KR102302169B1 - Touch screen panel and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 패널은 활성 영역 및 활성 영역을 감싸는 비활성 영역을 포함하는 기판; 상기 활성 영역에 배치되고, 제1 투명 도전막으로 형성된 센싱 셀들; 상기 제1 투명 도전막으로 형성된 하부 패턴, 및 상기 하부 패턴 상에 적층되고 상기 제1 투명 도전막보다 이온화 경향이 큰 금속막으로 형성된 상부 패턴을 포함하며, 상기 비활성 영역에 배치된 연결 배선들을 포함할 수 있다.A touch screen panel according to an embodiment of the present invention includes: a substrate including an active area and a non-active area surrounding the active area; sensing cells disposed in the active region and formed of a first transparent conductive layer; a lower pattern formed of the first transparent conductive film, and an upper pattern formed of a metal film laminated on the lower pattern and having a greater ionization tendency than the first transparent conductive film, and connecting wirings disposed in the inactive region can do.

Description

터치 스크린 패널 및 그 제조 방법{TOUCH SCREEN PANEL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}Touch screen panel and manufacturing method thereof

본 발명의 실시 예는 터치 스크린 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
An embodiment of the present invention relates to a touch screen panel and a method for manufacturing the same.

표시 장치의 입력장치로서 스위치나 키보드를 대신하여 터치 스크린 패널이 사용되고 있다. 터치 스크린 패널은 화면상의 특정 위치에 인가된 사용자의 접촉을 인식하는 입력장치이다.As an input device of a display device, a touch screen panel is used instead of a switch or a keyboard. The touch screen panel is an input device for recognizing a user's touch applied to a specific location on a screen.

터치 스크린 패널을 구현하는 방식은 크게 저항막 방식과 정전용량 방식으로 구분될 수 있다. 저항막 방식의 터치 스크린 패널은 위치 정보를 감지하는 패턴들이 외압에 의해 접촉할 때 출력되는 전압을 검출하여 사용자에 의해 터치된 위치 정보를 좌표로 계산할 수 있다. 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은 위치 정보를 감지하는 패턴들 사이에 발생하는 정전용량 변화를 검출하여 사용자에 의해 터치된 위치 정보를 좌표로 계산할 수 있다.A method of implementing a touch screen panel can be largely divided into a resistive method and a capacitive method. The resistive touch screen panel may calculate the position information touched by the user as coordinates by detecting a voltage output when the patterns for sensing position information are in contact by an external pressure. The capacitive touch screen panel may calculate the location information touched by the user as coordinates by detecting a change in capacitance occurring between patterns for detecting location information.

터치 스크린 패널은 활성 영역(Active area) 및 활성 영역을 둘러싸는 비활성 영역(Non active area)을 포함한다. 활성 영역에는 센싱 패턴이 형성된다. 센싱 패턴은 위치 정보를 감지하기 위한 패턴으로서 이용된다. 센싱 패턴은 투명 도전막으로 형성된 센싱 셀들 및 센싱 셀들을 연결하는 브릿지 패턴을 포함한다. 비활성 영역에는 연결 배선이 형성될 수 있다. 연결 배선은 센싱 패턴에 연결되어 센싱 패턴에서 감지된 신호를 구동회로에 전송할 수 있다.
The touch screen panel includes an active area and a non-active area surrounding the active area. A sensing pattern is formed in the active region. The sensing pattern is used as a pattern for sensing position information. The sensing pattern includes sensing cells formed of a transparent conductive layer and a bridge pattern connecting the sensing cells. A connection line may be formed in the non-active area. The connection wire may be connected to the sensing pattern to transmit a signal sensed by the sensing pattern to the driving circuit.

본 발명의 실시 예는 센싱 셀 상의 금속막을 선택적으로 식각할 수 있고, 금속막 선택적 식각 시 센싱 셀의 손상을 줄일 수 있는 터치 스크린 패널 및 그 제조방법을 제공한다.
An embodiment of the present invention provides a touch screen panel capable of selectively etching a metal film on a sensing cell, and reducing damage to a sensing cell when the metal film is selectively etched, and a method of manufacturing the same.

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 패널은 활성 영역 및 활성 영역을 감싸는 비활성 영역을 포함하는 기판; 상기 활성 영역에 배치되고, 제1 투명 도전막으로 형성된 센싱 셀들; 상기 제1 투명 도전막으로 형성된 하부 패턴, 및 상기 하부 패턴 상에 적층되고 상기 제1 투명 도전막보다 이온화 경향이 큰 금속막으로 형성된 상부 패턴을 포함하며, 상기 비활성 영역에 배치된 연결 배선들을 포함할 수 있다.A touch screen panel according to an embodiment of the present invention includes: a substrate including an active area and a non-active area surrounding the active area; sensing cells disposed in the active region and formed of a first transparent conductive layer; a lower pattern formed of the first transparent conductive film, and an upper pattern formed of a metal film laminated on the lower pattern and having a greater ionization tendency than the first transparent conductive film, and connecting wirings disposed in the inactive region can do.

상기 제1 투명 도전막은 은을 포함할 수 있다.The first transparent conductive layer may include silver.

상기 금속막은 알루미늄을 포함할 수 있다.The metal layer may include aluminum.

상기 제1 투명 도전막은 은 나노 와이어를 포함하고, 상기 금속막은 알루미늄막을 포함할 수 있다.The first transparent conductive layer may include silver nanowires, and the metal layer may include an aluminum layer.

상기 금속막 하부에 적층된 접촉 증진막을 더 포함할 수 있다.It may further include a contact enhancing layer laminated on the lower portion of the metal layer.

상기 금속막 상부에 적층된 부식 방지막을 더 포함할 수 있다.
It may further include a corrosion protection layer laminated on the metal layer.

상기 센싱 셀들은 상기 기판의 일 면 상에서 제1 방향을 따라 배열된 제1 센싱 셀들; 및 상기 기판의 상기 일 면 상에서 상기 제1 방향에 교차되는 제2 방향을 따라 배열된 제2 센싱 셀들을 포함할 수 있다.The sensing cells may include first sensing cells arranged along a first direction on one surface of the substrate; and second sensing cells arranged along a second direction crossing the first direction on the one surface of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따른 터치 스크린 패널은 상기 제1 센싱 셀들 상에서 상기 제1 센싱 셀들 사이를 연결하는 제1 브릿지 패턴; 상기 제1 브릿지 패턴과 교차되며, 상기 제2 센싱 셀들 사이를 연결하는 제2 브릿지 패턴; 및 상기 제1 브릿지 패턴과 상기 제2 브릿지 패턴 사이에 형성된 절연 패턴을 더 포함할 수 있다.A touch screen panel according to an embodiment of the present invention includes a first bridge pattern on the first sensing cells for connecting the first sensing cells; a second bridge pattern crossing the first bridge pattern and connecting the second sensing cells; and an insulating pattern formed between the first bridge pattern and the second bridge pattern.

상기 제1 브릿지 패턴은 알루미늄막을 포함할 수 있다.The first bridge pattern may include an aluminum layer.

상기 제1 브릿지 패턴은 상기 알루미늄막 하부에 적층된 제2 투명 도전막 및 상기 알루미늄막 상부에 적층된 제3 투명 도전막 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다.
The first bridge pattern may further include at least one of a second transparent conductive layer stacked on a lower portion of the aluminum layer and a third transparent conductive layer stacked on an upper portion of the aluminum layer.

상기 센싱 셀들은 상기 기판의 제1 면 상에서 제1 방향을 따라 배열되며 상기 제1 투명 도전막으로 형성된 제1 센싱 셀들; 및 상기 기판의 제1 면에 마주하는 상기 기판의 제2 면 상에서 상기 제1 방향에 교차되는 제2 방향을 따라 배열되며 상기 제1 투명 도전막으로 형성된 제2 센싱 셀들을 포함할 수 있다.
The sensing cells may include: first sensing cells arranged in a first direction on the first surface of the substrate and formed of the first transparent conductive layer; and second sensing cells arranged in a second direction intersecting the first direction on a second surface of the substrate facing the first surface of the substrate and formed of the first transparent conductive layer.

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 패널의 제조방법은 활성 영역 및 활성 영역을 감싸는 비활성 영역을 포함하는 기판 상에 투명 도전막을 형성하는 단계; 상기 투명 도전막 상에 상기 투명 도전막보다 이온화 경향이 큰 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막 및 상기 투명 도전막을 제1 식각 물질로 식각하여 상기 활성 영역에 예비 센싱 셀들(preliminary sensing cell)을 형성하고, 상기 비활성 영역에 연결 배선들을 형성하는 단계; 및 상기 예비 센싱 셀들의 상기 투명 도전막이 노출되도록 상기 예비 센싱 셀들의 상기 금속막을 제2 식각 물질로 선택적으로 식각하여 센싱 셀들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a touch screen panel according to an embodiment of the present invention includes forming a transparent conductive film on a substrate including an active region and a non-active region surrounding the active region; forming a metal film having a greater ionization tendency than the transparent conductive film on the transparent conductive film; etching the metal layer and the transparent conductive layer with a first etching material to form preliminary sensing cells in the active area, and forming connection lines in the non-active area; and selectively etching the metal layers of the preliminary sensing cells with a second etching material to form sensing cells to expose the transparent conductive layers of the preliminary sensing cells.

상기 투명 도전막은 은을 포함할 수 있다.The transparent conductive layer may include silver.

상기 금속막은 알루미늄을 포함할 수 있다.The metal layer may include aluminum.

상기 투명 도전막은 은 나노 와이어를 포함하고, 상기 금속막은 알루미늄막을 포함할 수 있다.The transparent conductive layer may include silver nanowires, and the metal layer may include an aluminum layer.

상기 제1 식각 물질은 산성 에천트(etchant)를 포함할 수 있다.The first etching material may include an acidic etchant.

상기 제1 식각 물질은 질산(HNO3)을 포함할 수 있다.The first etching material may include nitric acid (HNO 3 ).

상기 제2 식각 물질은 염기성 에천트(etchant)를 포함할 수 있다.The second etching material may include a basic etchant.

상기 제2 식각 물질은 수산화 나트륨(NaOH)을 포함할 수 있다.The second etching material may include sodium hydroxide (NaOH).

상기 수산화 나트륨은 상기 제2 식각 물질 내에서 0.001 내지 50wt%로 포함될 수 있다.
The sodium hydroxide may be included in an amount of 0.001 to 50 wt% in the second etching material.

본 발명의 실시 예는 투명 도전막에 비해 이온화 경향이 큰 금속막을 이용하여 연결 배선을 형성함으로써 센싱 셀이 배치된 영역에서 금속막이 제거되도록 금속막을 선택적으로 식각할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the metal layer may be selectively etched so that the metal layer is removed from the region in which the sensing cell is disposed by forming a connection line using a metal layer having a greater ionization tendency than the transparent conductive layer.

본 발명의 실시 예는 금속막을 선택적으로 식각할 수 있으므로 투명 도전막으로 형성된 센싱 셀의 손상을 줄일 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, since the metal film can be selectively etched, damage to the sensing cell formed of the transparent conductive film can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 터치 스크린 패널의 평면도이다.
도 2 내지 도 5는 도 1에 도시된 터치 스크린 패널의 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 터치 스크린 패널의 단면도이다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 실시 예들에 따른 터치 스크린 패널의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a plan view of a touch screen panel according to an embodiment of the present invention.
2 to 5 are cross-sectional views of the touch screen panel shown in FIG. 1 .
6 is a cross-sectional view of a touch screen panel according to an embodiment of the present invention.
7 to 11 are diagrams for explaining a method of manufacturing a touch screen panel according to embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시 예에 한정되는 것은 아니다. 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Only this embodiment is provided to complete the disclosure of the present invention and to fully inform those of ordinary skill in the scope of the invention, and the scope of the present invention should be understood by the claims of the present application.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 터치 스크린 패널의 평면도이다.1 is a plan view of a touch screen panel according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 터치 스크린 패널은 활성 영역(Active area; AA) 및 비활성 영역(Non active area; NA)을 포함하는 기판(101), 활성 영역(AA)에 교차되게 배치된 제1 센싱 전극(E1) 및 제2 센싱 전극(E2), 비활성 영역(NA)에 배치된 제1 연결 배선(L1) 및 제2 연결 배선(L2)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the touch screen panel includes a substrate 101 including an active area (AA) and a non-active area (NA), and a first sensing electrode intersecting the active area (AA). It may include an E1 and a second sensing electrode E2 , and a first connection line L1 and a second connection line L2 disposed in the non-active area NA.

기판(101)은 투명한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(101)은 유리 또는 플렉서블한 특성을 갖는 폴리머로 형성될 수 있다. 폴리머로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 무연신 폴리카보네이트(PC), 환형 폴리올레핀(Cyclic Polyolefin: COP), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌(PE) 등이 이용될 수 있다.The substrate 101 may be formed of a transparent material. For example, the substrate 101 may be formed of glass or a polymer having flexible properties. As the polymer, polyethylene terephthalate (PET), unstretched polycarbonate (PC), cyclic polyolefin (COP), polyimide (PI), polyethylene (PE), etc. may be used.

활성 영역(AA)은 영상이 표시되는 영역으로 정의되며, 비활성 영역(NA)은 활성 영역(AA)을 감싸는 영역으로 정의될 수 있다.The active area AA may be defined as an area on which an image is displayed, and the inactive area NA may be defined as an area surrounding the active area AA.

제1 센싱 전극(E1)은 활성 영역(AA)에 배치되며 제1 방향(예를 들어, X방향)을 따라 배열된 제1 센싱 셀들(103S1) 및 제1 방향을 따라 서로 이웃한 제1 센싱 셀들(103S1)을 연결하는 제1 브릿지 패턴(B1)을 포함할 수 있다. 제1 센싱 셀들(103S1) 각각은 마름모 형상으로 형성될 수 있다. 제1 브릿지 패턴(B1)은 제1 센싱 셀들(103S1)에 비해 좁은 바(bar) 형상으로 형성될 수 있다.The first sensing electrode E1 is disposed in the active area AA and the first sensing cells 103S1 arranged in a first direction (eg, X-direction) and first sensing cells adjacent to each other in the first direction A first bridge pattern B1 connecting the cells 103S1 may be included. Each of the first sensing cells 103S1 may be formed in a diamond shape. The first bridge pattern B1 may be formed in a narrow bar shape compared to the first sensing cells 103S1 .

제2 센싱 전극(E2)은 활성 영역(AA)에 배치되며 제1 방향에 교차되는 제2 방향(예를 들어, Y방향)을 따라 배열된 제2 센싱 셀들(103S2) 및 제2 방향을 따라 서로 이웃한 제2 센싱 셀들(103S2)을 연결하는 제2 브릿지 패턴(103B2)을 포함할 수 있다. 제2 센싱 셀들(103S2) 각각은 마름모 형상으로 형성될 수 있다. 제2 센싱 셀들(103S2)은 제1 센싱 셀들(103S1)로부터 이격될 수 있다. 제2 브릿지 패턴(103B2)은 제1 브릿지 패턴(B1)에 교차될 수 있다. 제2 브릿지 패턴(B2)은 제2 센싱 셀들(S2)에 비해 좁은 바(bar) 형상으로 형성될 수 있다. The second sensing electrode E2 is disposed in the active area AA, the second sensing cells 103S2 are arranged along the second direction (eg, the Y direction) intersecting the first direction, and along the second direction. A second bridge pattern 103B2 connecting adjacent second sensing cells 103S2 may be included. Each of the second sensing cells 103S2 may be formed in a diamond shape. The second sensing cells 103S2 may be spaced apart from the first sensing cells 103S1 . The second bridge pattern 103B2 may cross the first bridge pattern B1 . The second bridge pattern B2 may be formed in a narrow bar shape compared to the second sensing cells S2 .

제1 센싱 셀들(103S1)과 제2 센싱 셀들(103S2)은 서로 중첩되지 않도록 교호적으로 배치될 수 있다. 제1 센싱 셀들(103S1)과 제2 센싱 셀들(103S2)은 투명 도전막으로 형성될 수 있다.The first sensing cells 103S1 and the second sensing cells 103S2 may be alternately arranged so as not to overlap each other. The first sensing cells 103S1 and the second sensing cells 103S2 may be formed of a transparent conductive layer.

제1 센싱 전극(E1) 및 제2 센싱 전극(E2)은 기판(101)의 동일면 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 센싱 셀들(103S1 및 103S2)은 동일한 평면에 형성될 수 있다. 제1 및 제2 센싱 셀들(103S1 및 103S2)이 동일한 평면에 형성되는 경우, 터치 스크린 패널의 반사율이 균일해질 수 있다. 제1 브릿지 패턴(B1)과 제2 브릿지 패턴(103B2)은 절연 패턴을 사이에 두고 서로 절연될 수 있다. 예를 들어, 제1 브릿지 패턴(B1)과 제2 브릿지 패턴(103B2) 중 어느 하나는 절연 패턴 하부에서 제1 및 제2 센싱 셀들(103S1 및 103S2)과 동일한 평면에 배치되고, 나머지 하나는 절연 패턴 상부에서 제1 및 제2 센싱 셀들(103S1 및 103S2)과 다른 평면에 배치될 수 있다. 보다 구체적으로 예를 들면, 제2 브릿지 패턴(103B2)은 제2 센싱 셀들(103S2)로부터 연장되어 형성될 수 있고, 절연 패턴 하부에 배치될 수 있다. 그리고, 제1 브릿지 패턴(B1)은 절연 패턴 상부에 배치될 수 있고, 제1 센싱 셀들(103S1) 중 서로 이웃한 2개의 셀들에 접촉되도록 배치될 수 있다.The first sensing electrode E1 and the second sensing electrode E2 may be disposed on the same surface of the substrate 101 . In this case, the first and second sensing cells 103S1 and 103S2 may be formed on the same plane. When the first and second sensing cells 103S1 and 103S2 are formed on the same plane, the reflectance of the touch screen panel may be uniform. The first bridge pattern B1 and the second bridge pattern 103B2 may be insulated from each other with an insulating pattern interposed therebetween. For example, any one of the first bridge pattern B1 and the second bridge pattern 103B2 is disposed on the same plane as the first and second sensing cells 103S1 and 103S2 under the insulation pattern, and the other one is insulated It may be disposed on a different plane from the first and second sensing cells 103S1 and 103S2 on the pattern top. More specifically, for example, the second bridge pattern 103B2 may be formed to extend from the second sensing cells 103S2 and may be disposed under the insulating pattern. In addition, the first bridge pattern B1 may be disposed on the insulating pattern, and may be disposed to contact two adjacent cells among the first sensing cells 103S1 .

제1 연결 배선(L1)은 제1 센싱 전극(E1)과 위치 검출회로와 같은 구동회로(미도시)를 연결시키기 위해 비활성 영역(NA)에 형성될 수 있다. 제1 연결 배선(L1)은 제1 센싱 셀들(103S1)로부터 연장된 투명 도전막과 투명 도전막 상에 적층된 금속막으로 형성될 수 있다. The first connection line L1 may be formed in the non-active area NA to connect the first sensing electrode E1 and a driving circuit (not shown) such as a position detection circuit. The first connection line L1 may be formed of a transparent conductive layer extending from the first sensing cells 103S1 and a metal layer stacked on the transparent conductive layer.

제2 연결 배선(L2)은 제2 센싱 전극(E2)과 구동회로를 연결시키기 위해 비활성 영역(NA)에 형성될 수 있다. 제2 연결 배선(L2)은 제2 센싱 셀들(103S2)로부터 연장된 투명 도전막과 투명 도전막 상에 적층된 금속막으로 형성될 수 있다.The second connection line L2 may be formed in the non-active area NA to connect the second sensing electrode E2 and the driving circuit. The second connection line L2 may be formed of a transparent conductive layer extending from the second sensing cells 103S2 and a metal layer stacked on the transparent conductive layer.

제1 및 제2 연결 배선(L1, L2)을 구성하는 금속막은 투명 도전막보다 이온화 경향이 큰 금속으로 형성될 수 있다. 이로써, 투명 도전막과 금속막을 제1 식각 물질로 동시에 패터닝하거나, 제2 식각 물질로 금속막만을 선택적으로 식각할 수 있다. 금속막은 투명 도전막보다 저항이 낮은 물질일 수 있다.The metal layer constituting the first and second connection lines L1 and L2 may be formed of a metal having a greater ionization tendency than the transparent conductive layer. Accordingly, the transparent conductive layer and the metal layer may be simultaneously patterned using the first etching material, or only the metal layer may be selectively etched using the second etching material. The metal layer may be a material having a lower resistance than the transparent conductive layer.

제1 연결 배선(L1)과 제2 연결 배선(L2)은 기판(101)의 동일면 상에 배치될 수 있다.The first connection line L1 and the second connection line L2 may be disposed on the same surface of the substrate 101 .

정전용량 방식의 터치 스크린 패널의 경우, 사용자의 접촉 위치에 따른 정전용량 변화가 제1 및 제2 센싱 전극(E1, E2)으로부터 제1 및 제2 연결 배선(L1, L2)을 경유하여 구동회로에 전송되어, 사용자의 접촉 위치가 파악될 수 있다.
In the case of a capacitive touch screen panel, a change in capacitance according to a user's contact position is generated from the first and second sensing electrodes E1 and E2 through the first and second connecting wires L1 and L2 to the driving circuit transmitted to, the user's contact location can be identified.

도 2 내지 도 5는 도 1에 도시된 터치 스크린 패널의 단면도들이다. 보다 구체적으로, 도 2 내지 도 5는 제1 연결 배선들(L1)에 교차되는 제1 방향(예를 들어, X 방향)을 따라 절취한 제1 연결 배선들(L1)의 단면, 제1 센싱 전극(E1)의 연장 방향(예를 들어, X 방향)을 따라 절취한 터치 스크린 패널 일부의 단면, 및 제2 연결 배선들(L2)에 교차되는 제2 방향(예를 들어, Y 방향)을 따라 절취한 제2 연결 배선들(L2)의 단면을 나타낸다.2 to 5 are cross-sectional views of the touch screen panel shown in FIG. 1 . More specifically, FIGS. 2 to 5 are cross-sections of the first connection wires L1 cut along a first direction (eg, X direction) intersecting the first connection wires L1, the first sensing A cross section of a portion of the touch screen panel cut along the extension direction (eg, X direction) of the electrode E1 and a second direction (eg, Y direction) crossing the second connection wires L2 A cross-section of the second connection lines L2 cut along is shown.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 제1 센싱 전극(E1), 제2 센싱 전극(E2), 제1 연결 배선(L1) 및 제2 연결 배선(L2)은 기판(101)의 일면 상에 배치될 수 있다. 제1 센싱 전극(E1), 제2 센싱 전극(도 1의 E2), 제1 연결 배선(L1) 및 제2 연결 배선(L2)은 제1 그룹의 패턴들(103L1, 103S1, 103B2, 103L2, 도 1의 103S2)을 구성하는 투명 도전막을 포함할 수 있다. 제1 연결 배선(L1) 및 제2 연결 배선(L2)은 제2 그룹의 패턴들(105L1, 105L2)을 구성하는 금속막을 더 포함할 수 있다. 제1 센싱 전극(E1)은 제1 브릿지 패턴(B1)을 구성하는 도전막을 더 포함할 수 있다.2 to 5 , the first sensing electrode E1 , the second sensing electrode E2 , the first connection line L1 , and the second connection line L2 are disposed on one surface of the substrate 101 . can be The first sensing electrode E1, the second sensing electrode (E2 in FIG. 1), the first connection line L1, and the second connection line L2 include the first group of patterns 103L1, 103S1, 103B2, 103L2, A transparent conductive film constituting 103S2 of FIG. 1 may be included. The first connection line L1 and the second connection line L2 may further include a metal layer constituting the patterns 105L1 and 105L2 of the second group. The first sensing electrode E1 may further include a conductive layer constituting the first bridge pattern B1.

제1 그룹의 패턴들(103L1, 103S1, 103B2, 103L2, 도 1의 103S2)은 동일 평면에 형성될 수 있다. 제1 그룹의 패턴들은 제1 연결 배선(L1)의 하부 패턴(103L1), 제1 센싱 전극(E1)의 제1 센싱 셀들(103S1), 제2 센싱 전극(E2)의 제2 브릿지 패턴(103B2), 및 제2 연결 배선(L2)의 하부 패턴(103L2)을 포함할 수 있다. 도 2 내지 도 5의 활성 영역(AA)의 단면도들에는 도시되지 않았으나, 제1 그룹의 패턴들은 제2 센싱 전극(E2)의 제2 센싱 셀들(도 1의 103S2)을 더 포함할 수 있다. 제1 연결 배선(L1)의 하부 패턴(103L1)은 제1 센싱 셀들(103S1) 중 비활성 영역(NA)에 인접한 어느 하나의 셀로부터 연장된 것일 수 있다. 제2 브릿지 패턴(103B2)은 도 1에서 상술한 바와 같이 제2 센싱 셀들(도 1의 103S2) 사이를 연결하는 것으로서, 제2 센싱 셀들(도 1의 103S2)로부터 연장된 것일 수 있다. 제2 연결 배선(L2)의 하부 패턴(103L2)은 제2 센싱 셀들(도 1의 103S2) 중 비활성 영역(NA)에 인접한 어느 하나의 셀로부터 연장된 것일 수 있다.The first group of patterns 103L1, 103S1, 103B2, 103L2, and 103S2 of FIG. 1 may be formed on the same plane. The first group of patterns includes the lower pattern 103L1 of the first connection line L1, the first sensing cells 103S1 of the first sensing electrode E1, and the second bridge pattern 103B2 of the second sensing electrode E2. ), and a lower pattern 103L2 of the second connection line L2 . Although not shown in the cross-sectional views of the active area AA of FIGS. 2 to 5 , the first group of patterns may further include second sensing cells ( 103S2 of FIG. 1 ) of the second sensing electrode E2 . The lower pattern 103L1 of the first connection line L1 may extend from one of the first sensing cells 103S1 adjacent to the non-active area NA. The second bridge pattern 103B2 connects between the second sensing cells ( 103S2 of FIG. 1 ) as described above with reference to FIG. 1 , and may extend from the second sensing cells ( 103S2 of FIG. 1 ). The lower pattern 103L2 of the second connection line L2 may extend from any one of the second sensing cells ( 103S2 of FIG. 1 ) adjacent to the non-active area NA.

제1 그룹의 패턴들(103L1, 103S1, 103B2, 103L2, 도 1의 103S2)을 구성하는 투명 도전막은 은을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 투명 도전막은 은 나노 와이어 또는 은 나노 페이스트로 형성될 수 있다. 은 나노 와이어로 형성된 제1 그룹의 패턴들(103L1, 103S1, 103B2, 103L2, 도 1의 103S2)을 포함하는 터치 스크린 패널은 플렉서블한 특성을 가질 수 있다.The transparent conductive layer constituting the first group of patterns 103L1, 103S1, 103B2, 103L2, and 103S2 of FIG. 1 may include silver. More specifically, the transparent conductive film may be formed of silver nanowires or silver nanopaste. The touch screen panel including the first group of patterns 103L1, 103S1, 103B2, 103L2, and 103S2 of FIG. 1 formed of silver nanowires may have a flexible characteristic.

제2 그룹의 패턴들(105L1, 105L2)은 동일 평면에 형성될 수 있다. 제2 그룹의 패턴들은 제1 연결 배선(L1)의 상부 패턴(105L1) 및 제2 연결 배선(L2)의 상부 패턴(105L2)을 포함할 수 있다. 상부 패턴들(105L1, 105L2)은 하부 패턴들(103L1, 103L2) 상에 형성될 수 있다.The second group of patterns 105L1 and 105L2 may be formed on the same plane. The second group of patterns may include an upper pattern 105L1 of the first connection line L1 and an upper pattern 105L2 of the second connection line L2. The upper patterns 105L1 and 105L2 may be formed on the lower patterns 103L1 and 103L2.

제2 그룹의 패턴들(105L1, 105L2)을 구성하는 금속막은 제1 그룹의 패턴들(103L1, 103S1, 103B2, 103L2, 도 1의 103S2)을 구성하는 투명 도전막에 비해 이온화 경향이 큰 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 금속막은 알루미늄을 포함할 수 있다. 제1 센싱 전극(E1)의 제1 브릿지 패턴(B1)은 도 1에서 상술한 바와 같이 제2 브릿지 패턴(103B2)에 교차되고, 제1 센싱 셀들(103S1) 사이를 연결할 수 있다. 제1 브릿지 패턴(B1)과 제2 브릿지 패턴(103B2) 사이에 절연 패턴(111)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 브릿지 패턴(B1)과 제2 브릿지 패턴(103B2)이 절연 패턴(111)에 의해 서로 절연될 수 있다. 제1 브릿지 패턴(B1)은 절연 패턴(111) 상에 배치되며, 제2 브릿지 패턴(103B2)은 절연 패턴(111) 하부에 배치될 수 있다.The metal film constituting the second group of patterns 105L1 and 105L2 is made of a material having a greater ionization tendency than the transparent conductive film constituting the first group of patterns 103L1, 103S1, 103B2, 103L2, and 103S2 in FIG. 1 . can be formed. For example, the metal layer may include aluminum. As described above with reference to FIG. 1 , the first bridge pattern B1 of the first sensing electrode E1 may cross the second bridge pattern 103B2 and connect between the first sensing cells 103S1 . An insulating pattern 111 may be disposed between the first bridge pattern B1 and the second bridge pattern 103B2 . Accordingly, the first bridge pattern B1 and the second bridge pattern 103B2 may be insulated from each other by the insulating pattern 111 . The first bridge pattern B1 may be disposed on the insulating pattern 111 , and the second bridge pattern 103B2 may be disposed under the insulating pattern 111 .

절연 패턴(111)은 서로 이웃한 제1 센싱 셀들(103S1) 사이에 형성되며, 제1 센싱 셀들(103S1)를 노출시키도록 형성될 수 있다. 절연 패턴(111)은 제1 브릿지 패턴(B1)의 연장 방향을 따라 바(bar) 타입으로 형성될 수 있다. 제1 브릿지 패턴(B1)은 절연 패턴(111) 양단에서 노출된 제1 센싱 셀들(103S1)에 접촉되도록 형성될 수 있다.The insulating pattern 111 may be formed between adjacent first sensing cells 103S1 and may be formed to expose the first sensing cells 103S1 . The insulating pattern 111 may be formed in a bar type along the extending direction of the first bridge pattern B1. The first bridge pattern B1 may be formed to contact the first sensing cells 103S1 exposed at both ends of the insulating pattern 111 .

제1 브릿지 패턴(B1)은 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이 투명 도전막보다 저항이 낮은 금속막의 단일막으로 형성될 수 있다. 투명 도전막보다 저항이 낮은 금속막으로서 알루미늄막이 이용될 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 5 , the first bridge pattern B1 may be formed of a single layer of a metal layer having a lower resistance than a transparent conductive layer. An aluminum film may be used as the metal film having a lower resistance than the transparent conductive film.

제1 브릿지 패턴(B1)은 도 3에 도시된 바와 같이 2중막으로 형성될 수 있다. 2중막은 제1 브릿지 패턴(B1)의 투과도를 개선하기 위한 투명 도전막(121)과, 제1 브릿지 패턴(B1)의 저항을 낮추기 위해 투명 도전막(121) 상에 형성된 금속막(123)을 포함할 수 있다. 제1 브릿지 패턴(B1)의 투명 도전막(121)으로서, 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO) 등이 이용될 수 있다. 제1 브릿지 패턴(B1)의 금속막(123)으로서 투명 도전막(121)보다 저항이 낮은 알루미늄막이 이용될 수 있다.The first bridge pattern B1 may be formed of a double layer as shown in FIG. 3 . The double layer includes a transparent conductive layer 121 for improving the transmittance of the first bridge pattern B1 and a metal layer 123 formed on the transparent conductive layer 121 to lower the resistance of the first bridge pattern B1. may include. As the transparent conductive layer 121 of the first bridge pattern B1, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like may be used. As the metal layer 123 of the first bridge pattern B1 , an aluminum layer having a lower resistance than the transparent conductive layer 121 may be used.

제1 브릿지 패턴(B1)은 도 4에 도시된 바와 같이 3중막으로 형성될 수 있다. 3중막은 금속막(123)과, 금속막(123) 상부 및 하부에 각각 적층된 투명 도전막들(121, 125)을 포함할 수 있다. 금속막(123)은 제1 브릿지 패턴(B1)의 저항을 낮추기 위해 형성되는 것으로서 알루미늄막으로 형성될 수 있다. 금속막(123) 상/하부에 배치된 투명 도전막들(121, 125)은 제1 브릿지 패턴(B1)의 투과도를 향상시키고, 금속막(123)의 산화를 방지하기 위해 형성되는 것으로서, 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO) 등으로 형성될 수 있다.The first bridge pattern B1 may be formed of a triple layer as shown in FIG. 4 . The triple layer may include a metal layer 123 and transparent conductive layers 121 and 125 stacked on top and bottom of the metal layer 123 , respectively. The metal layer 123 is formed to lower the resistance of the first bridge pattern B1 and may be formed of an aluminum layer. The transparent conductive layers 121 and 125 disposed above and below the metal layer 123 are formed to improve the transmittance of the first bridge pattern B1 and prevent oxidation of the metal layer 123 . It may be formed of tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like.

이외에도 제1 브릿지 패턴(B1)은 3중 이상의 다중막으로 형성될 수 있다.In addition, the first bridge pattern B1 may be formed of three or more multilayers.

도 5에 도시된 바와 같이, 금속막으로 형성된 제1 연결 배선(L1)의 상부 패턴(105L1)과 제2 연결 배선(L2)의 상부 패턴(105L2) 각각의 하부에 접촉 증진막들(104L1, 104L2)이 더 형성될 수 있다. 또한, 금속막으로 형성된 제1 연결 배선(L1)의 상부 패턴(105L1)과 제2 연결 배선(L2)의 상부 패턴(105L2) 각각의 상부에 부식 방지막들(106L1, 106L2)이 더 형성될 수 있다. 접촉 증진막들(104L1, 104L2) 및 부식 방지막들(106L1, 106L2)은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 등으로 형성될 수 있다.
As shown in FIG. 5 , contact enhancing layers 104L1 are formed under each of the upper pattern 105L1 of the first connecting line L1 and the upper pattern 105L2 of the second connecting line L2 formed of a metal film; 104L2) may be further formed. In addition, corrosion prevention layers 106L1 and 106L2 may be further formed on each of the upper pattern 105L1 of the first connecting line L1 and the upper pattern 105L2 of the second connecting line L2 formed of a metal film. have. The contact enhancing layers 104L1 and 104L2 and the corrosion preventing layers 106L1 and 106L2 may be formed of molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (Cr), or the like.

도 1 내지 도 5에서 상술한 바와는 다르게, 제1 센싱 전극(도 1의 E1)은 기판(101)의 제1 면 상에 형성되고, 제2 센싱 전극(도 1의 E2)은 기판(101)의 제1 면에 마주하는 제2 면 상에 형성될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 이에 대해 보다 구체적으로 설명한다.1 to 5, the first sensing electrode (E1 in FIG. 1) is formed on the first surface of the substrate 101, and the second sensing electrode (E2 in FIG. 1) is the substrate 101 ) may be formed on the second surface facing the first surface. Hereinafter, this will be described in more detail with reference to FIG. 6 .

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 터치 스크린 패널의 단면도이다. 도 6은 제1 및 제2 연결 배선들(L1, L2)이 중첩되는 영역에서 제1 및 제2 연결 배선들(L1, L2)에 교차되는 방향을 따라 절취한 비활성 영역(NA)의 단면과, 터치 스크린 패널의 대각 방향을 따라 절취한 활성 영역(AA)의 단면을 도시한 것이다.6 is a cross-sectional view of a touch screen panel according to an embodiment of the present invention. 6 is a cross-sectional view of the non-active area NA taken along a direction crossing the first and second connecting lines L1 and L2 in a region where the first and second connecting lines L1 and L2 overlap; , shows a cross-section of the active area AA cut along the diagonal direction of the touch screen panel.

도 6에 도시된 바와 같이, 제1 센싱 전극의 제1 센싱 셀들(103S1) 및 제1 브릿지 패턴(도 1의 B1)은 기판(101)의 제1 면(A)상에서, 동일한 평면에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 브릿지 패턴(도 1의 B1)은 제1 센싱 셀들(103S1)로부터 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 제2 센싱 전극의 제2 센싱 셀들(203S2) 및 제2 브릿지 패턴(도 1의 103B2)은 기판(101)의 제1 면(A)에 마주하는 제2 면(B) 상에서, 동일 평면에 배치될 수 있다. 이 경우, 제2 브릿지 패턴(도 1의 103B2)은 제2 센싱 셀들(203S2)로부터 연장되어 형성될 수 있다. 이러한 제1 및 제2 센싱 전극은 기판(101)에 의해 서로 절연될 수 있다.제1 센싱 셀들(103S1) 및 제2 센싱 셀들(203S2)의 형태를 포함하는 제1 센싱 전극 및 제2 센싱 전극의 형태는 도 1에 도시된 형태로 제한되지 않으며 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어 제1 센싱 셀들(103S1) 중 일부와 제2 센싱 셀들(203S2) 중 일부는 서로 중첩될 수 있다.6 , the first sensing cells 103S1 and the first bridge pattern (B1 in FIG. 1 ) of the first sensing electrode are disposed on the same plane on the first surface A of the substrate 101 . can In this case, the first bridge pattern (B1 in FIG. 1 ) may be formed to extend from the first sensing cells 103S1 . In addition, the second sensing cells 203S2 and the second bridge pattern ( 103B2 of FIG. 1 ) of the second sensing electrode are coplanar on the second surface B facing the first surface A of the substrate 101 . can be placed in In this case, the second bridge pattern ( 103B2 of FIG. 1 ) may be formed to extend from the second sensing cells 203S2 . The first and second sensing electrodes may be insulated from each other by the substrate 101 . The first sensing electrode and the second sensing electrode including the shapes of the first sensing cells 103S1 and the second sensing cells 203S2 . The shape of is not limited to the shape shown in FIG. 1 and may be variously changed. For example, some of the first sensing cells 103S1 and some of the second sensing cells 203S2 may overlap each other.

제1 연결 배선(L1)은 기판(101)의 제1 면(A) 상에 형성되고, 제2 연결 배선(L2)은 기판(101)의 제1 면(A)에 마주하는 제2 면(B) 상에 형성될 수 있다. 제1 연결 배선(L1)은 하부 패턴(103L1) 및 하부 패턴(103L1) 상에 적층된 상부 패턴(105L1)을 포함할 수 있다. 제2 연결 배선(L2)은 하부 패턴(203L2) 및 하부 패턴(203L2) 상에 적층된 상부 패턴(205L2)을 포함할 수 있다. 제1 연결 배선(L1) 및 제2 연결 배선(L2)은 서로 중첩될 수 있다.The first connection wiring L1 is formed on the first surface A of the substrate 101 , and the second connection wiring L2 is formed on the second surface (A) facing the first surface A of the substrate 101 . may be formed on B). The first connection line L1 may include a lower pattern 103L1 and an upper pattern 105L1 stacked on the lower pattern 103L1. The second connection line L2 may include a lower pattern 203L2 and an upper pattern 205L2 stacked on the lower pattern 203L2. The first connection line L1 and the second connection line L2 may overlap each other.

제1 연결 배선(L1)의 하부 패턴(103L1), 제1 센싱 전극의 제1 브릿지 패턴(도 1의 B1) 및 제1 센싱 셀들(103S1)은 제1 그룹의 패턴들을 구성하며 투명 도전막을 포함할 수 있다. 제1 그룹의 패턴들(103S1, 도 1의 B1, 103L1)은 동일 평면에 형성될 수 있다. 제1 연결 배선(L1)의 하부 패턴(103L1)은 제1 센싱 셀들(103S1) 중 비활성 영역(NA)에 인접한 어느 하나의 셀로부터 연장된 것일 수 있다. 제1 브릿지 패턴(도 1의 B1)은 도 1에서 상술한 바와 같이 제1 센싱 셀들(103S1) 사이를 연결하는 것으로서, 제1 센싱 셀들(103S1)로부터 연장된 것일 수 있다.The lower pattern 103L1 of the first connection line L1, the first bridge pattern (B1 of FIG. 1 ) of the first sensing electrode, and the first sensing cells 103S1 constitute a first group of patterns and include a transparent conductive layer. can do. The first group of patterns 103S1 (B1 and 103L1 of FIG. 1 ) may be formed on the same plane. The lower pattern 103L1 of the first connection line L1 may extend from one of the first sensing cells 103S1 adjacent to the non-active area NA. The first bridge pattern (B1 in FIG. 1 ) connects between the first sensing cells 103S1 as described above in FIG. 1 , and may extend from the first sensing cells 103S1 .

제2 연결 배선(L2)의 하부 패턴(203L2), 제2 센싱 전극의 제2 브릿지 패턴(도 1의 103B2) 및 제2 센싱 셀들(203S2)은 제2 그룹의 패턴들을 구성하며 투명 도전막을 포함할 수 있다. 제2 그룹의 패턴들(203S2, 도 1의 103B2, 203L2)은 동일 평면에 형성될 수 있다. 제2 연결 배선(L2)의 하부 패턴(203L2)은 제2 센싱 셀들(203S2) 중 비활성 영역(NA)에 인접한 어느 하나의 셀로부터 연장된 것일 수 있다. 제2 브릿지 패턴(도 2의 B2)은 도 1에서 상술한 바와 같이 제2 센싱 셀들(203S2) 사이를 연결하는 것으로서, 제2 센싱 셀들(203S2)로부터 연장된 것일 수 있다.The lower pattern 203L2 of the second connection line L2, the second bridge pattern 103B2 of FIG. 1 , and the second sensing cells 203S2 of the second sensing electrode constitute a second group of patterns and include a transparent conductive layer. can do. The second group of patterns 203S2 and 103B2 and 203L2 of FIG. 1 may be formed on the same plane. The lower pattern 203L2 of the second connection line L2 may extend from one of the second sensing cells 203S2 adjacent to the non-active area NA. The second bridge pattern (B2 in FIG. 2 ) connects between the second sensing cells 203S2 as described above in FIG. 1 , and may extend from the second sensing cells 203S2 .

제1 그룹의 패턴들(103S1, 도 1의 B1, 103L1) 및 제2 그룹의 패턴들(203S2, 도 1의 103B2, 203L2)을 구성하는 투명 도전막들은 은을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 투명 도전막들은 은 나노 와이어 또는 은 나노 페이스트로 형성될 수 있다. 은 나노 와이어로 형성된 제1 그룹의 패턴들(103S1, 도 1의 B1, 103L1) 및 제2 그룹의 패턴들(203S2, 도 1의 103B2, 203L2)을 포함하는 터치 스크린 패널은 플렉서블한 특성을 가질 수 있다.Transparent conductive layers constituting the first group of patterns 103S1 ( B1 and 103L1 of FIG. 1 ) and the second group of patterns 203S2 ( 103B2 and 203L2 of FIG. 1 ) may include silver. More specifically, the transparent conductive layers may be formed of silver nanowires or silver nanopaste. A touch screen panel including a first group of patterns 103S1 ( B1 and 103L1 in FIG. 1 ) and a second group of patterns 203S2 ( 103B2 and 203L2 in FIG. 1 ) formed of silver nanowires may have flexible characteristics. can

상부 패턴들(105L1, 205L2)은 하부 패턴들(103L1, 203L2) 상에 형성될 수 있다. 상부 패턴들(105L1, 205L2)은 금속막들로 형성될 수 있다. 금속막들은 제1 그룹의 패턴들(103S1, 도 1의 B1, 103L1) 및 제2 그룹의 패턴들(203S2, 도 1의 103B2, 203L2)을 구성하는 투명 도전막들에 비해 이온화 경향이 큰 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 금속막들은 알루미늄을 포함할 수 있다. 도면에 도시되진 않았으나, 투명 도전막과 금속막 사이에 접촉 증진막이 더 형성될 수 있다. 금속막의 상부에는 부식 방지막이 더 형성될 수 있다. 접촉 증진막 및 부식 방지막은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 등으로 형성될 수 있다.
The upper patterns 105L1 and 205L2 may be formed on the lower patterns 103L1 and 203L2. The upper patterns 105L1 and 205L2 may be formed of metal layers. The metal layers are a material having a greater ionization tendency than the transparent conductive layers constituting the first group of patterns 103S1 ( B1 and 103L1 of FIG. 1 ) and the second group of patterns 203S2 ( 103B2 and 203L2 of FIG. 1 ). can be formed with For example, the metal layers may include aluminum. Although not shown in the drawings, a contact enhancing layer may be further formed between the transparent conductive layer and the metal layer. An anti-corrosion layer may be further formed on the metal layer. The contact enhancing layer and the corrosion preventing layer may be formed of molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (Cr), or the like.

도 7 내지 도 11은 본 발명의 실시 예들에 따른 터치 스크린 패널의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.7 to 11 are diagrams for explaining a method of manufacturing a touch screen panel according to embodiments of the present invention.

도 7 및 도 8a를 참조하면, 도 1에 도시된 활성 영역(AA) 및 비활성 영역(NA)을 포함하는 기판(101)의 제1 면 상에 투명 도전막(103)을 형성한다(ST1). 투명 도전막(103)은 은을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 투명 도전막(103)은 은 나노 와이어 또는 은 나노 페이스트로 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8A , a transparent conductive layer 103 is formed on the first surface of the substrate 101 including the active area AA and the non-active area NA shown in FIG. 1 ( ST1 ). . The transparent conductive layer 103 may include silver. More specifically, the transparent conductive layer 103 may be formed of silver nanowires or silver nanopaste.

이어서, 투명 도전막(103) 상에 금속막(105)을 형성한다(ST3). 금속막(105)은 금속 페이스트를 스크린 인쇄등으로 프린팅하여 형성될 수 있다. 이 경우, 금속막(105)을 원하는 패턴으로 프린팅 할 수 있으므로 금속막(105)을 선택적으로 식각하지 않더라도, 활성 영역(도 1의 AA)을 노출하며 금속 페이스트로 형성된 연결 배선들을 형성할 수 있다. 그러나, 금속 페이스트로 연결 배선들을 형성하는 경우, 연결 배선들의 낮은 저항을 확보하기 위해 연결 배선들의 두께 및 폭을 크게 형성해야 한다. 이에 따라, 비활성 영역(도 1의 NA)이 차지하는 면적이 넓어질 수 있다. 증착방식으로 형성된 금속막(105)은 금속 페이스트로 형성된 금속막에 비해 낮은 저항을 갖는다. 본 발명의 실시 예는 낮은 저항의 연결 배선들을 얇고 좁게 형성하기 위해 증착 방식으로 금속막(105)을 형성할 수 있다.Next, a metal film 105 is formed on the transparent conductive film 103 (ST3). The metal film 105 may be formed by printing a metal paste by screen printing or the like. In this case, since the metal film 105 can be printed in a desired pattern, even if the metal film 105 is not selectively etched, the active area (AA in FIG. 1 ) is exposed and connection wires formed of the metal paste can be formed. . However, when the connecting wires are formed using the metal paste, the thickness and width of the connecting wires must be formed to be large in order to secure a low resistance of the connecting wires. Accordingly, the area occupied by the non-active area (NA in FIG. 1 ) may be increased. The metal film 105 formed by the deposition method has a lower resistance than the metal film formed of the metal paste. In an embodiment of the present invention, the metal layer 105 may be formed by a deposition method in order to form thin and narrow low-resistance connection lines.

상술한 바와 같이 증착 방식으로 형성된 금속막(105)은 투명 도전막(103)과 동시에 식각될 수 있어야 하며, 투명 도전막(103)의 손상없이 선택적으로 식각될 수 있어야 한다. 이를 위해, 금속막(105)은 투명 도전막(103)에 비해 이온화 경향이 큰 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 금속막(105)은 알루미늄을 포함할 수 있다. 이하에서는 투명 도전막(103)이 은을 포함하고, 금속막(105)이 알루미늄을 포함하는 경우를 예로 들어 후속 식각 공정들을 설명한다.As described above, the metal layer 105 formed by the deposition method should be able to be etched simultaneously with the transparent conductive layer 103 and be selectively etched without damaging the transparent conductive layer 103 . To this end, the metal layer 105 may be formed of a material having a greater ionization tendency than the transparent conductive layer 103 . For example, the metal layer 105 may include aluminum. Hereinafter, a case in which the transparent conductive layer 103 includes silver and the metal layer 105 includes aluminum will be exemplified to describe subsequent etching processes.

이어서, 금속막(105) 상에 포토레지스트 패턴(801A1, 801B)을 형성할 수 있다. 포토레지스트 패턴(801A1, 801B)은 예비 센싱 셀들, 예비 브릿지 패턴들 및 연결 배선들이 형성될 영역을 차단하고 나머지 영역을 개구하는 패턴으로 형성될 수 있다. 포토레지스트 패턴(801A1, 801B)은 제1 두께(D1)로 형성되는 제1 영역(801A1)과 제1 두께(D1)보다 얇은 제2 두께(D2)로 형성되는 제2 영역(801B)을 포함할 수 있다. 포토레지스트 패턴(801A1, 801B)의 제1 영역(801A1)은 연결 배선들이 형성될 영역을 차단하며, 제2 영역(801B)은 예비 센싱 셀들 및 예비 브릿지 패턴들이 형성될 영역을 차단할 수 있다. 제1 및 제2 두께(D1, D2)를 갖는 포토레지스트 패턴은 하프톤 마스크를 이용한 노광 공정 및, 현상 공정을 통해 형성될 수 있다.Next, photoresist patterns 801A1 and 801B may be formed on the metal layer 105 . The photoresist patterns 801A1 and 801B may be formed in a pattern that blocks a region where preliminary sensing cells, preliminary bridge patterns, and connection lines are to be formed and opens the remaining regions. The photoresist patterns 801A1 and 801B include a first region 801A1 formed with a first thickness D1 and a second region 801B formed with a second thickness D2 smaller than the first thickness D1. can do. The first region 801A1 of the photoresist patterns 801A1 and 801B may block a region in which connection lines are to be formed, and the second region 801B may block a region in which preliminary sensing cells and preliminary bridge patterns are to be formed. The photoresist pattern having the first and second thicknesses D1 and D2 may be formed through an exposure process using a halftone mask and a developing process.

도 7 및 도 8b를 참조하면, 제1 식각 물질로 투명 도전막 및 금속막을 식각하여 활성 영역(도 1의 AA)에 예비 센싱 셀들(preliminary sening cell:PS) 및 예비 브릿지 패턴들(preliminary sening cell:PB)을 형성하고, 비활성 영역(도 1의 NA)에 연결 배선들(L1, L2)을 형성한다(ST5). ST5 단계에서 포토레지스트 패턴(801A1, 801B)이 식각 베리어로 이용될 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8B , preliminary sensing cells (PS) and preliminary bridge patterns (preliminary sensing cells) are formed in the active region (AA of FIG. 1 ) by etching the transparent conductive layer and the metal layer with a first etching material. :PB), and forming connection lines L1 and L2 in the non-active area (NA of FIG. 1 ) ( ST5 ). In step ST5, the photoresist patterns 801A1 and 801B may be used as etch barriers.

예비 센싱 셀들(PS)과 예비 브릿지 패턴들(PB)은 포토레지스트 패턴의 제2 영역(801B) 하부에 형성될 수 있다. 예비 센싱 셀들(PS)은 투명 도전막 패턴(103S1) 및 금속막 패턴(105D1)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 예비 브릿지 패턴들(PB)은 투명 도전막 패턴(103B1) 및 금속막 패턴(105D2)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 연결 배선들(L1, L2)은 포토레지스트 패턴의 제1 영역(801A1) 하부에 형성될 수 있다. 연결 배선들(L1, L2)은 투명 도전막 패턴들(103L1, 103L2) 및 금속막 패턴들(105L1, 105L2)의 적층 구조로 형성될 수 있다.The preliminary sensing cells PS and the preliminary bridge patterns PB may be formed under the second region 801B of the photoresist pattern. The preliminary sensing cells PS may be formed in a stacked structure of a transparent conductive layer pattern 103S1 and a metal layer pattern 105D1 . The preliminary bridge patterns PB may be formed in a stacked structure of the transparent conductive layer pattern 103B1 and the metal layer pattern 105D2 . The connection lines L1 and L2 may be formed under the first region 801A1 of the photoresist pattern. The connecting wires L1 and L2 may be formed in a stacked structure of the transparent conductive layer patterns 103L1 and 103L2 and the metal layer patterns 105L1 and 105L2 .

제1 식각 물질은 투명 도전막(103)과 금속막(105)을 모두 식각할 수 있는 산성 에천트(etchant)를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 식각 물질은 질산(HNO3)을 포함할 수 있다. 질산에 의해 알루미늄으로 형성된 금속막이 식각될 수 있다. 또한, 질산과 은이 하기의 [반응식 1]에 표기된 바와 같이 반응하여 은으로 형성된 투명 도전막이 식각될 수 있다.The first etching material may include an acidic etchant capable of etching both the transparent conductive layer 103 and the metal layer 105 . More specifically, the first etching material may include nitric acid (HNO 3 ). A metal film formed of aluminum may be etched by nitric acid. In addition, the transparent conductive layer formed of silver may be etched by reacting nitric acid and silver as shown in [Scheme 1] below.

[반응식 1][Scheme 1]

2Ag(solid)+2HNO3(aq)->2AgNO3(aq)+H2(gas)2Ag(solid)+2HNO 3 (aq)->2AgNO 3 (aq)+H 2 (gas)

예비 센싱 셀들(PS)은 제1 및 제2 센싱 셀들(도 1의 103S1 및 103S2)과 동일한 패턴으로 형성되고, 예비 브릿지 패턴들(PB)은 제2 브릿지 패턴들(도 1의 103B2)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. 그리고, 연결 배선들은 도 1에 도시된 제1 연결 배선(도 1의 L1) 및 제2 연결 배선(도 1의 L2)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다.The preliminary sensing cells PS are formed in the same pattern as the first and second sensing cells 103S1 and 103S2 of FIG. 1 , and the preliminary bridge patterns PB have the same pattern as the second bridge patterns 103B2 of FIG. 1 ). It can be formed in a pattern. In addition, the connection wires may be formed in the same pattern as the first connection wire (L1 in FIG. 1 ) and the second connection wire (L2 in FIG. 1 ) illustrated in FIG. 1 .

도 7 및 도 8c를 참조하면, ST5 단계 이후, 포토레지스트 패턴의 제2 영역(801B)을 제거하여 예비 센싱 셀들(PS) 및 예비 브릿지 패턴들(PB)을 노출한다. 포토레지스트 패턴의 제2 영역(801B) 제거 시, 포토레지스트 패턴의 제1 영역(801A2)이 제1 두께(도 8a의 D1)보다 얇은 제3 두께(D3)로 잔류될 수 있다. 잔류된 포토레지스트 패턴의 제1 영역(801A2)은 연결 배선들(L1, L2)을 차단할 수 있다. Referring to FIGS. 7 and 8C , after step ST5 , the second region 801B of the photoresist pattern is removed to expose the preliminary sensing cells PS and the preliminary bridge patterns PB. When the second region 801B of the photoresist pattern is removed, the first region 801A2 of the photoresist pattern may remain with a third thickness D3 smaller than the first thickness (D1 of FIG. 8A ). The first region 801A2 of the remaining photoresist pattern may block the connection lines L1 and L2 .

도 7 및 도 8d를 참조하면, 제2 식각 물질로 예비 센싱 셀들(PS) 및 예비 브릿지 패턴들(PB)의 투명 도전막 패턴들(103S1, 103B2)이 노출되도록 예비 센싱 셀들(PS) 및 예비 브릿지 패턴들(PB)의 금속막 패턴들(105D1, 105D2)을 선택적으로 식각한다. 이로써, 예비 센싱 셀들(PS) 및 예비 브릿지 패턴들(PB)의 투명 도전막 패턴들(103S1, 103B2)이 센싱 셀들 및 브릿지 패턴들로서 잔류될 수 있다(ST7).7 and 8D , the preliminary sensing cells PS and the preliminary sensing cells PS and the preliminary sensing cells PS and the transparent conductive layer patterns 103S1 and 103B2 of the preliminary bridge patterns PB are exposed with the second etching material. The metal layer patterns 105D1 and 105D2 of the bridge patterns PB are selectively etched. Accordingly, the transparent conductive layer patterns 103S1 and 103B2 of the preliminary sensing cells PS and the preliminary bridge patterns PB may remain as sensing cells and bridge patterns (ST7).

잔류된 포토레지스트 패턴의 제1 영역(801A2)은 ST7 단계에서 식각 베리어로 이용될 수 있다. 제2 식각 물질은 금속막을 선택적으로 식각할 수 있는 염기성 에천트(etchant)를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 식각 물질은 수산화 나트륨(NaOH)을 포함할 수 있다. 수산화 나트륨에 의해 알루미늄으로 형성된 금속막이 식각될 수 있다. 또한, 수산화 나트륨과 알루미늄은 하기의 [반응식 2]에 표기된 바와 같이 반응하여 알루미늄으로 형성된 금속막이 선택적으로 식각될 수 있다.The remaining first region 801A2 of the photoresist pattern may be used as an etch barrier in step ST7. The second etching material may include a basic etchant capable of selectively etching the metal layer. More specifically, the second etching material may include sodium hydroxide (NaOH). A metal film formed of aluminum may be etched by sodium hydroxide. In addition, sodium hydroxide and aluminum may be reacted as shown in [Scheme 2] below to selectively etch a metal film formed of aluminum.

[반응식 2][Scheme 2]

2Al(solid)+2NaOH(aq)+6H2O(aq)->2NaAl(OH)4(aq)+3H2(gas) 2Al(solid)+2NaOH(aq)+6H 2 O(aq)->2NaAl(OH) 4 (aq)+3H 2 (gas)

ST7 단계 이후, 잔류된 포토레지스트 패턴의 제1 영역(801A2)을 제거할 수 있다. 이를 통해 제1 및 제2 센싱 셀들(도 1의 103S1 및 103S2)과 제2 브릿지 패턴들(도 1의 103B2)이 형성될 수 있다.
After step ST7, the remaining first region 801A2 of the photoresist pattern may be removed. Through this, first and second sensing cells ( 103S1 and 103S2 in FIG. 1 ) and second bridge patterns ( 103B2 in FIG. 1 ) may be formed.

도 9 및 도 10a를 참조하면, 상술한 ST7 단계 이후, 절연막을 형성하고 절연막을 패터닝하여 절연 패턴(111)을 형성할 수 있다(ST9).Referring to FIGS. 9 and 10A , after step ST7 described above, an insulating layer may be formed and the insulating layer may be patterned to form an insulating pattern 111 ( ST9 ).

도 9 및 도 10b를 참조하면, 절연 패턴(111) 상에 제2 브릿지 패턴(B2)을 형성하기 위한 도전막을 형성하고, 도전막을 패터닝하여 제2 브릿지 패턴(B2)을 형성할 수 있다(ST11).
Referring to FIGS. 9 and 10B , a conductive layer for forming the second bridge pattern B2 may be formed on the insulating pattern 111 , and the second bridge pattern B2 may be formed by patterning the conductive layer (ST11). ).

도 11을 참조하면, 도 6에 도시된 구조의 터치 스크린 패널을 형성하기 위해, 기판(101)의 제1 면 상에서 도 7 내지 도 8d에서 상술한 ST1 내지 ST7공정을 순차로 실시할 수 있다(ST101). 이로써 기판(101)의 제1 면 상에 제1 센싱 셀들(도 6의 103S1), 및 제1 연결 배선(도 1의 L1)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 11 , in order to form the touch screen panel having the structure shown in FIG. 6 , the steps ST1 to ST7 described above in FIGS. 7 to 8D may be sequentially performed on the first surface of the substrate 101 ( ST101). Accordingly, first sensing cells ( 103S1 in FIG. 6 ) and a first connection line ( L1 in FIG. 1 ) may be formed on the first surface of the substrate 101 .

이 후, 기판(101)의 제1 면에 마주하는 제2 면 상에서 도 7 내지 도 8d에서 상술한 ST1 내지 ST7공정을 순차로 실시할 수 있다(ST103). 이로써 기판(101)의 제2 면 상에 제2 센싱 셀들(도 6의 103S2) 및 제2 연결 배선(도 6의 L2)이 형성될 수 있다.
Thereafter, the steps ST1 to ST7 described above with reference to FIGS. 7 to 8D may be sequentially performed on the second surface facing the first surface of the substrate 101 (ST103). Accordingly, second sensing cells ( 103S2 in FIG. 6 ) and a second connection line ( L2 in FIG. 6 ) may be formed on the second surface of the substrate 101 .

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시 예들에 따라 구체적으로 기록되었으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
Although the technical idea of the present invention has been specifically recorded according to the above preferred embodiments, it should be noted that the above-described embodiments are for explanation and not for limitation. In addition, a person of ordinary skill in the art of the present invention will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical spirit of the present invention.

101: 기판 AA: 활성 영역
NA: 비활성 영역 E1: 제1 센싱 전극
E2: 제2 센싱 전극 103S1: 제1 센싱 셀
103S2, 203S2: 제2 센싱 셀 B1: 제1 브릿지 패턴
103B2: 제2 브릿지 패턴 L1: 제1 연결 배선
L2: 제2 연결 배선 103L1, 103L2, 203L2: 하부 패턴
105L1, 105L2, 205L2: 상부 패턴101: substrate AA: active region
NA: non-active area E1: first sensing electrode
E2: second sensing electrode 103S1: first sensing cell
103S2, 203S2: second sensing cell B1: first bridge pattern
103B2: second bridge pattern L1: first connection wiring
L2: second connection wiring 103L1, 103L2, 203L2: lower pattern
105L1, 105L2, 205L2: upper pattern

Claims (20)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 활성 영역 및 활성 영역을 감싸는 비활성 영역을 포함하는 기판 상에 투명 도전막을 형성하는 단계;
상기 투명 도전막 상에 상기 투명 도전막보다 이온화 경향이 큰 금속막을 형성하는 단계;
상기 비활성 영역의 상기 금속막 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 활성 영역의 상기 금속막 상에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 금속막 및 상기 투명 도전막을 제1 식각 물질로 식각하여 상기 활성 영역에 예비 센싱 셀들(preliminary sensing cell)을 형성하고, 상기 비활성 영역에 연결 배선들을 형성하는 단계; 및
상기 예비 센싱 셀들의 상기 투명 도전막이 노출되도록 상기 예비 센싱 셀들의 상기 금속막을 제2 식각 물질로 선택적으로 식각하여 센싱 셀들을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 제1 포토레지스트 패턴의 제1 두께는 상기 제2 포토레지스트 패턴의 제2 두께보다 두꺼운 터치 스크린 패널의 제조방법.forming a transparent conductive film on a substrate including an active region and a non-active region surrounding the active region;
forming a metal film having a greater ionization tendency than the transparent conductive film on the transparent conductive film;
forming a first photoresist pattern on the metal film in the non-active region and forming a second photoresist pattern on the metal film in the active region;
etching the metal layer and the transparent conductive layer with a first etching material to form preliminary sensing cells in the active area, and forming connection lines in the non-active area; and
forming sensing cells by selectively etching the metal film of the preliminary sensing cells with a second etching material so that the transparent conductive film of the preliminary sensing cells is exposed;
A first thickness of the first photoresist pattern is thicker than a second thickness of the second photoresist pattern. 제 12 항에 있어서,
상기 투명 도전막은 은을 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.13. The method of claim 12,
The transparent conductive film is a method of manufacturing a touch screen panel containing silver. 제 12 항에 있어서,
상기 금속막은 알루미늄을 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.13. The method of claim 12,
The metal film is a method of manufacturing a touch screen panel comprising aluminum. 제 12 항에 있어서,
상기 투명 도전막은 은 나노 와이어를 포함하고,
상기 금속막은 알루미늄막을 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.13. The method of claim 12,
The transparent conductive film includes silver nanowires,
The metal film is a method of manufacturing a touch screen panel including an aluminum film. 제 12 항에 있어서,
상기 제1 식각 물질은 산성 에천트를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.13. The method of claim 12,
The first etching material is a method of manufacturing a touch screen panel including an acid etchant. 제 12 항에 있어서,
상기 제1 식각 물질은 질산(HNO3)을 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.13. The method of claim 12,
The first etching material is a method of manufacturing a touch screen panel including nitric acid (HNO 3 ). 제 12 항에 있어서,
상기 제2 식각 물질은 염기성 에천트를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.13. The method of claim 12,
The second etching material is a method of manufacturing a touch screen panel including a basic etchant. 제 12 항에 있어서,
상기 제2 식각 물질은 수산화 나트륨(NaOH)을 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.13. The method of claim 12,
The second etching material is a method of manufacturing a touch screen panel including sodium hydroxide (NaOH). 제 19 항에 있어서,
상기 수산화 나트륨은 상기 제2 식각 물질 내에서 0.001 내지 50wt%로 포함되는 터치 스크린 패널의 제조방법.20. The method of claim 19,
The method of manufacturing a touch screen panel in which the sodium hydroxide is included in an amount of 0.001 to 50 wt% in the second etching material.
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