KR102302919B1 - 마이크로버블을 이용한 황화수소 제거 설비 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의하면, 본 발명의 일 측면에 따르면, 높이방향을 따라서 차례대로 연결되어서 배치되는 하나 또는 복수개의 반응기들을 구비하고 처리대상 가스에 포함된 황화수소 가스를 제거하여 배출하는 가스 처리 모듈; 상기 반응기들 중 가장 아래에 위치하는 최하위 반응기의 아래에 배치되는 하부 가스 도입조를 구비하는 가스 도입 모듈; 및 상기 처리대상 가스가 상기 하부 가스 도입조와 상기 반응기들을 아래로부터 위로 차례대로 통과하도록 상기 처리대상 가스를 유동시키는 가스 유동 팬을 포함하며, 상기 반응기들 각각은 황화수소 가스가 황화수소 제거약품을 포함하는 처리액과 반응하여 제거되는 가스 처리 공간을 제공하며, 상기 하부 가스 도입조의 내부에는 상기 최하위 반응기와 연통되는 하부 가스 도입 공간이 형성되며, 상기 최하위 반응기는 상기 하부 가스 도입 공간으로부터 유입되는 상기 처리대상 가스를 상기 가스 처리 공간 내로 상기 높이방향을 따라 분사하는 가스 분사노즐을 구비하며, 상기 복수개의 반응기들 중 상기 최하위 반응기를 제외한 나머지 반응기는 아래의 반응기로부터 유입되는 상기 처리대상 가스를 상기 가스 처리 공간 내로 상기 높이방향을 따라 분사하는 가스 분사노즐을 구비하며, 상기 가스 유동 팬이 작동하면, 상기 각 반응기의 가스 분사 노즐에 의하여 대응되는 상기 가스 처리 공간으로 분사되는 상기 처리대상 가스에 의하여, 상기 가스 처리 공간으로 공급되는 상기 처리액이 상기 가스 처리 공간으로부터 상기 가스 분사노즐의 하부로 낙하하는 것이 억제된 상태에서, 상기 처리대상 가스가 상기 처리액 내에서 마이크로버블로 형성되어 상기 처리대상 가스 중에서 상기 황화수소 가스가 제거되는 황화수소 제거 설비가 제공된다.

Description

마이크로버블을 이용한 황화수소 제거 설비 {HYDROGEN SULFIDE REMOVING EQUIPMENT USING MICROBUBBLE}
본 발명은 황화수소 제거 설비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마이크로버블을 이용한 황화수소 제거 설비에 관한 것이다.
바이오가스(biogas)는 축산 분뇨, 음식물 쓰레기, 하수처리장 슬러지와 같이 바이오매스(biomass)의 함량이 높은 유기성 폐기물을 발효시키면 자동으로 얻어지는 것으로서, 최근 화석연료의 대체연료로 각광받고 있다.
바이오가스는 유기성 폐기물을 산소가 존재하지 않는 상태에서 혐기성 소화 처리하면 유기물질이 분해되어 생성되는데, 보통 메탄(CH4 : 약 45~60%)과 이산화탄소(CO2 : 약 25~50%), 질소(N2 : 0~10%) 및 미량의 황화수소(H2S)와 암모니아(NH2)로 구성되어 있다.
실질적으로 바이오가스는 전처리를 통해 메탄 이외의 나머지 성분을 최대한 제거한 후 사용된다. 종래의 바이오가스 처리 시설에서는 바이오가스를 저질 가스, 중질 가스 및 고질 가스로 전처리한다. 저질 가스는 바이오가스 중의 수분 정도 만을 제거한 상태로 보일러 등의 연료로 사용되는 것이고, 중질 가스는 바이오가스 중 수분, 황화수소(H2S), 실록산 물질 등을 제거한 상태로 전기와 열을 생산하는 열병합 발전기의 연료로서 사용되는 것이며, 고질 가스는 바이오가스의 메탄 농도가 95% 이상인 것이다.
바이오가스에 포함된 황화수소는 악취 유발물질이고 대기 방출시 공기질을 저하시키기 때문에, 바이오가스 내 황화수소는 반드시 적정 수준 이하로 유지하도록 제거된 후 사용되어야 한다.
종래에 아래 반응식 1과 같이 황화수소(H2S)가 수산화나트륨(NaOH)과 반응하여 황화나트륨이 생성되는 반응을 이용하여 황화수소를 제거하는 기술이 사용되고 있다.
[반응식 1]
H2S + 2NaOH → Na2S + 2H2O2
하지만, 반응식 1과 같이 수산화나트륨을 이용한 황화수소의 제거 방식에서 수산화나트륨은 아래 반응식 2에서와 같이 황화수소 외에 이산화탄소(CO2)와도 반응하기 때문에, 수산화나트륨의 사용량이 증가한다는 문제가 있다.
[반응식 2]
2NaOH + CO2 → Na2CO3 + H2O2
대한민국 등록특허공보 등록번호 제10-906933호 "감압증발을 이용한 NaOH 재활용 공정을 가지는 탈황공정 방법 및 시스템"(2009.07.10.)
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 설치 공간을 줄일 수 있고 설치 비용을 감소시킬 수 있으며 에너지 소모를 줄일 수 있는 마이크로버블을 이용한 황화수소 제거 설비를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 높이방향을 따라서 차례대로 연결되어서 배치되는 하나 또는 복수개의 반응기들을 구비하고 처리대상 가스에 포함된 황화수소 가스를 제거하여 배출하는 가스 처리 모듈; 상기 반응기들 중 가장 아래에 위치하는 최하위 반응기의 아래에 배치되는 하부 가스 도입조를 구비하는 가스 도입 모듈; 및 상기 처리대상 가스가 상기 하부 가스 도입조와 상기 반응기들을 아래로부터 위로 차례대로 통과하도록 상기 처리대상 가스를 유동시키는 가스 유동 팬을 포함하며, 상기 반응기들 각각은 황화수소 가스가 황화수소 제거약품을 포함하는 처리액과 반응하여 제거되는 가스 처리 공간을 제공하며, 상기 하부 가스 도입조의 내부에는 상기 최하위 반응기와 연통되는 하부 가스 도입 공간이 형성되며, 상기 최하위 반응기는 상기 하부 가스 도입 공간으로부터 유입되는 상기 처리대상 가스를 상기 가스 처리 공간 내로 상기 높이방향을 따라 분사하는 가스 분사노즐을 구비하며, 상기 복수개의 반응기들 중 상기 최하위 반응기를 제외한 나머지 반응기는 아래의 반응기로부터 유입되는 상기 처리대상 가스를 상기 가스 처리 공간 내로 상기 높이방향을 따라 분사하는 가스 분사노즐을 구비하며, 상기 가스 유동 팬이 작동하면, 상기 각 반응기의 가스 분사 노즐에 의하여 대응되는 상기 가스 처리 공간으로 분사되는 상기 처리대상 가스에 의하여, 상기 가스 처리 공간으로 공급되는 상기 처리액이 상기 가스 처리 공간으로부터 상기 가스 분사노즐의 하부로 낙하하는 것이 억제된 상태에서, 상기 처리대상 가스가 상기 처리액 내에서 마이크로버블로 형성되어 상기 처리대상 가스 중에서 상기 황화수소 가스가 제거되는 황화수소 제거 설비가 제공된다.
본 발명에 의하면 앞서서 기재한 본 발명의 목적을 모두 달성할 수 있다. 구체적으로는, 반응기에서 복수개의 가스 처리부들이 수직으로 배치될 수 있으므로, 반응기의 설치 공간을 줄일 수 있고, 전체 설치 비용을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 황화수소를 이산화탄소와는 반응하지 않는 염화철(Ⅱ)(염화제일철)(FeCl2) 또는 염화철(Ⅲ)(염화제이철)(FeCl3)을 황화수소 제거약품으로 사용하므로, 이산화탄소와 반응하는 수산화나트륨을 황화수소 제거약품으로 사용하는 종래의 방식에 비해 약품의 사용량을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로버블을 이용한 황화수소 제거 설비의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 황화수소 제거 설비에서 가스 처리 모듈, 가스 도입 모듈 및 처리액 공급 모듈의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 구성에서 가스 도입 모듈, 제1 반응기 및 제1 처리액 공급 장치의 구체적인 구성을 도시한 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 구성에서 제2 반응기, 제2 처리액 공급 장치, 제3 반응기 및 제3 처리액 공급 장치의 구체적인 구성을 도시한 도면이다.
도 5는 도 2에 도시된 가스 처리 모듈의 구성을 구체적으로 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 황화수소 제거 설비의 개략적인 구성이 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 황화수소 제거 설비(100)는, 처리액(L1, L2, L3)에 의한 처리대상 가스(Gin)에 포함된 황화수소(H2S)의 제거 반응이 일어나는 가스 처리 모듈(110)과, 처리대상 가스(Gin)가 가스 처리 모듈(110)를 통과하도록 처리대상 가스(Gin)를 유동시키는 가스 유동 팬(108)과, 처리대상 가스(Gin)를 가스 처리 모듈(110)로 안내하는 가스 도입 모듈(150)과, 가스 처리 모듈(110)로부터 배출되는 배출 가스(Gout)을 가스 도입 모듈(150)로 재순환시키는 가스 순환 모듈(104)과, 가스 처리 모듈(110)에 처리액(L1, L2, L3)을 공급하는 처리액 공급 모듈(160)을 구비한다. 처리대상 가스(Gin)는 바이오가스일 수 있으며, 이 경우 황화수소 제거 설비(100)는 바이오가스에서 황화수소를 제거하는 개질 설비로 사용된다.
가스 처리 모듈(110)은 가스 도입 모듈(150)로부터 유입되는 처리대상 가스(Gin)에 포함된 황화수소를 처리액(L1, L2, L3)에 포함된 황화수소 제거약품과 반응시켜서 제거하고 배출 가스(Gout)로서 배출한다. 도 2 내지 도 5를 참조하면, 가스 처리 모듈(110)은 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 차례대로 배치되는 복수개의 반응기(120, 130, 140)들을 구비한다. 본 실시예에서는 가스 처리 모듈(110)이 3개의 반응기(120, 130, 140)들을 구비하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2개 또는 4개 이상의 반응기들을 구비할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 본 실시예에서 3개의 반응기(120, 130, 140)들 중 가장 아래에 위치하는 반응기(120)를 제1 반응기라 하고, 3개의 반응기(120, 130, 140)들 중 가장 위에 위치하는 반응기(140)를 제3 반응기라 하며, 3개의 반응기(120, 130, 140)들 중 제1 반응기(120)와 제3 반응기(140)의 사이에 위치하는 반응기(130)를 제2 반응기라 한다. 3개의 반응기(120, 130, 140)들은 대체로 동일한 구성으로 이루어진다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 제1 반응기(120)는 내부에 제1 처리액(L1)이 일정 높이까지 저장되는 제1 가스 처리 공간(121)을 제공한다. 제1 반응기(120)는 제1 바닥판(122)과, 제1 천장판(123)과, 제1 측벽(124)과, 제1 바닥판(122)에 설치되는 제1 아토마이징부(125)와, 제1 수위 조절부(127)와, 복수개의 제1 차단판(1281, 1282)들과, 제1 엘리미네이터(eliminator)(129)를 구비한다. 제1 반응기(120)는 처리대상 가스(Gin)에 포함된 황화수소를 제1 처리액(L1)으로 처리하여 1차 처리 가스(G1)로서 배출한다.
제1 바닥판(122)은 대체로 평평한 판상으로서, 제1 가스 처리 공간(121)의 바닥을 형성한다. 제1 바닥판(122)에는 제1 아토마이징부(125)가 설치된다.
제1 천장판(123)은 대체로 평평한 판상으로서, 제1 바닥판(122)의 위에 이격되어서 위치하여 제1 가스 처리 공간(121)의 천장을 형성한다. 제1 천장판(123)에는 제1 처리가스 배출구(1231)가 형성된다. 제1 처리가스 배출구(1231)를 통해 1차 처리 가스(G1)가 제2 반응기(130)를 향해 위로 배출된다.
제1 측벽(124)은 제1 바닥판(122)의 가장자리와 제1 천장판(123)의 가장자리를 연결하여, 제1 가스 처리 공간(121)의 측벽을 형성한다. 제1 측벽(124)에는 제1 수위 조절부(127)가 설치된다.
제1 아토마이징부(125)는 제1 바닥판(122)의 아래에 존재하는 처리대상 가스(Gin)를 제1 처리액(L1)이 저장된 제1 가스 처리 공간(121)으로 분사한다. 제1 아토마이징부(125)에 의해 분사된 처리대상 가스(Gin)는 제1 처리액(L1) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B)을 형성한다. 제1 아토마이징부(125)는 제1 가스 처리 공간(121)으로 처리대상 가스(Gin)를 분사하는 제1 가스 분사노즐(1251)과, 제1 가스 분사노즐(1251)의 끝에 위치하는 제1 충돌판(126)을 구비한다. 제1 아토마이징부(125)에 의해 형성된 마이크로 버블(B)로 인해 제1 가스 처리 공간(121)에서 가스와 제1 처리액(L1)의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B)은 제1 처리액(L1) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제1 가스 처리 공간(121)에서 처리대상 배기가스(Gin)에 포함된 황화수소와 제1 처리액(L1)에 포함된 황화수소 제거약품의 반응 효율이 현저하게 높아진다.
제1 가스 분사노즐(1251)은 제1 바닥판(122)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제1 가스 처리 공간(121)에 위치한다. 제1 가스 분사노즐(1251)에 의해 제1 바닥판(122)의 아래에 존재하는 처리대상 가스(Gin)가 제1 가스 처리 공간(121)으로 높이방향을 따라 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제1 가스 분사노즐(1251)에는 가스가 제1 가스 분사노즐(1251)을 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제1 가스 분사노즐(1251)의 끝단에는 제1 충돌판(126)이 인접하여 위치한다. 제1 가스 분사노즐(1251)의 입구가 가스 처리 모듈(110) 전체의 가스 유입구를 형성한다.
제1 충돌판(126)은 제1 가스 분사노즐(1251)의 끝단 위에 인접하도록 제1 가스 처리 공간(121)에 위치한다. 제1 충돌판(126)에 제1 가스 분사노즐(1251)로부터 분사되는 가스가 충돌하여 제1 처리액(L1) 내에서 마이크로 버블(B)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제1 충돌판(126)이 도시된 바와 같이 두 개(1261, 1262)가 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제1 상부 충돌판(1262)이 아래에 위치하는 제1 하부 충돌판(1261)의 전체를 덮도록 더 크며, 제1 상부 충돌판(1262) 사이에 적어도 하나의 제1 통로(1263)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제1 충돌판(126)의 설치 높이가 가변되어서 제1 가스 분사노즐(1251)과의 거리가 조절될 수 있다.
제1 수위 조절부(127)는 제1 측벽(124)에 설치되며, 제1 가스 처리 공간(121)에서 오버플로우를 통해 제1 처리액(L1)의 수위를 조절한다. 제1 수위 조절부(127)는 제1 가스 처리 공간(121)의 측벽(124)에 형성된 제1 수위조절 개구부(1241)을 통해 제1 가스 처리 공간(121)과 연통되는 제1 수위조절 수조(1271)를 구비한다. 제1 수위조절 개구부(1271)는 제1 처리액(L1)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제1 수위조절 수조(1272)에는 제1 가스 처리 공간(121)에서 오버플로우된 제1 처리액(L1)이 저장된다. 제1 수위조절 수조(1272)에 저장된 제1 처리액(L1)은 배출되어서 처리액 공급부(도 1이 160)로 공급된다.
복수개의 제1 차단판(1281, 1282)들은 제1 가스 처리 공간(121)에서 설정된 제1 처리액(L1)의 수위보다 위에 층을 이루며 배치된다. 복수개의 제1 차단판(1281, 1282)들에 의해 제1 가스 처리 공간(121)에 저장된 제1 처리액(L1)의 급격한 상승이 차단된다.
제1 엘리미네이터(129)는 제1 가스 처리 공간(121)에서 복수개의 제1 차단판(1281, 1282)들 중 가장 위에 위치하는 제1 차단판(1282)보다 위에 위치하여 물방울을 제거한다. 제1 엘리미네이터(129)는 제1 처리가스 배출구(1231)보다 아래에 위치한다. 제1 엘리미네이터는(129)은 합성수지재질의 재료를 사용하여 이루어진다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 제2 반응기(130)는 제1 반응기(120)의 바로 위에 배치되며, 내부에 제2 처리액(L2)이 일정 높이까지 저장되는 제2 가스 처리 공간(131)을 제공한다. 제2 반응기(130)는 제2 바닥판(132)과, 제2 천장판(133)과, 제2 측벽(134)과, 제2 바닥판(132)에 설치되는 제2 아토마이징부(135)와, 제2 수위 조절부(137)와, 복수개의 제2 차단판(1381, 1382)들과, 제2 엘리미네이터(eliminator)(139)를 구비한다. 제2 반응기(130)는 제1 반응기(120)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)에 포함된 황화수소를 제2 처리액(L2)으로 처리하여 2차 처리 가스(G2)로서 배출한다.
제2 바닥판(132)은 대체로 평평한 판상으로서, 제2 가스 처리 공간(131)의 바닥을 형성한다. 제2 바닥판(132)에는 제2 아토마이징부(135)가 설치된다.
제2 천장판(133)은 대체로 평평한 판상으로서, 제2 바닥판(132)의 위에 이격되어서 위치하여 제2 가스 처리 공간(131)의 천장을 형성한다. 제2 천장판(133)에는 제2 처리가스 배출구(1331)가 형성된다. 제2 처리가스 배출구(1331)를 통해 2차 처리 가스(G2)가 제3 반응기(140)를 향해 위로 배출된다.
제2 측벽(134)은 제2 바닥판(132)의 가장자리와 제2 천장판(133)의 가장자리를 연결하여, 제2 가스 처리 공간(131)의 측벽을 형성한다. 제2 측벽(134)에는 제2 수위 조절부(137)가 설치된다.
제2 아토마이징부(135)는 제2 바닥판(132)의 아래에 존재하는 1차 처리 가스(G1)를 제2 처리액(L2)이 저장된 제2 가스 처리 공간(131)으로 분사한다. 제2 아토마이징부(135)에 의해 분사된 1차 처리 가스(G1)는 제2 처리액(L2) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B)을 형성한다. 제2 아토마이징부(135)는 제2 가스 처리 공간(131)으로 1차 처리 가스(G1)를 분사하는 제2 가스 분사노즐(1351)과, 제2 가스 분사노즐(1351)의 끝에 위치하는 제2 충돌판(136)을 구비한다. 제2 아토마이징부(135)에 의해 형성된 마이크로 버블(B)로 인해 제2 가스 처리 공간(131)에서 가스와 제2 처리액(L2)의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B)은 제2 처리액(L2) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제2 가스 처리 공간(131)에서 1차 처리 가스(G1)에 포함된 황화수소와 제2 처리액(L2)에 포함된 황화수소 제거약품의 반응 효율이 현저하게 높아진다.
제2 가스 분사노즐(1351)은 제2 바닥판(132)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제2 가스 처리 공간(131)에 위치한다. 제2 가스 분사노즐(1351)에 의해 제2 바닥판(132)의 아래에 존재하는 1차 처리 가스(G1)가 제2 가스 처리 공간(131)으로 높이방향을 따라 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제2 가스 분사노즐(1351)에는 가스가 제2 가스 분사노즐(1351)을 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제2 가스 분사노즐(1351)의 끝단에는 제2 충돌판(136)이 인접하여 위치한다.
제2 충돌판(136)은 제2 가스 분사노즐(1351)의 끝단 위에 인접하도록 제2 가스 처리 공간(131)에 위치한다. 제2 충돌판(136)에 제2 가스 분사노즐(1351)로부터 분사되는 가스가 충돌하여 제2 처리액(L2) 내에서 마이크로 버블(B)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제2 충돌판(136)이 도시된 바와 같이 두 개(1361, 1362)가 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제2 상부 충돌판(1362)이 아래에 위치하는 제2 하부 충돌판(1361)의 전체를 덮도록 더 크며, 제2 상부 충돌판(1362) 사이에 적어도 하나의 제2 통로(1363)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제2 충돌판(136)의 설치 높이가 가변되어서 제2 가스 분사노즐(1351)과의 거리가 조절될 수 있다.
제2 수위 조절부(137)는 제2 측벽(134)에 설치되며, 제2 가스 처리 공간(131)에서 오버플로우를 통해 제2 처리액(L2)의 수위를 조절한다. 제2 수위 조절부(137)는 제2 가스 처리 공간(131)의 측벽(134)에 형성된 제2 수위조절 개구부(1341)을 통해 제2 가스 처리 공간(131)과 연통되는 제2 수위조절 수조(1371)를 구비한다. 제2 수위조절 개구부(1371)는 제2 처리액(L2)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제2 수위조절 수조(1372)에는 제2 가스 처리 공간(131)에서 오버플로우된 제2 처리액(L2)이 저장된다. 제2 수위조절 수조(1372)에 저장된 제2 처리액(L2)은 배출되어서 처리액 공급부(도 1이 160)로 공급된다.
복수개의 제2 차단판(1381, 1382)들은 제2 가스 처리 공간(131)에서 설정된 제2 처리액(L2)의 수위보다 위에 층을 이루며 배치된다. 복수개의 제2 차단판(1381, 1382)들에 의해 제2 가스 처리 공간(131)에 저장된 제2 처리액(L2)의 급격한 상승이 차단된다.
제2 엘리미네이터(139)는 제2 가스 처리 공간(131)에서 복수개의 제2 차단판(1381, 1382)들 중 가장 위에 위치하는 제2 차단판(1382)보다 위에 위치하여 물방울을 제거한다. 제2 엘리미네이터(139)는 제2 처리가스 배출구(1331)보다 아래에 위치한다. 제2 엘리미네이터는(139)은 합성수지재질의 재료를 사용하여 이루어진다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 제3 반응기(140)는 제2 반응기(130)의 바로 위에 배치되며, 내부에 제3 처리액(L3)이 일정 높이까지 저장되는 제3 가스 처리 공간(141)을 제공한다. 제3 반응기(140)는 제3 바닥판(142)과, 제3 천장판(143)과, 제3 측벽(144)과, 제3 바닥판(142)에 설치되는 제3 아토마이징부(145)와, 제3 수위 조절부(147)와, 복수개의 제3 차단판(1481, 1482)들과, 제3 엘리미네이터(eliminator)(149)를 구비한다. 제3 반응기(140)는 제2 반응기(130)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)에 포함된 황화수소를 제3 처리액(L3)으로 처리하여 배출 가스(Gout)로서 배출한다.
제3 바닥판(142)은 대체로 평평한 판상으로서, 제3 가스 처리 공간(141)의 바닥을 형성한다. 제3 바닥판(142)에는 제3 아토마이징부(145)가 설치된다.
제3 천장판(143)은 대체로 평평한 판상으로서, 제3 바닥판(142)의 위에 이격되어서 위치하여 제3 가스 처리 공간(141)의 천장을 형성한다. 제3 천장판(143)에는 가스 처리 모듈(110) 전체의 가스 배출구인 제3 처리가스 배출구(1431)가 형성된다. 제3 처리가스 배출구(1431)를 통해 3차 처리된 배출 가스(Gout)가 가스 처리 모듈(110)로부터 배출된다.
제3 측벽(144)은 제3 바닥판(142)의 가장자리와 제3 천장판(143)의 가장자리를 연결하여, 제3 가스 처리 공간(141)의 측벽을 형성한다. 제3 측벽(144)에는 제3 수위 조절부(147)가 설치된다.
제3 아토마이징부(145)는 제3 바닥판(142)의 아래에 존재하는 2차 처리 가스(G2)를 제3 처리액(L3)이 저장된 제3 가스 처리 공간(141)으로 분사한다. 제3 아토마이징부(145)에 의해 분사된 2차 처리 가스(G2)는 제3 처리액(L3) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B)을 형성한다. 제3 아토마이징부(145)는 제3 가스 처리 공간(141)으로 2차 처리 가스(G2)를 분사하는 제3 가스 분사노즐(1451)과, 제3 가스 분사노즐(1451)의 끝에 위치하는 제3 충돌판(146)을 구비한다. 제3 아토마이징부(145)에 의해 형성된 마이크로 버블(B)로 인해 제3 가스 처리 공간(141)에서 가스와 제3 처리액(L3)의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B)은 제3 처리액(L3) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제3 가스 처리 공간(141)에서 2차 처리 가스(G2)에 포함된 황화수소와 제3 처리액(L3)에 포함된 황화수소 제거약품의 반응 효율이 현저하게 높아진다.
제3 가스 분사노즐(1451)은 제3 바닥판(133)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제3 가스 처리 공간(141)에 위치한다. 제3 가스 분사노즐(1451)에 의해 제3 바닥판(142)의 아래에 존재하는 2차 처리 가스(G2)가 제3 가스 처리 공간(141)으로 높이방향을 따라 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제3 가스 분사노즐(1451)에는 가스가 제3 가스 분사노즐(1451)을 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제3 가스 분사노즐(1451)의 끝단에는 제3 충돌판(146)이 인접하여 위치한다.
제3 충돌판(146)은 제3 가스 분사노즐(1451)의 끝단 위에 인접하도록 제3 가스 처리 공간(141)에 위치한다. 제3 충돌판(146)에 제3 가스 분사노즐(1451)로부터 분사되는 가스가 충돌하여 제3 처리액(L3) 내에서 마이크로 버블(B)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제3 충돌판(146)이 도시된 바와 같이 두 개(1461, 1462)가 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제3 상부 충돌판(1462)이 아래에 위치하는 제3 하부 충돌판(1461)의 전체를 덮도록 더 크며, 제3 상부 충돌판(1462) 사이에 적어도 하나의 제3 통로(1463)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제3 충돌판(146)의 설치 높이가 가변되어서 제3 가스 분사노즐(1451)과의 거리가 조절될 수 있다.
제3 수위 조절부(147)는 제3 측벽(144)에 설치되며, 제3 가스 처리 공간(141)에서 오버플로우를 통해 제3 처리액(L3)의 수위를 조절한다. 제3 수위 조절부(147)는 제3 가스 처리 공간(141)의 측벽(144)에 형성된 제3 수위조절 개구부(1441)을 통해 제3 가스 처리 공간(141)과 연통되는 제3 수위조절 수조(1471)를 구비한다. 제3 수위조절 개구부(1471)는 제3 처리액(L3)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제3 수위조절 수조(1472)에는 제3 가스 처리 공간(141)에서 오버플로우된 제3 처리액(L3)이 저장된다. 제3 수위조절 수조(1472)에 저장된 제3 처리액(L3)은 배출되어서 처리액 공급부(도 1이 160)로 공급된다.
복수개의 제3 차단판(1481, 1482)들은 제3 가스 처리 공간(141)에서 설정된 제3 처리액(L3)의 수위보다 위에 층을 이루며 배치된다. 복수개의 제3 차단판(1481, 1482)들에 의해 제3 가스 처리 공간(141)에 저장된 제3 처리액(L3)의 급격한 상승이 차단된다.
제3 엘리미네이터(149)는 제3 가스 처리 공간(141)에서 복수개의 제3 차단판(1481, 1482)들 중 가장 위에 위치하는 제3 차단판(1482)보다 위에 위치하여 물방울을 제거한다. 제3 엘리미네이터(149)는 제3 처리가스 배출구(1431)보다 아래에 위치한다. 제3 엘리미네이터는(149)은 합성수지재질의 재료를 사용하여 이루어진다.
도 1을 참조하면, 가스 유동 팬(fan)(108) 처리대상 가스(Gin)가 가스 도입 모듈(150)과 가스 처리 모듈(110)을 차례대로 통과하도록 배기가스를 유동시킨다. 본 실시예에서는 가스 유동 팬(108)은 배기가스 유동 방향에 대해 가스 처리 모듈(110)의 하류(가스 처리 모듈(110)로부터 배출되는 배출 가스(Gout)가 유동하는 배출관(102) 상)에 위치하는 배기팬인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것이 아니다. 가스 유동 팬(108)는 배기가스 유동 방향에 대해 가스 도입 모듈(150)의 상류 또는 가스 처리 모듈(110)의 상류에 위치할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 가스 도입 모듈(150)은 처리대상 가스(Gin)를 가스 처리 모듈(110)로 안내한다. 가스 도입 모듈(150)은 제1 가스 도입조(151)와, 제1 가스 도입조(151)와 이격되어서 위치하고 가스 처리 모듈(110)의 아래에 위치하는 제2 가스 도입조(155)와, 제1 가스 도입조(151)와 제2 가스 도입조(155)를 연통시키는 연결관(159)을 구비한다.
제1 가스 도입조(151)는 가스 처리 모듈(110)의 측면에 이격되어서 위치하며, 내부에 제1 가스 도입 공간(152)을 제공한다. 제1 가스 도입조(151)의 천장(153)에는 처리대상 가스(Gin)가 유동하는 가스 유입관(101)이 연결된다. 가스 유입관(101)을 통해 제1 가스 도입 공간(152)으로 처리대상 가스(Gin)가 유입된다. 제1 가스 도입 공간(152)의 처리대상 가스(Gin)는 연결관(159)을 통해 제2 가스 도입조(155)로 유동한다. 제1 가스 도입 공간(152)으로는 제1 처리액(L1)이 처리액 공급 모듈(160)에 의해 공급된다. 제1 가스 도입 공간(152)의 바닥에는 미반응 제1 처리액(L1)이 저장된다. 제1 가스 도입 공간(152)의 바닥에 저장된 제1 처리액(L1)은 배출되어서 처리액 공급부(도 1이 160)로 공급된다. 제1 가스 도입조(151)는 청구범위에 기재된 측면 가스 도입조에 대응하는 구성이다.
제2 가스 도입조(155)는 가스 처리 모듈(110)의 바로 아래에 위치하며 제1 가스 도입조(151)와 이격되어서 위치한다. 제2 가스 도입조(155)는 가스 처리 모듈(110)의 제1 반응기(120)의 아래에 위치하도록 가스 처리 모듈(110)과 결합된다. 제2 가스 도입조(155)는 내부에 제2 가스 도입 공간(156)을 제공한다. 제2 가스 도입조(155)의 천장(157)에는 제1 반응기(120)의 제1 가스 분사노즐(1251)과 연통되는 통로구(158)가 형성된다. 통로구(158)를 통해 제2 가스 도입 공간(156)의 처리대상 가스(Gin)가 제1 반응기(120)로 유동한다. 제2 가스 도입 공간(156)은 연결관(159)에 의해 제1 가스 도입 공간(152)과 연통된다. 제2 가스 도입 공간(156)의 바닥에는 미반응 제1 처리액(L1)이 저장된다. 제2 가스 도입 공간(156)의 바닥에 저장된 제1 처리액(L1)은 배출되어서 처리액 공급부(도 1이 160)로 공급된다. 제2 가스 도입조(155)는 청구범위에 기재된 하부 가스 도입조에 대응하는 구성이다.
연결관(159)은 대체로 수평방향을 따라서 연장되어서 제1 가스 도입조(151)와 제2 가스 도입조(155)를 연결한다. 연결관(159)에 의해 제1 가스 도입 공간(152)과 제2 가스 도입 공간(156)이 연통된다. 연결관(159)을 통해 제1 가스 도입 공간(152)의 처리대상 가스(Gin)가 제2 가스 도입 공간(156)으로 유동한다. 연결관(159)은 제1 가스 도입 공간(152)의 바닥 및 제2 가스 도입 공간(156)의 바닥보다 충분히 높게 위치하여 제1 가스 도입 공간(152)과 제2 가스 도입 공간(156)에 저장되는 제1 처리액(L1)이 연결관(159)에 존재하지 않도록 한다.
도 1을 참조하면, 가스 순환 모듈(104)은 가스 처리 모듈(110)로부터 배출되는 배출 가스(Gout)의 일부를 가스 도입 모듈(150)로 재순환시킨다. 그에 따라, 제1, 제2, 제3 반응기(120, 130, 140) 각각에서 마이크로 버블이 형성되기에 충분한 양의 가스가 공급될 수 있다. 좀 더 상세히 설명하면, 제1, 제2, 제3 반응기(120, 130, 140) 각각으로 유입되는 가스의 유량이 충분하지 못할 경우, 제1 반응기(120), 제2 반응기(130) 및 제3 반응기(140) 내에서 가스 분사노즐(1251, 1351, 1451)에서의 가스 유동 속도가 충분하지 못하여 아토마이징부(125, 135, 145)에서 아토마이징이 발생하지 못할 수도 있는 바, 이 경우에 가스 순환 모듈(104)를 이용하여 가스를 재순환시켜서 가스 분사노즐(1251, 1351, 1451)에서의 가스 유동 속도를 증가시킬 수도 있고, 가스 처리 효율도 향상시킬 수 있다.
가스 순환 모듈(104)는 가스 배출관(103)에서 가스 유동 팬(108)보다 하류에 위치하는 지점에서 분기되어서 가스 유입관(101)과 연결되는 가스 순환관(105)과, 가스 순환관(105)을 개폐하는 개폐 밸브(106)를 구비한다.
도 1, 도 2, 도 3 및 도 4를 참조하면, 처리액 공급 모듈(150)은 가스 처리 모듈(110)에 처리액(L1, L2, L3)을 순환 공급한다. 처리액 공급부(150)는 제1 반응기(120) 및 제1 가스 도입조(151)로 제1 처리액(L1)을 순환 공급하는 제1 처리액 공급 장치(170)와, 제2 반응기(130)로 제2 처리액(L2)을 순환 공급하는 제2 처리액 공급 장치(180)와, 제3 반응기(140)로 제3 처리액(L3)을 순환 공급하는 제3 처리액 공급 장치(190)를 구비한다.
제1 처리액 공급 장치(170)는 제1 반응기(120)의 제1 수위 조절부(127)의 제1 수위조절 수조(1272)로부터 배수되는 제1 처리액(L1)과 제1, 제2 가스 도입조(151, 155)로부터 배수되는 제1 처리액(L1)을 제1 가스 처리 공간(121) 및 제1 가스 도입 공간(152)으로 순환 공급한다. 제1 처리액 공급 장치(170)는 제1 가스 도입조(151)로부터 제1A 처리액 배수라인(171)을 통해 배수된 제1 처리액(L1), 제2 가스 도입조(155)로부터 제1B 처리액 배수라인(172)을 통해 배수된 제1 처리액(L1) 및 제1 수위조절 수조(1272)로부터 제1C 처리액 배수라인(174)을 통해 배수된 제1 처리액(L1)이 저장되는 제1 처리액 저장조(173)와, 제1 처리액 저장조(173)로부터 연장되는 제1 처리액 주공급라인(175)과, 제1 처리액 주공급라인(175)로부터 분기되어서 제1 가스 처리 공간(121)으로 연장되는 제1 처리액 분기라인 1(1751) 및 제1 가스 도입 공간(152)으로 연장되는 제1 처리액 분기라인 2(1752)과, 제1 처리액 주공급라인(175) 상에 설치되어서 제1 처리액 저장조(173)의 제1 처리액(L1)을 제1 처리액 주공급라인(175), 제1 처리액 분기라인 1(1751) 및 제1 처리액 분기라인 2(1752)을 통해 제1 가스 처리 공간(121) 및 제1 가스 도입 공간(152)으로 유동시키는 제1 처리액 공급 펌프(178)와, 제1 처리액 분기라인 1(1751)을 개폐하는 제1 개폐 밸브(1753)과, 제1 처리액 분기라인 2(1752)을 개폐하는 제2 개폐 밸브(1754)를 구비한다.
제2 처리액 공급 장치(180)는 제2 반응기(130)의 제2 수위 조절부(137)의 제2 수위조절 수조(1372)로부터 배수되는 제2 처리액(L2)을 제2 가스 처리 공간(131)으로 순환 공급한다. 제2 처리액 공급 장치(180)는 제2 수위조절 수조(1372)로부터 제2 처리액 배수라인(184)을 통해 배수된 제2 처리액(L2)이 저장되는 제2 처리액 저장조(183)와, 제2 처리액 저장조(183)로부터 제2 가스 처리 공간(131)으로 연장되는 제2 처리액 공급라인(185)과, 제2 처리액 공급라인(185) 상에 설치되어서 제2 처리액 저장조(183)의 제2 처리액(L2)을 제2 처리액 공급라인(185)을 통해 제2 가스 처리 공간(131)으로 유동시키는 제2 처리액 공급 펌프(188)를 구비한다.
제3 처리액 공급 장치(190)는 제3 반응기(140)의 제3 수위 조절부(147)의 제3 수위조절 수조(1472)로부터 배수되는 제3 처리액(L3)을 제3 가스 처리 공간(141)으로 순환 공급한다. 제3 처리액 공급 장치(190)는 제3 수위조절 수조(1472)로부터 제3 처리액 배수라인(194)을 통해 배수된 제3 처리액(L3)이 저장되는 제3 처리액 저장조(193)와, 제3 처리액 저장조(193)로부터 제3 가스 처리 공간(141)으로 연장되는 제3 처리액 공급라인(195)과, 제3 처리액 공급라인(195) 상에 설치되어서 제3 처리액 저장조(193)의 제3 처리액(L3)을 제3 처리액 공급라인(195)을 통해 제3 가스 처리 공간(141)으로 유동시키는 제3 처리액 공급 펌프(198)를 구비한다.
이제, 도 3, 도 4 및 도 5를 참조하여 황화수소 제거 설비(100)의 작동 과정을 설명하면 다음과 같다. 우선, 가스 유동 팬(도 1의 103)이 작동하지 않는 황화수소 제거 설비(100)의 작동 전 상태에서는, 제1 반응기(120)에서 제1 처리액(L1)의 수위, 제2 반응기(130)에서 제2 처리액(L2)의 수위 및 제3 반응기(140)에서 제3 처리액(L3)의 수위는 각각 A1의 아래, A2의 아래 및 A4의 아래이다. 즉, 황화수소 제거 설비(100)의 작동 전 상태에서는, 제1 반응기(120)에서 제1 처리액(L1)의 수위는 제1 가스 분사노즐(1251)의 끝단보다 아래에 위치하고, 제2 반응기(130)에서 제2 처리액(L2)의 수위는 제2 가스 분사노즐(1351)의 끝단보다 아래에 위치하며, 제3 반응기(140)에서 제3 처리액(L3)의 수위는 제3 가스 분사노즐(1451)의 끝단보다 아래에 위치한다. 그에 따라, 제1 처리액(L1)이 제1 가스 분사노즐(1251)을 통해 아래로 새지 않고, 제2 처리액(L2)이 제2 가스 분사노즐(1351)을 통해 아래로 새지 않으며, 제3 처리액(L3)이 제3 가스 분사노즐(1451)을 통해 아래로 새지 않는다. 이 상태에서 가스 유동 팬(도 1의 103)이 작동하면, 제1 가스 분사노즐(1251)을 통해 제2 가스 도입 공간(156)의 가스가 제1 가스 처리 공간(121)으로 분사되고, 제2 가스 분사노즐(1351)을 통해 제1 가스 처리 공간(131)의 가스가 제2 가스 처리 공간(131)으로 분사되며, 제3 가스 분사노즐(1451)을 통해 제2 가스 처리 공간(131)의 가스가 제3 가스 처리 공간(141)으로 분사되어서, 처리액(L1, L2, L3)이 가스 분사노즐(1251, 1351, 1451)의 하부로 낙하하는 것이 억제된다. 이 상태에서 제1 가스 처리 공간(121)으로 제1 처리액 공급장치(170)에 의해 제1 처리액(L1)이 공급되어서 제1 처리액(L1)의 수위는 도시된 바와 같이 마이크로버블(B) 형성될 수 있는 정도로 충분히 높아지고 제1 수위조절부(127)에 의해 수위가 적절히 유지되며, 제2 가스 처리 공간(131)으로도 제2 처리액 공급장치(180)에 의해 제2 처리액(L2)이 공급되어서 제2 처리액(L2)의 수위는 도시된 바와 같이 마이크로버블(B) 형성될 수 있는 정도로 충분히 높아지고 제2 수위조절부(137)에 의해 수위가 적절히 유지되며, 제3 가스 처리 공간(141)으로도 제3 처리액 공급장치(190)에 의해 제3 처리액(L3)이 공급되어서 제3 처리액(L3)의 수위는 도시된 바와 같이 마이크로버블(B) 형성될 수 있는 정도로 충분히 높아지고 제3 수위조절부(147)에 의해 수위가 적절히 유지된다.
본 실시예에서 황화수소의 제거를 위해 처리액(L1, L2, L3)에 함유되는 황화수소 제거약품은 이산화탄소와는 반응하지 않는 염화철(Ⅱ)(염화제일철)(FeCl2) 또는 염화철(Ⅲ)(염화제이철)(FeCl3)인 것으로 설명한다. 황화수소와 염화철(Ⅲ)의 반응에 의한 황화수소 제거 반응식은 아래 반응식 3, 4, 5와 같다.
[반응식 3]
3H2S + 2FeCl3 → Fe2S3 + 6HCl
[반응식 4]
3H2S + 2FeCl3 → S + 2FeS + 6HCl
[반응식 5]
H2S(g) + 2FeCl3(aq) → 2FeCl2(aq) + 2HCl(aq) + S(c)
이상 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 실시예는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정되거나 변경될 수 있으며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 이러한 수정과 변경도 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.
100 : 황화수소 제거 설비 108 : 가스 유동 팬
110 : 가스 처리 모듈 120 : 제1 반응기
130 : 제2 반응기 140 : 제3 반응기
150 : 가스 도입 모듈 160 : 처리액 공급 모듈
170 : 제1 처리액 공급 장치 180 : 제2 처리액 공급 장치
180 : 제3 처리액 공급 장치

Claims (11)

  1. 높이방향을 따라서 차례대로 연결되어서 배치되는 하나 또는 복수개의 반응기들을 구비하고 처리대상 가스에 포함된 황화수소 가스를 제거하여 배출하는 가스 처리 모듈;
    상기 반응기들 중 가장 아래에 위치하는 최하위 반응기의 아래에 배치되는 하부 가스 도입조를 구비하는 가스 도입 모듈; 및
    상기 처리대상 가스가 상기 하부 가스 도입조와 상기 반응기들을 아래로부터 위로 차례대로 통과하도록 상기 처리대상 가스를 유동시키는 가스 유동 팬을 포함하며,
    상기 반응기들 각각은 황화수소 가스가 황화수소 제거약품을 포함하는 처리액과 반응하여 제거되는 가스 처리 공간을 제공하며,
    상기 하부 가스 도입조의 내부에는 상기 최하위 반응기와 연통되는 하부 가스 도입 공간이 형성되며,
    상기 최하위 반응기는 상기 하부 가스 도입 공간으로부터 유입되는 상기 처리대상 가스를 상기 가스 처리 공간 내로 상기 높이방향을 따라 분사하는 가스 분사노즐을 구비하며,
    상기 복수개의 반응기들 중 상기 최하위 반응기를 제외한 나머지 반응기는 아래의 반응기로부터 유입되는 상기 처리대상 가스를 상기 가스 처리 공간 내로 상기 높이방향을 따라 분사하는 가스 분사노즐을 구비하며,
    상기 가스 유동 팬이 작동하면, 상기 각 반응기의 가스 분사 노즐에 의하여 대응되는 상기 가스 처리 공간으로 분사되는 상기 처리대상 가스에 의하여, 상기 가스 처리 공간으로 공급되는 상기 처리액이 상기 가스 처리 공간으로부터 상기 가스 분사노즐의 하부로 낙하하는 것이 억제된 상태에서, 상기 처리대상 가스가 상기 처리액 내에서 마이크로버블로 형성되어 상기 처리대상 가스 중에서 상기 황화수소 가스가 제거되는,
    황화수소 제거 설비.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 황화수소 제거약품은 염화제일철(FeCl2) 또는 염화제이철(FeCl3)인,
    황화수소 제거 설비.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리대상 가스는 개질 대상의 바이오가스인,
    황화수소 제거 설비.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 분사노즐은 상기 가스 처리 공간으로 돌출되어서 형성되는,
    황화수소 제거 설비.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 분사노즐은 대응하는 상기 반응기의 바닥에 위치하는,
    황화수소 제거 설비.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수개의 반응기들 각각은 대응하는 상기 가스 분사노즐의 끝단에 인접하여 위치하는 충돌판을 더 구비하며,
    상기 가스 분사노즐로부터 분사되는 가스가 상기 충돌판에 충돌하여 상기 처리액 내에서 마이크로버블을 형성하는,
    황화수소 제거 설비.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 반응기들 각각으로부터 배출되는 상기 처리액을 상기 반응기들 각각으로 순환 공급하는 처리액 공급 모듈을 더 포함하는,
    황화수소 제거 설비.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 처리액 공급 모듈은 상기 반응기들 각각에 대응하여 작동하는 복수개의 처리액 공급 장치들을 구비하는,
    황화수소 제거 설비.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 하부 가스 도입 공간에 위치하는 상기 처리액은 배출되어서 상기 처리액 공급 모듈로 공급되는,
    황화수소 제거 설비.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 가스 도입 모듈은 상기 하부 가스 도입조의 측면에 이격되어서 위치하는 측면 가스 도입조와, 상기 하부 가스 도입조와 상기 측면 가스 도입조를 연통시키는 연결관을 더 구비하며,
    상기 측면 가스 도입조의 내부에는 상기 처리대상 가스가 유입되는 측면 가스 도입 공간이 형성되며,
    상기 처리액 공급 모듈은 상기 처리액을 상기 측면 도입 공간으로 공급하며,
    상기 측면 도입 공간에 위치하는 상기 처리액은 배출되어서 상기 처리액 공급 모듈로 공급되는,
    황화수소 제거 설비.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수개의 반응기들 각각은 대응하는 상기 가스 처리 공간에서 오버플로우를 통해 상기 처리액의 수위를 조절하는 수위 조절부를 더 구비하는,
    황화수소 제거 설비.
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