KR102312813B1 - 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 친수성 처리 장치 - Google Patents

플라즈마를 이용한 임플란트 표면 친수성 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 친수성 처리 장치이다, 본 발명에 따른 임플란트 표면 친수성 처리 장치는, 내부에 플라즈마 방전 공간이 형성되는 유전체; 유전체의 외면에 접촉되어 유전체의 내부 공간에서 플라즈마 방전을 발생시키기 위한 전압이 인가되는 복수의 전극들; 및 가스관 출구에 형성되어 플라즈마 방전을 위한 가스를 유전체의 내부 공간으로 분사시키기 위한 오리피스;를 포함하며, 복수의 전극들은 제1 전극 그룹과 제2 전극 그룹으로 나눠져 양단에 교류 전압이 인가되며, 제1 전극 그룹에 속하는 전극들과 제2 전극 그룹에 속하는 전극들은 교대로 배치된다.

Description

플라즈마를 이용한 임플란트 표면 친수성 처리 장치{HYDROPHILIC SURFACE TREATMENT APPARATUS FOR IMPLANT USING PLASMA}
본 발명은 임플란트 표면 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상온 대기압 플라즈마를 이용해 임플란트의 표면이 친수성을 갖도록 처리하는 장치에 관한 것이다.
의료용 임플란트, 인공 고관절, 골지지체 등 생체 이식용 임플란트의 재료로, 티타늄, 스테인레스 스틸 합금, 코발트-크롬 합금과 같은 금속 재료, 알루미나, 지르코니아와 같은 생체 불활성 세라믹 재료 및 수산화아파타이트와 같은 생체 활성 세라믹 재료가 널리 사용되고 있다. 이러한 생체 이식용 임플란트의 재료 중에서, 생체이식용 금속 또는 합금은 세라믹스 및 고분자와 같은 다른 재료에 비해 강도, 피로저항성 및 성형가공성이 우수하여 현재까지도 골 결손 및 회손 부위의 재생 및 치료를 목적으로, 치과, 정형외과 및 성형외과에서 가장 널리 사용되고 있는 생체 재료이다.
체내에 삽입시 조직 내에서의 적합성을 향상시키기 위하여, 금속 또는 합금의 표면적을 늘리고 표면 형상(surface topography)을 변화시키거나 물리적, 화학적, 생물학적으로 표면 개질을 이루려는 시도가 이루어지고 있다.
한편, 치과용 임플란트 개발의 주요 요소(재료, 표면, 디자인) 가운데, 표면과 디자인의 중요성이 매우 높아졌으며, 표면의 중요성은 부식 반응을 포함하는 면역반응을 유발시키지 않아야 하는 필수 충족 조건과, 치과용 임플란트와 골 간의 결합력을 증대시키고자 하는 부가 조건, 치과용 임플란트와 골 간 결합의 조기 완료(early healing)를 이루고자 하는 부가 조건으로 나뉠 수 있다.
여기서, 임플란트와 골 간의 결합력을 증대시키는 방법으로, 표면적 증대, 표면의 입체적 형상(micrometer level)을 통한 기계적 결합력 강화, 임플란트의 디자인(millimeter lever) 개선을 통한 기계적 결합력 강화 등이 있을 수 있다.
임플란트와 골 간의 결합력을 증대시키는 종래의 기술로서, 질소로 충진된 공간에서 에칭 과정(etching process)을 마무리하고 이후 세척, 포장도 질소로 충진된 공간에서 작업하여 환자에게 생리식염수(saline)에 담근 채 전달되어 식립되는 임플란트 제품이 있다.
또한, 최근 들어, 친수성 또는 표면 에너지와 같은 임플란트 표면의 화학적 조성 변화가 표면 반응성 및 생물학적 성능을 향상시키는 것을 이용하는 임플란트 표면 개질 방법들이 적용되고 있다.
특허문헌 1. 공개특허공보 제2011-0042467호(2011.04.27 공개)
본 발명의 목적은 상온 대기압 플라즈마를 이용하는 효율적인 구조의 임플란트 표면 친수성 처리 장치를 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 상온 대기압 플라즈마를 이용해 임플란트의 표면이 친수성을 갖도록 처리하는 장치로서, 내부에 플라즈마 방전 공간이 형성되는 유전체; 상기 유전체의 외면에 접촉되어, 상기 유전체의 내부 공간에서 플라즈마 방전을 발생시키기 위한 전압이 인가되는 복수의 전극들; 및 가스관 출구에 형성되어, 플라즈마 방전을 위한 가스를 상기 유전체의 내부 공간으로 분사시키기 위한 오리피스(orifice);를 포함하며, 상기 복수의 전극들은 제1 전극 그룹과 제2 전극 그룹으로 나눠져 양단에 교류 전압이 인가되며, 상기 제1 전극 그룹에 속하는 전극들과 상기 제2 전극 그룹에 속하는 전극들은 교대로 배치된다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 임플란트 표면 친수성 처리 장치는, 일측에 임플란트가 고정되어 상기 임플란트를 상기 유전체의 내부 공간으로 삽입하기 위한 임플란트 지그; 및 상기 임플란트 지그가 놓여지는 이동 부재;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 임플란트 지그에는 상기 유전체 내부의 플라즈마 방전 공간을 막아 플라즈마의 외부 유출을 방지하기 위한 방전관 커버;가 형성되며, 상기 이동 부재는 구동 모듈에 의해 이동되는 베이스 부재와 자력으로 결합될 수 있다.
그리고 본 발명의 일실시예에 따른 임플란트 표면 친수성 처리 장치는, 상기 유전체, 상기 복수의 전극들 및 상기 오리피스를 포함하는 방전관 모듈을 2 이상 구비할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 가스관 출구에 오리피스(orifice)를 형성하고, 교류 전압 인가를 위해 복수의 전극들을 두 그룹으로 나눠 유전체 외면에 교대로 배치함으로써, 방전관 내 플라즈마의 밀도를 높이는 동시에 전체적으로 균일하게 형성하여 플라즈마에 의해 임플란트 표면 친수성 처리 효과를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 위와 같은 방전관 모듈 구조에 더하여 임플란트가 고정되는 지그에 방전관 커버를 형성함으로써, 유전체 내부의 플라즈마 방전 공간을 막아 플라즈마의 외부 유출을 방지할 수 있으며, 그에 따라 플라즈마 방전을 위한 가스의 소모량을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 임플란트 지그가 놓여지는 이동 부재와 구동 모듈에 의해 이동되는 베이스 부재를 자력으로 결합시켜 착탈 가능하도록 함으로써, 각 부재의 멸균 작업을 용이하게 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 유전체, 복수의 전극들, 절연체 및 오리피스로 구성되는 방전관 모듈을 2 이상 구비하도록 함으로써, 복수의 임플란트들을 동시에 표면 친수성 처리할 수 있도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 임플란트 표면 친수성 처리 장치의 구성에 대한 일실시예를 나타내는 사시도이다
도 2는 임플란트 표면 친수성 처리 장치에 구비되는 방전관 모듈의 구성에 대한 일실시예를 나타내는 분해도이다.
도 3은 방전관 모듈에 구비되는 복수의 전극들의 구성에 대한 일실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 방전관 모듈의 구성에 대한 일실시예를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 임플란트 표면 친수성 처리 장치에 구비되는 임플란트 삽입 모듈의 구성에 대한 일실시예를 설명하기 위한 분해도이다.
도 6은 임플란트 삽입 모듈에 구비되는 이동 부재의 구성에 대한 일실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 임플란트 삽입 모듈의 구성에 대한 일실시예를 설명하기 위한 사시도이다.
이하의 내용은 단지 본 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 본 발명의 원리를 구현하고 본 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 본 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 발명의 원리, 관점 및 실시 예들뿐만 아니라 특정 실시 예를 열거하는 모든 상세한 설명은 이러한 사항의 구조적 및 기능적 균등물을 포함하도록 의도되는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 이러한 균등물들은 현재 공지된 균등물뿐만 아니라 장래에 개발될 균등물 즉 구조와 무관하게 동일한 기능을 수행하도록 발명된 모든 소자를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 임플란트 표면 친수성 처리 장치의 구성에 대한 일실시예를 사시도로 도시한 것으로, 도시된 임플란트 표면 친수성 처리 장치는 방전관 모듈(100), 임플란트 삽입 모듈(200), 구동 모듈(300) 및 프레임(400)을 포함하여 구성될 수 있다.
도 1을 참조하면, 방전관 모듈(100)은 플라즈마 방전이 발생할 수 있는 방전 공간을 형성하여, 방전관 모듈(100) 내에 삽입되는 임플란트(10)의 표면을 개질하여 친수성을 갖도록 할 수 있다.
예를 들어, 방전관 모듈(100)로 아르곤(Ar) 또는 헬륨(He) 등의 가스가 공급되고 고전압이 인가되면 플라즈마가 내부에서 발생하며, 방전관 모듈(100) 내부의 임플란트(10) 표면에 플라즈마가 조사되어 표면이 친수성을 가지게 될 수 있다.
방전관 모듈(100) 내부에서 발생한 플라즈마는 임플란트(10)의 표면에 존재하는 탄소(C) 또는 수소(H) 등을 이산화탄소(CO2) 또는 물(H2O)로 만들어 제거하고, 물(H2O)과 쉽게 결합하는 성질을 가지는 수산화 이온(OH-)이 임플란트(10)의 표면에 달라붙도록 하여, 임플란트(10)의 표면이 친수성을 가지도록 할 수 있다.
한편, 임플란트 삽입 모듈(200)은 임플란트(10)를 고정하여 방전관 모듈(100) 내부로 이동시키기 위한 것으로, 임플란트가 고정된 상태에서 좌우로 이동될 수 있다.
예를 들어, 표면 처리하고자 하는 임플란트의 픽스쳐(fixure) 부분이 임플란트 삽입 모듈(200)에 고정되고, 임플란트 삽입 모듈(200)이 구동 모듈(300)에 의해 우측 방향으로 이동되어 임플란트 픽스쳐가 방전관 모듈(100) 내부로 삽입될 수 있다.
한편, 임플란트 픽스쳐에 대한 표면 친수성 처리가 완료된 후에는, 구동 모듈(300)에 의해 임플란트 삽입 모듈(200)이 좌측 방향으로 이동되어 표면 처리 완료된 임플란트 픽스쳐가 방전관 모듈(100) 외부로 배출될 수 있다.
구동 모듈(300)은 임플란트(10)가 고정된 임플란트 삽입 모듈(200)을 좌우로 이동시키기 위한 것으로, 예를 들어 전기 모터, 기어(gear) 및 모터 제어부 등을 포함하여 구성될 수 있다.
그리고 프레임(400)은 상기한 바와 같은 구성들, 즉 방전관 모듈(100), 임플란트 삽입 모듈(200) 및 구동 모듈(300)이 고정되기 위한 형태를 가지는 구조물이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 방전관 모듈(100)로 가스를 공급하는 가스관 출구에 오리피스(orifice)를 형성하고, 플라즈마 방전을 위한 고전압 인가를 위해 복수의 전극들을 두 그룹으로 나눠 유전체 외면에 교대로 배치함으로써, 방전관 내 플라즈마의 밀도를 높이는 동시에 전체적으로 균일하게 형성하여 플라즈마에 의해 임플란트 표면 친수성 처리 효과를 향상시킬 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 임플란트 표면 친수성 처리 장치의 구성 및 동작에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 임플란트 표면 친수성 처리 장치에 구비되는 방전관 모듈의 구성에 대한 일실시예를 분해도로 도시한 것으로, 도시된 방전관 모듈(100)은 유전체(110), 복수의 전극들(120, 125), 절연체(130) 및 오리피스(orifice, 140)를 포함하여 구성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 방전관 모듈(100)에 구비된 유전체(110)는 플라즈마 방전 공간이 내부에 형성될 수 있다.
유전체(110)는, 도 2에 도시된 바와 같이 내부가 비어있는 튜브(tube) 형태를 가지며, 외면에 복수의 전극들(120, 125)이 접촉되어 유전체(110)의 내부 공간에서 플라즈마 방전을 발생시키기 위한 전압이 인가될 수 있다.
한편, 오리피스(140)는, 가스관 출구(190)에 형성되어, 플라즈마 방전을 위한 가스를 유전체(110)의 내부 공간으로 분사시킬 수 있다.
예를 들어, 가스관 출구(190)로부터 배출되는 가스는 오리피스(140)를 통해 유전체(110)의 내부 공간 전체로 분출되어 분사되며, 오리피스(140)를 통해 분사된 가스는 복수의 전극들(120, 125)을 통해 인가되는 교류 전압에 의해 유전체(110) 내부 공간에 플라즈마화 될 수 있다.
여기서, 오리피스(140)를 통해 유전체(110)의 내부로 공급되는 가스는 아르곤(Ar) 또는 헬륨(He) 가스일 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 그 이외에 상온 대기압에서 플라즈마화 될 수 있는 다양한 가스 또는 2 이상의 가스들의 혼합된 것일 수도 있다.
한편, 가스관 출구(190)로부터 방출되어 유전체(110) 내부로 공급되는 가스의 유량은 약 1000 sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute) 일 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지는 아니한다.
복수의 전극들(120, 125)은 유전체(110)의 외면에 접촉되어 유전체(110)의 내부 공간에서 플라즈마 방전을 발생시키기 위한 고전압이 인가되기 위한 것으로, 복수의 전극들(120, 125)을 통해 15 KV의 교류 전압이 인가될 수 있으나 본 발명은 이에 한정되지는 아니한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 복수의 전극들(120, 125)은 제1 전극 그룹과 제2 전극 그룹으로 나눠져 양단에 교류 전압이 약 20Khz 내지 60Khz의 주파수로 인가되며, 사용 가스에 따라 사용 주파수는 변경될 수 있다. 또한, 제1 전극 그룹에 속하는 전극들과 제2 전극 그룹에 속하는 전극들은 교대로 배치될 수 있다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(120)은 링(ring) 형상의 제1 그룹 전극들(121, 122, 123, 124)과 연결되고, 제2 전극(125)은 링 형상의 제2 그룹 전극들(126, 127, 128, 129)과 연결되며, 제1 전극(120)과 제2 전극(125) 양단에 교류 전압이 인가될 수 있다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이 유전체(110)의 외면에는 전극(121 내지 124, 126 내지 129)의 링 형상에 대응되는 홈들이 형성되어, 제1 그룹 전극들(121, 122, 123, 124)과 제2 그룹 전극들(126, 127, 128, 129)이 유전체(110) 외면의 홈들에 각각 안착될 수 있다.
그리고 제1 그룹 전극들(121, 122, 123, 124)과 제2 그룹 전극들(126, 127, 128, 129)이 서로 번갈아 정렬되어, 유전체(110)의 외면에 제1 그룹 전극들(121, 122, 123, 124)과 제2 그룹 전극들(126, 127, 128, 129)이 교대로 배치되도록 할 수 있다.
그에 따라, 유전체(110) 내부 공간 전체 영역에 고르게 전압이 인가되도록 할 수 있으며, 이는 플라즈마 방전의 효율성을 향상시키는 동시에 플라즈마의 발생 분포를 고르게 하는 효과가 있다.
도 4를 참조하면, 유전체(110)는, 복수의 전극들(120, 125)이 외면에 접촉되어 있는 상태로, 절연체(130)에 의해 감싸질 수 있다.
상기한 바와 같이 유전체(110) 외면의 홈들에 제1, 2 그룹 전극들이 번갈아 배치되고, 유전체(110)의 외부를 절연체(130)가 감싸게 함으로써, 서로 인접한 전극들(121, 126)은 절연체(130)에 의해 전기적으로 완전히 분리될 수 있다.
그를 위해, 유전체(110)의 외면에 형성된 홈의 깊이는 링 형상 전극들(121, 126)의 두께와 같거나 그 보다 크게 설정되는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같은 절연체(130)의 형성에 의해, 서로 인접한 전극들(121, 126) 사이의 전자 이동이 차단되며, 그에 따라 유전체(110)의 내부 공간에서 전자가 이동되도록 하여, 유전체(110) 내부 공간에서의 플라즈마 방전 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 오리피스(140)는 가스관 출구(190) 부분에 결합되어, 플라즈마 방전을 위한 가스를 유전체(110)의 내부 공간 전체 면적으로 넓게 분사시키는 역할을 할 수 있다.
여기서, 오리피스(140)는 동심 오리피스로 구현될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 가스를 넓게 분사시킬 수 있는 다양한 구조의 오리피스 또는 기타 수단으로 대체될 수도 있다.
도 5는 임플란트 표면 친수성 처리 장치에 구비되는 임플란트 삽입 모듈의 구성에 대한 일실시예를 분해도로 도시한 것으로, 도시된 임플란트 삽입 모듈(200)은 임플란트 지그(210), 이동 부재(220) 및 베이스 부재(230)를 포함하여 구성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 임플란트 지그(210)는 일측에 임플란트(10)가 고정되어 임플란트(10)를 유전체(110)의 내부 공간으로 삽입하기 위한 역할을 할 수 있다.
예를 들어, 임플란트 지그(210)의 일측은 다양한 형태의 임플란트 픽스쳐가 고정될 수 있는 구조를 가지며, 타측은 사용자가 파지하기 위한 구조를 가질 수 있다.
한편, 임플란트 지그(210)에 방전관 커버(215)가 형성되어, 임플란트(10)를 유전체(110) 내부로 삽입하였을 때 방전관 커버(215)가 유전체(110) 내부의 플라즈마 방전 공간을 막아 플라즈마의 외부 유출을 방지할 수 있으며, 그에 따라 표면 친수성 처리 효과를 향상시킴과 동시에 플라즈마 방전을 위한 가스의 소모량을 감소시킬 수 있다.
예를 들어, 픽스쳐가 일측에 고정된 임플란트 지그(210)가 이동 부재(220)에 놓여진 후 우측으로 이동되면, 픽스쳐가 프레임(400)의 관통 홀(410)을 통과해 방전관 모듈(100)의 유전체(110) 내부 공간으로 삽입되며, 이때 임플란트 지그(210)에 형성된 방전관 커버(215)가 프레임(400)의 관통 홀(410)을 막아 플라즈마의 외부 유출이 방지될 수 있다.
이동 부재(220)에는 임플란트 지그(210)가 끼워질 수 있는 홈이 형성되어, 임플란트 지그(210)가 놓여져 안정적으로 고정된 상태에서 이동될 수 있다.
또한, 베이스 부재(230)는 구동 모듈(300)과 연결되어, 구동 모듈(300)의 동작에 의해 좌우로 이동될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 임플란트 지그(210)가 놓여지는 이동 부재(220)와 구동 모듈(300)에 의해 이동되는 베이스 부재(230)가 자력으로 결합되도록 하여, 사용자에 의해 착탈 가능하도록 할 수 있으며, 그에 따라 임플란트 삽입 모듈(200)을 구성하는 부재들을 각각 분리하여 용이하게 멸균 작업을 수행하도록 한다.
그를 위해, 베이스 부재(230)에 영구 자석(231)이 구비되며, 도 6에 도시된 바와 같이 이동 부재(220)에도 상기 베이스 부재(230)의 영구 자석(231)과 대응되는 위치에 또 다른 영구 자석(221)이 구비될 수 있다.
상기에서는 이동 부재(220)와 베이스 부재(230) 각각에 영구 자석(221, 231)이 구비되는 것을 예로 들어 본 발명의 또 다른 실시예를 설명하였으나, 이동 부재(220)와 베이스 부재(230) 중 어느 하나에는 영구 자석이 구비되고 다른 하나에는 금속 물체가 구비될 수도 있다.
또한, 이동 부재(220)와 베이스 부재(230)에는, 위치 정렬을 위한 가이드 핀(225, 226)과 가이드 홀(235, 236)이 각각 형성될 수 있다.
예를 들어, 이동 부재(220)의 하측면에 2개의 가이드 핀들(225, 226)이 형성되고, 베이스 부재(230)의 상측면에는 상기 이동 부재(220)의 가이드 핀들(225, 226)과 대응되는 위치에 2개의 가이드 홈들(235, 236)이 형성되어 있을 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기한 바와 같이 베이스 부재(230)와 자력으로 결합된 이동 부재(220)의 상측면에 임플란트 지그(210)가 고정된 상태로, 구동 모듈(300)에 의해 임플란트 삽입 모듈(200)이 우측으로 이동되어, 임플란트(10)가 방전관 모듈(100) 내부로 삽입되고, 방전 공간이 방전관 커버(215)에 의해 막혀지며, 고전압 인가 및 가스 공급이 이루어져 상온 대기압 상태에서 플라즈마가 발생하여 임플란트(10) 표면이 친수성 처리될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기한 바와 같이 유전체, 복수의 전극들, 절연체 및 오리피스 등으로 구성되는 방전관 모듈(100)을 2 이상 구비하도록 함으로써, 복수의 임플란트들을 동시에 표면 친수성 처리 가능하도록 할 수 있다.
도 1, 도 5 및 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 임플란트 표면 친수성 처리 장치가 2개의 방전관 모듈들을 구비하고, 2개의 임플란트 지그들을 구비하며, 임플란트 삽입 모듈(200)에는 2개의 임플란트 지그들이 고정될 수 있는 형태의 홈이 형성되어 있을 수 있다.
2개의 임플란트 픽스쳐들을 동시에 표면 친수성 처리하고자 하는 경우, 2개의 임플란트 지그들에 각각 하나의 픽스쳐를 고정시킨 후 임플란트 삽입 모듈(200)에 끼워 고정한 후, 구동 모듈(300)을 동작시켜 2개의 픽스쳐들을 동시에 2개의 방전관 모듈들로 각각 삽입할 수 있다.
이때, 2개의 방전관 모듈들 각각으로 전압 인가 및 가스 공급이 이루어져, 각각의 내부 공간에서 플라즈마가 발생하며, 그에 따라 2개의 픽스쳐들이 동시에 표면 친수성 처리될 수 있다.
그를 위해, 본 발명에 따른 임플란트 표면 친수성 처리 장치는 2 이상의 방전관 모듈들로의 가스 공급을 제어하기 위한 제어 모듈(미도시)를 더 포함할 수 있다.
한편, 방전관 모듈들 각각에 연결된 가스관에는 가스 공급을 조절하기 위한 솔레노이드 밸브(solenoid valve)가 연결되며, 상기 제어 모듈은 솔레노이드 밸브 각각의 개폐를 제어하여 방전관 모듈들 각각으로의 가스 공급을 제어할 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 표면 친수성 처리 장치는, 치과 등과 같은 임플란트 시술 장소에서 임플란트 식립 전 임플란트 픽스쳐의 표면을 친수성 처리하는데 사용되는 것이 바람직하나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 임플란트 제조 후 또는 임플란트 배송 후 등 다양한 장소 및 시점에 사용될 수도 있다.
또한, 상기에서는 본 발명의 일실시예에 따른 임플란트 표면 친수성 처리 장치가 치과용 임플란트의 표면을 친수성 처리하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 그 이외의 다양한 의료용 임플란트들의 골 적합성을 향상시키기 위해 사용 가능할 수 있다.
한편, 상기에서는 본 발명의 일실시예에 따른 임플란트 표면 친수성 처리 장치가 상온 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시키는 것으로 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 저온, 고온, 저압 또는 고압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 임플란트의 표면을 친수성 처리하는 경우에도 적용 가능할 수 있다.
본 발명은 도면과 명세서에 최적의 실시예들이 개시되었다. 여기서, 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 발명은 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면, 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 권리범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 임플란트 100: 방전관 모듈
110: 유전체 120, 125: 전극
130: 절연체 140: 오리피스
190: 가스관 출구 200: 임플란트 삽입 모듈
210: 임플란트 지그 215: 방전관 커버
220: 이동 부재 221, 231: 영구 자석
225, 226: 가이드 핀 230: 베이스 부재
235, 236: 가이드 홀 300: 구동 모듈
400: 프레임 410: 관통 홀

Claims (10)

  1. 상온 대기압 플라즈마를 이용해 임플란트의 표면이 친수성을 갖도록 처리하는 장치에 있어서,
    방전관 모듈;
    상기 임플란트를 고정하여 상기 방전관 모듈의 내부로 이동시키기 위한 임플란트 삽입 모듈; 및
    상기 임플란트 삽입 모듈을 좌우로 이동시키는 구동 모듈;을 포함하고,
    표면 처리하고자 하는 상기 임플란트의 픽스쳐 부분이 상기 임플란트 삽입 모듈에 고정되고, 상기 임플란트 삽입 모듈이 상기 구동 모듈에 의해 우측 방향으로 이동되어 임플란트 픽스쳐가 상기 방전관 모듈의 내부로 삽입되고,
    상기 임플란트 픽스쳐에 대한 표면 친수성 처리가 완료된 후에는 상기 구동 모듈에 의해 상기 임플란트 삽입 모듈이 좌측 방향으로 이동되어 표면 처리 완료된 임플란트 픽스쳐가 상기 방전관 모듈의 외부로 배출되고,
    상기 방전관 모듈은,
    내부에 플라즈마 방전 공간이 형성되는 유전체;
    상기 유전체의 외면에 접촉되어, 상기 유전체의 내부 공간에서 플라즈마 방전을 발생시키기 위한 전압이 인가되는 복수의 전극들; 및
    가스관 출구에 형성되어, 플라즈마 방전을 위한 가스를 상기 유전체의 내부 공간으로 분사시키기 위한 오리피스(orifice);를 포함하며,
    상기 복수의 전극들은 제1 전극 그룹과 제2 전극 그룹으로 나눠져 양단에 교류 전압이 인가되며, 상기 제1 전극 그룹에 속하는 전극들과 상기 제2 전극 그룹에 속하는 전극들은 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면 친수성 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전체의 외면에는 상기 복수의 전극들이 각각 안착되기 위한 복수의 홈들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면 친수성 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 방전관 모듈은,
    상기 유전체의 외부를 감싸는 절연체;를 더 포함하고,
    상기 절연체에 의해 상기 복수의 전극들은 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면 친수성 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 임플란트 삽입 모듈은,
    일측에 임플란트가 고정되어, 상기 임플란트를 상기 유전체의 내부 공간으로 삽입하기 위한 임플란트 지그; 및
    상기 임플란트 지그가 놓여지는 이동 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면 친수성 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 임플란트 지그에는, 상기 유전체 내부의 플라즈마 방전 공간을 막아 플라즈마의 외부 유출을 방지하기 위한 방전관 커버;가 형성되는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면 친수성 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 임플란트 삽입 모듈은,
    상기 이동 부재와 자력으로 결합되고 상기 구동 모듈에 의해 이동되는 베이스 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면 친수성 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 이동 부재와 상기 베이스 부재에는, 위치 정렬을 위한 가이드 핀과 가이드 홀이 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면 친수성 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유전체, 상기 복수의 전극들 및 상기 오리피스를 포함하는 방전관 모듈이 2 이상 구비되는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면 친수성 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 2 이상의 방전관 모듈들로의 가스 공급을 제어하기 위한 제어 모듈;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면 친수성 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 방전관 모듈들 각각에 연결된 가스관에는 가스 공급을 조절하기 위한 솔레노이드 밸브(solenoid valve)가 연결되며,
    상기 제어 모듈은 상기 솔레노이드 밸브의 개폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면 친수성 처리 장치.
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