KR102344450B1 - Substrate processing apparatus and method - Google Patents

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KR102344450B1 KR1020170124040A KR20170124040A KR102344450B1 KR 102344450 B1 KR102344450 B1 KR 102344450B1 KR 1020170124040 A KR1020170124040 A KR 1020170124040A KR 20170124040 A KR20170124040 A KR 20170124040A KR 102344450 B1 KR102344450 B1 KR 102344450B1
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Abstract

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 가스를 분사하는 복수의 분사홀들이 형성된 가스 분사 유닛, 상기 가스 분사 유닛으로 가스 공급 라인을 통해 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 제어부를 포함하되, 상기 가스 분사 유닛은 서로 분리된 복수의 영역들을 포함하고, 상기 복수의 영역들은 상기 가스 공급 유닛과 서로 다른 가스 공급 라인을 통해 연결되고, 상기 가스 공급 라인에는 제어 밸브 및 압력 게이지가 구비되어, 상기 압력 게이지의 측정값을 기초로 상기 제어 밸브를 제어하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 비대칭적인 챔버 구조에서도 우수한 공정 균일도를 얻을 수 있는 효과가 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a gas injection unit having a plurality of injection holes for injecting gas to a substrate, a gas supply unit supplying gas to the gas injection unit through a gas supply line, and a control unit, wherein the gas The injection unit includes a plurality of regions separated from each other, the plurality of regions are connected to the gas supply unit through different gas supply lines, and the gas supply line is provided with a control valve and a pressure gauge, the pressure gauge It is characterized in that the control valve is controlled based on the measured value of . According to the present invention, there is an effect that can obtain excellent process uniformity even in an asymmetric chamber structure.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD} Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}

본 발명은 영역별로 가스 공급 유량을 제어함으로써 기판 처리 균일도를 향상시키는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for improving substrate processing uniformity by controlling a gas supply flow rate for each region.

진공 챔버 내에 공정 가스를 공급하면서 기판에 증착, 식각 등 소정의 처리를 하는 반도체 제조 공정에 있어서, 기판 영역별 공정 균일도(Process uniformity)는 매우 중요하게 취급된다. 그러나 기판이 대구경화되고 패턴이 점점 미세화됨에 따라 기판의 영역별, 특히 센터(center) 영역과 에지(edge) 영역에서 동일한 공정 특성을 얻는 것은 여전히 어려운 과제이다.In a semiconductor manufacturing process in which predetermined processes such as deposition and etching are performed on a substrate while supplying a process gas into a vacuum chamber, process uniformity for each substrate area is treated as very important. However, as the substrate becomes larger and the pattern becomes smaller, it is still difficult to obtain the same process characteristics for each region of the substrate, particularly in the center region and the edge region.

이러한 문제를 해결하기 위해 챔버 내에 공정 가스를 분사하는 샤워헤드(Shower head)를 센터와 에지 영역으로 분리하고, 영역별로 공급되는 가스 유량을 조절할 수 있도록 하는 기술이 제시되었다. 이러한 기술을 사용하면 각 영역별 공급 가스 유량을 조절하여 기판 처리 후, 별도의 특성 검사를 통해 공정 균일도를 평가한 다음 이를 바탕으로 다시 공급 가스 유량을 미세 조정함으로써 공정 균일도를 향상시키는 것이 가능하다.In order to solve this problem, a technology for separating a shower head for spraying a process gas into a chamber into a center region and an edge region, and to control a gas flow rate supplied to each region has been proposed. Using this technology, it is possible to improve the process uniformity by adjusting the supply gas flow rate for each area after processing the substrate, evaluating the process uniformity through a separate characteristic test, and then finely adjusting the supply gas flow rate again based on this.

그러나 이러한 기술은 만족할만한 균일도를 얻을 때까지 기판 처리 및 특성 검사 과정을 반복하여야 하므로 비효율적이고, 전체 공정 가스 유량이나 챔버 압력 등 다른 공정 조건이 변경되면 다시금 동일한 과정을 반복하여야 하는 문제가 있다. 또한 공정 균일도에 악영향을 줄 수 있는 상황이나 이벤트를 공정 진행 중에 인시튜(in-situ)로 인지하여 바로 잡을 수 없는 한계가 있다. However, this technique is inefficient because the substrate processing and characteristic inspection process must be repeated until satisfactory uniformity is obtained, and there is a problem in that the same process must be repeated again when other process conditions such as the total process gas flow rate or chamber pressure are changed. In addition, there is a limitation in that situations or events that may adversely affect process uniformity cannot be corrected by recognizing them in-situ during the process.

뿐만 아니라, 진공 배기구의 위치, 챔버 내 부품 배치 등에 의해 챔버 내 전체 가스 분포는 대칭적이지 않은 것이 일반적이므로, 센터와 에지, 또는 센터, 미들(Middle), 에지 영역으로 분리하여 공급 가스 유량을 조절하는 것으로는 기판 전면에서 균일한 처리가 이루어지도록 하는데 충분하다고 할 수 없다. 예를 들어 사이드 펌핑(Side pumping) 방식의 챔버에서는 기판의 외주 방향으로 특정 위치에 불균일이 발생하기 쉬운데, 이는 기판 반경 방향으로의 가스 공급 유량을 조절하는 것으로 해결하기가 쉽지 않고, 오히려 이러한 시도는 다른 위치에서의 불균일을 심화시키는 결과를 초래할 수 있다.In addition, since the overall gas distribution in the chamber is generally not symmetrical due to the location of the vacuum exhaust port, the arrangement of parts in the chamber, etc., the supply gas flow rate is controlled by separating the center and edge, or center, middle, and edge regions. It cannot be said that it is sufficient to achieve uniform processing on the entire surface of the substrate. For example, in a side pumping chamber, non-uniformity tends to occur at a specific position in the outer periphery direction of the substrate, which is not easy to solve by adjusting the gas supply flow rate in the radial direction of the substrate. This may result in exacerbating the non-uniformity at different locations.

또한 샤워헤드나 가스 공급 라인 등은 여러 부품들이 조립된 구성이므로 그 조립 상태가 불량하거나 파트 파손 등의 하드웨어 문제가 발생하는 경우에도 기판 처리 불균일로 이어질 수 있다. 그러나 종래기술은 기판 처리 불균일이 공정의 문제인지 아니면 하드웨어의 문제인지를 구분하기 어렵고, 이는 불필요한 시간 및 비용 소모의 원인이 된다.In addition, since several parts are assembled in the showerhead or gas supply line, even if the assembly state is poor or hardware problems such as parts breakage occur, it may lead to non-uniform substrate processing. However, in the prior art, it is difficult to distinguish whether the substrate processing non-uniformity is a process problem or a hardware problem, which causes unnecessary time and cost consumption.

본 발명은 기판 영역별 공정 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving process uniformity for each substrate area.

또한 본 발명은 기판 처리 공정 중에 인시튜(in-situ)로 공정 균일도에 악영향을 줄 수 있는 상황을 인지하여 바로 잡을 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of recognizing and correcting a situation that may adversely affect process uniformity in-situ during a substrate processing process.

또한 본 발명은 비대칭적인 구조의 챔버 내에서도 기판 영역별 공정 균일도를 미세하게 조정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of finely adjusting process uniformity for each substrate area even within a chamber having an asymmetric structure.

또한 본 발명은 기판 처리 공정 중에 하드웨어 이상을 감지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of detecting hardware abnormalities during a substrate processing process.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 기판처리장치는, 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 수행되는 기판 처리 장치로서, 상기 챔버 내부에 위치하여 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 지지 유닛과 대향되게 제공되며 가스를 분사하는 복수의 분사홀들이 형성된 가스 분사 유닛, 상기 가스 분사 유닛으로 가스 공급 라인을 통해 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 제어부를 포함하되, 상기 가스 분사 유닛은 서로 분리된 복수의 영역들을 포함하고-상기 복수의 분사홀들은 상기 복수의 영역들 중 어느 하나의 영역에 연통됨, 상기 복수의 영역들은 상기 가스 공급 유닛과 서로 다른 가스 공급 라인을 통해 연결되고, 상기 가스 공급 라인에는 가스 공급 유량을 제어하는 제어 밸브가 구비되고, 상기 제어 밸브와 상기 가스 분사 유닛 사이에는 압력 게이지가 구비되고, 상기 제어부는 상기 압력 게이지의 측정값을 기초로 상기 제어 밸브를 제어하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention for achieving the above object is a substrate processing apparatus in which a substrate processing process is performed in a chamber, and includes a support unit positioned inside the chamber to support a substrate, the support unit and A gas injection unit provided to face each other and provided with a plurality of injection holes for injecting gas, a gas supply unit supplying gas through a gas supply line to the gas injection unit, and a control unit, wherein the gas injection unit includes a plurality of separate gas injection units the plurality of injection holes communicate with any one of the plurality of regions, the plurality of regions are connected to the gas supply unit through different gas supply lines, and the gas supply line is provided with a control valve for controlling a gas supply flow rate, a pressure gauge is provided between the control valve and the gas injection unit, and the control unit controls the control valve based on a measurement value of the pressure gauge do.

이때 상기 복수의 영역들은 각각 복수의 서브 영역들로 분리될 수 있고, 상기 가스 공급 라인은 복수의 분기 라인으로 분기되어 상기 분기 라인들 각각 이 상기 서브 영역들 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 또한 상기 복수의 영역들은 기판 반경 방향으로 분리된 영역들이고, 상기 복수의 서브 영역들은 상기 복수의 영역들이 기판 외주 방향으로 분리되어 형성된 것일 수 있다.In this case, each of the plurality of regions may be divided into a plurality of sub-regions, and the gas supply line may be branched into a plurality of branch lines so that each of the branch lines may be connected to any one of the sub-regions. Also, the plurality of regions may be regions separated in a radial direction of the substrate, and the plurality of sub regions may be formed by separating the plurality of regions in an outer circumferential direction of the substrate.

상기 제어부는, 상기 가스 분사 유닛에 공급되는 전체 가스 유량이 일정하게 유지되도록 상기 제어 밸브를 제어할 수 있고, 특히 상기 압력 게이지의 측정값을 기초로 상기 제어 밸브를 비례 제어(Proportional control)할 수 있다.The control unit may control the control valve to maintain a constant flow rate of the total gas supplied to the gas injection unit, and in particular, proportionally control the control valve based on the measured value of the pressure gauge. have.

상기 챔버 내부는 비대칭적인 구조를 가질 수 있다.The inside of the chamber may have an asymmetric structure.

또한, 상기 제어부는 상기 압력 게이지의 측정값을 기초로 하드웨어 이상 여부를 판단하고, 하드웨어 이상으로 판단되는 경우 알람을 발생시키거나 기판 처리 공정을 중단시킬 수 있다.In addition, the controller may determine whether hardware is abnormal based on the measured value of the pressure gauge, and may generate an alarm or stop the substrate processing process when it is determined that the hardware is abnormal.

본 발명의 다른 측면에 따른 기판 처리 방법은, 가스를 분사하는 복수의 분사홀들이 형성되고 서로 분리된 복수의 영역들을 포함하는 가스 분사 유닛, 상기 가스 분사 유닛으로 가스 공급 라인을 통해 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고-상기 복수의 영역들은 상기 가스 공급 유닛과 서로 다른 가스 공급 라인을 통해 연결됨, 상기 가스 공급 라인에 가스 공급 유량을 제어하는 제어 밸브 및 압력 게이지가 구비되는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서, (a) 상기 제어 밸브를 조절하여 상기 복수의 영역들로 처리 가스를 공급하는 단계 및 (b) 상기 압력 게이지에서 측정된 압력을 기초로 상기 제어 밸브를 조절하여 상기 복수의 영역으로 공급되는 처리 가스 유량을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing method according to another aspect of the present invention includes a gas injection unit including a plurality of regions in which a plurality of injection holes for injecting gas are formed and separated from each other, and supplying gas to the gas injection unit through a gas supply line. a gas supply unit, wherein the plurality of regions are connected to the gas supply unit through different gas supply lines, and a control valve for controlling a gas supply flow rate and a pressure gauge are provided in the gas supply line using a substrate processing apparatus A substrate processing method, comprising the steps of: (a) supplying a process gas to the plurality of regions by adjusting the control valve; and (b) adjusting the control valve based on a pressure measured by the pressure gauge to the plurality of regions. It characterized in that it comprises the step of controlling the flow rate of the process gas supplied to the

여기서, 상기 복수의 영역들은 각각 복수의 서브 영역들로 분리되고, 상기 가스 공급 라인은 복수의 분기 라인으로 분기되고, 상기 분기 라인들은 각각 상기 서브 영역들 중 어느 하나에 연결되며, 상기 (b) 단계는 각 가스 공급 라인을 흐르는 가스 유량은 고정한 상태에서 상기 압력 게이지에서 측정된 압력을 기초로 상기 분기 라인에 구비된 상기 제어 밸브를 제어하는 것일 수 있다. 여기서, 상기 (b) 단계는, 상기 압력 게이지의 측정값을 기초로 상기 제어 밸브를 비례 제어(Proportional control)하는 것일 수 있다.Here, each of the plurality of regions is divided into a plurality of sub-regions, the gas supply line is branched into a plurality of branch lines, and the branch lines are respectively connected to any one of the sub-regions, and (b) The step may be to control the control valve provided in the branch line based on the pressure measured by the pressure gauge while the gas flow rate flowing through each gas supply line is fixed. Here, the step (b) may be to proportionally control the control valve based on the measured value of the pressure gauge.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 상기 압력 게이지에서 측정된 압력값이 정상 범위가 아닌 것으로 판단되는 경우, 하드웨어 이상으로 판단하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 압력 게이지에서 측정된 압력값이 기 설정된 상한 또는 하한 임계값을 벗어나거나, 복수의 압력 게이지들에서 측정된 압력값들 간의 차이가 기 설정된 범위 이상인 경우, 정상 범위가 아닌 것으로 판단할 수 있다.In addition, the substrate processing method according to the present invention, when it is determined that the pressure value measured by the pressure gauge is outside the normal range, may include the step of determining that the hardware is abnormal. Here, when the pressure value measured by the pressure gauge deviates from a preset upper limit or lower limit threshold value, or when the difference between pressure values measured by a plurality of pressure gauges is greater than or equal to a preset range, it can be determined that the pressure gauge is not in the normal range have.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 상기 (b) 단계 이후에, 상기 압력 게이지로부터 압력 측정값을 재수신하여 개선 정도가 정상 범위가 아닌 것으로 판단되는 경우, 하드웨어 이상으로 판단하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 재수신한 압력 측정값의 변화량이 기 설정된 기준에 미치지 못하거나, 복수의 압력 게이지들 사이의 압력 측정값 차이 감소량이 기 설정된 기준에 미치지 못하는 경우, 정상 범위가 아닌 것으로 판단할 수 있다.In addition, the substrate processing method according to the present invention, after step (b), re-receiving the pressure measurement value from the pressure gauge, and when it is determined that the improvement level is not within the normal range, determining that the hardware is abnormal can do. Here, when the amount of change in the re-received pressure measurement value does not meet a preset standard, or when the decrease amount of the difference in pressure measurement value between the plurality of pressure gauges does not meet the preset standard, it may be determined that the range is not in the normal range.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 가스 분사 유닛의 분리된 각 영역에 연결되는 가스 공급 라인 상에 가스 공급 유량을 제어하는 제어 밸브 및 압력 게이지를 구비하고, 압력 게이지의 측정 결과에 따라 제어 밸브를 피드백 제어함으로써, 기판 영역별 공정 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, a control valve for controlling a gas supply flow rate and a pressure gauge are provided on a gas supply line connected to each separated region of the gas injection unit, and the control valve is operated according to the measurement result of the pressure gauge. By feedback control, there is an effect of improving process uniformity for each substrate area.

또한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 압력 측정 결과를 피드백하여 각 영역별 가스 공급 유량을 제어함으로써, 공정 균일도에 악영향을 줄 수 있는 상황이나 이벤트를 기판 처리 공정 중에 인시튜(in-situ)로 인지하여 바로 잡을 수 있는 효과가 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, by controlling the gas supply flow rate for each region by feeding back the pressure measurement result, situations or events that may adversely affect process uniformity are converted in-situ during the substrate processing process. It has the effect of recognizing it and correcting it.

또한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 가스 분사 유닛을 기판의 외주 방향으로 복수 영역으로 구획한 후 구획된 각 영역에 연결되는 가스 공급 라인 상에 가스 공급 유량을 제어하는 제어 밸브 및 압력 게이지를 구비하고, 압력 게이지의 측정 결과에 따라 제어 밸브를 피드백 제어함으로써, 비대칭적인 구조의 챔버 내에서도 기판 영역별 공정 균일도를 미세하게 조정할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a control valve and a pressure gauge for controlling a gas supply flow rate on a gas supply line connected to each of the divided regions after dividing the gas injection unit into a plurality of regions in the outer circumferential direction of the substrate are provided. And, by feedback-controlling the control valve according to the measurement result of the pressure gauge, it is possible to finely adjust the process uniformity for each substrate area even in the chamber having an asymmetric structure.

또한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기 설정된 기준에 따라 압력 게이지의 측정값이 정상 범위인지를 판단함으로써, 기판 처리 공정 중에 하드웨어 이상을 감지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, by determining whether the measured value of the pressure gauge is within a normal range according to a preset criterion, there is an effect of detecting hardware abnormalities during the substrate processing process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I선 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 변형예이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 6는 도 5의 기판 처리 장치의 가스 분사 유닛 단면도이다.
도 7은 도 5의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 하드웨어 이상을 여부를 판단하여 처리하는 방법을 나타내는 흐름도이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 1 .
3 is a flowchart illustrating a substrate processing method using the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
FIG. 4 is a modified example of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
5 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a gas injection unit of the substrate processing apparatus of FIG. 5 .
7 is a flowchart illustrating a substrate processing method using the substrate processing apparatus of FIG. 5 .
8 and 9 are flowcharts illustrating a method of processing by determining whether hardware is abnormal by using the substrate processing apparatus according to the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이하의 설명은 구체적인 실시예를 포함하지만, 본 발명이 설명된 실시예에 의해 한정되거나 제한되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Although the following description includes specific embodiments, the present invention is not limited or limited by the described embodiments. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 I-I선 단면도이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-I of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 분사 유닛(300), 가스 공급 유닛(400) 및 제어부(600)를 포함한다.1 and 2 , the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100 , a support unit 200 , a gas injection unit 300 , a gas supply unit 400 , and a control unit 600 .

챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 내부 공간을 제공한다. 기판 처리 공정은 진공 분위기에서 수행될 수 있으며, 이를 위해 챔버(100)에는 배기구(110)가 형성된다. 배기구(110)에는 배기라인(111)을 통해 진공 펌프(P)가 연결된다.The chamber 100 provides an internal space in which a substrate processing process is performed. The substrate processing process may be performed in a vacuum atmosphere, and for this, an exhaust port 110 is formed in the chamber 100 . A vacuum pump P is connected to the exhaust port 110 through an exhaust line 111 .

챔버(100) 내부에는 기판(W)을 지지하기 위한 지지 유닛(200)이 구비된다. 지지 유닛(200)에는 기판을 움직이지 않도록 고정하는 정전척, 진공척, 기계적 클램프 등의 고정 수단이 포함될 수 있고, 기판(W)을 소정 온도 범위로 유지하기 위한 가열 수단, 냉각 수단 등이 포함될 수 있다.A support unit 200 for supporting the substrate W is provided inside the chamber 100 . The support unit 200 may include fixing means such as an electrostatic chuck, a vacuum chuck, and a mechanical clamp for fixing the substrate so as not to move, and a heating means and cooling means for maintaining the substrate W in a predetermined temperature range are included. can

가스 분사 유닛(300)은 기판 처리를 위한 처리 가스를 기판(W)에 분사하는 구성으로, 기판(W)과 대향하는 면에 복수의 분사홀(350)이 형성된다. 가스 분사 유닛(300)에는 기판의 반경 방향으로 격리된 복수의 확산 챔버(310)가 형성되며, 복수의 분사홀(350)들은 어느 하나의 확산 챔버(310)와 연통된다. 확산 챔버(310)는 중앙 영역으로부터 반경 방향으로 제1 확산 챔버(311), 제2 확산 챔버(313), 제3 확산 챔버(315)가 순차적으로 구비될 수 있고, 제1 내지 3 확산 챔버(311, 313, 315)는 각각 기판(W)의 센터 영역, 미들 영역 및 에지 영역에 처리 가스를 분사할 수 있도록 배치될 수 있다. 각 확산 챔버(311, 313, 315)는 격벽(330)에 의해 분리될 수 있다.The gas injection unit 300 is configured to inject a processing gas for substrate processing to the substrate W, and a plurality of injection holes 350 are formed on a surface opposite to the substrate W. A plurality of diffusion chambers 310 isolated in a radial direction of the substrate are formed in the gas ejection unit 300 , and the plurality of ejection holes 350 communicate with any one diffusion chamber 310 . The diffusion chamber 310 may include a first diffusion chamber 311 , a second diffusion chamber 313 , and a third diffusion chamber 315 in a radial direction from the central region, and the first to third diffusion chambers ( Each of 311 , 313 , and 315 may be disposed to inject the processing gas to the center region, the middle region, and the edge region of the substrate W . Each of the diffusion chambers 311 , 313 , and 315 may be separated by a partition wall 330 .

가스 공급 유닛(410)은 처리 가스들을 저장하고 있는 가스 공급원(410), 가스 공급원(410)으로부터의 가스 공급 유량을 제어하는 공급 밸브(430), 공급 밸브(430)를 통해 가스를 제공 받아 혼합된 가스를 가스 분사 유닛(300)의 확산 챔버(310)로 공급하기 위한 가스 분배기(450)를 포함할 수 있다. 예를 들어 A 가스와 B 가스를 기판(W)에 분사하여 기판 처리를 수행하는 공정에서는, 공급 밸브(430)를 제어하여 A 가스와 B 가스를 가스 분배기(450)로 공급하고, 가스 분배기(450)에서 혼합된 혼합 가스를 가스 분사 유닛(300)의 제1 내지 3 확산 챔버(311, 313, 315)로 제공하여 분사홀(350)을 통해 기판(W)에 분사되도록 할 수 있다.The gas supply unit 410 receives and mixes gas through a gas supply source 410 storing process gases, a supply valve 430 controlling a gas supply flow rate from the gas supply source 410 , and a supply valve 430 . A gas distributor 450 for supplying the used gas to the diffusion chamber 310 of the gas injection unit 300 may be included. For example, in the process of performing substrate processing by injecting gas A and gas B onto the substrate W, the supply valve 430 is controlled to supply gas A and gas B to the gas distributor 450, and the gas distributor ( The mixed gas mixed in 450 may be provided to the first to third diffusion chambers 311 , 313 , and 315 of the gas injection unit 300 to be sprayed onto the substrate W through the injection hole 350 .

가스 분배기(450)와 확산 챔버(310)는 가스 공급 라인(510)으로 연결된다. 이때 각 확산 챔버(311, 313, 315)는 가스 분배기(450)와 서로 다른 가스 공급 라인(511, 513, 515)을 통해 연결된다. 즉, 가스 분배기(450)와 제1 확산 챔버(311)는 제1 가스 공급 라인(511)을 통해 연결되고, 가스 분배기(450)와 제2 확산 챔버(313)는 제2 가스 공급 라인(513)을 통해 연결되며, 가스 분배기(450)와 제3 확산 챔버(315)는 제3 가스 공급 라인(515)을 통해 연결될 수 있다. 가스 분배기(450)는 각 가스 공급 라인(511, 513, 515)마다 서로 다른 유량의 가스를 공급함으로써 각 확산 챔버(311, 313, 315)에 다른 유량으로 가스를 분배할 수 있다.The gas distributor 450 and the diffusion chamber 310 are connected by a gas supply line 510 . In this case, each of the diffusion chambers 311 , 313 , and 315 is connected to the gas distributor 450 through different gas supply lines 511 , 513 , and 515 . That is, the gas distributor 450 and the first diffusion chamber 311 are connected through a first gas supply line 511 , and the gas distributor 450 and the second diffusion chamber 313 are connected to the second gas supply line 513 . ), and the gas distributor 450 and the third diffusion chamber 315 may be connected through a third gas supply line 515 . The gas distributor 450 may distribute gas at different flow rates to the diffusion chambers 311 , 313 , and 315 by supplying different flow rates of gas to each gas supply line 511 , 513 , and 515 .

각 가스 공급 라인에는 제어 밸브(530) 및 압력 게이지(550)가 구비된다. 제어 밸브(530)는 가스 분배기(450)로부터 확산 챔버(310)로의 가스 공급 유량을 조절하기 위한 밸브로, 제1 내지 3 가스 공급 라인(511, 513, 515)에 각각 제1 내지 3 제어 밸브(531, 533, 535)가 구비된다. 압력 게이지(550)는 제어 밸브(530)와 확산 챔버(310)를 연결하는 가스 공급 라인(510) 상에 구비되어 압력을 측정한다. 제1 제어 밸브(531)와 제1 확산 챔버(311) 사이에는 제1 압력 게이지(551)가 구비되고, 제2 제어 밸브(533)와 제2 확산 챔버(313) 사이에는 제2 압력 게이지(553)가 구비되며, 제3 제어 밸브(535)와 제3 확산 챔버(315) 사이에는 제3 압력 게이지(555)가 구비될 수 있다.Each gas supply line is provided with a control valve 530 and a pressure gauge 550 . The control valve 530 is a valve for regulating a gas supply flow rate from the gas distributor 450 to the diffusion chamber 310 , and the first to third control valves are respectively connected to the first to third gas supply lines 511 , 513 , and 515 . (531, 533, 535) is provided. The pressure gauge 550 is provided on the gas supply line 510 connecting the control valve 530 and the diffusion chamber 310 to measure the pressure. A first pressure gauge 551 is provided between the first control valve 531 and the first diffusion chamber 311 , and a second pressure gauge 551 is provided between the second control valve 533 and the second diffusion chamber 313 . 553 is provided, and a third pressure gauge 555 may be provided between the third control valve 535 and the third diffusion chamber 315 .

제어부(600)는 압력 게이지(550), 제어 밸브(530), 가스 공급 유닛(400)에 접속되어, 챔버(100)로의 가스 공급을 제어하는 구성이다. 제어부(600)는 압력 게이지(550)의 측정값을 전송 받아 이를 기초로 제어 밸브(530)를 통한 가스 공급 유량을 조절할 수 있다. 제어부(600)는 제1 내지 3 압력 게이지(551, 553, 555)에 각각 연결되어 각 압력 게이지로부터의 신호값을 개별적으로 전송 받을 수 있고, 제1 내지 3 제어 밸브(531, 533, 535)와 각각 연결되어 각 제어 밸브를 독립적으로 제어할 수 있다.The control unit 600 is connected to the pressure gauge 550 , the control valve 530 , and the gas supply unit 400 to control gas supply to the chamber 100 . The control unit 600 may receive the measurement value of the pressure gauge 550 and adjust the gas supply flow rate through the control valve 530 based on the received value. The control unit 600 is connected to the first to third pressure gauges 551 , 553 , and 555 , respectively, to individually receive signal values from each pressure gauge, and the first to third control valves 531 , 533 , and 535 . and each control valve can be controlled independently.

도 1 및 도 2에 예시된 기판 처리 장치(10)를 이용한 기판 처리 방법을 도 3을 참조하여 설명한다.A substrate processing method using the substrate processing apparatus 10 illustrated in FIGS. 1 and 2 will be described with reference to FIG. 3 .

챔버(100) 내부로 기판(W)이 장입되어 기판 지지 유닛(200)에 지지되고, 공급 밸브(430)를 조절하여 가스 분배기(450)에 처리 가스가 제공되는 상태에서, 제어 밸브(530)를 조절하여 가스 분배기(450)에서 확산 챔버(310)로 처리 가스를 공급한다(S110 단계). 제1 내지 제3 제어 밸브(531, 533, 535)는 제1 내지 제3 가스 공급 라인(511, 513, 515)으로 동일한 유량의 가스가 공급되도록 조절될 수도 있고, 기판 영역별로 균일한 처리가 이루어질 수 있도록 기 설정된 서로 다른 유량의 가스가 공급되도록 조절될 수도 있다.In a state in which the substrate W is loaded into the chamber 100 and supported by the substrate support unit 200 , and the process gas is supplied to the gas distributor 450 by controlling the supply valve 430 , the control valve 530 . to supply the processing gas from the gas distributor 450 to the diffusion chamber 310 (step S110). The first to third control valves 531 , 533 , and 535 may be adjusted so that the same flow rate of gas is supplied to the first to third gas supply lines 511 , 513 , and 515 , and uniform processing for each substrate area may be performed. It may be adjusted so that gas of different flow rates preset to be made is supplied.

각 가스 공급 라인(511, 513, 515)에 구비된 압력 게이지(550)는 측정된 압력값을 제어부로 전송한다(S120 단계). 이때 제어부(600)는 제1 내지 3 압력 게이지(551, 553, 555)에 각각 연결되어 각 압력 게이지로부터의 신호값을 개별적으로 전송 받음으로써, 영역별 압력 변화를 기판 처리 공정 중에 바로 인지할 수 있다.The pressure gauge 550 provided in each gas supply line 511 , 513 , and 515 transmits the measured pressure value to the controller (step S120 ). At this time, the control unit 600 is connected to the first to third pressure gauges 551 , 553 , and 555 , respectively, and receives signal values from each pressure gauge individually, so that the pressure change for each area can be recognized immediately during the substrate processing process. have.

제어부(600)는 압력 게이지(550)로부터 전송받은 압력값을 기초로 제어 밸브(530)를 조절한다(S130 단계). 구체적으로는 압력 게이지(550)에서 측정되는 압력값이 기 설정된 기준에 맞도록 제어 밸브(530)를 조절하는 것일 수 있다. 여기서 기 설정된 기준은 제1 내지 3 압력 게이지(551, 553, 555)마다 개별적으로 부여된 기준 압력값일 수 있고, 제1 내지 3 압력 게이지(551, 553, 555)에서의 측정 압력값이 동일한 값이 되는 기준일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 3 압력 게이지(551, 553, 555)에서의 측정 압력값이 동일한 값이 되는 기준이 기 설정된 경우, 기판 처리 공정 중에 제3 압력 게이지(555)로부터 전송된 압력값이 제1 및 제2 압력 게이지(551, 553)으로부터 전송된 압력값보다 작은 것으로 판단되면, 제3 가스 공급 라인(515)으로 더 많은 유량의 가스가 흐르도록 제3 제어 밸브(535)를 더 개방할 수 있다.The control unit 600 adjusts the control valve 530 based on the pressure value transmitted from the pressure gauge 550 (step S130 ). Specifically, the control valve 530 may be adjusted so that the pressure value measured by the pressure gauge 550 meets a preset standard. Here, the preset reference may be a reference pressure value individually given to each of the first to third pressure gauges 551 , 553 , and 555 , and the measured pressure values in the first to third pressure gauges 551 , 553 , and 555 are the same value. This may be a criterion. For example, when the reference for which the measured pressure values in the first to third pressure gauges 551 , 553 , and 555 are the same is preset, the pressure value transmitted from the third pressure gauge 555 during the substrate processing process is If it is determined that the pressure value transmitted from the first and second pressure gauges 551 and 553 is smaller than the pressure value transmitted from the first and second pressure gauges 551 and 553 , the third control valve 535 is further opened so that a larger amount of gas flows into the third gas supply line 515 . can do.

이상 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 가스 분배기(450)에서 가스 분사 유닛(300)의 분리된 각 영역(확산 챔버)으로 공급되는 처리 가스의 압력을 압력 게이지(550)로 기판 처리 공정 중에 측정하고 이를 바탕으로 가스 공급 유량을 제어할 수 있으므로, 기판 영역별 공정 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한 공정 균일도에 악영향을 줄 수 있는 상황이나 이벤트가 발생하는 경우 이를 압력 게이지의 측정값으로부터 기판 처리 공정 중에 인지할 수 있으므로, 이를 인시튜(in-situ)로 바로 잡을 수 있다.According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the embodiment of the present invention described above, the pressure of the processing gas supplied from the gas distributor 450 to each of the separated regions (diffusion chambers) of the gas injection unit 300 is applied to the pressure. Since the gauge 550 can measure during the substrate processing process and control the gas supply flow rate based on the measurement, there is an effect of improving the process uniformity for each substrate area. In addition, when a situation or event that may adversely affect process uniformity occurs, it can be recognized during the substrate processing process from the measurement value of the pressure gauge, so that it can be corrected in-situ.

도 1 내지 도 3에서는 가스 분사 유닛(300)에 중앙 영역으로부터 반경 방향으로 3개의 확산 챔버가 구비되는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉 가스 분사 유닛(300)에 구비된 분리된 영역의 수나 배치는 다양하게 변경될 수 있다.Although it has been described that three diffusion chambers are provided in the gas injection unit 300 in the radial direction from the central region in FIGS. 1 to 3 , the present invention is not limited thereto. That is, the number or arrangement of the separated regions provided in the gas injection unit 300 may be variously changed.

도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 변형예이다.FIG. 4 is a modified example of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .

도 4의 기판 처리 장치(20)는 가스 분배기(450)에서 연장된 하나의 메인 가스 공급 라인(505)이 제1 내지 제3 가스 공급 라인(511, 513, 515)으로 분기되는 구조하는 점에서, 가스 분배기(450)에 제1 내지 제3 가스 공급 라인(511, 513, 515)이 바로 연결되는 도 1의 기판 처리 장치(10)와 차이가 있다. 이러한 구조는 메인 가스 공급 라인(505)으로 흐르는 전체 가스 유량은 일정하게 유지되는 상태에서 제1 내지 제3 가스 공급 라인(511, 513, 515)에 흐르는 가스 유량을 상대 조절하는데 유용할 수 있다.The substrate processing apparatus 20 of FIG. 4 has a structure in which one main gas supply line 505 extending from the gas distributor 450 is branched into first to third gas supply lines 511 , 513 , and 515 . , is different from the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1 in which the first to third gas supply lines 511 , 513 , and 515 are directly connected to the gas distributor 450 . This structure may be useful for relatively adjusting the gas flow rates flowing through the first to third gas supply lines 511 , 513 , and 515 while the total gas flow rate flowing into the main gas supply line 505 is maintained constant.

한편 진공 배기구의 위치가 일측에 치우쳐 있거나 챔버 내 부품 배치가 대칭적이지 않은 경우 등 비대칭적인 챔버 구조에서는 가스 분사 유닛(300)을 통해 기판 반경 방향으로 대칭적인 가스 공급이 이루어지더라도 기판 영역별로 불균일한 처리가 이루어질 수 있다. 예를 들어 배기구(110)가 기판의 좌측에 형성되어 있는 경우, 기판 좌측 방향에 치우친 가스 흐름이 발생하고 이는 기판 영역별 공정 균일도에 영향을 미칠 수 있다. On the other hand, in an asymmetric chamber structure such as a case in which the position of the vacuum exhaust port is biased to one side or the arrangement of components in the chamber is not symmetrical, even if the gas is supplied symmetrically in the radial direction of the substrate through the gas injection unit 300, there is non-uniformity for each substrate area One treatment can be made. For example, when the exhaust port 110 is formed on the left side of the substrate, a gas flow biased toward the left side of the substrate may occur, which may affect process uniformity for each substrate area.

도 5 내지 도 7은 이러한 비대칭적인 챔버 구조에서의 공정 균일도 문제를 좀더 효과적으로 해결하기 위한 실시예로, 도 5는 기판 처리 장치를 나타내는 도면, 도 6은 가스 분사 유닛의 단면도, 도 7은 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.5 to 7 are embodiments for more effectively solving the process uniformity problem in the asymmetric chamber structure. FIG. 5 is a view showing a substrate processing apparatus, FIG. 6 is a cross-sectional view of a gas injection unit, and FIG. 7 is a substrate processing A flowchart showing the method.

도 5 및 도 6를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(30)는, 가스 분배기(450)로부터 연장되는 복수 개의 가스 공급 라인(510)이 각각 복수 개의 분기 라인(520)으로 분기된다. 즉, 가스 분배기(450)에는 제1 내지 3 가스 공급 라인(511, 513, 515)이 연결되고, 제1 내지 3 가스 공급 라인(511, 513, 515)은 각각 4개의 분기 라인(520)으로 분기될 수 있다. 가스 분배기(450)는 각 가스 공급 라인(511, 513, 515)마다 서로 다른 유량의 가스를 공급함으로써 각 확산 챔버(311, 313, 315)에 다른 유량으로 가스를 분배할 수 있다.5 and 6 , in the substrate processing apparatus 30 according to another embodiment of the present invention, a plurality of gas supply lines 510 extending from the gas distributor 450 are respectively a plurality of branch lines 520 . is branched into That is, first to third gas supply lines 511 , 513 , and 515 are connected to the gas distributor 450 , and the first to third gas supply lines 511 , 513 , and 515 are respectively connected to four branch lines 520 . can be branched. The gas distributor 450 may distribute gas at different flow rates to the diffusion chambers 311 , 313 , and 315 by supplying different flow rates of gas to each gas supply line 511 , 513 , and 515 .

각각의 분기 라인(520)들은 가스 분사 유닛(300)의 서로 분리된 영역들(확산 챔버)로 연결되어 처리 가스를 공급한다. 도 5 및 도 6에 예시한 것처럼 가스 분사 유닛(300)의 제1 내지 3 확산 챔버(311, 313, 315)는 각각 4개의 서브 영역들로 분리될 수 있고, 각 서브 영역들은 격벽(330)으로 격리될 수 있다. 도시한 예에서는 제1 확산 챔버(311)가 4개의 서브 영역들(C1~C4)로, 제2 확산 챔버(313)가 4개의 서브 영역들(M1~M4)로, 제3 확산 챔버(315)가 4개의 서브 영역들(E1~E4)로 분리되어, 가스 분사 유닛(300)에 총 12개의 서브 영역들이 구비된다. 제1 내지 제3 확산 챔버(311, 313, 315)는 각각 기판의 센터, 미들, 에지 영역에 대응되도록 기판 반경 방향으로 분리된 영역일 수 있고, 각 서브 영역들(C1~C4, M1~M4, E1~E4)은 제1 내지 제3 확산 챔버(311, 313, 315)가 기판 외주 방향으로 분리된 서브 영역들일 수 있다.Each of the branch lines 520 is connected to regions (diffusion chambers) separated from each other of the gas injection unit 300 to supply a processing gas. As illustrated in FIGS. 5 and 6 , the first to third diffusion chambers 311 , 313 , and 315 of the gas injection unit 300 may be divided into four sub-regions, respectively, and each sub-region includes a partition wall 330 . can be isolated from In the illustrated example, the first diffusion chamber 311 has four sub-regions C1 to C4, the second diffusion chamber 313 has four sub-regions M1 to M4, and the third diffusion chamber 315 ) is divided into four sub-regions E1 to E4 , and a total of 12 sub-regions are provided in the gas injection unit 300 . The first to third diffusion chambers 311 , 313 , and 315 may be regions separated in the radial direction of the substrate to correspond to the center, middle, and edge regions of the substrate, respectively, and each of the sub-regions C1 to C4 and M1 to M4 , E1 to E4 may be sub-regions in which the first to third diffusion chambers 311 , 313 , and 315 are separated in the outer circumferential direction of the substrate.

각 분기 라인(520)에는 제어 밸브(530) 및 압력 게이지(550)가 구비되고, 각 제어 밸브(530) 및 압력 게이지(550)는 제어부(600)에 연결된다. 도시한 예에서는 총 12개의 분기 라인(520) 상에 12개씩의 제어 밸브(520) 및 압력 게이지(550)가 구비된다. 제어부(600)는 12개의 압력 게이지(550) 각각에 연결되어 각 압력 게이지로부터의 신호값을 개별적으로 전송 받을 수 있고, 12개의 제어 밸브(530)에 각각 연결되어 각 제어 밸브를 독립적으로 제어할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 제어부는 압력 게이지(550)의 측정 결과를 피드백하여 제어 밸브(530)를 조절할 수 있다. Each branch line 520 is provided with a control valve 530 and a pressure gauge 550 , and each control valve 530 and the pressure gauge 550 are connected to the control unit 600 . In the illustrated example, 12 control valves 520 and pressure gauges 550 are provided on a total of 12 branch lines 520 . The control unit 600 is connected to each of the 12 pressure gauges 550 to individually receive a signal value from each pressure gauge, and is connected to each of the 12 control valves 530 to independently control each control valve. can With this configuration, the control unit may control the control valve 530 by feeding back the measurement result of the pressure gauge 550 .

도 5 및 도 6에 예시된 기판 처리 장치(30)를 이용한 기판 처리 방법을 도 7을 참조하여 설명한다.A substrate processing method using the substrate processing apparatus 30 illustrated in FIGS. 5 and 6 will be described with reference to FIG. 7 .

챔버(100) 내부로 기판(W)이 장입되어 기판 지지 유닛(200)에 지지되고, 공급 밸브(430)를 조절하여 가스 분배기(450)에 처리 가스가 제공되는 상태에서, 가스 분배기(450)에서 복수의 가스 공급 라인(511, 513, 515)으로 각각 기 설정된 유량의 가스를 공급한다(S210 단계). 여기서 제1 내지 제3 가스 공급 라인(511, 513, 515)으로 동일한 유량의 가스가 공급될 수도 있고, 기판 영역별로 균일한 처리가 이루어질 수 있도록 서로 다른 유량의 가스가 공급되도록 설정될 수도 있다.In a state in which the substrate W is loaded into the chamber 100 and supported by the substrate support unit 200 , and a process gas is supplied to the gas distributor 450 by controlling the supply valve 430 , the gas distributor 450 . In step S210 , the gas at a preset flow rate is supplied to the plurality of gas supply lines 511 , 513 , and 515 , respectively. Here, the same flow rate of gas may be supplied to the first to third gas supply lines 511 , 513 , and 515 , or different flow rates of gas may be set to be supplied to uniformly process each substrate area.

각 분기 라인(520)에 구비된 압력 게이지(550)는 측정된 압력값을 제어부로 전송한다(S220 단계). 이때 제어부(600)는 각 분기 라인(520)에 구비된 각 압력 게이지(550)에 각각 연결되어 각 압력 게이지로부터의 신호값을 개별적으로 전송 받음으로써, 서브 영역별 압력 변화를 기판 처리 공정 중에 바로 인지할 수 있다.The pressure gauge 550 provided in each branch line 520 transmits the measured pressure value to the control unit (step S220). At this time, the control unit 600 is connected to each pressure gauge 550 provided in each branch line 520 and individually receives a signal value from each pressure gauge, so that the pressure change for each sub-region is immediately recorded during the substrate processing process. can recognize

제어부(600)는 압력 게이지(550)로부터 전송받은 압력값을 기초로 제어 밸브를 조절한다(S230 단계). 구체적으로는 하나의 가스 공급 라인(510)에서 분기된 분기 라인(520)들의 압력 게이지(550)에서 측정된 압력값을 기초로, 해당 분기 라인(520)들에 구비된 제어 밸브(530)들을 비례 제어(Proportional control)할 수 있다. 이때 해당 가스 공급 라인(510)에 흐르는 총 가스 유량은 일정하게 유지될 수 있다.The control unit 600 adjusts the control valve based on the pressure value received from the pressure gauge 550 (step S230). Specifically, based on the pressure value measured by the pressure gauge 550 of the branch lines 520 branched from one gas supply line 510 , the control valves 530 provided in the branch lines 520 are controlled. Proportional control is possible. In this case, the total gas flow rate flowing through the corresponding gas supply line 510 may be maintained constant.

예를 들어, 도 5에서 제1 가스 공급 라인(511)에서 분기되어 4개의 서브 영역들(C1~C4)로 가스를 공급하는 분기 라인들에서 측정된 압력값이, C1, C2, C4에 연결되는 분기 라인들에서 측정된 압력값은 동일한 반면 C3에 연결되는 분기 라인에서 측정된 압력값이 작은 경우, 제1 가스 공급 라인(511)에 흐르는 전체 유량은 고정한 상태에서 C1, C2, C4에 연결되는 제어 밸브들은 유량이 조금 감소하도록 조절하고, C3에 연결되는 제어 밸브는 다른 분기 라인들에서 감소된 만큼 유량이 증가하도록 조절할 수 있다. 피에조(Piezo) 구동 방식의 제어 밸브를 사용하면 압력 측정값에 기초하여 각 제어 밸브에 인가되는 전기적 신호를 비례 제어함으로써 유량을 조절할 수 있다.For example, in FIG. 5 , pressure values measured from branch lines branching from the first gas supply line 511 and supplying gas to the four sub-regions C1 to C4 are connected to C1 , C2 , and C4 . When the pressure values measured in the branch lines are the same while the pressure values measured in the branch line connected to C3 are small, the total flow rate flowing through the first gas supply line 511 is fixed and connected to C1, C2, and C4 The control valves used to adjust the flow rate to decrease slightly, and the control valve connected to C3 can adjust the flow rate to increase as much as the decrease in the other branch lines. When a piezo-driven control valve is used, the flow rate can be adjusted by proportionally controlling an electrical signal applied to each control valve based on a pressure measurement value.

이와 같은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 비대칭적인 챔버 구조에서도 우수한 공정 균일도를 유지할 수 있다. 예를 들어 도 6에서 좌측 하단의 약 7시 방향에 배기구(110)가 형성된 챔버 구조에서는, 다른 서브 영역들에 비해 배기구(110) 방향의 서브 영역들(C3, M3, E3)의 압력값이 변동되기 쉽다. 특히 배기구(110)에 배기 컨덕턴스(Conductance)를 조절하기 위한 자동 압력 제어(APC: Adaptive Pressure Control) 밸브가 설치되어 오픈/클로즈 동작이 반복적으로 이루어지는 경우, 해당 위치의 서브 영역들(C3, M3, E3)의 압력값이 지속적으로 변동되고 이는 기판 상의 공정 불균일의 원인이 될 수 있다. 그리고 이러한 불균일은 기판 반경 방향이 아닌 기판 외주 방향의 불균일이므로, 센터, 미들, 에지와 같이 기판 반경 방향의 처리 가스 유량을 조절하는 것으로는 해결이 용이하지 않을 수 있다.According to such a substrate processing apparatus and a substrate processing method, excellent process uniformity can be maintained even in an asymmetric chamber structure. For example, in the chamber structure in which the exhaust port 110 is formed at about 7 o'clock on the lower left side in FIG. 6 , the pressure values of the sub-regions C3 , M3 , and E3 in the exhaust port 110 direction are higher than those of other sub-regions. subject to change In particular, when an adaptive pressure control (APC) valve for controlling exhaust conductance is installed in the exhaust port 110 and the open/close operation is repeatedly performed, the sub-regions C3, M3, The pressure value of E3) continuously fluctuates, which may cause process non-uniformity on the substrate. In addition, since this non-uniformity is non-uniformity in the outer peripheral direction of the substrate, not in the radial direction of the substrate, it may not be easy to solve by adjusting the process gas flow rate in the radial direction of the substrate such as the center, middle, and edge.

반면 도 5 내지 도 7의 실시예의 경우, 가스 분사 유닛(300)을 기판 외주 방향으로도 복수의 서브 영역들로 분리하여, 각 서브 영역들로 공급되는 처리 가스 유량을 압력 측정 결과에 기초하여 조절할 수 있도록 함으로써, 이러한 비대칭적인 챔버 구조에서의 공정 불균일 문제를 해결하기가 상대적으로 용이하다.On the other hand, in the embodiment of FIGS. 5 to 7 , the gas injection unit 300 is divided into a plurality of sub-regions also in the outer circumferential direction of the substrate, and the flow rate of the processing gas supplied to each sub-region is adjusted based on the pressure measurement result. By doing so, it is relatively easy to solve the problem of process non-uniformity in the asymmetric chamber structure.

또한 본 실시예에서는 제1 내지 제3 가스 공급 라인(511, 513, 515)에 공급되는 가스 유량은 일정하게 유지된 상태에서 분기된 서브 영역들 사이에서 유량 비율이 조절되므로, 제1 내지 제3 확산 챔버(311, 313, 315)로 공급되는 가스의 총 유량은 변동되지 않는다. 기판의 반경 방향으로의 공정 균일도를 위해 제1 내지 제3 가스 공급 라인(511, 513, 515)에 공급되는 가스 유량을 고정값으로 유지하는 것이 유리한 경우가 있는데, 본 실시예에 의하면 이처럼 기판 반경 방향으로의 공정 균일도를 유지하면서 기판 외주 방향의 공정 균일도가 훼손되는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the present embodiment, since the flow rate ratio between the branched sub-regions is adjusted while the gas flow rates supplied to the first to third gas supply lines 511 , 513 , and 515 are kept constant, the first to third The total flow rate of the gas supplied to the diffusion chambers 311 , 313 , 315 does not fluctuate. In some cases, it is advantageous to maintain the gas flow rate supplied to the first to third gas supply lines 511 , 513 , and 515 at a fixed value for process uniformity in the radial direction of the substrate. While maintaining process uniformity in the direction, it is possible to prevent deterioration of process uniformity in the outer peripheral direction of the substrate.

한편 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10, 20, 30)에 의하면, 가스 공급 라인 또는 분기 라인 상에 구비된 압력 게이지의 측정값을 모니터링함으로써, 가스 분사 유닛(300), 가스 공급 유닛(400) 등을 구성하는 각종 하드웨어의 조립 상태 불량, 파트 파손 등의 이상 발생을 신속하게 감지하여 처리할 수 있다. 이는 가스 분사 유닛(300) 등 하드웨어 상의 이상이 발생하는 경우 압력 게이지(550)의 측정 값도 정상 범위에서 벗어난다는 점에 착안한 것이다. 이하 도면을 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 이용한 하드웨어 이상 감지 및 처리를 위한 제어 방법을 설명한다.Meanwhile, according to the substrate processing apparatuses 10 , 20 , and 30 according to the present invention, by monitoring a measurement value of a pressure gauge provided on a gas supply line or a branch line, the gas injection unit 300 and the gas supply unit 400 . It is possible to quickly detect and deal with abnormalities such as defective assembly of various hardware components and damaged parts. This is based on the fact that the measured value of the pressure gauge 550 also deviates from the normal range when an abnormality occurs in hardware such as the gas injection unit 300 . Hereinafter, a control method for detecting and processing hardware abnormalities using the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.

먼저 도 8을 참조하면, 처리 가스를 가스 분사 유닛(300)에 공급하면서 기판 처리 공정이 시작되면 제어부(600)는 압력 게이지(550)로부터 압력 측정값을 수신한다(S310 단계). 이어서 제어부(600)는 내부에 구비된 판단 알고리즘을 이용하여 수신한 압력 측정값이 정상 범위인지를 판단한다(S320 단계). 여기서, 각 압력 게이지(550)로부터 수신된 압력값이 기 설정된 상한 또는 하한 임계값을 벗어나는 경우 정상 범위가 아닌 것으로 판단할 수 있고, 또는 복수의 압력 게이지(550)들로부터 수신된 압력값들 간의 차이가 기 설정된 범위 이상인 경우 정상 범위가 아닌 것으로 판단할 수 있다.Referring to FIG. 8 , when a substrate processing process starts while supplying a processing gas to the gas injection unit 300 , the controller 600 receives a pressure measurement value from the pressure gauge 550 ( S310 ). Next, the control unit 600 determines whether the received pressure measurement value is within a normal range using a determination algorithm provided therein (step S320). Here, when the pressure value received from each pressure gauge 550 is out of a preset upper limit or lower limit threshold, it may be determined that it is not in a normal range, or between the pressure values received from the plurality of pressure gauges 550 . When the difference is greater than or equal to a preset range, it may be determined that the difference is not within the normal range.

S320 단계의 판단 결과 정상 범위인것으로 판단되면 제어부(600)는 압력 측정값을 기초로 제어 밸브(530)에 제어 신호를 전송하여 가스 분사 유닛(300)에 공급되는 가스 유량을 조절한다. 반대로 S320 단계의 판단 결과 정상 범위가 아닌 것으로 판단되면 제어부(600)는 하드웨어 이상으로 판단할 수 있다(S340 단계). 도면에는 표시하지 않았으나, 하드웨어 이상으로 판단되는 경우 알람(Alarm)을 발생시켜 작업자에게 인지시키거나 후속 기판 처리 공정을 중단시키는 등 적절한 후속 처리를 수행할 수 있다.If it is determined in step S320 that the normal range is determined, the control unit 600 transmits a control signal to the control valve 530 based on the pressure measurement value to adjust the gas flow rate supplied to the gas injection unit 300 . Conversely, if it is determined that the range is not within the normal range as a result of the determination of step S320, the controller 600 may determine that the hardware is abnormal (step S340). Although not shown in the drawings, if it is determined that there is a hardware error, an appropriate subsequent processing such as generating an alarm to notify the operator or stopping a subsequent substrate processing process may be performed.

하드웨어의 이상 정도가 공정 균일도에는 영향을 미치는 정도지만 정상 범위 내에는 속하는 경우가 있을 수 있다. 도 9는 이러한 경우를 대비한 제어 방법의 예이다.Although the degree of hardware anomaly affects the process uniformity, there may be cases where it falls within the normal range. 9 is an example of a control method for such a case.

도 9를 참조하면, 처리 가스를 가스 분사 유닛(300)에 공급하면서 기판 처리 공정이 시작되면 제어부(600)는 압력 게이지(550)로부터 압력 측정값을 수신하고(S410 단계), 압력 측정값을 기초로 제어 밸브(530)에 제어 신호를 전송한다(S420 단계). 다음으로, 제어부(600)는 압력 게이지로부터 압력 측정값을 재수신하고(S430 단계), S410 단계에서 수신하였던 압력 측정값과 비교하여 개선 정도가 정상 범위인지를 판단한다(S440 단계). 여기서, 특정 제어밸브(530)로 유량을 증가 또는 감소시키도록 제어 신호를 전송했음에도 재수신한 압력 측정값이 변화가 없거나 그 변화량이 기 설정된 기준에 미치지 못하는 경우 개선 정도가 정상 범위가 아닌 것으로 판단할 수 있다. 또는 복수의 압력 게이지(550)들 사이의 압력 측정값 차이를 감소시키기 위해 제어 신호를 전송했음에도, 재수신한 압력 측정값에 의해 판단한 결과 그 차이가 그대로 유지되거나 그 차이 감소량이 기 설정된 기준에 미치지 못하는 경우 개선 정도가 정상 범위가 아닌 것으로 판단할 수 있다.Referring to FIG. 9 , when a substrate processing process is started while supplying a processing gas to the gas injection unit 300 , the controller 600 receives a pressure measurement value from the pressure gauge 550 (step S410 ), and outputs the pressure measurement value. Based on the control signal is transmitted to the control valve 530 (step S420). Next, the control unit 600 re-receives the pressure measurement value from the pressure gauge (step S430), and compares it with the pressure measurement value received in step S410 to determine whether the improvement level is within a normal range (step S440). Here, even if the control signal to increase or decrease the flow rate is transmitted to the specific control valve 530, if the re-received pressure measurement value does not change or the change does not meet the preset standard, it is determined that the improvement level is not within the normal range. can Alternatively, even though the control signal is transmitted to reduce the difference in the pressure measurement values between the plurality of pressure gauges 550, as a result of the determination based on the re-received pressure measurement value, the difference is maintained or the amount of decrease of the difference does not reach the preset standard In this case, it can be determined that the degree of improvement is not within the normal range.

S440 단계의 판단 결과 정상 범위인것으로 판단되면 제어부(600)는 압력 측정값을 기초로 제어 밸브(530)에 제어 신호를 전송하여 가스 분사 유닛(300)에 공급되는 가스 유량을 조절하는 S420 단계를 반복할 수 있다. 반대로 S440 단계의 판단 결과 정상 범위가 아닌 것으로 판단되면 제어부(600)는 하드웨어 이상으로 판단할 수 있다(S450 단계). 도면에는 표시하지 않았으나, 하드웨어 이상으로 판단되는 경우 알람(Alarm)을 발생시켜 작업자에게 인지시키거나 후속 기판 처리 공정을 중단시키는 등 적절한 후속 처리를 수행할 수 있다.If it is determined that it is within the normal range as a result of the determination of step S440, the control unit 600 transmits a control signal to the control valve 530 based on the pressure measurement value to adjust the gas flow rate supplied to the gas injection unit 300 in step S420. Can be repeated. Conversely, if it is determined that the range is not in the normal range as a result of the determination in step S440, the controller 600 may determine that the hardware is abnormal (step S450). Although not shown in the drawings, if it is determined that there is a hardware error, an appropriate subsequent processing such as generating an alarm to notify the operator or stopping a subsequent substrate processing process may be performed.

이상 한정된 실시예 및 도면을 참조하여 설명하였으나, 이는 실시예일뿐이며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 변형 실시가 가능하다는 점은 통상의 기술자에게 자명할 것이다. 각 실시예들은 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 특허청구범위의 기재 및 그 균등 범위에 의해 정해져야 한다.Although described above with reference to the limited embodiments and drawings, these are only embodiments, and it will be apparent to those skilled in the art that various modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention. All or part of each embodiment may be selectively combined and implemented. Therefore, the protection scope of the present invention should be defined by the description of the claims and their equivalents.

10, 20, 30: 기판 처리 장치 100: 챔버
110: 배기구 111: 배기 라인
200: 지지 유닛 300: 가스 분사 유닛
310: 확산 챔버 330: 격벽
350: 분사홀 400: 가스 공급 유닛
410: 가스 공급원 430: 공급 밸브
450: 가스 분배기 505: 메인 가스 공급 라인
510: 가스 공급 라인 520: 분기 라인
530: 제어 밸브 550: 압력 게이지
600: 제어부10, 20, 30: substrate processing apparatus 100: chamber
110: exhaust port 111: exhaust line
200: support unit 300: gas injection unit
310: diffusion chamber 330: partition wall
350: injection hole 400: gas supply unit
410: gas supply 430: supply valve
450 gas distributor 505 main gas supply line
510: gas supply line 520: branch line
530: control valve 550: pressure gauge
600: control unit

Claims (14)

챔버 내부에서 기판 처리 공정이 수행되는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 챔버 내부에 위치하여 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 지지 유닛과 대향되게 제공되며 가스를 분사하는 복수의 분사홀들이 형성된 가스 분사 유닛;
상기 가스 분사 유닛으로 가스 공급 라인을 통해 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
제어부;
를 포함하되,
상기 가스 분사 유닛은 서로 분리된 복수의 영역들을 포함하고-상기 복수의 분사홀들은 상기 복수의 영역들 중 어느 하나의 영역에 연통됨,
상기 복수의 영역들은 상기 가스 공급 유닛과 서로 다른 가스 공급 라인을 통해 연결되고,
상기 가스 공급 라인에는 가스 공급 유량을 제어하는 제어 밸브가 구비되고,
상기 제어 밸브와 상기 가스 분사 유닛 사이에는 압력 게이지가 구비되고,
상기 제어부는,
상기 지지 유닛에 지지된 기판을 처리하는 공정 중에 상기 압력 게이지에서 측정되는 측정값을 전송받은 후 상기 전송받은 측정값을 기초로 상기 제어 밸브를 인시튜(in-situ)로 조절하여 상기 복수의 영역으로 공급되는 처리 가스 유량을 제어하고,
상기 압력 게이지로부터 압력 측정값을 재수신하여 개선 정도가 정상 범위가 아닌 것으로 판단되는 경우, 하드웨어 이상으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus in which a substrate processing process is performed inside a chamber, the substrate processing apparatus comprising:
a support unit positioned inside the chamber to support a substrate;
a gas injection unit provided to face the support unit and having a plurality of injection holes for injecting gas;
a gas supply unit supplying gas to the gas injection unit through a gas supply line; and
control unit;
including,
the gas injection unit includes a plurality of regions separated from each other, and the plurality of injection holes communicate with any one of the plurality of regions;
The plurality of regions are connected to the gas supply unit through different gas supply lines,
The gas supply line is provided with a control valve for controlling the gas supply flow rate,
A pressure gauge is provided between the control valve and the gas injection unit,
The control unit is
After receiving the measurement value measured by the pressure gauge during the process of processing the substrate supported by the support unit, the control valve is adjusted in-situ based on the received measurement value to control the plurality of regions control the flow rate of the process gas supplied to the
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein when it is determined that the degree of improvement is not within a normal range by re-receiving the pressure measurement value from the pressure gauge, it is determined as a hardware abnormality. 제1항에 있어서,
상기 복수의 영역들은 각각 복수의 서브 영역들로 분리되고,
상기 가스 공급 라인은 복수의 분기 라인으로 분기되며,
상기 분기 라인들은 각각 상기 서브 영역들 중 어느 하나에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
Each of the plurality of regions is divided into a plurality of sub-regions,
The gas supply line is branched into a plurality of branch lines,
Each of the branch lines is connected to any one of the sub-regions. 제2항에 있어서,
상기 복수의 영역들은 기판 반경 방향으로 분리된 영역들이고,
상기 복수의 서브 영역들은 상기 복수의 영역들이 기판 외주 방향으로 분리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The plurality of regions are regions separated in a radial direction of the substrate,
The plurality of sub-regions is a substrate processing apparatus, wherein the plurality of sub-regions are separated in an outer circumferential direction of the substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 가스 분사 유닛에 공급되는 전체 가스 유량이 일정하게 유지되도록 상기 제어 밸브를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The control unit may control the control valve to maintain a constant flow rate of a total gas supplied to the gas injection unit. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 압력 게이지의 측정값을 기초로 상기 제어 밸브를 비례 제어(Proportional control)하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
wherein the control unit proportionally controls the control valve based on the measured value of the pressure gauge. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 챔버 내부는 비대칭적인 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing apparatus, characterized in that the chamber has an asymmetric structure. 삭제delete 가스를 분사하는 복수의 분사홀들이 형성되고 서로 분리된 복수의 영역들을 포함하는 가스 분사 유닛, 상기 가스 분사 유닛으로 가스 공급 라인을 통해 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고-상기 복수의 영역들은 상기 가스 공급 유닛과 서로 다른 가스 공급 라인을 통해 연결됨, 상기 가스 공급 라인에 가스 공급 유량을 제어하는 제어 밸브 및 압력 게이지가 구비되는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서,
(a) 상기 제어 밸브를 조절하여 상기 복수의 영역들로 처리 가스를 공급하는 단계;
(b) 지지 유닛에 지지된 기판을 처리하는 공정 중에 상기 압력 게이지에서 측정되는 측정값을 전송받은 후 상기 전송받은 측정값을 기초로 상기 제어 밸브를 인시튜(in-situ)로 조절하여 상기 복수의 영역으로 공급되는 처리 가스 유량을 제어하는 단계;
를 포함하고,
상기 (b) 단계 이후에,
상기 압력 게이지로부터 압력 측정값을 재수신하여 개선 정도가 정상 범위가 아닌 것으로 판단되는 경우, 하드웨어 이상으로 판단하는 단계;
를 포함하는 기판 처리 방법.A gas injection unit including a plurality of injection holes for injecting gas and including a plurality of regions separated from each other, a gas supply unit supplying gas to the gas injection unit through a gas supply line, wherein the plurality of regions are A substrate processing method using a substrate processing apparatus connected to the gas supply unit through a different gas supply line, the control valve controlling a gas supply flow rate to the gas supply line, and a pressure gauge, the substrate processing apparatus comprising:
(a) supplying a process gas to the plurality of regions by adjusting the control valve;
(b) receiving the measurement value measured by the pressure gauge during the process of processing the substrate supported by the support unit, and then adjusting the control valve in-situ based on the received measurement value to adjust the plurality of controlling a flow rate of process gas supplied to a region of
including,
After step (b),
determining that the degree of improvement is not within the normal range by re-receiving the pressure measurement value from the pressure gauge;
A substrate processing method comprising a. 제8항에 있어서,
상기 복수의 영역들은 각각 복수의 서브 영역들로 분리되고,
상기 가스 공급 라인은 복수의 분기 라인으로 분기되고,
상기 분기 라인들은 각각 상기 서브 영역들 중 어느 하나에 연결되며,
상기 (b) 단계는 각 가스 공급 라인을 흐르는 가스 유량은 고정한 상태에서 상기 압력 게이지에서 측정된 압력을 기초로 상기 분기 라인에 구비된 상기 제어 밸브를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
Each of the plurality of regions is divided into a plurality of sub-regions,
The gas supply line is branched into a plurality of branch lines,
Each of the branch lines is connected to any one of the sub-regions,
In the step (b), the control valve provided in the branch line is controlled based on the pressure measured by the pressure gauge while the gas flow rate flowing through each gas supply line is fixed. 제9항에 있어서,
상기 (b) 단계는
상기 압력 게이지의 측정값을 기초로 상기 제어 밸브를 비례 제어(Proportional control)하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Step (b) is
The substrate processing method of claim 1, wherein proportional control of the control valve is performed based on the measured value of the pressure gauge. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제8항에 있어서,
상기 재수신한 압력 측정값의 변화량이 기 설정된 기준에 미치지 못하거나, 복수의 압력 게이지들 사이의 압력 측정값 차이 감소량이 기 설정된 기준에 미치지 못하는 경우, 정상 범위가 아닌 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
9. The method of claim 8,
When the amount of change in the re-received pressure measurement value does not meet a preset standard or the decrease amount of the difference in pressure measurement value between the plurality of pressure gauges does not meet the preset standard, it is determined that it is not within the normal range processing method.
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CN116793573B (en) * 2023-08-21 2023-11-28 苏州中电科启计量检测技术有限公司 Pressure gauge detection platform for multipath synchronous verification

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100725613B1 (en) * 2005-10-27 2007-06-08 주식회사 래디언테크 Baffle and plasma etching device having same
JP4911984B2 (en) * 2006-02-08 2012-04-04 東京エレクトロン株式会社 Gas supply apparatus, substrate processing apparatus, gas supply method, and shower head
KR101398625B1 (en) * 2012-04-30 2014-06-27 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus
KR20160050821A (en) * 2014-10-31 2016-05-11 세메스 주식회사 Test method and apparatus for treating substrate
KR101736841B1 (en) * 2015-08-31 2017-05-18 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

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