KR102295027B1 - 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 응집·혼화를 거친 원수를 상향류식 경사판 침전지를 이용하여 전처리한 후 PTFE 재질을 사용하여 투과성능을 향상시킨 분리막을 통해 원수를 정수 처리함으로써 필요한 정수 생산량에 사용되는 막의 소요개수를 감소시켜 막의 설치 및 유지보수 비용을 절감시키도록 하는 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템 및 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 응집·혼화를 거친 원수를 상향류식 경사판 침전지를 이용하여 전처리한 후 PTFE 재질을 사용하여 투과성능을 향상시킨 분리막을 통해 원수를 정수 처리함으로써 필요한 정수 생산량에 사용되는 막의 소요개수를 감소시켜 막의 설치 및 유지보수 비용을 절감시키고, 경사판 침전지의 유출수 탁도를 이용하여 유출수의 체류 시간을 증대시켜 처리 효율을 높이도록 하는 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템 및 방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 분리막은 머리카락 굵기보다 작은 미세기공(수㎛ 이하)이 형성되어 있다. 이러한 분리막은 미세 공극을 통해 용액과 용질을 분리한다. 예를 들어, 분리막을 이용하면 수중에 포함된 유기 오염물질, 무기 오염물질, 기생충, 박테리아를 분리할 수 있다.
이러한 분리막은 안전한 물을 생산하기 위한 상수 처리시설에 널리 사용되고 있다. 특히, 분리막 여과공정은 종래의 모래여과 공정에 비해 응집제 등 세정약품을 사용량이 적기 때문에 친환경적인 처리가 가능하고, 소요되는 부지면적을 줄일 수 있는 장점이 있다.
분리막은 미세기공의 크기에 따라 정밀여과막(MF), 한외여과막(UF), 나노여과막(NF), 역삼투여과막(RO) 등으로 구분된다. 정밀여과막과 한외여과막은 상수처리에 의한 먹는 물을 생산하거나 생활하수나 공장폐수를 처리하는데 적합하다. 나노여과막과 역삼투 여과막은 상대적으로 공극이 작기 때문에 불순물이 거의 포함되지 않은 순수한 물을 생산하는데 적합하다.
또한 분리막은 막 유니트 형식에 따라 평막, 회전 평막, 나권형막, 주름막, 관상형막, 중공사로 구분된다. 평막은 농도분극 영향이 적어 난류 촉진이 용이하며 고농축 혼탁액의 여과가 가능하고, 회전 평막은 고점성액의 여과에 적합하다. 나권형막과 주름막은 막 집적도가 큰 장점이 있지만 고형물의 혼입이 불가하고 농도분극 영향이 크다는 단점이 있다. 관상형막은 고유속이 용이하여 농도분극의 영향이 적고 고농도 혼탁액의 여과가 가능하지만 막의 집적도가 작다. 마지막으로 중공사 막은 막집적도가 크고, 외압식 여과 방식에 의하여 고농도 현탁액의 여과가 가능하지만 농도분극 영향이 큰 단점을 가지고 있다.
상수처리에서 분리막 여과공정을 적용하는 가장 큰 이유는 일정한 수질을 얻을 수 있다는 것이다. 특히, 우리나라와 같이 봄, 가을의 조류발생, 여름의 고탁도, 겨울의 수온저하 등 4계절마다 원수의 수질 편차가 큰 경우에는 종래의 모래여과로는 일정한 수질을 얻기가 어려웠다. 또한, 분리막 여과공정을 이용하면, 자동화가 가능하고 모래여과에 비해서 소요 부지면적이 작다. 이러한 장점은 전문 관리 인력과 시설부지가 부족한 우리나라의 현실에서 매우 유용하다.
따라서 앞으로 정수처리시설에서 분리막을 이용한 여과공정시스템을 활성화하기 위해서는 무엇보다도 막의 형식과 특징에 따라 이에 적합한 공정을 구성하는 것이 필요한 실정이다.
일례로, 국내 등록특허 제10-1526884호인 침지형 분리막 장치를 이용한 정수처리 시스템이 게시되어 있다.
상기 침지형 분리막 장치를 이용한 정수처리 시스템은 유입수에 응집제를 혼화하여 응집하는 혼화 및 응집 공정과; 혼화 및 응집공정에 의한 응집처리수를 경사판 침전지가 설치된 침전조에서 상기 경사판 침전지를 통하여 침전시키는 침전공정과; 침전공정에 의한 침전처리수를 침지형 분리막 장치가 설치된 분리막조에서 침지형 분리막 장치의 중공사막에 의하여 여과하는 분리막 여과공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그러나, 이러한 종래의 침지형 분리막 장치를 이용한 정수처리 시스템은 중공사막으로 이루어지는 침지형 분리막을 사용하기 때문에 막을 자주 교체하거나 세정해야하므로 설치 비용과, 유지 보수 비용이 증대되고, 일반적인 단순 구조의 경사판 침전지를 사용하기 때문에 플록의 침전 시간이 짧아 전처리 효율이 상대적으로 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 상세하게는 응집·혼화를 거친 원수를 상향류식 경사판 침전지를 이용하여 전처리한 후 PTFE 재질을 사용하여 투과성능을 향상시킨 분리막을 통해 원수를 정수 처리함으로써 필요한 정수 생산량에 사용되는 막의 소요개수를 감소시켜 막의 설치 및 유지보수 비용을 절감시키고, 경사판 침전지의 유출수 탁도를 이용하여 유출수의 체류 시간을 증대시켜 처리 효율을 높이도록 하는 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상향류식 경사판 침전지에 와류 발생 유니트를 형성하고, 와류 발생 유니트에서 오리피스 효과와 벤추리 효과를 가지도록 단차를 가지도록 설치함으로써 유속 차이에 따른 와류 발생으로 체류 시간을 증대시켜 플록 침전을 최대화시킬 수 있도록 하는 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템 및 방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
또, 본 발명은 침전지 본체에 경사면을 형성하고, 경사면에 스크류 컨베이어를 설치하여 경사면에 침전된 플록을 외부로 손쉽게 배출시켜 장시간 동작이 가능하도록 하는 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템 및 방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은,
처리를 요하는 원수가 유입되어 저장되는 원수조와; 상기 원수조로부터 공급되는 원수에 포함된 미세플록을 성장시켜 여과 및 침전 가능한 크기의 플록으로 성장시키는 응집조와; 상기 응집조로부터 유출되는 유출수에 포함된 플록을 와류를 이용하여 침전시키고, 상징수만을 배출하는 경사판 침전지와; 상기 경사판 침전지의 플록 생성 시간을 조절하는 제어반; 및 상기 경사판 침전지로부터 배출되는 원수를 여과막을 이용하여 여과하는 막여과조로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 경사판 침전지는 상면이 개구된 박스 형태로 형성되고, 저면에 플록을 수집하여 배출하도록 경사면이 형성되어 상기 경사면에 플록 배출구가 구비되며, 일측면에 유입구와 타측면에 유출구가 구비되는 침전조 본체와; 상기 침전조 본체의 바닥으로부터 일정거리 이격되어 설치되고, 유출수를 상향식으로 배출하면서 와류를 발생시키는 와류 발생 유니트; 및 상기 와류 발생 유니트의 상부에 일정거리 이격되고, 복수의 경사판이 등간격을 가지며 설치되는 경사판 유니트를 포함한다.
여기에서 또한, 상기 와류 발생 유니트는 사각관 형태로 형성되되, 상부가 넓고 하부가 좁은 테이퍼진 형태로 형성되어 유출수의 상승 속도를 줄이는 제 1상승 튜브와; 사각관 형태로 형성되되, 상부가 좁고 하부가 넓은 테이퍼진 형태로 형성되어 유출수의 상승 속도를 높여 상기 제 1상승 튜브에서 배출되는 유출수와 유속 차에 의한 와류를 발생시키고, 상기 제 1상승 튜브와 이웃하도록 설치되는 제 2상승 튜브로 이루어진다.
여기에서 또, 상기 제 1상승 튜브는 상기 제 2상승 튜브보다 더 높게 설치되어 하부측에 오리피스 효과가 발생되도록 하고, 상부측에 벤추리 효과가 발생되도록 하도록 한다.
여기에서 또, 상기 제어반은 상기 침전조 본체의 유입구 및 유출구에 설치되는 차단 밸브와; 상기 침전조 본체 내에서 상기 경사판 침전지 상부의 탁도를 측정하는 탁도 센서와; 상기 침전조 본체 내의 유출수를 순환배관을 통해 순환시키는 순환 펌프; 및 상기 탁도 센서를 통해 유출수의 탁도가 기준값 미만이면 상기 차단 밸브를 동작시켜 유로를 폐쇄하고, 상기 순환 펌프를 동작시켜 유출수의 체류 시간을 증대시키는 컨트롤러로 이루어진다.
본 발명의 다른 특징은,
상기의 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템을 이용한 정수 처리 방법에 있어서, 처리를 요하는 원수를 원수조에 저장하는 원수 저장 공정과; 상기 원수조에 저장된 원수를 공급받아 응집조에서 원수에 포함된 미세플록을 성장시켜 여과 및 침전 가능한 크기의 플록으로 성장시키는 응집 공정과;
상기 응집조로부터 유출되는 유출수를 공급받아 경사판 침전지에서 와류를 이용하여 유출수에 포함된 플록을 침전시키고, 상징수만을 배출하는 전처리 공정과; 제어함의 컨트롤러가 탁도 센서에서 측정된 상기 경사판 침전지의 유출수의 탁도가 기준값 미만이면 상기 경사판 침전지의 침전조 본체 유입구 및 유출구에 설치된 차단 밸브를 폐쇄시킨 상태에서 순환 펌프를 동작시켜 유출수를 순환시켜 유출수의 체류 시간을 증대시키는 유출수 체류 시간 조절 공정; 및 상기 경사판 침전지에서 전처리된 원수를 막여과조의 여과막을 이용하여 여과하는 정수 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성되는 본 발명인 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템 및 방법에 따르면,
상세하게는 응집·혼화를 거친 원수를 상향류식 경사판 침전지를 이용하여 전처리한 후 PTFE 재질을 사용하여 투과성능을 향상시킨 분리막을 통해 원수를 정수 처리함으로써 필요한 정수 생산량에 사용되는 막의 소요개수를 감소시켜 막의 설치 및 유지보수 비용을 절감시키고, 경사판 침전지의 유출수 탁도를 이용하여 유출수의 체류 시간을 증대시켜 처리 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 상향류식 경사판 침전지에 와류 발생 유니트를 형성하고, 와류 발생 유니트에서 오리피스 효과와 벤추리 효과를 가지도록 단차를 가지도록 설치함으로써 유속 차이에 따른 와류 발생으로 체류 시간을 증대시켜 플록 침전을 최대화시킬 수 있다.
또, 본 발명에 따르면 침전지 본체에 경사면을 형성하고, 경사면에 스크류 컨베이어를 설치하여 경사면에 침전된 플록을 외부로 손쉽게 배출시켜 장시간 동작이 가능하여 처리 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템중 경사판 침전지의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템중 경사판 침전지의 와류 발생을 설명하기 위한 설명도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템중 경사판 침전지 구성을 나타낸 부분 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 2는 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템중 경사판 침전지의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템중 경사판 침전지의 와류 발생을 설명하기 위한 설명도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템중 경사판 침전지 구성을 나타낸 부분 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
이하, 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템의 구성을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템중 경사판 침전지의 구성을 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템중 경사판 침전지의 와류 발생을 설명하기 위한 설명도이며, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템중 경사판 침전지 구성을 나타낸 부분 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템(100)은, 원수조(110)와, 응집조(120)와, 경사판 침전지(130)와, 제어반(140) 및 막여과조(150)로 구성된다.
먼저, 원수조(110)는 처리를 요하는 원수가 유입되어 저장된다.
그리고, 응집조(120)는 원수조(110)로부터 공급되는 원수에 포함된 미세플록을 성장시켜 여과 및 침전 가능한 크기의 플록으로 성장시켜 배출한다. 여기에서, 응집조(120) 내부에 교반기(미도시)가 구비된다.
또한, 경사판 침전지(130)는 침전조 본체(131)와, 와류 발생 유니트(133) 및 경사판 유니트(135)로 구성된다.
침전조 본체(131)는 상면이 개구된 박스 형태로 형성되고, 저면에 플록을 수집하여 배출하도록 경사면(S)이 형성되어 경사면(S)에 플록 배출구(A)가 구비되며, 일측면에 유입구(B)와 타측면에 유출구(C)가 구비된다. 이때, 경사면(S)에는 침하된 플록이 플록 배출구(A) 측으로 수집되도록 모터(M)에 의해 회전되는 스크류 컨베이어(137)가 설치되는 것이 바람직하다.
와류 발생 유니트(133)는 표면부하율에 의한 분리와 와류에 의한 분리가 가능하도록 침전조 본체(131)의 바닥으로부터 일정거리 이격되어 설치되고, 유출수를 상향식으로 배출하면서 와류를 발생시킨다.
와류 발생 유니트(133)는 사각관 형태로 형성되되, 상부가 넓고 하부가 좁은 테이퍼진 형태로 형성되어 유출수의 상승 속도를 줄이는 제 1상승 튜브(133a)와, 제 1상승 튜브(133a)가 뒤집힌 형상으로 상부가 좁고 하부가 넓은 테이퍼진 형태로 형성되어 유출수의 상승 속도를 높여 제 1상승 튜브(133a)에서 배출되는 유출수와 유속 차에 의한 와류를 발생시키고, 제 1상승 튜브(133a)와 이웃하도록 설치되는 제 2상승 튜브(133b)로 구성된다. 이때, 제 1상승 튜브(133a)는 도 3에 도시된 바와 같이 제 2상승 튜브(133b)보다 더 높게 설치되어 하부측에 오리피스 효과가 발생되도록 하고, 상부측에 벤추리 효과가 발생되도록 하도록 한다.
한편, 와류 발생 유니트(133)는 도 4에 도시된 바와 같이 제 1상승 튜브(133a)와, 제 2상승 튜브(133b) 내에 지그재그 형태로 경사 날개(139)를 설치하여 유로를 형성하여 체류 시간을 증대시킬 수도 있다.
경사판 유니트(135)는 통상의 구조로 와류 발생 유니트(133)의 상부에 일정거리 이격되고, 복수의 경사판(135a)이 등간격을 가지며 설치된다.
이어서, 제어반(140)은 차단 밸브(141)와, 탁도 센서(143)와, 순환 펌프(145) 및 컨트롤러(147)로 구성된다.
차단 밸브(141)는 침전조 본체(131)의 유입구(B) 및 유출구(C)에 설치되어 컨트롤러(147)의 제어에 따라 개폐된다.
탁도 센서(143)는 침전조 본체(131) 내에서 경사판 침전지(130) 상부의 탁도를 측정하여 컨트롤러(147)로 전송한다.
순환 펌프(145)는 컨트롤러(147)의 제어에 따라 침전조 본체(131) 내의 유출수를 순환배관을 통해 순환시킨다.
컨트롤러(147)는 탁도 센서(143)를 통해 유출수의 탁도가 기준값 미만이면 차단 밸브(141)를 동작시켜 유로를 폐쇄하고, 순환 펌프(145)를 동작시켜 유출수의 체류 시간을 증대시킨다. 이때, 컨트롤러(147)는 탁도값이 높을수록 순환 시간을 증대시켜 체류 시간을 증대시키는 것이 바람직하다.
한편, 컨트롤러(147)는 침전조 본체(131) 인근에서 수배전반 형태의 함체 내에 설치되고, 함체에는 차단 밸브(141)와, 탁도 센서(143)와, 순환 펌프(145)로 전원을 공급을 위한 릴레이, 차단기, 스위치 등이 구비되고, 선택에 따라 원격지에서 제어가 가능하도록 무선 통신 장치가 설치될 수도 있다.
또한, 함체는 제어반(140) 뿐만 아니라 원수조(110)와, 응집조(120) 및 막여과조(150)의 각종 펌프, 밸브, 센서 등에도 전원을 공급하는 수배전반으로 동작할 수도 있다.
계속해서, 막여과조(150)는 경사판 침전지(130)의 유출구(C)로부터 배출되는 원수를 여과막(151)을 이용하여 여과한다. 여기에서 또한, 여과막(151)은 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE : polytetrafluoroethylene) 재질로 이루어진다.
이하, 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 방법의 동작을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명에 따른 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 5를 참조하면, 원수조(110)에는 처리를 요하는 원수가 유입되어 저장된다(S100).
이러한 상태에서, 원수가 응집조(120)로 공급되면, 응집조(120)는 원수에 포함된 미세플록을 여과 및 침전 가능한 크기의 플록으로 성장시킨 후 경사판 침전지(130)로 배출한다(S110).
그러면, 침전조 본체(131)의 유입구(B)를 통해 유입된 유출수가 와류 발생 유니트(133)의 제 1상승 튜브(133a)와, 제 2상승 튜브(133b)를 통해 상향식으로 배출되는 데, 제 1상승 튜브(133a)가 제 2상승 튜브(133b)보다 더 높게 설치되어 있기 때문에 제 1상승 튜브(133a)의 하부측에는 오리피스 효과가 발생되고, 제 2상승 튜브(133b)의 상부측에 벤추리 효과가 발생되어 서로 다른 유속을 가지며 통과하게 되고, 제 1상승 튜브(133a)와 제 2상승 튜브(133b)의 경사 형태의 단차로 인해 유속 차이로 인해 배출 측에서 와류가 발생하게 되어 침전 시간을 증대시키고, 제 1상승 튜브(133a)와, 제 2상승 튜브(133b)의 테이퍼진 형태로 형성되어 있어 표면부하율에 의한 분리가 이루어져 플록이 침전된다.
와류 발생 유니트(133)을 통해 상승된 유출수는 경사판 유니트(135)를 통과하면서 유출수에 포함된 플록을 침전시키고, 경사판 유니트(135)의 상부를 통해 배출되는 상징수가 침전조 본체(131)의 유출구(C)를 통해 막여과조(150)로 배출한다(S120).
한편, 제어반(140)의 컨트롤러(147)는 탁도 센서(143)를 통해 유출수의 탁도를 실시간을 측정하다가 탁도가 기준값 미만이면 차단 밸브(141)를 동작시켜 유로를 폐쇄하고, 순환 펌프(145)를 동작시켜 유출수의 체류 시간을 증대시킨다(S130). 이후 컨트롤러(147)는 탁도가 기준값 이상으로 복귀되면 차단 밸브(141)를 동작시켜 유로를 개방시키고, 순환 펌프(145)를 오프시킨다.
그리고, 막여과조(150)로 상징수가 유입되면 막여과조(150)는 경사판 침전지(130)에서 전처리된 원수를 여과막(151)을 이용하여 정수하여 배출한다(S140).
한편, 침전조 본체(131)의 경사면(S)에는 침하된 플록은 스크류 컨베이어(137)의 간헐적 또는 연속 회전에 의해 경사면(S)을 따라 플록 배출구(A) 측으로 수집된 후 플록 배출구(A)를 통해 외부로 배출된다.
본 발명은 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있으며 상기 발명의 상세한 설명에서는 그에 따른 특별한 실시 예에 대해서만 기술하였다. 하지만 본 발명은 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
110 : 원수조 120 : 응집조
130 : 경사판 침전지 131 : 침전지 본체
133 : 와류 발생 유니트 135 : 경사판 유니트
140 : 제어반 147 : 컨트롤러
150 : 막여과조 151 : 여과막
130 : 경사판 침전지 131 : 침전지 본체
133 : 와류 발생 유니트 135 : 경사판 유니트
140 : 제어반 147 : 컨트롤러
150 : 막여과조 151 : 여과막
Claims (6)
- 처리를 요하는 원수가 유입되어 저장되는 원수조와;
상기 원수조로부터 공급되는 원수에 포함된 미세플록을 성장시켜 여과 및 침전 가능한 크기의 플록으로 성장시키는 응집조와;
상기 응집조로부터 유출되는 유출수에 포함된 플록을 와류를 이용하여 침전시키고, 상징수만을 배출하는 경사판 침전지와;
상기 경사판 침전지의 플록 생성 시간을 조절하는 제어반; 및
상기 경사판 침전지로부터 배출되는 원수를 여과막을 이용하여 여과하는 막여과조를 포함하고,
상기 경사판 침전지는,
상면이 개구된 박스 형태로 형성되고, 저면에 플록을 수집하여 배출하도록 경사면이 형성되어 상기 경사면에 플록 배출구가 구비되며, 일측면에 유입구와 타측면에 유출구가 구비되는 침전조 본체와;
상기 침전조 본체의 바닥으로부터 일정거리 이격되어 설치되고, 유출수를 상향식으로 배출하면서 와류를 발생시키는 와류 발생 유니트; 및
상기 와류 발생 유니트의 상부에 일정거리 이격되고, 복수의 경사판이 등간격을 가지며 설치되는 경사판 유니트를 포함하며,
상기 와류 발생 유니트는,
사각관 형태로 형성되되, 상부가 넓고 하부가 좁은 테이퍼진 형태로 형성되어 유출수의 상승 속도를 줄이는 제 1상승 튜브와;
사각관 형태로 형성되되, 상부가 좁고 하부가 넓은 테이퍼진 형태로 형성되어 유출수의 상승 속도를 높여 상기 제 1상승 튜브에서 배출되는 유출수와 유속 차에 의한 와류를 발생시키고, 상기 제 1상승 튜브와 이웃하도록 설치되는 제 2상승 튜브로 이루어지는 것을 특징으로 하는 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1상승 튜브는,
상기 제 2상승 튜브보다 더 높게 설치되어 하부측에 오리피스 효과가 발생되도록 하고, 상부측에 벤추리 효과가 발생되도록 하도록 하는 것을 특징으로 하는 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템. - 삭제
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210027137A KR102295027B1 (ko) | 2021-03-02 | 2021-03-02 | 경사판 침전지와 여과막을 구비하는 막여과 정수 처리 제어 시스템 및 방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR102295027B1 true KR102295027B1 (ko) | 2021-08-27 |
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|---|---|
| KR (1) | KR102295027B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116020179A (zh) * | 2023-02-14 | 2023-04-28 | 青岛大任水务有限公司 | 一种高密度沉淀池斜管自动清洗设备及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100797170B1 (ko) * | 2007-09-21 | 2008-01-28 | 주식회사 한국종합기술 | 침전효율을 높일 수 있는 침전지 |
| KR101068551B1 (ko) * | 2008-12-05 | 2011-09-30 | 한국수자원공사 | 고도 수처리가 가능한 나선흐름의 저에너지형 슬러지 블랭킷 형태 고속침전조 |
| KR101526884B1 (ko) | 2008-11-12 | 2015-06-08 | 코오롱글로벌 주식회사 | 침지형 분리막 장치를 이용한 정수처리 시스템 |
-
2021
- 2021-03-02 KR KR1020210027137A patent/KR102295027B1/ko active IP Right Grant
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