KR102284557B1 - Photosensitive-resin composition - Google Patents

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Abstract

[과제] 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있으며, 내PCT성(내습열성), 내리플로우성, 전기 절연성(HAST내성), 및 무전해 도금내성에 더하여, 내열성, 내용제성, 내약품성(내알칼리성, 내산성), 및 밀착성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 이를 사용한 영구 마스크 레지스트, 및 그 영구 마스크 레지스트를 구비하는 프린트 배선판을 제공하는 것. [해결 수단] (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지, (B)광중합 개시제, (C)함질소복소환 화합물, 및 (D)광중합성 화합물을 함유하고, 그 (C)함질소복소환 화합물의 평균 입자 지름이 0.01∼10㎛인 감광성 수지 조성물, 이를 사용한 영구 마스크 레지스트, 및 프린트 배선판이다.[Problem] In addition to the excellent resist shape and the ability to form a pattern with excellent resolution, PCT resistance (moisture and heat resistance), reflow resistance, electrical insulation (HAST resistance), and electroless plating resistance, heat resistance, content To provide a photosensitive resin composition capable of forming a pattern excellent in agent resistance, chemical resistance (alkali resistance, acid resistance) and adhesion, a permanent mask resist using the same, and a printed wiring board comprising the permanent mask resist. [Solution means] containing (A) acid-modified vinyl group-containing epoxy resin, (B) photoinitiator, (C) nitrogen-containing heterocyclic compound, and (D) photopolymerizable compound, and (C) nitrogen-containing heterocyclic compound A photosensitive resin composition having an average particle diameter of 0.01 to 10 µm, a permanent mask resist using the same, and a printed wiring board.

Description

감광성 수지 조성물{PHOTOSENSITIVE-RESIN COMPOSITION}Photosensitive resin composition {PHOTOSENSITIVE-RESIN COMPOSITION}

본 발명은, 감광성 수지 조성물, 그 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 엘리먼트, 영구 마스크 레지스트, 및 프린트 배선판에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive element using the photosensitive resin composition, a permanent mask resist, and a printed wiring board.

프린트 배선판의 제조 분야에 있어서, 프린트 배선판상에 영구 마스크 레지스트를 형성하는 것이 실시되고 있다. 영구 마스크 레지스트는, 프린트 배선판의 사용시에, 도체층의 부식을 방지하거나, 도체층간의 전기 절연성을 유지하는 역할을 가진다. 최근, 영구 마스크 레지스트는, 반도체소자를 프린트 배선판상에 땜납을 통하여 플립칩 실장, 와이어본딩 실장 등을 실시하는 공정에서, 프린트 배선판의 도체층의 불필요한 부분에 땜납이 부착하는 것을 방지하는, 땜납 레지스트 막으로서의 역할도 가지게 되었다.In the manufacturing field of a printed wiring board, forming a permanent mask resist on a printed wiring board is performed. A permanent mask resist has the role of preventing corrosion of a conductor layer at the time of use of a printed wiring board, or maintaining the electrical insulation between conductor layers. In recent years, a permanent mask resist is a solder resist that prevents solder from adhering to unnecessary portions of a conductor layer of a printed wiring board in a process of flip-chip mounting, wire bonding mounting, etc., via solder on a printed wiring board. It also had a role as a membrane.

종래, 프린트 배선판 제조에 있어서의 영구 마스크 레지스트는, 열경화성 수지 조성물, 혹은 자외선 경화성 수지 조성물을 사용하여 스크린 인쇄로 제작되어 왔다. 이 수지 조성물의 스크린 인쇄에 의한 방법에서는, 인쇄시에 스밈, 가라앉음 등이 발생하기 때문에, 고정밀한 패턴의 제작은 곤란하다. 그 때문에, 종래의 수지조성물의 스크린 인쇄에 의한 방법에서는, 최근의 전자기기의 소형화, 경량화, 고성능화에 수반된, 프린트 배선판에서의 배선패턴, 및 절연패턴의 고정밀화에 따른 영구 마스크 레지스트의 형성이 곤란하게 되어, 고정밀화로의 요망에 충분히 대응 할 수 없게 되었다.Conventionally, the permanent mask resist in printed wiring board manufacture has been produced by screen printing using a thermosetting resin composition or an ultraviolet curable resin composition. In the method by screen printing of this resin composition, since smearing, sinking, etc. generate|occur|produce at the time of printing, preparation of a high-precision pattern is difficult. Therefore, in the conventional method by screen printing of a resin composition, the formation of a permanent mask resist according to the high precision of wiring patterns and insulating patterns in printed wiring boards accompanied by recent miniaturization, weight reduction, and high performance of electronic devices is difficult. It became difficult, and it became impossible to fully respond to the request|requirement for high precision.

그래서, 포토리소그래피에 의한 영구 마스크 레지스트의 형성 방법이 개발되기에 이르렀다. 이 영구 마스크 레지스트의 형성 방법은, 구체적으로는, 드라이필름형 광경화성 레지스트를 기재상에 열압착하여, 혹은 액상형 광경화성 레지스트를 기재상에 커텐 도포 또는 스프레이 도포하여 레지스트 층을 형성하고, 그 레지스트 층에 네가티브마스크를 통하여 선택적으로 자외선 등의 활성 광선을 조사하여 경화시키고, 미조사 부분만을 현상액으로 제거하여 상(像)형성을 실시한다, 라는 것이다.Then, the formation method of the permanent mask resist by photolithography came to be developed. Specifically, in this method of forming a permanent mask resist, a resist layer is formed by thermocompression bonding a dry film type photocurable resist onto a substrate, or applying a curtain or spray coating of a liquid type photocurable resist onto the substrate to form a resist layer. The layer is cured by selectively irradiating actinic rays such as ultraviolet rays through a negative mask, and forming an image by removing only the unirradiated portion with a developer solution.

드라이필름형 광경화성 레지스트를 사용하는 경우, 기재에의 열압착시에 공기를 끌어들여 기포가 발생하기 쉬워지며, 레지스트 층과 기재와의 밀착성의 저하, 또는 레지스트 패턴의 흐트러짐이 발생하여, 레지스트 성능의 저하가 염려된다. 그 때문에, 드라이필름형이 아니라, 액상형 광경화성 레지스트의 사용이 검토되고 있다. 액상형 광경화성 레지스트로서는, 용제 현상형과 알칼리 현상형으로 대별(大別) 구분되나, 작업 환경보전, 및 지구 환경 보전의 관점에서, 알칼리 현상형이 주류가 되고 있다. 이러한 알칼리 현상형의 액상형 광경화성 레지스트에서, 도막의 내열성, 내약품성, 전기 특성을 향상시키는 것이, 제안되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1∼3).When a dry film-type photocurable resist is used, air is drawn in during thermocompression bonding to the substrate and bubbles are easily generated, and the adhesion between the resist layer and the substrate is lowered or the resist pattern is disturbed, resulting in resist performance. is concerned about the decline of Therefore, the use of a liquid type photocurable resist rather than a dry film type is being considered. As a liquid type photocurable resist, although it is divided roughly into a solvent developing type and an alkali developing type, From a viewpoint of working environment preservation and global environmental preservation, the alkali developing type is becoming mainstream. It has been proposed to improve the heat resistance, chemical resistance, and electrical properties of a coating film in such an alkali developing liquid type photocurable resist (for example, Patent Documents 1 to 3).

그러나, 특허 문헌 1에서 제안되는 알칼리 현상형의 액상형 광경화성 레지스트로는, 최근 더욱 우수한 성능이 요구되고 있는 내열성, 및 내PCT성(내프레셔쿠커테스트성)(이후, 내습열성이라 칭하는 경우도 있다.) 등의 실용 특성이 충분히 만족할 만한 것이 되었다고는 할 수 없다. 알칼리 현상형의 액상형 광경화성 레지스트는, 알칼리 현상을 가능하게 하기 위해서 친수성기를 가지는 것이 주성분이 되고 있으며, 그 때문에, 약액 및 물 등이 레지스트 층에 침투하기 쉽고, 충분히 우수한 레지스트 층의 실용 특성을 얻을 수 없다고 생각된다.However, as an alkali developing liquid type photocurable resist proposed in Patent Document 1, heat resistance and PCT resistance (pressure cooker test resistance) (hereinafter referred to as moisture and heat resistance), which have recently been demanded for more excellent performance, are sometimes referred to as It cannot be said that practical characteristics such as .) have been sufficiently satisfactory. Alkali-developing liquid-type photocurable resists have a hydrophilic group as a main component to enable alkali development. Therefore, chemicals, water, etc. easily penetrate into the resist layer, and sufficiently excellent practical properties of the resist layer are obtained. i don't think it can be

그런데, 전자기기의 소형화, 경량화, 고성능화에 수반하여, 반도체 패키지의 소형화, 다(多)핀화의 실용화, 양산화도 급선무가 되고 있다. 예를 들면, 전자 부품에 탑재되어 있는 BGA(Ball Grid Array), CSP(Chip Size Package) 등의 반도체 패키지 기판에 있어서는, 높은 신뢰성이 요구되고 있다. 또한, 높은 신뢰성을 달성하기 위해서, 내PCT성(내습열성)이 요구되고 있다. 그러나, 특허 문헌 1 등에서 제안되는 종래의 액상형 광경화성 레지스트는, 내PCT성 평가에서 사용하는 것 같은 엄격한 환경(고온고습 환경) 하에서는, 수시간∼수십 시간 정도 밖에 실용에 견디지 못하는 경향이 있어, 내PCT성(내습열성)의 개량이 한층 더 요구되고 있다.By the way, along with the miniaturization, weight reduction, and high performance of electronic devices, miniaturization of semiconductor packages, practical use of multi-pin, and mass production are also urgently needed. For example, high reliability is calculated|required in semiconductor package board|substrates, such as BGA (Ball Grid Array) and CSP (Chip Dimension Package) mounted on electronic components. Moreover, in order to achieve high reliability, PCT resistance (heat-and-moisture resistance) is calculated|required. However, the conventional liquid photocurable resist proposed in Patent Document 1 and the like tends to be practically only lasting for several hours to several tens of hours under a severe environment (high temperature, high humidity environment) as used in PCT resistance evaluation. The improvement of PCT property (moisture and heat resistance) is calculated|required further.

또한, 실장 방법이, 종래의 삽입 실장으로부터, 예를 들면, FC(Flip Chip), TAB(Tape Automated Bonding), COF(Chip On Film) 등이라는 표면 실장이 채용되게 되어, 실장시에 반도체 패키지에 걸리는 온도가 높아지는 경향이다. 표면 실장의 경우, 보다 구체적으로는, 땜납을 리플로우하여 고정한다, 즉, 미리 크림 땜납을 필요 부분에 인쇄하여, 인쇄한 땜납 전체를 적외선 등에 의한 고온로(爐)에서 가열하고, 땜납을 녹여 표면 실장 부품과 기판을 납땜하므로, 패키지 내외부의 도달 온도는 220∼280℃로 지극히 높아진다.In addition, as a mounting method, surface mounting such as FC (Flip   Chip), TAB (Tape   Automated Bonding), COF (Chip On Film), etc. has been adopted from the conventional insertion mounting method. There is a tendency for the temperature to increase. In the case of surface mounting, more specifically, the solder is reflowed and fixed. That is, cream solder is printed on the required part in advance, the entire printed solder is heated in a high temperature furnace using infrared rays or the like, and the solder is melted. Since the surface-mounted components and the board are soldered, the temperature reached inside and outside the package is extremely high at 220-280°C.

이와 같이 고온에 노출되는 경우, 종래의 액상형 광경화성 레지스트에서는, 열충격에 의해 도막에 크랙이 발생하거나, 기판 또는 봉지재로부터 박리해 버리는, 내리플로우성이 저하된다고 하는 문제도 있었다.When exposed to high temperature in this way, in the conventional liquid photocurable resist, cracks are generated in the coating film due to thermal shock, and there is also a problem that the reflow resistance is lowered, which peels off from the substrate or the encapsulant.

또한, 프린트 배선판에 있어서의 배선 패턴 및 절연 패턴(영구 마스크 레지스트)의 고정밀화에 따라, 배선간의 간격 피치가 미세화하고 있기 때문에, 배선간의 우수한 전기 절연성(특히, 흡습 후의 전기 절연성(HAST내성))이 요구된다.In addition, as the wiring patterns and insulating patterns (permanent mask resists) in the printed wiring board are highly precise, the spacing pitch between the wirings is being made finer. this is required

그리고, 그 제조에 있어서는, 리드 선을 필요로 하지 않는 무전해 도금법이 채용되게 되었다. 무전해 도금법은, 도금막 두께가 균일하고, 평활성이 높은 등의 특징을 가지고 있다. 그러나, 도금액의 pH가 크고 강알칼리성을 나타내고 있는 것, 도금 석출 속도를 향상시키기 위해서, 액체의 온도를 90℃ 정도라는 고온으로 하는 것에서, 영구 마스크 레지스트에 대한 데미지가 커지는 경향에 있다. 그 때문에, 영구 마스크 레지스트에는 무전해 도금에 사용되는 도금액에 의한 데미지에 강한, 내무전해 도금성도 요구된다.And in the manufacture, the electroless-plating method which does not require a lead wire has come to be employ|adopted. The electroless plating method has characteristics such as a uniform plating film thickness and high smoothness. However, when the pH of the plating solution is large and exhibits strong alkalinity, and when the temperature of the liquid is set to a high temperature of about 90° C. in order to improve the plating deposition rate, the damage to the permanent mask resist tends to increase. Therefore, the electroless plating resistance which is strong in the damage by the plating liquid used for electroless plating is also calculated|required by a permanent mask resist.

나아가, 영구 마스크 레지스트에는 양호한 레지스트 형상을 가지는 것이 요구된다. 예를 들면, 20∼40㎛이상이라고 하는 두꺼운 막의 영구 마스크 레지스트를 형성하는 경우, 저부의 광경화성 레지스트의 광경화를 충분히 얻지 못하고, 현상 후에 저부가 도려내지는 언더컷이 발생하거나, 저부의 광경화성을 향상시키기 위해서 자외선 조사의 노광량을 많게 하면, 광회절이나 헐레이션이 커져, 패턴 단면의 표면부(상부)의 선폭(線幅)에 대하여 중간부(중심부) 및 최심부(最深部)(저부)의 선폭이 커지기 때문에, 레지스트 형상의 악화가 발생하거나, 혹은 해상성이 저하한다는 문제가 발생하기 쉽다. 또한, 산소 저해에 의해 레지스트 깊이 방향으로 표면에서 3㎛ 정도에 이르는 영역에 있어서 광경화가 부족함으로써, 레지스트 상부가 결락되어, 레지스트 형상이 악화된다라는 문제도 있다.Furthermore, it is calculated|required that a permanent mask resist has a favorable resist shape. For example, in the case of forming a thick permanent mask resist with a thickness of 20 to 40 µm or more, the photocuring of the photocurable resist at the bottom cannot be sufficiently photocured, and the undercut of the bottom part is cut out after development, or the photocurability of the bottom is improved. If the exposure amount of ultraviolet irradiation is increased to increase the exposure amount of ultraviolet irradiation to Since this becomes large, it is easy to generate|occur|produce the problem that the deterioration of a resist shape generate|occur|produces or the resolution falls. In addition, there is also a problem that the resist top is missing and the resist shape is deteriorated due to insufficient photocuring in a region extending from the surface to about 3 µm in the resist depth direction due to oxygen inhibition.

특허 문헌 1 : 일본국특허공개공보 특개평 1-141904호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. Hei 1-141904 특허 문헌 2 : 일본국특허공개공보 특개 2009-300532호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2009-300532 특허 문헌 3 : 일본국특허공개공보 특개 2010-014767호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Laid-Open No. 2010-014767

본 발명의 목적은, 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 레지스트 형상이 우수하고, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있으며, 내PCT성(내습열성), 내리플로우성, 전기 절연성(HAST내성), 및 무전해도금 내성에 더하여, 내열성, 내용제성, 내약품성(내알칼리성, 내산성), 및 밀착성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.The object of the present invention was made in view of these problems, and it is possible to form a pattern having excellent resist shape and excellent resolution, PCT resistance (moisture and heat resistance), reflow resistance, electrical insulation (HAST resistance), and to provide a photosensitive resin composition capable of forming a pattern excellent in heat resistance, solvent resistance, chemical resistance (alkali resistance, acid resistance), and adhesion in addition to resistance to electroless plating.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하는 것으로, 최근의 전자기기의 소형화, 및 고성능화에 따른 미세화한 구멍 지름의 크기와 구멍 간의 간격 피치의 형성 안정성이 우수한, 패턴 형성이 가능한 영구 마스크 레지스트, 이를 구비한 프린트 배선판, 및 감광성 엘리먼트를 제공하는 것이다.In addition, by using the photosensitive resin composition of the present invention, a permanent mask resist capable of forming a pattern, which is excellent in the formation stability of the size of the pore diameter and the pitch between the holes, which has been miniaturized due to the recent miniaturization and high performance of electronic devices, It is to provide the provided printed wiring board, and a photosensitive element.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 연구를 거듭한 결과, 하기의 발명에 의해 해결할 수 있다는 것을 찾아냈다. 즉 본 발명은, 하기의 감광성 수지 조성물, 그 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 엘리먼트, 영구 마스크 레지스트, 및 프린트 배선판을 제공하는 것이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors discovered that the following invention could solve, as a result of repeating earnest research in order to solve the said subject. That is, this invention provides the following photosensitive resin composition, the photosensitive element using this photosensitive resin composition, a permanent mask resist, and a printed wiring board.

1. (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지, (B)광중합 개시제, (C)함질소복소환 화합물 및 (D) 광중합성 화합물을 함유하며, 그 (C)함질소복소환 화합물의 평균 입자 지름이 0.01~10㎛인 감광성 수지 조성물.1. (A) acid-modified vinyl group-containing epoxy resin, (B) photoinitiator, (C) nitrogen-containing heterocyclic compound and (D) photopolymerizable compound, and (C) average particles of the nitrogen-containing heterocyclic compound A photosensitive resin composition having a diameter of 0.01 to 10 µm.

2. (E)무기 필러를 더 함유하는 상기 1에 기재된 감광성 수지 조성물.2. (E) The photosensitive resin composition as described in said 1 which further contains an inorganic filler.

3. (F)안료를 더 함유하는 상기 1도는 2에 기재된 감광성 수지 조성물.3. (F) The photosensitive resin composition according to Fig. 2, further containing a pigment.

4. 지지체와, 그 지지체 상에 상기 1~3의 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 감광층을 구비하는 감광성 엘리먼트.4. A photosensitive element provided with a support body and the photosensitive layer which uses the photosensitive resin composition in any one of said 1-3 on the support body.

5. 상기 1~3의 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 영구 마스크 레지스트.5. The permanent mask resist formed with the photosensitive resin composition in any one of said 1-3.

6. 상기 5에 기재된 영구 마스크 레지스트를 구비하는 프린트 배선판.6. Printed wiring board provided with said 5 permanent mask resist.

본 발명에 의하면, 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있으며, 내PCT성(내습열성), 내리플로우성, 전기 절연성(HAST내성), 및 무전해도금 내성에 더하여, 내열성, 내용제성, 내약품성(내알칼리성, 내산성), 및 밀착성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 이것을 사용한 영구 마스크 레지스트, 및 그 영구 마스크 레지스트를 구비하는 프린트 배선판을 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to form a pattern having excellent resist shape and excellent resolution, and in addition to PCT resistance (moisture and heat resistance), reflow resistance, electrical insulation (HAST resistance), and electroless plating resistance, heat resistance , a photosensitive resin composition capable of forming a pattern excellent in solvent resistance, chemical resistance (alkali resistance, acid resistance), and adhesion, a permanent mask resist using the same, and a printed wiring board comprising the permanent mask resist can be obtained.

[도 1] 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성한 레지스트의 단면의 모식도이다.
[도 2] 실시예에서 사용한 네가티브 마스크의 패턴 형상을 나타내는 도이다.
[도 3] 내리플로우성의 평가에서 채용한 리플로우 프로파일을 나타내는 도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram of the cross section of the resist formed using the photosensitive resin composition of this invention.
It is a figure which shows the pattern shape of the negative mask used in the Example.
It is a figure which shows the reflow profile employ|adopted in evaluation of reflow property.

[감광성 수지 조성물][Photosensitive resin composition]

본 발명에 있어서의 실시 형태에 관련되는(이하, 단순히 본 실시 형태라고 칭하는 경우가 있다) 감광성 수지 조성물은, (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지, (B)광중합 개시제, (C)함질소복소환 화합물 및 (D) 광중합성 화합물을 함유하며, 그 (C)함질소복소환 화합물의 평균 입자 지름이 0.01~10㎛인 것을 특징으로 하는 것이다. 각 성분에 관하여, 이하에 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서는, 이들 성분은, 단순히 (A)성분, (B)성분, (C)성분, (D)성분이라고 칭하는 경우가 있다.The photosensitive resin composition which concerns on embodiment in this invention (it may simply call this embodiment hereafter) which concerns on embodiment in this invention is (A) acid-modified vinyl group containing epoxy resin, (B) photoinitiator, (C) nitrogen-containing It contains a heterocyclic compound and (D) a photopolymerizable compound, The average particle diameter of this (C) nitrogen-containing heterocyclic compound is 0.01-10 micrometers, It is characterized by the above-mentioned. Each component is demonstrated below. In addition, in this specification, these components may only be called (A) component, (B) component, (C)component, and (D)component.

((A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지)((A) Acid-modified vinyl group-containing epoxy resin)

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (A)성분으로서 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지를 포함한다. (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지는, 에폭시 수지를 비닐기 함유의 유기산으로 변성한 것이면 특히 제한은 없고, 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)을 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지(a'), 나아가 그 에폭시 수지(a')와 포화기 또는 불포화기 함유 다염기산 무수물(c)을 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지(a'')가 바람직하다.The photosensitive resin composition of this embodiment contains an acid-modified vinyl group containing epoxy resin as (A) component. (A) The acid-modified vinyl group-containing epoxy resin is not particularly limited as long as the epoxy resin is modified with an organic acid containing a vinyl group, and an epoxy resin obtained by reacting the epoxy resin (a) with a vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) ( A'), furthermore, an epoxy resin (a'') obtained by reacting the epoxy resin (a') with a saturated or unsaturated group-containing polybasic acid anhydride (c) is preferable.

에폭시 수지(a)로서는, 하기 일반식(I)~(V)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있으며, 이들로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 이들 일반식으로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지에 관하여 설명한다.As an epoxy resin (a), the epoxy resin which has structural units represented by the following general formula (I) - (V) is mentioned preferably, It is preferable that it is at least 1 sort(s) chosen from these. The epoxy resin which has a structural unit represented by these general formulas is demonstrated.

우선, 에폭시 수지(a)로서는, 하기 일반식(I)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있으며, 이러한 구성 단위를 가지는 노볼락형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 일반식(I')로 표시되는 노볼락형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있다.First, as an epoxy resin (a), the epoxy resin which has a structural unit represented by the following general formula (I) is mentioned preferably, As a novolak-type epoxy resin which has such a structural unit, For example, general formula ( The novolak-type epoxy resin represented by I') is mentioned preferably.

Figure 112015128894686-pct00001
Figure 112015128894686-pct00001

일반식(I) 중, R11은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며, Y1은 글리시딜기를 나타낸다. 또한, 일반식(I)로 표시되는 구성 단위를 가지는 노볼락형 에폭시 수지 중, 그 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상이다.In general formula (I), R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y 1 represents a glycidyl group. Moreover, in the novolak-type epoxy resin which has a structural unit represented by general formula (I), content of the structural unit becomes like this. Preferably it is 70 mass % or more, More preferably, it is 90 mass % or more, More preferably, 95 mass % or more. mass % or more.

또한, 일반식(I') 중, R11'는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Y1'는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내며, 또한 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비는, 바람직하게는 0:100~30:70, 보다 바람직하게는 0:100~10:90, 더욱 바람직하게는 0:100이다. 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비로부터 알 수 있듯이, 적어도 하나의 Y1'는 글리시딜기를 나타내는 것이다. n1은 1 이상의 정수를 나타낸다. 또한, 복수의 R11'는 각각 동일해도 상이해도 되며, 복수의 Y1'는 동일해도 상이해도 된다.In the general formula (I'), R 11 ' represents a hydrogen atom or a methyl group, Y 1 ' represents a hydrogen atom or a glycidyl group, and the molar ratio of a hydrogen atom to a glycidyl group is preferably 0 :100-30:70, More preferably, it is 0:100-10:90, More preferably, it is 0:100. As can be seen from the molar ratio of the hydrogen atom to the glycidyl group, at least one Y 1 ′ represents a glycidyl group. n 1 represents an integer of 1 or more. In addition, a plurality of R 11 'are each may be the same or different, and a plurality of Y 1' is may be the same or different.

n1은, 상기와 같이 1 이상의 정수이며, 바람직하게는 10~200, 보다 바람직하게는 30~150, 더욱 바람직하게는 30~100이다. n1이 상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 내열성, 밀착성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.n 1 is an integer of 1 or more as described above, preferably 10 to 200, more preferably 30 to 150, still more preferably 30 to 100. When n 1 is within the above range, a resist pattern with more excellent balance of resist shape, resolution, heat resistance, adhesiveness, and electrical insulation can be obtained.

일반식(I')로 표시되는 노볼락형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 노볼락형 에폭시 수지는, 예를 들면, 공지의 방법으로 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지 등의 페놀 수지와 에피클로로히드린 등의 에피할로히드린을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.As a novolak-type epoxy resin represented by general formula (I'), a phenol novolak-type epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, etc. are mentioned preferably, for example. These novolak-type epoxy resins can be obtained, for example by making phenol resins, such as a phenol novolak resin and cresol novolak resin, react with epihalohydrin, such as epichlorohydrin, by a well-known method.

일반식(I')로 표시되는 노볼락형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, YDCN-704L, YDPN-638, YDPN-602(이상, 신닛테츠스미킨가가쿠(주)제, 상품명), DEN-431, DEN-439(이상, 다우케미컬(주)제, 상품명), EOCN-120, EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, BREN(이상, 닛뽄카야쿠(주)제, 상품명), EPN-1138, EPN-1235, EPN-1299(이상, BASF재팬(주)제, 상품명), N-730, N-770, N-865, N-665, N-673, VH-4150, VH-4240(이상, DIC(주)제, 상품명) 등이 상업적으로 입수 가능하다.As a novolak-type epoxy resin represented by general formula (I'), For example, YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, YDCN-704L, YDPN-638, YDPN-602 (above, New Nippon Chemicals Co., Ltd., brand name), DEN-431, DEN-439 (above, Dow Chemical, Ltd., brand name), EOCN-120, EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN -1012, EOCN-1025, EOCN-1027, BREN (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., brand name), EPN-1138, EPN-1235, EPN-1299 (above, manufactured by BASF Japan, brand name), N-730, N-770, N-865, N-665, N-673, VH-4150, VH-4240 (above, manufactured by DIC Corporation, trade name) and the like are commercially available.

에폭시 수지(a)로서는, 일반식(II)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있으며, 이러한 구성 단위를 가지는 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 일반식(II')로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 및 비스페놀 F형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있다.As the epoxy resin (a), an epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (II) is preferably mentioned, and the epoxy resin having such a structural unit is, for example, an epoxy resin represented by the general formula (II') A bisphenol A epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin are mentioned preferably.

Figure 112015128894686-pct00002
Figure 112015128894686-pct00002

일반식(II) 중, R12는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Y2는 글리시딜기를 나타낸다. 또한, 일반식(II)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지 중, 그 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상이다.In general formula (II), R 12 represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y 2 represents a glycidyl group. Moreover, in the epoxy resin which has a structural unit represented by general formula (II), content of the structural unit becomes like this. Preferably it is 70 mass % or more, More preferably, it is 90 mass % or more, More preferably, it is 95 mass % or more. am.

또한, 일반식(II') 중, R12'는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Y2'는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내며, 또한 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비는, 바람직하게는 0:100~30:70, 보다 바람직하게는 0:100~10:90, 더욱 바람직하게는 0:100이다. 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비로부터 알 수 있듯이, 적어도 하나의 Y2'는 글리시딜기를 나타내는 것이다. n2는 1 이상의 정수를 나타낸다. 또한, 복수의 R12'는 동일해도 상이해도 되며, n2가 2 이상의 경우, 복수의 Y2'는 동일해도 상이해도 된다.In the general formula (II'), R 12 ' represents a hydrogen atom or a methyl group, Y 2 ' represents a hydrogen atom or a glycidyl group, and the molar ratio of a hydrogen atom to a glycidyl group is preferably 0 :100-30:70, More preferably, it is 0:100-10:90, More preferably, it is 0:100. As can be seen from the molar ratio of the hydrogen atom to the glycidyl group, at least one Y 2 ′ represents a glycidyl group. n 2 represents an integer of 1 or more. In addition, a plurality of R 12 'may be the same or are different and, if n 2 is 2 or more, plural Y 2' is may be the same or different.

n2는, 상기와 같이 1 이상의 정수이며, 바람직하게는 10~100, 보다 바람직하게는 10~80, 더욱 바람직하게는 15~60이다. n2가 상기 범위 내이면, 우수한 레지스트 형상과 해상성이 우수한 패턴을 얻을 수 있으며, 또한 우수한 밀착성, 내열성, 및 전기 절연성을 얻을 수 있다.n 2 is an integer of 1 or more as described above, preferably 10 to 100, more preferably 10 to 80, still more preferably 15 to 60. When n 2 is within the above range, an excellent resist shape and a pattern excellent in resolution can be obtained, and excellent adhesion, heat resistance, and electrical insulation properties can be obtained.

일반식(II')로 표시되며, Y2'가 글리시딜기인 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지는, 예를 들면, 하기 일반식(VI)로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지의 수산기와 에피클로로히드린 등의 에피할로히드린을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The bisphenol A type epoxy resin represented by the general formula (II') and Y 2 ' is a glycidyl group, the bisphenol F type epoxy resin is, for example, a bisphenol A type epoxy resin represented by the following general formula (VI); It can obtain by making the hydroxyl group of a bisphenol F-type epoxy resin react with epihalohydrin, such as epichlorohydrin.

Figure 112015128894686-pct00003
Figure 112015128894686-pct00003

일반식(VI) 중, R12 및 n2는, 상기와 동일하다.In general formula (VI), R 12 and n 2 are the same as above.

에피할로히드린의 사용량은, 레지스트 형상, 해상성, 도막 강도, 내열성, 전기 절연성(HAST내성), 내열 충격성, 및 해상성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있는 것을 고려하면, 일반식(VI)로 표시되는 에폭시 수지 중의 수산기 1몰에 대해 2~10몰로 하는 것이 바람직하다.The amount of epihalohydrin used is determined by the general formula ( It is preferable to set it as 2-10 mol with respect to 1 mol of hydroxyl groups in the epoxy resin represented by VI).

이와 동일한 관점에서, 일반식(VI)로 표시되는 에폭시 수지와 에피할로히드린과의 반응에 있어서, 염기성 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 염기성 촉매로서는, 예를 들면, 알칼리 토류금속 수산화물, 알칼리 금속 탄산염, 알칼리 금속 수산화물 등을 바람직하게 들 수 있으며, 수산화나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 칼슘 등의 알칼리 금속 수산화물이 촉매 활성의 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 그 사용량은, 일반식(VI)로 표시되는 에폭시 수지 중의 수산기 1몰에 대해 0.9~2몰인 것이 바람직하다.From the same viewpoint, it is preferable to use a basic catalyst in the reaction between the epoxy resin represented by the general formula (VI) and epihalohydrin. As the basic catalyst, for example, alkaline earth metal hydroxides, alkali metal carbonates, alkali metal hydroxides and the like are preferable, and alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and calcium hydroxide are more preferable from the viewpoint of catalytic activity. . Moreover, it is preferable that the usage-amount is 0.9-2 mol with respect to 1 mol of hydroxyl groups in the epoxy resin represented by general formula (VI).

일반식(VI)로 표시되는 에폭시 수지와 에피할로히드린과의 반응에 있어서, 반응속도를 보다 높이는 관점에서, 유기용매로서, 예를 들면, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브 등의 셀로솔브류; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르류; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드 등의 극성 유기용제 등을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 중에서 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있으며, 극성 조정의 관점에서 2종 이상을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.In the reaction between the epoxy resin represented by the general formula (VI) and epihalohydrin, from the viewpoint of further increasing the reaction rate, examples of the organic solvent include alcohols such as methanol and ethanol; cellosolves such as methyl cellosolve and ethyl cellosolve; ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; It is preferable to use a polar organic solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide or dimethylsulfoxide. Among these, it can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type, It is preferable to use 2 or more types combining from a viewpoint of polarity adjustment.

또한, 반응 온도는 바람직하게는 20~120℃, 보다 바람직하게는 50~120℃이며, 반응 시간은 바람직하게는 0.5~10시간이다. 반응 온도와 반응 시간이 상기 범위 내이면, 반응이 늦어지기 어렵고, 또한 부반응 생성물이 발생하기 어려워진다.The reaction temperature is preferably 20 to 120°C, more preferably 50 to 120°C, and the reaction time is preferably 0.5 to 10 hours. When the reaction temperature and the reaction time are within the above ranges, the reaction is less likely to be delayed, and a side reaction product is less likely to be generated.

상기의 반응 후, 바람직하게는 가열 감압하, 증류에 의해 미반응의 에피할로히드린, 유기용매 등을 유거(留去)하여, 일반식(II')로 표시되는 에폭시 수지를 얻을 수 있다.After the above reaction, unreacted epihalohydrin, an organic solvent, etc. are distilled off by distillation, preferably under heating and reduced pressure, to obtain an epoxy resin represented by the general formula (II'). .

또한, 보다 순도 높은 에폭시 수지를 얻는 관점에서, 얻어진 에폭시 수지를 유기용매에 재용해시켜, 상기의 알칼리 금속 수산화물 등의 염기성 촉매를 첨가하여 반응시킬 수 있다. 이때, 반응속도를 높이는 관점에서, 4급 암모늄염, 크라운 에테르 등의 상간(相間) 이동 촉매를, 에폭시 수지에 대해 0.1~3질량%의 범위로 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 반응 종료 후에 생성된 염(鹽) 등을 여과 또는 수세 등에 의해 제거하고, 가열 감압하에서 유기용매 등을 더 유거함으로써, 고순도의 에폭시 수지를 얻을 수 있다.Moreover, from a viewpoint of obtaining a higher purity epoxy resin, the obtained epoxy resin is made to dissolve again in an organic solvent, and basic catalysts, such as said alkali metal hydroxide, can be added and made to react. At this time, it is preferable to use the phase transfer catalyst, such as a quaternary ammonium salt and a crown ether, in 0.1-3 mass % with respect to an epoxy resin from a viewpoint of raising a reaction rate. In this case, a high-purity epoxy resin can be obtained by removing salts or the like generated after completion of the reaction by filtration or washing with water, and further distilling off an organic solvent or the like under heating and reduced pressure.

일반식(II')로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 에피코트 807, 815, 825, 827, 828, 834, 1001, 1004, 1007 및 1009(이상, 미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명), DER-330, DER-301, DER-361(이상, 다우케미컬(주)제, 상품명), YD-8125, YDF-170, YDF-175S, YDF-2001, YDF-2004, YDF-8170(이상, 신닛테츠스미킨가가쿠(주)제, 상품명) 등이 상업적으로 입수 가능하다.As the bisphenol A epoxy resin or bisphenol F epoxy resin represented by the general formula (II'), for example, Epicoat 807, 815, 825, 827, 828, 834, 1001, 1004, 1007 and 1009 (above, Mitsubishi Chemical Co., Ltd. product name), DER-330, DER-301, DER-361 (above, Dow Chemical Co., Ltd. product name), YD-8125, YDF-170, YDF-175S, YDF-2001 , YDF-2004, YDF-8170 (above, manufactured by Shin-Nittetsu Sumikingaku Co., Ltd., trade name) and the like are commercially available.

에폭시 수지(a)로서는, 하기의 일반식(III)으로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있으며, 이러한 구성 단위를 가지는 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 하기 일반식(III')로 표시되는 트리페놀메탄형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있다.As an epoxy resin (a), the epoxy resin which has a structural unit represented by the following general formula (III) is mentioned preferably, As an epoxy resin which has such a structural unit, the following general formula (III') A triphenolmethane type epoxy resin represented by is preferably mentioned.

Figure 112015128894686-pct00004
Figure 112015128894686-pct00004

일반식(III) 및 (III') 중, Y3은 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내고, 또한 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비는, 바람직하게는 0:100~30:70이다. 수소 원자와 글리시딜기와의 몰비로부터 알 수 있듯이, 적어도 하나의 Y3은 글리시딜기를 나타내는 것이다. n3은 1 이상의 정수를 나타낸다. 또한, 복수의 Y3은 동일해도 상이해도 된다.In general formulas (III) and (III'), Y 3 represents a hydrogen atom or a glycidyl group, and the molar ratio of a hydrogen atom to a glycidyl group is preferably 0:100 to 30:70. As can be seen from the molar ratio of the hydrogen atom to the glycidyl group, at least one Y 3 represents a glycidyl group. n 3 represents an integer of 1 or more. In addition, some Y<3> may be same or different.

n3은, 상기와 같이 1 이상의 정수이며, 바람직하게는 10~100, 보다 바람직하게는 15~80, 더욱 바람직하게는 15~70이다. n3가 상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 내열성, 밀착성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.n 3 is an integer of 1 or more as described above, preferably 10 to 100, more preferably 15 to 80, still more preferably 15 to 70. When n 3 is within the above range, a resist pattern with more excellent balance of resist shape, resolution, heat resistance, adhesiveness, and electrical insulation can be obtained.

또한, 일반식(III)으로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지 중, 그 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상이다.Moreover, in the epoxy resin which has a structural unit represented by general formula (III), content of the structural unit becomes like this. Preferably it is 70 mass % or more, More preferably, it is 90 mass % or more, More preferably, it is 95 mass % or more. am.

일반식(III')로 표시되는 트리페놀메탄형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, FAE-2500, EPPN-501H, EPPN-502H(이상, 니뽄카야쿠(주)제, 상품명) 등이 상업적으로 입수 가능하다.As a triphenolmethane type epoxy resin represented by general formula (III'), FAE-2500, EPPN-501H, EPPN-502H (above, Nippon Kayaku Co., Ltd. product, brand name) etc. are obtained commercially, for example. possible.

에폭시 수지(a)로서는, 일반식(IV)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있다.As an epoxy resin (a), the bisphenol novolak-type epoxy resin which has a structural unit represented by General formula (IV) is mentioned preferably.

Figure 112015128894686-pct00005
Figure 112015128894686-pct00005

일반식(IV) 중, R13은 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 술폰기, 또는 트리할로메틸기를 나타내며, Y4는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타낸다. 적어도 하나의 Y4는 글리시딜기를 나타내며, 복수의 R13은 동일해도 상이해도 된다.In general formula (IV), R 13 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a sulfone group, or a trihalomethyl group, and Y 4 represents a hydrogen atom or a glycidyl group. At least one Y 4 represents a glycidyl group, and a plurality of R 13 may be the same or different.

R13의 알킬기로서는, 탄소수 1~20의 것이 바람직하고, 탄소수 1~12의 것이 보다 바람직하고, 1~3의 것이 더욱 바람직하다. 또한, 알킬기는, 직쇄상이어도 분지상이어도 되고, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 아미노기, 아미드기, 알콕시기 등에 의해 치환된 것이어도 된다.As an alkyl group of R<13> , a C1-C20 thing is preferable, A C1-C12 thing is more preferable, A 1-3 thing is more preferable. The alkyl group may be linear or branched, and may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an amino group, an amide group, an alkoxy group, or the like.

알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, sec-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 바람직하게 들 수 있으며, 이들 중에서도, 메틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a sec-pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group. etc. are mentioned preferably, Among these, a methyl group is preferable.

아릴기로서는, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 환형성(環形成) 탄소수 6~20의 아릴기, 보다 바람직하게는 환형성 탄소수 6~14의 아릴기이다. 또한, 아릴기는, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 아미노기, 아미드기, 알콕시기 등에 의해 치환된 것이어도 된다.Examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group and a phenanthryl group, preferably an aryl group having 6 to 20 ring carbon atoms, more preferably 6 ring carbon atoms It is an aryl group of ~14. The aryl group may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an amino group, an amide group, an alkoxy group, or the like.

아랄킬기로서는, 상기의 알킬기의 수소 원자의 하나가 상기의 아릴기로 치환되어 있는 것이면 특히 제한은 없고, 예를 들면, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있으며, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 아미노기, 아미드기, 알콕시기 등에 의해 치환된 것이어도 된다.The aralkyl group is not particularly limited as long as one of the hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with the aryl group. Examples of the aralkyl group include a benzyl group, a phenylethyl group, a phenylpropyl group, and a naphthylmethyl group. It may be substituted with an atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an amino group, an amide group, an alkoxy group, or the like.

또한, 일반식(IV)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지 중, 그 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상이다. 상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 내열성, 밀착성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.Moreover, in the epoxy resin which has a structural unit represented by general formula (IV), content of the structural unit becomes like this. Preferably it is 70 mass % or more, More preferably, it is 90 mass % or more, More preferably, it is 95 mass % or more. am. If it is in the said range, the resist pattern more excellent in the balance of a resist shape, resolution, heat resistance, adhesiveness, and electrical insulation can be obtained.

또한, 에폭시 수지(a)로서는, 하기 일반식(V)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있다.Moreover, as an epoxy resin (a), the bisphenol novolak-type epoxy resin which has a structural unit represented by the following general formula (V) is mentioned preferably.

Figure 112015128894686-pct00006
Figure 112015128894686-pct00006

일반식(V) 중, R14는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 술폰기, 또는 트리할로메틸기를 나타내며, Y5는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타낸다. 적어도 하나의 Y5는 글리시딜기를 나타내며, 복수의 R14는 동일해도 상이해도 된다. 또한, R14의 알킬기, 아릴기, 아랄킬기로서는, R13로 기재한 것과 동일한 것을 예시할 수 있으며, 바람직한 모양도 동일하다.In the general formula (V), R 14 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a sulfone group, or a trihalomethyl group, and Y 5 represents a hydrogen atom or a glycidyl group. At least one Y 5 represents a glycidyl group, and a plurality of R 14 may be the same or different. Further, as the alkyl group, an aryl group, an aralkyl group of R 14, it may be mentioned the same as those described in R 13, and a preferred embodiment is also the same.

또한, 일반식(V)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지 중, 그 구성 단위의 함유량은, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95질량% 이상이다. 상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 내열성, 밀착성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.Moreover, in the epoxy resin which has a structural unit represented by general formula (V), content of the structural unit becomes like this. Preferably it is 70 mass % or more, More preferably, it is 90 mass % or more, More preferably, it is 95 mass % or more. am. If it is in the said range, the resist pattern more excellent in the balance of a resist shape, resolution, heat resistance, adhesiveness, and electrical insulation can be obtained.

일반식(V)에 있어서, R14가 수소 원자이며, Y5가 글리시딜기인 것은, EXA-7376 시리즈(DIC(주)제, 상품명)로서, 또한, R14가 메틸기이며, Y5가 글리시딜기인 것은, EPON SU8 시리즈(미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명)로서 상업적으로 입수 가능하다.In the general formula (V), R 14 is a hydrogen atom and Y 5 is a glycidyl group, EXA-7376 series (manufactured by DIC Corporation, brand name), R 14 is a methyl group, and Y 5 is The glycidyl group is commercially available as EPON SU8 series (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., trade name).

일반식(IV) 및 (V)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지는, 예를 들면, 각각 하기 일반식(VII) 및 (VIII)로 표시되는 비스페놀노볼락 수지의 수산기와 에피클로로히드린 등의 에피할로히드린을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The bisphenol novolak-type epoxy resin having structural units represented by the general formulas (IV) and (V) is, for example, the hydroxyl group and epi of the bisphenol novolac resin represented by the following general formulas (VII) and (VIII), respectively. It can obtain by reacting epihalohydrin, such as chlorohydrin.

Figure 112015128894686-pct00007
Figure 112015128894686-pct00007

일반식(VII) 중, R13은, 상기 일반식(IV) 중의 R13과 동일하며, 일반식(VIII) 중, R14는, 상기 일반식(V) 중의 R14와 동일하다.In the general formula (VII), R 13 is the same as R 13 in the general formula (IV), and in the general formula (VIII), R 14 is the same as R 14 in the general formula (V).

이들 일반식(VII) 및 (VIII)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락 수지는, 바람직하게는, 예를 들면, 비스페놀 화합물과 알데히드 화합물 또는 케톤 화합물을, 탄소수 1~4의 알킬기를 분자 구조 내에 가지는 술폰산의 존재하에서 반응시켜 얻을 수 있다.The bisphenol novolak resin having structural units represented by these general formulas (VII) and (VIII) is preferably, for example, a bisphenol compound and an aldehyde compound or a ketone compound, and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms has a molecular structure. It can be obtained by reacting in the presence of sulfonic acid.

여기서, 비스페놀 화합물로서는, 2개의 히드록시페닐기를 가지는 화합물이면 특히 제한은 없고, 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 AP, 비스페놀 AF, 비스페놀 B, 비스페놀 BP, 비스페놀 C, 비스페놀 E, 비스페놀 F, 비스페놀 G, 비스페놀 M, 비스페놀 S, 비스페놀 P, 비스페놀 TMC, 비스페놀 Z 등을 바람직하게 들 수 있으며, 비스페놀 A, 및 비스페놀 F가 보다 바람직하다.Here, the bisphenol compound is not particularly limited as long as it is a compound having two hydroxyphenyl groups, for example, bisphenol A, bisphenol AP, bisphenol AF, bisphenol B, bisphenol BP, bisphenol C, bisphenol E, bisphenol F, bisphenol G , bisphenol M, bisphenol S, bisphenol P, bisphenol TMC, bisphenol Z, etc. are mentioned preferably, and bisphenol A and bisphenol F are more preferable.

상기의 비스페놀 화합물과 반응시키는 알데히드 화합물로서는, 포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드, 4-메틸벤즈알데히드, 3,4-디메틸벤즈알데히드, 비페닐알데히드, 나프틸알데히드 등을 바람직하게 들 수 있고, 케톤 화합물로서는, 벤조페논, 플루오렌온, 인다논 등을 바람직하게 들 수 있으며, 그 중에서도 포름알데히드가 바람직하다.Preferred examples of the aldehyde compound to be reacted with the bisphenol compound include formaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, 4-methylbenzaldehyde, 3,4-dimethylbenzaldehyde, biphenylaldehyde, naphthylaldehyde and the like. Benzophenone, fluorenone, indanone, etc. are mentioned preferably, Among them, formaldehyde is preferable.

탄소수 1~4의 알킬기를 분자 구조내에 가지는 술폰산으로서는, 메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산, 부탄술폰산 등의 알칸술폰산, 및 알칸 부분에 불소 원자를 가지는 퍼플루오로알칸술폰산 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the sulfonic acid having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms in its molecular structure include alkanesulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid and butanesulfonic acid, and perfluoroalkanesulfonic acid having a fluorine atom in the alkane moiety. .

일반식(IV) 및 (V)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지는, 보다 구체적으로는, 바람직하게는 이하와 같이 하여 얻을 수 있다. 상기의 비스페놀 화합물과 알데히드 화합물 또는 케톤 화합물을 반응 용기내에 넣고, 불활성 가스 분위기하에서 교반하면서, 20~200℃의 범위를 유지하도록, 술폰산을 연속적 또는 단속적으로 첨가하여, 비스페놀 화합물과 알데히드 화합물 또는 케톤 화합물을 반응시켜 조(粗)비스페놀노볼락 수지를 얻는다. 이어서, 그 조비스페놀노볼락 수지를, 비수용성 유기용매로 추출하여 비스페놀노볼락 수지 용액으로 하고, 이것을 수세(水洗)하고, 중화하고, 나아가 그 비수용성 유기용매를 유거하여, 비스페놀노볼락형 에폭시 수지를 얻을 수 있다. More specifically, the bisphenol novolak-type epoxy resin which has structural units represented by general formula (IV) and (V), Preferably it can be obtained as follows. The bisphenol compound and the aldehyde compound or the ketone compound are placed in a reaction vessel, and while stirring in an inert gas atmosphere, sulfonic acid is continuously or intermittently added to maintain the range of 20 to 200° C., and the bisphenol compound and the aldehyde compound or the ketone compound react to obtain a crude bisphenol novolak resin. Next, the crude bisphenol novolac resin is extracted with a water-insoluble organic solvent to obtain a bisphenol novolak resin solution, washed with water, neutralized, and further distilled off the water-insoluble organic solvent to obtain a bisphenol novolak-type epoxy resin can be obtained.

여기서, 비수용성 유기용매로서는, 추출, 수세, 중화의 작업 효율을 향상시키는 관점에서, 비점이 100~130℃의 것이 바람직하며, 예를 들면, 부탄올, 펜틸알코올, 메톡시에탄올, 에톡시에탄올, 디에틸렌글리콜, 메틸이소부틸케톤 등을 바람직하게 들 수 있으며, 부탄올, 메톡시에탄올, 메틸이소부틸케톤이 보다 바람직하고, 메틸이소부틸케톤이 보다 바람직하다.Here, as the water-insoluble organic solvent, from the viewpoint of improving the working efficiency of extraction, washing with water, and neutralization, a thing having a boiling point of 100 to 130°C is preferable, for example, butanol, pentyl alcohol, methoxyethanol, ethoxyethanol, Diethylene glycol, methyl isobutyl ketone, etc. are mentioned preferably, butanol, methoxyethanol, and methyl isobutyl ketone are more preferable, and methyl isobutyl ketone is more preferable.

상기의 수세는, 조비스페놀노볼락 수지 용액이 pH3~7, 보다 바람직하게는 pH5~7이 될 때까지 실시하며, 필요에 따라서, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 암모니아, 트리에틸렌테트라민 등의 염기성 물질을 사용하여 중화해도 된다.The above water washing is carried out until the crude bisphenol novolak resin solution reaches pH 3 to 7, more preferably pH 5 to 7, and, if necessary, a basic substance such as sodium hydroxide, sodium carbonate, ammonia, triethylenetetramine, etc. It may be used to neutralize.

상기의 유거는, 예를 들면, 바람직하게는, 온도 170~200℃, 압력 3 kPa 이하의 조건에서 가열 감압 증류로 실시함으로써, 순도가 높은 비스페놀노볼락 수지를 얻을 수 있다.The above-mentioned distillation is preferably carried out by heating and vacuum distillation under the conditions of a temperature of 170 to 200°C and a pressure of 3 kPa or less, so that a bisphenol novolak resin with high purity can be obtained.

에폭시 수지(a)로서는, 프로세스 유도(裕度)가 우수함과 동시에, 내용제성을 향상시킬 수 있는 관점에서는, 일반식(I)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 일반식(II)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 일반식(IV)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락형 에폭시 수지가 바람직하고, 일반식(I')로 표시되는 노볼락형 에폭시 수지, 일반식(II')로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 및 일반식(II')로 표시되는 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 일반식(IV)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락 A형 에폭시 수지, 및 일반식(IV)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀노볼락 F형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As the epoxy resin (a), the epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (I), represented by the general formula (II), from the viewpoint of being excellent in process induction and improving the solvent resistance. A bisphenol novolak-type epoxy resin having a structural unit represented by formula (IV) is preferable, and a novolak-type epoxy resin represented by formula (I'), general formula (II') ), a bisphenol A epoxy resin represented by the general formula (II'), a bisphenol F-type epoxy resin represented by the general formula (II'), and a bisphenol novolac A epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (IV), and the general formula A bisphenol novolac F-type epoxy resin having a structural unit represented by (IV) is more preferable.

또한, 박막 기판의 휨을 보다 저감할 수 있음과 동시에, 내열 충격성을 보다 향상시킬 수 있는 관점에서는, 일반식(IV)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지와, 일반식(V)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지를 병용하는 것이 바람직하다.Further, from the viewpoint of being able to further reduce the warpage of the thin film substrate and further improving the thermal shock resistance, an epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (IV), and a configuration represented by the general formula (V) It is preferable to use together the epoxy resin which has a unit.

상기의 에폭시 수지(a)와 반응시키는, 비닐기 함유 모노카복실산(b)으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 아크릴산의 이량체, 메타크릴산, β-푸르푸릴아크릴산, β-스티릴아크릴산, 계피산, 크로톤산, α-시아노 계피산 등의 아크릴산 유도체, 수산기 함유 아크릴레이트와 이염기산 무수물과의 반응 생성물인 반(半)에스테르 화합물, 비닐기 함유 모노글리시딜에테르 또는 비닐기 함유 모노글리시딜에스테르와 이염기산 무수물과의 반응 생성물인 반에스테르 화합물 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) to be reacted with the epoxy resin (a) include acrylic acid, a dimer of acrylic acid, methacrylic acid, β-furfuryl acrylic acid, β-styryl acrylic acid, cinnamic acid, Acrylic acid derivatives such as crotonic acid and α-cyano cinnamic acid, a half-ester compound that is a reaction product of a hydroxyl group-containing acrylate and a dibasic acid anhydride, a vinyl group-containing monoglycidyl ether or a vinyl group-containing monoglycidyl ester and the half-ester compound etc. which are reaction products of a dibasic acid anhydride are mentioned preferably.

반에스테르 화합물은, 수산기 함유 아크릴레이트, 비닐기 함유 모노글리시딜에테르 또는 비닐기 함유 모노글리시딜에스테르와 이염기산 무수물을 등(等) 몰비로 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 이들 비닐기 함유 모노카복실산(b)은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The half-ester compound can be obtained by reacting a hydroxyl group-containing acrylate, a vinyl group-containing monoglycidyl ether, or a vinyl group-containing monoglycidyl ester with a dibasic acid anhydride in an equimolar ratio. These vinyl group containing monocarboxylic acids (b) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

비닐기 함유 모노카복실산(b)의 일례인 상기의 반에스테르 화합물의 합성에 사용되는 수산기 함유 아크릴레이트, 비닐기 함유 모노글리시딜에테르, 비닐기 함유 모노글리시딜에스테르로서는, 예를 들면, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 비닐글리시딜에테르, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 바람직하게 들 수 있다.As the hydroxyl group-containing acrylate, vinyl group-containing monoglycidyl ether, and vinyl group-containing monoglycidyl ester used in the synthesis of the above half-ester compound as an example of the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b), for example, hydroxy hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) ) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, vinyl glycidyl ether, glycidyl (meth) acrylate, etc. are preferably mentioned.

상기의 반에스테르 화합물의 합성에 사용되는 이염기산 무수물로서는, 포화기를 함유하는 것, 불포화기를 함유하는 것을 사용할 수 있다. 이염기산 무수물의 구체적인 예로서는, 무수 호박산, 무수 말레산, 테트라히드로 무수 프탈산, 무수 프탈산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 에틸테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 메틸헥사히드로 무수 프탈산, 에틸헥사히드로 무수 프탈산, 무수 이타콘산 등을 바람직하게 들 수 있다.As a dibasic acid anhydride used for the synthesis|combination of said half-ester compound, the thing containing a saturated group and the thing containing an unsaturated group can be used. Specific examples of the dibasic acid anhydride include succinic anhydride, maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, phthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, ethyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, and ethylhexahydrophthalic anhydride. , itaconic anhydride, etc. are preferably mentioned.

상술의 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)과의 반응에 있어서, 에폭시 수지(a)의 에폭시기 1 당량에 대해서, 비닐기 함유 모노카복실산(b)이 0.6~1.05 당량이 되는 비율로 반응시키는 것이 바람직하고, 0.8~1.0 당량이 되는 비율로 반응시키는 것이 보다 바람직하며, 0.9~1.0 당량이 되는 비율로 반응시키는 것이 더욱 바람직하다. 이러한 비율로 반응시킴으로써, 광중합성이 향상하는, 즉 광감도가 보다 우수한 것이 되므로 바람직하다.In the reaction between the epoxy resin (a) and the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) described above, the ratio of the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) to 0.6 to 1.05 equivalent with respect to 1 equivalent of the epoxy group of the epoxy resin (a). Preferably, the reaction is carried out in a ratio of 0.8 to 1.0 equivalent, and more preferably in a ratio of 0.9 to 1.0 equivalent. By reacting in such a ratio, since photopolymerization improves, that is, it becomes a thing excellent in photosensitivity, it is preferable.

에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)과의 반응은, 유기용제에 용해하여 실시할 수 있다.The reaction between the epoxy resin (a) and the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) can be carried out by dissolving in an organic solvent.

유기용제로서는, 예를 들면, 에틸메틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 톨루엔, 자일렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류; 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸카비톨, 부틸카비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 부틸셀로솔브아세테이트, 카비톨아세테이트 등의 에스테르류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소류; 석유 에테르, 석유 나프타, 수첨 석유 나프타, 솔벤트나프타 등의 석유계 용제 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the organic solvent include ketones such as ethyl methyl ketone and cyclohexanone; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, and tetramethylbenzene; glycol ethers such as methyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, and triethylene glycol monoethyl ether; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, butyl cellosolve acetate, and carbitol acetate; aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; Petroleum solvents, such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha, and solvent naphtha, etc. are mentioned preferably.

나아가, 반응을 촉진시키기 위해서 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 촉매로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 벤질메틸아민, 메틸트리에틸암모늄클로라이드, 벤질트리메틸암모늄클로라이드, 벤질트리메틸암모늄브로마이드, 벤질트리메틸메틸암모늄아이오다이드, 트리페닐포스핀 등을 바람직하게 들 수 있다. 촉매의 사용량은, 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)과의 합계 100질량부에 대해서, 바람직하게는 0.1~10질량부이다. 상기의 사용량으로 하면, 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)과의 반응이 촉진되므로 바람직하다.Furthermore, it is preferable to use a catalyst in order to promote the reaction. Examples of the catalyst include preferably triethylamine, benzylmethylamine, methyltriethylammonium chloride, benzyltrimethylammonium chloride, benzyltrimethylammonium bromide, benzyltrimethylmethylammonium iodide, and triphenylphosphine. . To [ the usage-amount of a catalyst / a total of 100 mass parts of an epoxy resin (a) and a vinyl group containing monocarboxylic acid (b) ], Preferably it is 0.1-10 mass parts. When it is set as said usage-amount, since reaction of an epoxy resin (a) and a vinyl group containing monocarboxylic acid (b) is accelerated|stimulated, it is preferable.

반응 중의 중합을 방지할 목적으로, 중합 금지제를 사용하는 것이 바람직하다. 중합 금지제로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 메틸하이드로퀴논, 하이드로퀴논모노메틸에테르, 카테콜, 피로가롤 등을 바람직하게 들 수 있다. 중합 금지제의 사용량은, 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)의 합계 100질량부에 대해서, 바람직하게는 0.01~1질량부이다. 상기의 사용량으로 하면, 조성물의 저장 안정성(셀프라이프)이 향상되므로 바람직하다. 또한, 반응온도는, 바람직하게는 60~150℃, 보다 바람직하게는 80~120℃이다.It is preferable to use a polymerization inhibitor for the purpose of preventing polymerization during reaction. As a polymerization inhibitor, hydroquinone, methyl hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, catechol, pyrrogalol etc. are mentioned preferably, for example. To [ the usage-amount of a polymerization inhibitor / a total of 100 mass parts of an epoxy resin (a) and a vinyl group containing monocarboxylic acid (b)), Preferably it is 0.01-1 mass part. Since the storage stability (self-life) of a composition is improved when it sets it as said usage-amount, it is preferable. The reaction temperature is preferably 60 to 150°C, more preferably 80 to 120°C.

또한, 필요에 따라서, 비닐기 함유 모노카복실산(b)과, p-히드록시페네틸알콜 등의 페놀계 화합물, 또는 무수 트리멜리트산, 무수 피로메리트산, 벤조페논테트라카복실산 무수물, 비페닐테트라카복실산 무수물 등의 다염기산 무수물을 병용할 수 있다.In addition, if necessary, a vinyl group-containing monocarboxylic acid (b), a phenol-based compound such as p-hydroxyphenethyl alcohol, or trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic anhydride, or biphenyltetracarboxylic acid Polybasic acid anhydrides, such as anhydride, can be used together.

이와 같이 하여 얻어지는 에폭시 수지(a')는, 에폭시 수지(a)의 에폭시기와 비닐기 함유 모노카복실산(b)의 카복실기와의 부가 반응에 의해 형성되는 수산기를 가지고 있는 것이라고 추측된다.Thus, it is estimated that the epoxy resin (a') obtained has a hydroxyl group formed by the addition reaction of the epoxy group of an epoxy resin (a) with the carboxyl group of a vinyl-group containing monocarboxylic acid (b).

본 실시 형태에 있어서, (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지로서는, 상술한 에폭시 수지(a')에 다염기산 무수물(c)을 반응시킴으로써 얻어지는 에폭시 수지(a")도 바람직하게 들 수 있다. 에폭시 수지(a")에 있어서는, 에폭시 수지(a')의 수산기(에폭시 수지(a) 중에 원래 있는 수산기도 포함한다)와 다염기산 무수물(c)의 산무수물기가 반에스테르화 되어 있는 것이라고 추측된다.In the present embodiment, as the (A) acid-modified vinyl group-containing epoxy resin, an epoxy resin (a”) obtained by reacting the above-mentioned epoxy resin (a') with a polybasic acid anhydride (c) is also preferably mentioned. Epoxy In the resin (a"), it is presumed that the hydroxyl group of the epoxy resin (a') (including the hydroxyl group originally present in the epoxy resin (a)) and the acid anhydride group of the polybasic acid anhydride (c) are half-esterified.

다염기산 무수물(c)로서는, 포화기를 함유하는 것, 불포화기를 함유하는 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 다염기산 무수물(c)의 구체적인 예로서는, 무수 호박산, 무수 말레산, 테트라히드로 무수 프탈산, 무수 프탈산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 에틸테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 메틸헥사히드로 무수 프탈산, 에틸헥사히드로 무수 프탈산, 무수 이타콘산 등을 바람직하게 들 수 있다.As polybasic acid anhydride (c), the thing containing a saturated group and the thing containing an unsaturated group can be used preferably. Specific examples of the polybasic acid anhydride (c) include succinic anhydride, maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, phthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, ethyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, ethylhexahydro A phthalic anhydride, itaconic anhydride, etc. are mentioned preferably.

에폭시 수지(a')와 다염기산 무수물(c)과의 반응에 있어서, 에폭시 수지(a') 중의 수산기 1 당량에 대해서, 다염기산 무수물(c)을 0.1~1.0 당량 반응시킴으로써, 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 산가를 조정할 수 있다.In the reaction between the epoxy resin (a') and the polybasic acid anhydride (c), by reacting 0.1 to 1.0 equivalent of the polybasic acid anhydride (c) with respect to 1 equivalent of the hydroxyl group in the epoxy resin (a'), acid-modified vinyl group-containing epoxy The acid value of the resin can be adjusted.

(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 산가는 30~150mgKOH/g인 것이 바람직하고, 40~120mgKOH/g인 것이 보다 바람직하고, 50~100mgKOH/g인 것이 더욱 바람직하다. 산가가 30mgKOH/g 이상이면 감광성 수지 조성물의 희(希)알칼리 용액에의 용해성이 저하되기 어렵고, 150mgKOH/g 이하이면 경화막의 전기 특성이 저하되기 어렵다.(A) It is preferable that the acid value of an acid-modified vinyl group containing epoxy resin is 30-150 mgKOH/g, It is more preferable that it is 40-120 mgKOH/g, It is more preferable that it is 50-100 mgKOH/g. The solubility to the dilute alkali solution of the photosensitive resin composition is hard to fall that an acid value is 30 mgKOH/g or more, and the electrical property of a cured film is hard to fall that it is 150 mgKOH/g or less.

에폭시 수지(a')와 다염기산 무수물(c)과의 반응 온도는, 60~120℃로 하는 것이 바람직하다.It is preferable that the reaction temperature of an epoxy resin (a') and polybasic acid anhydride (c) sets it as 60-120 degreeC.

또한, 필요에 따라서, 에폭시 수지(a)로서, 예를 들면, 수첨 비스페놀 A형 에폭시 수지를 일부 병용할 수도 있다. 또한, (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지로서, 스틸렌-무수 말레산 공중합체의 히드록시에틸(메타)아크릴레이트 변성물 등의 스티렌-말레산계 수지를 일부 병용할 수도 있다.Moreover, as an epoxy resin (a), a part of hydrogenated bisphenol A epoxy resin can also be used together as needed, for example. Further, as the (A) acid-modified vinyl group-containing epoxy resin, a part of a styrene-maleic acid-based resin such as a hydroxyethyl (meth)acrylate-modified product of a styrene-maleic anhydride copolymer may be used in combination.

(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 3000~30000이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4000~25000, 더욱 바람직하게는 5000~18000이다. (A)성분의 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면, 레지스트 형상, 해상성, 내열성, 밀착성, 및 전기 절연성의 밸런스가 보다 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 여기서, 중량 평균 분자량은, 테트라히드로푸란을 용매로 한 겔파미에이션크로마트그라피(GPC)법에 의해 측정하는, 폴리에틸렌 환산의 중량 평균 분자량이다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 하기의 GPC 측정 장치 및 측정 조건으로 측정하여, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 환산한 값을 중량 평균 분자량으로 할 수 있다. 또한, 검량선의 작성은, 표준 폴리스티렌으로서 5 샘플 세트("PStQuick MP-H" 및 "PStQuick B", 토소(주)제)를 사용한다.(A) As for the weight average molecular weight of an acid-modified vinyl group containing epoxy resin, 3000-30000 are preferable, More preferably, it is 4000-25000, More preferably, it is 5000-18000. (A) A resist pattern more excellent in the balance of a resist shape, resolution, heat resistance, adhesiveness, and electrical insulation as the weight average molecular weight of (A) component is in the said range can be obtained. Here, the weight average molecular weight is a weight average molecular weight in terms of polyethylene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method using tetrahydrofuran as a solvent. More specifically, for example, it can measure with the following GPC measuring apparatus and measurement conditions, and the value converted using the analytical curve of standard polystyrene can be made into a weight average molecular weight. In addition, preparation of a calibration curve uses 5 sample sets ("PStQuick  MP-H" and "PStQuick  B", manufactured by Tosoh Co., Ltd.) as standard polystyrene.

(GPC 측정 장치)(GPC measuring device)

GPC 장치: 고속 GPC 장치 "HLC-8320GPC", 검출기는 시차굴절계, 토소(주)제 GPC device: High-speed GPC device "HLC-8320GPC", the detector is a differential refractometer, manufactured by Tosoh Corporation

컬럼: 컬럼 TSKgel SuperMultipore HZ-H(컬럼 길이:15cm, 컬럼 내경:4.6mm), 토소(주)제Column: Column TSKgel SuperMultipore HZ-H (column length: 15 cm, column inner diameter: 4.6 mm), manufactured by Tosoh Corporation

(측정 조건)(Measuring conditions)

용매: 테트라히드로푸란(THF)Solvent: tetrahydrofuran (THF)

측정 온도: 40℃Measuring temperature: 40℃

유량: 0.35ml/분Flow: 0.35ml/min

시료 농도: 10mg/THF5mlSample concentration: 10mg/THF5ml

주입량: 20㎕Injection volume: 20 μl

(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지로서는, 에폭시 수지(a)로서, 일반식(I)로 표시되는 구성 단위를 가지는, 일반식(I')로 표시되는 노볼락형 에폭시 수지, 일반식(II)로 표시되는 구성 단위를 가지는, 일반식(II')로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지와 비닐기 함유 모노카복실산(b)을 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지(a'), 및 에폭시 수지(a')와 포화기 또는 불포화기 함유 다염기산 무수물(c)을 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지(a'')가 바람직하고, 에폭시 수지(a'')가 보다 바람직하다.(A) As an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin, as an epoxy resin (a), the novolak-type epoxy resin represented by general formula (I'), which has a structural unit represented by general formula (I), general formula ( An epoxy resin (a') obtained by reacting a bisphenol A type epoxy resin represented by the general formula (II'), a bisphenol F type epoxy resin, and a vinyl group-containing monocarboxylic acid (b) having a structural unit represented by II); and an epoxy resin (a'') obtained by reacting an epoxy resin (a') with a saturated or unsaturated group-containing polybasic acid anhydride (c) is preferable, and an epoxy resin (a'') is more preferable.

이들 에폭시 수지(a') 및 (a'')은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있으며, 복수종을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 조합으로서는, 일반식(I')로 표시되는 노볼락형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')와, 일반식(II')로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 및 비스페놀 F형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')과의 2종의 조합이 바람직하고, 일반식(I')로 표시되는 노볼락형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a'')와, 일반식(II')로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a'')와의 2종의 조합이 보다 바람직하다.These epoxy resins (a') and (a'') can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type, and it is preferable to use them in combination of multiple types. As a combination, the epoxy resin (a') or (a'') obtained from the novolak-type epoxy resin represented by general formula (I'), the bisphenol A epoxy resin represented by general formula (II'), and bisphenol A combination of two types with the epoxy resin (a') or (a'') obtained from the F-type epoxy resin is preferable, and the epoxy resin (a'') obtained from the novolac-type epoxy resin represented by the general formula (I') ) and the bisphenol-A epoxy resin represented by general formula (II'), and the epoxy resin (a'') obtained from the bisphenol F-type epoxy resin are more preferable.

일반식(I')로 표시되는 노볼락형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')과, 일반식(II')로 표시되는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 및 비스페놀 F형 에폭시 수지로부터 얻어지는 에폭시 수지(a') 또는 (a'')과의 질량 혼합비는, 95:5~30:70이 바람직하고, 90:10~40:60인 것이 보다 바람직하고, 80:20~45:55인 것이 더욱 바람직하다.Epoxy resin (a') or (a'') obtained from a novolak-type epoxy resin represented by general formula (I'), bisphenol A epoxy resin represented by general formula (II'), and bisphenol F-type epoxy 95:5-30:70 are preferable, as for the mass mixing ratio with the epoxy resin (a') or (a'') obtained from resin, it is more preferable that it is 90:10-40:60, 80:20-45 :55 is more preferable.

감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (A)성분의 함유량은, 20~80질량부인 것이 바람직하고, 30~75질량부인 것이 보다 바람직하고, 40~75질량부인 것이 특히 바람직하다. (A)성분의 함유량이 상기 범위 내이면, 내열성, 전기 특성 및 내약품성(내알칼리성, 내산성)이 보다 우수한 도막을 얻을 수 있다. 여기서, 본 실시 형태에 있어서의 고형분 전량은, (A)~(D)성분, (A)~(E)성분, 또는 (A)~(F)성분에 포함되는 고형분의 합계량이다. 예를 들면, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물이 (A)~(D)성분을 포함하는 경우는, (A)~(D)성분에 포함되는 고형분의 합계량이, 또한 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물이 (E)성분을 더 포함하는 경우는, (A)~(E)성분에 포함되는 고형분의 합계량이, 또한 (F)성분을 더 포함하는 경우눈, (A)~(F)성분에 포함되는 고형분의 합계량이, 고형분 전량(全量)이다.It is preferable that content of (A) component which makes solid content whole quantity in the photosensitive resin composition 100 mass parts is 20-80 mass parts, It is more preferable that it is 30-75 mass parts, It is especially preferable that it is 40-75 mass parts. (A) When content of component is in the said range, the coating film which was more excellent in heat resistance, an electrical characteristic, and chemical-resistance (alkali resistance, acid resistance) can be obtained. Here, solid content whole quantity in this embodiment is the total amount of solid content contained in (A)-(D)component, (A)-(E)component, or (A)-(F)component. For example, when the photosensitive resin composition of this embodiment contains (A) - (D) component, the total amount of solid content contained in (A) - (D) component furthermore the photosensitive resin composition of this embodiment When this (E)component is further included, when the total amount of solid content contained in (A)-(E)component further contains (F)component further, it is included in (A)-(F)component The total amount of solid content to be used is the total amount of solid content.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (B)성분으로서 광중합 개시제를 함유한다. (B)광중합 개시제로서는, 특히 제한은 없고, 통상 사용되는 광중합 개시제로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 레지스트 형상, 및 내리플로우성의 관점에서 아실포스핀옥사이드기(=P(=O)-C(=O)-기)를 가지는 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제로서는, 예를 들면, (2,6-디메톡시벤조일)-2,4,6-트리메틸벤조일-펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 에틸-2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스피네이트, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, (2,5-디히드록시페닐)디페닐포스핀옥사이드, (p-히드록시페닐)디페닐포스핀옥사이드, 비스(p-히드록시페닐)페닐포스핀옥사이드, 및 트리스(p-히드록시페닐)포스핀옥사이드 등을 바람직하게 들 수 있다.The photosensitive resin composition of this embodiment contains a photoinitiator as (B) component. (B) There is no restriction|limiting in particular as a photoinitiator, It can select suitably from the photoinitiator normally used and can be used. It is preferable to contain the acylphosphine oxide type|system|group photoinitiator which has an acylphosphine oxide group (=P(=O)-C(=O)-group) from a resist shape and a viewpoint of reflow property. As an acylphosphine oxide type|system|group photoinitiator, For example, (2,6-dimethoxybenzoyl)-2,4,6- trimethylbenzoyl- pentyphosphine oxide, bis(2,4,6- trimethylbenzoyl)-phenyl Phosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, ethyl-2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphinate, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide, (2,5-dihydroxyphenyl)diphenylphosphine oxide, (p-hydroxyphenyl)diphenylphosphine oxide, bis(p-hydroxyphenyl)phenylphosphine oxide, and tris(p-hydroxyphenyl) ) phosphine oxide etc. are mentioned preferably.

또한, 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제 이외의 광중합 개시제로서는, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 벤조인계 광중합 개시제; 아세트페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세트페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세트페논, 1,1-디클로로아세트페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오) 페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, N,N-디메틸아미노아세트페논 등의 아세트페논계 광중합 개시제; 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논 등의 안트라퀴논계 광중합 개시제; 2,4-디메틸티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디이소프로필티옥산톤 등의 티옥산톤계 광중합 개시제; 아세트페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 광중합 개시제; 벤조페논, 메틸벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 미힐러케톤, 4-벤조일-4'-메틸디페닐설파이드 등의 벤조페논; 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)페닐]-2-(o-벤조일옥심) 등의 옥심계 광중합 개시제도 바람직하게 들 수 있다.Moreover, as photoinitiators other than an acylphosphine oxide type|system|group photoinitiator, Benzoin type photoinitiators, such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether; Acetphenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetphenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetphenone, 1,1-dichloroacetphenone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-methyl- acetphenone-based photopolymerization initiators such as 1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-1-propanone and N,N-dimethylaminoacetphenone; anthraquinone-based photopolymerization initiators such as 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 2-amylanthraquinone, and 2-aminoanthraquinone; thioxanthone-based photopolymerization initiators such as 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, and 2,4-diisopropylthioxanthone; ketal-based photopolymerization initiators such as acetphenone dimethyl ketal and benzyl dimethyl ketal; benzophenones such as benzophenone, methylbenzophenone, 4,4'-dichlorobenzophenone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, Michler's ketone, and 4-benzoyl-4'-methyldiphenylsulfide; Oxime type photoinitiators, such as 1,2-octanedione-1-[4-(phenylthio)phenyl]-2-(o-benzoyloxime), are also mentioned preferably.

(B)광중합 개시제로서는, 상기의 것을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.(B) As a photoinitiator, said thing can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (B)광중합 개시제의 함유량은, 바람직하게 0.2~15질량부이다. 0.2질량부 이상이면 노광부가 현상 중에 용출하기 어렵게 되고, 15질량부 이하이면 내열성이 저하하기 어려워진다. 또한, 동일한 이유에서, (B)광중합 개시제의 함유량은, 0.2~10질량부가 보다 바람직하고, 0.5~5질량부가 더욱 바람직하고, 0.5~3질량부가 특히 바람직하다.Content of (B) photoinitiator which makes solid content whole quantity in the photosensitive resin composition 100 mass parts becomes like this. Preferably it is 0.2-15 mass parts. If it is 0.2 mass part or more, an exposed part will become difficult to elute during image development, and heat resistance will become difficult to fall that it is 15 mass parts or less. Moreover, for the same reason, 0.2-10 mass parts is more preferable, as for content of (B) photoinitiator, 0.5-5 mass parts is still more preferable, 0.5-3 mass parts is especially preferable.

또한, N,N-디메틸아미노벤조산에틸에스테르, N,N-디메틸아미노벤조산이소아밀에스테르, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 3급 아민류 등의 광중합 개시조제를 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.In addition, photopolymerization initiation aids such as tertiary amines such as N,N-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, N,N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl ester, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, triethylamine, and triethanolamine It can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (C)성분으로서, 함질소복소환 화합물을 포함한다. (C)함질소복소환 화합물은, 평균 입자 지름이 0.01~10㎛인, 적어도 탄소와 질소를 포함하는 환식 화합물이면 특히 제한은 없고, 내리플로우성, 내열성, 내약품성을 보다 향상할 수 있다. 이들 성능에 더하여, 니켈, 금, 팔라듐이나 주석 등의 무전해 도금내성을 향상시키는 관점에서, 이미다졸 화합물, 트리아진 화합물, 및 이미다졸린 화합물 등을 바람직하게 들 수 있으며, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The photosensitive resin composition of this embodiment contains a nitrogen-containing heterocyclic compound as (C)component. (C) The nitrogen-containing heterocyclic compound is not particularly limited as long as it is a cyclic compound containing at least carbon and nitrogen having an average particle diameter of 0.01 to 10 µm, and can further improve reflow resistance, heat resistance and chemical resistance. In addition to these properties, from the viewpoint of improving the electroless plating resistance of nickel, gold, palladium and tin, etc., an imidazole compound, a triazine compound, an imidazoline compound, etc. are preferably mentioned, either alone or It can be used in combination of 2 or more types.

이미다졸 화합물로서는, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸리움트리메리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸리움트리메리테이트, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피로로[1,2-a]벤즈이미다졸, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 중에서도, 4-메틸-2-페닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 등이 바람직하다. 이러한 이미다졸 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of the imidazole compound include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2- Phenylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxy Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1 -Cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimeritate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimeritate, 2-phenyl-4 ,5-dihydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrro[1,2-a]benzimidazole, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, etc. are preferable. there is. Among these, 4-methyl-2-phenylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, etc. are preferable. You may use these imidazole compounds individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

트리아진 화합물로서는, 트리아미노트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다조릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다조릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 에틸디아미노-S-트리아진, 2,4-디아미노-S-트리아진, 2,4-디아미노-6-크시릴-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다조릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-s-트리아진 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 중에서도, 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진, 트리아미노트리아진 등이 바람직하다. 이들 이미다졸 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of the triazine compound include triaminotriazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-Undecylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, ethyldiamino-S-triazine, 2,4-diamino-S-triazine, 2,4-diamino -6-Xylyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazoryl-(1')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2,4- Diamino-6-vinyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s- Triazine etc. are mentioned preferably. Among these, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, triaminotriazine, etc. are preferable. You may use these imidazole compounds individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

이미다졸린 화합물로서는, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린, 2-운데실이미다졸린, 2-헵타데실이미다졸린, 2-에틸이미다졸린, 2-이소프로필이미다졸린, 2,4-디메틸이미다졸린, 2-페닐-4-메틸이미다졸린 등을 바람직하게 들 수 있으며, 이들 중에서도, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등이 바람직하다. 이들 이미다졸린 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of the imidazoline compound include 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline, 2-undecylimidazoline, 2-heptadecylimidazoline, 2-ethylimidazoline, and 2-isopropylimidazoline. , 2,4-dimethylimidazoline, 2-phenyl-4-methylimidazoline, etc. are mentioned preferably, Among these, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline, etc. are preferable. You may use these imidazoline compounds individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

본 발명에서 사용되는 (C)함질소복소환 화합물의 평균 입자 지름은 0.01~10㎛인 것을 필요로 한다. 평균 입자 지름이 0.01㎛ 미만이면, 2차 응집이 발생하기 쉬워지므로 취급이 곤란하고, 10㎛를 초과하면, 우수한 경화성을 얻을 수 없기 때문에 레지스트 형상이 나빠지며, 또한 우수한 HAST내성이나 무전해 도금내성을 얻을 수 없다. 또한, (C)함질소복소환 화합물의 평균 입자 지름으로서는, 우수한 내리플로우성, 내열성, 내약품성을 얻을 수 있으며, 또한 간격 피치를 미세화하고, 고정밀화에 대응하는 관점에서, 0.5~5㎛인 것이 바람직하다. 여기서, 평균 입자 지름은, 레이저 회절법(JIS Z8825-1(2001년) 준거)에 의해 측정되는 것으로 하였다.The average particle diameter of the (C) nitrogen-containing heterocyclic compound used in the present invention needs to be 0.01 to 10 µm. If the average particle diameter is less than 0.01 μm, secondary agglomeration tends to occur, so handling is difficult. If the average particle diameter exceeds 10 μm, the resist shape deteriorates because excellent curability cannot be obtained, and also excellent HAST resistance and electroless plating resistance. can't get In addition, as the average particle diameter of the (C) nitrogen-containing heterocyclic compound, excellent reflow resistance, heat resistance, and chemical resistance can be obtained, and from the viewpoint of refining the pitch pitch and responding to high precision, 0.5 to 5 μm. it is preferable Here, the average particle diameter was determined to be measured by a laser diffraction method (based on JIS Z8825-1 (2001)).

감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (C)함질소복소환 화합물의 함유량은, 바람직하게 0.05~10질량부이다. 0.05질량부 이상이면 우수한 무전해 도금내성을 얻을 수 있으며, 10질량부 이하이면 우수한 전기 절연성(HAST내성)을 얻을 수 있다. 또한, 동일한 이유에서, (C)함질소복소환 화합물의 함유량은, 0.1~10질량부가 보다 바람직하고, 0.1~5질량부가 더욱 바람직하며, 0.3~5질량부가 특히 바람직하다.Content of (C) nitrogen-containing heterocyclic compound which makes solid content whole quantity in the photosensitive resin composition 100 mass parts becomes like this. Preferably it is 0.05-10 mass parts. When it is 0.05 parts by mass or more, excellent electroless plating resistance can be obtained, and when it is 10 parts by mass or less, excellent electrical insulation (HAST resistance) can be obtained. Moreover, for the same reason, 0.1-10 mass parts is more preferable, as for content of (C) nitrogen-containing heterocyclic compound, 0.1-5 mass parts is still more preferable, 0.3-5 mass parts is especially preferable.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서 광중합성 화합물을 함유한다. (D)광중합성 화합물은, 광중합성을 나타내는 관능기, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 프로파길기, 부테닐기, 에티닐기, 페닐에티닐기, 말레이미드기, 나디이미드기, (메타)아크릴로일기 등의 에틸렌옥사이드성 불포화기를 가지는 화합물이면 특히 제한은 없고, 반응성의 관점에서, (메타)아크릴로일기를 가지는 화합물인 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of this embodiment contains a photopolymerizable compound as (D)component. (D) The photopolymerizable compound is a photopolymerizable functional group, for example, a vinyl group, an allyl group, a propargyl group, a butenyl group, an ethynyl group, a phenylethynyl group, a maleimide group, a nadiimide group, (meth) There will be no restriction|limiting in particular if it is a compound which has ethylenically unsaturated groups, such as an acryloyl group, It is preferable that it is a compound which has a (meth)acryloyl group from a reactive viewpoint.

(D)광중합성 화합물로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메타)아크릴레이트류; 에틸렌글리콜, 메톡시테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 등의 글리콜의 모노 또는 디(메타)아크릴레이트류; N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N-메틸롤(메타)아크릴아미드 등의 (메타)아크릴아미드류; N,N-디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 등의 아미노알킬(메타)아크릴레이트류; 헥산디올, 트리메티롤프로판, 펜타에리스리톨, 디트리메틸롤프로판, 디펜타에리스리톨, 트리스-히드록시에틸이소시아누레이트 등의 다가 알코올 또는 이들 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물의 다가(메타)아크릴레이트류; 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A의 폴리에톡시디(메타)아크릴레이트 등의 페놀류의 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물의 (메타)아크릴레이트류; 글리세린디글리시딜에테르, 트리메틸롤프로판트리글리시딜에테르, 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 글리시딜에테르의 (메타)아크릴레이트류; 멜라민(메타)아크릴레이트 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 (D)광중합성 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.(D) As a photopolymerizable compound, For example, Hydroxyalkyl (meth)acrylates, such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate and 2-hydroxypropyl (meth)acrylate; mono or di(meth)acrylates of glycols such as ethylene glycol, methoxytetraethylene glycol and polyethylene glycol; (meth)acrylamides, such as N,N- dimethyl (meth)acrylamide and N-methylol (meth)acrylamide; aminoalkyl (meth)acrylates such as N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate; polyhydric alcohols such as hexanediol, trimethylolpropane, pentaerythritol, ditrimethylolpropane, dipentaerythritol and tris-hydroxyethyl isocyanurate, or polyhydric (meth)acrylates of these ethylene oxide or propylene oxide adducts; (meth)acrylates of ethylene oxide or propylene oxide adducts of phenols such as phenoxyethyl (meth)acrylate and polyethoxydi(meth)acrylate of bisphenol A; (meth)acrylates of glycidyl ether, such as glycerin diglycidyl ether, trimethylol propane triglycidyl ether, and triglycidyl isocyanurate; Melamine (meth)acrylate etc. are mentioned preferably. These (D) photopolymerizable compounds can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (D)광중합성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 0.1~30질량부, 보다 바람직하게는 1~20질량부, 더욱 바람직하게는 1~15질량부이다. (D)성분의 함유량이 0.1질량부 이상이면 노광부가 현상 중에 용출하기 어렵고, 감광성 수지 조성물의 감도 및 해상성이 향상하는 경향이 있으며, 30질량부 이하이면 내열성이 향상한다.Content of (D) photopolymerizable compound which makes solid content whole quantity in the photosensitive resin composition 100 mass parts becomes like this. Preferably it is 0.1-30 mass parts, More preferably, it is 1-20 mass parts, More preferably, it is 1-15 mass parts . (D) When content of component is 0.1 mass part or more, an exposure part is hard to elute during image development, there exists a tendency for the sensitivity and resolution of the photosensitive resin composition to improve, and heat resistance improves as it is 30 mass parts or less.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (E)성분으로서 무기 필러를 함유하는 것이 바람직하다. (E)무기 필러는, 감광성 수지 조성물의 밀착성, 내열성, 도막 강도 등의 제(諸)특성을 향상시킬 목적으로 바람직하게 사용되는 것이다. (E)무기 필러로서는, 예를 들면, 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 티타니아(TiO2), 산화탄탈(Ta2O5), 지르코니아(ZrO2), 질화규소(Si3N4), 티탄산바륨(BaO·TiO2), 탄산바륨(BaCO3), 탄산마그네슘, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 티탄산납(PbO·TiO2), 티탄산지르콘산납(PZT), 티탄산지르콘산란탄납(PLZT), 산화갈륨(Ga2O3), 스피넬(MgO·Al2O3), 뮬라이트(3Al2O3·2SiO2), 코디어라이트(2MgO·2Al2O3·5SiO2), 탈크(3MgO·4Al2O3·H2O), 티탄산알루미늄(TiO2·Al2O3), 이트리아함유 지르코니아(Y2O3·ZrO2), 규산바륨(BaO·8SiO2), 질화붕소(BN), 탄산칼슘(CaCO3), 황산바륨(BaSO4), 황산칼슘(CaSO4), 산화아연(ZnO), 티탄산마그네슘(MgO·TiO2), 하이드로탈사이트, 운모, 소성 카오린, 카본 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 (E)무기 필러는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this embodiment contains an inorganic filler as (E)component. (E) An inorganic filler is used suitably for the purpose of improving characteristics, such as adhesiveness of a photosensitive resin composition, heat resistance, and coating-film intensity|strength. (E) As the inorganic filler, for example, silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), titania (TiO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), zirconia (ZrO 2 ), silicon nitride (Si 3 ) N 4 ), barium titanate (BaO·TiO 2 ), barium carbonate (BaCO 3 ), magnesium carbonate, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, lead titanate (PbO·TiO 2 ), lead zirconate titanate (PZT), lead lanthanum titanate ( PLZT), gallium oxide (Ga 2 O 3 ), spinel (MgO·Al 2 O 3 ), mullite (3Al 2 O 3 ·2SiO 2 ), cordierite (2MgO·2Al 2 O 3 ·5SiO 2 ), talc ( 3MgO·4Al 2 O 3 ·H 2 O), aluminum titanate (TiO 2 ·Al 2 O 3 ), yttria-containing zirconia (Y 2 O 3 ·ZrO 2 ), barium silicate (BaO·8SiO 2 ), boron nitride ( BN), calcium carbonate (CaCO 3 ), barium sulfate (BaSO 4 ), calcium sulfate (CaSO 4 ), zinc oxide (ZnO), magnesium titanate (MgO TiO 2 ), hydrotalcite, mica, calcined kaolin, carbon, etc. are preferably mentioned. These (E) inorganic fillers can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

(E)무기 필러는, 그 최대 입자 지름이 0.1~20㎛이면 바람직하고, 0.1~10㎛이면 보다 바람직하고, 0.1~5㎛이면 더욱 바람직하며, 0.1~1㎛이면 특히 바람직하다. 최대 입자 지름이 20㎛ 이하이면, 전기 절연성(HAST내성)의 저하를 억제할 수 있다. 여기서, (E)무기 필러의 최대 입자 지름은, 레이저 회절법(JIS Z8825-1(2001년) 준거)에 의해 측정되는 것으로 했다.(E) The maximum particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.1 to 20 µm, more preferably 0.1 to 10 µm, still more preferably 0.1 to 5 µm, and particularly preferably 0.1 to 1 µm. When the maximum particle diameter is 20 µm or less, a decrease in electrical insulation properties (HAST resistance) can be suppressed. Here, (E) the maximum particle diameter of the inorganic filler was measured by a laser diffraction method (based on JIS Z8825-1 (2001)).

(E)무기 필러 중에서도, 내열성을 향상시킬 수 있는 관점에서는, 실리카가 바람직하고, 땜납 내열성, 내크랙성(내열 충격성), 및 내PCT성을 향상시킬 수 있는 관점에서, 황산바륨을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 황산바륨은, 응집 방지 효과를 향상시킬 수 있는 관점에서, 알루미나 및 유기 실란계 화합물로부터 선택되는 1종 이상으로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.(E) Among inorganic fillers, silica is preferable from the viewpoint of improving heat resistance, and from the viewpoint of improving solder heat resistance, crack resistance (thermal shock resistance), and PCT resistance, it is better to use barium sulfate. desirable. In addition, it is preferable that the said barium sulfate is surface-treated with 1 or more types selected from alumina and an organosilane-type compound from a viewpoint of being able to improve the aggregation prevention effect.

알루미나 및 유기 실란계 화합물로부터 선택되는 1종 이상으로 표면 처리되어 있는 황산바륨의 표면에 있어서의 알루미늄의 원소 조성은, 0.5~10원자%인 것이 바람직하고, 1~5원자%인 것이 보다 바람직하며, 1.5~3.5원자%인 것이 더욱 바람직하다. 황산바륨의 표면에 있어서의 규소의 원소 조성은, 0.5~10원자%인 것이 바람직하고, 1~5원자%인 것이 보다 바람직하며, 1.5~3.5원자%인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 황산바륨의 표면에 있어서의 탄소의 원소 조성은, 10~30원자%인 것이 바람직하고, 15~25원자%인 것이 보다 바람직하고, 18~23원자%인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 원소 조성은, XPS를 이용하여 측정할 수 있다.The elemental composition of aluminum on the surface of barium sulfate surface-treated with at least one selected from alumina and organosilane compounds is preferably 0.5 to 10 atomic %, more preferably 1 to 5 atomic %, , more preferably 1.5 to 3.5 atomic%. It is preferable that the elemental composition of the silicon in the surface of barium sulfate is 0.5-10 atomic%, It is more preferable that it is 1-5 atomic%, It is still more preferable that it is 1.5-3.5 atomic%. Moreover, it is preferable that it is 10-30 atomic%, and, as for the elemental composition of carbon in the surface of barium sulfate, it is more preferable that it is 15-25 atomic%, It is more preferable that it is 18-23 atomic%. Such elemental composition can be measured using XPS.

알루미나 및 유기 실란계 화합물로부터 선택되는 1종 이상으로 표면 처리되어 있는 황산바륨으로서는, 예를 들면, NanoFine BFN40DC(니혼소르베이(주)제, 상품명)가 상업적으로 입수 가능하다.As barium sulfate surface-treated with 1 or more types selected from alumina and an organosilane compound, NanoFine BFN40DC (made by Nippon Sorbey Co., Ltd. product, brand name) is commercially available, for example.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물이 (E)무기 필러를 함유하는 경우, 감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (E)무기 필러의 함유량은, 10~80질량부인 것이 바람직하고, 20~70질량부인 것이 보다 바람직하고, 20~50질량부인 것이 더욱 바람직하며, 20~45질량부인 것이 특히 바람직하다. 여기서, (E)무기 필러의 함유량이 상기 범위내이면, 감광성 수지 조성물의 도막강도, 내열성, 전기 절연성(HAST내성), 내열 충격성, 해상성 등을 보다 향상시킬 수 있다.When the photosensitive resin composition of this embodiment contains (E) inorganic filler, it is preferable that content of (E) inorganic filler which makes solid content whole amount in the photosensitive resin composition 100 mass parts is 10-80 mass parts, It is preferable that it is 20-70 It is more preferable that it is a mass part, It is still more preferable that it is 20-50 mass parts, It is especially preferable that it is 20-45 mass parts. Here, (E) When content of an inorganic filler is in the said range, coating film strength, heat resistance, electrical insulation (HAST resistance), thermal shock resistance, resolution, etc. of the photosensitive resin composition can be improved more.

또한, (E)무기 필러로서 황산바륨을 사용하는 경우의, 감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 황산바륨의 함유량은, 5~60질량부인 것이 바람직하고, 10~50질량부인 것이 보다 바람직하고, 10~40질량부인 것이 더욱 바람직하며, 10~35질량부인 것이 특히 바람직하다. 황산바륨의 미립자의 함유량이 상기 범위내이면, 내열성, 및 내PCT을 보다 향상시킬 수 있다.Moreover, (E) It is preferable that it is 5-60 mass parts, and, as for content of barium sulfate which makes 100 mass parts of solid content in the photosensitive resin composition in the case of using barium sulfate as an inorganic filler, it is more preferable that it is 10-50 mass parts And, it is more preferable that it is 10-40 mass parts, and it is especially preferable that it is 10-35 mass parts. When the content of the fine particles of barium sulfate is within the above range, heat resistance and PCT resistance can be further improved.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, (F)성분으로서 안료를 함유하는 것이 바람직하다. (F)안료로서는, 배선 패턴을 은폐할 때 등에 원하는 색에 따라 바람직하게 사용되는 것이다. (F)안료로서는, 원하는 색을 발색하는 착색제를 적절히 선택하여 사용하면 되고, 착색제로서는, 예를 들면, 프탈로시아닌블루, 프탈로시아닌그린, 아이오딘그린, 디아조옐로우, 크리스탈바이올렛 등의 공지의 착색제를 바람직하게 들 수 있다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this embodiment contains a pigment as (F)component. (F) As a pigment, when concealing a wiring pattern, etc., it is used suitably according to a desired color. (F) As the pigment, a colorant capable of developing a desired color may be appropriately selected and used. As the colorant, for example, a known colorant such as phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, diazo yellow, and crystal violet is preferable. can be heard

감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (F)안료의 함유량은, 0.1~5질량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~3질량부이다. (F)안료의 함유량이 상기 범위내이면, 배선 패턴을 은폐할수 있다.As for content of (F) pigment which makes solid content whole quantity in the photosensitive resin composition 100 mass parts, 0.1-5 mass parts is preferable, More preferably, it is 0.1-3 mass parts. (F) When the content of the pigment is within the above range, the wiring pattern can be hidden.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라서, 점도를 조정하기 위해, 희석제를 사용할 수 있다. 희석제로서는, 예를 들면, 유기용제, 또는 광중합성 모노머 등을 바람직하게 들 수 있다. 유기용제는, 예를 들면, 상기의 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)과의 반응에 있어서 사용할 수 있는 유기용제로서 예시한 용제 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 광중합성 모노머로서는, 상기의 (D)광중합성 화합물로 예시한 것을 바람직하게 들 수 있다.The photosensitive resin composition of this embodiment can use a diluent in order to adjust a viscosity as needed. As a diluent, an organic solvent, a photopolymerizable monomer, etc. are mentioned preferably, for example. The organic solvent can be appropriately selected from among the solvents exemplified as the organic solvent that can be used in the reaction between the epoxy resin (a) and the vinyl group-containing monocarboxylic acid (b), for example. Moreover, as a photopolymerizable monomer, what was illustrated by said (D) photopolymerizable compound is mentioned preferably.

희석제의 사용량은, 감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량과 (A)~(F)성분 이외의 고형분의 합계의 함유량이 50~90질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하고, 60~80질량%가 되는 양으로 하는 것이 보다 바람직하며, 65~75질량%가 되는 양으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 즉, 희석제를 사용하는 경우의 감광성 수지 조성물 중의 희석제의 함유량은, 10~50질량%가 바람직하고, 20~40질량%가 보다 바람직하며, 25~35질량%가 더욱 바람직하다. 희석제의 사용량을 상기 범위로 함으로써, 감광성 수지 조성물의 도포성이 향상하여, 보다 고정밀한 패턴의 형성이 가능해진다.It is preferable that content of the total amount of solid content in the photosensitive resin composition and solid content other than component (A)-(F) sets the usage-amount of a diluent into the quantity used as 50-90 mass %, The quantity used as 60-80 mass % It is more preferable to set it as 65-75 mass %, and it is still more preferable to set it as 65-75 mass %. That is, 10-50 mass % is preferable, as for content of the diluent in the photosensitive resin composition in the case of using a diluent, 20-40 mass % is more preferable, and its 25-35 mass % is still more preferable. By making the usage-amount of a diluent into the said range, the applicability|paintability of the photosensitive resin composition improves, and formation of a more highly precise pattern becomes possible.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 내열성, 내리플로우성, 내약품성 등을 향상시키기 위해, 산화 방지제를 포함하고 있어도 된다. 산화 방지제로서는, 힌더드페놀계 산화 방지제나, 퀴논계 산화 방지제를 바람직하게 들 수 있다.The photosensitive resin composition of this embodiment may contain antioxidant in order to improve heat resistance, reflow resistance, chemical-resistance, etc. As antioxidant, a hindered phenol type antioxidant and a quinone type antioxidant are mentioned preferably.

힌더드페놀계 산화 방지제로서는, 펜타에리스리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트](BASF재팬(주), 이르가녹스1010(상품명)), 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네트](BASF재팬(주), 이르가녹스1035(상품명)), 옥타데실[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐) 프로피오네이트](BASF재팬(주), 이르가녹스1076(상품명)), 옥틸1-3,5-디-tert-부틸-4-히드록시-히드로계피산(BASF재팬(주)제, 이르가녹스1135(상품명)), 4,6-비스(옥틸티오메틸-o-크레졸)(BASF재팬(주), 이르가녹스1520L) 등을 바람직하게 들 수 있으며, 퀴논계 산화 방지제로서는, 하이드로퀴논, 2-t-부틸하이드로퀴논, 하이드로퀴논모노메틸에테르, 메타퀴논, 벤조퀴논 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 산화 방지제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As a hindered phenolic antioxidant, pentaerythritol tetrakis [3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (BASF Japan Co., Ltd., Irganox 1010 (brand name)) ), thiodiethylenebis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionet] (BASF Japan Co., Ltd., Irganox 1035 (trade name)), octadecyl [3 -(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (BASF Japan Co., Ltd., Irganox 1076 (trade name)), octyl 1-3,5-di-tert-butyl -4-hydroxy-hydrocinnamic acid (BASF Japan Co., Ltd., Irganox 1135 (trade name)), 4,6-bis(octylthiomethyl-o-cresol) (BASF Japan Co., Ltd., Irganox 1520L) ) etc. are mentioned preferably, and as a quinone type antioxidant, hydroquinone, 2-t- butyl hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, metaquinone, benzoquinone, etc. are mentioned preferably. These antioxidants can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 경화제를 포함하고 있어도 된다. 경화제로서는, 그 자체가 열, 자외선 등에 의해 경화하는 화합물, 또는 본 실시 형태의 조성물 중의 광경화성 수지 성분인 (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 카복시기, 수산기와 열, 자외선 등으로 경화하는 화합물을 바람직하게 들 수 있다. 경화제를 사용함으로써, 최종 경화막의 내열성, 내리플로우성, 내약품성 등을 향상시킬 수 있다.The photosensitive resin composition of this embodiment may contain the hardening|curing agent. As the curing agent, a compound that itself is cured by heat, ultraviolet rays, etc., or (A) acid-modified vinyl group-containing epoxy resin that is a photocurable resin component in the composition of the present embodiment. A compound is preferably mentioned. By using a hardening|curing agent, the heat resistance, reflow resistance, chemical-resistance, etc. of a final cured film can be improved.

경화제로서는, 예를 들면, 열경화성 화합물로서, 에폭시 화합물, 멜라민 화합물, 요소 화합물, 옥사졸린 화합물 등을 바람직하게 들 수 있다. 에폭시 화합물로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수첨 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 노볼락형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지; 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환식 에폭시 수지; 비자일레놀형 에폭시 수지 등을 바람직하게 들 수 있다. 멜라민 화합물로서는, 예를 들면, 트리아미노트리아딘, 헥사메톡시멜라민, 헥사부톡시화 멜라민 등을 바람직하게 들 수 있다. 요소 화합물로서는, 디메틸올 요소 등을 바람직하게 들 수 있다.As a hardening|curing agent, an epoxy compound, a melamine compound, a urea compound, an oxazoline compound etc. are mentioned preferably as a thermosetting compound, for example. As an epoxy compound, For example, bisphenol-type epoxy resins, such as a bisphenol A epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a hydrogenated bisphenol A-type epoxy resin, a brominated bisphenol A-type epoxy resin, and a bisphenol S-type epoxy resin; novolac-type epoxy resin; biphenyl type epoxy resin; Heterocyclic epoxy resins, such as triglycidyl isocyanurate; A non-xylenol type epoxy resin etc. are mentioned preferably. As a melamine compound, triamino triadine, hexamethoxymelamine, hexabutoxy melamine, etc. are mentioned preferably, for example. As a urea compound, dimethylol urea etc. are mentioned preferably.

경화제로서는, 내열성을 보다 향상시킬 수 있는 관점에서, 에폭시 화합물(에폭시 수지) 및 블록형 이소시아네이트로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 에폭시 화합물과 블록형 이소시아네이트를 병용하는 것이 보다 바람직하다.As the curing agent, from the viewpoint of further improving heat resistance, it is preferable to include at least one selected from an epoxy compound (epoxy resin) and a block type isocyanate, and it is more preferable to use an epoxy compound and a block type isocyanate together.

블록형 이소시아네이트로서는, 폴리이소시아네이트 화합물과 이소시아네이트 블록제와의 부가 반응 생성물이 사용된다. 이 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 자일렌디이소시아네이트, 페닐렌디이소시아네이트, 나프틸렌디이소시아네이트, 비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 폴리이소시아네이트 화합물, 및 이들의 어덕트체, 뷰렛체 및 이소시아누레이트체 등을 바람직하게 들 수 있다.As the block type isocyanate, an addition reaction product of a polyisocyanate compound and an isocyanate blocking agent is used. As this polyisocyanate compound, tolylene diisocyanate, xylene diisocyanate, phenylene diisocyanate, naphthylene diisocyanate, bis(isocyanate methyl) cyclohexane, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, methylene diisocyanate, trimethyl, for example. Polyisocyanate compounds, such as hexamethylene diisocyanate and isophorone diisocyanate, and these adduct bodies, a biuret body, an isocyanurate body, etc. are mentioned preferably.

이소시아네이트 블록제로서는, 예를 들면, 페놀, 크레졸, 자일레놀, 클로로 페놀 및 에틸페놀 등의 페놀계 블록제; ε-카프로락탐, δ-팔레로락탐, γ-부틸로락탐 및 β-프로피오락탐 등의 락탐계 블록제; 아세토아세트산에틸 및 아세틸아세톤 등의 활성 메틸렌계 블록제; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 아밀알코올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 벤질에테르, 글리콜산메틸, 글리콜산부틸, 디아세톤알콜, 유산메틸, 및 유산에틸 등의 알코올계 블록제; 포름알데히독심, 아세트알독심, 아세톡심, 메틸에틸케톡심, 디아세틸모노옥심, 시클로헥산옥심 등의 옥심계 블록제; 부틸머캅탄, 헥실머캅탄, t-부틸머캅탄, 티오페놀, 메틸티오페놀, 에틸티오페놀 등의 머캅탄계 블록제; 아세트산아미드, 벤즈아미드 등의 산아미드계 블록제; 숙신산이미드 및 말레산이미드 등의 이미드계 블록제; 자일리딘, 아닐린, 부틸아민, 디부틸아민 등의 아민계 블록제; 이미다졸, 2-에틸이미다졸 등의 이미다졸계 블록제; 메틸렌이민 및 프로필렌이민 등의 이민계 블록제 등을 바람직하게 들 수 있다.As an isocyanate blocking agent, For example, Phenol type blocking agents, such as phenol, cresol, xylenol, chlorophenol, and ethylphenol; lactam blocking agents such as ε-caprolactam, δ-palerolactam, γ-butyrolactam and β-propiolactam; active methylene-based blocking agents such as ethyl acetoacetate and acetylacetone; Methanol, ethanol, propanol, butanol, amyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, benzyl ether, methyl glycolate, glycol alcohol-based blocking agents such as butyl acid, diacetone alcohol, methyl lactate, and ethyl lactate; Oxime block agents, such as formaldehyde doxime, acetaldoxime, acetoxime, methyl ethyl ketoxime, diacetyl monooxime, and cyclohexane oxime; mercaptan-based blocking agents such as butyl mercaptan, hexyl mercaptan, t-butyl mercaptan, thiophenol, methylthiophenol, and ethylthiophenol; acid amide blocking agents such as acetate amide and benzamide; imide block agents such as succinimide and maleic acid imide; amine blocking agents such as xylidine, aniline, butylamine, and dibutylamine; imidazole-based blocking agents such as imidazole and 2-ethylimidazole; Imine block agents, such as methyleneimine and propyleneimine, etc. are mentioned preferably.

경화제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 경화제를 사용하는 경우, 그 함유량은, 감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량 100질량부에 대해서, 2~50질량부인 것이 바람직하고, 2~40질량부가 보다 바람직하고, 3~30질량부가 더욱 바람직하며, 특히 바람직하게는 5~20질량부이다. 경화제의 함유량을, 상기 범위 내로 함으로써, 양호한 현상성을 유지하면서, 형성되는 경화막의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.A hardening|curing agent is used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. When using a hardening|curing agent, it is preferable that content is 2-50 mass parts with respect to 100 mass parts of solid content in the photosensitive resin composition, 2-40 mass parts is more preferable, 3-30 mass parts is still more preferable, especially Preferably it is 5-20 mass parts. By carrying out content of a hardening|curing agent into the said range, the heat resistance of the cured film formed can be improved more, maintaining favorable developability.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물에는, 최종 경화막의 내열성, 밀착성, 내약품성 등의 제 특성을 더욱 향상시킬 목적으로 에폭시 수지 경화제를 병용할 수 있다.An epoxy resin curing agent can be used together with the photosensitive resin composition of this embodiment in order to further improve various characteristics, such as the heat resistance of a final cured film, adhesiveness, and chemical-resistance.

이러한 에폭시 수지 경화제의 구체적인 예로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 아세토구아나민, 벤조구아나민 등의 구아나민류; 디아미노디페닐메탄, m-페닐렌디아민, m-자일렌디아민, 디아미노디페닐술폰, 디시안디아미드, 요소, 요소 유도체, 멜라민, 다염기 히드라지드 등의 폴리아민류; 이들의 유기산염 및 에폭시어덕트로부터 선택되는 적어도 1종 이상; 삼불화붕소의 아민 착체; 에틸디아미노-S-트리아진, 2,4-디아미노-S-트리아진, 2,4-디아미노-6-자일릴-S-트리아진 등의 트리아진 유도체류; 트리메틸아민, N,N-디메틸옥틸아민, N-벤질디메틸아민, 피리딘, N-메틸몰포린, 헥사(N-메틸)멜라민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노페놀), 테트라메틸구아니딘, m-아미노페놀 등의 3급 아민류; 폴리비닐페놀, 폴리비닐페놀브롬화물, 페놀노볼락, 알킬페놀노볼락 등의 폴리페놀류; 트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리스-2-시아노에틸포스핀 등의 유기 포스핀류; 트리-n-부틸(2,5-디히드록시페닐)포스포늄브로마이드, 헥사데실트리부틸포스포늄클로라이드 등의 포스포늄염류; 벤질트리메틸암모늄클로라이드, 페닐트리부틸암모늄클로라이드 등의 4급 암모늄염류; 상기의 다염기산 무수물; 디페닐요오드늄테트라플루오로보레이트; 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트; 2,4,6-트리페닐티오피릴륨헥사플루오로포스페이트 등을 바람직하게 들 수 있다.Specific examples of such an epoxy resin curing agent include, for example, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2- imidazoles such as phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; guanamines such as acetoguanamine and benzoguanamine; polyamines such as diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, m-xylenediamine, diaminodiphenylsulfone, dicyandiamide, urea, urea derivatives, melamine, and polybasic hydrazide; at least one selected from organic acid salts and epoxides thereof; amine complexes of boron trifluoride; triazine derivatives such as ethyldiamino-S-triazine, 2,4-diamino-S-triazine, and 2,4-diamino-6-xylyl-S-triazine; Trimethylamine, N,N-dimethyloctylamine, N-benzyldimethylamine, pyridine, N-methylmorpholine, hexa(N-methyl)melamine, 2,4,6-tris(dimethylaminophenol), tetramethylguanidine, tertiary amines such as m-aminophenol; polyphenols such as polyvinylphenol, polyvinylphenol bromide, phenol novolac, and alkylphenol novolac; organic phosphines such as tributylphosphine, triphenylphosphine, and tris-2-cyanoethylphosphine; phosphonium salts such as tri-n-butyl (2,5-dihydroxyphenyl) phosphonium bromide and hexadecyl tributyl phosphonium chloride; quaternary ammonium salts such as benzyltrimethylammonium chloride and phenyltributylammonium chloride; the above polybasic acid anhydrides; diphenyliodonium tetrafluoroborate; triphenylsulfonium hexafluoroantimonate; 2,4,6-triphenylthiopyrylium hexafluorophosphate etc. are mentioned preferably.

에폭시 수지 경화제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용되며, 감광성 수지 조성물 중에 포함되는 에폭시 수지 경화제의 함유량은, 바람직하게는 0.01~20질량%, 보다 바람직하게는 0.1~10질량%이다.Epoxy resin curing agent is used individually by 1 type or in combination of 2 or more types, Content of the epoxy resin curing agent contained in the photosensitive resin composition becomes like this. Preferably it is 0.01-20 mass %, More preferably, it is 0.1-10 mass %. am.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라서, 하이드로퀴논, 메틸하이드로퀴논, 하이드로퀴논모노메틸에테르, 카테콜, 피로가롤 등의 중합 금지제; 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제; 실리콘계, 불소계, 비닐 수지계 등의 소포제; 실란커플링제 등의 공지 관용의 각종 첨가제를 사용할 수 있다. 나아가, 브롬화 에폭시 화합물, 산변성 브롬화 에폭시 화합물, 안티몬 화합물, 및 인계 화합물인 포스페이트 화합물, 방향족 축합 인산 에스테르, 함할로겐 축합 인산 에스테르 등의 난연제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of this embodiment, as needed, Polymerization inhibitors, such as hydroquinone, methyl hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, catechol, and pyrrogalol; thickeners such as bentone and montmorillonite; Antifoaming agents, such as a silicone type, a fluorine type, and a vinyl resin type; Various well-known and usual additives, such as a silane coupling agent, can be used. Furthermore, flame retardants, such as a brominated epoxy compound, an acid-modified brominated epoxy compound, an antimony compound, and the phosphate compound which are phosphorus compounds, an aromatic condensed phosphoric acid ester, and a halogen-containing condensed phosphoric acid ester, can be used.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 엘라스토머를 함유할 수 있다. 엘라스토머는, 특히, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 반도체 패키지 기판의 제조에 사용하는 경우에 바람직하게 사용된다. 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물에 엘라스토머를 첨가함으로써, 자외선 또는 열 등에 의해 경화 반응이 진행되는 것으로, (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 경화 수축에 의한 수지 내부의 왜곡(내부 응력)에 기인한, 가요성 및 접착성의 저하를 억제할 수 있다.The photosensitive resin composition of this embodiment can contain an elastomer. An elastomer is especially used preferably, when using the photosensitive resin composition of this embodiment for manufacture of a semiconductor package board|substrate. By adding the elastomer to the photosensitive resin composition of the present embodiment, the curing reaction proceeds by ultraviolet rays or heat, etc., due to (A) distortion (internal stress) inside the resin due to curing shrinkage of the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin As long as it is possible, a decrease in flexibility and adhesiveness can be suppressed.

엘라스토머로서는, 스틸렌계 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 우레탄계 엘라스토머, 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 아크릴계 엘라스토머 및 실리콘계 엘라스토머 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 엘라스토머는, 하드세그멘트 성분과 소프트세그멘트 성분으로 이루어져 있으며, 일반적으로 전자(前者)가 내열성, 및 강도에, 후자(後者)가 유연성, 및 강인성(强靭性)에 기여하고 있다.Preferable examples of the elastomer include styrene-based elastomers, olefin-based elastomers, urethane-based elastomers, polyester-based elastomers, polyamide-based elastomers, acrylic-based elastomers, and silicone-based elastomers. These elastomers consist of a hard segment component and a soft segment component, and in general, the former contributes to heat resistance and strength, and the latter contributes to flexibility and toughness.

또한, 상기의 엘라스토머 이외에, 고무 변성한 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 고무 변성한 에폭시 수지는, 예를 들면, 상술의 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지의 일부 또는 전부의 에폭시기를 양말단 카복실산변성형 부타디엔-아크릴로니트릴 고무, 말단 아미노 변성 실리콘 고무 등으로 변성함으로써 얻어진다. 이들 엘라스토머 중에서, 전단 접착성의 관점에서, 양말단 카복실기 변성 부타디엔-아크릴로니트릴 공중합체, 수산기를 가지는 폴리에스테르계 엘라스토머인 에스펠(히타치가세이(주)제, 에스펠1612, 1620)을 바람직하게 들 수 있다.In addition to the above elastomer, an epoxy resin that has been modified with rubber can be used. The rubber-modified epoxy resin is, for example, a part or all of the above-mentioned bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol A-type epoxy resin, triphenolmethane-type epoxy resin, phenol novolak-type epoxy resin, and cresol novolak-type epoxy resin. It is obtained by modifying an epoxy group with both terminal carboxylic acid-modified butadiene-acrylonitrile rubber, terminal amino-modified silicone rubber, or the like. Among these elastomers, from the viewpoint of shear adhesion, carboxyl group-modified butadiene-acrylonitrile copolymer at both ends, ESPEL (Hitachiga Sei Co., Ltd., ESPEL 1612, 1620) which is a polyester-based elastomer having a hydroxyl group is preferable. can be heard

엘라스토머의 배합량은, (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 2~30질량부, 보다 바람직하게는 4~20질량부, 더욱 바람직하게는 10~20질량부이다. 2질량부 이상이면 경화막의 고온 영역에서의 탄성률이 낮아지는 경향이 되며, 30질량부 이하이면 미노광부가 현상액에서 용출되는 경향이 된다.The blending amount of the elastomer is preferably 2 to 30 parts by mass, more preferably 4 to 20 parts by mass, still more preferably 10 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) acid-modified vinyl group-containing epoxy resin. . It becomes the tendency for the elastic modulus in the high temperature region of a cured film to become low that it is 2 mass parts or more, and it becomes the tendency for an unexposed part to elute from a developing solution as it is 30 mass parts or less.

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 상기의 (A)~(D)성분을 비롯하여, 원하는 바에 따라 사용되는 (E)성분, (F)성분, 및 그 외의 각종 성분을, 롤 밀, 비즈 밀 등으로 균일하게 혼련, 혼합함으로써 얻을 수 있다.The photosensitive resin composition of this embodiment contains (E) component, (F) component, and other various components which are used according to necessity including said (A)-(D) component, a roll mill, a bead mill, etc. It can be obtained by uniformly kneading and mixing.

또한, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 액체상(狀)인 것이 바람직하다. 액체상으로 함으로써, 후술하는 각종 도포 방법에 의해 용이하게 영구 마스크 레지스트를 형성할 수 있다.Moreover, it is preferable that the photosensitive resin composition of this embodiment is liquid. By setting it as a liquid phase, a permanent mask resist can be formed easily by the various application|coating methods mentioned later.

[감광성 엘리먼트, 영구 마스크 레지스트 및 프린트 배선판][Photosensitive element, permanent mask resist and printed wiring board]

본 실시 형태의 감광성 수지 조성물은, 감광성 엘리먼트, 및 영구 마스크 레지스트의 형성에 적합하게 사용되며, 본 실시 형태의 감광성 엘리먼트, 및 영구 마스크 레지스트는, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 것이다.The photosensitive resin composition of this embodiment is used suitably for formation of a photosensitive element and a permanent mask resist, The photosensitive element of this embodiment, and a permanent mask resist are formed using the photosensitive resin composition of this embodiment. .

본 실시 형태의 감광성 엘리먼트는, 지지체와, 그 지지체 상에 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 감광층을 구비하는 것이다. 지지체로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지 필름, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 수지 필름 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 수지 필름을 바람직하게 들 수 있으며, 투명성의 견지에서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 지지체의 두께는, 기계적 강도, 양호한 해상도를 얻는 것 등을 고려하면, 1~100㎛가 바람직하고, 1~50㎛가 보다 바람직하며, 1~30㎛가 더욱 바람직하다.The photosensitive element of this embodiment is provided with a support body and the photosensitive layer formed using the photosensitive resin composition of this embodiment on the support body. As a support body, the resin film which has heat resistance and solvent resistance, such as polyester resin films, such as polyethylene terephthalate, and polyolefin resin films, such as polyethylene and polypropylene, is preferably mentioned, for example, From a viewpoint of transparency, polyethylene terephthalate It is preferred to use a phthalate film. Moreover, 1-100 micrometers is preferable, 1-50 micrometers is more preferable, 1-30 micrometers is still more preferable when mechanical strength, obtaining favorable resolution, etc. are considered as for the thickness of a support body.

본 실시 형태의 감광성 엘리먼트는, 예를 들면, 상기 지지체 위에, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 디핑법, 스프레이법, 바코트법, 롤코트법, 스핀코트법 등의 방법으로 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 용도에 따른 막두께(건조 후: 10~200㎛)로 도포하여 도막을 형성하고, 70~150℃, 5~30분 정도로 건조해 감광층을 형성하여 얻을 수 있다.The photosensitive element of this embodiment is, for example, the photosensitive resin composition of this embodiment on the said support body by methods, such as a dipping method, a spraying method, a bar coating method, a roll coating method, a spin coating method, the photosensitivity of this embodiment It can be obtained by applying the resin composition to a film thickness according to the use (after drying: 10 to 200 μm) to form a coating film, and drying it at 70 to 150° C. for 5 to 30 minutes to form a photosensitive layer.

본 실시 형태의 영구 마스크 레지스트 및 그 영구 마스크 레지스트를 구비하는 프린트 배선판은, 예를 들면, 이하와 같이하여 상형성된다. 우선, 레지스트를 형성해야 할 기재(예를 들면, 프린트 배선판용의 동장적층판 등) 상에, 스크린 인쇄법, 스프레이법, 롤코트법, 커텐코트법, 정전 도장법 등의 방법으로 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 용도에 따른 막 두께(건조 후: 10~200㎛)로 도포하여 도막을 형성하고, 그 도막을 60~110℃로 건조시킨다. 또한, 그 도막 대신에, 감광성 엘리먼트의 감광층을, 그 레지스트를 형성해야 할 기재상에 전사(라미네이트)해도 된다. 이 경우, 필요에 따라서 상압(常壓) 라미네이터 또는 진공 라미네이터를 사용하여, 지지체 상의 건조시킨 도막을, 기재상에 첩부한다.The permanent mask resist of this embodiment and the printed wiring board provided with this permanent mask resist are image-formed as follows, for example. First, on a substrate on which a resist is to be formed (for example, a copper-clad laminate for a printed wiring board, etc.), the photosensitivity of this embodiment is performed by a method such as a screen printing method, a spraying method, a roll coating method, a curtain coating method, and an electrostatic coating method. A coating film is formed by applying the resin composition to a film thickness according to the use (after drying: 10 to 200 µm), and the coating film is dried at 60 to 110°C. In addition, instead of the coating film, the photosensitive layer of the photosensitive element may be transferred (laminated) onto the substrate on which the resist is to be formed. In this case, the dried coating film on a support body is affixed on a base material using a normal pressure laminator or a vacuum laminator as needed.

감광층(도막)을 기재상에 형성한 후, 네거티브필름을 직접 접촉시켜, 또는 투명한 필름을 통하여, 자외선 등의 활성선을 바람직하게는 10~1,000mJ/cm2의 노광량으로 조사하고, 수지 필름을 사용한 경우는 그 수지 필름을 박리하여, 미노광부를 희(希)알칼리 수용액으로 용해 제거(현상)한다.After forming the photosensitive layer (coating film) on the substrate, by directly contacting the negative film or through a transparent film, irradiated with actinic rays such as ultraviolet rays at an exposure dose of preferably 10 to 1,000 mJ/cm 2 , the resin film When using, the resin film is peeled, and an unexposed part is dissolved and removed (developed) with a dilute alkali aqueous solution.

다음으로, 노광 부분을 후(後)노광(자외선 노광), 후(後)가열, 또는 후노광 및 후가열에 의해서 충분히 경화시켜 경화막을 얻는다. 후노광은, 예를 들면, 800~5,000mJ/cm2가 바람직하고, 후가열은, 100~200℃에서 30분간~12시간이 바람직하다.Next, an exposure part is fully hardened by post-exposure (ultraviolet-ray exposure), post-heating, or post-exposure and post-heating, and a cured film is obtained. As for post-exposure, 800-5,000 mJ/cm<2> is preferable, for example, and, as for post-heating, 30 minutes - 12 hours at 100-200 degreeC are preferable.

이와 같이하여 얻어진 영구 마스크 레지스트는, 저부가 도려내지는 언더컷이 발생하기 어렵고, 레지스트 상부의 결락이 발생하기 어려우며, 패턴 단면의 중간부(중심부) 및 최심부(저부)의 선폭이 표면부의 선폭에 대하여 커지기 어렵기 때문에, 패턴 윤곽의 직선성이 좋고 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 가진다. 또한, 이 영구 마스크 레지스트는, 최근의 전자기기의 소형화 및 고성능화에 따른 미세화한 구멍 지름의 크기와 구멍 간의 간격 피치의 형성 안정성이 우수한, 패턴을 가지는 것이 된다. 또한, 해당 패턴은, 내PCT성(내습열성), 내리플로우성, 전기 절연성(HAST내성), 및 무전해 도금내성에 더하여, 내열성, 내용제성, 내약품성(내알칼리성, 내산성), 및 밀착성이 우수한 것이 된다.In the permanent mask resist obtained in this way, an undercut in which the bottom part is cut out is less likely to occur, and it is difficult to generate a dropout on the upper part of the resist. Since it is difficult, the linearity of the pattern outline is good, the resist shape is excellent, and it has a pattern excellent in resolution. In addition, this permanent mask resist has a pattern excellent in formation stability of the size of the pore diameter and the pitch of the gap between the holes, which have been miniaturized due to the recent miniaturization and high performance of electronic devices. In addition to PCT resistance (moist and heat resistance), reflow resistance, electrical insulation (HAST resistance), and electroless plating resistance, the pattern has heat resistance, solvent resistance, chemical resistance (alkali resistance, acid resistance), and adhesion. it becomes excellent

실시예Example

이하에, 본 실시 형태를 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 실시 형태는, 이러한 실시예에 의해 조금도 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this embodiment more concretely, this embodiment is not limited at all by these Examples.

(평가방법)(Assessment Methods)

(1)표면 경화성의 평가(1) Evaluation of surface hardenability

각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 두께 35㎛의 PET 필름에, 건조 후의 막 두께가 35㎛가 되도록 어플리케이터로 도포하여 도막을 형성했다. 이어서, 열풍 순환식 건조기를 사용하여, 80℃에서 20분간 건조시켰다. 얻어진 도막 표면의 적외 흡수스펙트럼(ATR(Attenuated Total Reflection)법)을 하기 조건에서 측정했다.The photosensitive resin composition of each Example and the comparative example was apply|coated to a 35-micrometer-thick PET film with the applicator so that the film thickness after drying might be set to 35 micrometers, and the coating film was formed. Then, using a hot air circulation dryer, it was dried at 80 degreeC for 20 minutes. The infrared absorption spectrum (ATR (Attenuated Total Reflection) method) of the obtained coating film surface was measured under the following conditions.

·측정장치: "Nicolet iS50R(상품명)", 서모피셔사이언티픽(주)제 ・Measuring device: "Nicolet iS50R (brand name)", manufactured by Thermo Fisher Scientific Co., Ltd.

·적산회수: 128회 · Number of integrations: 128

다음으로, 자외선 노광 장치("HTE-5102S(상품명)", (주)하이테크제)를 사용하여 600mJ/cm2의 노광량으로 노광했다. 노광전후의 도막의 표면에 대해, 적외 흡수스펙트럼(ATR법)을 상기와 동일한 조건으로 측정하여, 노광 전후의, 1470cm-1에 표시되는 탄소-탄소 이중 결합의 변화율을 하기식으로부터 구하여, 노광후의 도막의 표면 경화성을 측정하고, 적산 회수 3회의 평균치를 표면 경화성(%)으로 하였다.Next, it exposed with the exposure amount of 600 mJ/cm<2> using the ultraviolet-ray exposure apparatus ("HTE-5102S (trade name)", manufactured by Hi-Tech Corporation). For the surface of the coating film before and after exposure, infrared absorption spectrum (ATR method) was measured under the same conditions as above, and the rate of change of the carbon-carbon double bond displayed at 1470 cm -1 before and after exposure was obtained from the following formula, The surface hardenability of the coating film was measured, and the average value of three integration times was made into surface hardenability (%).

이중 결합의 변화율(%)=100-(노광후의 탄소-탄소 이중 결합량/노광전의 탄소-탄소 이중 결합량×100)Change rate of double bond (%) = 100- (Amount of carbon-carbon double bonds after exposure/Amount of carbon-carbon double bonds before exposure x 100)

(2)저부 경화성의 평가(2) Evaluation of bottom hardenability

각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 두께 35㎛의 PET 필름에, 건조 후의 막 두께가 35㎛가 되도록 어플리케이터로 도포하여 도막을 형성했다. 이어서, 열풍 순환식 건조기를 사용하여, 80℃에서 20분간 건조시켰다. 얻어진 도막 표면의 적외 흡수스펙트럼(ATR(Attenuated Total Reflection)법)을 하기 조건에서 측정했다.The photosensitive resin composition of each Example and the comparative example was apply|coated to a 35-micrometer-thick PET film with the applicator so that the film thickness after drying might be set to 35 micrometers, and the coating film was formed. Then, using a hot air circulation dryer, it was dried at 80 degreeC for 20 minutes. The infrared absorption spectrum (ATR (Attenuated Total Reflection) method) of the obtained coating film surface was measured under the following conditions.

·측정장치: "Nicolet iS50R(상품명)", 서모피셔사이언티픽(주)제 ・Measuring device: "Nicolet iS50R (brand name)", manufactured by Thermo Fisher Scientific Co., Ltd.

·적산회수: 128회 · Number of integrations: 128

다음으로, 자외선 노광 장치("HTE-5102S(상품명)", (주)하이테크제)를 사용하여 600mJ/cm2의 노광량으로 노광했다. 노광 전후의 도막의 표면에 대하여, 적외 흡수스펙트럼(ATR법)을 상기와 동일한 조건으로 측정하여, 노광 전후의, 1470cm-1에 표시되는 탄소-탄소 이중 결합의 변화율을 하기식으로부터 구하여, 노광후의 도막의 표면경화성을 측정하고, 적산 회수 3회의 평균치를 표면 경화성(%)으로 하였다.Next, it exposed with the exposure amount of 600 mJ/cm<2> using the ultraviolet-ray exposure apparatus ("HTE-5102S (trade name)", manufactured by Hi-Tech Corporation). For the surface of the coating film before and after exposure, infrared absorption spectrum (ATR method) was measured under the same conditions as above, and the rate of change of carbon-carbon double bond displayed at 1470 cm -1 before and after exposure was obtained from the following formula, The surface hardenability of the coating film was measured, and the average value of three integration times was made into surface hardenability (%).

이중 결합의 변화율(%)=100-(노광 후의 탄소-탄소 이중 결합량/노광 전의 탄소-탄소 이중 결합량×100)Change rate of double bond (%) = 100- (Amount of carbon-carbon double bonds after exposure/Amount of carbon-carbon double bonds before exposure x 100)

(3)레지스트 형상의 평가(3) Evaluation of resist shape

각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 50cm×50cm의 크기로, 두께 0.6mm의 동장적층 기판("MCL-E-67(상품명)", 히타치가세이(주)제)에, 건조 후의 막 두께가 35㎛가 되도록 스크린 인쇄법으로 도포하여 도막을 형성한 후, 80℃에서 20분간 열풍 순환식 건조기를 사용하여 건조시켰다.The photosensitive resin composition of each Example and Comparative Example was applied to a copper-clad laminated substrate (“MCL-E-67 (trade name)”, manufactured by Hitachi Sei Co., Ltd.) having a size of 50 cm x 50 cm and a thickness of 0.6 mm, and the film after drying. After the coating was applied by screen printing to a thickness of 35 μm to form a coating film, it was dried at 80° C. for 20 minutes using a hot air circulation dryer.

이어서, 도 2에 표시되는, 소정의 구멍 지름의 크기와 구멍 간의 간격 피치(구멍지름의 크기 100㎛ 및 구멍 간의 간격 피치 100㎛, 또는 구멍 지름의 크기 80㎛ 및 구멍 간의 간격 80㎛) 패턴을 가지는 네가티브 마스크를 각각 도막에 밀착시켜, 자외선 노광 장치("HTE-5102S(상품명)", (주)하이테크제)를 사용하여 600mJ/cm2의 노광량으로 노광하였다. 그 후, 1질량%의 탄산나트륨 수용액으로 60초간, 0.18MPa(1.8kgf/cm2)의 압력으로 스프레이 현상하여, 미노광부를 용해 현상하였다. 다음으로, 자외선 노광 장치("컨베이어형 UV조사 장치(상품명):, (주)지에스유아사라이팅제)를 사용하여 1000mJ/cm2의 노광량으로 노광한 후, 150℃에서 1시간 가열하여, 시험편을 제작하였다.Then, as shown in FIG. 2, a pattern of a predetermined hole diameter size and a gap pitch between holes (a hole diameter size of 100 µm and a gap pitch between holes of 100 µm, or a hole diameter size of 80 µm and an interval between holes of 80 µm) Each of the negative masks was brought into close contact with the coating film, and exposed at an exposure dose of 600 mJ/cm 2 using an ultraviolet exposure apparatus (“HTE-5102S (trade name)”, manufactured by Hi-Tech Corporation). Then, spray development was carried out at the pressure of 0.18 MPa (1.8 kgf/cm<2> ) for 60 second with 1 mass % sodium carbonate aqueous solution, and the unexposed part was dissolved and developed. Next, using a UV exposure device ("Conveyor type UV irradiation device (brand name):, manufactured by GS Yuasa Lighting Co., Ltd.) at an exposure dose of 1000 mJ/cm 2 , after exposure at an exposure dose of 1000 mJ/cm 2 , the test piece was heated at 150° C. for 1 hour. produced.

패턴이 형성된 시험편을 에폭시 수지("에피코트 828(상품명), 미쓰비시가가쿠(주)제 )와, 경화제로서 트리에틸렌테트라민을 사용한 열경화성 수지로 주형(注型)하고 충분히 경화한 후에, 연마기("리파인 폴리셔(상품명)", 리파인텍(주)제)로 연마하여 패턴의 단면을 깎아내고 레지스트 형상을 금속 현미경으로 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다. 도 1에 레지스트의 단면 형상을 모식적으로 나타낸다.The test piece on which the pattern was formed was molded with an epoxy resin ("Epicoat 828 (trade name), manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) and a thermosetting resin using triethylenetetramine as a curing agent. After hardening sufficiently, a polishing machine ( The cross section of the pattern was scraped off by grinding with "Refine Polisher (brand name)", manufactured by Refine Tech Co., Ltd., and the resist shape was observed with a metallurgical microscope, and evaluated based on the following criteria. shown negatively.

A(우량): 레지스트 형상은 직사각형 또는 사다리꼴을 나타내며, 또한 패턴 윤곽의 직선성이 좋았다.A (excellent): The resist shape showed a rectangle or trapezoid, and the linearity of the pattern outline was good.

B(불량): 레지스트 형상은 언더컷, 하단폭 당김, 혹은 두꺼워짐이 확인되거나, 또는 패턴 윤곽의 직선성이 좋지 않았다.B (defective): In the resist shape, undercut, lower width pulling, or thickening were confirmed, or the linearity of the pattern outline was not good.

(4)바이어(via) 지름 정도(精度)의 평가(4) Evaluation of via diameter accuracy

각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 50cm×50cm의 크기로, 두께 0.6mm의 동장적층 기판("MCL-E-67(상품명)", 히타치가세이(주)제)에, 건조 후의 막 두께가 35㎛가 되도록 스크린 인쇄법으로 도포하여 도막을 형성한 후, 80℃에서 20분간 열풍 순환식 건조기를 사용하여 건조시켰다.The photosensitive resin composition of each Example and Comparative Example was applied to a copper-clad laminated substrate (“MCL-E-67 (trade name)”, manufactured by Hitachi Sei Co., Ltd.) having a size of 50 cm x 50 cm and a thickness of 0.6 mm, and the film after drying. After the coating was applied by screen printing to a thickness of 35 μm to form a coating film, it was dried at 80° C. for 20 minutes using a hot air circulation dryer.

이어서, 도 2에 표시되는, 소정의 구멍 지름의 크기와 구멍 간의 간격 피치(구멍지름의 크기 100㎛ 및 구멍 간의 간격 피치 100㎛, 또는 구멍 지름의 크기 80㎛ 및 구멍 간의 간격 80㎛) 패턴을 가지는 네가티브 마스크를 각각 도막에 밀착시켜, 자외선 노광 장치("HTE-5102S(상품명)", (주)하이테크제)를 사용하여 600mJ/cm2의 노광량으로 노광했다. 그 후, 1질량%의 탄산나트륨 수용액으로 60초간, 0.18MPa(1.8kgf/cm2)의 압력으로 스프레이 현상하고, 미노광부를 용해 현상하여 시험편을 제작했다. 얻어진 시험편의 패턴에 관하여, 이하의 기준으로 평가했다.Then, as shown in FIG. 2, a pattern of a predetermined hole diameter size and a gap pitch between holes (a hole diameter size of 100 µm and a gap pitch between holes of 100 µm, or a hole diameter size of 80 µm and an interval between holes of 80 µm) Each of the negative masks was brought into close contact with the coating film and exposed at an exposure dose of 600 mJ/cm 2 using an ultraviolet exposure apparatus (“HTE-5102S (trade name)”, manufactured by Hi-Tech Corporation). Then, it spray-developed with the pressure of 0.18 MPa (1.8kgf/cm<2> ) for 60 second with 1 mass % sodium carbonate aqueous solution, the unexposed part was dissolved and developed, and the test piece was produced. The following criteria evaluated the pattern of the obtained test piece.

A(우량): 100㎛ 및 80㎛의 패턴이 80% 이상 재현되었다.A (good): 80% or more of patterns of 100 µm and 80 µm were reproduced.

B(불량): 100㎛ 및 80㎛의 패턴이 80% 미만 밖에 재현되지 않았다.B (defective): Only less than 80% of patterns of 100 µm and 80 µm were reproduced.

여기서, 마이크로스코프를 사용해서, 700배로 확대하여, 100㎛ 및 80㎛의 패턴을 관찰하고, 100㎛의 패턴의 경우, 패턴 저부가 80㎛ 이상(패턴지름에 대하여 80% 이상)의 크기로 형성되어 있는 경우를, 패턴이 재현된 것으로 하였다. 80㎛의 패턴의 경우, 패턴 저부가 64㎛ 이상의 크기로 형성되어 있는 경우를, 패턴이 재현된 것으로 하였다. 또한, "A", "B"의 판단에 있어서, 100㎛ 및 80㎛의 패턴의 총수에 대하여, 형성된 패턴의 총수가 80% 이상인 경우를, "A"로서 평가했다.Here, using a microscope, magnify 700 times and observe patterns of 100 μm and 80 μm, and in the case of a 100 μm pattern, the bottom of the pattern is formed in a size of 80 μm or more (80% or more with respect to the pattern diameter), A case where there was a pattern was assumed to be reproduced. In the case of the 80 µm pattern, the pattern was reproduced when the pattern bottom was formed to have a size of 64 µm or more. Moreover, in the judgment of "A" and "B", the case where the total number of patterns formed was 80% or more with respect to the total number of 100 micrometers and 80 micrometers patterns was evaluated as "A".

(5)밀착성의 평가(5) Evaluation of adhesion

각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을, 구리표면을 버프 연마(깊이 방향으로 5㎛ 조화(粗化))한 두께 0.6mm의 동장적층 기판("MCL-E-67(상품명)", 히타치가세이(주)제)과 화학 연마(연마제("CZ8101(상품명)", 맥크(주)제)를 사용하여 깊이 방향으로 0.5㎛ 조화)한 두께 0.6mm의 동장적층 기판("MCL-E-67", 히타치가세이(주)제)에, 건조 후의 막 두께가 35㎛가 되도록 스크린 인쇄법으로 도포하여 도막을 형성한 후, 80℃로 20분간 열풍 순환식 건조기를 사용하여 건조시켰다.A copper-clad laminate board (“MCL-E-67 (trade name)”, Hitachi A copper-clad laminated board (“MCL-E-67”) with a thickness of 0.6 mm, obtained by roughening 0.5 μm in the depth direction using an abrasive (“CZ8101 (trade name)”, manufactured by Mack Co., Ltd.) and chemical polishing (manufactured by Sei Co., Ltd.) ", Hitachi Sei Co., Ltd.) was applied by a screen printing method so that the film thickness after drying would be 35 µm to form a coating film, and then dried using a hot air circulation dryer at 80° C. for 20 minutes.

이어서, 도 2에 표시되는, 소정의 구멍 지름의 크기와 구멍 간의 간격 피치(구멍지름의 크기 100㎛ 및 구멍 간의 간격 피치 100㎛, 또는 구멍 지름의 크기 80㎛ 및 구멍 간의 간격 80㎛) 패턴을 가지는 네가티브 마스크를 각각 도막에 밀착시켜, 자외선 노광 장치("HTE-5102S(상품명)", (주)하이테크제)를 사용하여 600mJ/cm2의 노광량으로 노광했다. 그 후, 1질량%의 탄산나트륨 수용액으로 60초간, 0.18MPa(1.8kgf/cm2)의 압력으로 스프레이 현상하여, 미노광부를 용해 현상하였다. 다음으로, 자외선 노광 장치("컨베이어형 UV조사 장치(상품명):, (주)지에스유아사라이팅제)를 사용하여 1000mJ/cm2의 노광량으로 노광하고, 150℃로 1시간 가열하여, 시험편을 제작했다.Then, as shown in FIG. 2, a pattern of a predetermined hole diameter size and a gap pitch between holes (a hole diameter size of 100 µm and a gap pitch between holes of 100 µm, or a hole diameter size of 80 µm and an interval between holes of 80 µm) Each of the negative masks was brought into close contact with the coating film and exposed at an exposure dose of 600 mJ/cm 2 using an ultraviolet exposure apparatus (“HTE-5102S (trade name)”, manufactured by Hi-Tech Corporation). Then, spray development was carried out at the pressure of 0.18 MPa (1.8 kgf/cm<2> ) for 60 second with 1 mass % sodium carbonate aqueous solution, and the unexposed part was dissolved and developed. Next, using an ultraviolet exposure apparatus ("Conveyor type UV irradiation apparatus (brand name):, GS Yuasa Lighting Co., Ltd.)" , exposure at an exposure dose of 1000 mJ/cm 2 , and heating at 150° C. for 1 hour to prepare a test piece did.

얻어진 시험편에 관하여, JIS K5600에 준해, 1mm의 바둑판 눈금을 100개 제작하여, 셀로판 테이프("셀로테이프(상품명)(등록상표)", 니치반(주)제)를 붙인 후, 90°의 방향으로 셀로판 테이프를 강제적으로 박리하는 박리 시험을 실시했다. 바둑판 눈금의 박리 상태를 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다.With respect to the obtained test piece, according to JIS K5600, 100 1 mm checkerboard scales were prepared, and cellophane tape ("Cellotape (trade name) (registered trademark)", manufactured by Nichiban Co., Ltd.) was applied, followed by a direction of 90°. A peel test for forcibly peeling the cellophane tape was performed. The peeling state of the checkerboard scale was observed, and the following references|standards evaluated it.

A(우량): 90/100 이상으로 박리가 없었다.A (excellent): There was no peeling at 90/100 or more.

B(양호): 50/100 이상, 90/100 미만으로 박리가 없었다.B (good): 50/100 or more and less than 90/100, there was no peeling.

C(불량): 0/100 이상, 50/100 미만으로 박리가 없었다.C (defective): 0/100 or more and less than 50/100, and there was no peeling.

(6)내용제성의 평가(6) Evaluation of solvent resistance

상기 (3)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편을, 이소프로필알코올에 실온에서 30분간 침지하여, 외관에 이상이 없는가를 목시 확인하였다. 이어서, 셀로판 테이프("셀로테이프(상품명)(등록상표)", 니치반(주)제)를 붙인 후, 90°의 방향으로 셀로판 테이프를 강제적으로 박리하는 박리 시험을 실시하고, 도막의 박리의 유무를 목시 확인하여, 이하의 기준으로 평가했다.The test piece prepared under the same conditions as the test piece used in the evaluation of the resist shape (3) was immersed in isopropyl alcohol at room temperature for 30 minutes, and it was visually confirmed whether there was any abnormality in the appearance. Next, after affixing a cellophane tape ("Cellophane (trade name) (registered trademark)", manufactured by Nichiban Co., Ltd.), a peel test in which the cellophane tape is forcibly peeled in a direction of 90° is performed, The presence or absence was visually confirmed, and the following reference|standard evaluated.

A(우량): 도막의 외관에 이상이 확인되지 않으며, 또한 박리가 없었다.A (excellent): Abnormality was not recognized in the external appearance of a coating film, and there was no peeling.

B(불량): 도막의 외관에 이상이 확인되거나, 또는 박리 되었다.B (defective): Abnormality was confirmed in the external appearance of a coating film, or it peeled.

(7)내산성의 평가(7) Evaluation of acid resistance

상기 (3)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편을 10질량% 염산 수용액에 실온에서 30분간 침지하여, 외관에 이상이 없는가를 목시 확인하였다. 이어서, 셀로판 테이프("셀로테이프(상품명)(등록상표)", 니치반(주)제)를 붙인 후, 90°의 방향으로 셀로판 테이프를 강제적으로 박리하는 박리 시험을 실시하고, 도막의 박리의 유무를 목시 확인하여, 이하의 기준으로 평가했다.(3) The test piece prepared under the same conditions as the test piece used in the evaluation of the resist shape was immersed in a 10 mass % aqueous hydrochloric acid solution at room temperature for 30 minutes, and it was visually confirmed whether there was any abnormality in the appearance. Next, after affixing a cellophane tape ("Cellophane (trade name) (registered trademark)", manufactured by Nichiban Co., Ltd.), a peel test in which the cellophane tape is forcibly peeled in a direction of 90° is performed, The presence or absence was visually confirmed, and the following reference|standard evaluated.

A(우량): 도막 외관에 이상이 확인되지 않으며, 또한 박리가 없었다.A (excellent): Abnormality was not recognized by the coating-film external appearance, and there was no peeling.

B(불량): 도막 외관에 이상이 확인되거나, 또는 박리 되었다.B (defective): Abnormality was confirmed in the appearance of a coating film, or it peeled.

(8)내알칼리성의 평가(8) Evaluation of alkali resistance

상기 (3)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편을 5질량% 수산화나트륨 수용액에 실온에서 30분간 침지하여, 외관에 이상이 없는가를 목시 확인하였다. 이어서, 셀로판 테이프("셀로테이프(상품명)(등록상표)", 니치반(주)제)를 붙인 후, 90°의 방향으로 셀로판 테이프를 강제적으로 박리하는 박리 시험을 실시하고, 도막의 박리의 유무를 목시 확인하여, 이하의 기준으로 평가했다.The test piece prepared under the same conditions as the test piece used in the evaluation of the resist shape (3) was immersed in a 5 mass % sodium hydroxide aqueous solution at room temperature for 30 minutes, and it was visually confirmed whether there was any abnormality in the appearance. Next, after affixing a cellophane tape ("Cellophane (trade name) (registered trademark)", manufactured by Nichiban Co., Ltd.), a peel test in which the cellophane tape is forcibly peeled in a direction of 90° is performed, The presence or absence was visually confirmed, and the following reference|standard evaluated.

A(우량): 도막 외관에 이상이 확인되지 않으며, 또한 박리가 없었다.A (excellent): Abnormality was not recognized by the coating-film external appearance, and there was no peeling.

B(불량): 도막 외관에 이상이 확인되거나, 또는 박리 되었다.B (defective): Abnormality was confirmed in the appearance of a coating film, or it peeled.

(9)전기 절연성(HAST내성)의 평가(9)Evaluation of electrical insulation (HAST resistance)

빗형 전극(라인/스페이스=10㎛/10㎛)이 형성된 비스말레이미드 트리아진 기판(BT기판) 상에, 건조 후의 막 두께가 35㎛이 되도록, 스크린 인쇄법으로 각 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 도포하여 도막을 형성한 후, 열풍 순환식 건조기를 사용하여 80℃에서 20분간 건조시켰다. 이어서, 자외선 노광 장치("HTE-5102S(상품명)", (주)하이테크제)를 사용하여 1000mJ/cm2의 노광량으로 노광하고, 150℃에서 1시간 가열하여, BT기판 상에 감광성 수지 조성물의 경화 도막을 가지는 시험편을 제작했다. 이 시험편을, 130℃, 습도 85%의 분위기하의 고온 고습조(槽)에 넣어, 전압 5V를 하전(荷電)하고, 168시간, 조(槽)내 HAST 시험을 실시했다. 168시간 경과시의 조내 절연 저항치에 관하여, 이하의 기준으로 평가했다.On a bismaleimide triazine substrate (BT substrate) on which comb-shaped electrodes (line/space = 10 µm/10 µm) were formed, the photosensitive resins of Examples and Comparative Examples were screen-printed to a film thickness of 35 µm after drying. After coating the composition to form a coating film, it was dried at 80° C. for 20 minutes using a hot air circulation dryer. Then, using an ultraviolet exposure apparatus (“HTE-5102S (trade name)”, manufactured by Hi-Tech Co., Ltd.) at an exposure dose of 1000 mJ/cm 2 , heated at 150° C. for 1 hour, the photosensitive resin composition on the BT substrate A test piece having a cured coating film was produced. This test piece was put into a high-temperature, high-humidity tank under an atmosphere of 130°C and a humidity of 85%, a voltage of 5 V was charged, and the HAST test in the tank was performed for 168 hours. The following references|standards evaluated the insulation resistance value in a tank at the time of 168-hour lapse.

A: 108Ω 이상A: 10 8 Ω or more

B: 107Ω 이상 108Ω 미만B: 10 7 Ω or more and less than 10 8 Ω

C: 106Ω 이상 107Ω 이상C: 10 6 Ω or more 10 7 Ω or more

D: 105Ω 이상 106Ω 이상D: 10 5 Ω or more 10 6 Ω or more

E: 105Ω 미만E: less than 10 5 Ω

(10)무전해(無電解) 도금내성의 평가(10) Evaluation of electroless plating resistance

상기 (3)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편에 대하여, 시판품인 무전해 니켈 도금욕(浴) 및 무전해 금 도금욕을 사용하여, 니켈 5㎛, 금 0.05㎛의 조건으로 도금을 실시하고, 테이프 필링에 의하여, 감광성 수지 조성물의 경화 도막의 박리 유무나 도금의 스며듬 유무를 하기의 기준으로 평가하고, 테이프 필링에 의해 레지스트 층의 박리의 유무를 하기의 기준으로 평가했다. With respect to the test piece produced under the same conditions as the test piece used in the evaluation of the resist shape (3) above, a commercially available electroless nickel plating bath and an electroless gold plating bath were used, and the conditions were 5 µm for nickel and 0.05 µm for gold. was plated, and by tape peeling, the presence or absence of peeling of the cured coating film of the photosensitive resin composition and the presence or absence of permeation of the plating were evaluated according to the following criteria, and the presence or absence of peeling of the resist layer by tape peeling was evaluated according to the following criteria. .

A: 스밈, 박리가 없었다.A: There was no smearing or peeling.

B: 도금 후에 약간의 적은 스밈이 확인되었으나, 테이프 필링 후는 박리되지 않았다.B: A little smearing was observed after plating, but it did not peel off after peeling the tape.

C: 도금 후에 약간의 스밈이 확인되고, 테이프 필링 후에 박리도 확인되었으나, 실용상 문제없는 정도였다.C: Slight penetration was observed after plating and peeling was also confirmed after tape peeling, but it was practically no problem.

D: 도금 후에 스밈이 확인되고, 테이프 필링 후에 박리도 확인되었다.D: Smearing was confirmed after plating, and peeling was also confirmed after tape peeling.

E: 도금 후에 현저한 박리가 확인되었다.E: Remarkable peeling was confirmed after plating.

(11)내PCT성의 평가(11) Evaluation of PCT resistance

상기 (3)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편을, 121℃의 포화 수증기 중에 50시간 방치했을 때의, 감광성 수지 조성물의 경화 도막의 부품, 벗겨짐, 및 변색에 관하여 하기의 기준으로 평가했다.(3) The parts, peeling, and discoloration of the cured coating film of the photosensitive resin composition when a test piece prepared under the same conditions as the test piece used in the evaluation of the resist shape was left in saturated steam at 121°C for 50 hours. evaluated on the basis of

A(우량): 도막에 부품, 벗겨짐, 및 변색이 없었다.A (excellent): There were no parts, peeling, and discoloration in the coating film.

B(양호): 도막에 부품, 벗겨짐, 또는 변색이 약간 확인되었다.B (good): Parts, peeling, or discoloration were slightly confirmed in the coating film.

C(불량): 도막에 현저한 부품, 벗겨짐, 또는 변색이 확인되었다.C (defective): A remarkable part, peeling, or discoloration was recognized by the coating film.

(12)내리플로우성의 평가(12) Evaluation of reflow resistance

상기 (3)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편을, 도 3에 표시되는 리플로우 프로파일에 근거하여 처리했을 때의, 감광성 수지 조성물의 경화 도막의 외관에 관하여 하기의 기준으로 평가했다.(3) The appearance of the cured coating film of the photosensitive resin composition when a test piece produced under the same conditions as the test piece used in the evaluation of the resist shape was processed based on the reflow profile shown in FIG. evaluated.

A(우량): 도막 외관에 변화가 없고, 균열의 발생도 확인되지 않았다.A (excellent): There was no change in the appearance of a coating film, and generation|occurrence|production of a crack was not recognized either.

B(양호): 도막에 균열이 약간 확인되었다.B (good): A few cracks were recognized in the coating film.

C(불량): 도막에 균열, 뜨임, 또는 박리가 확인되었다.C (defective): Cracks, tempering, or peeling were confirmed in the coating film.

(13)땜납 내열성의 평가(13) Evaluation of solder heat resistance

상기 (3)레지스트 형상의 평가에서 사용한 시험편과 동일한 조건으로 제작한 시험편에, 무세정형 플럭스("RMA SR-209(상품명)", 센주긴조쿠고교(주)제)를 도포하여, 280℃로 설정한 땜납조에 10초간 침지하고, 도막 외관을 목시 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다.(3) No-clean flux ("RMA SR-209 (trade name)", manufactured by Senju Kinzoku Kogyo Co., Ltd.) was applied to the test piece prepared under the same conditions as the test piece used in the evaluation of the resist shape above, and heated to 280°C. It was immersed in the set solder tank for 10 second, the coating film external appearance was visually observed, and the following reference|standard evaluated.

A: 10초간의 침지를 10회 반복하여도, 레지스트의 도막의 외관 변화는 확인되지 않았다.A: Even if immersion for 10 seconds was repeated 10 times, the change in the appearance of the coating film of the resist was not confirmed.

B: 10초간의 침지를 10회 반복한 바, 약간 레지스트의 도막의 벗겨짐이 확인되었지만, 실용상 문제없는 정도였다.B: When immersion for 10 seconds was repeated 10 times, although peeling of the coating film of a resist was confirmed a little, it was a grade without a problem practically.

C: 10초간의 침지를 10회 반복한 바, 레지스트의 도막의 부품 또는 벗겨짐이 확인되었다.C: When immersion for 10 seconds was repeated 10 times, the parts or peeling of the coating film of a resist was confirmed.

(합성예 1; 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(I)의 합성)(Synthesis Example 1; Synthesis of acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (I))

크레졸 노볼락형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠(주)제, "YDCN704(상품명", 일반식(I)에 있어서, Y1=글리시딜기, R11=메틸기) 220질량부, 아크릴산 72질량부, 하이드로퀴논 1.0질량부, 카비톨아세테이트 180질량부를 혼합하여, 90℃로 가열, 교반하여 반응 혼합물을 용해시켰다. 이어서, 60℃로 냉각한 후, 염화벤질트리메틸암모늄 1질량부를 첨가하고, 100℃로 더 가열하여, 고형분 산가가 1mgKOH/g가 될 때까지 반응시켰다. 이어서, 테트라히드로 무수프탈산 152질량부와 카비톨아세테이트 100질량부를 첨가하고, 80℃로 가열하여, 6시간 교반하였다. 실온까지 냉각한 후, 고형분 농도가 60질량%가 되도록 카비톨아세테이트로 희석하여 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(I)를 얻었다.220 parts by mass of cresol novolak epoxy resin (manufactured by Nippon Steel Chemicals Co., Ltd., "YDCN704 (brand name", in general formula (I), Y 1 =glycidyl group, R 11 =methyl group)), acrylic acid 72 mass part, hydroquinone 1.0 mass part, and carbitol acetate 180 mass parts were mixed, and the reaction mixture was dissolved by heating and stirring at 90 ° C. Then, after cooling to 60 ° C., 1 mass part of benzyl trimethylammonium chloride was added, and 100 It was further heated to ° C., and reacted until the solid content acid value became 1 mgKOH/g. Then, 152 parts by mass of tetrahydrophthalic anhydride and 100 parts by mass of carbitol acetate were added, heated to 80° C., and stirred for 6 hours. After cooling to , it diluted with carbitol acetate so that solid content concentration might be 60 mass %, and acid-modified vinyl group containing epoxy resin (I) was obtained.

(합성예 2; 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(II)의 합성)(Synthesis Example 2; Synthesis of acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (II))

비스페놀 F형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠(주)제, "YDF2001(상품명)", 일반식(II)에 있어서, Y2=글리시딜기, R12=H) 475질량부, 아크릴산 72질량부, 하이드로퀴논 0.5질량부, 카비톨아세테이트 120질량부를 혼합하여, 90℃로 가열, 교반하여 반응 혼합물을 용해하였다. 이어서, 60℃로 냉각한 후, 염화벤질트리메틸암모늄 2질량부를 첨가하고, 100℃로 더 가열하여, 산가가 1mgKOH/g가 될 때까지 반응시켰다. 이어서, 테트라히드로 무수프탈산 230질량부와 카비톨아세테이트 85질량부를 첨가하고, 80℃로 가열하여, 6시간 교반하였다. 실온까지 냉각한 후, 고형분 농도가 60질량%가 되도록 카비톨아세테이트로 희석하여 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(II)를 얻었다.475 parts by mass of bisphenol F-type epoxy resin (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., "YDF2001 (trade name)", in general formula (II), Y 2 =glycidyl group, R 12 =H), 72 mass parts of acrylic acid Part, 0.5 mass parts of hydroquinone, and 120 mass parts of carbitol acetate were mixed, it heated and stirred at 90 degreeC, and melt|dissolved the reaction mixture. Then, after cooling to 60 degreeC, 2 mass parts of benzyl trimethylammonium chlorides were added, it heated further at 100 degreeC, and made it react until an acid value became 1 mgKOH/g. Then, 230 mass parts of tetrahydrophthalic anhydride and 85 mass parts of carbitol acetate were added, it heated at 80 degreeC, and stirred for 6 hours. After cooling to room temperature, it diluted with carbitol acetate so that solid content concentration might be 60 mass %, and the acid-modified vinyl group containing epoxy resin (II) was obtained.

(합성예 3; 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(IV)의 합성)(Synthesis Example 3; Synthesis of acid-modified vinyl group-containing epoxy resin (IV))

온도계, 적하 로트, 냉각관, 및 교반기를 구비한 플라스크에, 80℃에서 용해시킨 비스(4-히드록시페닐)메탄 272질량부를 넣어, 80℃로 교반을 개시했다. 여기에 메탄설폰산 3질량부를 첨가하여, 액체의 온도가 80~90℃의 범위를 유지하도록, 파라포름알데히드(92질량%) 16.3질량부를 1시간에 걸쳐 적하하였다. 적하가 종료된 후, 110℃까지 가열하여, 2시간 교반하였다. 이어서, 메틸이소부틸케톤 1000질량부를 첨가하여, 분액로트로 옮겨 수세하였다. 세정수가 중성을 나타낼 때까지 수세를 계속한 후, 유기층으로부터 용매 및 미반응의 비스(4-히드록시페닐)메탄을 가열 감압하(온도:220℃, 압력:66.7Pa)에서 제거하여, 갈색 고체인 비스페놀계 노볼락 수지 164질량부를 얻었다. 얻어진 비스페놀계 노볼락 수지의 연화점은 74℃, 수산기 당량은 154g/eq였다.272 mass parts of bis(4-hydroxyphenyl)methane melt|dissolved at 80 degreeC was put into the flask provided with the thermometer, the dripping fun, a cooling tube, and a stirrer, and stirring was started at 80 degreeC. 3 mass parts of methanesulfonic acid was added here, and 16.3 mass parts of paraformaldehyde (92 mass %) was dripped over 1 hour so that the temperature of a liquid might maintain the range of 80-90 degreeC. After completion of the dropwise addition, the mixture was heated to 110°C and stirred for 2 hours. Next, 1000 parts by mass of methyl isobutyl ketone was added, and it was transferred to a separation funnel and washed with water. After washing with water was continued until the washing water became neutral, the solvent and unreacted bis(4-hydroxyphenyl)methane were removed from the organic layer under reduced pressure by heating (temperature: 220°C, pressure: 66.7 Pa), and a brown solid 164 parts by mass of phosphorus bisphenol-based novolac resin was obtained. The softening point of the obtained bisphenol-type novolak resin was 74 degreeC, and the hydroxyl equivalent was 154 g/eq.

온도계, 적하 로트, 냉각관, 및 교반기를 구비한 플라스크에, 질소 가스퍼지를 하면서, 얻어진 비스페놀계 노볼락 수지 154질량부, 에피클로로히드린 463질량부, n-부탄올 139질량부, 및 테트라에틸벤질암모늄클로라이드 2질량부를 혼합하여, 용해시켰다. 이어서, 이것을 65℃까지 가열하여, 공비(共沸)하는 압력까지 감압한 후, 수산화나트륨 수용액(49질량%) 90질량부를 5시간에 걸쳐서 적하 속도를 일정하게 하여 적하하고, 30분간 교반하였다. 그 사이, 공비에 의해 유출(留出)된 유출분을, 딘스탁트랩으로 분리하여, 수층(水層)을 제거하고, 유층(油層)을 플라스크(반응계)에 되돌리면서, 반응시켰다. 그 후, 미반응의 에피클로로히드린을 감압 증류(온도: 22℃, 압력: 1.87kPa)에 의해 유거하여 얻어진 조(粗) 에폭시 수지에, 메틸이소부틸케톤 590질량부, n-부탄올 177질량부를 첨가하여 용해시켰다. 이어서, 수산화나트륨 수용액(10질량%) 10질량부를 첨가하여, 80℃에서 2시간 교반했다. 또한, 물 150질량부로 수세를 3회 반복하였다. 3회째의 수세에서 사용한 세정액의 pH가 중성인 것을 확인했다. 이어서, 공비에 의해 플라스크내(반응계내)를 탈수하고, 정밀 여과를 실시한 후, 용매를 감압하(압력: 1.87kPa)로 유거했다. 이와 같이 하여, 갈색의 점조한 액체인, 본 실시 형태에서 사용되는 비스페놀계 노볼락형 에폭시 수지(일반식(IV)에 있어서 Y4=글리시딜기, R13=H의 구성 단위를 가지는 에폭시 수지(a))를 얻었다. 이 에폭시 수지의 수산기 당량은 233g/eq였다.154 parts by mass of the obtained bisphenol novolac resin, 463 parts by mass of epichlorohydrin, 139 parts by mass of n-butanol, and tetraethyl 2 parts by mass of benzylammonium chloride was mixed and dissolved. Subsequently, after heating this to 65 degreeC and pressure-reducing to the azeotropic pressure, 90 mass parts of sodium hydroxide aqueous solution (49 mass %) was dripped over 5 hours at a constant dripping rate, and it stirred for 30 minutes. In the meantime, the effluent that flowed out by azeotroping was separated by a Dean-Stock trap, the water layer was removed, and the oil layer was returned to the flask (reaction system) for reaction. Then, to the crude epoxy resin obtained by distilling unreacted epichlorohydrin under reduced pressure (temperature: 22 degreeC, pressure: 1.87 kPa), 590 mass parts of methyl isobutyl ketone, 177 mass of n-butanol parts were added to dissolve. Next, 10 mass parts of sodium hydroxide aqueous solution (10 mass %) was added, and it stirred at 80 degreeC for 2 hours. Moreover, water washing was repeated 3 times with 150 mass parts of water. It confirmed that the pH of the washing|cleaning liquid used by the 3rd water washing was neutral. Next, the inside of the flask (inside the reaction system) was dehydrated by azeotroping and microfiltration was performed, and then the solvent was distilled off under reduced pressure (pressure: 1.87 kPa). In this way, the bisphenol-based novolac-type epoxy resin used in the present embodiment, which is a brown viscous liquid (in the general formula (IV), Y 4 = glycidyl group, R 13 =H is an epoxy resin having structural units of H). (a)) was obtained. The hydroxyl equivalent of this epoxy resin was 233 g/eq.

얻어진 에폭시 수지(a) 450질량부에, 아크릴산 124질량부, 하이드로퀴논 1.5질량부, 카비톨아세테이트 250질량부를 혼합하여, 90℃로 가열하고, 교반하여 반응 혼합물을 용해하였다. 이어서, 60℃로 냉각한 후, 염화벤질트리메틸암모늄 2질량부를 첨가하고, 100℃로 가열하여, 산가가 1mgKOH/g가 될 때까지 반응시켰다. 다음으로, 테트라히드로 무수프탈산 230질량부와 카비톨아세테이트 180질량부를 첨가하고, 80℃로 가열하여, 6시간 반응시켰다. 이어서, 실온까지 냉각한 후, 고형분 농도가 60질량%가 되도록 카비톨아세테이트로 희석하여, 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지(IV)를 얻었다.To 450 parts by mass of the obtained epoxy resin (a), 124 parts by mass of acrylic acid, 1.5 parts by mass of hydroquinone, and 250 parts by mass of carbitol acetate were mixed, heated to 90° C. and stirred to dissolve the reaction mixture. Then, after cooling to 60 degreeC, 2 mass parts of benzyl trimethylammonium chlorides were added, it heated at 100 degreeC, and was made to react until an acid value became 1 mgKOH/g. Next, 230 mass parts of tetrahydrophthalic anhydride and 180 mass parts of carbitol acetate were added, it heated at 80 degreeC, and was made to react for 6 hours. Then, after cooling to room temperature, it diluted with carbitol acetate so that solid content concentration might be 60 mass %, and the acid-modified vinyl group containing epoxy resin (IV) was obtained.

또한, 수지의 연화점은, JIS-K7234:1986에서 정하는 환구법에 준거하여 측정하고(승온 속도: 5℃/분), 수지의 산가는 중화적정법에 의해 측정했다. 구체적으로는, 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지 1g에 아세톤 30g를 첨가하고, 균일하게 더 용해시킨 후, 지시약인 페놀프탈레인을, 상기 산변성 비닐기 함유 에폭시 수지를 포함하는 용액에 적당량 첨가하고, 0.1N의 수산화칼륨 수용액을 사용하여 적정을 실시하는 것으로 측정했다.In addition, the softening point of resin was measured based on the round-ball method prescribed by JIS-K7234:1986 (temperature increase rate: 5 degreeC/min), and the acid value of resin was measured by the neutralization titration method. Specifically, 30 g of acetone is added to 1 g of the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin, further dissolved uniformly, and an appropriate amount of phenolphthalein, an indicator, is added to the solution containing the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin, 0.1N It was measured by performing titration using the potassium hydroxide aqueous solution of

실시예 1~6, 및 비교예 1~4Examples 1 to 6, and Comparative Examples 1 to 4

표 1에 나타내는 배합 조성에 따라서 조성물을 배합하여, 3개의 롤 밀로 혼련하여 감광성 수지 조성물을 조제했다. 고형분 농도가 70질량%가 되도록 카비톨아세테이트를 첨가하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기의 (평가방법)에 근거해 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 표 1 중의 각 성분의 배합량의 단위는, 질량부이며, 또한 (A)성분의 배합량은 상기의 각 합성예에서 얻어진 에폭시 수지와 용매(카비톨아세테이트)를 포함하는 양을 의미한다.According to the compounding composition shown in Table 1, the composition was mix|blended, it knead|mixed with three roll mills, and the photosensitive resin composition was prepared. Carbitol acetate was added so that solid content concentration might be set to 70 mass %, and the photosensitive resin composition was obtained. Using the obtained photosensitive resin composition, it evaluated based on said (evaluation method). An evaluation result is shown in Table 1. In addition, the unit of the compounding quantity of each component in Table 1 is a mass part, and the compounding quantity of (A) component means the quantity containing the epoxy resin and solvent (carbitol acetate) obtained by each said synthesis example.

Figure 112015128894686-pct00008
Figure 112015128894686-pct00008

*1, 에폭시 수지(I), (II) 및 (IV)를 함유하는 용액(고형분 농도: 60질량%)의 배합량이다.*1, it is the compounding quantity of the solution (solid content concentration: 60 mass %) containing epoxy resin (I), (II), and (IV).

주)표 1 중의 각 재료의 상세는 이하와 같다.Note) Details of each material in Table 1 are as follows.

이르가큐어819: 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 819: bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide (manufactured by BASF Japan, trade name)

다로큐어TPO: 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드(BASF재팬(주)제, 상품명)Darocure TPO: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide (manufactured by BASF Japan, trade name)

이르가큐어907: 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]모르폴리노-1-프로판온(BASF재팬(주)제, 상품명)Irgacure 907: 2-methyl-[4-(methylthio)phenyl]morpholino-1-propanone (BASF Japan Co., Ltd. product name)

함질소복소환 화합물 1: 트리아미노트리아진, 평균 입자 지름: 4㎛Nitrogen-containing heterocyclic compound 1: triaminotriazine, average particle diameter: 4 µm

함질소복소환 화합물 2: 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진, 평균 입자 지름: 4㎛Nitrogen-containing heterocyclic compound 2: 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, average particle diameter: 4 µm

함질소복소환 화합물 3: 2-페닐-4-메틸이미다졸, 평균 입자 지름: 3㎛Nitrogen-containing heterocyclic compound 3: 2-phenyl-4-methylimidazole, average particle diameter: 3 µm

함질소복소환 화합물 4: 2-페닐이미다졸린, 평균 입자 지름: 3㎛Nitrogen-containing heterocyclic compound 4: 2-phenylimidazoline, average particle diameter: 3 µm

함질소복소환 화합물 1': 트리아미노트리아진, 평균 입자 지름: 18㎛Nitrogen-containing heterocyclic compound 1': triaminotriazine, average particle diameter: 18 µm

함질소복소환 화합물 2': 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진, 평균 입자 지름: 20㎛Nitrogen-containing heterocyclic compound 2': 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, average particle diameter: 20 µm

함질소복소환 화합물 3': 2-페닐-4-메틸이미다졸, 평균 입자 지름: 15㎛Nitrogen-containing heterocyclic compound 3': 2-phenyl-4-methylimidazole, average particle diameter: 15 µm

카야래드DPHA: 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트(닛뽄카야쿠(주)제, 상품명)Kayarad DPHA: dipentaerythritol pentaacrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., brand name)

에피코트828: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠(주)제, 상품명)Epicoat 828: Bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., trade name)

표 1에 표시되는 결과로부터, 실시예 1~6의 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 영구 마스크 레지스트(땜납 레지스트)가 구멍 지름의 크기와 구멍 간의 간격 피치(구멍지름의 크기 100㎛이면서 구멍 간의 간격 피치 100㎛, 또는 구멍 지름의 크기가 80㎛이면서 구멍 간의 간격 80㎛)라고 하는 고정밀 패턴이어도, 우수한 표면 경화성과 저부 경화성을 유지하며, 언더컷, 하단폭 당김, 또는 두꺼워짐이 확인되거나, 또는 패턴 윤곽의 직선성이 나쁘다거나 하지 않고, 우수한 레지스트 형상을 얻을 수 있으며, 바이어 지름 정도가 우수함이 확인되었다.From the results shown in Table 1, in the photosensitive resin compositions of the present invention of Examples 1 to 6, the permanent mask resist (solder resist) had the size of the hole diameter and the pitch pitch between the holes (the gap between the holes while the size of the hole was 100 µm) Even with a high-precision pattern with a pitch of 100 µm or a hole diameter of 80 µm and a spacing between holes of 80 µm), excellent surface hardening and bottom hardenability are maintained, and undercut, bottom width pulling, or thickening is confirmed, or the pattern It was confirmed that the linearity of the outline was not bad, an excellent resist shape could be obtained, and that the via diameter accuracy was excellent.

또한, 전기 절연성(HAST내성)이나 무전해 도금내성을 비롯한 각종 성능에도 우수함이 확인되었다.In addition, it was confirmed that it was excellent in various performances including electrical insulation (HAST resistance) and electroless plating resistance.

이에 대해 비교예 1~4에서는, 표면 경화성 및 저부 경화성이 낮고, 레지스트 형상의 문제가 해소되지 않으며, 또한, 영구 마스크 레지스트(땜납 레지스트)의 패턴 주위의 두꺼워짐도 발생되어 불충분한 결과였다. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 4, the surface hardenability and bottom hardenability were low, the problem of the resist shape was not solved, and the thickness around the pattern of the permanent mask resist (solder resist) also occurred, which was an insufficient result.

산업상의 사용 가능성INDUSTRIAL APPLICABILITY

본 발명에 의하면, 레지스트 형상이 우수하며, 해상성이 우수한 패턴을 형성할 수 있으며, 내PCT성(내습열성), 내리플로우성, 전기 절연성(HAST내성), 및 무전해 도금내성에 더하여, 내열성, 내용제성, 내약품성(내알칼리성, 내산성), 및 밀착성이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 미세화한 구멍지름의 크기와 구멍 간의 간격 피치의 형성 안정성이 우수한, 패턴 형성이 가능한 영구 마스크 레지스트를 얻을 수 있다. 영구 마스크 레지스트는, 프린트 배선판에 적합하게 사용되며, 특히, 최근의 소형화나 고성능화에 수반한 미세화한 구멍 지름의 크기와 구멍 간의 간격 피치를 가지는 프린트 배선판에 적합하게 사용된다.According to the present invention, a pattern having excellent resist shape and excellent resolution can be formed, and in addition to PCT resistance (moisture and heat resistance), reflow resistance, electrical insulation (HAST resistance), and electroless plating resistance, heat resistance , solvent resistance, chemical resistance (alkali resistance, acid resistance), and a photosensitive resin composition capable of forming a pattern with excellent adhesion, a pattern-forming permanent mask with excellent stability in the formation of fine pore diameter size and spacing pitch register can be obtained. A permanent mask resist is used suitably for a printed wiring board, Especially, it is used suitably for the printed wiring board which has the size of the hole diameter miniaturized with recent miniaturization and performance improvement, and the space|interval pitch between holes.

Claims (17)

(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지, (B)광중합 개시제, (C)함질소복소환 화합물, 및 (D)광중합성 화합물을 함유하고, 그 (C)함질소복소환 화합물의 평균 입자 지름이 0.5∼5㎛인 감광성 수지 조성물로서,
상기 (C)함질소복소환 화합물이, 이미다졸 화합물 및 이미다졸린 화합물로부터 선택되는 적어도 1종인 감광성 수지 조성물.
(A) acid-modified vinyl group-containing epoxy resin, (B) photoinitiator, (C) nitrogen-containing heterocyclic compound, and (D) photopolymerizable compound are contained, and the average particle diameter of the (C) nitrogen-containing heterocyclic compound As this 0.5-5 micrometers photosensitive resin composition,
The photosensitive resin composition whose said (C) nitrogen-containing heterocyclic compound is at least 1 sort(s) chosen from an imidazole compound and an imidazoline compound.
제1항에 있어서,
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (C)함질소복소환 화합물의 함유량이, 0.05∼10질량부인 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition whose content of the (C) nitrogen-containing heterocyclic compound which makes solid content whole quantity in the photosensitive resin composition 100 mass parts is 0.05-10 mass parts.
제1항에 있어서,
(A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지가, 일반식(I)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 일반식(II)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 일반식(III)으로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 일반식(IV)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀 노볼락형 에폭시 수지, 및 일반식(V)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀 노볼락형 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종의 에폭시 수지(a)와 비닐기 함유 모노카복실산(b)을 반응시켜 얻어지는 수지(a')와, 포화기 또는 불포화기 함유 다염기산 무수물(c)을 반응시켜 얻어지는 수지인 감광성 수지 조성물.
Figure 112020144200771-pct00009

[식(I) 중, R11은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Y1은 글리시딜기를 나타낸다.]
Figure 112020144200771-pct00010

[식(II) 중, R12는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Y2는 글리시딜기를 나타낸다. 복수의 R12는 동일해도 상이해도 된다.]
Figure 112020144200771-pct00011

[식(III) 중, Y3은 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내고, 적어도 하나의 Y3은 글리시딜기를 나타내고, 복수의 Y3은 동일해도 상이해도 된다.]
Figure 112020144200771-pct00012

[식(IV) 중, R13은 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 설폰기, 또는 트리할로메틸기를 나타내고, Y4는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내고, 적어도 하나의 Y4는 글리시딜기를 나타내고, 복수의 R13은 동일해도 상이해도 된다.]
Figure 112020144200771-pct00013

[식(V) 중, R14는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 설폰기, 또는 트리할로메틸기를 나타내고, Y5는 수소 원자 또는 글리시딜기를 나타내고, 적어도 하나의 Y5는 글리시딜기를 나타내고, 복수의 R14는 동일해도 상이해도 된다.]
According to claim 1,
(A) the acid-modified vinyl group-containing epoxy resin is an epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (I), an epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (II), and represented by the general formula (III) At least one selected from an epoxy resin having a structural unit, a bisphenol novolac-type epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (IV), and a bisphenol novolac-type epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (V) The photosensitive resin composition which is a resin obtained by making resin (a') obtained by making the epoxy resin (a) of a species react with a vinyl group containing monocarboxylic acid (b), and polybasic acid anhydride containing a saturated group or unsaturated group (c).
Figure 112020144200771-pct00009

[In formula (I), R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y 1 represents a glycidyl group.]
Figure 112020144200771-pct00010

[In formula (II), R 12 represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y 2 represents a glycidyl group. A plurality of R 12 may be the same or different.]
Figure 112020144200771-pct00011

[In formula (III), Y 3 represents a hydrogen atom or a glycidyl group, at least one Y 3 represents a glycidyl group, and a plurality of Y 3 may be the same or different.]
Figure 112020144200771-pct00012

[In formula (IV), R 13 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a sulfone group, or a trihalomethyl group, Y 4 represents a hydrogen atom or a glycidyl group, and at least one Y 4 is A glycidyl group is represented, and a plurality of R 13 may be the same or different.]
Figure 112020144200771-pct00013

[In formula (V), R 14 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a sulfone group, or a trihalomethyl group, Y 5 represents a hydrogen atom or a glycidyl group, and at least one Y 5 is A glycidyl group is represented, and a plurality of R 14 may be the same or different.]
제3항에 있어서,
에폭시 수지(a)가, 일반식(I)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 일반식(II)로 표시되는 구성 단위를 가지는 에폭시 수지, 및 일반식(IV)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀 노볼락형 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종인 감광성 수지 조성물.
4. The method of claim 3,
The epoxy resin (a) has an epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (I), an epoxy resin having a structural unit represented by the general formula (II), and a structural unit represented by the general formula (IV) The photosensitive resin composition which is at least 1 sort(s) chosen from bisphenol novolak-type epoxy resin.
제4항에 있어서,
에폭시 수지(a)가, 일반식(IV)로 표시되는 구성 단위를 가지는 비스페놀 노볼락형 에폭시 수지인 감광성 수지 조성물.
5. The method of claim 4,
The photosensitive resin composition in which an epoxy resin (a) is a bisphenol novolak-type epoxy resin which has a structural unit represented by general formula (IV).
제1항에 있어서,
(B)광중합 개시제가, 아실포스핀옥사이드류인 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
(B) The photosensitive resin composition whose photoinitiator is acylphosphine oxides.
제1항에 있어서,
(D)광중합성 화합물이, (메타)아크릴로일기를 함유하는 화합물인 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
(D) The photosensitive resin composition whose photopolymerizable compound is a compound containing a (meth)acryloyl group.
제1항에 있어서,
(E)무기 필러를 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
(E) The photosensitive resin composition which further contains an inorganic filler.
제1항에 있어서,
(F)안료를 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
(F) The photosensitive resin composition which further contains a pigment.
제1항에 있어서,
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 함유량이 20∼80질량부이고, (B)광중합 개시제의 함유량이 0.2∼15질량부이고, (C)함질소복소환 화합물의 함유량이 0.05∼10질량부이며, (D)광중합성 화합물의 함유량이 0.1∼30질량부인 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The content of the (A) acid-modified vinyl group-containing epoxy resin with the total solid content in the photosensitive resin composition being 100 parts by mass is 20 to 80 parts by mass, (B) the content of the photoinitiator is 0.2 to 15 parts by mass, and (C) The photosensitive resin composition whose content of a nitrogen heterocyclic compound is 0.05-10 mass parts, and content of (D) a photopolymerizable compound is 0.1-30 mass parts.
제8항에 있어서,
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 함유량이 20∼80질량부이고, (B)광중합 개시제의 함유량이 0.2∼15질량부이고, (C)함질소복소환 화합물의 함유량이 0.05∼10질량부이고, (D)광중합성 화합물의 함유량이 0.1∼30질량부이며, (E)무기 필러의 함유량이 10∼80질량부인 감광성 수지 조성물.
9. The method of claim 8,
The content of the (A) acid-modified vinyl group-containing epoxy resin with the total solid content in the photosensitive resin composition being 100 parts by mass is 20 to 80 parts by mass, (B) the content of the photoinitiator is 0.2 to 15 parts by mass, and (C) Content of a nitrogen heterocyclic compound is 0.05-10 mass parts, (D) Content of a photopolymerizable compound is 0.1-30 mass parts, (E) The photosensitive resin composition whose content of an inorganic filler is 10-80 mass parts.
제9항에 있어서,
감광성 수지 조성물 중의 고형분 전량을 100질량부로 하는 (A)산변성 비닐기 함유 에폭시 수지의 함유량이 20∼80질량부이고, (B)광중합 개시제의 함유량이 0.2∼15질량부이고, (C)함질소복소환 화합물의 함유량이 0.2∼15질량부이고, (D)광중합성 화합물의 함유량이 0.1∼30질량부이고, (E)무기 필러의 함유량이 10∼80질량부이고, (F)안료의 함유량이 0.1∼5질량부인 감광성 수지 조성물.
10. The method of claim 9,
The content of the (A) acid-modified vinyl group-containing epoxy resin with the total solid content in the photosensitive resin composition being 100 parts by mass is 20 to 80 parts by mass, (B) the content of the photoinitiator is 0.2 to 15 parts by mass, and (C) Content of a nitrogen heterocyclic compound is 0.2-15 mass parts, (D) content of a photopolymerizable compound is 0.1-30 mass parts, (E) content of an inorganic filler is 10-80 mass parts, (F) of a pigment The photosensitive resin composition whose content is 0.1-5 mass parts.
제1항에 있어서,
액체상(液體狀)인, 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
A liquid, photosensitive resin composition.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
영구 마스크 레지스트의 형성에 사용되는 감광성 수지 조성물.
14. The method according to any one of claims 1 to 13,
A photosensitive resin composition used for formation of a permanent mask resist.
지지체와, 그 지지체 상에 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 감광층을 구비하는 감광성 엘리먼트. A photosensitive element comprising: a support; and a photosensitive layer comprising the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 13 on the support. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 영구 마스크 레지스트.The permanent mask resist formed with the photosensitive resin composition in any one of Claims 1-13. 제16항에 기재된 영구 마스크 레지스트를 구비하는 프린트 배선판. A printed wiring board provided with the permanent mask resist of Claim 16.
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