KR102252864B1 - 가스 검출 장치와 가스 검출 방법 - Google Patents

가스 검출 장치와 가스 검출 방법 Download PDF

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Abstract

가스 센서와 그 구동 회로를 휴대 전자 기기에 장착하고, 가스 센서를 간헐적으로 동작 온도로 가열하여 가스를 검출하고 또한 그 외에는 주위 온도로 방치한다. 휴대 전자 기기의 센서가 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는 것을 검출하면, 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 정지한다. 휴대 전자 기기가 폐소로부터 나와 있는 것을 센서가 검출하면 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 재개한다. 가스 센서의 실록산 등에 의한 오염을 방지한다.

Description

가스 검출 장치와 가스 검출 방법
이 발명은 가스 검출 장치와 가스 검출 방법에 관한 것이다.
발명자들은 MEMS 가스 센서의 오염을 방지하는 것을 제안했다(특허 문헌 1 JP5748211). 예를 들면, MEMS 가스 센서를 30 초 주기로 구동하고, 0.4 초간 100℃로 가열함으로써, 에탄올, 실록산 가스 등의 오염 물질을 가스 센서로부터 증발시킨다. 이어서 가스 센서를 500℃ 정도로 가열하고, 메탄을 검출한다.
JP5,748,211
가스 센서를 스마트폰 등의 휴대 전자 기기에 장착하면, 가스 센서가 가방, 핸드백, 포켓, 서랍 등에 넣어지는 경우가 있다. 이들은 닫힌 공간에서, 환기는 불충분하다. 그리고, 휴대 전자 기기의 커버에 이용되고 있는 실리콘 고무, 핸드백, 서랍 내의 화장품에 포함되는 실리콘 화합물, 그 외의 소품 등으로부터 실록산 가스가 발생한다. MEMS 가스 센서는 이러한 닫힌 공간에서, 실록산 가스에 의한 오염을 받아, 가스 센서의 가스에 대한 응답의 크기와 응답 속도가 저하된다.
이 발명은 휴대 전자 기기에 장착된 MEMS 가스 센서의 오염을 방지하는 것을 과제로 한다.
이 발명의 가스 검출 장치는 가스에 의해 저항값이 변화하는 금속 산화물 반도체의 막과, 히터를 가지는 MEMS 가스 센서와, 히터에 간헐적으로 전력을 가함으로써 금속 산화물 반도체를 간헐적으로 동작 온도로 가열하고, 또한 동작 온도에서의 금속 산화물 반도체의 저항값을 샘플링하는 구동 회로를 가지고,
또한 휴대 전자 기기에 장착되도록 구성되고,
또한 구동 회로는,
휴대 전자 기기의 센서에 의해 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는 것을 검출하면, 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 정지하고,
휴대 전자 기기의 센서에 의해 휴대 전자 기기가 폐소로부터 나와 있는 것을 검출하면, 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 재개하는 것을 특징으로 한다.
이 발명의 가스 검출 방법에서는, 가스에 의해 저항값이 변화하는 금속 산화물 반도체의 막과 히터를 가지는 MEMS 가스 센서를 이용하고,
가스 검출 장치의 구동 회로에 의해 히터에 간헐적으로 전력을 가하여 금속 산화물 반도체를 간헐적으로 동작 온도로 가열하고, 또한 동작 온도에서의 금속 산화물 반도체의 저항값을 샘플링하고,
가스 센서와 구동 회로는 휴대 전자 기기에 장착되어 있다.
이 발명의 가스 검출 방법은,
휴대 전자 기기의 센서가 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는 것을 검출하면, 구동 회로는 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 정지하고,
휴대 전자 기기의 센서가 휴대 전자 기기가 폐소로부터 나와 있는 것을 검출하면, 구동 회로는 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 재개하는 것을 특징으로 한다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 실리콘 가스 등의 오염 가스와의 접촉 시에, 가스 센서의 구동을 정지한다, 즉, 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 정지하면, MEMS 가스 센서의 오염을 방지할 수 있다. 오염이 생기는 것은 휴대 전자 기기를 환기가 행해지지 않는 폐소에 두기 때문, 오염 가스의 농도가 높아지기 때문이다. 그리고 휴대 전자 기기가 폐소에 있는 것은, 휴대 전자 기기에 내장된 센서에 의해 검출할 수 있다. 또한 MEMS 가스 센서는 소비 전력을 작게 하고, 가열하는 기간을 짧게 하기 때문에, 통상의 가스 센서보다 오염을 받기 쉽다.
바람직하게는, 휴대 전자 기기의 센서는 조도 센서 또는 근접 센서이다. 이러한 센서는, 많은 휴대 전자 기기에 장비되어 있고, 조도 센서에 의해 주위가 어두운 것을 검출하면, 폐소에 놓여져 있는 것을 검출할 수 있다. 또한 근접 센서에 의해 가방, 핸드백, 포켓, 서랍 등의 내면을 검출함으로써, 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는 것을 검출할 수 있다.
바람직하게는, 구동 회로는 정해진 주기로 금속 산화물 반도체를 동작 온도로 가열하고, 또한 휴대 전자 기기의 센서가 복수의 주기에 걸쳐 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는 것을 검출하면, 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 정지한다. 오염이 생기는 것은 가스 센서의 동작 주기보다 긴 시간에 걸쳐 폐소에 놓여져 있기 때문이다. 따라서, 복수 주기에 걸쳐 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는 것을 검출하여 가열을 정지하면, 오염을 방지할 수 있고, 또한 불필요하게 가스 센서의 구동을 정지하는 경우가 없다.
바람직하게는, 구동 회로는, 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 재개할 시, 금속 산화물 반도체를 히트 클리닝한다. 또한 히트 클리닝이란, 상시의 가열 패턴에는 없는 가열을 금속 산화물 반도체에 가하는 것이다. 히트 클리닝은 흡착한 오염 가스를 제거하고, 또한 구동을 정지하고 있는 동안에 흡착한 잡다한 가스를 제거함으로써, 구동 재개 시의 가스 센서의 신호의 신뢰성을 높이기 위한 것이다.
바람직하게는, 구동 회로는 금속 산화물 반도체의 가열을 정지한 시간을 카운트하고, 카운트한 시간에 따라 히트 클리닝의 조건을 변경한다. 이에 의해, 구동을 정지하고 있던 기간에 따라, 히트 클리닝할 수 있다. 예를 들면 단시간의 구동의 정지에서는 히트 클리닝을 행하지 않고, 장기간 구동을 정지하면 히트 클리닝 시간도 길게 할 수 있다.
도 1은 실시예에서 이용한 가스 센서의 주요부 평면도이다.
도 2는 실시예의 가스 검출 장치의 블록도이다.
도 3은 실시예에서의, 구동 시의 가스 센서의 히터 전력의 파형도이다.
도 4는 실시예에서의, 가스 센서의 구동 알고리즘을 나타내는 순서도이다.
도 5는 실시예에서의, 폐소(閉所)로부터의 복귀 시의 가스 센서의 히터 전력의 파형도이다. 도 6은 변형예에서의, 폐소로부터의 복귀 시의 가스 센서의 히터 전력의 파형도이다. 도 7은 제 2 변형예에서의, 폐소로부터의 복귀 시의 가스 센서의 히터 전력의 파형도이다.
도 8은 제 3 변형예에서의, 폐소로부터의 복귀 시의 가스 센서의 히터 전력의 파형도로, 상단은 상시의 가열을, 중단은 폐소에서의 가열을, 하단은 폐소로부터의 복귀 후의 가열을 나타낸다.
도 9는 종래예(상단)와 실시예(하단)에서의, 오염에 의한 가스 센서에의 영향을 나타내는 특성도이다.
이하에 본 발명을 실시하기 위한 최적 실시예를 나타낸다.
<실시예>
도 1 ~ 도 9에 실시예와 그 특성을 나타낸다. 도 1은 MEMS 가스 센서(2)의 예를 나타내고, 4는 실리콘 등의 미세 가공이 가능한 기판이며, 기판(4)을 관통하는 공동(6)에 지지막(8)이 마련되고, 예를 들면 4 개의 다리(12)로 지지되어 있다. 지지막(8) 상에 도시하지 않은 막 형상의 히터와 도시하지 않은 막 형상의 전극이 성막되고, 이들을 금속 산화물 반도체막(10)이 덮고 있다. 금속 산화물 반도체막(10)은 예를 들면 SnO2의 후막(厚膜)으로, In2O3, WO3 등의 다른 금속 산화물 반도체의 막이어도 된다. 또한 금속 산화물 반도체막(10)은 박막이어도 된다. 그리고 히터의 양단부와 전극의 단부를 다리(12)를 개재하여 패드(14)에 접속한다.
가스 센서(2)의 구조, 재질은 임의이며, 예를 들면 공동(6)을 지지막(8)으로 덮어 다이아프램 형상의 지지막으로 해도 된다. 또한 히터와 전극을 동일한 층에 마련해도 되며, 혹은 히터를 절연막에 의해 피복하고, 절연막의 상부에 전극을 마련해도 된다. 또한 전극을 마련하지 않고, 금속 산화물 반도체와 히터의 병렬 저항의 값을 검출해도 된다. 금속 산화물 반도체막의 상부에 불필요한 가스를 제거하기 위한 촉매층을 마련해도 되고, 또한 기판(4)과는 별도로 필터를 마련하여, 불필요한 가스를 필터에 흡착시켜도 된다.
도 2는 가스 센서(2)와 그 구동 회로(25), 및 휴대 전자 기기의 주기판(26) 등을 나타낸다. 16은 가스 센서(2)의 히터, 18은 전지 등의 전원, 20은 부하 저항, 21, 22는 스위치이다. 가스 센서 드라이브(24)는 스위치(21)를 온/오프시킴으로써, 히터(16)를 구동하고, 스위치(22)를 온/오프시키고, 또한 도시하지 않은 AD 컨버터에 의해 부하 저항(20)에 가해지는 전압을 측정한다. 이 전압은, 금속 산화물 반도체(10)의 저항값에 의해 정해진다. 부하 저항(20)의 전압으로부터 가스를 검출하고, 이 신호 처리는 가스 센서 드라이브(24)로 행해도, 혹은 주기판(26)으로 행해도 된다.
주기판(26)은 휴대 전자 기기의 주요부에서, 통신 유닛(28)을 개재하여 외부와 통신한다. 또한 휴대 전자 기기에는, 주위의 밝기를 검출하는 조도 센서(30), 지근 거리에 있는 인체 등의 물체를 검출하는 근접 센서(31), 카메라(32), 온도 센서(33), 가속도 센서(34), 지자기를 검출하는 지자기 센서(36) 등의 센서가 마련되어 있다. 또한 터치 패널(36), 스피커(37), 마이크로폰(38) 등이, 휴대 전자 기기 내에 마련되어 있다. 가스 센서 드라이브(24)는, 예를 들면 조도 센서(30) 혹은 근접 센서(31)의 신호를 필요로 하고, 도 2는 주기판(26)을 개재하여 이러한 신호를 받도록 기재하고 있지만, 도시하지 않은 버스를 개재하여 조도 센서(30), 근접 센서(31)의 신호를 직접 받아도 된다. 또한 구동 회로(25)는, 도 2의 좌상의 쇄선으로 둘러싸인 부분으로부터, 가스 센서(2)를 제외한 부분을 가리키며, 전원(18)은 휴대 전자 기기 전체의 전원을 겸하고 있다. 또한 구동 회로(25)는 주기판(26)과의 접속이 가능하게 구성되어 있다.
도 3은 상시의 가스 센서(2)의 히터 전력 혹은 히터 전압을 나타내며, 가스 센서(2)는 예를 들면 10 초 ~ 10 분 등을 1 주기(Tc)로서 동작하고, 0.1 초 ~ 1 초 등의 기간(T1) 동안, 동작 온도(예를 들면 300 ~ 400℃)보다 높은 온도(예를 들면 400 ~ 500℃)로 가열하고, 이어서 1 초 ~ 10 초 등의 기간(T2) 동안 동작 온도로 가열하고, 예를 들면 기간(T2)의 마지막에 부하 저항에서의 전압을 샘플링하고, 가스 센서 드라이브(24) 혹은 주기판(26)이 가스를 검출한다. 이 이외의 기간은, 가스 센서(2)는 주위 온도로 방치된다. 가스를 검출하면, 동작 주기를 Tc보다 단축해도 되며, 또한 기간(T1)의 고온 가열은 생략하고, 주위 온도와 동작 온도 간의 온도 변화만을 행해도 된다. 또한 부하 저항에서의 전압을 샘플링하는 타이밍은 임의이다.
도 4는 가스 센서(2)가, 따라서 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는 것을 검출하면, 히터의 구동을 오프하는 알고리즘을 나타낸다. 가스 센서(2)를 주기(Tc)로 구동하고, 예를 들면 1 주기마다 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는지 여부를 검출한다(단계(S1)). 여기에 폐소는 닫힌 공간을 의미하고, 예를 들면 가방, 핸드백, 포켓, 서랍 안 등이다. 폐소에 놓여져 있는지 여부의 검출 주기는, 가스 센서(2)의 구동 주기(Tc)보다 길어도 된다.
휴대 전자 기기에서는, 조도 센서(30)에 의해 주위가 어두운 것을 검출하고, 이로부터 폐소에 휴대 전자 기기가 놓여져 있는 것을 검출할 수 있다. 근접 센서(31)가 항상 근거리에 물체를 검출하고 있는 것은, 폐소에 특유의 현상이다. 이 이외에 예를 들면 카메라(32)를 이용하여 주위의 밝기를 검출해도 된다. 폐소의 검출에 이용하는 센서의 종류는 임의이지만, 휴대 전자 기기에 내장된 센서를 이용하고, 바람직한 것은 조도 센서(30)와 근접 센서(31)이다. 또한 조도 센서(30)로는, 야간과 폐소를 구별할 수 없는 경우가 있다. 따라서 휴대 전자 기기가 유저에 의해 사용되고 있는 것을, 터치 패널(36) 혹은 마이크로폰(38)으로부터 입력이 있는 것 등에 의해 검출하여, 폐소는 아니라고 해도 된다.
가스 센서(2)의 오염의 방지와는 직접적인 관계는 없지만, 가속도 센서(34), 지자기 센서(35) 등에 의해, 휴대 전자 기기가 휴대되지 않고, 동일한 장소에 장시간 놓여져 있는 것을 검출했을 시, 가스 센서(2)의 구동을 정지해도 된다. 이는 대부분의 경우, 취침 중에 상당하며, 침실의 공기의 질을 검출하는 의미는 작기 때문이다. 또한 조도 센서(30)를 이용하면 취침 중은 가스 센서(2)의 구동을 정지하게 되지만, 근접 센서(31)에서는 취침 중에도 가스 센서(2)는 구동된다.
검출할 필요가 있는 것은, 가스 센서(2)의 1 구동 주기(Tc)보다 긴 시간에 걸쳐 가스 센서(2)가 폐소에 놓여져 있는 것이다. 예를 들면 1 구동 주기(Tc)에 수 회 폐소의 검출을 행하고, 이들이 모두 폐소인 것을 나타내면, 가스 센서(2)(휴대 전자 기기)가 폐소에 놓여져 있다고 판단한다. 혹은 수 구동 주기에 걸쳐, 폐소라고 하는 검출이 계속되면, 가스 센서(2)가 폐소에 놓여져 있다고 판단한다(단계(S2)).
폐소라고 검출하면, 가스 센서(2)의 구동을 정지한다(단계(S3)). 가스 센서(2)의 히터를 동작시키지 않으므로, 금속 산화물 반도체에 흡착한 실리콘 가스가 중합 등에 의해 이탈하기 어려운 물질로 전환되는 것을 방지할 수 있고, 또한 금속 산화물 반도체의 주위에 국소적인 대류가 형성되어 실리콘 가스가 금속 산화물 반도체에 흡착하기 쉬워지는 것을 방지한다. 또한 특허 문헌 1에 기재한 바와 같이, MEMS 가스 센서에서는 에탄올 등의 유기 용매도 오염의 원인이 되므로, 오염 물질은 실리콘 가스라고는 할 수 없다.
폐소에 놓여져 있기 때문에 구동을 정지한 시간, 예를 들면 구동 주기(Tc)의 수를 카운트한다(단계(S4)). 단 정지 시간을 카운트하지 않아도 된다.
예를 들면 1 주기(Tc)마다 폐소에 놓여져 있는지 여부의 검출을 속행하고, 폐소로부터 취출된 것을 검출하면(단계(S5)), 히트 클리닝을 행함으로써, 가스에 대한 응답 성능을 회복시킨다(단계(S6)). 400 ~ 500℃ 정도의 온도로 30 초 ~ 10 분 정도 가열하면, 가열 시간이 길기 때문에, 흡착한 실리콘 가스는 중합되지만 이탈에 의해 제거된다고 상정된다. 단 히트 클리닝을 행하지 않고, 폐소로부터 취출된 것을 검출하면, 즉시 도 3에 나타내는 통상의 구동 패턴으로 돌아와도 된다.
도 5 ~ 도 7은 히트 클리닝의 예를 나타내며, 좌측은 상시의 구동 패턴을, 우측은 히트 클리닝에서의 구동 패턴을 나타낸다. 도 5에서는, 동작 온도보다 높은 온도로 가열하는 기간을 통상의 T1으로부터, 30 초 ~ 10 분 정도의 히트 클리닝 기간(T3)으로 연장한다. 이에 의해, 가스 센서(2)의 구동을 정지하고 있던 기간 중에 흡착한 오염 가스와 잡다한 가스를 제거한다.
도 5에서는, 히트 클리닝 후에, 즉시 동작 온도로 금속 산화물 반도체를 가열한다. 그러나 도 6과 같이, 기간(T3)의 히트 클리닝 후에, 한 번 주위 온도로 되돌린 후에, 가스 센서(2)를 구동해도 된다.
도 7에서는, 히트 클리닝으로서 80℃ ~ 200℃ 정도의 온도를 기간(T3)만큼 경험시키고, 가스 센서(2)의 구동을 정지하고 있던 기간 중에 흡착한 잡다한 가스를 증발시킨다.
히트 클리닝 기간(T3)은 예를 들면, 가스 센서(2)가 폐소에 놓여진 시간에 따라 결정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 이 시간이 짧은 경우(10 분 ~ 1 시간 정도)이면 히트 클리닝을 생략하고, 이 시간이 길수록 히트 클리닝의 기간을 길게 하는 것이 바람직하다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 오염 가스와의 접촉 시에 가스 센서의 구동을 정지하는, 즉 히터 전력을 가하지 않음으로써, 오염을 방지할 수 있다. 히트 클리닝의 의미는 구동을 정지하고 있던 동안에 흡착한 잡다한 가스를 제거하는 것에 있다. 따라서, 히트 클리닝은 행하지 않아도 된다. 또한 폐소에 놓여져 있는 동안에, 실리콘 등을 금속 산화물 반도체로부터 증발시켜도 된다. 이러한 예를 도 8에 나타내고, 가스 센서(2)가 폐소에 놓여지면, 소정의 간격으로 기간(T4)만큼 80 ~ 200℃ 정도로 가열하여, 흡착한 실리콘 가스 등을 증발시킨다. 상단은 상시의 구동 패턴, 중단은 폐소에서의 구동 패턴이고, 폐소로부터 취출되면 하단의 상시의 구동 패턴으로 돌아온다.
도 9는 실리콘 가스의 존재 하에서도 가스 센서(2)의 구동을 계속한 경우(상단)와 실리콘 가스가 존재하면 가스 센서(2)의 구동을 정지한 경우(하단)의, 오염의 차이를 나타낸다. 핸드백 등의 안에서의 실리콘 가스보다 고농도인 실록산 가스(D5) 1 ppm을 포함하는 분위기에, 24 시간 가스 센서를 두었다. 실록산 가스와의 접촉 전의 가스에 대한 응답을 도 9의 좌측에, 접촉 후의 가스에 대한 응답을 도 9의 우측에 나타낸다. 가스로서 먼저 3 ppm의 H2를 이용하고, 이어서 10 ppm의 에탄올을 이용했다. 가스 센서의 구동 패턴은 도 3에 나타낸 것이다. 구동 주기(Tc)는 90 초, 기간(T1)은 1 초(금속 산화물 반도체의 최고 온도는 약 400℃), 기간(T2)(금속 산화물 반도체의 동작 온도는 약 300℃)는 4 초로 했다. 금속 산화물 반도체는 SnO2의 후막(막 두께는 약 20 μm)으로 했다.
도 9의 상단은 실리콘 가스와의 접촉 시에도 가스 센서의 구동을 계속했을 시의 결과를, 하단은 실리콘 가스와의 접촉 시에는 가스 센서의 구동을 정지했을 시의 결과를 나타낸다. 실리콘 가스 중에서 가스 센서를 간헐 구동하면, 응답의 크기가 감소하고 또한 응답 시간도 길어졌다. 이에 대하여, 실리콘 가스 중에서 가스 센서의 구동을 정지하면, 응답의 크기는 거의 변하지 않고 응답 시간도 길어지지 않았다. 즉 오염 가스의 존재 시에, 가스 센서의 구동을 정지함으로써 오염을 방지할 수 있었다.
또한 에탄올 등의 유기 용매가 오염의 원인이 되는 것은, 이들 유기 용매가 금속 산화물 반도체 중에서 중합되기 때문으로(특허 문헌 1을 참조), 중합에 필요한 가열은 금속 산화물 반도체를 동작 온도로 가열함으로써 행해진다. 따라서, 오염 가스가 유기 용매인 경우도, 가스 센서의 구동을 정지함으로써 오염을 방지할 수 있다.
2 : MEMS 가스 센서
4 : 기판
6 : 공동
8 : 지지막
10 : 금속 산화물 반도체막
12 : 다리
14 : 패드
16 : 히터
18 : 전지 전원
20 : 부하 저항
21, 22 : 스위치
24 : 가스 센서 드라이브
25 : 구동 회로
26 : 주기판
28 : 통신 유닛
30 : 조도 센서
31 : 근접 센서
32 : 카메라
33 : 온도 센서
34 : 가속도 센서
35 : 지자기 센서
36 : 터치 패널
37 : 스피커
38 : 마이크로폰

Claims (6)

  1. 가스에 의해 저항값이 변화하는 금속 산화물 반도체의 막과, 히터를 가지는 MEMS 가스 센서와, 상기 히터에 간헐적으로 전력을 가함으로써 상기 금속 산화물 반도체를 간헐적으로 동작 온도로 가열하고, 또한 동작 온도에서의 금속 산화물 반도체의 저항값을 샘플링하는 구동 회로를 가지는 가스 검출 장치로서,
    상기 가스 검출 장치는 휴대 전자 기기에 장착되도록 구성되고,
    상기 구동 회로는,
    상기 휴대 전자 기기의 센서에 의해 상기 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는 것을 검출하면, 상기 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 정지하고,
    상기 휴대 전자 기기의 센서에 의해 상기 휴대 전자 기기가 폐소로부터 나와 있는 것을 검출하면, 상기 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 재개하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 가스 검출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 휴대 전자 기기의 센서는 조도 센서 또는 근접 센서인 것을 특징으로 하는 가스 검출 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 구동 회로는 정해진 주기로 금속 산화물 반도체를 동작 온도로 가열하고, 또한 상기 휴대 전자 기기의 센서가 복수의 주기에 걸쳐 상기 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는 것을 검출하면, 상기 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 정지하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 가스 검출 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 구동 회로는, 상기 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 재개할 시, 상기 금속 산화물 반도체를 히트 클리닝하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 가스 검출 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 구동 회로는 상기 금속 산화물 반도체의 가열을 정지한 시간을 카운트하고, 카운트한 시간에 따라 히트 클리닝의 조건을 변경하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 가스 검출 장치.
  6. 가스에 의해 저항값이 변화하는 금속 산화물 반도체의 막과 히터를 가지는 MEMS 가스 센서를 이용하고,
    가스 검출 장치의 구동 회로에 의해 상기 히터에 간헐적으로 전력을 가하여 상기 금속 산화물 반도체를 간헐적으로 동작 온도로 가열하고, 또한 동작 온도에서의 금속 산화물 반도체의 저항값을 샘플링하고,
    상기 가스 센서와 상기 구동 회로는 휴대 전자 기기에 장착되어 있는, 가스 검출 방법으로서,
    상기 휴대 전자 기기의 센서가 상기 휴대 전자 기기가 폐소에 놓여져 있는 것을 검출하면, 상기 구동 회로는 상기 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 정지하고,
    상기 휴대 전자 기기의 센서가 상기 휴대 전자 기기가 폐소로부터 나와 있는 것을 검출하면, 상기 구동 회로는 상기 금속 산화물 반도체의 동작 온도로의 가열을 재개하는 것을 특징으로 하는, 가스 검출 방법.
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