KR102260368B1 - Vacuum processing system and method of operation of vacuum processing system - Google Patents

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세바스티안 군터 장
위르겐 헨리히
안드레아스 사우어
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판을 처리하기 위한 진공 처리 시스템이 설명된다. 처리 시스템은 제1 클러스터 챔버에 연결된 제1 처리 챔버; 제1 처리 챔버에서 기판을 처리하기 위한 제1 처리 스테이션; 제2 클러스터 챔버에 연결된 제2 처리 챔버; 제1 클러스터 챔버 및 제2 클러스터 챔버에 연결된 제1 이송 챔버 ― 제1 이송 챔버는 제1 클러스터 챔버와 제2 클러스터 챔버 사이에서 연장되는 제1 길이를 가지며, 제1 이송 챔버는 기판을 수용하도록 크기 설정됨 ―; 제2 클러스터 챔버에 연결되고, 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버; 및 제1 처리 챔버, 제2 처리 챔버, 제1 클러스터 챔버, 제2 클러스터 챔버, 제1 이송 챔버 및 제2 이송 챔버를 통해, 수직으로부터 15° 이하만큼 벗어난 배향으로 기판을 라우팅하도록 제공된 기판 운반 배열체를 포함한다.A vacuum processing system for processing a substrate is described. The processing system includes a first processing chamber coupled to the first cluster chamber; a first processing station for processing a substrate in a first processing chamber; a second processing chamber coupled to the second cluster chamber; a first transfer chamber coupled to the first cluster chamber and the second cluster chamber, the first transfer chamber having a first length extending between the first cluster chamber and the second cluster chamber, the first transfer chamber being sized to receive a substrate set ―; a second transfer chamber coupled to the second cluster chamber and having a second length shorter than the first length; and a substrate transport arrangement provided to route the substrate through the first processing chamber, the second processing chamber, the first cluster chamber, the second cluster chamber, the first transfer chamber and the second transfer chamber in an orientation that is no more than 15° away from vertical. includes a sieve.

Description

진공 처리 시스템 및 진공 처리 시스템의 작동 방법Vacuum processing system and method of operation of vacuum processing system

[0001] 본 개시내용의 실시예들은, 특히 복수의 기판들 상에 2 개, 3 개 또는 그 초과의 상이한 물질들을 증착하기 위한 진공 처리 시스템들(vacuum processing systems) 및 진공 처리 시스템을 작동시키는 방법들에 관한 것이다. 실시예들은 특히, 진공 처리 시스템들 및 진공 처리 시스템을 작동시키는 방법들에 관한 것이며, 기판 캐리어들(substrate carriers)에 의해 유지된 기판들은 진공 처리 시스템 내에서 기판 운반 경로를 따라, 예를 들어 다양한 증착 모듈들(deposition modules) 내로 그리고 다양한 증착 모듈들 밖으로 운반된다. 또한, 실시예들은 특히, 진공 처리 시스템들 및 진공 처리 시스템들을 작동시키는 방법들에 관한 것이며, 기판들은 본질적으로 수직 배향으로 기판 캐리어들에 의해 지지되어 있다.Embodiments of the present disclosure relate particularly to vacuum processing systems and method of operating a vacuum processing system for depositing two, three or more different materials on a plurality of substrates. it's about Embodiments relate, in particular, to vacuum processing systems and methods of operating a vacuum processing system, wherein substrates held by substrate carriers follow a substrate transport path within the vacuum processing system, for example, various It is transported into and out of the various deposition modules. Embodiments also relate, inter alia, to vacuum processing systems and methods of operating vacuum processing systems, wherein substrates are supported by substrate carriers in an essentially vertical orientation.

[0002] 유기 물질들을 사용하는 광전자 디바이스들(opto-electronic devices)은 다수의 이유들로 점점 더 인기를 얻고 있다. 그러한 디바이스들을 제조하는 데 사용되는 많은 물질들은 비교적 저렴하며, 그래서 유기 광전자 디바이스들은 무기 디바이스들에 비해 비용상 이점들의 가능성이 있다. 유기 물질들의 고유 특성들, 이를테면 이들의 가요성은 가요성 또는 비가요성 기판들 상에의 증착과 같은 응용들에 유리할 수 있다. 유기 광전자 디바이스들의 예들은 유기 발광 디바이스들(organic light emitting devices), 유기 디스플레이들(organic displays), 유기 포토트랜지스터들(organic phototransistors), 유기 광전지들(organic photovoltaic cells) 및 유기 광검출기들(organic photodetectors)을 포함한다.[0002] Opto-electronic devices using organic materials are becoming increasingly popular for a number of reasons. Many of the materials used to make such devices are relatively inexpensive, so organic optoelectronic devices have the potential for cost advantages over inorganic devices. The intrinsic properties of organic materials, such as their flexibility, can be advantageous for applications such as deposition on flexible or inflexible substrates. Examples of organic optoelectronic devices are organic light emitting devices, organic displays, organic phototransistors, organic photovoltaic cells and organic photodetectors. ) is included.

[0003] OLED 디바이스들의 유기 물질들은 통상의 물질들에 비해 성능 이점들을 가질 수 있다. 예를 들어, 유기 방출 층이 광을 방출하는 파장은 적절한 도펀트들(dopants)로 용이하게 조정될 수 있다. OLED 디바이스들은 전압이 디바이스에 걸쳐 인가될 때 광을 방출하는 얇은 유기 필름들을 사용한다. OLED 디바이스들은 평판 디스플레이들(flat panel displays), 조명 및 백라이팅(backlighting)과 같은 응용들에 사용하기 위한 점점 더 흥미로운 기술이 되고 있다.[0003] Organic materials of OLED devices can have performance advantages over conventional materials. For example, the wavelength at which the organic emissive layer emits light can be readily tuned with suitable dopants. OLED devices use thin organic films that emit light when a voltage is applied across the device. OLED devices are becoming an increasingly interesting technology for use in applications such as flat panel displays, lighting and backlighting.

[0004] 물질들, 특히 유기 물질들은 전형적으로 대기압 미만 압력(sub-atmospheric pressure) 하의 진공 처리 시스템에서 기판 상에 증착된다. 증착 동안, 마스크 디바이스(mask device)는 기판의 전방에 배열될 수 있으며, 마스크 디바이스는, 예를 들어 증발에 의해, 기판 상에 증착될 물질 패턴(material pattern)에 대응하는 개구 패턴을 한정하는 적어도 하나의 개구 또는 복수의 개구들을 가질 수 있다. 기판은 전형적으로, 증착 동안에 마스크 디바이스 후방에 배열되고, 마스크 디바이스에 대해 정렬된다.[0004] Materials, particularly organic materials, are typically deposited on a substrate in a vacuum processing system under sub-atmospheric pressure. During deposition, a mask device may be arranged in front of the substrate, the mask device having at least defining an opening pattern corresponding to a material pattern to be deposited on the substrate, for example by evaporation. It may have one opening or a plurality of openings. The substrate is typically arranged behind and aligned to the mask device during deposition.

[0005] 전형적으로, 5 개 또는 그 초과, 또는 심지어 10 개 또는 그 초과의 물질 층들이, 예를 들어 컬러 디스플레이(color display)를 제조하기 위해 기판 상에 연속하여(subsequently) 증착될 수 있다. 복수의 기판들 상에 상이한 물질들을 증착하기 위한 복수의 증착 모듈들을 포함하는 진공 처리 시스템을 취급하는 것은 어려울 수 있다. 특히, 상이한 물질들을 증착하기 위한 대형 진공 처리 시스템들에서 기판 트래픽(substrate traffic) 및 마스크 트래픽(mask traffic)을 취급하는 것은 난제시 될 수 있다. [0005] Typically, five or more, or even ten or more layers of material may be deposited sequentially on a substrate, for example to produce a color display. It can be difficult to handle a vacuum processing system that includes a plurality of deposition modules for depositing different materials on a plurality of substrates. In particular, handling substrate traffic and mask traffic in large vacuum processing systems for depositing different materials can be challenging.

[0006] 따라서, 복수의 기판들 상에 물질들을 증착하기 위한 신뢰성있는 진공 처리 시스템들 및 진공 처리 시스템을 신뢰성있게 작동시키는 방법들을 제공하는 것이 유익할 것이다. 특히, 택트 타임(tact time), 즉 하나의 층이 증착될 수 있는 시간 기간의 가속화는, 예를 들어 진공 처리 시스템의 처리량(throughput)을 증가시키는데 유익하다.[0006] Accordingly, it would be beneficial to provide reliable vacuum processing systems for depositing materials on a plurality of substrates and methods of reliably operating the vacuum processing system. In particular, acceleration of the tact time, ie the period of time during which one layer can be deposited, is beneficial, for example, in increasing the throughput of a vacuum processing system.

[0007] 상기의 관점에서, 기판을 처리하기 위한 진공 처리 시스템, 기판 상에 복수의 층들을 증착하기 위한 진공 처리 시스템, 및 진공 처리 시스템을 작동시키는 방법이 제공된다.[0007] In view of the above, a vacuum processing system for processing a substrate, a vacuum processing system for depositing a plurality of layers on a substrate, and a method of operating the vacuum processing system are provided.

[0008] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 기판을 처리하기 위한 진공 처리 시스템이 제공된다. 처리 시스템은 제1 클러스터 챔버(cluster chamber)에 연결된 제1 처리 챔버(processing chamber); 제1 처리 챔버에서 기판을 처리하기 위한 제1 처리 스테이션(processing station); 제2 클러스터 챔버에 연결된 제2 처리 챔버; 제1 클러스터 챔버 및 제2 클러스터 챔버에 연결된 제1 이송 챔버(transfer chamber)―제1 이송 챔버는 제1 클러스터 챔버와 제2 클러스터 챔버 사이에서 연장되는 제1 길이를 가지며, 제1 이송 챔버는 기판을 수용하도록 크기 설정됨―; 제2 클러스터 챔버에 연결되고, 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버; 및 제1 처리 챔버, 제2 처리 챔버, 제1 클러스터 챔버, 제2 클러스터 챔버, 제1 이송 챔버 및 제2 이송 챔버를 통해, 수직으로부터 15° 이하만큼 벗어난 배향으로 기판을 라우팅(routing)하도록 제공된 기판 운반 배열체(substrate transportation arrangement)를 포함한다.According to one aspect of the present disclosure, a vacuum processing system for processing a substrate is provided. The processing system includes a first processing chamber coupled to a first cluster chamber; a first processing station for processing a substrate in a first processing chamber; a second processing chamber coupled to the second cluster chamber; a first transfer chamber coupled to the first cluster chamber and the second cluster chamber, the first transfer chamber having a first length extending between the first cluster chamber and the second cluster chamber, the first transfer chamber including the substrate sized to accommodate—; a second transfer chamber coupled to the second cluster chamber and having a second length shorter than the first length; and through the first processing chamber, the second processing chamber, the first cluster chamber, the second cluster chamber, the first transfer chamber and the second transfer chamber, provided for routing the substrate in an orientation that is no more than 15° away from vertical. and a substrate transportation arrangement.

[0009] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 기판 상에 복수의 층들을 증착하기 위한 진공 처리 시스템이 제공된다. 진공 처리 시스템은 제1 길이를 갖고 진공 챔버에 연결된 제1 이송 챔버; 및 진공 챔버에 연결되고, 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버를 포함한다.According to another aspect of the present disclosure, a vacuum processing system for depositing a plurality of layers on a substrate is provided. The vacuum processing system includes a first transfer chamber having a first length and coupled to the vacuum chamber; and a second transfer chamber coupled to the vacuum chamber and having a second length less than the first length.

[0010] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 진공 처리 시스템을 작동시키는 방법이 제공된다. 방법은 제1 시간 기간 동안 제1 기판 상에 물질 층을 증착하는 단계; 제1 시간 기간 동안 제1 이송 챔버에 제2 기판을 파킹(parking)하는 단계; 및 제1 시간 기간 동안 제2 이송 챔버에서 제3 기판을 이송하는 단계를 포함한다.[0010] According to another aspect of the present disclosure, a method of operating a vacuum processing system is provided. The method includes depositing a layer of material on a first substrate for a first period of time; parking a second substrate in the first transfer chamber for a first period of time; and transferring the third substrate in the second transfer chamber during the first period of time.

[0011] 본 개시내용의 다른 양상들, 이점들 및 특징들은 설명 및 첨부 도면들로부터 명백하다. Other aspects, advantages and features of the present disclosure are apparent from the description and accompanying drawings.

[0012] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 기판 상에 복수의 층들을 증착하기 위한 진공 처리 시스템이 제공된다. 진공 처리 시스템은 기판을 수평 배향에 대한 제1 배향 및 수평 배향에 대한 제2 배향으로 선택적으로 위치결정(position)하도록 구성된 기판 재위치결정 챔버(substrate repositioning chamber)를 포함한다. 진공 처리 시스템은 클러스터 챔버, 및 진공 챔버와 클러스터 챔버 사이에 버퍼 챔버(buffer chamber)를 더 포함한다. 버퍼 챔버는 하나의 기판 운반 경로 및 적어도 다른 기판 운반 포지션(substrate transportation position)을 포함한다. 본 개시내용의 추가적인 양상들, 이점들, 특징들 및 실시예들이 그러한 양상과 조합될 수 있다.According to another aspect of the present disclosure, a vacuum processing system for depositing a plurality of layers on a substrate is provided. The vacuum processing system includes a substrate repositioning chamber configured to selectively position a substrate in a first orientation relative to a horizontal orientation and a second orientation relative to a horizontal orientation. The vacuum processing system further includes a cluster chamber and a buffer chamber between the vacuum chamber and the cluster chamber. The buffer chamber includes one substrate transport path and at least another substrate transport position. Additional aspects, advantages, features and embodiments of the present disclosure may be combined with such aspect.

[0013] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다. 전형적인 실시예들이 도면들에 도시되어 있으며, 하기의 설명에서 상세하게 기술된다.
[0014] 도 1은 클러스터형(cluster-type) 기판 처리 시스템의 개략도이고;
[0015] 도 2는 인라인형(in-line-type) 기판 처리 시스템의 개략도이고;
[0016] 도 3a는 2 개 또는 그 초과의 진공 클러스터 챔버 및 진공 클러스터 챔버들 중 하나 또는 그 초과에 연결된 복수의 처리 챔버들을 갖는, 본 개시내용의 실시예들에 따른 진공 처리 시스템의 개략도이고;
[0017] 도 3b는 도 3a의 진공 처리 시스템의 개략도이고, 본 개시내용의 실시예들에 따른 진공 처리 시스템 내의 예시적인 기판 트래픽 또는 기판들의 흐름을 도시하고;
[0018] 도 4a는 2 개 또는 그 초과의 진공 클러스터 챔버 및 진공 클러스터 챔버들 중 하나 또는 그 초과에 연결된 복수의 처리 챔버들을 갖는, 본 개시내용의 실시예들에 따른 추가적인 진공 처리 시스템의 개략도이고;
[0019] 도 4b는 도 4a의 진공 처리 시스템의 개략도이고, 본 개시내용의 실시예들에 따른 진공 처리 시스템 내의 예시적인 기판 트래픽 또는 기판들의 흐름을 도시하고;
[0020] 도 5a 및 도 5b는 본 개시내용의 실시예들에 따른 제1 유형의 이송 챔버들의 개략도들이고, 도 5a는 측면도이며, 도 5b는 평면도이고;
[0021] 도 6은 본 개시내용의 실시예들에 따른 제2 유형의 이송 챔버들의 개략적인 측면도이며;
[0022] 도 7은 진공 처리 시스템을 작동시키는 방법들의 실시예들을 도시하는 흐름도를 나타낸다.
[0013] In such a way that the above-listed features of the present disclosure may be understood in detail, a more specific description of the present disclosure briefly summarized above may be made with reference to embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below. Exemplary embodiments are shown in the drawings and are described in detail in the description that follows.
1 is a schematic diagram of a cluster-type substrate processing system;
2 is a schematic diagram of an in-line-type substrate processing system;
3A is a schematic diagram of a vacuum processing system in accordance with embodiments of the present disclosure, having two or more vacuum cluster chambers and a plurality of processing chambers coupled to one or more of the vacuum cluster chambers;
[0017] FIG. 3B is a schematic diagram of the vacuum processing system of FIG. 3A and illustrates an exemplary substrate traffic or flow of substrates within the vacuum processing system in accordance with embodiments of the present disclosure;
4A is a schematic diagram of an additional vacuum processing system in accordance with embodiments of the present disclosure, having two or more vacuum cluster chambers and a plurality of processing chambers coupled to one or more of the vacuum cluster chambers; ;
[0019] FIG. 4B is a schematic diagram of the vacuum processing system of FIG. 4A and illustrates an exemplary substrate traffic or flow of substrates within the vacuum processing system in accordance with embodiments of the present disclosure;
5A and 5B are schematic views of a first type of transfer chambers according to embodiments of the present disclosure, FIG. 5A is a side view, and FIG. 5B is a top view;
6 is a schematic side view of transfer chambers of a second type according to embodiments of the present disclosure;
7 shows a flow diagram illustrating embodiments of methods of operating a vacuum processing system.

[0023] 이제, 다양한 실시예들이 상세하게 참조될 것이며, 이들 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 예들이 도면들에 도시되어 있다. 각각의 예는 설명으로서 제공되고, 제한을 의미하지 않는다. 예를 들어, 일 실시예의 일부로서 도시되거나 설명된 특징들은 임의의 다른 실시예에 또는 그와 함께 사용되어 또 다른 추가적인 실시예를 생성할 수 있다. 본 개시내용은 그러한 변형들 및 변경들을 포함하는 것으로 의도된다.Reference will now be made in detail to various embodiments, examples of one or more of which are shown in the drawings. Each example is provided by way of illustration and not limitation. For example, features shown or described as part of one embodiment may be used in or in conjunction with any other embodiment to create a still further embodiment. This disclosure is intended to cover such modifications and variations.

[0024] 도면들의 하기의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일하거나 유사한 구성요소들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 달리 명시되지 않는 한, 일 실시예에서의 부분 또는 양상의 설명은 다른 실시예에서의 대응하는 부분 또는 양상에도 또한 적용된다.[0024] Within the following description of the drawings, like reference numbers refer to the same or similar elements. In general, only differences for individual embodiments are described. Unless otherwise specified, a description of a part or aspect in one embodiment also applies to the corresponding part or aspect in another embodiment.

[0025] OLED 평판 디스플레이들과 같은 OLED 디바이스들은 복수의 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 5 개 또는 그 초과, 혹은 심지어 10 개 또는 그 초과의 층들의 조합이 제공될 수 있다. 전형적으로, 유기 층들 및 금속성 층들은 백플레인(backplane) 상에 증착되며, 백플레인은 TFT 구조체를 포함할 수 있다. 특히, 유기 층들은 캡슐화(encapsulation) 전에 가스 환경(예를 들어, 분위기)에 민감할 수 있다. 따라서, 진공 처리 시스템 내에서 전체 층 스택(layer stack)을 생성하는 것이 유익하다.OLED devices, such as OLED flat panel displays, may include a plurality of layers. For example, a combination of 5 or more, or even 10 or more layers may be provided. Typically, organic and metallic layers are deposited on a backplane, which may include a TFT structure. In particular, organic layers may be sensitive to a gaseous environment (eg, atmosphere) prior to encapsulation. Accordingly, it is advantageous to create an entire layer stack within a vacuum processing system.

[0026] 또한, 모바일 디바이스들(mobile devices)과 같은 OLED 디스플레이들에 대한 요구 증가는 진공 처리 시스템의 높은 처리량 및 높은 수율에 대한 요구 증가를 야기한다. 처리량은, 그 중에서도, 택트 타임, 즉 하나의 층이 기판 상에 증착되고, 그리고/또는 기판이 하나의 처리 스테이션으로부터 다른 처리 스테이션들로 운반되는 시간에 의해 정의된다. 개선된 처리량을 위해, 준-연속 증착(quasi-continuous deposition)이 본 개시내용의 실시예들에 따라 제공될 수 있다. 즉, 처리 챔버 내의 처리 스테이션은 하나의 기판을 처리하는 한편, 처리 기판은 처리 챔버 밖으로 이동되고 새로운 기판이 처리 챔버 내로 이동된다. 따라서, 처리 스테이션은 준-연속적으로, 즉 진공 처리 시스템의 작동 시간의 적어도 80% 또는 적어도 90%를 작동할 수 있다.[0026] In addition, increasing demand for OLED displays, such as mobile devices, causes an increasing demand for high throughput and high yield of vacuum processing systems. Throughput is defined, inter alia, by tact time, ie, the time a layer is deposited on a substrate and/or a substrate is transported from one processing station to another. For improved throughput, quasi-continuous deposition may be provided in accordance with embodiments of the present disclosure. That is, a processing station within the processing chamber processes one substrate, while the processing substrate is moved out of the processing chamber and a new substrate is moved into the processing chamber. Accordingly, the processing station may operate quasi-continuously, ie at least 80% or at least 90% of the operating time of the vacuum processing system.

[0027] 예를 들어 10 개 또는 그 초과의 층들을 갖는 전체 층 스택이 하나의 시스템 내에서 제조되는 진공 처리 시스템 및 진공 처리 시스템을 작동시키는 방법들의 경우, 복수의 기판들이 동시에 처리되고, 즉 진공 처리 시스템 내에 제공된다. 기판들은 시스템 내에서 그리고 택트 타임에 따라 라우팅된다. 기판 트래픽, 즉 기판들이 시스템 내에서 이동되고 처리되는 타이밍(timing)은 매우 난제시 될 수 있다. 이것은 특히 대면적 기판들, 예를 들어 1 ㎡ 이상의 크기를 갖는 기판들과 관련이 있다. 대면적 기판들의 경우, 진공 처리 시스템의 풋프린트(footprint)는 진공 처리 시스템을 구축하는 이용 가능한 옵션들(options)에 대한 추가적인 제한을 제공한다. 시스템의 풋프린트의 제한들과 원하는 택트 타임의 조합은 난제들을 더욱 증가시킨다.[0027] In the case of a vacuum processing system and methods of operating a vacuum processing system in which, for example, an entire layer stack having 10 or more layers is manufactured in one system, a plurality of substrates are processed simultaneously, ie vacuum provided within the processing system. Substrates are routed within the system and according to tact time. Substrate traffic, ie the timing at which substrates are moved and processed within the system, can be very challenging. This is particularly relevant for large-area substrates, for example substrates having a size of 1 m 2 or more. For large area substrates, the footprint of the vacuum processing system provides an additional limit to the available options for building the vacuum processing system. The combination of the limitations of the system's footprint and the desired tact time further increases the challenges.

[0028] 도 1은 진공 처리 시스템(1010)을 도시한다. 진공 처리 시스템(1010)은 처리될 기판들이 로드록 챔버(load lock chamber)(1012)를 통해 중앙 이송 챔버(1013)에 로딩되는 클러스터 배열(cluster arrangement)을 갖는다. 중앙 이송 챔버로부터, 처리될 기판들이 처리 챔버들(1014A, 1014B, 1014C 및 1014D)과 같은 다양한 처리 챔버들 내로 이동될 수 있다. 기판들은 수평 배향으로 이동된다. 증착 소스들(deposition sources)(1016A, 1016B, 1016C 및 1016D)과 같은 증착 소스들이 각각의 처리 챔버들에서 수평으로 배향된 기판들 아래에 제공된다. 현재 처리되지 않은 기판들을 보관하기 위한 버퍼 챔버(1018)를 갖는 것이 또한 가능하다. 도 1은 또한 공장 건물에 제공되는 기둥들(1020)을 도시하고 있다. 진공 처리 시스템의 클러스터 배열은 중앙 이송 챔버(1013)에 연결된 처리 챔버들의 수에 대한 제한을 포함한다. 따라서, 클러스터 배열을 갖는 진공 처리 시스템(1010)의 풋프린트가 제한되며, 공장 건물의 바닥 공간에, 예를 들어 기둥들(1020) 사이에 제공될 수 있다.1 shows a vacuum processing system 1010 . The vacuum processing system 1010 has a cluster arrangement in which substrates to be processed are loaded into a central transfer chamber 1013 via a load lock chamber 1012 . From the central transfer chamber, substrates to be processed may be moved into various processing chambers, such as processing chambers 1014A, 1014B, 1014C and 1014D. The substrates are moved in a horizontal orientation. Deposition sources, such as deposition sources 1016A, 1016B, 1016C, and 1016D, are provided below horizontally oriented substrates in respective processing chambers. It is also possible to have a buffer chamber 1018 for holding substrates that are not currently processed. 1 also shows the columns 1020 provided in the factory building. The cluster arrangement of the vacuum processing system includes a limitation on the number of processing chambers connected to the central transfer chamber 1013 . Thus, the footprint of the vacuum processing system 1010 with a cluster arrangement is limited and can be provided in the floor space of a factory building, for example between columns 1020 .

[0029] 도 2는 다른 진공 처리 시스템(1011)을 도시하고 있다. 진공 처리 시스템(1011)은 기판들이 시스템의 일 단부에 있는 제1 처리 챔버들로부터 다른 후속 처리 챔버들로 이동되는 인라인 배열(in-line arrangement)을 갖는다. 제1 처리 챔버들 및 다른 후속 처리 챔버들은 일렬로 배열된다. 기판은 일반적으로 하나의 처리 챔버로부터 다음 챔버로 이동한다. 처리 챔버들 각각에 차례로, 층이 증착될 수 있거나, 기판 처리 단계가 제공될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 로드록 챔버(1012)가 진공 처리 시스템(1011)의 일 단부에 제공될 수 있다. 제1 로드록 챔버는 기판을 진공 처리 시스템 내에 로딩하도록 제공될 수 있다. 제2 로드록 챔버(1012')가 진공 처리 시스템(1011)의 타 단부에 제공될 수 있다. 제2 로드록 챔버는 기판들을 진공 처리 시스템 밖으로 언로딩하도록 제공될 수 있다. 다른 예에 따르면, 기판들은 처리 챔버들(1015A, 1015B, 1015C 및 1015D)과 같은 후속 챔버들에서 처리되고, 처리 챔버들을 통해, 예를 들어 처리 없이, 역방향으로 이동되어 제1 로드록 챔버(1012)에서 언로딩될 수 있다. 현재 처리되지 않은 기판들을 보관하기 위한 버퍼 챔버(1018)를 갖는 것이 또한 가능하다. 진공 처리 시스템(1011)의 인라인 배열로 인해, 바닥 공간 또는 풋프린트 제한들은 주로 하나의 치수에만 제공되고, 즉 10 개 또는 그 초과의 층들을 증착하도록 구성된 진공 처리 시스템(1011)은 지나치게 길 수 있다.2 shows another vacuum processing system 1011 . The vacuum processing system 1011 has an in-line arrangement in which substrates are moved from first processing chambers at one end of the system to other subsequent processing chambers. The first processing chambers and other subsequent processing chambers are arranged in a row. Substrates are generally moved from one processing chamber to the next. A layer may be deposited in each of the processing chambers in turn, or a substrate processing step may be provided. For example, as shown in FIG. 2 , a first load lock chamber 1012 may be provided at one end of the vacuum processing system 1011 . A first load lock chamber may be provided to load a substrate into the vacuum processing system. A second load lock chamber 1012 ′ may be provided at the other end of the vacuum processing system 1011 . A second load lock chamber may be provided to unload substrates out of the vacuum processing system. According to another example, substrates are processed in subsequent chambers, such as processing chambers 1015A, 1015B, 1015C, and 1015D, and moved in a reverse direction through the processing chambers, eg, without processing, to first load lock chamber 1012 ) can be unloaded. It is also possible to have a buffer chamber 1018 for storing currently unprocessed substrates. Due to the in-line arrangement of the vacuum processing system 1011, floor space or footprint limitations are primarily provided in only one dimension, i.e., a vacuum processing system 1011 configured to deposit ten or more layers may be too long. .

[0030] 도 3a는 본 개시내용의 실시예들에 따른 진공 처리 시스템(1100)을 도시하고 있다. 진공 처리 시스템(1100)은 클러스터 배열 및 인라인 배열의 조합을 제공한다. 복수의 처리 챔버들(1120)이 제공된다. 처리 챔버들(1120)은 진공 회전 챔버들(1130)에 연결될 수 있다. 진공 회전 챔버들(1130)은 인라인 배열로 제공된다. 진공 회전 챔버들(1130)은 처리 챔버들(1120) 내로 그리고 밖으로 이동될 기판들을 회전시킬 수 있다. 클러스터 배열 및 인라인 배열의 조합은 하이브리드 배열(hybrid arrangement)로 고려될 수 있다. 하이브리드 배열을 갖는 진공 처리 시스템(1100)은 복수의 처리 챔버들(1120)을 허용한다. 진공 처리 시스템의 길이는 여전히 특정 한계를 초과하지 않는다.3A shows a vacuum processing system 1100 in accordance with embodiments of the present disclosure. The vacuum processing system 1100 provides a combination of a cluster arrangement and an in-line arrangement. A plurality of processing chambers 1120 are provided. The processing chambers 1120 may be connected to the vacuum rotation chambers 1130 . The vacuum rotation chambers 1130 are provided in an in-line arrangement. The vacuum rotation chambers 1130 may rotate substrates to be moved into and out of the processing chambers 1120 . The combination of the cluster arrangement and the inline arrangement may be considered a hybrid arrangement. A vacuum processing system 1100 with a hybrid arrangement allows for a plurality of processing chambers 1120 . The length of the vacuum processing system still does not exceed certain limits.

[0031] 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 클러스터 챔버 또는 진공 클러스터 챔버는 2 개 또는 그 초과의 처리 챔버들이 연결되도록 구성된 챔버, 예를 들어 이송 챔버이다. 따라서, 진공 회전 챔버들(1130)은 클러스터 챔버의 예들이다. 클러스터 챔버들은 하이브리드 배열에서 인라인 배열로 제공될 수 있다.[0031] According to embodiments of the present disclosure, a cluster chamber or vacuum cluster chamber is a chamber configured to connect two or more processing chambers, eg, a transfer chamber. Thus, vacuum rotation chambers 1130 are examples of cluster chambers. The cluster chambers may be provided in an in-line arrangement in a hybrid arrangement.

[0032] 진공 회전 챔버 또는 회전 모듈(rotation module)(본원에서는, "라우팅 모듈(routing module)" 또는 "라우팅 챔버(routing chamber)"라고도 지칭됨)은 하나 또는 그 초과의 캐리어들의 운반 방향을 변경하도록 구성된 진공 챔버가 회전 모듈 내의 트랙들(tracks) 상에 위치된 하나 또는 그 초과의 캐리어들을 회전시킴으로써 변경될 수 있는 것으로 이해될 수 있다. 예를 들어, 진공 회전 챔버는 회전축, 예를 들어 수직 회전축 주위로 캐리어들을 지지하도록 구성된 트랙들을 회전시키도록 구성된 회전 디바이스를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 회전 모듈은 회전축 주위로 회전될 수 있는 적어도 2 개의 트랙들을 포함한다. 제1 트랙, 특히 제1 기판 캐리어 트랙은 회전축의 제1 측부 상에 배열될 수 있고, 제2 트랙, 특히 제2 기판 캐리어 트랙은 회전축의 제2 측부 상에 배열될 수 있다.[0032] A vacuum rotation chamber or rotation module (also referred to herein as a “routing module” or “routing chamber”) changes the direction of transport of one or more carriers. It will be appreciated that the vacuum chamber configured to do so may be modified by rotating one or more carriers located on tracks within the rotation module. For example, the vacuum rotation chamber may include a rotation device configured to rotate tracks configured to support carriers about an axis of rotation, eg, a vertical axis of rotation. In some embodiments, the rotation module includes at least two tracks that can be rotated about an axis of rotation. The first track, in particular the first substrate carrier track, can be arranged on a first side of the axis of rotation, and the second track, in particular the second substrate carrier track, can be arranged on a second side of the axis of rotation.

[0033] 일부 실시예들에서, 회전 모듈은 4 개의 트랙들, 특히 회전축 주위로 회전될 수 있는 2 개의 마스크 캐리어 트랙들 및 2 개의 기판 캐리어 트랙들을 포함한다.In some embodiments, the rotation module comprises four tracks, in particular two mask carrier tracks and two substrate carrier tracks that can be rotated about an axis of rotation.

[0034] 회전 모듈이 x°, 예를 들어 90°의 각도만큼 회전할 때, 트랙들 상에 배열된 하나 또는 그 초과의 캐리어들의 운반 방향은 x°, 예를 들어 90°의 각도만큼 변경될 수 있다. 180°의 각도만큼의 회전 모듈의 회전은 트랙 스위치(track switch)에 대응할 수 있으며, 즉 회전 모듈의 제1 기판 캐리어 트랙의 포지션 및 회전 모듈의 제2 기판 캐리어 트랙의 포지션은 교환되거나 교체될 수 있고, 그리고/또는 회전 모듈의 제1 마스크 캐리어 트랙의 포지션 및 회전 모듈의 제2 마스크 캐리어 트랙의 포지션이 교환되거나 교체될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 회전 모듈은 기판을 회전할 수 있는 회전자를 포함할 수 있다.[0034] When the rotating module rotates by an angle of x°, eg 90°, the transport direction of one or more carriers arranged on the tracks may be changed by an angle of x°, eg 90° can Rotation of the rotating module by an angle of 180° may correspond to a track switch, ie the position of the first substrate carrier track of the rotating module and the position of the second substrate carrier track of the rotating module may be exchanged or exchanged. and/or the position of the first mask carrier track of the rotation module and the position of the second mask carrier track of the rotation module may be exchanged or exchanged. According to some embodiments, the rotation module may include a rotor capable of rotating the substrate.

[0035] 본 개시내용 내에서, 서로 연결된 챔버들이 참조된다. 연결된 챔버들은 직접 연결될 수 있고, 예를 들어 하나의 챔버의 플랜지(flange)가 인접한 챔버의 플랜지에 연결된다. 대안적으로, 챔버들은, 예를 들어 진공 시일들(vacuum seals) 또는 다른 연결 요소들을 제공하거나, 2 개의 인접한 챔버들 사이에 제공된 슬릿 밸브들(slit valves) 또는 다른 요소들을 제공하는 연결 유닛에 의해 서로 연결될 수 있다. 연결 유닛은 대면적 기판의 길이에 비해 매우 짧으며, 진공 챔버와 구별될 수 있다. 예를 들어, 연결 유닛은 기판 길이의 20% 이하의 길이를 갖는다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 챔버에 연결된 제1 챔버는, 예를 들어 중간 챔버 없이, 제1 챔버가 제2 챔버에 인접한 것으로 이해될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 챔버는 제2 챔버에 직접적으로 또는 연결 유닛을 통해 연결될 수 있다.[0035] Within this disclosure, reference is made to interconnected chambers. The connected chambers may be directly connected, for example a flange of one chamber is connected to a flange of an adjacent chamber. Alternatively, the chambers are, for example, provided by vacuum seals or other connecting elements, or by a connecting unit providing slit valves or other elements provided between two adjacent chambers. can be connected to each other. The connection unit is very short compared to the length of the large-area substrate, and can be distinguished from the vacuum chamber. For example, the connecting unit has a length of 20% or less of the length of the substrate. According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a first chamber connected to a second chamber may be understood as adjoining the first chamber to the second chamber, for example without an intermediate chamber. . As mentioned above, the first chamber may be connected to the second chamber directly or via a connection unit.

[0036] 도 3a는 진공 처리 시스템(1100)을 도시하고, 도 3b는 진공 처리 시스템 내의 기판 트래픽을 도시하고 있다. 기판은, 예를 들어 진공 스윙 모듈(vacuum swing module)(1110)에서, 진공 처리 시스템(1100)에 진입한다. 다른 변형예들에 따르면, 로드록 챔버는 기판들을 진공 처리 시스템 내로 로딩 및 언로딩하기 위해 진공 스윙 모듈에 연결될 수 있다. 진공 스윙 모듈은 전형적으로 디바이스 제조 공장의 인터페이스(interface)로부터 로드록 챔버를 통해 또는 직접적으로 기판을 수용한다. 전형적으로, 인터페이스는 기판, 예를 들어 대면적 기판을 수평 배향으로 제공한다. 진공 스윙 모듈은 기판을 공장 인터페이스에 의해 제공된 배향으로부터 본질적인 수직 배향으로 이동시킨다. 기판의 본질적인 수직 배향은, 기판이 예를 들어 수평 배향으로 다시 이동될 때까지, 진공 처리 시스템(1100)에서의 기판의 처리 동안에 유지된다. 기판을 스윙시키거나, 소정 각도만큼 이동시키거나, 회전시키는 것은 도 3b에서 화살표(1191)로 도시되어 있다. 따라서, 본 개시내용에서, 진공 스윙 모듈은 또한, 기판을 소정 각도만큼, 특히 비-수직 배향과 비-수평 배향 사이에서 이동시키기 위한 진공 챔버라고도 지칭될 수 있다.3A shows a vacuum processing system 1100 and FIG. 3B shows substrate traffic within the vacuum processing system. The substrate enters the vacuum processing system 1100 , for example in a vacuum swing module 1110 . According to other variations, the load lock chamber may be coupled to the vacuum swing module for loading and unloading substrates into and out of the vacuum processing system. A vacuum swing module typically receives a substrate directly or through a loadlock chamber from an interface of a device manufacturing plant. Typically, the interface provides a substrate, eg, a large area substrate, in a horizontal orientation. The vacuum swing module moves the substrate from the orientation provided by the factory interface to an essentially vertical orientation. The essentially vertical orientation of the substrate is maintained during processing of the substrate in the vacuum processing system 1100 until the substrate is moved back to, for example, a horizontal orientation. Swinging, moving, or rotating the substrate by an angle is illustrated by arrow 1191 in FIG. 3B . Accordingly, in the present disclosure, the vacuum swing module may also be referred to as a vacuum chamber for moving the substrate by an angle, particularly between a non-vertical orientation and a non-horizontal orientation.

[0037] 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 진공 스윙 모듈은 제1 기판 배향으로부터 제2 기판 배향으로 이동시키기 위한 진공 챔버일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판 배향은 수평 배향과 같은 비-수직 배향일 수 있고, 제2 기판 배향은 수직 배향 또는 본질적인 수직 배향과 같은 비-수평 배향일 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 진공 스윙 모듈은 수평 배향에 대한 제1 배향 및 수평 배향에 대한 제2 배향으로 기판을 내부에 선택적으로 위치결정하도록 구성된 기판 재위치결정 챔버일 수 있다.[0037] According to embodiments of the present disclosure, the vacuum swing module may be a vacuum chamber for moving from a first substrate orientation to a second substrate orientation. For example, the first substrate orientation may be a non-vertical orientation, such as a horizontal orientation, and the second substrate orientation may be a non-horizontal orientation, such as a vertical orientation or an essentially vertical orientation. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the vacuum swing module is configured to selectively position the substrate therein in a first orientation relative to the horizontal orientation and a second orientation relative to the horizontal orientation. It may be a substrate repositioning chamber.

[0038] 기판은, 예를 들어 화살표(1192)로 표시된 바와 같이, 버퍼 챔버(1112)를 통해 이동된다(도 3a 참조). 기판은 진공 회전 챔버(1130)와 같은 클러스터 챔버를 통해 처리 챔버(1120) 내로 더 이동된다. 도 3a 및 도 3b와 관련하여 설명된 일부 실시예들에서, 기판은 처리 챔버(1120-Ⅰ) 내로 이동된다. 예를 들어, 정공 주입 층(hole injection layer; HIL)은 처리 챔버(1120-Ⅰ)에서 기판 상에 증착될 수 있다.[0038] The substrate is moved through the buffer chamber 1112, as indicated, for example, by arrow 1192 (see FIG. 3A). The substrate is further moved into the processing chamber 1120 through a cluster chamber, such as a vacuum rotation chamber 1130 . In some embodiments described with respect to FIGS. 3A and 3B , the substrate is moved into the processing chamber 1120 - I. For example, a hole injection layer (HIL) may be deposited on the substrate in the processing chamber 1120 - I.

[0039] 본 개시내용에서, 특히 모바일 디바이스들을 위한 OLED 평판 디스플레이의 제조가 참조된다. 그러나, 유사한 고려사항, 예들, 실시예들 및 양상들이 또한 다른 기판 처리 응용들에 제공될 수 있다. OLED 모바일 디스플레이의 예에 있어서, 공통 금속 마스크(common metal mask; CMM)가 처리 챔버(1120-Ⅰ)에 제공된다. CMM은 각각의 모바일 디스플레이에 대해 에지 제외 마스크(edge exclusion mask)를 제공한다. 각각의 모바일 디스플레이는 하나의 개구로 마스킹되며, 디스플레이들 사이의 영역들에 대응하는 기판 상의 영역들은 주로 CMM에 의해 덮여진다.Reference is made in the present disclosure to the manufacture of an OLED flat panel display, in particular for mobile devices. However, similar considerations, examples, embodiments and aspects may also be provided for other substrate processing applications. In the example of an OLED mobile display, a common metal mask (CMM) is provided in the processing chamber 1120 - I. The CMM provides an edge exclusion mask for each mobile display. Each mobile display is masked with one opening, and the areas on the substrate corresponding to the areas between the displays are mainly covered by the CMM.

[0040] 이어서, 기판은 처리 챔버(1120)로부터 인접한 클러스터 챔버, 예를 들어 진공 회전 챔버(1130) 내로, 제1 이송 챔버(1182)를 통해, 다른 클러스터 챔버를 통해, 그리고 처리 챔버(1120-Ⅱ) 내로 이동된다. 이것은 도 3b에서 화살표(1194)로 표시된다. 처리 챔버(1120-Ⅱ)에서, 정공 전달 층(hole transfer layer; HTL)이 기판 상에 증착된다. 정공 주입 층과 유사하게, 정공 전달 층은 모바일 디스플레이당 하나의 개구를 갖는 공통 금속 마스크로 제조된다. 또한, 기판은 처리 챔버(1120-Ⅱ)로부터 인접한 클러스터 챔버, 예를 들어 진공 회전 챔버(1130) 내로, 제2 이송 챔버(1184)를 통해, 다른 클러스터 챔버를 통해, 그리고 처리 챔버(1120-Ⅲ) 내로 이동된다. 이것은 도 3b에서 다른 화살표(1194)로 표시된다.The substrate is then transferred from the processing chamber 1120 into an adjacent cluster chamber, eg, a vacuum rotation chamber 1130 , via a first transfer chamber 1182 , via another cluster chamber, and into a processing chamber 1120- Ⅱ) is moved in. This is indicated by arrow 1194 in FIG. 3B . In processing chamber 1120-II, a hole transfer layer (HTL) is deposited on the substrate. Similar to the hole injection layer, the hole transport layer is made of a common metal mask with one opening per mobile display. Further, the substrate is transferred from the processing chamber 1120-II into an adjacent cluster chamber, eg, the vacuum rotation chamber 1130 , via the second transfer chamber 1184 , via another cluster chamber, and into the processing chamber 1120-III ) is moved into This is indicated by another arrow 1194 in FIG. 3B .

[0041] 이송 챔버 또는 운송 모듈(transit module)은 적어도 2 개의 다른 진공 모듈들 또는 진공 챔버들 사이에, 예를 들어 진공 회전 챔버들 사이에 삽입될 수 있는 진공 모듈 또는 진공 챔버로서 이해될 수 있다. 캐리어들, 예를 들어 마스크 캐리어들 및/또는 기판 캐리어들은 이송 챔버의 길이 방향으로 이송 챔버를 통해 운반될 수 있다. 이송 챔버의 길이 방향은 진공 처리 시스템, 즉 클러스터 챔버들의 인라인(in-line) 배열의 주 운반 방향에 대응할 수 있다.[0041] A transfer chamber or transit module may be understood as a vacuum module or vacuum chamber which can be inserted between at least two other vacuum modules or vacuum chambers, for example between vacuum rotation chambers. . Carriers, eg mask carriers and/or substrate carriers, may be transported through the transport chamber in the longitudinal direction of the transport chamber. The longitudinal direction of the transport chamber may correspond to the main transport direction of the vacuum processing system, ie an in-line arrangement of cluster chambers.

[0042] 처리 챔버(1120-Ⅲ)에서, 전자 차단 층(electron blocking layer; EB)이 기판 상에 증착된다. 전자 차단 층은 미세 금속 마스크(fine metal mask; FFM)로 증착될 수 있다. 미세 금속 마스크는, 예를 들어 미크론 범위로 크기 설정된 복수의 개구들을 갖는다. 복수의 미세 개구들은 모바일 디스플레이의 픽셀(pixel) 또는 모바일 디스플레이의 픽셀의 컬러에 대응한다. 따라서, FFM 및 기판은 미크론 범위의 디스플레이 상의 픽셀들의 정렬을 갖기 위해 서로에 대해 매우 정확하게 정렬될 필요가 있다.In the processing chamber 1120-III, an electron blocking layer (EB) is deposited on the substrate. The electron blocking layer may be deposited with a fine metal mask (FFM). The fine metal mask has a plurality of openings sized, for example, in the micron range. The plurality of micro openings correspond to a pixel of the mobile display or a color of a pixel of the mobile display. Thus, the FFM and the substrate need to be aligned very precisely with respect to each other to have the alignment of the pixels on the display in the micron range.

[0043] 기판은 처리 챔버(1120-Ⅲ)로부터 처리 챔버(1120-Ⅳ)로, 이어서 처리 챔버(1120-Ⅴ)로, 그리고 처리 챔버(1120-Ⅵ)로 이동된다. 운반 경로들, 예를 들어 2 개의 기판 운반 경로들 각각에 대해, 기판은 처리 챔버로부터, 예를 들어 진공 회전 챔버 내로, 이송 챔버를 통해, 진공 회전 챔버를 통해, 그리고 다음의 처리 챔버 내로 이동된다. 예를 들어, 적색 픽셀들을 위한 OLED 층은 챔버(1120-Ⅳ)에서 증착될 수 있고, 녹색 픽셀들을 위한 OLED 층은 챔버(1120-Ⅴ)에서 증착될 수 있으며, 청색 픽셀들을 위한 OLED 층은 챔버(1120-Ⅵ)에서 증착될 수 있다. 컬러 픽셀들을 위한 층들 각각은 미세 금속 마스크로 증착된다. 각각의 미세 금속 마스크들은 상이한 컬러의 픽셀 도트들이 기판 상에서 서로 인접하여 하나의 픽셀의 외관을 제공하게 하도록 상이하다. 처리 챔버(1120-Ⅵ)로부터 처리 챔버(1120-Ⅶ)까지 연장되는 다른 화살표(1194)로 표시된 바와 같이, 기판은 처리 챔버로부터 클러스터 챔버 내로, 이송 챔버를 통해, 다른 클러스터 챔버를 통해, 그리고 후속 처리 챔버 내로 이동될 수 있다. 처리 챔버(1120-Ⅶ)에서, 전자 전달 층(electron transfer layer; ETL)은 공통 금속 마스크(CMM)로 증착될 수 있다.[0043] The substrate is moved from the processing chamber 1120-III to the processing chamber 1120-IV, then to the processing chamber 1120-V, and then to the processing chamber 1120-VI. For each of the transport paths, eg, two substrate transport paths, the substrate is moved from a processing chamber, eg, into a vacuum rotation chamber, through a transport chamber, through a vacuum rotation chamber, and into a next processing chamber. . For example, an OLED layer for red pixels may be deposited in chamber 1120-IV, an OLED layer for green pixels may be deposited in chamber 1120-V, and an OLED layer for blue pixels may be deposited in chamber 1120-V. (1120-VI) may be deposited. Each of the layers for the color pixels is deposited with a fine metal mask. Each of the fine metal masks is different to allow pixel dots of different colors to be adjacent to each other on the substrate, giving the appearance of one pixel. As indicated by another arrow 1194 extending from the processing chamber 1120-VI to the processing chamber 1120-VII, the substrates are transferred from the processing chamber into the cluster chamber, through the transfer chamber, through the other cluster chamber, and subsequently may be moved into the processing chamber. In processing chambers 1120 - VII, an electron transfer layer (ETL) may be deposited with a common metal mask (CMM).

[0044] 하나의 기판에 대한 전술한 기판 트래픽은 진공 처리 시스템(1100)에서 동시에 처리되는 복수의 기판들에 대해 유사하다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 시스템의 택트 타임, 즉 시간 기간은 180 초 이하, 예를 들어 60 초 내지 180 초일 수 있다. 따라서, 기판은 이러한 시간 기간, 즉 제1 예시적인 시간 기간(T) 내에 처리된다. 전술한 처리 챔버들 및 후술하는 후속 처리 챔버들에서, 하나의 기판이 제1 시간 기간(T) 내에 처리되고, 방금 처리된 다른 기판이 제1 시간 기간(T) 내에 처리 챔버 밖으로 이동되며, 처리될 또 다른 기판이 제1 시간 기간(T) 내에 처리 챔버 내로 이동된다. 하나의 기판이 처리 챔버들 각각에서 처리될 수 있는 한편, 2 개의 다른 기판들이 이러한 처리 챔버에 대한 기판 트래픽에 참여하며, 즉 하나의 다른 기판이 각각의 처리 챔버로부터 언로딩되고, 하나의 기판이 제1 시간 기간(T) 동안에 각각의 처리 챔버 내로 로딩된다.The substrate traffic described above for one substrate is similar for a plurality of substrates being processed simultaneously in the vacuum processing system 1100 . According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the tact time, ie, period of time, of the system may be less than or equal to 180 seconds, for example between 60 seconds and 180 seconds. Accordingly, the substrate is processed within this time period, ie, the first exemplary time period T. In the processing chambers described above and the subsequent processing chambers described below, one substrate is processed within a first time period T, another substrate that has just been processed is moved out of the processing chamber within the first time period T, and the processing Another substrate to be transferred is moved into the processing chamber within the first time period T. One substrate can be processed in each of the processing chambers, while two other substrates participate in substrate traffic to this processing chamber, i.e. one other substrate is unloaded from each processing chamber and one substrate is It is loaded into each processing chamber during a first time period T.

[0045] 처리 챔버(1120-Ⅰ)로부터 처리 챔버(1120-Ⅶ)로의 예시적인 기판의 전술한 루트(route)는 진공 처리 시스템(1100)의 처리 챔버들의 로우(row), 예를 들어 도 3a 및 도 3b의 하부 로우에 제공된다. 진공 처리 시스템의 로우 또는 하부 부분은 도 3b에서 화살표(1032)로 표시된다.[0045] The above-described route of an exemplary substrate from processing chamber 1120-I to processing chamber 1120-VII is a row of processing chambers of vacuum processing system 1100, eg, FIG. 3A . and in the lower row of FIG. 3B. The row or lower portion of the vacuum processing system is indicated by arrow 1032 in FIG. 3B .

[0046] 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판들은 진공 처리 시스템의 클러스터 챔버들의 인라인 배열의 일 단부로부터 클러스터 챔버들의 인라인 배열의 대향 단부까지 진공 처리 시스템의 하나의 로우 또는 하나의 부분으로 라우팅될 수 있다. 인라인 배열, 예를 들어 도 3a의 우측에 있는 진공 회전 챔버(1130)의 대향 단부에서, 기판은 진공 처리 시스템의 다른 로우 또는 다른 부분으로 이송된다. 이것은 도 3b에서 화살표(1115)로 표시된다. 도 3b에서 화살표(1034)로 표시된 진공 처리 시스템의 다른 로우 또는 다른 부분에서, 기판은 클러스터 챔버들의 인라인 배열의 대향 단부로부터 클러스터 챔버들의 인라인 배열의 일 단부, 즉 시작 단부로 이동하면서 후속 처리 챔버들에서 처리된다.[0046] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrates are transferred from one end of the in-line arrangement of cluster chambers of the vacuum processing system to the opposite end of the in-line arrangement of cluster chambers of the vacuum processing system. may be routed to one row or one portion of In an in-line arrangement, eg, at the opposite end of the vacuum rotation chamber 1130 on the right side of FIG. 3A , the substrate is transferred to another row or other portion of the vacuum processing system. This is indicated by arrow 1115 in FIG. 3B . In another row or other portion of the vacuum processing system, indicated by arrow 1034 in FIG. 3B , the substrate moves from the opposite end of the inline arrangement of cluster chambers to one end, ie, the start end, of the inline arrangement of cluster chambers while moving into subsequent processing chambers. is processed in

[0047] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 클러스터 챔버들의 인라인 배열은, 예를 들어 클러스터 챔버들의 인라인 배열의 일 측부 상에 배열된 처리 챔버들의 제1 서브세트, 및 클러스터 챔버들의 인라인 배열의 대향 측부 상에 배열된 처리 챔버들의 제2 서브세트로 진공 처리 시스템을 분리할 수 있다. 기판의 라우팅은, 처리 챔버들의 제1 서브 세트를 통해 기판을 라우팅하고, 이어서 처리 챔버들의 제2 서브 세트를 통해 기판을 라우팅함으로써 제공된다. 그러한 양상의 다른 양상들, 특징들, 실시예들 또는 상세사항들은 본원에 설명된 다른 실시예들의 양상들, 특징들, 실시예들 또는 상세사항들과 조합될 수 있다.[0047] According to another aspect of the present disclosure, the inline arrangement of cluster chambers is, for example, a first subset of processing chambers arranged on one side of the inline arrangement of cluster chambers, and an opposite of the inline arrangement of cluster chambers. It is possible to separate the vacuum processing system into a second subset of processing chambers arranged on the side. Routing of the substrate is provided by routing the substrate through a first subset of processing chambers and then routing the substrate through a second subset of processing chambers. Other aspects, features, embodiments or details of such an aspect may be combined with aspects, features, embodiments or details of other embodiments described herein.

[0048] 도 3a에 도시된 예에서, 예시적인 기판은 처리 챔버(1120-Ⅷ)로 이동되고, 이어서 처리 챔버(1120-Ⅸ)로 이동된다. 예를 들어, 예시적으로 OLED 디바이스의 음극(cathode)을 형성할 수 있는 금속화 층은 처리 챔버(1120-Ⅷ)에서, 예를 들어 전술한 바와 같은 공통 금속 마스크로 증착될 수 있다. 예를 들어, 하기의 금속들 중 하나 또는 그 초과가 증착 모듈들의 일부에서 증착될 수 있다: Al, Au, Ag, Cu. 적어도 하나의 물질은 투명한 전도성 산화물 물질, 예를 들면, ITO일 수 있다. 적어도 하나의 물질은 투명한 물질일 수 있다. 그 후에, 캐핑 층(capping layer; CPL)이 처리 챔버(1120-Ⅸ)에서, 예를 들어 공통 금속 마스크로 증착된다.[0048] In the example shown in FIG. 3A, the exemplary substrate is moved to a processing chamber 1120-VIII, and then to a processing chamber 1120-IX. For example, a metallization layer, which may illustratively form the cathode of an OLED device, may be deposited in the processing chamber 1120-VIII, for example, with a common metal mask as described above. For example, one or more of the following metals may be deposited in some of the deposition modules: Al, Au, Ag, Cu. The at least one material may be a transparent conductive oxide material, for example ITO. At least one material may be a transparent material. Thereafter, a capping layer (CPL) is deposited in the processing chamber 1120-IX, for example as a common metal mask.

[0049] 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 추가의 처리 챔버(1120-X)가 제공될 수 있다. 예를 들어, 이러한 처리 챔버는 다른 처리 챔버가 유지보수 중인 동안에 다른 처리 챔버들 중 하나를 대체하는 대체 처리 챔버일 수 있다.According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, an additional processing chamber 1120 -X may be provided. For example, such a processing chamber may be a replacement processing chamber that replaces one of the other processing chambers while the other processing chamber is under maintenance.

[0050] 최종 처리 단계 후에, 기판은 버퍼 챔버(1112)를 통해 진공 스윙 모듈(1110), 즉 기판 재위치결정 챔버로 이동될 수 있다. 이것은 도 3b에서 화살표(1193)로 표시된다. 진공 스윙 모듈에서, 기판은 처리 배향, 즉 본질적인 수직 배향으로부터 공장과의 인터페이스에 대응하는 기판 배향, 예를 들어 수평 배향으로 이동된다.After the final processing step, the substrate may be moved through the buffer chamber 1112 to the vacuum swing module 1110 , ie the substrate repositioning chamber. This is indicated by arrow 1193 in FIG. 3B . In a vacuum swing module, the substrate is moved from a processing orientation, ie, an essentially vertical orientation, to a substrate orientation corresponding to the interface with the factory, eg, a horizontal orientation.

[0051] 도 3a 및 도 3b와 관련하여 설명된 실시예들의 특징들을 포함할 수 있는 다른 실시예가 도 4a 및 도 4b와 관련하여 설명된다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 진공 처리 시스템(1100)은 제2 진공 스윙 모듈(1210), 즉 제2 기판 재위치결정 챔버를 포함한다. 또한, 클러스터 챔버와 진공 스윙 모듈 사이에 제2 버퍼 챔버(1212)가 제공될 수 있다. 따라서, 예시적인 기판은 클러스터 챔버들의 인라인 배열의 일 단부로부터 클러스터 챔버들의 인라인 배열의 대향 단부로 라우팅될 수 있다. 예를 들어, 기판은 진공 스윙 모듈(1110) 내로 로딩될 수 있고, 본질적으로 일 단부, 즉 도 4a의 좌측으로부터 대향 단부, 즉 도 4a의 우측으로 시스템 내에서 라우팅될 수 있다. 기판은 진공 스윙 모듈(1210), 즉 대향 단부에 있는 진공 스윙 모듈을 통해 진공 처리 시스템 밖으로 언로딩될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 기판 트래픽은, 예를 들어 도 4b에서 화살표(1294)로 표시된 바와 같이, 하나의 처리 챔버로부터 후속 처리 챔버로 운반될 때 처리 챔버들의 하나의 로우(도 4b의 화살표(1032) 참조)와 처리 챔버들의 다른 로우(도 4b의 화살표(1034) 참조) 사이에서 전환할 수 있다. 그 후에, 기판은, 도 4b에서 화살표(1296)로 표시된 바와 같이, 또 다른 후속 처리 챔버로 이동될 때 진공 처리 시스템의 다른 로우의 후속 처리 챔버로부터 진공 처리 시스템의 제1 로우로 다시 이동될 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에 따르면, 예시적인 기판은 진공 처리 시스템의 로우들 또는 진공 처리 시스템의 부분(도 4b의 화살표들(1032 및 1034) 참조)을 전후로 전환할 수 있다.Another embodiment that may include features of the embodiments described with respect to FIGS. 3A and 3B is described with respect to FIGS. 4A and 4B . The vacuum processing system 1100 shown in FIGS. 4A and 4B includes a second vacuum swing module 1210 , ie, a second substrate repositioning chamber. Also, a second buffer chamber 1212 may be provided between the cluster chamber and the vacuum swing module. Accordingly, an exemplary substrate may be routed from one end of the inline arrangement of cluster chambers to an opposite end of the inline arrangement of cluster chambers. For example, a substrate may be loaded into the vacuum swing module 1110 and routed within the system essentially from one end, ie, the left side of FIG. 4A , to the opposite end, ie, the right side of FIG. 4A . The substrate may be unloaded out of the vacuum processing system via a vacuum swing module 1210 , ie, a vacuum swing module at the opposite end. In accordance with some embodiments, substrate traffic is, for example, as indicated by arrow 1294 in FIG. 4B , as it is transported from one processing chamber to a subsequent processing chamber, one row of processing chambers (arrow in FIG. 4B ). 1032 ) and another row of processing chambers (see arrow 1034 in FIG. 4B ). Thereafter, the substrate may be moved back to the first row of vacuum processing system from subsequent processing chambers in another row of vacuum processing system as it is moved to another subsequent processing chamber, as indicated by arrow 1296 in FIG. 4B . have. Thus, in accordance with some embodiments, an exemplary substrate may switch back and forth rows of a vacuum processing system or a portion of a vacuum processing system (see arrows 1032 and 1034 in FIG. 4B ).

[0052] 도 4a 및 도 4b와 관련하여 도시 및 설명된 진공 처리 시스템(1100)의 실시예들은 하이브리드 시스템의 일 단부에서의 기판들의 로딩, 및 하이브리드 시스템의 타 단부, 예를 들어 대향 단부에서의 기판들의 언로딩을 제공한다. 따라서, 공장에 대한 2 개의 인터페이스들이 로딩 및 언로딩에 제공된다. 더 더욱이, 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판을 일 단부로부터 대향 단부로 운반한 캐리어는 비어 있는 채로 진공 처리 시스템(1100) 내에서 복귀된다. 새로운 기판이 하이브리드 시스템의 로딩 단부에서 로딩될 수 있다.[0052] Embodiments of the vacuum processing system 1100 shown and described in connection with FIGS. 4A and 4B are the loading of substrates at one end of the hybrid system and the loading of substrates at the other end of the hybrid system, eg, at the opposite end. It provides for unloading of substrates. Thus, two interfaces to the factory are provided for loading and unloading. Moreover, according to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the carrier carrying the substrate from one end to the opposite end is returned within the vacuum processing system 1100 empty. A new substrate may be loaded at the loading end of the hybrid system.

[0053] 전술한 바와 같이, 복수의 기판들은 도 3a, 도 3b, 도 4a 및 도 4b와 관련하여 설명된 실시예들에 따라 진공 처리 시스템 내에서 라우팅된다. 높은 처리량 및 그에 따른 진공 처리 시스템의 소유 비용 절감을 위해, 택트 타임은 가능한 한 짧아야 한다. 택트 타임은, 그 중에서도, 처리 시간 및/또는 하나의 처리 챔버로부터 후속 처리 챔버로 기판을 운반하는 시간에 의해 한정될 수 있다. 또한, 최대 개수의 기판들이 진공 처리 시스템(1100)에서 동시에 처리되는 경우, 최상의 처리량이 제공된다. 따라서, 각각의 처리 챔버에는 본질적으로 정상 상태 처리 조건 동안에 처리를 위한 기판이 로딩된다.As described above, a plurality of substrates are routed within a vacuum processing system according to embodiments described in connection with FIGS. 3A , 3B , 4A and 4B . For high throughput and thus lower cost of ownership of the vacuum processing system, the tact time should be as short as possible. The tact time may be limited by, inter alia, the processing time and/or the transfer time of a substrate from one processing chamber to a subsequent processing chamber. Also, when a maximum number of substrates are processed simultaneously in the vacuum processing system 1100, the best throughput is provided. Thus, each processing chamber is essentially loaded with a substrate for processing during steady state processing conditions.

[0054] 이것은 기판 이송 또는 기판 처리가 진공 처리 시스템 내의 임의의 포지션에서 택트 타임을 충족시키지 않으면 전체 기판 트래픽이 위태롭게 되거나 중단된다는 사실을 초래한다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 이송에 있어서, 기판들 또는 기판들을 지지하는 캐리어는 기판 운반 배열체에 의한 운반 동안에 각각 3 m/s 이상의 속도로 가속된다. 따라서, 인접 또는 후속 처리 챔버들 사이의 거리를 감소시키는 것이 유익한 것으로 보인다. 그러나, 놀랍게도 인접 또는 후속 처리 챔버들 사이의 거리를 감소시키는 것만으로 최상의 처리량 값들이 얻어지지는 않는다는 것이 밝혀졌다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, (하나의 로우에서) 인접 또는 후속 처리 챔버들 사이의 2 개 또는 그 초과의 상이한 거리들, 즉 인접하는 클러스터 챔버들, 예를 들어 진공 회전 챔버들 사이의 2 개 또는 그 초과의 상이한 거리들이 제공된다.[0054] This results in the fact that if the substrate transfer or substrate processing does not meet the tact time at any position in the vacuum processing system, the overall substrate traffic is compromised or stopped. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, in substrate transport, the substrates or the carrier supporting the substrates each during transport by the substrate transport arrangement at a velocity of at least 3 m/s accelerated Accordingly, reducing the distance between adjacent or subsequent processing chambers appears to be beneficial. However, it has been surprisingly found that the best throughput values are not obtained by simply reducing the distance between adjacent or subsequent processing chambers. According to embodiments of the present disclosure, two or more different distances (in one row) between adjacent or subsequent processing chambers, ie between adjacent cluster chambers, eg vacuum rotation chambers, are Two or more different distances are provided.

[0055] 도 3a 및 도 3b는, 예를 들어 회전 챔버들을 이루는 것과 같이 클러스터 챔버들 사이에 제공되는 이송 챔버들을 도시하고 있다. 도 3a 및 도 3b는 제1 이송 챔버들(1182) 및 제2 이송 챔버들(1184)을 도시하고 있다. 인접 또는 후속 처리 챔버들 사이의 거리를 감소시킬 뿐만 아니라, 진공 처리 시스템의 풋프린트를 감소시키는 것은 이송 챔버들의 길이들의 감소를 제안하는 것으로 보인다. 놀랍게도, 이송 챔버들의 길이들의 부분적인 증가가 진공 처리 시스템(1100)의 택트 타임을 향상시키는 것으로 밝혀졌다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 진공 처리 시스템은 제1 길이의 적어도 제1 유형의 이송 챔버, 즉 제1 이송 챔버(1182), 및 제1 길이와 상이한 제2 길이를 갖는 제2 유형의 이송 챔버, 즉 제2 이송 챔버(1184)를 포함한다.3A and 3B show transport chambers provided between cluster chambers, for example constituting rotation chambers. 3A and 3B show first transfer chambers 1182 and second transfer chambers 1184 . Reducing the footprint of the vacuum processing system, as well as reducing the distance between adjacent or subsequent processing chambers, appears to suggest a reduction in the lengths of the transfer chambers. Surprisingly, it has been found that a partial increase in the lengths of the transfer chambers improves the tact time of the vacuum processing system 1100 . In accordance with embodiments described herein, a vacuum processing system comprises at least a first type of transfer chamber of a first length, ie, a first transfer chamber 1182 , and a second type of transfer chamber having a second length different from the first length. and a transfer chamber, ie a second transfer chamber 1184 .

[0056] 본 개시내용의 실시예에 따르면, 기판 상에 복수의 층들을 증착하기 위한 진공 처리 시스템이 제공될 수 있다. 진공 처리 시스템은 제1 길이를 갖고 진공 챔버에 연결된 제1 이송 챔버; 및 진공 챔버에 연결된 제2 이송 챔버를 포함하며, 제2 이송 챔버는 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는다.[0056] According to an embodiment of the present disclosure, a vacuum processing system for depositing a plurality of layers on a substrate may be provided. The vacuum processing system includes a first transfer chamber having a first length and coupled to the vacuum chamber; and a second transfer chamber coupled to the vacuum chamber, the second transfer chamber having a second length that is shorter than the first length.

[0057] 예를 들어, 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 다른 실시예들에 따르면, 기판을 처리하기 위한 진공 처리 시스템은 제1 클러스터 챔버에 연결된 제1 처리 챔버; 제1 처리 챔버에서 기판을 처리하기 위한 제1 처리 스테이션; 제2 클러스터 챔버에 연결된 제2 처리 챔버; 제1 클러스터 챔버와 제2 클러스터 챔버에 연결된 제1 이송 챔버―제1 이송 챔버는 제1 클러스터 챔버와 제2 클러스터 챔버 사이에서 연장되는 제1 길이를 가지며, 제1 이송 챔버는 기판을 수용하도록 크기 설정됨―; 제2 클러스터 챔버에 연결되고, 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버; 및 제1 처리 챔버, 제2 처리 챔버, 제1 클러스터 챔버, 제2 클러스터 챔버, 제1 이송 챔버 및 제2 이송 챔버를 통해, 수직으로부터 15° 이하만큼 벗어난 배향으로 기판을 라우팅하도록 제공된 기판 운반 배열체를 포함한다.[0057] According to other embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, for example, a vacuum processing system for processing a substrate includes a first processing chamber coupled to a first cluster chamber; a first processing station for processing a substrate in a first processing chamber; a second processing chamber coupled to the second cluster chamber; a first transfer chamber coupled to the first cluster chamber and the second cluster chamber, the first transfer chamber having a first length extending between the first cluster chamber and the second cluster chamber, the first transfer chamber sized to receive a substrate set-; a second transfer chamber coupled to the second cluster chamber and having a second length shorter than the first length; and a substrate transport arrangement provided to route the substrate through the first processing chamber, the second processing chamber, the first cluster chamber, the second cluster chamber, the first transfer chamber and the second transfer chamber in an orientation that is no more than 15° away from vertical. includes a sieve.

[0058] 제1 길이를 갖는 제1 이송 챔버는 기판을 수용하도록 허용한다. 기판은 제1 이송 챔버 내에 파킹될 수 있다. 기판의 파킹은 기판을 용이하게 이용 가능하도록 허용한다. 이것은 전체 택트 타임을 감소시킬 수 있다. 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버는 인접 또는 후속 처리 챔버들 사이의 거리를 감소시킨다. 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버는 추가적으로 또는 대안적으로 진공 처리 시스템의 풋프린트를 감소시킨다.[0058] A first transfer chamber having a first length allows for receiving a substrate. The substrate may be parked in the first transfer chamber. Parking of the substrate allows the substrate to be readily available. This can reduce the overall tact time. A second transfer chamber having a second length shorter than the first length reduces the distance between adjacent or subsequent processing chambers. A second transfer chamber having a second length that is shorter than the first length additionally or alternatively reduces the footprint of the vacuum processing system.

[0059] 상기 이외에, 상이한 길이들을 갖는 2 가지 유형들의 이송 챔버들을 갖는 것은 전형적으로 사전결정된 환경일 수 있는 공장 홀(factory hall)의 구조에 대한 풋프린트의 적합화를 허용한다. 도 3a 및 도 3b는 기둥들(1020)을 도시하고 있다. 기둥들(1020)은 도 1 및 도 2와 관련하여 이전에 설명되었다. 기둥들은 제조 홀에 의해 제공된 경계 조건이며, 예를 들어 구조 엔지니어링 계산들의 고려사항들에 의해 한정된다. 상이한 길이들을 갖는 2 가지 유형들의 이송 챔버들을 갖는 것은 제조 홀에 대한 진공 처리 시스템의 적합화를 추가로 허용한다. 이송 챔버의 길이를 연장시키는 것은 하나의 로우에 인접한 2 개의 처리 챔버들 사이에 기둥(1020)을 갖도록 허용하고, 파킹된 포지션(parked position)을 제공하도록 허용한다.In addition to the above, having two types of transfer chambers with different lengths allows for adaptation of the footprint to the structure of a factory hall, which can typically be a predetermined environment. 3A and 3B show pillars 1020 . Posts 1020 have been previously described with respect to FIGS. 1 and 2 . The columns are a boundary condition provided by the manufacturing hall, eg defined by considerations of structural engineering calculations. Having the two types of transfer chambers with different lengths further allows for adaptation of the vacuum processing system to the manufacturing hole. Extending the length of the transfer chamber allows to have a post 1020 between two processing chambers adjacent to one row, and to provide a parked position.

[0060] 본 개시내용의 실시예들은 놀랍게도 풋프린트의 감소, 택트 타임의 감소뿐만 아니라, 제조 홀의 구조적 조건들에 대한 적합화를 포함하는 이점들의 조합을 초래한다.[0060] Embodiments of the present disclosure surprisingly result in a combination of advantages including reduced footprint, reduced tact time, as well as adaptation to the structural conditions of the manufacturing hole.

[0061] 본 개시내용의 또 다른 특징들, 변형들 및 실시예들에 따르면, 진공 처리 시스템의 풋프린트, 특히 하나의 시스템에 5 개 또는 그 초과, 혹은 심지어 10 개 또는 그 초과의 층들을 제공하는 진공 처리 시스템의 풋프린트는 기판들, 특히 대면적 기판들을 본질적인 수직 배향으로 가짐으로써 감소될 수 있다.According to further features, variants and embodiments of the present disclosure, providing a footprint of a vacuum processing system, in particular 5 or more, or even 10 or more layers in one system The footprint of a vacuum processing system can be reduced by having substrates, particularly large area substrates, in an essentially vertical orientation.

[0062] 본원에 사용된 바와 같은 "본질적인 수직 배향"은 수직 배향, 즉 중력 벡터로부터 15° 이하, 10° 이하, 특히 5° 이하의 편차를 갖는 배향으로서 이해될 수 있다. 예를 들어, 기판(또는 마스크 디바이스)의 주 표면과 중력 벡터(gravity vector) 사이의 각도는 +10° 내지 -10°, 특히 0° 내지 -5°일 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(또는 마스크 디바이스)의 배향은 운반 동안 및/또는 증착 동안에 정확하게 수직이 아닐 수 있고, 수직축에 대해, 예컨대 0° 내지 -5°, 특히 -1° 내지 -5°의 경사 각도로 약간 경사질 수 있다. 음의 각도는 기판(또는 마스크 디바이스)이 하향으로 경사진 기판(또는 마스크 디바이스)의 배향을 지칭한다. 증착 동안에 중력 벡터로부터의 기판 배향의 편차는 유익할 수 있으며, 보다 안정한 증착 프로세스를 초래할 수 있거나, 아래로 향한 배향이 증착 동안에 기판 상의 입자들을 감소시키기에 적합할 수 있다. 그러나, 또한 운반 동안 및/또는 증착 동안에 정확한 수직 배향도 가능하다.[0062] "Essentially perpendicular orientation" as used herein can be understood as a vertical orientation, ie an orientation having a deviation of no more than 15°, no more than 10°, in particular no more than 5° from the gravity vector. For example, the angle between the major surface of the substrate (or mask device) and the gravity vector may be between +10° and -10°, in particular between 0° and -5°. In some embodiments, the orientation of the substrate (or mask device) may not be exactly perpendicular during transport and/or during deposition, eg between 0° and -5°, particularly between -1° and -5° with respect to the vertical axis. It can be slightly inclined at an angle of inclination. A negative angle refers to the orientation of the substrate (or mask device) with the substrate (or mask device) tilted downward. Deviation of substrate orientation from the gravitational vector during deposition can be beneficial, resulting in a more stable deposition process, or downward orientation can be suitable to reduce particles on the substrate during deposition. However, a precise vertical orientation is also possible during transport and/or during deposition.

[0063] 기판 크기들이 세대들(generations; GEN)에서 전형적으로 증가할 수 있는 대면적 기판들의 기판 크기들을 증가시키기 위해, 수직 배향은 진공 처리 시스템의 감소된 풋프린트로 인한 수평 배향에 비하여 유익하다. 미세 금속 마스크(FFM)로의 대면적 기판 상에의 증착 프로세스의 본질적인 수직 배향은 중력이 수직 배향에서 미세 금속 마스크의 표면을 따라 작용한다는 점에서 또한 예상하지 못한다. 미크론 범위의 픽셀 위치결정 및 정렬은 수평 방향에 비해 수직 방향에서 보다 복잡해진다. 따라서, 수평 진공 증착 시스템들을 위해 개발된 개념들은 대면적 시스템들, 특히 FFM을 이용하는 진공 증착 시스템들에 대한 수직 진공 증착 시스템들에 전이(transfer)되지 않을 수 있다.[0063] To increase substrate sizes of large area substrates, where substrate sizes can typically increase in generations (GEN), vertical orientation is advantageous over horizontal orientation due to the reduced footprint of the vacuum processing system. . The intrinsic vertical orientation of the deposition process on large area substrates with a fine metal mask (FFM) is also unexpected in that gravity acts along the surface of the fine metal mask in a vertical orientation. Pixel positioning and alignment in the micron range becomes more complex in the vertical direction than in the horizontal direction. Accordingly, concepts developed for horizontal vacuum deposition systems may not be transferred to vertical vacuum deposition systems for large area systems, particularly vacuum deposition systems using FFM.

[0064] 본원에 설명된 실시예들은, 예를 들어 제조된 디스플레이를 위한 대면적의 코팅된 기판들을 검사하는데 이용될 수 있다. 본원에 설명된 장치들 및 방법들이 구성되는 기판들 또는 기판 수용 영역들은, 예를 들어 1 m² 이상의 크기를 갖는 대면적 기판들일 수 있다. 예를 들어, 대면적 기판 또는 캐리어는 약 0.67 ㎡의 기판들(0.73 m × 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 ㎡의 기판들(1.1 m × 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 ㎡의 기판들(1.95 m × 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 ㎡의 기판들(2.2 m × 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 약 8.7 ㎡의 기판들(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 보다 큰 세대들 및 대응하는 기판 영역들도 유사하게 구현될 수 있다. 예를 들어, OLED 디스플레이 제조를 위해, GEN 6을 포함하는 상기에 언급된 기판 세대들의 절반 크기들이 물질을 증발시키기 위한 장치의 증발에 의해 코팅될 수 있다. 기판 세대의 절반 크기들은 전체 기판 크기 상에 실행되는 일부 처리들 및 이전에 처리된 기판의 절반 상에 실행되는 후속 처리들로부터 기인할 수 있다.[0064] Embodiments described herein can be used to inspect large area coated substrates, for example, for manufactured displays. The substrates or substrate receiving areas on which the devices and methods described herein are configured may be large area substrates, for example having a size of 1 m² or more. For example, the large area substrate or carrier may be GEN 4.5 corresponding to about 0.67 m 2 substrates (0.73 m×0.92 m), GEN 5 corresponding to about 1.4 m 2 substrates (1.1 m×1.3 m), about 4.29 GEN 7.5 corresponding to m 2 of substrates (1.95 m × 2.2 m), GEN 8.5 corresponding to approximately 5.7 m 2 substrates (2.2 m × 2.5 m), or even about 8.7 m 2 substrates (2.85 m × 3.05 m). ) corresponding to GEN 10. Larger generations such as GEN 11 and GEN 12 and corresponding substrate areas can be implemented similarly. For example, for OLED display fabrication, half sizes of the above mentioned substrate generations including GEN 6 can be coated by evaporation of the device for evaporating the material. Half sizes of a substrate generation may result from some processes performed on the entire substrate size and subsequent processes performed on half of a previously processed substrate.

[0065] 본원에 사용된 바와 같은 "기판"이라는 용어는, 특히 실질적으로 비가요성인 기판들, 예를 들어 웨이퍼, 사파이어 등과 같은 투명한 결정의 슬라이스들(slices), 또는 유리판을 포괄할 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이에 한정되지 않으며, "기판"이라는 용어는 웨브(web) 또는 포일(foil)과 같은 가요성 기판들을 포괄할 수 있다. "실질적으로 비가요성"이라는 용어는 "가요성"에 대해 구별하는 것으로 이해된다. 구체적으로, 실질적으로 비가요성인 기판은 특정 정도의 가요성, 예를 들어 0.5 mm 이하의 두께를 갖는 유리판을 가질 수 있으며, 실질적으로 비가요성인 기판의 가요성은 가요성 기판들에 비하여 작다.[0065] The term "substrate" as used herein may particularly encompass substantially inflexible substrates, for example wafers, slices of transparent crystal such as sapphire, or a glass plate. However, the present disclosure is not limited thereto, and the term “substrate” may encompass flexible substrates such as webs or foils. The term "substantially inflexible" is understood to distinguish with respect to "flexible". Specifically, a substantially inflexible substrate may have a certain degree of flexibility, for example, a glass plate having a thickness of 0.5 mm or less, and the flexibility of the substantially inflexible substrate is small compared to flexible substrates.

[0066] 기판은 물질 증착에 적합한 임의의 물질로 제조될 수 있다. 예를 들어, 기판은 유리(예를 들어, 소다-석회 유리, 붕규산 유리 등), 금속, 중합체, 세라믹, 화합물 물질들, 탄소 섬유 물질들, 금속 또는 임의의 다른 물질, 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 물질들의 조합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 제조될 수 있다.[0066] The substrate may be made of any material suitable for material deposition. For example, the substrate may be glass (eg, soda-lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, compound materials, carbon fiber materials, metal or any other material, or coated by a deposition process. may be made of a material selected from the group consisting of combinations of materials capable of being

[0067] 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 변형들의 또 다른 실시예들에 따르면, 본원에 설명된 바와 같은 수직 배향 또는 본질적인 수직 배향의 대면적 기판들을 위한 진공 처리 시스템은 진공 시스템 내에서의 운반 동안에 기판들을 지지하기 위한 캐리어들을 더 포함할 수 있다. 특히 대면적 기판들의 경우, 진공 처리 시스템 내에서의 유리 파손은 캐리어들을 이용함으로써 감소될 수 있다. 따라서, 기판은 후속 처리 단계들을 위해 캐리어 상에 유지될 수 있다. 예를 들어, 기판은 진공 처리 시스템에 진입한 직후에 또는 진입할 때 캐리어 상에 로딩될 수 있으며, 진공 처리 시스템을 떠나기 직전에 또는 떠날 때 동일한 캐리어로부터 언로딩될 수 있다.[0067] According to still further embodiments of variations that may be combined with other embodiments described herein, a vacuum processing system for large area substrates in a vertical or essentially vertical orientation as described herein is a vacuum system It may further include carriers for supporting the substrates during transport within. Especially for large area substrates, glass breakage in the vacuum processing system can be reduced by using carriers. Thus, the substrate can be held on the carrier for subsequent processing steps. For example, the substrate may be loaded onto a carrier immediately after or upon entry into the vacuum processing system, and may be unloaded from the same carrier just before or upon leaving the vacuum processing system.

[0068] 본원에 설명된 실시예들에 따른 진공 처리 시스템은 캐리어들 상에서 기판들을 운반하도록 구성된 기판 운반 배열체를 더 포함할 수 있다. 기판 운반 배열체는 캐리어 운반 시스템을 포함할 수 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 캐리어들은 운반 경로들(1171, 1172, 1174, 1173)을 따라 운반될 수 있고, 또한 운반 포지션(1175)과 같은 운반 포지션들 상에 제공될 수 있다. 캐리어 운반 시스템은 캐리어들을 들어올리고 유지하기 위한 유지 시스템(holding system), 예를 들어 자기 부상 시스템(magnetic levitation system), 및 캐리어 운반 경로를 따르는 트랙들을 따라 캐리어를 이동시키기 위한 구동 시스템(driving system)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 운반 배열체는 진공 회전 챔버 내의 2 개의 기판 회전 포지션들을 포함할 수 있다.[0068] A vacuum processing system according to embodiments described herein may further include a substrate transport arrangement configured to transport substrates on carriers. The substrate transport arrangement may include a carrier transport system. As shown in FIG. 3A , carriers may be transported along transport paths 1171 , 1172 , 1174 , 1173 , and may also be provided on transport positions, such as transport position 1175 . The carrier transport system includes a holding system for lifting and holding carriers, for example a magnetic levitation system, and a driving system for moving the carrier along tracks along the carrier transport path. may include. For example, the substrate transport arrangement may include two substrate rotation positions within a vacuum rotation chamber.

[0069] 본 개시내용의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본 개시내용의 일 실시예에 따른 진공 처리 시스템은 기판을 소정 각도만큼 이동시키기 위한 진공 챔버, 즉 진공 스윙 모듈, 클러스터 챔버, 예를 들어 진공 회전 챔버, 및 진공 챔버와 클러스터 챔버 사이의 버퍼 챔버를 포함할 수 있다. 버퍼 챔버는 하나의 기판 운반 경로 및 적어도 추가의 기판 운반 포지션을 포함한다. 기판은 버퍼 챔버 내에서, 예를 들어 진공 스윙 모듈을 통한 언로딩을 대기하는 운반 포지션(1175)에서 대기할 수 있거나 파킹될 수 있다. 클러스터 챔버와 진공 스윙 모듈의 조합의 경우, 2 개 또는 그 초과의 기판들을 수용하는 능력을 갖는 중간 버퍼 챔버는 택트 타임을 더욱 향상시킬 수 있다.[0069] A vacuum processing system according to an embodiment of the present disclosure, which may be combined with other embodiments of the present disclosure, is a vacuum chamber for moving a substrate by an angle, ie a vacuum swing module, a cluster chamber, for example, For example, it may include a vacuum rotation chamber, and a buffer chamber between the vacuum chamber and the cluster chamber. The buffer chamber includes one substrate transport path and at least a further substrate transport position. The substrate may be parked or held in a transport position 1175 in the buffer chamber awaiting unloading, for example via a vacuum swing module. For the combination of a cluster chamber and a vacuum swing module, an intermediate buffer chamber with the ability to accommodate two or more substrates can further improve tact time.

[0070] 본원에 사용된 바와 같은 "캐리어"라는 용어는, 특히 캐리어 운반 경로를 따라, 예를 들어 기판 캐리어 트랙을 따라 운반하는 동안에 기판을 유지하도록 구성된 "기판 캐리어"를 지칭할 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판은 비-수평 배향, 특히 본질적인 수직 배향으로 캐리어에 유지될 수 있다. 본원에 사용된 바와 같은 "캐리어"라는 용어는 운반 경로를 따라, 예를 들어 기판 캐리어 트랙을 따라 운반하는 동안에 기판을 유지하도록 구성된 "기판 캐리어"를 지칭할 수 있다.[0070] The term "carrier" as used herein may specifically refer to a "substrate carrier" configured to hold a substrate during transport along a carrier transport path, eg, along a substrate carrier track. In some embodiments, the substrate may be held on the carrier in a non-horizontal orientation, particularly in an essentially vertical orientation. The term “carrier” as used herein may refer to a “substrate carrier” configured to hold a substrate during transport along a transport path, eg, along a substrate carrier track.

[0071] 캐리어는 기판 또는 마스크 디바이스를, 특히 비-수평 배향으로, 보다 특별하게는 본질적인 수직 배향으로 유지하도록 구성된 유지 표면을 갖는 캐리어 본체를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 캐리어 본체는 캐리어 운반 경로를 따라 안내되도록 구성된 안내 부분을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캐리어는 유지 디바이스에 의해, 예를 들어 자기 부상 시스템에 의해 유지될 수 있고, 캐리어는 구동 디바이스에 의해, 예를 들어 마스크 캐리어 트랙을 따라 또는 기판 캐리어 트랙을 따라 이동될 수 있다. 예를 들어, 기판은 척킹 디바이스(chucking device)에 의해, 예를 들어 정전 척 및/또는 자기 척에 의해 기판 캐리어에 유지될 수 있다. 다른 유형들의 척킹 디바이스들이 사용될 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이 기판 또는 마스크 디바이스를 "운반", "이동", "라우팅", "교체" 또는 "회전"하는 것은, 특히 비-수평 배향으로, 보다 특별하게는 본질적인 수직 배향으로 유지하는 캐리어의 각각의 이동을 지칭할 수 있다.[0071] The carrier may comprise a carrier body having a holding surface configured to hold the substrate or mask device, particularly in a non-horizontal orientation, and more particularly in an essentially vertical orientation. In some embodiments, the carrier body may include a guide portion configured to be guided along the carrier transport path. For example, the carrier may be held by a holding device, eg by a magnetic levitation system, and the carrier may be moved by a driving device, eg along a mask carrier track or along a substrate carrier track. For example, the substrate may be held in the substrate carrier by a chucking device, for example by an electrostatic chuck and/or a magnetic chuck. Other types of chucking devices may be used. As used herein, "carrying", "moving", "routing", "replacing" or "rotating" a substrate or mask device refers to maintaining, particularly in a non-horizontal orientation, and more particularly in an essentially vertical orientation. It may refer to each movement of a carrier.

[0072] 일부 실시예들에서, 기판 캐리어는 자기 부상 시스템을 포함할 수 있는 운반 시스템에 의해 운반된다. 예를 들어, 자기 부상 시스템은 기판 캐리어의 중량의 적어도 일부가 자기 부상 시스템에 의해 지탱될 수 있도록 제공될 수 있다. 기판 캐리어는 진공 처리 시스템을 통해 기판 캐리어 트랙들을 따라 본질적으로 비접촉식으로 안내될 수 있다. 기판 캐리어 트랙들을 따라 캐리어를 이동시키기 위한 드라이브(drive)가 제공될 수 있다. 비접촉 부상은 진공 처리 시스템에서의 입자 발생을 감소시킨다. 이것은 OLED 디바이스들의 제조에 특히 유리할 수 있다.[0072] In some embodiments, the substrate carrier is transported by a transport system, which may include a magnetic levitation system. For example, the magnetic levitation system may be provided such that at least a portion of the weight of the substrate carrier may be supported by the magnetic levitation system. The substrate carrier may be guided essentially contactlessly along the substrate carrier tracks through the vacuum processing system. A drive may be provided for moving the carrier along the substrate carrier tracks. Non-contact flotation reduces particle generation in vacuum processing systems. This can be particularly advantageous for the manufacture of OLED devices.

[0073] 본원에 사용된 바와 같은 "캐리어"라는 용어는 운반 경로를 따라, 예를 들어 마스크 캐리어 트랙을 따라 운반하는 동안에 마스크 디바이스를 유지하도록 구성된 "마스크 캐리어"를 지칭할 수 있다. 일부 실시예들에서, 마스크 디바이스는 비-수평 배향, 특히 본질적인 수직 배향으로 캐리어에 유지될 수 있다.[0073] The term “carrier” as used herein may refer to a “mask carrier” configured to hold a mask device during transport along a transport path, eg, along a mask carrier track. In some embodiments, the mask device may be held on the carrier in a non-horizontal orientation, in particular an essentially vertical orientation.

[0074] 예를 들어, 기판은 척킹 디바이스에 의해, 예를 들어 정전 척 및/또는 자기 척에 의해 기판 캐리어에 유지될 수 있다. 예를 들어, 마스크 디바이스는 척킹 디바이스, 예를 들어 정전 척 및/또는 자기 척에 의해 마스크 캐리어에 유지될 수 있다. 다른 유형들의 척킹 디바이스들이 사용될 수 있다.For example, the substrate may be held in the substrate carrier by a chucking device, for example by an electrostatic chuck and/or a magnetic chuck. For example, the mask device may be held in the mask carrier by a chucking device, eg, an electrostatic chuck and/or a magnetic chuck. Other types of chucking devices may be used.

[0075] 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 실시예들에 따르면, 본질적으로 수직으로 배향된 대면적 기판들 상의 층 증착은 유익하게는 증착 소스들, 예를 들어 증발 소스들(evaporation sources)(1180)(예를 들어, 도 3a 참조)에 의해 제공될 수 있으며, 증발 소스는 라인 소스(line source)로서 제공될 수 있다. 라인 소스는 기판의 표면을 따라 이동되어, 예를 들어 직사각형 대면적 기판 상에 물질을 증착시킬 수 있다. 또 다른 실시예들에 따르면, 2 개 또는 그 초과, 예를 들어 3 개의 라인 소스들이 증착 소스에 제공될 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 유기 물질들이 함께 증발될 수 있고, 2 개 또는 그 초과의 유기 물질들이 하나의 물질 층을 형성한다.[0075] According to yet other embodiments that may be combined with other embodiments described herein, layer deposition on essentially vertically oriented large area substrates is advantageously deposited with deposition sources, eg, evaporation sources. may be provided by evaporation sources 1180 (eg, see FIG. 3A ), and the evaporation source may be provided as a line source. The line source may be moved along the surface of the substrate to deposit material on, for example, a rectangular large area substrate. According to still other embodiments, two or more, for example, three line sources, may be provided to the deposition source. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the organic materials may be evaporated together, and two or more organic materials form a layer of material.

[0076] 증착 소스, 예를 들어 증발된 물질을 하나 또는 그 초과의 기판들을 향해 지향시키도록 구성된 증기 소스(vapor source)가 전형적으로 처리 챔버 또는 증착 모듈에 배열된다. 예를 들어, 증착 소스는 처리 챔버 내에 제공될 수 있는 소스 운반 트랙을 따라 이동 가능할 수 있다. 증착 소스는 증발된 물질을 하나 또는 그 초과의 기판들을 향해 지향시키면서 소스 운반 트랙을 따라 선형으로 이동할 수 있다.[0076] A deposition source, eg, a vapor source configured to direct the evaporated material towards one or more substrates, is typically arranged in the processing chamber or deposition module. For example, the deposition source may be movable along a source transport track that may be provided within the processing chamber. The deposition source may move linearly along the source transport track while directing the evaporated material towards one or more substrates.

[0077] 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 처리 챔버 또는 증착 모듈은 2 개의 증착 영역들, 즉 제1 기판을 배열하기 위한 제1 증착 영역 및 제2 기판을 배열하기 위한 제2 증착 영역을 포함할 수 있다. 제1 증착 영역은 증착 모듈 내에서 제2 증착 영역에 대향하여 배치될 수 있다. 이어서, 증착 소스는 제1 증착 영역에 배열된 제1 기판을 향해, 그리고 제2 증착 영역에 배열된 제2 기판을 향해, 증발된 물질을 지향시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 증착 소스의 증발 방향은, 예를 들어 증착 소스의 적어도 일부를, 예컨대 180°의 각도만큼 회전시킴으로써, 거꾸로 될 수 있다. [0077] In some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the processing chamber or deposition module has two deposition regions, a first deposition region for arranging a first substrate and a second substrate. It may include a second deposition region for arranging the . The first deposition region may be disposed to face the second deposition region in the deposition module. The deposition source may then be configured to direct the vaporized material towards a first substrate arranged in the first deposition region and toward a second substrate arranged in the second deposition region. For example, the evaporation direction of the deposition source may be reversed, for example, by rotating at least a portion of the deposition source by, for example, an angle of 180°.

[0078] 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 제1 길이를 갖는 제1 이송 챔버는 진공 클러스터 챔버에 연결될 수 있다. 또한, 제2 이송 챔버는 진공 클러스터 챔버에 연결될 수 있으며, 제2 이송 챔버는 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는다.[0078] According to embodiments described herein, a first transfer chamber having a first length may be coupled to the vacuum cluster chamber. Further, the second transfer chamber may be connected to the vacuum cluster chamber, the second transfer chamber having a second length that is shorter than the first length.

[0079] 도 5a는 진공 처리 시스템의 일부분을 측면도로 도시하고 있다. 제1 길이를 갖는 제1 이송 챔버(1182)는 2 개의 인접한 클러스터 챔버들, 예를 들어 진공 회전 챔버들(1130) 사이에 제공된다. 제1 길이는, 기판 세대(이 기판 세대를 위해 진공 처리 시스템이 제조됨)를 갖는 기판이 제1 이송 챔버 내에 제공될 수 있도록 하는 크기에 대응한다. 기판 또는 기판 캐리어는 제1 이송 챔버에 제공될 때 클러스터 챔버들 중 하나 내로 반드시 연장될 필요는 없다. 마스크 또는 마스크 캐리어는 제1 이송 챔버에 제공될 때 클러스터 챔버들 중 하나 내로 반드시 연장될 필요는 없다.5A shows a portion of a vacuum processing system in a side view. A first transfer chamber 1182 having a first length is provided between two adjacent cluster chambers, for example vacuum rotation chambers 1130 . The first length corresponds to a size such that a substrate having a substrate generation for which a vacuum processing system is manufactured can be provided in the first transfer chamber. The substrate or substrate carrier need not necessarily extend into one of the cluster chambers when provided to the first transfer chamber. The mask or mask carrier need not necessarily extend into one of the cluster chambers when provided to the first transfer chamber.

[0080] 도 5a는 예시적으로 마스크 캐리어의 마스크 캐리어 윤곽(1310)을 점선들로 도시하고 있다. 도 5a는 예시적으로 기판 캐리어의 기판 캐리어 윤곽(1312)을 파선들로 도시하고 있다. 마스크 캐리어 및 기판 캐리어 둘 모두는 전체적으로 제1 이송 챔버(1182) 내에 제공될 수 있다. 따라서, 마스크 캐리어뿐만 아니라 기판 캐리어가 제1 이송 챔버 내에 제공될 수 있고, 인접한 진공 회전 챔버들 둘 모두가 회전될 수 있다. 이 회전은 진공 회전 챔버 내로 연장되는 마스크 캐리어 또는 기판 캐리어에 의해 차단되지 않는다.[0080] FIG. 5A illustratively shows a mask carrier contour 1310 of a mask carrier in dashed lines. 5A illustratively depicts a substrate carrier contour 1312 of a substrate carrier in dashed lines. Both the mask carrier and the substrate carrier may be provided entirely within the first transfer chamber 1182 . Thus, a mask carrier as well as a substrate carrier may be provided in the first transfer chamber, and both adjacent vacuum rotation chambers may be rotated. This rotation is not blocked by a mask carrier or substrate carrier extending into the vacuum rotation chamber.

[0081] 도 5b는 진공 처리 시스템의 일부분의 평면도를 도시하고 있다. 제1 이송 챔버는 인접한 클러스터 챔버들, 예를 들어 진공 회전 챔버들(1130) 사이에 제공된다. 기판 운반 배열체의 일부분은 기판 운반 유닛(1320)으로서 도시되어 있다. 기판 운반 유닛(1320)은 이송 챔버를 통해 기판 캐리어를 운반하도록 구성된다. 기판 운반 배열체는 2 개의 기판 운반 경로들을 포함할 수 있다. 2 개의 기판 운반 유닛들(1320)이 2 개의 기판 캐리어 경로(carrier path)들을 생성하도록 제공된다. 마스크 운반 배열체의 일부분은 마스크 운반 유닛(1322)으로서 도시되어 있다. 마스크 운반 유닛(1322)은 이송 챔버를 통해 마스크 캐리어를 운반하도록 구성된다. 2 개의 마스크 운반 유닛들(1322)이 2 개의 마스크 캐리어 경로들을 생성하도록 제공된다. 기판 운반 유닛 및/또는 마스크 운반 유닛에는 부상 요소 및 구동 요소(drive element)가 제공될 수 있다. 부상 요소는 비접촉식으로 캐리어를 지지할 수 있다. 구동 요소는 경로를 따라 캐리어를 비접촉식으로 구동할 수 있다.5B shows a top view of a portion of a vacuum processing system. A first transfer chamber is provided between adjacent cluster chambers, for example vacuum rotation chambers 1130 . A portion of the substrate transport arrangement is shown as a substrate transport unit 1320 . The substrate transport unit 1320 is configured to transport a substrate carrier through the transport chamber. The substrate transport arrangement may include two substrate transport paths. Two substrate transport units 1320 are provided to create two substrate carrier paths. A portion of the mask transport arrangement is shown as a mask transport unit 1322 . The mask transport unit 1322 is configured to transport the mask carrier through the transport chamber. Two mask transport units 1322 are provided to create two mask carrier paths. The substrate transport unit and/or the mask transport unit may be provided with a levitation element and a drive element. The floating element may support the carrier in a non-contact manner. The drive element can drive the carrier in a contactless manner along the path.

[0082] 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 기판 파킹 포지션들(1330)이 제1 이송 챔버에 제공될 수 있다. 제1 이송 챔버의 길이의 관점에서, 기판 캐리어는 제1 이송 챔버 내에 파킹될 수 있다. 기판 캐리어는 제1 이송 챔버에 인접한 진공 회전 모듈의 회전 기능을 저하시키지 않으면서 파킹될 수 있다. 제1 이송 챔버는 기판 캐리어를 수용하도록 크기 설정된다.According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments, one or more substrate parking positions 1330 may be provided in the first transfer chamber. In terms of the length of the first transfer chamber, the substrate carrier may be parked within the first transfer chamber. The substrate carrier can be parked without compromising the rotation function of the vacuum rotation module adjacent the first transfer chamber. The first transfer chamber is sized to receive a substrate carrier.

[0083] 도 6은 도 5a 및 도 5b에 도시된 제1 이송 챔버(1182)의 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버(1184)를 도시하고 있다. 제2 이송 챔버의 제2 길이는, 점선들로 도시된 마스크 캐리어의 마스크 캐리어 윤곽(1310) 및 파선들로 도시된 기판 캐리어 윤곽(1312)이 제2 이송 챔버의 대향 측부들을 넘어서 연장되도록 한다. 따라서, 진공 처리 시스템의 풋프린트가 감소되어 보다 짧은 제2 이송 챔버들을 가질 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 제2 이송 챔버의 제2 길이는 기판의 수평 치수보다 짧다.FIG. 6 shows a second transfer chamber 1184 having a second length that is shorter than the length of the first transfer chamber 1182 shown in FIGS. 5A and 5B . The second length of the second transfer chamber is such that the mask carrier contour 1310 of the mask carrier shown in dashed lines and the substrate carrier contour 1312 shown in dashed lines extend beyond opposite sides of the second transport chamber. Accordingly, the footprint of the vacuum processing system can be reduced to have shorter second transfer chambers. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the second length of the second transfer chamber is shorter than the horizontal dimension of the substrate.

[0084] 도 7은 본 개시내용의 실시예들에 따른 진공 처리 시스템을 작동시키는 방법의 흐름도를 도시하고 있다. 전술한 바와 같이, 진공 처리 시스템은 택트 타임을 갖고서 작동될 수 있다. 예를 들어, 택트 타임은 시간 기간의 지속시간(duration)을 가질 수 있으며, 시간 기간은 물질 층을 증착시키는 증착 프로세스의 길이로 정의될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 기판은, 예를 들어 제1 이송 챔버 내에 수용, 예를 들어 파킹될 수 있다. 예를 들어, 제1 이송 챔버는 도 5a에 도시된 바와 같은 이송 챔버(1182)일 수 있다. 제1 이송 챔버는 각각 기판 또는 기판 캐리어를 수용하기에 충분히 긴 길이를 가질 수 있다. 박스(702)로 표시된 바와 같이, 기판이 택트 타임에 대응하는 제1 시간 기간 동안에 제1 이송 챔버 내에 파킹될 수 있다. 또한, 박스(704)로 표시된 바와 같이, 다른 기판이 제1 시간 기간, 즉 동일한 시간 기간 동안에 제2 이송 챔버를 통해 이송될 수 있다. 특히, 제2 이송 챔버는 제1 이송 챔버의 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 이송 챔버는 각각 기판 캐리어 또는 마스크 캐리어의 대응 치수보다 짧은 길이를 가질 수 있다.7 shows a flowchart of a method of operating a vacuum processing system in accordance with embodiments of the present disclosure; As noted above, the vacuum processing system can be operated with a tact time. For example, a tact time may have a duration of a period of time, which may be defined as the length of a deposition process that deposits a layer of material. According to some embodiments, the substrate may be received, eg parked, eg within the first transfer chamber. For example, the first transfer chamber may be a transfer chamber 1182 as shown in FIG. 5A . The first transfer chamber may have a length long enough to receive a substrate or substrate carrier, respectively. As indicated by box 702 , the substrate may be parked in the first transfer chamber for a first period of time corresponding to the tact time. Also, as indicated by box 704 , another substrate may be transferred through the second transfer chamber during a first period of time, ie, during the same period of time. In particular, the second transfer chamber may have a second length that is shorter than the first length of the first transfer chamber. For example, the second transfer chambers may each have a length less than a corresponding dimension of the substrate carrier or the mask carrier.

[0085] 본 개시내용의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 실시예들에 따르면, 또 다른 기판은 동일한 제1 시간 기간 동안에 제1 이송 챔버 내의 파킹 기판을 지나서 이동될 수 있다(박스(706) 참조). 예를 들어, 파킹 기판이 도 5a에 도시된 바와 같은 기판 파킹 포지션들(1330)에 제공될 수 있다. 더 더욱이, 박스(708)로 표시된 바와 같이, 또 다른 기판이 동일한 제1 시간 기간에 처리될 수 있다.[0085] According to still other embodiments that may be combined with other embodiments of the present disclosure, another substrate may be moved past the parking substrate in the first transfer chamber during the same first period of time (box ( 706)). For example, a parking substrate may be provided at substrate parking positions 1330 as shown in FIG. 5A . Moreover, as indicated by box 708 , another substrate may be processed in the same first period of time.

[0086] 상기는 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 본 개시의 기본 범위로부터 벗어남이 없이 고안될 수 있으며, 그 범위는 하기의 청구범위에 의해 결정된다.[0086] While the above relates to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the disclosure may be devised without departing from the basic scope of the disclosure, the scope of which is set forth in the following claims. is determined by

Claims (16)

기판을 처리하기 위한 진공 처리 시스템(vacuum processing system)으로서,
제1 클러스터 챔버(cluster chamber)에 연결된 제1 처리 챔버(processing chamber);
상기 제1 처리 챔버에서 상기 기판을 처리하기 위한 제1 처리 스테이션(processing station);
제2 클러스터 챔버에 연결된 제2 처리 챔버;
상기 제1 클러스터 챔버 및 상기 제2 클러스터 챔버에 연결된 제1 이송 챔버(transfer chamber) ― 상기 제1 이송 챔버는 상기 제1 클러스터 챔버와 상기 제2 클러스터 챔버 사이에서 연장되는 제1 길이를 가지며, 상기 제1 이송 챔버는 상기 기판을 수용하도록 크기 설정됨 ―;
상기 제2 클러스터 챔버에 연결되고, 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버 ― 상기 제2 이송 챔버의 제2 길이는 상기 기판의 수평 치수보다 짧음 ―; 및
상기 제1 처리 챔버, 상기 제2 처리 챔버, 상기 제1 클러스터 챔버, 상기 제2 클러스터 챔버, 상기 제1 이송 챔버 및 상기 제2 이송 챔버를 통해, 수직으로부터 15° 이하만큼 벗어난 배향으로 상기 기판을 라우팅(routing)하도록 제공된 기판 운반 배열체(substrate transportation arrangement)를 포함하는,
진공 처리 시스템.
A vacuum processing system for processing a substrate, comprising:
a first processing chamber coupled to a first cluster chamber;
a first processing station for processing the substrate in the first processing chamber;
a second processing chamber coupled to the second cluster chamber;
a first transfer chamber coupled to the first cluster chamber and the second cluster chamber, the first transfer chamber having a first length extending between the first cluster chamber and the second cluster chamber; a first transfer chamber sized to receive the substrate;
a second transfer chamber coupled to the second cluster chamber and having a second length less than the first length, a second length of the second transfer chamber being less than a horizontal dimension of the substrate; and
moving the substrate through the first processing chamber, the second processing chamber, the first cluster chamber, the second cluster chamber, the first transfer chamber and the second transfer chamber at an orientation deviated from vertical by no more than 15° a substrate transportation arrangement provided for routing;
vacuum processing system.
제1 항에 있어서,
상기 제1 이송 챔버는 상기 기판을 파킹(parking)하도록 구성되는,
진공 처리 시스템.
The method of claim 1,
wherein the first transfer chamber is configured to park the substrate;
vacuum processing system.
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 기판 운반 배열체는 상기 제1 처리 챔버 내에 2 개의 기판 운반 경로들을 포함하는,
진공 처리 시스템.
The method according to claim 1 or 2,
wherein the substrate transport arrangement comprises two substrate transport paths within the first processing chamber.
vacuum processing system.
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 제1 클러스터 챔버는 제1 진공 회전 챔버이고, 상기 기판 운반 배열체는 상기 제1 진공 회전 챔버 내에 2 개의 기판 회전 포지션들(substrate rotation positions)을 포함하는,
진공 처리 시스템.
The method according to claim 1 or 2,
wherein the first cluster chamber is a first vacuum rotation chamber and the substrate transport arrangement comprises two substrate rotation positions within the first vacuum rotation chamber;
vacuum processing system.
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 기판 운반 배열체는 상기 제1 이송 챔버 내에 2 개의 기판 이송 경로들을 포함하는,
진공 처리 시스템.
The method according to claim 1 or 2,
wherein the substrate transport arrangement comprises two substrate transport paths within the first transport chamber.
vacuum processing system.
제5 항에 있어서,
상기 기판 운반 배열체는 상기 2 개의 기판 이송 경로들에 인접한 기판 파킹 포지션(substrate park position)을 포함하는,
진공 처리 시스템.
The method of claim 5,
wherein the substrate transport arrangement comprises a substrate park position adjacent the two substrate transport paths;
vacuum processing system.
제5 항에 있어서,
상기 제1 처리 챔버 및 상기 제2 처리 챔버 중 적어도 하나의 처리 챔버에서 마스크(mask)를 라우팅하도록 구성된 마스크 운반 배열체(mask transportation arrangement)를 더 포함하는,
진공 처리 시스템.
The method of claim 5,
and a mask transportation arrangement configured to route a mask in at least one of the first processing chamber and the second processing chamber.
vacuum processing system.
기판 상에 복수의 층들을 증착하기 위한 진공 처리 시스템으로서,
제1 길이를 갖고 진공 챔버에 연결된 제1 이송 챔버; 및
진공 챔버에 연결되고, 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖는 제2 이송 챔버를 포함하고,
상기 제2 이송 챔버의 제2 길이는 상기 기판의 수평 치수보다 짧은,
진공 처리 시스템.
A vacuum processing system for depositing a plurality of layers on a substrate, comprising:
a first transfer chamber having a first length and coupled to the vacuum chamber; and
a second transfer chamber connected to the vacuum chamber and having a second length shorter than the first length;
a second length of the second transfer chamber is shorter than a horizontal dimension of the substrate;
vacuum processing system.
제8 항에 있어서,
상기 진공 챔버는 상기 기판을 수직 축을 중심으로 소정 각도만큼 이동시키도록 구성된 회전자(rotor)를 갖는 진공 회전 챔버인,
진공 처리 시스템.
The method of claim 8,
wherein the vacuum chamber is a vacuum rotation chamber having a rotor configured to move the substrate by an angle about a vertical axis;
vacuum processing system.
제8 항 또는 제9 항에 있어서,
상기 제1 이송 챔버는 상기 기판을 파킹하도록 구성되는,
진공 처리 시스템.
10. The method according to claim 8 or 9,
wherein the first transfer chamber is configured to park the substrate;
vacuum processing system.
기판을 처리하기 위한 진공 처리 시스템을 작동시키는 방법으로서,
제1 시간 기간 동안 제1 기판 상에 물질 층을 증착하는 단계;
상기 제1 시간 기간 동안 제1 이송 챔버에 제2 기판을 파킹하는 단계; 및
상기 제1 시간 기간 동안 제2 이송 챔버에서 제3 기판을 이송하는 단계를 포함하고,
상기 제2 이송 챔버는 제1 이송 챔버의 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 갖고,
상기 제2 길이는 상기 기판의 수평 치수보다 짧은,
진공 처리 시스템을 작동시키는 방법.
A method of operating a vacuum processing system for processing a substrate comprising:
depositing a layer of material on the first substrate for a first period of time;
parking a second substrate in a first transfer chamber during the first period of time; and
transferring a third substrate in a second transfer chamber during the first period of time;
the second transfer chamber has a second length that is shorter than a first length of the first transfer chamber;
wherein the second length is shorter than a horizontal dimension of the substrate;
How to operate a vacuum processing system.
제11 항에 있어서,
상기 제1 시간 기간은 상기 물질 층의 증착 시작과 함께 시작되고, 상기 제1 시간 기간은 상기 물질 층의 증착 종료와 함께 종료되는,
진공 처리 시스템을 작동시키는 방법.
The method of claim 11,
wherein the first time period begins with the beginning of deposition of the material layer and the first time period ends with the end of the deposition of the material layer;
How to operate a vacuum processing system.
제11 항 또는 제12 항에 있어서,
상기 제1 시간 기간 동안 상기 제1 이송 챔버에서 상기 제2 기판을 지나서 제4 기판을 이동시키는 단계를 더 포함하는,
진공 처리 시스템을 작동시키는 방법.
13. The method of claim 11 or 12,
moving a fourth substrate past the second substrate in the first transfer chamber during the first period of time;
How to operate a vacuum processing system.
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