KR102304218B1 - 전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법 및 전자 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 제1 방향으로 연장된 제1 전극; 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 연장되어 상기 제1 전극과 교차하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 교차 영역에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 활성층;을 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 어느 하나는, 다른 하나의 전극을 향하는 방향으로 돌출된 적어도 하나의 돌출부를 포함하며, 상기 활성층은 상기 적어도 하나의 돌출부와 수직방향으로 중첩하는 제1 영역과 상기 제1 영역 주변의 제2 영역을 포함하는 전자 소자를 개시한다.

Description

전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법 및 전자 소자{Controlling method for electric current path using electric field and electric device}
본 발명의 실시예들은 전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법 및 전자 소자 에 관한 것이다.
기술의 발전 및 사람들의 생활의 편의에 대한 관심이 증가함에 따라 다양한 전자 제품에 대한 개발 시도가 활발해지고 있다.
또한 이러한 전자 제품은 갈수록 소형화되고 있고 집적화되고 있으며, 사용되는 장소가 광범위하게 증가하고 있다.
이러한 전자 제품은 다양한 전기 소자를 포함하고, 예를 들면 CPU, 메모리, 기타 다양한 전기 소자를 포함한다. 이러한 전자 소자들은 다양한 종류의 전기 회로를 포함할 수 있다.
예를 들면 컴퓨터, 스마트폰 뿐만 아니라 IoT를 위한 가정용 센서 소자, 인체 공학용 바이오 전자 소자 등 다양한 분야의 제품에 전기 소자가 사용된다.
최근의 기술 발달 속도와 사용자들의 생활 수준의 급격한 향상에 따라 이러한 전기 소자의 사용과 응용 분야가 급격하게 늘어나 그 수요도 이에 따라 증가하고 있다.
이러한 추세에 따라 흔히 사용하고 있는 다양한 전기 소자들에 쉽고 빠르게 적용하는 전기 회로를 구현하고 제어하는데 한계가 있다.
본 발명의 실시예들은, 다양한 용도에 용이하게 적용할 수 있는 전류 경로 제어 방법 및 전자 소자를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 전자소자는, 제1 방향으로 연장된 제1 전극; 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 연장되어 상기 제1 전극과 교차하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 교차 영역에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 활성층;을 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 어느 하나는, 다른 하나의 전극을 향하는 방향으로 돌출된 적어도 하나의 돌출부를 포함하며, 상기 활성층은 상기 적어도 하나의 돌출부와 수직방향으로 중첩하는 제1 영역과 상기 제1 영역 주변의 제2 영역을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 활성층은, 상기 제2 영역에서 제1 방향의 분극을 가지고, 상기 제1 영역은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극으로의 전압 인가에 의해 선택적으로 상기 제1 방향의 분극 또는 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향의 분극을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 영역이 상기 제2 방향의 분극을 가질 때, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 간에 전자가 이동하는 가변 채널이 생성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 영역에서의 상기 활성층의 두께는 상기 제2 영역에서의 상기 활성층의 두께보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 돌출부는 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향을 따라 연장될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 제2 전극을 향해 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극을 향해 돌출된 제2 돌출부를 포함하며, 상기 제1 영역은 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부의 교차영역에 위치하고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역을 에워쌀 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법은, 제1 방향으로 연장된 제1 전극, 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 연장된 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 교차영역에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치한 활성층을 포함하는 전자 소자에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 제1 전압을 인가하여 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 제1 전기장을 발생시키는 단계; 상기 제1 전기장에 의해 상기 활성층의 일부의 분극 방향이 변경되어, 상기 활성층이 서로 상이한 분극을 가지는 제1 영역과 제2 영역으로 구획되는 단계; 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에 전류가 흐를 수 있는 가변 채널이 형성되는 단계;를 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 어느 하나는, 다른 하나의 전극을 향하는 방향으로 돌출된 적어도 하나의 돌출부를 포함하며, 상기 제1 영역은 상기 돌출부와 수직방향으로 중첩하는 영역으로, 상기 제1 영역에서의 상기 활성층의 두께가 상기 제2 영역에서의 두께보다 작게 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 가변 채널은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 잇도록 상기 수직방향으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 돌출부는 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향을 따라 연장될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 제2 전극을 향해 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극을 향해 돌출된 제2 돌출부를 포함하며, 상기 제1 영역은 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부의 교차영역에 위치하고, 상기 가변채널은 상기 제1 영역을 에워싸도록 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 영역의 분극을 되돌리기 위한 제2 전압을 인가하여 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 제2 전기장을 발생시키는 단계;를 더 포함하고, 상기 제2 전압의 인가에 의해 상기 가변 채널은 소멸할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명에 관한 전류 경로 제어 방법 및 전자 소자는 다양한 용도에 용이하게 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 소자의 일 예를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 I-I'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 4는 도 1의 활성층을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 소자의 일 예를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5의 II-II'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자 소자의 일 예를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 8은 도 7의 활성층을 개략적으로 도시한 평면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 소자의 일 예를 개략적으로 도시한 사시도이고. 도 2 및 도 3은 도 1의 I-I'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도들이며, 도 4는 도 1의 활성층을 개략적으로 도시한 평면도이다.
먼저 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 소자(100)는 제1 방향(X)으로 연장된 제1 전극(110), 제1 방향(X)과 상이한 제2 방향(X)으로 연장되어 제1 전극(110)과 교차하는 제2 전극(120) 및 제1 전극(110)과 제2 전극(120)의 교차 영역에서 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 개재된 활성층(130)을 포함할 수 있다.
제1 전극(110)과 제2 전극(120)은 플래티넘, 금, 알루미늄, 은 또는 구리 등과 같은 금속재질, PEDOT:PSS 또는 폴리아닐린(polyaniline)과 같은 도전체 폴리머, 산화 인듐(예, In2O3), 산화 주석(예, SnO2), 산화 아연(예, ZnO), 산화 인듐 산화 주석 합금(예, In2O3*?*SnO2) 또는 산화 인듐 산화 아연 합금(예, In2O3
Figure 112019083040346-pat00001
ZnO) 등과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다.
제1 전극(110)과 제2 전극(120) 중 적어도 어느 하나는 다른 하나의 전극을 향하는 방향으로 돌출된 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 도 1 내지 도 4에서는 일 예로, 제1 전극(110)이 하나의 제1 돌출부(112)를 포함하는 것을 예시하고 있다. 다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 도 5 이하에서 후술하는 바와 같이, 제2 전극(120)이 제2 돌출부(도 5의 122)를 포함하거나, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)에 모두 돌출부가 형성될 수 있다.
제1 돌출부(112)는 제1 전극(110)과 동일하게 제1 방향(X)을 따라 연장될 수 있다. 일 예로, 제1 돌출부(112)의 길이는 제1 전극(110)의 길이와 동일할 수 있다. 제1 돌출부(112)는 제1 전극(110)과 일체로 형성될 수 있다.
활성층(130)은 자발 분극성 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면 활성층(130)은 절연 재료를 포함하고 강유전성 재료를 포함할 수 있다. 즉, 활성층(130)은 전기장의 존재시 역전될 수 있는 자발적 전기 분극(전기 쌍극자)을 가진 재료를 포함할 수 있다.
선택적 실시예로서 활성층(130)은 페로브스카이트 계열 물질을 포함할 수 있고, 예를 들면 BaTiO3, SrTiO3, BiFe3, PbTiO3, PbZrO3, SrBi2Ta2O9을 포함할 수 있다.
또한 다른 예로서 활성층(130)은 ABX3 구조로서, A는 CnH2n+1의 알킬기, 및 페로브스카이트 태양전지 구조형성이 가능한 Cs, Ru 등의 무기물로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있고, B는 Pb, Sn, Ti, Nb, Zr, 및 Ce으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있고, X는 할로겐 물질을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서 활성층(130)은 CH3NH3PbI3, CH3NH3PbIxCl3-x, MAPbI3, CH3NH3PbIxBr3-x, CH3NH3PbClxBr3-x, HC(NH2)2PbI3, HC(NH2)2PbIxCl3-x, HC(NH2)2PbIxBr3-x, HC(NH2)2PbClxBr3-x, (CH3NH3)(HC(NH2)2)1-yPbI3, (CH3NH3)(HC(NH2)2)1-yPbIxCl3-x, (CH3NH3)(HC(NH2)2)1-yPbIxBr3-x, 또는 (CH3NH3)(HC(NH2)2)1-yPbClxBr3-x　(0≤x, y≤1)를 포함할 수 있다.
이와 같은 활성층(130)은 자발 분극성을 갖고, 전기장의 인가에 따라 분극의 정도와 방향을 제어할 수 있다. 또한, 활성층(130)은 가해준 전기장이 제거되어도 분극 상태를 유지할 수 있다. 즉, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 활성층(130)의 히스테리시스 루프의 전하가 0이 되는 보자 전압(coercive voltage)보다 큰 제1 전압을 인가하면, 활성층(130)의 분극 방향을 바꿀 수 있다.
한편, 활성층(130)은 도 2에서 도시하는 바와 같이 수직방향(Z)으로 제1 돌출부(112)와 중첩하는 제1 영역(A1)과 제1 영역(A1) 주변의 제2 영역(A2)을 포함한다. 즉, 제1 영역(A1)에서의 활성층(130)의 두께는 제2 영역(A2)에서의 활성층(130)의 두께보다 작을 수 있다. 또한, 활성층(130)의 도메인(Domain)의 분극 방향을 바꿀 수 있는 전기장의 크기는 활성층(130)의 두께가 두꺼울수록 커진다. 따라서, 제1 영역(A1)의 분극 방향을 바꿀 수 있는 전기장의 크기는 제2 영역(A2)의 분극 방향을 바꿀 수 있는 전기장의 크기보다 작을 수 있다.
그 결과, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 인가되는 제1 전압에 의해 제1 영역(A1)의 분극 방향이 바뀌더라도, 제2 영역(A2)에서는 활성층(130)의 분극 방향이 바뀌지 않을 수 있다. 반면에, 제1 영역(A1)의 분극 방향은 인가되는 전기장에 의해 선택적으로 변경되며, 제1 영역(A1)의 분극 방향의 변경에 의해 제1 전극(110)과 제2 전극(120)이 전기적으로 연결되거나 또는 절연상태를 가질 수 있다.
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)이 모두 동일하게 제1 방향의 분극을 가진 상태에서는 활성층(130)의 절연성에 의해 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에는 전류가 흐르지 않을 수 있다.
그러나, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 영역(A1)의 분극 방향이 변경된 경우는, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 경계에서 활성층(130)의 단위격자 구조가 국부적으로 변경되면서 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)과는 상이한 전기적 편극이 발생하며, 이에 의해 자유전자들이 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 경계에 축적되어 전류가 흐를 수 있는 가변 채널(C)이 형성되어 제1 전극(110)과 제2 전극(120)은 전기적으로 연결될 수 있다.
상기와 같은 가변 채널(C)은 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 경계에 형성된다. 한편, 제1 영역(A1)은 제1 돌출부(112)의 형상에 따라 형성되므로, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 돌출부(112)가 제1 전극(110)의 길이 방향과 동일하게 제1 방향(X)을 따라 연장된 경우, 가변 채널(C)은 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 경계에서 제1 방향(X)으로 활성층(130)을 가로지르도록 형성될 수 있다.
한편, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)에 제1 영역(A1)의 분극 방향을 되돌리기 위한 제2 전압을 인가하면, 제1 영역(A1)은 다시 제1 방향의 분극을 가질 수 있다. 이에 의해, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 간의 분극 차이가 없어지게 되고, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 사이의 가변 채널(C)은 소멸된다. 이와 같은 상태는 도 2에 도시된 상태와 동일하다. 즉, 활성층(130)에 의해 제1 전극(110)과 제2 전극(120)은 절연상태가 되므로, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 전압을 인가하더라도, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에는 전류가 흐르지 않게 된다.
따라서, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)에 인가되는 전압을 제어하여 전자 소자(100)의 전류의 흐름을 제어할 수 있고, 이러한 전류의 흐름의 제어를 통하여 전자 소자(100)는 다양한 용도에 이용될 수 있다. 또한, 제1 영역(A1)의 두께가 제2 영역(A2)보다 얇게 형성됨으로써, 제1 영역(A1)의 분극 방향을 바꾸기 위해 인가되는 전압의 크기를 감소시킬 수 있고, 제1 영역(A1)에서의 분극 방향의 변경이 더욱 빠르게 이루어질 수 있다.
이하에서는 전자 소자(100)의 동작에 대하여서 보다 자세히 설명하기로 한다. 또한, 전자 소자(100)가 비휘발성 메모리로 사용되는 예를 설명한다.
먼저, 활성층(130)은 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 방향의 분극을 가진 상태일 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)은 모두 동일하게 제1 방향의 분극을 가질 수 있다. 이와 같은 상태에서, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)에 보자 전압(coercive voltage)보다 큰 제1 전압을 인가하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 발생하는 제1 전기장에 의해 제1 영역(A1)의 분극 방향이 바뀌고, 활성층(130)은 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)으로 구획될 수 있다. 이처럼, 제1 영역(A1)의 분극 방향을 변경한 후에는, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)에 전압을 인가하지 않더라도, 제1 영역(A1)의 분극 방향이 다시 변경되지 않고 유지되는데, 이와 같은 상태를 논리 값 '1'이 입력된 것으로 이해할 수 있다.
제1 영역(A1)의 분극 방향이 변경되면 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 경계에 가변 채널(C)이 형성되므로, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 읽기 전압을 인가하면, 쉽게 전류가 흐르게 되며, 이에 의해 논리 값 '1'을 읽을 수 있다. 이때, 읽기 전압에 의해 제1 영역(A1)의 분극이 영향을 받는 것을 방지하기 위해, 읽기 전압은 활성층(130)의 보자 전압(coercive voltage) 보다 작을 수 있다.
또한, 제1 영역(A1)의 분극 방향을 되돌리기 위해 제1 전극(110)과 제2 전극(120)에 제2 전압을 인가하면, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 발생하는 제2 전기장에 의해 제1 영역(A1)은 제1 방향의 분극을 다시 가질 수 있다. 제2 전압은 활성층(130)의 보자 전압(coercive voltage)보다 클 수 있으며, 제1 전압과 반대의 극성을 가질 수 있다. 이에 의해, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 분극 방향이 동일해지고, 가변 채널(C)이 소멸되는데 이와 같은 상태를 논리 값 '0'이 입력된 것으로 볼 수 있다.
제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 분극 방향이 동일한 경우는, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 사이에 가변 채널(C)이 소멸되며, 이에 따라 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 전압을 인가하더라도, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에는 전류가 흐르지 않게 되는바, 이에 의해 논리 값 '0'을 읽을 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 전자 소자(100)를 메모리로 사용하는 경우, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)으로의 전압 인가에 의해 제1 영역(A1)의 분극 상태를 선택적으로 바꾸고, 이에 따라 생성되거나 소멸되는 가변 채널(C)에 흐르는 전류를 측정하여 논리 값 '1'과 '0'을 읽을 수 있는바, 기존 도메인들의 잔류 분극을 측정하는 방법 보다 데이터 기록 및 재생 속도가 향상될 수 있으며, 논리 값 '1'과 '0'을 읽을 때 흐르는 전류의 크기가 상이하므로 데이터의 가독성이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 전기장의 인가에 따라 발생하는 가변 채널(C)이 일정한 영역에만 형성될 수 있다. 따라서, 전기장의 인가 시간에 비례하여 분극 상태가 바뀌는 도메인 영역이 증가 또는 확대되는 현상을 일으키지 않고 제한된 위치에서만 가변 채널(C)이 형성되므로, 비휘발성 메모리에 응용할 때 전기장 인가 시간이라는 변수를 고려하지 않아도 되는 장점이 있다.
뿐만 아니라, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)이 적층된 상태로써, 가변 채널(C)은 제1 전극(110)과 제2 전극(120)을 잇는 최단 거리로 수직방향으로 형성되는바, 전자 소자(100)의 크기가 감소하여 집적화가 가능하고, 전자 소자(100)가 매우 빠른 속도로 구동될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 전자 소자(100)는 다양한 신호를 생성하여 전달하는 회로부를 구성할 수 있고, 스위칭 소자로도 사용될 수 있다. 예를 들어, 가변 채널(C)의 생성 및 소멸에 의해 전류 흐름의 ON/OFF를 제어할 수 있다. 그 밖에, 본 발명에 따른 전자 소자(100)는 전기적 신호의 제어를 요하는 부분에 간단한 구조로 적용할 수 있으므로 가변 회로, CPU, 바이오칩 등 다양한 분야에 적용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 소자의 일 예를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 6은 도 5의 II-II'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다. 이하에서는 앞서 설명한 바와 동일한 내용은 반복하여 설명하지 않으며, 차이점만을 설명하기로 한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 전자 소자(100B)는 제1 방향(X)으로 연장된 제1 전극(110), 제1 방향(X)과 상이한 제2 방향(X)으로 연장되어 제1 전극(110)과 교차하는 제2 전극(120) 및 제1 전극(110)과 제2 전극(120)의 교차 영역에서 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 개재된 활성층(130)을 포함할 수 있다.
제2 전극(120)은 제2 돌출부(122)를 포함할 수 있다. 제2 돌출부(122)는 제2 전극(120)과 동일하게 제2 방향(Y)을 따라 연장될 수 있다. 일 예로, 제2 돌출부(122)는 제2 전극(120)과 일체로 형성될 수 있다. 제2 돌출부(122)의 길이는 제2 전극(120)의 길이와 동일할 수 있다.
활성층(130)은 도 6에서 도시하는 바와 같이 수직방향(Z)으로 제2 돌출부(122)와 중첩하는 제1 영역(A1)과 제1 영역(A1) 주변의 제2 영역(A2)을 포함한다. 제1 영역(A1)은 제2 돌출부(122)와 제1 전극(110) 전극이 중첩하는 영역으로서, 활성층(130)의 나머지 영역인 제2 영역(A2)에서보다 작은 두께를 가질 수 있다.
따라서, 제1 영역(A1)은 제1 전극(110)과 제2 전극(120)에 인가되는 전압에 의해 선택적으로 분극 방향이 변경되며, 이에 의해 제1 전극(110)과 제2 전극(120)이 전기적으로 연결되거나 또는 절연상태를 가질 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자 소자의 일 예를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 8은 도 7의 활성층을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 전자 소자(100C)는 제1 방향(X)으로 연장된 제1 전극(110), 제1 방향(X)과 상이한 제2 방향(X)으로 연장되어 제1 전극(110)과 교차하는 제2 전극(120) 및 제1 전극(110)과 제2 전극(120)의 교차 영역에서 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 개재된 활성층(130)을 포함할 수 있다.
제1 전극(110)은 제2 전극(120)을 향하는 방향으로 돌출된 제1 돌출부(112)를 포함하고, 제2 전극(120)은 제1 전극(110)을 향하는 방향으로 돌출된 제2 돌출부(122)를 포함한다.
활성층(130)은 제1 돌출부(112) 및 제2 돌출부(122)와 중첩하는 제1 영역(A1)과 제1 영역(A1) 주위의 제2 영역(A2)을 포함한다. 따라서, 제1 영역(A1)의 두께는 제1 돌출부(112) 또는 제2 돌출부(122)와 중첩할 때보다 더 감소하게 되므로, 제1 영역(A1)의 분극 방향을 바꾸기 위해 제1 전극(110)과 제2 전극(120)에 인가되는 전압의 크기가 더욱 감소하고, 제1 영역(A1)에서의 분극 방향의 변경이 더욱더 빠르게 이루어질 수 있다.
한편, 제1 영역(A1)은 제1 돌출부(112)와 제2 돌출부(122)의 교차 영역에 위치하게 되므로, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)을 둘러쌀 수 있다. 따라서, 제1 영역(A1)의 분극 방향이 바뀜에 따라 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 경계에 형성될 수 있는 가변 채널(C) 역시 제1 영역(A1)을 에워싸도록 형성된다. 또한, 가변 채널(C)에 의해 정의되는 면적은 제1 돌출부(112)의 폭 및 제2 돌출부(122)의 폭에 의해 결정되므로, 제1 돌출부(112)의 폭과 제2 돌출부(122)의 폭을 조절하여 가변 채널(C)의 형상과 길이를 다양하게 설정할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 제1 방향으로 연장된 제1 전극;
    상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 연장되어 상기 제1 전극과 교차하는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 교차 영역에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 활성층;을 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 제2 전극을 향하는 방향으로 돌출된 적어도 하나의 제1 돌출부를 포함하며,
    상기 활성층은 상기 적어도 하나의 제1 돌출부와 수직방향으로 중첩하는 제1 영역과 상기 제1 영역 주변의 제2 영역을 포함하고,
    상기 활성층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 간에 전자가 이동하는 가변 채널이 생성되도록 형성되고,
    상기 제1 전극의 제1 돌출부는 상기 활성층의 가변 채널의 길이 방향을 따라 상기 가변 채널의 양측으로 지나치도록 형성되고, 상기 제2 전극의 양측으로 지나치도록 길게 연장되어 형성된 것을 포함하는 전자 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 활성층은, 상기 제2 영역에서 제1 방향의 분극을 가지고, 상기 제1 영역은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극으로의 전압 인가에 의해 선택적으로 상기 제1 방향의 분극 또는 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향의 분극을 가질 수 있도록 형성된 전자 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가변 채널은,
    상기 제1 영역이 상기 제2 방향의 분극을 가질 때, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 생성되는 전자 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역에서의 상기 활성층의 두께는 상기 제2 영역에서의 상기 활성층의 두께보다 작은 전자 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 제1 전극의 제1 돌출부와 교차하는 방향을 따라 상기 제1 전극의 양측으로 지나치도록 길게 연장되어 형성된 제2 돌출부를 포함하는 전자 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 영역은 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부의 교차 영역에 위치하고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역을 에워싸는 전자 소자.
  7. 제1 방향으로 연장된 제1 전극, 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 연장된 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 교차영역에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치한 활성층을 포함하는 전자 소자에서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 제1 전압을 인가하여 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 제1 전기장을 발생시키는 단계;
    상기 제1 전기장에 의해 상기 활성층의 일부의 분극 방향이 변경되어, 상기 활성층이 서로 상이한 분극을 가지는 제1 영역과 제2 영역으로 구획되는 단계; 및
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에 전류가 흐를 수 있는 가변 채널이 형성되는 단계;를 포함하고,
    상기 제1 전극은, 상기 제2 전극을 향하는 방향으로 돌출된 적어도 하나의 제1 돌출부를 포함하며,
    상기 제1 영역은 상기 제1 돌출부와 수직방향으로 중첩하는 영역으로, 상기 제1 영역에서의 상기 활성층의 두께가 상기 제2 영역에서의 두께보다 작게 형성되고,
    상기 제1 전극의 제1 돌출부는 상기 활성층의 가변 채널의 길이 방향을 따라 상기 가변 채널의 양측으로 지나치도록 형성되고, 상기 제2 전극의 양측으로 지나치도록 길게 연장되어 형성된 것을 포함하는 전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가변 채널은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 잇도록 상기 수직방향으로 형성되는 전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 제1 전극의 제1 돌출부와 교차하는 방향을 따라 상기 제1 전극의 양측으로 지나치도록 길게 연장되어 형성된 제2 돌출부를 포함하는, 전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 제2 전극을 향해 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극을 향해 돌출된 제2 돌출부를 포함하며,
    상기 제1 영역은 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부의 교차영역에 위치하고, 상기 가변채널은 상기 제1 영역을 에워싸도록 형성되는 전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 영역의 분극을 되돌리기 위한 제2 전압을 인가하여 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 제2 전기장을 발생시키는 단계;를 더 포함하고,
    상기 제2 전압의 인가에 의해 상기 가변 채널은 소멸하는 전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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