KR102296394B1 - Apparatus for etching substrates - Google Patents

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김정진
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Abstract

기판 에칭장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 에칭장치는, 내부에서 일면에 증착막이 형성된 기판에 대한 에칭 공정이 수행되는 진공 챔버와, 진공 챔버의 내부에 배치되며 진공 챔버의 내부로 로딩된 기판을 척킹하는 척킹부를 구비하는 스테이지유닛과, 진공 챔버의 외부에 위치되며 진공 챔버 내의 기판으로 레이저 빔(Laser Beam)을 조사(照射, irradiation)하여 증착막에 대한 에칭 공정을 수행하되 기판 일면의 반대편에 배치되는 레이저유닛을 포함한다.A substrate etching apparatus is disclosed. A substrate etching apparatus according to the present invention includes a vacuum chamber in which an etching process is performed on a substrate having a deposition film formed on one surface therein, and a chucking unit disposed inside the vacuum chamber and chucking a substrate loaded into the vacuum chamber a stage unit, and a laser unit positioned outside the vacuum chamber and irradiated with a laser beam to the substrate in the vacuum chamber to perform an etching process on the deposition film, but disposed on the opposite side of one surface of the substrate .

Figure R1020190176161
Figure R1020190176161

Description

기판 에칭장치{Apparatus for etching substrates}Apparatus for etching substrates

본 발명은, 기판 에칭장치에 관한 것에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판 에칭 공정에서 발생되는 파티클에 의해 광학계 오염을 방지할 수 있는 기판 에칭장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate etching apparatus, and more particularly, to a substrate etching apparatus capable of preventing contamination of an optical system by particles generated in a substrate etching process.

정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광 받고 있다.With the rapid development of information and communication technology and the expansion of the market, a flat panel display is in the spotlight as a display device.

이러한 평판표시소자에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이장치(Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 디스플레이(Organic Light Emitting Diode Display ) 등이 있다.Such flat panel display devices include a liquid crystal display, a plasma display panel, an organic light emitting diode display, and the like.

이 중에서 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)는, 빠른 응답속도, 기존의 액정표시장치(LCD)보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 소자로 각광받고 있다.Among them, the organic light emitting diode display (OLED display) has a fast response speed, lower power consumption than a conventional liquid crystal display (LCD), light weight, and can be made ultra-thin because there is no need for a separate backlight device, It has very good advantages such as high luminance, so it is in the spotlight as a next-generation display device.

유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)는 구동방식에 따라 수동형인 PMOLED와 능동형인 AMOLED로 나눌 수 있다. 특히 AMOLED는 자발광형 디스플레이로서 기존의 디스플레이보다 응답속도가 빠르며, 색감도 자연스럽고 전력 소모가 적다는 장점이 있다. 또한 AMOLED는 기판이 아닌 필름(Film) 등에 적용하면 플렉시블 디스플레이(Flexible Display)의 기술을 구현할 수 있게 된다.Organic light emitting diode display (OLED display) can be divided into passive type PMOLED and active type AMOLED according to the driving method. In particular, AMOLED is a self-luminous display, which has a faster response speed than conventional displays, natural colors, and low power consumption. In addition, when AMOLED is applied to a film rather than a substrate, it becomes possible to realize the technology of a flexible display.

이러한 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)는 패턴(Pattern) 형성 공정, 유기박막 증착 공정, 에칭 공정, 봉지 공정, 그리고 유기박막이 증착된 기판과 봉지 공정을 거친 기판을 붙이는 합착 공정 등을 통해 제품으로 생산될 수 있다.Such an organic light emitting diode display (OLED display) is a product through a pattern forming process, an organic thin film deposition process, an etching process, an encapsulation process, and a bonding process for attaching the substrate on which the organic thin film is deposited and the substrate that has undergone the encapsulation process. can be produced

한편, 다양한 공정들 중에서 에칭 공정은, 기판의 표면에서 불필요한 부분을 물리적 혹은 화학적 방법으로 식각, 즉 에칭함으로써, 원하는 모양을 얻어내는 공정이다.Meanwhile, among various processes, the etching process is a process of obtaining a desired shape by etching, ie, etching, an unnecessary part on the surface of the substrate by a physical or chemical method.

에칭 공정에는 반도체와 마찬가지로 물리적 혹은 화학적인 다양한 방법이 사용되고 있는데, 이중의 하나가 레이저에 의한 에칭 방법이다. 레이저에 의한 기판의 에칭 방법은 다른 방법들에 비해 구조가 간단하고 에칭 시간을 줄일 수 있어 근자에 들어 널리 채용되고 있다.As with semiconductors, various physical or chemical methods are used for the etching process, and one of them is an etching method using a laser. The etching method of the substrate by the laser has a simple structure and can reduce the etching time compared to other methods, and has been widely adopted in recent years.

도 1은 일반적인 기판 에칭 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1에서 보호 윈도우에 파티클이 적재된 상태의 도면이다.FIG. 1 is a block diagram of a general substrate etching apparatus, and FIG. 2 is a view of a state in which particles are loaded on the protective window in FIG. 1 .

이들 도면에 도시된 바와 같이, 일반적인 기판 에칭 장치의 경우, 에칭 처리 대상의 기판(G)이 상부에 배치되고, 기판(G)의 하면에 형성된 증착막(미도시)으로 레이저 빔(Laser Beam)을 조사하는 레이저 모듈(10)이 배치되는 구조를 갖는다.As shown in these figures, in the case of a general substrate etching apparatus, a substrate G to be etched is disposed on the upper portion, and a laser beam is applied to a deposition film (not shown) formed on the lower surface of the substrate G. It has a structure in which the irradiating laser module 10 is disposed.

기판(G)은 진공 챔버의 내부에 배치되는데 반해 레이저 모듈(10)은 진공 챔버의 외부에 배치되며, 그 위치에서 레이저 빔을 기판(G)으로 조사한다. 이때, 레이저 모듈(10)이 배치되는 진공 챔버의 벽면에는 레이저 빔이 통과되는 투명한 챔버 윈도우(20, Chamber Window)가 개재된다.While the substrate G is disposed inside the vacuum chamber, the laser module 10 is disposed outside the vacuum chamber, and a laser beam is irradiated to the substrate G at that position. At this time, a transparent chamber window 20 through which the laser beam passes is interposed on the wall of the vacuum chamber in which the laser module 10 is disposed.

이에, 챔버 윈도우(20)의 바깥쪽에 위치되는 레이저 모듈(10)이 레이저 빔을 조사하면 레이저 빔은 챔버 윈도우(20)를 통과하여 기판(G) 하면의 증착막(미도시)으로 조사됨으로써 증착막(미도시) 중에 기 설정된 에칭할 부분을 에칭하게 된다.Accordingly, when the laser module 10 positioned outside the chamber window 20 irradiates a laser beam, the laser beam passes through the chamber window 20 and is irradiated to the deposition film (not shown) on the lower surface of the substrate G, thereby forming a deposition film ( (not shown), a preset portion to be etched is etched.

한편, 이와 같은 하향식 기판 에칭 장치를 통해 에칭 공정이 진행될 때는 기판(G)이 상부에 배치되고 레이저 빔이 상부의 기판(G)으로 조사되는 형태가 되기 때문에 기판(G)에서 박리되어 낙하되는 파티클(particle, P)이 발생되며, 중력에 의해 기판(G)으로부터 박리되는 파티클(P)은 챔버 윈도우(20)에 적재된다.On the other hand, when the etching process is performed through such a top-down substrate etching apparatus, since the substrate G is disposed on the upper portion and the laser beam is irradiated to the upper substrate G, particles that are peeled off from the substrate G and fall (particle, P) is generated, and the particles P separated from the substrate G by gravity are loaded on the chamber window 20 .

이때, 에칭 공정이 계속 진행되면 될수록 챔버 윈도우(20)로 낙하되어 적재되는 파티클(P)의 양이 증가할 수밖에 없는데, 도 2처럼 챔버 윈도우(20) 상에 파티클(P)이 많이 적재되어 그 양이 증가하게 되면, 파티클(P)로 인해 레이저 빔의 굴절현상이 발생되고 이로 인해 레이저 빔의 경시변화가 유발됨에 따라 기판(G)의 에칭 위치가 제대로 에칭되지 못하며 챔버 윈도우(20)에 쌓인 파티클(P)이 레이저 빔의 에너지를 흡수하여 실제 에칭부위의 에너지 밀도(energy density)를 떨어져 에칭 공정의 효율이 저하된다.At this time, as the etching process continues, the amount of particles (P) dropped and loaded into the chamber window 20 inevitably increases. When the amount is increased, the refraction of the laser beam occurs due to the particles P, and as a result, the change with time of the laser beam is induced, so that the etching position of the substrate G is not properly etched and accumulated in the chamber window 20 The particle P absorbs the energy of the laser beam and drops the energy density of the actual etching site, thereby reducing the efficiency of the etching process.

물론, 챔버 윈도우(20) 상에 파티클(P)이 많이 적재되면 진공 챔버를 열고 챔버 윈도우(20)를 클리닝하면 되지만 이 경우, 클리닝 작업이 매우 불편할 뿐만 아니라 특히, 에칭 공정이 중단되어야 하기 때문에 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.Of course, if a lot of particles P are loaded on the chamber window 20, open the vacuum chamber and clean the chamber window 20, but in this case, the cleaning operation is very inconvenient and, in particular, since the etching process must be stopped, productivity There is a problem with this falling.

대한민국 공개특허공보 제10-2007-0013776호, (2008.08.13.)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2007-0013776, (2008.08.13.)

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판 에칭 공정에서 발생되는 파티클이 에칭 공정에 영향을 주는 것을 방지할 수 있는 기판 에칭장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate etching apparatus capable of preventing particles generated in the substrate etching process from affecting the etching process.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에서 일면에 증착막이 형성된 기판에 대한 에칭 공정이 수행되는 진공 챔버; 상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 상기 진공 챔버의 내부로 로딩된 상기 기판을 척킹하는 척킹부를 구비하는 스테이지유닛; 및 상기 진공 챔버의 외부에 위치되며, 상기 진공 챔버 내의 기판으로 레이저 빔(Laser Beam)을 조사(照射, irradiation)하여 상기 증착막에 대한 에칭 공정을 수행하되, 상기 기판 일면의 반대편에 배치되는 레이저유닛을 포함하는 기판 에칭장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a vacuum chamber in which an etching process is performed on a substrate having a deposition film formed on one surface thereof; a stage unit disposed inside the vacuum chamber and having a chucking unit for chucking the substrate loaded into the vacuum chamber; and a laser unit positioned outside the vacuum chamber and irradiating a laser beam to the substrate in the vacuum chamber to perform an etching process on the deposition layer, and disposed opposite to one surface of the substrate A substrate etching apparatus comprising a may be provided.

상기 증착막은 상기 기판의 하면에 형성되고, 상기 척킹부는 상기 기판의 상면을 척킹하며, 상기 레이저유닛은 상기 진공 챔버의 상측 영역에 배치될 수 있다. The deposition layer may be formed on a lower surface of the substrate, the chucking unit may chuck an upper surface of the substrate, and the laser unit may be disposed in an upper region of the vacuum chamber.

상기 척킹부에는 상기 레이저 빔이 통과하는 빔 통과공이 형성될 수 있다.A beam passing hole through which the laser beam passes may be formed in the chucking part.

상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 상기 스테이지유닛을 지지하고 상기 스테이지유닛을 이동시키는 스테이지 이동유닛을 더 포함하며, 상기 스테이지유닛은, 상기 스테이지 이동유닛에 연결되며, 상기 척킹부를 지지하는 스테이지 프레임부를 더 포함할 수 있다.It is disposed inside the vacuum chamber, and further includes a stage moving unit for supporting the stage unit and moving the stage unit, wherein the stage unit is connected to the stage moving unit and includes a stage frame part for supporting the chucking unit. may include more.

상기 진공 챔버에 연결되며, 상기 기판을 지지하고 상기 기판을 척킹부 방향으로 이동시키는 기판 트레이유닛을 더 포함하며, 상기 기판 트레이유닛은, 상기 기판에 마련된 비액티브 영역에 접촉되는 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛을 포함할 수 있다.Further comprising a substrate tray unit connected to the vacuum chamber, supporting the substrate and moving the substrate in the direction of the chucking part, wherein the substrate tray unit is in contact with an inactive region provided on the substrate. It may include a substrate tray unit.

상기 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛은, 상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지모듈; 및 상기 기판 지지모듈에 연결되며, 상기 기판 지지모듈을 상기 척킹부에 대하여 업/다운(up/down) 이동시키는 지지모듈용 업/다운(up/down) 이동모듈을 포함할 수 있다.The inactive area contact type substrate tray unit may include: a substrate support module disposed inside the vacuum chamber and supporting the substrate; and an up/down movement module for a support module connected to the substrate support module and configured to move the substrate support module up/down with respect to the chucking unit.

상기 기판 지지모듈은,상기 업/다운(up/down) 이동모듈에 지지되는 지지모듈 프레임부; 및 상기 지지모듈 프레임부에 연결되며, 상기 기판의 상기 비액티브 영역에 접촉되는 기판 접촉부를 포함할 수 있다.The substrate support module includes: a support module frame part supported by the up/down moving module; and a substrate contact portion connected to the support module frame portion and contacting the inactive region of the substrate.

상기 지지모듈 프레임부는, 상기 기판 접촉부가 결합되며, 상호 이격되어 배치되는 다수개의 접촉부 장착용 가로 바아부; 각각의 상기 접촉부 장착용 가로 바아부에 결합되며, 상호 이격되어 배치되는 다수개의 세로 바아부; 및 상기 세로 바아부에 결합되며, 상기 업/다운(up/down) 이동모듈이 결합되는 결합용 가로 바아부를 포함할 수 있다.The support module frame unit may include: a horizontal bar unit to which the substrate contact unit is coupled and a plurality of contact units mounted to be spaced apart from each other; a plurality of vertical bar portions coupled to the horizontal bar portions for mounting the respective contact portions and disposed to be spaced apart from each other; And it is coupled to the vertical bar portion, the up / down (up / down) may include a horizontal bar for coupling to which the module is coupled.

상기 지지모듈 프레임부는, 상기 접촉부 장착용 가로 바아부와 상기 결합용 가로 바아부 사이에 배치되며, 상기 세로 바아부들에 연결되는 연결용 가로 바아부를 더 포함할 수 있다.The support module frame part may further include a connecting horizontal bar part disposed between the contact part mounting horizontal bar part and the coupling horizontal bar part and connected to the vertical bar parts.

상기 기판 접촉부는 다수개로 마련되며, 다수개의 상기 기판 접촉부는 미리 결정된 이격간격에 따라 상호 이격되어 배치될 수 있다.A plurality of the substrate contact portions may be provided, and the plurality of substrate contact portions may be disposed to be spaced apart from each other according to a predetermined spacing.

상기 지지모듈용 업/다운(up/down) 이동모듈은, 상기 진공 챔버의 하부벽을 관통하여 상기 지지모듈 프레임부에 결합되는 가압 샤프트부; 및 상기 가압 샤프트부에 연결되고 상기 진공 챔버의 외부에 배치되며, 상기 가압 샤프트부를 업/다운(up/down) 이동시키는 샤프트용 이동 구동부를 포함할 수 있다.The up/down moving module for the support module includes: a pressure shaft part coupled to the support module frame part through a lower wall of the vacuum chamber; And it is connected to the pressure shaft portion and disposed outside the vacuum chamber, it may include a movement driving unit for the shaft for moving the pressure shaft up / down (up / down).

상기 샤프트용 이동 구동부는, 상기 가압 샤프트부가 결합되는 엘엠 블록(LM block); 상기 엘엠 블록의 이동을 안내하는 엘엠 가이드(LM guide); 및 상기 엘엠 블록에 연결되며, 상기 엘엠 블록을 이동시키는 엘엠 블록용 구동부를 포함할 수 있다.The moving drive unit for the shaft, LM block (LM block) to which the pressure shaft unit is coupled; an LM guide for guiding the movement of the LM block; and a driving unit connected to the LM block and configured to move the LM block.

상기 비액티브 영역 중 적어도 일부는 상기 기판의 중앙 영역에 배치될 수 있다.At least a portion of the inactive region may be disposed in a central region of the substrate.

상기 진공 챔버의 하부 영역에 배치되며, 상기 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛과 상기 기판의 얼라인(align)을 위해 상기 진공 챔버에 마련된 윈도우를 통해 상기 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛과 상기 기판을 촬상하는 얼라인용 카메라유닛을 더 포함할 수 있다.It is disposed in the lower region of the vacuum chamber, and through a window provided in the vacuum chamber for aligning the non-active area contact type substrate tray unit and the substrate, the non-active area contact type substrate tray unit and the substrate It may further include a camera unit for aligning the image.

상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 상기 진공 챔버의 내벽을 차폐하고 상기 에칭 공정에 의해 발생된 파티클이 부착되는 실드부를 더 포함할 수 있다.It is disposed inside the vacuum chamber, and may further include a shield portion to shield the inner wall of the vacuum chamber and to which particles generated by the etching process are attached.

본 발명의 실시예들은, 진공 챔버의 외부에 위치되어 진공 챔버 내의 기판으로 레이저 빔을 조사하여 상기 기판의 일면에 형성된 증착막에 대한 에칭 공정을 수행하는 레이저유닛이 기판 일면의 반대편에 배치됨으로써, 기판 에칭 공정에 의해 발생되는 파티클이 레이저유닛쪽으로 이동되는 것을 방지할 수 있고, 그에 따라 파티클이 에칭 공정에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.In embodiments of the present invention, a laser unit that is located outside the vacuum chamber and irradiates a laser beam to the substrate in the vacuum chamber to perform an etching process on the deposition film formed on one surface of the substrate is disposed on the opposite side of the one surface of the substrate, so that the substrate It is possible to prevent particles generated by the etching process from moving toward the laser unit, thereby preventing the particles from affecting the etching process.

도 1은 일반적인 기판 에칭 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에서 보호 윈도우에 파티클이 적재된 상태의 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 에칭장치가 개략적으로 도시된 도면이다.
도 4는 도 3의 A-A 선에 따른 단면이 도시된 도면이다.
도 5는 도 3의 스테이지유닛이 도시된 사시도이다.
도 6은 도 5의 평면도이다.
도 7는 도 3의 기판이 도시된 도면이다.
도 8는 도 3의 기판 트레이유닛이 된 정면도이다.
도 9은 도 8의 기판 지지모듈의 측면도이다.
도 10은 도 9의 기판 지지모듈의 평면도이다.
도 11은 도 8의 기판 트레이유닛의 동작상태도이다.
도 12는 도 3의 레이저유닛에 의한 에칭 공정이 도시된 동작상태도이다.
1 is a block diagram of a general substrate etching apparatus.
FIG. 2 is a view of a state in which particles are loaded on the protection window in FIG. 1 .
3 is a diagram schematically illustrating a substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing a cross-section taken along line AA of FIG. 3 .
FIG. 5 is a perspective view illustrating the stage unit of FIG. 3 .
6 is a plan view of FIG. 5 .
FIG. 7 is a view showing the substrate of FIG. 3 .
8 is a front view of the substrate tray unit of FIG. 3;
9 is a side view of the substrate support module of FIG. 8 .
10 is a plan view of the substrate support module of FIG. 9 .
11 is an operation state diagram of the substrate tray unit of FIG.
12 is an operation state diagram illustrating an etching process by the laser unit of FIG. 3 .

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings illustrating preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by describing preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. However, in describing the present invention, a description of a function or configuration already known will be omitted in order to clarify the gist of the present invention.

한편, 이하에서 기술되는 기판은 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)용 유리기판일 수 있다.Meanwhile, the substrate described below may be a glass substrate for an organic light emitting diode display (OLED display).

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 에칭장치가 개략적으로 도시된 도면이고, 도 4는 도 3의 A-A 선에 따른 단면이 도시된 도면이며, 도 5는 도 3의 스테이지유닛이 도시된 사시도이고, 도 6은 도 5의 평면도이며, 도 7는 도 3의 기판이 도시된 도면이고, 도 8는 도 3의 기판 트레이유닛이 된 정면도이며, 도 9은 도 8의 기판 지지모듈의 측면도이고, 도 10은 도 9의 기판 지지모듈의 평면도이며, 도 11은 도 8의 기판 트레이유닛의 동작상태도이고, 도 12는 도 3의 레이저유닛에 의한 에칭 공정이 도시된 동작상태도이다.3 is a view schematically showing a substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a view showing a cross-section taken along line AA of FIG. 3, and FIG. 5 is a view showing the stage unit of FIG. It is a perspective view, Fig. 6 is a plan view of Fig. 5, Fig. 7 is a view showing the substrate of Fig. 3, Fig. 8 is a front view of the substrate tray unit of Fig. 3, and Fig. 9 is a side view of the substrate support module of Fig. 8 10 is a plan view of the substrate support module of FIG. 9 , FIG. 11 is an operation state diagram of the substrate tray unit of FIG. 8 , and FIG. 12 is an operation state diagram illustrating the etching process by the laser unit of FIG. 3 .

도 3에서는 도시의 편의를 위해 스테이지 이동유닛(170)의 일부를 삭제하고 도시하였다.In FIG. 3, a part of the stage moving unit 170 has been deleted for convenience of illustration.

도 3 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 에칭장치는, 내부에서 일면에 증착막이 형성된 기판에 대한 에칭 공정이 수행되는 진공 챔버(110)와, 진공 챔버(110)의 내부에 배치되며 진공 챔버(110)의 내부로 로딩된 기판을 척킹하는 척킹부(121)를 구비하는 스테이지유닛(120)과, 진공 챔버(110)의 내부에 배치되며 스테이지유닛(120)을 지지하고 스테이지유닛(120)을 이동시키는 스테이지 이동유닛(170)과, 진공 챔버(110)의 외부에 위치되며 진공 챔버(110) 내의 기판으로 레이저 빔(Laser Beam)을 조사(照射, irradiation)하여 증착막에 대한 에칭 공정을 수행하되, 기판 일면의 반대편에 배치되는 레이저유닛(160)과, 진공 챔버(110)에 연결되며 기판을 지지하고 기판을 척킹부(121) 방향으로 이동시키는 기판 트레이유닛(130)과, 진공 챔버(110)의 내벽을 차폐하며 에칭 공정에 의해 발생된 파티클이 부착되는 실드부(180)를 포함한다. 3 to 12 , the substrate etching apparatus according to the present embodiment includes a vacuum chamber 110 in which an etching process is performed on a substrate having a deposition film formed on one surface therein, and the interior of the vacuum chamber 110 . The stage unit 120 disposed in the vacuum chamber 110 and having a chucking part 121 for chucking the substrate loaded into the vacuum chamber 110, and the stage unit 120 disposed inside the vacuum chamber 110 and supporting the stage unit 120, The stage moving unit 170 for moving the stage unit 120 and the vacuum chamber 110 are located outside the vacuum chamber 110 and irradiate a laser beam onto the substrate in the vacuum chamber 110 to form the deposition film. A laser unit 160 disposed on the opposite side of one surface of the substrate and a substrate tray unit 130 connected to the vacuum chamber 110 to support the substrate and move the substrate in the direction of the chucking unit 121 . and a shield unit 180 to shield the inner wall of the vacuum chamber 110 and to which particles generated by the etching process are attached.

본 실시예의 기판은 하면에는 증착막(미도시)이 형성된다. 또한, 본 실시예의 기판은 증착막(미도시)이 증착된 다수개의 패널용 셀(cell, G1)이 마련된 다면취(多面取) 기판이다. 패널용 셀(G1)은 에칭공정을 거쳐 디스플레이 패널로 제작되는 부분이다.A deposition film (not shown) is formed on the lower surface of the substrate of this embodiment. In addition, the substrate of this embodiment is a multi-faceted substrate on which a plurality of panel cells (cells, G1) on which a deposition film (not shown) is deposited is provided. The panel cell G1 is a part manufactured as a display panel through an etching process.

이러한 본 실시예에 따른 기판에는, 도 7 및 도 11에 도시된 바와 같이, 상호 이격되어 배치되는 다수개의 패널용 셀(G1)을 감싸는 비액티브 영역(G2)이 배치된다. 비액티브 영역(G2)은 기판에서 패널용 셀(G1)을 취한 후 제거되는 부분이다. 본 실시예에서 비액티브 영역(G2)은 기판의 가장자리 영역은 물론 기판의 중앙 영역에도 배치된다.7 and 11 , an inactive region G2 surrounding a plurality of panel cells G1 spaced apart from each other is disposed on the substrate according to this embodiment. The inactive region G2 is a portion removed after taking the panel cell G1 from the substrate. In the present embodiment, the inactive region G2 is disposed not only in the edge region of the substrate, but also in the central region of the substrate.

진공 챔버(110)는, 도 3에 도시된 바와 같이 박스(box)형 구조물로서, 그 내부에서 기판에 대한 에칭 공정이 진행되는 장소를 이룬다. 진공 챔버(110)의 일측 벽면에는 기판이 출입되는 출입 게이트(T)가 마련된다. The vacuum chamber 110 is a box-shaped structure as shown in FIG. 3 , and forms a place in which an etching process for a substrate is performed. An entrance gate T through which the substrate is entered is provided on one wall surface of the vacuum chamber 110 .

진공 챔버(110)의 상면에는 챔버 윈도우(111)이 마련된다. 챔버 윈도우(111)는, 특정 파장의 레이저 빔을 통과시킬 수 있는 창으로서, 진공 챔버(110) 외부에 배치된 레이저유닛(160)으로부터의 레이저 빔이 진공 챔버(110) 내부로 투과되도록 하는 장소를 이룬다. 본 실시예에서 진공 챔버(110)의 상면에는 다수개의 챔버 윈도우(111)이 마련될 수 있다.A chamber window 111 is provided on the upper surface of the vacuum chamber 110 . The chamber window 111 is a window through which a laser beam of a specific wavelength can pass, and a place through which the laser beam from the laser unit 160 disposed outside the vacuum chamber 110 is transmitted into the vacuum chamber 110 . make up In the present embodiment, a plurality of chamber windows 111 may be provided on the upper surface of the vacuum chamber 110 .

레이저유닛(160)은, 진공 챔버(110)의 외부에 배치되며 진공 챔버(110)의 상면에 마련된 챔버 윈도우(111)을 통해 진공 챔버(110) 내의 기판으로 레이저 빔(Laser Beam)을 조사(照射, irradiation)하여 에칭 공정을 수행한다. The laser unit 160 is disposed outside the vacuum chamber 110 and radiates a laser beam to the substrate in the vacuum chamber 110 through the chamber window 111 provided on the upper surface of the vacuum chamber 110 (照射, irradiation) to perform an etching process.

레이저유닛(160)은 챔버 윈도우(111)을 통해 진공 챔버(110) 내의 기판으로 레이저 빔을 조사하여 에칭 공정을 진행시키는 역할을 한다. 본 실시예에서 레이저유닛(160)은 진공 챔버(110)의 외부, 즉 상부 영역에 배치된다. 진공 챔버(110)의 내부는 진공이 형성되기 때문에 기판 외의 구성들이 진공 챔버(110)의 내부에 배치되는 것은 바람직하지 않다.The laser unit 160 irradiates a laser beam to the substrate in the vacuum chamber 110 through the chamber window 111 to advance the etching process. In this embodiment, the laser unit 160 is disposed outside the vacuum chamber 110 , that is, in the upper region. Since a vacuum is formed inside the vacuum chamber 110 , it is not preferable for components other than the substrate to be disposed inside the vacuum chamber 110 .

따라서 레이저유닛(160)은 진공 챔버(110)의 상부 영역에 배치되고, 그 위치에서 챔버 윈도우(111)을 통해 기판으로 레이저 빔을 조사하여 에칭 공정을 수행한다.Therefore, the laser unit 160 is disposed in the upper region of the vacuum chamber 110, and irradiates a laser beam to the substrate through the chamber window 111 at that position to perform an etching process.

이때, 레이저유닛(160)이 기판의 상부 영역에 배치되기 때문에 레이저유닛(160)으로부터 발진된 레이저 빔은 척킹부(121)에 형성된 빔 통과공(121a)를 지나 기판의 하면을 조사한다. 즉, 증착 챔버의 상부 영역에서 발진된 레이저 빔이 척킹부(121)의 후술할 빔 통과공(121a)을 지나 기판을 관통하여 기판의 하부 표면 상에 증착된 증착막(미도시)의 불필요한 부분을 에칭하며, 에칭과정에서 파티클이 실드부(180)로 낙하한다.At this time, since the laser unit 160 is disposed on the upper region of the substrate, the laser beam oscillated from the laser unit 160 passes through the beam passing hole 121a formed in the chucking unit 121 and irradiates the lower surface of the substrate. That is, the laser beam oscillated in the upper region of the deposition chamber passes through a beam passing hole 121a to be described later of the chucking unit 121 and passes through the substrate to remove an unnecessary portion of the deposition film (not shown) deposited on the lower surface of the substrate. During the etching process, particles fall to the shield unit 180 .

본 실시예에서 레이저유닛(160)은 기판을 투과하여 기판의 하면에 증착된 증착막(미도시)을 에칭하는 특정 파장의 레이저 빔을 방출한다. 이러한 레이저유닛(160)에는 적외선 레이저(IR Laser)가 사용되며, 본 실시예의 레이저유닛(160)에는 750nm 이상의 파장을 가지는 레이저를 사용한다.In the present embodiment, the laser unit 160 emits a laser beam of a specific wavelength that passes through the substrate and etches a deposition film (not shown) deposited on the lower surface of the substrate. An infrared laser is used for the laser unit 160 , and a laser having a wavelength of 750 nm or more is used for the laser unit 160 of this embodiment.

본 실시예에서 레이저유닛(160)은 다수개로 마련되며, 다수개의 레이저유닛(160) 각각이 각각의 챔버 윈도우(111)들을 통해 에칭 작업을 동시에 수행할 수 있다.In this embodiment, a plurality of laser units 160 are provided, and each of the plurality of laser units 160 may simultaneously perform an etching operation through respective chamber windows 111 .

한편, 스테이지유닛(120)은 진공 챔버(110)의 내부에 배치된다. 이러한 스테이지유닛(120)은, 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(110)의 내부로 로딩된 기판을 부착하는 척킹부(121)와, 스테이지 이동유닛(170)에 연결되며 척킹부(121)를 지지하는 스테이지 프레임부(123)와, 스테이지 프레임부(123)에 마련되며 척킹부(121)에 연결되어 얼리인을 위해 척킹부(121)를 이동시키는 얼라인부(미도시)를 구비한다. Meanwhile, the stage unit 120 is disposed inside the vacuum chamber 110 . The stage unit 120 is connected to the chucking unit 121 for attaching the substrate loaded into the vacuum chamber 110 and the stage moving unit 170 as shown in FIGS. 3 to 6 , and is connected to the chuck. The stage frame part 123 for supporting the king part 121, and an alignment part (not shown) provided on the stage frame part 123 and connected to the chucking part 121 to move the chucking part 121 for aligning. to provide

척킹부(121)는 스테이지유닛(120)의 중앙 영역 배치되어 기판의 상면부에 접촉된다.The chucking part 121 is disposed in the central region of the stage unit 120 and is in contact with the upper surface of the substrate.

본 실시예에서 척킹부(121)에는 정전척(Electrostatic Chuck, ESC)이 사용되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되지 않으며, 기판을 척킹할 수 있는 다양한 척킹장치가 본 실시예의 척킹부(121)로 사용될 수 있다.In the present embodiment, an electrostatic chuck (ESC) is used for the chucking unit 121 , but the scope of the present invention is not limited thereto, and various chucking devices capable of chucking a substrate are used in the chucking unit 121 of this embodiment. ) can be used as

본 실시예에 따른 척킹부(121)에는 레이저 빔이 통과하는 빔 통과공(121a)이 형성된다. 상술한 바와 같이 레이저유닛(160)이 진공 챔버(110)의 상측 영역에 배치되므로, 척킹부(121)에 척킹된 기판의 하면으로 레이저유닛(160)에서 발진된 레이저 빔이 도달시키기 위해 척킹부(121)에는 레이저 빔이 통과하는 빔 통과공(121a)이 형성된다. 본 실시예에서 빔 통과공(121a)은 도 6에 도시된 바와 같이 다수개로 마련되며 상호 이격되어 배치된다. A beam passing hole 121a through which a laser beam passes is formed in the chucking part 121 according to the present embodiment. As described above, since the laser unit 160 is disposed in the upper region of the vacuum chamber 110 , the chucking unit in order for the laser beam oscillated from the laser unit 160 to reach the lower surface of the substrate chucked in the chucking unit 121 . At 121, a beam passing hole 121a through which a laser beam passes is formed. In the present embodiment, the beam passing hole 121a is provided in plurality as shown in FIG. 6 and is spaced apart from each other.

얼라인부(미도시)는 스테이지 프레임부(123)에 마련된다. 이러한 얼라인부(미도시)는 척킹부(121)에 연결되어 얼라인을 위해 척킹부(121)를 이동시킨다. 이러한 얼라인부(미도시)는 UVW의 얼라인 작동요소를 구비할 수 있다. 이러한 UVW의 얼라인 작동요소를 사용하는 얼라인 방식은 디스플레이 제작공정에서 두 물체를 정렬시키는 데 자주 사용하는 공지의 기술로서 자세한 설명은 생략하기로 한다. An alignment part (not shown) is provided in the stage frame part 123 . This alignment unit (not shown) is connected to the chucking unit 121 to move the chucking unit 121 for alignment. Such an alignment unit (not shown) may include an alignment operation element of UVW. The alignment method using such an alignment operation element of UVW is a well-known technique frequently used to align two objects in a display manufacturing process, and a detailed description thereof will be omitted.

한편, 스테이지 이동유닛(170)은 진공 챔버(110)의 내부에 배치된다. 이러한 스테이지 이동유닛(170)은 스테이지유닛(120)을 지지하고 스테이지유닛(120)을 이동시킨다. Meanwhile, the stage moving unit 170 is disposed inside the vacuum chamber 110 . The stage moving unit 170 supports the stage unit 120 and moves the stage unit 120 .

본 실시예에서 스테이지 이동유닛(170)은 리니어모터 방식으로 스테이지유닛(120)을 이동시킨다. In this embodiment, the stage moving unit 170 moves the stage unit 120 by a linear motor method.

이러한 스테이지 이동유닛(170)은, 스테이지유닛(120)이 결합되는 스테이지용 이동블록(171)과, 이동 블록이 결합되며 스테이지용 이동블록(171)의 이동을 안내하는 가이드레일(미도시)과, 전자기력에 의해 스테이지용 이동블록(171)을 이동시키는 스테이지용 구동부(172)를 포함한다. 여기서 스테이지용 구동부(172)는 스테이지용 이동블록(171)에 마련되는 제1 자성체(미도시)에 상호 작용하여 스테이지용 이동블록(171)에 전자기력에 의한 추진력을 발생시키도록 가이드레일(미도시)의 길이방향을 따라 배치되는 제2 자성체(미도시)를 포함한다.The stage moving unit 170 includes a moving block 171 for a stage to which the stage unit 120 is coupled, and a guide rail (not shown) to which the moving block is coupled and for guiding the movement of the moving block 171 for the stage, and , and a driving unit 172 for the stage for moving the moving block 171 for the stage by electromagnetic force. Here, the driving unit 172 for the stage interacts with a first magnetic material (not shown) provided in the moving block 171 for the stage to generate a driving force by electromagnetic force in the moving block 171 for the stage (not shown). ) and a second magnetic body (not shown) disposed along the longitudinal direction.

여기서 제1 자성체(미도시)는 영구자석으로 마련되고 제2 자성체(미도시)는 전자석으로 마련된다.Here, the first magnetic body (not shown) is provided as a permanent magnet, and the second magnetic body (not shown) is provided as an electromagnet.

기판 트레이유닛(130)은 진공 챔버(110)에 연결된다. 이러한 기판 트레이유닛(130)은 기판을 지지하고 기판을 척킹부(121) 방향으로 이동시킨다. 본 실시예에서 기판 트레이유닛(130)은, 기판에 마련된 비액티브 영역(G2)에 접촉되는 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛(130)으로 마련된다. The substrate tray unit 130 is connected to the vacuum chamber 110 . The substrate tray unit 130 supports the substrate and moves the substrate in the direction of the chucking unit 121 . In this embodiment, the substrate tray unit 130 is provided as an inactive region contact type substrate tray unit 130 that is in contact with the inactive region G2 provided on the substrate.

이러한 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛(130)은, 도 7 내지 도 11에 자세히 도시된 바와 같이, 진공 챔버(110)의 내부에 배치되며 기판을 지지하는 기판 지지모듈(140)과, 기판 지지모듈(140)에 연결되며 기판 지지모듈(140)을 척킹부(121)에 대하여 업/다운(up/down) 이동시키는 지지모듈용 업/다운(up/down) 이동모듈(150)을 포함한다.The inactive area contact type substrate tray unit 130, as shown in detail in FIGS. 7 to 11, is disposed in the vacuum chamber 110 and supports the substrate support module 140 and the substrate support. It is connected to the module 140 and includes an up/down moving module 150 for a support module that moves the substrate support module 140 up/down with respect to the chucking unit 121 . .

기판 지지모듈(140)은 진공 챔버(110)의 내부에 배치된다. 이러한 기판 지지모듈(140)은 진공 챔버(110)의 내부로 투입된 기판을 전달바다 기판을 지지한다. The substrate support module 140 is disposed inside the vacuum chamber 110 . The substrate support module 140 supports the substrate by transferring the substrate inserted into the vacuum chamber 110 .

본 실시예에 따른 기판 지지모듈(140)은, 도 7 내지 도 11에 자세히 도시된 바와 같이, 업/다운(up/down) 이동모듈에 지지되는 지지모듈 프레임부(141)과, 지지모듈 프레임부(141)에 연결되며 기판의 비액티브 영역(G2)에 접촉되는 기판 접촉부(148)를 포함한다. As shown in detail in FIGS. 7 to 11 , the substrate support module 140 according to this embodiment includes a support module frame part 141 supported by an up/down moving module, and a support module frame. and a substrate contact portion 148 connected to the portion 141 and in contact with the inactive region G2 of the substrate.

지지모듈 프레임부(141)는 업/다운(up/down) 이동모듈에 지지된다. 이러한 지지모듈 프레임부(141)는, 도 7 내지 도 11에 자세히 도시된 바와 같이, 기판 접촉부(148)가 결합되며 상호 이격되어 배치되는 다수개의 접촉부 장착용 가로 바아부(142)와, 각각의 접촉부 장착용 가로 바아부(142)에 결합되며 상호 이격되어 배치되는 다수개의 세로 바아부(143)와, 세로 바아부(143)에 결합되며 업/다운(up/down) 이동모듈이 결합되는 결합용 가로 바아부(144)와, 접촉부 장착용 가로 바아부(142)와 결합용 가로 바아부(144) 사이에 배치되며 세로 바아부(143)들에 연결되는 연결용 가로 바아부(145)를 포함한다.The support module frame part 141 is supported by an up/down moving module. As shown in detail in FIGS. 7 to 11 , the support module frame portion 141 includes a plurality of contact portions mounting horizontal bar portions 142 to which the substrate contact portions 148 are coupled and disposed to be spaced apart from each other, and each A plurality of vertical bar parts 143 coupled to the horizontal bar part 142 for mounting the contact part and arranged to be spaced apart from each other, and the vertical bar part 143 coupled to the up/down moving module are combined. The horizontal bar part 144 for the connection, the horizontal bar part 142 for mounting the contact part and the horizontal bar part 145 for connection disposed between the coupling horizontal bar part 144 and connected to the vertical bar parts 143. include

접촉부 장착용 가로 바아부(142)에는 기판 접촉부(148)가 결합된다. 이러한 접촉부 장착용 가로 바아부(142)는, 도 7 내지 도 11에 자세히 도시된 바와 같이, 다수개로 마련되어 상호 이격되어 배치된다. 본 실시예에서 접촉부 장착용 가로 바아부(142)는 바아 형상으로 마련되어 X축 방향으로 길게 연장되어 마련된다.A substrate contact portion 148 is coupled to the horizontal bar portion 142 for mounting the contact portion. As shown in detail in FIGS. 7 to 11 , the horizontal bar part 142 for mounting the contact part is provided in plurality and disposed spaced apart from each other. In the present embodiment, the horizontal bar portion 142 for mounting the contact portion is provided in a bar shape and extended in the X-axis direction.

세로 바아부(143)는 다수개로 마련되어 상호 이격되어 배치된다. 이러한 세로 바아부(143) 각각은 접촉부 장착용 가로 바아부(142)에 결합되다. 본 실시예에서 세로 바아부(143)는 바아 형상으로 마련되어 X축 방향에 교차하는 Z축 방향으로 길게 연장되어 마련된다.A plurality of vertical bar portions 143 are provided to be spaced apart from each other. Each of these vertical bar portions 143 is coupled to the horizontal bar portion 142 for mounting the contact portion. In this embodiment, the vertical bar portion 143 is provided in a bar shape and is provided to extend long in the Z-axis direction intersecting the X-axis direction.

결합용 가로 바아부(144)는 세로 바아부(143)들에 결합된다. 이러한 결합용 가로 바아부(144)에는 지지모듈용 업/다운(up/down) 이동모듈(150)이 결합된다. 본 실시예에서 결합용 가로 바아부(144)는 바아 형상으로 마련되어 X축 방향 및 Z축 방향에 교차하는 Y축 방향으로 길게 연장되어 마련된다. The horizontal bar portion 144 for coupling is coupled to the vertical bar portions 143 . The up/down movement module 150 for the support module is coupled to the horizontal bar portion 144 for coupling. In this embodiment, the horizontal bar portion 144 for coupling is provided in a bar shape and is provided to extend long in the Y-axis direction intersecting the X-axis direction and the Z-axis direction.

연결용 가로 바아부(145)는 접촉부 장착용 가로 바아부(142)와 결합용 가로 바아부(144) 사이에 배치된다. 이러한 연결용 가로 바아부(145)는 세로 바아부(143)들에 연결된다. 이러한 연결용 가로 바아부(145)는 바아 형상으로 마련되어 Y축 방향으로 길게 연장되어 마련된다. The horizontal bar part 145 for connection is disposed between the horizontal bar part 142 for mounting the contact part and the horizontal bar part 144 for coupling. The horizontal bar part 145 for such a connection is connected to the vertical bar parts 143 . The horizontal bar portion 145 for connection is provided in a bar shape and is provided to extend long in the Y-axis direction.

본 실시예의 연결용 가로 바아부(145)는, 접촉부 장착용 가로 바아부(142)와 결합용 가로 바아부(144) 사이에 배치되어 세로 바아부(143)들에 결합됨으로써, 세로 방향으로 긴 길이를 가지는 세로 바아부(143)가 기울어지거나 세로 바아부(143)에 흔들림이 발생되는 것을 방지한다.The horizontal bar part 145 for connection of this embodiment is disposed between the horizontal bar part 142 for mounting the contact part and the horizontal bar part 144 for coupling and is coupled to the vertical bar parts 143, so that it is long in the longitudinal direction. It prevents the vertical bar part 143 having a length from being tilted or from being shaken in the vertical bar part 143 .

기판 접촉부(148)는 접촉부 장착용 가로 바아부(142)에 결합된다. 이러한 기판 접촉부(148)는 기판의 비액티브 영역(G2)에 접촉된다. 본 실시예에서 기판 접촉부(148)는 기판 접촉부(148)는 다수개로 마련된다. 다수개의 기판 접촉부(148)는, 도 7 내지 도 11에 자세히 도시된 바와 같이 미리 결정된 이격간격에 따라 상호 이격되어 배치된다.The substrate contact portion 148 is coupled to the horizontal bar portion 142 for mounting the contact portion. The substrate contact portion 148 is in contact with the inactive region G2 of the substrate. In the present embodiment, a plurality of substrate contact portions 148 are provided. The plurality of substrate contact portions 148 are arranged to be spaced apart from each other according to a predetermined distance, as shown in detail in FIGS. 7 to 11 .

한편, 지지모듈용 업/다운(up/down) 이동모듈(150)은 기판 지지모듈(140)에 연결된다. 이러한 지지모듈용 업/다운(up/down) 이동모듈(150)은 기판 지지모듈(140)을 척킹부(121)에 대하여 업/다운(up/down) 이동시킨다. Meanwhile, the up/down moving module 150 for the support module is connected to the substrate support module 140 . The up/down moving module 150 for the support module moves the substrate support module 140 up/down with respect to the chucking unit 121 .

본 실시예에서 지지모듈용 업/다운(up/down) 이동모듈(150)은, 진공 챔버(110)의 하부벽을 관통하여 지지모듈 프레임부(141)에 결합되는 가압 샤프트부(151)와, 가압 샤프트부(151)에 연결되고 진공 챔버(110)의 외부에 배치되며 가압 샤프트부(151)를 업/다운(up/down) 이동시키는 샤프트용 이동 구동부(153, 154, 155)와, 가압 샤프트부(151)의 일부를 감싸며 가압 샤프트부(151)가 관통한 진공 챔버(110)의 영역을 밀봉하는 벨로우즈관(K)을 포함한다.In this embodiment, the up/down moving module 150 for the support module includes a pressure shaft part 151 coupled to the support module frame part 141 through the lower wall of the vacuum chamber 110 and , connected to the pressure shaft unit 151 and disposed outside the vacuum chamber 110, and a moving drive unit for a shaft (153, 154, 155) for moving the pressure shaft unit 151 up/down; It includes a bellows pipe (K) enclosing a portion of the pressure shaft portion 151 and sealing the area of the vacuum chamber 110 through which the pressure shaft portion 151 has passed.

가압 샤프트부(151)는 진공 챔버(110)의 하부벽을 관통하여 결합용 가로 바아부(144)에 결합된다. 가압 샤프트부(151)는, 도 7 내지 도 11에 자세히 도시된 바와 같이 긴 길이를 갖는 샤프트 형상으로 마련된다. 이러한 가압 샤프트부(151)는 세로 방향으로 배치되어 진공 챔버(110)의 하부벽을 관통한다. The pressure shaft part 151 penetrates the lower wall of the vacuum chamber 110 and is coupled to the horizontal bar part 144 for coupling. The pressing shaft part 151 is provided in the shape of a shaft having a long length as shown in detail in FIGS. 7 to 11 . The pressure shaft part 151 is disposed in the longitudinal direction and penetrates the lower wall of the vacuum chamber 110 .

본 실시예의 가압 샤프트부(151)의 상단부 영역은 진공 챔버(110)의 내부에 배치되고 가압 샤프트부(151)의 하단부 영역은 진공 챔버(110)의 외부에 배치된다.The upper end area of the pressure shaft part 151 of this embodiment is disposed inside the vacuum chamber 110 , and the lower end area of the pressure shaft part 151 is disposed outside the vacuum chamber 110 .

샤프트용 이동 구동부(153, 154, 155)는 가압 샤프트부(151)에 연결된다. 이러한 샤프트용 이동 구동부(153, 154, 155)는 진공 챔버(110)의 외부에 배치되어 가압 샤프트부(151)를 업/다운(up/down) 이동시킨다. The moving drive units 153 , 154 , 155 for the shaft are connected to the pressure shaft unit 151 . The moving driving units 153 , 154 , and 155 for the shaft are disposed outside the vacuum chamber 110 to move the pressure shaft unit 151 up/down.

본 실시예에 따른 샤프트용 이동 구동부(153, 154, 155)는, 가압 샤프트부(151)가 결합되는 엘엠 블록(LM block, 153)과, 엘엠 블록(153)의 이동을 안내하는 엘엠 가이드(LM guide, 154)와, 엘엠 블록(153)에 연결되며 엘엠 블록(153)을 이동시키는 엘엠 블록용 구동부(155)를 포함한다.The movement driving units 153 , 154 , 155 for the shaft according to the present embodiment include an LM block 153 to which the pressure shaft unit 151 is coupled, and an LM guide ( LM block 153 ) for guiding the movement of the LM block 153 . It includes an LM guide, 154 , and a driving unit 155 for an LM block connected to the LM block 153 and moving the LM block 153 .

엘엠 가이드(154)는 엘엠 블록(153)의 이동을 안내한다. 엘엠 가이드(154)는 엘엠 블록(153)에 결합된 이동블록(미도시)과, 이동블록(미도시)이 슬라이딩 이동가능하게 연결되는 가이드 레일(미도시)을 포함한다. The LM guide 154 guides the movement of the LM block 153 . The LM guide 154 includes a moving block (not shown) coupled to the LM block 153 and a guide rail (not shown) to which the moving block (not shown) is slidably connected.

엘엠 블록용 구동부(155)는 엘엠 블록(153)에 연결된다. 이러한 엘엠 블록용 구동부(155) 엘엠 블록(153)을 이동시킨다. 본 실시예에 따른 엘엠 블록용 구동부(155)는, 엘엠 블록(153)에 결합되는 이동너트(미도시)와, 이동너트(미도시)에 치합되는 볼 스크류(155a)와, 볼 스크류(155a)에 결합되며 볼 스크류(155a)를 회전시키는 구동모터(155b)를 포함한다. The LM block driving unit 155 is connected to the LM block 153 . This LM block driving unit 155 moves the LM block 153 . The driving unit 155 for the LM block according to the present embodiment includes a moving nut (not shown) coupled to the LM block 153 , a ball screw 155a meshed with the moving nut (not shown), and a ball screw 155a ) and includes a driving motor (155b) for rotating the ball screw (155a).

벨로우즈관(K)은 가압 샤프트부(151)의 일부를 감싸며 가압 샤프트부(151)가 관통하는 진공 챔버(110)의 영역을 밀봉한다. 이러한 벨로우즈관(K)은 가압 샤프트부(151)의 업/다운 과정에서 진공 챔버(110)의 진공 상태가 파괴되는 것을 방지한다. 즉 본 실시예의 벨로우즈관(K)은 가압 샤프트부(151)가 관통하는 진공 챔버(110)의 영역을 외부의 대기압 공간에 대해 차폐한다.The bellows pipe K surrounds a portion of the pressure shaft unit 151 and seals the area of the vacuum chamber 110 through which the pressure shaft unit 151 passes. This bellows pipe (K) prevents the vacuum state of the vacuum chamber 110 from being destroyed during the up/down process of the pressure shaft part 151 . That is, the bellows pipe (K) of this embodiment shields the area of the vacuum chamber 110 through which the pressure shaft part 151 passes from the external atmospheric pressure space.

벨로우즈관(K)의 상단부는 진공 챔버(110)의 외벽에 연결되고 하단부는 엘엠 블록(153)에 연결된다. 이러한 벨로우즈관(K)은 엘엠 블록(153)의 승강에 따라 길이가 신축된다. 즉 엘엠 블록(153)가 상승할 때에는 길이가 줄어들고 엘엠 블록(153)이 하강할 때에는 길이가 신장된다.The upper end of the bellows pipe K is connected to the outer wall of the vacuum chamber 110 and the lower end is connected to the LM block 153 . The bellows pipe (K) is stretched in length according to the elevation of the LM block (153). That is, when the LM block 153 rises, the length decreases, and when the LM block 153 descends, the length increases.

한편, 실드부(180)는 진공 챔버(110)의 내부에 배치된다. 본 실시예에서 실드부(180)는 에칭 공정이 수행되는 영역의 하측에 배치되어 진공 챔버(110)의 하측 내벽을 차폐한다. Meanwhile, the shield unit 180 is disposed inside the vacuum chamber 110 . In the present embodiment, the shield unit 180 is disposed below the region where the etching process is performed to shield the lower inner wall of the vacuum chamber 110 .

이러한 실드부(180)의 상부에서는 레이저유닛(160)에 의한 에칭 공정이 수행되고, 에칭 공정에 의해 발생된 파티클이 아래로 낙하하여 실드부(180)에 부착된다.An etching process by the laser unit 160 is performed on the upper portion of the shield unit 180 , and particles generated by the etching process fall down and are attached to the shield unit 180 .

본 실시예에 따른 실드부(180)는, 도 4에 자세히 도시된 바와 같이. 진공 챔버(110)의 챔버 내벽에 연결되는 실드 브라켓(181)과, 실드 브라켓(181)에 착탈 가능하게 결합되는 실드 플레이트(183)를 포함한다.The shield unit 180 according to the present embodiment, as shown in detail in FIG. The vacuum chamber 110 includes a shield bracket 181 connected to the inner wall of the chamber, and a shield plate 183 detachably coupled to the shield bracket 181 .

실드 플레이트(183)는 판 형상으로 마련된다. 이러한 실드 플레이트(183)에 에칭 공정에 의해 발생된 파티클이 부착된다. 본 실시예에 따른 실드 플레이트(183)는 실드 브라켓(181)에 착탈 가능하게 결합됨으로써, 소정의 사용시간 또는 소정의 공정 횟수에 도달한 실드 플레이트(183)는 새로운 실드 플레이트(183)로 교체될 수 있다.The shield plate 183 is provided in a plate shape. Particles generated by the etching process are attached to the shield plate 183 . The shield plate 183 according to the present embodiment is detachably coupled to the shield bracket 181 , so that the shield plate 183 that has reached a predetermined use time or a predetermined number of processes is replaced with a new shield plate 183 . can

또한, 본 실시예에 따른 기판 에칭장치는, 진공 챔버(110)의 하부 영역에 배치되며 기판 트레이유닛(130)에 지지된 기판과 척킹부(121)를 얼라인(align)을 위해 진공 챔버(110)에 마련된 관측용 윈도우(미도시)를 통해 기판 트레이유닛(130)에 지지된 기판과 척킹부(121)를 촬상하는 얼라인용 카메라유닛(미도시)과, 얼라인용 카메라유닛(미도시)과 스테이지유닛(120)의 얼라인부(미도시)에 전기적으로 연결되는 제어유닛(미도시)을 더 포함한다. In addition, the substrate etching apparatus according to the present embodiment is disposed in the lower region of the vacuum chamber 110 and a vacuum chamber ( An alignment camera unit (not shown) for imaging the substrate supported on the substrate tray unit 130 and the chucking unit 121 through an observation window (not shown) provided in 110), and an alignment camera unit (not shown) and a control unit (not shown) electrically connected to an alignment unit (not shown) of the stage unit 120 .

얼라인용 카메라유닛(미도시)는 진공 챔버(110)의 하부 영역에 배치된다. 이러한 얼라인용 카메라유닛(미도시)은, 기판 트레이유닛(130)에 지지된 기판과 척킹부(121)의 얼라인(align)을 위해 진공 챔버(110)에 마련된 윈도우를 통해 비기판 트레이유닛(130)에 지지된 기판과 척킹부(121)를 촬상한다.The alignment camera unit (not shown) is disposed in the lower region of the vacuum chamber 110 . This alignment camera unit (not shown) is a non-substrate tray unit ( The substrate supported by the 130 and the chucking unit 121 are imaged.

본 실시예에서 얼라인용 카메라유닛(미도시)는 기판의 모서리 또는 기판에 마련된 기판용 마커(미도시)와 척킹부(121)의 모서리 영역에 마련된 척킹부용 마커(미도시)를 촬상한다.In the present embodiment, the alignment camera unit (not shown) captures images of a marker for a substrate (not shown) provided on the edge of the substrate or a substrate and a marker for a chucking unit (not shown) provided in an edge region of the chucking unit 121 .

제어유닛(미도시)은 얼라인용 카메라유닛(미도시)와 스테이지유닛(120)의 얼라인부(미도시)에 전기적으로 연결된다. 제어유닛(미도시)은 얼라인용 카메라유닛(미도시)의 정보를 통해 얼라인부(미도시)를 제어하여 척킹부(121)를 기판 트레이유닛(130)에 지지된 기판에 얼라인한다.The control unit (not shown) is electrically connected to the alignment unit (not shown) of the camera unit for alignment (not shown) and the stage unit 120 . The control unit (not shown) aligns the chucking unit 121 to the substrate supported by the substrate tray unit 130 by controlling the alignment unit (not shown) through information of the alignment camera unit (not shown).

본 실시예에서 제어유닛(미도시)은 스테이지 이동유닛(170), 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛(130), 레이저유닛(160) 등에도 전기적으로 연결된다.In this embodiment, the control unit (not shown) is also electrically connected to the stage moving unit 170 , the inactive area contact type substrate tray unit 130 , the laser unit 160 , and the like.

이하에서 본 실시예에 따른 기판 에칭장치의 동작을 에칭 공정 위주로 도 3 내지 도 12을 참고하여 설명한다. Hereinafter, the operation of the substrate etching apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 12 mainly for the etching process.

도 12에 도시된 바와 같이 기판의 상부 영역에 배치된 레이저유닛(160)에서 레이저 빔이 발진된다. 이러한 레이저 빔은 척킹부(121)의 빔 통과공(121a)를 지나 기판의 하면을 조사한다. 즉, 진공 챔버(110)의 상부 영역에서 발진된 레이저 빔이 척킹부(121)의 빔 통과공(121a)을 지나 기판을 관통하여 기판의 하부 표면 상에 증착된 증착막(미도시)의 에칭할 부분을 에칭한다. As shown in FIG. 12 , a laser beam is oscillated from the laser unit 160 disposed on the upper region of the substrate. This laser beam passes through the beam passage hole 121a of the chucking unit 121 and irradiates the lower surface of the substrate. That is, the laser beam oscillated in the upper region of the vacuum chamber 110 passes through the beam passage hole 121a of the chucking unit 121 and passes through the substrate to etch the deposited film (not shown) deposited on the lower surface of the substrate. etch the part.

이러한 레이저유닛(160)의 에칭가공에 발생된 파티클이 아래쪽으로 낙하한다. 낙하한 파티클은 실드부(180)에 부착된다.The particles generated in the etching process of the laser unit 160 fall downward. The dropped particles are attached to the shield unit 180 .

이와 같이 본 실시예에 따른 기판 에칭장치는, 진공 챔버(110)의 외부에 위치되어 진공 챔버(110) 내의 기판으로 레이저 빔을 조사하여 기판의 하면에 형성된 증착막(미도시)에 대한 에칭 공정을 수행하는 레이저유닛(160)이 기판 하면의 반대편에 배치됨으로써, 기판 에칭 공정에 의해 발생되는 파티클이 레이저유닛(160)쪽으로 이동되는 것을 방지할 수 있고, 그에 따라 파티클이 에칭 공정에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.As described above, the substrate etching apparatus according to the present embodiment is located outside the vacuum chamber 110 and irradiates a laser beam to the substrate in the vacuum chamber 110 to perform an etching process for a deposition film (not shown) formed on the lower surface of the substrate. Since the performing laser unit 160 is disposed on the opposite side of the lower surface of the substrate, it is possible to prevent particles generated by the substrate etching process from moving toward the laser unit 160, thereby preventing the particles from affecting the etching process. can be prevented

이상 도면을 참조하여 본 실시예에 대해 상세히 설명하였지만 본 실시예의 권리범위가 전술한 도면 및 설명에 국한되지는 않는다.Although this embodiment has been described in detail with reference to the drawings above, the scope of the present embodiment is not limited to the drawings and descriptions described above.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As such, the present invention is not limited to the described embodiments, and it is apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, it should be said that such modifications or variations belong to the claims of the present invention.

110: 진공 챔버 120: 스테이지유닛
121: 척킹부 121a: 빔 통과공
123: 스테이지 프레임부
130: 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛
140: 기판 지지모듈 141: 지지모듈 프레임부
142: 접촉부 장착용 가로 바아부 143: 세로 바아부
144: 결합용 가로 바아부 145: 연결용 가로 바아부
148: 기판 접촉부
150: 지지모듈용 업/다운(up/down) 이동모듈
151: 가압 샤프트부
153: 엘엠 블록 154: 엘엠 가이드
155: 엘엠 블록용 구동부 155a: 볼 스크류
155b: 구동모터 160: 레이저유닛
170: 스테이지 이동유닛 180: 실드부
181: 실드 브라켓 183:실드 플레이트
G1: 셀 G2: 비액티브 영역
110: vacuum chamber 120: stage unit
121: chucking part 121a: beam through hole
123: stage frame part
130: non-active area contact type substrate tray unit
140: substrate support module 141: support module frame part
142: horizontal bar portion for mounting the contact portion 143: vertical bar portion
144: horizontal bar portion for coupling 145: horizontal bar portion for connection
148: substrate contact
150: support module for up / down (up / down) moving module
151: pressure shaft portion
153: LM block 154: LM guide
155: LM block drive unit 155a: ball screw
155b: drive motor 160: laser unit
170: stage moving unit 180: shield unit
181: shield bracket 183: shield plate
G1: cell G2: inactive area

Claims (15)

내부에서 일면에 증착막이 형성된 기판에 대한 에칭 공정이 수행되는 진공 챔버;
상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 상기 진공 챔버의 내부로 로딩된 상기 기판을 척킹하는 척킹부를 구비하는 스테이지유닛;
상기 진공 챔버의 외부에 위치되며, 상기 진공 챔버 내의 기판으로 레이저 빔(Laser Beam)을 조사(照射, irradiation)하여 상기 증착막에 대한 에칭 공정을 수행하되, 상기 기판 일면의 반대편에 배치되는 레이저유닛;
상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 상기 스테이지유닛을 지지하고 상기 스테이지유닛을 이동시키는 스테이지 이동유닛; 및
상기 진공 챔버에 연결되며, 상기 기판을 지지하고 상기 기판을 척킹부 방향으로 이동시키는 기판 트레이유닛을 포함하며,
상기 증착막은 상기 기판의 하면에 형성되고,
상기 척킹부는 상기 기판의 상면을 척킹하며,
상기 레이저유닛은 상기 진공 챔버의 상측 영역에 배치되며,
상기 척킹부에는 상기 레이저 빔이 통과하는 빔 통과공이 형성되고,
상기 레이저 빔은 상기 빔 통과공을 지나 상기 기판을 관통하여 상기 기판의 하부 표면 상에 증착된 상기 증착막을 에칭하며,
상기 스테이지유닛은,
상기 스테이지 이동유닛에 연결되며, 상기 척킹부를 지지하는 스테이지 프레임부를 더 포함하고,
상기 기판 트레이유닛은,
상기 기판에 마련된 비액티브 영역에 접촉되는 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛을 포함하며,
상기 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛은,
상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지모듈; 및
상기 기판 지지모듈에 연결되며, 상기 기판 지지모듈을 상기 척킹부에 대하여 업/다운(up/down) 이동시키는 지지모듈용 업/다운(up/down) 이동모듈을 포함하고,
상기 기판 지지모듈은,
상기 업/다운(up/down) 이동모듈에 지지되는 지지모듈 프레임부; 및
상기 지지모듈 프레임부에 연결되며, 상기 기판의 상기 비액티브 영역에 접촉되는 기판 접촉부를 포함하며,
상기 지지모듈 프레임부는,
상기 기판 접촉부가 결합되며, 상호 이격되어 배치되는 다수개의 접촉부 장착용 가로 바아부;
각각의 상기 접촉부 장착용 가로 바아부에 결합되며, 상호 이격되어 배치되는 다수개의 세로 바아부;
상기 세로 바아부에 결합되며, 상기 업/다운(up/down) 이동모듈이 결합되는 결합용 가로 바아부; 및
상기 접촉부 장착용 가로 바아부와 상기 결합용 가로 바아부 사이에 배치되며, 상기 세로 바아부들에 연결되는 연결용 가로 바아부를 포함하고,
상기 기판 접촉부는 다수개로 마련되며, 다수개의 상기 기판 접촉부는 미리 결정된 이격간격에 따라 상호 이격되어 배치되며,
상기 지지모듈용 업/다운(up/down) 이동모듈은,
상기 진공 챔버의 하부벽을 관통하여 상기 지지모듈 프레임부에 결합되는 가압 샤프트부; 및
상기 가압 샤프트부에 연결되고 상기 진공 챔버의 외부에 배치되며, 상기 가압 샤프트부를 업/다운(up/down) 이동시키는 샤프트용 이동 구동부를 포함하며,
상기 샤프트용 이동 구동부는,
상기 가압 샤프트부가 결합되는 엘엠 블록(LM block);
상기 엘엠 블록의 이동을 안내하는 엘엠 가이드(LM guide); 및
상기 엘엠 블록에 연결되며, 상기 엘엠 블록을 이동시키는 엘엠 블록용 구동부를 포함하며,
상기 진공 챔버의 하부 영역에 배치되며, 상기 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛과 상기 기판의 얼라인(align)을 위해 상기 진공 챔버에 마련된 윈도우를 통해 상기 비액티브 영역 접촉형 기판 트레이유닛과 상기 기판을 촬상하는 얼라인용 카메라유닛을 더 포함하고,
상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 상기 진공 챔버의 내벽을 차폐하고 상기 에칭 공정에 의해 발생된 파티클이 부착되는 실드부를 더 포함하는 기판 에칭장치.
a vacuum chamber in which an etching process is performed on a substrate having a deposition film formed on one surface thereof;
a stage unit disposed inside the vacuum chamber and having a chucking unit for chucking the substrate loaded into the vacuum chamber;
a laser unit positioned outside the vacuum chamber and irradiated with a laser beam to a substrate in the vacuum chamber to perform an etching process on the deposition layer, the laser unit being disposed opposite to one surface of the substrate;
a stage moving unit disposed inside the vacuum chamber, supporting the stage unit and moving the stage unit; and
and a substrate tray unit connected to the vacuum chamber, supporting the substrate and moving the substrate in the direction of the chucking unit,
The deposition film is formed on the lower surface of the substrate,
The chucking unit chucks the upper surface of the substrate,
The laser unit is disposed in the upper region of the vacuum chamber,
A beam passing hole through which the laser beam passes is formed in the chucking part,
The laser beam passes through the beam passing hole and passes through the substrate to etch the deposited film deposited on the lower surface of the substrate,
The stage unit is
It is connected to the stage moving unit, further comprising a stage frame for supporting the chucking unit,
The substrate tray unit,
and a non-active area contact type substrate tray unit in contact with the non-active area provided on the substrate,
The inactive area contact type substrate tray unit,
a substrate support module disposed inside the vacuum chamber and supporting the substrate; and
an up/down moving module for a support module connected to the substrate support module and configured to move the substrate support module up/down with respect to the chucking unit;
The substrate support module,
a support module frame part supported by the up/down moving module; and
and a substrate contact part connected to the support module frame part and in contact with the inactive area of the substrate;
The support module frame portion,
a plurality of horizontal bar portions for mounting the contact portions to which the substrate contact portions are coupled and disposed to be spaced apart from each other;
a plurality of vertical bar portions coupled to the horizontal bar portions for mounting the respective contact portions and disposed to be spaced apart from each other;
a horizontal bar for coupling coupled to the vertical bar and to which the up/down moving module is coupled; and
It is disposed between the horizontal bar part for mounting the contact part and the horizontal bar part for coupling, and includes a horizontal bar part for connection connected to the vertical bar parts,
The substrate contact portion is provided in plurality, and the plurality of substrate contact portions are arranged to be spaced apart from each other according to a predetermined spacing,
The up / down (up / down) moving module for the support module,
a pressure shaft part coupled to the support module frame part through a lower wall of the vacuum chamber; and
It is connected to the pressure shaft portion and is disposed outside the vacuum chamber, and includes a movement driving unit for a shaft that moves the pressure shaft up / down (up / down),
The moving driving unit for the shaft,
LM block to which the pressure shaft portion is coupled;
an LM guide for guiding the movement of the LM block; and
It is connected to the LM block and includes a driving unit for the LM block that moves the LM block,
The inactive area contact type substrate tray unit and the substrate are disposed in the lower area of the vacuum chamber, and through a window provided in the vacuum chamber for aligning the inactive area contact type substrate tray unit and the substrate, the inactive area contact type substrate tray unit and the substrate Further comprising a camera unit for alignment for imaging
The substrate etching apparatus further comprising a shield portion disposed inside the vacuum chamber, shielding the inner wall of the vacuum chamber and to which particles generated by the etching process are attached.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 비액티브 영역 중 적어도 일부는 상기 기판의 중앙 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 에칭장치.
According to claim 1,
At least a portion of the inactive region is disposed in a central region of the substrate.
삭제delete 삭제delete
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