KR102286331B1 - 다중접합 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다중접합 태양전지 - Google Patents

다중접합 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다중접합 태양전지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다중접합 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다중접합 태양전지에 관한 것으로서, 다중접합 태양전지의 제조방법에 있어서, 에피성장용 기판 상부에 광흡수층을 형성시키는 제1단계와, 상기 광흡수층 상부에 후면전극을 형성시키는 제2단계와, 상기 광흡수층으로부터 상기 에피성장용 기판을 제거하는 제3단계 및 상기 에피성장용 기판이 제거된 측의 광흡수층 상부에 전면전극을 형성하는 제4단계를 포함하되, 상기 광흡수층은 서로 다른 흡수 파장을 갖는 N개의 서브셀(N은 2 이상의 자연수)로 이루어지며, 각 서브셀은 터널접합(Tunnel junction)되어 다중접합을 이루는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다중접합 태양전지를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 투명 전극 및 금속 전극 대신에 재결합층으로 터널접합 구조를 적용하여 투과율 및 전기전도도를 개선하여 태양전지 효율을 향상시킨 다중접합 태양전지를 제공하게 된다.

Description

다중접합 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다중접합 태양전지{Manufacturing Method of Multi-Junction Solar Cell and Multi-Junction Solar Cell thereby}
본 발명은 다중접합 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다중접합 태양전지에 관한 것으로서, 투명 전극 및 금속 전극 대신에 재결합층으로 터널접합 구조를 적용하여 투과율 및 전기전도도를 개선하여 태양전지 효율을 향상시킨 것이다.
화석연료의 고갈과 환경오염, 지구온난화 문제로 인해 신재생에너지의 개발 필요성이 높아지고 있으며, 환경 친화적이고 무한 재생이 가능한 태양전지가 차세대 에너지원으로 주목받고 있다.
이러한 태양전지는 태양광 발전의 핵심소자이며, 광기전력 효과(Photovoltaic Effect)를 이용하여 태양광 에너지를 직접 전기에너지로 변환시키는 소자로써, 변환효율을 향상시키고 제조비용을 감소시키기 위해 태양전지의 재료나 구조에 대한 연구가 이루어지고 있다.
특히 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 태양전지는 다중접합 태양전지가 가능해 효율이 높은 장점을 가지고 있다. 그러나, Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 다중접합 태양전지는 높은 기판 가격, 집광을 위한 장치 등이 필요하여 높은 발전단가로 경제성이 떨어지는 단점이 있다.
이를 극복하기 위해서 실리콘(Silicon), 페로브스카이트(Perovskite), 유기물질 등 제조 단가가 낮은 물질을 이용하여 이종의 다중접합 태양전지를 개발하여 발전단가를 낮추고자 하는 여러 시도가 이루어지고 있다.
일반적으로 이종의 다중접합 태양전지 구조에서 단위 태양전지(sub-cell) 사이에 재결합층(recombination layer)를 필요로 하는데, 재결합층으로 투명전극(도 1(a)) 또는 패터닝된 금속전극(도 1(b))을 사용하고 있다.
도 1(a)에 도시한 바와 같이, 재결합층으로 투명전극을 사용하는 경우 단위 태양전지와 투명전극 물질의 굴절률 차이에 의해 발생하는 난반사에 의한 투과율 저하로 태양전지 효율 저하기 발생하게 된다. 이를 해결하기 위해 태양전지와 투명전극 사이에 ARC(Anti-reflection coating) 물질을 증착하는 추가 공정이 필요하다.
또한 투명전극으로 사용되는 물질은 일반적인 금속 물질보다 전기전도도가 낮아서 태양전지 저항을 높게 하여 태양전지 효율 저하를 유발하게 된다.
또한 도 1(b)에 도시한 바와 같이 재결합층으로 패터닝된 금속전극을 사용하는 경우 단위 태양전지 사이에 Align된 패터닝된 금속전극 공정이 추가로 필요하고 또한 패터닝된 금속전극에 의해서 shadow loss가 발생하여 태양전지 효율이 저하되게 된다.
본 발명은 상기 필요성에 의해 고안된 것으로서, 투명 전극 및 금속 전극 대신에 재결합층으로 터널접합 구조를 적용하여 투과율 및 전기전도도를 개선하여 태양전지 효율을 향상시킨 다중접합 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다중접합 태양전지의 제공을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 다중접합 태양전지의 제조방법에 있어서, 에피성장용 기판 상부에 광흡수층을 형성시키는 제1단계와, 상기 광흡수층 상부에 후면전극을 형성시키는 제2단계와, 상기 광흡수층으로부터 상기 에피성장용 기판을 제거하는 제3단계 및 상기 에피성장용 기판이 제거된 측의 광흡수층 상부에 전면전극을 형성하는 제4단계를 포함하되, 상기 광흡수층은 서로 다른 흡수 파장을 갖는 N개의 서브셀(N은 2 이상의 자연수)로 이루어지며, 각 서브셀은 터널접합(Tunnel junction)되어 다중접합을 이루는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다중접합 태양전지를 기술적 요지로 한다.
여기에서 상기 서브셀은, 빛이 입사되는 방향으로부터 단파장에서 장파장의 빛을 흡수하도록 배치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 터널접합은, p-type과 n-type 반도체 물질의 접합으로 구성되며, AlxGayInzAs 또는 AlxGayInzP 물질을 사용하는 것(여기서, x+y+z=1)이 바람직하다.
또한, 상기 터널접합을 이루는 반도체 물질의 도핑 농도는 1×1019cm-3 ~ 1×1022cm-3 인 것이 바람직하며, 상기 터널접합을 이루는 반도체 물질의 두께는 10nm~100nm 인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 터널접합을 이루는 반도체 물질의 밴드갭은 상기 터널접합 하부에 위치하는 서브셀의 밴드갭보다 상대적으로 큰 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 광흡수층을 형성하기 전에, 상기 에피성장용 기판 상부에 희생층을 먼저 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 다중접합 태양전지를 이종기판에 전사할 수 있으며, 상기 이종기판은, 경질 또는 플렉시블 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 실리콘, 유리, quartz, 메탈 호일, 플라스틱 필름 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
본 발명은 다중접합 태양전지에서 서브셀(Sub-cell, 단위 태양전지) 사이에 투명전극이나 금속전극 대신에 터널접합(Tunnel junction) 구조를 사용하여 투과율 및 전기전도도를 개선하여 다중접합 태양전지의 효율을 개선시킨 효과가 있다.
또한 다중접합 태양전지는 기존의 단일접합 태양전지에 비해 출력전압이 높기 때문에 응용제품의 정격 전압을 맞추기 용이하며 직렬연결 수를 줄일 수 있기 때문에 전체 모듈의 효율을 높일 수 있다.
또한 이종기판에 다중접합 태양전지를 형성함으로써, 목적이나 용도에 따라 다양하게 활용할 수 있으며, 최종 기판의 종류에 관계없이 예컨대 투명한 플렉시블 기판에도 다중접합 태양전지를 전달하여 다중접합 태양전지 구조를 구현할 수 있으므로, 투명 플렉시블 태양전지를 제공함으로써, 그 활용도가 뛰어날 것으로 기대된다.
또한 이종 태양전지 즉, Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 태양전지뿐만 아니라 실리콘(Silicon), 페로브스카이트(Perovskite), CIGS, 유기물질과 같은 이종의 서브셀을 조합하고, 각 서브셀 간에 터널접합 구조를 형성하여 낮은 투과도, 낮은 전기전도도 문제를 해결하여 이종의 다중접합 태양전지를 구현함으로써 실리콘 태양전지 시장 이후에 도래할 것으로 예상되는 이종 다중접합 태양전지 시장에서 경쟁력을 갖추고, 실용화 가능성이 매우 높을 것으로 기대된다.
또한 이종 다중접합 태양전지 개발은 발전 소자 산업을 비롯한 다양한 산업분야에서 높은 부가가치를 창출하고, 고용을 창출함으로써 국가 경제 활성화의 원동력이 될 것으로 기대된다.
도 1 - 종래의 다중접합 태양전지에 대한 모식도.
도 2 - 본 발명에 따른 다중접합 태양전지의 제조방법에 대한 모식도.
도 3 - 본 발명에 따른 다중접합 태양전지에 대한 모식도.
도 4 - 본 발명의 일실시예에 따라 터널접합 구조를 포함하는 서브셀에 대한 전자 현미경 사진을 나타낸 도.
본 발명은 다중접합 태양전지에서 서브셀(Sub-cell, 단위 태양전지) 사이에 투명전극이나 금속전극 대신에 터널접합(Tunnel junction) 구조를 사용하여 투과율 및 전도도를 개선하여 다중접합 태양전지의 효율을 개선시키고자 하는 것이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하고자 한다. 도 2는 본 발명에 따른 다중접합 태양전지의 제조방법에 대한 모식도이고, 도 3은 본 발명에 따른 다중접합 태양전지에 대한 모식도이며, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 터널접합 구조를 포함하는 서브셀에 대한 전자 현미경 사진을 나타낸 것이다.
도시된 바와 같이 본 발명에 따른 다중접합 태양전지의 제조방법은, 다중접합 태양전지의 제조방법에 있어서, 에피성장용 기판(10) 상부에 광흡수층(20)을 형성시키는 제1단계와, 상기 광흡수층(20) 상부에 후면전극(40)을 형성시키는 제2단계와, 상기 광흡수층(20)으로부터 상기 에피성장용 기판(10)을 제거하는 제3단계 및 상기 에피성장용 기판(10)이 제거된 측의 광흡수층(20) 상부에 전면전극(50)을 형성하는 제4단계를 포함하되, 상기 광흡수층(20)은 서로 다른 흡수 파장을 갖는 N개의 서브셀(N은 2 이상의 자연수)(22)로 이루어지며, 각 서브셀(22)은 터널접합(Tunnel junction)(30)되어 다중접합을 이루는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 다중접합 태양전지의 제조방법은 도 2에 도시한 바와 같이, 먼저, 에피성장용 기판(10) 상부에 광흡수층(20)을 형성하는 것이다(제1단계, 도 2(a)).
상기 에피성장용 기판(10)은 그 상부에 형성되는 광흡수층(20)의 결함을 최소화하기 위해 광흡수층(20)과 격자상수가 비슷한 기판을 사용한다. 예컨대, 상기 에피성장용 기판(10)은 GaAs, InP 등을 사용하는 경우 광흡수층(20)으로는 AlGaInP, AlGaAs, InGaAs 등의 재료를 사용하게 된다.
본 발명에서의 태양전지의 광흡수층(20)은 도 3에 도시한 바와 같이, 서로 다른 흡수 파장을 갖는 N개의 서브셀(N은 2 이상의 자연수)(22)로 이루어지며, 각 서브셀(22)은 터널접합(Tunnel junction)(30)되어 다중접합을 이루어, 다양한 파장의 빛을 흡수할 수 있어 효율을 개선시킨 것이다.
여기에서 상기 서브셀(22)은, 빛이 입사되는 방향으로부터 단파장에서 장파장의 빛을 흡수하도록 배치되며, 즉, 최상층의 서브셀(22)에 빛이 입사되면 단파장의 빛이 먼저 흡수되고, 장파장의 빛은 보다 하부층에서 흡수되도록 설계된다.
본 발명의 일실시예로 다중접합 태양전지의 최상층으로부터 광흡수층(20)이 (AlxGa1-x)0.5In0.5P인 서브셀(22), AlxGa1 - xAs인 서브셀(22), InxGa1 - xAs(0<x<1)인 서브셀(22)의 순서로 설계되게 되므로, 에피성장용 기판(10) 상부에는 이의 역순으로 형성되게 되며, 후술할 에피성장용 기판(10)이 제거되고, 에피성장용 기판(10)에 가장 먼저 형성된 서브셀(22)이 다중접합 태양전지 구조에서 최상층에 배치되게 된다.
또한, 본 발명에 따른 서브셀(22)은 같은 종류 또는 서로 다른 종류의 태양전지 예컨대 실리콘(Silicon), 페로브스카이트(Perovskite), CIGS, 유기물질, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 등의 조합으로도 구현될 수 있다.
또한, 상기 터널접합(30)은, p-type과 n-type 반도체 물질의 접합으로 구성되어, 각 인접하는 서브셀(22) 간의 손실을 최소화시켜 발광 효율을 극대화시키는 것이다. 또한, 상기 터널접합(30)은, AlxGayInzAs 또는 AlxGayInzP 물질을 사용하는 것(여기서, x+y+z=1)을 특징으로 한다.
이러한 터널접합(30)은 서브셀(22)과의 굴절률이 비슷한 반도체 물질을 사용함으로써, 기존의 투명전극 사용시 굴절률 차이에 따른 난반사 문제를 해결하고 투과도를 향상하여 태양전지 효율을 향상시킨 것이다.
또한, 상기 터널접합(30)을 이루는 반도체 물질의 도핑 농도는 1×1019cm-3 ~ 1×1022cm-3인 것을 특징으로 한다.
기존의 다중접합 태양전지에서 각 서브셀(22) 간의 재결합층으로 투명전극을 사용하는 경우, 낮은 전기전도도로 인해 태양전지의 저항을 높게 하여 태양전지의 효율을 저하시키게 되는데, 본 발명에서는 터널접합(30)을 이루는 반도체 물질의 고농도 도핑을 구현하여 터널접합(30) 층에서의 전기전도도를 향상시켜 태양전지의 효율을 향상시키는 것이다.
또한 상기 터널접합(30)을 이루는 반도체 물질의 두께는 100nm 이하, 바람직하게는 10nm~100nm로 형성하여 터널링 효과로 전자와 홀의 이동이 용이하도록 하여 재결합층으로 적합하여 태양전지의 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 것이다.
또한 상기 터널접합(30)을 이루는 반도체 물질의 밴드갭은 상기 터널접합(30) 하부에 위치하는 서브셀(22)의 밴드갭보다 상대적으로 큰 것을 특징으로 한다. 이는 터널접합(30) 하부에 위치하는 서브셀(22)에서 흡수할 수 있는 빛을 투과하는 물질로 구현되도록 하여 태양전지의 효율을 향상시키도록 하는 것이다.
한편, 에피성장용 기판(10) 상부에 광흡수층(20)을 형성하기 전에 상기 에피성장용 기판(10) 상부에 희생층(12)을 먼저 형성할 수도 있다. 이는 후술할 에피성장용 기판(10) 제거시 효율적으로 제거하기 위한 것으로서, 희생층(12)은 에피성장용 기판(10) 상에 에픽탁셜하게 성장되며 특정 용매에 대하여 기판보다 쉽게 식각되어야 하므로 에피성장용 기판(10)과는 다른 재료 또는 다른 격자상수의 물질로 형성된다. 또한 격자결함을 최소화하기 위해 희생층(12) 상에 버퍼층 등을 더 형성시킬 수 있다.
이와 같이 에피성장용 기판(10) 상에 형성된 희생층(12) 및 다중접합 구조의 광흡수층(20)은 통상의 박막 증착 공정에 의해 형성되게 되며, 에피성장용 기판(10)과 광흡수층(20) 사이에 희생층(12)을 형성한 경우에는 후술할 에피성장용 기판(10)의 제거는 상기 희생층(12)의 제거를 통해 이루어지게 된다.
그리고, 상기 광흡수층(20) 상부에 후면전극(40)을 형성시킨다(제2단계, 도 2(b)).
상술한 바와 같이, 에피성장용 기판(10)에 형성되는 광흡수층(20)을 이루는 서브셀(22)은 최종 다중접합 태양전지 구조의 역순으로 형성하게 되므로, 에피성장용 기판(10)에 형성된 서브셀(22) 중 최상층에 후면전극(40)을 형성하게 된다.
상기 후면전극(40)은 금(Au), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 은(Ag), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등의 금속으로 형성되거나, 투명한 재료를 사용하고자 하는 경우에는 ITO나 FTO 또는 전도성 고분자 수지층으로 형성된다.
그리고 상기 광흡수층(20)으로부터 상기 에피성장용 기판(10)을 제거한다(제3단계, 도 2(c),(d)).
희생층(12)이 에피성장용 기판(10)과 광흡수층(20) 사이에 형성되어 있지 않은 경우에는 광흡수층(20)과 에피성장용 기판(10)과의 밴드갭 에너지 차이에 의한 레이저 리프트 오프 공정 등에 의해 에피성장용 기판(10)을 광흡수층(20)으로부터 분리시키거나, 희생층(12)이 형성된 경우에는 희생층(12)의 식각 공정 등에 의해 에피성장용 기판(10)을 광흡수층(20)으로부터 분리시킨다.
이러한 분리된 에피성장용 기판(10)은 다시 재사용되어 다음 공정에 사용할 수 있어 고가의 에피성장용 기판(10)에 대한 비용을 절감시킬 수 있다.
그리고 상기 에피성장용 기판(10)을 제거한 다음 또는 에피성장용 기판(10)을 제거하기 전에 도 3에 도시한 바와 같이 상기 후면전극(40) 상부에 이종기판(60)을 형성할 수 있다. 상기 이종기판(60)은 최종 다중접합 태양전지를 이루는 기판(Target substrate)으로써, 다중접합 태양전지의 사용목적 및 용도에 따라 경질 재료, 플렉시블한 재료, 투명한 재료, 불투명한 재료, 반투명한 재료 등 다양하게 사용할 수 있다.
예컨대 경질 기판으로는 ITO(indium-tin oxide), FTO(fluorine doped tin oxide), AZO(aluminium doped zinc oxide), IGZO(Indium gallium zinc oxide), 유리, 실리콘, quartz 등이 사용될 수 있다.
플렉시블 기판으로는 PET(Polyethyleneterephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PP(polypropylene), PI(polyimide), PS(polystylene) 및 PC(polycarbonate) 등과 같은 고분자 필름이 사용될 수 있으며, 금속을 증착한 메탈 호일(metal foil)을 사용하는 경우에도 플렉시블 기판의 형태로 제공할 수 있다.
여기에서, 상기 이종기판(60)은 후면전극(40) 상부에 증착, 코팅, 접합 또는 라미네이팅되거나, 다중접합 태양전지 자체가 이종기판(60) 상에 전사되어 전달될 수도 있다.
이종기판(60)의 종류에 따라 후면전극(40) 또는 다중접합 태양전지와의 접합 공정이 추가될 수도 있다.
필요에 따라 이종기판(60) 하부에는 공정용 임시기판을 형성하여, 공정이 완료되는 동안 일시적으로 다중접합 태양전지를 지지하는 역할을 수행하게 된다.
그리고, 상기 에피성장용 기판(10)이 제거된 측의 광흡수층(20) 상부에 전면전극(50)을 형성한다(제4단계, 도 2(e)).
상기 전면전극(50)은 패터닝 공정에 의해 n-ohmic etching하여 특정 영역에 형성되고, 최상층의 광흡수의 mesa etching을 수행하고 ARC(Anti reflection coating) 층(도 2(f))을 형성하여 하나 또는 복수개의 다중접합 태양전지 소자를 완성하게 된다.
여기에서 전면전극(50)은 상기 후면전극(40)과 같이 금속 재료로 형성되거나, 투명한 재료로 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 제작된 다중접합 태양전지 구조에 있어서 터널 접합이 포함된 서브셀에 대한 전자 현미경 사진을 나타낸 것이다.
(AlxGa1 -x)0.5In0 .5P인 서브셀, 터널접합을 이루는 반도체 물질로 AlGaAs/GaInP 물질을 사용하였으며, 터널접합 구조로 굴절률의 차이가 비슷하여 난반사를 줄이고, 투과도를 향상시킬 수 있으며, 터널접합 층을 두께 83.3nm로 형성하여 전자나 홀의 이동이 용이하여 재결합층으로 적합하게 사용할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 다중접합 태양전지에서 서브셀(Sub-cell, 단위 태양전지) 사이에 투명전극이나 금속전극 대신에 터널접합(Tunnel junction) 구조를 사용하여 투과율 및 전기전도도를 개선하여 다중접합 태양전지의 효율을 개선시키고자 하는 것이다.
또한 다중접합 태양전지는 기존의 단일접합 태양전지에 비해 출력전압이 높기 때문에 응용제품의 정격 전압을 맞추기 용이하며 직렬연결 수를 줄일 수 있기 때문에 전체 모듈의 효율을 높일 수 있다.
또한 이종기판에 다중접합 태양전지를 형성함으로써, 목적이나 용도에 따라 다양하게 활용할 수 있으며, 최종 기판의 종류에 관계없이 예컨대 투명한 플렉시블 기판에도 다중접합 태양전지를 전달하여 다중접합 태양전지 구조를 구현할 수 있으므로, 투명 플렉시블 태양전지를 제공함으로써, 그 활용도가 뛰어날 것으로 기대된다.
또한 이종 태양전지 즉, Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 태양전지뿐만 아니라 실리콘(Silicon), 페로브스카이트(Perovskite), CIGS, 유기물질과 같은 이종의 서브셀을 조합하고, 각 서브셀 간에 터널접합 구조를 형성하여 낮은 투과도, 낮은 전기전도도 문제를 해결하여 이종의 다중접합 태양전지를 구현함으로써 실리콘 태양전지 시장 이후에 도래할 것으로 예상되는 이종 다중접합 태양전지 시장에서 경쟁력을 갖추고, 실용화 가능성이 매우 높을 것으로 기대된다.
10 : 에피성장용 기판 12 : 희생층
20 : 광흡수층 22 : 서브셀
30 : 터널접합 40 : 후면전극
50 : 전면전극 60 : 이종기판

Claims (20)

  1. 다중접합 태양전지의 제조방법에 있어서,
    에피성장용 기판 상부에 광흡수층을 형성시키는 제1단계;
    상기 광흡수층 상부에 후면전극을 형성시키는 제2단계;
    상기 광흡수층으로부터 상기 에피성장용 기판을 제거하는 제3단계; 및
    상기 에피성장용 기판이 제거된 측의 광흡수층 상부에 전면전극을 형성하는 제4단계;를 포함하되,
    상기 광흡수층은 서로 다른 흡수 파장을 갖는 N개의 서브셀(N은 2 이상의 자연수)로 이루어지며, 각 서브셀은 터널접합(Tunnel junction)되어 다중접합을 이루며,
    상기 각 서브셀은 빛이 입사되는 방향으로부터 단파장에서 장파장의 빛을 흡수하도록 배치되며,
    상기 각 서브셀은 상기 빛이 입사되는 방향으로부터 (AlxGa1-x)0.5In0.5P인 서브셀, AlxGa1-xAs인 서브셀, 및 InxGa1-xAs(0<x<1)인 서브셀의 순서로 구현된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 터널접합은,
    p-type과 n-type 반도체 물질의 접합으로 구성된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 터널접합은,
    AlxGayInzAs 또는 AlxGayInzP 물질을 사용하는 것(여기서, x+y+z=1)을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 터널접합을 이루는 반도체 물질의 도핑 농도는 1×1019cm-3 ~ 1×1022cm-3 이상인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 터널접합을 이루는 반도체 물질의 두께는 10nm~100nm 인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 터널접합을 이루는 반도체 물질의 밴드갭은 상기 터널접합 하부에 위치하는 서브셀의 밴드갭보다 상대적으로 큰 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 광흡수층을 형성하기 전에,
    상기 에피성장용 기판 상부에 희생층을 먼저 형성하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 다중접합 태양전지를 이종기판에 전사하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 이종기판은,
    실리콘, 유리, quartz, 메탈 호일, 플라스틱 필름 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  11. 다중접합 태양전지에 있어서,
    광흡수층은 서로 다른 흡수 파장을 갖는 N개의 서브셀(N은 2 이상의 자연수)로 이루어지며, 각 서브셀은 터널접합(Tunnel junction)되어 다중접합을 이루며,
    상기 각 서브셀은 빛이 입사되는 방향으로부터 단파장에서 장파장의 빛을 흡수하도록 배치되며,
    상기 각 서브셀은 상기 빛이 입사되는 방향으로부터 (AlxGa1-x)0.5In0.5P인 서브셀, AlxGa1-xAs인 서브셀, 및 InxGa1-xAs(0<x<1)인 서브셀의 순서로 구현된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  12. 삭제
  13. 제 11항에 있어서, 상기 터널접합은,
    p-type과 n-type 반도체 물질의 접합으로 구성된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  14. 제 11항에 있어서, 상기 터널접합은,
    AlxGayInzAs 또는 AlxGayInzP 물질을 사용하는 것(여기서, x+y+z=1)을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 터널접합을 이루는 반도체 물질의 도핑 농도는 1×1019cm-3 ~ 1×1022cm-3 이상인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  16. 제 11항에 있어서, 상기 터널접합을 이루는 반도체 물질의 두께는 10nm~100nm 인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  17. 제 11항에 있어서, 상기 터널접합을 이루는 반도체 물질의 밴드갭은 상기 터널접합 하부에 위치하는 서브셀의 밴드갭보다 상대적으로 큰 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  18. 삭제
  19. 제 11항에 있어서, 상기 다중접합 태양전지를 이종기판에 전사하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 이종기판은,
    실리콘, 유리, quartz, 메탈 호일, 플라스틱 필름 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
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