperature booster 200 . 제1항에 있어서,
캐리어 가스 배관(L2)으로부터 분기되어, 캐리어 가스를 퍼지용 유체로 공급하기 위한 제1 공급배관(L3); 및
제1 공급배관(L3)에 의해 공급된 캐리어 가스를 외부로 배출하기 위한 제1 웨이스트 배관(L5);을 더 포함하고,
제1 공급배관(L3)은 캐니스터(100)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관과 연결되어 있고,
제1 웨이스트 배관(L5)은 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 상류 또는 하류의 배관에 연결되어 있는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.According to claim 1,
a first supply pipe (L3) branched from the carrier gas pipe (L2) for supplying the carrier gas as a purge fluid; and
Further comprising; a first waste pipe (L5) for discharging the carrier gas supplied by the first supply pipe (L3) to the outside;
The first supply pipe (L3) is connected to the pipe between the canister 100 and the first gas temperature booster 200,
The first waste pipe (L5) is connected to a pipe upstream or downstream of the first mass flow controller (MFC) (300), a high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range. 제5항에 있어서,
퍼지용 유체를 공급하기 위한 제2 공급배관(L7); 을 더 포함하고,
제2 공급배관(L7)은 캐니스터(100)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관과 연결되어 있고,
제1 공급배관(L3) 또는 제2 공급배관(L7)을 통해서 공급된 퍼지용 유체는, 제1 웨이스트 배관(L5) 또는 캐니스터(100)를 통해서 배출되는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.6. The method of claim 5,
a second supply pipe (L7) for supplying a purge fluid; further comprising,
The second supply pipe (L7) is connected to the pipe between the canister 100 and the first gas temperature booster 200,
The purge fluid supplied through the first supply pipe (L3) or the second supply pipe (L7) is discharged through the first waste pipe (L5) or the canister 100, high purity having a wide usable temperature range Precursor vaporization system. 전구체를 저장할 수 있고, 기화 가스를 외부로 배출하기 위한 배출구(111)가 구비된 캐니스터(100);
캐니스터(100)의 배출구(111)와 연결되어, 배출구(111)를 통해서 배출되는 기화 가스가 이동될 수 있는 경로(path)를 제공하는 기화 가스 배관(L1);
기화 가스의 양을 측정하고 조절하기 위해 기화 가스 배관(L1)과 동작적으로 결합된 제1 질량유량제어기(MFC)(300);
기화 가스 배관(L1)을 통해서 이동되는 기화 가스의 온도를 조절하기 위해서, 기화 가스 배관(L1)과 열적으로 결합된 제1 가스온도부스터(200);
캐리어 가스가 이동될 수 있는 경로(path)를 제공하는 캐리어 가스 배관(L2);
캐리어 가스의 양을 측정하고 조절하기 위해 캐리어 가스 배관(L2)과 동작적으로 결합된 제2 질량유량제어기(MFC)(700); 및
기화 가스에 포함된 입자를 제거하기 위해서, 기화 가스 배관(L1)에 동작적으로 결합된 필터(400);를 포함하며,
제1 가스온도부스터(200)는 제1 질량유량제어기(MFC)(300)와 캐니스터(100)의 배출구(111) 사이에 위치하고,
캐리어 가스 배관(L2)의 일 구간은 제1 가스온도부스터(200)와 열적으로 결합되어 있고,
캐리어 가스 배관(L2)의 일 구간의 하류의 배관은, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 하류의 배관에 연결되어 있고, 필터(400)는 제1 가스온도부스터(200)의 위치보다 상류에 위치되어 있는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.a canister 100 capable of storing a precursor and having an outlet 111 for discharging the vaporized gas to the outside;
a vaporized gas pipe (L1) connected to the outlet 111 of the canister 100 and providing a path through which the vaporized gas discharged through the outlet 111 can move;
a first mass flow controller (MFC) 300 operatively coupled to the vaporizing gas pipe L1 for measuring and regulating the amount of vaporized gas;
a first gas temperature booster 200 thermally coupled to the vaporized gas pipe (L1) in order to control the temperature of the vaporized gas moved through the vaporized gas pipe (L1);
a carrier gas pipe (L2) providing a path through which the carrier gas can be moved;
a second mass flow controller (MFC) 700 operatively coupled to the carrier gas pipe L2 for measuring and regulating the amount of carrier gas; and
In order to remove particles contained in the vaporized gas, the filter 400 is operatively coupled to the vaporized gas pipe (L1);
The first gas temperature booster 200 is located between the first mass flow controller (MFC) 300 and the outlet 111 of the canister 100,
One section of the carrier gas pipe (L2) is thermally coupled to the first gas temperature booster 200,
A pipe downstream of one section of the carrier gas pipe L2 is connected to a pipe downstream of the first mass flow controller (MFC) 300 , and the filter 400 is located at the position of the first gas temperature booster 200 . A high purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range, which is located more upstream. 제7항에 있어서,
캐리어 가스 배관(L2)으로부터 분기되어, 캐리어 가스를 퍼지용 유체로 공급하기 위한 제1 공급배관(L3); 및
제1 공급배관(L3)에 의해 공급된 캐리어 가스를 외부로 배출하기 위한 웨이스트 배관(L5);을 더 포함하고,
제1 공급배관(L3)은 캐니스터(100)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관과 연결되어 있고,
웨이스트 배관(L5)은 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 상류 또는 하류의 배관에 연결되어 있는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.8. The method of claim 7,
a first supply pipe (L3) branched from the carrier gas pipe (L2) for supplying the carrier gas as a purge fluid; and
A waste pipe (L5) for discharging the carrier gas supplied by the first supply pipe (L3) to the outside; further comprising,
The first supply pipe (L3) is connected to the pipe between the canister 100 and the first gas temperature booster 200,
The waste pipe (L5) is connected to a pipe upstream or downstream of the first mass flow controller (MFC) (300), a high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range. 제8항에 있어서,
세정제를 공급하기 위한 제2 공급배관(L7); 을 더 포함하고,
제2 공급배관(L7)은 캐니스터(100)와 제1 가스온도부스터(200)의 사이의 배관과 연결되어 있고,
제1 공급배관(L3) 또는 제2 공급배관(L7)을 통해서 공급된 유체는, 웨이스트 배관(L5) 또는 캐니스터(100)를 통해서 배출되는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.9. The method of claim 8,
a second supply pipe (L7) for supplying a cleaning agent; further comprising,
The second supply pipe (L7) is connected to the pipe between the canister 100 and the first gas temperature booster 200,
The fluid supplied through the first supply pipe (L3) or the second supply pipe (L7) is discharged through the waste pipe (L5) or the canister 100, a high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range. 전구체를 저장할 수 있고, 기화 가스를 외부로 배출하기 위한 배출구(111)가 구비된 캐니스터(100);
캐니스터(100)의 배출구(111)와 연결되어, 배출구(111)를 통해서 배출되는 기화 가스가 이동될 수 있는 경로(path)를 제공하는 기화 가스 배관(L1);
기화 가스의 양을 측정하고 조절하기 위해 기화 가스 배관(L1)과 동작적으로 결합된 제1 질량유량제어기(MFC)(300); 및
기화 가스 배관(L1)을 통해서 이동되는 기화 가스의 온도를 조절하기 위해서, 기화 가스 배관(L1)과 열적으로 결합된 제1 가스온도부스터(200);를 포함하고,
제1 가스온도부스터(200)는 기화 가스가 이동될 수 있는 미세관(L201, L203)과 열전도성 바디부(201)를 포함하며,
열전도성 바디부(201)에 형성된 입구를 통해서 기화 가스가 유입되고, 입구로 유입된 기화 가스는 미세관(L201, L203)으로 유입되어 이동된 후, 열전도성 바디부(201)에 형성된 출구를 통해서 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 배출하며,
미세관(L201, L203)은 열전도성 바디부(201)에 형성되어 있고,
미세관(L201, L203)은 제1미세관과 제2미세관을 포함하되, 제1미세관과 제2미세관은 상하로 적층되어 서로 연통되어 있는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.a canister 100 capable of storing a precursor and having an outlet 111 for discharging the vaporized gas to the outside;
a vaporized gas pipe (L1) connected to the outlet 111 of the canister 100 and providing a path through which the vaporized gas discharged through the outlet 111 can move;
a first mass flow controller (MFC) 300 operatively coupled to the vaporizing gas pipe L1 for measuring and regulating the amount of vaporized gas; and
In order to control the temperature of the vaporized gas moved through the vaporized gas pipe (L1), the vaporized gas pipe (L1) and a first gas temperature booster (200) thermally coupled to;
The first gas temperature booster 200 includes microtubules L201 and L203 through which vaporized gas can be moved and a thermally conductive body portion 201,
The vaporized gas flows in through the inlet formed in the thermally conductive body 201, and the vaporized gas introduced into the inlet flows into and moves into the microtubules L201 and L203, and then moves through the outlet formed in the thermally conductive body 201. It is discharged to the first mass flow controller (MFC) 300 through
The microtubules L201 and L203 are formed in the thermally conductive body portion 201,
The microtubules L201 and L203 include a first microtubule and a second microtubule, wherein the first microtubule and the second microtubule are stacked up and down to communicate with each other, a high purity precursor having a wide usable temperature range vaporization system. 제10항에 있어서,
제1미세관은 열전도성 바디부(201)의 외곽으로부터 시작하여 열전도성 바디부(201)의 중앙으로 향하도록 구성되어 있고,
제2미세관은 열전도성 바디부(201)의 중앙으로부터 시작하여 열전도성 바디부(201)의 외곽으로 향하도록 구성되어 있는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.11. The method of claim 10,
The first microtubule is configured to start from the periphery of the thermally conductive body portion 201 and toward the center of the thermally conductive body portion 201,
The second microtubule is configured to start from the center of the thermally conductive body portion (201) toward the outside of the thermally conductive body portion (201), a high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range. 제10항에 있어서,
제1미세관은 열전도성 바디부(201)의 중앙으로부터 시작하여 열전도성 바디부(201)의 외곽으로 향하도록 구성되어 있고,
제2미세관은 열전도성 바디부(201)의 외곽으로부터 시작하여 열전도성 바디부(201)의 중앙으로 향하도록 구성되어 있는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.11. The method of claim 10,
The first microtubule is configured to start from the center of the thermally conductive body portion 201 and to face the outside of the thermally conductive body portion 201,
The second microtubule is configured to start from the outer portion of the thermally conductive body portion 201 toward the center of the thermally conductive body portion 201, a high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서,
제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)를 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)와 같거나 더 높도록 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템. 7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The first gas temperature booster 200 adjusts the temperature (T3) of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 to the temperature inside the first mass flow controller (MFC) 300 ( T4) is to adjust the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be equal to or higher than, a high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서,
제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 불포화도가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스의 불포화도와 같거나 더 높도록, 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템. 7. The method according to any one of claims 1 to 6,
In the first gas temperature booster 200 , the degree of unsaturation of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is the degree of unsaturation of the vaporized gas after flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 . A high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range, which is to adjust the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be equal to or higher than 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서,
제1 가스온도부스터(200)는, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입되기 직전의 기화 가스의 온도(T3)가 제1 질량유량제어기(MFC)(300)의 내부의 온도(T4)보다 낮도록 제1 가스온도부스터(200)로 유입된 기화 가스의 온도를 조절하되, 제1 질량유량제어기(MFC)(300)로 유입된 후의 기화 가스가 포화도가 100%에 도달되지 않도록 하는 것인, 넓은 가용 온도 범위를 가지는 고순도 전구체 기화 시스템.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
In the first gas temperature booster 200, the temperature (T3) of the vaporized gas immediately before flowing into the first mass flow controller (MFC) 300 is the temperature inside the first mass flow controller (MFC) 300 ( T4), but adjust the temperature of the vaporized gas introduced into the first gas temperature booster 200 to be lower than the first mass flow controller (MFC) 300 so that the vaporized gas after flowing into the saturation degree does not reach 100% A high-purity precursor vaporization system having a wide usable temperature range.
KR1020210046540A 2021-02-26 2021-04-09 High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range KR102347209B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20210026621 2021-02-26
KR1020210026621 2021-02-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102347209B1 true KR102347209B1 (en) 2022-01-05

Family

ID=79348871

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210046540A KR102347209B1 (en) 2021-02-26 2021-04-09 High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range
KR1020210046548A KR20220122917A (en) 2021-02-26 2021-04-09 High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210046548A KR20220122917A (en) 2021-02-26 2021-04-09 High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR102347209B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000012847A (en) * 1998-08-01 2000-03-06 윤종용 Gas supplier for producing semiconductor with preheater
JP2013249511A (en) * 2012-05-31 2013-12-12 Tokyo Electron Ltd Source gas supply apparatus, film deposition apparatus, supply method of source gas, and storage medium
KR20180100428A (en) * 2016-04-26 2018-09-10 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 Precursor supply system and precursor supply method
KR20210005523A (en) * 2019-07-05 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Liquid vaporizer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000012847A (en) * 1998-08-01 2000-03-06 윤종용 Gas supplier for producing semiconductor with preheater
JP2013249511A (en) * 2012-05-31 2013-12-12 Tokyo Electron Ltd Source gas supply apparatus, film deposition apparatus, supply method of source gas, and storage medium
KR20180100428A (en) * 2016-04-26 2018-09-10 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 Precursor supply system and precursor supply method
KR20210005523A (en) * 2019-07-05 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Liquid vaporizer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220122917A (en) 2022-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101447921B1 (en) Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
KR101447922B1 (en) Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
KR102245759B1 (en) Reactant delivery system for ald/cvd processes
KR20210073652A (en) Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister
US20150292084A1 (en) Integrated multi-headed atomizer and vaporization system and method
KR102318374B1 (en) Method and apparatus for measuring level of precursor stored in canister
KR102347209B1 (en) High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range
KR102438507B1 (en) Control valve and system capable of maintaining steadily vaporization and preliminary purge using the same
US20240052484A1 (en) Supply system for low volatility precursors
KR102438503B1 (en) Vaporization system for high purity precursor
KR102481022B1 (en) Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister
KR102347205B1 (en) Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister
KR102196514B1 (en) System and method capable of maintaining steadily vaporization and preliminary purge
KR102318377B1 (en) Method and apparatus for measuring level of precursor stored in canister
KR20190128265A (en) Aerosol-free vessels for bubbling chemical precursors in deposition processes
KR20210018885A (en) Vaporization system
KR20220048493A (en) System and method capable of measuring residual gas of canister
KR20200073328A (en) Vaporization system using canister with effective cell group
JPH01270595A (en) Apparatus for feeding gaseous raw material

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant