KR102305127B1

KR102305127B1 - Leak detection apparatus

Info

Publication number: KR102305127B1
Application number: KR1020140119484A
Authority: KR
Inventors: 유홍근
Original assignee: (주)유민에쓰티
Priority date: 2014-09-05
Filing date: 2014-09-05
Publication date: 2021-09-27
Also published as: KR20160029612A

Abstract

본 발명은 누설용액 감지장치에 관한 것으로, 베이스필름층의 상부면에 스퍼터링(sputtering) 방식에 의해 도전라인을 형성함으로써 균일한 저항값을 가지도록 하며, 이러한 스퍼터링 방식에 의해 도전라인이 1㎛이하의 두께를 가지도록 함으로써 상부보호필름층이 쉽게 박리되지 않도록 하는데 목적이 있다.
또한, 서로 다른 금속에 의해 스퍼터링 공정을 진행함으로써 도전라인의 상부면에 또 다른 도전라인을 적층하여 형성하여 다양한 용액의 누설을 감지할 수 있도록 한다.The present invention relates to a leaky solution detection device, wherein a conductive line is formed on the upper surface of a base film layer by sputtering to have a uniform resistance value, and the conductive line is 1 μm or less by this sputtering method. The purpose is to prevent the upper protective film layer from being easily peeled off by having a thickness of .
In addition, by performing a sputtering process using different metals, another conductive line is stacked on the upper surface of the conductive line to form another conductive line, so that leakage of various solutions can be detected.

Description

Leak detection apparatus

본 발명은 누설용액 장치에 관한 것으로, 특히 필름재질로 된 베이스필름상에 형성되어 누설을 감지하는 도전라인을 스퍼터링(sputtering) 방식에 의해 형성하는 누설용액 감지장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a leaky solution device, and more particularly, to a leaky solution detecting device formed on a base film made of a film material to form a conductive line for detecting a leak by a sputtering method.

본 출원인은 이미 여러 건의 등록 특허(10-0909242, 10-0827385 등)에서 테이프 형태로 되어 누수가 발생하기 쉬운 위치에 설치함으로써 누수 발생을 쉽게 감지할 수 있도록 하는 테이프 형태의 누수감지센서를 제안한 바 있다.In several registered patents (10-0909242, 10-0827385, etc.), the present applicant has already proposed a tape type water leak detection sensor that can easily detect water leakage by installing it in a location where water leakage is likely to occur. have.

도1 및 도2에 도시한 바와 같이 이러한 누수감지센서(100)는 하부접착층(120), 베이스필름층(110), 상부보호필름층(130)이 저면에서 상방으로 순차적으로 적층되어 이루어진다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the water leak detection sensor 100 is formed by sequentially stacking a lower adhesive layer 120 , a base film layer 110 , and an upper protective film layer 130 from the bottom to the top.

하부접착층(120)은 누수가 발생되는 곳에 부착하기 위한 것으로, 접착 테이프 형태로 구성되고, 베이스필름층(110)은 도전라인(111,112)이 상부에 형성되기 위한 층으로서, 도전라인(111,112)의 패턴을 인쇄 방식에 형성하기 위해 PET, PE, PTFE, PVC 또는 기타 테프론 계열의 재질의 필름으로 형성된다.The lower adhesive layer 120 is for attaching to a place where water leakage occurs, and is configured in the form of an adhesive tape, and the base film layer 110 is a layer for forming the conductive lines 111 and 112 on the upper portion of the conductive lines 111 and 112 . In order to form a pattern in a printing method, it is formed with a film made of PET, PE, PTFE, PVC or other Teflon-based materials.

그리고, 도전라인(111,112)은 베이스필름층(110)의 상부표면에서 서로 이격되어 길이방향으로 평행하게 스트립 형태로 배치되며, 도전성 잉크 또는 은(Silver) 화합물로 인쇄된다.In addition, the conductive lines 111 and 112 are spaced apart from each other on the upper surface of the base film layer 110 and are arranged in a strip shape in parallel in the longitudinal direction, and are printed with conductive ink or a silver compound.

상부보호필름층(130)은 베이스필름층(110)의 상부에 적층되어 도전라인(111,112)을 외부의 자극으로부터 보호하기 위한 층으로서, 베이스필름층(110)과 같이 PET, PE, PTFE, PVC 또는 기타 테프론 계열의 재질로 형성되며, 도전라인(111,112)에 해당하는 위치에 일정간격마다 센싱홀(131)이 관통되어 형성되도록 구성된다.The upper protective film layer 130 is laminated on top of the base film layer 110 to protect the conductive lines 111 and 112 from external stimuli. Like the base film layer 110 , PET, PE, PTFE, PVC Alternatively, it is formed of other Teflon-based material, and the sensing hole 131 is formed to penetrate at predetermined intervals at positions corresponding to the conductive lines 111 and 112 .

따라서, 누수가 발생하면, 누수가 발생된 위치의 센싱홀(131)을 통해 수분이 유입되어 두 도전라인(111,112)이 수분에 의해 통전되며, 원격의 제어기가 그 통전상태 즉 폐회로가 형성되는 상태를 파악하여 누수여부를 감지하고, 그에 따른 경보를 발생할 수 있게 된다.Therefore, when a water leak occurs, moisture flows in through the sensing hole 131 at the location where the leak occurs, and the two conductive lines 111 and 112 are energized by the moisture, and the remote controller is energized, that is, a closed circuit is formed. It is possible to detect leaks by understanding the leak, and to generate an alarm accordingly.

또한, 두 도전라인(111,112)의 저항값의 크기에 의해 누수된 위치 즉 거리를 확인할 수 있게 되는데, 저항값이 큰 경우에는 제어기로부터 멀리 떨어진 위치에서 누수가 발생된 것이고, 저항값이 상대적으로 낮은 경우에는 제어기로부터 가까운 위치에서 누수가 발생된 것으로 확인할 수 있다.In addition, it is possible to check the leaked location, ie, the distance, by the size of the resistance values of the two conductive lines 111 and 112. If the resistance value is large, the leakage occurs at a location far from the controller, and the resistance value is relatively low. In this case, it can be confirmed that the leak has occurred at a location close to the controller.

그런데, 이러한 종래의 필름형 누수감지센서(100)는 도전라인(111,112)이 주로 그라비아(Gravure) 인쇄방식을 이용하여 형성됨으로써 도전성 잉크 또는 은 화합물의 혼합비에 따라 저항값이 서로 다르게 나타나므로, 정확한 누설 위치 즉, 거리의 측정이 어렵게 되는 문제점이 있었다.However, in this conventional film-type water leak detection sensor 100, the conductive lines 111 and 112 are mainly formed using a gravure printing method, so that the resistance value is different depending on the mixing ratio of the conductive ink or the silver compound. There is a problem in that it is difficult to measure a leak location, that is, a distance.

또한, 도전성 잉크, 은 화합물 등에 의해 인쇄방식 또는 금속시트, 박판 등의 도전성 재질에 의해 도전라인(111,112)을 형성하는 경우에 5~10㎛의 두께를 가지므로 높은 저항값을 가지게 되어 누수감지센서(100)가 수백미터로 길게 설치된 경우에는 그 높은 저항값에 의해 누수 여부 및 누수된 위치를 정확히 확인하기 어려운 문제점이 있다.In addition, when the conductive lines 111 and 112 are formed using a conductive material such as a printing method or a metal sheet or thin plate using conductive ink or a silver compound, they have a thickness of 5 to 10 μm, and thus have a high resistance value. If 100 is installed for several hundred meters long, there is a problem in that it is difficult to accurately determine whether or not the leak has occurred and the location of the leak due to the high resistance value.

아울러 도전라인(111,112)의 두께에 의해 상부에 적층되는 상부보호필름층(130)이 베이스필름층(110)에 안정적으로 부착되지 못하고 쉽게 박리됨으로써 누수감지센서(100)의 불량 소지를 가지고 있게 된다.
In addition, the upper protective film layer 130 laminated on the upper part due to the thickness of the conductive lines 111 and 112 is not stably attached to the base film layer 110 and is easily peeled off, so that the leak detection sensor 100 has a defect. .

이러한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 베이스필름층의 상부면에 스퍼터링(sputtering) 방식에 의해 도전라인을 형성함으로써 균일한 저항값을 가지도록 하며, 이러한 스퍼터링 방식에 의해 도전라인이 1㎛이하의 두께를 가지도록 함으로써 상부보호필름층이 쉽게 박리되지 않도록 한 누설용액 감지장치를 제공하는데 목적이 있다.The present invention for solving this problem has a uniform resistance value by forming a conductive line on the upper surface of the base film layer by sputtering, and by this sputtering method, the conductive line has a thickness of 1 μm or less. An object of the present invention is to provide a leaky solution detecting device in which the upper protective film layer is not easily peeled off by having a thickness.

본 발명의 또 다른 목적은 도전성을 갖는 서로 다른 금속에 의해 스퍼터링 공정을 진행함으로써 도전라인의 상부면에 또 다른 도전라인을 적층하여 형성하여 다양한 용액의 누설을 감지할 수 있도록 한다.
Another object of the present invention is to stack another conductive line on the upper surface of the conductive line by performing a sputtering process using different metals having conductivity, so that leakage of various solutions can be detected.

이를 위해 본 발명의 누설용액 감지장치는To this end, the leakage solution detection device of the present invention is

필름재질로 된 베이스필름층과, 상기 베이스필름층의 상부면에 길이방향으로 형성된 도전라인으로 구성된 누설용액 감지장치에 있어서,In the leakage solution detection device consisting of a base film layer made of a film material, and a conductive line formed in the longitudinal direction on the upper surface of the base film layer,

상기 도전라인은 도전성을 갖는 금속에 의해 스퍼터링(sputtering) 방식으로 형성된다.The conductive line is formed by a sputtering method with a metal having conductivity.

또한, 상기 도전라인의 상부면에는 도전성을 갖는 또 다른 금속에 의해 스퍼터링 방식으로 도전라인이 적층되어 형성된다.
In addition, the conductive lines are stacked on the upper surface of the conductive lines by a sputtering method using another metal having conductivity.

이와같은 본 발명은 베이스필름층의 상부면에 스퍼터링 방식에 의해 도전라인을 형성함으로써 균일한 저항값을 가지도록 하여 누설용액과 누설위치를 정확히 감지할 수 있어 신뢰성을 높이며, 스퍼터링 방식에 의해 도전라인이 1㎛이하의 두께를 가지도록 함으로써 상부보호필름층이 쉽게 박리되지 않도록 하여 제품의 불량률을 현저히 낮출 수 있다.As described above, the present invention increases reliability by forming a conductive line on the upper surface of the base film layer by sputtering to have a uniform resistance value, thereby accurately detecting a leaking solution and a leaking location, and increasing reliability by sputtering. By having a thickness of 1 μm or less, the upper protective film layer is not easily peeled off, thereby significantly reducing the defect rate of the product.

또한, 도전성을 갖는 복수의 금속에 의해 2층 이상의 도전라인을 형성함으로써 누설되는 용액의 종류까지 판별이 가능한 장점이 있다.
In addition, by forming two or more conductive lines with a plurality of metals having conductivity, there is an advantage in that even the type of a leaked solution can be discriminated.

도1은 공지의 누수감지장치의 분해 구조를 보인 도.
도2는 도1의 결합 단면도.
도3은 본 발명의 제1실시예에 따른 누설용액 감지장치의 구조를 보인 도.
도4는 본 발명의 제2실시예에 따른 누설용액 감지장치의 구조를 보인 도.
도5는 제2실시예의 단면구조를 보인 도.
도6은 본 발명의 제3실시예에 따른 누설용액 감지장치의 구조를 보인 단면도.
도7은 본 발명의 제4실시예에 따른 누설용액 감지장치의 구조를 보인 도.
도8은 본 발명의 제5실시예에 따른 누설용액 감지장치의 구조를 보인 도.
도9은 본 발명에 의해 용액의 누설을 감지하기 위한 회로 구성도.
도10은 도전라인이 형성될 부위를 제외한 위치에 보호막이 부착되는 구조를 보인 도.1 is a view showing an exploded structure of a known water leak detection device.
Figure 2 is a cross-sectional view of the coupling of Figure 1;
3 is a view showing the structure of a leaky solution detection device according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view showing the structure of a leaky solution detection device according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a view showing a cross-sectional structure of the second embodiment;
6 is a cross-sectional view showing the structure of a leaky solution detecting device according to a third embodiment of the present invention.
7 is a view showing the structure of a leaky solution detection device according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is a view showing the structure of a leaky solution detection device according to a fifth embodiment of the present invention.
9 is a circuit block diagram for detecting a leakage of a solution according to the present invention.
10 is a view showing a structure in which a protective film is attached to a position except for a portion where a conductive line is to be formed.

본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도3은 본 발명의 제1실시예에서 적용된 누설용액 감지장치의 구조를 보인 도로서, 도3(a)에서와 같이 PET, PE, PTFE, PI, PVC 또는 기타 테프론 계열의 필름 재질로 된 베이스필름층(210)의 상부면에는 절연을 위하여 절연물질로 된 코팅층(220)이 도포되고, 상기 코팅층(220)의 상부면으로는 한 쌍의 도전라인(231,232)이 스퍼터링 공정에 의해 서로 이격되어 길이방향으로 평행하게 스트립 형태로 증착되어 배치된다.Figure 3 is a road showing the structure of the leak detection device applied in the first embodiment of the present invention, as shown in Figure 3 (a), PET, PE, PTFE, PI, PVC or other Teflon-based film material base A coating layer 220 made of an insulating material is applied to the upper surface of the film layer 210 for insulation, and a pair of conductive lines 231,232 are spaced apart from each other by a sputtering process on the upper surface of the coating layer 220. It is deposited and disposed in the form of a strip parallel to the longitudinal direction.

상기 도전라인(231,232)의 상부면으로는 상부보호필름층(260)이 적층되는데, 상부보호필름층(260)은 PET, PE, PTFE, PI, PVC 또는 기타 테프론 계열의 필름 재질로 형성되고, 도전라인(231,232)에 해당하는 위치에서 길이방향으로 일정간격마다 센싱홀(261)이 형성된 구조를 갖는다.An upper protective film layer 260 is laminated on the upper surface of the conductive lines 231,232, and the upper protective film layer 260 is made of PET, PE, PTFE, PI, PVC or other Teflon-based film material, It has a structure in which sensing holes 261 are formed at regular intervals in the longitudinal direction at positions corresponding to the conductive lines 231,232.

도전라인(231,232)을 형성하기 위한 스퍼터링 공정은 진공 챔버에서 도전성을 가지는 금속과 코팅층(220)이 형성된 베이스필름층(210)을 위치시키게 되는데, 코팅층(220)의 상부면에는 도전라인(231,232)이 형성될 위치를 제외한 부위에 도10에서와 같이 보호막(221)을 씌우게 된다.The sputtering process for forming the conductive lines 231,232 places the base film layer 210 on which the conductive metal and the coating layer 220 are formed in a vacuum chamber, and the conductive lines 231,232 are on the upper surface of the coating layer 220. As shown in FIG. 10, a protective film 221 is covered on the portion except for the position to be formed.

이러한 보호막(221)은 합성수지재로 된 테이프가 될 수 있다.The protective film 221 may be a tape made of a synthetic resin material.

물론, 코팅층(220)은 완벽한 절연을 위하여 더 부가되는 것이고, 베이스필름층(210)이 충분히 절연성능을 가지고 있다면, 이러한 절연을 위한 코팅층(220)은 삭제될 수 있으며, 이때는 베이스필름층(210)에 곧바로 보호막(220)이 씌워질 수 있을 것이다.Of course, the coating layer 220 is further added for perfect insulation, and if the base film layer 210 has sufficient insulation performance, the coating layer 220 for such insulation may be deleted, in this case the base film layer 210 ) may be directly covered with the protective film 220 .

이후, 도전성을 가지는 금속에는 (-)전압을 걸고, 베이스필름층(210)에는 (+)전압을 건 다음 진공 챔버내에 아르곤 가스를 투입하게 되면, 이온화된 아르곤 가스가 도전성을 가지는 금속과 충돌하여 튀어나온 금속 입자는 베이스필름층(210)에 증착된다.After that, a (-) voltage is applied to the conductive metal and a (+) voltage is applied to the base film layer 210 and then argon gas is introduced into the vacuum chamber. The ionized argon gas collides with the conductive metal and The protruding metal particles are deposited on the base film layer 210 .

증착 공정이 완료된 후 보호막(221)을 제거하면, 도전라인(231,232) 부분만 남고, 나머지 부분은 보호막(221)에 의해 제거되어 도전라인(231,232)이 형성되는 것이다.When the passivation layer 221 is removed after the deposition process is completed, only portions of the conductive lines 231,232 remain, and the remaining portions are removed by the passivation layer 221 to form the conductive lines 231,232 .

이러한 스퍼터링 방식을 이용하는 경우에는 도전라인(231,232)의 두게가 0.1~1㎛를 가질 수 있으므로, 두께도 얇아지게 되고, 균일한 저항값을 가질 수 있을 것이다.In the case of using such a sputtering method, since the thickness of the conductive lines 231,232 may be 0.1 to 1 μm, the thickness may be reduced, and a uniform resistance value may be obtained.

도3(b)는 도전라인(231,232)의 상부면에 또 다른 도전라인(241,242)을 스퍼터링 방식에 의해 형성하는 것으로, 도전라인(231,232)을 형성할 때와 다른 도전성을 가지는 금속을 이용하여 스퍼터링 공정을 재차 수행함으로써 2층의 도전라인이 형성된다.3(b) shows that another conductive line 241,242 is formed on the upper surface of the conductive line 231,242 by a sputtering method, which is performed by sputtering using a metal having a different conductivity than when the conductive line 231,232 is formed. By performing the process again, a two-layer conductive line is formed.

이러한 경우는 상부의 도전라인(241,242)이 산성에 약한 금속 입자로 형성된 도전라인이고, 하부의 도전라인(231,232)이 산성에 강한 금속입자로 형성되었다면, 산성용액이 누설된 경우 상부의 도전라인(241,242)은 서로 통전되면서 곧바로 부식이 발생하고, 이러한 부식에 의해 하부의 도전라인(231,232)이 서로 통전될 것이다.In this case, if the upper conductive lines 241,242 are conductive lines formed of metal particles that are weak to acid, and the lower conductive lines 231,232 are formed of metal particles that are strong in acid, the upper conductive line ( Corrosion occurs immediately while the 241,242 is energized with each other, and the lower conductive lines 231,242 will be energized with each other due to this corrosion.

제어기는 이러한 상부의 도전라인(241,242)의 통전 후에 하부의 도전라인(231,232)이 통전되는 경우 산성용액의 누설로 판단할 수 있을 것이다.
When the lower conductive lines 231,232 are energized after the upper conductive lines 241,242 are energized, the controller may determine that the acid solution is leaking.

도3(c)는 도전라인(241,242)의 상부에 또 다른 도전성을 갖는 금속에 의해 스퍼터링 공정으로 3층의 도전라인(251,252)이 형성된 구조를 보인 것이다.3(c) shows a structure in which three layers of conductive lines 251,252 are formed on top of the conductive lines 241,242 by a sputtering process using a metal having another conductivity.

도4는 2선의 도전라인 방식이 아닌 4선의 도전라인 방식의 구조를 보인 도로서, 도4(a)는 도3의 도전라인(241,242)의 양측부에 또 다른 도전라인(233,234)이 나란히 형성된 경우를 보인 도로서, 도전라인(231)은 저항라인으로 설정되고, 다른 도전라인(232,233,234)은 단순히 전도성 라인으로 설정됨으로써 도9에서와 같이 회로 구조를 가질 수 있다.FIG. 4 is a road showing a structure of a 4-wire conductive line method instead of a 2-wire conductive line method. FIG. 4(a) is a diagram in which another conductive line 233 and 234 are formed side by side on both sides of the conductive line 241,242 of FIG. By way of example, the conductive line 231 is set as a resistance line, and the other conductive lines 232 , 233 , and 234 are simply set as conductive lines, so that the conductive line 231 may have a circuit structure as shown in FIG. 9 .

도전라인(231)과 도전라인(233)은 그 타측 단부가 서로 연결되어 일측 단부로부터 센싱을 위한 전원을 공급받고, 도전라인(232)과 도전라인(234)의 타측 단부가 서로 연결되면서 일측 단부가 제어기(400)에 연결되는 구조를 가지게 되면, 상부보호필름층(260)의 센싱홀(261)을 통해 누설된 용액이 유입되어 저항라인(231)과 도전라인(232) 사이가 통전됨으로써 제어기(400)는 도전라인(231)과 도전라인(232) 사이의 저항값을 받아들여 누설여부는 물론 누설위치까지 확인할 수 있는 것이다.
The other ends of the conductive line 231 and the conductive line 233 are connected to each other to receive power for sensing from one end, and the other ends of the conductive line 232 and the conductive line 234 are connected to each other and one end of the conductive line 233 is connected to each other. has a structure connected to the controller 400, the solution leaked through the sensing hole 261 of the upper protective film layer 260 flows in, and the resistance line 231 and the conductive line 232 are energized, so that the controller Reference numeral 400 accepts the resistance value between the conductive line 231 and the conductive line 232 so that it is possible to check the leak location as well as whether there is a leak.

도4(b)의 경우에도 도전라인(233,234)의 상부면에 스퍼터링 공정으로 또 다른 금속입자가 증착되어 적층된 상태를 보인 것이며, 도4(c)의 경우에는 도전라인(233,234)의 상부에 또 다른 금속입자가 증착되어 적층된 도전라인(253,254)의 구조를 보인 것이다.
Also in the case of FIG. 4(b), another metal particle is deposited and stacked on the upper surface of the conductive lines 233 and 234 by a sputtering process, and in the case of FIG. Another metal particle is deposited and the structure of the stacked conductive lines 253 and 254 is shown.

도5는 도4의 단면구조를 보인 도로서, 베이스필름층(210)의 상부에 절연을 위한 코팅층(220)이 형성되고, 그 코팅층(220)의 상부면에 스퍼터링 방식에 의해 복수의 층을 갖는 4선의 도전라인(231,232,233,234)이 형성된다.5 is a road showing the cross-sectional structure of FIG. 4, in which a coating layer 220 for insulation is formed on an upper portion of the base film layer 210, and a plurality of layers are formed on the upper surface of the coating layer 220 by sputtering. Four conductive lines 231,232, 233, and 234 are formed.

상부보호필름층(260)의 접착제에 의해 코팅층(220)에 부착되어 센싱홀(261)의 가운데 두 개의 도전라인(231,232)을 외부로 노출시키는 구조이다.It is attached to the coating layer 220 by the adhesive of the upper protective film layer 260 to expose the middle two conductive lines 231,232 of the sensing hole 261 to the outside.

베이스필름층(210)의 하부면에는 벽이나 바닥에 부착하기 위한 부착층(280)이 구비될 수 있다.
An adhesion layer 280 for attaching to a wall or floor may be provided on a lower surface of the base film layer 210 .

도6은 베이스필름층(210)의 하부면에 또 다시 코팅층(290)을 형성하고, 그 코팅층(290)의 하부면에 스퍼터링 방식에 의해 복수의 층을 갖는 4선의 도전라인(321,322,323,324)이 형성되며, 그 상부에 접착제(300)에 의해 하부보호필름층(310)이 적층됨으로써 도전라인(321,322)이 센싱홀(311)을 통해 외부로 노출되는 것이다.6 shows another coating layer 290 is formed on the lower surface of the base film layer 210, and four conductive lines 321, 322, 323, 324 having a plurality of layers are formed on the lower surface of the coating layer 290 by sputtering. and the lower protective film layer 310 is laminated thereon by the adhesive 300 so that the conductive lines 321 and 322 are exposed to the outside through the sensing hole 311 .

이러한 경우에는 바닥에 흐르는 누설용액이 하부보호필름층(310)을 통하여 도전라인(321,322)으로 유입됨으로써 누설을 감지할 수 있는 것이다.
In this case, the leakage can be detected as the leakage solution flowing on the floor flows into the conductive lines 321 and 322 through the lower protective film layer 310 .

도7은 센싱홀(311)의 위치가 도전라인(323,324)의 위치에 형성된 상태를 보여준다.
7 shows a state in which the position of the sensing hole 311 is formed at the position of the conductive lines 323 and 324 .

도8은 하부보호필름층(310)에 센싱홀이 형성되지 않게 되어 베이스필름층(210)의 하부면에 형성된 도전라인(321,322,323,324)이 외부와는 완전 절연된 상태를 유지함으로써 순수한 신호 라인으로서 동작할 수 있게 된다.
8 shows that the sensing hole is not formed in the lower protective film layer 310, so that the conductive lines 321, 322, 323, 324 formed on the lower surface of the base film layer 210 are completely insulated from the outside, thereby operating as a pure signal line. be able to do

210 : 베이스필름층 220 : 코팅층
231,232,233,234,241,242,243,244,251,252,253,254 : 도전라인
260 : 상부보호필름층 261 : 센싱홀
270 : 접착제 290 : 코팅층
300 : 접착제 310 : 하부보호필름층
311 : 센싱홀 321,322,323,324 : 도전라인
400 : 제어기 210: base film layer 220: coating layer
231,232,233,234,241,242,243,244,251,252,253,254 : Conductive line
260: upper protective film layer 261: sensing hole
270: adhesive 290: coating layer
300: adhesive 310: lower protective film layer
311: sensing hole 321,322,323,324: conductive line
400: controller

Claims

In the leakage solution detection device consisting of a base film layer made of a film material, and a conductive line formed in the longitudinal direction on the upper surface of the base film layer,
The conductive line is formed by stacking two or more layers of metal having different conductivity by a sputtering method,
The conductive line is formed to a thickness of 0.1 ~ 1㎛, the metal layers having different conductivity have a uniform resistance value,
The conductive line includes a first conductive line configured as a resistance line, a second conductive line, a third conductive line, and a fourth conductive line configured as a conductive line, respectively,
The first conductive line and the third conductive line are supplied with power for sensing from one end thereof, and the other end thereof is connected to each other,
The second conductive line and the fourth conductive line have one end connected to the controller and the other end connected to each other,
When the solution leaks, current is passed between the first conductive line, which is the resistance line, and the second conductive line, which is the conductive line, so that leakage and the location of the leakage are detected according to the resistance value between the first conductive line and the second conductive line. leaky solution detection device.

According to claim 1, wherein the leakage solution detection device, characterized in that the conductive line is formed by laminating another conductive metal on the upper surface of the conductive line by a sputtering method.

According to claim 1, wherein the base film layer is a leakage solution detection device, characterized in that the sputtering is performed after a protective film is covered on a portion except for a portion where the conductive line is to be formed.

[Claim 2] The leaky solution detection device according to claim 1, wherein a conductive line is formed on the lower surface of the base film layer by a sputtering method.

[Claim 5] The upper surface of any one of claims 1, 2, and 4, wherein the upper surface or the lower surface of the base film layer on which the conductive line is formed is formed by penetrating sensing holes at regular intervals at positions corresponding to the conductive lines. Leakage solution detection device, characterized in that the protective film layer is laminated.

[Claim 5] The leakage solution detecting device according to claim 4, wherein a lower protective film layer for protecting the conductive lines is laminated on the lower surface of the base film layer on which the conductive lines are formed.

The coating layer according to any one of claims 1 to 4, wherein a coating layer is formed by an insulating material on an upper surface or a lower surface of the base film layer, and a conductive line is formed on the upper surface or the lower surface of the coating layer. leaky solution detection device.