JP2023038028A - Film deposition apparatus, substrate transportation device, substrate transportation method, and manufacturing method of electronic device - Google Patents

Film deposition apparatus, substrate transportation device, substrate transportation method, and manufacturing method of electronic device Download PDF

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Abstract

To provide a technology capable of coping with enlargement of a substrate.SOLUTION: A film deposition apparatus includes a film deposition chamber for depositing a film onto a substrate, first transportation means for transporting the substrate, and second transportation means 40 for transporting the substrate received from the first transportation means on a first position P1 to a second position P2 or a position P3. The second transportation means 40 transports the substrate so that a direction of the substrate agrees with a direction when deposition takes place, at the second position, by rotation in the state of supporting a base W.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、成膜装置、基板搬送装置、基板搬送方法及び電子デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus, a substrate transfer apparatus, a substrate transfer method, and an electronic device manufacturing method.

有機ELディスプレイ等の製造設備として、成膜室に基板を搬送して基板に対する成膜を行う装置が知られている。一例として、特許文献1には共通の搬送室から、多関節ロボットにより、複数の成膜室へ基板を搬送するクラスタ型の成膜装置が開示されている。 2. Description of the Related Art As a manufacturing facility for an organic EL display or the like, there is known an apparatus that transports a substrate to a film forming chamber to form a film on the substrate. As an example, Patent Literature 1 discloses a cluster-type film forming apparatus in which substrates are transferred from a common transfer chamber to a plurality of film forming chambers by an articulated robot.

特開2019-192898号公報JP 2019-192898 A

基板の大型化に伴い、基板の搬送距離が増加している。単一の多関節ロボットにより基板を搬送する形態では、ロボットに求められる耐荷重の増加などの要因により、基板の搬送距離の増加に対応できない場合がある。 As the size of the substrate increases, the transport distance of the substrate increases. In a form in which a substrate is transported by a single articulated robot, it may not be possible to cope with an increase in substrate transport distance due to factors such as an increase in the load resistance required of the robot.

本発明は、基板の大型化に対応可能な技術を提供する。 The present invention provides a technology capable of coping with an increase in substrate size.

本発明の一側面によれば、
基板に対して成膜を行う成膜室と、
基板を搬送する第1の搬送手段と、
第1の位置で前記第1の搬送手段から受け取った基板を第2の位置へ搬送する第2の搬送手段と、を備え、
前記第2の搬送手段は、基板を支持した状態で回転することにより、前記第2の位置において基板が成膜の行われるときの向きとなるように基板を搬送する、
ことを特徴とする成膜装置が提供される。
According to one aspect of the invention,
a deposition chamber for depositing a film on a substrate;
a first transport means for transporting the substrate;
a second transport means for transporting a substrate received from the first transport means at a first position to a second position;
The second transport means rotates while supporting the substrate, thereby transporting the substrate so that the substrate is oriented at the second position when film formation is performed.
A film forming apparatus characterized by the following is provided.

本発明によれば、基板の大型化に対応可能な技術を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a technology capable of coping with an increase in substrate size.

成膜装置のレイアウト図。FIG. 2 is a layout diagram of a film forming apparatus; (A)及び(B)はそれぞれ、受渡室の搬送ユニットの平面図及び側面図。(A) and (B) are a plan view and a side view, respectively, of the transfer unit in the delivery chamber. (A)及び(B)はそれぞれ、回転室の搬送ユニットの平面図及び側面図。(A) and (B) are respectively a plan view and a side view of the transfer unit of the rotation chamber. スライド式の搬送ユニットの概要を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an outline of a slide-type transport unit; 図4の搬送ユニットの断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view of the transport unit of FIG. 4; (A)~(C)は基板の受渡動作の説明図。(A) to (C) are explanatory diagrams of a transfer operation of a substrate. (A)~(C)は基板の受渡動作の説明図。(A) to (C) are explanatory diagrams of a transfer operation of a substrate. (A)~(C)は基板の受渡動作の説明図。(A) to (C) are explanatory diagrams of a transfer operation of a substrate. (A)~(C)は基板の受渡動作の説明図。(A) to (C) are explanatory diagrams of a transfer operation of a substrate. (A)~(F)は蒸着源の移動の説明図。(A) to (F) are explanatory diagrams of movement of the vapor deposition source. (A)及び(B)はマスク台へのマスクの搬送動作の説明図。(A) and (B) are explanatory diagrams of the operation of conveying the mask to the mask table. (A)及び(B)はマスク台へのマスクの搬送動作の説明図。(A) and (B) are explanatory diagrams of the operation of conveying the mask to the mask table. (A)及び(B)は基板の搬送動作及びアライメント動作の説明図。(A) and (B) are explanatory diagrams of a substrate transport operation and an alignment operation. (A)及び(B)は基板に対する成膜動作の説明図。(A) and (B) are explanatory diagrams of a film forming operation on a substrate. (A)~(C)は成膜装置全体の動作例を示す説明図。(A) to (C) are explanatory diagrams showing an operation example of the entire film forming apparatus. (A)~(C)は成膜装置全体の動作例を示す説明図。(A) to (C) are explanatory diagrams showing an operation example of the entire film forming apparatus. (A)~(C)は成膜装置全体の動作例を示す説明図。(A) to (C) are explanatory diagrams showing an operation example of the entire film forming apparatus. (A)及び(B)は成膜装置全体の動作例を示す説明図。(A) and (B) are explanatory diagrams showing an operation example of the entire film forming apparatus. 他の実施形態の成膜装置の平面図。The top view of the film-forming apparatus of other embodiment. 図19の成膜装置の成膜室の側面図。The side view of the film-forming chamber of the film-forming apparatus of FIG. (A)~(C)は別の蒸発源及びその移動ユニットの説明図。(A) to (C) are explanatory diagrams of another evaporation source and its moving unit. 保持ユニットの別の構成例の説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram of another configuration example of the holding unit; (A)は有機EL表示装置の全体図、(B)は1画素の断面構造を示す図。1A is an overall view of an organic EL display device, and FIG. 1B is a view showing a cross-sectional structure of one pixel; FIG.

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the following embodiments do not limit the invention according to the scope of claims. Although multiple features are described in the embodiments, not all of these multiple features are essential to the invention, and multiple features may be combined arbitrarily. Furthermore, in the accompanying drawings, the same or similar configurations are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

<第1実施形態>
<成膜装置の構成例>
(成膜装置の概要)
図1は成膜装置1のレイアウト図である。なお、各図において矢印Zは上下方向(重力方向)を示し、矢印X及び矢印Yは互いに直交する水平方向を示す。矢印θはZ軸周りの回転方向を示す。また、図中に複数示される要素については、代表的なものにのみ符号を付す場合がある。
<First embodiment>
<Configuration example of deposition apparatus>
(Overview of deposition equipment)
FIG. 1 is a layout diagram of the film forming apparatus 1. As shown in FIG. In each drawing, arrow Z indicates the vertical direction (direction of gravity), and arrow X and arrow Y indicate horizontal directions perpendicular to each other. Arrow θ indicates the direction of rotation about the Z-axis. Also, for elements shown in multiple numbers in the drawing, only representative ones may be given reference numerals.

成膜装置1は、基板Wに対して成膜する装置である。基板WにはマスクMを用いて所定のパターンの蒸着物質の薄膜を形成可能である。基板Wの材質は、ガラス、樹脂、金属等の材料を適宜選択可能であり、代表的にはガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが用いられる。本実施形態の場合、基板Wは矩形である。蒸着物質としては、有機材料、無機材料(金属、金属酸化物など)などの物質である。成膜装置1は、例えば表示装置(フラットパネルディスプレイなど)や薄膜太陽電池、有機光電変換素子(有機薄膜撮像素子)等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ELパネルを製造する製造装置に適用可能である。 The film forming apparatus 1 is an apparatus for forming a film on a substrate W. As shown in FIG. A thin film of a vapor deposition material can be formed on the substrate W using a mask M in a predetermined pattern. The material of the substrate W can be appropriately selected from materials such as glass, resin, metal, etc. Typically, a material in which a resin layer such as polyimide is formed on glass is used. In this embodiment, the substrate W is rectangular. Vapor deposition substances include substances such as organic materials and inorganic materials (metals, metal oxides, etc.). The film forming apparatus 1 can be applied to, for example, display devices (such as flat panel displays), thin film solar cells, electronic devices such as organic photoelectric conversion elements (organic thin film imaging elements), and manufacturing apparatuses for manufacturing optical members. In particular, it is applicable to manufacturing equipment for manufacturing organic EL panels.

電子デバイスの製造ラインを構成する成膜装置1は、製造ライン全体の搬送ラインLを流れる基板Wをピックアップし、成膜等の所定の処理を施した上で基板Wを再度搬送ラインLに戻すように構成される。電子デバイスの製造ラインでは、このような成膜装置1が搬送ラインLに沿って複数配置され得る。 A film forming apparatus 1 constituting an electronic device manufacturing line picks up a substrate W flowing through a transport line L of the entire manufacturing line, performs predetermined processing such as film formation, and returns the substrate W to the transport line L again. configured as A plurality of such film forming apparatuses 1 may be arranged along the transport line L in a manufacturing line of electronic devices.

成膜装置1は、受渡室2、回転室4及び成膜室3がY方向に配列された構成であり、基板Wがこの順番で搬送され、処理される。詳細には、搬送ラインL上に設けられ基板Wが順次搬送されるライン搬送室L1から、受渡室2内の搬送ユニット20が基板Wを受け取ると、その基板Wが回転室4を介して成膜室3へと搬送されて成膜処理が行われる。また、制御装置103は、CPU等のプロセッサ、半導体メモリやハードディスクなどの記憶デバイス、入出力インタフェースを備え、成膜システム1を制御する。 The film forming apparatus 1 has a transfer chamber 2, a rotating chamber 4, and a film forming chamber 3 arranged in the Y direction, and substrates W are transferred and processed in this order. Specifically, when the transport unit 20 in the transfer chamber 2 receives the substrate W from the line transport chamber L1 provided on the transport line L and in which the substrate W is sequentially transported, the substrate W is processed through the rotation chamber 4. It is transported to the film chamber 3 and film-forming processing is performed. Further, the control device 103 includes a processor such as a CPU, a storage device such as a semiconductor memory and a hard disk, and an input/output interface, and controls the film forming system 1 .

(受渡室)
受渡室2は、ライン搬送室L1と、回転室4との間での基板WやマスクMの受け渡しの他、回転室4の先にある成膜室3に対する基板WやマスクMの振り分けを行う。したがって、受渡室2は仕分室と呼ぶこともできる。受渡室2は、壁部29により気密に保持される。
(Delivery room)
The transfer chamber 2 transfers the substrates W and the masks M between the line transfer chamber L1 and the rotation chamber 4, and distributes the substrates W and the masks M to the film formation chamber 3 located beyond the rotation chamber 4. . Therefore, the transfer chamber 2 can also be called a sorting chamber. The delivery chamber 2 is kept airtight by the wall portion 29 .

受渡室2には、搬送ユニット20が設けられている。図2(A)及び図2(B)はそれぞれ、搬送ユニット20の平面図及び側面図である。搬送ユニット20は、ダブルアーム型のロボットである。搬送ユニット20は、アーム21a、アーム21b、及びハンド21cで構成される、基板Wを搬送する基板搬送部21と、アーム22a、アーム22b、及びハンド22cで構成される、マスクMを搬送するマスク搬送部22と、を含む。基板搬送部21及びマスク搬送部22は、ベース部20aが有する駆動軸20bのθ方向の回転によるZ軸回りの旋回と、回動軸21d及び22dの上下の移動による昇降とが可能である。ハンド21c及び22cはフォーク形状を有しており、基板M及びマスクMをそれぞれ載置する。また、受渡室2に隣接して、マスクMが収容されるストッカ104が設けられている。搬送ユニット20は、マスク搬送部22を用いて、ストッカ104に収容されたマスクMを回転室4に搬送したり、回転室4から受け取ったマスクMをストッカ104へと搬送したりする。 A transfer unit 20 is provided in the transfer chamber 2 . 2A and 2B are a plan view and a side view of the transport unit 20, respectively. The transport unit 20 is a double-arm robot. The transport unit 20 includes a substrate transport section 21 configured by an arm 21a, an arm 21b, and a hand 21c for transporting a substrate W, and a mask transporting section 21 for transporting a mask M, configured by an arm 22a, an arm 22b, and a hand 22c. and a transport section 22 . The substrate conveying section 21 and the mask conveying section 22 can turn around the Z-axis by rotating the drive shaft 20b of the base section 20a in the θ direction, and move up and down by vertically moving the rotary shafts 21d and 22d. The hands 21c and 22c have a fork shape and place the substrate M and the mask M thereon, respectively. A stocker 104 in which masks M are stored is provided adjacent to the transfer chamber 2 . The transport unit 20 transports the mask M stored in the stocker 104 to the rotation chamber 4 or transports the mask M received from the rotation chamber 4 to the stocker 104 using the mask transport section 22 .

本実施形態では、基板搬送部21は、アーム21a及び21bによってハンド21cが径方向(駆動軸20bを軸方向とした場合の円筒座標系の径方向)に移動可能に構成される。また、マスク搬送部22は、アーム22a及び22bによってハンド22cが上記径方向に移動可能に構成される。したがって、駆動軸20bの回転及び回動軸21dの昇降を含めると、搬送ユニット20は、鉛直方向の軸まわりの回転、鉛直方向の変位及び径方向の変位の3自由度の円筒座標型のロボットである。しかしながら、搬送ユニット20の構成は適宜変更可能である。 In this embodiment, the substrate transfer section 21 is configured such that the hand 21c can be moved in the radial direction (the radial direction of the cylindrical coordinate system when the drive shaft 20b is taken as the axial direction) by the arms 21a and 21b. Further, the mask conveying section 22 is configured such that the hand 22c can be moved in the radial direction by the arms 22a and 22b. Therefore, including the rotation of the drive shaft 20b and the elevation of the rotary shaft 21d, the transfer unit 20 is a cylindrical coordinate type robot with three degrees of freedom: rotation about a vertical axis, vertical displacement, and radial displacement. is. However, the configuration of the transport unit 20 can be changed as appropriate.

(回転室)
回転室4は、受渡室2の搬送ユニット20から基板Wを受け取り、基板Wをその向きを変えつつ搬送して後述する搬送ユニット5A又は5Bに受け渡す。本実施形態では、2つの回転室4がX方向に並んで設けられており、受渡室2の搬送ユニット20はこれらの回転室4に対して基板Wを振り分ける。回転室4は、壁部49に囲まれて気密に維持可能である。
(Rotating chamber)
The rotation chamber 4 receives the substrate W from the transfer unit 20 of the transfer chamber 2, transfers the substrate W while changing its orientation, and transfers it to a transfer unit 5A or 5B, which will be described later. In this embodiment, two rotation chambers 4 are provided side by side in the X direction, and the transfer unit 20 in the delivery chamber 2 distributes the substrates W to these rotation chambers 4 . The rotation chamber 4 can be kept airtight by being surrounded by the wall portion 49 .

図1、図3(A)及び図3(B)を参照する。図3(A)及び図3(B)はそれぞれ、搬送ユニット40の平面図及び側面図である。搬送ユニット40は、回転室4に設けられ、基板Wを支持した状態で回転することにより基板Wを搬送する。搬送ユニット40は、ベース部41と、基板Wを支持する2つの基板支持部42と、マスクMを支持するマスク支持部43とを含む。基板支持部42及びマスク支持部43は、ベース部41が有する駆動軸41aのθ方向の回転によるZ軸回りの旋回と、駆動軸41aの上下の移動による昇降とを行う。すなわち、搬送ユニット40は、鉛直方向の軸回りの回転及び鉛直方向の変位の2自由度の機構を有する。基板支持部42は、マスク支持部43に支持される一対の枠部材42aと、枠部材42aから延び、基板Wを下から支持する複数の受け爪42bとを含む。受け爪42bが基板Wの両短辺の付近を支持するように、一対の枠部材42aが離間して設けられることで、搬送ユニット20のハンド21cが基板Wを受け爪42bに載置する際に枠部材42aとの干渉を回避することができる。また、マスク支持部43は、マスクMを載置可能な2本の長い板状の部材で構成される。 Please refer to FIGS. 1, 3A and 3B. 3A and 3B are a plan view and a side view of the transport unit 40, respectively. The transport unit 40 is provided in the rotation chamber 4 and transports the substrate W by rotating while supporting the substrate W. As shown in FIG. The transport unit 40 includes a base portion 41, two substrate support portions 42 that support the substrate W, and a mask support portion 43 that supports the mask M. As shown in FIG. The substrate supporting portion 42 and the mask supporting portion 43 rotate around the Z-axis by rotating the drive shaft 41a of the base portion 41 in the θ direction, and move up and down by moving the drive shaft 41a up and down. That is, the transport unit 40 has a two-degree-of-freedom mechanism of rotation about a vertical axis and vertical displacement. The substrate support portion 42 includes a pair of frame members 42a supported by the mask support portion 43, and a plurality of receiving claws 42b extending from the frame members 42a and supporting the substrate W from below. By providing a pair of frame members 42a spaced apart so that the receiving claws 42b support the vicinity of both short sides of the substrate W, when the hands 21c of the transport unit 20 place the substrate W on the receiving claws 42b, In addition, interference with the frame member 42a can be avoided. Further, the mask supporting portion 43 is composed of two long plate-like members on which the mask M can be placed.

また、詳細には後述するが、本実施形態では、搬送ユニット40は、位置P1(位置P4)で搬送ユニット20から基板Wを受け取ると、その基板Wを支持した状態で回転することにより位置P2(位置P5)又は位置P3(位置P6)に搬送する。これにより、位置P1で受け取った基板Wを、その向きを変えつつ搬送することができる。 Further, although details will be described later, in the present embodiment, when the transport unit 40 receives the substrate W from the transport unit 20 at the position P1 (position P4), the transport unit 40 rotates while supporting the substrate W to move to the position P2. (position P5) or position P3 (position P6). Thereby, the substrate W received at the position P1 can be transported while changing its orientation.

(成膜室)
再び図1を参照する。成膜室3は、後述する搬送ユニット5A及び5Bにより搬入される基板Wに対して成膜する。本実施形態では、2つの成膜室3がX方向に並んで設けられており、各成膜室3は、2つの回転室4のいずれかに接続している。成膜室3は、壁部39に囲まれて気密に維持可能である。
(Deposition chamber)
Refer to FIG. 1 again. The film forming chamber 3 forms films on substrates W carried in by transfer units 5A and 5B, which will be described later. In this embodiment, two film formation chambers 3 are provided side by side in the X direction, and each film formation chamber 3 is connected to one of the two rotation chambers 4 . The film forming chamber 3 is surrounded by a wall portion 39 and can be kept airtight.

本実施形態では、2つの成膜室3には、それぞれ、2つのマスク台31が配置されている。合計で四つのマスク台31により、蒸着処理を行う蒸着位置JA~JDが規定される。2つの成膜室3の構造は同じである。各成膜室3には、蒸着源8と、蒸着源8を移動する移動ユニット9とが設けられている。蒸着源8と移動ユニット9の具体的な構造及び動作については後述する。 In this embodiment, two mask stands 31 are arranged in each of the two film forming chambers 3 . A total of four mask stages 31 define vapor deposition positions JA to JD for vapor deposition. The two film formation chambers 3 have the same structure. Each film forming chamber 3 is provided with a vapor deposition source 8 and a moving unit 9 for moving the vapor deposition source 8 . Specific structures and operations of the vapor deposition source 8 and the moving unit 9 will be described later.

(スライド式の搬送ユニット)
図1に示すように、成膜装置1は、回転室4から成膜室3に渡って配置された2組の搬送ユニット5A及び5Bを備える。搬送ユニット5Aは、保持ユニット6Aと、保持ユニット6AをY方向に平行移動する移動ユニット7A(スライド部)と、を備える。搬送ユニット5Bは、搬送ユニット5Aと同様の構造であり、保持ユニット6Bと、保持ユニット6BをY方向に平行移動する移動ユニット7Bとを備える。
(Sliding transfer unit)
As shown in FIG. 1, the film forming apparatus 1 includes two transport units 5A and 5B arranged from the rotation chamber 4 to the film forming chamber 3. As shown in FIG. The transport unit 5A includes a holding unit 6A and a moving unit 7A (slide section) that translates the holding unit 6A in the Y direction. The transport unit 5B has the same structure as the transport unit 5A, and includes a holding unit 6B and a moving unit 7B that translates the holding unit 6B in the Y direction.

図4は搬送ユニット5A及び5Bの概要を示す平面図であり、図5は搬送ユニット5A(移動ユニット7A及び保持ユニット6A)の断面図を示している。搬送ユニット5A及び5Bは、搬送ユニット40よりも高い位置で保持ユニット6A及び6Bを水平姿勢でY方向に独立して往復させるユニットであって、X方向に並設されている。なお、図5は代表として搬送ユニット5A(移動ユニット7A及び保持ユニット6A)の構造を示すが、保持ユニット6A及び6Bは同じ構造を有し、移動ユニット7A及び7Bも同じ構造を有している。 FIG. 4 is a plan view showing an outline of the transport units 5A and 5B, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the transport unit 5A (moving unit 7A and holding unit 6A). The transport units 5A and 5B are units that independently reciprocate the holding units 6A and 6B horizontally in the Y direction at positions higher than the transport unit 40, and are arranged side by side in the X direction. Although FIG. 5 shows the structure of the transport unit 5A (the moving unit 7A and the holding unit 6A) as a representative, the holding units 6A and 6B have the same structure, and the moving units 7A and 7B also have the same structure. .

本実施形態の移動ユニット7A及び7Bは、保持ユニット6A及び6Bを磁力により移動する機構であり、特に磁力により浮上移動する機構である。移動ユニット7A及び7Bは、それぞれ、保持ユニット6A及び6BのY方向の移動軌道を規定する一対のガイド部材70を備える。各ガイド部材70はC字型の断面を有し、Y方向に延設されたレール部材である。一対のガイド部材70は互いに、X方向に離間している。 The moving units 7A and 7B of the present embodiment are mechanisms that move the holding units 6A and 6B by magnetic force, and in particular, are mechanisms that levitate and move by magnetic force. The moving units 7A and 7B each include a pair of guide members 70 that define the movement trajectories of the holding units 6A and 6B in the Y direction. Each guide member 70 is a rail member having a C-shaped cross section and extending in the Y direction. The pair of guide members 70 are separated from each other in the X direction.

各ガイド部材70は、Z方向に離間した一対の磁気要素71を多数備える。多数の一対の磁気要素71は、Y方向に等ピッチで配列されている。一対の磁気要素71のうちの少なくとも一方は電磁石であり、他方は電磁石又は永久磁石である。 Each guide member 70 has a number of pairs of magnetic elements 71 spaced apart in the Z direction. A large number of pairs of magnetic elements 71 are arranged at equal pitches in the Y direction. At least one of the pair of magnetic elements 71 is an electromagnet and the other is an electromagnet or a permanent magnet.

保持ユニット6A及び6Bは、基板WやマスクMを搬送するためのキャリアである。保持ユニット6A及び6Bは、それぞれ、平面視で矩形状の本体部材60を備える。本体部材60のX方向の各端部は、対応するガイド部材70に差し込まれている。本体部材60のX方向の各端部の上面、下面にはそれぞれ不図示のヨークが設けられた永久磁石61が固定されている。上下の永久磁石61は本体部材60にY方向に複数設けられている。永久磁石61は、ガイド部材70の磁気要素71と対向している。永久磁石61と磁気要素71との反発力によって保持ユニット6A及び6Bに浮上力を生じさせることができる。Y方向に多数設けられた磁気要素(電磁石)71のうち、磁力を発生させる磁気要素71を順次切り替えることにより、永久磁石61と磁気要素71との吸引力によって保持ユニット6A及び6BにY方向の移動力を生じさせることができる。 The holding units 6A and 6B are carriers for transporting the substrate W and the mask M. As shown in FIG. Each of the holding units 6A and 6B includes a rectangular main body member 60 in plan view. Each end of the body member 60 in the X direction is inserted into the corresponding guide member 70 . Permanent magnets 61 provided with yokes (not shown) are fixed to the upper and lower surfaces of each end of the body member 60 in the X direction. A plurality of upper and lower permanent magnets 61 are provided in the body member 60 in the Y direction. Permanent magnet 61 faces magnetic element 71 of guide member 70 . A repulsive force between the permanent magnet 61 and the magnetic element 71 can generate a levitation force in the holding units 6A and 6B. Among many magnetic elements (electromagnets) 71 provided in the Y direction, by sequentially switching the magnetic elements 71 that generate magnetic force, the holding units 6A and 6B are moved in the Y direction by the attraction force between the permanent magnets 61 and the magnetic elements 71. It can generate locomotion.

なお、本実施形態では、移動ユニット7A及び7Bを、磁気浮上搬送機構としたがローラ搬送機構、ベルト搬送機構、ラック-ピニオン機構等、保持ユニット6A及び6Bを移動可能な他の搬送機構であってもよい。 In this embodiment, the moving units 7A and 7B are magnetic levitation transport mechanisms, but other transport mechanisms capable of moving the holding units 6A and 6B, such as roller transport mechanisms, belt transport mechanisms, rack-pinion mechanisms, etc., may be used. may

ガイド部材70にはY方向に延設されたスケール72が配置されており、本体部材60にはスケール72を読み取るセンサ64が設けられている。センサ64の検知結果により、各保持ユニット6A及び6BのY方向の位置を特定することができる。 A scale 72 extending in the Y direction is arranged on the guide member 70 , and a sensor 64 for reading the scale 72 is provided on the body member 60 . Based on the detection result of the sensor 64, the positions of the holding units 6A and 6B in the Y direction can be identified.

保持ユニット6A及び6Bは、それぞれ、基板Wを保持する保持部62を備える。保持部62は本実施形態の場合、静電気力により基板Wを吸着する静電チャックであり、保持部62は保持ユニット6A及び6Bの下面に配置された複数の電極62aを含む。保持ユニット6A及び6Bは、また、それぞれ、マスクMを保持する保持部63を備える。保持部63は、例えば、磁力によりマスクMを吸着するマグネットチャックであり、保持部62のX方向で外側に位置している。保持部63は、マスクMを機械的に挟持するクランプ機構であってもよい。 The holding units 6A and 6B each include a holding portion 62 that holds the substrate W. As shown in FIG. In the case of this embodiment, the holding part 62 is an electrostatic chuck that attracts the substrate W by electrostatic force, and the holding part 62 includes a plurality of electrodes 62a arranged on the lower surfaces of the holding units 6A and 6B. The holding units 6A and 6B each also comprise a holding portion 63 for holding the mask M. As shown in FIG. The holding part 63 is, for example, a magnetic chuck that attracts the mask M by magnetic force, and is positioned outside the holding part 62 in the X direction. The holding part 63 may be a clamping mechanism that mechanically clamps the mask M. As shown in FIG.

<成膜装置の動作例>
(受渡室から回転室への基板の受け渡し動作)
図6(A)~図6(C)は、受渡室2から回転室4への基板Wの受け渡し動作を説明するための平面図であり及び図7(A)~図7(C)は、図6(A)~図6(C)のA方向の矢視図である。図6(A)及び図7(A)は、受渡室2の搬送ユニット20がライン搬送室L1で基板Wを受け取った後に、アーム21a、21bによりハンド21cを回転中心側に引きつつZ軸回りに旋回して回転室4を向いた状態を示している。このとき、回転室4の搬送ユニット40は、位置P1で基板Wを受取可能なように、基板支持部42を位置P1に対応した位置に移動させて待機している。この状態から、基板搬送部21により基板Wを位置P1へと搬送する図6(B)及び図7(B))。このとき、Z方向において、基板搬送部21のハンド21cによる基板Wの支持位置は、基板支持部42の受け爪42bによる基板の支持位置よりも上方に位置している。そして、この状態から搬送ユニット20の回動軸21dが下降することでハンド21cが支持していた基板Wが基板支持部42に受け渡される(図6(C)及び図7(C))。
<Example of operation of film forming apparatus>
(Substrate transfer operation from transfer chamber to rotation chamber)
6(A) to 6(C) are plan views for explaining the transfer operation of the substrate W from the transfer chamber 2 to the rotation chamber 4, and FIGS. 7(A) to 7(C) FIG. 6(A) to FIG. 6(C) are views in the direction of arrow A. FIG. 6A and 7A, after the transfer unit 20 of the transfer chamber 2 receives the substrate W in the line transfer chamber L1, the arms 21a and 21b pull the hand 21c toward the center of rotation while moving the hand 21c around the Z axis. , and is turned toward the rotation chamber 4. FIG. At this time, the transport unit 40 of the rotation chamber 4 is on standby with the substrate supporting portion 42 moved to a position corresponding to the position P1 so that the substrate W can be received at the position P1. From this state, the substrate W is transported to the position P1 by the substrate transport section 21 (FIGS. 6B and 7B). At this time, the support position of the substrate W by the hand 21c of the substrate transfer section 21 is located above the support position of the substrate by the receiving claws 42b of the substrate support section 42 in the Z direction. Then, the substrate W supported by the hand 21c is delivered to the substrate support portion 42 by lowering the rotating shaft 21d of the transport unit 20 from this state (FIGS. 6C and 7C).

なお、ここでは基板Wの受け渡しについて説明したが、マスクMの受け渡しについても同様の動作により行われる。この場合、搬送ユニット20は基板搬送部21に代えてマスク搬送部22でマスクMを搬送し、搬送ユニット40は基板支持部42に代えてマスク支持部43でマスクMを受け取る。 Although transfer of the substrate W has been described here, transfer of the mask M is performed by the same operation. In this case, the transport unit 20 transports the mask M by the mask transport part 22 instead of the substrate transport part 21 , and the transport unit 40 receives the mask M by the mask support part 43 instead of the substrate support part 42 .

(回転室から成膜室への基板の受け渡し動作)
図8(A)~図8(B)及び図9(A)~図9(C)は、回転室4から成膜室3への基板Wの受け渡し動作を説明するための平面図及び側面図である。回転室4の搬送ユニット20は、位置P1で搬送ユニット20から基板Wを受け取ると(図6(C))、駆動軸41aによりZ軸回りに回転し、基板Wを位置P2まで搬送する(図8(A)及び図9(A))。このとき、搬送ユニット5Aは、位置P2で基板Wを受取可能なように、保持ユニット6Aを位置P2に移動させて待機している。また、このとき、Z方向において、基板支持部42の受け爪42bによる基板Wの支持位置は、保持ユニット6Aによる基板Wの保持位置よりも下方に位置している。この状態から、搬送ユニット40は、ベース部41の駆動軸41aを上方に移動させて基板支持部42で支持している基板Wを保持ユニット6Aの保持部62に接触させる(図9(B))。保持ユニット6Aは、静電気力により基板Wを吸着して保持する。保持ユニット6Aにより基板Wが保持されると、搬送ユニット40は、駆動軸41aを下方に移動させて基板支持部42を基板Wから離間させる(図9(C))その後、搬送ユニット5Aは、保持ユニット6Aを成膜室3の蒸着位置JAへと平行移動させる(図8(B))。
(Transfer operation of substrate from rotation chamber to deposition chamber)
8(A) to 8(B) and 9(A) to 9(C) are a plan view and a side view for explaining the transfer operation of the substrate W from the rotation chamber 4 to the film formation chamber 3. is. When the transfer unit 20 in the rotation chamber 4 receives the substrate W from the transfer unit 20 at the position P1 (FIG. 6C), it rotates around the Z-axis by the drive shaft 41a to transfer the substrate W to the position P2 (FIG. 6C). 8(A) and FIG. 9(A)). At this time, the transport unit 5A moves the holding unit 6A to the position P2 and stands by so that the substrate W can be received at the position P2. At this time, the support position of the substrate W by the receiving claws 42b of the substrate support portion 42 is located below the holding position of the substrate W by the holding unit 6A in the Z direction. From this state, the transport unit 40 moves the drive shaft 41a of the base portion 41 upward to bring the substrate W supported by the substrate support portion 42 into contact with the holding portion 62 of the holding unit 6A (FIG. 9B). ). The holding unit 6A attracts and holds the substrate W by electrostatic force. When the substrate W is held by the holding unit 6A, the transport unit 40 moves the drive shaft 41a downward to separate the substrate support part 42 from the substrate W (FIG. 9C). The holding unit 6A is moved parallel to the deposition position JA in the film forming chamber 3 (FIG. 8(B)).

なお、ここでは搬送ユニット5Aを用いた動作例について説明したが、搬送ユニット5Bを用いる場合も同様の動作により行われる。この場合、搬送ユニット40は搬送ユニット20から受け取った基板Wを位置P2ではなく位置P3に搬送する。 Although an operation example using the transport unit 5A has been described here, similar operations are performed when the transport unit 5B is used. In this case, the transport unit 40 transports the substrate W received from the transport unit 20 to the position P3 instead of the position P2.

(蒸発源及び移動ユニットの構造及び動作)
図10(A)~図10(F)は、成膜室3の蒸着源8及び移動ユニット9の構造及び動作を説明する図である。蒸着源8は、蒸着物質の原材料を収容する坩堝や、坩堝を加熱するヒータ等を備え、原材料を加熱してその蒸気である蒸着物質を開口部8a(図10(A)等参照)から上方へ放出する。
(Structure and operation of evaporation source and moving unit)
10A to 10F are diagrams for explaining the structure and operation of the deposition source 8 and the moving unit 9 in the film forming chamber 3. FIG. The vapor deposition source 8 includes a crucible containing the raw material of the vapor deposition substance, a heater for heating the crucible, and the like. release to

移動ユニット9は、アクチュエータ90と、一対の可動レール94と、一対の固定レール95とを備える。アクチュエータ90は、駆動源93と、アーム部材91と、アーム部材92とを備える。アーム部材91の一端は駆動源93に連結されており、駆動源93によって旋回する。アーム部材91の他端はアーム部材92の一端と回動自在に連結されており、アーム部材92の他端は蒸着源8の底部に回動自在に連結されている。 The moving unit 9 comprises an actuator 90 , a pair of movable rails 94 and a pair of fixed rails 95 . The actuator 90 includes a drive source 93 , an arm member 91 and an arm member 92 . One end of the arm member 91 is connected to a drive source 93 and rotated by the drive source 93 . The other end of the arm member 91 is rotatably connected to one end of the arm member 92 , and the other end of the arm member 92 is rotatably connected to the bottom of the vapor deposition source 8 .

一対の可動レール94は、蒸着源8のY方向の移動を案内する。各可動レール94はY方向に延設されており、一対の可動レール94は互いにX方向に離間している。一対の固定レール95は、一対の可動レール94のX方向の移動を案内する。各固定レール95は、移動不能に固定されており、Y方向に延設されている。一対の固定レール95は互いにY方向に離間している。 A pair of movable rails 94 guide movement of the deposition source 8 in the Y direction. Each movable rail 94 extends in the Y direction, and a pair of movable rails 94 are separated from each other in the X direction. The pair of fixed rails 95 guides the movement of the pair of movable rails 94 in the X direction. Each fixed rail 95 is immovably fixed and extends in the Y direction. The pair of fixed rails 95 are separated from each other in the Y direction.

アクチュエータ90の駆動により、蒸着源8は、蒸着位置JAの下(マスク台31の下)をY方向にスライドし、また、蒸着位置JAの側から蒸着位置JBの側へスライドし、更に、蒸着位置JBの下(マスク台31の下)をY方向にスライドする。具体的に述べると、図10(A)の位置からアクチュエータ90の駆動によりアーム部材91及び92を旋回させると、図10(B)に示すように蒸着源8が一対の可動レール94の案内により蒸着位置JAの下をY方向に通過する。この状態からアクチュエータ90の駆動によりアーム部材91及び92を逆方向旋回させると、図10(C)に示すように蒸着源8が蒸着位置JAの下をY方向に通過して図10(A)の位置に戻る。 By driving the actuator 90, the vapor deposition source 8 slides in the Y direction under the vapor deposition position JA (under the mask table 31), slides from the vapor deposition position JA side to the vapor deposition position JB side, It slides in the Y direction under the position JB (under the mask table 31). Specifically, when the arm members 91 and 92 are rotated by driving the actuator 90 from the position shown in FIG. It passes under the deposition position JA in the Y direction. When the arm members 91 and 92 are rotated in the opposite direction by driving the actuator 90 from this state, the vapor deposition source 8 passes under the vapor deposition position JA in the Y direction as shown in FIG. position.

アクチュエータ90の駆動によりアーム部材91及び92を更に旋回させると、蒸着源8及び一対の可動レール94は、一対の固定レール95の案内にしたがって蒸着位置JBの側へX方向に移動する。図10(D)の位置からアクチュエータ90の駆動によりアーム部材91及び92を更に旋回させると、図10(E)に示すように蒸着源8が一対の可動レール94の案内により蒸着位置JBの下をY方向に通過する。この状態からアクチュエータ90の駆動によりアーム部材91及び92を逆方向旋回させると、図10(F)に示すように蒸着源8が蒸着位置JBの下をY方向に通過して図10(D)の位置に戻る。 When the arm members 91 and 92 are further rotated by driving the actuator 90, the vapor deposition source 8 and the pair of movable rails 94 are guided by the pair of fixed rails 95 to move in the X direction toward the vapor deposition position JB. When the arm members 91 and 92 are further rotated by driving the actuator 90 from the position shown in FIG. 10(D), the deposition source 8 is guided by the pair of movable rails 94 to move under the deposition position JB as shown in FIG. 10(E). in the Y direction. When the arm members 91 and 92 are rotated in the opposite direction by driving the actuator 90 from this state, the vapor deposition source 8 passes under the vapor deposition position JB in the Y direction as shown in FIG. position.

このように本実施形態では、一つの蒸着源8を移動させることで、蒸着位置JAと蒸着位置JBの2つの蒸着位置で蒸着源8を共用することができる。 Thus, in this embodiment, by moving one vapor deposition source 8, the vapor deposition source 8 can be shared by two vapor deposition positions, the vapor deposition position JA and the vapor deposition position JB.

(アライメント動作及び成膜動作)
次に、マスクMのマスク台31への搭載、マスクMと基板Wとの位置合わせ(アライメント)動作、及び、その後の成膜動作についてについて図11(A)~図14(B)を参照して説明する。
(Alignment operation and film formation operation)
Next, referring to FIGS. 11A to 14B for the mounting of the mask M on the mask table 31, the alignment operation between the mask M and the substrate W, and the subsequent film forming operation. to explain.

まず、マスクMをマスク台31に搭載する動作について説明する。図11(A)~図12(B)は蒸着位置JAにおいてマスクMをマスク台31に搭載する動作を示している。図11(A)の状態から、マスクMを保持した保持ユニット6Aが移動ユニット7Aによってマスク台31上に移動してくる。図12(A)に示すようにマスクMがマスク台31上の所定の位置に到達すると、図12(B)に示すように移動ユニット7Aの磁気素子71の磁力を調節して保持ユニット6Aの浮上量を下げ、保持ユニット6AによるマスクMの保持を解除する。これによりマスク台31上にマスクMが搭載される。 First, the operation of mounting the mask M on the mask table 31 will be described. 11A to 12B show the operation of mounting the mask M on the mask table 31 at the vapor deposition position JA. From the state of FIG. 11A, the holding unit 6A holding the mask M is moved onto the mask table 31 by the moving unit 7A. When the mask M reaches a predetermined position on the mask table 31 as shown in FIG. 12(A), the magnetic force of the magnetic element 71 of the moving unit 7A is adjusted as shown in FIG. 12(B) to move the holding unit 6A. The floating amount is lowered, and the holding of the mask M by the holding unit 6A is released. Thereby, the mask M is mounted on the mask table 31 .

次に、アライメント動作及び成膜動作について説明する。図13(A)は、蒸着位置JAに、基板Wを保持した保持ユニット6Aが移動ユニット7Aによって移動している状態を示している。基板WがマスクMの上方に到達すると、基板WとマスクMとのX-Y平面上のアライメントを行う。アライメントでは、図13(B)に示すように、カメラ32により基板WとマスクMにそれぞれ付されているアライメントマークを撮像し、その撮像画像から基板WとマスクMとの位置ずれ量を演算する。そして、演算した位置ずれ量を減少させるように基板Wの位置を調整する。基板Wの位置の調整は本実施形態の場合、移動ユニット7Aの磁気素子71の磁力を調節して行う。X方向、Y方向に離間した各磁気素子71の磁力を調整することで、保持ユニット6Aの位置をX方向、Y方向、θ方向に変位させることができ、これにより保持ユニット6Aに保持されている基板WのX方向、Y方向、θ方向の位置を変位させることができる。例えば、一対のガイド部材70のうちの、一方のガイド部材70に設けられている磁気素子71の磁力を強くすると、保持ユニット6A及び基板Wを、磁力の吸引によって一方のガイド部材70の側に(又は磁力の反発によって他方のガイド部材70の側に)変位させることができる。 Next, an alignment operation and a film formation operation will be described. FIG. 13A shows a state in which the holding unit 6A holding the substrate W is moved to the vapor deposition position JA by the moving unit 7A. When the substrate W reaches above the mask M, the substrate W and the mask M are aligned on the XY plane. In the alignment, as shown in FIG. 13B, the camera 32 captures images of the alignment marks respectively attached to the substrate W and the mask M, and the amount of positional deviation between the substrate W and the mask M is calculated from the captured images. . Then, the position of the substrate W is adjusted so as to reduce the calculated positional deviation amount. In this embodiment, the position of the substrate W is adjusted by adjusting the magnetic force of the magnetic element 71 of the moving unit 7A. By adjusting the magnetic force of each magnetic element 71 spaced apart in the X direction and the Y direction, the position of the holding unit 6A can be displaced in the X direction, the Y direction and the θ direction. The position of the substrate W in the X direction, Y direction, and θ direction can be displaced. For example, when the magnetic force of the magnetic element 71 provided on one guide member 70 of the pair of guide members 70 is strengthened, the holding unit 6A and the substrate W are moved toward the one guide member 70 by magnetic attraction. (or to the other guide member 70 side by magnetic repulsion).

カメラ32による撮像と、磁気素子71の磁力の調整による基板WとマスクMとのアライメントは、両者の位置ずれ量が許容範囲内になるまで繰り返し行ってもよい。アライメントが完了すると、図14(A)に示すように移動ユニット7Aの磁気素子71の磁力を調節して保持ユニット6Aの浮上量を下げ、マスクM上に基板Wを重ねる。保持ユニット6Aによる基板Wの保持は解除しない。次に成膜動作を行う。図14(B)に示すように蒸着源8を移動しつつ、蒸着源8から蒸着物質を基板Wへ放出する。基板WにはマスクMを通過した蒸着物質の膜が形成される。成膜中、基板Wは保持ユニット6Aに保持された状態が維持される。 The imaging by the camera 32 and the alignment of the substrate W and the mask M by adjusting the magnetic force of the magnetic element 71 may be repeated until the amount of positional deviation between the two falls within the allowable range. When the alignment is completed, the magnetic force of the magnetic element 71 of the moving unit 7A is adjusted to lower the flying height of the holding unit 6A, and the substrate W is placed on the mask M as shown in FIG. The holding of the substrate W by the holding unit 6A is not released. Next, a film forming operation is performed. As shown in FIG. 14B, the vapor deposition material is discharged from the vapor deposition source 8 onto the substrate W while the vapor deposition source 8 is being moved. A deposition material film is formed on the substrate W through the mask M. As shown in FIG. During film formation, the substrate W is kept held by the holding unit 6A.

(成膜装置全体の動作例)
図15(A)~図18(B)は、成膜装置1において複数の基板Wに対して連続的に成膜を行う場合の動作例を説明するための図である。各図で示される状態における各装置の動作は、例えば図6(A)~図14(B)で示される動作例に従う。なお、ここでは、動作の開始時において各蒸着位置JA~JDのマスク台31にはマスクMが既に搬入されているものとする。また、以下では、2つの成膜室3を成膜室3L、成膜室3Rと区別して表記し、2つの回転室4を回転室4L、回転室4Rと区別して表記する。これらの構成要素も同様とする。
(Example of operation of entire film forming apparatus)
15(A) to 18(B) are diagrams for explaining an operation example in which films are continuously formed on a plurality of substrates W in the film forming apparatus 1. FIG. The operation of each device in the states shown in each figure follows the operation examples shown in FIGS. 6A to 14B, for example. Here, it is assumed that masks M have already been loaded onto the mask stands 31 at the vapor deposition positions JA to JD at the start of the operation. In the following description, the two film formation chambers 3 are distinguished as a film formation chamber 3L and a film formation chamber 3R, and the two rotation chambers 4 are distinguished as a rotation chamber 4L and a rotation chamber 4R. The same applies to these constituent elements.

図15(A)に示されるように、搬送ユニット20は、ライン搬送室L1に搬送されてきた1枚目の基板Wを受け取る。 As shown in FIG. 15A, the transport unit 20 receives the first substrate W transported to the line transport chamber L1.

図15(B)に示されるように、搬送ユニット20は、受け取った基板Wを回転室4Lの位置P1へと搬送する。このとき、回転室4Lの搬送ユニット40Lは、搬送ユニット20が位置P1へ基板Wを搬送してくるまでに、位置P1において基板Wを受取可能な位置に基板支持部42Lを回転移動させて待機しておく。そして、搬送ユニット40Lは、搬送ユニット20によって基板Wが位置P1に搬送されると、搬送ユニット20から基板Wを受け取る。 As shown in FIG. 15B, the transport unit 20 transports the received substrate W to the position P1 of the rotation chamber 4L. At this time, the transport unit 40L in the rotation chamber 4L rotates the substrate supporting portion 42L to a position where the substrate W can be received at the position P1 and waits until the transport unit 20 transports the substrate W to the position P1. Keep The transport unit 40L receives the substrate W from the transport unit 20 when the transport unit 20 transports the substrate W to the position P1.

図15(C)に示されるように、搬送ユニット40は、位置P1で受け取った基板Wを位置P2まで移動させる。搬送ユニット40Lは、位置P2において基板Wを保持ユニット6ALに受け渡す。また、これらの動作と並行して、搬送ユニット20は、ライン搬送室L1に搬送されてきた2枚目の基板Wを受け取る。 As shown in FIG. 15C, the transport unit 40 moves the substrate W received at position P1 to position P2. The transport unit 40L transfers the substrate W to the holding unit 6AL at the position P2. In parallel with these operations, the transport unit 20 receives the second substrate W transported to the line transport chamber L1.

図16(A)に示されるように、搬送ユニット20は、受け取った基板Wを回転室4Rの位置P4へと搬送する。このとき、回転室4Rの搬送ユニット40Rは、搬送ユニット20が位置P1へ基板Wを搬送してくるまでに、位置P4において基板Wを受取可能な位置に基板支持部42Rを回転移動させて待機しておく。そして、搬送ユニット40Rは、搬送ユニット20によって基板Wが位置P4に搬送されると、搬送ユニット20から基板Wを受け取る。また、これらの動作と並行して、搬送ユニット5ALは、保持ユニット6ALにより保持している基板Wを位置P2から蒸着位置JAへと移動させる。その後、基板WとマスクMとのアライメントが行われる。 As shown in FIG. 16A, the transport unit 20 transports the received substrate W to the position P4 of the rotation chamber 4R. At this time, the transport unit 40R of the rotation chamber 4R rotates the substrate supporting part 42R to a position where the substrate W can be received at the position P4 and waits until the transport unit 20 transports the substrate W to the position P1. Keep Then, the transport unit 40R receives the substrate W from the transport unit 20 when the transport unit 20 transports the substrate W to the position P4. In parallel with these operations, the transport unit 5AL moves the substrate W held by the holding unit 6AL from the position P2 to the vapor deposition position JA. After that, alignment of the substrate W and the mask M is performed.

図16(B)に示されるように、搬送ユニット20は、3枚目の基板Wを回転室4Lの位置P1へと搬送する。詳細には、搬送ユニット20は、図16(A)で示される状態からライン搬送室L1へと基板搬送部21を移動させて3枚目の基板Wを受け取り、受け取った基板Wを位置P1へと搬送する。そして、搬送ユニット20は、位置P1で基板Wを受取可能な状態で待機している搬送ユニット40Lに基板Wを受け渡す。また、これらの動作と並行して、成膜室3Lでは、蒸着位置JAにある基板Wに対して蒸着源8による成膜が行われる。また、回転室4Rの搬送ユニット40Rは位置P4で受け取った基板Wを位置P5まで搬送する。そして、位置P5において搬送ユニット40Rから保持ユニット6ARに基板Wが受け渡されると、搬送ユニット5ARは保持ユニット6ARにより保持している基板Wを位置P5から蒸着位置JCへと移動させる。その後、基板WとマスクMとのアライメントが行われる。 As shown in FIG. 16B, the transport unit 20 transports the third substrate W to the position P1 of the rotation chamber 4L. Specifically, the transport unit 20 moves the substrate transport section 21 from the state shown in FIG. 16A to the line transport chamber L1, receives the third substrate W, and moves the received substrate W to the position P1. and transport. Then, the transport unit 20 delivers the substrate W to the transport unit 40L, which stands by at the position P1 in a state where the substrate W can be received. In parallel with these operations, film formation is performed by the vapor deposition source 8 on the substrate W at the vapor deposition position JA in the film formation chamber 3L. Further, the transport unit 40R of the rotation chamber 4R transports the substrate W received at the position P4 to the position P5. Then, when the substrate W is transferred from the transport unit 40R to the holding unit 6AR at the position P5, the transport unit 5AR moves the substrate W held by the holding unit 6AR from the position P5 to the deposition position JC. After that, alignment of the substrate W and the mask M is performed.

図16(C)に示されるように、搬送ユニット20は、4枚目の基板Wを回転室4Rの位置P4へと搬送する。詳細には、搬送ユニット20は、図16(B)で示される状態からライン搬送室L1へと基板搬送部21を移動させて4枚目の基板Wを受け取り、受け取った基板Wを位置P4へと搬送する。そして、搬送ユニット20は、位置P4で基板Wを受取可能な状態で待機している搬送ユニット40Rに基板Wを受け渡す。また、これらの動作と並行して、成膜室3Lでは、蒸着位置JAにある基板Wに対して蒸着源8Lによる成膜が引き続き行われる。また、回転室4Lの搬送ユニット40Lは位置P1で受け取った基板Wを位置P3まで搬送する。そして、位置P3において搬送ユニット40Lから保持ユニット6BLに基板Wが受け渡されると、搬送ユニット5BLは保持ユニット6BLにより保持している基板Wを位置P2から蒸着位置JBへと移動させる。その後、基板WとマスクMとのアライメントが行われる。さらに、成膜室3Rでは、蒸着位置JCにある基板Wに対して蒸着源8Rによる成膜が行われる。 As shown in FIG. 16C, the transport unit 20 transports the fourth substrate W to the position P4 of the rotation chamber 4R. Specifically, the transport unit 20 moves the substrate transport section 21 from the state shown in FIG. and transport. Then, the transport unit 20 transfers the substrate W to the transport unit 40R which is waiting at the position P4 in a state where the substrate W can be received. In parallel with these operations, in the film forming chamber 3L, film formation is continuously performed on the substrate W at the vapor deposition position JA by the vapor deposition source 8L. Further, the transport unit 40L of the rotation chamber 4L transports the substrate W received at the position P1 to the position P3. Then, when the substrate W is transferred from the transport unit 40L to the holding unit 6BL at the position P3, the transport unit 5BL moves the substrate W held by the holding unit 6BL from the position P2 to the vapor deposition position JB. After that, alignment of the substrate W and the mask M is performed. Further, in the film forming chamber 3R, film formation is performed by the vapor deposition source 8R on the substrate W at the vapor deposition position JC.

図17(A)に示されるように、搬送ユニット20は、5枚目の基板Wを回転室4Lの位置P1へと搬送する。詳細には、搬送ユニット20は、図16(C)で示される状態からライン搬送室L1へと基板搬送部21を移動させて5枚目の基板Wを受け取り、受け取った基板Wを位置P1へと搬送する。そして、搬送ユニット20は、位置P1で基板Wを受取可能な状態で待機している搬送ユニット40Lに基板Wを受け渡す。また、これらの動作と並行して、成膜室3Lでは、蒸着位置JAにある基板Wに対する成膜を終えた蒸着源8Lが蒸着位置JBにある基板Wに対して成膜を行うためにX方向に移動する。また、搬送ユニット5ALは、成膜を終えた基板Wを保持している保持ユニット6ALを回転室4Lへと移動させる。また、成膜室3Rでは、蒸着源8Rによる成膜が引き続き行われる。また、回転室4Rの搬送ユニット40Rは位置P4で受け取った基板Wを位置P6まで搬送する。そして、位置P6において搬送ユニット40Rから保持ユニット6BRに基板Wが受け渡されると、搬送ユニット5BRは保持ユニット6BRにより保持している基板Wを位置P6から蒸着位置JDへと移動させる。その後、基板WとマスクMとのアライメントが行われる。 As shown in FIG. 17A, the transport unit 20 transports the fifth substrate W to the position P1 of the rotation chamber 4L. Specifically, the transport unit 20 moves the substrate transport section 21 from the state shown in FIG. and transport. Then, the transport unit 20 delivers the substrate W to the transport unit 40L, which stands by at the position P1 in a state where the substrate W can be received. In parallel with these operations, in the film formation chamber 3L, the deposition source 8L, which has finished film formation on the substrate W at the vapor deposition position JA, performs film formation on the substrate W at the vapor deposition position JB. move in the direction Further, the transport unit 5AL moves the holding unit 6AL holding the substrate W on which film formation has been completed to the rotation chamber 4L. Further, in the film formation chamber 3R, film formation is continued by the vapor deposition source 8R. Further, the transport unit 40R of the rotation chamber 4R transports the substrate W received at the position P4 to the position P6. Then, when the substrate W is transferred from the transport unit 40R to the holding unit 6BR at the position P6, the transport unit 5BR moves the substrate W held by the holding unit 6BR from the position P6 to the deposition position JD. After that, alignment of the substrate W and the mask M is performed.

図17(B)に示されるように、搬送ユニット20は、6枚目の基板Wをライン搬送室L1で受け取る。この動作と並行して、搬送ユニット5ALは成膜を終えた1枚目の基板Wを保持している保持ユニット6ALを回転室4L内の位置P2に移動させる。そして、搬送ユニット40Lは、5枚目の基板Wを支持している基板支持部42Lでない方の基板支持部42により、保持ユニット6ALから1枚目の基板Wを受け取る。また、成膜室3Rでは、蒸着位置JCにある基板Wに対する成膜を終えた蒸着源8Rが、蒸着位置JDにある基板Wに対して成膜を行うためにX方向に移動する。また、搬送ユニット5ARは、成膜を終えた基板Wを保持している保持ユニット6ARを回転室4Rへと移動させる。 As shown in FIG. 17B, the transport unit 20 receives the sixth substrate W in the line transport chamber L1. In parallel with this operation, the transport unit 5AL moves the holding unit 6AL holding the first substrate W on which film formation has been completed to the position P2 within the rotation chamber 4L. Then, the transport unit 40L receives the first substrate W from the holding unit 6AL by the substrate supporting portion 42 other than the substrate supporting portion 42L supporting the fifth substrate W. As shown in FIG. In addition, in the film forming chamber 3R, the vapor deposition source 8R, which has finished film formation on the substrate W at the vapor deposition position JC, moves in the X direction to form a film on the substrate W at the vapor deposition position JD. Further, the transport unit 5AR moves the holding unit 6AR holding the substrate W on which film formation has been completed to the rotation chamber 4R.

図17(C)に示すように、搬送ユニット20は、6枚目の基板Wを回転室4Rの位置P4へと搬送し、位置P3で基板Wを受取可能な状態で待機している搬送ユニット40Rに基板Wを受け渡す。この動作と並行して、成膜室3Lでは、蒸着源8Lが蒸着位置JBにある基板Wに対して成膜を行う。また、回転室4Lでは、搬送ユニット40Lが5枚目の基板Wを位置P2へと搬送する。すなわち、5枚目の基板Wは、位置P1から、位置P3を経由して位置P2へと搬送される。位置P2において、基板Wが搬送ユニット40Lから保持ユニット6ALに受け渡される。また、成膜室3Rでは、蒸着源8Rが蒸着位置JDにある基板Wに対して成膜を行う。 As shown in FIG. 17C, the transport unit 20 transports the sixth substrate W to the position P4 of the rotation chamber 4R, and the transport unit stands by at the position P3 ready to receive the substrate W. The substrate W is delivered to 40R. In parallel with this operation, in the deposition chamber 3L, the deposition source 8L performs deposition on the substrate W at the deposition position JB. Further, in the rotation chamber 4L, the transport unit 40L transports the fifth substrate W to the position P2. That is, the fifth substrate W is transported from position P1 to position P2 via position P3. At the position P2, the substrate W is transferred from the transport unit 40L to the holding unit 6AL. Further, in the deposition chamber 3R, the deposition source 8R performs deposition on the substrate W at the deposition position JD.

図18(A)に示すように、搬送ユニット20は、成膜を終えた1枚目の基板Wを搬送ユニット40Lから受け取る。この動作と並行して、搬送ユニット5ARは成膜を終えた2枚目の基板Wを保持している保持ユニット6ARを回転室4R内の位置P5に移動させる。そして、搬送ユニット40Rは、6枚目の基板Wを支持している基板支持部42Lでない方の基板支持部42により、保持ユニット6ARから1枚目の基板Wを受け取る。また、成膜室3Lにおける蒸着位置JBにある基板Wに対する蒸着源8Lによる成膜及び成膜室3Rにおける蒸着位置JDにある基板Wに対する蒸着源8Rによる成膜が引き続き行われる。 As shown in FIG. 18A, the transport unit 20 receives the first substrate W on which film formation has been completed from the transport unit 40L. In parallel with this operation, the transport unit 5AR moves the holding unit 6AR holding the second substrate W on which film formation has been completed to the position P5 within the rotation chamber 4R. Then, the transport unit 40R receives the first substrate W from the holding unit 6AR by the substrate supporting portion 42 other than the substrate supporting portion 42L supporting the sixth substrate W. As shown in FIG. In addition, film formation by the vapor deposition source 8L on the substrate W at the vapor deposition position JB in the film formation chamber 3L and film formation by the vapor deposition source 8R on the substrate W at the vapor deposition position JD in the film formation chamber 3R are continued.

図18(B)に示すように、搬送ユニット20は成膜を終えた1枚目の基板Wをライン搬送室L1に受け渡す。すなわち、成膜を終、回転室4Rでは、搬送ユニット40Rが6枚目の基板Wを位置P5へと搬送する。すなわち、6枚目の基板Wは、位置P4から、位置P6を経由して位置P5へと搬送される。位置P5において、基板Wが搬送ユニット40Rから保持ユニット6ARに受け渡される。また、成膜室3Lにおける蒸着位置JBにある基板Wに対する蒸着源8Lによる成膜及び成膜室3Rにおける蒸着位置JDにある基板Wに対する蒸着源8Rによる成膜が引き続き行われる。 As shown in FIG. 18B, the transfer unit 20 transfers the first substrate W on which film formation has been completed to the line transfer chamber L1. That is, after finishing the film formation, the transport unit 40R transports the sixth substrate W to the position P5 in the rotation chamber 4R. That is, the sixth substrate W is transported from position P4 to position P5 via position P6. At position P5, the substrate W is transferred from the transport unit 40R to the holding unit 6AR. In addition, film formation by the vapor deposition source 8L on the substrate W at the vapor deposition position JB in the film formation chamber 3L and film formation by the vapor deposition source 8R on the substrate W at the vapor deposition position JD in the film formation chamber 3R are continued.

成膜装置1は、以上のように基板Wの搬入、搬入した基板Wへの成膜、成膜を終えた基板Wの搬出といった手順を繰り返すことで、複数の基板Wに対して順次成膜を行うことができる。 As described above, the film forming apparatus 1 sequentially forms films on a plurality of substrates W by repeating the procedure of loading the substrate W, forming a film on the loaded substrate W, and unloading the substrate W on which the film has been formed. It can be performed.

本実施形態によれば、成膜装置1は、ライン搬送室L1から蒸着位置JA~JDへの基板WやマスクMの搬送は、搬送ユニット20、搬送ユニット40及び搬送ユニット5A、5Bの併用により行われる。さらに言えば、搬送ユニット5A、5Bが基板WやマスクMを受け取るまでの搬送が、搬送ユニット20及び搬送ユニット40により行われる。これにより、この区間の搬送を多関節ロボット等の単一の搬送機構により行うよりも、各搬送ユニットの搬送距離を短くしつつ、より長い距離で基板Wを搬送することができる。大型の基板Wを搬送する際に、長い搬送距離を実現しつつ、各搬送ユニットが高剛性化のために大型化することを防止できる。したがって、基板Wの大型化に対応可能な成膜装置1を提供することができる。 According to this embodiment, the film forming apparatus 1 transports the substrate W and the mask M from the line transport chamber L1 to the vapor deposition positions JA to JD by using the transport unit 20, the transport unit 40, and the transport units 5A and 5B. done. Furthermore, the transport unit 20 and the transport unit 40 carry out the transport until the transport units 5A and 5B receive the substrate W and the mask M. As shown in FIG. As a result, the substrate W can be transported over a longer distance while the transport distance of each transport unit is shortened compared to transporting this section by a single transport mechanism such as an articulated robot. When transporting a large substrate W, it is possible to realize a long transport distance and prevent each transport unit from increasing in size due to high rigidity. Therefore, it is possible to provide the film forming apparatus 1 that can cope with an increase in the size of the substrate W.

特に、本実施形態では、搬送ユニット40は、搬送ユニット20から受け取った基板Wを支持した状態で回転することにより、基板Wが成膜の行われるときの向きとなるように、搬送ユニット5A、5Bへの基板Wの受け渡し位置まで基板Wを搬送している。したがって、搬送ユニット20は、成膜室3での基板Wの向きに合わせて基板Wの向きを調整する必要がない。よって、搬送ユニット20の構成を簡素化することができる。さらに言えば、本実施形態では搬送ユニット20は3自由度のロボットで構成されており、4自由度以上の多関節ロボット等を用いる場合と比較して搬送機構の自由度を下げることができる。より自由度の低い機構を採用することで、同等のサイズで比較した場合に多自由度のロボットよりも基板WやマスクMの支持剛性が高くなるので、基板Wの大型化にも対応しやすくなる。 In particular, in the present embodiment, the transport unit 40 rotates while supporting the substrate W received from the transport unit 20 so that the substrate W is oriented when film formation is performed. The substrate W is transported to the transfer position of the substrate W to 5B. Therefore, the transport unit 20 does not need to adjust the orientation of the substrate W in accordance with the orientation of the substrate W in the film forming chamber 3 . Therefore, the configuration of the transport unit 20 can be simplified. Furthermore, in this embodiment, the transport unit 20 is configured by a robot with three degrees of freedom, and the degree of freedom of the transport mechanism can be reduced compared to the case of using a multi-joint robot with four or more degrees of freedom. By adopting a mechanism with a lower degree of freedom, the supporting rigidity of the substrate W and the mask M is higher than that of a robot with multiple degrees of freedom when compared with a robot of the same size. Become.

また、本実施形態では、搬送ユニット40は、2自由度の搬送機構である。したがって、比較的自由度の低い機構である搬送ユニット20及び搬送ユニット40の組み合わせにより、基板Wをより遠くに搬送しつつ基板Wの向きも調整することができるため、単一の搬送機構により基板Wの向きを調整しながら基板Wを搬送する場合よりも、基板Wの大型化に対する対応が容易になる。 Further, in this embodiment, the transport unit 40 is a two-degree-of-freedom transport mechanism. Therefore, the combination of the transport unit 20 and the transport unit 40, which are mechanisms with a relatively low degree of freedom, can transport the substrate W farther while also adjusting the orientation of the substrate W. Therefore, the substrate W can be transported by a single transport mechanism. Compared to the case where the substrate W is transported while adjusting the direction of the W, it becomes easier to deal with an increase in the size of the substrate W.

また、搬送ユニット40で基板Wの向きが調整されるので、搬送ユニット5A、5Bは基板Wの向きを調整することなく基板Wを蒸着位置JA~JDまで平行移動させればよい。よって、搬送ユニット5A、5Bの構成を簡素化することができる。 Further, since the orientation of the substrate W is adjusted by the transport unit 40, the substrate W may be moved parallel to the vapor deposition positions JA to JD without adjusting the orientation of the substrate W by the transport units 5A and 5B. Therefore, the configuration of the transport units 5A and 5B can be simplified.

また、本実施形態では、搬送ユニット40は、回転することにより、基板Wを蒸着位置JAに搬送するための位置P2と基板Wを蒸着位置JBに搬送するための位置P3とで基板Wの向きが同じになるように基板Wを搬送する。したがって、搬送ユニット5A、5Bが位置P2又は位置P3にある基板Wをそのままスライドさせることで、成膜室3内のX方向に離間した2つの蒸着位置JA及び蒸着位置JBに2枚の基板Wが配置される。よって、Y方向に移動(スキャン)しながら基板Wに成膜可能であるとともにX方向に移動可能な蒸着源8により、2つの成膜位置の基板Wに対して成膜を行うことができる。また例えば、蒸着位置JAにある基板Wに対して蒸着源8が成膜を行っている間に蒸着位置JBにある基板Wのアライメントを行うことによって、蒸着位置JAにある基板Wへの成膜の終了後に速やかに蒸着位置JBにある基板Wに成膜を行うことができる。したがって、成膜プロセスの効率を向上することができる。 Further, in the present embodiment, the transport unit 40 rotates to change the direction of the substrate W between the position P2 for transporting the substrate W to the vapor deposition position JA and the position P3 for transporting the substrate W to the vapor deposition position JB. are the same. Therefore, the transport units 5A and 5B slide the substrate W at the position P2 or the position P3 as it is, so that the two substrates W are placed at the two vapor deposition positions JA and JB separated in the X direction inside the film forming chamber 3. is placed. Therefore, the vapor deposition source 8 that can form a film on the substrate W while moving (scanning) in the Y direction and can move in the X direction can perform film formation on the substrate W at two film forming positions. Further, for example, by aligning the substrate W at the vapor deposition position JB while the vapor deposition source 8 is performing film formation on the substrate W at the vapor deposition position JA, the film formation on the substrate W at the vapor deposition position JA is performed. film formation can be quickly performed on the substrate W at the vapor deposition position JB after the end of . Therefore, the efficiency of the film formation process can be improved.

<第2実施形態>
第1実施形態では、搬送ユニット40が位置P1から位置P2又は位置P3に搬送した基板Wを搬送ユニット5A、5Bが蒸着位置JA、JBまで搬送する構成としたが、搬送ユニット5A、5Bを設けない構成であってもよい。すなわち、位置P2又は位置P3が蒸着位置となる構成であってもよい。図19及び図20は、その一例を示す成膜装置201の平面図及び成膜室203の側面図である。以下、第1実施形態と同様の構成については同様の符号を付して説明を省略する。
<Second embodiment>
In the first embodiment, the transport units 5A and 5B transport the substrate W transported from the position P1 to the position P2 or P3 to the deposition positions JA and JB by the transport unit 40. However, the transport units 5A and 5B are provided. It may be a configuration without That is, the position P2 or the position P3 may be the vapor deposition position. 19 and 20 are a plan view of a film forming apparatus 201 and a side view of a film forming chamber 203 showing an example thereof. Hereinafter, the same reference numerals are given to the same configurations as in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

本実施形態では、基板Wに対して成膜を行う成膜室203に、基板Wを支持した状態で回転することにより基板Wを搬送する搬送ユニット240が設けられている。搬送ユニット240は、成膜室203の内部空間の上部の領域に設けられている。搬送ユニット240は、成膜室203の上面を画定する壁部239に支持されたベース部241と、基板Wを支持する2つの基板支持部242と、マスクMを支持する2つのマスク支持部243とを含む。基板支持部242及びマスク支持部243は、ベース部241が有する駆動軸241aのθ方向の回転によるZ軸回りの旋回と、駆動軸241aの上下の移動による昇降とを行う。また、本実施形態の基板支持部242及びマスク支持部243は、基板W及びマスクMをそれぞれ下側に保持して搬送する。例えば、基板支持部242は静電気力で吸着する静電チャックであってもよく、マスク支持部243は磁力によりマスクMを支持してもよい。 In this embodiment, a transport unit 240 that transports the substrate W by rotating while supporting the substrate W is provided in the film forming chamber 203 that performs film deposition on the substrate W. As shown in FIG. The transport unit 240 is provided in the upper region of the inner space of the film forming chamber 203 . The transport unit 240 includes a base portion 241 supported by a wall portion 239 that defines the upper surface of the film forming chamber 203, two substrate support portions 242 that support the substrate W, and two mask support portions 243 that support the mask M. including. The substrate supporting portion 242 and the mask supporting portion 243 rotate around the Z-axis by rotating the driving shaft 241a of the base portion 241 in the θ direction, and move up and down by moving the driving shaft 241a up and down. Further, the substrate supporting part 242 and the mask supporting part 243 of the present embodiment hold and transport the substrate W and the mask M respectively on the lower side. For example, the substrate supporter 242 may be an electrostatic chuck that is attracted by electrostatic force, and the mask supporter 243 may support the mask M by magnetic force.

また、成膜室203において搬送ユニット240の下方には、基板Wを支持する基板支持部250と、マスクMを支持するマスク支持部251が設けられている。これらの構成については公知の技術を適宜適用可能であるが、例えば、基板W又はマスクMの縁を受け爪やクランプ等によって支持してもよい。また、基板支持部250及びマスク支持部251は、水平方向に相対的に移動して基板WとマスクMとのアライメントを実行可能に構成されてもよい。 A substrate support 250 that supports the substrate W and a mask support 251 that supports the mask M are provided below the transfer unit 240 in the film forming chamber 203 . Known techniques can be appropriately applied to these configurations, but for example, the edges of the substrate W or the mask M may be supported by receiving claws, clamps, or the like. Further, the substrate supporter 250 and the mask supporter 251 may be configured to move relative to each other in the horizontal direction so that the substrate W and the mask M can be aligned.

また、成膜室203において基板支持部250及びマスク支持部251の下方には、基板Wに対して成膜を行う蒸着源8が設けられている。 In addition, a vapor deposition source 8 for forming a film on the substrate W is provided below the substrate supporting section 250 and the mask supporting section 251 in the film forming chamber 203 .

以下、成膜装置201における基板Wの搬送動作について説明する。搬送ユニット20は、ライン搬送室L1で基板Wを受け取ると、成膜室203内の位置P21に基板Wを搬送する。そして、搬送ユニット20は、位置P21で基板Wを受取可能な状態で待機している搬送ユニット240に基板Wを受け渡す。例えば、搬送ユニット20がその回動軸21dを上方に移動させて基板Wを上方に持ち上げるか、搬送ユニット240がその駆動軸241aを下方に移動させて基板支持部242を下げるか、或いはその両方により受け渡しが行われる。 The transport operation of the substrate W in the film forming apparatus 201 will be described below. When the transport unit 20 receives the substrate W in the line transport chamber L<b>1 , the transport unit 20 transports the substrate W to the position P<b>21 inside the film forming chamber 203 . Then, the transport unit 20 delivers the substrate W to the transport unit 240 waiting at the position P21 in a state where the substrate W can be received. For example, the transport unit 20 moves its rotary shaft 21d upward to lift the substrate W upward, or the transport unit 240 moves its drive shaft 241a downward to lower the substrate support section 242, or both. is delivered by

基板Wを受け取った搬送ユニット240は、Z軸回りに回転することにより、基板Wを位置P21から位置P22まで搬送する(図20)。その後、搬送ユニット240は、その駆動軸241aを下方に移動させて基板支持部242を下げることで、基板Wを基板支持部250に受け渡す。 The transport unit 240 that has received the substrate W transports the substrate W from position P21 to position P22 by rotating around the Z axis (FIG. 20). After that, the transport unit 240 transfers the substrate W to the substrate support section 250 by moving its drive shaft 241 a downward to lower the substrate support section 242 .

以上説明したように、本実施形態では、搬送ユニット20及び搬送ユニット240により、基板Wの向きを調節しながら、成膜室203内の成膜位置まで基板Wを搬送することができる。このような態様においても、この区間の搬送を多関節ロボット等の単一の搬送機構により行うよりも、各搬送ユニットの搬送距離を短くしつつ、より長い距離で基板Wを搬送することができる。大型の基板Wを搬送する際に、長い搬送距離を実現しつつ、各搬送ユニットが高剛性化のために大型化することを防止できる。したがって、基板Wの大型化に対応可能な成膜装置1を提供することができる。 As described above, in this embodiment, the transport unit 20 and the transport unit 240 can transport the substrate W to the film forming position in the film forming chamber 203 while adjusting the orientation of the substrate W. FIG. In such a mode as well, the substrate W can be transported over a longer distance while the transport distance of each transport unit is shortened compared to transporting this section by a single transport mechanism such as an articulated robot. . When transporting a large substrate W, it is possible to realize a long transport distance and prevent each transport unit from increasing in size due to high rigidity. Therefore, it is possible to provide the film forming apparatus 1 that can cope with an increase in the size of the substrate W.

<第3実施形態>
第1実施形態では、蒸着源8をX方向とY方向との双方に移動可能な構成としたが、X方向にのみ移動可能な構成であってもよい。図21(A)~図21(C)はその一例を示し、蒸着位置JA、JBにおける構成を例示している。蒸着位置JC、JDにおいても同様の構成を採用可能である。
<Third Embodiment>
In the first embodiment, the vapor deposition source 8 is configured to be movable in both the X direction and the Y direction, but may be configured to be movable only in the X direction. FIGS. 21(A) to 21(C) show an example thereof, illustrating configurations at vapor deposition positions JA and JB. A similar configuration can also be adopted at the vapor deposition positions JC and JD.

蒸着源8に代わる蒸着源8’はY方向に細長い形態を有しており、蒸着物質を放出する開口部8a’は蒸着位置JA、JBのY方向の長さに対応した長さを有している。移動ユニット9に代わる移動ユニット9’は、一対の固定レール96を有している。各固定レール96はX方向に延設され、一対の固定レール96は互いにY方向に離間している。移動ユニット9’は、アクチュエータ90に相当する不図示のアクチュエータを有する。 A vapor deposition source 8' replacing the vapor deposition source 8 has an elongated shape in the Y direction, and an opening 8a' for discharging the vapor deposition material has a length corresponding to the length of the vapor deposition positions JA and JB in the Y direction. ing. A moving unit 9 ′ that replaces the moving unit 9 has a pair of fixed rails 96 . Each fixed rail 96 extends in the X direction, and a pair of fixed rails 96 are separated from each other in the Y direction. The moving unit 9 ′ has an actuator (not shown) corresponding to the actuator 90 .

蒸着源8’は、図21(A)に示すように、蒸着位置JAと蒸着位置JBとの間の位置を待機位置とし、蒸着位置JAにおいて基板Wに対して成膜を行う場合は図21(B)に示すように蒸着位置JAをX方向に横断する。また、蒸着位置JBにおいて基板Wに対して成膜を行う場合は図21(C)に示すように蒸着位置JBをX方向に横断する。本実施形態によれば、移動ユニット9’の機構を比較的簡単な機構とすることができる。 As shown in FIG. 21A, the vapor deposition source 8′ has a standby position between the vapor deposition position JA and the vapor deposition position JB. As shown in (B), the deposition position JA is traversed in the X direction. When film formation is performed on the substrate W at the vapor deposition position JB, the vapor deposition position JB is traversed in the X direction as shown in FIG. 21(C). According to this embodiment, the mechanism of the moving unit 9' can be a relatively simple mechanism.

<第4実施形態>
第1実施形態では基板Wを保持する保持部62を静電チャックで構成したが、他の吸着方式であってもよい。図22はその一例を示し保持部62の下面を示している。保持部62の下面には複数の吸着パッド65が設けられている。吸着パッド65は、例えば、粘着力により基板Wを保持する粘着部材である。或いは、吸着パッド65はバキュームパッドである。
<Fourth Embodiment>
In the first embodiment, the holding part 62 that holds the substrate W is configured with an electrostatic chuck, but other chucking methods may be used. FIG. 22 shows an example of this and shows the lower surface of the holding portion 62 . A plurality of suction pads 65 are provided on the lower surface of the holding portion 62 . The suction pad 65 is, for example, an adhesive member that holds the substrate W by adhesive force. Alternatively, the suction pad 65 is a vacuum pad.

<電子デバイスの製造方法>
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。この例の場合、図1に例示した成膜装置1が製造ライン上に複数設けられる。
<Method for manufacturing electronic device>
Next, an example of a method for manufacturing an electronic device will be described. The configuration and manufacturing method of an organic EL display device will be exemplified below as an example of an electronic device. In this example, a plurality of film forming apparatuses 1 illustrated in FIG. 1 are provided on the manufacturing line.

まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図23(A)は有機EL表示装置50の全体図、図23(B)は1画素の断面構造を示す図である。 First, the organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 23A is an overall view of the organic EL display device 50, and FIG. 23B is a view showing the cross-sectional structure of one pixel.

図23(A)に示すように、有機EL表示装置50の表示領域51には、発光素子を複数備える画素52がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。 As shown in FIG. 23A, in a display region 51 of an organic EL display device 50, a plurality of pixels 52 each having a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix. Although details will be described later, each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes.

なお、ここでいう画素とは、表示領域51において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子52R、第2発光素子52G、第3発光素子52Bの複数の副画素の組み合わせにより画素52が構成されている。画素52は、赤色(R)発光素子と緑色(G)発光素子と青色(B)発光素子の3種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素52は少なくとも1種類の副画素を含めばよく、2種類以上の副画素を含むことが好ましく、3種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素52を構成する副画素としては、例えば、赤色(R)発光素子と緑色(G)発光素子と青色(B)発光素子と黄色(Y)発光素子の4種類の副画素の組み合わせでもよい。 The term "pixel" as used herein refers to a minimum unit capable of displaying a desired color in the display area 51. FIG. In the case of a color organic EL display device, a pixel 52 is configured by combining a plurality of sub-pixels of a first light-emitting element 52R, a second light-emitting element 52G, and a third light-emitting element 52B that emit light different from each other. The pixel 52 is often composed of a combination of three types of sub-pixels, a red (R) light-emitting element, a green (G) light-emitting element, and a blue (B) light-emitting element, but is not limited to this. The pixel 52 may include at least one type of sub-pixel, preferably two or more types of sub-pixels, and more preferably three or more types of sub-pixels. Sub-pixels constituting the pixel 52 may be a combination of four types of sub-pixels, for example, a red (R) light-emitting element, a green (G) light-emitting element, a blue (B) light-emitting element, and a yellow (Y) light-emitting element.

図23(B)は、図23(A)のA-B線における部分断面模式図である。画素52は、基板53上に、第1の電極(陽極)54と、正孔輸送層55と、赤色層56R・緑色層56G・青色層56Bのいずれかと、電子輸送層57と、第2の電極(陰極)58と、を備える有機EL素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層55、赤色層56R、緑色層56G、青色層56B、電子輸送層57が有機層に当たる。赤色層56R、緑色層56G、青色層56Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。 FIG. 23(B) is a schematic partial cross-sectional view taken along line AB of FIG. 23(A). The pixel 52 includes, on a substrate 53, a first electrode (anode) 54, a hole transport layer 55, one of a red layer 56R, a green layer 56G, and a blue layer 56B, an electron transport layer 57, and a second layer. It has a plurality of sub-pixels composed of organic EL elements each having an electrode (cathode) 58 . Among these layers, the hole transport layer 55, the red layer 56R, the green layer 56G, the blue layer 56B, and the electron transport layer 57 correspond to organic layers. The red layer 56R, the green layer 56G, and the blue layer 56B are formed in patterns corresponding to light-emitting elements (also referred to as organic EL elements) that emit red, green, and blue, respectively.

また、第1の電極54は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層55と電子輸送層57と第2の電極58は、複数の発光素子52R、52G、52Bにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図23(B)に示すように正孔輸送層55が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層56R、緑色層56G、青色層56Bが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層57と第2の電極58が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。 Also, the first electrode 54 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 55, the electron transport layer 57, and the second electrode 58 may be formed in common over the plurality of light emitting elements 52R, 52G, and 52B, or may be formed for each light emitting element. That is, as shown in FIG. 23B, the hole transport layer 55 is formed as a common layer over a plurality of sub-pixel regions, and the red layer 56R, green layer 56G, and blue layer 56B are separated for each sub-pixel region. The electron transport layer 57 and the second electrode 58 may be formed thereon as a common layer over a plurality of sub-pixel regions.

なお、近接した第1の電極54の間でのショートを防ぐために、第1の電極54間に絶縁層59が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層60が設けられている。 In addition, an insulating layer 59 is provided between the first electrodes 54 in order to prevent short-circuiting between the adjacent first electrodes 54 . Furthermore, since the organic EL layer is deteriorated by moisture and oxygen, a protective layer 60 is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.

図23(B)では正孔輸送層55や電子輸送層57が一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第1の電極54と正孔輸送層55との間には第1の電極54から正孔輸送層55への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第2の電極58と電子輸送層57の間にも電子注入層を形成してもよい。 Although the hole transport layer 55 and electron transport layer 57 are shown as one layer in FIG. may be In addition, an energy band structure capable of smoothly injecting holes from the first electrode 54 to the hole transport layer 55 is formed between the first electrode 54 and the hole transport layer 55 . A hole injection layer having a Similarly, an electron injection layer may be formed between the second electrode 58 and the electron transport layer 57 as well.

赤色層56R、緑色層56G、青色層56Bのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層56Rを2層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。 Each of the red layer 56R, the green layer 56G, and the blue layer 56B may be formed of a single light-emitting layer, or may be formed by laminating a plurality of layers. For example, the red layer 56R may be composed of two layers, the upper layer being a red light emitting layer, and the lower layer being a hole transport layer or an electron blocking layer. Alternatively, the lower layer may be formed of a red light-emitting layer and the upper layer may be formed of an electron-transporting layer or a hole-blocking layer. By providing a layer below or above the light-emitting layer in this way, the light-emitting position in the light-emitting layer is adjusted, and the optical path length is adjusted, thereby improving the color purity of the light-emitting element.

なお、ここでは赤色層56Rの例を示したが、緑色層56Gや青色層56Bでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は2層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を2層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。 Although an example of the red layer 56R is shown here, a similar structure may be adopted for the green layer 56G and the blue layer 56B. Also, the number of layers may be two or more. Furthermore, layers of different materials may be laminated such as the light emitting layer and the electron blocking layer, or layers of the same material may be laminated such as laminating two or more light emitting layers.

次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層56Rが下側層56R1と上側層56R2の2層からなり、緑色層56Gと青色層56Bは単一の発光層からなる場合を想定する。 Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be specifically described. Here, it is assumed that the red layer 56R consists of two layers, a lower layer 56R1 and an upper layer 56R2, and the green layer 56G and blue layer 56B consist of a single light-emitting layer.

まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)及び第1の電極54が形成された基板53を準備する。なお、基板53の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板53として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。 First, a substrate 53 on which a circuit (not shown) for driving the organic EL display device and a first electrode 54 are formed is prepared. The material of the substrate 53 is not particularly limited, and can be made of glass, plastic, metal, or the like. In this embodiment, a substrate in which a polyimide film is laminated on a glass substrate is used as the substrate 53 .

第1の電極54が形成された基板53の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第1の電極54が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層59を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。なお、本実施形態では、絶縁層59の形成までは大型基板に対して処理が行われ、絶縁層59の形成後に、基板53を分割する分割工程が実行される。 A resin layer such as acrylic or polyimide is coated on the substrate 53 on which the first electrode 54 is formed by bar coating or spin coating, and the resin layer is opened by a lithography method at the portion where the first electrode 54 is formed. is formed, and an insulating layer 59 is formed. This opening corresponds to a light emitting region where the light emitting element actually emits light. In the present embodiment, the large substrate is processed until the insulating layer 59 is formed, and the dividing step of dividing the substrate 53 is performed after the insulating layer 59 is formed.

絶縁層59がパターニングされた基板53を第1の成膜装置1に搬入し、正孔輸送層55を、表示領域の第1の電極54の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層55は、最終的に1つ1つの有機EL表示装置のパネル部分となる表示領域51ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。 The substrate 53 on which the insulating layer 59 is patterned is carried into the first film forming apparatus 1, and the hole transport layer 55 is formed as a common layer on the first electrodes 54 in the display area. The hole transport layer 55 is formed using a mask having openings for each of the display regions 51 that will eventually become the panel portion of each organic EL display device.

次に、正孔輸送層55までが形成された基板53を第2の成膜装置1に搬入する。基板53とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層55の上の、基板53の赤色を発する素子を配置する部分(赤色の副画素を形成する領域)に、赤色層56Rを成膜する。ここで、第2の成膜室で用いるマスクは、有機EL表示装置の副画素となる基板53上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層56Rは、基板53上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層56Rは、基板53上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。 Next, the substrate 53 with the holes up to the hole transport layer 55 formed thereon is carried into the second film forming apparatus 1 . The substrate 53 is aligned with the mask, the substrate is placed on the mask, and the portion of the substrate 53 on the hole transport layer 55 where the element emitting red light is arranged (the region for forming the red sub-pixel). , a red layer 56R is deposited. Here, the mask used in the second deposition chamber is a mask having openings formed only in a plurality of regions serving as red sub-pixels among a plurality of regions on the substrate 53 serving as sub-pixels of the organic EL display device. A fine mask. As a result, the red layer 56R including the red light-emitting layer is formed only on the red sub-pixel area among the plurality of sub-pixel areas on the substrate 53 . In other words, the red layer 56R is not formed on the blue sub-pixel region or the green sub-pixel region among the plurality of sub-pixel regions on the substrate 53, and is not formed on the red sub-pixel region. A film is selectively formed in the region where

赤色層56Rの成膜と同様に、第3の成膜装置1において緑色層56Gを成膜し、さらに第4の成膜装置1において青色層56Bを成膜する。赤色層56R、緑色層56G、青色層56Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置1において表示領域51の全体に電子輸送層57を成膜する。電子輸送層57は、3色の層56R、56G、56Bに共通の層として形成される。 Similarly to the deposition of the red layer 56R, the third deposition apparatus 1 deposits the green layer 56G, and the fourth deposition apparatus 1 deposits the blue layer 56B. After the formation of the red layer 56R, the green layer 56G, and the blue layer 56B is completed, the electron transport layer 57 is formed over the entire display area 51 in the fifth film forming apparatus 1. FIG. The electron transport layer 57 is formed as a layer common to the three color layers 56R, 56G and 56B.

電子輸送層57までが形成された基板を第6の成膜装置1に移動し、第2の電極58を成膜する。本実施形態では、第1の成膜装置1~第6の成膜装置1では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第6の成膜装置1における第2の電極58の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第2の電極58までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマCVDによって保護層60を成膜して(封止工程)、有機EL表示装置50が完成する。なお、ここでは保護層60をCVD法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ALD法やインクジェット法によって形成してもよい。 The substrate on which the electron transport layer 57 is formed is transferred to the sixth film forming apparatus 1, and the second electrode 58 is formed. In this embodiment, each layer is formed by vacuum deposition in the first to sixth film forming apparatuses 1 to 1 . However, the present invention is not limited to this, and for example, the deposition of the second electrode 58 in the sixth deposition apparatus 1 may be performed by sputtering. After that, the substrate on which the second electrode 58 is formed is moved to a sealing device, and the protective layer 60 is formed by plasma CVD (sealing step), whereby the organic EL display device 50 is completed. Although the protective layer 60 is formed by the CVD method here, it is not limited to this, and may be formed by the ALD method or the inkjet method.

1:成膜装置、3:成膜室、20:搬送ユニット、40:搬送ユニット、W:基板、M:マスク 1: Film forming apparatus, 3: Film forming chamber, 20: Transfer unit, 40: Transfer unit, W: Substrate, M: Mask

Claims (17)

基板に対して成膜を行う成膜室と、
基板を搬送する第1の搬送手段と、
第1の位置で前記第1の搬送手段から受け取った基板を第2の位置へ搬送する第2の搬送手段と、を備え、
前記第2の搬送手段は、基板を支持した状態で回転することにより、前記第2の位置において基板が成膜の行われるときの向きとなるように基板を搬送する、
ことを特徴とする成膜装置。
a deposition chamber for depositing a film on a substrate;
a first transport means for transporting the substrate;
a second transport means for transporting a substrate received from the first transport means at a first position to a second position;
The second transport means rotates while supporting the substrate, thereby transporting the substrate so that the substrate is oriented at the second position when film formation is performed.
A film forming apparatus characterized by:
請求項1に記載の成膜装置であって、
基板を支持する基板支持部と、
前記第2の位置から前記成膜室内の成膜を行う第3の位置まで前記基板支持部を第1の方向にスライドさせて搬送する第3の搬送手段をさらに備える、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 1,
a substrate support that supports the substrate;
further comprising a third transport means for transporting the substrate support by sliding it in a first direction from the second position to a third position where film formation is performed in the film formation chamber;
A film forming apparatus characterized by:
請求項2に記載の成膜装置であって、
前記基板支持部は、基板を静電気力で吸着する静電チャックを有する、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 2,
The substrate support part has an electrostatic chuck that attracts the substrate by electrostatic force,
A film forming apparatus characterized by:
請求項2に記載の成膜装置であって、
前記基板支持部は、基板を吸着する吸着パッドを有する、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 2,
The substrate support part has a suction pad for sucking the substrate,
A film forming apparatus characterized by:
請求項2から4までのいずれか1項に記載の成膜装置であって、
前記第3の搬送手段は、磁力によって前記基板支持部を前記第1の方向にスライドさせるスライド部と、を含む、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to any one of claims 2 to 4,
The third transport means includes a slide part that slides the substrate support part in the first direction by magnetic force,
A film forming apparatus characterized by:
請求項2から4までのいずれか1項に記載の成膜装置であって、
前記第3の搬送手段は、磁力によって浮上した前記基板支持部をスライドさせるスライド部を含む、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to any one of claims 2 to 4,
The third transport means includes a slide portion that slides the substrate support portion levitated by magnetic force,
A film forming apparatus characterized by:
請求項2に記載の成膜装置であって、
前記第2の搬送手段は、基板が前記第2の位置と異なる第4の位置において前記第2の位置における基板の向きと同じ向きとなるように、基板を支持した状態で回転することにより基板を前記第4の位置まで搬送する、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 2,
The second transport means rotates the substrate while supporting the substrate so that the substrate is oriented in the same direction as the substrate at the second position at a fourth position different from the second position. to the fourth position;
A film forming apparatus characterized by:
請求項7に記載の成膜装置であって、
前記第4の位置から前記成膜室内の成膜を行う第5の位置まで基板を前記第1の方向にスライドさせて搬送する第4の搬送手段をさらに備える、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 7,
further comprising a fourth transport means for transporting the substrate by sliding it in the first direction from the fourth position to a fifth position where film formation is performed in the deposition chamber;
A film forming apparatus characterized by:
請求項8に記載の成膜装置であって、
前記第3の位置及び前記第5の位置は、前記第1の方向と交差する第2の方向に離間して設けられ、
前記成膜装置は、前記第1の方向及び前記第2の方向に移動する蒸発源をさらに備える、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 8,
the third position and the fifth position are spaced apart in a second direction intersecting the first direction;
The film forming apparatus further includes an evaporation source that moves in the first direction and the second direction,
A film forming apparatus characterized by:
請求項1に記載の成膜装置であって、
前記成膜室では、マスクを介して基板に成膜を行う、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 1,
In the deposition chamber, deposition is performed on the substrate through a mask,
A film forming apparatus characterized by:
請求項10に記載の成膜装置であって、
前記第1の搬送手段は、マスクを前記第1の位置まで搬送し、
前記第2の搬送手段は、マスクを前記第1の位置から前記第2の位置まで搬送する、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 10,
The first transport means transports the mask to the first position,
The second transport means transports the mask from the first position to the second position,
A film forming apparatus characterized by:
請求項1から11までのいずれか1項に記載の成膜装置であって、
前記第2の位置は、前記成膜室内の基板に対して成膜を行う位置である、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 11,
The second position is a position where film formation is performed on the substrate in the film formation chamber,
A film forming apparatus characterized by:
請求項1から12までのいずれか1項に記載の成膜装置であって、
前記第1の搬送手段は、鉛直方向の軸まわりの回転、鉛直方向の変位及び径方向の変位の3自由度のロボットである、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 12,
The first transport means is a robot with three degrees of freedom: rotation about a vertical axis, vertical displacement, and radial displacement.
A film forming apparatus characterized by:
請求項1から13までのいずれか1項に記載の成膜装置であって、
前記第2の搬送手段は、鉛直方向の軸まわりの回転及び鉛直方向の変位の2自由度の機構を有する、
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 13,
The second conveying means has a two-degree-of-freedom mechanism of rotation about a vertical axis and vertical displacement,
A film forming apparatus characterized by:
基板を搬送する第1の搬送手段と、
第1の位置で前記第1の搬送手段から受け取った基板を第2の位置へ搬送する第2の搬送手段と、を備え、
前記第2の搬送手段は、基板を支持した状態で回転することにより、前記第2の位置において基板が搬送先となる成膜室での向きとなるように基板を搬送する、
ことを特徴とする基板搬送装置。
a first transport means for transporting the substrate;
a second transport means for transporting a substrate received from the first transport means at a first position to a second position;
The second transport means rotates while supporting the substrate, thereby transporting the substrate so that the substrate is oriented in the deposition chamber to which the substrate is to be transported at the second position.
A substrate transfer device characterized by:
基板を搬送する第1の搬送工程と、
第1の位置で受け取った、前記第1の搬送工程で搬送された基板を第2の位置へ搬送する第2の搬送工程と、を含み、
前記第2の搬送工程では、基板を支持した状態で回転することにより、前記第2の位置において基板が成膜の行われるときの向きとなるように基板を搬送する、
ことを特徴とする基板搬送方法。
a first transporting step of transporting the substrate;
a second transfer step of transferring the substrate received at a first location and transferred in the first transfer step to a second location;
In the second transporting step, the substrate is transported so that the substrate is oriented at the second position in the film formation direction by rotating the substrate while supporting it.
A substrate transfer method characterized by:
請求項16の記載の基板搬送方法により基板を搬送する搬送工程と、
前記搬送工程により搬送された基板に対して成膜を行う成膜工程と、を含む、
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
A transporting step of transporting the substrate by the substrate transporting method according to claim 16;
a film forming step of forming a film on the substrate transported by the transporting step;
An electronic device manufacturing method characterized by:
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