KR102307942B1 - Apparatus for testing a semiconductor device - Google Patents

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Abstract

Provided is a semiconductor element measuring device, which includes: a support film for supporting a semiconductor element; a first contact unit disposed so as to be liftable under the support film and contacting a lower pad of the semiconductor element; and a second contact unit contacting an upper pad disposed on the support film. Electrical characteristics of semiconductor elements can be measured.

Description

반도체 소자 검사 장치{APPARATUS FOR TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE}Semiconductor device inspection device {APPARATUS FOR TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 반도체 소자의 검사 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 본 발명은 상기 반도체 소자의 전기적 특성을 측정하는 반도체 소자 검사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device inspection apparatus, and more particularly, the present invention relates to a semiconductor element inspection apparatus for measuring electrical characteristics of the semiconductor element.

웨이퍼 상에 형성된 다이들을 분류하는 이디에스 공정(Electrical Die Sorting, 이하 EDS)이 있다. 상기 이디에스 공정은 반도체의 수율(Yield)을 높이기 위해 반드시 필요한 공정이다. 상기 EDS 공정의 첫 단계인 전기적 특성 테스트(Electrical Test) 공정은 반도체 제조공정 중 중요한 단위 공정으로, 반도체 집적회로(IC) 동작에 필요한 개별소자들에 대해 전기적 직류전압, 전류특성의 파라미터를 테스트하여 작동 여부를 판별한다. 상기 전기적 특성값을 측정하는 방법으로, 프로브 카드에 웨이퍼(Wafer)를 컨택시켜 진행하며, 프로브 카드에 있는 수많은 미세한 핀(Pin)이 웨이퍼와 접촉해 전기적 직류전압 또는 전류특성의 파라미터를 테스트할 수 있다. 그러나, 상기 방법은 웨이퍼 상태의 반도체 소자의 검사 방법으로써, 다이싱(Dicing) 된 웨이퍼는 측정할 수 없는 문제가 있다.There is an EDS process (Electrical Die Sorting, hereinafter referred to as EDS) for sorting dies formed on a wafer. The EDS process is a necessary process in order to increase the yield of semiconductors. The electrical test process, which is the first step of the EDS process, is an important unit process in the semiconductor manufacturing process. Determine whether it works or not. As a method of measuring the electrical characteristic value, it proceeds by contacting a wafer to the probe card, and numerous fine pins on the probe card contact the wafer to test the parameters of electrical DC voltage or current characteristics. have. However, the method has a problem in that the diced wafer cannot be measured as a method of inspecting semiconductor devices in a wafer state.

특히, 웨이퍼 상에 수직 방향으로 상부 패드 및 하부 패드를 갖는 다이들 각각에 대한 전기적 특성을 측정하기 위해서는, 다이싱된 다이들를 테이프(Tape)에 마운트(Mount)한다. 이후, 다이들 각각을 픽업(Pick up) 하여 전도성 척(Chuck)에 플레이싱(Place)한다. 이어서, 상기 하부 패드는 상기 전도성 척과 컨택하고, 상기 상부 패드는 컨택 핀에 컨택하여 상기 다이들에 전기가 인가되어 상기 다이들의 전기적 특성을 검사한다.In particular, in order to measure the electrical characteristics of each of the dies having the upper pad and the lower pad in the vertical direction on the wafer, the diced dies are mounted on a tape. Thereafter, each of the dies is picked up and placed on a conductive chuck. Subsequently, the lower pad contacts the conductive chuck, and the upper pad contacts a contact pin to apply electricity to the dies to inspect electrical characteristics of the dies.

본 발명은 다이싱된 반도체 소자에 대한 전기적 특성을 검사하기 위하여 간단한 구조로 이루어진 반도체 소자 검사 장치를 제공한다.The present invention provides an apparatus for inspecting a semiconductor element having a simple structure for inspecting electrical characteristics of a diced semiconductor element.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 검사 장치는 상부 패드 및 하부 패드를 갖는 반도체 소자들을 지지하는 지지 필름, 상기 지지 필름 하부에 승강 가능하게 배치되어, 상기 지지 필름을 관통하여 상기 반도체 소자들 중 하나의 하부 패드와 컨택할 수 있도록 구비되는 제1 컨택 유닛 및 상기 지지 필름의 상부에 배치되며, 상기 반도체 소자들 중 상기 하나의 상부 패드와 컨택하는 제2 컨택 유닛를 포함한다.A semiconductor device inspection apparatus according to an embodiment of the present invention includes a support film for supporting semiconductor devices having an upper pad and a lower pad, and is vertically disposed under the support film to pass through the support film and to pass through the support film among the semiconductor devices. and a first contact unit provided to be in contact with one lower pad and a second contact unit disposed on the support film and in contact with the one upper pad among the semiconductor devices.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컨택 유닛은, 상기 반도체 소자들 중 하나에 인접한 상기 지지 필름을 진공력으로 흡착하는 흡착부 및 상기 흡착부 내부에 위치하며, 상기 지지 필름을 관통하여 상기 흡착부에 대하여 상대적으로 승강 가능하며, 상기 반도체 소자의 하부 패드와 컨택하는 적어도 하나의 제1 컨택 핀을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first contact unit is positioned inside the adsorption unit and the adsorption unit for adsorbing the support film adjacent to one of the semiconductor elements by vacuum force, and penetrates the support film to At least one first contact pin that is relatively movable with respect to the adsorption unit and contacts the lower pad of the semiconductor device may be included.

여기서, 상기 제1 컨택 유닛은 한 쌍의 제1 컨택 핀을 포함하고, 상기 반도체 소자들 중 하나에 켈빈 컨택을 수행할 수 있다.Here, the first contact unit may include a pair of first contact pins, and may perform a Kelvin contact to one of the semiconductor devices.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 반도체 소자의 상면을 가압하여, 상기 제1 컨택 유닛이 상기 반도체 소자를 컨택할 때 상기 지지 필름으로부터 상기 반도체 소자의 들뜸을 억제하는 고정부가 추가적으로 구비될 수 있다.In an embodiment of the present invention, a fixing part for suppressing lifting of the semiconductor device from the support film when the first contact unit contacts the semiconductor device by pressing the upper surface of the semiconductor device may be additionally provided. .

본 발명에 따른 반도체 소자 검사 장치는 하부 패드 및 상부 패드를 갖는 반도체 소자를 지지하는 지지 필름 및 상기 지지 필름 하부에 배치되어 상기지지 필름을 관통하여 하부 패드와 컨택할 수 있도록 구비된 제1 컨택 유닛을 포함함으로써, 상기 지지 필름 상에 위치한 상기 반도체 소자의 전기적 특성 테스트를 할 수 있다. 결과적으로, 상술한 바와 같은 간단한 구조를 갖는 반도체 소자 검사 장치가 제공되어, 상기 반도체 소자를 측정할 수 있다.A semiconductor device inspection apparatus according to the present invention includes a support film for supporting a semiconductor device having a lower pad and an upper pad, and a first contact unit disposed under the support film to penetrate the support film and contact the lower pad. By including, it is possible to test the electrical characteristics of the semiconductor device positioned on the support film. As a result, a semiconductor element inspection apparatus having a simple structure as described above is provided, and the semiconductor element can be measured.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 검사 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1의 반도체 소자 검사 장치의 구동을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 지지 필름과 진공 흡착부를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 반도체 소자와 고정부을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor device inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the driving of the semiconductor device inspection apparatus of FIG. 1 .
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the support film and the vacuum adsorption unit shown in FIG. 1 .
4 is a plan view illustrating a semiconductor device and a fixing unit.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화 될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below and may be embodied in various other forms. The following examples are provided to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art, rather than to enable the present invention to be fully completed.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에서 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In embodiments of the present invention, when an element is described as being disposed or connected to another element, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements may be interposed therebetween. it might be Alternatively, where one element is described as being directly disposed on or connected to another element, there cannot be another element between them. Although the terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and/or portions, the items are not limited by these terms. will not

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 갖는 기술자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used in the embodiments of the present invention is only used for the purpose of describing specific embodiments, and is not intended to limit the present invention. In addition, unless otherwise limited, all terms including technical and scientific terms have the same meaning that can be understood by one of ordinary skill in the art of the present invention. The above terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be interpreted as having meanings consistent with their meanings in the context of the relevant art and description of the present invention, ideally or excessively outwardly intuitive, unless clearly defined. will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도명들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic diagrams of ideal embodiments of the present invention. Accordingly, variations from the shapes of the diagrams, for example variations in manufacturing methods and/or tolerances, are those that can be expected sufficiently. Accordingly, embodiments of the present invention are not described as being limited to the specific shapes of the areas described as diagrams, but rather include variations in shapes, and elements described in the drawings are schematic in nature and their shapes It is not intended to describe the precise shape of the elements, nor is it intended to limit the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 검사 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor device inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 검사 장치(100)는 지지 필름(110), 제1 컨택 유닛(130) 및 제2 컨택 유닛(150)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , a semiconductor device testing apparatus 100 according to an exemplary embodiment includes a support film 110 , a first contact unit 130 , and a second contact unit 150 .

상기 반도체 소자 검사 장치(100)는 반도체 소자(10)를 지지하는 지지 필름(110)을 포함한다. 예를 들어, 상기 지지 필름(110)은 상기 반도체 소자들(10)을 특정 부부만 천공된 컨베이어 벨트 상부에 위치하거거나, 또는, 레일 상부에 지지 필름(110)을 배치는 방법 등으로 상기 반도체 소자들(10)을 지지할 수 있다.The semiconductor device testing apparatus 100 includes a support film 110 supporting the semiconductor device 10 . For example, the support film 110 may be formed by arranging the semiconductor elements 10 on a conveyor belt in which only a specific couple is perforated, or by arranging the support film 110 on a rail. It is possible to support the elements 10 .

상기 반도체 소자(10)는 발광 다이오드(LED) 및 유기 발광 다이오드(OLED) 등과 같이 상부 패드(11) 및 하부 패드(16)를 갖는 반도체 소자이다.The semiconductor device 10 is a semiconductor device having an upper pad 11 and a lower pad 16 such as a light emitting diode (LED) and an organic light emitting diode (OLED).

또한, 상기 반도체 소자들(10)의 이동은, 예를 들어, 한쪽 종단에서 롤러로 견인하는 방식, 컨베이어 벨트에 의한 방식, 또는, 하부에 롤러를 사용한 방식 등으로 이동할 수 있다.In addition, the movement of the semiconductor elements 10 may be moved by, for example, a method of pulling with a roller at one end, a method using a conveyor belt, or a method using a roller at the bottom.

상기 지지 필름(110)은 점착성 필름, 캐리어 테이프 및 정전기 패드 등으로 구성될 수 있다. 이로써, 상기 지지 필름(110) 상에 소자들을 배열 및 정렬시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 지지 필름(110)은 캐리어 테이프로 구비 될 경우, 상기 반도체 소자들(10)은 캐리어 테이프 홈에 의해 정렬할 수 있다. 이로써, 상기 제1 컨택 유닛(130) 및 상기 하부 패드(16)와의 컨택이 용이해진다.The support film 110 may include an adhesive film, a carrier tape, and an electrostatic pad. Accordingly, elements may be arranged and aligned on the support film 110 . For example, when the support film 110 is provided as a carrier tape, the semiconductor devices 10 may be aligned by a carrier tape groove. Accordingly, contact between the first contact unit 130 and the lower pad 16 is facilitated.

상기 제1 컨택 유닛(130)은 상기 지지 필름(110) 하부에 배치된다. 상기 제1 컨택 유닛(130)은 승강 가능하게 상기 지지 필름(110)하부에 배치된다. 구체적인 방법은 후술하기로 한다.The first contact unit 130 is disposed under the support film 110 . The first contact unit 130 is disposed below the support film 110 so as to be liftable. A specific method will be described later.

상기 제1 컨택 유닛(130)은 상기 지지 필름(110)을 관통하여 상기 반도체 소자의 하부 패드(16)와 컨택한다. 상기 반도체 소자(10)를 프로빙하여 측정하기 위해서는 상기 반도체 소자의 상부 패드(11) 및 하부 패드(16)에 컨택함으로써, 상기 반도체 소자(10)의 전기적 특성을 측정할 수 있다. The first contact unit 130 passes through the support film 110 to make contact with the lower pad 16 of the semiconductor device. In order to probe and measure the semiconductor device 10 , electrical characteristics of the semiconductor device 10 may be measured by contacting the upper pad 11 and the lower pad 16 of the semiconductor device.

또한, 상기 제1 컨택 유닛(130)은 상기 지지 필름(110)을 관통할 수 있는 형태로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 컨택 유닛(130)이 바늘과 같은 얇은 핀 형태를 가질 수 있다. 이로써, 상기 제1 컨택 유닛(130)은 상기 지지 필름(110)을 관통하여 상기 반도체 소자 하부 패드(16)와 컨택할 수 있다.In addition, the first contact unit 130 may be configured to pass through the support film 110 . For example, the first contact unit 130 may have a thin pin shape such as a needle. Accordingly, the first contact unit 130 may penetrate the support film 110 to make contact with the semiconductor device lower pad 16 .

상기 제1 컨택 유닛(130)이 하부 패드와 컨택하고, 제2 컨택 유닛(150)이 상부 패드와 컨택함으로써, 상기 반도체 소자 검사 장치는 상기 반도체 소자의 전기적 특성을 측정할 수 있다. 상기 측정은 상기 반도체 소자(10)에 전류 또는 전압을 인가해줌으로써, 상기 반도체 소자(10)의 전기적 특성을 측정할 수 있다.When the first contact unit 130 contacts the lower pad and the second contact unit 150 contacts the upper pad, the semiconductor device testing apparatus may measure electrical characteristics of the semiconductor device. The measurement may measure electrical characteristics of the semiconductor device 10 by applying a current or voltage to the semiconductor device 10 .

상기 제2 컨택 유닛(150)은 상기 반도체 소자들 중 하나의 상부 패드(11)의 상부에 배치된다. 상기 제2 컨택 유닛(150) 전체 또는 일부가 상기 반도체 소자의 상부 패드(11)와 컨택하여 배치될 수 있다.The second contact unit 150 is disposed on the upper pad 11 of one of the semiconductor devices. All or part of the second contact unit 150 may be disposed in contact with the upper pad 11 of the semiconductor device.

상기 반도체 소자(10)와의 컨택은, 예를 들어, 유전체를 이용한 컨택 방식 또는, 핀을 이용한 방식 등으로 상기 반도체 소자 상부 패드(11)와 컨택할 수 있다. 또한, 핀을 이용한 방식으로 컨택할 경우, 상기 제2 컨택 유닛(150)는 상기 제1 컨택 유닛(130)과 같이 바늘과 형태의 얇은 핀의 형태를 가질 수 있다. 상기 핀 형태의 상기 제1 컨택 유닛(130) 및 제2 컨택 유닛(150)이 상기 반도체 소자 상부 패드(11) 및 하부 패드(16)에 각각 컨택함으로써, 프로빙하여 측정할 수 있다. The contact with the semiconductor device 10 may be, for example, a contact method using a dielectric or a method using a pin to contact the upper pad 11 of the semiconductor device. Also, when making a contact using a pin, the second contact unit 150 may have a thin pin shape similar to that of a needle like the first contact unit 130 . The first contact unit 130 and the second contact unit 150 having the pin shape contact the upper pad 11 and the lower pad 16 of the semiconductor device, respectively, so that measurement may be performed by probing.

예를 들어, 상기 제1 컨택 유닛(130)이 전원 소스와 연결된 경우, 상기 전원 소스가 전류 또는 전압을 상기 제1 컨택 유닛(130)에 인가함으로써 제1 컨택 유닛(130)과 상기 반도체 소자 상부 패드(11)와 컨택한 상기 제2 컨택 유닛(150)이 통전한다. 이로써, 상기 반도체 소자(10)의 직류전압, 전류특성의 파라미터를 측정하여 상기 반도체 소자(10)의 작동 여부를 판별할 수 있다.For example, when the first contact unit 130 is connected to a power source, the power source applies a current or a voltage to the first contact unit 130 so that the first contact unit 130 and the upper part of the semiconductor device are connected. The second contact unit 150 in contact with the pad 11 conducts electricity. Accordingly, it is possible to determine whether the semiconductor device 10 operates by measuring the parameters of the DC voltage and current characteristics of the semiconductor device 10 .

도 2는 도 1의 반도체 소자 검사 장치의 구동을 설명하기 위한 단면도이다. 도 3은 도 1에 도시된 지지 필름과 진공 흡착부를 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the driving of the semiconductor element inspection apparatus of FIG. 1 . FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the support film and the vacuum adsorption unit shown in FIG. 1 .

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제1 컨택 유닛(130)은 제1 컨택 핀(131) 및 진공 흡착부(133)를 포함할 수 있다. 상기 제1 컨택 유닛(130)은 상기 지지 필름(110) 하부에 승강 가능하도록 배치된다. 2 and 3 , the first contact unit 130 may include a first contact pin 131 and a vacuum adsorption unit 133 . The first contact unit 130 is disposed below the support film 110 to be able to move up and down.

상기 제1 컨택 핀(131)은 상기 진공 흡착부(133) 내부에 배치된다. 상기 제1 컨택 핀(131)은 상기 지지 필름(110)의 형태와 관계없이 상기 지지 필름(110)을 관통하여 상기 반도체 소자의 하부 패드(16)에 컨택할 수 있는 위치에 배치된다.The first contact pin 131 is disposed inside the vacuum adsorption unit 133 . The first contact pin 131 is disposed at a position capable of penetrating the support film 110 and contacting the lower pad 16 of the semiconductor device regardless of the shape of the support film 110 .

상기 제1 컨택 핀(131)은 상기 지지 필름(110)을 관통하여 상기 반도체 하부 패드(16)와 컨택한다. 상기 진공 흡착부(133)가 상기 지지 필름(110)을 진공으로 흡착함으로써, 상기 제1 컨택 핀(131) 및 반도체 소자의 하부 패드(16)가 컨택할 수 있다.The first contact pin 131 passes through the support film 110 to make contact with the semiconductor lower pad 16 . As the vacuum adsorption unit 133 vacuums the support film 110 , the first contact pin 131 and the lower pad 16 of the semiconductor device may contact each other.

또한, 상기 제1 컨택 핀(131)은 얇은 바늘 형태의 핀 형상을 가진다. 이로써, 상기 제1 컨택핀(131)은 상기 지지 필름(110)을 관통할 수 있다.In addition, the first contact pin 131 has a pin shape in the form of a thin needle. Accordingly, the first contact pin 131 may penetrate the support film 110 .

한편, 상기 진공 흡착부(133)는 지지 필름(110) 하부에 승강 가능하도록 배치된다. 구체적으로, 진공력 등과 같은 방법을 통하여 상기 진공 흡착부(133)가 상기 지지 필름(110)에 흡착한다. 상기 진공 흡착부(133)의 내부에는 유로(미도시) 및 상기 유로의 단부에는 개구(미도시)가 형성된다. 상기 유로는 상기 개구에 진공력을 제공할 수 있다. 나아가, 상기 진공 흡착부는 진공 펌프(미도시)와 연결될 수 있다.Meanwhile, the vacuum adsorption unit 133 is disposed below the support film 110 to be able to move up and down. Specifically, the vacuum adsorption unit 133 adsorbs to the support film 110 through a method such as a vacuum force. A flow path (not shown) is formed inside the vacuum adsorption unit 133 and an opening (not shown) is formed at an end of the flow path. The flow path may provide a vacuum force to the opening. Furthermore, the vacuum adsorption unit may be connected to a vacuum pump (not shown).

상기 진공 흡착부(133)가 상기 지지 필름(110)에 흡착하게 되면, 진공 흡착부(130)가 하강할 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 컨택 유닛(130) 내부의 상기 고정된 제1 컨택 핀(131)이 상대적으로 상승하게 되어, 상기 지지 필름(110)을 관통한다. 즉, 상기 제1 컨택 핀(131) 및 진공 흡착부(133)가 상대적으로 승강함으로써, 상기 제1 컨택 핀(131)이 하부 패드와 컨택될 수 있다. When the vacuum adsorption unit 133 is adsorbed to the support film 110 , the vacuum adsorption unit 130 may descend. As a result, the fixed first contact pin 131 inside the first contact unit 130 relatively rises and passes through the support film 110 . That is, as the first contact pin 131 and the vacuum adsorption unit 133 move up and down relatively, the first contact pin 131 may contact the lower pad.

이와 다르게, 상기 제1 컨택 유닛(130)에 포함된 진공 흡착부 상기 제1 컨택 핀 중 상기 제1 컨택 핀(131)이 승강할 수도 있다. Alternatively, the first contact pin 131 among the first contact pins of the vacuum adsorption unit included in the first contact unit 130 may move up and down.

또한, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 지지 필름(110)은 평평하거나 상방 또는 하방으로 굴곡진 형태를 가질 수 있다.Also, referring to FIGS. 2 and 3 , the support film 110 may be flat or curved upward or downward.

상기 지지 필름(110)의 승강에 따라 상기 제1 컨택 유닛(130)의 승강이 가능하다. 예를 들어, 상기 진공 흡착부(133)가 상기 지지 필름(110)에 진공으로 흡착함으로써, 상기 진공 제1 컨택 유닛(131)의 하중으로 인하여, 상기 지지 필름(110)이 하강한다. 상기 제1 컨택 유닛(130) 내부에 위치하는 상기 제1 컨택 핀(131)이 상대적으로 상승하는 효과가 생긴다. 상승한 상기 제1 컨택 핀(131)이 상기 지지 필름(110)과 컨택한다. 이 경우, 상기 제1 컨택 핀이 상기 지지 필름에 가하는 압력이 흡착력보다 클 경우, 상기 지지 필름(110)이 상방으로 굴곡질 수 있다. 반면, 상기 흡착력이 상기 압력보다 강할 경우, 상기 지지 필름(110)은 하방으로 굴곡질 수 있다. 즉, 상기 지지 필름(110) 및 제1 컨택 유닛(130)는 제1 컨택 핀(131)이 상기 지지 필름(110)에 가하는 힘에 의하여 정지 또는 승강 여부가 결정된다.The first contact unit 130 can be moved up and down according to the elevation of the support film 110 . For example, when the vacuum adsorption unit 133 vacuums the support film 110 , the support film 110 descends due to the load of the vacuum first contact unit 131 . There is an effect that the first contact pin 131 positioned inside the first contact unit 130 is relatively raised. The raised first contact pin 131 makes contact with the support film 110 . In this case, when the pressure applied to the support film by the first contact pin is greater than the adsorption force, the support film 110 may be bent upward. On the other hand, when the adsorption force is stronger than the pressure, the support film 110 may be bent downward. That is, whether the support film 110 and the first contact unit 130 are stopped or lifted is determined by the force applied by the first contact pin 131 to the support film 110 .

한편, 상기 제1 컨택 유닛(130) 및 제2 컨택 유닛(150)은 상기 반도체 소자 상부 패드(11) 및 하부 패드(16)와 각각 반복적으로 컨택 하게 된다. 이로 인해, 좌굴현상 또는 피로파괴가 발생할 수 있다. 구체적으로, 반복적인 컨택으로 상기 제1 컨택 유닛(130)에 포함된 제1 컨택 핀(131)은 강도 및 강성이 높은 소재를 가질 수 있다.Meanwhile, the first contact unit 130 and the second contact unit 150 repeatedly contact the upper pad 11 and the lower pad 16 of the semiconductor device, respectively. Due to this, buckling phenomenon or fatigue failure may occur. Specifically, the first contact pin 131 included in the first contact unit 130 through repeated contact may have a material having high strength and rigidity.

상기 제1 컨택 유닛(130)은 한 쌍의 제1 컨택 핀들(131)을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 컨택 핀들이 하부 패드에 동시에 연결되어 상기 제2 컨택 유닛(150)과 함께 폐루프를 형성한다. 이로써, 상기 제1 및 제2 컨택 유닛들(130, 150)은 켈빈 컨택을 통하여 반도체 소자의 임피던스 값을 측정할 수 있다. 이로써, 상기 반도체 소자에 대한 임피던스 값이 노이즈 없이 정확하게 측정될 수 있다.The first contact unit 130 may include a pair of first contact pins 131 . In this case, the first contact pins are simultaneously connected to the lower pad to form a closed loop together with the second contact unit 150 . Accordingly, the first and second contact units 130 and 150 may measure the impedance value of the semiconductor device through the Kelvin contact. Accordingly, the impedance value of the semiconductor device can be accurately measured without noise.

도 4는 반도체 소자와 고정부을 설명하기 위한 평면도이다.4 is a plan view illustrating a semiconductor device and a fixing unit.

도 4를 참조하면, 상기 고정부(170)는 상기 반도체 소자(10) 상부에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 컨택 유닛(130) 및 제2 컨택 유닛(150)이 상기 반도체 소자(10)와 컨택하는 경우, 상기 반도체 소자(10)는 움직이게 된다. 또한, 상기 제1 컨택 핀(131)이 상기 지지 필름(110)을 관통하여 상기 반도체 소자 하부 패드(16)와 컨택 시 상기 반도체 소자(10)가 움직인다. 이 경우, 상기 고정부(170)는 상기 컨택 면의 상방에서 압박함으로써, 상기 지지 필름에 대하여 상기 반도체 소자(10)의 들뜸을 억제할 수 있다. 예를 들어, 상기 고정부(170)가 상기 지지 필름의 상면과 평행한 방향 또는, 상기 상면과 수직한 방향에서 상기 반도체 소자(10)를 압박하여 움직임을 억제할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the fixing part 170 may be disposed on the semiconductor device 10 . Specifically, when the first contact unit 130 and the second contact unit 150 make contact with the semiconductor device 10 , the semiconductor device 10 moves. Also, when the first contact pin 131 penetrates the support film 110 and makes contact with the semiconductor device lower pad 16 , the semiconductor device 10 moves. In this case, the fixing part 170 may suppress lifting of the semiconductor device 10 with respect to the support film by pressing it from above the contact surface. For example, the fixing part 170 may suppress movement by pressing the semiconductor device 10 in a direction parallel to or perpendicular to the upper surface of the support film.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims. You will understand that there is

100 : 반도체 소자 측정 장치 10 : 반도체 소자
11 : 상부 패드 16 : 하부 패드
110 : 지지 필름 130 : 제1 컨택 유닛
131 : 제1 컨택 핀 133 : 흡착부
150 : 제2 컨택 유닛 170 : 고정부100: semiconductor element measuring device 10: semiconductor element
11: upper pad 16: lower pad
110: support film 130: first contact unit
131: first contact pin 133: adsorption unit
150: second contact unit 170: fixed part

Claims (4)

상부 패드 및 하부 패드를 갖는 반도체 소자들을 지지하는 지지 필름;
상기 지지 필름 하부에 승강 가능하게 배치되어, 상기 지지 필름을 관통하여 상기 반도체 소자들 중 하나의 하부 패드와 컨택할 수 있도록 구비되는 제1 컨택 유닛; 및
상기 지지 필름의 상부에 배치되며, 상기 반도체 소자들 중 상기 하나의 상부 패드와 컨택하는 제2 컨택 유닛를 포함하는 반도체 소자 검사 장치.a support film supporting semiconductor devices having an upper pad and a lower pad;
a first contact unit movably disposed under the support film to pass through the support film and to be in contact with a lower pad of one of the semiconductor devices; and
and a second contact unit disposed on the support film and in contact with the upper pad of the one of the semiconductor devices. 제1항에 있어서, 상기 제1 컨택 유닛은, 상기 반도체 소자들 중 하나에 인접한 상기 지지 필름을 진공력으로 흡착하는 흡착부 및 상기 흡착부 내부에 위치하며, 상기 지지 필름을 관통하여 상기 흡착부에 대하여 상대적으로 승강 가능하며, 상기 반도체 소자의 하부 패드와 컨택하는 적어도 하나의 제1 컨택 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.The adsorption unit of claim 1 , wherein the first contact unit is positioned inside the adsorption unit and an adsorption unit for adsorbing the support film adjacent to one of the semiconductor elements by vacuum force, and penetrates the support film to the adsorption unit. and at least one first contact pin that is relatively movable with respect to the first contact pin and is in contact with the lower pad of the semiconductor device. 제2항에 있어서, 상기 제1 컨택 유닛은 한 쌍의 제1 컨택 핀을 포함하고, 상기 반도체 소자들 중 하나에 켈빈 컨택을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.The apparatus of claim 2 , wherein the first contact unit includes a pair of first contact pins, and performs a Kelvin contact to one of the semiconductor devices. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자의 상면을 가압하여, 상기 제1 컨택 유닛이 상기 반도체 소자를 컨택할 때 상기 지지 필름으로부터 상기 반도체 소자의 들뜸을 억제하는 고정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.The semiconductor device according to claim 1, further comprising: a fixing part that presses an upper surface of the semiconductor device to suppress lifting of the semiconductor device from the support film when the first contact unit contacts the semiconductor device. element inspection device.
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