KR102270820B1 - Conductive polymer solution and cured product thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전도성 고분자 용액 및 이의 경화 도막에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전도성 고분자 용액은 50 내지 100 nm 범위의 입경 분포를 갖는 입자상 성분을 포함함으로써, 스케터링 현상을 일으키지 않는 범위에서 비교적 큰 입자를 가지며, 높은 전도도를 구현할 수 있고, 비교적 높은 점도를 구현하여, 코팅 작업 시, 전도성 고분자의 결합이 끊어지는 것을 방지할 수 있다.The present invention relates to a conductive polymer solution and a cured coating film thereof, wherein the conductive polymer solution according to the present invention contains a particulate component having a particle size distribution in the range of 50 to 100 nm, thereby producing relatively large particles in a range that does not cause scattering. It has, it is possible to implement high conductivity, and to implement a relatively high viscosity, it is possible to prevent the bonding of the conductive polymer from breaking during the coating operation.

Description

전도성 고분자 용액 및 이의 경화 도막{Conductive polymer solution and cured product thereof}Conductive polymer solution and cured coating film thereof

본 발명은 전도성 고분자 용액 및 이의 경화 도막에 관한 것이다.
The present invention relates to a conductive polymer solution and a cured coating film thereof.

컴퓨터를 포함한 각종 가전기기와 통신기기가 디지털화되고 급속히 고성능화 됨에 따라 전자기기의 전극으로 사용하기 위한 투명 전도성 물질에 대한 개발이 요구되고 있다. 예를 들어, 휴대 가능한 디스플레이를 구현하기 위해서는, 디스플레이용 전극 재료는 투명하면서도 낮은 저항을 나타내야 할 뿐만 아니라, 기계적 충격에 대응할 수 있는 높은 유연성을 가져야 하고, 기기가 과열되어 고온에 노출되어도 단락되거나 면저항의 변화가 크지 않아야 한다.As various home appliances and communication devices including computers are digitized and rapidly improved in performance, the development of transparent conductive materials for use as electrodes of electronic devices is required. For example, in order to realize a portable display, the electrode material for the display should not only be transparent and exhibit low resistance, but also have high flexibility to respond to mechanical shock, and short circuit or sheet resistance even when the device is overheated and exposed to high temperatures. change should not be large.

현재 디스플레이용으로 가장 많이 사용되고 있는 투명전극의 재질은 ITO(인듐-주석 산화물)이다. 하지만, 투명전극을 ITO로 형성하는 경우, 과도한 비용이 소모될 뿐만 아니라, 대면적을 구현하기 어려운 단점이 있다. 특히, 대면적으로 ITO를 코팅하면 면저항의 변화가 커서 디스플레이의 휘도 및 발광효율이 감소하는 단점을 가지고 있다. 게다가, ITO의 주원료인 인듐은 한정된 광물로, 디스플레이 시장이 확장됨에 따라 급속히 고갈되고 있다.Currently, the most widely used transparent electrode material for display is ITO (indium-tin oxide). However, when the transparent electrode is formed of ITO, there are disadvantages in that excessive cost is consumed and it is difficult to implement a large area. In particular, when ITO is coated on a large area, the change in sheet resistance is large, so that the luminance and luminous efficiency of the display decrease. In addition, indium, the main raw material of ITO, is a limited mineral and is rapidly being depleted as the display market expands.

이러한 ITO의 단점을 극복하기 위해서, 유연성이 뛰어나고 코팅 공정이 단순한 전도성 고분자를 이용하여 투명전극을 형성하는 연구가 진행되고 있다. In order to overcome these disadvantages of ITO, research on forming a transparent electrode using a conductive polymer having excellent flexibility and a simple coating process is being conducted.

투명전극을 형성하기 위해서는 전도도가 높은 전도성 고분자를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 높은 전도도를 갖는 전도성 고분자를 합성하는 방법으로서, 전도성 고분자 단량체와 이온성 고분자 전해질을 혼합하여 전도성 고분자 단량체의 중합을 일으킨다. 이때, 상기 전도성 고분자 단량체와 이온성 고분자 전해질을 혼합물에 존재하는 입자의 크기가 일정하게 제조된다. 하지만 이온성 전해질이기 때문에 존재하는 입자들은 서로 엉겨 붙어 원래 형성되었던 입자의 사이즈 보다 커지게 되어, 합성 후에 이 엉겨붙은 입자를 서로 물리적으로 떼어내는 공정을 필수적으로 거쳐야 한다. 이러한 공정을 거치면 매우 균일한 입자 분포를 같는 분산액이 제조되나, 입자가 너무 작게 분쇄가 될 시에는 코팅시 입자간의 밀집과 같은 조립이 용이하지 않아 코팅성이 좋지 않게 되어 첨가제를 사용해야만 하는 번거러움이 발생할 수 있으며, 특정 점도에서 두꺼운 필름 및 전도도가 높은 필름을 제조하는 것이 용이하지 않을 수 있다. 따라서 입자의 분쇄시 입자 사이즈 조절이 매우 중요한 기술이 될 수 있다.
In order to form the transparent electrode, it is preferable to use a conductive polymer having high conductivity. As a method of synthesizing the conductive polymer having high conductivity, polymerization of the conductive polymer monomer is caused by mixing a conductive polymer monomer and an ionic polymer electrolyte. In this case, the size of the particles present in the mixture of the conductive polymer monomer and the ionic polymer electrolyte is uniformly prepared. However, since it is an ionic electrolyte, the existing particles are agglomerated with each other and become larger than the size of the originally formed particles, so it is essential to physically separate the agglomerated particles from each other after synthesis. Through this process, a dispersion with a very uniform particle distribution is produced, but when the particles are pulverized too small, it is not easy to assemble such as clustering between the particles during coating, so coating properties are not good, and the need to use additives is cumbersome. It may occur, and it may not be easy to prepare thick films and high conductivity films at a certain viscosity. Therefore, particle size control can be a very important technique when pulverizing particles.

한국특허공개 제2012-0077112호Korean Patent Publication No. 2012-0077112

본 발명은 전도성 고분자 용액 및 이의 경화 도막에 관한 것으로, 전도성 고분자 및 이온성 고분자 전해질을 함유하는 전도성 고분자 용액에 있어서, 용액 내에 입자상 성분을 포함하며, 상기 입자상 성분은, 50 내지 100 nm 범위 내에서 입경 분포를 갖는 전도성 고분자 용액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
The present invention relates to a conductive polymer solution and a cured coating film thereof. A conductive polymer solution containing a conductive polymer and an ionic polymer electrolyte includes a particulate component in the solution, wherein the particulate component is within a range of 50 to 100 nm. An object of the present invention is to provide a conductive polymer solution having a particle size distribution.

본 발명은 전도성 고분자 용액을 제공할 수 있다. 하나의 예로서,The present invention can provide a conductive polymer solution. As an example,

전도성 고분자 및 이온성 고분자 전해질을 함유하는 전도성 고분자 용액에 있어서,In the conductive polymer solution containing a conductive polymer and an ionic polymer electrolyte,

용액 내에 입자상 성분을 포함하며,It contains a particulate component in a solution,

상기 입자상 성분은, 50 내지 100 nm 범위 내에서 입경 분포를 갖는 전도성 고분자 용액을 제공할 수 있다.The particulate component may provide a conductive polymer solution having a particle size distribution within a range of 50 to 100 nm.

또한, 본 발명은 상기 전도성 고분자 용액의 경화 도막을 제공할 수 있다.
In addition, the present invention may provide a cured coating film of the conductive polymer solution.

본 발명에 따른 전도성 고분자 용액은 50 내지 100 nm 범위의 입경 분포를 갖는 입자상 성분을 포함함으로써, 스케터링 현상을 일으키지 않는 범위에서 비교적 큰 입자를 가지며, 높은 전도도를 구현할 수 있고, 비교적 높은 점도를 구현하여, 코팅 작업 시, 전도성 고분자의 결합이 끊어지는 것을 방지할 수 있다.
The conductive polymer solution according to the present invention includes a particulate component having a particle size distribution in the range of 50 to 100 nm, and thus has relatively large particles in a range that does not cause scattering, high conductivity, and relatively high viscosity. Thus, it is possible to prevent the bonding of the conductive polymer from breaking during the coating operation.

본 발명은 전도성 고분자 용액 및 이의 경화 도막에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive polymer solution and a cured coating film thereof.

상기 전도성 고분자 용액의 하나의 예로서,As an example of the conductive polymer solution,

전도성 고분자 및 이온성 고분자 전해질을 함유하는 전도성 고분자 용액에 있어서,In the conductive polymer solution containing a conductive polymer and an ionic polymer electrolyte,

용액 내에 입자상 성분을 포함하며,It contains a particulate component in a solution,

상기 입자상 성분은, 50 내지 100 nm 범위 내에서 입경 분포를 갖는 전도성 고분자 용액을 제공할 수 있다.The particulate component may provide a conductive polymer solution having a particle size distribution within a range of 50 to 100 nm.

구체적으로, 기존에 전도성 고분자 및 이온성 고분자 전해질을 함유하는 전도성 고분자 용액의 경화 도막을 전도성 고분자 필름으로 사용할 시, 높은 전기 전도도를 구현하기 위한 전도성 고분자 용액을 제조하는 것을 목적으로 하였다. 그러나, 기존의 전도성 고분자 용액은 50 nm 이하의 범위에서 하나의 평균 입경 분포를 갖는 입자를 포함할 경우에는, 점도 내지 전도도 저하의 문제점을 가지고 있으며, 100 nm 초과의 범위에서 하나의 평균 입경 분포를 갖는 입자를 포함할 경우에는, 높은 전도도는 구현할 수 있으나, 거대 크기의 입자 사이에 생기는 빈공간으로 인하여, 스케터링 현상이 발생하는 문제점이 있었다.Specifically, when a cured coating film of a conductive polymer solution containing a conductive polymer and an ionic polymer electrolyte is used as a conductive polymer film, the purpose of the present invention is to prepare a conductive polymer solution for realizing high electrical conductivity. However, when the conventional conductive polymer solution contains particles having one average particle size distribution in the range of 50 nm or less, there is a problem in viscosity or conductivity lowering, and one average particle size distribution in the range of more than 100 nm. In the case of including the particles having the particle size, high conductivity can be realized, but there is a problem in that scattering occurs due to the void space generated between the large-sized particles.

그러나, 본 발명에 따른 전도성 고분자 용액은 50 내지 100 nm 서로 다른 입경 분포를 갖는 입자상 성분을 포함하는 전도성 고분자 용액을 제조함으로써, 스케터링 현상을 일으키지 않는 범위의 입자를 가지며, 높은 전도도를 구현할 수 있고, 비교적 높은 점도를 구현하여, 코팅 작업 시, 전도성 고분자의 결합이 끊어지는 것을 방지할 수 있다.However, the conductive polymer solution according to the present invention has particles in a range that does not cause scattering by preparing a conductive polymer solution containing particulate components having different particle size distributions of 50 to 100 nm, and high conductivity can be realized. , by implementing a relatively high viscosity, it is possible to prevent the bonding of the conductive polymer from breaking during the coating operation.

상기 범위 내의 평균 입경 분포를 갖는 입자의 형성방법으로는 특별히 한정하지 않으며, 예를 들어, 볼밀 분쇄기, 교반 분쇄기, 고속 교반, 초음파 처리 및 고압 균질화에 의한 분쇄 등의 방법을 통해 형성할 수 있다. 이러한 방법들은 분쇄처리용액의 양, 점도, 농도 등에 따라 다양한 강도의 분쇄력, 분쇄시간이 변화시킬 수 있으며 한정하지 않는다.
The method for forming particles having an average particle size distribution within the above range is not particularly limited, and for example, it may be formed through a method such as a ball mill grinder, agitation grinder, high-speed stirring, ultrasonic treatment, and pulverization by high pressure homogenization. In these methods, the pulverization power and pulverization time of various strengths may be changed according to the amount, viscosity, concentration, etc. of the pulverization treatment solution, but are not limited thereto.

상기 50 내지 100 nm 범위 내에서 입자상 성분의 입경 분포는, 전체 입자상 성분 100 중량부를 기준으로 90 중량부 이상일 수 있다. 예를 들어, 전도성 고분자 용액 내의 50 내지 100 nm 범위 내에서 입자상 성분의 분포는 90 중량부 내지 100부 또는 95 중량부 내지 99.9중량부일 수 있다. 상기 범위 내의 입자상 성분의 분포는, 용액 내에 50 nm 미만 및 100 nm 초과의 입자가 10 중량부 이내, 5 중량부 이내 또는 3 중량부 이재로 존재할 수 있다. 이는, 상기 기존의 용액 내의 입자상 성분의 크기로 인한 문제를 줄일 수 있다는 것을 의미할 수 있다. The particle size distribution of the particulate component within the range of 50 to 100 nm may be 90 parts by weight or more based on 100 parts by weight of the total particulate component. For example, the distribution of the particulate component within the range of 50 to 100 nm in the conductive polymer solution may be 90 parts by weight to 100 parts by weight or 95 parts by weight to 99.9 parts by weight. The distribution of the particulate component within the above range may include 10 parts by weight or less, 5 parts by weight or 3 parts by weight of particles of less than 50 nm and more than 100 nm in the solution. This may mean that the problem due to the size of the particulate component in the existing solution can be reduced.

이와 같은, 입자성 성분의 입경 분포를 통하여, 스케터링 현상을 일으키지 않는 범위에서 높은 전도도를 구현할 수 있는 전도성 고분자 용액을 제조할 수 있다.Through such a particle size distribution of the particulate component, it is possible to prepare a conductive polymer solution capable of implementing high conductivity in a range that does not cause scattering.

상기 전도성 고분자 용액의 점도는 30 내지 100 cP일 수 있다.The viscosity of the conductive polymer solution may be 30 to 100 cP.

예를 들어, 상기 점도는 30 내지 100 cP, 40 내지 100 cP 또는 50 내지 95 cP 범위일 수 있다. 상기 범위 내의 점도는, 전도성 고분자 용액의 입자상 성분의 평균 입경을, 스케터링 현상을 일으키지 않는 범위 내에서 50 내지 100 nm로 조절함으로써 구현할 수 있다. 이를 통해, 기존의 코팅 작업 시, 전도성 고분자의 결합이 끊어지는 것을 방지할 수 있으며, 이를 경화하여 전도성 고분자 필름으로 사용할 시, 전도도가 높은 제품을 생산할 수 있다.For example, the viscosity may range from 30 to 100 cP, from 40 to 100 cP or from 50 to 95 cP. The viscosity within the above range can be implemented by adjusting the average particle diameter of the particulate component of the conductive polymer solution to 50 to 100 nm within a range that does not cause scattering. Through this, it is possible to prevent the bonding of the conductive polymer from breaking during the conventional coating operation, and when cured and used as a conductive polymer film, a product with high conductivity can be produced.

상기 전도성 고분자는 선택적으로 치환된 폴리피롤, 폴리아닐린 또는 폴리티오펜일 수 있다.The conductive polymer may be optionally substituted polypyrrole, polyaniline or polythiophene.

예를 들어, 상기 전도성 고분자는 하기 화학식 1의 구조를 포함할 수 있다.For example, the conductive polymer may include a structure of Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112014084531976-pat00001
Figure 112014084531976-pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

X 및 Y는 각각 독립적으로, O, S, Si 또는 N을 나타내고,X and Y each independently represent O, S, Si or N,

R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 3 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기를 나타내거나, R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 3 to 20 carbon atoms, or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms,

상기 R1 및 R2는 서로 결합되어 융합된 고리 구조를 나타내고,wherein R 1 and R 2 are bonded to each other to represent a fused ring structure,

n은 2 내지 2000의 정수이다.n is an integer from 2 to 2000;

이때, 상기 알킬기는 직쇄(linear) 또는 분지(branched) 상 포화 탄화수소로부터 유도된 작용기를 의미할 수 있다.In this case, the alkyl group may mean a functional group derived from a linear or branched saturated hydrocarbon.

상기 알킬기의 구체적인 예로서는, 메틸기(methyl group), 에틸기(ethyl group), n-프로필기(n-propyl group), 이소프로필기(iso-propyl group), n-부틸기(n-butyl group), sec-부틸기(sec-butyl group), t-부틸기(tert-butyl group), n-펜틸기(n-pentyl group), 1,1-디메틸프로필기(1,1-dimethylpropyl group), 1,2-디메틸프로필기, 2,2-디메틸프로필기, 1-에틸프로필기, 2-에틸프로필기, n-헥실기, 1-메틸-2-에틸프로필기, 1-에틸-2-메틸프로필기, 1,1,2-트리메틸프로필기, 1-프로필프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 1,1-디메틸부틸기, 1,2-디메틸부틸기, 2,2-디메틸부틸기, 1,3-디메틸부틸기, 2,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a n-propyl group, an iso-propyl group, a n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, 1,1-dimethylpropyl group, 1 ,2-dimethylpropyl group, 2,2-dimethylpropyl group, 1-ethylpropyl group, 2-ethylpropyl group, n-hexyl group, 1-methyl-2-ethylpropyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group group, 1,1,2-trimethylpropyl group, 1-propylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 2,2- dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, etc. are mentioned.

또한, 상기 아릴기는 방향족 탄화수소로부터 유도된 1가의 치환기를 의미할 수 있다.In addition, the aryl group may mean a monovalent substituent derived from an aromatic hydrocarbon.

상기 아릴기의 구체적인 예로서는, 페닐기(phenyl group), 나프틸기(naphthyl group), 안트라세닐기(anthracenyl group), 페난트릴기(phenanathryl group), 나프타세닐기(naphthacenyl group), 피레닐기(pyrenyl group), 톨릴기(tolyl group), 바이페닐기(biphenylyl group), 터페닐기(terphenylyl group), 크리세닐기(chrycenyl group), 스피로바이플루오레닐(spirobifluorenyl group), 플루오란테닐(fluoranthenyl group), 플루오레닐기(fluorenyl group), 페릴레닐기(perylenyl group), 인데닐기(indenyl group), 아줄레닐기(azulenyl group), 헵타레닐기(heptalenyl group), 페날레닐기(phenalenyl group), 페난트레닐기(phenanthrenyl group) 등을 들 수 있다.Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanathryl group, a naphthacenyl group, a pyrenyl group. , tolyl group, biphenylyl group, terphenylyl group, chrycenyl group, spirobifluorenyl group, fluoranthenyl group, fluorine A fluorenyl group, a perylenyl group, an indenyl group, an azulenyl group, a heptalenyl group, a phenalenyl group, a phenanthrenyl group group) and the like.

또한, 상기 헤테로아릴기는 단환 또는 축합환으로부터 유도된 방향족 복소환 또는 헤테로사이클릭을 나타낸다. 상기 헤테로아릴기는, 헤테로 원자로서 질소(N), 황(S), 산소(O), 인(P), 셀레늄(Se) 및 규소(Si) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the heteroaryl group represents an aromatic heterocyclic or heterocyclic ring derived from a monocyclic or condensed ring. The heteroaryl group may include at least one of nitrogen (N), sulfur (S), oxygen (O), phosphorus (P), selenium (Se), and silicon (Si) as a hetero atom.

상기 헤테로 아릴기의 구체적인 예로서는, 피롤릴기, 피리딜기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 트리아졸릴기, 테트라졸릴기, 벤조트리아졸릴기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 인돌릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤즈티아디아졸릴기, 페노티아지닐기, 이속사졸릴기, 푸라자닐기, 페녹사지닐기, 옥사졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 피라졸로옥사졸릴기, 이미다조티아졸릴기, 티에노푸라닐기, 푸로피롤릴기, 피리독사지닐기 등의 헤테로 원자를 포함하는 화합물들을 들 수 있다.Specific examples of the heteroaryl group include pyrrolyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, benzotriazolyl group, pyrazolyl group, imidazolyl group, benz imidazolyl group, indolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, benzothiazolyl group, benzthiadiazolyl group, phenothiazinyl group, isoxazolyl group, furazanyl group, phenoxazinyl group, oxazolyl group , benzoxazolyl group, oxadiazolyl group, pyrazoloxazolyl group, imidazothiazolyl group, thienofuranyl group, furopyrrolyl group, and compounds containing a hetero atom such as pyridoxazinyl group.

하나의 예로서, 전도성 고분자는 화학식 1의 K(K는 2 내지 2000 사이의 임의의 정수) 번째 반복구조는 K-1 번째 반복구조와 비교하여 화학식 1의 정의 중에서, X, Y, R1 및 R2 중 1 종 이상이 다른 것일 수 있다.예를 들어, 상기 화학식 1의 구조로 나타내는 전도성 고분자는 하기 화학식 2 내지 4의 구조로부터 선택될 수 있다.As an example, in the conductive polymer, the K (K is an arbitrary integer between 2 and 2000) th repeating structure of Formula 1 is compared with the K-1 th repeating structure in the definition of Formula 1, X, Y, R 1 and At least one of R 2 may be different. For example, the conductive polymer represented by the structure of Formula 1 may be selected from structures of Formulas 2 to 4 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112014084531976-pat00002
Figure 112014084531976-pat00002

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112014084531976-pat00003
Figure 112014084531976-pat00003

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112014084531976-pat00004
Figure 112014084531976-pat00004

상기 화학식 2 내지 4에서,In Formulas 2 to 4,

n은 2 내지 2000의 정수이다.n is an integer from 2 to 2000;

구체적으로, 상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리스티렌설폰산, 폴리피롤:폴리스티렌설폰산 및 폴리티오펜:폴리스티렌설폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상일 수 있다. Specifically, the conductive polymer may be at least one selected from the group consisting of poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrenesulfonic acid, polypyrrole:polystyrenesulfonic acid, and polythiophene:polystyrenesulfonic acid.

예를 들어, 상기 전도성 고분자는 비하전(uncharged) 또는 양이온(cationic)일 수 있다. 여기서 "양이온"은 주쇄(main chain) 상에 존재하는 전하에만 관련 있을 수 있다. 따라서, 상기 전도성 고분자는 양전하를 보상하기 위해 음이온이 필요할 수 있다. 상기 음이온은 이온성 고분자 전해질로부터 얻을 수 있으며, 상기 이온성 고분자 전해질의 예로서, 20,000 내지 1,000,000의 분자량을 갖는 단량체음이온 또는 다중음이온을 포함할 수 있다.For example, the conductive polymer may be uncharged or cationic. Here, "cation" may relate only to the charge present on the main chain. Accordingly, the conductive polymer may need an anion to compensate for the positive charge. The anion may be obtained from an ionic polymer electrolyte, and examples of the ionic polymer electrolyte may include a monomer anion or a polyanion having a molecular weight of 20,000 to 1,000,000.

상기 단량체음이온의 예로서, C1-C20-알칸설폰산, 지방족 퍼플루오로설폰산, 지방족 C1-C20-카르복시산, 지방족 퍼플루오로카르복시산, C-1-C20-알킬기에 의하여 선택적으로 치환된 방향족 설폰산, 사이클로알칸설폰산, 아이언설페이트(iron sulfate), 소듐퍼설페이트(sodium persulfate), 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트, 퍼클로레이트(perchlorates), 헥사플루오로안티몬네이트, 헥사플루오로아세네이트(hexafluoroarsenates) 또는 헥사클로로안티모네이트(hexachloroantimonates)을 포함할 수 있다. As an example of the monomer anion, C 1 -C 20 -alkanesulfonic acid, aliphatic perfluorosulfonic acid, aliphatic C 1 -C 20 -carboxylic acid, aliphatic perfluorocarboxylic acid, C -1 -C 20 -alkyl group Substituted aromatic sulfonic acid, cycloalkanesulfonic acid, iron sulfate, sodium persulfate, tetrafluoroborate, hexafluorophosphate, perchlorates, hexafluoroantimonate, hexafluoro roasenates (hexafluoroarsenates) or hexachloroantimonates.

상기 다중음이온의 예로서, 고분자 카르복시산(예를 들면, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산 또는 폴리말레산)의 음이온, 고분자 설폰산(예를 들면, 폴리스티렌설폰산 및 폴리비닐설폰산) 및 폴리(스티렌설폰산-co-말레산)의 음이온들을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 이온성 고분자 전해질은 20,000 내지 1,000,000의 분자량을 갖는 폴리스티렌설폰산일 수 있다. 이를 통해, 상기 결합 구조를 형성하는 과정에서 용액 내에 양이온 및 음이온 등의 이온이 존재할 수 있다.Examples of the polyanion include anions of polymeric carboxylic acids (e.g., polyacrylic acid, polymethacrylic acid or polymaleic acid), polymeric sulfonic acids (e.g., polystyrenesulfonic acid and polyvinylsulfonic acid) and poly(styrene). sulfonic acid-co-maleic acid). Specifically, the ionic polymer electrolyte may be polystyrene sulfonic acid having a molecular weight of 20,000 to 1,000,000. Through this, ions such as cations and anions may exist in the solution in the process of forming the bonding structure.

전도성 고분자 및 이온성 고분자 전해질을 함유하는 용액은 도펀트를 더 함유할 수 있다. The solution containing the conductive polymer and the ionic polyelectrolyte may further contain a dopant.

예를 들어, 상기 도펀트는 암모늄염 전해질, 나트륨염 전해질, 리튬염 전해질, 철염 전해질, 설폰산 화합물 및 황산 중 1 종 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 도펀트는 특별히 한정되지 않으나, 산소 및 질소를 함유하는 유기 화합물을 포함할 수 있다.For example, the dopant may include at least one of an ammonium salt electrolyte, a sodium salt electrolyte, a lithium salt electrolyte, an iron salt electrolyte, a sulfonic acid compound, and sulfuric acid. For example, the dopant is not particularly limited, but may include an organic compound containing oxygen and nitrogen.

상기 암모늄염 전해질은, 예를 들어, tetra-n-Bu4NClO4, n-Bu4NPF6, n-Bu4NBF4 및 n-Et4NClO4 중 1 종 이상을 포함할 수 있다. The ammonium salt electrolyte may include, for example, one or more of tetra-n-Bu 4 NClO 4 , n-Bu 4 NPF 6 , n-Bu 4 NBF 4 and n-Et 4 NClO 4 .

상기 나트륨염 전해질은, 예를 들어, NaPF6, NaBF4 및 NaClO4 중 1 종 이상을 포함할 수 있다.The sodium salt electrolyte may include, for example, one or more of NaPF 6 , NaBF 4 and NaClO 4 .

상기 리튬염 전해질은, 예를 들어, LiClO4, LiPF6, LiBF4, LiN(SO2CF3)2, LiN(SO2C2F5)2, LiCF3SO3, LiC(SO2CF3)3, LiPF4(CF3)2, LiPF3(C2F5)3, LiPF3(CF3)3, LiPF3(iso-C3F7)3, LiPF5(iso-C3F7) 및 환상 알킬렌기를 갖는 리튬염 전해질 중 1 종 이상을 포함할 수 있다.The lithium salt electrolyte is, for example, LiClO 4 , LiPF 6 , LiBF 4 , LiN(SO 2 CF 3 ) 2 , LiN(SO 2 C 2 F 5 ) 2 , LiCF 3 SO 3 , LiC(SO 2 CF 3 ) ) 3 , LiPF 4 (CF 3 ) 2 , LiPF 3 (C 2 F 5 ) 3 , LiPF 3 (CF 3 ) 3 , LiPF 3 (iso-C 3 F 7 ) 3 , LiPF 5 (iso-C 3 F 7 ) ) and a lithium salt electrolyte having a cyclic alkylene group.

예를 들어, 상기 환상 알킬렌기를 갖는 리튬염은 (CF2)2(SO2)2NLi 및 (CF2)3(SO2)2NLi 등을 포함할 수 있다.For example, the lithium salt having a cyclic alkylene group may include (CF 2 ) 2 (SO 2 ) 2 NLi and (CF 2 ) 3 (SO 2 ) 2 NLi, and the like.

상기 철염 전해질은, 예를 들어, 산화철(III) p-톨루엔설폰산을 포함할 수 있다.The iron salt electrolyte may include, for example, iron(III) oxide p-toluenesulfonic acid.

상기 설폰산 화합물은, 예를 들어, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알칸설폰산, 탄소수 1 내지 20을 갖는 퍼플루오로알칸설폰산, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬헥실카르복시산, 탄소수 1 내지 20을 갖는 퍼플루오로알칸카르복시산, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기에 의하여 치환 또는 비치환된 방향족 설폰산, 및 시클로알칸설폰산(예를 들면, 캄포설폰산) 중 1 종 이상을 포함할 수 있다.The sulfonic acid compound is, for example, alkanesulfonic acid having 1 to 20 carbon atoms, perfluoroalkanesulfonic acid having 1 to 20 carbon atoms, alkylhexylcarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, purple having 1 to 20 carbon atoms. It may include at least one of luoroalkanecarboxylic acid, aromatic sulfonic acid unsubstituted or substituted by an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and cycloalkanesulfonic acid (eg, camphorsulfonic acid).

구체적으로, 상기 설폰산 화합물은, 메탄설폰산, 에탄설폰산, 프로판설폰산, 부탄설폰산, 도데칸설폰산, 옥타데칸설폰산, 노나데칸설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 퍼플루오로부탄설폰산, 퍼플루오로옥탄설폰산, 에틸헥실카르복시산, 벤젠설폰산, o-톨루엔 설폰산, p-톨루엔설폰산, 도데실벤젠설폰산, 디노닐나프탈렌설폰산, 니노닐나프탈렌디설폰산 및 캄포설폰산 중 1 종 이상을 포함할 수 있다.Specifically, the sulfonic acid compound is methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid, butanesulfonic acid, dodecanesulfonic acid, octadecanesulfonic acid, nonadecanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, perfluorobutane Sulfonic acid, perfluorooctanesulfonic acid, ethylhexylcarboxylic acid, benzenesulfonic acid, o -toluenesulfonic acid, p -toluenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, dinonylnaphthalenesulfonic acid, ninonylnaphthalenedisulfonic acid and camphorsulfonic acid and one or more of phonic acids.

상기 도펀트는 단종 또는 2 종 이상의 도펀트를 혼합하여 사용할 수 있다.The dopant may be used singly or by mixing two or more dopants.

예를 들어, 상기 도펀트는 황산 및 설폰산 화합물 중 단종 또는 2 종 이상을 포함할 수 있다.For example, the dopant may include a single type or two or more types of sulfuric acid and sulfonic acid compounds.

상기 도펀트는 용매에 용해되어 혼합될 수 있다.The dopant may be dissolved in a solvent and mixed.

도펀트 혼합 시 사용되는 용매는 도펀트를 용해할 수 있으면서 물과 섞이는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 용매는 물, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran; THF), 디메틸 설폭사이드(dimethyl sulfoxide; DMSO), 아세토니트릴(acetonitrile) 및 알코올계 용매 중 1 종 이상을 포함할 수 있다.
The solvent used when mixing the dopant is not particularly limited as long as it can dissolve the dopant and mix with water. For example, the solvent may include one or more of water, tetrahydrofuran (THF), dimethyl sulfoxide (DMSO), acetonitrile, and an alcohol-based solvent.

상기 전도성 고분자 용액의 제조방법은 특별히 한정되지 않으며, 통상적으로 수행되는 제조방법을 통해 제조할 수 있다. 예를 들어, 전도성 고분자 용액의 제조공정 중에 전도성 고분자의 과산화 방지를 위한 수단을 구비하여 제조할 수 있다.
The method for preparing the conductive polymer solution is not particularly limited, and may be prepared through a conventionally performed method. For example, it can be prepared by providing means for preventing peroxidation of the conductive polymer during the manufacturing process of the conductive polymer solution.

본 발명은 상기 전도성 고분자 용액의 경화 도막을 제공할 수 있다. The present invention may provide a cured coating film of the conductive polymer solution.

구체적으로, 상기 경화 도막은 전도성 고분자 용액을 제조한 후, 여과 및 세척 등의 후처리 공정을 거친 후, 제조된 전도성 고분자 용액을 특정 기재 상에 도포한 후 경화하여 전도성 고분자 필름을 제조할 수 있다.Specifically, the cured coating film may be prepared by preparing a conductive polymer solution, and then undergoing post-treatment processes such as filtration and washing, and then coating the prepared conductive polymer solution on a specific substrate and curing it to prepare a conductive polymer film. .

상기 제조된 경화 도막의 전도도는 1000 S/cm 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 전도도는 1100 내지 4000 S/cm, 1100 내지 3000 S/cm 또는 1200 내지 2500 S/cm 범위일 수 있다. 상기 범위의 전도도는 기존의 50 nm 미만의 단일 평균 입경의 입자를 포함하는 전도성 고분자 용액을 이용하여 제조한 경화 도막과 비교하여 약 5% 이상이 향상된 수치이다.The conductivity of the prepared cured coating film may be 1000 S/cm or more. For example, the conductivity may be in the range of 1100 to 4000 S/cm, 1100 to 3000 S/cm, or 1200 to 2500 S/cm. The conductivity in the above range is a value improved by about 5% or more compared to a cured coating film prepared using a conventional conductive polymer solution containing particles having a single average particle diameter of less than 50 nm.

구체적으로, 본 발명에 따른 전도성 고분자 용액을 이용한 경화 도막의 상기 범위 내의 전기 전도도는 낮은 면저항을 의미할 수 있으며, 이를 통해, 전자 소자에 적용되었을 때, 높은 성능을 구현할 수 있다는 것을 확인하였다.Specifically, it was confirmed that the electrical conductivity within the above range of the cured coating film using the conductive polymer solution according to the present invention may mean a low sheet resistance, and through this, when applied to an electronic device, high performance can be realized.

상기 형성된 경화 도막의 저항은 복수 개의 서로 다른 위치에서 10% 미만의 저항 변폭을 가질 수 있다. 구체적으로, 본 바병에 따른 입자 분포를 갖는 전도성 고분자 용액을 경화하여 전도성 고분자 필름을 제조할 경우, 비교적 표면 균일도가 우수하여 10% 미만의 저항 변폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 저항 변폭은 0.1 내지 9.5%, 3 내지 9.5% 또는 3 내지 8%일 수 있다.The resistance of the formed cured coating film may have a resistance variation of less than 10% at a plurality of different positions. Specifically, when the conductive polymer film is prepared by curing the conductive polymer solution having the particle distribution according to the present bar bottle, the surface uniformity is relatively excellent, so that the resistance variation can be less than 10%. For example, the resistance variation may be 0.1 to 9.5%, 3 to 9.5%, or 3 to 8%.

상기 경화도막의 표면 평균 거칠기(average roughness)는 5 nm 미만일 수 있다. 예를 들어, 상기 평균 거칠기는 원자현미경(장비 명: Bruker Innova)를 통해 얻은 프로파일(profile)로부터 3D 이미지를 형성한 후 측정할 수 있다. 구체적으로, 경화 도막 면적에 대하여 512 line x 512 line(각 line은 1 nm의 해상도를 가짐)의 해상도로, 0.2 Hz의 스캔 속도로 촬영하였다.The surface average roughness of the cured coating film may be less than 5 nm. For example, the average roughness may be measured after forming a 3D image from a profile obtained through an atomic force microscope (equipment name: Bruker Innova). Specifically, images were taken with a resolution of 512 lines x 512 lines (each line has a resolution of 1 nm) with respect to the area of the cured coating film at a scan rate of 0.2 Hz.

상기 평균 거칠기는 중심선 평균 거칠기(Ra)를 측정하여 확인할 수 있다. 중공사막 표면의 거칠기 곡선으로부터 그 중심선의 방향으로 측정 길이 L의 부분을 채취하고, 그 채취된 부분의 중심선을 X축, 세로 배율의 방향을 Z축으로 하고, 거칠기 곡선을 y = Z(x)로 표시하였을 때, 하기 수학식 1에 의해 구해지는 값을 의미할 수 있다.The average roughness can be confirmed by measuring the center line average roughness (Ra). A portion of the measurement length L is taken from the roughness curve of the surface of the hollow fiber membrane in the direction of the center line, the center line of the sampled portion is the X-axis and the direction of vertical magnification is the Z-axis, and the roughness curve is y = Z(x) When expressed as , it may mean a value obtained by Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112014084531976-pat00005
Figure 112014084531976-pat00005

예를 들어, 중공사막 표면의 거칠기 곡선으로부터 그 중심선 아랫부분의 면적과 윗부분의 면적이 동일하도록 중심선을 그은 후, 중심선 아랫부분의 면적을 중심선 윗부분으로 올리고, 중심선 위로 돌출된 부분을 깍아 골을 메워서 평평한 면을 만들었을 때, 그 평평한 면과 중심선 간의 거리를 중심선 평균 거칠기(Ra)라고 할 수 있다. For example, draw a center line from the roughness curve of the surface of the hollow fiber membrane so that the area below the center line and the area above the center line are the same, then raise the area below the center line to the top of the center line, and cut the protruding part above the center line to fill the valley. When a flat surface is made from a flat surface, the distance between the flat surface and the center line can be called the center line average roughness (Ra).

예를 들어, 표면 평균 거칠기는 0.1 내지 4.5 nm, 0.5 내지 4.5 nm 또는 1 내지 4.5 nm 범위일 수 있다. 구체적으로, 입자들 간의 우수한 조립 특성으로 인하여 표면 균일도가 우수한 본 발명에 따른 전도성 고분자 용액을 경화함으로써, 상기 범위 내의 평균 거칠기를 구현할 수 있다. For example, the surface average roughness may range from 0.1 to 4.5 nm, from 0.5 to 4.5 nm, or from 1 to 4.5 nm. Specifically, by curing the conductive polymer solution according to the present invention, which has excellent surface uniformity due to excellent assembly characteristics between particles, average roughness within the above range can be realized.

상기 경화 도막의 흐림도(Haziness)는 1.3% 미만일 수 있다. 예를 들어, 상기 헤이즈는 NIPPON DENSHOKU사의 헤이즈 미터인 COH 400을 이용하여 측정할 수 있다. 이때, 상기 흐림도는 0.1 내지 1.2%, 0.1 내지 1.1% 또는 0.2 내지 1%일 수 있다. 본 발명에 따른 경화 도막은 상기 범위 내의 흐림도를 가짐으로써, 투명 전도성 필름으써 높은 투명도를 구현할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.
Haziness of the cured coating film may be less than 1.3%. For example, the haze may be measured using a haze meter COH 400 manufactured by NIPPON DENSHOKU. In this case, the degree of blur may be 0.1 to 1.2%, 0.1 to 1.1%, or 0.2 to 1%. It can be seen that the cured coating film according to the present invention has a degree of haze within the above range, thereby realizing high transparency as a transparent conductive film.

이하 본 발명에 따르는 실시예 등을 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail through Examples and the like according to the present invention, but the scope of the present invention is not limited by the Examples presented below.

실시예Example

반응용기 내에 폴리스티렌설폰산(Polystyrene sulfonic acid, PSS) 12.53 g을 막탈기를 이용하여 산소가 제거된 증류수 1400 g에 녹인 후 2 시간 동안 임펠러를 이용하여 교반하였다. 그런 다음, 황산철(iron sulfate) 0.2 g을 넣고 녹을 때까지 교반시켰다. 황산철(Iron sulfate)이 다 녹으면 용액의 온도를 13?C로 낮추고, 3,4-에틸렌디옥시티오펜(3,4-ethylenedioxythiophene, EDOT) 모노머 5.014 g을 넣고, 과황산나트륨(sodium persulfate) 11.9 g을 녹인 수용액 30 g을 투입하여 24 시간 동안 중합반응을 진행 하였다. 반응을 중지하고 양이온 교환수지와 음이온 교환수지가 1:1로 섞인 혼합이온교환수지를 500 ml 넣어 불필요한 이온들을 제거하였다. 그 후 얻어진 용액을 고압균질기를 이용하여 8분 동안 입자를 분쇄하였다. 그 후 CPS Disc Centrifuge 장비를 이용하여 측정하였을 때 60 내지 80 nm의 평균 입경 분포를 갖는 전도성 고분자 용액을 제조하였다. In a reaction vessel, 12.53 g of polystyrene sulfonic acid (PSS) was dissolved in 1400 g of distilled water from which oxygen was removed using a membrane degassing machine, and then stirred using an impeller for 2 hours. Then, 0.2 g of iron sulfate was added and stirred until dissolved. When iron sulfate is completely dissolved, lower the temperature of the solution to 13°C, add 5.014 g of 3,4-ethylenedioxythiophene (EDOT) monomer, and 11.9 sodium persulfate 30 g of an aqueous solution in which g was dissolved was added and polymerization was carried out for 24 hours. After the reaction was stopped, 500 ml of a mixed ion exchange resin in which a cation exchange resin and an anion exchange resin were mixed in a 1:1 ratio was added to remove unnecessary ions. Thereafter, the obtained solution was pulverized to particles for 8 minutes using a high-pressure homogenizer. Thereafter, a conductive polymer solution having an average particle size distribution of 60 to 80 nm when measured using CPS Disc Centrifuge equipment was prepared.

그런 다음 제조된 전도성 고분자 용액을 1.3 % 농도의 용액으로 준비한 후 이 용액의 무게대비 5%의 DMSO용액을 넣고 충분히 섞어준 다음 바코팅을 이용하여 코팅하고 150℃에서 30 분 건조시켜 전도성 고분자 필름을 제조하였다.
Then, prepare the prepared conductive polymer solution as a solution with a concentration of 1.3%, add 5% DMSO solution based on the weight of the solution, mix thoroughly, coat using bar coating, and dry the conductive polymer film at 150°C for 30 minutes. prepared.

비교예comparative example

상기 실시예과 동일한 방법으로 제조하되, 1 내지 50 nm 내에서 하나의 입경 분포를 갖는 전도성 고분자 용액을 이용하여 전도성 고분자 필름을 제조하였다.
A conductive polymer film was prepared in the same manner as in Example, except that a conductive polymer solution having a particle size distribution within 1 to 50 nm was used.

실험예Experimental example 1: 전도성 고분자 용액의 점도 측정 1: Viscosity measurement of conductive polymer solution

상기 실시예 및 비교예에서 제조한 전도성 고분자 용액에 대하여 점도 측정기를 이용하여 점도 측정 실험을 하였다. 그 결과는 하기 표 1에 나타내었다.A viscosity measurement experiment was performed on the conductive polymer solutions prepared in Examples and Comparative Examples using a viscosity meter. The results are shown in Table 1 below.

점도 (cP)Viscosity (cP) 실시예Example 3030 비교예comparative example 2020

상기 표 1을 보면, 본 발명에 따른 실시예에서 제조된 전도성 고분자 용액은, 30 내지 100 cP 이하의 점도를 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 구체적으로, 본 발명에 따른 전도성 고분자 용액은 스케터링 현상을 일으키지 않는 범위 내의 입자 크기를 가지며, 기존의 고 점도로 인한 문제점을 해결할 수 있다는 것을 알 수 있었다.
Referring to Table 1, it was confirmed that the conductive polymer solution prepared in Examples according to the present invention exhibited a viscosity of 30 to 100 cP or less. Specifically, it was found that the conductive polymer solution according to the present invention has a particle size within a range that does not cause scattering, and can solve problems caused by the existing high viscosity.

실험예Experimental example 2: 전도성 고분자 필름의 물성 측정 2: Measurement of physical properties of conductive polymer film

상기 실시예 및 비교예에서 제조한 전도성 고분자 필름에 대하여 전도도, 저항 변폭, 표면 평균 거칠기 및 흐림도에 대한 측정 실험을 하였다. 측정 방법은 하기 기재하였으며, 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다.Conductive polymer films prepared in Examples and Comparative Examples were subjected to measurement experiments for conductivity, resistance variation, surface average roughness, and haze. The measurement method is described below, and the results are shown in Table 2 below.

1) 전도도1) Conductivity

각각의 제조된 전도성 고분자 필름을 가로 세로 100 mm 의 크기로 샘플을 제작하고, 상기 제작된 샘플에 대하여 전도도 측정 장치를 이용하여 전도도를 측정하였다.Each of the prepared conductive polymer films was prepared as a sample having a size of 100 mm in width and length, and the conductivity of the prepared sample was measured using a conductivity measuring device.

2) 저항 변폭2) resistance variation

상기 각각의 샘플에 대하여, 4 probe 저항 측정기를 이용하여 총 50 지점의 저항의 변폭을 측정하였다.For each of the above samples, a total resistance of 50 points was measured using a 4 probe resistance meter.

3) 표면 평균 거칠기3) Surface average roughness

상기 각각의 샘플에 대하여, 원자현미경(장비 명: Bruker Innova)를 통해 얻은 프로파일(profile)로부터 3D 이미지를 형성한 후, 중심선 평균 거칠기(Ra)를 구하였다.For each of the samples, a 3D image was formed from a profile obtained through an atomic force microscope (equipment name: Bruker Innova), and then the centerline average roughness (Ra) was obtained.

4) 흐림도4) Blur

상기 각각의 샘플에 대하여, NIPPON DENSHOKU사의 헤이즈 미터인 COH 400을 이용하여 측정하였다.For each of the above samples, measurements were made using COH 400, a haze meter manufactured by NIPPON DENSHOKU.

전도도 (S/cm)Conductivity (S/cm) 저항 변폭 (%)Resistance Variation (%) 평균 거칠기 (nm)Average Roughness (nm) 흐림도 (%)Blurness (%) 실시예Example 11501150 99 44 1.21.2 비교예comparative example 10001000 1717 5.45.4 22

상기 표 2를 보면, 본 발명에 따른 실시예에서 제조된 전도성 고분자 필름은, 비교예에서 제조된 전도성 고분자 필름과 비교하였을 때, 약 15% 향상된 전도도 값을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.Referring to Table 2, it was confirmed that the conductive polymer film prepared in Examples according to the present invention exhibited an improved conductivity value of about 15% compared to the conductive polymer film prepared in Comparative Examples.

또한, 실시예에서 제조된 전도성 고분자 필름은, 저항 변폭이 10% 미만으로, 비교예에서 제조된 전도성 고분자 필름과 비교하였을 때, 최대 약 1/1.8배 이상 낮은 저항 변폭을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.In addition, it was confirmed that the conductive polymer film prepared in Examples had a resistance variation of less than 10%, and exhibited a resistance variation that was at most about 1/1.8 times lower than that of the conductive polymer film prepared in Comparative Example.

또한, 실시예에서 제조된 전도성 고분자 필름은, 평균 거칠기는 4 nm 미만으로, 비교예에서 제조된 전도성 고분자 필름과 비교하였을 때, 최대 약 1/1.4배 이상 낮은 평균 거칠기를 나타내는 것을 확인할 수 있었다.In addition, it was confirmed that the conductive polymer film prepared in Examples had an average roughness of less than 4 nm, and exhibited an average roughness that was at most about 1/1.4 times lower than that of the conductive polymer film prepared in Comparative Examples.

또한, 실시예에서 제조된 전도성 고분자 필름은, 흐림도는 1.5% 미만으로, 비교예에서 제조된 전도성 고분자 필름과 비교하였을 때, 최대 약 1/1.7배 이상 낮은 흐림도를 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
In addition, it was confirmed that the conductive polymer film prepared in Examples had a haze of less than 1.5%, and exhibited a haze that was at most about 1/1.7 times lower than that of the conductive polymer film prepared in Comparative Examples.

Claims (11)

전도성 고분자 및 이온성 고분자 전해질을 함유하는 전도성 고분자 용액에 있어서,
용액 내에 입자상 성분을 포함하며,
상기 입자상 성분은, 60 내지 80 nm 범위 내에서 평균 입경 분포를 갖는 전도성 고분자 용액.
In the conductive polymer solution containing the conductive polymer and the ionic polymer electrolyte,
It contains a particulate component in a solution,
The particulate component is a conductive polymer solution having an average particle size distribution within a range of 60 to 80 nm.
제 1 항에 있어서,
60 내지 80 nm 범위 내에서 입자상 성분의 평균 입경 분포는 전체 입자 100 중량부를 기준으로 90 중량부 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 용액.
The method of claim 1,
The conductive polymer solution, characterized in that the average particle size distribution of the particulate component within the range of 60 to 80 nm is 90 parts by weight or more based on 100 parts by weight of the total particles.
제 1 항에 있어서,
전도성 고분자 용액의 점도는 30 내지 100 cP인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 용액.
The method of claim 1,
The conductive polymer solution has a viscosity of 30 to 100 cP.
제 1 항에 있어서,
전도성 고분자는 하기 화학식 1의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 용액:
[화학식 1]
Figure 112014084531976-pat00006

상기 화학식 1에서,
X 및 Y는 각각 독립적으로, O, S, Si 또는 N을 나타내고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 3 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기를 나타내거나,
상기 R1 및 R2는 서로 결합되어 융합된 고리 구조를 나타내고,
n은 2 내지 2000의 정수이다.
The method of claim 1,
The conductive polymer solution is a conductive polymer solution, characterized in that it contains the structure of Formula 1:
[Formula 1]
Figure 112014084531976-pat00006

In Formula 1,
X and Y each independently represent O, S, Si or N,
R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 3 to 20 carbon atoms, or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms,
wherein R 1 and R 2 are bonded to each other to represent a fused ring structure,
n is an integer from 2 to 2000;
제 4 항에 있어서,
화학식 1의 K(K는 2 내지 2000 사이의 임의의 정수) 번째 반복구조는 K-1 번째 반복구조와 비교하여 화학식 1의 정의 중에서, X, Y, R1 및 R2 중 1 종 이상이 다른 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 용액.
5. The method of claim 4,
In the definition of Formula 1, the K-th repeating structure (K is an arbitrary integer between 2 and 2000) of Formula 1 is different from the K-1-th repeating structure in at least one of X, Y, R 1 and R 2 . Conductive polymer solution, characterized in that.
제 4 항에 있어서,
상기 화학식 1의 구조로 나타내는 전도성 고분자는 하기 화학식 2 내지 4 의 구조로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 용액.
[화학식 2]
Figure 112014084531976-pat00007

[화학식 3]
Figure 112014084531976-pat00008

[화학식 4]
Figure 112014084531976-pat00009

상기 화학식 2 내지 4에서,
n은 2 내지 2000의 정수이다.
5. The method of claim 4,
The conductive polymer represented by the structure of Chemical Formula 1 is a conductive polymer solution, characterized in that it is selected from the structures of Chemical Formulas 2 to 4.
[Formula 2]
Figure 112014084531976-pat00007

[Formula 3]
Figure 112014084531976-pat00008

[Formula 4]
Figure 112014084531976-pat00009

In Formulas 2 to 4,
n is an integer from 2 to 2000;
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 전도성 고분자 용액의 경화 도막.
A cured coating film of the conductive polymer solution according to any one of claims 1 to 6.
제 7 항에 있어서,
경화 도막의 전도도는 1000 S/cm 이상인 것을 특징으로 하는 경화 도막.
8. The method of claim 7,
A cured coating film, characterized in that the conductivity of the cured coating film is 1000 S/cm or more.
제 7 항에 있어서,
형성된 경화 도막의 저항은 복수 개의 서로 다른 위치에서 10% 미만의 저항 변폭을 갖는 것을 특징으로 하는 경화 도막.
8. The method of claim 7,
A cured coating film, characterized in that the resistance of the formed cured coating film has a resistance variation of less than 10% at a plurality of different positions.
제 7 항에 있어서,
경화 도막의 표면 평균 거칠기(average roughness)는 5 nm 미만인 것을 특징으로 하는 경화 도막.
8. The method of claim 7,
A cured coating film, characterized in that the surface average roughness of the cured coating film is less than 5 nm.
제 7 항에 있어서,
경화 도막의 흐림도(Haziness)는 1.3% 미만인 것을 특징으로 하는 경화 도막.
8. The method of claim 7,
A cured coating film, characterized in that the haziness of the cured coating film is less than 1.3%.
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