KR102227596B1 - 열처리 공정이 가능한 기판 처리 장치 - Google Patents

열처리 공정이 가능한 기판 처리 장치 Download PDF

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KR102227596B1
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오석찬
김정의
이진석
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(주) 예스티
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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 기판이 출입하는 출입구가 형성된 제1측벽, 상기 제1측벽과 마주하는 제2측벽, 상기 제1 및 제2측벽과 수직하게 배치되며 제1개구가 형성된 제3측벽, 상기 제3측벽과 마주하며 제2개구가 형성된 제4측벽을 갖는 바디와, 상기 바디의 개방된 상면을 개폐하는 커버를 갖는 진공 챔버; 상기 진공 챔버의 내부를 감압하는 감압 부재; 상기 진공 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 기판 지지 부재의 상부에 위치하며, 기판을 가열하는 히터; 및 상기 기판 지지 부재의 하부에 위치하며, 광을 조사하는 광 조사 부재를 포함하되, 상기 광 조사 부재는 상기 제3측벽과 결합하여 상기 제1개구를 밀폐하며, 제1램프 장착 홀들이 형성된 제1램프 장착 플레이트; 상기 제4측벽과 결합하여 상기 제2개구를 밀폐하며, 제2램프 장착 홀들이 형성된 제2램프 장착 플레이트; 일단이 상기 제1램프 장착 홀들에 삽입되고, 타단이 상기 제2램프 장착 홀들에 삽입되며, 상기 광을 조사하는 복수 개의 램프 모듈을 포함한다.

Description

열처리 공정이 가능한 기판 처리 장치{Apparatus for heat treatment to glass}
본 발명은 기판 처리 장치에 관련된 것으로, 보다 상세하게는 기판에 대해 열처리 공정이 가능한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 열처리장치는, 고속열처리(Rapid Thermal Anealing), 고속 열세정(Rapid Thermal Cleaning), 고속열화학 증착(Rapid Thermal Chemical Vap. or Deposition)등의 열처리를 위한 장비이다.
상기 열처리 공정을 위한 장치는, 유리기판을 지지하기 위한 기판지지부재와 유리기판을 향해 복사열을 조사하는 히터, 그리고 유리기판을 향해 자외선 광을 조사하는 램프를 포함한다.
이러한 열처리장치는 유리기판의 가열이 되도록 짧은 시간에 넓은 온도범위에서 이루어지도록 구성되는 것이 바람직하며, 유리기판의 각 부분에서의 고른 가열과 정밀한 온도제어가 매우 중요한 문제가 된다.
대한민국 등록특허 제10-1360310호(2014.02.12 등록공고)
본 발명은 진공 압력에서 유리 기판에 대한 열처리 공정이 수행가능한 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판이 출입하는 출입구가 형성된 제1측벽, 상기 제1측벽과 마주하는 제2측벽, 상기 제1 및 제2측벽과 수직하게 배치되며 제1개구가 형성된 제3측벽, 상기 제3측벽과 마주하며 제2개구가 형성된 제4측벽을 갖는 바디와, 상기 바디의 개방된 상면을 개폐하는 커버를 갖는 진공 챔버; 상기 진공 챔버의 내부를 감압하는 감압 부재; 상기 진공 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 기판 지지 부재의 상부에 위치하며, 기판을 가열하는 히터; 및 상기 기판 지지 부재의 하부에 위치하며, 광을 조사하는 광 조사 부재를 포함하되, 상기 광 조사 부재는 상기 제3측벽과 결합하여 상기 제1개구를 밀폐하며, 제1램프 장착 홀들이 형성된 제1램프 장착 플레이트; 상기 제4측벽과 결합하여 상기 제2개구를 밀폐하며, 제2램프 장착 홀들이 형성된 제2램프 장착 플레이트; 일단이 상기 제1램프 장착 홀들에 삽입되고, 타단이 상기 제2램프 장착 홀들에 삽입되며, 상기 광을 조사하는 복수 개의 램프 모듈을 포함한다.
또한, 상기 램프 모듈은, 제1파장의 광을 조사하는 제1램프 모듈; 및 상기 제1파장과 상이한 제2파장의 광을 조사하는 제2램프 모듈을 포함하며, 상기 제1램프 모듈과 상기 제2램프 모듈은 상기 제1측벽에서 상기 제2측벽 방향으로 교대로 반복하여 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1램프 모듈과 상기 제2램프 모듈의 사이 폭 방향으로 상기 기판 지지 부재를 왕복 직선 이동시키는 구동부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 램프 모듈은 광을 조사하는 램프; 내측으로 상기 램프가 삽입되는 석영 튜브; 상기 제1램프 장착 홀들에 각각 삽입되며, 상기 석영 튜브의 일단이 결합하는 제1플랜지; 및 상기 제2램프 장착 홀들에 각각 삽입되며, 상기 석영 튜브의 타단이 결합하는 제2플랜지를 포함하되, 상기 램프와 상기 석영 튜브의 사이 공간으로 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 광 조사 부재의 하부에 위치하며, 내부에 확산 공간이 형성되고, 상면에 복수 개의 홀들이 형성된 배플; 및 상기 확산 공간으로 산소 가스를 공급하는 산소 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 복수의 램프 모듈이 진공 챔버의 내부 공간을 가로질러 배치되고, 양 단이 진공 챔버의 외측에 위치하여 고온 및 저압의 공정 조건에서 램프 모듈의 내구성 약화가 최소화될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 X-Z 평면에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 Y-Z 평면에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 부재를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 제1 및 제2램프 장착 플레이트를 나타내는 정면도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 램프 모듈을 나타내는 도면이다.
도 7은 YZ평면에 따른 램프 모듈의 단면 일부를 나타내는 도면이다.
도 8은 XZ평면에 따른 램프 모듈들을 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이고, 도 2는 X-Z 평면에 따른 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 3은 Y-Z 평면에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판에 대한 소정 공정을 수행한다. 실시 예에 의하면, 기판(G)은 사각 형상의 유리 기판일 수 있다. 기판(G)은 OLED용 유리 기판이 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 기판(G)에 대해 건조 및 세정 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 기판(G)을 고온으로 가열하고, 오존을 공급하여 기판(G)을 세정할 수 있다.
기판 처리 장치(10)는 진공 챔버(100), 감압 부재(200), 기판 지지 부재(300), 히터(400), 광 조사 부재(500), 구동부(600), 배플(700), 그리고 산소 가스 공급부(800)를 포함한다.
진공 챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행될 수 있는 공간을 제공한다. 진공 챔버(100)는 바디(110)와 커버(150)를 포함한다.
바디(110)는 사각 형상으로, 제1 내지 제4측벽(111 내지 114)을 갖는다. 제1측벽(111)에는 기판이 출입할 수 있는 출입구(111a)가 형성된다. 출입구(111a)는 도어(125)에 의해 개폐될 수 있다. 출입구(111a)를 통해 이송 로봇의 핸드(20)가 출입하며, 기판(G)을 공급 및 인출한다. 제2측벽(112)은 제1측벽(111)과 마주 배치되며, 윈도우(126)가 제공된다. 윈도우(126)를 통해 진공 챔버(100) 내부의 공정 상태를 눈으로 확인할 수 있다. 제3측벽(113)과 제4측벽(114)은 서로 마주 배치되며, 제1측벽(111)과 제2측벽(112)을 연결한다. 제3측벽(113)에는 제1개구(113a)가 소정 길이로 형성되고, 제4측벽(114)에는 제2개구(114a)가 소정 길이로 형성된다. 바디(110)의 상면(115)은 개방된다.
커버(150)는 바디(110)의 개방된 상면(115)을 개폐한다. 커버(150)의 일 측은 바디(110)의 상단에 대해 회동 가능하다. 커버(150)의 타단에는 클램프(151)가 제공된다. 클램프(151)는 커버(150)의 타단을 바디(110)에 고정시킨다. 커버(150)가 개방된 상태에서 바디(110) 내부로 유지 보수 작업을 용이하게 수행할 수 있다.
감압 부재(200)는 진공 챔버(100) 내부를 감압한다. 감압 부재(200)는 바디(110)의 제4측벽(114)을 통해 진공 챔버(100) 내부를 0.2 torr 내지 0.7 torr로 감압할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 부재를 나타내는 사시도이다. 도 4를 참조하면, 기판 지지 부재(300)는 진공 챔버(100) 내부에 위치하며, 기판(G)을 지지한다. 기판 지지 부재(300)는 복수의 프레임(310)들이 서로 결합하여 육면체 형상으로 제공되며, 상단에 기판(G)이 놓인다. 기판 지지 부재(300)의 상단에는 지지 핀(320)들이 복수 개 제공되어 기판(G)의 가장자리영역을 지지한다.
기판 지지 부재(300)는 한 쌍의 리프트 핀(330, 340)을 더 포함한다. 리프트 핀(330, 340)은 구동부(미도시)에 의해 Z축 방향으로 승강 가능하다. 리프트 핀(330, 340)의 승강으로, 기판(G)을 지지 핀(320)들에 로딩하거나, 지지 핀(320)들로부터 기판(G)을 언로딩할 수 있다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 지지 부재(300)의 상부에는 히터(400)가 제공된다. 히터(400)는 기판(G)으로부터 소정 높이에 위치하며, 기판(G)에 상응하거나 그보다 큰 면적을 갖는 판상으로 제공된다. 히터(400)는 기판(G)을 소정 온도로 가열한다. 히터(400)는 지지 로드(410)를 통해 커버(150)와 결합할 수 있다. 커버(150)의 개방 시, 히터(400)가 함께 이동할 수 있다. 히터(400)에서 발생된 열은 기판(G)을 가열한다.
광 조사 부재(500)는 기판 지지 부재(300)의 하부에 위치하며, 광을 조사한다. 광 조사 부재(500)는 제1램프 장착 플레이트(510), 제2램프 장착 플레이트(520), 제1램프 모듈(530), 제2램프 모듈(540), 하우징(550), 냉각 가스 공급부(561, 562)를 포함한다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 제1 및 제2램프 장착 플레이트를 나타내는 정면도이다.
도 2, 도 3, 그리고 도 5를 참조하면, 제1램프 장착 플레이트(510)는 진공 챔버(100)의 외측에서 제3측벽(113)에 결합한다. 제1램프 장착 플레이트(510)는 제1개구(113a)보다 넓은 너비를 가지며, 제1개구(113a)를 밀폐한다. 제1램프 장착 플레이트(510)와 제3측벽(113) 사이에는 실링 부재(511)가 제공된다. 제1램프 장착 플레이트(510)에는 복수 개의 제1램프 장착 홀(512)들이 형성된다. 제1램프 장착 홀(512)들은 제1램프 장착 플레이트(510)의 길이 방향을 따라 서로 이격하여 형성된다. 제1램프 장착 플레이트(510)는 내열성이 강한 금속 재질로 제공될 수 있다. 제1램프 장착 플레이트(510)는 진공 챔버(100)와 동일한 재질로 제공될 수 있다.
제2램프 장착 플레이트(520)는 진공 챔버(100)의 외측에서 제4측벽(114)에 결합한다. 제2램프 장착 플레이트(520)는 제2개구(114a)보다 넓은 너비를 가지며, 제2개구(114a)를 밀폐한다. 제2램프 장착 플레이트(520)와 제4측벽(114) 사이에는 실링 부재(521)가 제공된다. 제2램프 장착 플레이트(520)에는 복수 개의 제2램프 장착 홀(522)들이 형성된다. 제2램프 장착 홀(522)들은 제2램프 장착 플레이트(520)의 길이 방향을 따라 서로 이격하여 형성되며, 제1램프 장착 홀(512)들과 일대일로 마주 배열된다. 제2램프 장착 플레이트(520)는 제1램프 장착 플레이트(510)와 동일한 재질로 제공될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 램프 모듈을 나타내는 도면이고, 도 7은 YZ평면에 따른 램프 모듈의 단면 일부를 나타내는 도면이고, 도 8은 XZ평면에 따른 램프 모듈들을 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 제1램프 모듈(530)과 제2램프 모듈(540)은 진공 압력에 대응 가능한 구조를 갖는다.
제1램프 모듈(530)은 복수 개 제공되며, 서로 이격하여 나란하게 배치된다. 제1램프 모듈(530)의 일단은 제1램프 장착 홀(512)에 삽입되고, 타단은 제2램프 장착 홀(522)에 삽입된다.
제2램프 모듈(540)은 복수 개 제공되며, 서로 이격하여 나란하게 배치된다. 제2램프 모듈(540)은 제1램프 모듈(530)의 사이에 하나씩 위치한다. 이에 의해, 제1램프 모듈(530)과 제2램프 모듈(540)은 X축 방향으로 교대로 반복하여 배치된다. 제2램프 모듈(540)의 일단은 제1램프 장착 홀(512)에 삽입되고, 타단은 제2램프 장착 홀(522)에 삽입된다.
제1램프 모듈(530)과 제2램프 모듈(540)은 각각 램프(531, 541), 석영 튜브(532, 542), 제1플랜지(533), 그리고 제2플랜지(534)를 포함한다.
제1램프 모듈(530)의 램프(531)와 제2램프 모듈(540)의 램프(541)는 서로 다른 파장의 광을 조사한다. 제1램프 모듈(530)의 램프(531)는 제1파장의 광을 조사하고, 제2램프 모듈(540)의 램프(541)는 제2파장의 광을 조사한다. 제1파장은 180nm~250nm 파장의 자외선 광이며, 산소 가스로부터 오존 가스를 생성한다. 제2파장은 350nm~450nm 파장의 자외선 광이며, 기판(G)에 도포된 포토레지스트를 제거한다.
석영 튜브(532, 542)는 램프(531, 541)에 상응하는 길이를 갖는 튜브 형상으로, 내측으로 램프(531, 541)가 삽입된다. 석영 튜브(532, 542)는 램프(531, 541)보다 큰 직경을 가지며, 램프(531, 541)와 석영 튜브(532, 542)는 서로 이격된다. 석영 튜브(532, 542)의 일단은 제1램프 장착 홀(512)에 삽입되고, 타단은 제2램프 장착 홀(522)에 삽입된다.
제1플랜지(533)는 제1램프 장착 홀(512)에 삽입되며, 석영 튜브(532, 542)의 일단을 고정한다. 제2플랜지(534)는 제2램프 장착 홀(522)에 삽입되며, 석영 튜브(532, 542)의 타단을 고정한다. 제1플랜지(533)와 제2플랜지(534) 각각에는, 제1 및 제2 램프 장착 플레이트(510, 520)와의 사이에, 그리고 석영 튜브(532, 542)와의 사이에 실링 부재(535, 536)가 제공된다.
램프(531, 541)의 양 끝단에는 접속 단자(531a)가 제공되며, 접속 단자(531a)는 진공 챔버(100)의 외부에 위치한다. 접속 단자(531a)는 외부 전원과 전기적으로 연결된다. 접속 단자(531a)들은 진공 챔버(100)의 양측에 각각 제공된 하우징(550)에 의해 밀폐되며, 외부 노출이 차단된다.
하우징(550)은 바디(110)의 제3측벽(113)과 제4측벽(114) 각각에 결합한다. 이하, 바디(110)의 제3측벽(113)에 결합하는 하우징(550)을 제1하우징이라 칭하고, 바디(110)의 제4측벽(114)에 결합하는 하우징(550)을 제2하우징이 칭한다. 제1하우징(550)과 제2하우징(550)의 내부에는 각각 공간이 형성되며, 석영튜브(532, 542)들과 램프(531, 541)들 각각의 일단은 제1하우징(550) 내에 위치하고, 석영튜브(532, 542)들과 램프(531, 541)들 각각의 타단은 제2하우징(550) 내에 위치한다.
냉각 가스 공급부(561, 562)는 석영 튜브(532, 542)와 램프(531, 541) 사이 공간으로 냉각 가스를 공급한다. 실시 예에 의하면, 냉각 가스 공급부(561, 562)는 하우징(550)의 내부로 냉각 가스를 공급하며, 하우징(550) 내부의 냉각 가스가 석영 튜브(532, 542)와 램프(531, 541) 사이 공간으로 유입된다. 냉각 가스 공급부(561, 562)는 제1하우징(550) 내로 냉각 가스를 주입하는 냉각 가스 주입부(561)와 제2하우징(550)으로부터 냉각 가스를 배출하는 냉각 가스 배출부(562)를 포함한다. 냉각 가스 공급부(561, 562)를 통해 제1하우징(550) 내로 주입된 냉각 가스는 석영 튜브(532, 542)와 램프(531, 541) 각각의 사이 공간을 따라 흐르고, 제2하우징(550) 내로 이동하여 냉각 가스 배출부(562)를 통해 외부로 배출된다. 냉각 가스는 질소 가스를 포함한다. 냉각 가스의 공급으로, 석영 튜브(532, 542)와 램프(531, 541)의 과열이 차단되어 내구성이 향상될 수 있다.
구동부(600)는 기판 지지 부재(300)를 직선 이동시킨다. 구동부(600)는 연결 링크(610), 동력 전환 수단(620), 그리고 구동 모터(630)를 포함한다. 연결 링크(610)는 일단이 기판 지지 부재(300)와 연결되고, 타단이 진공 챔버(100)의 외부에 위치한다. 동력 전환 수단(620)은 구동 모터(630)의 회전력을 직선 운동으로 변환하며, 이를 연결 링크(610)에 전달한다. 이에 의해, 기판 지지 부재(300)는 직선 이동할 수 있다. 기판 지지 부재(300)는 제1램프 모듈(530)과 제2램프 모듈(540)의 사이 간격(d)에 대응하는 거리만큼 왕복 직선 이동한다. 이에 의해 제1램프 모듈(530)에서 조사된 제1파장의 광과 제2램프 모듈(540)에서 조사된 제2파장의 광이 기판(G)의 각 영역에 균일하게 조사될 수 있다.
배플(700)은 기판 지지 부재(300)의 하부에 위치하며, 내부에 확산 공간이 형성된다. 배플(700)의 상면은 기판(G)에 상응하거나 그보다 큰 면적을 가지며, 상기 확산 공간과 연통되는 홀들이 균일하게 형성된다.
산소 가스 공급부(800)는 배플(700)의 확산 공간으로 산소를 공급한다. 공급된 산소는 확산 공간 내에서 균일하게 확산된 후 홀들을 통해 기판(G) 측으로 공급된다. 이 과정에서, 제1램프 모듈(530)에서 조사된 자외선 광에 의해, 산소 가스로부터 오존 가스가 생성된다. 오존 가스는 기판(G)의 저면으로 공급되어 기판(G)을 처리한다.
이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정에 대해 상세하게 설명한다.
진공 챔버(100)의 출입구(111a)가 개방되고, 출입구(111a)를 통해 이송 로봇의 핸드(20)가 기판(G)을 기판 지지 부재(300)의 상부로 이송한다. 리프트 핀(330, 340)이 상승하여 이송 로봇의 핸드(20)로부터 기판(G)을 전달받고, 하강하여 기판(G)을 지지 핀(320)들에 안착한다. 이송 로봇의 핸드(20)는 반출되고, 도어(125)가 출입구(111a)를 차단한다.
감압 부재(200)에 의해 진공 챔버(100) 내부는 0.2 torr 내지 0.7 torr로 감압된다.
제1램프 모듈(530)과 제2램프 모듈(540)으로부터 서로 다른 파장의 광이 기판(G)으로 조사되고, 히터(400)에서 발생된 열에 의해 기판(G)이 고온으로 가열된다.
산소 가스 공급부(800)로부터 공급된 산소 가스가 제1램프 모듈(530)에서 조사된 자외선 광에 의해 오존 가스를 생성하며, 오존 가스는 기판(G)의 저면으로 공급되어 기판(G)을 처리한다.
상기 공정이 진행되는 동안, 석영 튜브(532, 542)와 램프(531, 541) 사이 공간으로 냉각 가스가 흐르며, 냉각 가스에 의해 램프(531, 541)의 온도가 고온으로 상승되는 것이 차단된다. 냉각 가스에 의해, 램프(531, 541) 자체에서 발생된 열, 히터(400)로부터 전달된 열에 의한 열 변형이 억제되어 램프(531, 541)의 내구성이 향상된다.
본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 진공 챔버(100) 내에서 0.2 torr 내지 0.7 torr의 저압으로 공정이 수행된다. 또한, 히터(400)에서 발생된 열에 의해 고온에서 공정이 수행된다. 저압 및 고온 공정 조건에서 공정이 진행되는 경우 진공 챔버(10) 내부의 각종 장치는 내구성이 저하될 우려가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 진공 챔버(100)의 내부 공간을 가로 질러 램프 모듈(530, 540)들을 배치하고, 램프 모듈(530, 540)의 양단이 진공 챔버(100)의 외부에 위치하도록 설계하였다. 이에 의해 램프(531, 541)와 석영 튜브(532, 542)만이 고온 및 저압의 공정 조건에 노출되고, 램프(531, 541)의 접속 단자(531a)는 상기 공정 조건에 노출되지 않는다. 때문에, 고온에 의한 접속 단자(531a)의 열화 발생이 차단된다. 또한, 유리보다 강도가 높은 석영 튜브(532, 542) 내측에 램프(531, 541)를 배치함으로써, 저압 조건에 의한 램프(531, 541)의 손상이 최소화될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
10: 기판 처리 장치
100: 진공 챔버
200: 감압 부재
300: 기판 지지 부재
400: 히터
500: 광 조사 부재
600: 구동부
700: 배플
800: 산소 가스 공급부

Claims (5)

  1. 기판이 출입하는 출입구가 형성된 제1측벽, 상기 제1측벽과 마주하는 제2측벽, 상기 제1 및 제2측벽과 수직하게 배치되며 제1개구가 형성된 제3측벽, 상기 제3측벽과 마주하며 제2개구가 형성된 제4측벽을 갖는 바디와, 상기 바디의 개방된 상면을 개폐하는 커버를 갖는 진공 챔버;
    상기 진공 챔버의 내부를 감압하는 감압 부재;
    상기 진공 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지 부재;
    상기 기판 지지 부재의 상부에 위치하며, 기판을 가열하는 히터; 및
    상기 기판 지지 부재의 하부에 위치하며, 광을 조사하는 광 조사 부재를 포함하되,
    상기 광 조사 부재는
    상기 제3측벽과 결합하여 상기 제1개구를 밀폐하며, 제1램프 장착 홀들이 형성된 제1램프 장착 플레이트;
    상기 제4측벽과 결합하여 상기 제2개구를 밀폐하며, 제2램프 장착 홀들이 형성된 제2램프 장착 플레이트;
    일단이 상기 제1램프 장착 홀들에 삽입되고, 타단이 상기 제2램프 장착 홀들에 삽입되며, 상기 광을 조사하는 복수 개의 램프 모듈을 포함하며,
    상기 램프 모듈들 각각은,
    광을 조사하는 램프;
    내측으로 상기 램프가 삽입되며, 상기 램프보다 큰 직경을 가지는 석영 튜브;
    상기 제1램프 장착 홀들에 각각 삽입되며, 상기 석영 튜브의 일단이 결합하는 제1플랜지; 및
    상기 제2램프 장착 홀들에 각각 삽입되며, 상기 석영 튜브의 타단이 결합하는 제2플랜지를 포함하며,
    상기 광 조사 부재는,
    상기 제3측벽과 결합하며, 내부에 상기 램프들 각각의 일 단과 상기 석영 튜브들 각각의 일 단이 위치하는 공간이 형성된 제1하우징;
    상기 제4측벽과 결합하며, 내부에 상기 램프들 각각의 타 단과 상기 석영 튜브들 각각의 타 단이 위치하는 공간이 형성된 제2하우징;
    상기 제1하우징과 결합하며, 상기 제1하우징의 내부로 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 주입부; 및
    상기 제2하우징과 결합하며, 상기 제2하우징의 내부로부터 냉각 가스를 배출하는 냉각 가스 배출부를 포함하되,
    상기 제1하우징의 내부로 공급된 냉각 가스는 상기 램프와 상기 석영 튜브의 사이 공간을 따라 흘러 상기 제2하우징의 내부로 이동하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 램프 모듈은,
    제1파장의 광을 조사하는 제1램프 모듈; 및
    상기 제1파장과 상이한 제2파장의 광을 조사하는 제2램프 모듈을 포함하며,
    상기 제1램프 모듈과 상기 제2램프 모듈은 상기 제1측벽에서 상기 제2측벽 방향으로 교대로 반복하여 배치되는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1램프 모듈과 상기 제2램프 모듈의 사이 폭 방향으로 상기 기판 지지 부재를 왕복 직선 이동시키는 구동부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 조사 부재의 하부에 위치하며, 내부에 확산 공간이 형성되고, 상면에 복수 개의 홀들이 형성된 배플; 및
    상기 확산 공간으로 산소 가스를 공급하는 산소 가스 공급부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
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