KR102292970B1 - 자석 어셈블리 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 자석 어셈블리 및 이의 제조방법에 대한 것으로, 상기 자석 어셈블리는 자석 삽입부를 포함하는 지지 플레이트; 상기 자석 삽입부에 삽입되고, 할바흐 배열(halbach array)로 배치된 복수의 자석부를 포함하는 자석 유닛; 상기 지지 플레이트의 일면 상에 배치된 제1 커버 플레이트; 및 상기 지지 플레이트 및 제1 커버 플레이트 사이에 배치된 제1 접착층을 포함한다.

Description

자석 어셈블리 및 이의 제조방법{MAGNET ASSEMBLY AND PRODUCTION METHOD THEREOF}

본 발명은 자석 어셈블리 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 할바흐 배열로 배치된 자석부들 사이에 접착층을 비(非)-포함하는 자석 어셈블리 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

할바흐 자석은 1983년 할바흐에 의해 제안된 자석 배열 방식으로 복수의 자석편이 배치되어 이루어진 것으로, 원하는 면에 자속을 집중시키면서 원하지 않는 면에는 자속을 상쇄시킬 수 있다.

할바흐 자석은 일반적으로 착자된 자석편들로 이루어져있다. 다만, 할바흐 자석은 자력 증폭 영역의 자석편이 수직 방향으로 밀려 올라가는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서, 종래에는 제조시 자석편들 사이에 접착제를 도포하는 본딩 공정을 통해 자석편들을 고정시켰다. 그러나, 할바흐 자석 자체의 구조상 자석편들 사이에 접착제를 도포하는 것을 쉽지 않았고, 본딩 공정으로 인해 제조 시간 및 비용이 증대되었다. 또한, 본딩 공정시 열을 가하기 때문에, 자석이 열에 의해 손상되었다.

본 발명의 목적은 할바흐 배열로 배치된 자석부들 사이에 접착층을 비(非)-포함하는 자석 어셈블리를 제공하고자 한다.

또, 본 발명의 다른 목적은 제조 시간의 단축 및 제조 비용의 절감은 물론, 자석부들의 열 손상(damage) 없이 자석 어셈블리를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.

전술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 자석 삽입부를 포함하는 지지 플레이트; 상기 자석 삽입부에 삽입되고, 할바흐 배열(halbach array)로 배치된 복수의 자석부를 포함하는 자석 유닛; 상기 지지 플레이트의 일면 상에 배치된 제1 커버 플레이트; 및 상기 지지 플레이트 및 제1 커버 플레이트 사이에 배치된 제1 접착층을 포함하는 자석 어셈블리를 제공한다.

또한, 본 발명의 자석 어셈블리에서, 상기 자석 유닛은 서로 인접하는 자석부들 사이에 접착층을 비(非)-포함한다.

또, 본 발명의 자석 어셈블리는 상기 지지 플레이트의 타면 상에 배치된 제2 커버 플레이트; 및 상기 지지 플레이트와 제2 커버 플레이트 사이에 배치된 제2 접착층을 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명은 복수의 자석 삽입부를 포함하는 지지 부재의 자석 삽입부에 할바흐 배열로 배치된 복수의 자석부를 포함하는 자석 유닛을 각각 삽입하는 단계; 제1 커버 부재의 일면에 제1 접착부재를 가접하여 제1 적층체를 형성하는 단계; 상기 자석 유닛이 삽입된 지지 부재의 일면 상에 상기 제1 적층체를 적층하고 본접하여 제2 적층체를 형성하는 단계; 및 상기 제2 적층체 내 서로 인접하는 자석 유닛들 사이를 컷팅하는 단계를 포함하는 자석 어셈블리의 제조방법을 제공한다.

본 발명에 따른 자석 어셈블리의 제조방법은 상기 자석 유닛 내 서로 인접하는 자석부들 사이에 접착층을 개재시키는 단계를 비(非)-포함한다.

또, 본 발명에 따른 자석 어셈블리의 제조방법은 제2 커버 부재의 일면에 제2 접착 부재를 가접하여 제3 적층체를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 본접 단계는 상기 지지 부재의 타면 상에 상기 제3 적층체를 더 적층하고 본접하여 제4 적층체를 형성하고, 상기 컷팅 단계는 상기 제4 적층체 내 서로 인접하는 자석 유닛들 사이를 컷팅한다.

본 발명에 따른 자석 어셈블리는 자석 유닛이 지지 플레이트에 삽입한 상태로 커버 플레이트에 의해 커버됨으로써, 제조시 자석부들을 열 본딩하는 공정을 생략할 수 있고, 따라서 열 손상 없이, 특정 방향으로 증대된 자력을 가질 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 자석 어셈블리를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 자석 어셈블리를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3(a) 및 도 3(b)는 각각 본 발명에 따른 자석 유닛의 실시 형태를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시 형태에 따라 자석 어셈블리를 제조하는 각 공정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시 형태에 따라 자석 어셈블리를 제조하는 각 공정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이때 본 명세서 전체 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구조를 지칭한다.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

또한, 명세서 전체에서, "위에" 또는 "상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치하는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 위쪽에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.

그리고, 본원 명세서에서 "제1", "제2" 등의 용어는 임의의 순서 또는 중요도를 나타내는 것이 아니라 구성요소들을 서로 구별하고자 사용된 것이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 자석 어셈블리를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 자석 어셈블리를 개략적으로 나타낸 단면도로, 본 발명에 따른 자석 어셈블리(1A, 1B)는 자석 삽입부(11)를 포함하는 지지 플레이트(10); 상기 자석 삽입부(11)에 삽입되고, 할바흐 배열(halbach array)로 배치된 복수의 자석부를 포함하는 자석 유닛(M); 상기 지지 플레이트(10)의 일면 상에 배치된 제1 커버 플레이트(20); 및 상기 지지 플레이트(10) 및 제1 커버 플레이트(20) 사이에 배치된 제1 접착층(30)을 포함한다. 또, 본 발명에 따른 자석 어셈블리(1B)는 상기 지지 플레이트(10)의 타면 상에 배치된 제2 커버 플레이트(40); 및 상기 지지 플레이트(10)와 제2 커버 플레이트(40) 사이에 배치된 제2 접착층(50)을 더 포함할 수 있다.

여기서, 상기 자석 유닛(M)은 도 3에 도시된 바와 같이, 할바흐 배열로 배치된 복수의 자석(M1a, M1b, M1c, M1d)을 포함하는 것으로, 지지 플레이트(10)의 자석 삽입부(11)에 삽입된다. 이러한 자석 유닛(M)의 자석부들(M1a, M1b, M1c, M1d)은 제1 접착층(30)을 통해 지지 플레이트(10)에 접착된 제1 커버 플레이트(20)에 의해 고정된다. 이 때문에, 상기 자석 유닛(M)이 척력이 발생하는 부위의 자석부들 사이에 접착층을 포함하지 않더라도, 척력이 발생하는 부위의 자석부들은 제1 커버 플레이트(20)에 의해 고정되어 수직 방향으로 밀려 올라오지 않는다. 따라서, 본 발명은 종래와 달리, 자석부들 사이에 접착층을 개재할 필요가 없기 때문에, 자석 어셈블리의 제조시 자석부들을 열에 의해 본딩(bonding)하는 공정을 생략할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제조 시간의 단축 및 제조 비용의 절감은 물론, 자석부들의 열 손상(damage) 없이, 특정 방향으로 자속(magnetic flux)을 집속시켜 자력을 증대시킬 수 있다.

이하, 도 1을 참고하여, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 자석 어셈블리(1A)에 대해 설명한다.

본 발명의 제1 실시 형태에 따른 자석 어셈블리(1A)는 자석 삽입부(11)를 포함하는 지지 플레이트(10); 상기 자석 삽입부(11)에 삽입된 자석 유닛(M); 상기 지지 플레이트(10) 상에 순차적으로 배치된 제1 접착층(30) 및 제1 커버 플레이트(20)를 포함한다.

(1) 지지 플레이트

본 발명의 자석 어셈블리(1A)에서, 지지 플레이트(10)는 자석 유닛(M)을 수용하여 지지하는 부분이다.

본 발명의 지지 플레이트(10)는 자석 유닛(M)이 삽입되는 자석 삽입부(11)를 포함한다. 이때, 자석 삽입부(11)는 도 1에 도시된 바와 같이 1개이거나, 또는 복수개일 수 있다. 이러한 자석 삽입부(11)의 형상은 자석 유닛(M)의 형상에 따라 조절할 수 있다.

상기 자석 삽입부(11)는 관통형인 삽입홀이거나 또는 비(非)-관통형인 삽입홈일 수 있다. 이때, 자석 삽입부(11)가 도 1에 도시된 바와 같이 삽입홀일 경우, 자석 유닛(M)의 두께는 지지 플레이트(10)의 두께와 동일하다. 한편, 자석 삽입부(11)가 삽입홈일 경우, 자석 유닛(M)의 두께는 지지 플레이트(10)의 두께보다 작다.

전술한 지지 플레이트(10)의 재료는 당 업계에서 통상적으로 고경도 및 고강도를 가진 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 고분자일 수 있다. 본 발명에서 사용 가능한 고분자로는 열가소성, 열경화성 고분자 등 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 에폭시계 고분자, 폴리우레탄계 고분자, 폴리아미드계 고분자, 폴리알파올레핀계 고분자, 비닐계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리아세탈계 고분자, 폴리에테르계 고분자, 폴리에스테르계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리설파이드계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리펩티드계 고분자, 폴리케톤계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 비닐리딘계 고분자, 이들의 공중합체 등이 있는데, 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.

일례에 따르면, 지지 플레이트(10)의 재료는 에폭시계 고분자일 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(10)의 휨 강도가 향상되기 때문에, 본 발명의 자석 어셈블리(1A)는 경량성, 고경도, 고강도를 가질 수 있다.

본 발명에서 사용 가능한 에폭시계 고분자는 분자 내 적어도 1 이상의 에폭시기(epoxide group)를 함유하는 고분자로, 분자 내 브롬 등의 할로겐 원자를 포함하지 않는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 또한, 에폭시계 고분자는 분자 내 실리콘, 우레탄, 폴리이미드, 폴리아미드 등을 함유하고 있을 뿐만 아니라, 분자 내 인 원자(P), 황 원자(S), 질소 원자(N) 등을 포함할 수 있다. 이러한 에폭시계 고분자의 예는 제1 플레이트 부분에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다.

이러한 에폭시계 고분자의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 또는 이들에 수소 첨가한 것, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 글리시딜에테르계 에폭시 수지; 헥사히드로프탈산 글리시딜에스테르, 다이머산 글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르계 에폭시 수지; 트리글리시딜이소시아누레이트, 테트라글리시딜디아미노 디페닐메탄 등의 글리시딜아민계 에폭시 수지; 에폭시화 폴리부타디엔, 에폭시화 대두유 등의 선상 지방족 에폭시 수지 등이 있고, 바람직하게는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 바이페닐(Biphenyl)형 에폭시 수지, 다관능 에폭시(Epoxy) 수지 등이 있다. 이들은 단독으로 사용될 수 있으며, 또는 2종 이상이 혼합하여 사용될 수 있다.

(2) 자석 유닛

본 발명의 자석 어셈블리(1A)는 자석 유닛(M)을 포함한다. 상기 자석 유닛(M)은 지지 플레이트(10)의 자석 삽입부(11)에 삽입되어 고정된다.

본 발명의 자석 유닛(M)은 도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 복수의 자석부를 포함한다. 이때, 복수의 자석부는 할바흐 배열(halbach array)로 배치되어 있다. 예컨대, 자석 유닛(M)은 도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 제1 방향(예; 자석 유닛의 길이 방향)을 따라 제1 자석부(M1a), 제2 자석부(M1b), 제3 자석부(M1c) 및 제4 자석부(M1d)의 순서로 반복 배열된 복수의 자석부를 포함한다. 이때, 제1 자석부(M1a)는 제1 방향을 따라 S극 자석편 및 N극 자석편의 순서로 배열되어 제1 자화 방향(예: 제2 자석부측 방향)을 가질 수 있다. 또, 상기 제2 자석부(M1b)는 제1 방향의 수직인 제2 방향(예: 두께 방향)으로 S극 자석편 및 N극 자석편의 순서, 즉 S극 자석편 상에 N극 자석편이 배치되어 제1 자화 방향의 수직인 제2 자화 방향(예: 상측 방향)을 가질 수 있다. 또, 상기 제3 자석부(M1c)는 제1 방향을 따라 N극 자석편 및 S극 자석편의 순서로 배열되어, 상기 제1 자화 방향과 대칭인 제3 자화 방향(예: 제2 자석부측 방향)을 가질 수 있다. 또, 상기 제4 자석부(M1d)는 제1 방향의 수직인 제2 방향으로 N극 자석편 및 S극 자석편의 순서, 즉 N극 자석편 상에 S극 자석편이 배치되어 제2 자화 방향과 대칭인 제4 자화 방향(예: 하측 방향)을 가질 수 있다. 이러한 제1 내지 제4 자석부(M1a, M1b, M1c, M1d)의 각 N극 및 S극 자석편의 순서는 일례일 뿐이며, 각 자석부의 각 N극 및 S극 자석편의 순서는 전술한 것과 반대일 수도 있다.

본 발명의 자석 유닛(M)에서, N극 자석편과 인접한 다른 N극 자석편 사이, 및 S극 자석편과 인접한 다른 S극 자석편 사이에는 척력이 발생한다. 이러한 척력 발생 영역의 자석부, 예컨대 제2 자석부(M1b)의 N극 자석편은 척력에 의해 수직 방향으로 밀려 올라가기 때문에, 종래에는 자석편들 사이에 접착제 등을 도포하였다. 반면, 본 발명에서는 자석 유닛(M)의 양 표면 중 척력 발생 영역을 포함하는 표면 상에 제1 커버 플레이트(20)가 제1 접착층(30)에 의해 접착된다. 따라서, 본 발명의 자석 유닛(M)은 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 척력이 발생하는 영역, 예컨대 N극 자석편과 인접한 다른 N극 자석편이 접촉하는 부위 및 S극 자석편과 인접한 다른 S극 자석편이 접촉하는 부위에 접착층이 존재하지 않더라도, 자석편들이 척력에 의해 수직 방향으로 밀려 올라가지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 자석 유닛(M)은 서로 인접하는 자석부들 사이에 접착층을 비(非)-포함한다.

상기 자석부(M1a, M1b, M1c, M1d)는 착자된 자석 또는 비착자된 자석일 수 있다. 예컨대, 제1 및 제3 자석부(M1a, M1c)는 착자된 자석이고, 제2 및 제4 자석부(M1b, M1d)는 착자된 자석, 비착자된 자석 또는 이들의 조합일 수 있다. 제조 공정 상, 제2 및 제4 자석부(M1b, M1d)는 착자된 자석 및 비착자된 자석이 혼용된 것이 제조 효율을 더 향상시킬 수 있다.

또, 자석 유닛(M)은 복수의 자석부가 전술한 자화 방향을 갖기 때문에, 자석 유닛(M)은 자기장이 비대칭적으로 분포하고, 따라서 자력도 비대칭적이다. 예컨대, 자석 유닛(M)은 척력 발생 영역을 포함하는 일면(예: 상부) 측의 자력이 타면(예: 하부) 측의 자력에 비해 더 세다.

이러한 일면(예: 상부) 측의 자력을 더 높이기 위해서, 본 발명에서는 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 자석 유닛(M)이 복수의 자석부의 하부 상에 배치된 차폐부(M2)를 더 포함할 수 있다.

상기 차폐부(M2)는 자기 차폐 부재를 일정 형상으로 기계 가공하여 얻은 것으로, 자석의 자기력선 중 적어도 일 방향(예: 하부 방향)의 자기력선을 차폐할 수 있다.

본 발명에서 사용 가능한 자기 차폐 부재는 당 업계에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 투자율이 높은 자성 재료, 구체적으로 투자율이 높으면서 자석의 자기력선을 차폐, 반사시킬 수 있는 자성 재료일 수 있다. 구체적으로, 자기 차폐 부재는 탄소강판(예, S45C 등), 스테인레스 스틸판(stainless steel sheet)(예, SUS430, SUS304 등), 쾌삭강판(예, SUM1B1, SUM1B2, SUM1B2L, SUM1B3, SUM1B4L, SUM1C1, SUM1D1, SUM1D3 등), 냉간압연 강판(cold rolled carbon steel sheet, SPCC), 열간압연강판(hot rolled carbon steel sheet), 규소 강판 등과 같은 강판이 있다. 또한, 상기 강판을 니켈, 아연, 구리 등의 (준)금속 또는 합금으로 전해 도금하거나 또는 무전해 도금하여 얻은 도금 강판도 자기 차폐 부재로 사용할 수 있다. 이러한 도금 강판의 예로는 냉연아연도금 강판, 열연아연도금강판, 전기아연도금강판(electrolytic galvanized iron, EGI), 갈바늄 도금 강판(zinc aluminium alloy coated steel sheets), 용융아연도금강판, 전해 니켈 도금 강판, 무전해 니켈 도금 강판, 구리 도금 강판 등이 있다. 상기 도금 강판의 도금층은 단층이거나 복수층일 수 있다.

상기 자기 차폐 부재는 표면 처리된 것일 수 있다. 상기 표면 처리 방법의 예로는 크로메이트(chromate) 처리, 인산염 피막 처리(예, 삼인산염 피막 처리), 인산크로메이트 처리 등과 같은 화성 처리; 조화(粗化) 처리 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다. 이러한 표면 처리된 자기 차폐 부재는 표면 에너지의 증가로 열융착 접착층과의 접착력이 증가한다.

일례로, 자기 차폐 부재가 니켈 도금 강판, 전해 니켈 도금 강판 및 무전해 니켈 도금으로 이루어진 군에서 선택된 1종이고, 이때 상기 강판의 표면은 크로메이트(chromate) 처리된 것일 수 있다. 이 경우, 열융착 접착층과의 접착력이 증가될 뿐만 아니라, 내식성도 증가될 수 있다.

상기 차폐부(M2)의 형상은 요구되는 자석 어셈블리의 규격 및 자력(차폐력)에 따라 다양한 형상을 가질 수 있고, 차폐 방향 등에 따라 설계할 수 있다. 구체적으로, 차폐부의 형상은 자석 유닛(M)의 자기력선 중 적어도 일 방향(예, 하부 방향)의 자기력선을 차폐할 수 있는 형상이라면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 플레이트 형상이거나, 튜브 형상, 또는 상부가 개방되고 하부가 막힌 기둥 형상(예, 수직 단면이 U자 형상) 등일 수 있다. 이때, 차폐부는 플레이트 형상, 튜브 형상 및 기둥 형상 중 1개 이상이 조합된 형상을 가질 수 있다. 일례에 따르면, 차폐부(M2)의 수직 단면은 U자 형상일 수 있다.

(3) 제1 커버 플레이트

본 발명의 자석 어셈블리(1A)는 제1 커버 플레이트(20)를 포함한다. 제1 커버 플레이트(20)는 지지 플레이트(10)의 일면 상에 배치되는 부분으로, 지지 플레이트(10)를 커버한다. 이때, 지지 플레이트(10)의 자석 삽입부(11)에는 자석 유닛(M)이 삽입되어 있다. 따라서, 본 발명의 자석 유닛(M) 내 자석부들 사이에는 전술한 바와 같이, 접착층이 존재하지 않더라도, 제1 커버 플레이트(20)가 제1 접착층(30)에 의해 지지 플레이트(10)에 부착되어 자석 유닛(M)을 고정시킬 수 있다. 즉, 제1 접착층(30)과 접촉하는 자석 유닛(M)의 표면부는 척력 발생 영역을 포함하고, 이러한 영역의 자석부들은 제1 커버 플레이트(20)에 의해 고정될 수 있다. 그 결과, 제1 커버 플레이트(20)는 자석 유닛(M)의 일부 자석부들이 척력으로 인해 수직 방향(예: Z축 방향)으로 밀려 올라오는 것을 방지할 수 있다.

제1 커버 플레이트(20)의 재료는 지지 플레이트(10)의 재료와 동일하거나 상이할 수 있다. 이의 구체적인 예는 지지 플레이트(10) 부분에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다. 일례에 따르면, 제1 커버 플레이트(20)의 재료는 고분자, 구체적으로 에폭시계 고분자일 수 있다.

제1 커버 플레이트(20)의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 0.05 내지 0.2 ㎜ 범위일 수 있다.

(4) 제1 접착층

본 발명의 자석 어셈블리(1A)는 제1 접착층(30)을 포함한다. 제1 접착층(30)은 지지 플레이트(10)의 일면(예: 상부) 상에 배치되는 것으로, 제1 커버 플레이트(20)를 지지 플레이트(10)에 부착시킨다.

구체적으로, 제1 접착층(30)은 서로 대향하여 배치된 지지 플레이트(10)와 제1 커버 플레이트(20) 사이에 개재된다. 이러한 제1 접착층(30)에 의해 지지 플레이트(10)와 제1 커버 플레이트(20)가 서로 접착되어 일체화된다. 이때, 자석 유닛(M)은 지지 플레이트(10)의 자석 삽입부(11)에 삽입된 상태로 제1 커버 플레이트(20)에 의해 지지 플레이트(10)에 일체화된다. 일례로, 제1 접착층(30)과 접촉하는 자석 유닛(M)의 표면부는 척력 발생 영역을 포함한다.

본 발명에서 사용 가능한 제1 접착층(30)은 특별히 한정되지 않으며, 일례로핫멜트 접착층 또는 열융착 접착층일 수 있다. 이는 제조시 핫멜트 접착 부재나 열융착 접착 부재를 이용하여 형성된 것으로, 자석 유닛(M)의 열감자(demagnetization)를 최소화할 수 있다.

본 발명에서 사용 가능한 핫멜트 접착 부재 및 열융착 접착 부재는 당 분야에서 통상적으로 알려진 것이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.

제1 접착층(30)의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 약 0.02 내지 0.2 ㎜일 수 있다.

이하, 도 2를 참고하여, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 자석 어셈블리(1B)를 설명한다.

본 발명의 제2 실시 형태에 따른 자석 어셈블리(1B)는 자석 삽입부(11)를 포함하는 지지 플레이트(10); 상기 자석 삽입부(11)에 삽입된 자석 유닛(M); 상기 지지 플레이트(10)의 일면 상에 순차적으로 배치된 제1 접착층(30)과 제1 커버 플레이트(20); 및 상기 지지 플레이트(10)의 타면 상에 순차적으로 배치된 제2 접착층(50)과 제2 커버 플레이트(40)를 포함한다.

본 발명의 제2 실시 형태에 따른 자석 어셈블리(1B)에서, 지지 플레이트(10), 자석 유닛(M), 제1 커버 플레이트(20) 및 제1 접착층(30)에 대한 설명은 제1 실시 형태에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다.

본 발명의 제2 실시 형태에 따른 자석 어셈블리(1B)에서, 제2 커버 플레이트(40)는 지지 플레이트의 타면(예: 하부) 상에 배치되는 것으로, 제1 커버 플레이트(20)와 동일하거나 상이할 수 있다. 이러한 제2 커버 플레이트(40)는 지지 플레이트(10)의 기계적 물성을 보강할 수 있다. 또한, 자석 삽입부(11)가 삽입홀일 경우, 자석 유닛(M)이 지지 플레이트(10)에서 외부로 이탈되는 것을 방지할 수 있다.

제2 커버 플레이트(40)의 재료는 지지 플레이트(10) 및 제1 커버 플레이트(20)와 동일하거나 상이할 수 있다. 이의 구체적인 예는 지지 플레이트(10) 부분에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다. 일례에 따르면, 제2 커버 플레이트(30)의 재료는 에폭시계 고분자일 수 있다.

또, 제2 커버 플레이트(40)의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 일례에 따르면, 제2 커버 플레이트(40)의 두께는 제1 커버 플레이트(20)의 두께와 동일하거나 상이할 수 있고, 구체적으로 약 0.05 내지 0.2 ㎜ 범위일 수 있다.

본 발명의 자석 어셈블리(1B)는 제2 접착층(50)을 포함한다. 제2 접착층(50)은 지지 플레이트(10)와 제2 커버 플레이트(40) 사이에 개재된 것으로, 지지 플레이트(10)와 제2 커버 플레이트(40)를 합지시켜 일체화시킬 수 있다.

이러한 제2 접착층(50)은 제1 접착층(30)과 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 제2 접착층(50)은 제1 접착층(30)과 마찬가지로, 핫멜트 접착층 또는 열융착 접착층일 수 있다.

제2 접착층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 0.02 내지 0.2 ㎜ 범위일 수 있다.

이하, 도 4를 참고하여 본 발명의 제3 실시 형태에 따라 자석 어셈블리(1A)를 제조하는 각 공정에 대하여 설명한다.

도 4는 본 발명의 제3 실시 형태에 따라 자석 어셈블리(1A)를 제조하는 각 과정을 나타낸 단면도로, 본 발명의 자석 어셈블리(1A)는 (S10) 복수의 자석 삽입부(110)를 포함하는 지지 부재(100)의 자석 삽입부(110)에 할바흐 배열로 배치된 복수의 자석부를 포함하는 자석 유닛(M)을 각각 삽입하는 단계; (S20) 제1 커버 부재(200)의 일면에 제1 접착 부재(300)를 가접하여 제1 적층체(1000)를 형성하는 단계; (S30) 상기 자석 유닛(M)이 삽입된 지지 부재(100)의 일면 상에 상기 제1 적층체(1000)를 적층하고 본접하여 제2 적층체(2000)를 형성하는 단계; 및 (S40) 상기 제2 적층체(2000) 내 서로 인접하는 자석 유닛들(M) 사이를 컷팅하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다. 다만, 상기 제조방법은 상기 자석 유닛(M) 내 서로 인접하는 자석부들 사이에 접착층을 개재시키는 단계를 비(非)-포함한다. 이러한 제조방법은 전술한 단계에 의해서만 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 각 공정의 단계가 변형되거나 또는 선택적으로 혼용되어 수용될 수 있다. 특히, 상기 (S10) 단계와 (S20) 단계 사이에는 시간적 선후가 존재하지 않는다.

(S10) 단계: 자석 유닛의 삽입 공정

도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 자석 삽입부(110)를 포함하는 지지 부재(100)의 자석 삽입부(110)에 할바흐 배열로 복수의 자석부를 포함하는 자석 유닛(M)을 각각 삽입한다.

구체적으로, (S10) 단계는 (S11) 지지 부재(100)에 복수의 자석 삽입부(110)를 형성하는 단계; 및 (S12) 상기 복수의 자석 삽입부(110)에 각각 자석 유닛(M)을 삽입하는 단계를 포함한다.

상기 (S11) 단계는 고분자(예, 에폭시계 고분자 등)로 형성된 부재를 준비한 다음, 지지 부재(100)에 자석 유닛(M)을 삽입하기 위한 복수의 자석 삽입부(110)를 이격하여 형성한다.

본 발명에서 사용 가능한 지지 부재(100)는 고분자로 이루어진 부재로, 상기 고분자에 대한 설명은 제1 실시 형태의 지지 플레이트 부분에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다.

상기 자석 삽입부(110)의 형상과 크기 가공은 당 업계에 일반적으로 알려진 가공 방식이라면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 CNC 가공, 펀칭 가공 등이 있다. 이때, 자석 삽입부(110)의 형상 및 크기는 삽입되는 자석 유닛(M)의 형상 및 크기에 따라 조절할 수 있다.

이러한 자석 삽입부(110)에 삽입되는 자석 유닛(M)에 대한 설명은 제1 실시 형태에 기재된 자석 유닛(M) 부분에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다.

다만, (S12) 단계에서 사용되는 자석 유닛(M)은 일부 자석부(들)가 비착자 제품일 수 있다.

구체적으로, 자석 유닛(M)은 복수의 자석부를 포함하는데, 이러한 복수의 자석부가 할바흐 배열로 배치됨에 따라 자석 유닛(M)의 일면 중 일부 영역의 자석부들은 동일한 극을 가진 자석부들이 서로 접촉한다. 이때, 동일한 극을 가진 자석부들이 착자 자석일 경우, 이들 영역에는 척력이 발생하여 지지 부재(100)에 자석 유닛(M)을 조립할 때 자석 유닛(M)의 일부 자석부가 수직 방향으로 밀려 올라와 작업 효율을 떨어뜨릴 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 척력 발생 영역 중 일부가 비착자된 자석부를 포함함으로써, 작업 효율을 향상시킬 수 있다. 이러한 비착자된 자석부를 자석 유닛(M)이 포함할 경우, 컷팅 공정('(S40) 단계') 후, 상기 비착자된 자석부를 착자하는 단계를 더 포함한다. 착자 공정에 대해서는 추후에 설명한다.

또, 본 발명의 경우, 자석 유닛(M)의 자석부들 사이에 접착층을 형성할 필요가 없다. 따라서, 본 발명에서는 자석 유닛(M) 내 서로 인접한 자석부들 사이에 접착층을 개재시키는 단계를 포함하지 않는다.

(S20) 단계: 제1 커버 부재와 제1 접착 부재 간의 가접 공정

도 4에 도시된 바와 같이, 제1 커버 부재(200)의 일면에 제1 접착 부재(300)를 가접하여 제1 커버 부재-제1 접착 부재 구조의 제1 적층체(1000)를 형성한다. 이때, 제1 커버 부재(200)와 제1 접착 부재(300)는 점착되어 있어 쉽게 탈부착이 가능하기 때문에, 제1 커버 부재(200)와 제1 접착 부재(300) 간의 접착 위치를 용이하게 조절할 수 있다.

본 발명에서 사용 가능한 제1 커버 부재(200)는 지지 부재(100)와 마찬가지로, 고분자로 이루어진 부재이다. 상기 고분자에 대한 설명은 제1 실시 형태의 지지 플레이트 부분에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다. 일례에 따르면, 제1 커버 부재(200)는 에폭시계 고분자 부재일 수 있다.

상기 제1 접착 부재는 특별히 한정되지 않으나, 자석 유닛(M)의 열감자를 최소화하기 위해 핫멜트 접착 부재 또는 열융착 접착 부재일 수 있다.

이러한 제1 커버 부재(200)와 제1 접착 부재는 핫 프레스기 등의 장치를 이용하여 약 70 내지 150 ℃(구체적으로 약 80 내지 120 ℃)의 온도에서 10~120 초 동안 가접될 수 있다. 이때, 가접시 압력은 지압 정도의 압력일 수 있다. 이와 같이, 본 발명에서는 가접 공정이 낮은 온도에서 짧은 시간 동안 수행되기 때문에, 자석의 열에 의한 손상을 방지할 수 있다. 본 발명에서는 자석 유닛(M)의 자석부들이 모두 착자 제품일 수 있고, 이 경우 별도의 착자 공정을 추가적으로 수행할 필요가 없다.

(S30) 단계: 제1 커버 부재-제1 접착 부재-지지 부재 간의 본접 공정

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 (S10) 단계에서 얻은 자석 유닛(M)이 삽입된 지지 부재(100)의 일면 상에 상기 (S20) 단계에서 얻은 제1 접착 부재-제1 커버 부재 구조의 제1 적층체(1000)를 합지하여 제2 적층체(2000)를 형성한다.

구체적으로, 상기 (S10) 단계에서 얻은 지지 부재(100)의 자석 삽입부(110)에는 자석 유닛(M)이 삽입되어 있고, 상기 (S20) 단계에서 얻은 제1 적층체(1000)에는 제1 커버 부재(200)의 일면에 제1 접착 부재(300)가 배치되어 있다. 이때, 제1 적층체(1000)의 제1 접착 부재(300)가 지지 부재(100)의 일면에 접촉하도록 적층한 후 본접한다. 특히, 자석 유닛(M)의 양 표면 중 척력 발생 영역을 포함하는 표면이 제1 접착 부재(300)와 접촉하도록 제1 적층체를 지지 부재(100)의 일면에 적층한 후 본접한다.

상기 제1 커버 부재-제1 접착 부재-지지 부재 간의 본접 공정은 핫 프레스기 등과 같은 장치를 이용하여 약 100 내지 180 ℃(구체적으로, 약 110~150 ℃, 더 구체적으로 약 100~130 ℃)의 온도에서 약 10초 내지 30초 동안 가열, 가압한다. 이때, 가압 압력은 약 1~15 kgf/㎠일 수 있다. 이러한 본접 공정을 통해, 제1 접착 부재(300)가 용융되고 경화됨으로써, 제1 커버 부재(200)가 제1 접착 부재(300)에 의해 지지 부재(100)에 열접합된 제2 적층체(2000)를 얻을 수 있다. 이와 같이, 본 발명에서는 제1 접착 부재(300)가 용융될 정도의 짧은 시간(약 5분 이하) 동안에만 지지 부재(100), 제1 접착 부재(300) 및 제1 커버 부재(200)에 열이 가해진다. 이 때문에, 지지 부재(100) 내 자석 유닛(M)의 열감자를 방지할 수 있다.

(S40) 단계: 제2 적층체의 컷팅 공정

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 (S30) 단계에서 얻은 제2 적층체(2000) 내 서로 인접하는 자석 유닛들 사이를 컷팅한다.

구체적으로, 상기 (S30) 단계에서 얻은 제2 적층체(2000)는 지지 부재(100)-제1 접착 부재(300)-제1 커버 부재(200)의 구조로, 지지 부재(100)는 서로 이격된 복수의 자석 삽입부(110)를 포함하고, 이러한 자석 삽입부(110) 각각에 자석 유닛(M)이 삽입됨으로써, 자석 유닛들(M)도 서로 이격되어 있다. 따라서, 제2 적층체 내 자석 유닛들(M) 사이를 컷팅 장치를 이용하여 컷팅하면, 도 1에 도시된 바와 같이, 자석 유닛(M)이 삽입된 지지 플레이트(10); 및 상기 지지 플레이트(10)의 일면 상에 순차적으로 배치된 제1 접착층(30) 및 제1 커버 플레이트(20)를 포함하는 자석 어셈블리(1A)를 얻을 수 있다.

본 발명에서 사용 가능한 컷팅 장치는 당 업계에서 통상적으로 공작물(특히, 금속 공작물)을 컷팅(절단)할 수 있는 것으로 알려진 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 레이저 커팅기(laser cutting machine), 펀칭기, 와이어커팅기(wire cutting machine), 워터젯 커팅기(water cutting machine), 플라즈마 커팅기(plasma cutting machine) 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.

선택적으로, 상기 (S40) 단계 후, 냉각 단계 및/또는 착자 단계를 더 수행할 수 있다.

상기 냉각 단계는 급속 냉각, 자연 냉각(20±10 ℃) 또는 약 100 ℃ 이하(구체적으로, 약 50~100 ℃)에서의 고온 냉각일 수 있다. 상기 냉각 단계는 상압(예, 1ㅁ0.1 atm) 하에서 수행되거나, 또는 가압 가능한 별도의 장치에서 가압하면서 수행될 수 있다.

상기 착자 단계를 자석 유닛(M)에 외부 자기장을 가함으로써 자석 유닛(M)의 비착자된 자석부에 자력을 부여할 수 있다. 상기 자석부의 자력은 외부 자기장의 세기에 비례한다. 이러한 착자 단계는 자석부가 자력이 없는 경우, 상기 냉각 단계 후에 수행할 수 있다.

구체적으로, 자석 유닛(M)은 복수의 자석부를 포함하는데, 이러한 복수의 자석부 중 일부가 비착자된 자석일 경우, 상기 비착자된 자석부를 착자할 수 있다. 예컨데, 자석 유닛(M)은 착자된 자석부(예: M1a, M1c) 및 비착된 자석부(예: M1b, M1d)가 교대로 배열된 복수의 자석부를 포함할 수 있고, 상기 비착된 자석부(예: M1b, M1d)를 착자할 수 있다.

전술한 착자 공정은 자석 어셈블리(1A)의 제조 중에는 물론, 최종 제품 상태에서 외부 자기장을 가하여 수행할 수 있다.

이하, 도 5를 참고하여 본 발명의 제4 실시 형태에 따라 자석 어셈블리(1B)를 제조하는 각 공정에 대하여 설명한다.

도 5는 본 발명의 제4 실시 형태에 따라 자석 어셈블리(1B)를 제조하는 각 과정을 나타낸 단면도로, 본 발명의 자석 어셈블리(1B)는 (S100) 복수의 자석 삽입부(110)를 포함하는 지지 부재(100)의 자석 삽입부(110)에 할바흐 배열로 복수의 자석부를 포함하는 자석 유닛(M)을 각각 삽입하는 단계; (S200) 제1 커버 부재(200)의 일면에 제1 접착 부재(300)를 가접하여 제1 적층체(1000)를 형성하는 단계; (S300) 제2 커버 부재(400)의 일면에 제2 접착 부재(500)를 가접하여 제3 적층체(3000)를 형성하는 단계; (S400) 상기 자석 유닛(M)이 삽입된 지지 부재(100)의 일면 상에 상기 제1 적층체(1000)를 적층하고, 상기 지지 부재(100)의 타면 상에 상기 제3 적층체(3000)를 적층하고 본접하여 제4 적층체(4000)를 형성하는 단계; 및 (S500) 상기 제4 적층체(4000) 내 서로 인접하는 자석 유닛들(M) 사이를 컷팅하는 단계를 포함할 수 있다. 다만, 상기 제조방법에 의해서만 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 각 공정의 단계가 변형되거나 또는 선택적으로 혼용되어 수용될 수 있다. 특히, 상기 (S100) 단계, (S200) 단계 및 (S300) 단계 사이에는 시간적 선후가 존재하지 않는다.

(S100) 단계 및 (S200) 단계

본 발명의 제4 실시 형태에 따른 자석 어셈블리(1B)의 제조방법에서, (S100) 단계 및 (S200) 단계에 대한 설명은 각각 제3 실시 형태의 (S10) 단계 및 (S20) 단계에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다.

(S300) 단계: 제2 커버 부재와 제2 접착 부재 간의 가접 공정

도 5에 도시된 바와 같이, 제2 커버 부재(400)의 일면에 제2 접착 부재(500)를 가접하여 제2 커버 부재-제2 접착 부재 구조의 제3 적층체(3000)를 형성한다. 이때, 제3 적층체(3000) 내 제2 커버 부재(400)와 제2 접착 부재(500)는 점착되어 있어 쉽게 탈부착이 가능하기 때문에, 제2 커버 부재(400)와 제2 접착 부재(500) 간의 접착 위치를 용이하게 조절할 수 있다.

본 발명에서 사용 가능한 제2 커버 부재(400)는 지지 부재(100)와 마찬가지로, 고분자로 이루어진 부재이다. 상기 고분자에 대한 설명은 제1 실시 형태의 지지 플레이트 부분에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다. 일례에 따르면, 제2 커버 부재(400)는 에폭시계 고분자 부재일 수 있다.

상기 제2 접착 부재는 특별히 한정되지 않으나, 자석 유닛(M)의 열감자를 최소화하기 위해 핫멜트 접착 부재 또는 열융착 접착 부재일 수 있다.

이러한 제2 커버 부재(400)와 제2 접착 부재(500)는 핫 프레스기 등의 장치를 이용하여 약 70 내지 150 ℃(구체적으로, 약 80 내지 120 ℃)의 온도에서 30~120 초 동안 가접될 수 있다. 이때, 가접시 압력은 지압 정도의 압력일 수 있다. 이와 같이, 본 발명에서는 가접 공정이 낮은 온도에서 짧은 시간 동안 수행되기 때문에, 자석의 열에 의한 손상을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 자석 유닛(M)의 자석부들이 모두 착자 제품일 수 있고, 이 경우 별도의 착자 공정을 추가적으로 수행할 필요가 없다.

(S400) 단계: 제1 적층체-지지 부재-제2 적층체 간의 본접 공정

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 (S100) 단계에서 얻은 자석 유닛(M)이 삽입된 지지 부재(100)의 양면에 각각 상기 (S200) 단계에서 얻은 제1 적층체(1000) 및 상기 (S300) 단계에서 얻은 제4 적층체(4000)를 적층하고 본접한다.

구체적으로, 상기 (S100) 단계에서 얻은 지지 부재(100)의 자석 삽입부(110)에는 자석 유닛(M)이 삽입되어 있고, 상기 (S200) 단계에서 얻은 제1 적층체(1000)는 제1 커버 부재(200)의 일면에 제1 접착 부재(300)가 배치되어 있고, 상기 (S300) 단계에서 얻은 제3 적층체(3000)는 제2 커버 부재(400)의 일면에 제2 접착 부재(500)가 배치되어 있다. 이때, 제1 적층체(1000)의 제1 접착 부재(300)가 지지 부재(100)의 일면에 접촉하도록 적층하고, 상기 제3 적층체(3000)의 제2 접착 부재(500)가 상기 지지 부재(100)의 타면에 접촉하도록 적층한 다음, 이들은 한번에 본접한다. 물론, 제1 적층체(1000)를 지지 부재(100)의 일면에 적층한 후 본접한 다음, 상기 지지 부재(100)의 타면에 제3 적층체(3000)를 적층한 후 본접할 수도 있다. 다만, 자석 유닛(M)의 양 표면 중 척력 발생 영역을 포함하는 표면이 제1 접착 부재(300)와 접촉하도록 제1 적층체를 지지 부재(100)의 일면에 합지시킨다.

상기 제1 커버 부재-제1 접착 부재-지지 부재-제2 접착 부재-제2 커버 부재 간의 본접 공정은 핫 프레스기 등과 같은 장치를 이용하여 약 110 내지 180 ℃(구체적으로, 약 110~150 ℃, 더 구체적으로 약 110~120 ℃)의 온도에서 약 10~120초 동안 가열, 가압할 수 있다. 이때, 가압 압력은 1~10 kgf/㎠일 수 있다. 이러한 본접 공정을 통해, 제1 및 제2 접착 부재(300, 500)가 용융되고 경화됨으로써, 제1 커버 부재(200)가 제1 접착 부재(300)에 의해 지지 부재(100)에 열접합되면서, 제2 커버 부재(400)가 제2 접착 부재(500)에 의해 지지 부재(100)에 열접합된 제4 적층체(4000)를 얻을 수 있다. 이와 같이, 본 발명에서는 제1 및 제2 접착 부재(300, 500)가 용융될 정도의 짧은 시간(약 30초 이하) 동안에만 제1 커버 부재(200), 제1 접착 부재(300), 지지 부재(100), 제2 접착 부재(500) 및 제2 커버 부재(400)에 열이 가해진다. 이 때문에, 지지 부재(100) 내 자석 유닛(M)의 열감자를 방지할 수 있다.

(S500) 단계: 제4 적층체의 컷팅 공정

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 (S400) 단계에서 얻은 제4 적층체(4000) 내 서로 인접하는 자석 유닛들(M) 사이를 컷팅한다.

구체적으로, 상기 (S400) 단계에서 얻은 제4 적층체(4000)는 제1 커버 부재(200)-제1 접착 부재(300)- 지지 부재(100)-제2 접착 부재(500)-제2 커버 부재(400)의 구조로, 지지 부재(100)는 서로 이격된 복수의 자석 삽입부(110)를 포함한다. 이러한 자석 삽입부(110) 각각에는 자석 유닛(M)이 삽입되고, 이로써 자석 유닛들(M)도 서로 이격되어 있다. 따라서, 제4 적층체(4000) 내 자석 유닛들(M) 사이를 컷팅 장치를 이용하여 컷팅하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 자석 유닛(M)이 삽입된 지지 플레이트(10); 상기 지지 플레이트(10)의 일면 상에 순차적으로 배치된 제1 접착층(30) 및 제1 커버 플레이트(20); 및 상기 지지 플레이트(10)의 타면 상에 순차적으로 배치된 제2 접착층(50) 및 제2 커버 플레이트(40)를 포함하는 자석 어셈블리(1B)를 얻을 수 있다.

본 발명에서 사용 가능한 컷팅 장치는 제3 실시 형태의 (S40) 단계에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다.

선택적으로, 상기 (S500) 단계 후, 냉각 단계 및/또는 착자 단계를 더 수행할 수 있다.

냉각 단계 및 착자 단계는 제3 실시 형태에 기재된 바와 동일하기 때문에, 생략한다.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나, 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위 내에서 이상에 예시되지 않은 여러가지 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

1A, 1B: 자석 어셈블리, 10: 지지 플레이트,
11: 자석 삽입부, M: 자석 유닛,
20: 제1 커버 플레이트, 30: 제1 접착층,
40: 제2 커버 플레이트, 50: 제2 접착층,
100: 제1 지지 부재, 110: 자석 삽입부,
200: 제1 커버 부재, 300: 제1 접착 부재,
400: 제2 커버 부재, 500: 제2 접착 부재

Claims (15)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 복수의 자석 삽입부를 포함하는 지지 부재의 자석 삽입부에 할바흐 배열로 배치된 복수의 자석부를 포함하는 자석 유닛을 각각 삽입하는 단계;
   제1 커버 부재의 일면에 제1 접착부재를 가접하여 제1 적층체를 형성하는 단계;
   상기 자석 유닛이 삽입된 지지 부재의 일면 상에 상기 제1 적층체를 적층하고 본접하여 제2 적층체를 형성하는 단계; 및
   상기 제2 적층체 내 서로 인접하는 자석 유닛들 사이를 컷팅하는 단계
   를 포함하는 자석 어셈블리의 제조방법.
9. 제8항에 있어서,
   제2 커버 부재의 일면에 제2 접착 부재를 가접하여 제3 적층체를 형성하는 단계를 더 포함하고,
   상기 본접 단계는 상기 지지 부재의 타면 상에 상기 제3 적층체를 추가적으로 더 적층하고 본접하여 제4 적층체를 형성하고,
   상기 컷팅 단계는 상기 제4 적층체 내 서로 인접하는 자석 유닛들 사이를 컷팅하는 것인, 자석 어셈블리의 제조방법.
10. 제8항에 있어서,
    상기 자석 유닛 내 서로 인접하는 자석부들 사이에 접착층을 개재시키는 단계를 비(非)-포함하는 것인, 자석 어셈블리의 제조방법.
11. 제8항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재와 접촉하는 표면과 반대되는 자석 유닛의 표면 상에 배치된 차폐부를 더 포함하는 것인, 자석 어셈블리의 제조방법.
12. 제8항에 있어서,
    상기 가접 온도는 70 내지 120 ℃ 범위인, 자석 어셈블리의 제조방법.
13. 제8항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재와 접촉하는 자석 유닛의 표면부는 척력 발생 영역을 포함하는 것인, 자석 어셈블리의 제조방법.
14. 제13항에 있어서,
    상기 척력 발생 영역 중 일부는 비착자된 자석부를 포함하고,
    상기 컷팅 단계 후, 상기 비착자된 자석부를 착자하는 단계를 더 포함하는 것인, 자석 어셈블리의 제조방법.
15. 제8항에 있어서,
    상기 본접 온도는 110 내지 180 ℃ 범위이고, 본접 시간은 10 내지 30초 범위인, 자석 어셈블리의 제조방법.

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