KR102244096B1 - 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치 - Google Patents

토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대상물에 플라즈마가 분사되며 휴대성과 이동성을 향상시킨 플라즈마 분사장치로서, 일단에 분사구가 형성되고 에어유입구가 마련되며 내부에 작동공간이 형성된 분사하우징와, 상기 분사하우징의 내부에 배치되는 플라즈마발생기와, 상기 에어유입구를 통해 외부의 에어가스가 유입되도록 상기 분사하우징의 내부에 설치되는 에어펌프와, 상기 분사하우징의 내부에 배치되어 상기 플라즈마발생기 및 상기 에어펌프에 전원을 공급하는 배터리로 이루어져, 대기의 공기를 이용하여 분사장치를 통해 플라즈마가 분사되도록 함으로써, 가스가 사용되지 않아 비용이 절감되고 효율성을 향상시키게 되며, 토치형태로 분사장치를 형성하여 휴대성과 이동성이 향상시킬 수 있게 되고, 대상물의 살균 및 신선도의 유지가 가능하게 되며, 위생적인 환경을 유지시킬 수 있게 되고 세균전염에 의해 질병이 발생되는 것을 방지할 수 있게 되며, 효과적인 치료가 가능한 효과가 있다.

Description

토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치 { Torch type low temperature atmospheric pressure plasma spraying device }
본 발명은 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대기의 공기를 이용하여 분사장치를 통해 플라즈마가 분사되도록 함으로써, 가스가 사용되지 않아 비용이 절감되고 효율성을 향상시키게 되며, 토치형태로 분사장치를 형성하여 휴대성과 이동성이 향상시킬 수 있게 되고, 대상물의 살균 및 신선도의 유지가 가능하게 되며, 위생적인 환경을 유지시킬 수 있게 되고 세균전염에 의해 질병이 발생되는 것을 방지할 수 있게 되며, 효과적인 치료가 가능한 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치에 관한 것이다.
일반적으로, 전압 또는 가열 등에 의하여 기체가 전리(ionization)되어 전자 및 이온의 수밀도가 비약적으로 증가되는데, 이러한 기체가 전리된 상태 즉, 전리기체를 플라즈마라고 한다.
이러한, 플라즈마는 액정표시장치를 포함하는 평판표시장치 및 반도체의 제조 공정 중 하나인 포토리소그래피공정에 있어서, 금속물질 또는 반도체증 등을 패터닝 시 이용되는 포토레지스트를 애싱(ashing)처리하여 제거하거나, 기타 유기물질이나 반도체물질 등으로 이루어진 박막을 에칭(etching)하거나, 표면의 유기물 등을 제거하기 위한 세정(cleaning)공정에 플라즈마 발생장치를 이용하여 진행하고 있다.
여기서, 플라즈마 발생장치는 대기압과 진공상태에서 플라즈마를 발생시킬 수 있으나, 진공 플라즈마 발생장치는 진공상태를 만들기 위한 장비 및 장소의 제약이 있어 근래에는 대기압 플라즈마 발생장치를 사용하고 있다.
이중, 대기압 플라즈마는 약 1atm의 압력에서 별도의 진공 장치와 반응 챔버 없이 기존 생산라인에 직접 적용이 가능하며, 연속적인 공정으로 처리가 가능하다.
대기압 플라즈마를 이용하는 경우, 통상 DBD(유전체 배리어 방전; dielectric barrier discharge) 기술이 가장 널리 이용된다. 상세하게는, 고주파 고전압 전극과 접지 전극 사이에 유전체 물질을 삽입하고, 고주파 고전압전극에 교류 전압을 인가하면, 플라즈마 형성을 위해 공급되는 가스가 두 전극 사이의 전기장 영역에서 해리와 전리라는 과정을 거친다. 이를 통해, 이온화된 안정된 플라즈마가 발생된다. 이렇게 형성된 플라즈마는 이온, 전자뿐만 아니라 고밀도의 활성화 라디칼(반응 활성종) 등으로 이루어져 있으며, 이 반응 활성종들은 반응성이 매우 높아 다른 분자와 쉽게 반응하므로 다양한 피부 트러블의 개선(피부 처치, 제균 및 살균 등), 피부 미용, 유기 오염물의 세정 및 표면 개질 등의 공정에 유용하게 사용된다.
그러나, 종래의 플라즈마장치는 헬륨가스나 아르곤 가스를 사용하여 플라즈마를 분사하게 되는데, 효과적인 살균을 위해 분당 90 리터가 넘는 많은 가스와 많은 전력을 소모하게 되므로 비용이 과도하게 소요되는 문제점이 있으며, 중량의 구조들로 이루어져 있어 휴대성이 떨어지는 문제점이 상존하게 된다.
전술한 발명은 본 발명이 속하는 기술분야의 배경기술을 의미하며, 종래 기술을 의미하는 것은 아니다.
등록특허 제1830187호
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 대기의 공기를 이용하여 분사장치를 통해 플라즈마가 분사되도록 함으로써, 가스가 사용되지 않아 비용이 절감되고 효율성을 향상시키게 되며, 토치형태로 분사장치를 형성하여 휴대성과 이동성이 향상시킬 수 있게 되고, 대상물의 살균 및 신선도의 유지가 가능하게 되며, 위생적인 환경을 유지시킬 수 있게 되고 세균전염에 의해 질병이 발생되는 것을 방지할 수 있게 되며, 효과적인 치료가 가능한 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 대상물에 플라즈마가 분사되며 휴대성과 이동성을 향상시킨 플라즈마 분사장치로서, 일단에 분사구가 형성되고 에어유입구가 마련되며 내부에 작동공간이 형성된 분사하우징와, 상기 분사하우징의 내부에 배치되는 플라즈마발생기와, 상기 에어유입구를 통해 외부의 에어가스가 유입되도록 상기 분사하우징의 내부에 설치되는 에어펌프와, 상기 분사하우징의 내부에 배치되어 상기 플라즈마발생기 및 상기 에어펌프에 전원을 공급하는 배터리로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 분사하우징에는 관통된 구조의 끼움홀이 형성되고, 손으로 파지하도록 파지손잡이가 마련된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 분사하우징에는 일면에 외측으로 돌출되게 토치부가 형성되고, 상기 토치부의 끝단에는 상기 분사구가 형성되어, 상기 플라즈마발생기에서 발생된 플라즈마가 외부로 분사되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 분사하우징에는 외부의 충격이나 진동 또는 상기 에어펌프에서 전달되는 에어에 의해 상기 플라즈마발생기에 충격이 전달되거나 이동되는 것을 방지하도록 탄성고정형완충수단이 더 마련되고, 상기 탄성고정형완충수단은 상기 분사하우징의 내측면에 고정되고 패널구조로 형성되며, 중앙에 관통된 구조의 안착공이 형성된 고정패널과, 상기 고정패널에 형성되는 상기 안착공에 끼움되어 고정되고, 내부에 상기 플라즈마발생기가 배치되는 지지관과, 상기 지지관에 관통되게 형성되어 상기 플라즈마발생기에서 발생되는 열기를 배출하는 통기공들과, 상기 지지관의 내측면에 일단이 고정되는 탄성가압코일스프링들과, 상기 탄성가압코일스프링들의 타단에 고정되는 연결패널과, 상기 연결패널의 일면에 고정되는 탄성완충패널과, 상기 탄성완충패널의 일면에 형성되고 상기 플라즈마발생기의 일부가 인입되도록 일면에 인입홈이 형성된 가압패널로 이루어져, 상기 탄성가압코일스프링과 상기 탄성완충패널의 탄성에 의해 상기 플라즈마발생기에게 전달되는 진동이나 충격을 완충시키게 되고, 탄성에 의해 상기 플라즈마발생기를 가압하면서 지지하며 이동된 후 원위치로 복귀되는 것을 특징으로 한다.
본 발명인 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치는 대기의 공기를 이용하여 분사장치를 통해 플라즈마가 분사되도록 함으로써, 가스가 사용되지 않아 비용이 절감되고 효율성을 향상시키게 되며, 토치형태로 분사장치를 형성하여 휴대성과 이동성이 향상시킬 수 있게 되고, 대상물의 살균 및 신선도의 유지가 가능하게 되며, 위생적인 환경을 유지시킬 수 있게 되고 세균전염에 의해 질병이 발생되는 것을 방지할 수 있게 되며, 효과적인 치료가 가능한 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 나타낸 정면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 나타낸 측면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 나타낸 평면사도이다.
도 5는 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치의 다른 실시예를 나타낸 부분단면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치의 다른 실시예를 나타낸 부분확대도이다.
도 9는 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치의 다른 실시예를 나타낸 부분확대도이다.
본 발명에 관한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시예에 불과하므로, 본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 실시예는 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 본 발명의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 본 발명에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
"제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수 도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어"있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "포함하다"또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
각 단계들에 있어 식별부호(예를 들어, a, b, c 등)는 설명의 편의를 위하여 사용되는 것으로 식별부호는 각 단계들의 순서를 설명하는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 단계들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.
여기서 사용되는 모든 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미를 지니는 것으로 해석될 수 없다.
도 1은 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 나타낸 사시도이다. 도 2는 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 나타낸 정면도이다. 도 3은 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 나타낸 측면도이다. 도 4는 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 나타낸 평면사도이다. 도 5는 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치를 나타낸 단면도이다. 도 6은 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 7은 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치의 다른 실시예를 나타낸 부분단면도이다. 도 8은 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치의 다른 실시예를 나타낸 부분확대도이다. 도 9는 본 발명에 따른 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치의 다른 실시예를 나타낸 부분확대도이다.
도면에 도시된 바와 같이 본 발명인 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치(10)(이하에서는 설명의 편의상 플라즈마 분사장치라 명명함)는 대상물에 플라즈마가 분사되며 휴대성과 이동성을 향상시킨 플라즈마 분사장치(10)로서, 이에 이와같은 플라즈마 분사장치(10)는 분사하우징(20)과 플라즈마발생기(30)와 에어펌프(40)와 배터리(50)로 이루어진다.
상기 분사하우징(20)은 일단에 분사구(21)가 형성되고 에어유입구(22)가 마련되며 내부에 작동공간이 형성된다.
상기 분사하우징(20)은 합성수지재로 이루어지며, 금속재로 형성시키는 것도 가능하다.
상기 에어유입구(22)에는 차단망을 부착하여 고정시킴으로써, 에어에 포함되는 머리카락이나 먼지와 같은 이물질들을 걸러내게 된다.
이때, 상기 분사하우징(20)에는 파지시 손가락이 끼움되도록 관통된 구조의 끼움홀(24)이 형성되고, 손으로 파지하도록 파지손잡이(25)가 마련된다. 상기 파지손잡이(25)는 원형 또는 타원형의 기둥형상으로 형성시키게 된다.
상기 분사하우징(20)에는 일면에 외측으로 돌출되게 토치부(26)가 형성되고, 상기 토치부(26)의 끝단에는 상기 분사구(21)가 형성되어, 상기 플라즈마발생기에서 발생된 플라즈마가 외부로 분사되도록 한다.
상기 토치부(26)는 원뿔형상으로 테이퍼진 관형상으로 형성되고, 상기 분사하우징(20)과 연통되게 형성되며, 일단에 상기 분사구(21)가 형성된다.
상기 토치부(26)는 상기 분사하우징(20)의 일측 상부에 외측으로 돌출되게 형성되어, 대상물에 분사하우징(20)의 걸림없이 플라즈마를 용이하게 분사할 수 있게 된다.
또한, 분사하우징(20)에 끼움홀(24)과 파지손잡이(25)가 마련되어, 미끄러지거나 놓치는 것을 방지할 수 있게 되고, 휴대가 간편하며 보관이 용이하게 된다.
상기 분사하우징(20)에는 상기 배터리(50)와 전기적으로 연결되게 충전단자(27)가 마련되고, 후술될 제어부(60)가 전기적으로 연결되어 분사되는 플라즈마의 세가를 조절하는 강도조절버튼(28)이 더 마련된다.
상기 플라즈마발생기(30)는 상기 분사하우징(20)의 내부에 배치되어 플라즈마발생시키게 된다.
상기 플라즈마발생기(30)는 상기 분사하우징(20)의 내측면에 나사체결되거나 부착되어 고정되고, 상기 분사하우징(20)의 내측면에 형성되는 브라켓에 융착 또는 나사체결되어 고정시키는 것도 가능하다.
또한, 플라즈마발생기(30)에 체결되는 전극의 일부가 외부로 노출되게 체결되어 있어, 플라즈마의 발생효율을 높이도록 한다.
상기 플라즈마발생기(30)는 에어나 방전가스를 전달받아 전극에 의해 플라즈마를 발생시키도록 통상적으로 사용되는 것으로서, 보다 상세한 설명을 생략한다.
상기 에어펌프(40)는 상기 에어유입구(22)를 통해 외부의 방전가스인 에어가스(공기)가 유입되도록 상기 분사하우징(20)의 내부에 나사체결 또는 접착되어 고정된다.
상기 에어펌프(40)의 구동에 의해 상기 에어유입구(22)로 외부의 에어가스가 유입되고, 유입된 에어가스(공기)는 상기 플라즈마발생기(30)로 공급되고, 배터리(50)에서 공급되는 전원에 의해 플라즈마를 발생시키게 된다.
즉, 상기 에어펌프(40)의 구동에 의해 에어가스가 유입되면 내부의 압력이 높아지면서 상기 플라즈마발생기(30)로 에어가스가 공급된다. 다르게는 상기 에어펌프(40)와 상기 플라즈마발생기(30)를 연결관으로 관연결하여 유입되는 에어가스를 상기 연결관을 통해 상기 플라즈마발생기(30)로 공급되도록 하는 것도 가능하다.
이때, 상기 분사하우징(20)에는 내부에 단원자 가스, 질소, 산소, 이산화탄소 또는 이들의 혼합가스 중 어느하나가 충전된 가스공급기를 더 마련하여, 상기 가스공급기에서 상기 플라즈마발생기(30)로 가스, 질소, 산소, 이산화탄소 또는 이들의 혼합가스 중 어느하나가 공급되도록 하는 것도 가능하다.
또한, 상기 분사하우징(20)의 내부에는 인터버가 마련되어, 상기 에어펌프(40)를 제어하도록 한다.
상기 배터리(50)는 상기 분사하우징(20)의 내부에 배치되어 상기 플라즈마발생기(30) 및 상기 에어펌프(40)에 전원을 공급하게 된다.
상기 분사하우징(20)의 내부에는 제어부(60)가 마련되고, 상기 제어부(60)는 상기 작동버튼(23), 상기 배터리(50), 상기 플라즈마발생기(30) 및 상기 에어펌프(40)와 전기적으로 연결되어, 구동을 제어하게 된다.
즉, 사용자가 상기 작동버튼(23)을 가압시 상기 제어부(60)가 상기 에어펌프(40) 및 상기 플라즈마발생기(30)에 전원이 공급되어, 플라즈마가 분사되도록 한다.
상기 분사하우징(20)에는 외부의 충격이나 진동 또는 상기 에어펌프(40)에서 전달되는 에어에 의해 상기 플라즈마발생기(30)에 충격이 전달되거나 이동되는 것을 방지하도록 탄성고정형완충수단(70)이 더 마련된다.
상기 탄성고정형완충수단(70)은 상기 분사하우징(20)의 내측면에 접착되어 고정되고 패널구조로 형성되며, 중앙에 관통된 구조의 안착공(711)이 형성된 고정패널(71)과, 상기 고정패널(71)에 형성되는 상기 안착공(711)에 끼움되어 고정되고, 내부에 상기 플라즈마발생기가 배치되는 중공의 지지관(72)과, 상기 지지관(72)에 관통되게 형성되어 상기 플라즈마발생기(30)에서 발생되는 열기를 배출하는 통기공(73)들과, 상기 지지관(72)의 내측면에 일단이 융착되거나 나사체결되어 고정되는 탄성가압코일스프링(74)들과, 상기 탄성가압코일스프링(74)들의 타단에 융착되거나 나사체결되어 고정되는 연결패널(75)과, 상기 연결패널(75)의 일면에 부착되어 고정되는 탄성을 갖는 합성수지재로 이루어진 탄성완충패널(76)과, 상기 탄성완충패널(76)의 일면에 부착되어 고정되고 상기 플라즈마발생기(30)의 일부가 인입되도록 일면에 인입홈(771)이 형성된 가압패널(77)로 이루어져, 상기 탄성가압코일스프링(74)과 상기 탄성완충패널(76)의 탄성에 의해 상기 플라즈마발생기(30)에게 전달되는 진동이나 충격을 완충시키게 되고, 탄성에 의해 상기 플라즈마발생기(30)를 가압하면서 지지하며 이동된 후 원위치로 복귀되도록 함으로써, 탄성에 의한 지지력 및 복원력을 향상시킬 수 있게 되고, 외부의 충격이 전달되는 것을 완충시킴과 아울러 플라즈마발생기(30)에서 발생되는 충격이 외부로 전달되는 것을 방지하게 된다.
여기서, 상기 가압패널(77)들을 탄성을 갖는 합성수지재로 이루어진 탄성밴드들로 상호 융착하여 연결되도록 함으로써, 상기 상기 플라즈마발생기(30)에서 상기 가압패널(77)이 이동되는 것을 방지하게 되고, 상기 탄성밴드들이 상기 플라즈마발생기(30)를 감싸면서 가압하여 상기 플라즈마발생기(30)를 탄성에 의해 지지하도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 안착홈의 내측면에 결함홈을 형성하고, 상기 결합홈에 자성체를 끼운 후 접착하여, 상기 안착홈에 인입되는 플라즈마발생기(30)가 상기 자성체의 자력에 의해 부착되도록 함으로써, 상기 가압패널(77)이 외력에 의해 이동되는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
지금까지 본 발명에 대해서 상세히 설명하였으나, 그 과정에서 언급한 실시예는 예시적인 것일 뿐이며, 한정적인 것이 아님을 분명히 하고, 본 발명은 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상이나 분야를 벗어나지 않는 범위내에서, 균등하게 대처될 수 있는 정도의 구성요소 변경은 본 발명의 범위에 속한다 할 것이다.
10 : 분사장치
20 : 분사하우징
21 : 분사구
22 : 에어유입구
23 : 작동버튼
24 : 끼움홀
25 : 파지손잡이
26 : 토치부
27 : 충전단자
28 : 강도조절버튼
29 : 인버터
30 : 플라즈마발생기
40 : 에어펌프
50 : 배터리
60 : 제어부
70 : 탄성고정형완충수단
71 : 고정패널
711 : 안착공
72 : 지지관
73 : 통기공
74 : 탄성가압코일스프링
75 : 연결패널
76 : 탄성완충패널
77 : 가압패널
771 : 인입홈

Claims (4)

  1. 대상물에 플라즈마가 분사되며 휴대성과 이동성을 향상시킨 플라즈마 분사장치로서,
    일단에 분사구가 형성되고 에어유입구가 마련되며 내부에 작동공간이 형성된 분사하우징;
    상기 분사하우징의 내부에 배치되는 플라즈마발생기;
    상기 에어유입구를 통해 외부의 에어가스가 유입되도록 상기 분사하우징의 내부에 설치되는 에어펌프; 및
    상기 분사하우징의 내부에 배치되어 상기 플라즈마발생기 및 상기 에어펌프에 전원을 공급하는 배터리를 포함하고,
    상기 분사하우징에는 외부의 충격이나 진동 또는 상기 에어펌프에서 전달되는 에어에 의해 상기 플라즈마발생기에 충격이 전달되거나 이동되는 것을 방지하도록 탄성고정형완충수단이 더 마련되고,
    상기 탄성고정형완충수단은,
    상기 분사하우징의 내측면에 고정되고 패널구조로 형성되며, 중앙에 관통된 구조의 안착공이 형성된 고정패널과,
    상기 고정패널에 형성되는 상기 안착공에 끼움되어 고정되고, 내부에 상기 플라즈마발생기가 배치되는 지지관과,
    상기 지지관에 관통되게 형성되어 상기 플라즈마발생기에서 발생되는 열기를 배출하는 통기공들과,
    상기 지지관의 내측면에 일단이 고정되는 탄성가압코일스프링들과,
    상기 탄성가압코일스프링들의 타단에 고정되는 연결패널과,
    상기 연결패널의 일면에 고정되는 탄성완충패널과,
    상기 탄성완충패널의 일면에 형성되고 상기 플라즈마발생기의 일부가 인입되도록 일면에 인입홈이 형성된 가압패널로 이루어져,
    상기 탄성가압코일스프링과 상기 탄성완충패널의 탄성에 의해 상기 플라즈마발생기에게 전달되는 진동이나 충격을 완충시키게 되고, 탄성에 의해 상기 플라즈마발생기를 가압하면서 지지하며 이동된 후 원위치로 복귀되는 것을 특징으로 하는 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 분사하우징에는 관통된 구조의 끼움홀이 형성되고, 손으로 파지하도록 파지손잡이가 마련된 것을 특징으로 하는 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 분사하우징에는 일면에 외측으로 돌출되게 토치부가 형성되고,
    상기 토치부의 끝단에는 상기 분사구가 형성되어, 상기 플라즈마발생기에서 발생된 플라즈마가 외부로 분사되도록 하는 것을 특징으로 하는 토치형 저온 대기압 플라즈마 분사장치.


  4. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20100054368A (ko) * 2008-11-14 2010-05-25 주식회사 피에스엠 의료용 플라즈마 건
KR101830187B1 (ko) 2016-09-05 2018-02-21 아주대학교 산학협력단 저온 대기압 플라즈마 분사 장치
KR102152813B1 (ko) * 2020-01-21 2020-09-07 이효동 건 타입 휴대용 대기압 플라즈마 분사장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100054368A (ko) * 2008-11-14 2010-05-25 주식회사 피에스엠 의료용 플라즈마 건
KR101830187B1 (ko) 2016-09-05 2018-02-21 아주대학교 산학협력단 저온 대기압 플라즈마 분사 장치
KR102152813B1 (ko) * 2020-01-21 2020-09-07 이효동 건 타입 휴대용 대기압 플라즈마 분사장치

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