KR102313686B1 - 필름상 소성재료, 및 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료 - Google Patents

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KR102313686B1
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이사오 이치카와
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

제1의 금속 입자(10), 제2의 금속 입자(20) 및 바인더 성분(30)을 함유하는 필름상 소성재료(1)로서, 상기 제1의 금속 입자(10)의 평균 입자경이 100 nm 이하이고, 또한 최대 입자경이 250 nm 이하이고, 상기 제2의 금속 입자(20)의 평균 입자경이 1000 ~ 7000 nm이고, 최소 입자경이 250 nm 초과이고, 또한 최대 입자경이 10000 nm 이하이고, 제1의 금속 입자/제2의 금속 입자로 나타내는 질량비가 0.1 이상인, 필름상 소성재료(1).

Description

필름상 소성재료, 및 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료
본 발명은, 필름상 소성재료, 및 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료에 관한 것이다.
본원은, 2018년 2월 22일에 일본에 출원된 특허출원 2018-29653호에 기초해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
최근, 자동차, 에어콘, PC 등의 고전압·고전류화에 따라, 이들에 탑재되는 전력용 반도체소자(파워 디바이스)의 수요가 높아지고 있다. 전력용 반도체소자는, 고전압·고전류하에서 사용되는 특징으로부터, 반도체소자로부터의 열의 발생이 문제가 되기 쉽다.
종래, 반도체소자로부터 발생한 열의 방열을 위해서, 반도체소자의 주위에 히트 싱크가 장착되는 경우도 있다. 그러나, 히트 싱크와 반도체소자의 사이의 접합부에서 열전도성이 양호하지 않으면, 효율적인 방열이 방해된다.
열전도성이 우수한 접합 재료로서 예를 들면, 특허문헌 1에는, 특정의 가열 소결성 금속 입자와 특정의 고분자 분산제와 특정의 휘발성 분산매가 혼합된 페이스트상 금속 미립자 조성물이 개시되어 있다. 상기 조성물을 소결시키면, 열전도성이 우수한 고형상 금속이 된다고 여겨진다.
또한, 특허문헌 2에는, 금속 미립자를 60 ~ 98 질량% 포함하고, 인장 탄성률이 10 ~ 3000 MPa이고, 대기 분위기하에서 400℃까지 승온한 후의 에너지 분산형 X선 분석에 의해 얻어지는 탄소 농도가 15 질량% 이하인 가열 접합용 시트가 개시되어 있다.
특허문헌 1:일본 특허공개 2014-111800호 공보 특허문헌 2:일본 특허공개 2016-121329호 공보
그러나, 특허문헌 1과 같이 소성재료가 페이스트상의 경우에서는, 도포되는 페이스트의 두께를 균일화하는 것이 어렵고, 두께 안정성이 부족한 경향이 있다. 또한, 특허문헌 1에 기재된 페이스트상 금속 미립자 조성물은 열전도성이 우수하지만, 열전도성의 향상이 더욱 요구되고 있다.
특허문헌 2에 기재된 가열 접합용 시트는, 두께 안정성이 우수하지만, 반드시 열전도성을 충분히 만족하는 것은 아니었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어지는 것으로, 두께 안정성 및 열전도성이 우수하고 소성 후에 우수한 전단 접착력을 발휘하는 필름상 소성재료를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 필름상 소성재료를 구비한 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 소결성 금속 입자와 비소결성 금속 입자를 병용함으로써 소성재료를 소결한 경우에 비소결성 금속 입자가 잔존해, 그 결과, 열전도성이 향상하는 것을 찾아냈다. 그러나, 열전도성을 향상시키기 위해서, 단지 비소결성 금속 입자의 배합량을 늘리면, 소성 후의 전단 접착력이 저하하는 것을 알 수 있었다. 본 발명자들은, 소결성 금속 입자와 비소결성 금속 입자와의 질량비를 규정함으로써 열전도성과 전단 접착력의 밸런스가 우수한 것을 찾아내, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은, 이하의 형태를 가진다.
［1］　제1의 금속 입자, 제2의 금속 입자 및 바인더 성분을 함유하는 필름상 소성재료로서,
상기 제1의 금속 입자의 평균 입자경이 100 nm 이하이고, 또한 최대 입자경이 250 nm 이하이고,
상기 제2의 금속 입자의 평균 입자경이 1000 ~ 7000 nm이고, 최소 입자경이 250 nm 초과이고, 또한 최대 입자경이 10000 nm 이하이고,
제1의 금속 입자/제2의 금속 입자로 나타내는 질량비가 0.1 이상인, 필름상 소성재료.
［2］　［1］에 기재된 필름상 소성재료, 및 상기 필름상 소성재료의 적어도 한쪽의 측에 설치된 지지 시트를 구비한 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료.
［3］　상기 지지 시트가, 기재 필름 상에 점착제층이 설치된 것이고,
상기 점착제층 상에, 상기 필름상 소성재료가 설치되어 있는,［2］에 기재된 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료.
본 발명에 따르면, 두께 안정성 및 열전도성이 우수하고 소성 후에 우수한 전단 접착력을 발휘하는 필름상 소성재료를 제공할 수 있다. 또한, 상기 필름상 소성재료를 구비하고, 반도체소자 등의 칩의 소결 접합에 이용되는 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태와 관련되는, 필름상 소성재료를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태와 관련되는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료가 링 프레임에 첩부(貼付)된 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태와 관련되는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료가 링 프레임에 첩부된 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태와 관련되는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료가 링 프레임에 첩부된 상태를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 대해서, 적절히 도면을 참조해 설명한다.
또한 이하의 설명에서 이용하는 도면은, 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해서, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대해 나타내고 있는 경우가 있어, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 같다라고는 한정되지 않는다.
≪필름상 소성재료≫
본 실시형태의 필름상 소성재료는, 제1의 금속 입자, 제2의 금속 입자 및 바인더 성분을 함유하는 필름상 소성재료로서, 제1의 금속 입자의 평균 입자경이 100 nm 이하이고, 또한 최대 입자경이 250 nm 이하이고, 제2의 금속 입자의 평균 입자경이 1000 ~ 7000 nm이고, 최소 입자경이 250 nm 초과이고, 또한 최대 입자경이 10000 nm 이하이고, 제1의 금속 입자/제2의 금속 입자로 나타내는 질량비가 0.1 이상이다.
본 발명에서, 필름상 소성재료란, 특별히 명시하지 않는 이상 소성 전의 것을 말한다.
도 1은, 본 실시형태의 필름상 소성재료를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 필름상 소성재료(1)는, 제1의 금속 입자(10), 제2의 금속 입자(20) 및 바인더 성분(30)을 함유하고 있다.
필름상 소성재료는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 좋고, 2층 이상의 복수층, 예를 들면, 2층 이상 10층 이하의 층으로 이루어지는 것이어도 좋다. 필름상 소성재료가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일하거나 달라도 좋고, 이들 복수층의 조합은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 이상 특별히 한정되지 않는다.
또한 본 명세서에서는, 필름상 소성재료의 경우에 한정되지 않고, 「복수층이 서로 동일하거나 달라도 좋다」란, 「모든 층이 동일해도 좋고, 모든 층이 달라도 좋고, 일부의 층만이 동일해도 좋다」는 것을 의미하고, 또한 「복수층이 서로 다르다」란, 「각 층의 구성 재료, 구성 재료의 배합비, 및 두께 중 적어도 하나가 서로 다르다」는 것을 의미한다.
필름상 소성재료의 소성 전의 두께는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 10 ~ 200㎛가 바람직하고, 20 ~ 150㎛가 바람직하고, 30 ~ 90㎛가 보다 바람직하다.
여기서, 「필름상 소성재료의 두께」란, 필름상 소성재료 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 필름상 소성재료의 두께란, 필름상 소성재료를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.
본 명세서에서, 「두께」는, 임의의 5개소에서 두께를 측정한 평균으로 나타내는 값으로서 JIS　K7130에 준하여, 정압두께 측정기를 이용하여 취득할 수 있다.
(박리 필름)
필름상 소성재료는, 박리 필름 상에 적층된 상태로 제공할 수 있다. 사용할 때, 박리 필름을 떼어내고, 필름상 소성재료를 소결 접합시키는 대상물 상에 배치하면 좋다. 박리 필름은 필름상 소성재료의 손상이나 이물 부착을 막기 위한 보호 필름으로서 기능도 가진다. 박리 필름은, 필름상 소성재료의 적어도 한쪽의 측에 설치되어 있으면 좋고, 필름상 소성재료의 양쪽 모두의 측에 설치되어도 좋다. 양쪽 모두에 설치되는 경우, 한쪽은 지지 시트로서 기능한다.
박리 필름으로는, 예를 들면 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등의 투명 필름이 이용된다. 또한 이들의 가교 필름도 이용된다. 또한 이들의 적층 필름이어도 좋다. 또한, 이들을 착색한 필름, 불투명 필름 등을 이용할 수 있다. 박리제로는, 예를 들면, 실리콘계, 불소계, 올레핀계, 알키드계, 장쇄알킬기 함유 카르바메이트 등의 박리제를 들 수 있다.
박리 필름의 두께는, 통상은 10 ~ 500㎛, 바람직하게는 15 ~ 300㎛, 특히 바람직하게는 20 ~ 250㎛ 정도이다.
＜제1의 금속 입자＞
제1의 금속 입자의 평균 입자경은 100 nm 이하이다.
평균 입자경이 100 nm 이하의 금속 입자는 소결성을 발휘한다. 즉, 제1의 금속 입자는, 필름상 소성재료의 소성으로서 금속 입자의 융점 이상의 온도에서 가열 처리됨으로써 입자끼리 용융·결합해 소결체를 형성할 수 있는 금속 입자이다. 소결체를 형성함으로써 필름상 소성재료와 이것에 접해 소성된 물품을 소결 접합시킬 수 있다. 구체적으로는, 필름상 소성재료를 개재하여 칩과 기판을 소결 접합시킬 수 있다.
본 발명에서는, 제1의 금속 입자를 「소결성 금속 입자」라고도 한다.
필름상 소성재료가 포함하는 제1의 금속 입자의 평균 입자경은, 0.1 ~ 100 nm가 바람직하고, 0.5 ~ 80 nm가 보다 바람직하고, 1 ~ 60 nm가 더 바람직하다. 제1의 금속 입자의 평균 입자경이 상기 상한치 이하인 것으로, 용융성이 우수하고 저온에서의 가열 소결이 가능해진다. 한편, 제1의 금속 입자의 평균 입자경이 상기 하한치 이상인 것으로, 입자 자체 취급이 용이해짐과 동시에, 바인더 성분에 배합할 때의 비산을 억제할 수 있다. 또한, 후술의 소성재료 조성물 중에서의 분산 상태가 보다 양호해진다.
또한, 필름상 소성재료가 포함하는 제1의 금속 입자의 최대 입자경은 250 nm 이하이고, 200 nm 이하가 바람직하고, 150 nm 이하가 보다 바람직하다. 제1의 금속 입자의 최대 입자경이 상기 상한치 이하인 것으로, 용해성이 더 우수하다.
또한, 필름상 소성재료가 포함하는 제1의 금속 입자의 최소 입자경은 0.01 nm 이상이 바람직하고, 0.1 nm 이상이 보다 바람직하고, 1 nm 이상이 더 바람직하다. 제1의 금속 입자의 최소 입자경이 상기 하한치 이상인 것으로, 입자 자체 취급이 보다 용이해짐과 동시에, 바인더 성분에 배합할 때의 비산을 보다 억제할 수 있다. 또한, 소성재료 조성물 중에서의 분산 상태가 보다 양호해진다.
예를 들면, 필름상 소성재료가 포함하는 제1의 금속 입자의 입자경은, 0.01 nm 이상 250 nm 이하, 0.01 nm 이상 200 nm 이하, 0.01 nm 이상 150 nm 이하, 0.1 nm 이상 250 nm 이하, 0.1 nm 이상 200 nm 이하, 0.1 nm 이상 150 nm 이하, 1 nm 이상 250 nm 이하, 1 nm 이상 200 nm 이하, 1 nm 이상 150 nm 이하이어도 좋다.
또한 본 명세서에서, 「금속 입자의 입자경」이란, 주사형 전자현미경(SEM) 또는 투과형 전자현미경(TEM)으로 관찰된 금속 입자의 입자경의, 투영 면적 원 상당경이다. 구체적으로는, 제1의 금속 입자의 입자경은 TEM으로 측정하고, 제2의 금속 입자의 입자경은 SEM으로 측정한다.
또한, 「평균 입자경」이란, 특별히 명시되지 않는 한, SEM 촬영상 또는 TEM 촬영상을 이용한 화상 해석법에 따라서 구해진 입도 분포 곡선에서의, 적산치 50%로의 입자경(D50)을 의미한다.
「최소 입자경」이란, SEM 촬영상 또는 TEM 촬영상으로 관찰된 가장 작은 입자경을 의미하고, 「최대 입자경」이란 SEM 촬영상 또는 TEM 촬영상으로 관찰된 가장 큰 입자경을 의미한다.
제1의 금속 입자의 금속종으로는, 은,금, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 실리콘, 팔라듐, 백금, 티탄, 티탄산바륨, 이들의 산화물 또는 합금 등을 들 수 있고, 은 및 산화은이 바람직하다. 제1의 금속 입자는, 1종류만이 배합되어 있어도 좋고, 2 종류 이상의 조합으로 배합되어 있어도 좋다.
제1의 금속 입자는, 소량으로도 우수한 열전도성을 발현할 수 있어 코스트면에서도 유리한 점에서, 은 입자, 구리 입자가 바람직하다.
제1의 금속 입자의 표면에는, 유기물이 피복되어 있어도 좋다. 유기물의 피복을 가짐으로써, 바인더 성분과의 상용성이 향상해, 입자끼리의 응집을 방지할 수 있어 균일하게 분산할 수 있다. 특히, 분산성이나 소결 후의 도막 충전성(패킹성)이 우수하고, 필름상 소성재료에 크랙이 생기기 어렵고, 열전도성을 양호하게 유지할 수 있는 점에서, 금속 알콕시드로 화학 결합한 유기쇄를 표면에 수식한 금속 입자가 바람직하다.
제1의 금속 입자의 표면에 유기물이 피복되어 있는 경우, 제1의 금속 입자의 질량은, 피복물을 포함하는 값으로 한다.
제1의 금속 입자는 바인더 성분 및 후술하는 그 외의 첨가제 성분에 혼합하기 전에, 미리 응집물이 없는 상태로 하기 위해, 이소보르닐시클로헥사놀이나, 데실 알코올 등의 비점이 높은 고비점 용매에 미리 분산시켜도 좋다. 고비점 용매의 비점은, 예를 들면 200 ~ 350℃이어도 좋다. 이 때, 고비점 용매를 이용하면, 이것이 상온에서 휘발하는 것이 거의 없기 때문에 제1의 금속 입자의 농도가 높아지는 것이 방지되어 작업성이 향상되는 것 외, 제1의 금속 입자의 재응집 등도 방지되어 품질적으로도 양호해진다. 분산법으로는 니더, 3 개 롤, 비즈 밀 및 초음파 등을 들 수 있다.
＜제2의 금속 입자＞
제2의 금속 입자의 평균 입자경은 1000 ~ 7000 nm이다.
평균 입자경이 1000 nm 이상의 금속 입자는 소결성을 발휘하기 어려운, 비소결성의 금속 입자이다. 따라서, 필름상 소성재료를 소성해도, 소결 후의 필름상 소성재료 중에 형상을 유지해 잔존한다.
본 발명에서는, 제2의 금속 입자를 「비소결성 금속 입자」라고도 한다.
필름상 소성재료가 포함하는 제2의 금속 입자의 평균 입자경은, 1000 ~ 7000 nm이고, 1250 ~ 6000 nm가 바람직하고, 1500 ~ 5000 nm가 보다 바람직하다. 제2의 금속 입자의 평균 입자경이 상기 상한치 이하인 것으로, 후술의 소성재료 조성물 중에서 제2의 금속 입자가 침강하거나 응집하기 어려워진다. 입자끼리 현저하게 응집하면, 소성재료 조성물을 필름상 소성재료로 가공한 경우에 응집한 금속 입자(응집물)가 시인된다. 또한 금속 입자 단체(單體)나 응집물에 의해 소성재료의 표면에 요철이 형성되어 표면이 불균일화하기 쉬워진다. 또한, 피착체(예를 들면 칩, 기재 등)와의 접착계면에서 금속 입자 단체나 응집물이 편재하는 것으로 전단 접착력이 저하하는 경우가 있다. 제2의 금속 입자의 평균 입자경이 상기 상한치 이하이면, 금속 입자 단체나 응집물에 의한 소성재료 표면의 불균일화를 억제할 수 있다. 또한, 소성 후에 전단 접착력이 높아진다. 한편, 제2의 금속 입자의 평균 입자경이 상기 하한치 이상인 것으로, 열전도성이 우수하다.
또한, 필름상 소성재료가 포함하는 제2의 금속 입자의 최소 입자경은 250 nm 초과이고, 350 nm 이상이 바람직하고, 450 nm 이상이 보다 바람직하다. 제2의 금속 입자의 최소 입자경이 상기 하한치 이상인 것으로, 비용융성이 더 우수하고 필름상 소성재료를 소성해도, 소결 후의 필름상 소성재료 중에 형상을 유지해 잔존하기 쉬워진다.
또한, 필름상 소성재료가 포함하는 제2의 금속 입자의 최대 입자경은 10000 nm 이하이고, 9000 nm 이하가 바람직하고, 8000 nm 이하가 보다 바람직하다. 제2의 금속 입자의 최대 입자경이 상기 상한치 이하인 것으로, 소성재료 조성물 중에서 더 침강하기 어려워져, 소성재료 조성물을 필름상 소성재료로 가공한 경우에 금속 입자 단체나 응집물에 의한 소성재료 표면의 불균일화를 한층 더 억제할 수 있다.
예를 들면, 필름상 소성재료가 포함하는 제2의 금속 입자의 입자경은, 250 nm 초과 10000 nm 이하, 250 nm 초과 9000 nm 이하, 250 nm 초과 8000 nm 이하, 350 nm 이상 10000 nm 이하, 350 nm 이상 9000 nm 이하, 350 nm 이상 8000 nm 이하, 450 nm 이상 10000 nm 이하, 450 nm 이상 9000 nm 이하, 450 nm 이상 8000 nm 이하어도 좋다.
제2의 금속 입자의 금속종으로는, 제1의 금속 입자의 금속종으로서 예시한 바와 같은 것을 들 수 있고, 소량으로도 우수한 열전도성을 발현할 수 있어 코스트면에서도 유리한 점에서, 은 입자, 구리 입자가 바람직하다.
제2의 금속 입자의 표면에는, 유기물이 피복되어 있어도 좋다. 유기물의 피복을 가짐으로써, 바인더 성분과의 상용성이 향상해, 입자끼리의 응집을 방지할 수 있어 균일하게 분산할 수 있다. 특히, 분산성이나 소결 후의 도막 충전성(패킹성)이 우수하고, 필름상 소성재료에 크랙이 생기기 어렵고, 열전도성을 양호하게 유지할 수 있는 점에서, 금속 알콕시드로 화학 결합한 유기쇄를 표면에 수식한 금속 입자가 바람직하다.
제2의 금속 입자의 표면에 유기물이 피복되어 있는 경우, 제2의 금속 입자의 질량은, 피복물을 포함하는 값으로 한다.
제2의 금속 입자는 바인더 성분 및 후술하는 그 외의 첨가제 성분에 혼합하기 전에, 미리 응집물이 없는 상태로 하기 때문에, 이소보르닐시클로헥사놀이나, 데실 알코올 등의 비점이 높은 고비점 용매에 미리 분산시켜도 좋다. 고비점 용매의 비점으로는, 예를 들면 200 ~ 350℃이어도 좋다. 이 때, 고비점 용매를 이용하면, 이것이 상온에서 휘발하는 것이 거의 없기 때문에 제2의 금속 입자의 농도가 높아지는 것이 방지되어 작업성이 향상되는 것 외에, 제2의 금속 입자의 재응집 등도 방지되어 품질적으로도 양호해지는 경우가 있다. 분산법으로는 니더, 3 개 롤, 비즈 밀 및 초음파 등을 들 수 있다.
＜바인더 성분＞
바인더 성분이 배합됨으로써, 소성재료를 필름상으로 성형할 수 있어 소성 전의 필름상 소성재료에 점착성을 부여할 수 있다. 바인더 성분은, 필름상 소성재료의 소성으로서 가열 처리됨으로써 열분해되는 열분해성이어도 좋다.
바인더 성분은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바인더 성분의 적합한 일례로서 수지를 들 수 있다. 수지로는, 아크릴계 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리젖산, 셀룰로오스 유도체의 중합물 등을 들 수 있고, 아크릴계 수지가 바람직하다. 아크릴계 수지에는, (메타)아크릴레이트 화합물의 단독 중합체, (메타)아크릴레이트 화합물의 2종 이상의 공중합체, (메타)아크릴레이트 화합물과 다른 공중합성 단량체의 공중합체가 포함된다.
바인더 성분을 구성하는 수지에서, (메타)아크릴레이트 화합물 유래의 구성 단위의 함유량은, 구성 단위의 총질량(100 질량%)에 대해서, 50 ~ 100 질량%인 것이 바람직하고, 80 ~ 100 질량%인 것이 보다 바람직하고, 90 ~ 100 질량%인 것이 더 바람직하다.
여기서 말하는 「유래」란, 상기 모노머가 중합하는데 필요한 구조의 변화를 받은 것을 의미한다.
(메타)아크릴레이트 화합물의 구체예로는, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 이소부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 아밀 (메타)아크릴레이트, 이소아밀 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, 헵틸 (메타)아크릴레이트, 옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 노닐 (메타)아크릴레이트, 데실 (메타)아크릴레이트, 이소데실 (메타)아크릴레이트, 운데실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 이소스테아릴 (메타)아크릴레이트 등의 알킬 (메타)아크릴레이트;
히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트;
페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시 프로필 (메타)아크릴레이트 등의 페녹시 알킬 (메타)아크릴레이트;
2-메톡시 에틸 (메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-부톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-메톡시 부틸 (메타)아크릴레이트 등의 알콕시 알킬 (메타)아크릴레이트;
폴리에틸렌글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 에톡시 디에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 페녹시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 노닐페녹시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 메톡시 폴리프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 에톡시 폴리프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 노닐페녹시 폴리프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜 (메타)아크릴레이트;
시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 4-부틸 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐 (메타)아크릴레이트, 보르닐 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 트리시클로데카닐 (메타)아크릴레이트 등의 시클로알킬 (메타)아크릴레이트;
벤질 (메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴 (메타)아크릴레이트, 등을 들 수 있다. 알킬 (메타)아크릴레이트 또는 알콕시 알킬 (메타)아크릴레이트가 바람직하고, 특히 바람직한 (메타)아크릴레이트 화합물로서 부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 이소데실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 및 2-에톡시에틸 (메타)아크릴레이트를 들 수 있다.
본 명세서에서, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽 모두를 포함하는 개념이다.
아크릴 수지로는, 메타크릴레이트가 바람직하다. 바인더 성분이 메타크릴레이트 유래의 구성 단위를 함유함으로써 비교적 저온에서 소성할 수 있고, 소결 후에 충분한 접착 강도를 얻기 위한 조건을 용이하게 만족할 수 있다.
바인더 성분을 구성하는 수지에서, 메타크릴레이트 유래의 구성 단위의 함유량은, 구성 단위의 총질량(100 질량%)에 대해서, 50 ~ 100 질량%인 것이 바람직하고, 80 ~ 100 질량%인 것이 보다 바람직하고, 90 ~ 100 질량%인 것이 더 바람직하다.
다른 공중합성 단량체로는, 상기 (메타)아크릴레이트 화합물과 공중합할 수 있는 화합물이면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 (메타)아크릴산, 비닐안식향산, 말레인산, 비닐프탈산 등의 불포화 카르복실산류; 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에테르, 스티렌,α-메틸 스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다.
바인더 성분을 구성하는 수지의 질량 평균 분자량(Mw)은, 1,000 ~ 1,000,000인 것이 바람직하고, 10,000 ~ 800,000인 것이 보다 바람직하다. 수지의 질량 평균 분자량이 상기 범위 내인 것으로, 필름으로서 충분한 막 강도를 발현하고, 또한 유연성을 부여하는 것이 용이해진다.
또한 본 명세서에서, 「질량 평균 분자량」이란, 특별히 명시되지 않는 한, 겔·퍼미션·크로마토그래피(GPC) 법에 따라 측정되는 폴리스티렌 환산치이다.
바인더 성분을 구성하는 수지의 유리 전이 온도(Tg)는, -60 ~ 50℃인 것이 바람직하고, -30 ~ 10℃인 것이 보다 바람직하고, -20℃ 이상 0℃ 미만인 것이 더 바람직하다. 수지의 Tg가 상기 상한치 이하인 것으로, 필름상 소성재료와 피착체의 소성 전의 접착력이 향상한다. 또한 필름상 소성재료의 유연성이 높아진다. 한편, 수지의 Tg가 상기 하한치 이상인 것으로, 필름 형상을 유지할 수 있고, 지지 시트 등으로부터의 필름상 소성재료의 분리가 보다 용이해진다.
본 명세서에서 「유리 전이 온도(Tg)」란, 시차주사 열량계를 이용하여, 시료의 DSC 곡선을 측정하고, 얻어진 DSC 곡선의 변곡점의 온도로 나타낸다.
바인더 성분은, 필름상 소성재료의 소성으로서 가열 처리됨으로써 열분해되는 열분해성이어도 좋다. 바인더 성분이 열분해된 것은, 소성에 의한 바인더 성분의 질량 감소에 의해 확인할 수 있다. 또한 바인더 성분으로서 배합되는 성분은 소성에 의해 거의 열분해되어도 좋지만, 바인더 성분으로서 배합되는 성분의 전질량이, 소성에 의해 열분해되지 않아도 좋다.
바인더 성분은, 소성 전의 바인더 성분의 총질량(100 질량%)에 대하여, 소성 후의 질량이 10 질량% 이하가 되는 것이어도 좋고, 5 질량% 이하가 되는 것이어도 좋고, 3 질량% 이하가 되는 것이어도 좋고, 0 질량%가 되는 것이어도 좋다.
＜그 외의 첨가제＞
본 실시형태의 필름상 소성재료는, 상기의 제1의 금속 입자, 제2의 금속 입자 및 바인더 성분 외에, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서, 제1의 금속 입자, 제2의 금속 입자 및 바인더 성분에 해당하지 않는 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 좋다.
본 실시형태의 필름상 소성재료에 함유되어도 좋은 그 외의 첨가제로는, 용매, 분산제, 가소제, 점착 부여제, 보존 안정제, 소포제, 열분해 촉진제, 및 산화 방지제 등을 들 수 있다. 첨가제는, 1종만 함유되어도 좋고, 2종 이상 함유되어도 좋다. 이러한 첨가제는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 이 분야에서 통상 이용되는 것을 적절히 선택할 수 있다.
＜조성＞
본 실시형태의 필름상 소성재료는, 제1의 금속 입자, 제2의 금속 입자, 바인더 성분, 및 그 외의 첨가제로 이루어지는 것이어도 좋고, 이러한 함유량(질량%)의 합은 100 질량%가 된다.
필름상 소성재료에서, 제1의 금속 입자/제2의 금속 입자로 나타내는 질량비(제1의 금속 입자/제2의 금속 입자)는 0.1 이상이고, 0.2 이상이 바람직하고, 0.4 이상이 보다 바람직하다. 제1의 금속 입자의 비율이 너무 적으면, 소성 후의 필름상 소성재료 중에 공극이 생기기 쉬워져, 열전도성이나 전단 접착력의 저하의 원인이 된다. 제1의 금속 입자/제2의 금속 입자가 상기 하한치 이상인 것으로, 제1의 금속 입자의 함유량을 충분히 확보할 수 있다. 따라서, 소성해도 공극이 생기기 어려운 필름상 소성재료가 얻어져 열전도성이나 전단 접착력이 높아진다.
제1의 금속 입자/제2의 금속 입자는 100 이하가 바람직하고, 50 이하가 보다 바람직하고, 25 이하가 더 바람직하다.
예를 들면, 제1의 금속 입자/제2의 금속 입자는 0.1 이상 100 이하, 0.1 이상 50 이하, 0.1 이상 25 이하, 0.2 이상 100 이하, 0.2 이상 50 이하, 0.2 이상 25 이하, 0.4 이상 100 이하, 0.4 이상 50 이하, 0.4 이상 25 이하이어도 좋다.
필름상 소성재료에서의 용매 이외의 모든 성분(이하 「고형분」이라고 표기한다.)의 총질량(100 질량%)에 대한, 제1의 금속 입자 및 제2의 금속 입자의 총함유량은, 50 ~ 99 질량%가 바람직하고, 70 ~ 97 질량%가 보다 바람직하고, 80 ~ 95 질량%가 더 바람직하다.
필름상 소성재료에서의 고형분의 총질량(100 질량%)에 대한 바인더 성분의 함유량은, 1 ~ 50 질량%가 바람직하고, 3 ~ 30 질량%가 보다 바람직하고, 5 ~ 20 질량%가 더 바람직하다. 바인더 성분의 함유량이 상기 상한치 이하인 것으로, 제1의 금속 입자 및 제2의 금속 입자의 함유량을 충분히 확보할 수 있으므로, 필름상 소성재료와 피착체의 접착력이 향상한다. 한편, 바인더 성분의 함유량이 상기 하한치 이상인 것으로, 필름 형상을 유지할 수 있다.
필름상 소성재료에는, 제1의 금속 입자, 제2의 금속 입자, 바인더 성분 및 그 외의 첨가제 성분을 혼합할 때에 사용하는 상기한 고비점 용매가 포함되어 있어도 좋다. 필름상 소성재료의 총질량(100 질량%)에 대한, 고비점 용매의 함유량은, 20 질량% 이하가 바람직하고, 15 질량% 이하가 보다 바람직하고, 10 질량% 이하가 더 바람직하다.
상기의 본 실시형태의 필름상 소성재료에 따르면, 필름상이기 때문에, 두께 안정성이 우수하다. 또한, 본 실시형태의 필름상 소성재료는 소결성 금속 입자인 제1의 금속 입자와 비소결성 금속 입자인 제2의 금속 입자를 특정의 질량비로 포함하기 때문에, 소성 후의 필름상 소성재료 중에 공극이 생기기 어렵고, 열전도성이나 전단 접착력이 우수하다. 또한, 본 실시형태의 필름상 소성재료에 포함되는 제2의 금속 입자의 평균 입자경이, 100 nm 초과 10000 nm 이하이기 때문에, 제2의 금속 입자가 응집하기 어렵고, 균일하게 분산할 수 있다. 따라서, 본 실시형태의 필름상 소성재료는, 소성 후에 우수한 전단 접착력을 발휘할 수 있다.
상기의 본 실시형태의 필름상 소성재료에 따르면, 300 W/(m·K) 이상의 열전도율을 발현하기 쉽다. 또한, 본 실시형태의 필름상 소성재료에 따르면, 25 MPa 이상의 전단 접착력을 발현하기 쉽다. 열전도율 및 전단 접착력의 측정 방법은, 후술하는 실시예에 기재한 바와 같다.
필름상 소성재료는, 적어도 한쪽의 측(표면)에 지지 시트가 설치된, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료로 할 수 있다.
지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 상세는 후술한다.
≪필름상 소성재료의 제조 방법≫
필름상 소성재료는, 그 구성 재료를 함유하는 소성재료 조성물을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 필름상 소성재료의 형성 대상면에, 필름상 소성재료를 구성하기 위한 각 성분 및 용매를 포함하는 소성재료 조성물을 도공 또는 인쇄해, 필요에 따라서 용매를 휘발시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 필름상 소성재료를 형성할 수 있다.
필름상 소성재료의 형성 대상면으로는, 박리 필름의 표면을 들 수 있다.
소성재료 조성물을 도공하는 경우, 용매로는 비점이 200℃ 미만의 것이 바람직하고, 예를 들면 n-헥산(비점：68℃), 아세트산에틸(비점：77℃), 2-부타논(비점：80℃), n-헵탄(비점：98℃), 메틸 시클로헥산(비점：101℃), 톨루엔(비점：111℃), 아세틸아세톤(비점：138℃), n-크실렌(비점：139℃) 및 디메틸 포름아미드(비점：153℃) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 좋고, 또한 조합하여 사용해도 좋다.
소성재료 조성물의 도공은, 공지의 방법으로 행하면 좋고, 예를 들면 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 콤마 코터(등록상표), 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.
소성재료 조성물을 인쇄하는 경우, 용매로는 인쇄 후에 휘발 건조할 수 있는 것이면 좋고, 비점이 65 ~ 350℃인 것이 바람직하다. 이러한 용매로는, 먼저 예시한 비점이 200℃ 미만의 용매나, 이소포론(비점：215℃), 부틸카르비톨(비점：230℃), 1­데칸올(비점：233℃), 부틸카르비톨아세테이트(비점：247℃), 이소보르닐시클로헥사놀(비점：318℃) 등을 들 수 있다.
비점이 350℃를 웃돌면, 인쇄 후의 휘발 건조로 용매가 휘발하기 어려워져, 소망한 형상을 확보하는 것이 곤란해지거나 소성시에 용매가 필름 내에 잔존해, 접합 접착성을 열화시킬 가능성이 있다. 비점이 65℃를 밑돌면 인쇄시에 휘발해, 두께의 안정성이 손상될 우려가 있다. 비점이 200 ~ 350℃의 용매를 이용하면, 인쇄시의 용매의 휘발에 의한 점도 상승을 억제할 수 있어 인쇄 적성을 얻을 수 있다.
소성재료 조성물의 인쇄는, 공지의 인쇄 방법으로 행할 수 있고, 예를 들면, 플렉소 인쇄 등의 볼록판 인쇄, 그라비아 인쇄 등의 오목판 인쇄, 오프셋 인쇄 등의 평판 인쇄, 실크 스크린 인쇄나 로터리 스크린 인쇄 등의 스크린 인쇄, 잉크젯 프린터 등의 각종 프린터에 의한 인쇄 등의 방법을 들 수 있다.
필름상 소성재료의 형상은, 소결 접합의 대상의 형상에 맞추어 적절히 설정하면 좋고, 원형 또는 직사각형이 바람직하다. 원형은 반도체 웨이퍼의 형상에 대응한 형상이다. 직사각형은 칩의 형상에 대응한 형상이다. 대응한 형상이란, 소결 접합의 대상의 형상과 동일한 형상 또는 거의 동일한 형상이어도 좋다.
필름상 소성재료가 원형인 경우, 원의 면적은, 3.5 ~ 1,600 ㎠이어도 좋고, 85 ~ 1,400 ㎠이어도 좋다. 필름상 소성재료가 직사각형인 경우, 직사각형의 면적은, 0.01 ~ 25 ㎠이어도 좋고, 0.25 ~ 9 ㎠이어도 좋다.
소망한 형상으로 가공하기 쉬운 점에서, 필름상 소성재료는, 소성재료 조성물을 이용하여 인쇄에 의해 제조되는 것이 바람직하고, 특히, 스크린 인쇄에 의해 제조되는 것이 보다 바람직하다.
소성재료 조성물의 건조 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 소성재료 조성물이 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면 70 ~ 250℃, 예를 들면 80 ~ 180℃에서, 10초 ~ 10분간의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 필름상 소성재료는, 제1의 금속 입자, 제2의 금속 입자 및 바인더 성분을 함유하는 필름상 소성재료로서, 상기 제1의 금속 입자의 평균 입자경이 100 nm 이하이고, 또한 최대 입자경이 250 nm 이하이고, 상기 제2의 금속 입자의 평균 입자경이 1000 ~ 7000 nm이고, 최소 입자경이 250 nm 초과이고, 또한 최대 입자경이 10000 nm 이하이고, 제1의 금속 입자/제2의 금속 입자로 나타내는 질량비가 0.1 이상인, 필름상 소성재료이지만, 상기 제1의 금속 입자의 평균 입자경이 0.5 ~ 80 nm이고, 최대 입자경이 250 nm 이하이고, 또한 최소 입자경이 0.5 nm 이상이고, 상기 제2의 금속 입자의 평균 입자경이 1500 ~ 5000 nm이고, 최대 입자경이 10000 nm 이하이고, 또한 최소 입자경이 450 nm 이상이고, 제1의 금속 입자/제2의 금속 입자로 나타내는 질량비가 0.2 이상 25 이하인, 필름상 소성재료가 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 필름상 소성재료는, 필름상 소성재료에서의 고형분의 총질량(100 질량%)에 대한, 제1의 금속 입자 및 제2의 금속 입자의 총함유량이 80 ~ 95 질량%이고, 바인더 성분의 함유량이 5 ~ 20 질량%인, 필름상 소성재료가 바람직하다.
≪지지 시트를 가지는 필름상 소성재료≫
본 실시형태의 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료는, 상술한 필름상 소성재료와 상기 필름상 소성재료의 적어도 한쪽의 측(표면)에 설치된 지지 시트를 구비한다. 상기 지지 시트는, 기재 필름 상의 전면 혹은 외주부에 점착제층이 설치된 것이고, 상기 점착제층 상에, 상기 필름상 소성재료가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 상기 필름상 소성재료는, 점착제층에 직접 접촉해서 설치되어도 좋고, 기재 필름에 직접 접촉해서 설치되어도 좋다. 본 형태를 취함으로써 반도체 웨이퍼를 칩으로 개편화할 때에 사용하는 다이싱 시트로서 사용할 수 있다. 또한, 블레이드 등을 이용하여 반도체 웨이퍼와 함께 개편화하는 것으로 칩과 동일한 형상의 필름상 소성재료로서 가공할 수 있고, 또한 필름상 소성재료를 가지는 칩을 제조할 수 있다.
이하, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 일 실시형태에 대해 설명한다. 도 2 및 도 3에, 본 실시형태의 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 개략 단면도를 나타낸다. 도 2, 도 3에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(100a, 100b)는, 외주부에 점착부를 가지는 지지 시트(2)의 내주부에, 필름상 소성재료(1)를 박리할 수 있게 가착되어 이루어진다. 지지 시트(2)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 기재 필름(3)의 상면에 점착제층(4)을 가지는 점착 시트이고, 상기 점착제층(4)의 내주부 표면이, 필름상 소성재료에 덮이고, 외주부에 점착부가 노출된 구성이 된다. 또한, 도 3에 나타낸 바와 같이, 지지 시트(2)는, 기재 필름(3)의 외주부에 링상의 점착제층(4)을 가지는 구성이어도 좋다.
필름상 소성재료(1)는, 지지 시트(2)의 내주부에, 첩부되는 워크(반도체 웨이퍼 등)와 거의 동일한 형상으로 형성되어 이루어진다. 지지 시트(2)의 외주부에는 점착부를 가진다. 바람직한 형태에서는, 지지 시트(2)보다도 소경의 필름상 소성재료(1)가, 원형의 지지 시트(2) 상에 동심원상으로 적층되어 있다. 외주부의 점착부는, 도시한 바와 같이, 링 프레임(5)의 고정에 이용된다.
(기재 필름)
기재 필름(3)으로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 에틸렌·프로필렌 공중합체, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 에틸 공중합체, 폴리염화비닐, 염화비닐·아세트산비닐 공중합체, 폴리우레탄 필름, 아이오노머 등으로 이루어지는 필름 등이 이용된다. 또한 본 명세서에서 「(메타)아크릴」은, 아크릴 및 메타크릴의 양자를 포함하는 의미로 이용한다.
또한 지지 시트에 대해서 더 높은 내열성이 요구되는 경우에는, 기재 필름(3)으로는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀 필름 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 가교 필름이나 방사선·방전 등에 의한 개질 필름도 이용할 수 있다. 기재 필름은 상기 필름의 적층체이어도 좋다.
또한, 이들의 필름은, 2 종류 이상을 적층하거나 조합하여 이용할 수도 있다. 또한 이들 필름을 착색한 것, 혹은 인쇄를 실시한 것 등도 사용할 수 있다. 또한, 필름은 열가소성 수지를 압출 성형에 의해 시트화한 것이어도 좋고, 연신된 것이어도 좋고, 경화성 수지를 소정 수단에 의해 박막화, 경화해 시트화한 것이 사용되어도 좋다.
기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않고, 바람직하게는 30 ~ 300㎛, 보다 바람직하게는 50 ~ 200㎛이다. 기재 필름의 두께를 상기 범위로 함으로써, 다이싱에 의한 노치가 행해져도 기재 필름의 단열이 일어나기 어렵다. 또한, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료에 충분한 가요성이 부여되기 때문에, 워크(예를 들면 반도체 웨이퍼 등)에 대해서 양호한 첩부성을 나타낸다.
기재 필름은, 표면에 박리제를 도포해 박리 처리를 실시하는 것으로 얻을 수도 있다. 박리 처리에 이용되는 박리제로는, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등이 이용되지만, 특히 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 가지므로 바람직하다.
상기의 박리제를 이용하여 기재 필름의 표면을 박리 처리하기 위해서는, 박리제를 그대로 무용제로, 또는 용제 희석이나 에멀젼화하여, 그라비아 코터, 메이어 바 코터, 에어 나이프 코터, 롤 코터 등에 의해 도포하여, 박리제가 도포된 기재 필름을 상온하 또는 가열하에 제공하거나, 또는 전자선에 의해 경화시키거나 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열용융 라미네이션, 용융 압출 라미네이션, 공압출 가공 등에서 적층체를 형성하면 좋다.
(점착제층)
지지 시트(2)는, 적어도 그 외주부에 점착부를 가진다. 점착부는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(100a, 100b)의 외주부에 링 프레임(5)을 일시적으로 고정하는 기능을 가지고, 필요한 공정 후에는 링 프레임(5)을 박리할 수 있는 것이 바람직하다. 따라서, 점착제층(4)에는, 약(弱) 점착성의 것을 사용해도 좋고, 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하하는 에너지선 경화성의 것을 사용해도 좋다. 재박리성 점착제층은, 공지의 여러 가지의 점착제(예를 들면, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계, 폴리비닐 에테르계 등의 범용 점착제, 표면 요철이 있는 점착제, 에너지선 경화형 점착제, 열팽창성분 함유 점착제 등)에 의해 형성할 수 있다.
지지 시트(2)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 기재 필름(3)의 상측 전면에 점착제층(4)을 가지는 통상의 구성의 점착 시트이고, 상기 점착제층(4)의 내주부 표면이, 필름상 소성재료에 덮이고, 외주부에 점착부가 노출된 구성이어도 좋다. 이 경우, 점착제층(4)의 외주부는, 상기한 링 프레임(5)의 고정에 사용되어 내주부에는, 필름상 소성재료를 박리할 수 있게 적층된다. 점착제층(4)으로는, 상기와 마찬가지로, 약 점착성의 것을 사용해도 좋고, 또한 에너지선 경화성 점착제를 사용해도 좋다.
또한, 도 3에 나타낸 구성에서는, 기재 필름(3)의 외주부에 링상의 점착제층(4)을 형성하여, 점착부로 한다. 이 때, 점착제층(4)은, 상기 점착제로 이루어지는 단층 점착제층이어도 좋고, 상기 점착제로 이루어지는 점착제층을 포함하는 양면 점착 테이프를 환상으로 절단한 것이어도 좋다.
약점착제로는, 아크릴계, 실리콘계가 바람직하게 이용된다. 또한, 필름상 소성재료의 박리성을 고려하여, 점착제층(4)의 23℃에서의 SUS판에의 점착력은, 30 ~ 120 mN/25 mm인 것이 바람직하고, 50 ~ 100 mN/25 mm인 것이 더 바람직하고, 60 ~ 90 mN/25 mm인 것이 보다 바람직하다. 이 점착력이 너무 낮으면, 링 프레임이 탈락하는 경우가 있다. 또한 점착력이 너무 높으면, 링 프레임으로부터의 박리가 곤란해져, 링 프레임을 재이용하기 어려워진다.
도 2의 구성의 지지 시트에서, 에너지선 경화성의 재박리성 점착제층을 이용하는 경우, 필름상 소성재료가 적층되는 영역에 미리 에너지선 조사를 행해, 점착성을 저감시켜도 좋다. 이 때, 다른 영역은 에너지선 조사를 행하지 않고, 예를 들면 링 프레임(5)에의 접착을 목적으로, 점착력을 높은 채 유지해 두어도 좋다. 다른 영역에만 에너지선 조사를 행하지 않도록 하려면, 예를 들면 기재 필름의 다른 영역에 대응하는 영역에 인쇄 등에 의해 에너지선 차폐층을 설치하고 기재 필름측에 에너지선 조사를 행하면 좋다. 또한, 도 2의 구성의 지지 시트에서는, 기재 필름(3)과 점착제층(4)의 접착을 강고하게 하기 위해, 기재 필름(3)의 점착제층(4)이 설치되는 면에는, 소망에 따라, 샌드 블래스트나 용제 처리 등에 의한 요철화 처리, 혹은 코로나 방전 처리, 전자선 조사, 플라스마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리 등을 실시할 수 있다. 또한, 프라이머 처리를 실시할 수도 있다.
점착제층(4)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 ~ 100㎛, 더 바람직하게는 2 ~ 80㎛, 특히 바람직하게는 3 ~ 50㎛이다.
(지지 시트를 가지는 필름상 소성재료)
지지 시트를 가지는 필름상 소성재료는, 외주부에 점착부를 가지는 지지 시트의 내주부에 필름상 소성재료를 박리할 수 있게 가착되어 이루어진다. 도 2에 나타낸 구성예에서는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(100a)는, 기재 필름(3)과 점착제층(4)으로 이루어지는 지지 시트(2)의 내주부에 필름상 소성재료(1)를 박리할 수 있게 적층되어 지지 시트(2)의 외주부에 점착제층(4)이 노출되어 있다. 이 구성예에서는, 지지 시트(2)보다 소경의 필름상 소성재료(1)가, 지지 시트(2)의 점착제층(4) 상에 동심원상으로 박리할 수 있게 적층되어 있는 것이 바람직하다.
상기 구성의 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(100a)는, 지지 시트(2)의 외주부에 노출된 점착제층(4)에서, 링 프레임(5)에 첩부된다.
또한, 링 프레임에 대한 풀칠(점착 시트의 외주부에서의 노출된 점착제층) 상에, 더욱 환상의 양면 테이프 혹은 점착제층을 별도 설치해도 좋다. 양면 테이프는 점착제층/심재/점착제층의 구성을 가지고, 양면 테이프에서의 점착제층은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐 에테르 등의 점착제가 이용된다. 점착제층은, 후술하는 칩을 가지는 기판을 제조할 때에, 그 외주부에서 링 프레임에 첩부된다. 양면 테이프의 심재로는, 예를 들면, 폴리에스테르 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름, 액정 폴리머 필름 등이 바람직하게 이용된다.
도 3에 나타낸 구성예에서는, 기재 필름(3)의 외주부에 링상의 점착제층(4)을 형성하여, 점착부로 한다. 도 4에, 도 3에서 나타내는 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(100b)의 사시도를 나타낸다. 이 때, 점착제층(4)은, 상기 점착제로 이루어지는 단층 점착제층이어도 좋고, 상기 점착제로 이루어지는 점착제층을 포함하는 양면 점착 테이프를 환상으로 절단한 것이어도 좋다. 필름상 소성재료(1)는, 점착부에 둘러싸인 기재 필름(3)의 내주부에 박리할 수 있게 적층된다. 이 구성예에서는, 지지 시트(2)보다도 소경의 필름상 소성재료(1)가, 지지 시트(2)의 기재 필름(3) 상에 동심원상으로 박리할 수 있게 적층되어 있는 것이 바람직하다.
지지 시트를 가지는 필름상 소성재료에는, 사용에 제공할 때까지, 필름상 소성재료 및 점착부의 어느 하나 또는 그 양쪽 모두의 표면에, 외부와의 접촉을 피하기 위한 표면 보호를 목적으로 박리 필름을 설치해도 좋다.
표면 보호 필름(박리 필름)으로는, 먼저 든 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 및 폴리프로필렌 등의 기재 필름 표면에, 박리제를 이용하여 상술한 박리 처리를 실시하는 것으로 얻을 수도 있다. 박리 처리에 이용되는 박리제로는, 기재 필름의 설명에서 먼저 예시한 박리제를 들 수 있다.
지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 두께는, 1 ~ 500㎛가 바람직하고, 5 ~ 300㎛가 보다 바람직하고, 10 ~ 150㎛가 더 바람직하다.
여기서, 「지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 두께」란, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 두께란, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 구성하는 모든 층의 두께를 의미한다.
≪지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 제조 방법≫
상기 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료는, 상술의 각 층을 대응하는 위치 관계가 되도록 순차 적층하는 것으로 제조할 수 있다.
예를 들면, 기재 필름 상에 점착제층 또는 필름상 소성재료를 적층하는 경우에는, 박리 필름 상에, 이것을 구성하기 위한 성분 및 용매를 함유하는 점착제 조성물 또는 소성재료 조성물을 도공 또는 인쇄하고, 필요에 따라서 건조시키고 용매를 휘발시켜 필름상으로 함으로써, 박리 필름 상에 점착제층 또는 필름상 소성재료를 미리 형성해 두어, 이 형성된 점착제층 또는 필름상 소성재료의 상기 박리 필름과 접촉되어 있는 측과는 반대측의 노출면을, 기재 필름의 표면과 첩합(貼合)하면 좋다. 이 때, 점착제 조성물 또는 소성재료 조성물은, 박리 필름의 박리 처리면에 도공 또는 인쇄하는 것이 바람직하다. 박리 필름은, 적층 구조의 형성 후, 필요에 따라서 없애면 좋다. 점착제 조성물 또는 소성재료 조성물에서의, 이것을 구성하기 위한 각 성분의 함유량은 각 성분의 합계로 50 ~ 99 질량%, 용매의 함유량은 1 ~ 50 질량%이어도 좋다.
예를 들면, 기재 필름 상에 점착제층이 적층되고 상기 점착제층 상에 필름상 소성재료가 적층되어 이루어지는 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(지지 시트가 기재 필름 및 점착제층의 적층물인 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료)를 제조하는 경우에는, 상술의 방법으로, 기재 필름 상에 점착제층을 적층해 두고, 별도, 박리 필름 상에 필름상 소성재료를 구성하기 위한 성분 및 용매를 함유하는 소성재료 조성물을 도공 또는 인쇄하고, 필요에 따라서 건조시키고 용매를 휘발시켜 필름상으로 함으로써, 박리 필름 상에 필름상 소성재료를 형성해 두고, 이 필름상 소성재료의 노출면을, 기재 상에 적층된 점착제층의 노출면과 첩합하여, 필름상 소성재료를 점착제층 상에 적층함으로써 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료가 얻어진다. 박리 필름 상에 필름상 소성재료를 형성하는 경우도, 소성재료 조성물은, 박리 필름의 박리 처리면에 도공 또는 인쇄하는 것이 바람직하고, 박리 필름은, 적층 구조의 형성 후, 필요에 따라서 없애면 좋다.
이와 같이, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 구성하는 기재 이외의 층은 모두, 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 목적으로 하는 층의 표면에 첩합하는 방법으로 적층할 수 있기 때문에, 필요에 따라서 이러한 공정을 채용하는 층을 적절히 선택하여, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 제조하면 좋다.
또한 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료는, 필요한 층을 모두 설치한 후, 그 지지 시트와는 반대측의 최표층의 표면에, 박리 필름이 첩합된 상태로 보관되어도 좋다.
≪칩을 가지는 기판의 제조 방법≫
다음에 본 발명에 따른 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 이용 방법에 대해서, 상기 소성재료를 칩을 가지는 기판의 제조에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.
본 발명의 일 실시형태로서 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 이용한 칩을 가지는 기판의 제조 방법은, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 박리 필름을 박리하고, 반도체 웨이퍼(워크)의 이면에, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 첩부하고, 이하의 공정(1) ~ (2)를, (1), (2)의 순서로 행해도 좋고, 이하의 공정(1) ~ (4)를, (1), (2), (3), (4)의 순서로 행해도 좋다.
공정(1)：지지 시트, 필름상 소성재료, 및 반도체 웨이퍼(워크)가 이 순서로 적층된 적층체의, 반도체 웨이퍼(워크)와 필름상 소성재료를 다이싱 하는 공정,
공정(2)：필름상 소성재료와 지지 시트를 박리해, 필름상 소성재료를 가지는 칩을 얻는 공정,
공정(3)：기판의 표면에, 필름상 소성재료를 가지는 칩을 첩부하는 공정,
공정(4)：필름상 소성재료를 소성하고, 칩과 기판을 접합하는 공정.
이하, 상기 공정(1) ~ (4)를 실시하는 경우에 대해 설명한다.
반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼 및 실리콘카바이드 웨이퍼이어도 좋고, 또한 갈륨·비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼이어도 좋다. 반도체 웨이퍼의 표면에는, 회로가 형성되어 있어도 좋다. 웨이퍼 표면에의 회로의 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 범용되고 있는 방법을 포함하는 여러가지 방법에 따라 행할 수 있다. 이어서, 반도체 웨이퍼의 회로면의 반대면(이면)을 연삭한다. 연삭법은 특별히 한정되지 않고, 그라인더 등을 이용한 공지의 수단으로 연삭해도 좋다. 이면연삭시에는, 표면의 회로를 보호하기 위해서 회로면에, 표면 보호 시트로 불리는 점착 시트를 첩부한다. 이면연삭은, 웨이퍼의 회로면 측(즉 표면 보호 시트 측)을 척 테이블 등에 의해 고정하고, 회로가 형성되어 있지 않은 이면 측을 그라인더에 의해 연삭한다. 웨이퍼의 연삭 후의 두께는 특별히 한정은 되지 않지만, 통상은 20 ~ 500㎛ 정도이다. 그 후, 필요에 따라 이면연삭시에 생긴 파쇄층을 제거한다. 파쇄층의 제거는, 케미컬 에칭이나, 플라스마 에칭 등에 의해 행해진다.
이어서, 반도체 웨이퍼의 이면에, 상기 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 필름상 소성재료를 첩부한다. 그 후, 공정(1) ~ (4)를 (1), (2), (3), (4)의 순서로 행한다.
반도체 웨이퍼/필름상 소성재료/지지 시트의 적층체를, 웨이퍼 표면에 형성된 회로째로 다이싱하여, 칩/필름상 소성재료/지지 시트의 적층체를 얻는다. 다이싱은, 반도체 웨이퍼와 필름상 소성재료를 함께 절단하도록 행해진다. 본 실시형태의 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료에 따르면, 다이싱시에 필름상 소성재료와 지지 시트의 사이에 점착력이 발휘되기 때문에, 칩핑이나 칩 날림을 방지할 수 있어 다이싱 적성이 우수하다. 다이싱은 특별히 한정은 되지 않고, 일례로서 반도체 웨이퍼의 다이싱시에는 지지 시트의 주변부(지지체의 외주부)를 링 프레임에 의해 고정한 후, 다이싱블레이드 등의 회전 칼날을 이용하는 등의 공지의 수법에 따라 반도체 웨이퍼의 개편화를 행하는 방법 등을 들 수 있다. 다이싱에 의한 지지 시트에의 노치 깊이는, 필름상 소성재료를 완전하게 절단하고 있어도 좋고, 필름상 소성재료와 지지 시트의 계면에서 0 ~ 30㎛로 하는 것이 바람직하다. 지지 시트에의 노치량을 작게 함으로써, 다이싱블레이드의 마찰에 의한 지지 시트를 구성하는 점착제층이나 기재 필름의 용융이나, 버 등의 발생을 억제할 수 있다.
또한 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼를 개편화한 것(칩)을 특히, 소자 또는 반도체소자라고도 한다.
그 후, 상기 지지 시트를 확장해도 좋다. 지지 시트의 기재 필름으로서 신장성이 우수한 것을 선택한 경우는, 지지 시트는, 우수한 확장성을 가진다. 다이싱된 필름상 소성재료를 가지는 칩을 콜릿(collet) 등의 범용 수단에 의해 픽업함으로써, 필름상 소성재료와 지지 시트를 박리한다. 이 결과, 이면에 필름상 소성재료를 가지는 칩(필름상 소성재료를 가지는 칩)이 얻어진다.
계속해서, 기판의 표면에, 필름상 소성재료를 가지는 칩을 첩부한다. 기판에는, 리드 프레임이나 히트 싱크 등도 포함된다.
그 다음에 필름상 소성재료를 소성하고, 기판과 칩을 소결 접합한다. 이 때, 필름상 소성재료를 가지는 칩의 필름상 소성재료의 노출면을, 기판에 첩부해 두면, 필름상 소성재료를 개재하여 칩과 상기 기판을 소결 접합할 수 있다.
필름상 소성재료를 소성하는 가열 온도는, 필름상 소성재료의 종류 등을 고려해 적절히 정하면 좋지만, 100 ~ 600℃가 바람직하고, 150 ~ 550℃가 보다 바람직하고, 250 ~ 500℃가 더 바람직하다. 가열 시간은, 필름상 소성재료의 종류 등을 고려해 적절히 정하면 좋지만, 1 ~ 60분간이 바람직하고, 1 ~ 30분간이 보다 바람직하고, 1 ~ 10분간이 더 바람직하다.
필름상 소성재료의 소성은, 필름상 소성재료에 압력을 걸어 소성하는 가압소성을 행해도 좋다. 가압 조건은, 일례로서 1 ~ 50 MPa 정도로 할 수 있다.
본 실시형태의 칩을 가지는 기판의 제조 방법에 따르면, 두께의 균일성이 높은 필름상 소성재료를, 칩 이면에 간편하게 형성할 수 있어 다이싱 공정이나 패키징의 후에 크랙이 발생하기 어려워진다. 또한, 본 실시형태의 칩을 가지는 기판의 제조 방법에 따르면, 개별화된 칩 이면에, 필름상 소성재료를 개별적으로 첩부하지 않고 필름상 소성재료를 가지는 칩을 얻을 수 있어 제조 공정의 간략화가 도모된다. 그리고, 필름상 소성재료를 가지는 칩을 소망한 기판 상에 배치해 소성하는 것으로, 필름상 소성재료를 개재하여 칩과 기판이 소결 접합된 칩을 가지는 기판을 제조할 수 있다.
일 실시형태로서 칩과 본 발명의 필름상 소성재료를 구비하는, 필름상 소성재료를 가지는 칩이 얻어진다. 필름상 소성재료를 가지는 칩은, 일례로서 상기의 칩을 가지는 기판의 제조 방법에 따라 제조할 수 있다.
또한 상기 실시형태에서는, 필름상 소성재료의 칩과 그 기판의 소결 접합에 대해 예시했지만, 필름상 소성재료의 소결 접합 대상은, 상기에 예시한 것에 한정되지 않고, 필름상 소성재료와 접촉해 소결시킨 여러 가지의 물품에 대해, 소결 접합할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 블레이드 등을 이용하여 반도체 웨이퍼와 함께 개편화하는 것으로 칩과 동형의 필름상 소성재료로서 가공할 수 있고, 또한 필름상 소성재료를 가지는 칩을 제조할 수 있다. 즉, 필름상 소성재료를 가지는 칩에서, 필름상 소성재료의 접촉면과 칩의 접촉면의 크기(면적)는 같지만, 이들은 달라도 좋다. 예를 들면, 필름상 소성재료의 접촉면이 칩의 접촉면보다도 큰 상태로, 기판과 칩을 필름상 소성재료를 개재하여 첩합해도 좋다. 구체적으로는, 기판에 소망한 크기의 필름상 소성재료를 배치해 두어, 상기 필름상 소성재료보다도 접촉면이 작은 칩을 필름상 소성재료 상에 첩부해도 좋다.
실시예
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등에 한정되는 것은 아니다.
≪실시예 1 ~ 5, 비교예 1 ~ 2≫
＜소성재료 조성물의 제조＞
하기 표 1에 나타내는 종류의 제1의 금속 입자 및 제2의 금속 입자를 합계로 95 질량부와, 바인더 성분(2-에틸헥실 메타크릴레이트 중합체, 질량 평균 분자량 260,000, L-0818, Nippon Synthetic Chem Industry Co., Ltd. 제, MEK 희석품, 고형분 58.4 질량%, Tg：-10℃)을 고형분 환산으로 5 질량부 혼합해, 용매(부틸카르비톨)로 고형분 농도가 75 질량%가 될 때까지 희석하고, 소성재료 조성물을 얻었다.
제1의 금속 입자와 제2의 금속 입자는, 제1의 금속 입자/제2의 금속 입자로 나타내는 질량비가 표 1에 나타내는 값이 되도록 혼합하였다.
또한 제1의 금속 입자의 입자경은 TEM로 측정하고, 제2의 금속 입자의 입자경은 SEM로 측정하였다.
＜필름상 소성재료의 제조＞
한 면에 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌 테레프탈레이트계 필름인 박리 필름(두께 38㎛, SP-PET381031, LINTEC Corporation 제)의 한 면에, 상기에서 얻어진 소성재료 조성물을 도공해, 110℃, 10분간 건조시킴으로써, 두께 75㎛의 필름상 소성재료를 얻었다.
＜필름상 소성재료로부터의 제1의 금속 입자 및 제2의 금속 입자와 이들을 제외한 성분의 분리 방법＞
소성 전의 필름상 소성재료와 중량으로 약 10 배량의 유기용매를 혼합한 후에 이것을 제1의 금속 입자 및 제2의 금속 입자가 침강할 때까지, 약 30분간, 정치하였다. 이 상청액을 실린지로 빼내, 120℃, 10분간 건조한 후의 잔류물을 회수함으로써 필름상 소성재료로부터 제1의 금속 입자 및 제2의 금속 입자를 제외한 성분을 분취하였다. 또한 상기 실린지로 상청액을 빼낸 후의 제1의 금속 입자 및 제2의 금속 입자가 포함되는 액체에 대해서, 다시, 필름상 소성재료의 약 10 배량의 유기용매를 혼합한 후에 이것을 제1의 금속 입자 및 제2의 금속 입자가 침강할 때까지, 약 30분간, 정치하고, 상청액을 실린지로 빼냈다. 이 유기용매의 혼합과 정치 및 상청액의 빼냄을 5회 반복한 후, 남은 액을 120℃, 10분간 건조한 후, 잔류물을 회수함으로써 제1의 금속 입자 및 제2의 금속 입자를 분취하였다.
＜소성재료 조성물 및 필름상 소성재료의 측정·평가＞
상기에서 얻어진 소성재료 조성물 및 필름상 소성재료에 대해서, 하기 항목을 측정 및 평가하였다.
(분산 상태의 확인)
소성재료 조성물 및 필름상 소성재료를 눈으로 관찰해, 응집물의 유무를 확인하였다.
소성재료 조성물 및 필름상 소성재료의 어느 것도 응집물이 확인되지 않은 경우를 「○：분산 상태 양호」라고 판단하였다. 소성재료 조성물 및 필름상 소성재료의 적어도 한쪽에 응집물이 확인되었을 경우를 「×：분산 상태 불량」이라고 판단하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(두께의 측정)
JIS　K7130에 준하여, 정압두께 측정기 (Teclock 사 제, 제품명 「PG-02」)를 이용하여 측정하였다.
(열전도율의 측정)
필름상 소성재료의 소성 후의 열전도율은, 이하의 방법에 따라 측정하였다.
상기에서 얻어진 필름상 소성재료를 10 mm×10 mm으로 컷팅한 것을, 소성 후의 두께가 150㎛ 전후가 되도록 복수매 적층하여, 적층체(1)를 얻었다. 얻어진 적층체(1)의 양면에, 두께 100㎛, 면적 20 mm×20 mm의 알루미늄 시트를 첩부하여, 적층체(2)를 얻었다. 얻어진 적층체(2)를 직경 10 mm의 단면을 가지는 높이 5 mm의 원주체 형상의 구리편과 직경 5 mm의 단면을 가지는 높이 2 mm의 원주체 형상의 구리편 사이에 끼워, 질소 분위기 하에서 350℃, 10 MPa의 조건에서 3분간 가압 소성하고, 2매의 알루미늄 시트에 끼워진 소성체를 얻었다. 이어서, 소성체로부터 2매의 알루미늄 시트를 떼어내고, 열전도율 측정용의 시험편을 얻었다. 또한 소성 전의 필름상 소성재료의 적층 후의 두께는, 필름상 소성재료 중의 금속 입자의 체적 비율에 따라 대체로 정해져, 150㎛를 필름상 소성재료 중의 금속 입자의 체적 비율로 나눈 값이, 소성 전의 필름상 소성재료의 적층 후의 두께의 기준이 된다.
이어서, 열전도율 측정 장치(ai-Phase Co.,Ltd. 제 제품명 「아이페이즈·모바일 1 u」)를 이용하고, 시험편의 열확산율을 측정하고, 그 후, 시험편의 비열과 비중으로부터 시험편의 열전도율을 산출하였다. 측정은 여러 차례 실시해, 표준 편차가 평균치의 반 이하가 되도록, 다른 값에 비해 크게 다른 것을 제외한 것 중에서 5점 이상을 선택해, 이들의 평균치를 필름상 소성재료의 소성 후의 열전도율로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(전단 접착력의 측정)
필름상 소성재료의 소성 후의 전단 접착력은, 이하의 방법에 따라 측정하였다.
상기에서 얻어진 필름상 소성재료를 10 mm×10 mm로 컷팅하고, 이것을 직경 10 mm의 단면을 가지는 높이 5 mm의, 원주체 형상의 구리 피착체의 상면에 첩부하고, 그 위에 직경 5 mm의 단면을 가지는 높이 2 mm의, 원주체 형상의 구리 피착체를 배치하고, 질소 분위기 하에서 350℃, 10 MPa의 조건에서 3분간 가압 소성하고, 접합 접착력 측정용 시험편을 얻었다. 상온에서, 이 시험편의 접착면에 대해서 6 mm/분의 속도로 전단 방향으로 힘을 가해 접착 상태가 파괴할 때의 강도를 측정하고, 이것을 전단 접착력으로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112020086342481-pct00001
표 1로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1 ~ 5의 필름상 소성재료는, 비교예 1 ~ 2의 필름상 소성재료와 비교하여, 열전도성이 우수하고 전단 접착력이 높은 것이었다.
각 실시형태에서의 각 구성 및 이들의 조합 등은 일례이고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 구성의 부가, 생략, 치환, 및 그 외의 변경이 가능하다. 또한, 본 발명은 각 실시형태에 의해서 한정되지 않고, 청구항(클레임)의 범위에 의해서만 한정된다.
1　필름상 소성재료
2　지지 시트
3　기재 필름
4　점착제층
5　링 프레임
10　제1의 금속 입자
20　제2의 금속 입자
30　바인더 성분
100a　지지 시트를 가지는 필름상 소성재료
100b　지지 시트를 가지는 필름상 소성재료

Claims (5)

  1. 제1의 금속 입자, 제2의 금속 입자 및 바인더 성분을 함유하는 필름상 소성재료로서,
    상기 제1의 금속 입자의 평균 입자경이 100 nm 이하이고, 또한 최대 입자경이 250 nm 이하이고,
    상기 제2의 금속 입자의 평균 입자경이 1000 ~ 7000 nm이고, 최소 입자경이 250 nm 초과이고, 또한 최대 입자경이 10000 nm 이하이고,
    제1의 금속 입자/제2의 금속 입자로 나타내는 질량비가 0.1 이상이며,
    상기 바인더 성분은 메타크릴레이트 유래의 구성 단위를 함유하고, 바인더 성분을 구성하는 수지의 유리 전이 온도(Tg)가 -20 ℃ 이상 0 ℃ 미만인, 필름상 소성재료.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 금속 입자/제2의 금속 입자로 나타내는 질량비가 0.2 이상 25 이하인, 필름상 소성재료.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 필름상 소성재료, 및
    상기 필름상 소성재료의 적어도 한쪽의 측에 설치된 지지 시트,
    를 구비한, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 지지 시트는, 기재 필름 상에 점착제층이 설치된 것이고,
    상기 점착제층 상에, 상기 필름상 소성재료가 설치되어 있는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 바인더 성분이, 2-에틸헥실 메타크릴레이트 중합체인, 필름상 소성재료.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220102132A (ko) * 2019-11-22 2022-07-19 린텍 가부시키가이샤 필름상 소성 재료, 지지 시트 부착 필름상 소성 재료, 적층체, 및 장치의 제조 방법
TW202345248A (zh) * 2022-03-15 2023-11-16 美商阿爾發金屬化工公司 用於晶粒頂部附接之燒結就緒的多層線／帶焊墊及方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6830823B1 (en) 1997-02-24 2004-12-14 Superior Micropowders Llc Gold powders, methods for producing powders and devices fabricated from same
JP2000038608A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Nichia Chem Ind Ltd 希土類鉄窒素系磁性粉末及びその製造方法
JP2002016345A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Hitachi Ltd 導電性ペーストおよび導電性粉末組成物、グリーンシート、セラミック多層回路基板およびその製造方法
JP4872663B2 (ja) 2006-12-28 2012-02-08 株式会社日立製作所 接合用材料及び接合方法
JP5446222B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 住友電気工業株式会社 導電性ペースト及びそれを用いた電磁波シールドフィルム、電磁波シールドフレキシブルプリント配線板
JP5387034B2 (ja) 2009-02-20 2014-01-15 大日本印刷株式会社 導電性基板
JP5416173B2 (ja) * 2011-07-07 2014-02-12 中興通訊股▲ふん▼有限公司 周波数帯コピー方法、装置及びオーディオ復号化方法、システム
JP2013199686A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Toho Titanium Co Ltd 金属多孔体の製造方法
CN108907178B (zh) 2012-10-29 2020-12-15 阿尔法组装解决方案公司 烧结粉末
JP5558547B2 (ja) 2012-12-05 2014-07-23 ニホンハンダ株式会社 ペースト状金属微粒子組成物、固形状金属または固形状金属合金の製造方法、金属製部材の接合方法、プリント配線板の製造方法および電気回路接続用バンプの製造方法
JP6289104B2 (ja) * 2014-01-08 2018-03-07 日東電工株式会社 フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
TW201611198A (zh) 2014-04-11 2016-03-16 阿爾發金屬公司 低壓燒結粉末
CN106488821A (zh) 2014-07-22 2017-03-08 住友电气工业株式会社 金属微粒分散液和金属覆膜
WO2016035796A1 (ja) 2014-09-02 2016-03-10 株式会社アライドマテリアル 放熱部材、及び放熱部材の製造方法
JP6682235B2 (ja) * 2014-12-24 2020-04-15 日東電工株式会社 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート
JP6285397B2 (ja) * 2015-02-27 2018-02-28 株式会社ノリタケカンパニーリミテド Ａｇペーストおよび当該Ａｇペースト用のＡｇ粉末
TWI621684B (zh) 2015-09-01 2018-04-21 Lintec Corp Adhesive sheet
JP2017069558A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日東電工株式会社 パワー半導体装置の製造方法
JP2017089000A (ja) 2015-11-10 2017-05-25 旭硝子株式会社 銅粒子およびその製造方法、導電膜形成用ペースト、ならびに物品
JP6799936B2 (ja) * 2016-03-31 2020-12-16 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 ニッケル粒子、導電性ペースト、内部電極及び積層セラミックコンデンサ
JP6864505B2 (ja) 2016-06-24 2021-04-28 日東電工株式会社 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート
JP6539620B2 (ja) 2016-08-22 2019-07-03 株式会社日立製作所 超音波撮像装置、および、超音波画像生成方法
WO2019092960A1 (ja) 2017-11-13 2019-05-16 日東電工株式会社 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ

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