KR102266844B1 - 분사모듈 시스템 - Google Patents

분사모듈 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102266844B1
KR102266844B1 KR1020210038429A KR20210038429A KR102266844B1 KR 102266844 B1 KR102266844 B1 KR 102266844B1 KR 1020210038429 A KR1020210038429 A KR 1020210038429A KR 20210038429 A KR20210038429 A KR 20210038429A KR 102266844 B1 KR102266844 B1 KR 102266844B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
cleaning liquid
cleaning
substrate
air
Prior art date
Application number
KR1020210038429A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210036324A (ko
Inventor
최기영
김경표
정종선
김행준
Original Assignee
최기영
김경표
정종선
김행준
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020190065987A external-priority patent/KR102236478B1/ko
Application filed by 최기영, 김경표, 정종선, 김행준 filed Critical 최기영
Priority to KR1020210038429A priority Critical patent/KR102266844B1/ko
Publication of KR20210036324A publication Critical patent/KR20210036324A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102266844B1 publication Critical patent/KR102266844B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 분사모듈은, 에어 및 세정액이 수용되는 챔버부, 상기 챔버부와 연결되어 상기 에어 및 세정액이 분사되는 노즐부 및 상기 챔버부에 열을 가하여 상기 세정액을 스팀으로 상변화시키도록, 상기 분사모듈의 일측면에 설치되는 발열부재를 포함한다.

Description

분사모듈 시스템{CLEANING APPARATUS}
본 발명은 분사모듈 시스템에 관한 것이다.
반도체 디바이스 또는 평판 디스플레이(FPD)는 웨이퍼(Wafer) 또는 평판 글라스에 다양한 공정 처리를 통해 제조된다. 웨이퍼(Wafer) 또는 평판 글라스와 같은 기판은 유기물, 미립자 또는 금속/이온 오염으로 인한 성능 저하 또는 오류에 민감하므로 세정공정이 중요하다.
최근에는 이들 중에서 전력 소모와 부피가 적고, 저전력 구동이 가능한 액정 디스플레이 장치가 널리 사용되고 있다. 액정 디스플레이 장치는 실질적으로 영상을 표시하기 위한 디스플레이 패널을 포함한다. 디스플레이 패널은 통상 유리 재질의 대면적 기판을 이용하여 상기 기판상에 회로 패턴을 형성하기 위한 다양한 단위 공정들 예를 들어, 증착 공정, 포토 공정, 식각 공정, 에칭 공정 등을 반복적으로 수행하여 제조된다.
단위 공정들을 진행한 후에는 세정 공정이 수반된다. 세정 공정은 일반적으로 기판상에 붙어 있는 먼지나 유기물 등을 제거하는 공정으로 DI water(deionized water) 등의 세정액을 이용한 수세 단계와, 상기 수세 공정 이후에 건조 기체(예컨대 에어) 등을 분사하여 기판에 잔류하는 세정액을 제거 및 건조시키는 건조 단계를 포함하여 이루어진다.
이 중 세정공정은 통상 기판이송과 동시에 진행되는 이른바 인라인(in-line) 방식을 채택하여 시간과 비용의 절감을 꾀하고 있으며, 이러한 인라인 방식은 IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 DI(Deionized) 액상 세정액을 기판 상에 분사하여 세정을 한다.
그러나, IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 DI(Deionized) 세정액을 분사하여 기판 상의 이물질을 제거하는 세정공정은 기판 상의 미세이물을 제거하기에는 효과적이지 못하다. 따라서, 세정되지 못한 미세이물들이 기판 상에 잔존하게 되고, 이와 같이 잔존하는 미세이물에 의해 후속 공정에 제품의 불량을 유발하게 된다.
이에 따라, IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 DI(Deionized) 세정액의 분사압력을 높여, 기판 상의 미세이물을 제거하고자 하나, 이는 그 하부에 위치하는 막의 손상을 가져오게 된다는 문제점이 있었다.
상기와 같은 기술적 배경을 바탕으로 안출된 것으로, 본 발명은 적은 양의 공기 및 유체를 분사하여도 세정효과가 증대될 수 있는 분사모듈을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 분사모듈은, 본체, 상기 본체 내부에 형성되어 에어 및 세정액이 수용되는 챔버부, 상기 챔버부와 연결되어 상기 에어 및 세정액이 분사되는 노즐부, 및 상기 챔버부에 열을 가하여 상기 세정액을 스팀으로 상변화시키도록, 상기 본체의 일측면에 설치되는 발열부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 챔버부는, 상기 세정액이 수용되는 제1 챔버 및 상기 제1 챔버와 이격되어 형성되며 상기 에어가 수용되는 제2 챔버를 포함할 수 있다.
또한, 상기 발열부재는, 상기 제1 챔버부에 열을 가하여 상기 세정액을 스팀으로 상변화시키도록, 상기 제1 챔버부와 인접한 본체의 일측면에 설치될 수 있다.
또한, 상기 발열부재는, 상기 본체의 연장방향으로 형성되며, 복수개가 일렬로 배치될 수 있다.
또한, 상기 발열부재는, 상기 분사모듈의 연장방향과 수직하게 형성되며, 복수개가 일렬로 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면 전술한 분사모듈 및 상기 세정액의 온도를 조절한 후 상기 분사모듈로 공급하는 제1 공급부를 포함하는 분사모듈 시스템을 제공한다.
또한, 상기 제1 공급부는, 세정액을 저장하는 저장부 및 상기 저장부에서 공급받은 세정액을 예열하여, 고온 액상 상태의 세정액을 상기 분사모듈로 공급하는 히팅부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 히팅부는 세정액을 약 80 ~ 90℃의 온도범위로 유지시킬 수 있다.
또한, 상기 에어를 저장 및 상기 분사모듈로 공급하는 제2 공급부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 분사모듈 시스템은, 적은 양의 공기 및 유체를 분사하여도 세정효과가 증대될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 분사모듈 시스템의 개략도이다.
도 2는 도 1에 도시된 분사모듈 시스템을 도시한 정면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 분사모듈을 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사모듈의 제1 변형예이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사모듈의 제2 변형예이다.
도 6는 도 5에 도시된 분사모듈의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참고부호를 붙였다.
본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 사용되는 용어에 대해 간략히 설명하고, 본 발명에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
본 명세서에서 "기판(S)"은 반도체 제조 공정, LCD(Liquid crystal display), OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등과 같은 평판표시장치(Flat panel display, FPD), 터치 패널(Touch Panel) 등을 제조하기 위해 특정 형상의 패턴(Pattern)이 형성된 ITO(Indium Tin Oxide) 필름 등의 투명 전도막과 이에 연결되는 배선이 형성된 PET(Polyethylene Terephthalate) 필름 또는 글래스(Glass) 등을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 분사모듈 시스템의 개략도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 분사모듈 시스템(1)은 기판(S)을 세정하기위한 세정부(100), 세정부(100)에서 세정 처리된 후 이송된 기판(S)의 건조 공정이 수행되는 건조부(200) 및 기판이 로딩(Loading)되어 이동될 수 있는 이송부(300)를 포함할 수 있다.
세정부(100)는 세정챔버(110), 분사모듈(120), 제1 공급부(130), 수집부(150), 제2 공급부(170)를 포함할 수 있다.
세정챔버(110)는 기판(S)을 세정 처리하기 위한 공간을 제공하며, 세정챔버(110)는 세정공정이 수행되는 동안 기판(S)이 외부로부터의 오염물질에 노출되지 않도록 외부로부터 차폐하는 역할을 할 수 있다.
또한, 이러한 세정챔버(110) 내부에는 기판(S)을 일방향으로 이송하여 건조부(200)로 이송하기위한 이송부(300)가 설치될 수 있다. 예를 들어, 이송부(300)는 기판 이송경로를 따라 설치되는 복수 개의 롤러 또는 컨베이어벨트 등을 포함할 수 있으며, 그 상면으로 기판이 로딩(loading)될 수 있다.
분사모듈(120)은 기판(S)의 상방 또는 상하방에서 기판(S)과 일정거리 이격되도록 배치되고, 이송부(300) 상에서 일방향으로 이송되는 기판(S)에 고온 고압의 스팀 및 에어를 분사하여 세정공정을 수행할 수 있다.
예를 들어, 분사모듈(120)은 에어 나이프(Air Knife)일 수 있다. 다른 예로, 분사모듈(120)은 세정챔버(110)의 내부에서 상측 또는 하측, 상측 및 하측에 배치되며 복수 개로 구성될 수 있고, 세정 대상물의 종류에 따라 약 30도에서 90도 각도로 분사각도가 조절될 수 있다.
스팀은 그 입경이 작기 때문에 보다 미세한 입경의 이물을 용이하게 제거할 수 있으며, 보통의 세정수를 분사하는 세정공정에 비해 그 세정효율이 매우 우수하다. 따라서, 미세 이물을 제거하기 위하여 세정액의 분사압력을 높이지 않아도 됨으로써, 그 하부에 위치하는 막이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
즉, 기존의 세정공정은 IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 DI Water(Deionized water) 세정액을 액상으로 분사하여 기판(S) 상의 미세 이물을 제거하고자 하나, IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 DI Water(Deionized water) 세정액만으로는 미세 이물이 완전히 제거되지 않음으로써, IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 DI Water(Deionized water) 세정액의 분사압력을 높여 미세 이물을 제거하나, 이는 그 하부에 위치하는 막의 손상을 가져오게 된다.
예를 들어, 기판 상에 러빙축이 형성된 배향막이 형성되어 있으며, 배향막 상부의 미세 이물을 제거하고자, 높은 압력으로 IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 DI Water(Deionized water) 세정액을 분사할 경우, 기판 상의 미세 이물은 제거될 지라도 배향막의 러빙축을 변동시키게 됨으로써, 콘트라스트 특성을 저하시키게 된다.
그러나, 본 발명의 세정공정은 보통의 세정수를 분사하는 세정공정에 비해 그 세정효율이 매우 우수한 스팀을 사용하여 기판(S) 상의 미세이물을 제거함으로써, 위와 같은 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 제1 공급부(130)는 저장부(131) 및 히팅부(133)를 포함하며, 세정액의 온도 또는 압력을 조절한 후 분사모듈로 공급할 수 있다.
저장부(131)는 세정액을 저장하기 위한 장치로서, 지속적으로 세정액을 보충받을 수 있다. 예를 들어, DI Water(Deionized water) 등의 세정액을 저장할 수 있다.
히팅부(133)는 저장부(131)에서 세정액을 공급받아 세정액의 온도를 높이는 방식으로 액상의 세정액이 기상의 스팀으로 용이하게 변환될 수 있는 온도 압력 조건을 조성할 수 있다. 예를 들어, 히팅부(133)에서 세정액은 온도가 약 80 ~ 90℃가 되도록 유지할 수 있다. 이와 같이 승온된 액상의 세정액은 펌프의 동작에 따라 후술할 분사모듈(120)로 공급될 수 있다.
수집부(150)는 세정챔버(110)에서 분사되는 스팀이 유입이송되어, 수집된 스팀을 기액분리할 수 있다. 수집부(150)에서 스팀이 액상으로 변환된 후, 액상으로 전환된 양은 저장부(131)로 회수되어 재활용될 수 있다.
제2 공급부(170)는 분사모듈(120)로 에어를 공급하기 위한 장치로서, 지속적으로 에어를 보충받을 수 있다. 예를 들어, 에어는 고순도의 질소(N2) 가스, CDA(clean dry air) 등으로 이루어 질 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 분사모듈 시스템을 도시한 정면도이다. 도 3은 도 2에 도시된 분사모듈을 도시한 사시도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사모듈의 제1 변형예이다.
도 2를 참고하면, 분사모듈(120)은 내부에 세정액을 수용하는 제1 챔버(121) 및 에어를 수용하는 제2 챔버(122)를 포함하는 챔버부, 제1 챔버 및 제2 챔버(121, 122)와 각각 연결되어 세정액 스팀 및 에어를 각각 분사하는 제1 노즐 및 제2 노즐(126, 128)을 포함하는 노즐부, 챔버부에 열을 전달하기 위한 제1 발열부재(129)를 포함할 수 있다.
제1 챔버(121) 및 제2 챔버(122)는 분사모듈(120)의 본체 내부에서 이격되어 형성될 수 있다. 이때, 제1 챔버(121)에 수용된 세정액이 스팀으로 상변화되어 제1 노즐(126)을 통해 외부로 분사되고, 제2 챔버(122)에 수용된 에어가 제2 노즐(128)을 통해 외부로 분사될 수 있다.
이때, 제1 노즐(126)은 기판(S) 이송방향의 전단에 위치하여 스팀을 분사하여 기판(S) 상의 미세이물을 제거할 수 있고, 제2 노즐(128)은 기판(S) 이송방향의 후단에 위치하여 에어를 분사할 수 있다.
이에 따라, 제2 노즐(128)에서 분사되는 에어는, 스팀에 의해 기판(S) 상에서 박리된 미세이물이 재흡착되는 것을 방지함과 동시에 스팀의 비산을 방지하여, 스팀의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
제1 발열부재(129)는 분사모듈(120)의 일측면에 설치되어 챔버부에 열을 가할 수 있다. 예를 들어, 제1 발열부재(129)는 제1 챔버(121)와 인접한 분사모듈(120)의 측면에 설치될 수 있다.
이때, 도 3을 참고하면, 제1 발열부재(129)는 분사모듈(120)의 내측에 매립되어 제1 챔버(121)와 인접하게 배치되거나, 분사모듈(120)의 외측면에 제1 챔버(121) 방향으로 함입되는 홈(미도시)에 삽입되어 설치될 수 있다. 이러한 제1 발열부재(129)는 전열관 등의 발열체일 수 있으며, 분사모듈(120)의 연장방향으로 연장 형성되어, 복수개가 상하방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 다른 예로, 도 4를 참고하면 제1 발열부재(129)는 분사모듈(120)의 연장방향과 수직한 방향으로 연장 형성되어, 복수개가 일렬로 배치될 수 있다.
이때, 공급부(130)의 히팅부(133)에서 100℃의 끓는점을 가지는 세정액을 약 80 ~ 90℃의 온도를 갖도록 예열하여, 고온의 액상 세정액이 펌프를 통해 제1 챔버(121)에 공급하고, 제1 발열부재(129)에 의해 제1 챔버(121) 내부의 세정액이 가열되어 100℃ 이상의 온도인 기상의 스팀으로 상변화되어 제1 노즐(126)을 통해 분사될 수 있다.
즉, 공급부(130)에서 분사모듈(120)로 세정액이 공급되는 과정에서는 세정액이 끓는점인에 가깝게 승온되어, 열손실이 발생하더라도 상변화가 발생하지 않아 고온의 액상 상태를 유지할 수 있고, 세정액이 분사모듈(120)에서 분사되기 직전에 제1 발열부재(129)의 열에 의해 끓는점 이상으로 가열되어 스팀으로 상변화하는 것이므로, 제1 발열부재(129)를 통해 적은 에너지를 사용하여 열손실을 보정하면서 스팀을 생성할 수 있다.
이에 따라, 제1 챔버(121)는 일렬로 배치되는 복수개의 제1 발열부재(129)에 의해 내부가 균일하게 가열될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사모듈의 제2 변형예이다. 도 6는 도 5에 도시된 분사모듈의 단면도이다.
도 5를 참고하면, 분사모듈은 제2 발열부재(129)를 포함할 수 있다.
제2 발열부재(129)는 판 형상으로 형성되어, 일면에는 돌출부(129b)가 형성될 수 있다. 이때, 분사모듈(120)의 외측면에는 제1 챔버(121) 측으로 함입되는 삽입홈(120a)이 형성되어, 돌출부(129b)가 삽입홈(120a)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 도 6에 도시된 바와 같이 제2 발열부재(129)는 돌출부(129b)에 의해 분사모듈(120)의 일면에 설치될 수 있다.
예를 들어, 제2 발열부재(129)는 몸체가 세라믹 재질로 이루어 지고, 내부에는 탄소섬유재질인 나선 모양의 띠 형상의 탄소섬유가 복수개로 나열되어 이루어지는 면상 발열체(미도시)가 설치되는 인덕션일 수 있다.
이때, 제2 발열부재(129)는 분사모듈(120)의 측면에 접촉하여 설치되어 있는 상태에서, 전기에너지를 공급하여 면상 발열체가 가열되어 외측의 세라믹을 가열할 수 있다.
이에 따라, 제1 챔버(121)는 분사모듈(120) 일측에 설치되며 면상발열체를 갖는 제2 발열부재(129)에 의해 내부가 균일하게 가열될 수 있다.
이때, 공급부(130)의 히팅부(133)에서 100℃의 끓는점을 가지는 세정액을 약 80 ~ 90℃의 온도를 갖도록 예열하여, 고온의 액상 세정액이 펌프를 통해 제1 챔버(121)에 공급하고, 제2 발열부재(129)에 의해 제1 챔버(121) 내부의 세정액이 가열되어 100℃ 이상의 온도인 기상의 스팀으로 상변화되어 제1 노즐(126)을 통해 분사될 수 있다.
즉, 공급부(130)에서 분사모듈(120)로 세정액이 공급되는 과정에서는 세정액이 끓는점인에 가깝게 승온되어, 열손실이 발생하더라도 상변화가 발생하지 않아 고온의 액상 상태를 유지할 수 있고, 세정액이 분사모듈(120)에서 분사되기 직전에 제2 발열부재(129)의 열에 의해 끓는점 이상으로 가열되어 스팀으로 상변화하는 것이므로, 제2 발열부재(129)를 통해 적은 에너지를 사용하여 열손실을 보정하면서 스팀을 생성할 수 있다.
이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.
1: 분사모듈 시스템 100: 세정부
110: 세정챔버 120: 분사모듈
120a: 삽입홈
121: 제1 챔버 122: 제2 챔버
126: 제1 노즐 128: 제2 노즐
129, 129a: 발열부재 129b: 돌출부
130: 제1 공급부
131: 저장부 133: 히팅부
150: 수집부 170: 제2 공급부
200: 건조부 210: 건조챔버
220: 에어나이프
300: 이송부 S: 기판

Claims (1)

  1. 본체;
    상기 본체 내부에 형성되어 세정액이 수용되는 제1 챔버와 상기 제1 챔버와 이격되어 형성되며 에어가 수용되는 제2 챔버를 가지는 챔버부;
    상기 제1 챔버의 세정액이 외부로 분사되는 제1 노즐 및 상기 제2 챔버의 에어가 외부로 분사되는 제2 노즐을 포함하는 노즐부; 및
    상기 제1 챔버부에 열을 가해 상기 세정액을 스팀으로 상변화시키도록 상기 제1 챔버와 인접한 본체의 일측면에 결합되고,
    상기 본체는, 상기 제1 챔버의 측면에 합입된 삽입홈이 형성되고,
    상기 본체의 연장방향을 따라 판 형상으로 형성되고, 상기 삽입홈에 끼워지도록 일면에 복수개의 돌출부가 형성되며, 내부에 면상발열체를 구비한 발열부재를 포함하고,
    상기 세정액의 공급부와 상기 제1 챔버 사이에 위치하여 상기 세정액이 상기 제1 챔버에 공급되는 과정에서, 상기 세정액의 상변화가 발생되지 않고 고온의 액상 상태로 이동할 수 있도록 상기 세정액을 끓는점에 까깝게 예열하는 히팅부를 포함하고,
    상기 제2 노즐에서 분사되는 상기 에어는,
    상기 스팀에 의해 기판상에 박리된 미세이물이 재흡착되는 것을 방지하는 분사모듈.
KR1020210038429A 2019-06-04 2021-03-25 분사모듈 시스템 KR102266844B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210038429A KR102266844B1 (ko) 2019-06-04 2021-03-25 분사모듈 시스템

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190065987A KR102236478B1 (ko) 2019-06-04 2019-06-04 분사모듈 시스템
KR1020210038429A KR102266844B1 (ko) 2019-06-04 2021-03-25 분사모듈 시스템

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190065987A Division KR102236478B1 (ko) 2019-06-04 2019-06-04 분사모듈 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210036324A KR20210036324A (ko) 2021-04-02
KR102266844B1 true KR102266844B1 (ko) 2021-06-18

Family

ID=75466754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210038429A KR102266844B1 (ko) 2019-06-04 2021-03-25 분사모듈 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102266844B1 (ko)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102100762B1 (ko) * 2016-09-08 2020-04-14 주식회사 뉴파워 프라즈마 발열체 표면의 기화를 이용한 증기 발생 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210036324A (ko) 2021-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9449857B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20130101193A (ko) 패널의 세정장치 및 세정방법
US6365531B1 (en) Cleaning and drying method and apparatus for manufacturing semiconductor devices
KR101085190B1 (ko) 기판 세정 장치 및 방법과, 이를 이용한 기판 세정 설비
US20220139731A1 (en) Method for treating substrate
KR102266843B1 (ko) 분사모듈 시스템
KR102266844B1 (ko) 분사모듈 시스템
KR102236478B1 (ko) 분사모듈 시스템
KR101736783B1 (ko) 하이브리드식 세정구조를 갖는 친환경 스팀 세정기
KR101169924B1 (ko) 웨이퍼 이송 로봇
KR20060004308A (ko) 포토 마스크 세정장치 및 그 방법
KR102554793B1 (ko) 듀얼 슬릿 에어나이프
JP5778944B2 (ja) 基板処理装置
KR101304484B1 (ko) 기판 세정 장치
KR20070060713A (ko) 기판 세정 장치 및 방법
KR101528888B1 (ko) 드라이아이스를 이용한 엘씨디 패널의 표면 세정장치
KR102284471B1 (ko) 처리액 노즐 및 기판 처리 장치
KR102454656B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101184063B1 (ko) 액정표시패널의 제조장치
KR20070047440A (ko) 평판 표시 장치의 제조 시스템 및 제조 방법
KR20060071490A (ko) 카세트 세정장치
KR20040074315A (ko) 카세트세정장치
KR20160003367A (ko) 세정도 측정이 가능한 연속식 마스크 처리 장치
US6279588B1 (en) Method and apparatus for washing and drying glasses for LCDS/PDPS while being free from leaving any spot on the glasses
KR20110071287A (ko) 기판세정장치

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant