KR102481022B1 - Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister - Google Patents

Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister Download PDF

Info

Publication number
KR102481022B1
KR102481022B1 KR1020210045764A KR20210045764A KR102481022B1 KR 102481022 B1 KR102481022 B1 KR 102481022B1 KR 1020210045764 A KR1020210045764 A KR 1020210045764A KR 20210045764 A KR20210045764 A KR 20210045764A KR 102481022 B1 KR102481022 B1 KR 102481022B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
precursor
canister
temperature
temperature sensor
level
Prior art date
Application number
KR1020210045764A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20220122916A (en
Inventor
신현국
김대현
이영종
이희준
정근태
윤성한
오진욱
신은영
김민호
Original Assignee
(주)지오엘리먼트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)지오엘리먼트 filed Critical (주)지오엘리먼트
Publication of KR20220122916A publication Critical patent/KR20220122916A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102481022B1 publication Critical patent/KR102481022B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
    • G01F23/80Arrangements for signal processing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D7/00Indicating measured values
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
    • G01F23/04Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by dip members, e.g. dip-sticks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02TCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T10/00Road transport of goods or passengers
    • Y02T10/10Internal combustion engine [ICE] based vehicles
    • Y02T10/40Engine management systems

Abstract

본 발명은 기화기 시스템에 관한 것으로, 일 실시예에서, 전구체를 저장할 수 있는 캐니스터; 상기 전구체를 기화시키기 위해 상기 캐니스터에 열적으로 결합된 히터; 상기 캐니스터 내부의 제1 지점의 온도를 측정하는 제1 온도센서; 제1 지점에서 하방으로 소정 거리 이격된 제2 지점의 온도를 측정하는 제2 온도센서; 및 제1 및 제2 온도센서의 측정 온도에 기초하여 전구체의 레벨을 산출하는 제어부;를 포함하고, 상기 제어부는, 제1 지점과 제2 지점의 측정 온도의 차이값(ΔT)을 계산하고 이 계산결과에 기초하여 상기 캐니스터에 저장된 전구체의 레벨을 출력하도록 구성된 기화기 시스템을 개시한다. The present invention relates to a vaporizer system comprising, in one embodiment, a canister capable of storing a precursor; a heater thermally coupled to the canister to vaporize the precursor; a first temperature sensor measuring a temperature of a first point inside the canister; a second temperature sensor measuring a temperature of a second point spaced downward by a predetermined distance from the first point; And a controller that calculates the level of the precursor based on the measured temperatures of the first and second temperature sensors, wherein the controller calculates a difference value (ΔT) between the measured temperatures of the first point and the second point, and A vaporizer system configured to output a level of precursor stored in the canister based on a result of the calculation is disclosed.

Description

전구체의 레벨 측정 기능을 구비한 기화기 시스템 {Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister} Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister}

본 발명은 기화기 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 캐니스터에 저장된 전구체의 레벨을 측정할 수 있는 기능을 갖는 기화기 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a vaporizer system, and more particularly, to a vaporizer system having a function capable of measuring the level of a precursor stored in a canister.

반도체, 디스플레이, 발광다이오드 등 전자재료의 제조 공정에 있어서 필수적인 박막을 입히는 화학기상장치(CVD)나 원자층 증착장치(ALD) 등과 같은 처리 설비에 사용되는 각종 원료(전구체)는 가스, 액체, 또는 고체의 형태로 공급된다.Various raw materials (precursors) used in processing equipment such as chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD), which coat essential thin films in the manufacturing process of electronic materials such as semiconductors, displays, and light emitting diodes, are gas, liquid, or Supplied in solid form.

가스의 형태를 가진 원료의 경우는 압력을 조절하여 일정량을 공급할 수 있는 방법으로 사용되지만 액체나 고체의 경우에는 자체적인 압력이 매우 낮기 때문에 대부분 캐니스터라는 앰플에 담아서, 캐리어 가스(불활성 가스)를 이용한 버블링이나 가열을 통한 증기 발생을 통해서 기화를 시킨 이후에 반응 챔버로 공급하는 방법을 사용하고 있다.In the case of raw materials in the form of gas, it is used as a method of supplying a certain amount by adjusting the pressure, but in the case of liquid or solid materials, since their own pressure is very low, most of them are put in an ampoule called a canister and used as a carrier gas (inert gas). A method of vaporizing through steam generation through bubbling or heating and then supplying it to the reaction chamber is used.

도1은 종래 일반적인 기화기 시스템을 개략적으로 도시하였다. 도1을 참조하면 일반적인 기화기 시스템은 캐니스터(10), 캐니스터(10)로 캐리어 가스를 이송하는 제1 배관(L1), 캐니스터(10)에서 처리설비(예를 들면 화학증기증착(CVD) 장치나 이온 주입장치와 같은 반도체 가공 장비의 공정챔버)로 가스를 이송하는 제2 배관(L2), 제1 배관(L1)과 제2 배관(L2)을 연결하는 제3 배관(L3), 그리고 각 배관(L1,L2,L3)에 설치된 하나 이상의 밸브들(V1,V2,V3)로 구성된다.1 schematically shows a conventional general vaporizer system. Referring to FIG. 1, a general vaporizer system includes a canister 10, a first pipe L1 for transporting a carrier gas to the canister 10, and a processing facility in the canister 10 (eg, a chemical vapor deposition (CVD) device or A second pipe (L2) for transporting gas to a process chamber of semiconductor processing equipment such as an ion implanter), a third pipe (L3) connecting the first pipe (L1) and the second pipe (L2), and each pipe It consists of one or more valves (V1, V2, V3) installed on (L1, L2, L3).

이러한 구성에서, 캐니스터(10)에 액체나 고체 형태의 원료(전구체)를 넣은 후 제1 배관(L1)을 통해 캐리어 가스를 캐니스터(10)에 공급하여 전구체를 일정량씩 기화 또는 승화시키고 이렇게 기화 또는 승화된 전구체와 캐리어 가스를 제2 배관(L2)을 통해 처리설비로 이송하여 공급한다. In this configuration, after putting the raw material (precursor) in liquid or solid form into the canister 10, a carrier gas is supplied to the canister 10 through the first pipe L1 to vaporize or sublimate the precursor by a certain amount, and thus vaporize or sublimate the precursor. The sublimated precursor and carrier gas are transported and supplied to the processing facility through the second pipe (L2).

이러한 종래 기화기 시스템에서 캐니스터(10)에 채워진 전구체가 모두 소모되거나 전구체의 잔량이 기준치 이하가 되면 캐니스터(10)를 교체해야 하는데, 이를 위해 캐니스터(10)에 저장된 전구체의 잔량을 정확하게 측정할 필요가 있다.In such a conventional vaporizer system, when all of the precursors filled in the canister 10 are consumed or the remaining amount of the precursor is below a reference value, the canister 10 needs to be replaced. To this end, it is necessary to accurately measure the remaining amount of the precursor stored in the canister 10 there is.

종래 전구체의 잔량을 측정하기 위한 기술로서 저울을 사용하여 전구체의 무게를 측정하고 있는데, 이러한 기술은 온도 변화 등과 같은 작업 조건에 따라서 측정의 정확도를 담보할 수 없는 문제가 발생하곤 한다. As a conventional technology for measuring the remaining amount of a precursor, a scale is used to measure the weight of the precursor, but this technology often has a problem in that the accuracy of measurement cannot be guaranteed depending on working conditions such as temperature change.

특허문헌1: 한국 공개특허공보 제2020-0055872호 (2020년 5월 22일 공개)Patent Document 1: Korean Patent Publication No. 2020-0055872 (published on May 22, 2020)

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 전구체의 레벨(표면 또는 수위)을 측정할 수 있는 레벨 측정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a level measuring device and method capable of measuring the level (surface or water level) of a precursor.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기화기 시스템으로서, 전구체를 저장할 수 있는 캐니스터; 상기 전구체를 기화시키기 위해 상기 캐니스터에 열적으로 결합된 히터; 상기 캐니스터 내부의 제1 지점의 온도를 측정하는 제1 온도센서; 제1 지점에서 하방으로 소정 거리 이격된 제2 지점의 온도를 측정하는 제2 온도센서; 및 제1 및 제2 온도센서의 측정 온도에 기초하여 전구체의 레벨을 산출하는 제어부;를 포함하고, 상기 제어부는, 제1 지점과 제2 지점의 측정 온도의 차이값(ΔT)을 계산하고 이 계산결과에 기초하여 상기 캐니스터에 저장된 전구체의 레벨을 출력하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기화기 시스템을 개시한다. According to one embodiment of the present invention, a vaporizer system comprising: a canister capable of storing a precursor; a heater thermally coupled to the canister to vaporize the precursor; a first temperature sensor measuring a temperature of a first point inside the canister; a second temperature sensor measuring a temperature of a second point spaced downward by a predetermined distance from the first point; And a controller that calculates the level of the precursor based on the measured temperatures of the first and second temperature sensors, wherein the controller calculates a difference value (ΔT) between the measured temperatures of the first point and the second point, and Disclosed is a vaporizer system configured to output a level of precursor stored in the canister based on a calculation result.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐니스터에 저장된 전구체의 레벨을 정확히 측정할 수 있다. 또한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 온도 변화 등과 같은 작업 환경에 영향을 받지 않으면서 캐니스터에 저장된 전구체의 잔량을 정확하게 측정할 수 있게 된다. According to one embodiment of the present invention, the level of the precursor stored in the canister can be accurately measured. In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to accurately measure the remaining amount of the precursor stored in the canister without being affected by working environments such as temperature changes.

도1은 종래 예시적인 기화기 시스템을 설명하는 도면,
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터를 설명하는 도면,
도3은 제1 실시예에서 캐니스터 내의 전구체가 감소하는 상태를 나타내는 도면,
도4는 제1 실시예에 따른 전구체 레벨 측정 방법을 설명하는 도면,
도5는 제2 실시예에서 캐니스터 내의 전구체가 감소하는 상태를 나타내는 도면,
도6은 제2 실시예에 따른 전구체 레벨 측정 방법을 설명하는 도면,
도7은 제3 실시예에서 캐니스터 내의 전구체가 감소하는 상태를 나타내는 도면,
도8은 제3 실시예에 따른 전구체 레벨 측정 방법을 설명하는 도면이다.
1 is a diagram illustrating a prior art exemplary vaporizer system;
2 is a view for explaining a canister according to an embodiment of the present invention;
Fig. 3 is a diagram showing a state in which the precursor in the canister decreases in the first embodiment;
4 is a diagram for explaining a precursor level measuring method according to a first embodiment;
Fig. 5 is a diagram showing a state in which the precursor in the canister decreases in the second embodiment;
6 is a diagram explaining a precursor level measuring method according to a second embodiment;
Fig. 7 is a diagram showing a state in which the precursor in the canister decreases in the third embodiment;
8 is a diagram explaining a precursor level measurement method according to a third embodiment.

이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will be easily understood through the following preferred embodiments in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content will be thorough and complete and the spirit of the present invention will be sufficiently conveyed to those skilled in the art.

본 명세서에서 구성요소간 위치 관계를 설명하기 위해 '상부', '하부', '좌측', '우측', '전방', '후방' 등과 같이 위치나 방향을 나타내는 용어는 절대적 기준으로서의 위치나 방향을 의미하지 않을 수 있으며 각 도면을 참조하여 본 발명을 설명할 때 해당 도면을 기준으로 또는 해당 구성요소를 기준으로 설명의 편의를 위해 사용되는 상대적 표현일 수 있다. In this specification, terms indicating positions or directions, such as 'upper', 'lower', 'left', 'right', 'front', 'rear', etc., to describe the positional relationship between components, are positions or directions as absolute standards. It may not mean, and when the present invention is described with reference to each drawing, it may be a relative expression used for convenience of description based on the drawing or the corresponding component.

본 명세서에서 어떤 구성요소(A)가 다른 구성요소(B)에 연결(또는 결합, 체결, 부착 등)된다고 언급하는 경우 그것은 구성요소(A)가 다른 구성요소(B)에 직접적으로 연결되거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소를 개재하여 간접적으로 연결되는 것을 의미한다. In this specification, when an element (A) is referred to as being connected (or coupled, fastened, attached, etc.) to another element (B), it means that the element (A) is directly connected to the other element (B), or It means that they are connected indirectly through a third component between them.

본 명세서의 도면들에 있어서 구성요소들의 길이, 두께, 또는 넓이는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이며 어느 한 구성요소와 다른 구성요소의 상대적 크기도 구체적 실시예에 따라 달라질 수 있다. In the drawings of this specification, the length, thickness, or width of components are exaggerated for effective description of technical content, and the relative size of one component and another component may also vary depending on specific embodiments.

본 명세서에서 구성요소의 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '~를 포함한다', '~로 구성된다', 및 '~으로 이루어진다' 라는 표현은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. In this specification, the singular form of a component also includes the plural form unless otherwise specified in the phrase. The expressions 'comprises', 'consists of', and 'consists of' used in the specification do not exclude the presence or addition of one or more other elements in addition to the mentioned elements.

아래의 특정 실시예들을 기술하는데 있어서 여러 가지의 특정적인 내용들은 발명을 더 구체적으로 설명하고 이해를 돕기 위해 작성되었다. 하지만 본 발명을 이해할 수 있을 정도로 이 분야의 지식을 갖고 있는 독자는 이러한 여러 가지의 특정적인 내용들이 없어도 사용될 수 있다는 것을 인지할 수 있다. 어떤 경우에는, 발명을 기술하는 데 있어서 흔히 알려졌으면서 발명과 크게 관련 없는 부분들은 본 발명을 설명하는 데 있어 혼돈을 막기 위해 기술하지 않음을 미리 언급해 둔다. In describing the specific embodiments below, various specific details have been prepared to more specifically describe the invention and aid understanding. However, readers who have knowledge in this field to the extent that they can understand the present invention can recognize that it can be used without these various specific details. In some cases, it is mentioned in advance that parts that are commonly known in describing the invention and are not greatly related to the invention are not described in order to prevent confusion in describing the present invention.

용어의 정의Definition of Terms

본원 명세서에서, '유로', '라인', 및 '배관'은 가스가 이동할 수 있는 이송 공간을 의미한다.In the present specification, 'flow path', 'line', and 'pipe' refer to a transport space in which gas can move.

본원 명세서에서 '흐름을 조절'한다고 함은 흐름을 막거나, 흐름을 허용하거나, 흐르는 양을 조절하는 것을 포함하는 개념이다. 예를 들면, 유체의 흐름을 조절할 수 있는 구성요소는 유체의 흐름을 막거나, 유체의 흐름을 허용하거나, 흐르는 유체의 양을 조절하는 있는 구성요소로서, 밸브나 유체 부하가 있을 수 있다.In the present specification, 'controlling the flow' is a concept including blocking the flow, allowing the flow, or controlling the amount of flow. For example, a component capable of controlling the flow of fluid is a component capable of blocking the flow of fluid, permitting the flow of fluid, or controlling the amount of flowing fluid, and may include a valve or a fluid load.

본원 명세서에서, '밸브'는 유체의 흐름을 조절할 수 있는 구성요소이며, 유체의 흐름을 막거나 유체의 흐름을 허용하거나 흐르는 유체의 양을 조절할 수 있는 구성요소를 의미하며, 예를 들면 온-오프 밸브와 컨트롤 밸브와 같은 기기들일 수 있다.In the present specification, a 'valve' is a component capable of controlling the flow of fluid, and means a component capable of blocking the flow of fluid, allowing the flow of fluid, or controlling the amount of flowing fluid, for example, on- It may be devices such as off-valves and control valves.

본원 명세서에서, '온-오프 밸브'는 유체의 흐름을 막거나 유체의 흐름을 허용하는 밸브를 의미하고, '컨트롤 밸브'는 유체의 흐름을 막거나 유체의 흐름을 허용하거나 흐르는 유체의 양을 조절할 수 있는 밸브를 의미한다.In the present specification, an 'on-off valve' means a valve that blocks the flow of fluid or allows the flow of fluid, and a 'control valve' that blocks or allows the flow of fluid or controls the amount of flowing fluid. means an adjustable valve.

본원 명세서에서, '상류'와 '하류'는 유체가 흐르는 라인('유로')에서의 위치를 나타내기 위한 용어들로서, 구성요소 A가 구성요소 B보다 상류에 위치한다고 함은 유체가 구성요소 A에 먼저 도달하고 구성요소 A에 도달한 유체 중 적어도 일부의 유체가 구성요소 B에 도달하는 것을 의미한다. 또한, 구성요소 A가 구성요소 B보다 하류에 위치한다고 함은 유체가 구성요소 B에 먼저 도달하고 구성요소 B에 도달한 유체 중 적어도 일부의 유체가 구성요소 A에 도달하는 것을 의미한다.In the present specification, 'upstream' and 'downstream' are terms used to indicate a position in a line ('flow path') through which fluid flows. means that at least some of the fluids reaching component A reach component B first. Also, that component A is located downstream of component B means that the fluid reaches component B first and at least a part of the fluid reaching component B reaches component A.

본 발명에 따른 기화기 시스템은 전구체를 기화시켜서 처리설비로 제공하는 장치이다. 처리설비는 예를 들면 화학증기증착(CVD: chemical vapor deposition) 장치 또는 이온 주입장치(ion implanter)와 같은 반도체 가공 장비의 공정챔버(process chamber)와 같은 장치들이 될 수 있다. A vaporizer system according to the present invention is a device that vaporizes a precursor and provides it to a processing facility. The processing facility may be, for example, a device such as a process chamber of semiconductor processing equipment such as a chemical vapor deposition (CVD) device or an ion implanter.

본원 발명에서 전구체(precursor)는 고체 전구체 또는 액체 전구체일 수 있으며, 예를 들면 몰리브덴(Mo: molybdenum), 붕소(B: boron), 인(P:phosphorous), 구리(Cu: copper), 갈륨(Ga:gallium), 비소(As:arsenic), 루테늄(Ru: ruthenium), 인듐(In: indium), 안티몬(Sb: antimony), 란탄(La: lanthanum), 탄탈륨(Ta: tantalum), 이리듐(Ir: iridium), 데카보란(B10H14: decaborane), 사염화 하프늄(HfCl4: hafnium tetrachloride), 사염화 지르코늄(ZrCl4: zirconium tetrachloride), 삼염화 인듐(InCl3: indium trichloride), 금속 유기 베타-디케토네이트 착물(metal organic β-diketonate complex), 사이클로펜타디에닐 사이클로헵타트리에틸 티타늄(CpTiChT:cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium), 삼염화 알루미늄(AlCl3: aluminum trichloride), 요오드화 티타늄(TixIy:titanium iodide), 사이클로옥타테트라엔 사이틀로펜타디에닐 티타늄((Cot)(Cp)Ti: cyclooctatetraene cyclopentadienyltitanium), 비스(사이클로펜타디에닐)티타늄 디아지드 [bis(cyclopentadienyl)titanium diazide], 텅스텐 카르보닐(Wx(CO)y: tungsten carbonyl)(여기서, x와 y는 자연수), 비스(사이클로펜타디에닐)루테늄(II)[Ru(Cp)2: bis(cyclopentadienyl)ruthenium (II)], 삼염화 루테늄(RuCl3: ruthenium trichloride), 및/또는 텅스텐 클로라이드(WxCly)(여기서, x와 y는 자연수)을 포함하는 물질일 수 있다. 상술한 전구체들은 예시적인 것으로서 본원 발명은 그러한 전구체들에만 한정되는 것이 아님을 당업자는 알아야 한다. In the present invention, the precursor may be a solid precursor or a liquid precursor, and for example, molybdenum (Mo: molybdenum), boron (B: boron), phosphorus (P: phosphorous), copper (Cu: copper), gallium ( Ga: gallium), arsenic (As: arsenic), ruthenium (Ru: ruthenium), indium (In: indium), antimony (Sb: antimony), lanthanum (La: lanthanum), tantalum (Ta: tantalum), iridium (Ir) : iridium), decaborane (B10H14: decaborane), hafnium tetrachloride (HfCl4: zirconium tetrachloride), zirconium tetrachloride (ZrCl4: zirconium tetrachloride), indium trichloride (InCl3: indium trichloride), metal organic beta-diketonate complex β-diketonate complex), cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium (CpTiChT: cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium), aluminum trichloride (AlCl3: aluminum trichloride), titanium iodide (TixIy: titanium iodide), cyclooctatetraene cyclopentadienyl Titanium ((Cot)(Cp)Ti: cyclooctatetraene cyclopentadienyltitanium), bis(cyclopentadienyl)titanium diazide, tungsten carbonyl (Wx(CO)y: tungsten carbonyl), where x and y are natural numbers), bis(cyclopentadienyl)ruthenium(II) [Ru(Cp)2: bis(cyclopentadienyl)ruthenium (II)], ruthenium trichloride (RuCl3), and/or tungsten chloride (WxCly ) (where x and y are natural numbers). Those skilled in the art should know that the above-mentioned precursors are exemplary and the present invention is not limited only to such precursors.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기화기 시스템에서 캐니스터(10) 및 제어부(200)를 도시하였다. 본 발명의 기화기 시스템은 도1에 도시한 것처럼 캐니스터(10)에 연결된 다수의 배관과 각 배관에 설치된 밸브들, 그리고 배관을 통한 유체의 흐름을 제어하기 위해 상기 배관들에 설치되는 질량유량제어기(MFC), 질량 유량계(MFM), 그리고 캐니스터(10)를 가열하기 위한 히터 등의 구성요소들을 더 포함할 수 있으나, 본 명세서의 도면에서는 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위해 이러한 각종 배관과 밸브 및 장치들을 생략하였음을 당업자는 이해할 것이다. 2 shows a canister 10 and a controller 200 in a vaporizer system according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the vaporizer system of the present invention includes a plurality of pipes connected to the canister 10, valves installed in each pipe, and a mass flow controller installed in the pipes to control the flow of fluid through the pipes ( MFC), a mass flow meter (MFM), and may further include components such as a heater for heating the canister 10, but in the drawings of this specification, these various pipes, valves, and devices in order not to obscure the gist of the present invention. Those skilled in the art will understand that .

일 실시예에서 캐니스터(10)는 내부에 전구체를 수용하기 위한 공간을 가지며 캐니스터(10) 내부로 유체(예컨대 캐리어 가스)를 공급하기 위한 유입구(11) 및 캐니스터(10) 외부로 유체(예컨대 기화/승화된 전구체 및 캐리어 가스 등)를 배출하기 위한 유출구(12)를 포함할 수 있다. 또한 캐니스터(10)는 내부 공간의 소정 지점의 온도를 측정하기 위한 온도센서 모듈(110)을 포함한다. 도2에 도시한 실시예에는 하나의 온도센서 모듈(110)을 도시하였지만 발명의 구체적 실시 형태에 따라 하나 이상의 온도센서 모듈을 가질 수 있음은 물론이다. In one embodiment, the canister 10 has a space for accommodating a precursor therein, an inlet 11 for supplying a fluid (eg, a carrier gas) into the canister 10, and a fluid (eg, vaporization) to the outside of the canister 10. / It may include an outlet 12 for discharging the sublimated precursor and carrier gas, etc.). In addition, the canister 10 includes a temperature sensor module 110 for measuring the temperature of a predetermined point in the interior space. Although one temperature sensor module 110 is shown in the embodiment shown in FIG. 2, it is of course possible to have one or more temperature sensor modules according to a specific embodiment of the invention.

일 실시예에서 온도센서 모듈(110)은 상하로 이격 배치된 2개의 온도센서(111,112)를 구비한다. 각각의 온도센서(111,112)는 예컨대 열전대(thermocouple) 등의 공지의 온도센서로 구현될 수 있다. In one embodiment, the temperature sensor module 110 includes two temperature sensors 111 and 112 spaced apart from each other up and down. Each of the temperature sensors 111 and 112 may be implemented as a known temperature sensor such as, for example, a thermocouple.

일 실시예에서 캐니스터(10)의 내부 공간에 온도센서 모듈(110)을 설치하기 위해 하나 이상의 온도측정용 프로브(100)를 설치할 수 있다. 도시한 실시예에서 프로브(100)는 제1 프로브(100a)와 제2 프로브(100b)를 포함하고, 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112)가 각각 제1 프로브(100a)와 제2 프로브(100b)에 설치된다. 이와 같이 각 온도센서(111,112)마다 각각 독립된 프로브(100a,100b)에 설치할 경우 온도센서간 열전달에 의해 서로의 온도 측정값이 영향받는 것을 방지할 수 있다. 그러므로 만일 온도센서(111,112)를 서로간에 열적으로 독립되도록, 즉 서로간에 온도의 영향이 없도록 설계할 경우 하나의 프로브를 사용할 수도 있음은 물론이다. In one embodiment, one or more probes 100 for temperature measurement may be installed in order to install the temperature sensor module 110 in the inner space of the canister 10 . In the illustrated embodiment, the probe 100 includes a first probe 100a and a second probe 100b, and the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 are respectively connected to the first probe 100a. and the second probe 100b. In this way, when each of the temperature sensors 111 and 112 is installed in independent probes 100a and 100b, it is possible to prevent the temperature measurement values from being influenced by heat transfer between the temperature sensors. Therefore, if the temperature sensors 111 and 112 are designed to be thermally independent from each other, that is, to have no effect of temperature on each other, a single probe can be used as a matter of course.

예를 들어 각각의 프로브(100a,100b)는 내부에 빈 공간을 가지며 예컨대 스테인리스 스틸 등의 재질로 만들 수 있다. 각각의 온도센서(111,112)의 전선이 각 프로브(100a,100b)의 내부 공간을 통해 위로 연결되어 제어부(200)에 연결될 수 있고, 이에 따라 각 온도센서(111,112)에서 측정한 측정값이 제어부(200)로 전달될 수 있다. For example, each of the probes 100a and 100b has an empty space therein and may be made of, for example, stainless steel. The wires of each of the temperature sensors 111 and 112 are connected upward through the inner space of each probe 100a and 100b to be connected to the controller 200, and accordingly, the measured value measured by each of the temperature sensors 111 and 112 is the controller ( 200) can be transmitted.

도시한 실시예에서는 각 프로브(100a,100b)가 캐니스터(10)의 상부 케이스에 결합된 것으로 도시하였지만 구체적 실시 형태에 따라 각 프로브(100a,100b)의 설치 위치가 달라질 수 있다. 또한 대안적 실시예에서 온도센서 모듈(110)이 캐니스터(10)의 내부 측벽에 설치될 수도 있으며 이 경우 프로브가 필요하지 않을 수 있음도 이해할 것이다. In the illustrated embodiment, each of the probes 100a and 100b is illustrated as being coupled to the upper case of the canister 10, but the installation position of each of the probes 100a and 100b may vary according to a specific embodiment. It will also be appreciated that in an alternative embodiment the temperature sensor module 110 may be installed on the inner sidewall of the canister 10, in which case a probe may not be required.

일 실시예에서 온도측정용 프로브(100)는 용접 등의 접합방식에 의해 캐니스터(10)에 결합되어 고정된다. 또는 프로브(100)는 예를 들어 VCR 피팅(Vacuum Coupling Radiation fitting), VCO 피팅(Vacuum Coupling O-ring fitting), UPG 피팅(Universal Pipe Gasket fitting), 그리고 락 피팅(LOK fitting) 등 공지의 피팅 방식에 따른 하나의 피팅 커넥터를 이용하여 캐니스터(10)에 체결될 수 있다.In one embodiment, the probe 100 for measuring temperature is coupled to and fixed to the canister 10 by a bonding method such as welding. Alternatively, the probe 100 may be fitted using known fitting methods such as, for example, VCR fitting (Vacuum Coupling Radiation fitting), VCO fitting (Vacuum Coupling O-ring fitting), UPG fitting (Universal Pipe Gasket fitting), and LOK fitting. It can be fastened to the canister 10 using one fitting connector according to .

제1 온도센서 모듈(110)을 구성하는 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112)는 수직 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 예를 들어 도2에서 제2 온도센서(112)는 제1 온도센서(111)에서 수직으로 소정 거리(L) 이격된 위치에 설치되고, 따라서 제1 온도센서(111)는 캐니스터(10) 내부에서 제1 지점의 온도를 측정하고 제2 온도센서(112)는 캐니스터(10) 내부에서 상기 제1 지점에서 소정 거리(L) 이격된 제2 지점의 온도를 측정할 수 있다. The first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 constituting the first temperature sensor module 110 are spaced apart from each other in the vertical direction. For example, in FIG. 2 , the second temperature sensor 112 is installed at a position vertically spaced apart from the first temperature sensor 111 by a predetermined distance (L), and therefore, the first temperature sensor 111 is inside the canister 10. , and the second temperature sensor 112 may measure the temperature of a second point spaced apart from the first point by a predetermined distance (L) inside the canister 10 .

제1 지점과 제2 지점 사이의 이격 거리(L)는 구체적 실시 형태에 따라 달라질 수 있으며, 예를 들어 수mm 내지 수cm 일 수 있다. The separation distance (L) between the first point and the second point may vary depending on specific embodiments, and may be, for example, several mm to several cm.

제어부(200)는 하나 이상의 온도센서 모듈(110)로부터 수신한 온도 측정값에 기초하여 캐니스터(10) 내부에 저장된 전구체의 레벨(표면 또는 수위)을 추정할 수 있다. 제어부(200)는 온도센서 모듈(110)의 제1 온도센서(111)의 측정 온도와 제2 온도센서(112)의 측정 온도 사이의 온도 차이값(ΔT)을 산출하고 이 차이값을 기설정된 기준값과 비교하여 전구체의 레벨을 추정할 수 있으며, 이러한 제어부(200)의 구체적 동작에 대해서는 이하 도면을 참조하여 설명하기로 한다. The controller 200 may estimate the level (surface or water level) of the precursor stored in the canister 10 based on the temperature measurement values received from the one or more temperature sensor modules 110 . The control unit 200 calculates a temperature difference value ΔT between the measured temperature of the first temperature sensor 111 of the temperature sensor module 110 and the measured temperature of the second temperature sensor 112 and calculates the difference value as a preset value. The level of the precursor can be estimated by comparing with the reference value, and the detailed operation of the control unit 200 will be described with reference to the drawings below.

도3은 제1 실시예에서 캐니스터 내의 전구체가 감소하는 상태를 나타내는 도면이고 도4는 제1 실시예에 따른 전구체 레벨 측정 방법을 설명하는 도면이다. 3 is a diagram showing a state in which the precursor in the canister decreases in the first embodiment, and FIG. 4 is a diagram explaining the precursor level measurement method according to the first embodiment.

도3(a)는 온도센서 모듈(110)의 제1 온도센서(111) 및 그 아래에 소정 거리 이격되어 위치하는 제2 온도센서(112)가 모두 전구체의 레벨(표면 또는 수위) 보다 아래쪽에 위치한 상태이고, 도3(b)는 전구체를 계속 소모함에 따라(즉, 캐니스터(10)를 도1과 같은 기화기 시스템에 설치하고 전구체를 승화시켜 처리설비로 이송함에 따라) 전구체의 양이 점차 줄어들어 전구체의 레벨이 제1 온도센서(111)의 위치까지 내려간 상태이다. 이 때 전구체는 액체 또는 고체일 수 있으나 이하에서는 설명의 편의를 위해 고체인 것으로 가정한다. 3 (a) shows that the first temperature sensor 111 of the temperature sensor module 110 and the second temperature sensor 112 located at a predetermined distance below it are all lower than the level (surface or water level) of the precursor. 3 (b) shows that as the precursor is consumed continuously (ie, the canister 10 is installed in the vaporizer system as shown in FIG. 1 and the precursor is sublimated and transported to the processing facility), the amount of the precursor gradually decreases This is a state in which the level of the precursor is lowered to the position of the first temperature sensor 111 . At this time, the precursor may be a liquid or a solid, but hereinafter, it is assumed to be a solid for convenience of explanation.

만일 전구체의 레벨이 도3(a)에 도시한 것처럼 제1 온도센서(111) 보다 높은 위치에 있는 경우, 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112) 모두 전구체 내부에 위치하고 있고 서로 인접한 이격 거리 내에 있으므로 제1 온도센서(111)의 측정 온도와 제2 온도센서(112)의 측정 온도가 동일하거나 거의 동일한(예컨대 온도센서의 측정오차 범위 내의 차이) 값을 가질 것이고, 따라서 온도 차이값(ΔT)은 0이거나 0에 가까운 값을 가진다. If the level of the precursor is higher than the first temperature sensor 111 as shown in FIG. 3 (a), both the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 are located inside the precursor and mutually Since it is within the adjacent separation distance, the measured temperature of the first temperature sensor 111 and the measured temperature of the second temperature sensor 112 will have the same or almost the same value (for example, the difference within the measurement error range of the temperature sensor), and thus the temperature difference The value ΔT is zero or has a value close to zero.

한편 본 발명에서 온도 차이값(ΔT)과 비교하려는 “기준값”은 예를 들어 전구체가 고체인 경우 전구체의 승화에 의한 전구체의 표면 온도 강하값 이하이고 제1 및 제2 온도센서(111,112)간의 측정오차 보다는 큰 값일 수 있다. 또한 전구체가 액체인 경우, 상기 기준값은 전구체의 기화에 의한 전구체 표면의 온도 강하값 이하이고 제1 및 제2 온도센서(111,112)간의 측정오차 보다는 큰 값일 수 있다. On the other hand, in the present invention, the "reference value" to be compared with the temperature difference value (ΔT) is less than or equal to the surface temperature drop value of the precursor due to sublimation of the precursor when the precursor is solid, and is measured between the first and second temperature sensors 111 and 112. It may be a larger value than the error. Also, when the precursor is a liquid, the reference value may be equal to or less than a temperature drop on the surface of the precursor due to vaporization of the precursor and greater than a measurement error between the first and second temperature sensors 111 and 112 .

그러므로, 도3(a)의 경우, 제1 온도센서(111)의 측정 온도와 제2 온도센서(112)의 측정 온도 사이의 차이값(ΔT)이 기준값 보다 작은 값을 가질 것이다. 그런데 만일 전구체를 소모하여 도3(b)와 같이 전구체 레벨(표면)이 제1 온도센서(111)의 높이(L1)까지 감소하였다고 하면, 이 경우 전구체의 표면에서 승화가 일어나고 있으므로 제1 온도센서(111)의 측정 온도는 제2 온도센서(112)의 측정 온도에 비해 승화에 의한 온도 강하만큼 온도가 낮을 것이므로 온도 차이값(ΔT)이 기준값과 같거나 클 것이다. Therefore, in the case of FIG. 3(a), the difference value ΔT between the measured temperature of the first temperature sensor 111 and the measured temperature of the second temperature sensor 112 will have a value smaller than the reference value. However, if the precursor level (surface) is reduced to the height L1 of the first temperature sensor 111 as shown in FIG. 3 (b) by consuming the precursor, in this case, since sublimation occurs on the surface of the precursor, the first temperature sensor Since the measured temperature of 111 is lower than the temperature measured by the second temperature sensor 112 by the temperature drop due to sublimation, the temperature difference value ΔT will be greater than or equal to the reference value.

따라서 제어부(200)는 온도 차이값(ΔT)을 상기 기준값과 비교하고 이 비교 결과에 기초하여 전구체의 레벨을 판단할 수 있다. 예를 들어, 두 온도센서의 온도 차이값(ΔT)이 상기 기준값 이하이면 전구체의 레벨이 제1 온도센서(111) 보다 높은 위치인 것으로 판단하고, 온도 차이값(ΔT)이 기준값보다 크면 전구체의 레벨이 제1 온도센서(111)의 높이(L1)와 동일하다고 판단할 수 있다. Accordingly, the control unit 200 may compare the temperature difference value ΔT with the reference value and determine the level of the precursor based on the comparison result. For example, if the temperature difference value (ΔT) of the two temperature sensors is less than the reference value, it is determined that the level of the precursor is higher than that of the first temperature sensor 111, and if the temperature difference value (ΔT) is greater than the reference value, the level of the precursor is determined to be higher than the reference value. It can be determined that the level is equal to the height L1 of the first temperature sensor 111 .

한편, 대안적 실시예에서 온도 차이값(ΔT)을 기준값과 비교하는 대신, 미리 작성한 온도 차이값(ΔT)-전구체 레벨 대응표에 따라 전구체의 레벨을 판단할 수도 있다. 이 대응표는 제1 지점과 제2 지점의 온도 차이값(ΔT)에 대응하는 전구체 레벨 값을 미리 매칭하여 저장하고 있을 수 있다. 예를 들어 대응표에는 예컨대 온도 차이값(ΔT)이 0이거나 온도센서의 오차범위 내의 값인 경우 전구체 레벨이 “T1 높이 초과”로 대응되어 있고, 전구체가 고체이고 전구체의 승화에 의한 전구체의 표면 온도 강하 값이 예컨대 섭씨 1도라고 가정하면, 온도 차이값(ΔT)이 1도 또는 그 이상의 값에 대해서는 대응표에 전구체 레벨이 "T1의 높이"로 대응되어 있을 수 있다. On the other hand, in an alternative embodiment, instead of comparing the temperature difference value (ΔT) with a reference value, the level of the precursor may be determined according to a pre-prepared temperature difference value (ΔT)-precursor level correspondence table. This correspondence table may match and store precursor level values corresponding to the temperature difference values ΔT between the first and second points in advance. For example, in the correspondence table, if the temperature difference value (ΔT) is 0 or a value within the error range of the temperature sensor, the precursor level corresponds to “exceeding the T1 height”, the precursor is a solid, and the surface temperature drop of the precursor due to sublimation of the precursor Assuming that the value is, for example, 1 degree Celsius, the precursor level may correspond to "the height of T1" in the correspondence table for the temperature difference value ΔT of 1 degree or more.

따라서 이 실시예의 경우 제어부(200)는 온도 차이값(ΔT)을 기준값과 비교하지 않고 상기 대응표를 참조하여 차이값(ΔT)에 대응하는 전구체 레벨을 출력할 수 있다. Therefore, in this embodiment, the control unit 200 may output a precursor level corresponding to the difference value ΔT by referring to the correspondence table without comparing the temperature difference value ΔT with the reference value.

도4는 상기 구성에 따라 제어부(200)에서 전구체의 레벨을 측정하는 예시적 방법을 나타낸다. 도4를 참조하면, 단계(S110)에서 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112)가 각각 온도를 측정한다. 그 후 제어부(200)는 두 온도센서의 온도 차이값(ΔT)을 계산하고(S120), 계산 결과에 기초하여 전구체의 레벨을 출력한다(S130). 예를 들어 온도 차이값(ΔT)이 상기 기준값보다 작으면 전구체의 레벨이 도3(a)와 같이 제1 온도센서(111) 보다 높은 위치에 있다고 판단하고 온도 차이값(ΔT)이 기준값 이상이면 전구체의 레벨이 도3(b)와 같이 제1 온도센서(111)의 높이(L1)까지 감소하였다고 판단할 수 있다. 또는 대안적 실시예에서, 기저장된 차이값(ΔT)-전구체 레벨 대응표를 참조하여 상기 계산된 차이값(ΔT)에 대응하는 전구체 레벨을 출력할 수도 있다. Figure 4 shows an exemplary method of measuring the level of the precursor in the controller 200 according to the above configuration. Referring to FIG. 4 , in step S110, the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 respectively measure temperatures. After that, the controller 200 calculates the temperature difference value ΔT between the two temperature sensors (S120), and outputs the level of the precursor based on the calculation result (S130). For example, if the temperature difference value ΔT is smaller than the reference value, it is determined that the level of the precursor is higher than the first temperature sensor 111 as shown in FIG. 3 (a), and if the temperature difference value ΔT is greater than the reference value It can be determined that the level of the precursor has decreased to the height L1 of the first temperature sensor 111 as shown in FIG. 3(b). Alternatively, in an alternative embodiment, a precursor level corresponding to the calculated difference value (ΔT) may be output by referring to a pre-stored difference value (ΔT)-precursor level correspondence table.

그리고 일 실시예에서 전구체 레벨이 제1 온도센서(111)의 높이(L1)까지 감소하였다고 판단한 경우 전구체의 레벨을 관리자에게 알리는 단계(S140)를 더 포함할 수 있다. And, in one embodiment, when it is determined that the precursor level has decreased to the height L1 of the first temperature sensor 111, a step of notifying a manager of the precursor level may be further included (S140).

도5는 제2 실시예에서 캐니스터 내의 전구체가 감소하는 상태를 나타내는 도면이고 도6은 제2 실시예에 따른 전구체 레벨 측정 방법을 설명하는 도면이다. 5 is a diagram showing a state in which the precursor in the canister decreases in the second embodiment, and FIG. 6 is a diagram explaining a precursor level measurement method according to the second embodiment.

도5를 참조하면, 도5(a)에서 온도센서 모듈(110)은 제1 온도센서(111) 및 그 아래에 소정 거리 이격되어 위치하는 제2 온도센서(112)를 구비하며 전구체의 레벨이 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112) 사이에 위치하고 있는 상태이고, 도5(b)는 전구체를 계속 소모함에 따라 전구체의 레벨이 제2 온도센서(112)의 위치까지 내려간 상태이다. Referring to FIG. 5, the temperature sensor module 110 in FIG. 5 (a) includes a first temperature sensor 111 and a second temperature sensor 112 spaced apart from each other by a predetermined distance below the first temperature sensor 111, and the level of the precursor is It is located between the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112, and FIG. 5 (b) shows a state in which the level of the precursor goes down to the position of the second temperature sensor 112 as the precursor is continuously consumed. to be.

만일 전구체의 레벨이 도5(a)에 도시한 것처럼 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112) 사이에 있는 경우, 제1 온도센서(111)는 전구체 외부에 위치하고 제2 온도센서(112)는 전구체 내부에 위치하고 있으며, 일반적으로 캐니스터(10) 내부 공간에서 전구체 외부의 온도가 전구체 내부의 온도보다 더 높으므로, 제1 온도센서(111)의 측정 온도와 제2 온도센서(112)의 측정 온도 사이의 온도 차이값(ΔT)은 0보다 큰 소정 값을 가진다. 이 때 온도 차이값(ΔT)의 구체적 수치는 전구체의 종류나 캐니스터(10)의 가열 온도 등 기화기 시스템의 구체적 구성이나 동작 상태에 따라 달라질 수 있다. If the level of the precursor is between the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 as shown in FIG. 5 (a), the first temperature sensor 111 is located outside the precursor and the second temperature sensor 112 is located inside the precursor, and since the temperature outside the precursor is generally higher than the temperature inside the precursor in the inner space of the canister 10, the measured temperature of the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 The temperature difference value ΔT between the measured temperatures of ) has a predetermined value greater than zero. At this time, the specific value of the temperature difference value ΔT may vary depending on the specific configuration or operating state of the vaporizer system, such as the type of precursor or the heating temperature of the canister 10 .

또한 이 실시예에서 온도 차이값(ΔT)과 비교하려는 "기준값"은, 전구체가 고체인 경우, [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차] 보다는 크고 [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차]와 [전구체의 승화에 의한 전구체 표면의 온도 강하 값]의 합보다는 작은 값을 갖도록 설정될 수 있다. 만일 전구체가 액체인 경우, 상기 기준값은 [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차] 보다는 크고 [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차]와 [전구체의 기화에 의한 전구체 표면의 온도 강하 값]의 합보다 작은 값을 갖도록 설정될 수 있다. In addition, in this embodiment, the "reference value" to be compared with the temperature difference value (ΔT) is greater than [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] and [between the inside and outside of the precursor in the canister] when the precursor is solid. It may be set to have a value smaller than the sum of [temperature difference of the precursor] and [temperature drop value of the precursor surface due to sublimation of the precursor]. If the precursor is a liquid, the reference value is greater than [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] and [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] and [temperature drop on the surface of the precursor due to vaporization of the precursor]. value] may be set to have a value smaller than the sum of

그러므로, 도5(a)의 상태에서 제1 온도센서(111)의 측정 온도와 제2 온도센서(112)의 측정 온도 사이의 온도 차이값(ΔT)이 상기 기준값 보다 작은 값을 가짐을 알 수 있고, 전구체가 소모되어 도5(b)와 같이 전구체 레벨이 제2 온도센서(112)의 높이(L2)까지 감소하면, 이 경우 전구체의 표면에서 승화가 일어나고 있으므로 온도 차이값(ΔT)이 상기 기준값과 같거나 클 것이다. Therefore, in the state of FIG. 5 (a), it can be seen that the temperature difference value ΔT between the measured temperature of the first temperature sensor 111 and the measured temperature of the second temperature sensor 112 has a value smaller than the reference value. And, when the precursor is consumed and the precursor level decreases to the height L2 of the second temperature sensor 112 as shown in FIG. 5 (b), in this case, since sublimation occurs on the surface of the precursor, the temperature difference value ΔT will be greater than or equal to the reference value.

따라서 제어부(200)는 온도 차이값(ΔT)을 상기 기준값과 비교하고 이 비교 결과에 기초하여 전구체의 레벨을 판단할 수 있다. 예를 들어, 두 온도센서의 온도 차이값(ΔT)이 상기 기준값 이하이면 도5(a)와 같이 전구체의 레벨이 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112) 사이에 위치한 것으로 판단하고, 온도 차이값(ΔT)이 상기 기준값과 같거나 크면 전구체의 레벨이 제2 온도센서(112)의 높이(L2)와 동일하다고 판단할 수 있다. Accordingly, the control unit 200 may compare the temperature difference value ΔT with the reference value and determine the level of the precursor based on the comparison result. For example, if the temperature difference value (ΔT) of the two temperature sensors is less than the reference value, it is determined that the level of the precursor is located between the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 as shown in FIG. 5 (a). And, if the temperature difference value ΔT is equal to or greater than the reference value, it can be determined that the level of the precursor is equal to the height L2 of the second temperature sensor 112 .

한편, 상술한 제1 실시예에서와 유사하게, 도5와 도6의 제2 실시예에서 미리 작성한 온도 차이값(ΔT)-전구체 레벨 대응표를 이용하여 전구체의 레벨을 판단할 수도 있다. 이 대응표는 제1 지점과 제2 지점의 온도 차이값(ΔT)에 대응하는 전구체 레벨 값을 미리 매칭하여 저장하고 있으며, 제어부(200)가 이 대응표에 기초하여 상기 계산된 차이값(ΔT)에 대응하는 전구체 레벨을 출력할 수 있다. Meanwhile, similar to the above-described first embodiment, the level of the precursor may be determined using the temperature difference value (ΔT)-precursor level correspondence table prepared in advance in the second embodiment of FIGS. 5 and 6. This correspondence table stores precursor level values corresponding to the temperature difference values ΔT between the first point and the second point by matching them in advance, and the control unit 200 determines the calculated difference value ΔT based on the correspondence table. A corresponding precursor level can be output.

도6은 상기 구성에 따라 제어부(200)에서 전구체의 레벨을 측정하는 예시적 방법을 나타낸다. 도6을 참조하면, 단계(S210)에서 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112)가 각각 온도를 측정한다. 그 후 제어부(200)는 두 온도센서의 온도 차이값(ΔT)을 계산하고(S220), 계산결과에 기초하여 전구체의 레벨을 출력한다(S230). 예를 들어 온도 차이값(ΔT)이 상기 기준값보다 작으면 전구체의 레벨이 도5(a)와 같이 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112) 사이에 있다고 판단하고 온도 차이값(ΔT)이 기준값 이상이면 전구체의 레벨이 도5(b)와 같이 제2 온도센서(112)의 높이(L2)까지 감소하였다고 판단할 수 있다. 또는 대안적 실시예에서, 기저장된 차이값(ΔT)-전구체 레벨 대응표를 참조하여 상기 계산된 차이값(ΔT)에 대응하는 전구체 레벨을 출력할 수도 있다. Figure 6 shows an exemplary method of measuring the level of the precursor in the controller 200 according to the above configuration. Referring to FIG. 6 , in step S210, the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 respectively measure temperatures. After that, the control unit 200 calculates the temperature difference value ΔT between the two temperature sensors (S220), and outputs the level of the precursor based on the calculation result (S230). For example, if the temperature difference value ΔT is smaller than the reference value, it is determined that the level of the precursor is between the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 as shown in FIG. 5 (a), and the temperature difference value ( If ΔT) is equal to or greater than the reference value, it can be determined that the level of the precursor has decreased to the height L2 of the second temperature sensor 112 as shown in FIG. 5(b). Alternatively, in an alternative embodiment, a precursor level corresponding to the calculated difference value (ΔT) may be output by referring to a pre-stored difference value (ΔT)-precursor level correspondence table.

그리고 일 실시예에서 전구체 레벨이 제2 온도센서(112)의 높이(L2)까지 감소하였다고 판단한 경우 전구체의 레벨을 관리자에게 알리는 단계(S240)를 더 포함할 수 있다. And, in one embodiment, when it is determined that the precursor level has decreased to the height L2 of the second temperature sensor 112, a step of notifying a manager of the precursor level may be further included (S240).

도7은 제3 실시예에서 캐니스터 내의 전구체가 감소하는 상태를 나타낸다. Fig. 7 shows a state in which the precursor in the canister decreases in the third embodiment.

제3 실시예는 도3의 제1 실시예와 도5의 제2 실시예를 조합한 경우이다. 도7을 참조하면, 온도센서 모듈(110)이 제1 온도센서(111) 및 그 아래에 소정 거리 이격되어 위치하는 제2 온도센서(112)를 구비하며, 도7(a)는 전구체의 레벨이 두 온도센서(111,112) 보다 위에 있는 상태이고, 도7(b)에서 도7(e)로 갈수록 전구체 레벨이 점차 낮아지는 것을 도시하였다. 즉 도7(b)는 전구체 레벨이 제1 온도센서(111)의 높이에 있는 상태, 도7(c)는 전구체 레벨이 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112) 사이에 있는 상태, 도7(d)는 전구체 레벨이 제2 온도센서(112)의 높이에 있는 상태, 그리고 도7(e)는 전구체 레벨이 제2 온도센서(112) 보다 낮은 위치까지 내려간 상태를 각각 나타낸다. The third embodiment is a case in which the first embodiment of FIG. 3 and the second embodiment of FIG. 5 are combined. Referring to FIG. 7, the temperature sensor module 110 includes a first temperature sensor 111 and a second temperature sensor 112 spaced apart from each other by a predetermined distance below the first temperature sensor 111, and FIG. 7 (a) shows the level of the precursor. It is a state above the two temperature sensors 111 and 112, and it is shown that the precursor level gradually decreases from FIG. 7(b) to FIG. 7(e). That is, in FIG. 7 (b), the precursor level is at the height of the first temperature sensor 111, and in FIG. 7 (c), the precursor level is between the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112. state, FIG. 7(d) shows a state where the precursor level is at the height of the second temperature sensor 112, and FIG. 7(e) shows a state where the precursor level is lowered to a position lower than the second temperature sensor 112, respectively. .

그러므로, 도7(a)의 경우 제1 온도센서(111)의 측정 온도와 제2 온도센서(112)의 측정 온도 사이의 온도 차이값(ΔT)이 제1 기준값 보다 작은 값을 가지며, 전구체가 소모되어 도7(b)와 같이 전구체 레벨이 제1 온도센서(111)의 높이(L1)까지 감소하게 된 경우 전구체의 표면에서 승화가 일어나고 있으므로 온도 차이값(ΔT)이 제1 기준값과 같거나 클 것이다. Therefore, in the case of FIG. 7 (a), the temperature difference value ΔT between the measured temperature of the first temperature sensor 111 and the measured temperature of the second temperature sensor 112 has a value smaller than the first reference value, and the precursor is When the precursor level decreases to the height L1 of the first temperature sensor 111 as shown in FIG. 7(b), the temperature difference value ΔT is equal to the first reference value or will be big

이 때 상기 "제1 기준값"은 전구체가 고체인 경우 전구체의 승화에 의한 전구체의 표면 온도 강하값 이하이고 제1 및 제2 온도센서(111,112)간의 측정오차의 보다는 큰 값일 수 있다. 또한 전구체가 액체인 경우, 제1 기준값은 전구체의 기화에 의한 전구체 표면의 온도 강하값 이하이고 제1 및 제2 온도센서(111,112)간의 측정오차의 보다는 큰 값일 수 있다. In this case, the "first reference value" may be less than or equal to a surface temperature drop of the precursor due to sublimation when the precursor is solid and greater than a measurement error between the first and second temperature sensors 111 and 112. Also, when the precursor is a liquid, the first reference value may be less than or equal to a temperature drop on the surface of the precursor due to vaporization of the precursor and greater than a measurement error between the first and second temperature sensors 111 and 112 .

전구체의 레벨이 도7(c)에 도시한 것처럼 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112) 사이까지 감소한 경우 제1 온도센서(111)의 측정 온도와 제1 온도센서(112)의 측정 온도 사이의 온도 차이값(ΔT)은 제2 기준값 보다 작은 값을 가지며, 전구체가 더 소모되어 도7(d)와 같이 전구체 레벨이 제2 온도센서(112)의 높이(L2)까지 감소하게 되면 전구체의 표면에서의 승화로 인해 온도 차이값(ΔT)이 제2 기준값과 같거나 클 것이다. When the level of the precursor decreases to between the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112, as shown in FIG. 7 (c), the measured temperature of the first temperature sensor 111 and the first temperature sensor 112 The temperature difference value (ΔT) between the measured temperatures of has a value smaller than the second reference value, and the precursor level is reduced to the height (L2) of the second temperature sensor 112 as shown in FIG. 7 (d) because more precursors are consumed. If so, the temperature difference value ΔT will be equal to or greater than the second reference value due to sublimation on the surface of the precursor.

상기 "제2 기준값"은, 전구체가 고체인 경우, [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차] 보다는 크고 [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차]와 [전구체의 승화에 의한 전구체 표면의 온도 강하 값]의 합보다는 작은 값으로 설정될 수 있고, 만일 전구체가 액체인 경우, 제2 기준값은 [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차] 보다는 크고 [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차]와 [전구체의 기화에 의한 전구체 표면의 온도 강하 값]의 합보다 작은 값으로 설정될 수 있다. When the precursor is a solid, the "second reference value" is greater than [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] and [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] and [precursor by sublimation of the precursor]. If the precursor is a liquid, the second reference value is greater than the [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] and [the inside of the precursor in the canister]. It may be set to a value smaller than the sum of [temperature difference between and outside] and [temperature drop on the surface of the precursor due to vaporization of the precursor].

도8은 상기 구성에 따라 제어부(200)에서 전구체 레벨을 측정하는 예시적 방법을 나타낸다. 도8을 참조하면, 단계(S310)에서 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112)가 각각 온도를 측정한다. 그 후 제어부(200)는 두 온도센서의 온도 차이값(ΔT)을 계산하고(S320), 계산결과에 기초하여 전구체의 레벨을 출력한다(S330). 8 shows an exemplary method of measuring the precursor level in the controller 200 according to the above configuration. Referring to FIG. 8 , in step S310, the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 respectively measure temperatures. After that, the control unit 200 calculates the temperature difference value ΔT between the two temperature sensors (S320), and outputs the level of the precursor based on the calculation result (S330).

예를 들어 단계(S330)에서 제어부(200)는 상기 계산된 온도 차이값(ΔT)을 제1 기준값과 비교하여 전구체의 레벨을 판단할 수 있고, 이 때 제1 기준값은 도7을 참조하여 설명한 것으로, 전구체가 고체인 경우 전구체의 승화에 의한 전구체의 표면 온도 강하값 이하이고 제1 및 제2 온도센서(111,112)간의 측정오차의 보다는 큰 값일 수 있고, 전구체가 액체인 경우, 제1 기준값은 전구체의 기화에 의한 전구체 표면의 온도 강하값 이하이고 제1 및 제2 온도센서(111,112)간의 측정오차의 보다는 큰 값일 수 있다. For example, in step S330, the control unit 200 may compare the calculated temperature difference value ΔT with a first reference value to determine the level of the precursor. At this time, the first reference value is the level described with reference to FIG. That is, when the precursor is a solid, it may be less than or equal to the surface temperature drop value of the precursor due to sublimation of the precursor and may be greater than the measurement error between the first and second temperature sensors 111 and 112, and when the precursor is a liquid, the first reference value is It may be equal to or less than the temperature drop on the surface of the precursor due to vaporization of the precursor and greater than the measurement error between the first and second temperature sensors 111 and 112.

따라서 단계(S330)에서, 온도 차이값(ΔT)이 제1 기준값보다 작으면 전구체의 레벨이 도7(a)와 같이 제1 온도센서(111) 보다 높은 위치에 있다고 판단하고, 온도 차이값(ΔT)이 제1 기준값 이상이면 전구체의 레벨이 도7(b)와 같이 제1 온도센서(111)의 높이(L1)까지 감소하였다고 판단할 수 있다. 또는 단계(S330)의 대안적 실시예에서, 제어부(200)는 기저장된 차이값(ΔT)-전구체 레벨 대응표를 참조하여, 상기 단계(S320)에서 계산된 차이값(ΔT)에 대응하는 전구체 레벨을 출력할 수도 있다. Therefore, in step S330, when the temperature difference value ΔT is smaller than the first reference value, it is determined that the level of the precursor is higher than the first temperature sensor 111 as shown in FIG. 7 (a), and the temperature difference value ( If ΔT) is equal to or greater than the first reference value, it can be determined that the level of the precursor has decreased to the height L1 of the first temperature sensor 111 as shown in FIG. 7(b). Alternatively, in an alternative embodiment of step S330, the control unit 200 refers to a pre-stored difference value ΔT-precursor level correspondence table, and the precursor level corresponding to the difference value ΔT calculated in step S320. can also be output.

그 후 전구체가 더 소모됨에 따라 전구체 레벨이 도7(c)에 도시한 것처럼 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112) 사이에 위치하게 되고, 이 때에도 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112)의 온도를 각각 측정할 수 있고(S340), 측정된 온도의 온도 차이값(ΔT)을 계산하고(S350), 계산결과에 기초하여 전구체의 레벨을 출력할 수 있다(S360). After that, as the precursor is consumed more, the precursor level is positioned between the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 as shown in FIG. The temperature of the second temperature sensor 112 may be measured (S340), a temperature difference value (ΔT) of the measured temperature may be calculated (S350), and the level of the precursor may be output based on the calculation result. (S360).

예를 들어 단계(S360)에서 제어부(200)는 상기 계산된 온도 차이값(ΔT)을 제2 기준값과 비교하여 전구체의 레벨을 판단할 수 있고, 이 때 제2 기준값은 도7을 참조하여 설명한 것으로, 전구체가 고체인 경우, [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차] 보다는 크고 [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차]와 [전구체의 승화에 의한 전구체 표면의 온도 강하 값]의 합보다는 작은 값으로 설정될 수 있고, 만일 전구체가 액체인 경우, 제2 기준값은 [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차] 보다는 크고 [캐니스터 내에서 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차]와 [전구체의 기화에 의한 전구체 표면의 온도 강하 값]의 합보다 작은 값으로 설정될 수 있다.For example, in step S360, the control unit 200 may determine the level of the precursor by comparing the calculated temperature difference value ΔT with a second reference value. In the case where the precursor is solid, it is greater than [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] and [temperature drop on the surface of the precursor due to sublimation of the precursor] may be set to a value smaller than the sum of , and if the precursor is a liquid, the second reference value is greater than [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] and [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] It may be set to a value smaller than the sum of [the temperature drop value of the precursor surface due to vaporization of the precursor].

따라서 단계(S360)에서, 온도 차이값(ΔT)이 제2 기준값보다 작으면 전구체의 레벨이 도7(c)와 같이 제1 온도센서(111)와 제2 온도센서(112) 사이에 위치한다고 판단하고, 온도 차이값(ΔT)이 제2 기준값 이상이면 전구체의 레벨이 도7(d)와 같이 제2 온도센서(112)의 높이(L2)까지 감소하였다고 판단할 수 있다. 또는 단계(S360)의 대안적 실시예에서 제어부(200)는 기저장된 차이값(ΔT)-전구체 레벨 대응표를 참조하여 상기 계산된 차이값(ΔT)에 대응하는 전구체 레벨을 출력할 수도 있다. Therefore, in step S360, if the temperature difference value ΔT is smaller than the second reference value, it is assumed that the level of the precursor is located between the first temperature sensor 111 and the second temperature sensor 112 as shown in FIG. 7(c). And, if the temperature difference value ΔT is greater than or equal to the second reference value, it can be determined that the level of the precursor has decreased to the height L2 of the second temperature sensor 112 as shown in FIG. 7(d). Alternatively, in an alternative embodiment of step S360, the controller 200 may refer to a pre-stored difference value (ΔT)-precursor level correspondence table to output a precursor level corresponding to the calculated difference value (ΔT).

그리고 일 실시예에서, 전구체 레벨이 도7(d)의 상태처럼 제2 온도센서(112)의 높이(L2)까지 감소하였거나 또는 도7(e)의 상태처럼 제2 온도센서(112) 높이(L2)보다 아래로 감소하였다고 판단하면 전구체의 레벨을 관리자에게 알리는 단계(S360)를 더 포함할 수 있다. And in one embodiment, the precursor level is reduced to the height L2 of the second temperature sensor 112 as in the state of FIG. 7 (d) or the height of the second temperature sensor 112 as in the state of FIG. 7 (e) ( If it is determined that the level of the precursor has decreased to less than L2), a step (S360) of notifying the manager of the level of the precursor may be further included.

이상과 같이 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 명세서의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능함을 이해할 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다. As described above, those skilled in the art to which the present invention pertains can understand that various modifications and variations are possible from the description of this specification. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments and should not be defined, but should be defined by not only the claims to be described later, but also those equivalent to these claims.

10: 캐니스터
100: 온도측정용 프로브
110: 온도센서 모듈
111,112: 온도센서
200: 제어부
10: canister
100: probe for temperature measurement
110: temperature sensor module
111,112: temperature sensor
200: control unit

Claims (9)

기화기 시스템으로서,
전구체를 저장할 수 있는 캐니스터;
상기 전구체를 기화시키기 위해 상기 캐니스터에 열적으로 결합된 히터;
상기 캐니스터 내부의 제1 지점의 온도를 측정하는 제1 온도센서;
제1 지점에서 하방으로 소정 거리 이격된 제2 지점의 온도를 측정하는 제2 온도센서; 및
제1 및 제2 온도센서의 측정 온도에 기초하여 전구체의 레벨을 산출하는 제어부;를 포함하고,
상기 제어부는, 제1 지점과 제2 지점의 측정 온도의 차이값(ΔT)을 계산하고 상기 차이값(ΔT)이 기설정된 제1 기준값 이상이면 전구체의 표면이 상기 제1 지점의 높이에 있다고 판단하여 상기 캐니스터에 저장된 전구체의 레벨을 출력하도록 구성되고,
상기 제1 기준값은, 전구체가 고체인 경우 전구체의 승화에 의한 전구체 표면의 온도 강하 값보다 작은 값인 것을 특징으로 하는 기화기 시스템.
As a vaporizer system,
a canister capable of storing the precursor;
a heater thermally coupled to the canister to vaporize the precursor;
a first temperature sensor measuring a temperature of a first point inside the canister;
a second temperature sensor measuring a temperature of a second point spaced downward by a predetermined distance from the first point; and
A controller for calculating the level of the precursor based on the measured temperatures of the first and second temperature sensors; includes,
The control unit calculates a difference value (ΔT) between the measured temperatures of the first point and the second point, and determines that the surface of the precursor is at the height of the first point when the difference value (ΔT) is equal to or greater than a predetermined first reference value. And configured to output the level of the precursor stored in the canister,
The first reference value is a vaporizer system, characterized in that a value smaller than the temperature drop value of the precursor surface due to sublimation of the precursor when the precursor is a solid.
제 1 항에 있어서,
상기 캐니스터 내부의 전구체를 외부로 공급하기 위한 유출구; 및
상기 유출구에 설치된 개폐밸브;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기화기 시스템.
According to claim 1,
an outlet for supplying the precursor inside the canister to the outside; and
The vaporizer system further comprising an on-off valve installed at the outlet.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 온도센서와 제2 온도센서가 각각 제1 프로브와 제2 프로브에 설치되고,
상기 제1 및 제2 프로브의 각각은 상기 캐니스터의 내부면에 일체로 결합되어 부착된 것을 특징으로 하는 기화기 시스템.
According to claim 1,
The first temperature sensor and the second temperature sensor are installed in the first probe and the second probe, respectively,
The vaporizer system, characterized in that each of the first and second probes are integrally coupled and attached to the inner surface of the canister.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 프로브가 VCR, VCO, UPG, LOK 피팅 중 적어도 하나의 피팅 커넥터를 이용하여 상기 캐니스터에 일체로 결합되어 부착된 것을 특징으로 하는 기화기 시스템.
According to claim 1,
The vaporizer system, characterized in that the first and second probes are integrally coupled and attached to the canister using at least one fitting connector among VCR, VCO, UPG, and LOK fittings.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서
상기 제어부는, 상기 계산된 차이값(ΔT)이 기설정된 제2 기준값 이상이면 전구체의 표면이 상기 제2 지점의 높이에 있다고 판단하는 것을 특징으로 하는 기화기 시스템.
According to claim 1
The control unit determines that the surface of the precursor is at the height of the second point when the calculated difference value (ΔT) is equal to or greater than a predetermined second reference value.
제 7 항에 있어서,
상기 제2 기준값은, 전구체가 고체인 경우, [상기 캐니스터 내에서 상기 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차] 보다 크고, [상기 캐니스터 내에서 상기 전구체의 내부와 외부 사이의 온도차]와 [상기 전구체의 승화에 의한 전구체 표면의 온도 강하 값]의 합보다 작은 값인 것을 특징으로 하는 기화기 시스템.
According to claim 7,
The second reference value is greater than [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] when the precursor is solid, and [temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister] and [the temperature difference between the inside and outside of the precursor in the canister]. Vaporizer system, characterized in that the value is smaller than the sum of the temperature drop value of the precursor surface due to sublimation.
제 1 항에 있어서,
상기 제어부가, 제1 지점과 제2 지점의 온도 차이값(ΔT)에 대응하는 전구체 레벨 값이 매칭된 대응표에 기초하여, 상기 계산된 차이값(ΔT)에 대응하는 전구체 레벨을 출력하는 것을 특징으로 하는 기화기 시스템.
According to claim 1,
Characterized in that the control unit outputs a precursor level corresponding to the calculated difference value (ΔT) based on a correspondence table in which precursor level values corresponding to the temperature difference value (ΔT) of the first point and the second point are matched carburetor system.
KR1020210045764A 2021-02-26 2021-04-08 Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister KR102481022B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210026418 2021-02-26
KR20210026418 2021-02-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220122916A KR20220122916A (en) 2022-09-05
KR102481022B1 true KR102481022B1 (en) 2022-12-27

Family

ID=83279784

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210045764A KR102481022B1 (en) 2021-02-26 2021-04-08 Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister
KR1020210046996A KR102481023B1 (en) 2021-02-26 2021-04-12 Method for measuring level of precursor by using temperature change in canister

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210046996A KR102481023B1 (en) 2021-02-26 2021-04-12 Method for measuring level of precursor by using temperature change in canister

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR102481022B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100866283B1 (en) * 2000-10-30 2008-10-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Liquid surface sensor, liquid container and liquid amount detecting method
JP2018151302A (en) * 2017-03-14 2018-09-27 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 Thermocouple type liquid level measurement system

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120101964A (en) * 2011-05-12 2012-09-17 박증언 A water detector
KR102133156B1 (en) 2018-11-13 2020-07-14 (주)지오엘리먼트 System and method capable of measuring residual gas of canister

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100866283B1 (en) * 2000-10-30 2008-10-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Liquid surface sensor, liquid container and liquid amount detecting method
JP2018151302A (en) * 2017-03-14 2018-09-27 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 Thermocouple type liquid level measurement system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220122916A (en) 2022-09-05
KR102481023B1 (en) 2022-12-27
KR20220122918A (en) 2022-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6788067B2 (en) Steam delivery device, its manufacturing method and its usage
KR102318374B1 (en) Method and apparatus for measuring level of precursor stored in canister
KR20200125453A (en) Gas-phase reactor system and method of using same
KR102133156B1 (en) System and method capable of measuring residual gas of canister
US9416452B2 (en) Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US20140216339A1 (en) Raw material vaporizing and supplying apparatus
EP1167862A2 (en) System and method for controlled delivery of liquefied gases from a bulk tank
KR20210073652A (en) Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister
CN101962757A (en) Film forming method and apparatus on base material
CN102200217A (en) Systems and methods for gas supply and usage
KR102481022B1 (en) Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister
US9725800B2 (en) Vaporizing system
KR20090108555A (en) Reagent dispensing apparatus and delivery method
KR102347205B1 (en) Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister
KR102318377B1 (en) Method and apparatus for measuring level of precursor stored in canister
KR20220122479A (en) Method for measuring level of precursor by using temperature change in canister having reference temperature sensor
KR102438503B1 (en) Vaporization system for high purity precursor
KR102438507B1 (en) Control valve and system capable of maintaining steadily vaporization and preliminary purge using the same
WO2021067764A1 (en) Supply system for low volatility precursors
KR102347209B1 (en) High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range
KR102654250B1 (en) System and method capable of measuring residual gas of canister
JP2005217089A (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor
KR20220048493A (en) System and method capable of measuring residual gas of canister
KR102196514B1 (en) System and method capable of maintaining steadily vaporization and preliminary purge
JP7299448B2 (en) Precursor supply vessel

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant