KR102244576B1 - 설계 데이터의 반복 구조를 관심의 대상으로 하는 설계를 규정하기 위한 시스템 및 방법 - Google Patents

설계 데이터의 반복 구조를 관심의 대상으로 하는 설계를 규정하기 위한 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102244576B1
KR102244576B1 KR1020187031347A KR20187031347A KR102244576B1 KR 102244576 B1 KR102244576 B1 KR 102244576B1 KR 1020187031347 A KR1020187031347 A KR 1020187031347A KR 20187031347 A KR20187031347 A KR 20187031347A KR 102244576 B1 KR102244576 B1 KR 102244576B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
additional
care
area
care area
sensitivity threshold
Prior art date
Application number
KR1020187031347A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180122032A (ko
Inventor
준칭 후앙 (제니)
소렌 코넥키
후청 리
케농 우
리셩 가오
Original Assignee
케이엘에이 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 케이엘에이 코포레이션 filed Critical 케이엘에이 코포레이션
Publication of KR20180122032A publication Critical patent/KR20180122032A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102244576B1 publication Critical patent/KR102244576B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • G06F30/398Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/10Segmentation; Edge detection
    • G06T7/136Segmentation; Edge detection involving thresholding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

방법은 설계 데이터에서의 반복 셀들의 블록 내의 제1 관심 대상 설계와 연관되는 제1 감도 임값을 갖는 제1 케어 영역의 제1 세트를 식별하는 단계; 추가의 감도 임계값을 갖는 추가의 케어 영역의 추가 세트를 식별하는 단계 - 상기 추가의 케어 영역은 설계 데이터에서의 반복 셀들의 블록 내의 추가의 관심 대상 설계와 연관됨 -; 상기 제1 감도 임계값에 기초하여 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 상기 제1 케어 영역들의 제1 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하는 단계; 및 상기 추가의 감도 임계값에 기초하여 상기 샘플의 상기 선택된 영역의 하나 이상의 이미지에서 추가의 케어 영역의 추가 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하는 단계를 포함한다.

Description

설계 데이터의 반복 구조를 관심의 대상으로 하는 설계를 규정하기 위한 시스템 및 방법
우선권
본 출원은 35 USC §119 (e) 하에서 2016년 3월 29일자로 출원되고 명칭이 “DEFINING CARE AREA IN REPEATING STRUCTURE BY USER DRAWING IN DESIGN VIEW”이며, 발명자가 Junqing Huang, Soren Konecky, Hucheng Lee, Kenong Wu, 및 Lisheng Gao인 미국 가출원 제62/314,725호에 대한 우선권을 주장하며, 이는 그 전체가 참조로서 본 명세서에 통합된다.
기술 분야
본 발명은 일반적으로 웨이퍼 검사 및 검토에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼 검사 동안에 설계 데이터의 반복 구조에서 규정된 케어(care) 영역을 갖는 결함을 위치시키는 것에 관한 것이다.
로직 및 메모리 디바이스와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 것은, 통상적으로 다수의 반도체 제조 프로세스를 사용하여 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리하여 반도체 디바이스의 다양한 피처 및 다중(multiple) 레벨을 형성하는 것을 포함한다. 다수의 반도체 디바이스는 단일 반도체 웨이퍼 상의 배열로 제조된 다음 개별적인 반도체 디바이스로 분리될 수도 있다.
반도체 디바이스는 제조 프로세스 중에 결함을 발생시킬 수도 있다. 검사 프로세스는 반도체 제조 프로세스 중에 다양한 단계에서 수행되어, 시료(specimen)의 결함을 검출한다. 검사 프로세스는 집적 회로와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 중요한 부분이며, 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라 수용 가능한 반도체 디바이스를 성공적으로 제조하는데 더욱 중요해지고 있다. 비교적 작은 결함이 반도체 디바이스에서 원하지 않는 수차를 야기할 수도 있기 때문에, 결함의 검출은 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라 매우 바람직하게 되었다.
결함 검출의 하나의 방법은 웨이퍼 검사 이미지를 웨이퍼 설계 데이터와 비교하는 것을 포함하는데, 웨이퍼 설계 데이터는 하나 이상의 케어 영역을 포함한다. 케어 영역은 잠재적인 결함 위치가 될 수 있는 설계를 나타낸다. 그러나 케어 영역을 규정하는 알려진 방법은 노동 및/또는 계산 집약적일 수 있다. 이와 같이, 개선된 웨이퍼 검사 및 결함 분류를 위한 해결책을 제공하여, 제조 문제를 해결하고 개선된 웨이퍼 검사 성능을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
본 개시 내용의 하나 이상의 실시예에 따른 시스템이 개시된다. 예시적인 일 실시예에서, 시스템은 검사 툴(tool)을 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 시스템은 사용자 인터페이스를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 시스템은 메모리에 저장된 프로그램 명령어들의 세트를 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함하는 제어기를 포함한다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 설계 데이터를 수신하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함한다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 사용자 인터페이스 상에 반복 셀의 블록의 특정 셀을 제공하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 특정 셀을 관심의 대상으로 하는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역을 규정하게 하도록 구성된다. 다른 예시된 실시예에서, 제1 케어 영역은 제1 감도 임계 값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로하여금 특정 셀을 관심의 대상으로 하는 추가 설계와 연관된 추가 케어 역을 규정하게 하도록 구성된다. 다른 예시적인 실시예에서, 추가 케어 영역은추가 감도 임계값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 하나 이상의 프로세서로 하여금 반복 셀들 블록 내의 제1 케어 영역들의 세트를 식별하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 하나 이상의 프로세서로 하여금 반복 셀들의 블록 내의 추가 케어 영역들의 세트를 식별하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로하여금 검사 툴로부터 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 수신하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 제1 감도 임계값에 기초하여 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 제1 케어 영역들의 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 추가 감도 임계값에 기초하여 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 추가 케어 영역들의 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 구성된다.
본 개시 내용의 하나 이상의 실시예에 따른 시스템이 개시된다. 예시적인 일 실시예에서, 시스템은 검사 툴을 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 시스템은 사용자 인터페이스를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 시스템은 메모리에 저장된 프로그램 명령어들의 세트를 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함하는 제어기를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 설계 데이터를 수신하게 하도록 구성된다. 다른 예시적인 실시예에서, 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함한다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 사용자 인터페이스 상에 반복 셀들의 블록의 특정 셀을 제공하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 특정 셀을 관심의 대상으로 하는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역을 규정하게 하도록 구성된다. 다른 예시적인 실시예에서, 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 특정 셀을 관심의 대상으로 하는 추가 설계와 연관된 추가 케어 영역을 규정하게 하도록 구성된다. 다른 예시적인 실시예에서, 추가 케어 영역은 추가의 감도 임계값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 반복 셀들의 블록 내의 제1 케어 영역들의 세트를 식별하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 하나 이상의 프로세서로 하여금 반복 셀들의 블록 내의 추가 케어 영역들의 세트를 식별하게 하도록 구성된다.
개시 내용에 따른 시스템이 개시된다. 예시적인 일 실시예에서, 시스템은 검사 툴을 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 시스템은 사용자 인터페이스를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 시스템은 메모리에 저장된 프로그램 명령어들의 세트를 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함하는 제어기를 포함한다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 제1 케어 영역의 제1 세트를 식별하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 제1 케어 영역은 설계 데이터의 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관된다. 다른 예시적인 실시예에서, 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 추가 케어 영역의 추가 세트를 식별하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 추가 케어 영역은 설계 데이터의 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이되는 추가 설계와 연관된다. 다른 예시적인 실시예에서, 추가의 케어 영역은 추가 감도 임계값을 갖는다. 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 검사 툴로부터 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 수신하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 제1 감도 임계값에 기초하여 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 제1 케어 영역들의 제1 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 구성된다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서로 하여금 추가 감도 임계값에 기초하여 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 추가 케어 영역의 추가 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 구성된다.
본 개시 내용의 하나 이상의 실시예에 따른 방법이 개시된다. 하나의 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 설계 데이터를 수신하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예시적인 실시예에서, 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함한다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 사용자 인터페이스 상에 반복 셀들의 블록의 특정 셀을 제공하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 특정 셀을 관심의 대상으로 하는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역을 규정하는 것을 포함할 수도 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예시적인 실시예에서, 제1 관리 영역은 제1 감도 임계값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 상기 특정 셀을 관심의 대상으로 하는 추가 설계와 연관된 추가 케어 영역을 규정하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예시적인 실시예에서, 추가 케어 영역은 추가 감도 임계값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 반복 셀들의 블록 내의 제1 케어 영역들의 세트를 식별하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 반복 셀들의 블록 내의 추가 케어 영역들의 세트를 식별하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 검사 툴로부터 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 수신하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 제1 감도 임계 값에 기초하여 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 제1 케어 영역들의 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은, 추가 감도 임계값에 기초하여 샘플의 선택된 영역의 하나 이상의 이미지에서 추가 케어 영역들의 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
본 개시 내용의 하나 이상의 실시예에 따른 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 상기 방법은 설계 데이터를 수신하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예시적인 실시예에서, 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함한다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 사용자 인터페이스 상에 반복 셀들의 블록의 특정 셀을 제공하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 특정 셀을 관심의 대상으로 하는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역을 규정하는 단계를 포함할 수도 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예시적인 실시예에서, 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 상기 특정 셀을 관심의 대상으로 하는 추가 설계와 연관된 추가 케어 영역을 규정하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 추가 케어 영역은 추가 감도 임계값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 반복 셀들의 블록 내의 제1 케어 영역들의 세트를 식별하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 반복 셀들의 블록 내의 추가 케어 영역들의 세트를 식별하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
본 개시 내용의 하나 이상의 실시예에 따른 방법이 개시된다. 하나의 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 제1 케어 영역의 제1 세트를 식별하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 제1 케어 영역은 설계 데이터의 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관된다. 다른 예시적인 실시예에서, 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 추가 케어 영역의 추가 세트를 식별하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 추가 케어 영역은 설계 데이터의 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계와 연관된다. 다른 예시적인 실시예에서, 추가 케어 영역은 추가 감도 임계값을 갖는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 검사 툴로부터 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 수신하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 제1 감도 임계값에 기초하여 샘플의 선택된 영역의 하나 이상의 이미지에서 제1 케어 영역의 제1 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하는 단계를 포함할 수도 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예시적인 실시예에서, 상기 방법은 추가 감도 임계값에 기초하여 샘플의 선택된 영역의 하나 이상의 이미지에서 추가 케어 영역의 추가 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하는 단계를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
이는 상기 일반적인 설명 및 이하의 상세한 설명 모두 단지 예시적이고 설명적이며 반드시 본 개시 내용을 제한하지 않는다고 이해하여야 한다. 특성에 통합되어 그 일부를 구성하는 첨부 도면은, 본 개시 내용의 주제를 예시한다. 이와 함께, 설명 및 도면은 개시 내용의 원리를 설명하는 역할을 한다.
본 개시 내용의 다수의 이점은 첨부 도면을 참조하여 당업자에 의해 보다 잘 이해될 수 있다.
도 1은 본 개시 내용에 따른 웨이퍼 검사를 위한 시스템의 블록도를 도시한다.
도 2a는 본 개시 내용에 따른 설계 데이터의 세트에서 반복 셀들의 블록으로부터의 셀을 도시한다.
도 2b는 본 개시 내용에 따른 설계 데이터의 세트에서 반복 셀들의 블록으로부터의 셀을 도시한다.
도 2c는 본 개시 내용에 따른 설계 데이터의 세트에서 반복 셀들의 블록으로부터의 셀을 도시한다.
도 3은 본 개시 내용에 따라, 샘플의 선택된 구역(region)의 하나 이상의 이미지에서 하나 이상의 결함을 식별하기 위해 일련의 설계 데이터에서 하나 이상의 규정된 케어 영역을 규정하기 위한 방법의 프로세스 흐름도를 도시한다.
첨부된 도면에 도시된, 개시된 주제에 대한 상세한 설명이 이제 이루어질 것이다.
일반적으로 도 1 내지 도 3를 참조하면, 본 개시 내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 설계 데이터의 반복 구조에서 하나 이상의 관심 대상 설계와 연관된 하나 이상의 케어 영역을 정의하는 방법 및 시스템이 설명된다.
당해 분야에 공지된 케어 영역을 규정하는 방법은, 설계 데이터로부터의 RBS(Rutherford Backscattering Spectroscopy) 규칙 생성, 설계 데이터 패턴 검색, 고객 제공 프로세스 레이어 설계, 및 모든 케어 영역을 수동으로 드로잉하는 것을 포함한다. 그러나, 이러한 공지된 방법은 노동 및/또는 계산 집약적일 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 설계 데이터가 너무 많은 케어 영역을 포함하는 경우, 웨이퍼 검사 및 검토 프로세스에서 병목 현상이 발생한다. 또한, 공지된 방법은, 원하는 케어 영역을 생성하거나 또는 케어 영역이 규정된 설계 데이터를 웨이퍼 검사 이미지와 정렬시키기 위하여, (예를 들어, 전력선, 접지선, 타이밍 선, 워드 선, 비트 선, 데이터 선, 논리 선 등) 설계의 규정된 전기적 의도를 필요로 할 수 있다. 필요한 전기적 의도가 없는 경우, 케어 영역을 규정하고/하거나 웨이퍼 검사 이미지에 설계 데이터를 정렬하는 것이 불가능할 수 있다. 이와 같이, 본 개시 내용의 실시예는 웨이퍼 검사 및 검토 프로세스에서 사용하기 위한 웨이퍼 설계 데이터에 하나 이상의 케어 영역을 규정하는 개선된 시스템 및 방법에 관한 것이다.
본 개시 내용의 목적을 위해, 본 명세서에서 사용되는 "설계" 및 "설계 데이터"라는 용어는 일반적으로 집적 회로(IC)의 물리적 설계(레이아웃) 및 복잡한 시뮬레이션 또는 간단한 기하학적 및 부울 연산을 통산 물리적 설계로부터 유도된 데이터를 지칭한다. 예를 들어, 물리적 설계는 그래픽 데이터 시스템(Graphic Data System; GDS) 파일, 임의의 다른 표준 기계 판독 가능한 파일, 당해 분야에 공지된 임의의 다른 적합한 파일, 및 설계 데이터베이스와 같은 데이터 구조에 저장 될 수도 있다. IC 레이아웃 데이터 또는 칩 설계 데이터는 GDSII 및 OASIS 포맷을 포함하는 복수의 포맷으로 제공되지만, 이에 제한되지는 않는다. GDSII 파일은 설계 레이아웃 데이터의 표현에 사용되는 파일 클래스 중 하나이다. 이러한 파일의 다른 예는, GL1 및 OASIS 파일과 캘리포니아주 밀피타스 소재의 KLA-Tencor("KT")가 독점적으로 소유하고 있는 RDF(Reticle Design File) 데이터와 같은 독점적인 파일 포맷을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.
설계 데이터는 특정 칩의 제조, 논리적, 및 전기적 의도로 인코딩된다. 설계 데이터는 EDA(Electronic Design Automation) 툴의 출력일 수도 있다. 예를 들어, EDA 툴에서 출력된 설계 데이터는 분석 소프트웨어에 의해 처리되어 RDF 포맷으로 변환될 수도 있다.
본 명세서에서, 레티클 검사 시스템 및/또는 그것의 파생물에 의해 획득된 레티클의 이미지는 설계를 위한 "프록시" 또는 "프록시들"로서 사용될 수도 있음을 주목하여야 한다. 이러한 레티클 이미지 또는 그 파생물은 설계를 사용하는 본 명세서에 기술된 임의의 실시예에서 설계 레이아웃의 대체물로서 기능할 수도 있다. 설계는 2009년 8월 4일에 발행된 미국 특허 번호 제7,570,796호; 및 2010년 3월 9일에 발행된 미국 특허 번호 제7,676,077호에 기술된 임의의 다른 설계 데이터 또는 설계 데이터 프록시들을 포함할 수도 있으며, 이들 모두는 그 전체가 참조로서 통합된다. 또한, 설계 데이터는 표준 셀 라이브러리 데이터, 통합 레이아웃 데이터, 하나 이상의 층에 대한 설계 데이터, 설계 데이터의 파생물, 및 전체 또는 부분 칩 설계 데이터일 수도 있다.
본 명세서에서 웨이퍼 또는 레티클로부터의 시뮬레이션된 이미지 또는 획득된 이미지가 설계를 위한 프록시로서 사용될 수도 있음을 또한 주목하여야 한다. 이미지 분석은 또한 설계 분석을 위한 프록시로서 사용될 수도 있다. 예를 들어, 웨이퍼 및/또는 레티클의 이미지가 충분한 해상도로 획득되어, 설계의 다각형을 적절하게 묘화한다고 가정하면, 설계 내의 형상 또는 다각형은 웨이퍼 및/또는 레티클 상에 프린트된 설계의 이미지로부터 추출될 수도 있다.
도 1은 본 개시 내용의 하나 이상의 실시예에 따른 샘플 검사용 시스템(100)을 도시한다. 일 실시예에서, 시스템(100)은 검사 툴(102)을 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 샘플(104)을 고정하기 위한 샘플 스테이지(106)를 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 제어기(110)를 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 사용자 인터페이스 (120)를 포함한다.
다른 실시예에서, 검사 툴(102)은 샘플(104)의 하나 이상의 결함을 검출하도록 구성된다. 예를 들어, 검사 툴(102)은 검사 툴 또는 검토 툴과 같은 당해 분야에 공지 된 임의의 적절한 특성화 툴을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 검사 툴(102)은 전자 빔 검사 또는 검토 툴(예를 들어, SEM 시스템)을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예로서, 검사 툴(102)은 광학 검사 툴을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 광학 검사 툴은 LSP(Laser sustained plasma) 기반 검사 툴을 포함하는 광대역 검사 툴을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또한, 광학 검사 툴은 레이저 스캐닝 검사 툴과 같은 협대역 검사 툴을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또한, 광학 검사 툴은 명시야 이미징 툴 또는 암시야 이미징 툴을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 본 명세서에서, 검사 툴(102)은 샘플(104)의 표면으로부터 반사되고, 산란되고, 회절되고, 및/또는 복사된 조명을 수집 및 분석하도록 구성된 임의의 광학 시스템을 포함할 수도 있음을 주목하여야 한다. 검사 툴의 예는, 일반적으로 2006년 8월 8일자로 발행된 미국 특허 번호 제7,092,082호; 2003년 9월 16일자로 발행된 미국 특허 번호 제6,621,570호; 1998년 9월 9일자로 발행된 미국 특허 번호 제5,805,278호에 기술되어 있으며, 이들 각각은 측 전체가 본 명세서에 참조로서 통합된다. 검사 툴의 예는 또한, 2014년 4월 4일자로 발행 된 미국 특허 번호 제8,664,594호; 2014년 4월 8일자로 발행된 미국 특허 번호 제8,692,204호; 2014년 4월 15일자로 발행된 미국 특허 번호 제8,698,093호; 2014년 5월 6일자로 발행된 미국 특허 번호 제8,716,662호; 2015년 4월 29일자로 출원된 미국 특허 출원 제14/699,781호; 2015년 4월 29일자로 출원된 미국 특허 출원 제14/667,235호; 2014년 8월 13일자로 출원된 미국 특허 출원 제14/459,155호에 기술되어 있으며, 이들 각각은 그 전체가 본 명세서에 참조로서 통합된다.
본 개시 내용의 목적을 위하여, 결함은 공극, 단편(short), 입자, 잔류 물, 쓰레기. 또는 당해 분야에 공지된 임의의 다른 결함으로 분류될 수도 있다.
다른 실시예에서, 비록 도시되지는 않았지만, 검사 툴(102)은 검사를 수행하기 위한 조명 소스, 검출기 및 다양한 광학 구성요소(예를 들어, 렌즈, 빔 분리기 등)를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 검사 툴(102)의 조명 소스는 당해 분야에 공지된 임의의 조명 소스를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 조명 소스는 광대역 광원 또는 협대역 광원을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또한, 상기 조명 소스는 (다양한 광학 구성요소들을 통해) 샘플 스테이지(106) 상에 배치된 샘플(104)의 표면에 광을 지향시키도록 구성될 수도 있다. 또한, 검사 툴(102)의 다양한 광학 구성요소들은 샘플(104)의 표면으로부터 반사 및/또는 산란된 광을 검사 툴(102)의 검출기로 지향시키도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 검사 툴(102)의 검출기는 당해 분야에 공지된 임의의 적절한 검출기를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 검출기는 광전 증배관(photo-multiplier tube; PMT), 전하 결합 디바이스(charge coupled device; CCD), 시간 지연 통합(time delay integration; TDI) 카메라 등을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또한, 검출기의 출력은 제어기(110)에 통신 가능하게 연결될 수도 있으며, 이는 본 명세서에서 더 상세하게 설명된다.
일 실시예에서, 샘플(104)은 웨이퍼를 포함한다. 예를 들어, 샘플(104)은 반도체 웨이퍼를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 본 개시 내용을 통해 사용되는 바와 같이, "웨이퍼"라는 용어는 일반적으로 반도체 및/또는 비반도체 재료로 형성된 기판을 지칭한다. 예를 들어, 반도체 또는 반도체 재료는 단결정 실리콘, 갈륨 비소, 및 인듐 인화물을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
다른 실시예에서, 샘플(104)은 하나 이상의 세트의 설계 데이터를 사용하여 제조된다. 다른 실시예에서, 일 세트의 설계 데이터는 하나 이상의 세트의 층을 포함한다. 예를 들어, 이러한 층들은 레지스트, 유전체 재료, 도전성 재료, 및 반도체 재료를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 많은 다른 유형의 이러한 층이 당해 분야에 공지되어 있으며, 본 명세서에서 사용되는 웨이퍼라는 용어는 이러한 층들의 모든 유형이 형성될 수 있는 웨이퍼를 포함하도록 의도된다. 또 다른 예로서, 웨이퍼 상에 형성된 하나 이상의 층은, 웨이퍼 내에서 1회 이상 반복될 수도 있다. 이러한 재료 층의 형성 및 처리는 궁극적으로 완성된 디바이스를 초래할 수도 있다. 많은 다른 유형의 디바이스가 웨이퍼 상에 형성될 수도 있으며, 본 명세서에서 사용된 웨이퍼라는 용어는 당해 분야에 공지된 임의의 유형의 디바이스가 제조되는 웨이퍼를 포함하도록 의도된다.
다른 실시예에서, 층은 하나 이상의 셀을 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 셀은 층 내에서 1회 이상 반복될 수도 있다. 다른 예로서, 셀은 규칙적 또는 불규칙적인 형상일 수도 있다. 본 명세서에서, 셀은 하나 이상의 세트의 설계 데이터의 복수의 층들 사이에서 반복될 수도 있음을 주목하여야 한다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 세트의 설계 데이터는 관심의 대상이 되는 하나 이상의 설계를 포함한다. 예를 들어, 관심의 대상이 되는 하나 이상의 설계는 하나 이상 세트의 설계 데이터 내에서 1회 이상 반복될 수도 있다. 다른 실시예에서, 관심의 대상이 되는 설계는, 하나 이상 세트의 설계 데이터 내에 위치된 셀과 연관될 수도 있다. 본 명세서에서 관심의 대상이 되는 설계는 하나 이상 세트의 설계 데이터의 특정 전기적 의도에 대응할 수도 있음을 주목하여야 한다. 본 개시 내용 전체에 걸쳐 사용되는 바와 같이, 하나 이상의 세트의 설계 데이터의 전기적 의도는, 전력선, 접지선, 타이밍 선, 워드 선, 비트 선, 데이터 선, 논리 선 등을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
다른 실시예에서, 샘플 스테이지(106)는 당해 분야에 공지된 임의의 적절한 기계적 및/또는 로봇식(robotic) 어셈블리를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 샘플 스테이지(106)는 샘플(104)을 선택된 위치 또는 방향으로 작동시키도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 샘플 스테이지(106)는, 선택된 검사 또는 메트롤로지 알고리즘(이들 중 일부는 당해 분야에 공지되어 있음)에 따라 위치 결정, 포커싱 및/또는 스캐닝을 위해 샘플(104)을 병진 또는 회전시키도록 구성된 모터 또는 서보와 같은 하나 이상의 액추에이터를 포함하거나 또는 이에 기계적으로 연결될 수도 있다.
일 실시예에서, 제어기(110)는 하나 이상의 프로세서(112) 및 메모리 매체(114)를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상 세트의 프로그램 명령어(116)는 메모리 매체(114)에 저장된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 프로세서(112)는 본 개시 내용 전체에 걸쳐 기술된 다양한 단계들 중 하나 이상을 수행하기 위해 프로그램 명령어(116)의 세트를 실행하도록 구성된다.
다른 실시예에서, 사용자 인터페이스(120)는 제어기(110)의 하나 이상의 프로세서(112)에 통신 가능하게 연결된다. 다른 실시예에서, 사용자 인터페이스(120)는 디스플레이 디바이스(122)를 포함한다. 다른 실시예에서, 사용자 인터페이스(120)는 사용자 입력(124)을 포함한다.
다른 실시예에서, 제어기(110)는, 유선 및/또는 무선 부분을 포함할 수도 있는 송신 매체에 의해 다른 시스템 또는 서브 시스템(예를 들어, 검사 툴(102)로부터 또는 검사 툴(102)의 구성요소들 중 임의의 것으로부터의 하나 이상 세트의 정보, 또는 사용자 인터페이스(120)를 통해 수신된 하나 이상의 사용자 입력)으로부터 데이터 또는 정보를 수신 및/또는 획득하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 시스템(100)의 제어기(110)는, 유선 및/또는 무선 부분들을 포함할 수도 있는 송신 매체에 의해, 데이터 또는 정보(예를 들어, 본 명세서에 개시된 하나 이상의 프로세스의 출력)를 하나 이상의 시스템 또는 서브 시스템(예를 들어, 검사 툴(102)에 또는 검사 툴(102)의 구성요소들 중 임의의 것으로의 하나 이상의 커맨드들, 또는 사용자 인터페이스(120) 상에 디스플레이된 하나 이상의 출력들)으로 송신하도록 구성된다. 이와 관련하여, 송신 매체는 제어기(110)와 시스템(100)의 다른 서브 시스템 사이의 데이터 링크로서 기능할 수도 있다. 다른 실시예에서, 제어기(110)는 송신 매체(예를 들어, 네트워크 접속)를 통해 외부 시스템에 데이터를 전송하도록 구성된다.
일 예에서, 검사 툴(102)의 검출기는 임의의 적절한 방식으로 (예를 들어, 도 1에 도시 된 점선으로 표시된 하나 이상의 송신 매체에 의해) 제어기(110)에 연결되어, 제어기(110)가 검출기에 의해 생성된 출력을 수신할 수도 있다. 다른 예로서, 검사 툴(102)이 하나 보다 많은 검출기를 포함하는 경우, 제어기(110)는 전술한 바와 같이 복수의 검출기에 연결될 수도 있다. 본 명세서에서 제어기(110)는 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위해 당해 분야에 공지된 임의의 방법 및/또는 알고리즘을 이용하여, 검사 툴(102)에 의해 수집되고 송신된 검출 데이터를 사용하여 샘플(104)의 하나 이상의 결함을 검출하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 검사 툴(102)은 제어기(110)를 포함하는 시스템 (100)의 다른 서브 시스템으로부터 명령어를 수용하도록 구성될 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 검사 툴(102)은 제어기(110)로부터 명령어를 수신하면, 제공된 명령어(즉, 검사 레시피)에서 식별된 샘플(104)의 위치에서 검사 프로세스를 수행하여, 검사 프로세스의 결과를 제어기(110)에 송신할 수도 있다.
일 실시예에서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 설계 데이터의 반복 셀의 블록에서 하나 이상의 케어 영역을 식별하게 하고, 추가로 샘플(104)의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지 내의 하나 이상의 케어 영역에서 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 프로그램된다. 예를 들어, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 설계 데이터를 수신하게 하도록 프로그램될 수도 있으며, 여기서 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함한다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 사용자 인터페이스(120) 상에 반복 셀들의 블록의 특정 셀을 제공하게 하도록 프로그램될 수도 있다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는, 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 특정 셀에서 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역을 규정하게 하도록 프로그램될 수도 있으며, 여기서 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 갖는다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 특정 셀에서 관심의 대상이 되는 추가의 설계와 연관된 추가의 케어 영역을 규정하게 하도록 프로그램될 수도 있으며, 여기서 추가의 케어 영역은 추가의 감도 임계값을 갖는다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는, 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가적인 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써, 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 반복 셀들의 블록 내의 제1 케어 영역의 세트를 식별하게 하도록 프로그램될 수도 있다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는, 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 반복 셀들의 블록 내의 추가 케어 영역들의 세트를 식별하게 하도록 프로그램될 수 있다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 검사 툴로부터 샘플(104)의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 수신하도록 프로그램될 수도 있다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는, 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 제1 감도 임계값에 기초하여 샘플(104)의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 제1 세트의 케어 영역 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 프로그램될 수 있다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는. 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 추가의 감도 임계값에 기초하여 샘플(104)의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 케어 영역의 추가 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 프로그램될 수 있다. 케어 영역의 감도 임계값은 본 명세서에서 더 상세히 설명된다는 것에 주목하여야 한다.
다른 실시예에서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 설계 데이터의 반복 셀들의 블록에서 하나 이상의 케어 영역을 식별하게 하도록 프로그램된다. 예를 들어, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 설계 데이터를 수신하게 하도록 프로그램될 수도 있으며, 여기서 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함한다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 사용자 인터페이스(120) 상에 반복 셀들의 블록의 특정 셀을 제공하게 하도록 프로그램될 수도 있다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 특정 셀에서 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역을 규정하게 하도록 프로그램될 수도 있으며, 여기서 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 갖는다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 특정 셀을 관심 대상으로 하는 추가 설계와 연관된 추가 케어 영역을 규정하게 하도록 프로그램될 수도 있으며, 여기서 추가 케어 영역은 추가 감도 임계값을 갖는다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는, 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 반복 셀들의 블록 내의 제1 케어 영역의 세트를 식별하게 하도록 프로그램될 수도 있다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는, 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 반복 셀들의 블록 내의 추가 케어 영역의 세트를 식별하게 하도록 프로그램될 수도 있다. 케어 영역의 감도 임계값은 본 명세서에서 더 상세히 설명된다는 것에 주목하여야 한다.
다른 실시예에서, 프로그램 명령어(116)의 세트는, 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 샘플(104)의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 하나 이상의 케어 영역 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 프로그램된다. 예를 들어, 프로그램 명령어(116)의 세트는, 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 제1 케어 영역의 제1 세트를 식별하게 하도록 프로그램될 수도 있으며, 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 갖는다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는, 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 추가의 케어 영역의 추가 세트를 식별하게 하도록 프로그램될 수도 있으며, 여기서 추가의 케어 영역은, 설계 데이터의 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계와 연관되며, 상기 추가의 케어 영역은 추가의 감도 임계값을 갖는다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 검사 툴로부터 샘플(104)의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 수신하게 하도록 프로그램될 수 있다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 제1 감도 임계값에 기초하여 샘플(104)의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 제1 케어 영역의 제1 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 프로그램될 수도 있다. 다른 예로서, 프로그램 명령어(116)의 세트는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 추가의 감도 임계값에 기초하여 샘플(104)의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 추가의 케어 영역의 추가 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 프로그램될 수도 있다. 케어 영역의 감도 임계값은 본 명세서에서 더 상세히 설명된다는 것에 주목하여야 한다.
일 실시예에서, 제어기(110)의 하나 이상의 프로세서(112)는 당해 분야에 공지된 임의의 하나 이상의 처리 요소를 포함한다. 이러한 의미에서, 하나 이상의 프로세서(112)는 알고리즘 및/또는 명령어를 실행하도록 구성된 임의의 마이크로프로세서 디바이스를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서(112)는, 본 개시 내용 전체에 걸쳐 설명된 바와 같이, 데스크톱 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 이미지 컴퓨터, 병렬 프로세서, 차량 온보드 컴퓨터, 핸드헬드 컴퓨터(예를 들어, 태블릿, 스마트폰 또는 패블릿), 또는 시스템(100)을 동작시키도록 구성된 프로그램을 실행하도록 구성된 다른 컴퓨터 시스템(예를 들어, 네트워크화된 컴퓨터)으로 구성될 수도 있다. 본 개시 내용 전체에 걸쳐 기술된 단계들은 단일 컴퓨터 시스템, 또는 대안적으로 복수의 컴퓨터 시스템에 의해 수행될 수도 있음을 인식하여야 한다. 일반적으로, "프로세서"라는 용어는 비일시적인 메모리 매체(예를 들어, 메모리(114))로부터 프로그램 명령어(116)를 실행하는 하나 이상의 처리 요소를 갖는 임의의 디바이스를 포함하도록 광범위하게 규정될 수도 있다. 또한, 시스템(100)의 상이한 서브 시스템들(예를 들어, 검사 툴(102) 또는 사용자 인터페이스(120))은, 본 개시 내용 전체에 걸쳐 기술된 단계들의 적어도 일부를 수행하기에 적합한 프로세서 또는 논리 요소들을 포함할 수도 있다. 그러므로, 상기 설명은 본 발명에 대한 제한으로서 해석되어서는 안되며, 단지 예시에 불과한 것이다.
일 실시예에서, 제어기(110)의 메모리 매체(114)는 연관되 하나 이상의 프로세서(112)에 의해 실행 가능한 프로그램 명령어(116)를 저장하기에 적합한 당해 분야에 공지된 임의의 저장 매체를 포함한다. 예를 들어, 메모리 매체(114)는 비일시적인 메모리 매체를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 메모리 매체(114)는 판독 전용 메모리, 랜덤 액세스 메모리, 자기 또는 광학 메모리 디바이스(예를 들어, 디스크), 자기 테이프, 고체 상태 드라이브 등을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 다른 실시예에서, 메모리(114)는 디스플레이 정보를 디스플레이 디바이스(122) 및/또는 본 명세서에 기술된 다양한 단계들의 출력에 제공하도록 구성된다. 또한, 메모리(114)는 하나 이상의 프로세서(112)와 함께 공통 제어기 하우징에 하우징될 수도 있음을 주목하여야 한다. 다른 실시예에서, 메모리(114)는 프로세서(112) 및 제어기(110)의 물리적 위치에 대해 원격으로 위치될 수도 있다. 예를 들어, 제어기(110)의 하나 이상의 프로세서(112)는 네트워크(예를 들어, 인터넷, 인트라넷 등)를 통해 액세스 가능한 원격 메모리(예를 들어, 서버)에 액세스할 수도 있다. 다른 실시예에서, 메모리 매체(114)는 하나 이상의 프로세서(112)로 하여금 본 개시 내용을 통해 기술된 다양한 단계들을 수행하게 하는 프로그램 명령어(116)를 저장한다.
일 실시예에서, 디스플레이 디바이스(122)는 당해 분야에 공지된 임의의 디스플레이 디바이스를 포함한다. 예를 들어, 디스플레이 디바이스는 액정 디스플레이(LCD)를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 다른 예로서, 디스플레이 디바이스는 유기 발광 다이오드(OLED) 기반 디스플레이를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 예로서, 디스플레이 디바이스는 CRT 디스플레이를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 당업자는 다양한 디스플레이 디바이스가 본 발명에서의 구현에 적합할 수도 있고, 디스플레이 디바이스의 특정 선택은 폼 팩터, 비용 등을 포함하는 다양한 인자들에 의존할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다는 것을 인식할 것이다. 일반적인 의미에서, 사용자 입력 디바이스(예를 들어, 터치스크린, 베젤 장착 인터페이스, 키보드, 마우스, 트랙패드 등)와 통합될 수 있는 임의의 디스플레이 디바이스가 본 발명에서의 구현에 적합하다.
일 실시예에서, 사용자 입력 디바이스(124)는 당해 분야에 공지된 임의의 사용자 입력 디바이스를 포함한다. 예를 들어, 사용자 입력 디바이스(124)는 키보드, 키패드, 터치스크린, 레버, 노브, 스크롤 휠, 트랙 볼, 스위치, 다이얼, 슬라이딩 바, 스크롤 바, 슬라이드, 핸들, 터치 패드, 패들(paddle), 스티어링 휠, 조이스틱, 베젤 입력 디바이스 등을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 터치스크린 인터페이스의 경우, 당업자는 복수의 터치스크린 인터페이스가 본 발명에서의 구현에 적합할 수도 있음을 인식하여야 한다. 예를 들어, 디스플레이 디바이스(122)는 용량성 터치스크린, 저항성 터치스크린, 표면 음향 기반 터치스크린, 적외선 기반 터치스크린 등과 같은 터치스크린 인터페이스와 통합될 수도 있다. 일반적인 의미에서, 디스플레이 디바이스의 디스플레이 부와 통합될 수 있는 임의의 터치스크린 인터페이스는, 본 발명에서의 구현에 적합하다. 다른 실시예에서, 사용자 입력 디바이스(124)는 베젤 장착 인터페이스를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
도 1에 도시된 시스템(100)의 실시예는 본 명세서에 설명된 바와 같이 추가로 구성될 수도 있다. 또한, 시스템(100)은 본 명세서에 설명된 임의의 시스템 및 방법 실시예(들)의 임의의 다른 단계(들)을 수행하도록 구성될 수도 있다.
도 2a 내지 도 2c는 본 개시 내용에 따른 일련의 설계 데이터(200) 내의 반복 셀들의 블록으로부터의 셀(202)을 도시한다. 본 명세서에서는, 본 명세서에서 이전에 설명된 다양한 시스템 및 방법의 실시예, 구성요소 및 아키텍처는 도 2의 데이터(200)로 확장되는 것으로 해석되어야 한다는 것에 주목하여야 한다.
일 실시예에서, 설계 데이터(200)는 반도체 웨이퍼의 전기적 구조(예를 들어, SRAM 블록) 및 상기 전기적 구조 내의 하나 이상의 결함의 잠재적인 위치를 식별하기 위해 분석된다. 다른 실시예에서, 제어기(110)는 설계 데이터(200) 내의 반복 셀들의 블록으로부터 특정 셀(202)을 선택한다. 다른 실시예에서, 셀(202)은 관심의 대상이 되는 하나 이상의 설계를 포함하며, 여기서 관심의 대상이 되는 하나 이상의 설계는 하나 이상의 결함에 대한 잠재적 위치에 대응한다. 다른 실시예에서, 관심의 대상이 되는 하나 이상의 설계는 패턴화될 수도 있다. 예를 들어, 셀(202)은 관심의 대상이 되는 제1 패턴화된 설계(201a)를 포함할 수도 있다. 다른 예로서, 셀(202)은 관심의 대상이 되는 하나 이상의 추가 패턴화된 설계(201b)를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 특정 셀(202)은 사용자에게 디스플레이된다. 예를 들어, 셀(202)은 사용자 인터페이스(120)의 디스플레이(122) 상에 디스플레이될 수도 있다. 다른 실시예에서, 관심의 대상이 되는 하나 이상의 설계는 비패턴화될 수도 있다(즉, 설계 데이터에 대해 단수형임).
다른 실시예에서, 관심의 대상이 되는 하나 이상의 패턴화된 설계들은 패턴화된 구역들로 그룹화될 수도 있다. 예를 들어, 관심의 대상이 되는 하나 이상의 패턴화된 설계는 관심의 대상이 되는 패턴화된 설계에 존재하는 반복의 양, 관심의 대상이 되는 패턴화된 설계와 연관된 패턴의 복잡성, 및 관심의 대상이 되는 패턴화된 설계의 방향에 기초한 그룹일 수도 있다. 본 명세서에서, 주어진 패턴 구역은 또한 관심의 대상이 되는 비패턴화된 설계(즉, 설계 데이터에 대해 관심의 대상이 되는 단수형 설계)를 포함할 수도 있음을 주목하여야 한다. 다른 실시예에서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 관심의 대상이 되는 2 이상의 패턴 화된 설계는 셀(202) 내의 패턴화된 구역으로 함께 그룹화될 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 제어기(110)는 제1 케어 영역(204)을 규정한다. 예를 들어, 제1 케어 영역(204)은 셀(202) 내의 관심의 대상이 되는 하나 이상의 설계의 일부를 포함하도록 규정될 수도 있다. 예를 들어, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제1 케어 영역(204)은 관심의 대상이 되는 패턴화된 설계(201a)와 관심의 대상이 되는 패턴화된 설계(201b)의 일부를 포함한다. 다른 실시예에서, 제1 케어 영역(204)은, 사용자 인터페이스(120)의 사용자 입력(124)을 통해 사용자에 의해 선택된 셀(202) 내의 패턴화된 구역의 일부에 기초하여 규정된다. 예를 들어, 사용자 입력(124)이 마우스 커서인 경우, 사용자는 셀(202)을 클릭하고 드래그하여 규칙적인 또는 불규칙적인 형상의 제1 케어 영역(204)을 규정할 수도 있다. 다른 예로서, 사용자 입력(124)이 스타일러스 펜 및 터치패드인 경우에, 사용자는 셀(202) 상에 드로잉하여 규칙적인 또는 불규칙한 형상의 제1 케어 영역(204)을 규정할 수도 있다. 다른 실시예에서, 셀(202) 내의 제1 케어 영역(204)의 임의의 반복은 셀(202) 내에서 규정된다. 예를 들어, 제어기(110)는 일련의 프로그램 명령어를 통해 셀(202) 내의 제1 케어 영역(204)의 반복을 자동으로 규정할 수도 있다. 다른 예로서, 사용자는 셀(202) 내의 제1 케어 영역(204)의 반복을 수동으로 규정할 수도 있다.
다른 실시예에서, 제어기(110)는 하나 이상의 추가 케어 영역(206)을 규정한다. 예를 들어, 하나 이상의 추가 케어 영역(206)은 셀(202) 내의 관심의 대상이 되는 하나 이상의 설계의 일부를 포함하도록 규정될 수도 있다. 예를 들어, 도 2c에 도시된 바와 같이, 규정된 추가 케어 영역(206)은 관심의 대상이 되는 패턴화된 설계(201a)의 일부를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 추가 케어 영역(206)은, 본 명세서에서 더 상세히 설명된 바와 같이, 제1 케어 영역(204)보다 덜 민감하다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 추가 케어 영역(206)은 사용자 인터페이스(120)의 사용자 입력(124)을 통해 사용자에 의해 선택된 셀(202) 내의 패턴화된 구역의 일부에 기초하여 규정된다. 예를 들어, 사용자 입력(124)이 마우스 커서인 경우, 사용자는 셀(202)을 클릭하고 드래그하여 규칙적인 또는 불규칙적인 형상의 하나 이상의 추가 케어 영역(206)을 규정할 수도 있다. 다른 예로서, 사용자 입력(124)이 스타일러스 펜 및 터치패드인 경우에, 사용자는 터치패드 또는 디스플레이(122)를 통해 셀(202) 상에 드로잉하여 규칙적인 또는 불규칙적인 형상의 하나 이상의 추가 케어 영역(206)을 규정할 수도 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 추가 케어 영역(206)의 임의의 반복은 셀(202) 내에서 규정된다. 예를 들어, 제어기(110)는 일련의 프로그램 명령어들을 통해 셀(202) 내의 하나 이상의 추가 케어 영역(206)의 반복을 자동으로 규정할 수도 있다. 다른 예로서, 사용자는 셀(202) 내의 하나 이상의 추가 케어 영역(204)의 반복을 수동으로 규정할 수도 있다.
다른 실시예에서, 제어기(110)는 규정된 제1 케어 영역(204) 및 하나 이상의 추가 케어 영역(206)을 설계 데이터(200) 내의 반복 셀들의 블록의 나머지 셀들에 적용하기 위한 검색 기능을 수행한다. 예를 들어, 검색 기능은 픽셀 대 설계 정렬(pixel-to-design alignment; PDA) 기능일 수도 있다. 설계 데이터를 웨이퍼 검사 데이터에 정렬하기 위한 방법 및 시스템은, 2010년 3월 9일자로 발행된 미국 특허 번호 제7,676,077호에 기재되어 있으며, 이는 그 전체가 본 명세서에 참조로서 통합된다.
일 실시예에서, 규정된 제1 케어 영역(204)은 대응하는 제1 감도 임계값을 갖는다. 다른 실시예에서, 규정된 하나 이상의 추가 케어 영역(206)은 대응하는 하나 이상의 추가 감도 임계값을 갖는다. 다른 실시예에서, 제1 케어 영역(204)은 하나 이상의 추가 케어 영역(206)보다 높은 감도 임계값을 갖는다. 본 명세서에서, 케어 영역의 "감도 임계값"이 샘플의 선택된 영역의 하나 이상의 이미지의 케어 영역 내의 결함의 임계에 대응한다는 것을 주목하여야 한다. 예를 들어, 감도 임계값이 높은 케어 영역의 결함은, 감도 임계값이 낮은 케어 영역의 결함보다 웨이퍼에 더 중요할 수도 있다. 또한, 본 개시 내용의 목적 상, 감도 임계값이 높은 케어 영역은, “보다 민감한” 케어 영역인 것으로서 규정된다는 것에 주목하여야 한다.
또 다른 실시예에서, 케어 영역의 감도 임계값은 케어 영역 내의 비교 마커들의 수에 의해 규정된다. 예를 들어 비교 마커들의 수가 적으면 케어 영역에 대한 감도 임계값이 높아질 수도 있다. 이 예에서, 하나 이상의 비교 마커가 누락된 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지의 케어 영역은, 결함을 갖는 것으로 식별될 수도 있다. 예를 들어, 제1 케어 영역(204)이 하나 이상의 추가 케어 영역(206)보다 높은 감도 임계값을 갖는 경우, 검출이 식별되기 이전에 하나 이상의 추가 케어 영역(206)으로부터 누락될 수도 있는 비교 마커들의 수와 비교하여, 검출이 식별되기 이전에 제1 케어 영역(206)으로부터 비교 마커들이 더 적게 누락될 수도 있다.
다른 예로써, 비교 마커의 수가 더 많아지면 케어 영역에 대한 감도 임계값이 높아진다. 이 예에서, 비교 마커의 최소 수가 선택된 구역의 하나 이상의 이미지에서 케어 영역 내에서 발견되지 않으면, 그 케어 영역은 결함을 갖는 것으로 식별된다. 예를 들어, 제1 케어 영역(204)이 하나 이상의 추가 케어 영역(206)보다 높은 감도 임계값을 갖는 경우, 제1 케어 영역(204)은, 하나 이상의 추가 케어 영역(206)이 가져야 하는 비교 마커들의 수와 비교 하여, 식별되지 않은 결함에 대하여 더 많은 수의 비교 마커를 가져야 한다.
본 개시 내용의 실시예의 이점은, 제1 케어 영역(204) 및 하나 이상의 추가 케어 영역(206)을 가진 셀(202)을 설계 데이터(200) 내의 반복 셀들의 블록 내의 나머지 셀들과 정렬시키도록 PDA를 구현함으로써, 검사 프로세스 동안에 케어 영역을 규정할 필요없이 런타임 컨텍스트 맵(run-time context map; RTCM) 렌더링을 수행하는 것을 포함한다. 본 명세서에서, RTCM 렌더링은 수평으로, 그 다음 수직으로 렌더링함으로써 단순화될 수도 있음을 주목하여야 한다. 대안으로, RTCM 렌더링은 수직으로, 그 다음 수평으로 렌더링함으로써 단순화될 수도 있다. 검출 단계 및/또는 본 명세서에 기술된 임의의 다른 단계들을 위해 RTCM을 사용하는 것은 또한, 2010년 3월 9일자로 발행된 미국 특허 번호 제7,676,077 호; 2011년 1월 25일자로 발행된 미국 특허 번호 제7,877,722호; 그리고 2015년 11월 10일자로 발행된 미국 특허 번호 제9,183,624호에 기술된 바와 같이 수행될 수도 있으며, 이들 각각은 그 전체가 본 명세서에서 참조로서 통합된다.
본 개시 내용의 실시예의 이점은 또한, 검사 프로세스 동안에 설계 데이터에서 관찰되는 것을 기초로 하는 대신에, 사용자로 하여금, 반복 구조에서 관심의 대상이 되는 설계가 어디에서 발생할 수 있는지에 대한 사용자의 지식에 따라 설계 데이터에 케어 영역 어레이를 렌더링하게 하는 것을 포함한다. 본 명세서에서는, 검사 프로세스 동안에 설계 데이터에서 관찰되는 것을 기초로 하는 대신에, 사용자의 선택에 따라 케어 영역 어레이를 렌더링하는 것은, 검사 프로세스의 처리 속도를 희생시키지 않고 케어 영역 어레이의 감도 임계값을 증가시킬 수 있고, 사용자 규정된 케어 영역 어레이 방법을 구현하는 툴을 더 많이 채택 할 여력을 제공하며, 툴 사용을 훨씬 용이해지게 할 수 있다. 예를 들어 검사 프로세스 동안에 렌더링된 케어 영역 대신에 검사 중에 사용자 규정된 케어 영역을 구현하는 것은, 케어 영역 어레이의 RTCM 렌더링에 필요한 계산 비용을 감소시킬 수도 있으며, 이는 검사 프로세스 동안에 설계 데이터로부터 케어 영역을 렌더링하는데 소요되는 시간을 감소시킬 수 있다.
도 3은 일련의 설계 데이터에서 하나 이상의 규정된 케어 영역을 갖는 샘플 검사 이미지의 세트에서 하나 이상의 결함을 식별하는 방법(300)을 나타내는 프로세스 흐름도를 도시한다. 상기 방법은 또한 본 명세서에 기술된 출력 획득 서브 시스템 및/또는 컴퓨터 서브 시스템(들) 또는 시스템(들)에 의해 수행될 수 있는 임의의 다른 단계(들)을 포함할 수도 있다. 단계들은 본 명세서에서 설명된 임의의 실시예에 따라 구성될 수도 있는 하나 이상의 컴퓨터 시스템에 의해 수행될 수도 있다. 본 명세서에서, 방법(300)의 단계들은 시스템 (100)에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 구현될 수도 있음을 주목하여야 한다. 그러나, 방법(300)은 추가적인 또는 대안적인 시스템 레벨 실시예가 방법(300)의 단계들의 전부 또는 일부를 수행할 수도 있다는 점에서 시스템(100)으로 제한되지 않는다는 것이 인식된다.
단계 302에서, 반복 셀들의 블록으로부터의 특정 셀이 디스플레이된다. 일 실시예에서, 제어기(110)는 설계 데이터를 수신한다. 다른 실시예에서, 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함한다. 다른 실시예에서, 반복 셀들의 블록으로부터 특정 셀이 선택되어 디스플레이된다. 예를 들어, 특정 셀은 사용자 인터페이스(120)의 디스플레이(122) 상에 디스플레이될 수도 있다.
단계 304에서, 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역이 특정 셀에서 규정된다. 일 실시예에서, 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역은 사용자로부터 수신된다. 예를 들어, 제1 케어 영역은 사용자 인터페이스(120)의 사용자 입력(124)을 통해 사용자로부터 수신될 수도 있다. 다른 실시예에서, 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 가지며, 여기서 제1 감도 임계값은 제1 케어 영역 내의 비교 마커들의 수에 의해 규정된다. 예를 들어, 제1 케어 영역의 비교 마커들의 수는 100일 수도 있다. 다른 실시예에서, 패턴 검색 기능은 제1 케어 영역을 특정 셀을 관심의 대상으로 하는 연관된 제1 설계의 반복 인스턴스에 적용하도록 수행된다.
단계 306에서, 관심의 대상이 되는 하나 이상의 추가 설계와 연관된 하나 이상의 추가 케어 영역이 규정된다. 일 실시예에서, 관심의 대상이 되는 하나 이상의 추가 설계와 연관된 하나 이상의 추가 케어 영역이 사용자로부터 수신된다. 예를 들어, 하나 이상의 추가적인 케어 영역은 사용자 인터페이스(120)의 사용자 입력(124)을 통해 사용자로부터 수신될 수도 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 추가 케어 영역은 하나 이상의 추가 감도 임계값을 가지며, 여기서 하나 이상의 추가 감도 임계값은 하나 이상의 추가 케어 영역 내의 비교 마커들의 수에 의해 규정된다. 예를 들어, 제2 케어 영역은 200의 제2 감도 임계값을 가질 수도 있다. 다른 예로서, 제3 케어 영역은 300의 제3 감도 임계값을 가질 수도 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 추가 케어 영역은, 제1 케어 영역보다 덜 민감하다(예를 들어, 하나 이상의 추가 케어 영역은 제1 케어 영역보다 낮은 감도 임계값을 갖음). 다른 실시예에서, 패턴 검색 기능은 특정 셀을 관심의 대상으로 하는 연관된 하나 이상의 추가 설계의 반복 인스턴스에 하나 이상의 추가 케어 영역을 적용하도록 수행된다.
단계 308에서, 제1 케어 영역 및 하나 이상의 추가 케어 영역이 반복 셀들의 블록 전체에 걸쳐 적용된다. 일 실시예에서, 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계의 하나 이상의 추가 발생들에 제1 케어 영역을 적용하기 위해 패턴 검색 기능이 수행된다. 다른 실시예에서, 반복 셀들의 블록 내의 제1 케어 영역의 세트는 관심의 대상이 되는 제1 설계의 식별된 하나 이상의 추가 발생으로부터 식별된다. 다른 실시예에서, 패턴 검색 기능은 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 하나 이상의 추가 설계의 하나 이상의 추가 발생에 하나 이상의 추가 케어 영역을 적용하도록 수행된다. 다른 실시예에서, 반복 셀들의 블록을 갖는 하나 이상의 추가 케어 영역의 하나 이상의 추가 세트들은, 관심의 대상이 되는 하나 이상의 추가 설계의 식별된 하나 이상의 추가 발생으로부터 식별된다.
단계 310에서, 샘플의 선택된 영역의 하나 이상의 이미지 내의 하나 이상의 결함이 식별된다. 일 실시예에서, 검사 툴로부터의 샘플의 선택된 영역의 하나 이상의 이미지가 수신된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 결함은 샘플의 하나 이상의 이미지의 케어 영역 내에서 식별된다. 예를 들어, 하나 이상의 이미지의 제1 케어 영역의 세트 내의 하나 이상의 결함이 제1 감도 임계값에 기초하여 식별된다. 다른 예로서, 하나 이상의 이미지의 하나 이상의 추가 케어 영역 내의 하나 이상의 결함은, 하나 이상의 추가 감도 임계값에 기초하여 식별된다.
본 명세서에서는 관심의 대상이 되는 최대 N 개의 설계와 연관되는 최대 N 개의 케어 영역이 반복 셀들의 블록의 특정 셀 내에 규정될 수도 있음을 주목하여야 한다. 또한, 본 명세서에서는 관심의 대상이 되는 최대 N 개의 설계와 연관되는 최대 N 개의 케어 영역이 사용자로부터 수신될 수도 있음을 주목하여야 한다. 본 명세서에서 최대 N 개의 케어 영역은 최대 N 개의 감도 임계값을 가질 수도 있으며, 여기서 최대 N 개의 감도 임계값은 최대 N 개의 케어 영역에서 비교 마커들의 수에 의해 규정된다. 또한, 본 명세서에서 패턴 검색 기능은 특정 셀에서 관심의 대상이 되는 연관된 최대 N 개의 설계의 반복 인스턴스에 최대 N 개의 케어 영역을 적용하도록 수행될 수도 있음을 주목하여야 한다. 본 명세서에서 패턴 검색 기능은 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 최대 N 개의 설계의 최대 N 개의 발생에 최대 N 개의 케어 영역을 적용하도록 수행될 수도 있음을 주목하여야 한다. 또한, 본 명세서에서 최대 N 개의 케어 영역의 최대 N 개의 세트가, 관심의 대상이 되는 최대 N 개의 설계의 식별된 최대 N 개의 발생으로부터 식별될 수도 있음을 주목하여야 한다. 또한, 본 명세서에서, 하나 이상의 이미지의 최대 N 개의 케어 영역 내의 하나 이상의 결함은, 최대 N 개의 감도 임계값에 기초하여 식별될 수도 있음을 주목하여야 한다. 그러므로, 상기 설명은 본 발명에 대한 제한으로서 해석되어서는 안되며 단지 예시에 불과한 것이다.
본 명세서에서는 규정된 감도 임계값들 중 임의의 것이 다른 규정된 감도 임계값들에 의존적이거나 독립적일 수도 있음을 주목하여야 한다. 또한, 본 명세서에서 위에서 구현된 임의의 패턴 검색 기능은 자동화될 수 없지만, 그 대신에 사용자에 의해 수동으로 수행될 수도 있다. 그러므로, 상기 설명은 본 발명에 대한 제한으로서 해석되어서는 안되며 단지 예시에 불과한 것이다.
본 발명의 특정 실시예가 예시되었지만, 전술한 개시 내용의 범위 및 사상을 벗어나지 않고 본 발명의 다양한 수정 및 실시예가 당업자에 의해 만들어질 수도 있음이 명백하다. 따라서, 본 발명의 범위는 여기에 첨부된 청구범위에 의해서만 제한되어야 한다.

Claims (20)

  1. 시스템에 있어서,
    검사 툴 - 상기 검사 툴은 샘플의 선택된 구역(region)의 하나 이상의 이미지를 획득하도록 구성되는 검출기를 포함함 - 과,
    사용자 인터페이스 - 상기 사용자 인터페이스는 디스플레이 및 사용자 입력 디바이스를 포함함 - 와,
    메모리에 저장된 프로그램 명령어들의 세트를 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함하는 제어기
    를 포함하며,
    상기 프로그램 명령어들은, 상기 하나 이상의 프로세서로 하여금,
    설계 데이터를 수신하게 하고 - 상기 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함함 - ,
    상기 사용자 인터페이스 상에, 상기 반복 셀들의 블록의 특정 셀을 제공하게 하고,
    상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 제1 입력으로부터 상기 특정 셀 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계(first design of interest)와 연관된 제1 케어 영역(care area)을 규정하게 하고 - 상기 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 가짐 - ,
    상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 추가 입력으로부터 상기 특정 셀 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계와 연관된 추가 케어 영역을 규정하게 하고 - 상기 추가 케어 영역은 추가 감도 임계값을 가지고, 상기 제1 케어 영역은 추가 케어 영역보다 더 민감함 - ,
    상기 반복 셀들의 블록 내의 상기 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색(search) 기능을 수행함으로써, 상기 반복 셀들의 블록 내의 제1 케어 영역들의 세트를 식별하게 하고,
    상기 반복 셀들의 블록 내의 상기 관심의 대상이 되는 추가 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써, 상기 반복 셀들의 블록 내의 추가 케어 영역들의 세트를 식별하게 하고,
    상기 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득할 때 검사 시간을 감소시키도록 상기 제1 케어 영역들의 세트 및 추가 케어 영역들의 세트에 기초하여 상기 검사 툴을 구성하게 하고,
    상기 검사 툴로부터 상기 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 수신하게 하고,
    상기 제1 감도 임계값에 기초하여 상기 샘플의 상기 선택된 구역의 상기 하나 이상의 이미지에서 상기 제1 케어 영역들의 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하고,
    상기 추가 감도 임계값에 기초하여 상기 샘플의 상기 선택된 구역의 상기 하나 이상의 이미지에서 추가 케어 영역들의 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 구성되고,
    상기 제1 케어 영역 및 상기 추가 케어 영역은, 상기 사용자 인터페이스를 통하여 상기 제어기에 의해 수신된 선택에 기초하여 규정되고,
    상기 제1 감도 임계값과 상기 추가 감도 임계값은 각각 상기 제1 케어 영역과 상기 추가 케어 영역 내의 비교 마커들의 수에 의해 결정되는 것인 시스템,
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 반복 셀들의 블록 내의 연관된 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가 발생을 식별하는 상기 검색 기능은, 픽셀 대 설계(pixel-to-design) 정렬 프로세스를 포함하는 것인 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 상기 추가 설계의 추가 발생을 식별하는 상기 검색 기능은, 픽셀 대 설계 정렬 프로세스를 포함하는 것인 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반복 셀들의 블록 내의 상기 식별된 제1 케어 영역들의 세트 및 상기 반복 셀들의 블록 내의 상기 식별된 추가 케어 영역들의 세트 중 적어도 하나는, 런타임 컨텍스트 맵 렌더링을 수행하는데 이용되는 것인 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 케어 영역 내의 복수의 비교 마커들의 수가 적을수록 상기 제1 케어 영역에 대한 감도 임계값이 높아지는 것인 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 추가 케어 영역 내의 복수의 비교 마커들의 수가 적을수록 상기 추가 케어 영역에 대한 감도 임계값이 높아지는 것인 시스템.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 감도 임계값은 상기 추가 감도 임계값보다 높은 것인 시스템.
  9. 제1항에 있어서, 상기 검사 툴은 암시야(darkfield) 검사 툴 또는 명시야(brightfield) 검사 툴 중 적어도 하나를 포함하는 것인 시스템.
  10. 제1항에 있어서, 상기 시스템은 조명 소스를 포함하는 것인 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 조명 소스는, 협대역 소스 또는 광대역 소스 중 적어도 하나를 포함하는 것인 시스템.
  12. 제1항에 있어서, 상기 검사 툴은 스캐닝 전자 마이크로스코피(scanning electron microscopy; SEM) 툴을 포함하는 것인 시스템.
  13. 시스템에 있어서,
    사용자 인터페이스 - 상기 사용자 인터페이스는 디스플레이 및 사용자 입력 디바이스를 포함함 - 와,
    메모리에 저장된 프로그램 명령어들의 세트를 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함하는 제어기
    를 포함하며,
    상기 프로그램 명령어들은, 상기 하나 이상의 프로세서로 하여금,
    설계 데이터를 수신하게 하고 - 상기 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함함 - ,
    상기 사용자 인터페이스 상에, 상기 반복 셀들의 블록의 특정 셀을 제공하게 하고,
    상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 제1 입력으로부터 상기 특정 셀 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역을 규정하게 하고 - 상기 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 가짐 - ,
    상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 추가 입력으로부터 상기 특정 셀 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계와 연관된 추가 케어 영역을 규정하게 하고 - 상기 추가 케어 영역은 추가 감도 임계값을 가지며, 상기 제1 케어 영역은 상기 추가 케어 영역보다 더 민감함 - ,
    상기 반복 셀들의 블록 내의 상기 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써, 상기 반복 셀들의 블록 내의 제1 케어 영역들의 세트를 식별하게 하고,
    상기 반복 셀들의 블록 내의 상기 관심의 대상이 되는 추가 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써, 상기 반복 셀들의 블록 내의 추가 케어 영역들의 세트를 식별하게 하고,
    샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득할 때 검사 시간을 감소시키도록 상기 제1 케어 영역들의 세트 및 상기 추가 케어 영역들의 세트에 기초하여 검사 툴을 구성하게 하도록 구성되고,
    상기 검사 툴은 상기 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득하도록 구성된 검출기를 포함하고,
    상기 제1 케어 영역 및 상기 추가 케어 영역은, 상기 사용자 인터페이스를 통하여 상기 제어기에 의해 수신된 선택에 기초하여 규정되고,
    상기 제1 감도 임계값과 상기 추가 감도 임계값은 각각 상기 제1 케어 영역과 상기 추가 케어 영역 내의 비교 마커들의 수에 의해 결정되는 것인 시스템.
  14. 시스템에 있어서,
    검사 툴 - 상기 검사 툴은 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득하도록 구성되는 검출기를 포함함 - 와,
    메모리에 저장된 프로그램 명령어들의 세트를 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함하는 제어기
    를 포함하며,
    상기 프로그램 명령어들은, 상기 하나 이상의 프로세서로 하여금,
    제1 케어 영역의 세트를 식별하게 하고 - 상기 제1 케어 영역은 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 제1 입력으로부터 규정되며, 상기 제1 케어 영역은 설계 데이터의 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관되며, 상기 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 가지며, 상기 사용자 인터페이스는 디스플레이 및 사용자 입력 디바이스를 포함함 - ,
    추가 케어 영역의 세트를 식별하게 하고 - 상기 추가 케어 영역은 상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 추가 입력으로부터 규정되며, 상기 추가 케어 영역은 설계 데이터의 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계와 연관되며, 상기 추가 케어 영역은 추가 감도 임계값을 가지며, 상기 제1 케어 영역은 상기 추가 케어 영역보다 더 민감함 - ,
    상기 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득할 때 검사 시간을 감소시키도록 상기 제1 케어 영역의 세트 및 상기 추가 케어 영역의 세트에 기초하여 상기 검사 툴을 구성하게 하고,
    상기 검사 툴로부터 상기 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 수신하게 하고,
    상기 제1 감도 임계값에 기초하여 상기 샘플의 상기 선택된 구역의 상기 하나 이상의 이미지에서 상기 제1 케어 영역의 제1 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하고,
    상기 추가 감도 임계값에 기초하여 상기 샘플의 상기 선택된 구역의 상기 하나 이상의 이미지에서 상기 추가 케어 영역의 추가 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하게 하도록 구성되고,
    상기 제1 케어 영역 및 상기 추가 케어 영역은, 상기 사용자 인터페이스를 통하여 상기 제어기에 의해 수신된 선택에 기초하여 규정되고,
    상기 제1 감도 임계값과 상기 추가 감도 임계값은 각각 상기 제1 케어 영역과 상기 추가 케어 영역 내의 비교 마커들의 수에 의해 결정되는 것인 시스템,
  15. 방법에 있어서,
    설계 데이터를 수신하는 단계 - 상기 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함함 - 와,
    사용자 인터페이스 상에, 상기 반복 셀들의 블록의 특정 셀을 제공하는 단계 - 상기 사용자 인터페이스는 디스플레이 및 사용자 입력 디바이스를 포함함 - 와,
    상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 제1 입력으로부터 상기 특정 셀 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역을 규정하는 단계 - 상기 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 가짐 - 와,
    상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 추가 입력으로부터 상기 특정 셀 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계와 연관된 추가 케어 영역을 규정하는 단계 - 상기 추가 케어 영역은 추가 감도 임계값을 가지며, 상기 제1 케어 영역은 상기 추가 케어 영역보다 더 민감함 - 와,
    상기 반복 셀들의 블록 내의 상기 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써, 상기 반복 셀들의 블록 내의 제1 케어 영역들의 세트를 식별하는 단계와,
    상기 반복 셀들의 블록 내의 상기 관심의 대상이 되는 상기 추가 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써, 상기 반복 셀들의 블록 내의 추가 케어 영역들의 세트를 식별하는 단계와,
    샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득할 때 검사 시간을 감소시키도록 상기 제1 케어 영역들의 세트 및 상기 추가 케어 영역들의 세트에 기초하여 검사 툴을 구성하는 단계 - 상기 검사 툴은 상기 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득하도록 구성되는 검출기를 포함함 - 와,
    상기 검사 툴로부터 상기 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 수신하는 단계와,
    상기 제1 감도 임계값에 기초하여 상기 샘플의 상기 선택된 구역의 상기 하나 이상의 이미지에서 상기 제1 케어 영역들의 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하는 단계와,
    상기 추가 감도 임계값에 기초하여 상기 샘플의 상기 선택된 구역의 상기 하나 이상의 이미지에서 상기 추가 케어 영역들의 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 케어 영역 및 상기 추가 케어 영역은, 상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 선택에 기초하여 규정되고,
    상기 제1 감도 임계값과 상기 추가 감도 임계값은 각각 상기 제1 케어 영역과 상기 추가 케어 영역 내의 비교 마커들의 수에 의해 결정되는 것인 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 케어 영역 내의 비교 마커들의 수가 적을수록 상기 제1 케어 영역에 대한 감도 임계값이 더 커지는 것인 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 추가 케어 영역 내의 복수의 비교 마커들의 수가 적을수록 상기 추가 케어 영역에 대한 감도 임계값이 더 커지는 것인 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 제1 감도 임계값은 상기 추가 감도 임계값보다 높은 것인 방법.
  19. 방법에 있어서,
    설계 데이터를 수신하는 단계 - 상기 설계 데이터는 반복 셀들의 블록을 포함함 - 와,
    사용자 인터페이스 상에, 상기 반복 셀들의 블록의 특정 셀을 제공하는 단계 - 상기 사용자 인터페이스는 디스플레이 및 사용자 입력 디바이스를 포함함 - 와,
    상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 제1 입력으로부터 상기 특정 셀 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관된 제1 케어 영역을 규정하는 단계 - 상기 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 가짐 - 와,
    상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 추가 입력으로부터 상기 특정 셀 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계와 연관된 추가 케어 영역을 규정하는 단계 - 상기 추가 케어 영역은 추가 감도 임계값을 가지며, 상기 제1 케어 영역은 상기 추가 케어 영역보다 더 민감함 - 와,
    상기 반복 셀들의 블록 내의 상기 관심의 대상이 되는 제1 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써, 상기 반복 셀들의 블록 내의 제1 케어 영역들의 세트를 식별하는 단계와,
    상기 반복 셀들의 블록 내의 상기 관심의 대상이 되는 추가 설계의 추가 발생을 식별하기 위해 검색 기능을 수행함으로써, 상기 반복 셀들의 블록 내의 추가 케어 영역들의 세트를 식별하는 단계와,
    샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득할 때 검사 시간을 감소시키도록 상기 제1 케어 영역들의 세트 및 상기 추가 케어 영역들의 세트에 기초하여 검사 툴을 구성하는 단계
    를 포함하며,
    상기 검사 툴은 상기 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득하도록 구성되는 검출기를 포함하고,
    상기 제1 케어 영역 및 상기 추가 케어 영역은, 상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 선택에 기초하여 규정되고,
    상기 제1 감도 임계값과 상기 추가 감도 임계값은 각각 상기 제1 케어 영역과 상기 추가 케어 영역 내의 비교 마커들의 수에 의해 결정되는 것인 방법.
  20. 방법에 있어서,
    제1 케어 영역들의 제1 세트를 식별하는 단계 - 상기 제1 케어 영역은 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 제1 입력으로부터 규정되며, 상기 제1 케어 영역은 설계 데이터의 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 제1 설계와 연관되며, 상기 제1 케어 영역은 제1 감도 임계값을 가지며, 상기 사용자 인터페이스는 디스플레이 및 사용자 입력 디바이스를 포함함 - 와,
    추가 케어 영역들의 세트를 식별하는 단계 - 상기 추가 케어 영역은 상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 추가 입력으로부터 규정되며, 상기 추가 케어 영역은 설계 데이터의 반복 셀들의 블록 내의 관심의 대상이 되는 추가 설계와 연관되며, 상기 추가 케어 영역은 추가 감도 임계값을 가지며, 상기 제1 케어 영역은 상기 추가 케어 영역보다 더 민감함 - 와,
    샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득할 때 검사 시간을 감소시키도록 상기 제1 케어 영역들의 세트 및 상기 추가 케어 영역들의 세트에 기초하여 검사 툴을 구성하는 단계 - 상기 검사 툴은 상기 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 획득하도록 구성되는 검출기를 포함함 - 와,
    상기 검사 툴로부터 상기 샘플의 선택된 구역의 하나 이상의 이미지를 수신하는 단계와,
    상기 제1 감도 임계값에 기초하여 상기 샘플의 상기 선택된 구역의 상기 하나 이상의 이미지에서 상기 제1 케어 영역들의 제1 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하는 단계와,
    상기 추가 감도 임계값에 기초하여 상기 샘플의 상기 선택된 구역의 상기 하나 이상의 이미지에서 상기 추가 케어 영역들의 추가 세트 내의 하나 이상의 결함을 식별하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 케어 영역 및 상기 추가 케어 영역은, 상기 사용자 인터페이스를 통하여 수신된 선택에 기초하여 규정되고,
    상기 제1 감도 임계값과 상기 추가 감도 임계값은 각각 상기 제1 케어 영역과 상기 추가 케어 영역 내의 비교 마커들의 수에 의해 결정되는 것인 방법.
KR1020187031347A 2016-03-29 2017-03-28 설계 데이터의 반복 구조를 관심의 대상으로 하는 설계를 규정하기 위한 시스템 및 방법 KR102244576B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662314725P 2016-03-29 2016-03-29
US62/314,725 2016-03-29
US15/351,813 2016-11-15
US15/351,813 US10339262B2 (en) 2016-03-29 2016-11-15 System and method for defining care areas in repeating structures of design data
PCT/US2017/024506 WO2017172743A2 (en) 2016-03-29 2017-03-28 System and method for defining designs of interest in repeating structures of design data

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180122032A KR20180122032A (ko) 2018-11-09
KR102244576B1 true KR102244576B1 (ko) 2021-04-23

Family

ID=59961635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187031347A KR102244576B1 (ko) 2016-03-29 2017-03-28 설계 데이터의 반복 구조를 관심의 대상으로 하는 설계를 규정하기 위한 시스템 및 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10339262B2 (ko)
KR (1) KR102244576B1 (ko)
CN (1) CN108780051B (ko)
TW (1) TWI710891B (ko)
WO (1) WO2017172743A2 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11308606B2 (en) 2019-08-16 2022-04-19 Kla Corporation Design-assisted inspection for DRAM and 3D NAND devices
US11127136B2 (en) * 2019-12-05 2021-09-21 Kla Corporation System and method for defining flexible regions on a sample during inspection
US11887296B2 (en) * 2021-07-05 2024-01-30 KLA Corp. Setting up care areas for inspection of a specimen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140105482A1 (en) 2012-10-15 2014-04-17 Kla-Tencor Corporation Detecting Defects on a Wafer Using Defect-Specific Information
KR101479889B1 (ko) * 2010-12-06 2015-01-06 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 하전 입자선 장치
US20150254394A1 (en) * 2013-03-14 2015-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for extracting systematic defects

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6411377B1 (en) * 1991-04-02 2002-06-25 Hitachi, Ltd. Optical apparatus for defect and particle size inspection
US5805278A (en) 1995-02-09 1998-09-08 Inspex, Inc. Particle detection method and apparatus
US6621570B1 (en) 1999-03-04 2003-09-16 Inspex Incorporated Method and apparatus for inspecting a patterned semiconductor wafer
US6614924B1 (en) * 1999-08-02 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Adaptive mask technique for defect inspection
JP2004144610A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Renesas Technology Corp ウェハ欠陥検査装置
US7457736B2 (en) * 2002-11-21 2008-11-25 Synopsys, Inc. Automated creation of metrology recipes
US7602962B2 (en) 2003-02-25 2009-10-13 Hitachi High-Technologies Corporation Method of classifying defects using multiple inspection machines
KR100808653B1 (ko) * 2003-06-30 2008-03-03 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 패턴 비교 검사 방법 및 패턴 비교 검사 장치
JP4229767B2 (ja) 2003-06-30 2009-02-25 株式会社東京精密 画像欠陥検査方法、画像欠陥検査装置及び外観検査装置
US7135344B2 (en) * 2003-07-11 2006-11-14 Applied Materials, Israel, Ltd. Design-based monitoring
US7092082B1 (en) 2003-11-26 2006-08-15 Kla-Tencor Technologies Corp. Method and apparatus for inspecting a semiconductor wafer
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
EP1955225A4 (en) * 2005-11-18 2009-11-04 Kla Tencor Tech Corp METHOD AND SYSTEMS FOR USE OF DESIGN DATA IN COMBINATION WITH TEST DATA
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
JP5427609B2 (ja) * 2006-12-19 2014-02-26 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 検査レシピ作成システムおよびその方法
US8698093B1 (en) 2007-01-19 2014-04-15 Kla-Tencor Corporation Objective lens with deflector plates immersed in electrostatic lens field
US7715997B2 (en) * 2007-09-11 2010-05-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Intelligent inspection based on test chip probe failure maps
US8559001B2 (en) * 2010-01-11 2013-10-15 Kla-Tencor Corporation Inspection guided overlay metrology
US8781781B2 (en) * 2010-07-30 2014-07-15 Kla-Tencor Corp. Dynamic care areas
US8664594B1 (en) 2011-04-18 2014-03-04 Kla-Tencor Corporation Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections
US8692204B2 (en) 2011-04-26 2014-04-08 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for electron beam detection
WO2013019563A1 (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Kla-Tencor Corporation Method and system for visualization of semiconductor wafer inspection data
US8716662B1 (en) 2012-07-16 2014-05-06 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus to review defects using scanning electron microscope with multiple electron beam configurations
US10192303B2 (en) * 2012-11-12 2019-01-29 Kla Tencor Corporation Method and system for mixed mode wafer inspection
US9183624B2 (en) 2013-06-19 2015-11-10 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer with run time use of design data
US9171364B2 (en) * 2013-06-21 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection using free-form care areas
US9355208B2 (en) * 2013-07-08 2016-05-31 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9558858B2 (en) 2013-08-14 2017-01-31 Kla-Tencor Corporation System and method for imaging a sample with a laser sustained plasma illumination output
US9941655B2 (en) 2014-03-25 2018-04-10 Kla-Tencor Corporation High power broadband light source
US10032620B2 (en) 2014-04-30 2018-07-24 Kla-Tencor Corporation Broadband light source including transparent portion with high hydroxide content
US10127653B2 (en) * 2014-07-22 2018-11-13 Kla-Tencor Corp. Determining coordinates for an area of interest on a specimen
US9286675B1 (en) * 2014-10-23 2016-03-15 Applied Materials Israel Ltd. Iterative defect filtering process
US9735064B2 (en) * 2015-07-29 2017-08-15 Globalfoundries Inc. Charge dynamics effect for detection of voltage contrast defect and determination of shorting location

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101479889B1 (ko) * 2010-12-06 2015-01-06 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 하전 입자선 장치
US20140105482A1 (en) 2012-10-15 2014-04-17 Kla-Tencor Corporation Detecting Defects on a Wafer Using Defect-Specific Information
US20150254394A1 (en) * 2013-03-14 2015-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for extracting systematic defects

Also Published As

Publication number Publication date
US10339262B2 (en) 2019-07-02
US20170286589A1 (en) 2017-10-05
TWI710891B (zh) 2020-11-21
TW201800969A (zh) 2018-01-01
CN108780051A (zh) 2018-11-09
WO2017172743A3 (en) 2018-08-23
WO2017172743A2 (en) 2017-10-05
CN108780051B (zh) 2020-11-10
KR20180122032A (ko) 2018-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102234405B1 (ko) 혼합 모드 웨이퍼 검사를 위한 방법 및 시스템
KR102295266B1 (ko) 내장 타겟을 사용한 설계에 대한 검사의 정렬
US8139844B2 (en) Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
US7904845B2 (en) Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review
KR102212388B1 (ko) 설계 기반 소자 위험성 평가
KR20200014938A (ko) 반도체 제조 프로세스에서 딥 러닝을 사용하여 결함 및 임계 치수를 예측하기 위한 시스템 및 방법
US11410291B2 (en) System and method for generation of wafer inspection critical areas
KR102244576B1 (ko) 설계 데이터의 반복 구조를 관심의 대상으로 하는 설계를 규정하기 위한 시스템 및 방법
KR20210118953A (ko) 테스트 이미지 대 설계물의 정렬을 위한 설계물 파일 선택
US10209628B2 (en) System and method for defect classification based on electrical design intent
KR102179989B1 (ko) 전기적 설계 의도에 기초한 결함 분류 시스템 및 방법
TWI732803B (zh) 用於儲存動態層內容於一設計檔案中之方法、系統及非暫時性電腦可讀媒體
US20220301133A1 (en) Segmentation of design care areas with a rendered design image
WO2017180399A1 (en) System and method for defect classification based on electrical design intent

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant