KR102255353B1 - Cooling apparatus and method for load lock chamber - Google Patents

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KR102255353B1 KR1020190027352A KR20190027352A KR102255353B1 KR 102255353 B1 KR102255353 B1 KR 102255353B1 KR 1020190027352 A KR1020190027352 A KR 1020190027352A KR 20190027352 A KR20190027352 A KR 20190027352A KR 102255353 B1 KR102255353 B1 KR 102255353B1
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Abstract

실시예는 로드락 챔버의 냉각 장치에 있어서, 웨이퍼가 배치되는 승하강 장치를 포함하는 로드락 챔버; 상기 로드락 챔버 내부에 위치한 상기 웨이퍼의 하부면에 상기 웨이퍼 주면에 평행한 방향으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부; 상기 퍼지가스 공급부로부터 상기 로드락 챔버에 상기 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급라인; 및 상기 승하강 장치 및 상기 퍼지가스 공급부를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 승하강 장치의 높이에 따른 상기 웨이퍼의 위치에 대응하여 상기 퍼지 가스의 온도를 제어하는 로드락 챔버의 냉각 장치를 제공한다.An embodiment is a cooling apparatus for a load lock chamber, comprising: a load lock chamber including an elevating device in which a wafer is disposed; A purge gas supply unit for supplying a purge gas to a lower surface of the wafer located inside the load lock chamber in a direction parallel to the main surface of the wafer; A purge gas supply line for supplying the purge gas to the load lock chamber from the purge gas supply unit; And a control unit for controlling the elevating device and the purge gas supply unit, wherein the control unit controls a temperature of the purge gas in response to a position of the wafer according to a height of the elevating device. Provides.

Description

로드락 챔버 냉각 장치 및 방법{Cooling apparatus and method for load lock chamber}A load lock chamber cooling apparatus and method TECHNICAL FIELD

본 발명은 웨이퍼 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 냉각하는 로드락 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer manufacturing apparatus, and more particularly, to a load lock chamber for cooling a wafer.

일반적으로 로드락 챔버는 프로세서 챔버로 웨이퍼 로딩시 인입된 오염 성분을 제거하는 역할과, 프로세서 챔버에서 고온 공정이 끝난 후 언로딩된 웨이퍼를 냉각하는 역할을 수행할 수 있다.In general, the load lock chamber may perform a role of removing contaminants introduced when a wafer is loaded into the processor chamber, and cooling an unloaded wafer after a high-temperature process is completed in the processor chamber.

웨이퍼 로딩 전 오염 성분을 충분히 제거하지 않으면, 이 오염 성분은 프로세서 챔버에서의 고온 공정에 의해 웨이퍼 내부로 침투하여 웨이퍼의 품질에 영향을 미치게 된다. 즉, 웨이퍼가 로드락 챔버에 언로딩 시, 웨이퍼는 로드락 챔버에서 냉각 공정을 수행하게 되고, 이때 웨이퍼가 함유한 공정가스 성분이 미량 누출되고, 이는 로드락 챔버를 오염시키는 문제점이 있다.If contaminant components are not sufficiently removed prior to wafer loading, these contaminants penetrate into the wafer by a high temperature process in the processor chamber, affecting the quality of the wafer. That is, when the wafer is unloaded into the load lock chamber, the wafer performs a cooling process in the load lock chamber, and at this time, a small amount of the process gas component contained in the wafer leaks, which contaminates the load lock chamber.

또한, 프로세서 챔버에서 고온 공정을 거친 웨이퍼가 로드락 챔버에서 반입되어, 로드락 챔버 내에서 냉각 공정을 수행하는 경우, 공정시간을 최소화하기 위하여 빠른 냉각이 수행될 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼의 변형이 발생하게 되어, 웨이퍼에 크랙이 유발되는 문제점이 있다.In addition, when a wafer that has undergone a high-temperature process in the processor chamber is carried in from the load lock chamber and a cooling process is performed in the load lock chamber, rapid cooling may be performed to minimize the process time. As a result, deformation of the wafer occurs, and there is a problem that cracks are caused in the wafer.

실시예는 로드락 챔버 내부에서 퍼지가스의 흐름을 원활하게 하여 반응기 내부가 반응 가스 잔해물에 의해 오염되는 것을 방지하고자 한다.The embodiment is intended to prevent the inside of the reactor from being contaminated by reaction gas debris by smoothing the flow of the purge gas inside the load lock chamber.

실시예에 따른 로드락 챔버 냉각 장치에 있어서, 웨이퍼가 배치되는 승하강 장치를 포함하는 로드락 챔버; 상기 로드락 챔버 내부에 위치한 상기 웨이퍼의 하부면에 평행한 방향으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부; 상기 퍼지가스 공급부로부터 상기 로드락 챔버에 상기 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급라인; 및 상기 승하강 장치 및 상기 퍼지가스 공급부를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 승하강 장치의 높이에 따른 상기 웨이퍼의 위치에 대응하여 상기 퍼지 가스의 온도를 제어하는 할 수 있다.A load lock chamber cooling apparatus according to an embodiment, comprising: a load lock chamber including an elevating device in which a wafer is disposed; A purge gas supply unit for supplying a purge gas in a direction parallel to a lower surface of the wafer located inside the load lock chamber; A purge gas supply line for supplying the purge gas to the load lock chamber from the purge gas supply unit; And a control unit for controlling the elevating device and the purge gas supply unit, wherein the control unit may control a temperature of the purge gas in response to a position of the wafer according to a height of the elevating device.

실시예에 따라, 상기 퍼지가스 공급부는 상기 웨이퍼의 위치에 대한 정보에 기초하여 상기 퍼지가스를 가열 및 냉각하는 열교환기를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the purge gas supply unit may further include a heat exchanger for heating and cooling the purge gas based on information on the location of the wafer.

실시예에 따라, 상기 제어부는 상기 승하강 장치의 하강에 대응하여 상기 퍼지 공급부의 퍼지가스 온도가 하강하도록 제어할 수 있다.According to an embodiment, the control unit may control the purge gas temperature of the purge supply unit to decrease in response to the lowering of the elevating device.

실시예에 따라, 상기 제어부는 상기 승하강 장치의 하강에 의해 상기 웨이퍼가 기설정된 높이에 도달하는 경우, 상기 퍼지가스 공급부가 공급하는 퍼지가스 온도를 10도 이하로 제어할 수 있다.According to an embodiment, when the wafer reaches a predetermined height due to the lowering of the elevating device, the control unit may control the temperature of the purge gas supplied by the purge gas supply unit to 10 degrees or less.

실시예에 따라, 상기 퍼지가스 공급라인은, 제1 퍼지가스를 공급하는 제1 공급라인; 및 제2 퍼지가스를 공급하는 제2 공급라인을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the purge gas supply line includes: a first supply line for supplying a first purge gas; And a second supply line supplying a second purge gas.

실시예에 따라, 상기 제어부는 상기 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이상인 경우, 상기 퍼지 공급부가 상기 제1 퍼지가스를 공급하도록 제어할 수 있다.According to an embodiment, when the height of the elevating device is greater than or equal to a preset height, the control unit may control the purge supply unit to supply the first purge gas.

실시예에 따라, 상기 제1 퍼지 가스는 100도 이상의 질소 가스일 수 있다.According to an embodiment, the first purge gas may be a nitrogen gas of 100 degrees or more.

실시예에 따라, 상기 제어부는 상기 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이하인 경우, 상기 퍼지 공급부가 상기 제2 퍼지가스를 공급하도록 제어할 수 있다.According to an embodiment, when the height of the elevating device is less than or equal to a preset height, the control unit may control the purge supply unit to supply the second purge gas.

실시예에 따라, 상기 제2 퍼지 가스는 10도 이하의 질소 가스 일 수 있다.According to an embodiment, the second purge gas may be a nitrogen gas of 10 degrees or less.

실시예에 따라, 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 온도 측정장치를 더 포함할 수 있다.Depending on the embodiment, it may further include a temperature measuring device for measuring the temperature of the wafer.

실시예에 따라, 상기 제어부는 상기 웨이퍼의 온도에 대응하여 상기 퍼지가스 공급량을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the control unit may control the supply amount of the purge gas in response to the temperature of the wafer.

실시예에 따라, 상기 제어부는 상기 웨이퍼의 온도에 대응하여 상기 승하강 장치의 승하강 속도를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the control unit may control the elevating speed of the elevating device in response to the temperature of the wafer.

실시예에 따라, 상기 제2 퍼지 가스는 10도 이하의 질소 가스 일 수 있다.According to an embodiment, the second purge gas may be a nitrogen gas of 10 degrees or less.

실시예에 따른 로드락 챔버 냉각 방법에 있어서, 로드락 챔버 내의 승하강 장치에 웨이퍼가 배치되는 단계; 상기 승하강 장치가 하강하는 단계; 및 상기 승하강 장치의 높이에 따른 상기 웨이퍼의 위치에 대응하여 상기 퍼지 가스의 온도를 제어하는 단계를 포함할 수 있다.A method for cooling a load lock chamber according to an embodiment, comprising: disposing a wafer on an elevating device in the load lock chamber; The step of lowering the elevating device; And controlling the temperature of the purge gas in response to the position of the wafer according to the height of the elevating device.

실시예에 따라, 상기 웨이퍼의 위치에 대한 정보에 기초하여 상기 퍼지가스를 가열 및 냉각하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, it may further include heating and cooling the purge gas based on the information on the location of the wafer.

실시예에 따라, 상기 승하강 장치가 하강함에 따라 상기 퍼지 공급부의 퍼지가스 온도가 하강하도록 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the step of controlling the purge gas temperature of the purge supply unit to decrease as the elevating device is lowered may be further included.

실시예에 따라, 상기 승하강 장치의 하강에 의해 상기 웨이퍼가 기설정된 높이에 도달하는 경우, 상기 퍼지가스 공급부가 공급하는 퍼지가스 온도를 10도 이하로 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, when the wafer reaches a predetermined height by lowering of the elevating device, the step of controlling a purge gas temperature supplied by the purge gas supply unit to 10 degrees or less may be further included.

실시예에 따라, 상기 승하강 장치의 높이에 대응하여 제1, 2 퍼지가스 중 하나의 퍼지가스를 공급하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 퍼지가스는 제1 공급라인을 통해 상기 로드락 챔버에 공급되고, 상기 제2 퍼지가스는 제2 공급라인을 통해 상기 로드락 챔버에 공급될 수 있다.According to an embodiment, further comprising the step of supplying one of the first and second purge gases in correspondence with the height of the elevating device, wherein the first purge gas is the load lock chamber through a first supply line. And the second purge gas may be supplied to the load lock chamber through a second supply line.

실시예에 따라, 상기 승하강 장치의 높이에 대응하여 제1, 2 퍼지가스 중 하나의 퍼지가스를 공급하는 단계는 상기 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이상인 경우, 상기 퍼지 공급부가 상기 제1 퍼지가스를 공급하도록 제어하는 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment, in the step of supplying one of the first and second purge gases in correspondence with the height of the elevating device, when the height of the elevating device is greater than or equal to a preset height, the purge supply unit It may include controlling to supply a purge gas.

실시예에 따라, 상기 제1 퍼지 가스는 100도 이상의 질소 가스일 수 있다.According to an embodiment, the first purge gas may be a nitrogen gas of 100 degrees or more.

실시예에 따라, 상기 승하강 장치의 높이에 대응하여 제1, 2 퍼지가스 중 하나의 퍼지가스를 공급하는 단계는 상기 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이하인 경우, 상기 퍼지 공급부가 상기 제2 퍼지가스를 공급하도록 제어하는 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment, in the step of supplying one of the first and second purge gases in correspondence with the height of the elevating device, when the height of the elevating device is less than a predetermined height, the purge supply unit is It may include controlling to supply a purge gas.

실시예에 따라, 상기 제2 퍼지 가스는 10도 이하의 질소 가스 일 수 있다.According to an embodiment, the second purge gas may be a nitrogen gas of 10 degrees or less.

실시예에 따라, 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 온도 측정 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, a temperature measurement step of measuring the temperature of the wafer may be further included.

실시예에 따라, 상기 측정된 웨이퍼의 온도에 대응하여 상기 퍼지가스 공급량을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the step of controlling the supply amount of the purge gas in response to the measured temperature of the wafer may be further included.

실시예에 따라, 상기 측정된 웨이퍼의 온도에 대응하여 상기 승하강 장치의 승하강 속도를 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, it may further include controlling the elevating speed of the elevating device in response to the measured temperature of the wafer.

상기 본 발명의 양태들은 본 발명의 바람직한 실시예들 중 일부에 불과하며, 본원 발명의 기술적 특징들이 반영된 다양한 실시예들이 당해 기술분야의 통상적인 지식을 가진 자에 의해 이하 상술할 본 발명의 상세한 설명을 기반으로 도출되고 이해될 수 있다.The aspects of the present invention are only some of the preferred embodiments of the present invention, and various embodiments reflecting the technical features of the present invention will be described in detail below by those of ordinary skill in the art. Can be derived and understood based on

본 발명에 따른 로드락 챔버 냉각 방법에 대한 효과를 설명하면 다음과 같다.The effect of the load lock chamber cooling method according to the present invention will be described as follows.

첫째, 실시예의 로드락 챔버에 따르면, 웨이퍼를 냉각하는 과정에서 승하강장치의 높이에 대응하여 온도가 다른 퍼지가스를 로드락 챔버의 하부로 유동하여 냉각 효율이 높아질 수 있다.First, according to the load lock chamber of the embodiment, in the process of cooling a wafer, a purge gas having a different temperature corresponding to the height of the elevating device flows to the lower portion of the load lock chamber, thereby increasing cooling efficiency.

둘째, 웨이퍼의 변형, 크랙 및 반응가스 잔해물에 의한 로드락 챔버 내의 오염을 최소화하고, 이를 통해 MCLT(Minority carrier life time) 및 메탈 수준을 개선하는 효과를 가진다.Second, it has the effect of minimizing contamination in the load lock chamber due to wafer deformation, cracks, and reaction gas debris, thereby improving MCLT (Minority Carrier Life Time) and metal level.

본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects that can be obtained in the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the following description. will be.

이하에 첨부되는 도면들은 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 것으로, 상세한 설명과 함께 본 발명에 대한 실시예들을 제공한다. 다만, 본 발명의 기술적 특징이 특정 도면에 한정되는 것은 아니며, 각 도면에서 개시하는 특징들은 서로 조합되어 새로운 실시예로 구성될 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 로드락 챔버의 단면도를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버 냉각 장치를 도시한 도면이다.
도 3 내지 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 과정을 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버 냉각 방법의 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 온도에 대응하여 로드락 챔버 냉각 방법의 흐름도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings are provided to aid understanding of the present invention and provide embodiments of the present invention together with a detailed description. However, the technical features of the present invention are not limited to a specific drawing, and features disclosed in each drawing may be combined with each other to constitute a new embodiment.
1 is a cross-sectional view showing a cross-sectional view of a load lock chamber according to the prior art.
2 is a view showing a load lock chamber cooling apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 to 4 are views showing a cooling process according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart of a method for cooling a load lock chamber according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart of a method for cooling a load lock chamber in response to a temperature of a wafer according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in order to specifically describe the present invention, and will be described in detail with reference to the accompanying drawings to aid in understanding the invention.

그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.However, the embodiments according to the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely describe the present invention to those with average knowledge in the art.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.In addition, relational terms such as "first" and "second," "upper" and "lower" used below do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements. Thus, it may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

도 1은 종래 기술에 따른 로드락 챔버의 단면도를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a cross-sectional view of a load lock chamber according to the prior art.

도 1을 참조하면, 로드락 챔버(100)는 퍼지가스 디퓨저(10), 냉각 플레이트(20), 승하강장치(30) 및 가스배기구(40)을 포함할 수 있다. 로드락 챔버(100)는 일측에 웨이퍼(W)가 출입하는 웨이퍼 출입구가 배치되고, 웨이퍼 출입구를 통해 반입된 웨이퍼(W)는 승하강장치(30) 상에 배치될 수 있다. 웨이퍼(W)는 고온 상태로 로드락 챔버(100)에 반입될 수 있다. 이때, 승하강장치(30)는 냉각 플레이트(20)와 소정간격을 갖는 위치에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, the load lock chamber 100 may include a purge gas diffuser 10, a cooling plate 20, an elevating device 30, and a gas exhaust port 40. The load lock chamber 100 has a wafer entrance through which the wafer W enters and exits on one side, and the wafer W carried in through the wafer entrance may be arranged on the elevating device 30. The wafer W may be carried into the load lock chamber 100 in a high temperature state. In this case, the elevating device 30 may be disposed at a position having a predetermined distance from the cooling plate 20.

이후, 로드락 챔버(100)의 상부에 위치한 퍼지가스 디퓨저(10)는 웨이퍼(W)의 상면에 퍼지가스를 분사할 수 있다. 퍼지가스는 상온의 질소가스(N2)일 수 있으며, 로드락 챔버(100)에 공급된 퍼지가스는 하부에 배치된 가스배기구(40)를 통해 배출될 수 있다.Thereafter, the purge gas diffuser 10 located above the load lock chamber 100 may inject the purge gas onto the upper surface of the wafer W. The purge gas may be nitrogen gas (N2) at room temperature, and the purge gas supplied to the load lock chamber 100 may be discharged through the gas exhaust port 40 disposed below.

이와 함께, 승하강장치(30)가 하강 동작을 수행하고, 웨이퍼(W)는 상기 냉각 플레이트(20) 상의 핀(25)에 접촉할 수 있다. 냉각 플레이트(20)의 하부에는 냉각수가 공급되어, 냉각 플레이트(20)에 접촉된 웨이퍼(W)를 냉각시킬 수 있다.In addition, the elevating device 30 performs a lowering operation, and the wafer W may contact the fins 25 on the cooling plate 20. Cooling water is supplied to the lower portion of the cooling plate 20 to cool the wafer W in contact with the cooling plate 20.

하지만, 승하강장치(30)의 하강 동작에 의하여, 웨이퍼(W)가 냉각 플레이트(20)상의 핀(25)으로 접근하는 경우, 상기 웨이퍼(W)와 상기 핀(25)의 간격이 기설정된 거리 이내가 되는 시점에서 웨이퍼(W)가 튀는 현상이 발생되어, 웨이퍼(W)에 크랙이 발생하거나, 승하강장치(30)와 웨이퍼(W)간의 물리적인 충격으로 파티클이 유발되는 문제점이 발생하게 된다.However, when the wafer W approaches the fin 25 on the cooling plate 20 by the lowering operation of the elevating device 30, the distance between the wafer W and the fin 25 is preset. When the distance is within the distance, the wafer (W) splashes, causing a crack in the wafer (W), or a problem in which particles are caused by a physical impact between the elevating device 30 and the wafer (W). It is done.

또한, 퍼지가스 디퓨저(10)에 의하여 공급되는 퍼지가스에 의해 웨이퍼(W) 상면에 대한 퍼지 성능은 충분할 수 있으나, 웨이퍼(W) 하면에 대한 퍼지 성능은 상대적으로 부족하게 되는 문제점이 발생하게 된다.In addition, the purge performance on the upper surface of the wafer W may be sufficient due to the purge gas supplied by the purge gas diffuser 10, but the purge performance on the lower surface of the wafer W is relatively insufficient. .

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버 냉각 장치를 도시한 도면이다.2 is a view showing a load lock chamber cooling apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2 를 참조하면, 로드락 챔버 냉각 장치는 로드락 챔버(100), 퍼지가스 공급부(200) 및 제어부(300)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the load lock chamber cooling apparatus may include a load lock chamber 100, a purge gas supply unit 200, and a control unit 300.

로드락 챔버(100)는 퍼지가스 디퓨저(10), 냉각 플레이트(20), 승하강장치(30) 및 가스배기구(40) 및 가스공급구(50)를 포함할 수 있다.The load lock chamber 100 may include a purge gas diffuser 10, a cooling plate 20, an elevating device 30, a gas exhaust port 40, and a gas supply port 50.

로드락 챔버(100)는 일측에 웨이퍼(W)가 출입하는 웨이퍼 출입구가 배치되고, 웨이퍼 출입구를 통해 반입된 웨이퍼(W)는 승하강장치(30) 상에 배치될 수 있다. 이때, 로드락 챔버(100)에 반입된 웨이퍼(W)는 이전 공정 상태에 따라 약 200도의 열을 보유할 수 있다.The load lock chamber 100 has a wafer entrance through which the wafer W enters and exits on one side, and the wafer W carried in through the wafer entrance may be arranged on the elevating device 30. At this time, the wafer W carried into the load lock chamber 100 may retain heat of about 200 degrees according to the previous process state.

퍼지가스 디퓨저(10)는 로드락 챔버(100)의 상부에 배치될 수 있다. 퍼지가스 디퓨저(10)는 로드락 챔버(100)에 웨이퍼(W)가 반입되어, 승하강 장치(30)에 배치되는 경우, 웨이퍼(W) 상면에 퍼지가스를 분사할 수 있다. 이때, 상기 퍼지가스는 상온의 질소가스(N2)일 수 있다.The purge gas diffuser 10 may be disposed above the load lock chamber 100. When the wafer W is carried in the load lock chamber 100 and disposed in the elevating device 30, the purge gas diffuser 10 may spray a purge gas on the upper surface of the wafer W. In this case, the purge gas may be nitrogen gas (N2) at room temperature.

냉각 플레이트(20)는 로드락 챔버(100)의 하부에 배치될 수 있다. 냉각 플레이트(20)는 상면에 다수의 핀(25)을 포함할 수 있다. 다수의 핀(25)은 서로 기설정된 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다.The cooling plate 20 may be disposed under the load lock chamber 100. The cooling plate 20 may include a plurality of fins 25 on an upper surface. The plurality of pins 25 may be disposed to be spaced apart from each other by a predetermined distance.

냉각 플레이트(20)의 하부에는 냉각수가 공급되어, 냉각 플레이트(20)에 접촉된 웨이퍼(W)를 냉각시킬 수 있다. 이때, 냉각 플레이트(20)에 공급되는 냉각수의 온도는 20도 이하일 수 있다.Cooling water is supplied to the lower portion of the cooling plate 20 to cool the wafer W in contact with the cooling plate 20. In this case, the temperature of the cooling water supplied to the cooling plate 20 may be 20 degrees or less.

승하강장치(30)는 로드락 챔버(100)로 유입된 웨이퍼(W)가 배치되는 지지부 및 상기 지지부의 일단에 연결되어 수직 방향으로 이동하는 리프트부를 포함할 수 있다. 승하강장치(30)는 리프트부의 승하강 동작에 따라 지지부 상에 배치된 웨이퍼(W) 또한 로드락 챔버(100) 내에서 수직방향으로 이동될 수 있다. 이를 통해, 승하강장치(30)는 로드락 챔버(100) 내에서 웨이퍼(W)의 위치를 제어할 수 있다.The elevating device 30 may include a support portion on which the wafer W introduced into the load lock chamber 100 is disposed, and a lift portion connected to one end of the support portion and moving in a vertical direction. The elevating device 30 may also move the wafer W disposed on the support portion in the vertical direction in the load lock chamber 100 according to the elevating operation of the lift portion. Through this, the elevating device 30 may control the position of the wafer W in the load lock chamber 100.

승하강장치(30)는 상기 웨이퍼(W)가 배치되는 경우, 승하강 동작을 수행할 수 있다. 승하강장치(30)가 하강 동작을 수행하는 경우, 웨이퍼(W)는 냉각 플레이트(20) 상부에 배치된 핀(25) 위에 배치될 수 있다.When the wafer W is disposed, the elevating device 30 may perform an elevating operation. When the elevating device 30 performs a lowering operation, the wafer W may be disposed on the fins 25 disposed above the cooling plate 20.

예를 들어, 승하강장치(30)에 웨이퍼(W)가 배치되는 경우, 웨이퍼(W)가 냉각 플레이트(20)와 소정간격에 위치하도록 승하강 장치(30)가 제어될 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼(W)와 냉각 플레이트(20)의 간격은 약 20mm 일 수 있다.For example, when the wafer W is disposed in the elevating device 30, the elevating device 30 may be controlled so that the wafer W is positioned at a predetermined distance from the cooling plate 20. In this case, the distance between the wafer W and the cooling plate 20 may be about 20 mm.

예를 들어, 승하강장치(30)가 냉각 플레이트(20) 방향으로 하강하여, 상기 웨이퍼(W)가 냉각 플레이트(20) 상의 핀(25)과 접촉하는 경우, 상기 승하강 장치(30)는 기설정된 높이 이하에 위치할 수 있다. 즉, 상기 승하강장치(30)는 냉각 플레이트(20)와 핀(25) 사이에 배치될 수 있다.For example, when the elevating device 30 descends in the direction of the cooling plate 20 and the wafer W contacts the fins 25 on the cooling plate 20, the elevating device 30 It can be located below a preset height. That is, the elevating device 30 may be disposed between the cooling plate 20 and the fin 25.

승하강장치(30)는 제어부(300)로부터 제어신호를 수신하여 승하강 속도가 제어될 수 있다.The elevating device 30 may control the elevating speed by receiving a control signal from the controller 300.

가스배기구(40) 로드락 챔버(100)의 하부에 배치되고, 로드락 챔버(100) 내에 공급된 퍼지가스를 배출할 수 있다.The gas exhaust port 40 is disposed below the load lock chamber 100 and may discharge the purge gas supplied into the load lock chamber 100.

가스공급구(50)는 로드락 챔버(100)의 하부 측면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 가스공급구(50)는 웨이퍼 출입구의 하부에 위치할 수 있다.The gas supply port 50 may be disposed on the lower side of the load lock chamber 100. For example, the gas supply port 50 may be located below the wafer entrance.

가스공급구(50)는 퍼지가스 공급라인과 연결될 수 있다. 이로 인해, 가스공급구(50)를 통해 공급된 퍼지가스는 로드락 챔버(100) 내에 배치된 웨이퍼(W)의 하면과 접촉할 수 있다.The gas supply port 50 may be connected to a purge gas supply line. Accordingly, the purge gas supplied through the gas supply port 50 may contact the lower surface of the wafer W disposed in the load lock chamber 100.

온도측정장치(미도시)는 로드락 챔버(100)의 내부에 배치되어, 웨이퍼(W) 표면 온도를 측정할 수 있다. 온도측정장치(미도시)는 측정된 결과를 제어부(300)로 출력할 수 있다.A temperature measuring device (not shown) is disposed inside the load lock chamber 100 to measure the surface temperature of the wafer W. The temperature measuring device (not shown) may output the measured result to the control unit 300.

퍼지가스 공급부(200)에 의해 공급되는 퍼지가스는 로드락 챔버 내부에 위치한 웨이퍼의 하부면에 평행한 방향으로 공급될 수 있다.The purge gas supplied by the purge gas supply unit 200 may be supplied in a direction parallel to the lower surface of the wafer located inside the load lock chamber.

퍼지가스 공급부(200)는 로드락 챔버에 공급되는 퍼지가스의 온도를 제어하는 열교환기(미도시)를 포함할 수 있다. 열교환기(미도시)는 웨이퍼 높이에 대한 정보에 기초하여 퍼지가스를 가열 및 냉각할 수 있다. 퍼지가스 공급부(200)는 웨이퍼의 위치에 대응하여 퍼지가스의 온도를 연속적으로 제어할 수 있다.The purge gas supply unit 200 may include a heat exchanger (not shown) that controls the temperature of the purge gas supplied to the load lock chamber. The heat exchanger (not shown) may heat and cool the purge gas based on the information on the height of the wafer. The purge gas supply unit 200 may continuously control the temperature of the purge gas according to the position of the wafer.

예를 들어, 퍼지가스 공급부는 상기 승하강 장치의 하강에 의해 상기 웨이퍼가 기설정된 위치에 도달하는 경우, 열교환기(미도시)를 통해 퍼지가스 온도를 10도 이하로 냉각할 수 있다.For example, when the wafer reaches a predetermined position by the lowering of the elevating device, the purge gas supply unit may cool the purge gas temperature to 10 degrees or less through a heat exchanger (not shown).

퍼지가스 공급부(200)는 로드락 챔버(100) 내측으로 제1 퍼지가스, 제 2 퍼지가스 중 하나의 퍼지가스를 공급할 수 있다. 상기 제1 퍼지가스는 100도 이상의 질소가스 일 수 있고, 상기 제2 퍼지가스는 10도 이하의 질소가스 일 수 있다.The purge gas supply unit 200 may supply one of the first purge gas and the second purge gas into the load lock chamber 100. The first purge gas may be a nitrogen gas of 100 degrees or more, and the second purge gas may be a nitrogen gas of 10 degrees or less.

퍼지가스 공급부(200)는 로드락 챔버(100)에 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급라인에 연결될 수 있다.The purge gas supply unit 200 may be connected to a purge gas supply line for supplying purge gas to the load lock chamber 100.

예를 들어, 퍼지가스 공급라인은 제1 퍼지가스가 공급되는 제1 공급라인(210)과 제2 퍼지가스가 공급되는 제2 공급라인(220)으로 분기될 수 있다.For example, the purge gas supply line may be branched into a first supply line 210 supplied with a first purge gas and a second supply line 220 supplied with a second purge gas.

퍼지가스 공급부(200)는 제1 공급라인(210)과 제2 공급라인(220)의 일단에 각각 퍼지가스의 공급을 ON/OFF하는 밸브를 포함할 수 있다. 퍼지가스 공급부(200)는 웨이퍼(W)의 위치에 따른 제어부(300)의 제어신호에 대응하여 각 밸브를 제어할 수 있다.The purge gas supply unit 200 may include a valve that turns ON/OFF supply of the purge gas at one end of the first supply line 210 and the second supply line 220, respectively. The purge gas supply unit 200 may control each valve in response to a control signal from the control unit 300 according to the position of the wafer W.

예를 들어, 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이상인 경우, 퍼지가스 공급부(200)는 제1 공급라인(210)의 밸브를 ON하고, 제2 공급라인(220)의 밸브를 OFF할 수 있다.For example, when the height of the elevating device is greater than or equal to a preset height, the purge gas supply unit 200 may turn on the valve of the first supply line 210 and turn the valve of the second supply line 220 off. .

예를 들어, 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이하인 경우, 퍼지가스 공급부(200)는 제1 공급라인(210)의 밸브를 OFF하고, 제2 공급라인(220)의 밸브를 ON할 수 있다. 즉, 로드락 챔버(100) 내로 제1 퍼지가스의 공급을 중단하고, 제2 퍼지가스를 공급할 수 있다.For example, when the height of the elevating device is less than or equal to a preset height, the purge gas supply unit 200 may turn off the valve of the first supply line 210 and turn the valve of the second supply line 220 on. . That is, the supply of the first purge gas into the load lock chamber 100 may be stopped and the second purge gas may be supplied.

퍼지가스 공급부(200)는 웨이퍼(W)의 온도에 대응하여 로드락 챔버(100) 내에 공급되는 퍼지가스의 공급량을 조절할 수 있다.제어부(300)는 상기 로드락 챔버의 승하강 장치(30) 및 상기 퍼지가스 공급부(200)를 제어할 수 있다. 제어부(300)는 승하강장치(30)의 높이에 대응하여 퍼지가스 공급부(200)에 제어신호를 송신할 수 있다.The purge gas supply unit 200 may adjust the supply amount of the purge gas supplied into the load lock chamber 100 in response to the temperature of the wafer W. The control unit 300 is the elevating device 30 of the load lock chamber. And it is possible to control the purge gas supply unit 200. The control unit 300 may transmit a control signal to the purge gas supply unit 200 corresponding to the height of the elevating device 30.

제어부(300)는 승하강 장치의 높이에 따른 상기 웨이퍼의 위치에 대응하여 퍼지 가스의 온도를 제어할 수 있다. 즉, 제어부(300)는 상기 웨이퍼의 위치에 기초하여 퍼지 가스의 온도를 연속적으로 제어하도록 퍼지가스 공급부(200)를 제어할 수 있다. 따라서, 제어부(300)는 승하강 장치의 하강에 대응하여 퍼지 공급부(200)를 통해 퍼지가스의 온도가 하강하도록 제어할 수 있다.The controller 300 may control the temperature of the purge gas in response to the position of the wafer according to the height of the elevating device. That is, the control unit 300 may control the purge gas supply unit 200 to continuously control the temperature of the purge gas based on the position of the wafer. Accordingly, the control unit 300 may control the temperature of the purge gas to decrease through the purge supply unit 200 in response to the lowering of the elevating device.

예를 들어, 승하강 장치의 하강에 의해 상기 웨이퍼가 기설정된 위치에 도달하는 경우, 상기 퍼지가스 공급부가 공급하는 퍼지가스 온도를 10도 이하로 제어할 수 있다.For example, when the wafer reaches a predetermined position due to the lowering of the elevating device, the temperature of the purge gas supplied by the purge gas supply unit may be controlled to 10 degrees or less.

예를 들어, 제어부(300)는 상기 승하강 장치(30)의 높이에 대응하여 상기 퍼지가스 공급부(200)가 제1,2 퍼지가스 중 하나의 퍼지가스를 상기 로드락 챔버(100)에 공급하도록 제어할 수 있다.For example, the control unit 300 supplies one of the first and second purge gases to the load lock chamber 100 by the purge gas supply unit 200 corresponding to the height of the elevating device 30 Can be controlled to do.

예를 들어, 제어부(300)는 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이상인 경우, 상기 퍼지 공급부(200)가 제1 공급라인(210)을 통해 제1 퍼지가스를 공급하도록 제어신호를 송신할 수 있다.For example, when the height of the elevating device is greater than or equal to a preset height, the control unit 300 may transmit a control signal so that the purge supply unit 200 supplies the first purge gas through the first supply line 210. have.

예를 들어, 제어부(300)는 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이하인 경우, 상기 퍼지 공급부(200)가 제2 공급라인(220)을 통해 제2 퍼지가스를 공급하도록 제어신호를 송신할 수 있다.For example, when the height of the elevating device is less than or equal to a preset height, the control unit 300 may transmit a control signal so that the purge supply unit 200 supplies the second purge gas through the second supply line 220. have.

제어부(300)는 로드락 챔버(100) 내에 배치되어 웨이퍼(W)의 온도를 측정하기 위한 온도측정수단(미도시)로부터 수신한 웨이퍼(W)의 온도에 대응하여 퍼지가스 공급부(200)의 공급량을 결정할 수 있다.The control unit 300 is disposed in the load lock chamber 100 to measure the temperature of the wafer W in response to the temperature of the wafer W received from the temperature measuring means (not shown). The amount of supply can be determined.

예를 들어, 웨이퍼(W)가 기설정된 온도 이상인 경우, 제어부(300)는 제1 퍼지가스 또는 제2 퍼지가스의 공급량이 증가하도록 퍼지가스 공급부(200)를 제어할 수 있다.For example, when the wafer W is above a preset temperature, the controller 300 may control the purge gas supply unit 200 to increase the supply amount of the first purge gas or the second purge gas.

예를 들어, 웨이퍼(W)가 기설정된 온도 이하인 경우, 제어부(300)는 제1 퍼지가스 또는 제2 퍼지가스의 공급량이 감소하도록 퍼지가스 공급부(200)를 제어할 수 있다.For example, when the wafer W is below a preset temperature, the controller 300 may control the purge gas supply unit 200 to reduce the supply amount of the first purge gas or the second purge gas.

제어부(300)는 상기 온도측정장치(미도시)로부터 수신한 측정 결과를 이용하여, 상기 승하강장치(30)를 제어하는 신호를 발생할 수 있다.The controller 300 may generate a signal for controlling the elevating device 30 using a measurement result received from the temperature measuring device (not shown).

예를 들어, 웨이퍼(W)의 온도 측정값이 기설정된 값 이상인 경우, 제어부(300)는 승하강장치(30)의 하강 속도가 감소하도록 제어할 수 있다.For example, when the temperature measurement value of the wafer W is equal to or greater than a preset value, the controller 300 may control the lowering speed of the elevating device 30 to decrease.

예를 들어, 웨이퍼(W)의 온도 측정값이 기설정된 값 이하인 경우, 제어부(300)는 승하강장치(30)의 하강 속도가 증가하도록 제어할 수 있다.For example, when the temperature measurement value of the wafer W is less than or equal to a preset value, the controller 300 may control the lowering speed of the elevating device 30 to increase.

도 3 내지 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 과정을 보여주는 도면이다.3 to 4 are views showing a cooling process according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 로드락 챔버(100)는 고온으로 가열된 웨이퍼(W)가 로드락 챔버(100)에 배치되는 경우, 퍼지가스 디퓨저(10)를 통해 상온의 퍼지가스를 로드락 챔버(100)의 내부에 공급할 수 있다. 이를 통해, 로드락 챔버(100) 내부에 공급된 상온의 퍼지가스는 로드락 챔버(100)의 상부로 분사되어 웨이퍼(W)의 상면을 냉각할 수 있다.Referring to FIG. 3, when a wafer W heated to a high temperature is disposed in the load lock chamber 100, the load lock chamber 100 transmits a room temperature purge gas through the purge gas diffuser 10. 100) can be supplied inside. Through this, the room temperature purge gas supplied into the load lock chamber 100 may be sprayed to the top of the load lock chamber 100 to cool the upper surface of the wafer W.

이와 함께, 로드락 챔버(100)는 가스유입구(50)를 통해 제1 퍼지가스가 공급될 수 있다. 제1 퍼지가스는 로드락 챔버(100)의 하부로 공급되어, 웨이퍼(W)의 하면을 냉각할 수 있다. 이때, 상기 제1 퍼지가스는 100도 이상의 질소가스가 공급될 수 있다.In addition, the first purge gas may be supplied to the load lock chamber 100 through the gas inlet 50. The first purge gas is supplied to the lower portion of the load lock chamber 100 to cool the lower surface of the wafer W. At this time, the first purge gas may be supplied with a nitrogen gas of 100 degrees or more.

이후, 웨이퍼(W)가 냉각 플레이트(20) 상부의 핀(25)에 접촉하기 전까지는 제1 퍼지가스가 공급될 수 있다. 이를 통해, 웨이퍼(W)에 급격한 온도 변화에 따른 스트레스를 최소화시킬 수 있다.Thereafter, the first purge gas may be supplied until the wafer W contacts the fins 25 on the upper portion of the cooling plate 20. Through this, it is possible to minimize stress due to a sudden change in temperature on the wafer W.

도 4를 참조하면, 승하강장치(30)의 하강 동작에 의해 웨이퍼(W)가 냉각 플레이트(20)의 상부에 배치된 핀에 접촉한 경우, 퍼지 공급부(200)는 제2 퍼지가스가 공급될 수 있다. 제2 퍼지가스는 로드락 챔버(100)의 하부로 공급되어, 웨이퍼(W)의 하면을 냉각할 수 있다. 이때, 상기 제2 퍼지가스는 10도 이하의 질소가스가 공급될 수 있다.Referring to FIG. 4, when the wafer W contacts the fin disposed on the cooling plate 20 by the lowering operation of the elevating device 30, the purge supply unit 200 is supplied with a second purge gas. Can be. The second purge gas is supplied to the lower portion of the load lock chamber 100 to cool the lower surface of the wafer W. At this time, nitrogen gas of 10 degrees or less may be supplied as the second purge gas.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버 냉각 방법의 흐름도이다.5 is a flowchart of a method for cooling a load lock chamber according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 제어부(300)는 로드락 챔버(100)의 승하강장치(30)에 웨이퍼(W)가 배치되는 경우, 로드락 챔버(100)의 승하강 장치가 로드락 챔버(100)의 하부에 배치되는 냉각 플레이트(20) 방향으로 하강하도록 제어할 수 있다(S110, S120).Referring to FIG. 5, when the wafer W is disposed in the elevating device 30 of the load lock chamber 100, the controller 300 is It can be controlled to descend in the direction of the cooling plate 20 disposed under the) (S110, S120).

상기 S120 단계 이후, 제어부(300)는 승하강 장치의 높이를 수신하고, 승하강 장치의 높이가 기설정된 값 이상인 경우, 로드락 챔버(100)에 제1 퍼지가스를 공급하도록 퍼지가스 공급부(200)를 제어할 수 있다(S130). 즉, 제어부(300)는 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이상 일 때, 퍼지가스 공급부(200)가 제1 공급라인(210)의 밸브를 ON하고, 제2 공급라인(220)의 밸브를 OFF하도록 제어할 수 있다. 또한, 제어부(300)는 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이하일 때, 퍼 제1 공급라인(210)의 밸브를 OFF하고, 제2 공급라인(220)의 밸브를 ON하도록 제어할 수 있다.After the step S120, the control unit 300 receives the height of the elevating device, and when the height of the elevating device is greater than or equal to a preset value, the purge gas supply unit 200 to supply the first purge gas to the load lock chamber 100. ) Can be controlled (S130). That is, when the height of the elevating device is greater than or equal to a preset height, the control unit 300 turns on the valve of the first supply line 210 and turns on the valve of the second supply line 220. It can be controlled to be OFF. In addition, when the height of the elevating device is less than or equal to a predetermined height, the control unit 300 may control to turn off the valve of the fur first supply line 210 and turn the valve of the second supply line 220 ON.

상기 S130 단계 이후, 제어부(300)는 승하강 장치의 높이가 기설정된 값 이하인 경우, 로드락 챔버(100)에 제1 퍼지가스의 공급을 중단하고, 제2 퍼지가스를 공급하도록 퍼지가스 공급부(200)를 제어할 수 있다(S140).After the step S130, the control unit 300 stops the supply of the first purge gas to the load lock chamber 100 and supplies the second purge gas when the height of the elevating device is less than a preset value. 200) can be controlled (S140).

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼(W)의 온도에 대응하여 로드락 챔버 냉각 방법의 흐름도이다.6 is a flowchart of a method for cooling a load lock chamber in response to the temperature of the wafer W according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 로드락 챔버(100)의 승하강장치(30)에 웨이퍼(W)가 배치되는 경우, 제어부(300)는 온도측정장치(미도시)로부터 웨이퍼(W)의 온도를 수신할 수 있다(S210).Referring to FIG. 6, when the wafer W is disposed in the elevating device 30 of the load lock chamber 100, the control unit 300 receives the temperature of the wafer W from a temperature measuring device (not shown). It can be done (S210).

상기 S210 단계 이후, 제어부(300)는 상기 웨이퍼(W)의 온도에 대응하여 상기 퍼지가스 공급량을 제어할 수 있다(S220). 제어부(300)는 웨이퍼(W)가 기설정된 온도 이상이면 제1 퍼지가스 또는 제2 퍼지가스의 공급량이 증가하도록 퍼지가스 공급부(200)를 제어하고, 웨이퍼(W)가 기설정된 온도 이하이면, 제어부(300)는 웨이퍼(W)의 온도에 대응하여 제1 퍼지가스 또는 제2 퍼지가스의 공급량이 감소하도록 퍼지가스 공급부(200)를 제어할 수 있다(S220).After the step S210, the controller 300 may control the supply amount of the purge gas in response to the temperature of the wafer W (S220). The control unit 300 controls the purge gas supply unit 200 to increase the supply amount of the first purge gas or the second purge gas when the wafer W is above a preset temperature, and when the wafer W is below a preset temperature, The controller 300 may control the purge gas supply unit 200 to reduce the supply amount of the first purge gas or the second purge gas in response to the temperature of the wafer W (S220).

상기 S210 단계 이후, 제어부(300)는 상기 웨이퍼(W)의 온도에 대응하여, 승하강 장치의 하강 속도를 제어할 수 있다(S230). 제어부(300)는 웨이퍼(W)의 온도 측정값이 기설정된 값 이상일 때, 승하강장치(30)의 하강 속도가 감소하도록 제어하고, 웨이퍼(W)의 온도 측정값이 기설정된 값 이하일 때, 승하강장치(30)의 하강 속도가 증가하도록 제어할 수 있다(S230).After the step S210, the controller 300 may control the lowering speed of the elevating device in response to the temperature of the wafer W (S230). When the temperature measured value of the wafer W is higher than or equal to a preset value, the control unit 300 controls the lowering speed of the elevating device 30 to decrease, and when the measured temperature value of the wafer W is less than or equal to a preset value, It can be controlled to increase the descending speed of the elevating device 30 (S230).

이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, although the embodiments have been described by limited embodiments and drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and variations from these descriptions for those of ordinary skill in the field to which the present invention pertains. This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention is limited to the described embodiments and should not be defined, but should be defined by the claims to be described later as well as those equivalent to the claims.

10: 퍼지가스 디퓨저
20: 냉각 플레이트
30: 승하강장치
40: 가스배기구
50: 가스공급구
100: 로드락 챔버
200: 퍼지가스 공급부
210: 제1 공급라인
220: 제2 공급라인
300: 제어부10: purge gas diffuser
20: cooling plate
30: elevating device
40: gas exhaust
50: gas supply port
100: load lock chamber
200: purge gas supply unit
210: first supply line
220: second supply line
300: control unit

Claims (24)

웨이퍼가 배치되는 승하강 장치를 포함하는 로드락 챔버;
상기 로드락 챔버 내부에 위치한 상기 웨이퍼의 하부면에 평행한 방향으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부;
상기 퍼지가스 공급부로부터 상기 로드락 챔버의 하부에서 상기 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급라인;
상기 로드락 챔버의 하부에 배치된 냉각 플레이트;
상기 냉각플레이트 상에 복수로 배치되며, 상기 승하강 장치의 이동에 따라 상기 웨이퍼의 하부면과 접촉하는 핀; 및
상기 승하강 장치 및 상기 퍼지가스 공급부를 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는
상기 핀과 상기 웨이퍼의 접촉 여부에 따라 상기 퍼지가스의 온도를 제어하는 로드락 챔버 냉각 장치.
A load lock chamber including an elevating device in which a wafer is disposed;
A purge gas supply unit for supplying a purge gas in a direction parallel to a lower surface of the wafer located inside the load lock chamber;
A purge gas supply line for supplying the purge gas from the purge gas supply unit to the lower portion of the load lock chamber;
A cooling plate disposed under the load lock chamber;
A plurality of fins disposed on the cooling plate and in contact with the lower surface of the wafer according to the movement of the elevating device; And
And a control unit for controlling the elevating device and the purge gas supply unit,
The control unit
A load lock chamber cooling device that controls the temperature of the purge gas according to whether the pin and the wafer are in contact with each other.
 제 1항에 있어서,
상기 퍼지가스 공급부는
상기 웨이퍼의 위치에 대한 정보에 기초하여 상기 퍼지가스를 가열 및 냉각하는 열교환기를 더 포함하는 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 1,
The purge gas supply unit
Load lock chamber cooling apparatus further comprising a heat exchanger for heating and cooling the purge gas based on the information on the location of the wafer. 제 1항에 있어서,
상기 제어부는
상기 승하강 장치의 하강에 대응하여 상기 퍼지가스 공급부의 퍼지가스 온도가 하강하도록 제어하는 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 1,
The control unit
A load lock chamber cooling device for controlling the temperature of the purge gas of the purge gas supply unit to decrease in response to the lowering of the elevating device. 제 3항에 있어서,
상기 제어부는
상기 승하강 장치의 하강에 의해 상기 웨이퍼가 기설정된 위치에 도달하는 경우, 상기 퍼지가스 공급부가 공급하는 퍼지가스 온도를 10도 이하로 제어하는 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 3,
The control unit
When the wafer reaches a preset position due to the lowering of the elevating device, the load lock chamber cooling apparatus controls a temperature of the purge gas supplied by the purge gas supply unit to 10 degrees or less. 제 1항에 있어서,
상기 퍼지가스 공급라인은,
제1 퍼지가스를 공급하는 제1 공급라인;
제2 퍼지가스를 공급하는 제2 공급라인을 포함하는 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 1,
The purge gas supply line,
A first supply line for supplying a first purge gas;
A load lock chamber cooling apparatus comprising a second supply line for supplying a second purge gas. 제 5항에 있어서
상기 제어부는
상기 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이상인 상기 핀과 상기 웨이퍼가 접촉하지 않은 경우,
상기 퍼지가스 공급부가 상기 제1 퍼지가스를 공급하도록 제어하는 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 5
The control unit
When the height of the elevating device is not in contact with the pin and the wafer having a predetermined height or more,
A load lock chamber cooling device that controls the purge gas supply unit to supply the first purge gas. 제 6항에 있어서,
상기 제1 퍼지 가스는
100도 이상의 질소 가스인 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 6,
The first purge gas is
Load lock chamber cooling system with nitrogen gas above 100 degrees. 제 5항에 있어서,
상기 제어부는
상기 승하강 장치의 높이가 기설정된 높이 이하인 상기 핀과 상기 웨이퍼가 접촉하는 경우,
상기 퍼지가스 공급부가 상기 제2 퍼지가스를 공급하도록 제어하는 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 5,
The control unit
When the height of the elevating device is in contact with the pin and the wafer having a predetermined height or less,
A load lock chamber cooling device that controls the purge gas supply unit to supply the second purge gas. 제 8항에 있어서,
상기 제2 퍼지 가스는 10도 이하의 질소 가스인 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 8,
The second purge gas is a nitrogen gas of 10 degrees or less. 제 1항에 있어서
상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 온도 측정장치를 더 포함하는 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 1
Load lock chamber cooling apparatus further comprising a temperature measuring device for measuring the temperature of the wafer. 제 10항에 있어서,
상기 제어부는
상기 웨이퍼의 온도에 대응하여 상기 퍼지가스 공급량을 제어하는 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 10,
The control unit
A load lock chamber cooling device that controls the supply amount of the purge gas in response to the temperature of the wafer. 제 10항에 있어서,
상기 제어부는
상기 웨이퍼의 온도에 대응하여 상기 승하강 장치의 승하강 속도를 제어하는 로드락 챔버 냉각 장치.The method of claim 10,
The control unit
A load lock chamber cooling device configured to control an elevating speed of the elevating device in response to the temperature of the wafer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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