KR102326454B1

KR102326454B1 - 전자 장치

Info

Publication number: KR102326454B1
Application number: KR1020170029017A
Authority: KR
Inventors: 홍종호; 김민우; 박원상; 추혜용; 김대형; 김재민; 송준걸
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사; 서울대학교산학협력단
Priority date: 2017-03-07
Filing date: 2017-03-07
Publication date: 2021-11-17
Also published as: US10592054B2; KR20180102728A; US20180260053A1

Abstract

전자 장치는 베이스층, 및 상기 베이스층 위에 배치되어 외부로부터 인가된 터치를 감지하는 센싱부를 포함하고, 상기 센싱부는 터치의 위치를 감지하며, 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 배치된 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 위에 배치된 제1 수지층을 포함하는 터치 센싱 패턴을 포함하는 터치 센서부, 및 터치의 강도를 감지하며, 제2 투명 전극층, 상기 제2 투명 전극층 위에 배치된 제2 금속층, 및 상기 제2 금속층 위에 배치된 제2 수지층을 포함하는 압력 센싱 패턴을 포함하는 압력 센서부를 포함할 수 있다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC APPARATUS}

본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 외부에서 인가되는 터치를 감지할 수 있는 전자 장치에 관한 것이다.

전자 장치는 전기적 신호를 인가 받아 활성화된다. 전자 장치는 활성화 영역을 통해 외부에서 인가되는 터치를 감지할 수 있다. 즉, 전자 장치는 전기적 신호에 의해 활성화 되도록 다양한 도전 패턴들을 포함할 수 있다. 도전 패턴들이 활성화된 영역은 외부로부터 인가되는 터치에 반응한다. 전자 장치는 인가되는 터치를 감지하여 이를 기초로 다양한 어플리케이션들을 구동시킬 수 있다.

본 발명은 외부에서 인가되는 터치의 위치와 세기를 감지할 수 있는 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 베이스층, 및 상기 베이스층 위에 배치되어 외부로부터 인가된 터치를 감지하는 센싱부를 포함하고, 상기 센싱부는 터치의 위치를 감지하며, 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 배치된 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 위에 배치된 제1 수지층을 포함하는 터치 센싱 패턴을 포함하는 터치 센서부, 및 터치의 강도를 감지하며, 제2 투명 전극층, 상기 제2 투명 전극층 위에 배치된 제2 금속층, 및 상기 제2 금속층 위에 배치된 제2 수지층을 포함하는 압력 센싱 패턴을 포함하는 압력 센서부를 포함할 수 있다.

상기 터치 센서부 및 상기 압력 센서부 각각은 제1 방향으로 연장되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 교대로 배열될 수 있다.

상기 제1 투명 전극층 및 상기 제2 투명 전극층 각각은 인듐 주석 산화물을 포함할 수 있다.

상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층 각각은 구리를 포함할 수 있다.

상기 제1 수지층 및 상기 제2 수지층 각각은 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.

상기 제1 금속층의 두께는 상기 제1 수지층 및 상기 제1 투명 전극층 각각의 두께보다 얇고, 상기 제2 금속층의 두께는 상기 제2 수지층 및 상기 제2 투명 전극층 각각의 두께보다 얇을 수 있다.

상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층 각각의 두께는 5 나노미터(nm) 내지 9 나노미터(nm)일 수 있다.

상기 제1 수지층 및 상기 제2 수지층 각각의 두께는 70 나노미터(nm)일 수 있다.

상기 터치 센싱 패턴은 상기 베이스층 위에 배치된 제1 센싱 패턴, 제1 플로팅 센싱 패턴, 및 상기 제1 센싱 패턴과 상기 제1 플로팅 센싱 패턴 위에 배치된 제2 센싱 패턴을 포함하고, 상기 제1 센싱 패턴, 제1 플로팅 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴 각각은 상기 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 배치된 상기 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 위에 배치된 상기 제1 수지층을 포함할 수 있다.

상기 제2 센싱 패턴은 연결 센싱 패턴 및 제2 플로팅 센싱 패턴을 포함하고, 상기 연결 센싱 패턴은 상기 제1 플로팅 센싱 패턴과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 플로팅 센싱 패턴은 상기 제1 센싱 패턴 및 상기 연결 센싱 패턴과 물리적으로 분리될 수 있다.

상기 제2 플로팅 센싱 패턴의 제1 영역과 상기 제1 영역과 인접한 상기 연결 센싱 패턴의 제2 영역에는 상기 제1 수지층이 생략되어 상기 제1 금속층이 노출되고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 노출된 상기 제1 금속층에 도전성 물체가 접촉되면, 상기 제2 플로팅 센싱 패턴과 상기 연결 센싱 패턴이 전기적으로 연결될 수 있다.

상기 압력 센싱 패턴은 상기 베이스층 위에 배치된 스트레인 게이지, 상기 스트레인 게이지의 일단 및 상기 스트레인 게이지의 타단에 전기적으로 연결된 센싱 패턴을 포함하고, 상기 센싱 패턴은 상기 제2 투명 전극층, 상기 제2 투명 전극층 위에 배치된 상기 제2 금속층, 및 상기 제2 금속층 위에 배치된 상기 제2 수지층을 포함할 수 있다.

상기 터치 센싱 패턴은 제1 센싱 패턴 및 제2 센싱 패턴을 포함하고, 상기 터치 센싱부는 상기 제1 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴 사이의 정전 용량 커플링을 통해 터치를 감지할 수 있다.

상기 제1 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴 사이에 배치된 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴 각각은 상기 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 배치된 상기 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 위에 배치된 상기 제1 수지층을 포함할 수 있다.

상기 제1 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴은 동일 층 상에 배치되고, 상기 제1 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴 각각은 상기 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 배치된 상기 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 위에 배치된 상기 제1 수지층을 포함할 수 있다.

상기 베이스층 아래에 배치되어 영상을 표시하는 표시 패널을 더 포함할 수 있다.

상기 베이스층은 플렉서블할 수 있다.

상기 터치 센싱 패턴 및 상기 압력 센싱 패턴 각각은 소정의 방향으로 연장하는 가상의 선을 기준으로 구불구불하게 상기 소정의 방향을 따라 연장하는 형상을 가질 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 플렉서블한 베이스층, 상기 베이스층 위에 배치된 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 직접 배치된 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 위에 직접 배치된 제1 수지층을 포함하는 제1 센싱 패턴들, 상기 제1 센싱 패턴들을 커버하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 배치된 제2 투명 전극층, 상기 제2 투명 전극층 위에 직접 배치된 제2 금속층 및 상기 제2 금속층 위에 직접 배치된 제2 수지층을 포함하는 제2 센싱 패턴들을 포함할 수 있다.

상기 제1 센싱 패턴들 및 상기 제2 센싱 패턴들 각각의 일부는 터치의 위치를 감지하고, 다른 일부는 터치의 강도를 감지할 수 있다.

본 발명에 따르면, 센싱부를 구성하는 센싱 패턴 각각이 최상층에 수지층을 포함함에 따라 투명성이 향상되어 외부에서 센싱 패턴이 시인될 가능성이 감소되고, 유연성이 향상되어 센싱 패턴에 크랙이 발생할 확률이 감소될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사용 상태를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 개략적인 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 개략적인 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 패턴을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 광의 입사각에 따른 투명도를 도시한 그래프이다.
도 8은 곡률에 따른 저항 변화를 도시한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 개략적인 평면도이다.
도 10는 도 9의 I-I'를 따라 자른 단면도이다.
도 11은 도 10에 터치가 가해졌을 때를 도시한 단면도이다.
도 12는 도 9의 II-II'를 따라 자른 단면도이다.
도 13은 도 12에 터치가 가해졌을 때를 도시한 단면도이다.
도 14a는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 일부분을 도시한 평면도이다.
도 14b는 도 14a의 III-III'를 따라 자른 단면도이다.
도 15a는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 일부분을 도시한 평면도이다.
도 15b는 도 15a의 IV-IV'를 따라 자른 단면도이다.
도 16a는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 일부분을 도시한 평면도이다.
도 16b는 도 16a의 V-V'를 따라 자른 단면도이다.
도 16c는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 16a의 V-V'를 따라 자른 부분과 대응하는 부분을 도시한 단면도이다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태도 에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사용 상태를 도시한 사시도이다.

도 1을 참조하면, 전자 장치(EA)는 외부에서 인가되는 터치를 감지하는 장치일 수 있다. 외부에서 인가되는 터치는 다양한 방식으로 제공될 수 있다. 전자 장치(EA)는 사용자의 손과 같은 신체의 일부가 전자 장치(EA)에 근접하거나 접촉하는 상태를 감지하거나, 스타일러스 펜과 같은 무체물의 일부가 근접하거나 접촉하는 것을 감지할 수도 있다.

도 1에서는 전자 장치(EA)의 일 예로써 손목 시계 형태의 전자 장치를 예시적으로 도시하였다. 전자 장치(EA)는 플렉서블한 성질을 가져 형태의 변형이 자유로울 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 전자 장치(EA)는 폴더블 전자 장치, 롤러블 전자 장치, 및 스트레쳐블 전자 장치 등과 같은 다양한 전자 장치에 적용될 수 있다. 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로서, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 장치에도 채용될 수 있음은 물론이다.

전자 장치(EA)는 인체에 접촉되어 생체 신호를 감지 및 처리하는 전자 장치일 수도 있고, 사용자가 사용하는 단말기(예를 들어, 스마트폰 또는 태블릿)와 연동되어 정보를 제공하는 전자 장치일 수도 있다. 전자 장치(EA)는 드론, 또는 RC카 등을 조정하기 위한 애플리케이션을 포함할 수도 있다. 전자 장치(EA)는 상기 나열된 예시 외에도 다양한 형태로 사용 및 적용 가능하다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 2를 참조하면, 전자 장치(EA)는 표시 패널(DP), 베이스층(BS), 및 센싱부(SU)을 포함할 수 있다.

표시 패널(DP)은 입력된 영상 데이터에 대응하는 이미지를 생성할 수 있다. 도 2에서 표시 패널(DP)의 일 예로 유기발광 표시 패널에 대해 대표적으로 설명한다. 하지만, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니고, 표시 패널(DP)은 액정표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 또는 전기영동 표시 패널일 수도 있다.

표시 패널(DP)은 베이스필름(BF), 회로층(ML), 발광소자층(EL), 및 박막 봉지층(ECL)을 포함할 수 있다. 베이스필름(BF) 위에는 회로층(ML)이 배치되고, 회로층(ML) 위에는 발광소자층(EL)이 배치되고, 발광소자층(EL) 위에는 박막 봉지층(ECL)이 배치될 수 있다.

베이스필름(BF)은 플라스틱 기판, 유리 기판, 메탈 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다. 플라스틱 기판은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

회로층(ML)은 복수 개의 절연층들, 복수 개의 도전층들 및 반도체층을 포함할 수 있다. 회로층(ML)의 복수 개의 도전층들은 신호라인들 또는 화소의 제어회로를 구성할 수 있다.

발광소자층(EL)은 유기발광 다이오드들을 포함한다.

박막 봉지층(ECL)은 발광소자층(EL)을 밀봉한다. 박막 봉지층(ECL)은 복수개의 무기 박막들과 그 사이에 배치된 적어도 하나의 유기 박막을 포함한다. 무기 박막들은 수분 및 산소로부터 발광소자층(EL)을 보호하고, 유기 박막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광소자층(EL)을 보호한다.

베이스층(BS)은 표시 패널(DP) 위에 배치될 수 있다. 베이스층(BS)은 투명한 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 상기 "투명"하다는 것은 0% 초과의 광 투과율을 갖는 것으로, 반투명한 것을 포함하는 의미이다.

센싱부(SU)은 베이스층(BS) 위에 배치될 수 있다. 센싱부(SU)은 외부에서 인가된 터치의 위치 및 외부에서 인가된 터치의 강도를 감지할 수 있다.

표시 패널(DP)과 센싱부(SU)가 형성된 베이스층(BS)은 접착 부재(AL)에 의해 서로 결합될 수 있다. 접착 부재(AL)는 광학투명접착필름(OCA, Optically Clear Adhesive film), 광학투명접착수지(OCR, Optically Clear Resin), 또는 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film)과 같은 유기 접착층일 수 있다. 유기 접착층은 폴리우레탄계, 폴리아크릴계, 폴리에스테르계, 폴리에폭시계, 또는 폴리초산비닐계 등의 접착물질을 포함할 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 3을 설명함에 있어서, 도 2에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 3를 참조하면, 전자 장치(EA1)는 표시 패널(DP), 베이스층(BSa), 및 센싱부(SU)을 포함할 수 있다. 베이스층(BSa)은 표시 패널(DP) 상에 직접 배치되고, 센싱부(SU)는 베이스층(BSa) 상에 직접 배치 될 수 있다. "직접 배치된다"는 것은 별도의 접착 부재를 이용하여 부착하는 것을 제외하며 연속 공정에 의해 형성된 것을 의미한다.

베이스층(BSa)은 버퍼층일 수 있다. 버퍼층은 무기층 또는 유기층일 수 있다. 무기층은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드 또는 알루미늄옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 유기층은 고분자, 예를 들어 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 이에 제한되는 것은 아니다. 도 3에서는 베이스층(BSa)이 별개의 구성인 것으로 설명하였으나, 베이스층(BSa)은 박막 봉지층(ECL)에 포함되는 구성일 수 있다.

도 2 및 도 3 각각에서 전자 장치들(EA, EA1) 각각은 표시 패널(DP)을 포함함으로써, 외부에서 인가되는 터치를 감지하는 것과 동시에 외부에 영상을 제공할 수 있다. 이 경우에는, 사용자의 입력을 감지하고 이에 응답하여 정보를 제공할 수 있는 전자 장치를 제공할 수 있다. 하지만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 전자 장치들은 표시 패널(DP)을 포함하지 않을 수 있다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 개략적인 블록도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 개략적인 평면도이다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 센싱부(SU)는 터치 센서부(TSU) 및 압력 센서부(PSU)를 포함할 수 있다. 터치 센서부(TSU)는 외부에서 인가된 터치의 위치를 감지할 수 있고, 압력 센서부(PSU)는 외부에서 인가된 터치의 강도를 감지할 수 있다.

터치 센서부(TSU)는 터치의 위치 정보를 포함하는 제1 센싱 신호(Tsg)를 구동 회로(미도시)로 출력하고, 압력 센서부(PSU)는 터치의 강도 정보를 포함하는 제2 센싱 신호(Psg)를 상기 구동 회로로 출력할 수 있다.

터치 센서부(TSU) 및 압력 센서부(PSU) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장하며, 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 터치 센서부(TSU)와 압력 센서부(PSU)는 서로 번갈아가며 교대로 배치될 수 있다. 터치 센서부(TSU)와 압력 센서부(PSU)가 서로 분리되어 있기 때문에, 터치 센서부(TSU) 및 압력 센서부(PSU) 각각의 센싱 감도가 향상될 수 있다. 도 5에서는 센싱부(SU)가 두 개의 터치 센서부(TSU)와 압력 센서부(PSU)를 포함하는 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 전자 장치의 크기 또는 요구되는 해상도에 따라 터치 센서부(TSU) 및 압력 센서부(PSU)의 개수는 증가하거나 감소될 수 있다.

터치 센서부(TSU) 및 압력 센서부(PSU) 각각은 터치를 실질적으로 감지하는 구성으로 복수의 센싱 패턴들(SPa, SPb)을 포함할 수 있다. 이하에서, 터치 센서부(TSU)의 센싱 패턴을 터치 센싱 패턴(SPa), 압력 센서부(PSU)의 센싱 패턴을 압력 센싱 패턴(SPb)이라 한다. 센싱부(SU)는 터치 센싱 패턴(SPa)을 통해 터치의 위치를 감지할 수 있고, 압력 센싱 패턴(SPb)을 통해 터치의 강도를 감지할 수 있다.

센싱부(SU) 아래에서 표시되는 이미지 등이 사용자에게 시인될 수 있어야 하기 때문에, 터치 센싱 패턴(SPa) 및 압력 센싱 패턴(SPb)의 광학적 투명성이 요구된다. 또한, 앞서 도 1에 도시된 바와 같이 전자 장치(EA, 도 1 참조)가 플렉서블한 성질을 갖기 때문에 반복되는 형태 변형에도 파괴되지 않는 유연성도 요구된다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 패턴을 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 6을 참조하면, 터치 센싱 패턴(SPa)을 구성하는 하나의 패턴층의 개략적인 단면을 도시하였다. 압력 센싱 패턴(SPb)도 터치 센싱 패턴(SPa)과 동일한 층들을 포함할 수 있다. 따라서, 압력 센싱 패턴(SPb)이 포함하는 층에 대한 설명은 생략된다.

터치 센싱 패턴(SPa)은 투명 전극층(ITO), 금속층(MTL) 및 수지층(EPL)을 포함할 수 있다.

투명 전극층(ITO)은 투명한 전도성 산화물(transparent conductive oxide)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 투명 전극층(ITO)은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다. 하지만, 투명 전극층(ITO)을 구성하는 물질이 이에 제한되는 것은 아니고, 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 갈륨 산화물(IGO), 인듐 아연 갈륨 산화물(IGZO), 및 이들의 혼합물/화합물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수도 있다.

금속층(MTL)은 투명 전극층(ITO) 위에 직접 배치될 수 있다. 금속층(MTL)은 터치 센싱 패턴(SPa)의 전도성을 향상시킬 수 있다. 금속층(MTL)은 투명 전극층(ITO) 위에 증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 금속층(MTL)은 구리를 포함할 수 있다. 하지만, 금속층(MTL)을 구성하는 물질이 이에 제한되는 것은 아니고, 금 및 은 중 적어도 어느 하나를 포함할 수도 있다.

수지층(EPL)은 금속층(MTL) 위에 직접 배치될 수 있다. 수지층(EPL)은 터치 센싱 패턴(SPa)의 투명성을 향상시키고, 스트레스에 대한 금속층(MTL)의 크랙을 방지하는 역할을 할 수 있다. 수지층(EPL)은 금속층(MTL) 위에 스핀 코팅 공정을 통해 형성될 수 있다. 수지층(EPL)은 에폭시계 수지를 포함할 수 있다. 하지만, 수지층(EPL)을 구성하는 물질이 이에 제한되는 것은 아니고, 투명 폴리머 물질로 대체될 수 있다. 투명 폴리머 물질의 예로는 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate, PMMA)가 있을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

투명 전극층(ITO)은 제1 두께(Tit)를 갖고 금속층(MTL)은 제2 두께(Tmt)를 갖고, 수지층(EPL)은 제3 두께(Tep)를 가질 수 있다. 금속층(MTL)의 제2 두께(Tmt)는 투명 전극층(ITO)의 제1 두께(Tit) 및 수지층(EPL)의 제3 두께(Tep)보다 작을 수 있다.

금속층(MTL)의 제2 두께(Tmt)는 전기 전도도와 광학적 투명성을 고려하여 설정될 수 있다. 예를 들어, 금속층(MTL)이 구리를 포함할 때, 9nm의 두께를 갖는 금속층(MTL)은 600nm의 파장에 대해 80%의 투명도 및 17 Ω의 저항을 가질 수 있고, 5nm의 두께를 갖는 금속층(MTL)은 600nm의 파장에 대해 92%의 투명도 및 78 Ω의 저항을 가질 수 있다. 금속층(MTL)의 제2 두께(Tmt)는 5nm 내지 9nm의 범위에서 선택될 수 있다.

수지층(EPL)은 제3 두께(Tep)는 금속층(MTL)의 제2 두께(Tmt)를 설정한 후 선택될 수 있다. 구체적으로, 적층된 금속층(MTL)과 수지층(EPL)을, 가시광 스펙트럼 범위에서의 투과율을 수지층(EPL)의 두께에 따라 측정하고, 최대 투과율을 갖는 두께를 수지층(EPL)의 제3 두께(Tep)로 설정할 수 있다. 예를 들어, 수지층(EPL)의 제3 두께(Tep)는 70nm일 수 있다.

도 7은 광의 입사각에 따른 투명도를 도시한 그래프이다.

도 7을 참조하면, 제1 그래프(GL1) 및 제2 그래프(GL2)는 본 발명의 비교예에 따른 그래프이고, 제3 그래프(GL3)는 본 발명의 실시예에 따른 그래프이다. 구체적으로, 제1 그래프(GL1)는 투명 전극층 및 투명 전극층 위에 배치된 금속층을 포함하는 제1 비교 센싱 패턴의 광의 입사각에 따른 투명도를 도시한 그래프이고, 제2 그래프(GL2)는 제1 투명 전극층, 제1 투명 전극층 위에 배치된 금속층, 및 금속층 위에 배치된 제2 투명 전극층을 포함하는 제2 비교 센싱 패턴의 광의 입사각에 따른 투명도를 도시한 그래프이다. 제3 그래프(GL3)는 도 6에 도시된 센싱 패턴의 광의 입사각에 따른 투명도를 도시한 그래프이다.

제1 내지 제3 그래프(GL1, GL2, GL3)는 7nm 두께의 구리 금속층을 갖는 제1 비교 센싱 패턴, 제2 비교 센싱 패턴 및 센싱 패턴들 각각에 600nm의 파장을 갖는 광을 조사하였을 때의 투명도를 측정한 것이다.

제1 내지 제3 그래프(GL1, GL2, GL3)를 참조하면, 제2 비교 센싱 패턴 및 본 발명의 실시예에 따른 센싱 패턴의 투명도가 제1 비교 센싱 패턴의 투명도보다 높은 것을 확인할 수 있다.

제1 비교 센싱 패턴의 경우 최상층이 금속층이기 때문에 광의 반사율이 증가하여, 투명도가 감소할 수 있다. 하지만, 제2 비교 센싱 패턴 및 본 발명의 실시예에 따른 센싱 패턴은 최상부에 배치된 제2 투명 전극층과 수지층 각각에 의해 반사파의 간섭이 발생하고 투명도가 제1 비교 센싱 패턴보다 높을 수 있다.

도 8은 곡률 변화에 대한 저항 변화를 도시한 그래프이다.

도 8을 참조하면, 제1 그래프(GL1a)는 제1 투명 전극층, 제1 투명 전극층 위에 배치된 금속층, 및 금속층 위에 배치된 제2 투명 전극층을 포함하는 비교 센싱 패턴의 곡률 변화에 대한 저항 변화를 도시한 그래프이고, 제2 그래프(GL2a)는 도 6에 도시된 센싱 패턴의 곡률 변화에 대한 저항 변화를 도시한 그래프이다.

제1 그래프(GL1a)와 제2 그래프(GL2a)를 보면 대략 1.4(1/Radius)이하의 곡률에서의 저항은 본 발명의 실시예에 따른 센싱 패턴이 비교 센싱 패턴보다 크다. 하지만, 곡률이 점점 커짐에 따라 저항의 증가량은 비교 센싱 패턴이 본 발명의 실시예에 따른 센싱 패턴보다 크다.

비교 센싱 패턴의 경우, 곡률을 증가시킴에 따라 제1 투명 전극층 및 제2 투명 전극층에 크랙이 발생하고, 그에 따라 저항의 증가 및 전기 전도도의 감소의 결과를 가져올 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예에 따른 센싱 패턴은 최상층의 수지층이 투명 전극층의 크랙을 방지하는 역할을 한다. 따라서, 반복되는 굽힘 실험에 의해 투명 전극층에 미세한 균열이 발생하더라도 그 정도가 비교 센싱 패턴보다 작아 저항의 증가가 작은 것을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 센싱 패턴이 투명 전극층, 금속층 및 수지층의 적층 구조를 가짐에 따라 투명도 및 유연성이 증가할 수 있다.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 개략적인 평면도이고, 도 10은 도 9의 I-I'를 따라 자른 단면도이고, 도 11은 도 10에 터치가 가해졌을 때를 도시한 단면도이다.

도 9, 도 10 및 도 11을 참조하면, 센싱부(SU, 도 4 참조)는 터치 센서부(TSU) 및 압력 센서부(PSU)를 포함할 수 있다. 터치 센서부(TSU) 및 압력 센서부(PSU)는 제2 방향(DR2)으로 서로 번갈아 교대로 배치될 수 있다.

터치 센서부(TSU)는 베이스층(BS) 위에 배치된 다이오드(DO), 다이오드(DO) 위에 배치된 터치 센싱 패턴(SPt)을 포함할 수 있다. 터치 센싱 패턴(SPt)은 제1 센싱 패턴(SP1), 제1 플로팅 센싱 패턴(SPD1), 및 제1 센싱 패턴(SP1)과 제1 플로팅 센싱 패턴(SPD1) 위에 배치된 제2 센싱 패턴(SP2)을 포함할 수 있다. 제2 센싱 패턴(SP2)은 제2 플로팅 센싱 패턴(FSP) 및 연결 센싱 패턴(CSP)을 포함할 수 있다.

도 9를 참조하면, 제1 센싱 패턴(SP1)은 제1 방향(DR1)을 따라 구불구불한 형상으로 연장되고, 제2 센싱 패턴(SP2)은 제2 방향(DR2)을 따라 구불구불한 형상으로 연장된다. 제1 센싱 패턴(SP1) 및 제2 센싱 패턴(SP2)이 구불구불한 형상을 갖기 때문에 전자 장치가 스트레치되거나 휘어졌을 때, 제1 센싱 패턴(SP1)에 가해지는 스트레스가 완화될 수 있다.

도 10을 참조하면, 제1 센싱 패턴(SP1)은 제1 투명 전극층(ITO1), 제1 금속층(MTL1) 및 제1 수지층(EPL1)을 포함하고, 제2 센싱 패턴(SP2), 즉 제2 플로팅 센싱 패턴(FSP) 및 연결 센싱 패턴(CSP) 각각은 제2 투명 전극층(ITO2), 제2 금속층(MTL2) 및 제2 수지층(EPL2)을 포함할 수 있다.

제1 플로팅 센싱 패턴(SPD1)은 다이오드(DO) 및 제2 센싱 패턴(SP2)의 연결 센싱 패턴(CSP)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 센싱 패턴(SP1)과 제2 센싱 패턴(SP2)이 전기적으로 연결되는 영역의 제1 수지층(EPL1)의 일부는 생략될 수 있다. 제2 플로팅 센싱 패턴(FSP)은 제1 플로팅 센싱 패턴(SPD1) 및 연결 센싱 패턴(CSP)과 물리적으로 분리되어 있을 수 있다.

제2 센싱 패턴(SP2)의 도전성 물체가 접촉되는 영역에는 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 또한, 개구부(OP)와 인접한 제2 플로팅 센싱 패턴(FSP)의 제1 영역(PA1) 및 연결 센싱 패턴(CSP)의 제2 영역(PA2)과 대응하는 영역에는 제2 수지층(EPL2)의 일부가 생략될 수 있다. 도전성 물체가 접촉되지 않은 상태일 때, 제1 영역(PA1)과 제2 영역(PA2)은 서로 전기적으로 분리될 수 있으면, 제2 플로팅 센싱 패턴(FSP)의 제1 영역(PA1)과 연결 센싱 패턴(CSP)의 제2 영역(PA2) 사이의 저항은 무한대일 수 있다.

도 11을 참조하면, 터치 센서부(TSU)에 도전성 물체(CO)가 접촉된 상태를 도시하였다. 도전성 물체(CO)에 의해 제2 플로팅 센싱 패턴(FSP)의 제1 영역(PA1) 및 연결 센싱 패턴(CSP)의 제2 영역(PA2)이 전기적으로 연결된다. 따라서, 터치 센서부(TSU)는 터치의 위치를 감지할 수 있다.

도 12는 도 9의 II-II'를 따라 자른 단면도이고, 도 13은 도 12에 터치가 가해졌을 때를 도시한 단면도이다.

도 9, 도 12 및 도 13을 참조하면, 압력 센서부(PSU)는 다이오드(DO), 스트레인 게이지(VR), 및 압력 센싱 패턴(SPp)을 포함할 수 있다. 압력 센싱 패턴(SPp)은 제1 센싱 패턴(SP1a), 및 제1 센싱 패턴(SP1a) 위에 배치된 제2 센싱 패턴(SP2a)를 포함할 수 있다.

앞서 도 10에서 설명한 제1 센싱 패턴(SP1) 및 제2 센싱 패턴(SP2)과 동일하게 제1 센싱 패턴(SP1a)은 제1 방향(DR1)을 따라 구불구불한 형상으로 연장되고, 제2 센싱 패턴(SP2a)은 제2 방향(DR2)을 따라 구불구불한 형상으로 연장될 수 있다.

제1 센싱 패턴(SP1a)은 제1 투명 전극층(ITO1a), 제1 금속층(MTL1a) 및 제1 수지층(EPL1a)을 포함하고, 제2 센싱 패턴(SP2a)은 제2 투명 전극층(ITO2a), 제2 금속층(MTL2a) 및 제2 수지층(EPL2a)을 포함할 수 있다. 제1 센싱 패턴(SP1a)은 스트레인 게이지(VR)와 전기적으로 연결되어, 스트레인 게이지(VR)의 저항값의 변화를 센싱할 수 있다.

도 13에서는 압력 센서부(PSU)에 압력이 가해진 상태를 나타낸다. 스트레인 게이지(VR)는 외력에 의해 변형됨으로써, 저항이 변화된다. 따라서, 압력 센서부(PSU)는 외부에서 인가된 터치의 강도를 감지할 수 있다.

도 14a는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 일부분을 도시한 평면도이고, 도 14b는 도 14a의 III-III'를 따라 자른 단면도이다. 구체적으로, 도 14a는 터치 센서부(TSUa) 부분을 확대 도시한 평면도이다.

도 14a 및 도 14b를 참조하면, 터치 센서부(TSUa)는 제1 센싱 패턴(SP1b) 및 제2 센싱 패턴(SP2b)을 포함할 수 있다. 터치 센서부(TSUa)는 제1 센싱 패턴(SP1b) 및 제2 센싱 패턴(SP2b) 사이의 정전 용량 커플링을 통해 외부 터치를 감지하는 정전 용량 방식으로 동작할 수 있다. 이 경우, 터치 센서부(TSUa)는 셀프캡(self capacitance) 방식 또는 뮤추얼 캡(mutual capacitance) 방식으로 터치된 지점의 좌표정보를 획득할 수 있다.

제2 센싱 패턴(SP2b)은 센싱 신호를 출력하고, 제1 센싱 패턴(SP1b)은 구동 신호를 수신할 수 있다. 제1 센싱 패턴(SP1b)으로부터 출력되는 센싱 신호를 통해 터치가 인가된 영역을 감지할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 기재한 것이고, 제2 센싱 패턴(SP2b)이 구동 신호를 수신하고 제1 센싱 패턴(SP1b)이 센싱 신호를 출력할 수도 있으며, 다른 전기적 신호들을 추가적으로 수신하거나 출력할 수도 있다.

제1 센싱 패턴(SP1b) 및 제2 센싱 패턴(SP2b) 사이에는 절연층(IL)이 배치될 수 있다. 따라서, 제1 센싱 패턴(SP1b)과 제2 센싱 패턴(SP2b)은 서로 다른 층 상에 배치될 수 있다.

제1 센싱 패턴(SP1b)은 제1 투명 전극층(ITO1b), 제1 금속층(MTL1b) 및 제1 수지층(EPL1b)을 포함하고, 제2 센싱 패턴(SP2b)은 제2 투명 전극층(ITO2b), 제2 금속층(MTL2b) 및 제2 수지층(EPL2b)을 포함할 수 있다. 제1 투명 전극층(ITO1b) 및 제2 투명 전극층(ITO2b)은 인듐주석 산화물(ITO)을 포함하고, 제1 금속층(MTL1b) 및 제2 금속층(MTL2b)은 구리를 포함하고, 제1 수지층(EPL1b) 및 제2 수지층(EPL2b)은 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.

제1 센싱 패턴(SP1b) 및 제2 센싱 패턴(SP2b) 각각이 제1 수지층(EPL1b) 및 제2 수지층(EPL2b)을 포함함에 따라 제1 센싱 패턴(SP1b) 및 제2 센싱 패턴(SP2b) 의 투명성이 향상되어 외부에서 제1 센싱 패턴(SP1b) 및 제2 센싱 패턴(SP2b)이 시인될 가능성이 감소되고, 제1 센싱 패턴(SP1b) 및 제2 센싱 패턴(SP2b)의 유연성이 향상되어 제1 센싱 패턴(SP1b) 및 제2 센싱 패턴(SP2b)에 크랙이 발생할 확률이 감소될 수 있다.

도 15a는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 일부분을 도시한 평면도이고, 도 15b는 도 15a의 IV-IV'를 따라 자른 단면도이다.

도 15a 및 도 15b를 참조하면, 터치 센서부(TSUb)는 제1 센싱 패턴(SP1c) 및 제2 센싱 패턴(SP2c)을 포함할 수 있다. 제1 센싱 패턴(SP1c), 제2 센싱 패턴(SP2c) 및 제1 센싱 패턴(SP1c)의 제1 연결부(CPC1)는 은 동일한 층 상에 동일한 공정을 통해 생성될 수 있다. 제1 센싱 패턴(SP1c) 및 제2 센싱 패턴(SP2c) 각각은 투명 전극층(ITOc), 금속층(MTLc) 및 수지층(EPLc)을 포함할 수 있다.

제1 센싱 패턴(SP1c)의 제1 연결부(CPC1) 위에는 절연 패턴(ILP)이 배치될 수 있다. 절연 패턴(ILP) 위에는 제2 센싱 패턴(SP2c)을 연결하는 제2 연결부(CPC2)가 배치될 수 있다. 제1 연결부(CPC1)와 제2 연결부(CPC2)는 그 사이에 배치된 절연 패턴(ILP)에 의해 제3 방향(DR3)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 절연 패턴(ILP)은 아일랜드 형태로 제1 연결부(CPC1)와 제2 연결부(CPC2)가 교차하는 영역마다 배치될 수 있다.

제2 연결부(CPC2)는 금속물질, 예컨대, 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 하지만, 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 연결부(CPC1)와 동일한 층 구조를 가질 수도 있다. 제2 연결부(CPC2)가 제2 센싱 패턴(SP2c)과 연결되는 일 영역의 수지층(EPLc)에는 홀이 정의되고, 상기 홀을 통해 제2 연결부(CPC2)와 제2 센싱 패턴(SP2c)이 전기적으로 연결될 수 있다.

도 16a는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱부의 일부분을 도시한 평면도이고, 도 16b는 도 16a의 V-V'를 따라 자른 단면도이다.

도 16a 및 도 16b를 참조하면, 터치 센서부(TSUc)는 제1 센싱 패턴(SP1d) 및 제2 센싱 패턴(SP2d)을 포함할 수 있다. 제1 센싱 패턴(SP1d), 제2 센싱 패턴(SP2d), 및 제1 센싱 패턴(SP1d)의 제1 연결부(CPC1)는 동일한 층 상에 동일한 공정을 통해 생성될 수 있다.

제2 연결부(CPC2a)는 절연층(IL-1)을 사이에 두고, 제1 연결부(CPC1)로부터 제3 방향(DR3)으로 이격되어 배치될 수 있다. 절연층(IL-1)은 제1 센싱 패턴(SP1d), 제2 센싱 패턴(SP2d), 및 제1 센싱 패턴(SP1d)의 제1 연결부(CPC1)를 커버하는 층으로 제공될 수 있다.

제1 센싱 패턴(SP1d) 및 제2 센싱 패턴(SP2d) 각각은 투명 전극층(ITOd), 금속층(MTLd) 및 수지층(EPLd)을 포함할 수 있다.

제2 연결부(CPC2a)는 절연층(IL-1) 및 수지층(EPLd)에 정의된 관통홀들(CH)을 통해 인접하는 제2 센싱 패턴(SP2d) 각각에 접속될 수 있다. 제2 연결부(CPC2a)는 금속물질, 예컨대, 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 하지만, 이에 제한되는 것은 아니고, 제2 연결부(CPC2a)는 제1 연결부(CPC1)와 동일한 층 구조를 가질 수도 있다.

도 16c는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 16a의 V-V'를 따라 자른 부분과 대응하는 부분을 도시한 단면도이다.

도 16c는 도 16b와 비교하였을 때, 제2 연결부(CPC2b)의 위치에 차이가 있다. 제2 연결부(CPC2b)는 절연층(IL-1) 아래에 배치될 수 있다. 제1 센싱 패턴(SP1d), 제2 센싱 패턴(SP2d), 및 제1 센싱 패턴(SP1d)의 제1 연결부는 절연층(IL-1) 위에 배치될 수 있다. 제2 센싱 패턴(SP2d) 중 제2 방향(DR2)으로 서로 인접하는 두 개의 제2 센싱 패턴(SP2d)은 관통홀들(CHa)을 통해 하부의 제2 연결부(CPC2b)에 각각 접속될 수 있다.

또한, 제2 연결부(CPCb)가 제1 센싱 패턴(SP1d)과 동일한 층 구조를 갖는 것을 예시적으로 도시하였다. 즉, 제2 연결부(CPCb)는 투명 전극층(ITOcp), 금속층(MTLcp) 및 수지층(EPLcp)을 포함할 수 있다. 이 경우, 관통홀들(CHa)은 절연층(IL-1) 뿐만 아니라 제2 연결부(CPCb)의 수지층(EPLcp)까지 관통하여 정의될 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

EA: 전자 장치 SU: 센싱부
TSU: 터치 센서부 PSU: 압력 센서부
Spa: 터치 센싱 패턴 SPb: 압력 센싱 패턴
ITO: 투명 전극층 MTL: 금속층
EPL: 수지층

Claims

베이스층; 및
상기 베이스층 위에 배치되어 외부로부터 인가된 터치를 감지하는 센싱부를 포함하고,
상기 센싱부는
터치의 위치를 감지하며, 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 배치된 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 위에 배치된 제1 수지층을 포함하는 터치 센싱 패턴을 포함하는 터치 센서부; 및
터치의 강도를 감지하며, 제2 투명 전극층, 상기 제2 투명 전극층 위에 배치된 제2 금속층, 및 상기 제2 금속층 위에 배치된 제2 수지층을 포함하는 압력 센싱 패턴을 포함하는 압력 센서부를 포함하는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 터치 센서부 및 상기 압력 센서부 각각은 제1 방향으로 연장되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 교대로 배열되는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 투명 전극층 및 상기 제2 투명 전극층 각각은 인듐 주석 산화물을 포함하는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층 각각은 구리를 포함하는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 수지층 및 상기 제2 수지층 각각은 에폭시계 수지를 포함하는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 금속층의 두께는 상기 제1 수지층 및 상기 제1 투명 전극층 각각의 두께보다 얇고,
상기 제2 금속층의 두께는 상기 제2 수지층 및 상기 제2 투명 전극층 각각의 두께보다 얇은 전자 장치.
제6 항에 있어서,
상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층 각각의 두께는 5 나노미터(nm) 내지 9 나노미터(nm)인 전자 장치.
제6 항에 있어서,
상기 제1 수지층 및 상기 제2 수지층 각각의 두께는 70 나노미터(nm)인 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 터치 센싱 패턴은 상기 베이스층 위에 배치된 제1 센싱 패턴, 제1 플로팅 센싱 패턴, 및 상기 제1 센싱 패턴과 상기 제1 플로팅 센싱 패턴 위에 배치된 제2 센싱 패턴을 포함하고, 상기 제1 센싱 패턴, 상기 제1 플로팅 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴 각각은 상기 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 배치된 상기 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 위에 배치된 상기 제1 수지층을 포함하는 전자 장치.
제9 항에 있어서,
상기 제2 센싱 패턴은 연결 센싱 패턴 및 제2 플로팅 센싱 패턴을 포함하고,
상기 연결 센싱 패턴은 상기 제1 플로팅 센싱 패턴과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 플로팅 센싱 패턴은 상기 제1 센싱 패턴 및 상기 연결 센싱 패턴과 물리적으로 분리된 전자 장치.
제10 항에 있어서,
상기 제2 플로팅 센싱 패턴의 제1 영역과 상기 제1 영역과 인접한 상기 연결 센싱 패턴의 제2 영역에는 상기 제1 수지층이 생략되어 상기 제1 금속층이 노출되고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 노출된 상기 제1 금속층에 도전성 물체가 접촉되면, 상기 제2 플로팅 센싱 패턴과 상기 연결 센싱 패턴이 전기적으로 연결되는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 압력 센싱 패턴은 상기 베이스층 위에 배치된 스트레인 게이지, 상기 스트레인 게이지의 일단 및 상기 스트레인 게이지의 타단에 전기적으로 연결된 센싱 패턴을 포함하고, 상기 센싱 패턴은 상기 제2 투명 전극층, 상기 제2 투명 전극층 위에 배치된 상기 제2 금속층, 및 상기 제2 금속층 위에 배치된 상기 제2 수지층을 포함하는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 터치 센싱 패턴은 제1 센싱 패턴 및 제2 센싱 패턴을 포함하고, 상기 터치 센서부는 상기 제1 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴 사이의 정전 용량 커플링을 통해 터치를 감지하는 전자 장치.
제13 항에 있어서,
상기 제1 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴 사이에 배치된 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴 각각은 상기 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 배치된 상기 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 위에 배치된 상기 제1 수지층을 포함하는 전자 장치.
제13 항에 있어서,
상기 제1 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴은 동일 층 상에 배치되고, 상기 제1 센싱 패턴 및 상기 제2 센싱 패턴 각각은 상기 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 배치된 상기 제1 금속층, 및 상기 제1 금속층 위에 배치된 상기 제1 수지층을 포함하는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 베이스층 아래에 배치되어 영상을 표시하는 표시 패널을 더 포함하는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 베이스층은 플렉서블한 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 터치 센싱 패턴 및 상기 압력 센싱 패턴 각각은 소정의 방향으로 연장하는 가상의 선을 기준으로 구불구불하게 상기 소정의 방향을 따라 연장하는 형상을 갖는 전자 장치.
플렉서블한 베이스층;
상기 베이스층 위에 배치된 제1 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 위에 직접 배치된 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 위에 직접 배치된 제1 수지층을 포함하는 제1 센싱 패턴들;
상기 제1 센싱 패턴들을 커버하는 절연층; 및
상기 절연층 위에 배치된 제2 투명 전극층, 상기 제2 투명 전극층 위에 직접 배치된 제2 금속층 및 상기 제2 금속층 위에 직접 배치된 제2 수지층을 포함하는 제2 센싱 패턴들을 포함하는 전자 장치.
제19 항에 있어서,
상기 제1 센싱 패턴들 및 상기 제2 센싱 패턴들 각각의 일부는 터치의 위치를 감지하고, 다른 일부는 터치의 강도를 감지하는 전자 장치.