KR102315293B1 - Dry type polishing apparatus - Google Patents

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고이치 오히노
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명의 과제는, 웨이퍼의 상태를 측정하는 측정기에 대한, 연마 부스러기나 가루 등의 이물질의 부착을 방지하는 것이다.
건식 연마 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 테이블(21)과, 웨이퍼를 연마하는 연마 패드(46)의 중심과 회전축(40)의 중심을 일치시켜 장착되는 스핀들 유닛(43)을 갖는 연마 수단(41)과, 연마 수단과 유지 테이블을 상대적으로 접근 및 이격시키는 방향으로 연마 이송하는 연마 가공 이송 수단을 구비하고, 연마 패드의 중심에 형성된 빈 구멍(47)에는 스핀들 유닛에 형성된 관통 구멍(48)이 연통되며, 관통 구멍의 상단을 막는 커버 부재(62)에 의해 관통 구멍에 연통되는 폐색 공간(63)이 형성되고, 폐색 공간(63)에 설치된 측정기(60, 61)에 의해 관통 구멍을 통하여 웨이퍼(W)의 상태를 측정하는 구성으로 한다.An object of the present invention is to prevent adhesion of foreign substances such as abrasive chips and powder to a measuring instrument for measuring the state of a wafer.
The dry polishing apparatus 1 includes a holding table 21 for holding a wafer W, and a spindle unit 43 mounted so that the center of a polishing pad 46 for polishing the wafer coincides with the center of a rotation shaft 40 . a polishing means 41 having a, and polishing processing transportation means for polishing and feeding in a direction to relatively approach and separate the polishing means and the holding table, and a hollow hole 47 formed in the center of the polishing pad is formed in the spindle unit The through-hole 48 communicates, and an obstructed space 63 communicating with the through-hole is formed by a cover member 62 that blocks the upper end of the through-hole, and the measuring instruments 60 and 61 provided in the obstructed space 63 are It is set as the structure which measures the state of the wafer W through a through-hole by this.

Description

건식 연마 장치{DRY TYPE POLISHING APPARATUS}Dry grinding apparatus {DRY TYPE POLISHING APPARATUS}

본 발명은 건식 환경(dry environment)의 가공실에서 웨이퍼를 연마하는 건식 연마 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a dry polishing apparatus for polishing a wafer in a processing chamber in a dry environment.

연마 가공에서는, 연삭 후의 웨이퍼의 피연삭면에 잔존하는 연삭 왜곡을 연마함으로써 항절 강도를 향상시키고 있다. 종래, 연마 장치로서 연마액을 이용하지 않고 웨이퍼를 연마하는 건식 연마 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 기재된 건식 연마 장치에서는, 연마 가공에서 발생되는 연마 부스러기나 연마 패드의 마모에 의한 가루 등의 미세한 이물질을, 배기(흡기)로 가공실로부터 배출하고, 가공실로부터 배기된 이물질을 적셔서 폐액으로 하여 처리하고 있다. 가공실을 건식 환경으로 한 채로, 이물질을 폐액으로 하고 있기 때문에, 가공실 내에서 이물질이 비산하는 일이 없어, 연마 장치가 설치되어 있는 클린룸(clean room)이 오염되는 일이 없다.In the grinding|polishing process, the bending strength is improved by grinding|polishing the grinding distortion remaining on the to-be-ground surface of the wafer after grinding. DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, the dry grinding|polishing apparatus which grinds a wafer without using a grinding|polishing liquid as a grinding|polishing apparatus is known (for example, refer patent document 1). In the dry polishing apparatus described in Patent Document 1, fine foreign substances such as abrasive debris generated in the polishing process and powder due to abrasion of the polishing pad are discharged from the processing chamber by exhaust (intake), and the foreign substances exhausted from the processing chamber are wetted. It is treated as waste. Since the foreign substances are used as waste liquid while the processing chamber is in a dry environment, the foreign substances do not scatter in the processing chamber and the clean room in which the polishing apparatus is installed is not contaminated.

또한, 건식 연마 장치에서는, 웨이퍼의 외경보다 큰 직경의 연마 패드를 이용하여 웨이퍼를 연마하는 것도 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 특허문헌 2에 기재된 건식 연마 장치는, 연마 패드의 중심과 웨이퍼의 중심을 어긋나게 한 상태로 연마 패드를 웨이퍼에 접촉시킴으로써, 보다 효율적으로 연마 패드에 의해 웨이퍼를 연마하는 것이 가능하게 되어 있다. 이들 특허문헌 1, 2에 기재된 건식 연마 장치에 있어서는, 웨이퍼 연마 시의 마찰열에 의한 면 소성 방지를 위해 연마 중인 웨이퍼의 표면 온도의 측정이나, 보다 높은 정밀도의 연마 가공을 위해 연마 중인 웨이퍼의 두께 측정이 필요하게 된다.Moreover, it is also known that a wafer is polished using a polishing pad having a diameter larger than the outer diameter of the wafer in a dry polishing apparatus (for example, refer to Patent Document 2). In the dry polishing apparatus described in Patent Document 2, by bringing the polishing pad into contact with the wafer in a state where the center of the polishing pad and the center of the wafer are shifted, it is possible to polish the wafer more efficiently with the polishing pad. In the dry polishing apparatus described in these Patent Documents 1 and 2, the surface temperature of the wafer being polished is measured to prevent surface firing due to frictional heat during wafer polishing, and the thickness of the wafer being polished is measured for higher precision polishing. this will be needed

특허문헌 1: 일본 특허 제4464113호 공보Patent Document 1: Japanese Patent No. 4464113 특허문헌 2: 일본 특허 제4754870호 공보Patent Document 2: Japanese Patent No. 4754870

그런데, 특허문헌 2의 건식 연마 장치에서는, 반도체 웨이퍼의 전체면이 연마 패드에 의해 덮여져 있기 때문에, 전술한 바와 같은 웨이퍼의 온도 측정용 측정기나 웨이퍼 두께 측정용 측정기를 설치할 장소가 없다. 이 경우, 연마 패드의 중심에 빈 구멍을 형성하고, 이 빈 구멍에 연속하는 관통 구멍을 스핀들 유닛에 형성하여, 스핀들 유닛의 상방으로부터 관통 구멍을 통하여 웨이퍼의 상태를 측정하는 구성이 고려된다. 그러나, 연마 패드의 빈 구멍에 미세한 이물질이 들어가면, 스핀들 유닛의 관통 구멍을 통하여 이물질이 측정기에 부착되어, 측정기를 오염시켜 버린다는 문제가 있었다.By the way, in the dry polishing apparatus of patent document 2, since the whole surface of a semiconductor wafer is covered with a polishing pad, there is no place for installing the measuring instrument for measuring the temperature of a wafer or the measuring instrument for measuring a wafer thickness as described above. In this case, a configuration is considered in which an empty hole is formed in the center of the polishing pad, a through hole continuous to the empty hole is formed in the spindle unit, and the state of the wafer is measured through the through hole from above the spindle unit. However, when a fine foreign material enters the hollow hole of the polishing pad, the foreign material adheres to the measuring instrument through the through hole of the spindle unit, thereby contaminating the measuring instrument.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼의 상태를 측정하는 측정기에, 연마 부스러기나 가루 등의 이물질이 부착되는 것을 방지할 수 있는 건식 연마 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide a dry polishing apparatus capable of preventing foreign substances such as abrasive chips and powder from adhering to a measuring instrument for measuring the state of a wafer.

본 발명의 건식 연마 장치는, 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼를 연마하는 연마 패드의 중심과 회전축의 중심을 일치시켜 장착되는 스핀들 유닛을 갖는 연마 수단과, 상기 연마 수단과 상기 유지 테이블을 상대적으로 접근 및 이격시키는 방향으로 연마 이송하는 연마 가공 이송 수단을 구비하는 건식 연마 장치로서, 상기 연마 수단은, 상기 연마 패드의 중심을 중심으로 한 원기둥형의 빈 구멍과, 상기 스핀들 유닛의 상기 회전축 내를 연장 방향으로 관통하여 한쪽 끝이 상기 빈 구멍과 연통하는 관통 구멍과, 상기 관통 구멍의 다른쪽 끝과 연통하는 폐색 공간을 형성하는 커버 부재를 구비하고, 상기 폐색 공간 내에 연마 중인 웨이퍼의 상태를 측정하는 측정기를 설치되고, 상기 연마 패드의 연마면을 웨이퍼의 상면에 접근시키는 방향으로 연마 이송 시에 상기 연마 패드와 웨이퍼 사이에서 압축된 공기가 상기 빈 구멍 및 상기 관통 구멍 내에 진입하는 양을 억제하고, 상기 빈 구멍 및 상기 관통 구멍에 대한 공기의 흐름을 억제하고, 상기 폐색 공간에 설치되는 상기 측정기로 가공 부스러기가 부착되는 것을 방지한다.A dry polishing apparatus according to the present invention includes: polishing means having a holding table for holding a wafer; and a polishing transfer means for grinding and transferring the holding table in a direction relatively approaching and separating the holding table, wherein the polishing means comprises: a cylindrical hollow hole centered on the center of the polishing pad; a through hole penetrating through the inside of the rotation shaft of the spindle unit in an extension direction and communicating with the empty hole at one end; and a cover member forming a closed space communicating with the other end of the through hole; A measuring device for measuring the state of the wafer being polished is installed, and compressed air between the polishing pad and the wafer is transferred to the empty hole and the through hole when the polishing surface of the polishing pad is transferred in a direction to approach the upper surface of the wafer. The amount of entering the inside is suppressed, the flow of air to the empty hole and the through hole is suppressed, and the processing debris is prevented from adhering to the measuring device installed in the closed space.

이 구성에 따르면, 연마 수단의 관통 구멍의 다른쪽 끝이 커버 부재의 폐색 공간에 의해 막힐 수 있기 때문에, 빈 구멍 및 관통 구멍에 대한 공기의 출입이 억제된다. 이 때문에, 관통 구멍에 있어서의 공기의 흐름이 없어지기 때문에, 연마 패드나 웨이퍼에 부착되어 있는 연마 부스러기나 가루 등의 미세한 이물질이 휘말려 올라가도, 빈 구멍 및 관통 구멍 내에 미세한 이물질이 들어가기 어렵게 되어 있다. 관통 구멍의 다른쪽 끝에 연결되는 폐색 공간에 미세한 이물질이 들어가기 어렵기 때문에, 폐색 공간에 설치된 측정기에 이물질이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 상태를 양호하게 측정하면서 건식 연마 장치로 연마할 수 있다.According to this configuration, since the other end of the through hole of the polishing means can be blocked by the obstructed space of the cover member, the entry and exit of air to and from the empty hole and the through hole are suppressed. For this reason, since the flow of air in the through hole is eliminated, even if fine foreign matter such as polishing chips or powder adhering to the polishing pad or wafer is entrained, it is difficult for the fine foreign material to enter the hollow hole and the through hole. Since it is difficult for minute foreign substances to enter the closed space connected to the other end of the through hole, it is possible to prevent the foreign substances from adhering to the measuring device installed in the closed space. Therefore, it is possible to polish the wafer with the dry polishing apparatus while measuring the state of the wafer favorably.

또한, 상기 건식 연마 장치에 있어서, 상기 폐색 공간과 공기를 공급하는 공기 공급원을 연통시키는 공기 공급 수단을 구비하고, 적어도 상기 연마 패드의 연마면을 웨이퍼의 상면에 접근시키는 연마 이송 작동 시에 상기 공기 공급 수단에 의해 공기를 공급하여 상기 폐색 공간을 양압(positive pressure)으로 하고, 상기 빈 구멍 및 상기 관통 구멍에 대한 공기의 흐름을 차단한다.Further, in the dry polishing apparatus, an air supply means for communicating the closed space with an air supply source for supplying air is provided, and at least the air during a polishing transfer operation for bringing the polishing surface of the polishing pad closer to the upper surface of the wafer. Air is supplied by the supply means to bring the closed space to a positive pressure, and to block the flow of air to the empty hole and the through hole.

본 발명에 따르면, 연마 수단의 관통 구멍의 다른쪽 끝이 커버 부재의 폐색 공간에서 막혀, 빈 구멍 및 관통 구멍에 대한 공기의 출입이 억제되기 때문에, 웨이퍼의 상태를 측정하는 측정기에 미세한 이물질이 부착되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, since the other end of the through hole of the polishing means is clogged in the closed space of the cover member, the entry and exit of air into the empty hole and the through hole is suppressed. can be prevented from becoming

도 1은 제1 실시형태에 따른 건식 연마 장치의 사시도이다.
도 2는 이물질에 의해 측정기가 오염되는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 연마 수단의 연마 작동의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는 제2 실시형태에 따른 연마 수단의 연마 작동의 일례를 나타내는 도면이다.1 is a perspective view of a dry polishing apparatus according to a first embodiment.
Fig. 2 is an explanatory view showing a state in which the measuring instrument is contaminated by foreign substances.
3 is a view showing an example of a polishing operation of the polishing means according to the first embodiment.
4 is a view showing an example of a polishing operation of the polishing means according to the second embodiment.

첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태에 따른 건식 연마 장치에 대해서 설명한다. 도 1은 제1 실시형태에 따른 건식 연마 장치의 사시도이다. 도 2는 이물질에 의해 측정기가 오염되는 모습을 나타내는 설명도이다. 또한, 본 실시형태에 따른 건식 연마 장치는, 도 1에 나타내는 바와 같은 연마 전용 장치에 한정되지 않고, 예컨대, 연삭, 연마, 세정 등의 일련의 가공이 전자동으로 실시되는 풀 오토 타입(full auto type)의 가공 장치에 삽입되어도 좋다.With reference to an accompanying drawing, the dry grinding|polishing apparatus which concerns on this embodiment is demonstrated. 1 is a perspective view of a dry polishing apparatus according to a first embodiment. Fig. 2 is an explanatory view showing a state in which the measuring instrument is contaminated by foreign substances. In addition, the dry polishing apparatus according to the present embodiment is not limited to a polishing-only apparatus as shown in FIG. 1 , and for example, a full auto type in which a series of processing such as grinding, polishing, and cleaning is performed automatically. ) may be inserted into the processing device of

도 1에 나타내는 바와 같이, 건식 연마 장치(1)는 연마 수단(41)을 이용하여 연삭 후의 웨이퍼(W)를 연마함으로써, 웨이퍼(W)의 피연삭면[상면(81)]에 잔존하는 연삭 왜곡을 제거하도록 구성되어 있다. 건식 연마 장치(1)는 건식 환경의 가공실(도시하지 않음)에서 연마액을 이용하지 않으면서 웨이퍼(W)를 연마하는 것으로, 연마 부스러기나 연마 패드의 마모에 의한 가루 등의 미세한 이물질을 가공실로부터 흡인 배기하고 있다. 또한, 웨이퍼(W)는 실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 기판이어도 좋고, 사파이어, 탄화규소 등인 경질의 무기 재료 기판이어도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)는 디바이스 형성 후의 반도체 기판이나 무기 재료 기판이어도 좋다.As shown in FIG. 1 , the dry polishing apparatus 1 uses the polishing means 41 to polish the wafer W after grinding, so that the grinding remaining on the ground surface (upper surface 81 ) of the wafer W is performed. It is designed to eliminate distortion. The dry polishing apparatus 1 polishes the wafer W without using a polishing liquid in a processing chamber (not shown) in a dry environment, and processes fine foreign substances such as polishing debris or powder due to abrasion of the polishing pad. It is sucked and exhausted from the thread. Further, the wafer W may be a semiconductor substrate such as silicon or gallium arsenide, or a hard inorganic material substrate such as sapphire or silicon carbide. Further, the wafer W may be a semiconductor substrate or an inorganic material substrate after device formation.

건식 연마 장치(1)의 베이스(11)의 상면에는 X축 방향으로 연장되는 직사각 형상의 개구가 형성되며, 이 개구는 유지 테이블(21)과 함께 이동 가능한 테이블 커버(12) 및 주름 상자형의 방진 커버(13)에 의해 덮여져 있다. 방진 커버(13)의 하방에는 유지 테이블(21)을 X축 방향으로 이동시키는 이동 수단(24)과, 유지 테이블(21)을 연속 회전시키는 회전 수단(22)이 마련되어 있다. 유지 테이블(21)의 표면에는 다공질의 다공성 재료에 의해 웨이퍼(W)를 흡착하는 유지면(23)이 형성되어 있다. 유지면(23)은 유지 테이블(21) 내의 유로를 통하여 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 유지면(23)에 생기는 부압(negative pressure)에 의해 웨이퍼(W)가 흡인 유지된다.A rectangular opening extending in the X-axis direction is formed on the upper surface of the base 11 of the dry polishing apparatus 1, and this opening includes a table cover 12 movable together with the holding table 21 and a corrugated box-shaped opening. It is covered with a dustproof cover 13 . Below the dustproof cover 13, the moving means 24 which moves the holding table 21 in the X-axis direction, and the rotating means 22 which continuously rotates the holding table 21 are provided. A holding surface 23 for adsorbing the wafer W is formed on the surface of the holding table 21 by a porous porous material. The holding surface 23 is connected to a suction source (not shown) through a flow path in the holding table 21 , and the wafer W is sucked and held by a negative pressure generated on the holding surface 23 .

이동 수단(24)은, 베이스(11) 상에 배치되어 X축 방향으로 평행한 한쌍의 가이드 레일(51)과, 한쌍의 가이드 레일(51)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동식 X축 테이블(52)을 구비하고 있다. X축 테이블(52)의 배면측에는, 너트부(도시하지 않음)가 형성되고, 이 너트부에 볼 나사(53)가 나사 결합되어 있다. 그리고, 볼 나사(53)의 일단부에 연결된 구동 모터(54)가 회전 구동됨으로써, 유지 테이블(21)이 한쌍의 가이드 레일(51)을 따라 X축 방향으로 움직이게 된다. 회전 수단(22)은 X축 테이블(52) 상에 마련되어 있고, Z축을 중심으로 유지 테이블(21)을 회전 가능하게 지지하고 있다.The moving means 24 includes a pair of guide rails 51 disposed on the base 11 and parallel to the X-axis direction, and a motor-driven X-axis table 52 slidably installed on the pair of guide rails 51 . ) is provided. A nut part (not shown) is formed on the back side of the X-axis table 52, and the ball screw 53 is screwed into this nut part. Then, as the driving motor 54 connected to one end of the ball screw 53 is rotationally driven, the holding table 21 moves along the pair of guide rails 51 in the X-axis direction. The rotation means 22 is provided on the X-axis table 52, and supports the holding table 21 rotatably about a Z-axis.

베이스(11) 상의 칼럼(14)에는 연마 수단(41)과 유지 테이블(21)을 상대적으로 접근 및 이격시키는, Z축 방향으로 연마 이송하는 연마 가공 이송 수단(31)이 마련되어 있다. 연마 가공 이송 수단(31)은 칼럼(14)에 배치된, Z축 방향으로 평행한 한쌍의 가이드 레일(32)과, 한쌍의 가이드 레일(32)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동식 Z축 테이블(33)을 구비하고 있다. Z축 테이블(33)의 배면측에는 너트부(도시하지 않음)가 형성되고, 이 너트부에 볼 나사(34)가 나사 결합되어 있다. 볼 나사(34)의 일단부에 연결된 구동 모터(35)에 의해 볼 나사(34)가 회전 구동됨으로써, 연마 수단(41)이 가이드 레일(32)을 따라 연마 이송된다.The column 14 on the base 11 is provided with abrasive transfer means 31 for abrasive transfer in the Z-axis direction, which relatively approaches and separates the grinding means 41 and the holding table 21 . The abrasive processing transport means 31 includes a pair of guide rails 32 parallel to the Z-axis direction arranged on the column 14, and a motor-driven Z-axis table slidably installed on the pair of guide rails 32 ( 33) are provided. A nut portion (not shown) is formed on the back side of the Z-axis table 33, and a ball screw 34 is screwed into the nut portion. The ball screw 34 is rotationally driven by the drive motor 35 connected to one end of the ball screw 34 , so that the polishing means 41 is polished and transported along the guide rail 32 .

연마 수단(41)은 하우징(42)을 통해 Z축 테이블(33)의 전방면에 부착되어 있고, 스핀들 유닛(43)의 하부에 연마 패드(46)가 마련되도록 구성되어 있다. 스핀들 유닛(43)에는 플랜지(45)가 마련되고, 플랜지(45)를 통해 하우징(42)에 연마 수단(41)이 지지된다. 스핀들 유닛(43)의 하부는 마운트(44)로 되어 있고, 마운트(44)의 하면에는, 유지 테이블(21)에 유지되는 웨이퍼(W)를 연마하는 연마 패드(46)가 장착되어 있다. 연마 패드(46)는 발포재나 섬유질 등으로 형성되어 있고, 연마 패드(46)의 중심과 회전축의 중심이 일치하게 되도록 연마 수단(41)의 스핀들 유닛(43)에 장착되어 있다.The polishing means 41 is attached to the front surface of the Z-axis table 33 through the housing 42 , and is configured such that a polishing pad 46 is provided under the spindle unit 43 . The spindle unit 43 is provided with a flange 45 , and the grinding means 41 is supported on the housing 42 through the flange 45 . A lower portion of the spindle unit 43 is a mount 44 , and a polishing pad 46 for polishing the wafer W held on the holding table 21 is mounted on the lower surface of the mount 44 . The polishing pad 46 is made of a foam material or fiber, and is mounted on the spindle unit 43 of the polishing means 41 so that the center of the polishing pad 46 coincides with the center of the rotation axis.

건식 연마 장치(1)에는, 장치 각 부분을 통괄 제어하는 제어부(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 제어부는, 각종 처리를 실행하는 프로세서나 메모리 등에 의해 구성된다. 메모리는 용도에 따라 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등인 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성된다. 이와 같이 구성된 건식 연마 장치(1)에서는, 스핀들 유닛(43)에 의해 연마 패드(46)가 Z축을 중심으로 회전되면서 유지 테이블(21)에 접근된다. 그리고, 연마 패드(46)가 웨이퍼(W)에 회전 접촉함으로써, 웨이퍼(W)의 피연삭면이 연마된다.The dry polishing apparatus 1 is provided with a control unit (not shown) that collectively controls each part of the apparatus. The control unit is constituted by a processor, a memory, or the like that executes various processes. The memory is composed of one or a plurality of storage media, such as ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory), etc. depending on the purpose. In the dry polishing apparatus 1 configured as described above, the polishing pad 46 is rotated about the Z axis by the spindle unit 43 to approach the holding table 21 . Then, when the polishing pad 46 is in rotational contact with the wafer W, the surface to be ground of the wafer W is polished.

또한, 건식 연마 장치(1)의 연마 중에는, 마찰열에 의한 면 소성 방지를 위해 온도 측정을 위해 또는 높은 정밀도의 연마 가공을 위해 웨이퍼(W)의 두께 측정이 실시된다. 그러나, 본 실시형태의 건식 연마 장치(1)와 같이, 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 직경의 연마 패드(46)를 이용하여, 웨이퍼(W)가 연마 패드(46)에 의해 덮여져 있는 상태에서는, 온도 측정이나 두께 측정에 이용하는 측정기의 설치 공간이 없다. 이 때문에, 도 2의 (a)의 비교예에 나타내는 바와 같이, 연마 패드(46)의 중심에 빈 구멍(47)을 형성하고, 이 빈 구멍(47)에 연속하는 관통 구멍(48)을 스핀들 유닛(43)에 형성하여, 스핀들 유닛(43)의 상방으로부터 관통 구멍(48)을 통하여 측정 가능하도록 측정기(60, 61)를 설치하는 구성이 고려된다.Further, during the polishing of the dry polishing apparatus 1, the thickness of the wafer W is measured for temperature measurement to prevent surface firing due to frictional heat or for high-precision polishing processing. However, like the dry polishing apparatus 1 of the present embodiment, the wafer W is covered by the polishing pad 46 using the polishing pad 46 having a larger diameter than the outer diameter of the wafer W. , there is no installation space for measuring instruments used for temperature measurement or thickness measurement. For this reason, as shown in the comparative example of FIG. A configuration in which the measuring instruments 60 and 61 are provided in the unit 43 so as to be able to measure through the through hole 48 from above the spindle unit 43 is considered.

그러나, 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 스핀들 유닛(43)의 관통 구멍(48)의 바로 위에 측정기(60, 61)가 존재하기 때문에, 연마 가공에서 발생되는 연마 부스러기나 연마 패드(46)의 마모에 의한 가루 등의 미세한 이물질(70)이 측정기(60, 61)에 부착되어, 측정 정밀도를 열화시킨다고 하는 문제가 발생된다. 여기서, 본원 발명자는 측정기(60, 61)가 이물질(70)에 의해 오염되는 모습을 상세하게 관찰한 바, 웨이퍼(W)의 연마 중보다 연마 작동의 개시 시에 연마 수단(41)이 웨이퍼(W)에 가까워졌을 때의 기세로, 이물질(70)이 휘말려 올라가 관통 구멍(48)을 통하여 측정기(60, 61)에 부착되는 것을 확인하였다.However, as shown in Fig. 2(b), since the measuring instruments 60 and 61 are located directly above the through-hole 48 of the spindle unit 43, abrasive chips generated in the polishing process and the polishing pad 46 ), a fine foreign material 70 such as powder adheres to the measuring instruments 60 and 61 due to abrasion of ), and a problem occurs that the measurement accuracy is deteriorated. Here, the inventor of the present application observed in detail the state in which the measuring instruments 60 and 61 are contaminated by the foreign material 70, and the polishing means 41 at the start of the polishing operation rather than during the polishing of the wafer W, the wafer ( It was confirmed that, with the force when approaching W), the foreign material 70 was caught up and attached to the measuring instruments 60 and 61 through the through hole 48 .

이것은, 연마 패드(46)가 웨이퍼(W)에 가까워졌을 때에, 연마 패드(46)의 연마면(49)과 웨이퍼(W)의 상면(81)의 간극에서의 공기가 압축되어 빈 구멍(47)을 통해 관통 구멍(48)에 들어가, 관통 구멍(48)의 상단(다른쪽 끝)으로부터 분출되는 공기의 흐름이 생기기 때문이라고 생각된다. 그래서, 본 실시형태에서는, 이러한 공기의 흐름을 차단하도록 관통 구멍(48)의 상단을 커버 부재(62)(도 3 참조)로 막도록 하고 있다. 그리고, 관통 구멍(48)의 상단에 연속하는 폐색 공간(63)을 커버 부재(62)에 마련하고, 이 폐색 공간(63) 내에 측정기(60, 61)를 설치함으로써, 관통 구멍(48)에 있어서의 공기의 흐름을 없애고 측정기(60, 61)에 대한 이물질(70)의 부착을 억제하고 있다.This is because when the polishing pad 46 approaches the wafer W, the air in the gap between the polishing surface 49 of the polishing pad 46 and the upper surface 81 of the wafer W is compressed to form the hollow hole 47 ) through the through hole 48 and is considered to be because the flow of air blown out from the upper end (the other end) of the through hole 48 occurs. Then, in this embodiment, the upper end of the through-hole 48 is blocked with the cover member 62 (refer FIG. 3) so that such a flow of air may be interrupted|blocked. Then, a closed space 63 continuous to the upper end of the through hole 48 is provided in the cover member 62 , and the measuring instruments 60 , 61 are installed in the closed space 63 , so that the through hole 48 is The flow of air in the air is eliminated and adhesion of the foreign material 70 to the measuring instruments 60 and 61 is suppressed.

이하, 도 3을 참조하여, 연마 수단의 구성 및 연마 작동에 대해서 상세하게 설명한다. 도 3은 제1 실시형태에 따른 연마 수단의 연마 작동의 일례를 나타내는 도면이다. 또한, 이하의 설명에서는, 설명의 편의 상, 스핀들 유닛의 스핀들 케이스를 생략하고, 회전축이 노출된 상태를 예시하여 설명한다.Hereinafter, with reference to FIG. 3, the structure of a grinding|polishing means and a grinding|polishing operation are demonstrated in detail. 3 is a view showing an example of a polishing operation of the polishing means according to the first embodiment. In addition, in the following description, for convenience of description, the spindle case of the spindle unit is omitted, and a state in which the rotation shaft is exposed is illustrated and described.

도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 스핀들 유닛(43) 내의 회전축(40)의 하부에는 마운트(44)가 마련되어 있고, 마운트(44)에는 유지 테이블(21) 상의 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 직경의 연마 패드(46)가 장착되어 있다. 연마 패드(46)의 중심에는 빈 구멍(47)이 개구되어 있고, 스핀들 유닛(43)의 회전축(40)의 중심에는 관통 구멍(48)이 연장 방향(상하 방향)으로 관통하고 있다. 관통 구멍(48)의 한쪽 끝(하단)은 연마 패드(46)의 빈 구멍(47)에 연통하고 있다. 즉, 연마 수단(41)은 연마 패드(46)의 중심을 중심으로 한 원기둥형의 빈 구멍(47)과, 회전축(40) 내를 연장 방향으로 관통하는 관통 구멍(48)을 구비하고 있다.As shown in FIG. 3A , a mount 44 is provided at a lower portion of the rotation shaft 40 in the spindle unit 43 , and the mount 44 has a smaller diameter than the outer diameter of the wafer W on the holding table 21 . A large diameter polishing pad 46 is mounted. An empty hole 47 is opened in the center of the polishing pad 46 , and a through hole 48 passes through the center of the rotation shaft 40 of the spindle unit 43 in the extending direction (up and down direction). One end (lower end) of the through hole 48 communicates with the hollow hole 47 of the polishing pad 46 . That is, the polishing means 41 is provided with a cylindrical hollow hole 47 centered on the center of the polishing pad 46 , and a through hole 48 penetrating the inside of the rotation shaft 40 in the extension direction.

또한, 연마 수단(41)은 관통 구멍(48)의 다른쪽 끝(상단)을 막아, 관통 구멍(48) 내의 공기의 흐름을 억제하는 커버 부재(62)를 구비하고 있다. 커버 부재(62)에는, 관통 구멍(48)의 다른쪽 끝에 연통하는 폐색 공간(63)이 형성되어 있고, 폐색 공간(63) 내에 연마 중인 웨이퍼(W)의 상태를 측정하는 측정기(60, 61)가 설치되어 있다. 측정기(60, 61)는 관통 구멍(48)의 바로 위에 설치되어 있고, 관통 구멍(48) 및 빈 구멍(47)을 통해 바로 위로부터 웨이퍼(W)의 상태를 측정한다. 이때, 관통 구멍(48)의 다른쪽 끝이 커버 부재(62)로 막힐 수 있기 때문에, 관통 구멍(48)을 통하여 폐색 공간(63) 내의 측정기(60, 61)를 향하는 공기의 흐름이 억제되고 있다.Further, the polishing means 41 is provided with a cover member 62 that blocks the other end (top) of the through hole 48 and suppresses the flow of air in the through hole 48 . In the cover member 62 , an occluded space 63 communicating with the other end of the through hole 48 is formed, and measuring instruments 60 and 61 for measuring the state of the wafer W being polished in the occluded space 63 . ) is installed. The measuring instruments 60 and 61 are installed directly above the through hole 48 and measure the state of the wafer W from directly above through the through hole 48 and the empty hole 47 . At this time, since the other end of the through hole 48 may be blocked with the cover member 62, the flow of air toward the measuring instruments 60 and 61 in the obstructed space 63 through the through hole 48 is suppressed and have.

여기서, 연마 중인 웨이퍼(W)의 상태로서는, 전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면 온도, 웨이퍼(W)의 두께 등을 예로 들 수 있다. 측정기(60)는 소위 방사 온도계이며, 비접촉으로 웨이퍼(W)의 표면 온도를 측정한다. 측정기(61)는 간섭 분광기 등의 광 센서이며, 비접촉으로 웨이퍼(W)의 두께를 측정한다. 측정기(60, 61)의 측정 결과로부터, 연마 중인 웨이퍼(W)의 표면 온도나 연마량이 측정되어, 마찰열에 의한 면 소성을 방지하며 웨이퍼(W)를 높은 정밀도로 연마할 수 있다. 이들 측정기(60, 61)의 측정 결과는 연마 중에 제어부(도시하지 않음)에 출력되어, 제어부에 의해 측정 결과에 기초하여 연마 수단(41)의 작동이 제어된다.Here, as the state of the wafer W being polished, as described above, the surface temperature of the wafer W, the thickness of the wafer W, and the like can be exemplified. The measuring device 60 is a so-called radiation thermometer, and measures the surface temperature of the wafer W in a non-contact manner. The measuring device 61 is an optical sensor such as an interference spectrometer, and measures the thickness of the wafer W in a non-contact manner. From the measurement results of the measuring devices 60 and 61, the surface temperature and polishing amount of the wafer W being polished is measured, so that surface firing due to frictional heat can be prevented and the wafer W can be polished with high precision. The measurement results of these measuring devices 60 and 61 are output to a control unit (not shown) during polishing, and the operation of the polishing means 41 is controlled by the control unit based on the measurement results.

이 연마 수단(41)에서는, 유지 테이블(21) 상에 웨이퍼(W)가 배치되면, 유지 테이블(21)의 유지면(23)에 웨이퍼(W)가 유지된다. 유지 테이블(21)이 연마 수단(41)의 하방으로 이동되어, 연마 패드(46)의 바로 아래에 웨이퍼(W)가 위치 부여된다. 이때, 웨이퍼(W)로부터 연마 패드(46)가 충분히 이격되는 대기 위치에 연마 수단(41)이 정지되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 상면(81)과 연마 패드(46)의 연마면(49) 사이나 관통 구멍(48) 내에 공기의 흐름이 발생되지 않는다. 그리고, 연마 수단(41)이 연마 패드(46)를 회전시키면서, 대기 위치로부터 웨이퍼(W)의 상면(81)을 향하여 이동된다.In the polishing means 41 , when the wafer W is placed on the holding table 21 , the wafer W is held on the holding surface 23 of the holding table 21 . The holding table 21 is moved below the polishing means 41 , so that the wafer W is positioned directly under the polishing pad 46 . At this time, since the polishing means 41 is stopped at the standby position where the polishing pad 46 is sufficiently spaced apart from the wafer W, the upper surface 81 of the wafer W and the polishing surface 49 of the polishing pad 46 are ) or in the through hole 48, no air flow occurs. Then, while the polishing means 41 rotates the polishing pad 46 , it is moved from the standby position toward the upper surface 81 of the wafer W .

도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 연마 패드(46)의 연마면(49)이 웨이퍼(W)의 상면(81)에 가까워지면, 연마 패드(46)의 연마면(49)과 웨이퍼(W)의 상면(81)의 간극에서의 공기가 압축된다. 간극 내의 공기가 웨이퍼(W)의 상면(81)을 따라 도피하고자 하지만, 관통 구멍(48)의 다른쪽 끝, 즉 상단이 커버 부재(62)에 막혀 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 직경 방향 내측에는 공기의 도피로가 없어지게 된다. 이 때문에, 간극 내의 공기는 웨이퍼(W)의 직경 방향 외측을 향하여 흘러, 빈 구멍(47) 및 관통 구멍(48) 내에서 공기가 흐르는 것이 방지된다. 관통 구멍(48)을 상방으로 빠져나가는 공기의 도피로가 커버 부재(62)에 의해 차단됨으로써 공기의 흐름이 제어된다.As shown in FIG. 3B , when the polishing surface 49 of the polishing pad 46 approaches the upper surface 81 of the wafer W, the polishing surface 49 of the polishing pad 46 and the wafer ( The air in the gap of the upper surface 81 of W) is compressed. The air in the gap wants to escape along the upper surface 81 of the wafer W, but since the other end, that is, the upper end of the through hole 48, is blocked by the cover member 62, the inside of the wafer W in the radial direction. There is no escape route for air. For this reason, the air in the gap flows outward in the radial direction of the wafer W, and air is prevented from flowing in the hollow hole 47 and the through hole 48 . The air flow is controlled by the cover member 62 blocking the escape path of the air exiting the through hole 48 upward.

이때, 웨이퍼(W)의 직경 방향 외측을 향하여 공기가 흐르기 때문에, 연마 패드(46)나 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 미세한 이물질(70)이 휘감겨 올라가는 것이 방지된다. 만약 휘감겨 올라간 경우라도, 관통 구멍(48) 내에 공기의 흐름이 없기 때문에 관통 구멍(48) 내에 이물질(70)이 들어가기 어렵게 되어 있다. 따라서, 관통 구멍(48)을 통하여 폐색 공간(63)에 이물질(70)이 들어가기 어렵게 되어 있어, 폐색 공간(63)에 설치된 측정기(60, 61)에 대한 이물질(70)의 부착이 방지된다. 이와 같이, 커버 부재(62)에 의해 공기의 흐름을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외측으로 유도함으로써, 간단한 구성으로 측정기(60, 61)에 대한 이물질(70)의 부착을 방지한다.At this time, since air flows outward in the radial direction of the wafer W, it is prevented that the polishing pad 46 or the fine foreign material 70 adhering to the wafer W is wound up. Even if it is wound up, since there is no air flow in the through hole 48 , it is difficult for the foreign material 70 to enter the through hole 48 . Therefore, it is difficult for the foreign material 70 to enter the closed space 63 through the through hole 48 , and the foreign material 70 is prevented from adhering to the measuring instruments 60 , 61 provided in the closed space 63 . In this way, by guiding the flow of air outward in the radial direction of the wafer W by the cover member 62, the attachment of the foreign material 70 to the measuring instruments 60 and 61 is prevented with a simple configuration.

도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 연마 패드(46)의 연마면(49)이 웨이퍼(W)의 상면(81)에 접촉되면, 웨이퍼(W)의 상면(81)이 연마 패드(46)에 의해 연마된다. 이때, 폐색 공간(63) 내의 측정기(60, 61)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 온도나 두께가 실시간으로 측정되고, 측정기(60, 61)의 측정 결과에 기초하여 연마 수단(41)이 제어된다. 측정기(60)에 의해 측정된 온도가, 면 소성이 생기는 온도를 하회하고 있는 동안에는 웨이퍼(W)의 연마가 계속되고, 면 소성이 생기는 온도가 되면 웨이퍼(W)의 연마가 중지된다. 그리고, 측정기(61)에 의해 측정된 웨이퍼(W)의 두께가, 연삭 왜곡이 제거되는 목표 두께로 될 때까지 연마 수단(41)이 연마 이송된다.As shown in FIG. 3C , when the polishing surface 49 of the polishing pad 46 is in contact with the upper surface 81 of the wafer W, the upper surface 81 of the wafer W is brought into contact with the polishing pad 46 . ) is polished by At this time, the surface temperature or thickness of the wafer W is measured in real time by the measuring devices 60 and 61 in the closed space 63 , and the polishing means 41 is controlled based on the measurement results of the measuring devices 60 and 61 . do. While the temperature measured by the measuring device 60 is lower than the temperature at which surface firing occurs, the polishing of the wafer W continues, and when the temperature at which the surface firing occurs, the polishing of the wafer W is stopped. Then, the polishing means 41 is polished and transported until the thickness of the wafer W measured by the measuring device 61 becomes the target thickness from which the grinding distortion is removed.

이상, 제1 실시형태에 따른 건식 연마 장치(1)에 있어서는, 연마 수단(41)의 관통 구멍(48)의 상단이 커버 부재(62)의 폐색 공간(63)에 의해 막히기 때문에, 빈 구멍(47) 및 관통 구멍(48)에 대한 공기의 출입이 억제되고 있다. 이로 인해, 관통 구멍(48)에 있어서의 공기의 흐름이 없어지기 때문에, 연마 패드(46)나 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 연마 부스러기나 가루 등의 미세한 이물질(70)이 휘감겨 올라가도, 빈 구멍(47) 및 관통 구멍(48) 내에 미세한 이물질(70)이 들어가기 어렵게 되어 있다. 관통 구멍(48)의 상단에 연속하는 폐색 공간(63)으로 미세한 이물질(70)이 들어가기 어렵기 때문에, 폐색 공간(63)에 설치된 측정기(60, 61)에 이물질(70)이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 상태를 양호하게 측정하면서 건식 연마 장치(1)로 연마할 수 있다.As described above, in the dry polishing apparatus 1 according to the first embodiment, since the upper end of the through hole 48 of the polishing means 41 is blocked by the closed space 63 of the cover member 62, the empty hole ( 47) and the entry and exit of air to the through hole 48 are suppressed. For this reason, since the flow of air in the through hole 48 is eliminated, even if fine foreign matter 70 such as abrasive debris or powder adhering to the polishing pad 46 or the wafer W is wound up, the empty The fine foreign matter 70 is difficult to enter into the hole 47 and the through hole 48 . Since it is difficult for the fine foreign material 70 to enter the closed space 63 continuous at the upper end of the through hole 48 , the foreign material 70 is prevented from adhering to the measuring instruments 60 , 61 installed in the blocked space 63 . can do. Therefore, it is possible to polish with the dry polishing apparatus 1 while measuring the state of the wafer W favorably.

다음에, 도 4를 참조하여, 제2 실시형태에 따른 건식 연마 장치에 있어서의 연마 수단에 대해서 설명한다. 도 4는 제2 실시형태에 따른 연마 수단의 연마 작동의 일례를 나타내는 도면이다. 또한, 제2 실시형태에서는, 관통 구멍 내를 양압으로 하면서 연마 패드를 웨이퍼에 접근시킨다는 점에서 제1 실시형태와 상이하다. 따라서, 주로 상이점에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 설명의 편의 상, 스핀들 유닛의 스핀들 케이스를 생략하여, 회전축이 노출된 상태를 예시하여 설명한다.Next, with reference to FIG. 4, the grinding|polishing means in the dry grinding|polishing apparatus which concerns on 2nd Embodiment is demonstrated. 4 is a view showing an example of a polishing operation of the polishing means according to the second embodiment. Further, the second embodiment is different from the first embodiment in that the polishing pad is brought close to the wafer while the inside of the through hole is positively pressured. Therefore, the difference is mainly explained in detail. In addition, in the following description, for convenience of description, the spindle case of the spindle unit is omitted, and a state in which the rotation shaft is exposed is illustrated and described.

도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 연마 수단(41)은 폐색 공간(63)과, 공기를 공급하는 공기 공급원(65)을 연통시키는 공기 공급 수단(64)이 마련되어 있는 것 이외에는, 제1 실시형태에 따른 연마 수단(41)과 동일한 구성이다. 공기 공급 수단(64)은 적어도 연마 패드(46)의 연마면(49)을 웨이퍼(W)의 상면(81)에 접근시키는 연마 이송 작동 시에, 폐색 공간(63)에 공기를 공급하여 폐색 공간(63)을 양압으로 하도록 구성되어 있다. 또한, 공기 공급원(65)은 공기 공급 수단(64)을 통해 폐색 공간(63)에 공기를 공급할 수 있는 구성이면 좋고, 예컨대, 건식 연마 장치(1)가 설치되는 공장 내에 마련되어 있어도 좋으며, 장치 자체에 마련되어 있어도 좋다.As shown to Fig.4 (a), the grinding|polishing means 41 which concerns on 2nd Embodiment is provided with the air supply means 64 which connects the closed space 63 and the air supply source 65 which supplies air, Except that, it has the same configuration as the polishing means 41 according to the first embodiment. The air supply means 64 supplies air to the closed space 63 at least during a polishing transfer operation for bringing the polishing surface 49 of the polishing pad 46 closer to the upper surface 81 of the wafer W, to supply air to the closed space. (63) is configured to be a positive pressure. In addition, the air supply source 65 may have a structure which can supply air to the closed space 63 through the air supply means 64, for example, it may be provided in the factory where the dry polishing apparatus 1 is installed, and the apparatus itself. It may be provided in

이 연마 수단(41)에서는, 유지 테이블(21) 상에 웨이퍼(W)가 배치되면, 유지 테이블(21)의 유지면(23)에 웨이퍼(W)가 유지된다. 유지 테이블(21)이 연마 수단(41)의 하방으로 이동되어, 연마 패드(46)의 바로 아래에 웨이퍼(W)가 위치 부여된다. 이때, 웨이퍼(W)로부터 연마 패드(46)가 충분히 이격되는 대기 위치에 연마 수단(41)이 정지되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 상면(81)과 연마 패드(46)의 연마면(49) 사이나 관통 구멍(48) 내에 공기의 흐름이 발생되지 않는다. 그리고, 연마 수단(41)이 연마 패드(46)를 회전시키면서, 대기 위치로부터 웨이퍼(W)의 상면(81)을 향하여 이동된다.In the polishing means 41 , when the wafer W is placed on the holding table 21 , the wafer W is held on the holding surface 23 of the holding table 21 . The holding table 21 is moved below the polishing means 41 , so that the wafer W is positioned directly under the polishing pad 46 . At this time, since the polishing means 41 is stopped at the standby position where the polishing pad 46 is sufficiently spaced apart from the wafer W, the upper surface 81 of the wafer W and the polishing surface 49 of the polishing pad 46 are ) or in the through hole 48, no air flow occurs. Then, while the polishing means 41 rotates the polishing pad 46 , it is moved from the standby position toward the upper surface 81 of the wafer W .

도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 연마 패드(46)가 대기 위치로부터 웨이퍼(W)를 향하여 하강되면, 공기 공급 수단(64)에 의해 공기 공급원(65)으로부터 폐색 공간(63)에 공기가 공급된다. 이 경우, 공기 공급 수단(64)의 관로에 마련한 개폐 밸브(도시하지 않음)에 의해 폐색 공간(63)으로의 공기의 공급이 제어된다. 폐색 공간(63)에 공기가 공급되면, 폐색 공간(63)이 양압이 되어 폐색 공간(63)에 연통하는 관통 구멍(48) 및 빈 구멍(47)도 양압이 된다. 따라서, 연마 패드(46)의 연마면(49)과 웨이퍼(W)의 상면(81)의 간극에서의 공기가 압축되어도, 간극 내의 공기는 웨이퍼(W)의 직경 방향 외측을 향하여 흐른다.As shown in FIG. 4B , when the polishing pad 46 is lowered from the standby position toward the wafer W, air is supplied from the air supply unit 65 to the closed space 63 by the air supply means 64 . is supplied In this case, the supply of air to the closed space 63 is controlled by an opening/closing valve (not shown) provided in the conduit of the air supply means 64 . When air is supplied to the closed space 63 , the closed space 63 becomes a positive pressure, and the through hole 48 and the empty hole 47 communicating with the closed space 63 also become positive pressure. Therefore, even if the air in the gap between the polishing surface 49 of the polishing pad 46 and the upper surface 81 of the wafer W is compressed, the air in the gap flows outward in the radial direction of the wafer W.

이때, 웨이퍼(W)의 직경 방향 외측을 향하여 공기가 흐르기 때문에, 연마 패드(46)나 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 미세한 이물질(70)이 휘말려 올라가는 것이 방지된다. 만약 휘말려 올라간 경우라도, 관통 구멍(48) 내에 공기의 흐름이 없기 때문에 관통 구멍(48) 내에 이물질(70)이 들어가기 어렵게 되어 있다. 따라서, 관통 구멍(48)을 통하여 폐색 공간(63)에 이물질(70)이 들어가는 일이 없어, 폐색 공간(63)에 설치된 측정기(60, 61)에 이물질(70)이 부착되는 일이 없다. 이와 같이, 공기 공급 수단(64)에 의해 웨이퍼(W)의 직경 방향 외측을 향하는 공기의 흐름을 만들어 냄으로써, 측정기(60, 61)에 대한 이물질(70)의 부착을 확실하게 방지하고 있다.At this time, since air flows outward in the radial direction of the wafer W, it is prevented that the polishing pad 46 or the fine foreign material 70 adhering to the wafer W is caught up. Even if it is caught up, since there is no air flow in the through hole 48 , it is difficult for the foreign material 70 to enter the through hole 48 . Accordingly, the foreign material 70 does not enter the closed space 63 through the through hole 48 , and the foreign material 70 does not adhere to the measuring instruments 60 , 61 provided in the closed space 63 . In this way, by creating a flow of air directed outward in the radial direction of the wafer W by the air supply means 64 , adhesion of the foreign material 70 to the measuring instruments 60 and 61 is reliably prevented.

도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 연마 패드(46)의 연마면(49)이 웨이퍼(W)의 상면(81)에 접촉되면, 공기 공급원(65)으로부터의 공기의 공급이 정지되고, 웨이퍼(W)의 상면(81)이 연마 패드(46)에 의해 연마된다. 이때, 폐색 공간(63) 내의 측정기(60, 61)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 온도나 두께가 실시간으로 측정되고, 측정기(60, 61)의 측정 결과에 기초하여 연마 수단(41)이 제어된다. 측정기(60)에 의해 측정된 온도가, 면 소성이 생기는 온도를 하회하고 있는 동안에는 웨이퍼(W)의 연마가 계속되고, 면 소성이 생기는 온도가 되면 웨이퍼(W)의 연마가 중지된다. 그리고, 측정기(61)에 의해 측정된 웨이퍼(W)의 두께가 목표의 두께가 될 때까지 연마 수단(41)이 연마 이송된다.As shown in FIG. 4C , when the polishing surface 49 of the polishing pad 46 comes into contact with the upper surface 81 of the wafer W, the supply of air from the air supply source 65 is stopped, The upper surface 81 of the wafer W is polished by the polishing pad 46 . At this time, the surface temperature or thickness of the wafer W is measured in real time by the measuring devices 60 and 61 in the closed space 63 , and the polishing means 41 is controlled based on the measurement results of the measuring devices 60 and 61 . do. While the temperature measured by the measuring device 60 is lower than the temperature at which surface firing occurs, the polishing of the wafer W continues, and when the temperature at which the surface firing occurs, the polishing of the wafer W is stopped. Then, the polishing means 41 is transferred by polishing until the thickness of the wafer W measured by the measuring device 61 becomes the target thickness.

이상, 제2 실시형태에 따른 건식 연마 장치(1)에 있어서는, 측정기(60, 61)가 설치된 폐색 공간(63)을 양압으로 함으로써, 관통 구멍(48)을 통하여 빈 구멍(47)으로부터 웨이퍼(W)를 향해 공기가 분출된다. 따라서, 연마 수단(41)의 연마 이송 작동 시에, 빈 구멍(47) 및 관통 구멍(48)에 공기가 들어가는 일이 없어, 폐색 공간(63)에 설치된 측정기(60, 61)에 이물질(70)이 부착되는 일이 없다. 따라서, 웨이퍼(W)의 상태를 양호하게 측정하면서 건식 연마 장치(1)로 연마할 수 있다.As described above, in the dry polishing apparatus 1 according to the second embodiment, by setting the positive pressure to the closed space 63 in which the measuring instruments 60 and 61 are provided, the wafer ( Air is blown toward W). Therefore, during the grinding transfer operation of the grinding means 41 , air does not enter the hollow hole 47 and the through hole 48 , and foreign substances 70 ) is not attached. Therefore, it is possible to polish with the dry polishing apparatus 1 while measuring the state of the wafer W favorably.

또한, 본 발명은 이상의 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지로 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 대해서는, 도시된 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절하게 변경하는 것이 가능하다. 그 외, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절하게 변경하여 실시하는 것이 가능하다.In addition, this invention is not limited to the above embodiment, It can change and implement variously. In the above embodiment, the size, shape, and the like shown in the accompanying drawings are not limited to those shown in the drawings, and can be appropriately changed within the scope of exhibiting the effects of the present invention. In addition, as long as it does not deviate from the range of the objective of this invention, it can change suitably and implement.

예컨대, 제1 실시형태, 제2 실시형태에서는, 연마 패드(46)가 웨이퍼(W)의 전체면을 덮을 수 있는 크기를 갖는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 연마 패드(46)는 웨이퍼(W)보다 작게 형성되어 있어도 좋다.For example, in the first and second embodiments, the polishing pad 46 has a configuration having a size that can cover the entire surface of the wafer W, but it is not limited to this configuration. The polishing pad 46 may be formed smaller than the wafer W.

또한, 제1 실시형태, 제2 실시형태에서는, 연마 가공 이송 수단(31)에 의해 유지 테이블(21)에 대하여 연마 패드(46)를 연마 이송하는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 연마 가공 이송 수단(31)은 연마 수단(41)과 유지 테이블(21)을 상대적으로 접근 및 이격시키는 방향으로 연마 이송하는 구성이면 좋고, 연마 패드(46)에 대하여 유지 테이블(21)을 연마 이송하는 구성으로 하여도 좋다.In addition, in 1st Embodiment and 2nd Embodiment, although it was set as the structure which grind|transfers the polishing pad 46 with respect to the holding table 21 by the grinding|polishing transfer means 31, it is not limited to this structure. The abrasive processing transport means 31 may be configured to abrasively transport the polishing means 41 and the holding table 21 in a relatively approaching and separating direction, and abrasively transporting the holding table 21 with respect to the polishing pad 46 . It may be configured as

또한, 제1 실시형태, 제2 실시형태에서는, 연마 패드(46)에 원기둥형의 빈 구멍(47)이 형성되었지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 연마 패드(46)의 빈 구멍(47)의 형태는 특별히 한정되지 않고, 측정기(60, 61)의 측정을 저해하지 않도록 형성되어 있으면 좋다.In addition, although the cylindrical hollow hole 47 was formed in the polishing pad 46 in 1st Embodiment and 2nd Embodiment, it is not limited to this structure. The shape of the hollow hole 47 of the polishing pad 46 is not specifically limited, What is necessary is just to form so that the measurement of the measuring instruments 60 and 61 may not be impaired.

또한, 제1 실시형태, 제2 실시형태에서는, 커버 부재(62)가 관통 구멍(48)의 상단을 막도록 마련되는 구성에 대해서 설명하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 커버 부재(62)는 관통 구멍(48)의 상단을 완전히 막는 구성으로 한정되지 않고, 폐색 공간(63)까지 이물질(70)이 진입하지 않을 정도로 공기의 도피로가 형성되어 있어도 좋다. 즉, 폐색 공간(63)은 완전히 공기의 도피로가 없는 상태인 것으로 한정되지 않는다.In addition, although the 1st Embodiment and 2nd Embodiment demonstrated the structure provided so that the cover member 62 may block the upper end of the through-hole 48, it is not limited to this structure. The cover member 62 is not limited to a configuration that completely blocks the upper end of the through hole 48 , and an air escape path may be formed to such an extent that the foreign material 70 does not enter the closed space 63 . That is, the closed space 63 is not limited to a state in which there is no escape route for air.

또한, 제1 실시형태, 제2 실시형태에서는, 건식 연마 장치(1)가 측정기(60, 61)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 온도와 두께를 동시에 측정하는 구성에 대해서 설명하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 건식 연마 장치(1)는 측정기(60) 또는 측정기(61)에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 온도와 두께 중 어느 하나를 측정하여도 좋다. 또한, 건식 연마 장치(1)는 웨이퍼(W)의 표면 온도 및 두께 이외에 연마 중인 웨이퍼(W)의 상태를 측정하는 측정기를 구비하고 있어도 좋다.Further, in the first and second embodiments, the configuration in which the dry polishing apparatus 1 simultaneously measures the surface temperature and thickness of the wafer W by the measuring instruments 60 and 61 has been described. not limited The dry polishing apparatus 1 may measure either the surface temperature and the thickness of the wafer W by the measuring device 60 or the measuring device 61 . In addition, the dry polishing apparatus 1 may be equipped with the measuring instrument which measures the state of the wafer W under grinding|polishing other than the surface temperature and thickness of the wafer W.

또한, 제2 실시형태에서는, 연마 패드(46)의 연마면(49)이 웨이퍼(W)의 상면(81)에 접촉할 때까지, 공기 공급 수단(64)에 의해 폐색 공간(63)에 공기가 공급되는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 공기 공급 수단(64)은 적어도 연마 패드(46)의 연마면(49)을 웨이퍼(W)의 상면(81)에 접근시키는 연마 이송 작동 시에 폐색 공간(63)에 공기를 공급하는 구성이면 좋다. 예컨대, 공기 공급 수단(64)은 연마 중에 항상 폐색 공간(63)에 공기를 계속해서 공급하여도 좋고, 연마 패드(46)의 연마면(49)과 웨이퍼(W)의 상면(81)의 접촉 직전의 순간에만 폐색 공간(63)에 공기를 공급하여도 좋다.Further, in the second embodiment, air is supplied to the closed space 63 by the air supply means 64 until the polishing surface 49 of the polishing pad 46 comes into contact with the upper surface 81 of the wafer W. Although it is set as the configuration in which is supplied, it is not limited to this configuration. The air supply means 64 may be configured to supply air to the closed space 63 at least during a polishing transfer operation for bringing the polishing surface 49 of the polishing pad 46 closer to the upper surface 81 of the wafer W. . For example, the air supply means 64 may continuously supply air to the closed space 63 during polishing, or the polishing surface 49 of the polishing pad 46 and the upper surface 81 of the wafer W may come into contact with each other. Air may be supplied to the closed space 63 only at the instant immediately before.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼의 상태를 측정하는 측정기에 대한 연마 부스러기나 가루 등의 이물질의 부착을 방지할 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 건식 환경의 가공실에서 웨이퍼를 연마하는 건식 연마 장치에 유용하다.As described above, the present invention has the effect that it is possible to prevent the adhesion of foreign substances such as polishing chips or powder to the measuring device for measuring the state of the wafer. useful for the device.

1 : 건식 연마 장치
21 : 유지 테이블
31 : 연마 가공 이송 수단
40 : 회전축
41 : 연마 수단
43 : 스핀들 유닛
46 : 연마 패드
47 : 빈 구멍
48 : 관통 구멍
60, 61 : 측정기
62 : 커버 부재
63 : 폐색 공간
64 : 공기 공급 수단
65 : 공기 공급원
W : 웨이퍼1: Dry Polishing Device
21 : maintenance table
31: abrasive machining transport means
40: rotation axis
41: grinding means
43: spindle unit
46: polishing pad
47: empty hole
48: through hole
60, 61: measuring instrument
62: cover member
63: occluded space
64: air supply means
65: air source
W: Wafer

Claims (2)

웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼를 연마하는 연마 패드의 중심과 회전축의 중심을 일치시켜 장착되는 스핀들 유닛을 갖는 연마 수단과, 상기 연마 수단과 상기 유지 테이블을 상대적으로 접근 및 이격시키는 방향으로 연마 이송하는 연마 가공 이송 수단을 구비하는 건식 연마 장치로서,
상기 연마 수단은, 상기 연마 패드의 중심을 중심으로 한 원기둥형의 빈 구멍과, 상기 스핀들 유닛의 상기 회전축 내를 연장 방향으로 관통하여 한쪽 끝이 상기 빈 구멍과 연통하는 관통 구멍과, 상기 관통 구멍의 다른쪽 끝과 연통하는 폐색 공간을 형성하는 커버 부재를 구비하고, 상기 폐색 공간 내에, 연마 중인 웨이퍼의 상태를 측정하는 측정기가 설치되고, 상기 연마 패드의 연마면을 웨이퍼의 상면에 접근시키는 방향으로 연마 이송 시에 상기 연마 패드와 웨이퍼 사이에서 압축된 공기가 상기 빈 구멍 및 상기 관통 구멍 내에 진입하는 양을 억제하고, 상기 빈 구멍 및 상기 관통 구멍에 대한 공기의 흐름을 억제하고, 상기 폐색 공간에 설치되는 상기 측정기로 가공 부스러기가 부착되는 것을 방지하는 것인 건식 연마 장치.Polishing means having a holding table for holding a wafer, and a spindle unit mounted so that a center of a polishing pad for polishing a wafer held on the holding table coincides with a center of a rotation axis; And a dry polishing apparatus comprising a polishing transfer means for transferring abrasive in a direction spaced apart,
The polishing means includes: a cylindrical hollow hole centered on the center of the polishing pad; a through hole passing through the rotation shaft of the spindle unit in an extension direction and communicating with the hollow hole at one end; and a cover member forming an occluded space communicating with the other end of the occluded space, and a measuring device for measuring the state of the wafer being polished is installed in the occluded space, and a direction in which the polishing surface of the polishing pad approaches the upper surface of the wafer. suppresses the amount of air compressed between the polishing pad and the wafer entering into the hollow hole and the through hole during polishing transfer to the furnace, suppresses the flow of air to the empty hole and the through hole, and the closed space Dry grinding device to prevent the processing debris from adhering to the measuring device installed in the. 제1항에 있어서,
상기 폐색 공간과 공기를 공급하는 공기 공급원을 연통시키는 공기 공급 수단
을 구비하고, 적어도 상기 연마 패드의 연마면을 웨이퍼의 상면에 접근시키는 연마 이송 작동 시에 상기 공기 공급 수단에 의해 공기를 공급하여 상기 폐색 공간을 양압(positive pressure)으로 하고, 상기 빈 구멍 및 상기 관통 구멍에 대한 공기의 흐름을 차단하는 것인 건식 연마 장치.According to claim 1,
Air supply means for communicating the closed space with an air supply source for supplying air
and supplying air by the air supply means during a polishing transfer operation for at least bringing the polishing surface of the polishing pad closer to the top surface of the wafer so that the closed space becomes a positive pressure, the hollow hole and the A dry abrasive device that blocks the flow of air to the through hole.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002187061A (en) * 2000-12-22 2002-07-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Measuring method for grinding temperature, grinding method, workpiece holding mechanism and grinding device
JP2006216895A (en) * 2005-02-07 2006-08-17 Disco Abrasive Syst Ltd Semiconductor wafer polishing device
JP2014103213A (en) * 2012-11-19 2014-06-05 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method for measuring semiconductor wafer thickness and semiconductor wafer processing device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4754870B2 (en) 2005-05-10 2011-08-24 株式会社ディスコ Polishing equipment
JP5464820B2 (en) * 2007-10-29 2014-04-09 株式会社荏原製作所 Polishing equipment
JP2013141738A (en) * 2012-01-12 2013-07-22 Disco Corp Processing apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002187061A (en) * 2000-12-22 2002-07-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Measuring method for grinding temperature, grinding method, workpiece holding mechanism and grinding device
JP2006216895A (en) * 2005-02-07 2006-08-17 Disco Abrasive Syst Ltd Semiconductor wafer polishing device
JP2014103213A (en) * 2012-11-19 2014-06-05 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method for measuring semiconductor wafer thickness and semiconductor wafer processing device

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