KR102346250B1 - 접착성 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는, 시클로올레핀 수지 등에 대해 밀착성이 우수한 접착성 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 접착성 조성물은, 식 (I)
Y-N(Ar)(R) 식 (I)
(식 중, Ar은 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C14의 아릴기, 또는 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C10 아릴 C1∼C3 알킬기를 나타낸다. R은 무치환 혹은 치환기를 갖는 C1∼C6의 알킬기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 C3∼C6 시클로알킬기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C14의 아릴기, 또는 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C10 아릴 C1∼C3 알킬기를 나타낸다. Y는 중합 가능한 관능기를 나타낸다. 여기서, Ar상의 치환기와 R상의 치환기는 하나가 되어 2가의 유기기를 형성해도 된다)로 나타내는 중합성 화합물 유래의 반복 단위를 갖는 폴리머를 함유한다.
본 발명의 접착성 조성물은, 식 (I)
Y-N(Ar)(R) 식 (I)
(식 중, Ar은 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C14의 아릴기, 또는 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C10 아릴 C1∼C3 알킬기를 나타낸다. R은 무치환 혹은 치환기를 갖는 C1∼C6의 알킬기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 C3∼C6 시클로알킬기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C14의 아릴기, 또는 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C10 아릴 C1∼C3 알킬기를 나타낸다. Y는 중합 가능한 관능기를 나타낸다. 여기서, Ar상의 치환기와 R상의 치환기는 하나가 되어 2가의 유기기를 형성해도 된다)로 나타내는 중합성 화합물 유래의 반복 단위를 갖는 폴리머를 함유한다.
Description
본 발명은 신규 접착성 조성물, 특히, 플라스틱 기재와의 밀착성이 우수한 접착성 조성물, 코팅제나 접착제로서 사용할 수 있는 접착성 조성물에 관한 것이다.
본원은 2016년 10월 14일에 출원된 일본 특허출원 2016-202986호에 대해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
특허문헌 1에는 복수의 아릴기로 치환된 메틸기 또는 실릴기를 갖는 중합성 화합물이 시클로올레핀 수지와의 밀착성이 우수한 코팅제가 되는 것이 기재되어 있다.
그러나, 이들 중합성 화합물 중의 폴리아릴메틸 구조나 폴리아릴실릴 구조는 제조 비용을 상승시켜 범용적인 기능 재료의 실현상 문제가 되고 있으며, 밀착성을 유지하면서 보다 실용적인 구조로 변환할 필요가 있었다.
본 발명자는 상기 과제 달성을 위해 예의 검토한 결과, N,N-디페닐아크릴아미드에서 유래하는 반복 단위를 갖는 폴리머가 시클로올레핀 수지에 대해 밀착성을 나타내는 것을 알아냈다. 본 발명자는 밀착성의 기본 원리를 N,N-디페닐아미드기와 시클로올레핀 사이에 발생하는 CH-π 상호 작용으로 생각하고, 이 원리를 기초로 보다 실용성이 높은 기능 재료로 하기 위해 검토를 거듭하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 이하의 발명에 관한 것이다.
(1) 식 (I)
Y-N(Ar)(R) 식 (I)
(식 중,
Ar은 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C14의 아릴기, 또는 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C10 아릴 C1∼C3 알킬기를 나타낸다.
R은 무치환 혹은 치환기를 갖는 C1∼C6의 알킬기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 C3∼C6 시클로알킬기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C14의 아릴기, 또는 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C10 아릴 C1∼C3 알킬기를 나타낸다.
Y는 중합 가능한 관능기를 나타낸다.
여기서, Ar상의 치환기와 R상의 치환기는 하나가 되어 2가의 유기기를 형성해도 된다)
로 나타내는 중합성 화합물 유래의 반복 단위를 갖는 폴리머를 함유하는 접착성 조성물.
(2) (1)에 기재된 폴리머가 식 (I)로 나타내는 1종류의 중합성 화합물 유래의 반복 단위를 갖는 호모 폴리머인 (1)에 기재된 접착성 조성물.
(3) 식 (I) 중, Y가 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기인 (1) 또는 (2)에 기재된 접착성 조성물.
(4) 식 (I)로 나타내는 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물을 추가로 함유하는 (1)∼(3) 중 어느 하나에 기재된 접착성 조성물.
(5) 접착성 조성물이 플라스틱 기재의 접착성 조성물인 (1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 접착성 조성물.
(6) 플라스틱 기재가 폴리올레핀 수지 기재인 (5)에 기재된 접착성 조성물.
(7) 플라스틱 기재가 시클로올레핀 수지 기재인 (5)에 기재된 접착성 조성물.
(8) 접착성 조성물이 코팅제인 (5)에 기재된 접착성 조성물.
(9) 코팅제가 프라이머인 (8)에 기재된 접착성 조성물.
(10) 접착성 조성물이 접착제인 (5)에 기재된 접착성 조성물.
본 발명의 접착성 조성물을 사용함으로써, 플라스틱 기재, 특히 시클로올레핀 수지 등의 플라스틱 기재에 대한 밀착성이 우수한 코팅막을 형성할 수 있다. 종래, 플라스틱 기재에 직접 형성할 수 없었던 기능성 막을 본 발명의 코팅막을 개재하여 적층시킬 수 있다. 또한, 코팅막을 개재하여 플라스틱 기재끼리를 접착시킬 수 있다.
UV 오존 처리 등으로 표면을 개질할 필요가 없기 때문에, 플라스틱 기재의 초기 특성을 유지할 수 있다.
또한, 접착제로서도 사용이 가능하다.
1. 접착성 조성물
[폴리머]
본 발명의 접착성 조성물은 식 (I)로 나타내는 중합성 화합물 유래의 반복 단위를 갖는 폴리머(「폴리머(I)」이라고 말하는 경우가 있다)를 함유한다.
Y-N(Ar)(R) (I)
식 중, Ar은 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C14의 아릴기, 또는 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C10 아릴 C1∼C3 알킬기를 나타낸다.
C6∼C14의 아릴기로는 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기 등을 들 수 있다.
C6∼C10 아릴 C1∼C3 알킬기로는 벤질기, 페네틸기, 나프탈렌-1-일메틸기 등을 들 수 있다.
「무치환 혹은 치환기를 갖는」에 있어서의 「치환기」로서는, 구체적으로는, 할로게노기, 수산기, C1∼C6의 알킬기, C1∼C6의 알콕시기, C3∼C6의 시클로알킬기, C6∼C10의 아릴기, 벤질기, α,α-디메틸벤질기, 메르캅토기, C1∼C6 알킬티오기, 아미노기, C1∼C6의 알킬아미노기, C1∼C6의 디알킬아미노기, 니트로기, 또는 시아노기를 들 수 있다. 치환기 수로서는 화학적으로 허용할 수 있는 범위 내이면 제한은 없다.
할로게노기로는 구체적으로는, 플루오로기, 클로로기, 브로모기, 요오드기를 들 수 있다.
C1∼C6의 알킬기로는 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, i-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기 등을 들 수 있다.
C1∼C6의 알콕시기로는 구체적으로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, s-부톡시기, i-부톡시기, t-부톡시기, n-펜톡시기, n-헥속시기 등을 들 수 있다.
C3∼C6의 시클로알킬기로는 구체적으로는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.
C6∼C10의 아릴기로는 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.
C1∼C6의 알킬티오기로는 구체적으로는, 메틸티오기, 에틸티오기, n-프로필티오기, i-프로필티오기, n-부틸티오기, s-부틸티오기, i-부틸티오기, t-부틸티오기, n-펜틸티오기, n-헥실티오기 등을 들 수 있다.
C1∼C6의 알킬아미노기로는 구체적으로는, 메틸아미노기, 에틸아미노기, n-프로필아미노기, i-프로필아미노기, n-부틸아미노기, i-부틸아미노기, t-부틸아미노기, n-펜틸아미노기, n-헥실아미노기 등을 들 수 있다.
C1∼C6의 디알킬아미노기로는 구체적으로는, N,N-디메틸아미노기, N,N-디에틸아미노기, 에틸(메틸)아미노기 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, Ar로는 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C10의 아릴기가 바람직하다. 치환기로는 C1∼C6 알킬기, C1∼C6 알콕시기가 바람직하다.
식 중, R은 무치환 혹은 치환기를 갖는 C1∼C6의 알킬기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 C3∼C6 시클로알킬기, 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C14의 아릴기, 또는 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C10 아릴 C1∼C3 알킬기를 나타낸다.
C1∼C6의 알킬기, C3∼C6의 시클로알킬기, C6∼C14의 아릴기, C6∼C10 아릴 C1∼C3 알킬기 및 이들 치환기의 구체예는, 상기 Ar에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, R로는 무치환 혹은 치환기를 갖는 C6∼C10의 아릴기가 바람직하다. 치환기로는 C1∼C6 알킬기, C1∼C6 알콕시기가 바람직하다.
본 발명에 있어서는, Ar상의 치환기와 R상의 치환기가 하나가 되어 2가의 유기기를 형성해도 된다.
2가의 유기기로는 구체적으로는, 메틸렌기, 디메틸렌기, 옥소기, 술페닐기, 카르보닐기, 이미노기, C1∼C6의 알킬이미노기를 들 수 있다.
식 중, Y는 중합 가능한 관능기를 나타낸다. 중합 가능한 관능기로는 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐옥시카르보닐기, 프로프-1-엔-2-일옥시카르보닐기, 알릴옥시카르보닐기 등의 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 기 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, Y로는 아크릴로일기, 메타크릴로일기가 바람직하다.
본 발명에 사용하는 식 (I)로 나타내는 중합성 화합물 중에서, 바람직하게는, N,N-디페닐아크릴아미드, N,N-디페닐메타크릴아미드를 들 수 있다.
본 발명에 사용하는 폴리머는, 식 (I)로 나타내는 중합성 화합물을 중합한 것이면, 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 중합 반응은 특별히 제한되지 않고, 폴리아크릴레이트 등을 합성하는 공지의 방법이어도 되며, 예를 들면, 라디칼 중합, 음이온 중합 등을 들 수 있다.
사용하는 폴리머의 분자량은, 기재 상으로의 도포 가능한 범위 내이면, 제한은 없고, 예를 들면, 1,000∼300,000, 5,000∼200,000, 10,000∼100,000 등의 범위 내의 수평균 분자량의 폴리머를 들 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 폴리머의 분자량 분포(PDI)는, 중량 평균 분자량/수평균 분자량(Mw/Mn)의 비이며, 바람직하게는 1.0∼5.0, 보다 바람직하게는 1.0∼4.0, 가장 바람직하게는 1.0∼3.0이다.
한편, 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량은, DMF를 용매로 하는 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정한 데이터를 표준으로 사용하는 폴리메타크릴산메틸의 분자량에 기초하여 환산한 값이다.
본 발명에 사용하는 폴리머는, 식 (I)로 나타내는 중합성 화합물에서 유래하는 반복 단위를 갖는 것이면 되며, 식 (I)로 나타내는 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물 유래의 반복 단위, 예를 들면, (메타)아크릴산에스테르계 모노머 유래의 반복 단위, 방향족 비닐계 모노머 유래의 반복 단위, 올레핀계 모노머 유래의 반복 단위 등을 갖는 코폴리머여도 된다.
특히, 식 (I)로 나타내는 1종류의 중합성 화합물을 중합한 호모 폴리머 혹은 식 (I)로 나타내는 2종 이상의 중합성 화합물을 중합한 폴리머인 것이 바람직하다.
식 (I)로 나타내는 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물로는 구체적으로는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, i-부틸(메타)아크릴레이트, n-헥실(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 트리틸(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산에스테르;
스티렌, 초산비닐, 염화비닐, 염화비닐리덴, 아크릴로니트릴, 비닐에테르, 아크롤레인, 디비닐벤젠 등의 비닐계 화합물;
에틸렌, 프로필렌, 부타디엔 등의 올레핀 화합물 등을 들 수 있다.
[그 외의 성분]
(유기 용매)
본 발명의 접착성 조성물에는, 유기 용매를 포함할 수 있다. 사용 가능한 대표적 유기 용매로는 에테르계, 에스테르계, 지방족 탄화수소계, 방향족 탄화수소계, 케톤계, 유기 할로겐화물계 등을 들 수 있다.
에테르계 유기 용매로는 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 디아밀에테르; 에스테르계 유기 용매로는 에틸아세테이트, 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 아밀아세테이트, 헵틸아세테이트, 에틸부티레이트, 이소아밀이소발레레이트; 지방족계 탄화수소계 유기 용매로는 노르말헥산, 노르말헵탄, 시클로헥산; 방향족계 유기 용매로는 톨루엔, 자일렌; 케톤계 유기 용매로는 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논; 유기 할로겐화물계 유기 용매로는 트리클로로에탄, 트리클로로에틸렌; 등을 들 수 있다. 또한, 프로필렌글리콜모노메틸에테르나 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 비교적 비활성인 유기 용매도 사용 가능하다.
그 중에서도, 본 발명이 자연 환경하의 개방계에서 사용되는 경우가 많은 것을 고려하면, 휘발성을 갖는 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소아밀아세테이트, 헵틸아세테이트, 에틸부티레이트, 이소아밀이소발레레이트 등의 에스테르계 유기 용매가 바람직하다.
(중합성 화합물)
본 발명의 접착성 조성물은 식 (I)로 나타내는 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물을 포함하고 있어도 된다.
중합성 화합물은 융점, 점도 또는 굴절률 등의 목적으로 하는 물성에 따라 적절히 선정하면 되며, 특별히 한정되는 것은 아니지만 구체적으로는, 이하의 것을 들 수 있다.
메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, i-부틸(메타)아크릴레이트, n-헥실(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 트리틸(메타)아크릴레이트 등의 단관능성 (메타)아크릴레이트;
에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로판디올디(메타)아크릴레이트, 글리세린디(메타)아크릴레이트, 시클로헥산디올디(메타)아크릴레이트, 비스[(메타)아크릴옥시메틸]시클로헥산, 비스페놀A-디(메타)아크릴레이트, 비스페놀A의 알킬렌옥사이드 부가물의 디(메타)아크릴레이트 등의 2관능성 (메타)아크릴레이트;
트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 3관능성 이상의 다관능성 (메타)아크릴레이트;
에폭시(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 폴리부타디엔 올리고머의 (메타)아크릴레이트, 폴리아미드형 (메타)아크릴 올리고머, 멜라민(메타)아크릴레이트, 시클로펜타디엔 올리고머의 (메타)아크릴레이트, 실리콘 올리고머의 (메타)아크릴레이트 등의 아크릴계 중합성 올리고머.
스티렌, 초산비닐, 염화비닐, 염화비닐리덴, 아크릴로니트릴, 비닐에테르, 아크롤레인, 디비닐벤젠 등의 비닐계 화합물; 에틸렌, 프로필렌, 부타디엔 등의 올레핀 화합물 등.
중합성 화합물은 접착성 조성물의 밀착성을 저해하지 않는 범위 내이면 첨가량에 제한은 없다. 중합성 화합물의 배합량은 폴리머(I)에 대해 50질량% 미만으로 하는 것이 바람직하고, 30질량% 미만으로 하는 것이 보다 바람직하다.
(중합 개시제)
또한, 본 발명의 접착성 조성물은 중합 개시제를 포함하고 있어도 된다. 여기서, 중합 반응으로는 광중합 반응이나 열중합 반응 등을 들 수 있지만, 플라스틱 기재에 대한 열적 영향이 없는 광중합 반응이 바람직하다. 광중합 반응에 사용하는 광선으로는 자외선 또는 가시광선을 들 수 있지만, 중합 속도가 빠른 자외선이 바람직하다.
광중합 개시제로는 (a) 광조사에 의해 양이온종을 발생시키는 화합물 및 (b) 광조사에 의해 활성 라디칼종을 발생시키는 화합물 등을 들 수 있다.
광조사에 의해 양이온종을 발생시키는 화합물로는 예를 들면, 양이온 부분이 술포늄, 요오드늄, 디아조늄, 암모늄, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe 양이온이며, 음이온 부분이 BF4 -, PF6 -, SbF6 -, [BX4]-(X는, 적어도 2 이상의 불소 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기를 나타낸다)로 구성되는 오늄염을 들 수 있다.
구체적으로, 술포늄염으로는 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술피드 비스헥사플루오로포스페이트, 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술피드 비스헥사플루오로안티모네이트, 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술피드 비스테트라플루오로보레이트, 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술피드 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄 헥사플루오로포스페이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄 테트라플루오로보레이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.
요오드늄염으로는 디페닐요오드늄 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄 헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오드늄 테트라플루오로보레이트, 디페닐요오드늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 비스(도데실페닐)요오드늄헥사플루오로포스페이트, 비스(도데실페닐)요오드늄 헥사플루오로안티모네이트, 비스(도데실페닐)요오드늄 테트라플루오로보레이트, 비스(도데실페닐)요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
디아조늄염으로는 페닐디아조늄 헥사플루오로포스페이트, 페닐디아조늄 헥사플루오로안티모네이트, 페닐디아조늄 테트라플루오로보레이트, 페닐디아조늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
암모늄염으로는 1-벤질-2-시아노피리디늄 헥사플루오로포스페이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄 헥사플루오로안티모네이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄 테트라플루오로보레이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄 헥사플루오로포스페이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄헥사플루오로안티모네이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄 테트라플루오로보레이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
(2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe염으로는 (2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe(II)헥사플루오로포스페이트, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe(II)헥사플루오로안티모네이트, 2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe(II)테트라플루오로보레이트, 2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe(II)테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
광조사에 의해 활성 라디칼종을 발생시키는 화합물로는 구체적으로는, 아세토페논, 아세토페논벤질케탈, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 크산톤, 플루오레논, 벤조알데히드, 플루오렌, 안트라퀴논, 트리페닐아민, 카르바졸, 3-메틸아세토페논, 4-클로로벤조페논, 4,4'-디메톡시벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 벤조인프로필에테르, 벤조인에틸에테르, 벤질디메틸케탈, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 티옥산톤, 디에틸티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,4-(2-히드록시에톡시)페닐-(2-히드록시-2-프로필) 케톤, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 올리고(2-히드록시-2-메틸-1-(4-(1-메틸비닐)페닐)프로파논) 등을 들 수 있다.
열중합 개시제는 가열에 의해 라디칼을 발생하는 화합물을 가리키고, 유기 과산화물, 아조 화합물 및 레독스 개시제 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서 사용되는 중합 개시제의 배합량은, 전중합성 화합물의 총량에 대해 0.01∼20질량% 배합하는 것이 바람직하고, 0.1∼10질량%가 더 바람직하다.
[기능성 부여]
(유기 실란 화합물의 축합물)
본 발명의 접착성 조성물에는, 코팅막 표면을 무기화하는 것을 목적으로 하여, 유기 실란 화합물의 축합물을 함유할 수 있다. 이에 의해, 플라스틱 기재의 표면에 유리상 하드 코팅층을 적층할 수 있다.
유기 실란 화합물의 축합물은 식 (A)로 나타내는 유기 실란 화합물을 공지의 실라놀 축합 방법을 이용하여 제조할 수 있다.
R4Si(R3)3 (A)
식 중, R4는 에폭시기, 글리시딜옥시기 혹은 (메타)아크릴옥시기로 치환되어 있어도 되는 C1∼C30의 알킬기, C2∼C8의 알케닐기, 또는 C6∼C10의 아릴기를 나타내고, R3은 수산기 또는 가수 분해성기를 나타낸다.
R4에 있어서의 C1∼C30의 알킬기로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 2-메틸부틸기, 2,2-디메틸프로필기, n-헥실기, 이소헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 라우릴기, 트리데실기, 미리스틸기, 펜타데실기, 팔미틸기, 헵타데실기, 스테아릴기 등을 들 수 있다. C2∼C8의 알케닐기로는 비닐기, 알릴기, 2-프로페닐기 등을 들 수 있다.
C6∼C10의 아릴기로는 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.
R3의 가수 분해성기란, 무촉매 조건하 혹은 과잉의 물의 공존하, 25℃∼100℃로 가열함으로써, 가수 분해되어 실라놀기를 생성할 수 있는 기나, 실록산 축합물을 형성할 수 있는 기를 의미하고, 구체적으로는, 알콕시기, 아실옥시기, 할로게노기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있으며, C1∼C4의 알콕시기 또는 C1∼C6의 아실옥시기가 바람직하다.
여기서, C1∼C4의 알콕시기로는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, t-부톡시기 등을 들 수 있으며, C1∼C6의 아실옥시기는, 카르보닐기 이외의 탄소수가 1∼6인 아실옥시기를 의미하고, C1∼C6의 아실옥시기로는 아세틸옥시기, 벤조일옥시기 등을 들 수 있다. 할로게노기로는 플루오로기, 클로로기, 브로모기, 요오드기 등을 들 수 있다.
식 (A)로 나타내는 유기 실란 화합물로는 구체적으로는, 비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리부톡시실란, 비닐트리이소프로폭시실란, 알릴트리메톡시실란, 3-부테닐트리메톡시실란, 디비닐디클로로실란, 디비닐디아세톡시실란, 디비닐디메톡시실란, 디알릴디메톡시실란, 디3-부테닐디메톡시실란, 비닐메틸디메톡시실란, 비닐에틸디에톡시실란, 메틸트리(메타)아크릴옥시실란, 메틸트리스[2-(메타)아크릴옥시에톡시]실란, 메틸트리글리시딜옥시실란, 메틸트리스(3-메틸-3-옥세탄메톡시)실란, 메틸트리클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리부톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리(n-부톡시)실란, n-부틸트리메톡시실란, 디메틸디클로로실란, 디메틸디아세톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디-n-부틸디메톡시실란, 2-시클로프로페닐트리메톡시실란, 2-시클로펜테닐트리메톡시실란, 트리플루오로메틸트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 펜타플루오로페닐트리메톡시실란, 4-옥사시클로헥실트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시-n-프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시딜옥시-n-프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시-n-프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시-n-프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시-n-프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시-n-프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시-n-프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시-n-프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
공지의 실라놀 축합 방법으로는 구체적으로는, 실라놀 축합 촉매를 사용하는 방법을 들 수 있다. 실라놀 축합 촉매는, 식 (A)로 나타내는 화합물 중의 가수 분해성기를 가수 분해하고, 실라놀을 축합하여 실록산 결합으로 하는 것이면 특별히 제한되지 않고, 유기 금속, 유기산 금속염, 금속수산화물, 산, 염기, 금속 착체, 이들의 가수 분해물, 이들의 축합물 등을 들 수 있다. 실라놀 축합 촉매는 1종 단독 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
유기 금속으로는 구체적으로는, 테트라메틸티탄, 테트라프로필지르코늄 등의 알킬 금속 화합물; 테트라이소프로폭시티탄, 테트라부톡시지르코늄 등의 금속 알코올레이트; 등을 들 수 있다.
유기산 금속염은, 금속 이온과 유기산으로부터 얻어지는 염으로 이루어지는 화합물이며, 유기산으로는 초산, 옥살산, 타르타르산, 벤조산 등의 카르복실산류; 술폰산, 술핀산 등의 함황 유기산; 페놀 화합물; 엔올 화합물; 옥심 화합물; 이미드 화합물; 방향족 술폰아미드; 등의 산성을 나타내는 유기 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 카르복실산 금속염, 술폰산 금속염, 페놀 금속염 등을 들 수 있다.
금속 수산화물은 음이온으로서 수산화물 이온을 갖는 금속 화합물이다.
금속 착체로는 수산기 혹은 가수 분해성기를 갖는 금속 착체인 것이 바람직하고, 2 이상의 수산기 혹은 가수 분해성기를 갖는 금속 착체인 것이 보다 바람직하다. 한편, 2 이상의 수산기 혹은 가수 분해성기를 갖는다란, 가수 분해성기 및 수산기의 합계가 2 이상인 것을 의미한다. 가수 분해성기로는 알콕시기, 아실옥시기, 할로겐기, 이소시아네이트기를 들 수 있으며, C1∼C4의 알콕시기, C1∼C4의 아실옥시기가 바람직하다.
또한, 상기 금속 착체로는 β-케토카르보닐 화합물, β-케토에스테르 화합물 및 α-히드록시에스테르 화합물이 바람직하고, 구체적으로는, 아세토초산메틸, 아세토초산n-프로필, 아세토초산이소프로필, 아세토초산n-부틸, 아세토초산sec-부틸, 아세토초산t-부틸 등의 β-케토에스테르류; 아세틸아세톤, 헥산-2,4-디온, 헵탄-2,4-디온, 헵탄-3,5-디온, 옥탄-2,4-디온, 노난-2,4-디온, 5-메틸-헥산-2,4-디온 등의 β-디케톤류; 글리콜산, 락트산 등의 히드록시카르복실산 등이 금속 원소에 배위한 화합물을 들 수 있다.
또한, 이들 유기 금속, 유기산 금속염, 금속 수산화물, 금속 착체에 있어서의 금속 원소로는 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 인듐(In), 주석(Sn), 탄탈(Ta), 아연(Zn), 텅스텐(W), 납(Pb) 등을 들 수 있으며, 이들 중에서도 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 주석(Sn)이 바람직하고, 특히 티탄(Ti)이 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 사용할 수도 있다.
산으로는 유기산, 무기산을 들 수 있으며, 유기산으로는 초산, 포름산, 옥살산, 프탈산, 트리플루오로초산, p-톨루엔술폰산, 메탄술폰산 등, 무기산으로는 염산, 질산, 탄산, 붕산, 붕불화수소산 등을 들 수 있다.
여기서, 광조사에 의해 산을 발생하는 광산 발생제, 구체적으로는, 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 트리페닐포스포늄헥사플루오로포스페이트 등도 산에 포함된다.
염기로는 테트라메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딜프로필트리메톡시실란 등의 강염기류; 유기 아민류, 유기 아민의 카르복실산 중화염, 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.
실라놀 축합 촉매의 배합비는 유기 실란 화합물의 질량에 대해 1:99∼99:1, 바람직하게는 1:99∼50:50이다.
(금속 화합물 등)
본 발명의 접착성 조성물에는, 코팅막의 굴절률이나 경도를 높이는 것을 목적으로, 금속 화합물을 첨가할 수 있다. 금속 화합물로는 상술한 유기 실란 화합물이나 실라놀 축합 촉매로서 예시된 유기 금속, 유기산 금속염, 금속 수산화물, 금속 착체를 들 수 있지만, 그들 외의 금속 화합물로는 금속 산화물을 들 수 있으며, 구체적으로는, 이산화규소, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화크롬, 산화망간, 산화철, 산화지르코늄(지르코니아), 산화코발트의 금속 산화물 입자 등을 들 수 있다. 특히 산화지르코늄이 바람직하다.
입자의 형상으로는 구상, 다공질 분말, 인편상, 섬유상 등을 들 수 있지만, 다공질 분말상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 금속 산화물 입자로는 콜로이드상 금속 산화물 입자도 사용할 수 있다. 구체적으로는, 콜로이드상 실리카, 콜로이드상 지르코늄을 들 수 있으며, 수분산 콜로이드상 혹은 메탄올 혹은 이소프로판올 등의 유기 용매 분산 콜로이드상 금속 산화물 입자를 들 수 있다.
또한, 코팅막의 착색, 후막화, 자외선 투과 방지, 방식성 부여, 내열성 등의 여러 특성을 발현시키기 위해, 별도 충전재를 첨가·분산시키는 것도 가능하다. 충전재로는 유기 안료, 무기 안료 등의 비수용성 안료 또는 안료 이외의 입자상, 섬유상 혹은 인편상 금속 및 합금 그리고 이들의 산화물, 수산화물, 탄화물, 질화물, 황화물 등을 들 수 있다.
그 외, 오쏘포름산메틸, 오쏘초산메틸, 테트라에톡시실란 등의 공지의 탈수제, 각종 계면 활성제, 상기 이외의 실란 커플링제, 티탄 커플링제, 염료, 분산제, 증점제, 레벨링제 등의 첨가제를 첨가할 수도 있다.
한편, 본 발명에 있어서는, 필요에 따라 증감제, 자외선 흡수제, 염료, 방청제, 방부제 등의 첨가 성분을 배합할 수 있다.
[접착성 조성물의 조제]
본 발명에 있어서의 접착성 조성물은 통상, 유기 용매 중에 폴리머(I) 외에 필요에 따라, 상기 중합성 화합물, 상기 유기 실란 화합물의 축합물, 광중합 개시제, 금속 화합물 등을 혼합하여 조제된다. 본 발명의 접착성 조성물 중의 고형분은 1∼90질량%인 것이 바람직하고, 5∼60질량%인 것이 보다 바람직하다.
2. 성형체
본 발명의 성형체는, 상기 접착성 조성물을 플라스틱 기재 상에 도포하고, 상기 접착성 조성물을 경화시킨 막(코팅막)을 기재 상에 직접 형성한 것이다.
[기재]
본 발명의 접착성 조성물을 사용할 수 있는 기재로는 플라스틱 기재가 바람직하고, 구체적으로는, 시클로올레핀 폴리머, 시클로올레핀 코폴리머 등의 시클로올레핀 수지; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리이소프렌, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀 수지; 폴리카보네이트 수지; 폴리이소시아네이트 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르 수지; 아크릴 수지; 메타크릴 수지; 에폭시 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지; 방향족 폴리에테르케톤 수지를 들 수 있다.
특히, 시클로올레핀 수지 및 폴리올레핀 수지가 바람직하게 사용된다.
[코팅막의 형성]
본 발명의 접착성 조성물은 폴리머(I)가 기재 표면 상에 CH-π 상호 작용을 개재하여 강고하게 밀착하기 때문에, 접착성 조성물을 도포 후 가열 건조하는 것만으로 코팅막을 형성할 수 있다. 접착성 조성물 중에 중합성 화합물을 추가로 함유하는 경우, 광중합 개시제를 병용한 자외선 조사 처리, 또는 열중합 개시제를 병용한 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다.
UV 오존 처리 등으로 기재 표면을 개질할 필요가 없기 때문에, 플라스틱 기재의 초기 특성을 유지할 수 있다.
접착성 조성물의 도포 방법으로는 공지의 도포 방법을 사용할 수 있고, 딥핑법, 스프레이법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 스핀 코팅법, 커튼 코팅법, 그라비아 인쇄법, 실크 스크린법, 잉크젯법 등을 들 수 있다. 또한, 형성되는 코팅막의 두께는, 특별히 제한되지 않으며, 0.1∼200㎛ 정도이다.
코팅막의 가열 건조 처리는 40∼200℃에서 0.5∼120분 정도 행하는 것이 바람직하고, 60∼120℃에서 1∼60분 정도 행하는 것이 보다 바람직하다.
자외선의 조사는 고압 수은 램프, 저압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, 엑시머-램프 등의 공지의 장치를 이용하여 행할 수 있다.
가열 처리는 건조 처리와 연속으로 행할 수 있다.
[기능성 막의 적층]
본 발명의 코팅막은 플라스틱 기재와 밀착성이 매우 양호하기 때문에, 본 발명의 코팅막을 프라이머층으로서 사용할 수 있다. 이에 의해, 종래 플라스틱 기재에 직접 형성할 수 없었던 기능성 막을 본 발명의 코팅막을 개재하여 적층시킬 수 있다. 복수층을 적층할 수 있으며, 또한, 본 발명의 코팅제를 복수층 상에 추가로 도포하고, 추가로 적층할 수도 있다.
기능성 막으로는 도전막, 반사 방지막, 가스 배리어막, 하드 코팅막, 발수성 막, 친수성 막 등을 들 수 있다.
도전막으로는 주석이 도프된 산화인듐막(ITO막), 불소가 도프된 산화주석막(FTO막), 안티몬이 도프된 산화아연막, 인듐이 도프된 산화아연막 등을 들 수 있다.
가스 배리어막은 산소, 수증기 등의 가스 배리어성을 갖는 한, 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 무기 화합물의 박막이며, 특히, 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 규소, 게르마늄, 인듐, 주석, 탄탈, 아연, 텅스텐 및 납으로 이루어지는 군으로부터 선택된 금속 원소를 갖는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 또는 이들 복합물의 박막이 바람직하다.
이들 기능성 막의 두께는, 통상 10∼300㎚, 바람직하게는 10∼200㎚, 보다 바람직하게는 10∼100㎚이다.
무기 화합물로 이루어지는 도전성 막, 가스 배리어막 등을 본 발명의 코팅막 상에 형성하는 방법은 공지의 방법에 의해 형성하는 것이 가능하지만, 스퍼터링법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 등의 물리적 방법이나 스프레이법, 딥법, 열 CVD법, 플라스마 CVD법 등의 화학적 방법 등에 의해 행할 수 있다.
예를 들면, 스퍼터링법 등에 의하면, 규소 화합물을 산소 가스 존재하에서 소결시킨 것 등을 타깃으로 하여 사용함으로써, 산화규소로 이루어지는 막을 형성할 수도 있고, 금속 실리콘을 타깃으로 하여 산소 존재하에서 반응성 스퍼터함으로써도 막을 형성할 수 있다. 또한, 플라스마 CVD법에 의하면, 실란 가스를 산소 가스 및 질소 가스와 함께, 플라스마를 발생시킨 챔버 중에 공급하고, 반응시켜서 기재 상에 산화질화규소로 이루어지는 막을 형성할 수 있다. 또한, 열 CVD법 등에 의하면, 규소 화합물을 함유하는 유기 용매 용액 등을 증발물로 사용함으로써, 산화규소로 이루어지는 막을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 특히, 스퍼터링법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 또는 플라스마 CVD법에 의해, 기능성 막을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 기능성 막을 형성할 때, 필요에 따라, 본 발명의 코팅막의 표면을 미리 플라스마 처리 또는 UV 오존 처리해도 된다.
본 발명의 코팅막은 플라스틱 기재끼리, 또는 플라스틱 기재와 다른 성형된 시트를 접착할 때 사용하는 접착층으로서 사용할 수도 있다.
성형된 시트로는 폴리염화비닐 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리스티렌 수지, ABS 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 시클로올레핀 수지 등의 재질로 이루어지는 플라스틱 시트; 편광판, 위상차 필름, 반사 방지 필름 등의 광학 필름; 알루미늄, 구리, 실리콘 등의 금속박; 등을 들 수 있다.
이하에 실시예를 나타내지만, 본 발명의 기술적 범위는 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예에 있어서 얻어진 폴리머의 수평균 분자량의 측정은, 이하의 장치 및 조건으로 행했다.
[장치]
샘플 주입 장치:Waters 2695 얼라이언스
분리 칼럼:Shodex SB-G, SB-806HQ, SB-805HQ, SB-804HQ, SB-803HQ
검출기:Waters 2414 시차 굴절(RI) 검출기
2998 포토 다이오드 어레이(PDA) 검출기
칼럼 오븐:Waters사 제조 칼럼 오븐
[조건]
칼럼 오븐 온도:40℃
RI 검출기 온도:40℃
이동상:DMF
유량:1.0mL/min
표준 주입량:200μL
PDA 검출기 추출파:254.0㎚
정량 계산:표준 폴리메타크릴산메틸 환산
(실시예 1)
(1) N,N-디페닐아크릴아미드의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 디페닐아민(5.00g, 29.6mmol), N,N-디메틸아닐린(5.37g, 44.3mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 50mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(3.21g, 35.5mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 조생성물을 톨루엔/헥산으로 재결정함으로써, N,N-디페닐아크릴아미드(4.61g, 수율 70%)를 얻었다.
질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C15H13N1O1([M+Na]+)]:246.0889 found 246.0880.
(2) 폴리(N,N-디페닐아크릴아미드)의 제작
폴리머는 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 개시제로 한 라디칼 중합 반응으로 제작했다.
N,N-디페닐아크릴아미드 1.00g과 AIBN 7.35㎎을 50mL 쉬링크관에 투입했다. 교반자를 넣어 삼방 콕크로 밀폐한 후, 질소가 들어있는 가스 채취 봉투를 설치했다. 진공 펌프로 반응 용기의 탈기를 행한 후, 질소 치환했다. 이어서, 탈산소톨루엔 4.00mL를 첨가하고, 65℃의 오일 배스에서 24시간 가열함으로써, 라디칼 중합 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응액을 메탄올 중에 첨가함으로써 재침전을 행했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 23,100, 분자량 분포(PDI)는 1.39였다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N,N-디페닐아크릴아미드) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (A-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
50×50㎜ 사이즈의 각종 기재에 코팅제 (A-1)을 바코트로 성막했다. 코팅한 기재를 오븐 내에서 건조(80℃, 5분간)함으로써, 성형체를 얻었다.
사용한 기재를 이하에 나타낸다.
ZEONOR Film ZF-16(일본 제온 제조, 시클로올레핀 폴리머(COP), 188㎛)
ZEONEX790R(일본 제온 제조, 시클로올레핀 폴리머(COP), 2㎜)
APEL 6015T(미츠이 화학 제조, 시클로올레핀 코폴리머(COC), 2㎜)
옵티카 필름 6013T(미츠이 화학 제조, COC 필름, 100㎛)
TOPAS 6015S(폴리플라스틱스 제조, COC, 1㎜)
TPX RT18(미츠이 화학 제조, 메틸펜텐 코폴리머, 2㎜)
MX0200(미츠이 화학 제조, 메틸펜텐 코폴리머, 2㎜)
폴리에틸렌 플레이트(Wako, 1㎜)
폴리프로필렌 플레이트(Wako, 1㎜)
(실시예 2)
(1) N,N-디-p-톨릴아크릴아미드의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 디-p-톨릴아민(5.00g, 25.3mmol), N,N-디메틸아닐린(3.69g, 30.4mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 50mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(2.75g, 30.4mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 조생성물을 컬럼 크로마토그래피(초산에틸/헥산=3/7, 실리카겔)로 정제함으로써, N,N-디-p-톨릴아크릴아미드(2.87g, 수율 45%)를 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C17H17N1O1([M+Na]+)]:274.1202 found 274.1221.
(2) 폴리(N,N-디-p-톨릴아크릴아미드)의 제작
폴리머는 N,N-디-p-톨릴아크릴아미드 1.00g, AIBN 8.3㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 24,900, 분자량 분포(PDI)는 1.95였다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N,N-디-p-톨릴아크릴아미드) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (B-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (B-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 3)
(1) N,N-디-4-메톡시페닐아크릴아미드의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 비스(4-메톡시페닐)아민(5.00g, 21.8mmol), N,N-디메틸아닐린(3.17g, 26.2mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 50mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(2.37g, 26.2mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 조생성물을 컬럼 크로마토그래피(초산에틸/헥산=3/7, 실리카겔)로 정제함으로써, N,N-디-4-메톡시페닐아크릴아미드(3.83g, 수율 62%)를 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C17H17N1O3([M+Na]+)]:306.1101 found 306.1109.
(2) 폴리(N,N-디-4-메톡시페닐아크릴아미드)의 제작
폴리머는 N,N-디-4-메톡시페닐아크릴아미드 1.00g, AIBN 7.16㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 28,900, 분자량 분포(PDI)는 1.73이었다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N,N-디-4-메톡시페닐아크릴아미드) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (C-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (C-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 4)
(1) N-아크릴로일디히드로아크리딘의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 9,10-디히드로아크리딘(5.00g, 27.6mmol), N,N-디메틸아닐린(6.69g, 55.2mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 50mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(3.75g, 41.4mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 컬럼 크로마토그래피(초산에틸/헥산=1/9)로 정제함으로써, N-아크릴로일디히드로아크리딘(3.05g, 수율 47%)을 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C16H13N1O1([M+Na]+)]:258.0889 found 258.0871.
(2) 폴리(N-아크릴로일디히드로아크리딘)의 제작
폴리머는 N-아크릴로일디히드로아크리딘 1.00g, AIBN 9.06㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 20,000, 분자량 분포(PDI)는 1.75였다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N-아크릴로일디히드로아크리딘) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (D-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (D-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 5)
(1) N-아크릴로일이미노디벤질의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 이미노디벤질(5.00g, 25.6mmol), N,N-디메틸아닐린(3.72g, 30.7mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 50mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(2.78g, 30.7mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 컬럼 크로마토그래피(초산에틸/헥산=3/7)로 정제함으로써, N-아크릴로일이미노디벤질(3.70g, 수율 58%)을 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C17H15N1O1([M+Na]+)]:272.1046 found 272.1065.
(2) 폴리(N-아크릴로일이미노디벤질)의 제작
폴리머는 N-아크릴로일이미노디벤질 1.00g, AIBN 6.59㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 20,000, 분자량 분포(PDI)는 1.75였다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N-아크릴로일이미노디벤질) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (E-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (E-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 6)
(1) N-아크릴로일페녹사진의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 페녹사진(5.00g, 27.3mmol), N,N-디메틸아닐린(6.61g, 54.6mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 50mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(3.71g, 40.9mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 컬럼 크로마토그래피(초산에틸/헥산=3/7)로 정제함으로써, N-아크릴로일페녹사진 3.89g(수율 60%)을 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C15H11N1O2([M+Na]+)]:260.0682 found 260.0691.
(2) 폴리(N-아크릴로일페녹사진)의 제작
폴리머는 N-아크릴로일페녹사진 1.00g, AIBN 6.92㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 31,200, 분자량 분포(PDI)는 1.83이었다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N-아크릴로일페녹사진) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (F-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (F-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 7)
(1) N-아크릴로일페노티아진의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 페노티아진(5.00g, 25.1mmol), N,N-디메틸아닐린(6.08g, 50.2mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 50mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(3.41g, 37.6mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 컬럼 크로마토그래피(초산에틸/헥산=3/7)로 정제함으로써, N-아크릴로일페노티아진(3.81g, 수율 60%)을 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C15H11N1O1S1([M+Na]+)]:276.0454 found 276.0478.
(2) 폴리(N-아크릴로일페노티아진)의 제작
폴리머는 N-아크릴로일페노티아진 1.00g, AIBN 6.92㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 31,200, 분자량 분포(PDI)는 1.61이었다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N-아크릴로일페노티아진) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (G-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (G-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 8)
(1) N,N-디-2-나프틸-아크릴아미드의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 디-2-나프틸아민(5.00g, 18.6mmol), N,N-디메틸아닐린(4.50g, 37.1mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 50mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(2.52g, 27.8mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 컬럼 크로마토그래피(초산에틸/헥산=1/10)로 정제함으로써, N,N-디-2-나프틸-아크릴아미드(2.94g, 수율 49%)를 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C23H17N1O1([M+Na]+)]:346.1202 found 346.1200.
(2) 폴리(N,N-디-2-나프틸-아크릴아미드)의 제작
폴리머는 N,N-디-2-나프틸-아크릴아미드 1.00g, AIBN 5.08㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 29,100, 분자량 분포(PDI)는 1.39였다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N,N-디-2-나프틸-아크릴아미드) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (H-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (H-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 9)
(1) [N,N-디페닐아크릴아미드]/[N,N-디-p-톨릴아크릴아미드] 코폴리머의 제작
폴리머는 N,N-디페닐아크릴아미드(5.00g, 22.4mmol), N,N-디-p-톨릴아크릴아미드(6.35g, 22.4mmol), AIBN(36.8㎎, 0.22mmol)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 코폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 23,100, 분자량 분포(PDI)는 1.91이었다.
(2) 코팅제의 제작
[N,N-디페닐아크릴아미드]/[N,N-디-p-톨릴아크릴아미드] 코폴리머 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (I-1)을 얻었다.
(3) 코팅막의 형성
코팅제로 (I-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 10)
(1) [N,N-디페닐아크릴아미드]/[N,N-디-2-나프틸-아크릴아미드] 코폴리머의 제작
폴리머는 N,N-디페닐아크릴아미드(5.00g, 22.4mmol), N,N-디-2-나프틸-아크릴아미드(7.23g, 22.4mmol), AIBN(36.8㎎, 0.22mmol)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 코폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 28,600, 분자량 분포(PDI)는 1.87이었다.
(2) 코팅제의 제작
[N,N-디페닐아크릴아미드]/[N,N-디-2-나프틸-아크릴아미드] 코폴리머 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (J-1)을 얻었다.
(3) 코팅막의 형성
코팅제로 (J-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 11)
(1) [N,N-디페닐아크릴아미드]/[N-아크릴로일이미노디벤질] 코폴리머의 제작
폴리머는 N,N-디페닐아크릴아미드(5.00g, 22.4mmol), N-아크릴로일이미노디벤질(5.58g, 22.4mmol), AIBN(36.8㎎, 0.22mmol)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 코폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 27,300, 분자량 분포(PDI)는 2.33이었다.
(2) 코팅제의 제작
[N,N-디페닐아크릴아미드]/[N-아크릴로일이미노디벤질] 코폴리머 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (K-1)을 얻었다.
(3) 코팅막의 형성
코팅제로 (K-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 12)
(1) N,N-[4,4'-비스(α,α-디메틸벤질)디페닐]아크릴아미드의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 4,4'-비스(α,α-디메틸벤질)디페닐아민(25.00g, 61.6mmol), N,N-디메틸아닐린(14.9g, 123mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 200mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(6.69g, 74.0mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 얻어진 조생성물을 초산에틸/헥산으로 재결정함으로써, N,N-[4,4'-비스(α,α-디메틸벤질)디페닐]아크릴아미드(22.95g, 수율 81%)를 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C33H33NO([M+Na]+)]:482.2454 found 482.2411.
(2) 폴리{N,N-[4,4'-비스(α,α-디메틸벤질)디페닐]아크릴아미드}의 제작
폴리머는 N,N-[4,4'-비스(α,α-디메틸벤질)디페닐]아크릴아미드 1.00g, AIBN 9.20㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 29,900, 분자량 분포(PDI)는 1.88이었다.
(3) 코팅제의 제작
폴리{N,N-[4,4'-비스(α,α-디메틸벤질)디페닐]아크릴아미드} 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (L-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (L-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 13)
(1) N,N-시클로헥실페닐아크릴아미드의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 N-시클로헥실아닐린(10.0g, 57.1mmol), N,N-디메틸아닐린(8.30g, 68.5mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 50mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(6.20g, 68.5mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 얻어진 조생성물을 메탄올/물로 재결정함으로써, N,N-시클로헥실페닐아크릴아미드(9.68g, 수율 74%)를 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C15H19NO([M+Na]+)]:252.1359 found 252.1358.
(2) 폴리(N,N-시클로헥실페닐아크릴아미드)의 제작
폴리머는 N,N-시클로헥실페닐아크릴아미드 1.00g, AIBN 2.90㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 26,700, 분자량 분포(PDI)는 1.79였다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N,N-시클로헥실페닐아크릴아미드) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (M-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (M-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 14)
(1) N,N-페닐-2-나프틸아크릴아미드의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 N-페닐-2-나프틸아민(10.0g, 50.2mmol), N,N-디메틸아닐린(12.2g, 100mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 100mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(5.45g, 60.2mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 얻어진 조생성물을 컬럼 크로마토그래피(톨루엔/헥산=5/5)로 정제함으로써, N,N-페닐-2-나프틸아크릴아미드(10.45g, 76%)를 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C19H15NO([M+Na]+)]:296.1046 found 296.1067.
(2) 폴리(N,N-페닐-2-나프틸아크릴아미드)의 제작
폴리머는 N,N-페닐-2-나프틸아크릴아미드 1.00g, AIBN 2.00㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 31,100, 분자량 분포(PDI)는 2.01이었다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N,N-페닐-2-나프틸아크릴아미드) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (N-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (N-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(실시예 15)
(1) N,N-디벤질아크릴아미드의 합성
질소 치환한 100mL 4구 플라스크에 디벤질아민(5.00g, 25.3mmol), N,N-디메틸아닐린(3.85g, 31.8mmol) 및 초탈수 디클로로메탄 100mL를 투입했다. 반응 용액을 빙욕으로 10℃ 이하로 냉각하고, 아크릴산클로라이드(2.75g, 30.4mmol)를 천천히 적하하여 30분간 교반했다. 그 후, 반응액을 실온까지 승온하고, 24시간 반응을 행했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 1N 염산 수용액, 포화 중조수, 식염수로 수세했다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수하고, 그 후 여과액을 에바포레이터로 증류 제거했다. 얻어진 조생성물을 컬럼 크로마토그래피(톨루엔/초산에틸=10/1) 정제함으로써, N,N-디벤질아크릴아미드(5.15g, 수율 81%)를 얻었다. 질량 분석의 결과를 이하에 나타낸다.
High Resolution ESI-TOF-MS m/z Calcd. for [C33H33NO([M+Na]+)]:274.1202 found 274.1162.
(2) 폴리(N,N-디벤질아크릴아미드)의 제작
폴리머는 N,N-디벤질아크릴아미드 5.00g, AIBN 9.20㎎을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 제작했다. GPC로부터 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 24,700, 분자량 분포(PDI)는 1.59였다.
(3) 코팅제의 제작
폴리(N,N-디벤질아크릴아미드) 0.1g을 시클로헥사논 9.9g에 가열 용해시킴으로써, 고형분 농도 1wt%의 코팅제 (O-1)을 얻었다.
(4) 코팅막의 형성
코팅제로 (O-1)을 사용하는 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 행했다.
(박리 시험)
본 발명의 코팅제가 기재와의 밀착성이 우수하다는 것을 나타내기 위해, 구JIS K5400의 크로스컷 테이프 박리 시험을 상기 실시예 1∼15에서 얻어진 성형체 각각에 대해 행했다.
시험 결과를 이하의 표에 나타낸다.
표에 있어서, 분수의 분모는 크로스컷 전체수(100개)를 나타내고, 분자는 박리되지 않은 크로스컷의 수를 나타낸다. 100/100은 100개의 크로스컷 전부에 박리가 없는 것을 나타낸다.
[실시예 16]
중합 반응은 Macromol. Rapid. Co㎜un. 2005, 26, 1499-1503을 참고하여 행했다. N,N-디페닐아크릴아미드 10.0g(45mmol)과 THF 100mL를 300ml 4구 플라스크에 투입하고 15분간 교반했다. 균일하게 용해한 것을 확인하고, 이어서 빙욕을 이용하여 반응액을 0℃ 이하까지 냉각했다. 그 후, 23% TIBAL in Toluene 0.23mL(0.22mmol)를 적하했다. 반응 용액을 30분간 교반한 후, 2M HCl/MeOH 혼합 용액을 사용하여 실활하고, 추가로 과잉의 메탄올을 사용하여 재침전을 행했다. 여과에 의해 얻어진 백색 분말을 120℃의 조건하에서 6시간의 감압 건조를 행했다. 얻어진 폴리(N,N-디페닐아크릴아미드)를 GPC로 측정한 결과, 메타크릴산메틸 환산으로 수평균 분자량(Mn)이 138,100, 분산도(PDI)가 1.29였다.
얻어진 폴리(N,N-디페닐아크릴아미드)를 시클로헥사논에 1wt%가 되도록 용해하고, 그 코팅제를 ZEONOR Film ZF-16, ZEONEX790R, APL6015T에 바코팅법을 이용하여 도포하고, 100℃, 3분간의 가열 건조를 행함으로써 적층 샘플을 제작했다. 얻어진 샘플의 밀착성을 JIS K5400 크로스컷 테이프 박리 시험으로 평가한 결과, 모두 100/100이었다.
시험 결과로부터, 본 발명의 접착성 조성물은 특히 시클로올레핀 수지 기재에 대해 밀착성이 우수한 것임을 알 수 있다.
(접착제로서의 시험)
(1) 접착제의 제작
실시예 1에서 얻어진 폴리(N,N-디페닐아크릴아미드) 0.2g을 테트라히드로푸란 0.8g에 용해시킴으로써, 고형분 농도 10wt%의 접착제 (L-1)을 얻었다.
(2) 접착 시험 샘플의 제작
접착제 (L-1) 0.1g을 사용하여 2매의 25×50×1.0㎜ 사이즈의 PE 기판을 25×25㎜의 면적으로 첩합했다. 첩합 개소를 클립으로 고정하고, 50℃, 30분간 가열 건조함으로써, 접착 시험 샘플을 얻었다.
(3) 인장 전단 박리 시험
접착 시험으로서 인장 전단 박리 시험을 실시했다. 시험에는 1kN의 로드셀을 구비한 SIMAZU AGS-J universal tensile tester를 사용했다. (2)에서 얻은 접착 시험 샘플을 장치에 장착하고, 1㎜/min의 속도로 시험을 행했다. 시험은 실온하에서 실시했다. 얻어진 접착력은 0.61MPa였다.
시험 결과로부터, 본 발명의 접착성 조성물은 접착성이 우수한 것임을 알 수 있다.
Claims (8)
- 식 (I')
Y-N(Ar)(R) 식 (I')
(식 중,
Y는 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 나타낸다;
Ar 및 R은 각각 독립하여 벤질기 또는 α,α-디메틸벤질기를 갖는 페닐기를 나타낸다)
로 나타내는 화합물. - 제 1 항의 식 (I')로 나타내는 화합물 유래의 반복 단위를 함유하는 폴리머.
- 제 2 항에 있어서,
폴리머가 폴리N,N-[4,4'-비스(α,α-디메틸벤질)디페닐](메타)아크릴아미드인 폴리머. - 제 2 항 또는 제 3 항의 폴리머를 함유하는 코팅제.
- 제 4 항에 있어서,
코팅제가 플라스틱 기재의 코팅제인 코팅제. - 제 5 항에 있어서,
플라스틱 기재가 폴리올레핀 수지 기재인 코팅제. - 제 5 항에 있어서,
플라스틱 기재가 시클로올레핀 수지 기재인 코팅제. - 기재 상에 제 4 항의 코팅제를 도포하고 경화하여 얻어진 막을 갖는 성형체.
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