KR102274307B1 - Electric conductivity meter - Google Patents
Electric conductivity meter Download PDFInfo
- Publication number
- KR102274307B1 KR102274307B1 KR1020190088547A KR20190088547A KR102274307B1 KR 102274307 B1 KR102274307 B1 KR 102274307B1 KR 1020190088547 A KR1020190088547 A KR 1020190088547A KR 20190088547 A KR20190088547 A KR 20190088547A KR 102274307 B1 KR102274307 B1 KR 102274307B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- electrical conductivity
- signal
- square wave
- circuit
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/06—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a liquid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/045—Circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/22—Measuring resistance of fluids
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
본 발명은 전극을 접속하는 전극 배선의 선간 용량에 의한 영향을 억제하여, 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측하는 것을 목적으로 한다.
측정관(3)에 부착되어 있는 전극(T1, T2)의 근방 위치에 서브 기판(2)을 배치하고, 구형파(矩形波) 신호를 생성하는 신호 생성 회로(21), 및 전극(T1, T2)으로부터 검출한 검출 신호를 안정화하여 출력하는 버퍼 증폭기(22) 중, 적어도 어느 한쪽 또는 양쪽을, 서브 기판(2)에 탑재한다.An object of the present invention is to measure the electrical conductivity with high precision by suppressing the influence of the interline capacitance of the electrode wiring connecting the electrodes.
A signal generating circuit 21 for generating a square wave signal by arranging the sub-substrate 2 at a position in the vicinity of the electrodes T1 and T2 attached to the measurement tube 3, and the electrodes T1 and T2 ), at least one or both of the buffer amplifiers 22 for stabilizing and outputting the detected signal is mounted on the sub-board 2 .
Description
본 발명은 액체의 전기 전도율을 계측하기 위한 전기 전도율 계측 기술에 관한 것이다.The present invention relates to an electrical conductivity measuring technique for measuring the electrical conductivity of a liquid.
액체의 전기 전도율(도전율)을 계측하는 기기로서, 2전극 방식의 전기 전도율계가 알려져 있다. 2전극 방식의 전기 전도율계는, 2개의 전극 사이에 정현파나 방형파(方形波) 등의 교류 신호를 인가하고, 전극 사이에 발생한 전기 신호를 검출함으로써 액체의 전기 전도율을 구하는 계측기이다. 2전극 방식의 전기 전도율계의 종래 기술에 대해서는, 특허문헌 1 내지 3에 개시가 있다.As an apparatus for measuring the electrical conductivity (conductivity) of a liquid, a two-electrode type electrical conductivity meter is known. A two-electrode type electric conductivity meter is a measuring instrument that applies an alternating current signal such as a sine wave or a square wave between two electrodes and detects an electric signal generated between the electrodes to obtain the electric conductivity of a liquid. About the prior art of the electric conductivity meter of a two-electrode system, there exists an indication in patent documents 1 - 3.
예컨대, 특허문헌 1에는, 2개의 전극을 계측 대상인 액체 중에 담근 상태에 있어서, 한쪽의 전극에 교류 전압을 인가했을 때의 다른쪽의 전극에 유입되는 전류를 검출함으로써, 계측 대상인 액체의 전기 저항으로부터 전기 전도율을 계측하는 2전극 방식의 전기 전도율계가 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2, 3에는, 2개의 전극이 막대형으로 형성된 2전극 방식의 전기 전도율계가 개시되어 있다.For example, in
이러한 2전극 방식의 전기 전도율계에서는, 2개의 전극과 전기 전도율을 도출하는 회로를 한 쌍의 배선으로 연결할 필요가 있는데, 이들 배선의 길이에 따라서는 배선의 임피던스가 커져, 전기 전도율의 계측에 있어서 무시할 수 없게 된다. 따라서, 배선 임피던스의 영향에 의해 전극으로 검출한 신호 파형에 변형이 발생하여, 전기 전도율의 계측 정밀도가 저하된다고 하는 문제점이 있었다.In such a two-electrode type electrical conductivity meter, it is necessary to connect two electrodes and a circuit for deriving electrical conductivity with a pair of wirings. Depending on the length of these wirings, the impedance of the wiring becomes large, so that in measuring electrical conductivity, cannot be ignored. Accordingly, there is a problem that the signal waveform detected by the electrode is deformed due to the influence of the wiring impedance, and the measurement accuracy of the electrical conductivity is lowered.
이 점에 대해서는, 특허문헌 1에 있어서 검토되어 있다. 도 20은 종래의 전기 전도율계의 신호 처리 회로를 도시한 회로도이다. 도 21은 도 20의 전극 사이 및 케이블에 관한 등가 회로이다.About this point, it is examined in
도 20에 도시된 신호 처리 회로(50)에 있어서, 신호 생성 회로(51)에서 생성된 교류 구형파(矩形波)의 인가 전압(Vg)은, 버퍼 증폭기(U1)에서 인가 전압(Vg')으로 안정화된 후, 단자(N1) 및 전극 배선(LT1)을 통해 전극(T1)에 인가된다. 전극(T2)에 발생한 검출 전류(It)는, 전극 배선(LT2) 및 단자(N2)를 통해 연산 증폭기(U2)와 귀환 저항(Rf)에 입력되고, 검출 전압(Vt)으로 변환된 후, 동기 정류 회로(52)에서 정류되어 직류 전압(Et)으로 변환 출력된다.In the
도 21에 도시된 등가 회로에 있어서, Cp, Rp는, 전극(T1, T2)이 액체와 접액(接液)할 때에 전극-액체 사이에 발생하는 분극 용량 및 분극 저항이고, Rl은, 전극(T1, T2) 사이의 액체에 관한 액체 저항이다. 또한, Cw는, 전극 배선(LT1, LT2) 사이에 발생하는 선간 용량이고, Rw는, LT1, LT2가 갖는 배선 저항이다.In the equivalent circuit shown in Fig. 21, Cp and Rp are the polarization capacitance and polarization resistance generated between the electrode-liquid when the electrodes T1 and T2 come into contact with the liquid, and Rl is the electrode ( It is the liquid resistance with respect to the liquid between T1 and T2). Incidentally, Cw is the interline capacitance generated between the electrode wirings LT1 and LT2, and Rw is the wiring resistance of the LT1 and LT2.
도 21에 도시된 바와 같이, 신호 처리 회로(50)측으로부터 단자(N1, N2)를 통해 전극(T1, T2)측을 본 경우, 분극 용량(Cp) 및 분극 저항(Rp)의 병렬 회로와 액체 저항(Rl)과의 직렬 회로에 대해, 선간 용량(Cw)과 배선 저항(Rw)의 직렬 회로가 병렬 접속되어 있는 것처럼 보인다.As shown in Fig. 21, when the electrode T1, T2 side is viewed from the
특허문헌 1에서는, 이러한 Cp, Cw에 의한 검출 전압(Vt)의 변형의 영향이 작은 타이밍, 예컨대 인가 전압(Vg')의 출력 개시 직후에 발생하는 미분 노이즈의 후이며, 인가 전압(Vg')의 출력 정지 전까지의 기간에 복수 회 Vt를 샘플링하고, 얻어진 복수의 샘플 전압으로부터 Cp, Cw의 영향을 받지 않는 Vt를 계산식으로 구하고 있다.In
그러나, 상기 계산식에서는 선간 용량(Cw)을 무시할 수 있다고 가정하고 있기 때문에, 전극 배선(LT1, LT2)이 길어 Cw를 무시할 수 없는 경우에는, 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측할 수 없다고 하는 문제점이 있었다.However, since the above formula assumes that the interline capacitance Cw is negligible, when the electrode wirings LT1 and LT2 are long and Cw cannot be ignored, there is a problem that the electrical conductivity cannot be measured with high precision. .
일반적으로, 분극 용량(Cp)의 영향을 억제하기 위해서는, T1, T2 사이에 인가하는 인가 전압(Vg)의 주파수를 높게 할 필요가 있다. 그러나, 인가 전압(Vg)의 주파수를 높게 하면 선간 용량(Cw)의 영향이 커지고, T1, T2로부터 얻어지는 검출 전압(Vt)의 변형이 커져, 전기 전도율의 계측 정밀도가 저하되는 원인이 된다. 또한, 전극 배선(LT1, LT2)이 길어지면 길어질수록 Cw가 커지고, 검출 전압(Vt)의 변형이 커져, 전기 전도율의 계측 정밀도가 저하되는 원인이 된다.In general, in order to suppress the influence of the polarization capacitance Cp, it is necessary to increase the frequency of the applied voltage Vg applied between T1 and T2. However, when the frequency of the applied voltage Vg is increased, the influence of the interline capacitance Cw becomes large, the deformation of the detection voltage Vt obtained from T1 and T2 becomes large, and this causes a decrease in the measurement accuracy of the electrical conductivity. In addition, as the electrode wirings LT1 and LT2 become longer, Cw increases, and the deformation of the detection voltage Vt increases, which causes a decrease in the measurement accuracy of electrical conductivity.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위한 것으로, 전극을 접속하는 전극 배선의 선간 용량에 의한 영향을 억제하여, 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측할 수 있는 전기 전도율 계측 기술을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.An object of the present invention is to provide an electrical conductivity measurement technique capable of measuring electrical conductivity with high precision by suppressing the influence of the interline capacitance of electrode wirings for connecting electrodes.
이러한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 전기 전도율계는, 측정관 내의 액체에 관한 전기 전도율을 계측하는 전기 전도율계로서, 미리 설정된 신호 주파수를 갖는 구형파 신호를 생성하는 신호 생성 회로와, 상기 측정관에 부착되어 상기 구형파 신호를 상기 액체에 인가하는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극으로부터 검출한 검출 신호를 안정화하여 출력하는 버퍼 증폭기와, 상기 버퍼 증폭기의 출력을 샘플링함으로써 상기 검출 신호의 진폭을 검출하는 검출 회로와, 상기 진폭에 기초하여 상기 액체에 관한 전기 전도율을 연산 처리에 의해 구하는 연산 처리 회로와, 상기 제1 및 제2 전극의 근방 위치에 배치한 프린트 배선 기판을 구비하고, 상기 신호 생성 회로 및 상기 버퍼 증폭기 중, 적어도 어느 한쪽 또는 양쪽이, 상기 프린트 배선 기판에 탑재되어 있는 것이다.In order to achieve this object, the electrical conductivity meter according to the present invention is an electrical conductivity meter for measuring the electrical conductivity of a liquid in a measuring tube, comprising: a signal generating circuit for generating a square wave signal having a preset signal frequency; First and second electrodes attached to the tube and applying the square wave signal to the liquid, a buffer amplifier stabilizing and outputting the detection signal detected from the first and second electrodes, and sampling the output of the buffer amplifier A detection circuit for detecting the amplitude of the detection signal, an arithmetic processing circuit for calculating the electrical conductivity of the liquid based on the amplitude by arithmetic processing, and a printed wiring board disposed in the vicinity of the first and second electrodes and at least one or both of the signal generating circuit and the buffer amplifier are mounted on the printed wiring board.
또한, 본 발명에 따른 상기 전기 전도율계의 일 구성예는, 상기 신호 생성 회로가, 상기 구형파 신호로서 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전압으로 이루어지는 구형파 정전압 신호를 생성하도록 한 것이다.Further, in one configuration example of the electrical conductivity meter according to the present invention, the signal generating circuit generates a square wave constant voltage signal composed of an alternating square wave voltage having a constant amplitude as the square wave signal.
또한, 본 발명에 따른 상기 전기 전도율계의 일 구성예는, 상기 신호 생성 회로가, 상기 구형파 신호로서 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전류로 이루어지는 구형파 정전류 신호를 생성하도록 한 것이다.Further, in one configuration example of the electrical conductivity meter according to the present invention, the signal generating circuit generates a square wave constant current signal composed of an alternating square wave current having a constant amplitude as the square wave signal.
또한, 본 발명에 따른 상기 전기 전도율계의 일 구성예는, 상기 제1 전극이, 상기 액체와 접액하는 접액 전극으로 이루어지고, 상기 제2 전극은, 상기 측정관의 외주부에 형성되고, 상기 액체와 접액하고 있지 않는 비접액 전극으로 이루어지는 것이다.In addition, in one configuration example of the electrical conductivity meter according to the present invention, the first electrode is made of a contact electrode in contact with the liquid, the second electrode is formed on the outer periphery of the measurement tube, the liquid and a non-contact electrode that is not in contact with the
또한, 본 발명에 따른 상기 전기 전도율계의 일 구성예는, 상기 프린트 배선 기판이 상기 측정관이 삽입되는 관 구멍을 갖고, 상기 관 구멍과 상기 측정관의 외주면이 접촉함으로써, 상기 외주면에 부착되는 것이다.In addition, in one configuration example of the electrical conductivity meter according to the present invention, the printed wiring board has a tube hole into which the measurement tube is inserted, and the tube hole and the outer peripheral surface of the measurement tube are in contact with the outer peripheral surface to be attached to the outer peripheral surface. will be.
또한, 본 발명에 따른 상기 전기 전도율계의 일 구성예는, 상기 프린트 배선 기판의 패턴면에, 상기 제1 및 제2 전극에의 전극 배선을 접속하기 위한 전극 접속 단자와, 상기 신호 생성 회로 및 상기 버퍼 증폭기 중, 적어도 어느 한쪽 또는 양쪽과 상기 전극 접속 단자를 접속하기 위한 배선 패턴이 형성되어 있는 것이다.In addition, one configuration example of the electrical conductivity meter according to the present invention includes, on the pattern surface of the printed wiring board, electrode connection terminals for connecting electrode wirings to the first and second electrodes, the signal generating circuit and A wiring pattern for connecting at least one or both of the buffer amplifiers to the electrode connection terminal is formed.
본 발명에 의하면, 신호 생성 회로나 버퍼 증폭기와 제1 및 제2 전극을 접속하는 전극 배선의 길이를 짧게 할 수 있고, 전극 배선 사이의 선간 용량을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 비교적 높은 신호 주파수를 이용해도, 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측하는 것이 가능해진다.According to the present invention, the length of the electrode wiring connecting the signal generating circuit or the buffer amplifier and the first and second electrodes can be shortened, and the interline capacitance between the electrode wirings can be reduced. For this reason, even if it uses a relatively high signal frequency, it becomes possible to measure electrical conductivity with high precision.
도 1은 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 회로 구성을 도시한 블록도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 측면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 상면도이다.
도 4는 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 사시도이다.
도 5는 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 다른 사시도이다.
도 6은 서브 기판을 도시한 정면도이다.
도 7은 서브 기판을 도시한 이면도이다.
도 8은 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 동작을 도시한 신호 파형도이다.
도 9는 제1 실시형태에 따른 전극측의 등가 회로이다.
도 10은 진폭 데이터와 전기 전도율의 대응 관계를 도시한 특성도이다.
도 11은 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 동작을 도시한 다른 신호 파형도이다.
도 12는 제2 실시형태에 따른 전기 전도율계의 회로 구성을 도시한 블록도이다.
도 13은 구형파 전류원의 구성예이다.
도 14는 제2 실시형태에 따른 전기 전도율계의 동작을 도시한 신호 파형도이다.
도 15는 제2 실시형태에 따른 전극측의 등가 회로이다.
도 16은 제3 실시형태에 따른 전기 전도율계의 측면도이다.
도 17은 제3 실시형태에 따른 전기 전도율계의 상면도이다.
도 18은 제3 실시형태에 따른 전기 전도율계의 사시도이다.
도 19는 제3 실시형태에 따른 전기 전도율계의 다른 사시도이다.
도 20은 종래의 전기 전도율계의 신호 처리 회로를 도시한 회로도이다.
도 21은 도 20의 전극 사이 및 케이블에 관한 등가 회로이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a block diagram which shows the circuit structure of the electrical conductivity meter which concerns on 1st Embodiment.
2 is a side view of an electrical conductivity meter according to the first embodiment.
3 is a top view of an electrical conductivity meter according to the first embodiment.
4 is a perspective view of an electrical conductivity meter according to the first embodiment.
5 is another perspective view of an electrical conductivity meter according to the first embodiment.
6 is a front view showing a sub-substrate.
7 is a rear view illustrating a sub-substrate.
Fig. 8 is a signal waveform diagram showing the operation of the electric conductivity meter according to the first embodiment.
Fig. 9 is an equivalent circuit on the electrode side according to the first embodiment.
10 is a characteristic diagram showing a correspondence relationship between amplitude data and electrical conductivity.
11 is another signal waveform diagram showing the operation of the electrical conductivity meter according to the first embodiment.
Fig. 12 is a block diagram showing the circuit configuration of the electrical conductivity meter according to the second embodiment.
13 is a configuration example of a square wave current source.
14 is a signal waveform diagram showing the operation of the electrical conductivity meter according to the second embodiment.
Fig. 15 is an equivalent circuit on the electrode side according to the second embodiment.
16 is a side view of an electrical conductivity meter according to a third embodiment.
17 is a top view of an electrical conductivity meter according to a third embodiment.
18 is a perspective view of an electrical conductivity meter according to a third embodiment.
19 is another perspective view of an electrical conductivity meter according to a third embodiment.
20 is a circuit diagram showing a signal processing circuit of a conventional electrical conductivity meter.
Fig. 21 is an equivalent circuit between the electrodes and with respect to the cable of Fig. 20;
다음으로, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Next, embodiment of this invention is described with reference to drawings.
[제1 실시형태][First embodiment]
먼저, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계(10)에 대해 설명한다. 도 1은 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 회로 구성을 도시한 블록도이다. 도 2는 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 측면도이다. 도 3은 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 상면도이다. 도 4는 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 사시도이다. 도 5는 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 다른 사시도이다.First, an
본 발명에 따른 전기 전도율계(10)는, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 측정관(3)에 부착된 2개의 전극(T1, T2) 사이에 교류의 구형파 신호(SG)를 인가하고, T1, T2 사이로부터 검출한 검출 신호 즉 검출 전압(Vt)의 진폭에 기초하여, 측정관(3) 내의 액체에 관한 전기 전도율을 구하는 기능을 갖고 있다.The
도 1에 도시된 바와 같이, 전기 전도율계(10)는, 주된 회로부로서, 검출 회로(11), 연산 처리 회로(12), 설정·표시 회로(13), 전송 회로(14), 신호 생성 회로(21), 버퍼 증폭기(22)를 구비하고 있다.As shown in FIG. 1 , the
본 발명은 이들 회로부 중, 신호 생성 회로(21) 및 버퍼 증폭기(22) 중, 적어도 어느 한쪽 또는 양쪽을, 측정관(3)의 외주면 중 전극(T1, T2)의 근방 위치에 부착된 서브 기판(프린트 배선 기판)(2)에 실장하고, 점퍼선(J1, J2)을 통해 전극(T1, T2)을 서브 기판(2)에 전기적으로 접속하도록 한 것이다. 이하에서는, 검출 회로(11), 연산 처리 회로(12), 설정·표시 회로(13), 및 전송 회로(14)를 메인 기판(프린트 배선 기판)(1)에 실장하고, 신호 생성 회로(21) 및 버퍼 증폭기(22)를 서브 기판(2)에 실장한 경우를 예로서 설명한다.In the present invention, at least one or both of the
검출 회로(11)는, 신호 생성 회로(21)를 제어함으로써, 전극(T1, T2)에 대해 미리 설정된 신호 주파수(fg)를 갖는 교류의 구형파 신호(SG)를 인가하는 기능과, 전극(T1, T2)에 발생한 검출 전압(Vt)의 진폭을 검출하여 연산 처리 회로(12)에 출력하는 기능을 갖고 있다.The
본 발명에 따른 전기 전도율계(10)의 바리에이션에 대해서는, 전극(T2)으로서 액체에 접액하지 않는 비접액 전극을 이용해도 좋고, 액체에 접액하는 접액 전극을 이용해도 좋다. 또한, 구형파 신호(SG)로서 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전압으로 이루어지는 구형파 정전압 신호를 이용해도 좋고, 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전류로 이루어지는 구형파 정전류 신호를 이용해도 좋다.Regarding the variation of the
본 실시형태에서는, 전극(T2)이 비접액 전극이고, 구형파 신호(SG)가 구형파 정전압 신호인 경우를 예로서 설명한다. 한편, 구형파 신호(SG)가 구형파 정전류 신호인 경우나, 전극(T2)이 접액 전극인 경우에 대해서는, 다른 실시형태에서 후술한다.In this embodiment, the case where the electrode T2 is a non-contact electrode and the square wave signal SG is a square wave constant voltage signal is demonstrated as an example. On the other hand, the case where the square wave signal SG is a square wave constant current signal and the case where the electrode T2 is a liquid electrode will be described later in another embodiment.
검출 회로(11)는, 주된 회로부로서, 클록 생성 회로(11A), 샘플 홀드 회로(SH 회로)(11B), 및 A/D 변환 회로(ADC 회로)(11C)를 구비하고 있다.The
클록 생성 회로(11A)는, 연산 처리 회로(12)로부터의 클록 신호(CLK0)에 기초하여, 구형파 신호(SG) 생성용의 클록 신호(CLKs)와, 샘플링 제어용의 클록 신호(CLKh, CLKl)를 생성하는 기능을 갖고 있다.The
샘플 홀드 회로(11B)는, 클록 생성 회로(11A)로부터의 클록 신호(CLKh, CLKl)에 기초하여 스위치(SWh, SWl)를 온 오프 제어함으로써, 버퍼 증폭기(22)로부터의 출력 전압(Vt')을 샘플 홀드하고, 얻어진 검출 전압(VH, VL)을 A/D 변환 회로(11C)에 출력하는 기능을 갖고 있다.The sample and hold
A/D 변환 회로(11C)는, 샘플 홀드 회로(11B)로부터의 VH, VL의 차분 전압, 즉 Vt의 진폭 전압을 A/D 변환하고, 얻어진 진폭 데이터(DA)를 연산 처리 회로(12)에 출력하는 기능을 갖고 있다.The A/
메인 기판(1)에 실장되어 있는 커넥터(CN1)는, 4심의 접속 배선(LC)을 통해 서브 기판(2)에 실장되어 있는 커넥터(CN2)와 접속되어 있다. 이에 의해, 메인 기판(1)과 서브 기판(2)이 전기적으로 접속되어 있다. 구체적으로는, CN1의 단자(T11)로부터 LC를 통해 CN2의 단자(T21)에 클록 신호(CLKs)가 공급되고 있다. 또한, CN1의 단자(T12)로부터 LC를 통해 CN2의 단자(T22)에 기준 전압(Vs)이 공급되고 있다. 또한, CN1의 단자(T13)로부터 LC를 통해 CN2의 단자(T23)에 접지 전압(GND)이 공급되고 있다. 또한, CN2의 단자(T24)로부터 LC를 통해 CN1의 단자(T14)에 버퍼 증폭기(22)의 출력 전압(Vt')이 공급되고 있다.The connector CN1 mounted on the
또한, 서브 기판(2)은, 점퍼선(J1, J2)을 통해 제1 및 제2 전극(T1, T2)과 전기적으로 접속되어 있다. 구체적으로는, 서브 기판(2)에 형성된 패드(전극 접속 단자)(P1)가, 점퍼선(J1)을 통해 제1 전극(T1)과 접속되어 있고, 서브 기판(2)에 형성된 패드(전극 접속 단자)(P2)가, 점퍼선(J2)을 통해 제2 전극(T2)과 접속되어 있다. P1은, 서브 기판(2)에 형성된 배선 패턴(LP1)을 통해 서브 기판(2) 상의 접지 전압(GND)과 접속되어 있고, P2는, 서브 기판(2)에 형성된 배선 패턴(LP2)을 통해 서브 기판(2) 상의 신호 생성 회로(21) 및 버퍼 증폭기(22)와 접속되어 있다.Further, the
신호 생성 회로(21)는, 미리 설정된 신호 주파수(fg)를 갖는 구형파 신호(SG), 여기서는 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전압으로 이루어지는 구형파 정전압 신호를 생성하는 기능을 갖고 있다. 구체적으로는, 신호 생성 회로(21)는, 한쪽의 입력 단자가 T22의 기준 전압(Vs)에 접속되고, 다른쪽의 입력 단자가 T23의 접지 전압(GND)에 접속되며, 제어 단자가 T21에 접속된 스위치(SWg)와, 일단이 SWg의 출력 단자에 접속되고, 타단이 LP2를 통해 P2에 접속된 저항 소자(Rg)를 구비하고 있다. 신호 생성 회로(21)는, 검출 회로(11)로부터의 클록 신호(CLKs)에 기초하여, 스위치(SWg)를 전환 제어함으로써, 진폭이 Vs에서 CLKs와 동일한 신호 주파수(fg)를 갖는 구형파 신호(SG)를 생성한다.The
버퍼 증폭기(22)는, 예컨대 연산 증폭기나 버퍼 회로로 이루어지고, 전극(T1, T2)으로부터 검출한 검출 전압(검출 신호)(Vt)을 안정화하여, 출력 전압(Vt')으로서 출력하는 기능을 갖고 있다. 구체적으로는, 버퍼 증폭기(22)에 있어서, 입력 단자는 LP2를 통해 패드(P2)에 접속되고, 출력 단자는 T24에 접속되어 있다.The
연산 처리 회로(12)는, CPU와 프로그램을 협동시킴으로써, 검출 회로(11)에서 얻어진 진폭 데이터(DA)에 기초하여, 측정관(3) 내의 액체에 관한 전기 전도율을 연산 처리에 의해 구하는 기능을 갖고 있다. 연산 처리 회로(12)는, 주된 처리부로서, 전기 전도율 산출부(12A)와 빈 상태 판정부(12B)를 구비하고 있다.The
전기 전도율 산출부(12A)는, 검출 회로(11)에서 얻어진 진폭 데이터(DA)에 기초하여, 측정관(3) 내의 액체에 관한 전기 전도율을 산출하는 기능을 갖고 있다. 구체적으로는, 미리 설정되어 있는 전기 전도율 산출식을 이용하여, 검출 회로(11)로부터의 진폭 데이터(DA)에 대응하는 전기 전도율을 계산해도 좋으나, 진폭 데이터(DA)와 전기 전도율의 대응 관계를 미리 계측하고, 얻어진 특성을 룩업 테이블로서 미리 설정해 두며, 검출 회로(11)로부터의 진폭 데이터(DA)에 기초하여 룩업 테이블을 참조함으로써, 측정관(3) 내의 액체에 관한 전기 전도율을 도출해도 좋다.The electrical
빈 상태 판정부(12B)는, 전기 전도율 산출부(12A)에 의해 산출된 전기 전도율에 기초하여, 측정관(3) 내의 액체의 유무를 판정하는 기능을 갖고 있다. 구체적으로는, 빈 상태 판정부(12B)는, 전기 전도율 산출부(12A)에 의해 산출된 전기 전도율과, 미리 설정되어 있는 임계값 전도율을 비교하고, 산출된 전기 전도율이 임계값 전도율보다 작은 경우, 측정관(3) 내에 액체가 존재하지 않는, 즉 빈 상태라고 판정한다.The empty
설정·표시 회로(13)는, 조작용 버튼이나 LED·LCD 등의 표시 장치를 구비하고, 작업자의 설정 조작 입력을 검출하여 연산 처리 회로(12)에 출력하는 기능과, 연산 처리 회로(12)로부터의 각종 데이터를 표시하는 기능을 구비하고 있다.The setting/
전송 회로(14)는, 전송로(LT)를 통해 컨트롤러 등의 상위 장치(도시하지 않음)와의 사이에서 데이터 전송을 행하는 기능과, 연산 처리 회로(12)에서 얻어진 전기 전도율이나 빈 상태 판정 결과를, 상위 장치에 송신하는 기능을 구비하고 있다.The
[전기 전도율계의 구조][Structure of Electrical Conductivity Meter]
다음으로, 도 2 내지 도 5를 참조하여, 본 실시형태에 따른 전기 전도율계(10)의 구조에 대해 설명한다. 한편, 이하에서는, 편의상, 측정관(3)이 연장되는 방향을 제1 방향(X)이라고 하고, 제1 방향(X)에 직교하는 측정관(3)의 좌우 방향을 제2 방향(Y)이라고 하며, 제1 및 제2 방향(X, Y)에 직교하는 측정관(3)의 상하 방향을 제3 방향(Z)이라고 한다.Next, the structure of the
측정관(3)은, 원통 형상을 이루는 세라믹이나 수지 등의 절연성 및 유전성이 우수한 재료로 이루어지고, 하측 케이스(4)의 내부에 수납되어 있다. 하측 케이스(4)는, 상측에 개구부(4D)를 갖는 바닥이 있는 상자형의 수지, 또는 금속 케이스로 구성되어 있다.The measuring
하측 케이스(4)의 측면 중 제1 방향(X)과 직교하는 한 쌍의 측면(4A)에는, 전기 전도율계(10)의 외부에 설치되는 배관(도시하지 않음)과 측정관(3)을 연결 가능한, 금속 재료(예컨대, SUS)로 구성된 관형의 조인트(5A, 5B)가 배치되어 있다. 측정관(3)은, 제1 방향(X)을 따라 하측 케이스(4)의 내부에 수납되고 측정관(3)의 양단부에는, 한 쌍의 O링(OR)을 사이에 두고 조인트(5A)와 조인트(5B)가 각각 연결된다.On a pair of
여기서, 조인트(5A, 5B) 중 적어도 한쪽은, 전극(제1 전극)(T1)으로서 기능한다. 예컨대, 조인트(5A)는, 접지 전압(GND)(공통 전위)에 접속됨으로써, 외부의 배관과 측정관(3)을 연결할 뿐만이 아니라, 전극(T1)으로서도 기능한다.Here, at least one of the
이와 같이, 전극(T1)을 금속으로 이루어지는 조인트(5A)에 의해 실현함으로써, T1이 액체와 접촉하는 면적이 커진다.In this way, by realizing the electrode T1 by the joint 5A made of metal, the area where T1 comes into contact with the liquid becomes large.
이에 의해, T1에 이물의 부착이나 부식이 발생한 경우라도, 이물의 부착이나 부식이 발생한 부분의 면적이 T1의 전체 면적에 대해 상대적으로 작아지기 때문에, 분극 용량의 변화에 의한 측정 오차를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 조인트(5A)에 접지 전압(GND)이 인가되기 때문에, 조인트(5A)에 접속되는 외부 배관이 금속이어도, 외부 배관이 안테나가 되어 전자파 노이즈를 방사해 버리는 일은 없다. 또한, 조인트(5A)가 전극(T1)으로서 겸용되기 때문에, 별도로 T1을 설치할 필요가 없어, 전기 전도율계(10)의 소형화를 도모할 수 있다.Accordingly, even when foreign matter adhesion or corrosion occurs in T1, since the area of the portion where foreign matter adhesion or corrosion occurs is relatively small with respect to the total area of T1, it is important to suppress measurement errors due to changes in polarization capacity. it becomes possible Moreover, since the ground voltage GND is applied to the joint 5A, even if the external pipe connected to the joint 5A is made of metal, the external pipe does not become an antenna and radiate electromagnetic noise. Further, since the joint 5A is also used as the electrode T1, it is not necessary to separately provide T1, and the size of the
한편, 하측 케이스(4)의 측면 중 제2 방향(Y)과 직교하는 한 쌍의 측면(4B)과 하측 케이스(4)의 바닥면(4E)의 외측면에는, 단면 コ자 형상의 금속판으로 이루어지는 실드(6)가 부착되어 있다. 이에 의해, 전기 전도율계(10)로부터 외부에 방사되는 노이즈를 저감할 수 있다.On the other hand, on the outer surface of a pair of
또한, 측정관(3)의 외주면(3A) 중, 서브 기판(2)을 사이에 두고 조인트(5A)와 반대측에는, 측정관(3)의 전체 둘레에 걸쳐 박막 도체로 이루어지는 면전극(제2 전극)(T2)이, 비접액 전극으로서 패턴 형성되어 있다. 또한, T2 중 서브 기판(2)측의 측단부에는, 패드(P3)가 서브 기판(2)을 향해 돌출되어 형성되어 있다.Further, on the side opposite to the joint 5A of the outer
전술한 바와 같이, 신호 생성 회로(21) 및 버퍼 증폭기(22) 중, 적어도 어느 한쪽을, 측정관(3)의 외주면(3A) 중 전극(T1, T2)의 근방 위치에 부착된 서브 기판(프린트 배선 기판)(2)에 실장하고, 점퍼선(J1, J2)을 통해 전극(T1, T2)을 서브 기판(2)에 전기적으로 접속하도록 한 것이다.As described above, at least one of the
도 6은 서브 기판을 도시한 정면도이다. 도 7은 서브 기판을 도시한 이면도이다.6 is a front view showing a sub-substrate. 7 is a rear view illustrating a sub-substrate.
도 6에 도시된 바와 같이, 서브 기판(2) 중, 조인트(5A)로 이루어지는 전극(T1)측의 기판면(2A)에는, 제2 방향(Y)을 따라 관 구멍(2H)의 측면 위치에 패드(P1)가 패턴 형성되어 있고, J1을 통해 이 P1과 T1을 접속하고 있다. J1은 P1 및 T1의 외표면에 납땜된다.As shown in FIG. 6 , in the
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 서브 기판(2) 중, 전극(T2)측의 기판면(2B)에는, 제3 방향(Z)을 따라 관 구멍(2H)의 상측 위치에 패드(P2)가 패턴 형성되어 있고, J2를 통해 이 P2와 P3을 접속하고 있다. J2는 P2 및 P3에 납땜된다.Further, as shown in FIG. 7 , on the
또한, 기판면(2B) 중, 패드(P2)를 포함하는 관 구멍(2H)의 상측에는, 회로 실장 영역(2G)이 형성되어 있고, 신호 생성 회로(21)나 버퍼 증폭기(22), 나아가서는 커넥터(CN2)가 실장되며, 배선 패턴(LP1, LP2)(도시하지 않음)을 통해 P1, P2가 접속되어 있다.Further, on the
이에 의해, 서브 기판(2)과 전극(T1, T2)을 접속하는 전극 배선, 즉 점퍼선(J1, J2)의 길이를 매우 짧게 할 수 있고, J1, J2의 임피던스를 매우 낮게 억제할 수 있다. 또한, 서브 기판(2)에 신호 생성 회로(21) 또는 버퍼 증폭기(22)를 실장했기 때문에, 메인 기판(1)과 서브 기판(2)을 접속하는 접속 배선(LC)의 임피던스도 낮게 억제할 수 있다. 이 때문에, 전기 전도율의 계측에 있어서, 점퍼선(J1, J2) 나아가서는 접속 배선(LC)의 임피던스를 무시할 수 있다.Thereby, the length of the electrode wiring connecting the
도 2에 도시된 바와 같이, 하측 케이스(4)의 상부에는, 개구부(4D)를 덮도록 상측 케이스(9)가 부착된다. 메인 기판(1)은, 이 상측 케이스(9) 내에 고정되어 있고, 검출 회로(11), 연산 처리 회로(12), 설정·표시 회로(13), 전송 회로(14) 등의 각 회로부가 실장되어 있다. 서브 기판(2)의 커넥터(CN2)는, 접속 배선(LC)을 통해 메인 기판(1)의 커넥터(CN1)와 접속되어 있다.As shown in FIG. 2 , an
한편, 서브 기판(2) 중, 회로 부품이나 배선 패턴 이외의 영역에, 접지 전압(GND)과 접속된 접지 패턴을 형성해도 좋다. 이에 의해, 전기 전도율계(10)의 외부로부터 전극(T2)에 혼입되는 노이즈를 저감할 수 있고, 측정 오차를 억제하는 것이 가능해진다.In addition, you may form the ground pattern connected to the ground voltage GND in the area|region other than a circuit component and a wiring pattern of the sub board|
서브 기판(2)에 대해서는, 측정관(3)의 외주면(3A)이면 어느 방향에 부착해도 좋으나, 본 실시형태는, 서브 기판(2)에 형성한 관 구멍(2H)에 측정관(3)을 압입함으로써, 서브 기판(2)을 측정관(3)에 고정하고 있다.The sub-substrate 2 may be attached in any direction as long as it is the outer
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 서브 기판(2) 중, 지면(紙面)을 향해 좌우의 방향인 좌우 방향(Y)의 중앙 위치에는, 측정관(3)을 압입하기 위한 관 구멍(2H)이 형성되어 있다. 이에 의해, 부착 나사 등의 고정 부재를 이용하지 않고 매우 간소한 구성으로, 서브 기판(2)을 측정관(3)에 고정할 수 있다.As shown in FIGS. 6 and 7 , in the
관 구멍(2H)의 크기는, 측정관(3)의 외주부의 크기와 동일하거나 혹은 약간 작게 설정되어 있다. 이때, 관 구멍(2H)은, 측정관(3)의 외주 형상에 맞춰 진원(眞圓) 형상으로 할 필요는 없고, 대략 다각형 형상, 도 6 및 도 7에서는 대략 팔각형 형상으로 해도 좋다. 이에 의해, 관 구멍(2H)의 단부가 외주면(3A)과 부분적으로 접촉하게 되고, 관 구멍(2H)의 단부의 전체 둘레에 걸쳐 외주면(3A)과 접하는 구성과 비교하여, 측정관(3)으로부터 서브 기판(2)에 실장한 신호 생성 회로(21)나 버퍼 증폭기(22)에 전해지는 열의 영향을 억제할 수 있다.The size of the
또한, 관 구멍(2H)과 측정관(3) 사이에 간극(2S)이 이산(離散)되어 형성되기 때문에, 관 구멍(2H)에 대해 측정관(3)을 용이하게 압입할 수 있어, 압입 전용의 지그를 준비할 필요가 없고, 작업 부담을 경감할 수 있다.Further, since the
한편, 관 구멍(2H)의 형상에 대해서는 대략 다각형 형상에 한정되는 것은 아니며, 관 구멍(2H)의 구멍 벽면에 복수의 볼록부를 구비하고, 이 볼록부가 외주면(3A)과 접촉하도록 해도 좋다. 혹은, 관 구멍(2H)의 둘레부의 일부가 서브 기판(2)의 측단부를 향해 직접 개구되는 절결이나 간접적으로 개구되는 슬릿을 형성해도 좋다. 이에 의해, 전술과 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.On the other hand, the shape of the
또한, 본 실시형태에 있어서, 하측 케이스(4)의 측면(4B)의 내벽부(4C)에는, 볼록형 또는 오목형의 레일로 이루어지는 한 쌍의 가이드부(7X, 7Y)가 형성되어 있다. 서브 기판(2)의 측단부(2X, 2Y)가 이들 가이드부(7X, 7Y)에 감합(嵌合)되도록, 하측 케이스(4)의 개구부(4D)로부터 삽입함으로써, 서브 기판(2)을 통해 측정관(3)이 하측 케이스(4)에 부착된다. 이에 의해, 매우 간소한 구조로 서브 기판(2) 나아가서는 측정관(3)을 하측 케이스(4)의 내부에 부착할 수 있다.Further, in the present embodiment, a pair of
한편, 가이드부(7X, 7Y)에 대해서는, 볼록형 부분 또는 오목형 부분이 연장되어 형성되어 있을 필요는 없고, 측단부(2X, 2Y)가 원활하게 삽입되는 간격으로, 볼록형 부분 또는 오목형 부분을 복수로 분리하여 형성해도 좋다. 또한, 도 3에서는, 가이드부(7X, 7Y)가 2개의 돌출부로 이루어지는 경우가 예로서 도시되어 있으나, 돌출부를 대신하여 측단부(2X, 2Y)가 삽입되는 홈이어도 좋다.On the other hand, with respect to the
또한, 가이드부(7X, 7Y)로 서브 기판(2)을 고정할 필요는 없고, 반대로 약간 여유가 있는 편이 조인트(5A, 5B)에 의한 나사 고정 시에, 측정관(3) 혹은 서브 기판(2)에 가해지는 기계적 스트레스를 완화할 수 있다.In addition, it is not necessary to fix the sub-substrate 2 with the
[제1 실시형태의 동작][Operation of the first embodiment]
다음으로, 도 8을 참조하여, 본 실시형태에 따른 전기 전도율계(10)의 동작에 대해 설명한다. 도 8은 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 동작을 도시한 신호 파형도이다.Next, with reference to FIG. 8, the operation|movement of the
여기서는, 전극(T2)이 비접액 전극이고, 구형파 신호(SG)가 구형파 정전압 신호인 경우를 예로서 설명한다.Here, the case where the electrode T2 is a non-contact electrode and the square wave signal SG is a square wave constant voltage signal will be described as an example.
클록 생성 회로(11A)는, 연산 처리 회로(12)로부터의 클록 신호(CLK0)에 기초하여, 구형파 신호(SG) 생성용의 클록 신호(CLKs)와, 샘플링 제어용의 클록 신호(CLKh, CLKl)를 생성한다. 여기서는, CLKs의 주파수, 즉 구형파 신호(SG)의 신호 주파수(fg)가 3 ㎒인 경우가 나타나 있다.The
신호 생성 회로(21)는, CLKs에 기초하여 스위치(SWg)를 온 오프 제어한다. 이에 의해, 도 8에 도시된 바와 같이, 검출 회로(11)로부터 공급된 기준 전압(Vs)과 접지 전압(GND)이, 스위치(SWg)에 의해 신호 주파수(fg)의 반주기마다 전환되고, 저항 소자(Rr)를 통해 전극(T2)에 인가되게 된다. 따라서, 신호 생성 회로(21)로부터 공급된 기준 전압(Vs)은, 저항 소자(Rg)와 전극(T1, T2) 사이의 임피던스로 분압되고, 그 분압 전압이 전극(T1, T2) 사이의 전압, 즉 검출 전압(Vt)이 된다.The
샘플 홀드 회로(11B)는, 클록 생성 회로(11A)로부터의 CLKh에 기초하여, 버퍼 증폭기(22)에서 Vt가 안정화(임피던스 변환)되어 얻어진 출력 전압(Vt') 중, Vs가 공급되고 있는 하이 레벨 기간(TH)(SG의 반주기)에 있어서의 검출 전압(VH)을 샘플링한다. 또한, 샘플 홀드 회로(11B)는, 클록 생성 회로(11A)로부터의 CLKl에 기초하여, Vt' 중, GND가 공급되고 있는 로우 레벨 기간(TL)(SG의 반주기)에 있어서의 검출 전압(VL)을 샘플링한다.The sample and hold
VH, VL을 샘플링하는 타이밍에 대해서는, TH, TL의 전환에 따르는 Vt의 파형 변화나, Vt의 포화의 영향을 받지 않는 시간 위치가 바람직하다. 또한, TH, TL의 개시 시점을 기준으로 한 동일 시간 위치에서 VH, VL을 샘플링하는 것이 바람직하다. 따라서, 예컨대 Vt가 안정되고 있는 TH, TL(SG의 반주기)의 중앙 위치에서 VH, VL을 샘플링하면 된다.As for the timing for sampling VH and VL, it is preferable to have a time position that is not affected by the waveform change of Vt accompanying the switching of TH and TL or the saturation of Vt. In addition, it is preferable to sample VH and VL at the same time position with respect to the start time of TH and TL. Therefore, for example, VH and VL may be sampled at the center positions of TH and TL (half cycle of SG) where Vt is stable.
A/D 변환 회로(11C)는, 샘플 홀드 회로(11B)에서 얻어진 VH와 VL의 차분 전압(ΔVt)을 진폭 데이터(DA)로 A/D 변환하여 출력한다.The A/
일반적으로는, 교류의 검출 전압(Vt)을 전파(全波) 정류하는 방법, 예컨대 TL에 있어서의 검출 전압(Vt)을 Vt의 중간 레벨에서 되접어 TH의 Vt와 가산하는 방법이 고려된다. 그러나, 이러한 방법에서는, TL과 TH의 Vt가 동일하지 않으면, 전파 정류해도 맥류가 남아, 안정된 직류 전압이 되지 않기 때문에, 계측 오차의 원인이 된다.In general, a method of full-wave rectification of the detection voltage Vt of an alternating current, for example, a method in which the detection voltage Vt in TL is folded back at an intermediate level of Vt and added to Vt of TH is considered. However, in this method, if the Vt of TL and TH are not equal, a pulsating current remains even after full-wave rectification, and a stable DC voltage is not obtained, which causes a measurement error.
본 실시형태에 의하면, 교류의 검출 전압(Vt)을 전파 정류하지 않고, TL과 TH에서 각각 별개로 샘플링하고, 얻어진 VH, VL의 차분 전압을 진폭 데이터로서 취득하고 있다.According to the present embodiment, the difference voltage between VH and VL obtained by sampling separately at TL and TH without full-wave rectification of the detected voltage Vt of the alternating current is acquired as amplitude data.
이 때문에, 액체의 유속 변화 등에 의해 Vt에 흔들림이 포함되어 있는 것과 같은 경우나, 외부로부터 액체를 통해 공통 모드 노이즈가 Vt에 혼입되어 있는 것과 같은 경우에도, 진폭 데이터에의 영향을 회피할 수 있고, 전기 전도율의 안정된 계측을 실현할 수 있다.For this reason, the influence on the amplitude data can be avoided even when fluctuations are included in Vt due to a change in the flow velocity of the liquid, etc. or when common mode noise is mixed into Vt through the liquid from the outside. , stable measurement of electrical conductivity can be realized.
전기 전도율 산출부(12A)는, A/D 변환 회로(11C)로부터의 DA에 기초하여, 액체의 전기 전도율을 산출한다.The electrical
또한, 빈 상태 판정부(12B)는, 전기 전도율 산출부(12A)에서 얻어진 전기 전도율을 임계값 전도율과 비교함으로써, 측정관(3) 내가 빈 상태인지 아닌지 판정한다.Moreover, the empty
도 9는 제1 실시형태에 따른 전극측의 등가 회로이다. 전술한 바와 같이, 구형파 신호(SG)의 진폭을 나타내는 인가 전압(Vg)은, 저항 소자(Rg)와 전극(T1, T2) 사이의 임피던스로 분압된다. 이 때문에, 도 9에 도시된 바와 같이, 서브 기판(2)으로부터 본 전극측의 등가 회로는, 신호 생성 회로(21)에 상당하는 구형파 전압원(VG)에 대해, 신호 생성 회로(21)의 저항 소자(Rg)와, 전극(T1, T2) 사이의 임피던스를 나타내는 측의 등가 회로(Zt)가 직렬 접속된 형식이 된다.Fig. 9 is an equivalent circuit on the electrode side according to the first embodiment. As described above, the applied voltage Vg representing the amplitude of the square wave signal SG is divided by the impedance between the resistance element Rg and the electrodes T1 and T2. For this reason, as shown in FIG. 9 , the equivalent circuit on the electrode side viewed from the
이때, Zt에 있어서, 전극(T1, T2)과 액체의 접액 시에 전극-액체 사이에 분극 용량(Cp) 및 분극 저항(Rp)이 발생하고, T2가 비접액 전극이기 때문에, 액체와 전극(T2) 사이에 전극 용량(Ct)이 발생한다. 따라서, 전극(T1, T2) 사이의 액체에 관한 액체 저항을 Rl이라고 하면, Zt는, 분극 용량(Cp) 및 분극 저항(Rp)의 병렬 회로와, 액체 저항(Rl)과, 전극 용량(Ct)이 직렬 접속된 등가 회로로 나타난다. 여기서, 구형파 신호(SG)의 신호 주파수(fg)가 비교적 높은 경우, Cp, Ct의 임피던스는 매우 작아져, 도 8에 도시된 바와 같이, Cp, Rp의 양단 전압(Vcp) 및 Ct의 양단 전압(Vct)은 무시할 수 있는 레벨이 된다. 이에 의해, Zt는, 액체 저항(Rl)만으로 간주할 수 있다.At this time, in Zt, polarization capacitance (Cp) and polarization resistance (Rp) are generated between the electrode-liquid when the electrodes (T1, T2) and the liquid are in contact with the liquid, and since T2 is the non-contact electrode, the liquid and the electrode ( The electrode capacitance Ct is generated between T2). Therefore, if the liquid resistance with respect to the liquid between the electrodes T1 and T2 is R1, Zt is the polarization capacitance Cp and the polarization resistance Rp in parallel circuit, the liquid resistance R1, and the electrode capacitance Ct ) is shown as an equivalent circuit connected in series. Here, when the signal frequency fg of the square wave signal SG is relatively high, the impedances of Cp and Ct become very small, and, as shown in FIG. 8 , the voltages Vcp and both ends of Cp and Rp and Ct. (Vct) becomes a negligible level. Accordingly, Zt can be regarded as only the liquid resistance Rl.
구형파 신호(SG)가, Vs의 중점(Vs/2)을 중심으로 하여 ±Vs/2의 진폭을 갖는 교류 신호라고 생각한 경우, Vg=Vs인 하이 레벨 기간(TH)에 검출된 검출 전압(Vt)을 VH라고 하면, Rg의 양단 전압은 VrgH=Vs-VH가 되고, Zt의 양단 전압(Vz) 즉 액체 저항(Rl)의 양단 전압은 VrlH=VH-Vs/2가 된다. 또한, Vg=GND인 로우 레벨 기간(TL)에 검출된 검출 전압(Vt)을 VL이라고 하면, Rg의 양단 전압은 VrgL=VL이 되고, 액체 저항(Rl)의 양단 전압은 VrlL=Vs/2-VL이 된다.When the square wave signal SG is considered to be an AC signal having an amplitude of ±Vs/2 centered on the midpoint Vs/2 of Vs, the detected voltage Vt detected in the high level period TH where Vg = Vs ) is VH, then the voltage across Rg becomes VrgH=Vs-VH, and the voltage across Zt (Vz), that is, the voltage across the liquid resistance Rl, becomes VrlH=VH-Vs/2. Further, assuming that the detected voltage Vt in the low level period TL where Vg = GND is VL, the voltage across Rg becomes VrgL = VL, and the voltage across the liquid resistance Rl is VrlL = Vs/2 becomes -VL.
따라서, VrgHL=VrgH+VrgL이라고 하고, VrlHL=VrlH+VrlL이라고 한 경우, VrgHL과 VrlHL의 비는, 다음의 식 (1)이 된다.Therefore, when VrgHL = VrgH + VrgL and VrlHL = VrlH + VrlL, the ratio of VrgHL to VrlHL becomes the following formula (1).
[식 (1)][Formula (1)]
여기서, VrgHL과 VrlHL의 비는, Rg와 Rl(≒Zt)의 비와 거의 동일하다고 간주할 수 있기 때문에, Rl은 다음의 식 (2)로 구해진다.Here, since the ratio of VrgHL and VrlHL can be considered to be substantially equal to the ratio of Rg and R1 (≈ Zt), R1 is obtained by the following formula (2).
[식 (2)][Formula (2)]
이때, 식 (2)에 있어서, Rg 및 Vs는 기지이고, 차분 전압(VH-VL)은, SH 회로(11B)에서 검출되고 A/D 변환 회로(11C)에서 진폭 데이터(DA)로 변환되어 연산 처리 회로(12)에 입력된다. 따라서, 전기 전도율 산출부(12A)는, 이들 데이터에 기초하여 Rl을 용이하게 산출할 수 있다.At this time, in Equation (2), Rg and Vs are known, and the differential voltage VH-VL is detected by the
도 10은 진폭 데이터와 전기 전도율의 대응 관계를 도시한 특성도이고, 종축이 진폭 데이터(DA)를 나타내고, 횡축이 전기 전도율을 나타내고 있다. 전기 전도율이 기지의 표준 유체를 복수 종 이용하여 캘리브레이션 작업을 행함으로써, 이러한 진폭 데이터(DA)와 전기 전도율의 대응 관계를 미리 계측하고, 얻어진 특성을 룩업 테이블로서, 예컨대 반도체 메모리(도시하지 않음)에 설정해 두며, 검출 회로(11)로부터의 진폭 데이터(DA)에 기초하여, 전기 전도율 산출부(12A)가, 룩업 테이블을 참조하여, 측정관(3) 내의 액체에 관한 전기 전도율을 도출해도 좋다.Fig. 10 is a characteristic diagram showing the correspondence relationship between amplitude data and electrical conductivity, in which the vertical axis indicates amplitude data DA and the horizontal axis indicates electrical conductivity. By performing a calibration operation using a plurality of standard fluids with known electrical conductivity, the correspondence relationship between such amplitude data DA and electrical conductivity is measured in advance, and the obtained characteristics are used as a lookup table, for example, in a semiconductor memory (not shown). may be set to , and based on the amplitude data DA from the
도 11은 제1 실시형태에 따른 전기 전도율계의 동작을 도시한 다른 신호 파형도이다. 도 8에서는, Cp 및 Ct의 임피던스를 무시할 수 있는 레벨의 신호 주파수로서 fg=3 ㎒인 경우를 예로서 설명하였다. 그러나, fg가 비교적 낮은 경우, 예컨대 도 11에 도시된 바와 같이, fg=150 ㎑인 경우, Cp, Ct의 임피던스를 무시할 수 없게 된다. 이 때문에, Vct나 Vrl, 나아가서는 Vt가 각각의 시정수로 지수 함수적으로 변화하게 되어, VH, VL을 안정되게 검출할 수 없게 된다.11 is another signal waveform diagram showing the operation of the electrical conductivity meter according to the first embodiment. In FIG. 8 , the case where fg = 3 MHz as a signal frequency at a level where the impedances of Cp and Ct can be ignored has been described as an example. However, when fg is relatively low, for example, when fg=150 kHz as shown in FIG. 11, the impedances of Cp and Ct cannot be ignored. For this reason, Vct, Vrl, and further Vt change exponentially with each time constant, and it becomes impossible to detect VH and VL stably.
이와 같이, Vt의 파형이 변형된 경우, 진폭 데이터(DA)의 검출 시에 오차가 포함되기 쉬워지고, 결과로서 전기 전도율에 관한 측정 정밀도의 저하의 요인이 된다. 이 때문에, fg로서, Cp, Ct의 임피던스를 무시할 수 있을 정도의 높은 주파수를 이용할 필요가 있다. 한편, fg를 높게 하면, 도 21에 도시된 종래의 등가 회로와 같이 전극 배선의 선간 용량(Cw)에 의한 영향이 커져 전극 배선에서 신호 누설이 발생하여, Vt의 파형이 변형되는 원인이 된다.In this way, when the waveform of Vt is deformed, errors are likely to be included in the detection of the amplitude data DA, and as a result, it becomes a factor of a decrease in the measurement accuracy regarding the electrical conductivity. For this reason, as fg, it is necessary to use a frequency high enough to ignore the impedances of Cp and Ct. On the other hand, when fg is made high, the influence of the interline capacitance Cw of the electrode wiring increases, as in the conventional equivalent circuit shown in FIG. 21, and signal leakage occurs in the electrode wiring, which causes the waveform of Vt to be deformed.
본 실시형태에서는, 신호 생성 회로(21) 및 버퍼 증폭기(22) 중, 적어도 어느 한쪽 또는 양쪽을, 측정관(3)의 외주면(3A) 중 전극(T1, T2)의 근방 위치에 부착된 서브 기판(2)에 실장하고, 점퍼선(J1, J2)을 통해 전극(T1, T2)을 서브 기판(2)에 전기적으로 접속하도록 한 것이다. 이에 의해, J1, J2에 상당하는 전극 배선의 길이를 매우 짧게 할 수 있고, J1, J2 사이의 선간 용량(Cw)을 작게 할 수 있다. 이 때문에, fg로서, Cp, Ct의 임피던스를 무시할 수 있을 정도의 높은 주파수를 이용해도, J1, J2 사이에서의 신호 누설을 낮게 억제할 수 있다. 따라서, 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측하는 것이 가능해진다.In the present embodiment, at least one or both of the
[제1 실시형태의 효과][Effect of the first embodiment]
이와 같이, 본 실시형태는, 측정관(3)에 부착되어 있는 전극(T1, T2)의 근방 위치에 서브 기판(2)을 배치하고, 구형파 신호(SG)를 생성하는 신호 생성 회로(21), 및 전극(T1, T2)으로부터 검출한 검출 신호를 안정화하여 출력하는 버퍼 증폭기(22) 중, 적어도 어느 한쪽 또는 양쪽을, 서브 기판(2)에 탑재하도록 한 것이다.As described above, in the present embodiment, the
보다 구체적으로는, 신호 생성 회로(21)가, 구형파 신호(SG)로서 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전압으로 이루어지는 구형파 정전압 신호를 생성하도록 한 것이다. 또한, 전극(T1)은, 액체와 접액하는 접액 전극으로 이루어지고, 전극(T2)은, 측정관(3)의 외주부에 형성되고, 액체와 접액하고 있지 않는 비접액 전극으로 이루어지는 것이다.More specifically, the
이에 의해, 신호 생성 회로(21)나 버퍼 증폭기(22)와 전극(T1, T2)을 접속하는 전극 배선, 즉 점퍼선(J1, J2)의 길이를 대폭 단축할 수 있고, 전극 배선 사이의 선간 용량을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 비교적 높은 신호 주파수를 이용해도, 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측하는 것이 가능해진다. 또한, 전극을 접속하는 전극 배선의 선간 용량에 의한 영향을 억제하여, 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측할 수 있다.Thereby, the length of the electrode wiring connecting the
또한, 전극(T2)이 비접액 전극이기 때문에, 전극면에의 오물 부착이나 전극의 부식에 기인하는 계측 오차의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 백금흑과 같은 고가의 접액 전극을 이용할 필요가 없어, 대폭적인 비용 절감을 도모할 수 있다.Further, since the electrode T2 is a non-contact electrode, it is possible to suppress the occurrence of measurement errors due to adhesion of dirt to the electrode surface or corrosion of the electrode. In addition, it is not necessary to use an expensive liquid contact electrode such as platinum black, and a significant cost reduction can be achieved.
또한, 본 실시형태에 있어서, 서브 기판(2)에 측정관(3)이 삽입되는 관 구멍(2H)을 형성하고, 관 구멍(2H)과 측정관(3)의 외주면(3A)이 접촉함으로써, 외주면(3A)에 부착되도록 해도 좋다.Further, in the present embodiment, a
이에 의해, 부착 나사 등의 고정 부재를 이용하지 않고 매우 간소한 구성으로, 서브 기판(2)을 측정관(3)에 고정할 수 있다.Thereby, the
또한, 이러한 구성에 의해, 전극(T1)과 전극(T2) 사이에 측정관(3)의 길이 방향과 직교시켜 서브 기판(2)을 배치할 수 있다. 이 때문에, 서브 기판(2)으로부터 전극(T1, T2)까지의 전극 배선, 즉 점퍼선(J1, J2)을, 상이한 위치 및 방향에 배치·접속할 수 있고, 전극 배선 사이의 선간 용량을 매우 작게 할 수 있다. 또한, 전극(T1)인 조인트(5A)에 금속 배관이 접속된 경우, 액체에의 인가 전류가 금속 배관으로 돌아 들어가 계측 오차가 발생할 가능성이 있으나, 상기 구성에 의해, T1로부터 어느 정도의 거리를 갖고 T2를 용이하게 배치할 수 있다. 따라서, 금속 배관에 대한 인가 전류의 돌아 들어감을 억제할 수 있고, 정밀도 좋게 전기 전도율을 계측하는 것이 가능해진다.In addition, with this configuration, the
또한, 본 실시형태에 있어서, 서브 기판(2)의 패턴면에, 전극(T1, T2)에의 전극 배선을 접속하기 위한 패드(전극 접속 단자)와, 신호 생성 회로(21) 및 버퍼 증폭기(22) 중, 적어도 어느 한쪽 또는 양쪽과 패드를 접속하기 위한 배선 패턴을 형성하도록 해도 좋다.Further, in the present embodiment, on the pattern surface of the
이에 의해, 커넥터를 이용하지 않고, 서브 기판(2)에 실장되어 있는 신호 생성 회로(21)나 버퍼 증폭기(22)와, 전극(T1, T2)을 점퍼선(J1, J2)에 의해 매우 용이하게 접속할 수 있다.Thereby, the
[제2 실시형태][Second embodiment]
다음으로, 도 12를 참조하여, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 전기 전도율계(10)에 대해 설명한다. 도 12는 제2 실시형태에 따른 전기 전도율계의 회로 구성을 도시한 블록도이다.Next, with reference to FIG. 12, the
본 실시형태에서는, 전극(T2)이 비접액 전극이고, 구형파 신호(SG)가 구형파 정전류 신호인 경우를 예로서 설명한다.In this embodiment, the case where the electrode T2 is a non-contact electrode and the square wave signal SG is a square wave constant current signal is demonstrated as an example.
도 12에 도시된 바와 같이, 신호 생성 회로(21)는, 미리 설정된 신호 주파수(fg)를 갖는 구형파 신호(SG), 여기서는 일정 진폭[설정 전류(Is)]을 갖는 교류의 구형파 정전류 신호를 생성하는 기능을 갖고 있다. 구체적으로는, 신호 생성 회로(21)는, 전체로서 온 오프 동작하는 구형파 전류원(IG)으로 이루어지고, T22의 기준 전압(Vs)과 T23의 접지 전압(GND)에 접속되며, T21의 클록 신호(CLKs)에 기초하여, 진폭이 설정 전류(Is)에서 CLKs와 동일한 신호 주파수(fg)를 갖는 구형파 신호(SG)를 생성하는 기능을 갖고 있다.As shown in Fig. 12, the
도 13은 구형파 전류원의 구성예이다. 도 13에 도시된 바와 같이, 구형파 전류원(IG)은, 스위치(SWi), 연산 증폭기(Ug), 및 전류 검출 회로(DET)를 구비하고 있다. SWi는, CLKs에 기초하여 Vs와 GND를 전환 출력하는 아날로그 스위치이다. DET는, IG로부터 출력되는 인가 전류(Ig)의 전류값을 검출하는 회로이다. Ug는, DET로부터의 전류 검출 출력에 기초하여 Ig의 전류값을 설정 전류(Is)로 유지 제어하고, SWi의 출력에 기초하여 Ig의 출력을 온 오프 제어하는 기능을 갖고 있다.13 is a configuration example of a square wave current source. As shown in Fig. 13, the square wave current source IG includes a switch SWi, an operational amplifier Ug, and a current detection circuit DET. SWi is an analog switch that switches and outputs Vs and GND based on CLKs. The DET is a circuit for detecting the current value of the applied current Ig output from the IG. Ug has a function of maintaining and controlling the current value of Ig to a set current Is based on the current detection output from the DET, and turning on/off control of the output of Ig based on the output of SWi.
전술한 저항 소자(Rg)는 불필요하기 때문에, 신호 생성 회로(21)의 출력, 즉 IG의 출력 단자는, 서브 기판(2)에 형성된 배선 패턴(LP2)을 통해 패드(P2)에 접속되어 있다.Since the above-described resistance element Rg is unnecessary, the output terminal of the
본 실시형태에 따른 전기 전도율계(10)에 관한, 그 외의 회로 구성, 및 측정관(3), 전극(T1, T2), 서브 기판(2) 등의 구조에 대해서는, 제1 실시형태와 동일하며, 여기서의 상세한 설명은 생략한다.Other circuit configurations and structures of the measuring
[제2 실시형태의 동작][Operation of the second embodiment]
다음으로, 도 14를 참조하여, 본 실시형태에 따른 전기 전도율계(10)의 동작에 대해 설명한다. 도 14는 제2 실시형태에 따른 전기 전도율계의 동작을 도시한 신호 파형도이다.Next, with reference to FIG. 14, the operation|movement of the
여기서는, 전극(T2)이 비접액 전극이고, 구형파 신호(SG)가 구형파 정전류 신호인 경우를 예로서 설명한다. 한편, 진폭 데이터(DA)에 기초한 전기 전도율의 기본적인 연산 처리에 대해서는, 제1 실시형태와 동일하며, 여기서의 설명은 생략한다.Here, the case where the electrode T2 is a non-contact electrode and the square wave signal SG is a square wave constant current signal will be described as an example. In addition, about the basic calculation process of the electrical conductivity based on the amplitude data DA, it is the same as that of 1st Embodiment, and a description here is abbreviate|omitted.
클록 생성 회로(11A)는, 연산 처리 회로(12)로부터의 클록 신호(CLK0)에 기초하여, 구형파 신호(SG) 생성용의 클록 신호(CLKs)와, 샘플링 제어용의 클록 신호(CLKh, CLKl)를 생성한다. 여기서는, CLKs의 주파수, 즉 구형파 신호(SG)의 신호 주파수(fg)가 150 ㎑인 경우가 나타나 있다.The
신호 생성 회로(21)는, CLKs에 기초하여 구형파 전류원(IG)을 온 오프 제어한다. 이에 의해, 도 14에 도시된 바와 같이, 신호 주파수(fg)의 반주기마다 인가 전류(Ig)가, 미리 설정되어 있는 설정 전류(Is)와 제로 사이에서 전환되어, 전극(T2)에 인가되게 된다. 따라서, 신호 생성 회로(21)로부터 공급된 인가 전류(Ig)에 의해, 전극(T1, T2) 사이에 있어서의 액체의 액체 저항으로 발생한 전압이 전극(T1, T2) 사이의 전압, 즉 검출 전압(Vt)이 된다.The
샘플 홀드 회로(11B)는, 클록 생성 회로(11A)로부터의 CLKh에 기초하여, 버퍼 증폭기(22)에서 Vt가 안정화(임피던스 변환)되어 얻어진 출력 전압(Vt') 중, Is가 공급되고 있는 하이 레벨 기간(TH)(SG의 반주기)에 있어서의 검출 전압(VH)을 샘플링한다. 또한, 샘플 홀드 회로(11B)는, 클록 생성 회로(11A)로부터의 CLKl에 기초하여, Vt' 중, 제로가 공급되고 있는 로우 레벨 기간(TL)(SG의 반주기)에 있어서의 검출 전압(VL)을 샘플링한다.The sample and hold
A/D 변환 회로(11C)는, 샘플 홀드 회로(11B)에서 얻어진 VH와 VL의 차분 전압(ΔVt)을 진폭 데이터(DA)로 A/D 변환하여 출력한다.The A/
전기 전도율 산출부(12A)는, A/D 변환 회로(11C)로부터의 DA에 기초하여, 액체의 전기 전도율을 산출한다.The electrical
또한, 빈 상태 판정부(12B)는, 전기 전도율 산출부(12A)에서 얻어진 전기 전도율을 임계값 전도율과 비교함으로써, 측정관(3) 내가 빈 상태인지 아닌지 판정한다.Moreover, the empty
도 15는 제2 실시형태에 따른 전극측의 등가 회로이다. 본 실시형태에서는, 구형파 신호(SG)로서 구형파 정전류 신호를 이용하고 있기 때문에, 저항 소자(Rg)를 이용할 필요가 없다. 이 때문에, 도 15에 도시된 바와 같이, 서브 기판(2)으로부터 본 전극측의 등가 회로는, 신호 생성 회로(21)의 구형파 전류원(IG)에 대해, 전극(T1, T2) 사이의 임피던스를 나타내는 측의 등가 회로(Zt)가 접속된 형식이 된다.Fig. 15 is an equivalent circuit on the electrode side according to the second embodiment. In this embodiment, since the square wave constant current signal is used as the square wave signal SG, it is not necessary to use the resistance element Rg. For this reason, as shown in FIG. 15 , the equivalent circuit on the electrode side viewed from the
이때, Zt에 있어서, 전극(T1, T2)과 액체의 접액 시에 전극-액체 사이에 분극 용량(Cp) 및 분극 저항(Rp)이 발생하고, T2가 비접액 전극이기 때문에, 액체와 전극(T2) 사이에 전극 용량(Ct)이 발생한다. 따라서, 전극(T1, T2) 사이의 액체에 관한 액체 저항을 Rl이라고 하면, Zt는, 분극 용량(Cp) 및 분극 저항(Rp)의 병렬 회로와, 액체 저항(Rl)과, 전극 용량(Ct)이 직렬 접속된 등가 회로로 나타난다. 여기서, 구형파 신호(SG)의 신호 주파수를 fg=150 ㎑로 한 경우, Cp의 임피던스는 비교적 작으나, Ct의 임피던스가 어느 정도 커지기 때문에, Ct의 양단 전압(Vct) 나아가서는 Vt가 과도적으로 변화하게 된다.At this time, in Zt, polarization capacitance (Cp) and polarization resistance (Rp) are generated between the electrode-liquid when the electrodes (T1, T2) and the liquid are in contact with the liquid, and since T2 is the non-contact electrode, the liquid and the electrode ( The electrode capacitance Ct is generated between T2). Therefore, if the liquid resistance with respect to the liquid between the electrodes T1 and T2 is R1, Zt is the polarization capacitance Cp and the polarization resistance Rp in parallel circuit, the liquid resistance R1, and the electrode capacitance Ct ) is shown as an equivalent circuit connected in series. Here, when the signal frequency of the square wave signal SG is set to fg = 150 kHz, the impedance of Cp is relatively small, but since the impedance of Ct is increased to some extent, the voltage across both ends of Ct (Vct) and thus Vt change transiently. will do
도 11에 도시된 바와 같이, 구형파 신호(SG)로서 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전압으로 이루어지는 구형파 정전압 신호를 이용한 경우, Vct나 액체 저항(Rl)의 양단 전압(Vrl), 나아가서는 Vt가 각각의 시정수로 지수 함수적으로 변화하게 되어, VH, VL을 안정되게 검출할 수 없게 된다.As shown in Fig. 11, when a square wave constant voltage signal composed of an alternating square wave voltage having a constant amplitude is used as the square wave signal SG, Vct, the voltage across both ends of the liquid resistance Rl (Vrl), and further, Vt, respectively It changes exponentially with a time constant of , making it impossible to stably detect VH and VL.
이와 같이, Vt의 파형이 변형된 경우, 진폭 데이터(DA)의 검출 시에 오차가 포함되기 쉬워지고, 결과로서 전기 전도율에 관한 측정 정밀도의 저하의 요인이 된다. 이 때문에, fg로서, Cp, Ct의 임피던스를 무시할 수 있을 정도의 높은 주파수를 이용할 필요가 있다. 한편, fg를 높게 하면, 도 21에 도시된 종래의 등가 회로와 같이 전극 배선의 선간 용량(Cw)에 의한 영향이 커져 전극 배선에서 신호 누설이 발생하여, Vt의 파형이 변형되는 원인이 된다.In this way, when the waveform of Vt is deformed, an error tends to be included in the detection of the amplitude data DA, and as a result, it becomes a factor of a decrease in the measurement accuracy regarding electrical conductivity. For this reason, as fg, it is necessary to use a frequency high enough to ignore the impedances of Cp and Ct. On the other hand, when fg is made high, the effect of the interline capacitance Cw of the electrode wiring increases, as in the conventional equivalent circuit shown in FIG. 21, and signal leakage occurs in the electrode wiring, which causes the waveform of Vt to be deformed.
이에 대해, 본 실시형태에서는, 구형파 신호(SG)로서 구형파 정전류 신호를 이용하고 있기 때문에, fg=150 ㎑로 한 경우에도, Vct 및 Vt의 경사가 직선적이 되어, VH, VL을 안정되게 검출할 수 있다.On the other hand, in the present embodiment, since a square wave constant current signal is used as the square wave signal SG, even when fg = 150 kHz, the slopes of Vct and Vt become linear, enabling stable detection of VH and VL. can
인가 전류(Ig)가 설정 전류(Is)인 하이 레벨 기간(TH)에 검출된 검출 전압(Vt)을 VH로 하고, 그때의 Vrl 및 Vct를 VrlH 및 VctH라고 하면, VH=VrlH+VctH가 된다. 또한, Ig=0인 로우 레벨 기간(TL)에 검출된 검출 전압(Vt)을 VL로 하고, 그때의 Vrl 및 Vct를 VrlL 및 VctL이라고 하면, VL=VrlL+VctL이 된다.Assuming that the detected voltage Vt in the high-level period TH in which the applied current Ig is the set current Is is VH, and Vrl and Vct at that time are VrlH and VctH, VH = VrlH + VctH. . Further, if the detected voltage Vt in the low level period TL in which Ig = 0 is defined as VL, and Vrl and Vct at that time are defined as VrlL and VctL, VL = VrlL+VctL.
이때, 검출한 VH, VL에는, Vct가 포함되지만, CLKh 및 CLKl이 TH, TL(SG의 반주기)의 중앙 위치를 나타내고 있기 때문에, 샘플링된 VH와 VL에 포함되는 VctH와 VctL은 동일해진다. 이에 의해, VH와 VL의 차분 전압(ΔVt)을 채용함으로써 VctH와 VctL이 상쇄되어, Vct를 포함하지 않는 진폭 데이터(DA)를 얻을 수 있다.At this time, although Vct is included in the detected VH and VL, since CLKh and CLKl indicate the central position of TH and TL (half cycle of SG), VctH and VctL included in the sampled VH and VL become the same. Accordingly, by employing the differential voltage ?Vt between VH and VL, VctH and VctL are canceled, and amplitude data DA not including Vct can be obtained.
즉, ΔVt=VH-VL=VrlH-VrlL이 된다. 이에 의해, Ig가 일정하기 때문에, Rl은 다음의 식 (3)으로 구해진다.That is, ?Vt=VH-VL=VrlH-VrlL. Thereby, since Ig is constant, Rl is calculated|required by the following formula (3).
[식 (3)][Equation (3)]
식 (3)에 있어서, Ig는 기지이고, 차분 전압(VH-VL)은, SH 회로(11B)에서 검출되고 A/D 변환 회로(11C)에서 진폭 데이터(DA)로 변환되어 연산 처리 회로(12)에 입력된다. 따라서, 전기 전도율 산출부(12A)는, 이들 데이터에 기초하여 Rl을 용이하게 산출할 수 있다.In Equation (3), Ig is known, and the differential voltage VH-VL is detected by the
이에 의해, fg=150 ㎑인 경우에도, VH, VL을 안정되게 정밀도 좋게 검출할 수 있다. 이에 의해, fg=3 ㎒인 경우와 비교하여, 전극 배선, 즉 점퍼선(J1, J2)의 선간 용량에 의한 영향을 매우 작게 할 수 있고, 매우 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측하는 것이 가능해진다.Thereby, even when fg = 150 kHz, VH and VL can be detected stably and accurately. Thereby, compared with the case of fg=3 MHz, the influence of the interline capacitance of the electrode wirings, that is, the jumper wires J1 and J2, can be very small, and it becomes possible to measure the electrical conductivity with very high precision.
[제2 실시형태의 효과][Effect of the second embodiment]
이와 같이, 본 실시형태는, 측정관(3)에 부착되어 있는 전극(T1, T2)의 근방 위치에 서브 기판(2)을 배치하고, 구형파 신호(SG)를 생성하는 신호 생성 회로(21), 및 전극(T1, T2)으로부터 검출한 검출 신호를 안정화하여 출력하는 버퍼 증폭기(22) 중, 적어도 어느 한쪽 또는 양쪽을, 서브 기판(2)에 탑재하도록 한 것이다.As described above, in the present embodiment, the
보다 구체적으로는, 신호 생성 회로(21)가, 구형파 신호(SG)로서 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전류로 이루어지는 구형파 정전류 신호를 생성하도록 한 것이다. 또한, 전극(T1)은, 액체와 접액하는 접액 전극으로 이루어지고, 전극(T2)은, 측정관(3)의 외주부에 형성되고, 액체와 접액하고 있지 않는 비접액 전극으로 이루어지는 것이다.More specifically, the
이에 의해, 신호 생성 회로(21)나 버퍼 증폭기(22)와 전극(T1, T2)을 접속하는 전극 배선, 즉 점퍼선(J1, J2)의 길이를 짧게 할 수 있고, 전극 배선 사이의 선간 용량을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 비교적 낮은 신호 주파수를 이용해도, 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측하는 것이 가능해진다.Thereby, the length of the electrode wiring connecting the
또한, 구형파 신호(SG)로서 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전류로 이루어지는 구형파 정전류 신호를 이용함으로써, 비접액 전극(T2)을 이용한 경우에 특유의, 액체와 전극(T2) 사이에 발생하는 전극 용량(Ct)의 영향을 대폭 저감할 수 있다. 이에 의해, 구형파 신호(SG)의 신호 주파수(fg)로서 비교적 낮은 주파수를 이용할 수 있기 때문에, J1, J2의 선간 용량에 의한 영향을 더욱 저감할 수 있고, 매우 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측하는 것이 가능해진다.In addition, by using a square wave constant current signal composed of an alternating square wave current having a constant amplitude as the square wave signal SG, the electrode capacitance generated between the liquid and the electrode T2 is characteristic when the non-contact electrode T2 is used. The influence of (Ct) can be significantly reduced. Thereby, since a relatively low frequency can be used as the signal frequency fg of the square wave signal SG, the influence by the interline capacitance of J1 and J2 can be further reduced, and it is possible to measure the electrical conductivity with very high precision. it becomes possible
또한, 본 실시형태에 있어서, 검출 회로(11)가, 구형파 신호(SG)의 반주기의 중앙 시간 위치에서, 검출 전압(Vt)을 샘플링하도록 해도 좋다.In addition, in this embodiment, you may make it the
이에 의해, T2로서 비접액 전극을 이용한 경우에도, 하이 레벨 기간(TH)에 샘플링한 VH에 포함되는 T2의 전극 용량(Ct)의 양단 전압(VctH)과, 로우 레벨 기간(TL)에 샘플링한 VL에 포함되는 Ct의 양단 전압(VctL)이 동일해진다. 따라서, VH와 VL의 차분 전압(ΔVt)을 채용함으로써 VctH와 VctL이 상쇄되어, Vct를 포함하지 않는 진폭 데이터(DA)를 얻을 수 있다. 이 때문에, 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측하는 것이 가능해진다.Accordingly, even when a non-contact electrode is used as T2, the voltage VctH across the electrode capacitance Ct of T2 included in VH sampled in the high level period TH and the voltage VctH sampled in the low level period TL. The voltage (VctL) at both ends of Ct included in VL becomes the same. Accordingly, by employing the differential voltage ?Vt between VH and VL, VctH and VctL are canceled and amplitude data DA not including Vct can be obtained. For this reason, it becomes possible to measure electrical conductivity with high precision.
또한, 본 실시형태에 있어서, 신호 생성 회로(21)의 구형파 전류원(IG)을, 구형파 정전류 신호의 크기를 검출하는 전류 검출 회로(DET)와, 신호 주파수(fg)를 나타내는 클록 신호(CLKs)와 전류 검출 회로(DET)로부터의 검출 결과에 기초하여, 구형파 정전류 신호인 인가 전류(Ig)의 진폭을 설정 전류(Is)로 유지하는 연산 증폭기(Ug)에 의해 구성해도 좋다.Further, in the present embodiment, the square wave current source IG of the
이에 의해, 비교적 간소한 구성으로, 정밀도가 높은 안정된 인가 전류(Ig)를 생성할 수 있다.Thereby, it is possible to generate a stable applied current Ig with high precision with a relatively simple configuration.
[제3 실시형태][Third embodiment]
다음으로, 도 16 내지 도 19를 참조하여, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 전기 전도율계(10)에 대해 설명한다. 도 16은 제3 실시형태에 따른 전기 전도율계의 측면도이다. 도 17은 제3 실시형태에 따른 전기 전도율계의 상면도이다. 도 18은 제3 실시형태에 따른 전기 전도율계의 사시도이다. 도 19는 제3 실시형태에 따른 전기 전도율계의 다른 사시도이다.Next, an
제1 및 제2 실시형태에서는, 전극(T2)으로서 액체에 접액하지 않는 비접액 전극을 이용한 경우를 예로서 설명하였다. 본 실시형태에서는, 전극(T2)으로서 액체에 접액하는 접액 전극을 이용하는 경우에 대해 설명한다. 한편, 본 실시형태는, 제1 및 제2 실시형태의 어느 것에도 적용할 수 있다.In the first and second embodiments, the case where a non-contact electrode that does not come into contact with a liquid was used as the electrode T2 was described as an example. In the present embodiment, a case in which a liquid contact electrode that is in contact with a liquid is used as the electrode T2 will be described. In addition, this embodiment is applicable to either of 1st and 2nd embodiment.
[전기 전도율계의 구조][Structure of Electrical Conductivity Meter]
다음으로, 도 16 내지 도 19를 참조하여, 본 실시형태에 따른 전기 전도율계(10)의 구조에 대해 설명한다. 한편, 이하에서는, 편의상, 측정관(3)이 연장되는 방향을 제1 방향(X)이라고 하고, 제1 방향(X)에 직교하는 측정관(3)의 좌우 방향을 제2 방향(Y)이라고 하며, 제1 및 제2 방향(X, Y)에 직교하는 측정관(3)의 상하 방향을 제3 방향(Z)이라고 한다.Next, with reference to Figs. 16 to 19, the structure of the
측정관(3)은, 원통 형상을 이루는 세라믹이나 수지 등의 절연성 및 유전성이 우수한 재료로 이루어지고, 하측 케이스(4)의 내부에 수납되어 있다. 하측 케이스(4)는, 바닥이 있는 상자형의 수지, 또는 금속 케이스로 구성되어 있다.The measuring
하측 케이스(4)의 측면 중 제1 방향(X)과 직교하는 한 쌍의 측면(4A)에는, 전기 전도율계(10)의 외부에 설치되는 배관(도시하지 않음)과 측정관(3)을 연결 가능한, 금속 재료(예컨대, SUS)로 구성된 관형의 조인트(5A, 5B)가 배치되어 있다. 이때, 측정관(3)은, 길이 방향(X)을 따라 하측 케이스(4)의 내부에 수납되고, 측정관(3)의 양단부에는, 한 쌍의 O링(OR)을 사이에 두고 조인트(5A)와 조인트(5B)가 각각 연결된다.On a pair of
여기서, 조인트(5A, 5B) 중 적어도 한쪽은, 전극(제1 전극)(T1)으로서 기능한다. 예컨대, 조인트(5A)는, 접지 전압(GND)(공통 전위)에 접속됨으로써, 외부의 배관과 측정관(3)을 연결할 뿐만이 아니라, 전극(T1)으로서도 기능한다.Here, at least one of the
이와 같이, 전극(T1)을 금속으로 이루어지는 조인트(5A)에 의해 실현함으로써, T1이 액체와 접촉하는 면적이 커진다. 이에 의해, T1에 이물의 부착이나 부식이 발생한 경우라도, 이물의 부착이나 부식이 발생한 부분의 면적이 T1의 전체 면적에 대해 상대적으로 작아지기 때문에, 분극 용량의 변화에 의한 측정 오차를 억제하는 것이 가능해진다.In this way, by realizing the electrode T1 by the joint 5A made of metal, the area where T1 comes into contact with the liquid becomes large. Accordingly, even when foreign matter adhesion or corrosion occurs in T1, since the area of the portion where foreign matter adhesion or corrosion occurs is relatively small with respect to the total area of T1, it is important to suppress measurement errors due to changes in polarization capacity. it becomes possible
한편, 하측 케이스(4)의 측면 중 제2 방향(Y)과 직교하는 한 쌍의 측면(4B)과 하측 케이스(4)의 바닥면(4E)의 외측면에는, 단면 コ자 형상의 금속판으로 이루어지는 실드(6)가 부착되어 있다. 이에 의해, 전기 전도율계(10)로부터 외부에 방사되는 노이즈를 저감할 수 있다.On the other hand, on the outer surface of a pair of
또한, 측정관(3)의 외주면(3A) 중, 서브 기판(2)을 사이에 두고 조인트(5A)와 반대측에는, 측정관(3)의 벽부를 관통하여 측정관(3) 내로 돌출되도록, 금속 봉체(棒體)로 이루어지는 접액 전극(제2 전극)(T2)이 부착되어 있다. 측정관(3) 내로 돌출된 부분은, 측정관(3) 내의 액체와 접액하게 된다.In addition, among the outer
전술한 바와 같이, 신호 생성 회로(21) 및 버퍼 증폭기(22) 중, 적어도 어느 한쪽을, 측정관(3)의 외주면(3A) 중 전극(T1, T2)의 근방 위치에 부착된 서브 기판(2)에 실장하고, 점퍼선(J1, J2)을 통해 전극(T1, T2)을 서브 기판(2)에 전기적으로 접속하도록 한 것이다. 이때, 구체적으로는, J1은 P1 및 T1의 외표면에 납땜되고, J2는 P2 및 T2에 납땜된다.As described above, at least one of the
[제3 실시형태의 동작][Operation of the third embodiment]
다음으로, 본 실시형태에 따른 전기 전도율계(10)의 동작에 대해 설명한다.Next, the operation of the
전극(T2)을 비접액 전극으로부터 접액 전극으로 변경한 경우, 비접액 전극의 경우에 있어서의 T2와 액체 사이의 전극 용량(Ct)이 없어진다. 이 때문에, 도 9 및 도 15에 도시된 등가 회로(Zt)는, 분극 용량(Cp) 및 분극 저항(Rp)의 병렬 회로와, 액체 저항(Rl)이 직렬 접속된 등가 회로로 나타난다. 본 실시형태에 따른 이 외의 전기 전도율 계측 동작에 대해서는, 제1 및 제2 실시형태와 동일하며, 여기서의 상세한 설명은 생략한다.When the electrode T2 is changed from a non-contact electrode to a liquid electrode, the electrode capacitance Ct between T2 and the liquid in the case of the non-contact electrode disappears. For this reason, the equivalent circuit Zt shown in Figs. 9 and 15 is represented as an equivalent circuit in which the polarization capacitance Cp and the polarization resistor Rp are parallel circuits and the liquid resistance Rl are connected in series. The other electrical conductivity measurement operations according to the present embodiment are the same as in the first and second embodiments, and detailed description thereof is omitted.
[제3 실시형태의 효과][Effect of the third embodiment]
이와 같이, 본 실시형태는, 전극(T1, T2)이, 액체와 접액하는 접액 전극으로 이루어지는 것이다. 이에 의해, T2로서 비접액 전극을 이용한 경우에 특유의, 액체와 전극(T2) 사이에 발생하는 용량(Ct)에 의한 영향을 배제할 수 있고, 구형파 신호(SG)의 신호 주파수로서 비교적 낮은 주파수를 이용할 수 있다. 이 때문에, 전극 배선, 즉 점퍼선(J1, J2)의 선간 용량에 의한 영향을 매우 작게 할 수 있고, 매우 높은 정밀도로 전기 전도율을 계측하는 것이 가능해진다.As described above, in the present embodiment, the electrodes T1 and T2 are formed of a liquid contact electrode in contact with a liquid. Thereby, the influence by the capacitance Ct generated between the liquid and the electrode T2, which is characteristic when a non-contact electrode is used as T2, can be excluded, and a relatively low frequency as the signal frequency of the square wave signal SG. is available. For this reason, the influence by the interline capacitance of the electrode wiring, ie, the jumper wires J1, J2, can be made very small, and it becomes possible to measure the electrical conductivity with very high precision.
[실시형태의 확장][Expansion of embodiment]
이상, 실시형태를 참조하여 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 본 발명의 구성이나 상세에는, 본 발명의 스코프 내에서 당업자가 이해할 수 있는 여러 가지 변경을 할 수 있다. 또한, 각 실시형태에 대해서는, 모순되지 않는 범위에서 임의로 조합하여 실시할 수 있다.As mentioned above, although this invention was demonstrated with reference to embodiment, this invention is not limited to the said embodiment. Various changes that can be understood by those skilled in the art can be made to the configuration and details of the present invention within the scope of the present invention. In addition, about each embodiment, it can implement by combining arbitrarily in the range which does not contradict.
10: 전기 전도율계 1: 메인 기판
2: 서브 기판 2A, 2B: 기판면
2G: 회로 실장 영역 2H: 관 구멍
2S: 간극 2X, 2Y: 측단부
3: 측정관 3A: 외주면
4: 하측 케이스 4A, 4B: 측면
4C: 내벽부 4D: 개구부
4E: 바닥면 5A, 5B: 조인트
6: 실드 7X, 7Y: 가이드부
9: 상측 케이스 11: 검출 회로
11A: 클록 생성 회로 11B: 샘플 홀드 회로(SH 회로)
11C: A/D 변환 회로(ADC 회로) 12: 연산 처리 회로
13: 설정·표시 회로 14: 전송 회로
21: 신호 생성 회로 22: 버퍼 증폭기
VG: 구형파 전압원 IG: 구형파 전류원
T1, T2: 전극 P1, P2, P3: 패드
J1, J2: 점퍼선 LC: 접속 배선
CN1, CN2: 커넥터 LP1, LP2: 배선 패턴
SWg, SWh, SWl, SWi: 스위치 Rg: 저항 소자
CLK0, CLKs, CLKh, CLKl: 클록 신호 Vs: 기준 전압
GND: 접지 전압 SG: 구형파 신호
Vg: 인가 전압 Ig: 인가 전류
Vt, VH, VL: 검출 전압 Vt': 출력 전압
DA: 진폭 데이터10: electrical conductivity meter 1: main board
2:
2G:
2S:
3: Measuring
4:
4C:
4E:
6:
9: upper case 11: detection circuit
11A:
11C: A/D conversion circuit (ADC circuit) 12: arithmetic processing circuit
13: setting/display circuit 14: transmission circuit
21: signal generation circuit 22: buffer amplifier
VG: square wave voltage source IG: square wave current source
T1, T2: Electrodes P1, P2, P3: Pad
J1, J2: Jumper wire LC: Connection wire
CN1, CN2: Connector LP1, LP2: Wiring pattern
SWg, SWh, SWl, SWi: switch Rg: resistance element
CLK0, CLKs, CLKh, CLKl: clock signal Vs: reference voltage
GND: Ground voltage SG: Square wave signal
Vg: applied voltage Ig: applied current
Vt, VH, VL: detection voltage Vt': output voltage
DA: Amplitude data
Claims (6)
미리 설정된 신호 주파수를 갖는 구형파(矩形波) 신호를 생성하는 신호 생성 회로와,
상기 측정관에 부착되어 상기 구형파 신호를 상기 액체에 인가하는 제1 전극 및 제2 전극과,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 검출한 검출 신호를 안정화하여 출력하는 버퍼 증폭기와,
상기 버퍼 증폭기의 출력을 샘플링함으로써 상기 검출 신호의 진폭을 검출하는 검출 회로와,
상기 진폭에 기초하여 상기 액체에 관한 전기 전도율을 연산 처리에 의해 구하는 연산 처리 회로와,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 전극 사이에 배치한 프린트 배선 기판을 포함하고,
상기 신호 생성 회로 및 상기 버퍼 증폭기 중 적어도 어느 하나 또는 둘 다가 상기 프린트 배선 기판에 탑재되고,
상기 제1 전극은 상기 프린트 배선 기판의 제1 면의 배선 패턴에 접속되고,
상기 제2 전극은 상기 제1 면과 반대측의 상기 프린트 배선 기판의 제2 면의 배선 패턴에 접속되는 것을 특징으로 하는 전기 전도율계.An electrical conductivity meter for measuring electrical conductivity of a liquid in a measuring tube, comprising:
a signal generating circuit for generating a square wave signal having a preset signal frequency;
first and second electrodes attached to the measuring tube to apply the square wave signal to the liquid;
a buffer amplifier stabilizing and outputting the detection signal detected from the first electrode and the second electrode;
a detection circuit for detecting the amplitude of the detection signal by sampling the output of the buffer amplifier;
an arithmetic processing circuit for calculating the electrical conductivity of the liquid based on the amplitude by arithmetic processing;
a printed wiring board disposed between the electrodes of the first electrode and the second electrode;
at least one or both of the signal generating circuit and the buffer amplifier are mounted on the printed wiring board;
the first electrode is connected to the wiring pattern of the first surface of the printed wiring board;
and the second electrode is connected to a wiring pattern on a second surface of the printed wiring board opposite to the first surface.
상기 신호 생성 회로는, 상기 구형파 신호로서 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전압으로 이루어지는 구형파 정전압 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 전기 전도율계.According to claim 1,
The signal generating circuit generates a square wave constant voltage signal composed of an alternating square wave voltage having a constant amplitude as the square wave signal.
상기 신호 생성 회로는, 상기 구형파 신호로서 일정 진폭을 갖는 교류의 구형파 전류로 이루어지는 구형파 정전류 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 전기 전도율계. According to claim 1,
The signal generating circuit generates a square wave constant current signal composed of an alternating square wave current having a constant amplitude as the square wave signal.
상기 제1 전극은, 상기 액체와 접액(接液)하는 접액 전극으로 이루어지고, 상기 제2 전극은, 상기 측정관의 외주부에 형성되고, 상기 액체와 접액하지 않는 비접액 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 전도율계.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The first electrode is composed of a contact electrode that is in contact with the liquid, and the second electrode is formed on the outer periphery of the measuring tube and is formed of a non-contact electrode that does not come into contact with the liquid. electrical conductivity meter.
상기 프린트 배선 기판은, 상기 측정관이 삽입되는 관 구멍을 갖고, 상기 관 구멍과 상기 측정관의 외주면이 접촉함으로써, 상기 외주면에 부착되는 것을 특징으로 하는 전기 전도율계.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The printed wiring board has a tube hole into which the measurement tube is inserted, and is attached to the outer peripheral surface when the tube hole and the outer peripheral surface of the measurement tube come into contact with each other.
상기 프린트 배선 기판의 패턴면에, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에의 전극 배선을 접속하기 위한 전극 접속 단자와, 상기 신호 생성 회로 및 상기 버퍼 증폭기 중 적어도 어느 하나 또는 둘 다와 상기 전극 접속 단자를 접속하기 위한 배선 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 전도율계.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
On the pattern surface of the printed wiring board, an electrode connection terminal for connecting electrode wirings to the first electrode and the second electrode, and at least one or both of the signal generating circuit and the buffer amplifier, and the electrode connection An electrical conductivity meter characterized in that a wiring pattern for connecting terminals is formed.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018138542A JP7132015B2 (en) | 2018-07-24 | 2018-07-24 | electrical conductivity meter |
JPJP-P-2018-138542 | 2018-07-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200011372A KR20200011372A (en) | 2020-02-03 |
KR102274307B1 true KR102274307B1 (en) | 2021-07-08 |
Family
ID=69383928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190088547A KR102274307B1 (en) | 2018-07-24 | 2019-07-22 | Electric conductivity meter |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7132015B2 (en) |
KR (1) | KR102274307B1 (en) |
CN (1) | CN110780123B (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11719659B2 (en) * | 2018-04-18 | 2023-08-08 | Universiteit Twente | System and method for measuring conductivity |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010032245A (en) | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Japan Radio Co Ltd | Relative permittivity/conductivity measuring apparatus |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0715490B2 (en) * | 1986-03-10 | 1995-02-22 | 横河電機株式会社 | Conductivity meter circuit |
JP2946265B2 (en) | 1993-06-24 | 1999-09-06 | シャープ株式会社 | Call waiting type telephone device |
JP2001056309A (en) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Tic Keisokuki Kogyo Kk | Conductivity detection electrode and conductivity measuring apparatus using the same |
JP2002296312A (en) | 2001-04-02 | 2002-10-09 | Samson Co Ltd | Electrical conductivity sensor |
TWI221195B (en) * | 2001-09-06 | 2004-09-21 | Tokyo Electron Ltd | Electrostatic capacitance measuring circuit, electrostatic capacitance measuring instrument, and microphone device |
JP2005148007A (en) | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Horiba Advanced Techno Co Ltd | Conductivity meter |
SE527091C2 (en) * | 2003-12-31 | 2005-12-20 | Abb Ab | Method and apparatus for contactless measurement of thickness and electrical conductivity of a measuring object |
CN1821763A (en) * | 2006-03-22 | 2006-08-23 | 黄伟忠 | Method for measuring solution conductivity |
JP5039630B2 (en) * | 2008-04-04 | 2012-10-03 | 株式会社キーエンス | Measurement module |
CN101806776B (en) * | 2010-04-19 | 2012-01-11 | 南京航空航天大学 | Acoustic plate mode wave virtual array sensor system and liquid detection method based on same |
DE102010060465A1 (en) * | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Harald Riegel | Method for calibrating a conductivity cell |
CN102809699B (en) * | 2012-08-24 | 2014-09-03 | 福建师范大学 | Dynamic measurement method for distributed capacitance of electrode concerned in measurement of conductivity of solution |
CN102818936B (en) * | 2012-08-24 | 2014-09-03 | 福建师范大学 | Dynamic testing method for triangular wave excited conductivity cell electrode distribution capacitance |
KR101621233B1 (en) * | 2014-05-26 | 2016-05-16 | 크루셜텍 (주) | Touch detecting apparatus and method |
KR102185888B1 (en) * | 2014-09-15 | 2020-12-03 | 본스인코오포레이티드 | Conductive liquid property measurement using variable phase mixing |
DE102014116505B3 (en) * | 2014-11-12 | 2016-03-31 | Finetek Co., Ltd. | Electromagnetic flowmeter with variable frequency conductivity detection function for a liquid in a pipe |
JP6481443B2 (en) * | 2015-03-19 | 2019-03-13 | 横河電機株式会社 | Electromagnetic flow meter |
EP3289342B1 (en) * | 2015-04-27 | 2019-03-06 | Bitron S.p.A. | Device for sensing electrical conductivity of a liquid, particularly that of a washing bath in a washing machine |
FR3037654B1 (en) * | 2015-06-18 | 2017-06-16 | Ijinus | SENSOR SENSOR FOR ELECTRIC ISOLATORS |
JP2017026359A (en) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | テクノ・モリオカ株式会社 | Water quality sensor |
CN107490726A (en) * | 2016-06-12 | 2017-12-19 | 天津工业大学 | A kind of liquid or gel impedance bioelectrical measurement system and its information acquisition method |
CN106199204A (en) * | 2016-07-27 | 2016-12-07 | 武汉诚迈科技有限公司 | A kind of electrical conductivity of solution measuring instruments based on microcontroller |
JP6851785B2 (en) * | 2016-11-09 | 2021-03-31 | アズビル株式会社 | Electromagnetic flow meter |
CN106645306A (en) * | 2017-02-09 | 2017-05-10 | 中国科学院计算技术研究所 | Electrode apparatus of conductivity sensor |
-
2018
- 2018-07-24 JP JP2018138542A patent/JP7132015B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-22 KR KR1020190088547A patent/KR102274307B1/en active IP Right Grant
- 2019-07-22 CN CN201910661808.7A patent/CN110780123B/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010032245A (en) | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Japan Radio Co Ltd | Relative permittivity/conductivity measuring apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020016500A (en) | 2020-01-30 |
CN110780123A (en) | 2020-02-11 |
JP7132015B2 (en) | 2022-09-06 |
CN110780123B (en) | 2022-02-25 |
KR20200011372A (en) | 2020-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102270974B1 (en) | Electric conductivity meter | |
US10473498B2 (en) | Electromagnetic flow meter including a function of measuring electrical conductivity of a fluid | |
US8521442B2 (en) | Method and device for measuring the electrical conductivity and/or resistivity of a solution | |
US7292022B2 (en) | Current detection resistor, mounting structure thereof and method of measuring effective inductance | |
KR102109916B1 (en) | Electromagnetic flowmeter | |
KR102190189B1 (en) | Electronic flow meter | |
KR102274307B1 (en) | Electric conductivity meter | |
US10712186B2 (en) | Measuring pipe press fitted in a pipe hole of a circuit board with a guide provided on an inner wall of a case body | |
US7079961B2 (en) | Method and apparatus for measuring impedance of electrical component under high interference conditions | |
US11067525B2 (en) | Electrical conductivity meter | |
JP2003121477A (en) | Structure and method for mounting current detecting resistor | |
US20080290856A1 (en) | Device, Probe, and Method for the Galvanically Decoupled Transmission of a Measuring Signal | |
JPH09211046A (en) | Method and apparatus for non-contact detection of potential | |
US7332914B2 (en) | Conductor inspection apparatus and conductor inspection method | |
US7855544B1 (en) | AC low current probe card | |
JP2021032681A (en) | Electromagnetic flowmeter | |
JPH06160456A (en) | Non-contact circuit route inspection device | |
JP2000111625A (en) | Measuring system | |
JP2001159645A (en) | High-frequency current-detecting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |