KR102244646B1 - Method of forming pattern film and pattern film formed using the method - Google Patents
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Abstract
패턴 필름의 형성 방법 및 상기 방법에 의해 형성된 패턴 필름이 제공된다. 상기 패턴 필름의 형성 방법은, 제1 필름을 패터닝하여 제1 패턴을 갖는 제1 패턴 필름을 형성하는 단계, 상기 제1 패턴 필름을 제2 필름과 접촉시켜 상기 제1 패턴과 대응하는 제2 패턴을 갖는 제2 패턴 필름을 형성하는 단계, 및 상기 제2 패턴 필름을 제3 필름과 접촉시켜 상기 제2 패턴과 대응하는 제3 패턴을 갖는 제3 패턴 필름을 형성하는 단계를 포함한다.A method of forming a pattern film and a pattern film formed by the method are provided. The method of forming the pattern film includes forming a first pattern film having a first pattern by patterning a first film, and a second pattern corresponding to the first pattern by contacting the first pattern film with a second film. Forming a second pattern film having, and forming a third pattern film having a third pattern corresponding to the second pattern by contacting the second pattern film with a third film.
Description
본 발명은 패턴 필름의 형성 방법 및 상기 방법에 의해 형성된 패턴 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a pattern film and a pattern film formed by the method.
기존 나노패턴 구조들은 통상 포토리소그래피, e-beam 리소그래피 등과 같이 빛을 이용하여 폭넓게 제작 및 응용되는데, 상기한 공정들은 빛을 제어하기 때문에 복잡한 공정과 값비싼 장비를 필요로 하거나 면적상 제약을 받는다. 특히, 다차원 패턴 형상과 같은 구조적으로 특수한 형태의 나노 패턴은 단일 공정으로 제작하기 어렵기 때문에 기존 공정의 반복 단계와 함께 보완 재료 또는 정밀 장비가 요구된다. 이는 곧 생산성 저하 및 비용 증가를 유도하며, 현재 이를 해결할 마땅한 대체 기술이 없어 양산화에서 많은 시간과 비용이 소모되고 있다.Existing nanopattern structures are generally manufactured and applied using light, such as photolithography and e-beam lithography, and the above processes require complex processes and expensive equipment or are limited in area because they control light. In particular, since it is difficult to fabricate a nanopattern of a structurally special shape such as a multidimensional pattern shape in a single process, complementary materials or precision equipment are required along with the repeating steps of the existing process. This leads to a decrease in productivity and an increase in cost, and a lot of time and cost are consumed in mass production because there is no alternative technology suitable for solving this problem.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 패턴 필름을 간단하게 형성할 수 있는 방법을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a method for simply forming a patterned film.
본 발명은 상기 방법에 의해 형성된 패턴 필름을 제공한다.The present invention provides a patterned film formed by the above method.
본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 명확해 질 것이다.Other objects of the present invention will become apparent from the following detailed description and accompanying drawings.
본 발명의 실시예들에 따른 패턴 필름의 형성 방법은, 제1 필름을 패터닝하여 제1 패턴을 갖는 제1 패턴 필름을 형성하는 단계, 상기 제1 패턴 필름을 제2 필름과 접촉시켜 상기 제1 패턴과 대응하는 제2 패턴을 갖는 제2 패턴 필름을 형성하는 단계, 및 상기 제2 패턴 필름을 제3 필름과 접촉시켜 상기 제2 패턴과 대응하는 제3 패턴을 갖는 제3 패턴 필름을 형성하는 단계를 포함한다.The method of forming a pattern film according to embodiments of the present invention includes forming a first pattern film having a first pattern by patterning a first film, and contacting the first pattern film with a second film to form the first pattern film. Forming a second pattern film having a second pattern corresponding to the pattern, and forming a third pattern film having a third pattern corresponding to the second pattern by contacting the second pattern film with a third film Includes steps.
상기 제1 필름은 몰드를 이용한 동적 각인 공정을 수행하는 것에 의해 패터닝될 수 있다. 상기 제3 패턴 필름은 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정을 수행하는 것에 의해 형성될 수 있다.The first film may be patterned by performing a dynamic engraving process using a mold. The third pattern film may be formed by performing an imprint lithography process.
상기 제1 필름의 경도는 상기 제2 필름의 경도보다 클 수 있고, 상기 제2 필름의 경도는 상기 제3 필름의 경도보다 클 수 있다.The hardness of the first film may be greater than that of the second film, and the hardness of the second film may be greater than that of the third film.
상기 제1 필름, 상기 제2 필름, 및 상기 제3 필름은 고분자로 형성될 수 있다. 상기 제1 필름은 PC(polycarbonate), PET(polyethylene terephthalate), PFA(Paraformaldehyde), 또는 PI(Polyimide)로 형성될 수 있고, 상기 제2 필름은 PDMS(polydimethylsiloxane)로 형성될 수 있으며, 상기 제3 필름은 이오노머(ionomer)로 형성될 수 있다.The first film, the second film, and the third film may be formed of a polymer. The first film may be formed of polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), paraformaldehyde (PFA), or polyimide (PI), and the second film may be formed of polydimethylsiloxane (PDMS), and the third The film may be formed of an ionomer.
상기 제1 필름, 상기 제2 필름, 및 상기 제3 필름은 플렉시블할 수 있다.The first film, the second film, and the third film may be flexible.
상기 제1 패턴, 상기 제2 패턴, 및 상기 제3 패턴은 1차원 패턴 또는 2차원 이상의 패턴을 포함할 수 있다.The first pattern, the second pattern, and the third pattern may include a one-dimensional pattern or a two-dimensional or more pattern.
본 발명의 실시예들에 따른 패턴 필름은 상기 방법에 의해 형성된다.The patterned film according to the embodiments of the present invention is formed by the above method.
상기 패턴 필름은 이오노머로 형성될 수 있다. 상기 패턴 필름은 접착성을 가질 수 있다.The pattern film may be formed of an ionomer. The pattern film may have adhesiveness.
본 발명의 실시예들에 따르면, 1차원 패턴 또는 2차원 이상의 다차원 패턴을 갖는 패턴 필름을 간단하게 형성할 수 있다. 상기 패턴 필름은 광학 센서나 디스플레이 장치 등 다양한 분야에 활용될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a pattern film having a one-dimensional pattern or a two-dimensional or more multi-dimensional pattern can be simply formed. The patterned film may be used in various fields such as an optical sensor or a display device.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 동적 각인 장치의 캐드 이미지를 나타낸다.
도 2는 도 1에 기반하여 제조된 동적 각인 장치의 실제 이미지를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 몰드 암 헤드의 캐드 이미지(좌)와 실제 이미지(우)를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 동적 나노 각인(Dynamic Nano Inscribing) 공정을 나타낸다.
도 5는 동적 나노 각인에 사용되는 몰드의 SEM 이미지를 나타낸다.
도 6은 도 5의 몰드를 사용하여 형성된 패턴 이미지를 나타낸다.
도 7 은 본 발명의 일 실시예에 따른 동적 각인 장치에 의해 형성된 패턴을 갖는 패턴 기판의 이미지를 나타낸다.
도 8은 도 7의 패턴 기판의 평면의 이미지를 나타낸다.
도 9는 도 7의 패턴 기판의 단면의 이미지를 나타낸다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 동적 각인 장치를 이용하여 서로 다른 종류의 기판에 형성된 패턴의 이미지를 나타낸다.
도 13 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 18 내지 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 이오노머 패턴 필름을 나타낸다.
도 23 내지 도 29는 본 발명의 일 실시예에 따른 이오노머 패턴 필름의 특성을 설명하기 위한 도면들이다.1 shows a CAD image of a dynamic engraving device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows an actual image of a dynamic engraving device manufactured based on FIG. 1.
3 shows a CAD image (left) and an actual image (right) of a mold arm head according to an embodiment of the present invention.
4 shows a dynamic nano-inscribing process according to an embodiment of the present invention.
5 shows an SEM image of a mold used for dynamic nano-engraving.
6 shows a pattern image formed using the mold of FIG. 5.
7 shows an image of a patterned substrate having a pattern formed by a dynamic engraving device according to an embodiment of the present invention.
8 shows an image of a plane of the patterned substrate of FIG. 7.
9 shows an image of a cross section of the patterned substrate of FIG. 7.
10 to 12 show images of patterns formed on different types of substrates using the dynamic engraving device according to an embodiment of the present invention.
13 to 17 are views for explaining a method of forming a pattern according to an exemplary embodiment of the present invention.
18 to 22 show an ionomer pattern film according to an embodiment of the present invention.
23 to 29 are views for explaining the characteristics of the ionomer pattern film according to an embodiment of the present invention.
이하, 실시예들을 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 발명의 목적, 특징, 장점은 이하의 실시예들을 통해 쉽게 이해될 것이다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고, 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서, 이하의 실시예들에 의하여 본 발명이 제한되어서는 안 된다.Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples. Objects, features, and advantages of the present invention will be easily understood through the following examples. The present invention is not limited to the embodiments described herein, and may be embodied in other forms. The embodiments introduced herein are provided so that the disclosed contents may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently transmitted to those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. Therefore, the present invention should not be limited by the following examples.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 요소들(elements)을 기술하기 위해서 사용되었지만, 상기 요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이러한 용어들은 단지 상기 요소들을 서로 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 또, 어떤 요소가 다른 요소 위에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 요소 위에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. In the present specification, terms such as first and second are used to describe various elements, but the elements should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish the elements from each other. Further, when it is mentioned that an element is above another element, it means that it can be formed directly on the other element or that a third element can be interposed between them.
도면들에서 요소의 크기, 또는 요소들 사이의 상대적인 크기는 본 발명에 대한 더욱 명확한 이해를 위해서 다소 과장되게 도시될 수 있다. 또, 도면들에 도시된 요소의 형상이 제조 공정상의 변이 등에 의해서 다소 변경될 수 있을 것이다. 따라서, 본 명세서에서 개시된 실시예들은 특별한 언급이 없는 한 도면에 도시된 형상으로 한정되어서는 안 되며, 어느 정도의 변형을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In the drawings, the sizes of elements, or the relative sizes between elements, may be somewhat exaggerated for a clearer understanding of the present invention. In addition, the shape of the elements shown in the drawings may be slightly changed due to variations in the manufacturing process or the like. Accordingly, the embodiments disclosed in the present specification should not be limited to the shapes shown in the drawings unless otherwise specified, and should be understood as including some degree of modification.
본 명세서에서 사용된 용어인 패턴 필름(패턴 기판)은 패턴이 형성된 필름(기판)을 의미한다. The term pattern film (pattern substrate) as used herein refers to a film (substrate) on which a pattern is formed.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 동적 각인 장치의 캐드 이미지를 나타내고, 도 2는 도 1에 기반하여 제조된 동적 각인 장치의 실제 이미지를 나타내며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 몰드 암 헤드의 캐드 이미지(좌)와 실제 이미지(우)를 나타낸다. 1 shows a CAD image of a dynamic engraving device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 shows an actual image of the dynamic engraving device manufactured based on FIG. 1, and FIG. 3 is Shows the CAD image (left) and the actual image (right) of the mold arm head.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 동적 각인 장치는 몰드 지지부, 기판 공급부, 및 포스 센서부를 포함할 수 있다. 상기 몰드 지지부는 마이크로 패턴 또는 나노 패턴이 새겨진 경질의 몰드를 잡고 원하는 온도로 가열하는 상태에서 원하는 각도로 기판과 접촉시킬 수 있다. 상기 기판 공급부는 상기 기판을 고정하며 상기 기판의 기울기와 높낮이를 정밀하게 조절할 수 있으며 상기 몰드와 접촉 후 수평 방향으로 기판을 이송할 수 있다. 상기 포스 센서부는 상기 몰드와 상기 기판이 닿았을 때의 상기 몰드에 가해지는 힘(상기 몰드와 상기 기판의 접촉에 가해지는 힘)을 측정할 수 있다.1 to 3, the dynamic engraving device may include a mold support, a substrate supply, and a force sensor. The mold support part may hold a hard mold engraved with a micro-pattern or a nano-pattern and contact the substrate at a desired angle while heating to a desired temperature. The substrate supply unit may fix the substrate, precisely adjust the inclination and height of the substrate, and transfer the substrate in a horizontal direction after contact with the mold. The force sensor unit may measure a force applied to the mold (a force applied to contact between the mold and the substrate) when the mold and the substrate are in contact with each other.
상기 몰드 지지부는 몰드 암 헤드 및 몰드 암을 포함할 수 있다. 상기 몰드 암 헤드는 몰드와 결합하여 몰드를 지지할 수 있고, 상기 몰드 암은 상기 몰드 암 헤드와 결합하여 상기 몰드 암 헤드를 지지할 수 있다. The mold support may include a mold arm head and a mold arm. The mold arm head may be coupled to a mold to support the mold, and the mold arm may be coupled to the mold arm head to support the mold arm head.
상기 몰드 암 헤드는 상부 부재와 하부 부재를 포함할 수 있고, 상기 몰드는 상기 상부 부재와 상기 하부 부재 사이에 삽입되어 지지될 수 있다. 상기 몰드 암 헤드는 히터, 온도 센서, 및 포스 센서 컨택 로드를 포함할 수 있다. 상기 히터에 의해 상기 몰드가 가열될 수 있고, 상기 온도 센서에 의해 상기 몰드의 온도가 측정될 수 있고, 상기 몰드에 대한 가열이 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 히터는 줄-히팅 방식일 수 있다. 상기 히터와 상기 온도 센서는 피드백 컨트롤러에 연결되어 있어 전압 인가 컨트롤을 실시간으로 조절할 수 있고, 원하는 온도로 가열할 수 있으며 그 값을 유지할 수 있다. 상기 히터와 상기 온도센서는 빠른 열전달을 위해 상기 몰드를 잡는 곳과 최대한 가깝게 배치되는 것이 바람직하다. 또, 상기 몰드는 가열된 후 외부와의 열평형이 쉽게 흔들리지 않도록 충분한 열중량(thermal mass)을 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 상기 포스 센서 컨택 로드는 상기 포스 센서부의 포스 센서와 컨택하여 상기 몰드에 가해지는 힘이 측정될 수 있다. The mold arm head may include an upper member and a lower member, and the mold may be inserted and supported between the upper member and the lower member. The mold arm head may include a heater, a temperature sensor, and a force sensor contact rod. The mold may be heated by the heater, the temperature of the mold may be measured by the temperature sensor, and heating of the mold may be controlled. For example, the heater may be a Joule-heating type. Since the heater and the temperature sensor are connected to a feedback controller, voltage application control can be adjusted in real time, heated to a desired temperature, and maintained. It is preferable that the heater and the temperature sensor are disposed as close as possible to a place holding the mold for rapid heat transfer. In addition, the mold is preferably formed to have a sufficient thermal mass (thermal mass) so that the heat balance with the outside is not easily shaken after being heated. The force sensor contact rod contacts the force sensor of the force sensor unit and a force applied to the mold may be measured.
상기 몰드 암 헤드의 하부 부재 위에는 내열성 실리콘 러버(silicone rubber)가 필름 형태로 부착되어 있어 몰드 결합 시 몰드가 미끄러지거나 흔들려 빠지지 않는다.Heat-resistant silicone rubber is attached to the lower member of the mold arm head in the form of a film, so that the mold does not slip or shake when the mold is combined.
상기 기판 공급부는 스테이지, 기판 로딩 플레이트, 및 플레이트 구동부를 포함할 수 있다. 상기 기판 공급부는 기판을 로딩하고, 몰드와 기판 간 접촉을 정밀하게 조절하고, 접촉이 된 상태에서 기판의 이송 속도 및 이송 거리 조절할 수 있다.The substrate supply unit may include a stage, a substrate loading plate, and a plate driving unit. The substrate supply unit may load a substrate, precisely control a contact between the mold and the substrate, and control a transfer speed and a transfer distance of the substrate in a contacted state.
상기 스테이지는 X-Y 2축, 도브테일, 및 랩잭을 결합하여 형성될 수 있다. 상기 X-Y 2축 스테이지와 상기 랩잭을 이용해 3축 변위로 이동이 가능하며 도브테일 2개를 교차시켜 조립함으로써 X축 회전 기울임(rolling), Y축 회전 기울임(pitching)이 가능하여 5자유도를 갖는 스테이지를 형성할 수 있다. 상기 스테이지 위에 기판 로딩 플레이트가 배치된다.The stage may be formed by combining the X-Y 2-axis, dovetail, and lab jack. Using the XY 2-axis stage and the lab jack, it is possible to move in 3-axis displacement, and by assembling by crossing two dovetails, it is possible to rotate the X-axis and tilt the Y-axis to create a stage with 5 degrees of freedom. Can be formed. A substrate loading plate is disposed on the stage.
상기 기판 로딩 플레이트는 기판을 로딩하여 지지할 수 있다. 상기 기판 로딩 플레이트의 상부면에 실리콘 러버 필름이 배치될 수 있다. 상기 실리콘 러버 필름은 상기 기판 로딩 플레이트와 상기 기판과의 결합력을 향상시킬 수 있고, 도브테일을 통한 몰드와 기판과의 수평 맞춤의 한계를 실리콘 러버의 탄성으로 보완할 수 있다.The substrate loading plate may load and support a substrate. A silicon rubber film may be disposed on the upper surface of the substrate loading plate. The silicon rubber film may improve bonding strength between the substrate loading plate and the substrate, and may compensate for the limitation of horizontal alignment between the mold and the substrate through the dovetail with the elasticity of the silicon rubber.
상기 플레이트 구동부는 서보 모터와 리니어 액추에이터(linear actuaotor)를 포함할 수 있고, 상기 기판 로딩 플레이트를 일정 속도로 이송할 수 있다. 예를 들어, 상기 서보 모터는 정밀한 각도 제어와 높은 토크를 위해 262,144pulse/rev의 분해능, 정격 토크 0.16N·m, 최대토크 0.48N·m를 가질 수 있다.The plate driving unit may include a servo motor and a linear actuator, and may transfer the substrate loading plate at a constant speed. For example, the servo motor may have a resolution of 262,144 pulses/rev, a rated torque of 0.16 N·m, and a maximum torque of 0.48 N·m for precise angle control and high torque.
상기 포스 센서부는 포스 센서(Force sensor)와 센싱 바(Sensing bar)를 포함할 수 있다. 상기 포스 센서는 상기 센싱 바의 하부에 배치되고, 상기 센싱 바는 상기 포스를 지지하여 고정시킬 수 있다. 상기 포스 센서는 상기 센싱 바에 의해 몰드 암 헤드의 포스 센서 컨택 로드와 컨택할 수 있고, 상기 몰드에 가해지는 힘을 측정할 수 있다. The force sensor unit may include a force sensor and a sensing bar. The force sensor may be disposed under the sensing bar, and the sensing bar may support and fix the force. The force sensor may contact the force sensor contact rod of the mold arm head by the sensing bar, and may measure a force applied to the mold.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 동적 나노 각인(Dynamic Nano Inscribing) 공정을 나타내고, 도 5는 동적 나노 각인에 사용되는 몰드의 SEM 이미지를 나타내며, 도 6은 도 5의 몰드를 사용하여 형성된 패턴 이미지를 나타낸다.Figure 4 shows a dynamic nano-inscription (Dynamic Nano Inscribing) process according to an embodiment of the present invention, Figure 5 shows an SEM image of a mold used for dynamic nano-engraving, Figure 6 is formed using the mold of Figure 5 Represents a pattern image.
도 4 내지 도 6을 참조하면, DNI 공정은 마이크로 패턴 또는 나노 패턴을 갖는 몰드의 경질 모서리를 연질 기판에 접촉시킨 후 일정 온도와 압력을 가한 상태에서 수평 방향으로 긁어 내어 상기 기판에 패턴을 형성한다.4 to 6, in the DNI process, a hard edge of a mold having a micro-pattern or a nano-pattern is brought into contact with a soft substrate, and then a pattern is formed on the substrate by scraping it in a horizontal direction while applying a certain temperature and pressure. .
먼저, 경질 소재로 형성된 몰드를 원하는 각도로 원하는 기판 표면 위쪽에 수평하게 정렬시킨 후 상기 몰드의 모서리와 기판 표면을 접근시킨다. 기판을 수직 방향으로 올린 다음 아래쪽에 위치한 기판에 대하여 원하는 힘 및 온도가 가해진 상태로 몰드를 접촉시킨다. 1축 액추에이터를 이용하여 기판을 몰드와 수평한 방향으로 원하는 속도로 원하는 변위만큼 이송함으로써, 몰드 모서리에 의한 각인 및 소성 가공을 통해 기판 표면에 마이크로 패턴 또는 나노 패턴이 형성된다. DNI 공정은 가공되는 힘, 온도, 기판 이송 속도에 따라 다양한 형성 및 주기의 다차원 패턴을 형성할 수 있다.First, a mold formed of a hard material is horizontally aligned above a desired substrate surface at a desired angle, and then the edge of the mold and the substrate surface are approached. After raising the substrate in a vertical direction, the mold is brought into contact with a desired force and temperature applied to the substrate located below. By transferring the substrate by a desired displacement at a desired speed in the direction horizontal to the mold using a uniaxial actuator, micropatterns or nanopatterns are formed on the surface of the substrate through engraving and plastic processing by the corners of the mold. The DNI process can form multidimensional patterns of various formations and cycles depending on the processing force, temperature, and substrate transfer speed.
DNI 공정은 소성 변형(plastic deformation)을 이용하기 때문에, 공정 중에 부산물(chip or bur)이 생성되지 않아 패턴을 깨끗하게 형성할 수 있다. 또, 추가적인 물질 또는 전처리 공정이 필요하지 않기 때문에 장비 구성 및 공정이 간단하다. 그리고, 기존 리소그래피 공정들이 면대면 공정인 반면, DNI 공정은 선대면 공정이기 때문에 연속 공정을 기반으로 하고, 다양한 기판에의 적용도 용이하다. 또, 플렉시블 기기와 같이 자유 곡면상의 유연 기판에도 패터닝이 가능하다. Since the DNI process uses plastic deformation, by-products (chips or burs) are not generated during the process, and a pattern can be formed cleanly. In addition, since no additional material or pretreatment process is required, the equipment configuration and process are simple. In addition, while the existing lithography processes are face-to-face processes, the DNI process is based on a continuous process because it is a line-to-face process, and it is easy to apply to various substrates. In addition, patterning is also possible on a flexible substrate on a free-form surface like a flexible device.
도 7 은 본 발명의 일 실시예에 따른 동적 각인 장치에 의해 형성된 패턴을 갖는 패턴 기판의 이미지를 나타내고, 도 8은 도 7의 패턴 기판의 평면의 이미지를 나타내며, 도 9는 도 7의 패턴 기판의 단면의 이미지를 나타낸다.7 shows an image of a pattern substrate having a pattern formed by a dynamic engraving device according to an embodiment of the present invention, FIG. 8 shows an image of a plane of the pattern substrate of FIG. 7, and FIG. 9 is a pattern substrate of FIG. 7 Shows the image of the cross section.
상기 패턴 기판은 DNI 공정을 이용하여 700nm의 주기를 갖는 SiO2 소재의 그레이팅 몰드로 125μm 의 두께를 갖는 폴리카보네이트(polycarbonate; PC) 기판 위에 150℃의 온도에서 150mm의 몰드 폭으로 3N의 힘과 1mm/s로 이송시켜서 형성된 것이다. The patterned substrate is a grating mold made of SiO 2 material having a period of 700 nm by using the DNI process, and on a polycarbonate (PC) substrate having a thickness of 125 μm, with a mold width of 150 mm at a temperature of 150° C., a force of 3 N and a force of 1 mm It is formed by transferring it to /s.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 사각 형상의 나노그레이팅 패턴의 몰드를 이용해 연질의 PC 기판(필름)을 성형하면 사각 형상이 아닌 물결무늬와 같은 곡선의 패턴이 형성되는데, 이는 PC 기판의 탄성계수에 따른 탄성 회복이 일어나 사인 곡선과 같은 형태의 패턴이 형성된다. PC 기판은 몰드 대비 약 90% 깊이까지 가공되므로 DNI 공정에 대하여 우수한 가공성을 보인다. 또, 소성 가공의 원리에 따라 몰드가 기판을 누르는 압력, 몰드의 온도, 기판의 이송 속도 그리고 기판의 종류에 따라 다양한 형태의 패턴이 형성될 수 있다. 7 to 9, when a soft PC substrate (film) is formed using a square-shaped nano-grating pattern mold, a curved pattern such as a wave pattern is formed instead of a square shape, which is the modulus of elasticity of the PC substrate. The elastic recovery occurs according to the resulting sinusoidal pattern to form a pattern. Since the PC board is processed to a depth of about 90% compared to the mold, it shows excellent workability for the DNI process. In addition, according to the principle of plastic processing, various types of patterns may be formed depending on the pressure at which the mold presses the substrate, the temperature of the mold, the transfer speed of the substrate, and the type of the substrate.
도 10 내지 도 12는 서로 다른 종류의 기판에 형성된 패턴의 이미지를 나타낸다. 도 10은 PET(polyethylene terephthalate) 기판, 도 11은 PFA(Paraformaldehyde) 기판, 도 12는 PI(Polyimide) 기판에서 310℃(Tg)의 온도, 1mm/s의 속도로 DNI 공정을 수행하여 형성된 패턴을 나타낸다.10 to 12 show images of patterns formed on different types of substrates. FIG. 10 is a PET (polyethylene terephthalate) substrate, FIG. 11 is a PFA (Paraformaldehyde) substrate, and FIG. 12 is a pattern formed by performing a DNI process at a temperature of 310°C (Tg) and a speed of 1 mm/s on a PI (polyimide) substrate Show.
도 10 내지 도 12를 참조하면, PET 기판과 PFA 기판은 약 80%, PI 기판은 약 90% 가공성을 보여 다양한 플렉시블(flexible) 기판에 대하여 DNI 공정을 용이하게 적용할 수 있다. 특히, PI 기판은 표면 접착력 및 가공특성이 나빠 PI 기판에 쉽게 나노 패턴을 형성하기 어려웠으나 DNI 공정을 이용하여 PI 기판에 나노 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. PI 기판은 내구성 및 내마모성이 강하여 나노 패턴 형성시 다양하게 활용될 수 있다.Referring to FIGS. 10 to 12, the PET substrate and the PFA substrate have about 80% workability, and the PI substrate has about 90% workability, so that the DNI process can be easily applied to various flexible substrates. In particular, the PI substrate has poor surface adhesion and processing characteristics, so it was difficult to easily form a nano pattern on the PI substrate, but a nano pattern can be easily formed on the PI substrate by using the DNI process. The PI substrate has strong durability and abrasion resistance, so it can be used in various ways when forming nano-patterns.
도 13 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 13 to 17 are views for explaining a method of forming a pattern according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 13을 참조하면, DNI 공정을 이용하여 PC 기판(제1 플렉시블 필름)에 2차원 구조를 갖는 나노 패턴을 형성한다. 먼저, 그레이팅 방향에 수직된 방향으로 클리빙한 경질의 몰드(예를 들어, SiO2)를 이용해 PC 기판에 접촉한 후 PC의 유리전이온도인 150℃까지 몰드를 가열시킨 후 3 ~ 4N의 힘으로 가압한 상태에서 기판을 이송시켜 1차원 구조의 패턴을 형성한다. PC 기판에 형성된 그레이팅 방향과 수직된 방향으로 앞의 과정을 한 번 더 진행하면 2차원 구조의 나노 패턴을 형성한다. 이에 의해, PC 패턴 기판(제1 플렉시블 패턴 필름)이 형성된다. 도 14의 좌측에 1차원 패턴의 이미지가 나타나 있고, 우측에 2차원 나노 패턴의 이미지가 나타나 있다.Referring to FIG. 13, a nano pattern having a two-dimensional structure is formed on a PC substrate (first flexible film) using a DNI process. First, a hard mold cleaved in a direction perpendicular to the grating direction (for example, SiO 2 ) is used to contact the PC substrate, and then the mold is heated to 150℃, which is the glass transition temperature of the PC, and a force of 3 ~ 4N. In the pressed state, the substrate is transferred to form a one-dimensional pattern. If the preceding process is carried out once more in a direction perpendicular to the grating direction formed on the PC substrate, a nano pattern of a two-dimensional structure is formed. Thereby, a PC pattern substrate (1st flexible pattern film) is formed. An image of a one-dimensional pattern is shown on the left side of FIG. 14, and an image of a two-dimensional nano pattern is shown on the right side.
DNI 공정을 이용하여 나노 패턴이 새겨진 몰드의 모서리를 연질의 플렉시블 기판과 접촉시켜 열과 압력을 가하면서 상기 플렉시블 기판을 이송시키면 상기 플렉시블 기판 위에 나노 패턴을 형성할 수 있다. 상기 DNI 공정을 반복 수행하여 다차원 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 상기 DNI 공정은 기판의 종류에 제한을 거의 받지 않으며 대면적의 기판에 대하여 적용할 수 있고 양산성이 우수하다.By using a DNI process to transfer the flexible substrate while applying heat and pressure by contacting the edge of the mold on which the nano-pattern is engraved with the soft flexible substrate, the nano-pattern can be formed on the flexible substrate. A multidimensional pattern can be easily formed by repeatedly performing the DNI process. The DNI process is hardly limited by the type of substrate, can be applied to a large-area substrate, and has excellent mass production.
도 15를 참조하면, PC 패턴 기판(제1 플렉시블 패턴 필름)의 2차원 나노 패턴 구조를 PDMS(polydimethylsiloxane) 필름(제2 플렉시블 필름)로 전사한다. 이에 의해, 2차원 나노 패턴을 갖는 PDMS 스탬프(제2 플렉시블 패턴 필름)가 형성된다. Referring to FIG. 15, a 2D nano pattern structure of a PC pattern substrate (a first flexible pattern film) is transferred to a polydimethylsiloxane (PDMS) film (a second flexible film). As a result, a PDMS stamp (second flexible pattern film) having a two-dimensional nano pattern is formed.
PC 패턴 기판과 비교하여 PDMS 스탬프는 탄성력으로 인해 더 낮은 온도와 압력에서 보다 균일하고 정확한 열(thermal) NIL(Nano-Imprint Lithography) 공정을 진행할 수 있다. PDMS 스탬프와 함께 롤러를 이용하여 유연하고 투명한 이오노머(ionomer) 필름(제3 플렉시블 필름)에 저온 및 저압의 NIL 공정을 수행한다. 이에 의해, 2차원 나노 패턴을 갖는 이오노머 패턴 필름(제3 플렉시블 패턴 필름)이 형성된다.Compared to PC patterned substrates, PDMS stamps can perform more uniform and accurate thermal Nano-Imprint Lithography (NIL) processes at lower temperatures and pressures due to elasticity. A low-temperature and low-pressure NIL process is performed on a flexible and transparent ionomer film (third flexible film) using a roller together with a PDMS stamp. Thereby, an ionomer pattern film (third flexible pattern film) having a two-dimensional nano pattern is formed.
중성 폴리머 세그먼트와 이온화 유닛의 공중 합체인 이오노머는 상온에서 가교결합된 폴리머와 같이 작용하지만, 열가소성 물질처럼 고온에서는 부드럽고 쉽게 변형된다. 이러한 물리적 특성의 변화는 온도에 따라 바뀔 수 있다. 열 NIL 공정을 진행할 때는 70℃ 정도에서 1 ~ 2N 정도의 약한 힘으로 신속한 임프린팅이 가능하다. PDMS 스탬프와의 접촉을 유지하며 냉각이 되면, 변형된 이오노머 패턴 필름의 2차원 나노 패턴은 재생된 이온 결합으로 인해 고정된다. 도 16에 PDMS 스탬프의 2차원 나노 패턴의 이미지가 나타나 있고, 도 17에 이오노머 패턴 필름의 2차원 나노 패턴의 이미지가 나타나 있다. 상기 2차원 나노 패턴은 기판(필름)의 특성을 변화시킨다, 예를 들어, 상기 2차원 나노 패턴은 투과되는 빛을 전방위적으로 확산시킬 수 있다.The ionomer, which is a copolymer of a neutral polymer segment and an ionization unit, acts like a crosslinked polymer at room temperature, but is soft and easily deformed at high temperatures like a thermoplastic material. Changes in these physical properties can change with temperature. When performing the thermal NIL process, rapid imprinting is possible with a weak force of 1 ~ 2N at about 70℃. When cooling while maintaining contact with the PDMS stamp, the 2D nanopattern of the modified ionomer pattern film is fixed due to the regenerated ionic bond. FIG. 16 shows an image of a 2D nanopattern of a PDMS stamp, and FIG. 17 shows an image of a 2D nanopattern of an ionomer pattern film. The 2D nanopattern changes the characteristics of the substrate (film). For example, the 2D nanopattern may diffuse transmitted light in all directions.
도 18 내지 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 이오노머 패턴 필름을 나타낸다. 상기 이오노머 패턴 필름은 DNI 공정과 저온 열 NIL 공정을 수행하여 형성된 나노 패턴을 갖는다.18 to 22 show an ionomer pattern film according to an embodiment of the present invention. The ionomer pattern film has a nano pattern formed by performing a DNI process and a low temperature thermal NIL process.
도 18 내지 도 22를 참조하면, 상기 이오노머 패턴(Re-Attachable Ionomer Nanopattern; RAIN) 필름은 광 확산의 기능을 수행할 수 있고, 자유 곡면에 반복적으로 탈부착이 가능하다. 상기 이오노머 패턴 필름은 핸드 롤러를 이용해 약간의 힘을 가함으로써 평면과 곡면에 간단하게 부착될 수 있다. 상기 이오노머 패턴 필름은 친수성기에 의해 접착성을 가질 수 있고, 매우 작은 영 모듈러스(Young’s modulus) 때문에 전체 에너지가 높아 안정적인 부착이 가능하다. 또, 이오노머 필름은 얇은 박막으로 성형이 가능하며 공정 시간이 빠르고 저온에서 나노 패턴의 제조가 가능하다.18 to 22, the Re-Attachable Ionomer Nanopattern (RAIN) film may perform a function of light diffusion, and may be repeatedly attached and detached to a free curved surface. The ionomer pattern film can be simply attached to a flat surface and a curved surface by applying a slight force using a hand roller. The ionomer pattern film may have adhesiveness due to a hydrophilic group, and because of a very small Young's modulus, the total energy is high, so that stable adhesion is possible. In addition, the ionomer film can be formed into a thin thin film, and the process time is fast and nanopatterns can be manufactured at low temperatures.
도 23 내지 도 29는 본 발명의 일 실시예에 따른 이오노머 패턴 필름의 특성을 설명하기 위한 도면들이다.23 to 29 are views for explaining the characteristics of the ionomer pattern film according to an embodiment of the present invention.
도 23 내지 도 25를 참조하면, 유리 기판 상에 제작된 OLED 위에 이오노머 패턴 필름을 부착함으로써 상기 이오노머 패턴 필름의 나노 패턴에 의해 광 확산이 더욱 활발히 나타난다. 도 26을 참조하면, 시뮬레이션 결과 상기 이오노머 패턴 필름이 부착되면 시야각이 커지는 것으로 나타난다. Referring to FIGS. 23 to 25, by attaching an ionomer pattern film on an OLED fabricated on a glass substrate, light diffusion is more actively exhibited by the nano pattern of the ionomer pattern film. Referring to FIG. 26, it is shown that the viewing angle increases when the ionomer pattern film is attached as a result of the simulation.
도 27은 다양한 각도에서 이오노머 패턴 필름이 부착되어 있을 때와 아닐 때에 대한 휘도를 측정한 그래프를 나타낸다. 도 27을 참조하면, 법선 각도에서 측정한 휘도는 이오노머 패턴 필름의 유무에 의한 변화를 거의 나타내지 않는다. 또, 도 28 및 도 29를 참조하면, 이오노머 패턴 필름을 부착하여도 전력 효율은 그대로 유지될 수 있다.27 shows graphs measuring luminance with and without the ionomer pattern film attached at various angles. Referring to FIG. 27, the luminance measured at a normal angle hardly shows a change due to the presence or absence of an ionomer pattern film. Further, referring to FIGS. 28 and 29, power efficiency may be maintained as it is even when the ionomer pattern film is attached.
이제까지 본 발명에 대한 구체적인 실시예들을 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far, specific examples of the present invention have been looked at. Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to understand that the present invention may be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered from an illustrative point of view rather than a limiting point of view. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the above description, and all differences within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the present invention.
Claims (11)
상기 제1 패턴 필름을 제2 필름과 접촉시켜 상기 제1 패턴과 대응하는 제2 패턴을 갖는 제2 패턴 필름을 형성하는 단계; 및
상기 제2 패턴 필름을 제3 필름과 접촉시켜 상기 제2 패턴과 대응하는 제3 패턴을 갖는 제3 패턴 필름을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 필름은 몰드를 이용한 동적 각인 공정을 수행하는 것에 의해 패터닝되는 것을 특징으로 하는 패턴 필름의 형성 방법.Patterning the first film to form a first pattern film having a first pattern;
Forming a second pattern film having a second pattern corresponding to the first pattern by contacting the first pattern film with a second film; And
Including the step of forming a third pattern film having a third pattern corresponding to the second pattern by contacting the second pattern film with the third film,
The first film is patterned by performing a dynamic engraving process using a mold.
상기 제3 패턴 필름은 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정을 수행하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 필름의 형성 방법.The method of claim 1,
The third pattern film is formed by performing an imprint lithography process.
상기 제1 필름의 경도는 상기 제2 필름의 경도보다 크고,
상기 제2 필름의 경도는 상기 제3 필름의 경도보다 큰 것을 특징으로 하는 패턴 필름의 형성 방법.The method of claim 1,
The hardness of the first film is greater than that of the second film,
The method of forming a pattern film, characterized in that the hardness of the second film is greater than the hardness of the third film.
상기 제1 필름, 상기 제2 필름, 및 상기 제3 필름은 고분자로 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 필름의 형성 방법.The method of claim 1,
The method of forming a pattern film, characterized in that the first film, the second film, and the third film are formed of a polymer.
상기 제1 필름은 PC(polycarbonate), PET(polyethylene terephthalate), PFA(Paraformaldehyde), 또는 PI(Polyimide)로 형성되고,
상기 제2 필름은 PDMS(polydimethylsiloxane)로 형성되며,
상기 제3 필름은 이오노머(ionomer)로 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 필름의 형성 방법.The method of claim 5,
The first film is formed of polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), paraformaldehyde (PFA), or polyimide (PI),
The second film is formed of PDMS (polydimethylsiloxane),
The method of forming a pattern film, characterized in that the third film is formed of an ionomer.
상기 제1 필름, 상기 제2 필름, 및 상기 제3 필름은 플렉시블한 것을 특징으로 하는 패턴 필름의 형성 방법.The method of claim 1,
The method of forming a pattern film, wherein the first film, the second film, and the third film are flexible.
상기 제1 패턴, 상기 제2 패턴, 및 상기 제3 패턴은 1차원 패턴 또는 2차원 이상의 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 필름의 형성 방법.The method of claim 1,
The first pattern, the second pattern, and the third pattern include a one-dimensional pattern or a two-dimensional or more pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190038377A KR102244646B1 (en) | 2019-04-02 | 2019-04-02 | Method of forming pattern film and pattern film formed using the method |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020190038377A KR102244646B1 (en) | 2019-04-02 | 2019-04-02 | Method of forming pattern film and pattern film formed using the method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200116694A KR20200116694A (en) | 2020-10-13 |
| KR102244646B1 true KR102244646B1 (en) | 2021-04-23 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190038377A KR102244646B1 (en) | 2019-04-02 | 2019-04-02 | Method of forming pattern film and pattern film formed using the method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102244646B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100630920B1 (en) * | 2005-04-04 | 2006-10-02 | 주식회사 두산 | Method and apparatus for manufacturing optical film |
| KR100731736B1 (en) | 2006-02-20 | 2007-06-25 | 주식회사 미뉴타텍 | Method for forming micro-pattern on substrate by using rigiflex mold and roller |
| CN105355543B (en) | 2015-09-29 | 2017-12-22 | 淮北师范大学 | Patterned semiconductor polymer thin membrane preparation method based on silk fiber |
| JP2018055761A (en) | 2015-09-18 | 2018-04-05 | 大日本印刷株式会社 | Information recording medium formation method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3069066B2 (en) * | 1997-09-04 | 2000-07-24 | 株式会社昭和インク工業所 | Transfer film and golf ball coating method using the same |
| JPH11158445A (en) * | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Norio Takashima | Pressure-sensitive adhesive film sheet |
| KR20150059494A (en) * | 2013-11-22 | 2015-06-01 | 삼성전자주식회사 | Method of manufacturing optical film for reducing color shift, organic light emitting display employing the optical film and method of manufacturing the organic light emitting display |
| KR102440588B1 (en) * | 2017-05-10 | 2022-09-05 | 현대자동차 주식회사 | Device and method for manufacturing membrane-electrode assembly of fuel cell |
-
2019
- 2019-04-02 KR KR1020190038377A patent/KR102244646B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100630920B1 (en) * | 2005-04-04 | 2006-10-02 | 주식회사 두산 | Method and apparatus for manufacturing optical film |
| KR100731736B1 (en) | 2006-02-20 | 2007-06-25 | 주식회사 미뉴타텍 | Method for forming micro-pattern on substrate by using rigiflex mold and roller |
| JP2018055761A (en) | 2015-09-18 | 2018-04-05 | 大日本印刷株式会社 | Information recording medium formation method |
| CN105355543B (en) | 2015-09-29 | 2017-12-22 | 淮北师范大学 | Patterned semiconductor polymer thin membrane preparation method based on silk fiber |
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|---|---|
| KR20200116694A (en) | 2020-10-13 |
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