KR102329943B1 - Negative photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same - Google Patents

Negative photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same Download PDF

Info

Publication number
KR102329943B1
KR102329943B1 KR1020160031281A KR20160031281A KR102329943B1 KR 102329943 B1 KR102329943 B1 KR 102329943B1 KR 1020160031281 A KR1020160031281 A KR 1020160031281A KR 20160031281 A KR20160031281 A KR 20160031281A KR 102329943 B1 KR102329943 B1 KR 102329943B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
resin composition
photosensitive resin
pattern
negative photosensitive
Prior art date
Application number
KR1020160031281A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170107675A (en
Inventor
전지민
안보은
조용환
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020160031281A priority Critical patent/KR102329943B1/en
Priority to JP2016225178A priority patent/JP6506732B2/en
Priority to TW105138524A priority patent/TWI614579B/en
Priority to CN201611165871.4A priority patent/CN107203096B/en
Publication of KR20170107675A publication Critical patent/KR20170107675A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102329943B1 publication Critical patent/KR102329943B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • H01L27/32

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 네가티브 감광형 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막에 관한 것이다. 본 발명에 따른 네가티브 감광형 수지 조성물을 사용하여 제조된 패턴은 내화학성 및 연필 경도가 우수하여 내구성이 우수하며, 투과율도 우수하므로 광경화 패턴 제조 및 이로부터 제조된 광경화 패턴을 포함하는 화상 표시 장치에 유용하게 사용될 수 있다.The present invention relates to a negative photosensitive resin composition and an insulating film prepared therefrom. The pattern manufactured using the negative photosensitive resin composition according to the present invention has excellent chemical resistance and pencil hardness, so it has excellent durability, and excellent transmittance. The device can be usefully used.

Description

네가티브 감광형 수지 조성물 및 이로부터 제조된 광경화 패턴{NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PHOTO-CURED PATTERN PREPARED FROM THE SAME}Negative photosensitive resin composition and photocurable pattern prepared therefrom

본 발명은 네가티브 감광형 수지 조성물 및 이로부터 제조된 광경화 패턴에 관한 것이다.The present invention relates to a negative photosensitive resin composition and a photocurable pattern prepared therefrom.

디스플레이 분야에 있어서, 감광형 수지 조성물은 포토레지스트, 절연막, 보호막, 블랙 매트릭스, 컬럼 스페이서 등의 다양한 광경화 패턴을 형성하기 위해 사용된다. 구체적으로, 감광형 수지 조성물을 포토리소그래피 공정에 의해 선택적으로 노광 및 현상하여 원하는 광경화 패턴을 형성하는데, 이 과정에서 공정상의 수율을 향상시키고, 적용 대상의 물성을 향상시키기 위해, 고감도를 가지는 감광형 수지 조성물이 요구되고 있다.In the display field, a photosensitive resin composition is used to form various photocurable patterns such as a photoresist, an insulating film, a protective film, a black matrix, and a column spacer. Specifically, the photosensitive resin composition is selectively exposed and developed by a photolithography process to form a desired photocurable pattern. In this process, in order to improve the yield in the process and improve the physical properties of the target, photosensitive with high sensitivity A type resin composition is calculated|required.

감광형 수지 조성물의 패턴 형성은 포토리소그래피, 즉 광반응에 의해 일어나는 고분자의 극성변화 및 가교반응에 의한다. 특히, 노광 후 알칼리 수용액 등의 용제에 대한 용해성의 변화 특성을 이용한다. The pattern formation of the photosensitive resin composition is caused by photolithography, that is, a change in the polarity of a polymer and a crosslinking reaction caused by a photoreaction. In particular, the characteristic of changing solubility in a solvent such as an aqueous alkali solution after exposure is used.

감광형 수지 조성물에 의한 패턴 형성은 감광된 부분의 현상에 대한 용해도에 따라 포지티브형과 네가티브형으로 분류된다. 포지티브형 포토레지스트는 노광된 부분이 현상액에 의해 용해되며, 네가티브형 포토레지스트는 노광된 부분이 현상액에 녹지 않고 노광되지 아니한 부분이 용해되어 패턴이 형성되는 방식이고, 포지티브형과 네가티브형은 사용되는 바인더 수지, 가교제 등의 서로 상이하다. Pattern formation by the photosensitive resin composition is classified into a positive type and a negative type according to the solubility of the photosensitive portion to development. In the positive type photoresist, the exposed portion is dissolved by the developer, and in the negative type photoresist, the exposed portion is not dissolved in the developer and the unexposed portion is dissolved to form a pattern, and the positive and negative types are used They differ from each other, such as binder resin and a crosslinking agent.

근래에 터치 패널을 구비한 터치 스크린의 사용이 폭발적으로 증가하고 있으며, 최근에는 플렉서블한 터치 스크린이 크게 주목받고 있다. 이에 따라 터치 스크린에 사용되는 각종 기판 등의 소재로 플렉서블한 특성을 구비해야 하는 바, 그에 따라 사용 가능한 소재도 플렉서블한 고분자 소재로 제한이 발생하여, 제조 공정 역시 보다 온화한 조건에서의 수행이 요구되고 있다.In recent years, the use of a touch screen having a touch panel has been explosively increased, and in recent years, a flexible touch screen is receiving great attention. Accordingly, materials such as various substrates used for touch screens must have flexible characteristics, and accordingly, the available materials are also limited to flexible polymer materials, and the manufacturing process is also required to be performed under milder conditions. have.

그에 따라, 감광형 수지 조성물의 경화 조건 역시 종래의 고온 경화에서 저온 경화의 필요성이 대두되고 있는데, 저온 경화는 반응성 저하, 형성된 패턴의 내구성 저하의 문제가 있다.Accordingly, the curing conditions of the photosensitive resin composition also require low-temperature curing in the conventional high-temperature curing, but low-temperature curing has problems in reactivity and durability of the formed pattern.

한국등록특허 제10-1302508호는 사이클로헥세닐 아크릴레이트계 단량체를 사용하여 중합된 공중합체를 포함함으로써 내열성 및 내광성이 우수하고 감도를 향상할 수 있는 네가티브 감광형 수지 조성물에 대해서 개시하고 있으나, 저온 경화 조건에서는 요구되는 내구성을 나타내지 못한다.Korean Patent Registration No. 10-1302508 discloses a negative photosensitive resin composition that has excellent heat resistance and light resistance and can improve sensitivity by including a copolymer polymerized using a cyclohexenyl acrylate monomer, but at low temperature Under curing conditions, it does not exhibit the required durability.

한국등록특허 제10-1302508호Korean Patent Registration No. 10-1302508

본 발명은 저온에서 경화가 가능하면서도 반응성이 우수하고, 금속 기판과의 밀착성 및 형성된 패턴의 내화학성 등 내구성이 우수한 네가티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a negative photosensitive resin composition that can be cured at a low temperature, has excellent reactivity, and has excellent durability such as adhesion to a metal substrate and chemical resistance of a formed pattern.

1. (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 중합성 화합물, (C) 광중합 개시제, (D) 첨가제 및 (E) 용매를 포함하는 네가티브 감광형 수지 조성물에 있어서, 상기 (D) 첨가제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 네가티브 감광형 수지 조성물:1. A negative photosensitive resin composition comprising (A) an alkali-soluble resin, (B) a polymerizable compound, (C) a photoinitiator, (D) an additive, and (E) a solvent, wherein the (D) additive has the following formula A negative photosensitive resin composition, which is a compound represented by 1:

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112016025158608-pat00001
Figure 112016025158608-pat00001

(상기 화학식 1에서,(In Formula 1,

상기 R1 또는 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C6 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고,The R 1 or R 2 are each independently hydrogen or a C 1 -C 6 straight-chain or branched alkyl group,

상기 m 및 n은 각각 주쇄 내의 반복단위를 나타내며,Wherein m and n each represent a repeating unit in the main chain,

상기 m은 4 내지 12의 정수이다).wherein m is an integer from 4 to 12).

2. 위 1에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물의 R1 또는 R2는 각각 독립적으로 수소인, 네가티브 감광형 수지 조성물.2. The negative photosensitive resin composition of the above 1, wherein R 1 or R 2 of the compound of Formula 1 is each independently hydrogen.

3. 위 1에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 포함되는 것인 네가티브 감광형 수지 조성물.3. The negative photosensitive resin composition of the above 1, wherein the compound of Formula 1 is included in an amount of 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the composition.

4. 위 1에 있어서, 상기 (A) 알칼리 가용성 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 제1 수지 및 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 제2 수지를 포함하는 것인 네가티브 감광형 수지 조성물:4. The negative of the above 1, wherein the (A) alkali-soluble resin comprises a first resin comprising a repeating unit represented by the following formula (2) and a second resin comprising a repeating unit represented by the following formula (3) Photosensitive resin composition:

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112016025158608-pat00002
Figure 112016025158608-pat00002

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112016025158608-pat00003
Figure 112016025158608-pat00003

(상기 화학식 3에서 R은 수소 또는 메틸(-CH3)이다).(In Formula 3, R is hydrogen or methyl (-CH 3 )).

5. 위 1에 있어서, 상기 네가티브형 감광형 수지 조성물은 70 내지 100℃의 저온에서 경화가 가능한, 네가티브형 감광형 수지 조성물.5. The negative photosensitive resin composition according to the above 1, wherein the negative photosensitive resin composition can be cured at a low temperature of 70 to 100 ℃.

6. 위 1 내지 5의 네가티브형 감광형 수지 조성물로 형성되는, 광경화 패턴.6. A photocurable pattern formed of the negative photosensitive resin composition of 1 to 5 above.

7. 위 6에 있어서, 상기 광경화 패턴은 어레이 평탄화막 패턴, 보호막 패턴, 절연막 패턴, 포토레지스트 패턴, 블랙 매트릭스 패턴 및 컬럼 스페이서 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는, 광경화 패턴.7. The photocurable pattern of the above 6, wherein the photocurable pattern is selected from the group consisting of an array planarization film pattern, a protective film pattern, an insulating film pattern, a photoresist pattern, a black matrix pattern, and a column spacer pattern.

8. 위 6의 광경화 패턴을 포함하는 화상 표시 장치.8. An image display device including the photocuring pattern of 6 above.

본 발명에 따른 네가티브 감광형 수지 조성물을 사용하여 제조된 패턴은 금속 기판과의 밀착성 및 패턴의 내화학성이 우수하며, 광경화 패턴 제조 및 이로부터 제조된 광경화 패턴을 포함하는 화상 표시 장치에 유용하게 사용될 수 있다.The pattern prepared by using the negative photosensitive resin composition according to the present invention has excellent adhesion to a metal substrate and chemical resistance of the pattern, and is useful for manufacturing a photocurable pattern and an image display device including a photocurable pattern prepared therefrom can be used

본 발명은 (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 중합성 화합물, (C) 광중합 개시제, (D) 첨가제 및 (E) 용매를 포함하는 네가티브 감광형 수지 조성물에 있어서, 상기 (D) 첨가제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 네가티브 감광형 수지 조성물을 제공한다:The present invention relates to a negative photosensitive resin composition comprising (A) an alkali-soluble resin, (B) a polymerizable compound, (C) a photoinitiator, (D) an additive, and (E) a solvent, wherein the (D) additive is Provided is a negative photosensitive resin composition, which is a compound represented by the formula (1):

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112016025158608-pat00004
Figure 112016025158608-pat00004

(상기 화학식 1에서,(In Formula 1,

상기 R1 또는 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C6 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고,The R 1 or R 2 are each independently hydrogen or a C 1 -C 6 straight-chain or branched alkyl group,

상기 m 및 n은 각각 주쇄 내의 반복단위를 나타내며,Wherein m and n each represent a repeating unit in the main chain,

상기 m은 4 내지 12의 정수이다).wherein m is an integer from 4 to 12).

본 발명에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 첨가제 화합물을 네가티브 감광형 수지 조성물에 포함함으로써, 상기 조성물을 사용하여 제조된 패턴은 금속 기판과의 밀착성 및 패턴의 내화학성이 우수하며, 광경화 패턴 제조 및 이로부터 제조된 광경화 패턴을 포함하는 화상 표시 장치에 유용하게 사용될 수 있다.According to the present invention, by including the additive compound represented by Formula 1 in the negative photosensitive resin composition, the pattern prepared using the composition has excellent adhesion to the metal substrate and chemical resistance of the pattern, and the photocurable pattern is manufactured and an image display device including a photocurable pattern prepared therefrom.

이하에서, 본 발명에 따른 네가티브 감광형 수지 조성물을 본 발명의 여러 측면 및 다양한 구현예에 대해 더욱 구체적으로 살펴보도록 한다.Hereinafter, the negative photosensitive resin composition according to the present invention will be described in more detail with respect to various aspects and various embodiments of the present invention.

본 발명의 네가티브 감광형 수지 조성물은 (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 중합성 화합물, (C) 광중합 개시제, (D) 화학식 1로 표시되는 첨가제 및 (E) 용매를 포함한다:The negative photosensitive resin composition of the present invention includes (A) an alkali-soluble resin, (B) a polymerizable compound, (C) a photoinitiator, (D) an additive represented by the formula (1), and (E) a solvent:

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112016025158608-pat00005
Figure 112016025158608-pat00005

(상기 화학식 1에서,(In Formula 1,

상기 R1 또는 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C6 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고,The R 1 or R 2 are each independently hydrogen or a C 1 -C 6 straight-chain or branched alkyl group,

상기 m 및 n은 각각 주쇄 내의 반복단위를 나타내며,Wherein m and n each represent a repeating unit in the main chain,

상기 m은 4 내지 12의 정수이다).wherein m is an integer from 4 to 12).

알칼리 가용성 수지(A)Alkali-soluble resin (A)

본 발명에 사용되는 알칼리 가용성 수지(A)는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 제1 수지 및 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 제2 수지를 포함하는 것인 네가티브 감광형 수지 조성물:The alkali-soluble resin (A) used in the present invention is a negative photosensitive resin comprising a first resin including a repeating unit represented by the following formula (2) and a second resin including a repeating unit represented by the following formula (3) Composition:

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112016025158608-pat00006
Figure 112016025158608-pat00006

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112016025158608-pat00007
Figure 112016025158608-pat00007

상기 화학식 3에서 R은 수소 또는 메틸(-CH3)이다.In Formula 3, R is hydrogen or methyl (-CH 3 ).

본 발명의 알칼리 가용성 수지(A)가 상기 화학식 2의 반복단위를 포함하는 제 1 수지를 포함함으로써 금속(metal) 등의 기판 위에서의 에천트 처리 후 밀착성이 향상되는 효과를 나타낼 수 있다. 상기 기판은 금속막, 비금속막, 금속 산화막, 비금속 산화막 등이 설치된 기판일 수 있다. 이들 기판 위에 설치되는 막을 구체적으로 예시하면, 무정형 실리콘막, 질화 실리콘막, 실리콘 산화막, 인듐주석 산화물(ITO), 산화주석, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.Since the alkali-soluble resin (A) of the present invention includes the first resin including the repeating unit of Chemical Formula 2, it is possible to exhibit the effect of improving adhesion after etchant treatment on a substrate such as a metal. The substrate may be a substrate provided with a metal film, a non-metal film, a metal oxide film, a non-metal oxide film, or the like. Specifically, if the film provided on these substrates is exemplified, an amorphous silicon film, a silicon nitride film, a silicon oxide film, indium tin oxide (ITO), tin oxide, aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), copper (Cu) ), but is not limited thereto.

상기 제 1 수지에 대하여 상기 화학식 2의 반복단위는 바람직하게는 2 내지 30 중량%일 수 있으며, 5 내지 10 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다.The amount of the repeating unit of Formula 2 with respect to the first resin may be preferably 2 to 30% by weight, and more preferably 5 to 10% by weight.

또한, 본 발명의 알칼리 가용성 수지는 상기 화학식 3의 반복단위를 포함하는 제 2 수지를 포함함으로써 열공정 단계에서, 열에 의한 고리 열림(ring opening) 반응 및 그에 의한 중합(polymerization)을 가속화하여, 반응성이 향상되고, 공정적으로는 내화학성, 즉, 에천트에 의한 손상(damage)이 적은 효과를 나타낼 수 있다.In addition, the alkali-soluble resin of the present invention includes the second resin including the repeating unit of Formula 3, thereby accelerating the ring opening reaction and polymerization by heat in the thermal process step, thereby reactivity This is improved, and chemical resistance, that is, damage due to the etchant, may be exhibited in a process manner.

상기 제 2 수지에 대하여 상기 화학식 2의 반복단위는 바람직하게는 10 내지 40 중량%일 수 있으며, 20 내지 30 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다.The amount of the repeating unit of Formula 2 with respect to the second resin may be preferably 10 to 40% by weight, and more preferably 20 to 30% by weight.

본 발명에 따른 상기 제 1 수지 및 제 2 수지는, 서로 독립적으로 화학식 2 및 화학식 3의 반복단위 이외에도 당해분야에서 공지된 다른 단량체에서 유래된 반복단위를 더 포함할 수 있다.The first resin and the second resin according to the present invention may further include, independently of each other, repeating units derived from other monomers known in the art in addition to the repeating units of Chemical Formulas 2 and 3.

상기 제 1 수지 및 제 2 수지에 부가될 수 있는 반복단위를 형성하는 단량체는 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 디카르복실산류 및 이들의 무수물; 방향족 비닐 화합물; 시안화 비닐 화합물; 양 말단에 카르복시기와 수산기를 갖는 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트류; 알킬(메타)아크릴레이트류; 지환족(메타)아크릴레이트류; 아릴(메타)아크릴레이트류; 탄소수 4 내지 16의 시클로알칸 또는 디시클로알칸고리로 치환된 (메타)아크릴레이트류; 불포화 옥세탄 화합물; 불포화옥시란 화합물; 등에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 들 수 있으며, 보다 바람직하게는 (메타)아크릴계 단량체를 사용할 수 있다.The monomer forming the repeating unit that can be added to the first resin and the second resin is not particularly limited, but includes, for example, dicarboxylic acids and anhydrides thereof; aromatic vinyl compounds; vinyl cyanide compounds; Mono (meth)acrylates of a polymer having a carboxyl group and a hydroxyl group at both terminals; alkyl (meth)acrylates; alicyclic (meth)acrylates; aryl (meth) acrylates; (meth)acrylates substituted with a cycloalkane or dicycloalkane ring having 4 to 16 carbon atoms; unsaturated oxetane compounds; unsaturated oxirane compounds; One or two or more selected from the above may be mentioned, and more preferably a (meth)acrylic monomer may be used.

본 발명에 있어서, "(메타)아크릴-"은 "메타크릴-", "아크릴-" 또는 이 둘 모두를 의미한다.In the present invention, "(meth)acryl-" means "methacryl-", "acryl-", or both.

상기 (메타)아크릴계 단량체는 보다 바람직하게는 하기 화학식 4의 단량체일 수 있다. The (meth)acrylic monomer may more preferably be a monomer represented by the following formula (4).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112016025158608-pat00008
Figure 112016025158608-pat00008

상기 화학식 4에서 R은 수소 또는 메틸(-CH3)이다.In Formula 4, R is hydrogen or methyl (-CH 3 ).

알칼리 가용성 수지에 포함되는 상기 제 1 수지와 제 2 수지는 1: 1 내지 1: 15의 중량비로 포함되는 것이 바람직하며, 1: 1 내지 1: 6의 중량비로 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다.The first resin and the second resin included in the alkali-soluble resin are preferably included in a weight ratio of 1: 1 to 1: 15, and more preferably included in a weight ratio of 1: 1 to 1: 6.

본 발명에 있어서, 알칼리 가용성 수지(A)에 포함되는 제 1 수지의 중량평균분자량은 4,000 내지 25,000인 것이 바람직하며, 5,000 내지 10,000인 것이 보다 바람직할 수 있다.In the present invention, the weight average molecular weight of the first resin contained in the alkali-soluble resin (A) is preferably 4,000 to 25,000, more preferably 5,000 to 10,000.

또한, 알칼리 가용성 수지(A)에 포함되는 제 2 수지의 중량평균분자량은 4,000 내지 25,000인 것이 바람직하며, 8,000 내지 15,000인 것이 보다 바람직할 수 있다.In addition, the weight average molecular weight of the second resin contained in the alkali-soluble resin (A) is preferably 4,000 to 25,000, more preferably 8,000 to 15,000.

상기 알칼리 가용성 수지(A)의 산가는 20 내지 200 mgKOH/g인 것이 바람직하며, 40 내지 100 mgKOH/g인 것이 보다 바람직할 수 있다.The acid value of the alkali-soluble resin (A) is preferably 20 to 200 mgKOH/g, more preferably 40 to 100 mgKOH/g.

상기 알칼리 가용성 수지(A)의 함량은 특별히 한정하지 않으나, 감광성 수지 조성물 중의 고형분에 대해서 중량 분율로 통상 10 내지 90 중량%, 보다 바람직하게는 25 내지 70 중량%로 포함될 수 있다.The content of the alkali-soluble resin (A) is not particularly limited, but may be included in a weight fraction of usually 10 to 90% by weight, more preferably 25 to 70% by weight, based on the solid content in the photosensitive resin composition.

중합성polymeric 화합물(B) Compound (B)

본 발명의 감광형 수지 조성물에 사용되는 중합성 화합물(B)은 제조 공정 중 가교 밀도를 증가시키며, 광경화 패턴의 기계적 특성을 강화시킬 수 있다.The polymerizable compound (B) used in the photosensitive resin composition of the present invention may increase the crosslinking density during the manufacturing process and may enhance the mechanical properties of the photocurable pattern.

중합성 화합물(B)은 당분야에 사용되는 것이 특별한 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 단관능 단량체, 2관능 단량체 및 그 밖의 다관능 단량체로, 그 종류는 특별히 한정되지 않으나, 하기 화합물들을 그 예로 들 수 있다. The polymerizable compound (B) may be used without any particular limitation to those used in the art, for example, monofunctional monomers, difunctional monomers and other polyfunctional monomers, and the type is not particularly limited, but the following compounds are for example.

단관능 단량체의 구체예로는 노닐페닐카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있다. 2관능 단량체의 구체예로는 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르, 3-메틸펜탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 밖의 다관능 단량체의 구체예로서는 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서 2관능 이상의 다관능 단량체가 바람직하게 사용된다. Specific examples of the monofunctional monomer include nonylphenyl carbitol acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-ethylhexyl carbitol acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, N-vinylpyrrol money, etc. Specific examples of the bifunctional monomer include 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, Bis(acryloyloxyethyl) ether of bisphenol A, 3-methylpentanediol di(meth)acrylate, etc. are mentioned. Specific examples of other polyfunctional monomers include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, and pentaerythritol tri (meth)acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, ethoxylated dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, propoxylated dipentaerythritol Hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, etc. are mentioned. Among these, the polyfunctional monomer more than bifunctional is used preferably.

상기 중합성 화합물(B)의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 감광형 수지 조성물 중의 고형분을 기준으로 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 10 내지 90중량부, 바람직하게는 30 내지 80중량부의 범위에서 사용될 수 있다.The content of the polymerizable compound (B) is not particularly limited, but for example, 10 to 90 parts by weight, preferably 30 to 80 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin based on the solid content in the photosensitive resin composition. It can be used in a negative range.

광중합light curing 개시제initiator (C)(C)

본 발명에 따른 광중합 개시제(C)는 상기 중합성 화합물(B)을 중합시킬 수 있는 것이라면, 그 종류를 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있으며, 예를 들면, 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 트리아진계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 옥심에스테르계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 화합물을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 옥심에스테르계 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.The photopolymerization initiator (C) according to the present invention can be used without particularly limiting the type as long as it can polymerize the polymerizable compound (B), for example, acetophenone-based compound, benzophenone-based compound, tria At least one compound selected from the group consisting of a ginsic compound, a biimidazole-based compound, a thioxanthone-based compound, and an oxime ester-based compound may be used, and an oxime ester-based compound is preferably used.

또한, 상기 광중합 개시제(D)는 본 발명의 감광형 수지 조성물의 감도를 향상시키기 위해서, 광중합 개시 보조제를 더 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 감광형 수지 조성물은 광중합 개시 보조제를 함유함으로써, 감도가 더욱 높아져 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, the photopolymerization initiator (D) may further include a photopolymerization initiator auxiliary in order to improve the sensitivity of the photosensitive resin composition of the present invention. The photosensitive resin composition according to the present invention contains a photopolymerization initiation adjuvant, thereby further increasing the sensitivity and improving productivity.

상기 광중합 개시 보조제로는, 아민 화합물, 카르복실산 화합물 및 티올기를 가지는 유기 황화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 들 수 있다.The photopolymerization initiation adjuvant may include at least one compound selected from the group consisting of an amine compound, a carboxylic acid compound, and an organic sulfur compound having a thiol group.

상기 광중합 개시제(D)의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 고형분을 기준으로 감광형 수지 조성물 전체 100중량부에 대하여, 0.1 내지 10중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 감광형 수지 조성물이 고감도화되어 노광 시간이 단축되므로 생산성이 향상되며 높은 해상도를 유지할 수 있으며, 형성한 화소부의 강도와 화소부의 표면에서의 평활성이 양호해질 수 있다 한 점에서 좋다.The content of the photopolymerization initiator (D) is not particularly limited, but, for example, may be included in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight, based on solid content, based on 100 parts by weight of the total photosensitive resin composition. may be included. When the above range is satisfied, the photosensitive resin composition is highly sensitive and the exposure time is shortened, so that productivity is improved and high resolution can be maintained, and the strength of the formed pixel part and smoothness on the surface of the pixel part can be improved. good in

첨가제(D)Additive (D)

본 발명의 감광형 수지 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 첨가제를 포함한다:The photosensitive resin composition of the present invention includes an additive represented by the following formula (1):

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112016025158608-pat00009
Figure 112016025158608-pat00009

(상기 화학식 1에서,(In Formula 1,

상기 R1 또는 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C6 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고,The R 1 or R 2 are each independently hydrogen or a C 1 -C 6 straight-chain or branched alkyl group,

상기 m 및 n은 각각 주쇄 내의 반복단위를 나타내며,Wherein m and n each represent a repeating unit in the main chain,

상기 m은 4 내지 12의 정수이다).wherein m is an integer from 4 to 12).

본 발명에 따른 화학식 1의 첨가제 화합물은 다수의 방향족 고리 구조를 포함함으로써 내화학성이 우수하다. 또한, -OH는 금속 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있으며, 상기 카르복실기를 갖는 사이클로헥산 작용기는 현상성을 증가시킬 뿐만 아니라 노볼락형 에폭시 변성 모노머 말단의 탄소이중결합 작용기에 의해 반응 신뢰성을 증가시킬 수 있고, 경화밀도를 상승시키는 효과가 있다.The additive compound of Formula 1 according to the present invention has excellent chemical resistance by including a plurality of aromatic ring structures. In addition, -OH can improve adhesion to the metal substrate, and the cyclohexane functional group having the carboxyl group not only increases developability, but also increases the reaction reliability by the carbon double bond functional group at the end of the novolak-type epoxy-modified monomer. and has the effect of increasing the curing density.

바람직한 예로, 본 발명의 상기 화학식 1의 화합물은 R1 또는 R2는 각각 독립적으로 수소이다.In a preferred embodiment, in the compound of Formula 1 of the present invention, R 1 or R 2 are each independently hydrogen.

또한 본 발명에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물의 정수 m이 4 미만이면 잔막율 및 내화학성이 저하되는 문제가 있고 12를 초과하는 경우에는 현상성이 저하된다. 이러한 측면에서, 본 발명의 상기 화학식 1의 m은 바람직하게는 4 내지 10의 정수, 보다 바람직하게는 4 내지 8의 정수일 수 있다.In addition, according to the present invention, when the integer m of the compound of Formula 1 is less than 4, there is a problem in that the residual film rate and chemical resistance are lowered, and when it exceeds 12, developability is lowered. In this aspect, m in Formula 1 of the present invention may be an integer of preferably 4 to 10, more preferably an integer of 4 to 8.

본 발명에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 감광형 수지 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있다.In the present invention, the compound of Formula 1 may be included in an amount of 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the photosensitive resin composition.

바람직한 예로, 상기 화학식 1의 화합물이 감광형 수지 조성물 총 중량에 대하여 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우 팽윤현상이 심하게 나타나 미세한 패턴을 형성하기 어려운 문제점이 있고, 상기 화학식 1의 화합물이 감광형 수지 조성물 총 중량에 대하여 5 중량%를 초과하는 경우에는 내화학성 및 경도가 현저히 떨어지는 문제점이 있을 수 있다.As a preferred example, when the compound of Formula 1 is included in an amount of less than 0.1% by weight based on the total weight of the photosensitive resin composition, there is a problem that it is difficult to form a fine pattern due to severe swelling, and the compound of Formula 1 is used in the photosensitive resin composition When it exceeds 5% by weight based on the total weight, there may be a problem in that chemical resistance and hardness are remarkably deteriorated.

한편, 본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 첨가제 외에도 일반적으로 사용되는 염기성 화합물, 계면활성제, 밀착성 개량제, 열가교제, 광안정제, 광경화촉진제, 할레이션 방지제(레벨링제), 소포제 등과 같은 첨가제를 본 발명의 목적을 벗어나지 않는 범위 내에서 더 포함할 수 있다.On the other hand, in addition to the additives represented by Formula 1 of the present invention, additives such as a basic compound, a surfactant, an adhesion improver, a thermal crosslinking agent, a light stabilizer, a photocuring accelerator, an antihalation agent (leveling agent), an antifoaming agent, etc. It may further include within a range that does not deviate from the purpose of the invention.

용매(E)Solvent (E)

용매(E)의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 상기 언급한 성분들을 용해시킬 수 있고, 적합한 건조속도를 가지며, 용매의 증발 후에 균일하고 매끄러운 코팅막을 형성할 수 있는 것이라면 어떤 용매나 사용할 수 있다.The type of solvent (E) is not particularly limited, and any solvent can be used as long as it can dissolve the above-mentioned components, has a suitable drying rate, and can form a uniform and smooth coating film after evaporation of the solvent.

상기 용매는 도포성 및 건조성을 고려하였을 때 알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 케톤류, 부탄디올알킬에테르아세테이트류, 부탄디올모노알킬에테르류, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸 등의 에스테르류가 바람직하게 사용될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 시클로헥사논, 메톡시부틸아세테이트, 메톡시부탄올, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸 등이 사용될 수 있다.The solvent is esters such as alkylene glycol alkyl ether acetates, ketones, butanediol alkyl ether acetates, butanediol monoalkyl ethers, 3-ethoxy ethyl propionate, 3-methoxy methyl propionate, etc. may be preferably used, more preferably propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, cyclohexanone, methoxybutyl acetate, methoxybutanol, 3-ethoxypropionate ethyl, 3-methoxypropionic acid methyl and the like can be used.

상기 용매(E) 함량은 감광형 수지 조성물에 전체 100중량부에 대하여, 40 내지 95중량부, 바람직하게는 45 내지 85 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 스핀 코터, 슬릿 & 스핀 코터, 슬릿 코터(다이 코터, 커튼플로우 코터라고도 불리는 경우가 있다), 잉크젯 등의 도포 장치로 도포했을 때 도포성이 양호해지기 때문에 바람직하다.The content of the solvent (E) may be included in an amount of 40 to 95 parts by weight, preferably 45 to 85 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total in the photosensitive resin composition. When the above range is satisfied, it is preferable because the applicability is improved when it is applied with an application device such as a spin coater, a slit & spin coater, a slit coater (sometimes called a die coater or a curtain flow coater), or an inkjet.

광경화photocuring 패턴 및 화상표시 장치 Pattern and image display device

본 발명은 상기 감광형 수지 조성물로 제조되는 광경화 패턴과 상기 광경화 패턴을 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a photocurable pattern made of the photosensitive resin composition and an image display device including the photocurable pattern.

상기 감광형 수지 조성물로 제조된 광경화 패턴은 저온 경화성이 우수하고 내화학성, 내열성 등이 우수하다. 이에 따라 화상 표시 장치에 있어서 각종 패턴, 예를 들면 접착제층, 어레이 평탄화막, 보호막, 절연막 패턴 등으로 이용될 수 있고, 포토레지스트, 블랙 매트릭스, 컬럼 스페이서 패턴, 블랙 컬럼 스페이서 패턴 등으로 이용될 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 특히, 절연막 패턴으로 매우 적합하다.The photocurable pattern prepared from the photosensitive resin composition has excellent low-temperature curability, chemical resistance, heat resistance, and the like. Accordingly, in the image display device, various patterns, for example, an adhesive layer, an array planarization film, a protective film, an insulating film pattern, etc. may be used, and may be used as a photoresist, a black matrix, a column spacer pattern, a black column spacer pattern, etc. However, it is not limited thereto, and in particular, it is very suitable as an insulating film pattern.

이러한 광경화 패턴을 구비하거나 제조 과정 중에 상기 패턴을 사용하는 화상 표시 장치로는 액정 표시 장치, OLED, 플렉서블 디스플레이 등이 있을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 적용이 가능한 당분야에 알려진 모든 화상 표시 장치를 예시할 수 있다.An image display device having such a photocurable pattern or using the pattern during the manufacturing process may include a liquid crystal display device, an OLED, a flexible display, etc., but is not limited thereto, and all image display devices known in the art that can be applied can be exemplified.

광경화 패턴은 전술한 본 발명의 감광형 수지 조성물을 기재 상에 도포하고, (필요에 따라 현상 공정 거친 후) 광경화 패턴을 형성함으로써 제조할 수 있다. The photocurable pattern can be prepared by coating the photosensitive resin composition of the present invention described above on a substrate and forming a photocurable pattern (after undergoing a developing process if necessary).

이하에서 실시예 등을 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 하며, 다만 이하에 실시예 등에 의해 본 발명의 범위와 내용이 축소되거나 제한되어 해석될 수 없다. 또한, 이하의 실시예를 포함한 본 발명의 개시 내용에 기초한다면, 구체적으로 실험 결과가 제시되지 않은 본 발명을 통상의 기술자가 용이하게 실시할 수 있음은 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연하다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of Examples and the like, but the scope and content of the present invention may not be construed as being reduced or limited by the Examples below. In addition, based on the disclosure of the present invention including the following examples, it is clear that a person skilled in the art can easily practice the present invention for which no specific experimental results are presented, and such modifications and modifications are included in the attached patent. It goes without saying that they fall within the scope of the claims.

제조예manufacturing example 1: 알칼리 가용성 수지(A-1)의 합성 1: Synthesis of alkali-soluble resin (A-1)

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g을 넣고 교반하면서 70℃까지 가열하였다. 이어서, 하기 화학식 5 및 화학식 6의 혼합물((몰비는 50:50) 132.2g(0.60mol), (3-에틸-3-옥세타닐)메틸 메타크릴레이트 55.3g(0.30 mol) 및 메타크릴산 8.6g(0.10mol)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g에 용해하여 투입하였다.In a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer, nitrogen was flowed at 0.02 L/min to make a nitrogen atmosphere, and 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether was added and heated to 70° C. while stirring. Then, 132.2 g (0.60 mol) of a mixture of Chemical Formulas 5 and 6 ((molar ratio 50:50), (3-ethyl-3-oxetanyl)methyl methacrylate 55.3 g (0.30 mol) and methacrylic acid 8.6 g (0.10 mol) was dissolved in 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether and added.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112016025158608-pat00010
Figure 112016025158608-pat00010

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112016025158608-pat00011
Figure 112016025158608-pat00011

제조된 용해액을, 적하 깔대기를 사용하여 플라스크 내에 적하한 후, 중합 개시제 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 27.9g(0.11mol)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200g에 용해한 용액을, 별도의 적하 깔대기를 사용하여 4 시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 중합 개시제의 용액의 적하가 종료된 후, 4 시간 동안 70℃로 유지하고, 그 후 실온까지 냉각시키고, 고형분 41.8 질량%, 산가 62㎎-KOH/g (고형분 환산)의 공중합체의 용액을 얻었고 중량 평균 분자량 Mw는 7,700, 분자량 분포는 1.89 이었다.After the prepared solution was added dropwise into the flask using a dropping funnel, 27.9 g (0.11 mol) of a polymerization initiator 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added to 200 g of diethylene glycol methyl ethyl ether. The solution dissolved in was added dropwise into the flask over 4 hours using a separate dropping funnel. After the dropwise addition of the polymerization initiator solution was completed, it was maintained at 70° C. for 4 hours, then cooled to room temperature, and a solution of a copolymer having a solid content of 41.8 mass% and an acid value of 62 mg-KOH/g (in terms of solid content) was obtained. The weight average molecular weight Mw was 7,700, and molecular weight distribution was 1.89.

이때, 상기 분산수지의 중량평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)의 측정은 HLC-8120GPC(도소㈜ 제조)장치를 사용하였으며, 칼럼은 TSK-GELG4000HXL와 TSK-GELG2000HXL를 직렬 접속하여 사용하였고, 칼럼 온도는 40℃, 이동상 용매는 테트라히드로퓨란, 유속은 1.0㎖/분, 주입량은 50㎕, 검출기 RI를 사용하였으며, 측정 시료 농도는 0.6질량%(용매 = 테트라히드로퓨란), 교정용 표준 물질은 TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500, A-500(도소㈜ 제조)을 사용하였다.At this time, the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of the dispersion resin were measured using HLC-8120GPC (manufactured by Toso Co., Ltd.), and the column was used by connecting TSK-GELG4000HXL and TSK-GELG2000HXL in series. , column temperature was 40 ° C, mobile phase solvent was tetrahydrofuran, flow rate was 1.0 ml/min, injection amount was 50 μl, detector RI was used, and the measurement sample concentration was 0.6 mass % (solvent = tetrahydrofuran), calibration standard As the material, TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500, and A-500 (manufactured by Tosoh Corporation) were used.

상기에서 얻어진 중량평균분자량 및 수평균분자량의 비를 분자량 분포 (Mw/Mn)로 하였다.The ratio of the weight average molecular weight and the number average molecular weight obtained above was taken as the molecular weight distribution (Mw/Mn).

제조예manufacturing example 2: 알칼리 가용성 수지(A-2)의 합성 2: Synthesis of alkali-soluble resin (A-2)

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 아세테이트 200g을 도입하고 100℃로 승온 후 스티렌 10.4g(0.10몰), 노보넨 23.5g(0.25몰), 메타크릴산 12.9g(0.15몰), 글리시딜 메타크릴레이트 71.1g(0.50몰)을 첨가한 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 2.0g을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 100g에 용해시킨 용액을 적하 로트로부터 2시간에 걸쳐 플라스크에 적하한 뒤, 추가로 100 ℃에서 5시간 더 교반을 계속하였다.In a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer, nitrogen was flowed at 0.02 L/min to make a nitrogen atmosphere, 200 g of diethylene glycol methyl ethyl ether acetate was introduced, and the temperature was raised to 100 ° C. Then, 10.4 g (0.10 mol) of styrene ), 23.5 g (0.25 mol) of norbornene, 12.9 g (0.15 mol) of methacrylic acid, 71.1 g (0.50 mol) of glycidyl methacrylate, and 2,2'-azobis (2,4- A solution of 2.0 g of dimethylvaleronitrile) dissolved in 100 g of diethylene glycol methyl ethyl ether was added dropwise from the dropping funnel to the flask over 2 hours, and further stirring was continued at 100° C. for 5 hours.

반응 종료 후, 고형분 산가가 55㎎KOH/g인 공중합체를 얻었다. GPC에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량은 23,500이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.3이었다.After completion of the reaction, a copolymer having a solid content acid value of 55 mgKOH/g was obtained. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 23,500, and the molecular weight distribution (Mw/Mn) was 2.3.

실시예Example 1 One

상기 제조예 1에서 얻은 수지를 5.6% 및 제조예 2에서 얻은 수지를 11.2% 과 모노머로 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(KAYARAD DPHA: 일본화약㈜ 제조) 11.2% 광중합개시제로 옥심 에스테르계 화합물 OXE-01 0.7%,에 실란계첨가제로 SH-8400 1% 및 KBM-403 1% 혼합한 후, 하기 화학식 9의 첨가제 화합물을 2.4% 혼합하여, 용제로 PGMEA로 총 함량이 100 중량%가 되도록 혼합하여 상기 혼합물을 3시간 교반하여 광중합 조성물을 제조하였다.5.6% of the resin obtained in Preparation Example 1, 11.2% of the resin obtained in Preparation Example 2, and 11.2% dipentaerythritol hexaacrylate (KAYARAD DPHA: manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a monomer oxime ester compound OXE- After mixing 1% of SH-8400 and 1% of KBM-403 as a silane-based additive in 0.7% of 01, 2.4% of the additive compound of the following formula 9 was mixed, and mixed with PGMEA as a solvent so that the total content was 100% by weight. The mixture was stirred for 3 hours to prepare a photopolymerization composition.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112016025158608-pat00012
Figure 112016025158608-pat00012

실시예Example 2 2

하기 화학식 10의 첨가제 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 광중합 조성물을 제조하였다.A photopolymerization composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the additive compound represented by the following Chemical Formula 10 was used.

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112016025158608-pat00013
Figure 112016025158608-pat00013

실시예Example 3 3

상기 화학식 9의 첨가제 화합물을 조성물 총 중량에 대하여 0.3 중량%를 첨가하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 광중합 조성물을 제조하였다.A photopolymerization composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 0.3 wt% of the additive compound of Formula 9 was added based on the total weight of the composition.

실시예Example 4 4

상기 화학식 9의 첨가제 화합물을 조성물 총 중량에 대하여 7 중량%를 첨가하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 광중합 조성물을 제조하였다.A photopolymerization composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 7 wt% of the additive compound of Formula 9 was added based on the total weight of the composition.

비교예comparative example 1 One

본 발명의 화학식 9의 첨가제 화합물을 포함하지 않는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 광중합 조성물을 제조하였다.A photopolymerization composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the additive compound of Formula 9 of the present invention was not included.

비교예comparative example 2 2

하기 화학식 11의 첨가제 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 광중합 조성물을 제조하였다.A photopolymerization composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the additive compound represented by the following Chemical Formula 11 was used.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112016025158608-pat00014
Figure 112016025158608-pat00014

비교예comparative example 3 3

하기 화학식 12의 첨가제 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 광중합 조성물을 제조하였다.A photopolymerization composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the additive compound represented by the following Chemical Formula 12 was used.

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112016025158608-pat00015
Figure 112016025158608-pat00015

실험예Experimental example

가로 세로 2 인치의 유리 기판(이글 2000; 코닝사 제조)을 중성 세제, 물 및 알코올로 순차 세정한 후 건조하였다. 이 유리 기판 상에 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 감광형 수지 조성물을 각각 스핀 코팅한 다음 핫 플레이트(Hot plate)를 이용하여 80℃에서 125 초간 프리베이크하였다. 상기 프리베이크한 기판을 상온으로 냉각 후 석영 유리제 포토마스크와의 간격을 150㎛로 하여 노광기 (UX-1100SM; Ushio (주) 제조)를 사용하여 40mJ/㎠의 노광량(365㎚ 기준)으로 광을 조사하였다. 이때 동일 평면 상에 한 변이 30㎛인 정사각형의 패턴을 가지며 상호 간격이 100㎛인 포토마스크가 사용되었다. A glass substrate having a width of 2 inches (Eagle 2000; manufactured by Corning) was sequentially washed with a neutral detergent, water and alcohol, and then dried. Each of the photosensitive resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were spin-coated on the glass substrate and then pre-baked at 80° C. for 125 seconds using a hot plate. After cooling the pre-baked substrate to room temperature, using an exposure machine (UX-1100SM; manufactured by Ushio Co., Ltd.) at an interval of 150 μm with a quartz glass photomask, light was emitted at an exposure dose of 40 mJ/cm 2 (based on 365 nm). investigated. In this case, a photomask having a square pattern with a side of 30 μm on the same plane and having an interval of 100 μm was used.

광조사 후, 2.38% 테트라암모늄 히드록시드 수용액에 상기 도막을 25℃에서 60초간 침지하여 현상하고 수세 및 건조 후, 클린 오븐을 이용하여 100℃에서 60분간 포스트베이크를 실시하였다. 얻어진 콘택트 홀(Contact Hole) 패턴 형성 도막의 막두께는 1.5㎛이었다. 이렇게 얻어진 도막을 아래와 같이 내화학성 평가를 실시하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.After light irradiation, the coating film was developed by immersing it in 2.38% tetraammonium hydroxide aqueous solution at 25° C. for 60 seconds, washing with water and drying, and post-baking at 100° C. for 60 minutes using a clean oven. The film thickness of the obtained contact hole pattern formation coating film was 1.5 micrometers. The coating film thus obtained was subjected to chemical resistance evaluation as follows, and the results are shown in Table 1 below.

상기에서 얻은 도막을 HNO3와 HCl 수용액(70%질산 (80%) + 농염산 (20%))에 담그고 45분/2분간 처리한 후에 ASTM D-3359-08 표준 시험 조건에 의거하여 커터로 커팅한 표면을 테이프를 붙였다가 떼어내는 방법으로 내화학성 확인하였다. 약액 처리 후의 Cutting/Tape시험에서 도막의 박리가 발생하는 정도를 표준 시험법 기준에 의거하여 0B~5B로 규정하여 5B가 가장 우수한 성능을 가지는 것으로 판단한다(5B 박리0%, 4B 박리 5%미만, 3B 박리 5~15%, 2B 박리 15~35%, 1B 박리 35~65%, 0B 65%이상). The coating film obtained above was immersed in HNO 3 and HCl aqueous solution (70% nitric acid (80%) + concentrated hydrochloric acid (20%)) and treated for 45 minutes/2 minutes with a cutter according to ASTM D-3359-08 standard test conditions. Chemical resistance was confirmed by attaching and peeling the tape on the cut surface. In the cutting/tape test after chemical treatment, the degree of peeling of the coating film is defined as 0B to 5B based on the standard test method, and 5B is judged to have the best performance (5B peeling 0%, 4B peeling less than 5%) , 3B peel 5~15%, 2B peel 15~35%, 1B peel 35~65%, 0B peel 65% or more).

(1) 표면데미지(1) Surface damage

◎: SEM 관찰시, 패턴 표면에 Surface Damage 전혀없음◎: No surface damage on the pattern surface during SEM observation

○: SEM 관찰시, 패턴 표면에 Surface Damage 100개 패턴중 2~3%관찰○: Observe 2~3% of 100 patterns of surface damage on the pattern surface during SEM observation

△: SEM 관찰시, 패턴 표면에 Surface Damage 100개 패턴중 10~30%관찰△: Observe 10~30% of 100 patterns of surface damage on the pattern surface when observing SEM

X : SEM 관찰시, 패턴 표면에 Surface Damage 100개 패턴중 50~80%관찰X: Observe 50~80% of 100 surface damage patterns on the pattern surface during SEM observation

(2) 막변화(2) membrane change

◎: Etchant 처리 전후의 막두께 변화 1% 미만◎: Less than 1% change in film thickness before and after etching treatment

○: Etchant 처리 전후의 막두께 변화 1~2%○: 1~2% change in film thickness before and after etching treatment

△: Etchant 처리 전후의 막두께 변화 3~4%△: 3 to 4% of film thickness change before and after etching treatment

X : Etchant 처리 전후의 막두께 변화 5~6%X: Change in film thickness before and after etchant treatment 5 to 6%

밀착성adhesion 표면 데미지surface damage 막 수축membrane contraction 실시예 1Example 1 5B5B 실시예 2Example 2 5B5B 실시예 3Example 3 5B5B 실시예 4Example 4 4B4B 비교예 1Comparative Example 1 1B1B XX XX 비교예 2Comparative Example 2 2B2B XX 비교예 3Comparative Example 3 2B2B XX

상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 감광형 수지 조성물인 실시예를 사용하여 제조된 패턴은 내화학성 및 연필 경도가 우수하여 내구성이 우수하며, 투과율도 우수한 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 1, it was confirmed that the patterns prepared using Examples, which are the photosensitive resin compositions of the present invention, were excellent in chemical resistance and pencil hardness, and thus had excellent durability and excellent transmittance.

하지만, 본 발명의 감광형 수지 조성물이 아닌 비교예를 사용하여 제조된 패턴의 경우 내화학성 및 연필 경도가 실시예들에 비해 저하되고 투과율도 저하된 것을 확인할 수 있었다.However, in the case of the pattern prepared using the comparative example, not the photosensitive resin composition of the present invention, it was confirmed that the chemical resistance and pencil hardness were lowered compared to the examples, and the transmittance was also lowered.

Claims (8)

(A) 알칼리 가용성 수지, (B) 중합성 화합물, (C) 광중합 개시제, (D) 첨가제 및 (E) 용매를 포함하는 네가티브 감광형 수지 조성물에 있어서,
상기 (D) 첨가제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 네가티브 감광형 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure 112021069833679-pat00016

(상기 화학식 1에서,
상기 R1 또는 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C6 직쇄 또는 C3-C6 측쇄 알킬기이고,
상기 m은 주쇄 내의 반복단위를 나타내며,
상기 m은 4 내지 12의 정수이다).
A negative photosensitive resin composition comprising (A) an alkali-soluble resin, (B) a polymerizable compound, (C) a photoinitiator, (D) an additive, and (E) a solvent,
The (D) additive is a negative photosensitive resin composition which is a compound represented by the following Chemical Formula 1:
[Formula 1]
Figure 112021069833679-pat00016

(In Formula 1,
Wherein R 1 or R 2 are each independently hydrogen or a C 1 -C 6 straight chain or C 3 -C 6 branched alkyl group,
Wherein m represents a repeating unit in the main chain,
wherein m is an integer from 4 to 12).
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물의 R1 또는 R2는 각각 독립적으로 수소인, 네가티브 감광형 수지 조성물.
The negative photosensitive resin composition of claim 1, wherein R 1 or R 2 of the compound of Formula 1 is each independently hydrogen.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 포함되는 것인 네가티브 감광형 수지 조성물.
The negative photosensitive resin composition of claim 1, wherein the compound of Formula 1 is included in an amount of 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the composition.
청구항 1에 있어서, 상기 (A) 알칼리 가용성 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 제1 수지 및 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 제2 수지를 포함하는 것인 네가티브 감광형 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure 112016025158608-pat00017

[화학식 3]
Figure 112016025158608-pat00018

(상기 화학식 3에서 R은 수소 또는 메틸(-CH3)이다).
The negative photosensitive type of claim 1 , wherein the (A) alkali-soluble resin comprises a first resin including a repeating unit represented by the following formula (2) and a second resin including a repeating unit represented by the following formula (3). Resin composition:
[Formula 2]
Figure 112016025158608-pat00017

[Formula 3]
Figure 112016025158608-pat00018

(In Formula 3, R is hydrogen or methyl (-CH 3 )).
청구항 1에 있어서, 상기 네가티브형 감광형 수지 조성물은 70 내지 100℃의 저온에서 경화가 가능한, 네가티브형 감광형 수지 조성물.
The negative photosensitive resin composition of claim 1, wherein the negative photosensitive resin composition is curable at a low temperature of 70 to 100°C.
청구항 1 내지 5 중의 어느 한 항의 네가티브형 감광형 수지 조성물로 형성되는, 광경화 패턴.
A photocurable pattern formed of the negative photosensitive resin composition of any one of claims 1 to 5.
청구항 6에 있어서, 상기 광경화 패턴은 어레이 평탄화막 패턴, 보호막 패턴, 절연막 패턴, 포토레지스트 패턴, 블랙 매트릭스 패턴 및 컬럼 스페이서 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는, 광경화 패턴.
The photocurable pattern of claim 6 , wherein the photocurable pattern is selected from the group consisting of an array planarization film pattern, a protective film pattern, an insulating film pattern, a photoresist pattern, a black matrix pattern, and a column spacer pattern.
청구항 6의 광경화 패턴을 포함하는 화상 표시 장치.An image display device comprising the photocurable pattern of claim 6.
KR1020160031281A 2016-03-16 2016-03-16 Negative photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same KR102329943B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160031281A KR102329943B1 (en) 2016-03-16 2016-03-16 Negative photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same
JP2016225178A JP6506732B2 (en) 2016-03-16 2016-11-18 Negative photosensitive resin composition and photocurable pattern produced therefrom
TW105138524A TWI614579B (en) 2016-03-16 2016-11-23 Negative photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same
CN201611165871.4A CN107203096B (en) 2016-03-16 2016-12-16 Negative photosensitive resin composition and photocured pattern made therefrom

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160031281A KR102329943B1 (en) 2016-03-16 2016-03-16 Negative photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170107675A KR20170107675A (en) 2017-09-26
KR102329943B1 true KR102329943B1 (en) 2021-11-22

Family

ID=59904468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160031281A KR102329943B1 (en) 2016-03-16 2016-03-16 Negative photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6506732B2 (en)
KR (1) KR102329943B1 (en)
CN (1) CN107203096B (en)
TW (1) TWI614579B (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102351294B1 (en) * 2017-11-08 2022-01-17 주식회사 이엔에프테크놀로지 Photosensitive resin composition
TW202231641A (en) 2020-12-16 2022-08-16 日商富士軟片股份有限公司 Composition, membrane, optical filter, solid image pickup element, image display apparatus, and infrared ray sensor
JPWO2022130773A1 (en) 2020-12-17 2022-06-23
WO2022210326A1 (en) 2021-03-30 2022-10-06 東ソー株式会社 Fluorine resin, composition, photocrosslinked product, and electronic device provided therewith

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007102109A (en) 2005-10-07 2007-04-19 Goo Chemical Co Ltd Photosensitive resin composition, cured product and printed wiring board
JP2008063572A (en) 2006-08-11 2008-03-21 Nippon Kayaku Co Ltd Photosensitive resin and active energy ray-curing type resin composition containing the same
JP2011203578A (en) 2010-03-26 2011-10-13 Sanyo Chem Ind Ltd Photosensitive resin composition

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6232441A (en) * 1985-08-05 1987-02-12 Fujitsu Ltd Negative type resist composition having two layers structure
JP4447394B2 (en) * 2004-07-27 2010-04-07 新日鐵化学株式会社 Photosensitive resin composition
JP4508928B2 (en) * 2005-03-31 2010-07-21 新日鐵化学株式会社 Photosensitive resin composition and color filter using the same
WO2007004334A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-11 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Photosensitive resin composition
KR101302508B1 (en) 2006-02-03 2013-09-02 주식회사 동진쎄미켐 Negative photosensitive resin composition, liquid crystal display having that curing product, method of forming a pattern of liquid crystal display using the same
WO2008140016A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, photosensitive element, method of forming resist pattern, and process for producing printed wiring board
KR20090066242A (en) * 2007-12-18 2009-06-23 제일모직주식회사 Photosensitive resin composition with good stripper-resistance for color filter and color filter using same
KR101464312B1 (en) * 2008-03-03 2014-11-21 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition which is capable of being cured at a low temperature
KR20090111517A (en) * 2008-04-22 2009-10-27 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition which is capable of being cured at a low temperature
KR101021947B1 (en) * 2009-08-28 2011-03-16 주식회사 엘지화학 Low temperature curable photosensitive resin composition and dry film prepared using the same
CN103969947B (en) * 2013-01-31 2016-05-04 太阳油墨(苏州)有限公司 Alkali development-type photosensitive resin composition, its dry film and solidfied material thereof and use it and the printed circuit board (PCB) that forms
KR102041929B1 (en) * 2015-09-01 2019-11-07 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin comopsition and cured pattern formed from the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007102109A (en) 2005-10-07 2007-04-19 Goo Chemical Co Ltd Photosensitive resin composition, cured product and printed wiring board
JP2008063572A (en) 2006-08-11 2008-03-21 Nippon Kayaku Co Ltd Photosensitive resin and active energy ray-curing type resin composition containing the same
JP2011203578A (en) 2010-03-26 2011-10-13 Sanyo Chem Ind Ltd Photosensitive resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
TW201734643A (en) 2017-10-01
CN107203096A (en) 2017-09-26
TWI614579B (en) 2018-02-11
CN107203096B (en) 2020-07-10
JP6506732B2 (en) 2019-04-24
JP2017167513A (en) 2017-09-21
KR20170107675A (en) 2017-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6188894B2 (en) Photosensitive resin composition and photocuring pattern formed therefrom
JP6559720B2 (en) PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOCURRED PATTERN PRODUCED BY PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND IMAGE DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH PHOTOCURRED PATTERN
KR102329943B1 (en) Negative photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same
JP6634313B2 (en) Photosensitive resin composition, photocurable pattern formed therefrom, and image display device having the same
TW201632578A (en) Negative-type photosensitive resin composition
JP6754742B2 (en) Photocuring resin composition and photocurable pattern produced from it
TWI635364B (en) Negative-type photosensitive resin comopsition
KR20210106351A (en) A curable resin comopsition, a pattern and a display device
CN110412830B (en) Photosensitive resin composition, photocured pattern and image display device
KR20170027005A (en) Photosensitive resin comopsition and cured pattern formed from the same
KR20180031131A (en) Photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same
KR20190112365A (en) Negative-type photosensitive resin comopsition
KR20190111637A (en) Photosensitive resin comopsition
KR20170133063A (en) Photosensitive resin composition and cured pattern formed from the same
KR20190075235A (en) Photosensitive resin composition and insulation pattern formed from the same
KR20180073002A (en) Negative type photosensitive resin comopsition and photocurable pattern formed from the same
KR20180017836A (en) Photosensitive resin comopsition, photocurable pattern formed from the same and image display comprising the pattern
KR102607171B1 (en) Photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same
CN113281965A (en) Curable resin composition, pattern, and image display device
JP2017173553A (en) Photosensitive resin composition
KR20180001751A (en) Photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same
JP2020024410A (en) Photosensitive resin composition and photocuring pattern formed therefrom
KR20170133889A (en) Photosensitive resin composition and cured pattern formed from the same
KR20150012068A (en) Photosensitive resin composition for transparent pixel

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant