KR102276558B1 - 마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의하면, 배기가스 정화장치에 있어서, 흡기구와 연통되는 가스 도입 공간과, 배기구와 연통되는 반응 공간과, 상기 가스 도입 공간과 상기 반응 공간의 아래에서 상기 가스 도입 공간 및 상기 반응 공간과 연통되는 연결 공간을 제공하는 반응기; 및 처리대상 가스가 상기 흡기구, 상기 가스 도입 공간, 상기 연결 공간, 상기 반응 공간 및 상기 배기관을 차례대로 통과하도록 상기 처리대상 가스를 유동시키는 가스 유동 팬을 포함하며, 상기 반응기는, 상기 반응 공간에서 상기 연결 공간의 위에 위치하고 상기 배기관의 아래에 위치하며 상기 처리대상 가스에 포함된 처리대상 성분을 처리액에 포함된 처리 성분과 반응시켜서 처리하는 가스 처리부를 구비하며, 상기 가스 처리부는 상기 가스 처리부의 내부 공간을 하부 공간과 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 하부 공간으로 유입된 상기 처리대상 가스를 상기 상부 공간으로 분사하는 가스 분사노즐을 구비하며, 상기 배기가스 정화장치가 작동하면, 상기 처리대상 가스가 상기 가스 분사노즐에 의해 상기 하부 공간으로부터 상기 상부 공간에 위치하는 상기 처리액으로 분사되어서 마이크로버블이 형성되는, 마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장가 제공된다.
Description
본 발명은 배기가스 정화 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 배기가스를 처리액 내에서 마이크로버블 형태로 형성하여 정화시키는 배기가스 정화장치에 관한 것이다.
배연탈황은 연소 배기가스에 함유된 황산화물(주로 이산화황)을 제거하는 것이다. 공장, 화력발전소, 소각장 등에서 배출되는 배기가스에 함유된 이산화황은 대기오염의 주요 원인인 유해가스로서, 환경오염 방지와 황자원의 활용이라는 측면에서 배연탈황에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
배연탈황은 배기가스의 흡수처리제의 종류 및 사용형태에 따라 건식법 및 습식법으로 분류된다.
건식법은 활성탄, 탄산염 등의 입자·분말을 배기가스와 접촉시켜서 이산화황을 흡착 또는 반응시킴으로써 제거하는 방법으로, 흡수처리제를 액상이 아닌 건조분말상태의 고체흡수처리제로 배기가스에 직접 접촉시킴으로써 다소 효율이 떨어지지만, 흡수탑이나 세정 집진기와 같은 장치 등이 필요하지 않기 때문에 설비 비용이 낮아 소형 시설물에서 주로 사용되고 있다.
습식법은 배기가스를 암모니아수, 수산화나트륨 용액, 석회유 등 액상의 흡수처리제와 접촉반응시켜서 제거하는 방법으로서 효율이 비교적 높고, 설비의 안정적인 운전이 가능하여 화력발전소 등 대형 시설물에서 주로 사용되고 있는데, 흡수처리제로서 탄산칼슘이 많이 사용되고 있으며, 일반적인 습식 배연탈황 설비는 배기가스에 석회가 물에 분산된 슬러리를 분사하여 이산화황을 제거하고 슬러리를 흡수탑 본체의 내부에 하방으로 분사시키는 구조로 이루어진다. 하지만, 이와 같은 일반적인 습식 배연탈황 설비는 배기가스가 통과하는 공간에 슬러리를 하방으로 분하사는 구조로 되어 슬러리의 체공시간이 작아 배기가스와 접촉되는 시간이 짧기 때문에 탈황 효율이 떨어지는 등의 문제로 인해 고농도의 이산화황은 처리하기 어렵다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 설치 공간을 줄일 수 있고 설치 비용을 감소시킬 수 있으며 에너지 소모를 줄일 수 있는 마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 배기가스 정화장치에 있어서, 흡기구와 연통되는 가스 도입 공간과, 배기구와 연통되는 반응 공간과, 상기 가스 도입 공간과 상기 반응 공간의 아래에서 상기 가스 도입 공간 및 상기 반응 공간과 연통되는 연결 공간을 제공하는 반응기; 및 처리대상 가스가 상기 흡기구, 상기 가스 도입 공간, 상기 연결 공간, 상기 반응 공간 및 상기 배기관을 차례대로 통과하도록 상기 처리대상 가스를 유동시키는 가스 유동 팬을 포함하며, 상기 반응기는, 상기 반응 공간에서 상기 연결 공간의 위에 위치하고 상기 배기관의 아래에 위치하며 상기 처리대상 가스에 포함된 처리대상 성분을 처리액에 포함된 처리 성분과 반응시켜서 처리하는 가스 처리부를 구비하며, 상기 가스 처리부는 상기 가스 처리부의 내부 공간을 하부 공간과 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 하부 공간으로 유입된 상기 처리대상 가스를 상기 상부 공간으로 분사하는 가스 분사노즐을 구비하며, 상기 배기가스 정화장치가 작동하면, 상기 처리대상 가스가 상기 가스 분사노즐에 의해 상기 하부 공간으로부터 상기 상부 공간에 위치하는 상기 처리액으로 분사되어서 마이크로버블이 형성되는, 마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장가 제공된다.
본 발명에 의하면 앞서서 기재한 본 발명의 목적을 모두 달성할 수 있다. 구체적으로는, 반응기에서 복수개의 가스 처리부들이 수직으로 배치될 수 있으므로, 반응기의 설치 공간을 줄일 수 있고, 전체 설치 비용을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 처리대상 배기가스를 반응기 내에서 유동시킬 수 있을 정도의 동력을 사용하는 가스 유동 팬을 구비하므로, 전체적인 소모 동력을 절감할 수 있다.
그리고, 반응기에서 처리대상 배기가스를 처리액에 분사하여 마이크로버블을 형성하는 노즐로 용수 또는 압축공기를 분사하여 반응 시 생성되는 고형분에 의한 노즐의 막힘 현상을 방지함으로써, 배기가스 정화장치의 운용 성능이 향상된다.
또한, 처리대상 배기가스를 처리액에 분사하여 마이크로버블을 형성하는 노즐과 처리액이 수용되는 공간에서 반응 시 생성되어서 퇴적되는 고형분이 고형분 배출 수단에 의해 배출되므로, 배기가스 정화장치의 운용 성능이 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 배기가스 정화장치에서 반응기와 처리액 공급부의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 배기가스 정화장치에서 반응기와 처리액 공급부의 구성을 도시한 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 배기가스 정화장치에서 고형분 배출수단의 구성을 도시한 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 배기가스 정화장치가 배기가스 탈황 설비로 사용되는 습식 배연탈황 설비의 일예를 보여주는 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 배기가스 정화장치에서 반응기와 처리액 공급부의 구성을 도시한 도면이다.
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도 4는 도 3에 도시된 배기가스 정화장치에서 반응기와 처리액 공급부의 구성을 도시한 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 배기가스 정화장치에서 고형분 배출수단의 구성을 도시한 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 배기가스 정화장치가 배기가스 탈황 설비로 사용되는 습식 배연탈황 설비의 일예를 보여주는 구성도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기가스 정화장치(100a)의 개략적인 구성이 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 배기가스 정화장치(100a)는, 처리액에 의한 처리대상 배기가스(G1)에 포함된 처리대상 성분에 대한 제거 반응이 일어나는 반응기(110)와, 처리대상 배기가스(G1)가 반응기(110)를 통과하도록 배기가스를 유동시키는 가스 유동 팬(105)과, 반응기(110)에 처리액을 공급하는 처리액 공급부(120)를 구비한다. 배기가스 정화장치(100a)는 배기가스에 포함된 질소산화물, 황산화물, 분진 및 악취유발물질의 제거에 유용하게 사용될 수 있다.
반응기(110)는 유입되는 처리대상 가스(G1)에 포함된 처리대상 성분을 처리액에 처리 성분과 반응시켜서 제거한다. 도 2에는 반응기(110)의 구성이 도시되어 있다. 도 2를 참조하면, 반응기(110)는 내부 공간(110a)에서 천장으로부터 아래로 연장되어서 형성된 격벽(111)을 구비한다. 격벽(111)의 하단은 반응기(110)의 내부 공간(110a)에서 바닥과 이격된다. 격벽(111)에 의해 반응기(110)의 내부 공간(110a)은 가스 도입 공간(110b), 반응 공간(110c) 및 연결 공간(110d)으로 구분된다.
가스 도입 공간(110b)과 반응 공간(110c)은 격벽(111)을 사이에 두고 분리되는 두 공간이다. 연결 공간(110d)은 격벽(111)의 하단과 반응기(110)의 내부 공간(110a) 바닥 사이에 형성되는 공간으로서, 가스 도입 공간(110b)과 반응 공간(110c)의 아래에 위치하여 가스 도입 공간(110b) 및 반응 공간(110c)과 각각 연통된다. 연결 공간(110d)의 바닥(110e)에는 배수관(111d)이 연결되며, 배수관(111d)에는 배수관(111d)을 개폐하는 배수 밸브(111e)가 구비된다. 연결 공간(110d)의 바닥(110e)과 격벽(111)의 하단은 이격되어서, 연결 공간(110d)의 바닥(110e)과 격벽(111)의 하단 사이에 가스가 이동할 수 있는 가스 이동 통로(1111)가 형성된다.
가스 도입 공간(110b)의 상단에는 가스 도입 공간(110b)과 연통되는 흡기구(111a)가 위치한다. 흡기구(111a)를 통해 처리대상 가스(G1)가 가스 도입 공간(110b)으로 유입된다. 반응 공간(110c)의 상단에는 반응 공간(110c)과 연통되는 배기구(111b)가 위치한다. 배기구(111b)를 통해 최종 처리 가스(G3)가 반응 공간(110c)으로부터 배출된다. 반응 공간(110c)에는 가스 이동 통로(1111)와 배기구(111b)의 사이에서 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 차례대로 배치되는 제1 가스 처리부(112a)와 제2 가스 처리부(112b)가 구비된다. 제1 가스 처리부(112a)와 제2 가스 처리부(112b)의 사이에는 제1 가스 처리부(112a)와 제2 가스 처리부(112b)를 연통시키는 중간 가스 통로(112c)가 형성된다. 중간 가스 통로(112c)를 통해 제1 가스 처리부(112a)로부터 배출되는 가스(G2)가 제2 가스 처리부(112b)로 유입된다.
제1 가스 처리부(112a)는, 가스 이동 통로(1111)보다 위에 위치하는 제1 바닥판(113a)과, 제1 바닥판(113a)에 설치되는 제1 아토마이징부(114a)와, 제1 수위 조절부(117a)와, 복수개의 제1 차단판(118a)들과, 제1 엘리미네이터(eliminator)(119a)와, 유체를 분사하는 제1 유체 분사부(130a)를 구비한다.
제1 바닥판(113a)은 제1 처리부(112a)에서 대체로 수평으로 설치되는 판상으로서, 가스 이동 통로(1111)보다 위에 위치한다. 제1 바닥판(113a)을 사이에 두고 제1 처리부(112a)는 제1 하부 공간(1121a)과 제1 상부 공간(1122a)으로 분리되는데, 제1 상부 공간(1122a)에 처리대상 배기가스(G1)에 포함된 처리대상 성분과 반응하여 처리대상 성분을 제거하는 처리 성분을 포함하는 제1 처리액(L1)이 저장된다. 제1 바닥판(113a)에 제1 아토마이징부(114a)가 설치된다.
제1 아토마이징부(114a)는 제1 하부 공간(1121a)에 존재하는 처리대상 가스(G1)를 제1 처리액(L1)이 저장된 제1 상부 공간(1122a)으로 분사한다. 제1 아토마이징부(114a)에 의해 분사된 처리대상 가스(G1)는 제1 처리액(L1) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B)을 형성한다. 제1 아토마이징부(114a)는 제1 상부 공간(1122a)으로 처리대상 가스(G1)를 분사하는 제1 가스 분사노즐(115a)과, 제1 가스 분사노즐(115a)의 끝에 위치하는 제1 충돌판(116a)을 구비한다. 제1 아토마이징부(114a)에 의해 형성된 마이크로 버블(B)로 인해 제1 상부 공간(1122a)에서 가스와 제1 처리액(L1)의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B)은 제1 처리액(L1) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제1 상부 공간(1122a)에서 처리대상 배기가스(G1)에 포함된 처리대상 성분과 제1 처리액(L1)에 포함된 처리 성분의 반응 효율이 현저하게 높아진다.
제1 가스 분사노즐(115a)은 제1 바닥판(113a)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제1 상부 공간(112a)에 위치한다. 제1 가스 분사노즐(115a)에 의해 제1 하부 공간(1121a)의 처리대상 가스(G1)가 제1 상부 공간(1122a)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제1 가스 분사노즐(115a)에는 가스가 제1 가스 분사노즐(115a)을 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제1 가스 분사노즐(115a)의 끝단에는 제1 충돌판(116a)이 인접하여 위치한다.
제1 충돌판(116a)은 제1 가스 분사노즐(115a)의 끝단 위에 인접하도록 제1 상부 공간(1122a)에 위치한다. 제1 충돌판(116a)에 제1 가스 분사노즐(115a)로부터 분사되는 가스가 충돌하여 마이크로 버블(B)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제1 충돌판(116a)이 도시된 바와 같이 두 개(1161a, 1162a)가 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제1 상부 충돌판(1162a)이 아래에 위치하는 제1 하부 충돌판(1161a)의 전체를 덮도록 더 크며, 제1 상부 충돌판(1162a) 사이에 적어도 하나의 제1 통로(1163a)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제1 충돌판(116a)의 설치 높이가 가변되어서 제1 가스 분사노즐(115a)과의 거리가 조절될 수 있다.
제1 수위 조절부(117a)는 제1 상부 공간(1122a)의 측면에 위치하며, 제1 상부 공간(1122a)에서 오버플로우를 통해 제1 처리액(L1)의 수위를 조절한다. 제1 수위 조절부(117a)는 제1 상부 공간(1122a)의 측벽에 형성된 제1 수위조절 개구부(1171a)을 통해 제1 상부 공간(1122a)과 연통되는 제1 수위조절 수조(1172a)를 구비한다. 제1 수위조절 개구부(1171a)는 제1 처리액(L1)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제1 수위조절 수조(1172a)에는 제1 상부 공간(1122a)에서 오버플로우된 제1 처리액(L1)이 저장된다. 제1 수위조절 수조(1172a)에 저장된 제1 처리액(L1)은 배출되어서 처리액 공급부(120)로 공급된다.
복수개의 제1 차단판(118a)들은 제1 상부 공간(1122a)에서 설정된 제1 처리액(L1)의 수위보다 위에 층을 이루며 배치된다. 복수개의 제1 차단판(118a)들에 의해 제1 상부 공간(1122a)에 저장된 제1 처리액(L1)의 급격한 상승이 차단된다.
제1 엘리미네이터(119a)는 제1 상부 공간(1122a)에서 복수개의 제1 차단판(118a)들 중 가장 위에 위치하는 제1 차단판(118a)보다 위에 위치하여 물방울을 제거한다. 제1 엘리미네이터(119a)는 중간 가스 통로(112c)보다 아래에 위치한다. 제1 엘리미네이터는(119a)은 합성수지재질의 재료를 사용하여 이루어진다.
제2 가스 처리부(112b)는 제1 가스 처리부(112a)의 바로 위에 배치되며, 중간 가스 통로(112c)보다 위에 위치하는 제2 바닥판(113b)과, 제2 바닥판(113b)에 설치되는 제2 아토마이징부(114b)와, 제2 수위 조절부(117b)와, 복수개의 제2 차단판(118b)들과, 제2 엘리미네이터(119b)를 구비한다. 제2 가스 처리부(112b)는 중간 가스 통로(112c)를 통해 제1 가스 처리부(112a)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G2)에 대한 2차 처리를 수행하여 최종 처리 가스(G3)로서 배기구(111b)를 통해 배출한다.
제2 바닥판(113b)은 제2 가스 처리부(112b)에서 대체로 수평으로 설치되는 판상으로서, 중간 가스 통로(112c)보다 위에 위치한다. 제2 바닥판(113b)을 사이에 두고 제2 처리부(112b)는 제2 하부 공간(1121b)과 제2 상부 공간(1122b)으로 분리되는데, 제2 상부 공간(1122b)에 1차 처리 가스(G2)에 포함된 처리대상 성분과 반응하여 처리대상 성분을 제거하는 처리 성분을 포함하는 제2 처리액(L2)이 저장된다. 제2 바닥판(113b)에 제2 아토마이징부(114b)가 설치된다.
제2 아토마이징부(114b)는 제2 하부 공간(1121b)에 존재하는 1차 처리 가스(G2)를 제2 처리액(L2)이 저장된 제2 상부 공간(1122b)으로 분사한다. 제2 아토마이징부(114b)에 의해 분사된 1차 처리 가스(G2)는 제2 처리액(L2) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B)을 형성한다. 제2 아토마이징부(114b)는 제2 상부 공간(1122b)으로 1차 처리 가스(G2)를 분사하는 제2 가스 분사노즐(115b)과, 제2 가스 분사노즐(115b)의 끝에 위치하는 제2 충돌판(116b)을 구비한다. 제2 아토마이징부(114b)에 의해 형성된 마이크로 버블(B)로 인해 제2 상부 공간(1122b)에서 가스와 제2 처리액(L2)의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B)은 제2 처리액(L2) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제2 상부 공간(1122b)에서 1차 처리 가스(G2)에 포함된 처리대상 성분과 제2 처리액(L2)에 포함된 처리 성분의 반응 효율이 현저하게 높아진다.
제2 가스 분사노즐(115b)은 제2 바닥판(113b)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제2 상부 공간(112b)에 위치한다. 제2 가스 분사노즐(115b)에 의해 제2 하부 공간(1121b)의 1차 처리 가스(G2)가 제2 상부 공간(1122b)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제2 가스 분사노즐(115b)에는 가스가 제2 가스 분사노즐(115b)을 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제2 가스 분사노즐(115b)의 끝단에는 제2 충돌판(116b)이 인접하여 위치한다.
제2 충돌판(116b)은 제2 가스 분사노즐(115b)의 끝단 위에 인접하도록 제2 상부 공간(1122b)에 위치한다. 제2 충돌판(116b)에 제2 가스 분사노즐(115b)로부터 분사되는 가스가 충돌하여 마이크로 버블(B)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제2 충돌판(116b)이 도시된 바와 같이 두 개(1161b, 1162b)가 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제2 상부 충돌판(1162b)이 아래에 위치하는 제2 하부 충돌판(1161b)의 전체를 덮도록 더 크며, 제2 상부 충돌판(1162b) 사이에 적어도 하나의 제2 통로(1163b)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제2 충돌판(116b)의 설치 높이가 가변되어서 제2 가스 분사노즐(115b)과의 거리가 조절될 수 있다.
제2 수위 조절부(117b)는 제2 상부 공간(1122b)의 측면에 위치하며, 제2 상부 공간(1122b)에서 오버플로우를 통해 제2 처리액(L2)의 수위를 조절한다. 제2 수위 조절부(117b)는 제2 상부 공간(1122b)의 측벽에 형성된 제2 수위조절 개구부(1171b)을 통해 제2 상부 공간(1122b)과 연통되는 제2 수위조절 수조(1172b)를 구비한다. 제2 수위조절 개구부(1171b)는 제2 처리액(L2)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제2 수위조절 수조(1172b)에는 제2 상부 공간(1122b)에서 오버플로우된 제2 처리액(L2)이 저장된다. 제2 수위조절 수조(1172b)에 저장된 제2 처리액(L2)은 배출되어서 처리액 공급부(120)로 공급된다.
복수개의 제2 차단판(118b)들은 제2 상부 공간(1122b)에서 설정된 제2 처리액(L2)의 수위보다 위에 층을 이루며 배치된다. 복수개의 제2 차단판(118b)들에 의해 제2 상부 공간(1122b)에 저장된 제2 처리액(L2)의 급격한 상승이 차단된다.
제2 엘리미네이터(119b)는 제2 상부 공간(1122b)에서 복수개의 제2 차단판(118b)들 중 가장 위에 위치하는 제2 차단판(118b)보다 위에 위치하여 물방울을 제거한다. 제2 엘리미네이터(119b)는 배기구(111b)보다 아래에 위치한다. 제2 엘리미네이터는(119b)은 합성수지재질의 재료를 사용하여 이루어진다.
상기 실시예에서는 반응기(110)가 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 연속으로 배치되는 제1 가스 처리부(112a)와 제2 가스 처리부(112b)를 구비하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 제1 가스 처리부(112a)만을 구비하거나, 3개 이상의 가스 처리부가 높이방향을 따라서 연속으로 배치될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.
도 2를 참조하면, 가스 유동 팬(fan)(105)은 처리대상 배기가스(G1)가 반응기(110)를 통과하도록 배기가스를 유동시킨다. 본 실시예에서는 가스 유동 팬(105)은 배기가스 유동 방향에 대해 반응기(110)의 하류에 위치하는 배기팬인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것이 아니다. 가스 유동 팬(105)는 배기가스 유동 방향에 대해 반응기(110)의 상류에 위치할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 처리액 공급부(120)는 반응기(110)에 처리액(L1, L2)를 순환 공급한다. 처리액 공급부(120)는 반응기(110)의 제1 가스 처리부(112a)로 제1 처리액(L1)을 순환 공급하는 제1 처리액 공급 장치(120a)와, 반응기(110)의 제2 가스 처리부(112b)로 제2 처리액(L2)을 순환 공급하는 제2 처리액 공급 장치(120b)를 구비한다.
제1 처리액 공급 장치(120a)는 반응기(110)의 제1 수위 조절부(117a)의 제1 수위조절 수조(1171a)로부터 배수되는 제1 처리액(L1)을 제1 상부 공간(1122a)으로 순환 공급한다. 제1 처리액 공급 장치(120a)는 제1 수위조절 수조(1171a)로부터 제1 처리액 배수라인(124a)을 통해 배수된 제1 처리액(L1)이 저장되는 제1 처리액 저장조(123a)와, 제1 처리액 저장조(123a)로부터 제1 상부 공간(1122a)으로 연장되는 제1 처리액 공급라인(125a)과, 제1 처리액 공급라인(125a) 상에 설치되어서 제1 처리액 저장조(123a)의 제1 처리액(L1)을 제1 처리액 공급라인(125a)을 통해 제1 상부 공간(1122a)으로 유동시키는 제1 처리액 공급 펌프(128a)를 구비한다.
제2 처리액 공급 장치(120b)는 반응기(110)의 제2 수위 조절부(117b)의 제2 수위조절 수조(1171b)로부터 배수되는 제2 처리액(L2)을 제2 상부 공간(1122b)으로 순환 공급한다. 제2 처리액 공급 장치(120b)는 제2 수위조절 수조(1171b)로부터 제2 처리액 배수라인(124b)을 통해 배수된 제2 처리액(L2)이 저장되는 제2 처리액 저장조(123b)와, 제2 처리액 저장조(123b)로부터 제2 상부 공간(1122b)으로 연장되는 제2 처리액 공급라인(125b)과, 제2 처리액 공급라인(125b) 상에 설치되어서 제2 처리액 저장조(123b)의 제2 처리액(L2)을 제2 처리액 공급라인(125b)을 통해 제2 상부 공간(1122b)으로 유동시키는 제2 처리액 공급 펌프(128b)를 구비한다.
이제, 도 1 및 도 2에 도시된 배기가스 정화장치(100a)의 작동 과정을 설명하면 다음과 같다. 우선, 가스 유동 팬(105)이 작동하지 않는 배기가스 정화장치(100a)의 작동 전 상태에서는, 제1 가스 처리부(112a)에서 제1 처리액(L1)의 수위 및 제2 가스 처리부(112b)에서의 제2 처리액(L2)의 수위는 각각 A1의 아래 및 A2의 아래와 같다. 즉, 배기가스 정화장치(100a)의 작동 전 상태에서는, 제1 처리액(L1)의 수위는 제1 가스 분사노즐(115a)의 끝단보다 아래에 위치하고, 제2 처리액(L1)의 수위는 제2 가스 분사노즐(115a)의 끝단보다 아래에 위치한다. 그에 따라, 제1 처리액(L1)이 제1 가스 분사노즐(115a)을 통해 아래로 새지 않고, 제2 처리액(L2)이 제2 가스 분사노즐(115b)을 통해 아래로 새지 않는다. 이 상태에서 가스 유동 팬(105)이 작동하면, 제1 가스 분사노즐(115a)을 통해 제1 하부 공간(1121a)의 가스가 제1 상부 공간(1122a)으로 분사되고, 제2 가스 분사노즐(115b)을 통해 제2 하부 공간(1121b)의 가스가 제2 상부 공간(1122b)으로 분사된다. 이 상태에서 제1 상부 공간(1121a)으로 제1 처리액 공급장치(120a)에 의해 제1 처리액(L1)이 공급되어서 제1 처리액(L1)의 수위는 도시된 바와 같이 마이크로버블(B) 형성될 수 있는 정도로 충분히 높아지고 제1 수위조절부(117a)에 의해 수위가 적절히 유지되며, 제2 상부 공간(1121b)으로도 제2 처리액 공급장치(120b)에 의해 제2 처리액(L2)이 공급되어서 제2 처리액(L2)의 수위는 도시된 바와 같이 마이크로버블(B) 형성될 수 있는 정도로 충분히 높아지고 제2 수위조절부(117b)에 의해 수위가 적절히 유지된다.
도 3에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기가스 정화장치의 개략적인 구성이 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 배기가스 정화장치(200a)는, 처리액에 의한 처리대상 배기가스(G1)에 포함된 처리대상 성분에 대한 제거 반응이 일어나는 반응기(210)와, 처리대상 배기가스(G1)가 반응기(210)를 통과하도록 배기가스를 유동시키는 가스 유동 팬(105)과, 반응기(210)에 처리액을 공급하는 처리액 공급부(120)와, 반응기(210)에 분사유체를 공급하는 분사유체 공급부(130)와, 반응기(210)에 퇴적되는 고형분을 반응기(110)의 외부로 배출시키는 고형분 배출수단(140)을 구비한다.
반응기(210)는 유입되는 처리대상 가스(G1)에 포함된 처리대상 성분을 처리액에 처리 성분과 반응시켜서 제거한다. 도 4에는 반응기(210)의 구성이 도시되어 있다. 도 4를 참조하면, 반응기(210)는 도 2에 도시된 반응기(110)에 제1 유체 분사부(130a)와 제2 유체 분사부(130b)를 추가로 더 구비하는 것이다. 즉, 반응기(210)는 제1 유체 분사부(130a)와 제2 유체 분사부(130b) 외에 도 2에 도시된 반응기(110)의 구성을 모두 포함한다. 도 4에서 도 2와 동일한 도면부호로 지시된 구성은 도 2에 도시된 반응기(110)의 동일한 구성을 의미하는 것이다. 여기서는, 반응기(210)에서 제1 유체 분사부(130a)와 제2 유체 분사부(130b)를 제외한 나머지 구성은 도 2에 도시된 반응기(110)와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하며, 제1 유체 분사부(130a)와 제2 유체 분사부(130b)에 대해서만 상세하게 설명한다.
제1 유체 분사부(130a)는 제1 가스 처리부(112a)의 내부 공간에서 압축공기 또는 공업용수와 같은 유체를 분사하는 복수개의 제1 유체 분사노즐(131a)들을 구비한다. 복수개의 제1 유체 분사노즐(131a)들 중 일부는 제1 하부 공간(1121a)에서 유체를 제1 가스 분사노즐(115a)의 내부로 분사하고, 또 다른 일부는 제1 상부 공간(1122a)에서 유체를 제1 가스 분사노즐(115a)의 외부로 분사한다. 분사유체 공급부(130)로부터 공급되는 압축공기와 같은 고압기체 또는 공업용수가 복수개의 제1 유체 분사노즐(131a)에서 분사된다. 제1 가스 분사노즐(115a)에 인접하여 위치하는 복수개의 제1 유체 분사노즐(131a)들로부터 분사되는 유체에 의해 제1 가스 분사노즐(115a)이 고형분에 의해 막히는 것이 방지된다.
제2 유체 분사부(130b)는 제2 가스 처리부(112b)의 내부 공간에서 압축공기 또는 공업용수와 같은 유체를 분사하는 복수개의 제2 유체 분사노즐(131b)들을 구비한다. 복수개의 제2 유체 분사노즐(131b)들 중 일부는 제2 하부 공간(1121b)에서 유체를 제2 가스 분사노즐(115b)의 내부로 분사하고, 또 다른 일부는 제2 상부 공간(1122b)에서 유체를 제2 가스 분사노즐(115b)의 외부로 분사한다. 분사유체 공급부(130)로부터 공급되는 압축공기와 같은 고압기체 또는 공업용수가 복수개의 제2 유체 분사노즐(131b)에서 분사된다. 제2 가스 분사노즐(115b)에 인접하여 위치하는 복수개의 제2 유체 분사노즐(131b)들로부터 분사되는 유체에 의해 제2 가스 분사노즐(115b)이 고형분에 의해 막히는 것이 방지된다.
도 3을 참조하면, 가스 유동 팬(fan)(105)은 처리대상 배기가스(G1)가 반응기(210)를 통과하도록 배기가스를 유동시킨다. 가스 유동 팬(105)은 도 1에 도시된 가스 유동 팬(105)과 동일한 구성이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3 및 도 4 참조하면, 처리액 공급부(120)는 반응기(110)에 처리액(L1, L2)를 순환 공급한다. 처리액 공급부(120)는 도 1 및 도 2에 도시된 처리액 공급부(120)와 동일한 구성이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 분사유체 공급부(130)는 제1 유체 분사부(130a)가 구비하는 복수개의 제1 유체 분사노즐(131a)들과 제2 유체 분사부(130b)가 구비하는 복수개의 제2 유체 분사노즐(131b)들에 압축공기와 같은 고압가스 또는 공업용수와 같은 유체를 공급한다.
도 3을 참조하면, 고형분 배출수단(140)은 반응기(110)에 퇴적되는 고형분을 반응기(110)의 외부로 배출시킨다. 도 5에는 고형분 배출수단(140)의 구성이 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 고형분 배출수단(140)은 반응기(110) 내에서 퇴적되는 고형분을 반응기(110)의 외부로 이송시키는 고형분 이송장치(141)와, 고형분 이송장치(141)에 의해 반응기(110)의 외부로 이송된 고형분을 낙하시켜서 배출하는 고형분 낙하 배출부(145)를 구비한다.
고형분 이송장치(141)는 반응기(110) 내에서 퇴적되는 고형분을 반응기(110)의 외부로 이송시킨다. 고형분 이송장치(141)는 도 3에 도시된 바와 같이 반응기(110)의 제1 가스 처리부(112a)에 구비되는 제1 상부 공간(1122a)과, 반응기(110)의 제2 가스 처리부(112b)에 구비되는 제2 상부 공간(1122b)에 연결되어서 설치된다. 도 5에는 고형분 이송장치(141)가 제1 가스 처리부(112a)의 제1 상부 공간(1122a)에 연결되어서 설치된 상태가 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 고형분 이송장치(141)는 통상적인 구조의 스크루 피더(Screw Feeder)로서, 이송관(141)과, 이송관(141) 내에서 회전하는 이송 스크루(143)와, 이송 스크루(143)를 회전시키는 스크루 구동기(144)를 구비한다.
이송관(141)은 제1 상부 공간(1122a)에서 제1 바닥판(113a)과 인접한 위치에서 반응기(110)의 외부로 대체로 수평방향으로 연장되어서 형성된다.
이송 스크루(143)는 이송관(141) 내에 위치하며 스크루 구동기(144)에 의해 회전한다. 이송 스크루(143)의 일단은 제1 상부 공간(1122a)으로 돌출되며 제1 바닥판(113a)의 위에 인접하여 위치한다.
스크루 구동기(144)는 이송 스크루(143)를 회전시킨다. 스크루 구동기(144)에 의해 이송 스크루(143)가 회전하면 제1 바닥판(113a) 위에서 퇴적되는 고형분이 이송관(141)을 통해 외부로 이송된다.
고형분 낙하 배출부(145)는 고형분 이송장치(141)에 의해 반응기(110)의 외부로 이송된 고형분을 낙하시켜서 배출한다. 고형분 낙하 배출부(145)는 상하로 연장되는 고형분 배출관(146)과, 고형분 배출관(146) 상에 설치되는 배출 밸브(147)를 구비한다.
고형분 배출관(146)은 고형분 이송장치(141)의 이송관(141)과 연통되고 이송관(141)으로부터 아래로 연장된다.
배출 밸브(147)는 고형분 배출관(146) 상에 설치되어서 고형분 배출관(146)을 통한 고형분의 배출을 조절한다. 본 실시예에서는 배출 밸브(147)로서 수밀성이 우수한 로터리 밸브(rotary valve)가 사용되는 것으로 설명한다.
도 6에는 도 3에 도시된 배기가스 정화장치(200a)가 배기가스 탈황장치로 사용되는 습식 배연탈황 설비의 일 예를 보여주는 구성도이다. 도 6을 참조하면, 습식 배연탈황 설비(100)는 배기가스(G1)의 이산화황(SO2) 함량을 줄이기 위한 설비로서, 배기가스(G1)에 대한 탈황처리를 수행하는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기가스 탈황장치(200a)와, 탈황반응을 위해 흡수제로 사용되는 탄산칼슘(CaCO3)을 슬러리 형태로 배기가스 탈황장치(100a)에 공급하는 탄산칼슘 공급부(145)와, 배기가스 탈황장치(200a)로부터 배출되는 고형분이 저장되는 고형분 저장부(149)와, 배기가스 탈황장치(200a)로부터 배출되는 액체 혼합물을 공급받고 산화반응이 일어나며 산화반응에 따라 이수석고(CaSO4·2H2O)가 발생하는 산화 반응조(150)와, 산화 반응조(150)로부터 배출되는 석고슬러리에서 물을 1차 분리해내는 제1 고액 분리기(160)와, 제1 고액 분리기(160)로부터 배출되는 석고슬러리에서 물을 2차 분리해내는 제2 고액 분리기(170)와, 제1 고액 분리기(160)에서 배출되는 석고슬러리가 제2 고액 분리기(170)로 공급하기 전 선택적으로 저장되는 중간 저장조(175)와, 제1 고액 분리기(160)와 제2 고액 분리기(170)에서 분리된 물이 저장되고 저장된 물의 일부를 탄산칼슘 공급부(145)로 공급하는 물 저장조(180)를 포함한다.
배기가스 탈황장치(200a)는 도 3 및 도 4에 도시된 구성의 배기가스 정화장치(200a)이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 배기가스 탈황장치(200a)에서 사용되는 제1 처리액(L1)에는 탄산칼슘 공급부(145)로부터 공급되는 탄산칼슘(CaCO3)이 포함되며, 제1 가스 처리부(112a)에서는 탄산칼슘을 포함하는 제1 처리액(L1)에 의해 주로 다음 [반응식 1]과 같은 탈황 반응이 일어난다.
[반응식 1]
CaCO3 + SO2 + H2O → CaSO3·2H2O + CO2
즉, 제1 상부 공간(1122a)에서 제1 탈황처리액(L1)으로 분사되어 마이크로 버블(B)을 형성하는 처리대상 가스(G1)에 포함된 이산화황(SO2)과 제1 탈황 처리액(L1)에 포함된 탄산칼슘(CaCO3)이 반응하여 아황산칼슘(CaSO3)이 생성되어서 황이 제거된다.
제1 탈황 처리부(112a)에서는 [반응식 2]와 같은 산화 반응도 함께 이루어진다.
[반응식 2]
CaSO3·2H2O + 1/2O2 + H2O → CaSO4·2H2O + H2O
즉, [반응식 1]을 통해 생성된 아황산칼슘이 산화 반응을 통해 이수석고가 생성된다. [반응식 2]에서 공급되는 산소는 이산화황과 함께 유입되는 처리대상 가스(G1)에 함께 일부 포함된 것이다.
또한, 배기가스 탈황장치(200a)에서 사용되는 제2 처리액(L2)에도 탄산칼슘 공급부(145)로부터 공급되는 탄산칼슘(CaCO3)이 포함되며, 제2 가스 처리부(112b)에서도 탄산칼슘을 포함하는 제2 처리액(L2)에 의해 위의 [반응식 1] 및 [반응식 2]와 같은 반응이 일어난다.
위의 반응식 1 및 반응식 2와 같은 탈황 반응에 의해 이수석고와 같은 고형분이 생성되며, 이러한 고형분은 제1, 제2 가스 분사노즐(115a, 115b)을 막게 되는데, 제1, 제2 유체 분사노즐(131a, 131b)로부터 분사되는 유체에 의해 제1, 제2 가스 분사노즐(115a, 115b)이 고형분에 의해 막히는 것이 방지된다.
탄산칼슘 공급부(145)는 탄산칼슘(CaCO3)이 분산 혼합된 물인 탄산칼슘 슬러리를 저장하며, 저장된 탄산칼슘 슬러리를 탈황 반응을 위해 배기가스 탈황장치(200a)로 공급한다. 구체적으로 본 실시예에서는 탄산칼슘 공급부(145)가 탄산칼슘 슬러리를 제1 처리액 공급장치(도 4의 120a)의 제1 처리액 공급라인(125a)과 제2 처리액 공급장치(도 4의 120b)의 제2 처리액 공급라인(125b)으로 공급하는 것으로 설명한다. 탄산칼슘 공급부(145)는 물 저장조(180)로부터 물을 공급받는다.
고형분 저장부(149)에는 배기가스 탈황장치(200a)에서 배출되는 고형분이 저장된다. 구체적으로, 고형분 저장부(149)는 고형분 배출수단(도 3 및 도 5의 140)에 의해 탈황 반응기(110)기로부터 배출되는 고형분을 저장한다.
산화 반응조(150)에서는 배기가스 탈황장치(200a)의 처리액 공급부(도 3 및 도 4의 120)에 구비되는 제1, 제2 처리액 저장조(도 4의 123a, 123b)로부터 배출되는 아황산칼슘을 포함하는 탈황처리액을 공급받고 [반응식 2]와 같은 산화 반응이 일어나며, 산화 반응에 따라 이수석고(CaSO4·2H2O)가 발생한다. 산화 반응조(150)에는 산화 반응을 위한 에어 공급부(151)가 설치된다. 제1, 제2 처리액 저장조(도 4의 123a, 123b)로부터 배출되는 탈황처리액에는 마이크로버블이 포함되어 있으며, 이 마이크로버블에 의해 산화 반응조(150)에서의 산화 반응이 촉진됨으로써, 이수석고의 생성 효율이 향상된다. 산화 반응조(150) 내의 이수석고는 1차 석고슬러리로서 배출되어서 제1 고액 분리기(160)로 공급된다.
제1 고액 분리기(160)는 산화 반응조(150)로부터 배출되는 1차 석고슬러리에서 물을 1차 분리해낸다. 본 실시예에서는 제1 고액 분리기(160)가 하이드로 사이클론 장치인 것으로 설명한다. 제1 고액 분리기(160)에서 분리된 물은 물 저장조(180)로 공급되며, 나머지 2차 석고설러리는 제2 고액 분리기(170)로 공급된다.
제2 고액 분리기(170)는 제1 고액 분리기(160)로부터 배출되는 2차 석고슬러리에서 물을 2차 분리해낸다. 본 실시예에서 제2 고액 분리기(170)가 VBF(Vacuum Belt Filter)인 것으로 설명한다. 제2 고액 분리기(170)에서 분리된 물은 물 저장조(180)로 고급된다.
중간 저장조(175)는 제1 고액 분리기(160)에서 배출되는 1차 석고슬러리를 제2 고액 분리기(170)로 공급하기 전 선택적으로 저장한다.
물 저장조(180)는 제1 고액 분리기(160)와 제2 고액 분리기(170)로부터 각각 분리된 물을 저장되고 저장된 물의 일부를 탄산칼슘 공급부(145)로 공급한다.
이상 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 실시예는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정되거나 변경될 수 있으며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 이러한 수정과 변경도 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.
105 : 가스 유동 팬 100a : 배기가스 정화장치
110 : 반응기 110a : 가스 도입 공간
110b : 반응 공간 110c : 연결 공간
111a : 흡기구 111b : 배기구
112a : 제1 가스 처리부 114a : 제1 아토마이징부
112b : 제2 가스 처리부 114b : 제2 아토마이징부
120 : 처리액 공급부 120a : 제1 처리액 공급장치
120b : 제2 처리액 공급장치 130 : 분사유체 공급부
140 : 고형분 배출수단
110 : 반응기 110a : 가스 도입 공간
110b : 반응 공간 110c : 연결 공간
111a : 흡기구 111b : 배기구
112a : 제1 가스 처리부 114a : 제1 아토마이징부
112b : 제2 가스 처리부 114b : 제2 아토마이징부
120 : 처리액 공급부 120a : 제1 처리액 공급장치
120b : 제2 처리액 공급장치 130 : 분사유체 공급부
140 : 고형분 배출수단
Claims (14)
- 배기가스 정화장치에 있어서,
흡기구와 연통되는 가스 도입 공간과, 배기구와 연통되는 반응 공간과, 상기 가스 도입 공간 및 상기 반응 공간과 연통되는 연결 공간을 제공하는 반응기;
처리대상 가스가 상기 흡기구, 상기 가스 도입 공간, 상기 연결 공간, 상기 반응 공간 및 상기 배기구를 차례대로 통과하도록 상기 처리대상 가스를 유동시키는 가스 유동 팬; 및
상기 처리대상 가스에 포함된 처리대상 성분과 반응하여 처리하는 처리 성분을 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 포함하며,
상기 반응기는, 상기 반응 공간에서 상기 연결 공간의 위에 위치하고 상기 배기구의 아래에 위치하며 상기 처리대상 성분이 상기 처리 성분과 반응하여 처리되는 가스 처리부를 구비하며,
상기 가스 처리부는, 상기 가스 처리부의 내부 공간을 하부 공간과 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 바닥판으로부터 돌출되어서 상기 하부 공간으로 유입된 상기 처리대상 가스를 상기 상부 공간으로 위를 향해 분사하는 가스 분사노즐과, 상기 가스 분사노즐의 위에 배치되어서 상기 가스 분사노즐로부터 분사된 상기 처리대상 가스가 충돌하는 충돌판을 구비하며,
상기 가스 유동 팬이 작동하지 않고 상기 가스 분사노즐의 끝단 이하로 상기 처리액이 상기 상부 공간에서 상기 바닥판 위에 수용된 상태에서, 상기 가스 유동 팬이 작동하면, 상기 하부 공간은 유입되는 상기 처리대상 가스로 전체적으로 채워지며 상기 가스 분사노즐에 의해 상기 하부 공간의 가스가 상기 상부 공간으로 분사되고, 상기 처리액 공급부에 의해 상기 상부 공간으로 상기 처리액이 공급되어서 상기 상부 공간에서 상기 처리액의 수위가 상기 가스 분사노즐의 끝단 위로 상승하여 상기 가스 분사노즐로부터 분사되는 가스는 상기 충돌판에 충돌하여 상기 처리액 내에서 마이크로버블을 형성하는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 반응 공간에는 상기 가스 처리부가 높이방향을 따라서 복수개 배치되며,
상기 처리대상 가스가 상기 복수개의 가스 처리부들을 아래로부터 위로 차례대로 통과하며 처리되는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 가스 분사노즐에 의해 상기 하부 공간으로부터 상기 상부 공간으로 분사되는 가스에 의해 상기 처리액이 상기 하부 공간으로 누설되는 것이 방지되는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 처리액 공급부는 상기 가스 처리부에서 배출되는 상기 처리액을 상기 가스 처리부로 순환 공급하는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 가스 처리부에서 유체를 분사하는 유체 분사노즐을 더 포함하며,
상기 유체 분사노즐은 상기 유체를 상기 가스 분사노즐을 향해 분사하여 상기 처리대상 가스와 상기 처리액의 반응에 의해 발생하는 고형분에 의해 상기 가스 분사노즐이 막히는 것을 방지하는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 유체 분사노즐을 통해 분사되는 상기 유체는 압축 공기 또는 용수인,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 유체 분사노즐은 상기 하부 공간에 위치하고 상기 유체를 상기 가스 분사노즐의 내부로 분사하는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 유체 분사노즐은 상기 상부 공간에 위치하고 상기 유체를 상기 가스 분사노즐의 외부로 분사하는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 상부 공간에서 퇴적되는 고형분을 상기 반응기의 외부로 배출시키는 고형분 이송장치를 더 포함하는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 9에 있어서,
고형분 배출장치는 상기 반응기에 연결되어서 상기 고형분을 상기 상부 공간으로부터 이송시키는 고형분 이송장치를 구비하며,
상기 고형분 이송장치는 상기 고형분이 이송되는 통로를 제공하는 이송관을 구비하는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 10에 있어서,
상기 고형분 이송장치는 스크루 피더인,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 10에 있어서,
고형분 배출수단은 상기 이송관을 통해 이송된 상기 고형분을 낙하시켜서 배출하는 고형분 낙하 배출부를 더 구비하는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 12에 있어서,
상기 고형분 낙하 배출부는,
상기 이송관과 연통되고 상기 이송관으로부터 아래로 연장되어서 상기 고형분이 낙하하는 통로를 제공하는 고형분 배출관과,
상기 고형분 배출관 상에 설치되어서 상기 고형분의 배출을 조절하는 배출 밸브를 구비하는,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치. - 청구항 13에 있어서,
상기 배출 밸브는 로터리 밸브인,
마이크로버블을 이용한 배기가스 정화장치.
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