KR102224672B1 - 리소그래피 프로세스의 최적화 방법 - Google Patents

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Abstract

리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서, 기판에 걸쳐 성능 파라미터의 파라미터 지문을 결정하는 단계 - 상기 파라미터 지문은 상기 성능 파라미터에 있어서의 불확실성에 관련된 정보를 포함하는 것임 -; 상기 기판에 걸쳐 상기 성능 파라미터의 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -; 및 상기 성능 파라미터가 허용가능 범위를 벗어날 확률과 연관된 확률 메트릭(probability metric)을 결정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법.
선택적으로, 상기 리소그래피 프로세스에 대한 정정은 상기 확률 메트릭에 기초하여 결정된다.

Description

리소그래피 프로세스의 최적화 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본원은 2016 년 10 월 26 일에 출원된 EP 출원 16195819.4, 2016 년 12 월 22 일에 출원된 EP 출원 16206235.0 및 2017 년 8 월 7 일에 출원된 EP 출원 제 17185056.3 에 대한 우선권을 주장하는데, 이들은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.
본 발명은 디바이스 제조에 관한 것이고, 특히 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)이라고도 불리는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 다이의 일부, 하나의 다이, 또는 몇몇 다이들을 포함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트) 층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피 프로세스에서, 생성된 구조체를, 예를 들어 프로세스를 제어하고 검증하기 위해서 자주 측정하는 것이 바람직하다. 임계 치수(CD)를 측정하기 위하여 흔히 사용되는 스캐닝 전자 현미경; 디바이스 내의 두 층들의 정렬의 정확도인 오버레이를 측정하기 위한 전문 툴; 및 패터닝된 기판의 다양한 속성을 측정할 수 있는 산란계를 포함하는, 이러한 측정을 하기 위한 다양한 툴들이 알려져 있다.
기판에 걸쳐 오버레이와 같은 속성을 측정한 후, 공지된 프로세스 최적화 기법은 기판에 걸쳐 해당 속성의 제곱 평균 제곱근 오차를 최적화하기 위하여 해당 기판 또는 다른 기판의 후속 노광에 대한 관련된 이미징 파라미터를 조절한다. 그러나, 이러한 접근법이 언제나 최적인 것은 아니다.
본 발명은 리소그래피 디바이스 제조 프로세스에서의 수율을 개선하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 제 1 양태에서 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
기판에 걸쳐 성능 파라미터의 파라미터 지문을 결정하는 단계 - 상기 파라미터 지문은 상기 성능 파라미터에 있어서의 불확실성에 관련된 정보를 포함하는 것임 -;
상기 기판에 걸쳐 상기 성능 파라미터의 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -; 및
상기 파라미터 지문 및 상기 프로세스 윈도우 지문을 사용하여, 상기 성능 파라미터가 허용가능 범위를 벗어날 확률과 연관된 확률 메트릭(probability metric)을 결정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법을 제공한다.
본 발명은 제 2 양태에서 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
기판에 걸쳐 성능 파라미터의 불확실성 지문을 결정하는 단계;
상기 기판에 걸쳐 상기 성능 파라미터의 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -;
상기 성능 파라미터가 허용가능 범위를 벗어날 확률과 연관된 확률 메트릭을 결정하는 단계; 및
상기 확률 메트릭에 기초하여 상기 기판 상의 계측 타겟의 위치를 결정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법을 제공한다.
본 발명은 제 3 양태에서 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
기판에 걸쳐 성능 파라미터의 불확실성 지문을 결정하는 단계;
상기 기판에 걸쳐 상기 성능 파라미터의 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -;
상기 성능 파라미터가 허용가능 범위를 벗어날 확률과 연관된 확률 메트릭을 결정하는 단계; 및
상기 확률 메트릭에 기초하여 상기 기판 상의 계측 타겟의 측정 위치를 결정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법을 제공한다.
본 발명은 제 5 양태에서 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
기판의 적어도 일부와 연관된 성능 파라미터 데이터를 획득하는 단계 - 상기 성능 파라미터 데이터는 상기 리소그래피 프로세스를 제어하기 위해서 활용되는 것임 -;
상기 기판의 상기 적어도 일부에 걸쳐 상기 성능 파라미터의 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -; 및
상기 성능 파라미터 데이터를 수정하는 단계로서, 상기 리소그래피 프로세스의 수율에 대한 상기 수정의 예측된 영향에 기초하여 상기 성능 파라미터 데이터를 수정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법을 제공한다.
본 발명은 제 5 양태에서, 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하기 위하여 전술된 방법을 수행하는 단계 및 리소그래피 프로세스를 수행하여 디바이스를 제조하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 제 6 양태에서, 컴퓨터 시스템에 의하여 실행되는 경우, 컴퓨터 시스템이 전술된 바와 같은 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법을 수행하게 하는 컴퓨터-판독가능 명령을 포함하는 컴퓨터 프로그램을 제공한다.
이제, 본 발명의 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 오직 예시에 의하여 설명될 것이다:
도 1 은 반도체 디바이스용 생산 설비를 제조하는 다른 장치와 함께 리소그래피 장치를 도시한다;
도 2a 는 성능 파라미터 지문을 추정하는 프로세스를 보여준다;
도 2b 는 성능 파라미터 지문 및 불확실성 지문을 보여준다;
도 3a 및 도 3b 는 프로세스 윈도우를 계산하는 프로세스를 보여준다;
도 4 는 잔차 지문, 불확실성 지문 및 프로세스 윈도우 지문을 보여주는 그래프이다; 그리고
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 최적화 이후의 잔차 지문, 불확실성 지문 및 프로세스 윈도우 지문을 보여주는 그래프이다.
도 6a 는 기판 상의 중요한 위치와 연관된 수율-성능 파라미터 특성을 보여준다.
도 6b 는 기판 상의 덜 중요한 위치와 연관된 수율-성능 파라미터 특성을 보여준다.
본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하기 이전에, 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
도 1 은 그 안에 본 발명의 일 실시예가 작용할 수 있는 반도체 생산 설비의 통상적인 레이아웃을 도시한다. 리소그래피 장치(100)는 원하는 패턴을 기판 상에 적용한다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용된다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)이라고도 불리는 패터닝 장치는 IC의 개개의 층 상에 형성될 패쳐들(흔히 "제품 피쳐"라고 불림)의 회로 패턴을 포함한다. 기판 상에 제공된 방사선-감응 재료(레지스트)의 층 상으로의 패터닝 디바이스의 노광(104)을 통해서, 이러한 패턴이 기판 'W'(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 다이의 일부, 하나의 또는 여러 개의 다이를 포함함)에 전달된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
알려진 리소그래피 장치는, 기판의 타겟부를 패터닝 디바이스의 이미지 위치에 동기하여 위치설정하면서 패터닝 디바이스를 조명함으로써, 각각의 타겟부를 조사한다. 기판의 조사된 타겟부는 "노광 필드", 또는 간단히 "필드"라고 불린다. 기판 상의 필드의 레이아웃은 통상적으로, 직교 2-차원 좌표계에 따라 정렬된(예를 들어 (X) 및 (Y)-축을 따라 정렬되고, 양자 모두의 축들은 서로 직교함) 인접한 사각형들의 네트워크이다. 하나의 필드는 "다이"로 더 분할될 수 있고, 통상적으로 다이는 완전히 기능하는 집적 회로 층과 연관된 레티클 또는 기판 상의 구역으로서 규정된다. 흔히 레티클은 다수의 집적 회로에 대한 패턴의 회로를 포함하고, 그러면 하나의 필드는 다수의 다이를 포함하게 된다.
리소그래피 장치에 대한 요구 사항은 요구되는 패턴을 기판 상에 정확하게 정확한 재생성(reproduction)하는 것이다. 적용된 제품 피쳐의 위치 및 치수는 특정한 공차 내에 속할 필요가 있다. 위치 오차는 오버레이 오차(흔히 "오버레이"라고 불림) 때문에 생길 수 있다. 오버레이는 제 1 층 내의 제 1 제품 피쳐를 제 2 층 내의 제 2 제품 피쳐에 상대적으로 배치하는 데에 있는 오차이다. 리소그래피 장치는 패터닝 이전에 각각의 웨이퍼를 레퍼런스에 대해 정확하게 정렬함으로써 오버레이 오차를 최소화한다. 이것은 기판에 적용되는 정렬 마크의 위치를 측정함으로써 이루어진다. 정렬 측정에 기초하여, 오버레이 오차가 발생하는 것을 방지하기 위하여 패터닝 프로세스 중에 기판 위치가 제어된다.
제품 피쳐의 임계 치수(CD)의 오차는 노광(104)과 연관된 적용된 선량이 규격 안에 있지 않은 경우 생길 수 있다. 이러한 이유로, 리소그래피 장치(100)는 기판에 적용되는 방사선의 선량을 정확하게 제어할 수 있어야 한다. CD 오차는, 기판이 패턴 이미지와 연관된 초점면에 대해서 정확하게 위치되지 않은 경우에도 생길 수 있다. 초점 위치 오차는 일반적으로 기판 표면의 비평면성(non-planarity)과 연관된다. 리소그래피 장치는 패터닝 이전에 레벨 센서를 사용하여 기판 표면 토포그래피를 측정함으로써, 이러한 초점 위치 오차를 최소화한다. 기판 높이 정정은, 기판 상으로의 패터닝 디바이스의 정확한 이미징(포커싱)을 보장하기 위하여 후속 패터닝 도중에 적용된다.
리소그래피 프로세스와 연관된 오버레이 및 CD 오차를 검증하기 위하여, 패터닝된 기판은 계측 장치(140)에 의해서 계측된다. 계측 장치의 공통적인 예는 산란계이다. 전통적으로 산란계는 전용 계측 타겟의 특징을 측정한다. 이러한 계측 타겟은, 정확한 측정을 허용하기 위해서 그들의 치수가 통상적으로 더 크다는 것을 제외하고는 제품 피쳐를 대표한다(representative). 산란계는 오버레이 계측 타겟과 연관된 회절 패턴의 비대칭을 검출함으로써 오버레이를 측정한다. 임계 치수는 CD 계측 타겟과 연관된 회절 패턴의 분석에 의하여 측정된다. 계측 툴의 다른 예는 스캐닝 전자 현미경(SEM)과 같은 전자 빔(e-빔) 기초 검사 툴이다.
반도체 생산 설비 내에서, 리소그래피 장치(100) 및 계측 장치(140)는 "리소셀 " 또는 "리소 클러스터"의 일부를 형성한다. 리소 클러스터는, 감광성 레지스트를 기판(W)에 도포하기 위한 코팅 장치(108), 베이킹 장치(110), 노광된 패턴을 물리적 레지스트 패턴으로 현상하기 위한 현상 장치(112), 에칭 스테이션(122), 후-에칭 어닐링 단계를 수행하는 장치(124) 및 다른 처리 장치(126) 등을 더 포함한다. 계측 장치는 현상(112) 이후 또는 추가적인 처리(예를 들어 에칭) 이후에 기판을 검사하도록 구성된다. 리소셀 내의 다양한 장치는 감독 제어 시스템(SCS)에 의해 제어되는데, 이것은 리소그래피 장치 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. SCS는 그 외의 장치들이 최대 쓰루풋 및 제품 수율을 제공하면서 작동되게 한다. 중요한 제어 메커니즘은 다양한 장치, 특히 리소그래피 장치(100)로의 계측 장치(140)의 피드백(146)(SCS를 통함)이다. 계측 피드백의 특성에 기초하여, 후속 기판의 처리 품질을 개선하기 위하여 정정 동작이 결정된다.
종래에는 리소그래피 장치의 성능이 예를 들어 US2012008127A1 에 설명된 진보된 프로세스 제어(advanced process control; APC)와 같은 방법에 의해서 제어되고 정정된다. 진보된 프로세스 제어 기법은 기판에 적용된 계측 타겟의 측정을 사용한다. 제조 실행 시스템(Manufacturing Execution System; MES)은 APC 측정을 스케줄링하고, 측정 결과를 데이터 처리 유닛에 통신한다. 데이터 처리 유닛은 측정 데이터의 특징을 리소그래피 장치에 대한 명령을 포함하는 레시피로 전환한다. 이러한 방법은 리소그래피 장치와 연관된 드리프트 현상을 억제하는 데에 매우 효과적이다.
계측 데이터를 처리 장치에 의해 수행되는 정정 동작으로 처리하는 것은 반도체 제조에 있어서 중요하다. 계측 데이터에 추가하여, 각각의 패터닝 디바이스, 기판, 처리 장치의 특징 및 다른 콘텍스트 데이터도 제조 프로세스를 더욱 최적화하기 위해서 필요할 수 있다. 가용 계측 및 콘텍스트 데이터가 전체로서 리소그래피 프로세스를 최적화하기 위하여 사용되는 프레임워크는 흔히 홀리스틱 리소그래피(holistic lithography)의 일부라고 불린다. 예를 들어, 레티클 상의 CD 오차에 관련된 콘텍스트 데이터는 상기 CD 오차가 제조 프로세스의 수율에 영향을 주지 않도록 다양한 장치(리소그래피 장치, 에칭 스테이션)를 제어하기 위하여 사용될 수 있다. 그러면, 후속 계측 데이터는 이러한 제어 전략의 효과를 검증하기 위하여 사용될 수 있고, 정정 동작이 결정될 수 있다.
계측 결과를 사용하는 것은 리소그래피 프로세스의 성능을 위해서 중요하다. 동시에, 리소그래피 프로세스가 축소될 때마다(제조되는 피쳐의 크기가 감소됨), 계측 데이터의 관련성에 대한 요구 사항을 증가하고 있다. 계측 데이터의 관련성은, 사용된 계측 타겟이 제품 피쳐의 거동을 대표할 경우에만 보장된다. 이러한 문제점은 계측 타겟을 설계하는 동안에 다뤄진다. 제품 피쳐의 거동을 모방하기 위하여, 계측 타겟은 세그멘트화된 피쳐, 지원 피쳐 또는 특정 기하학적 구조 및/또는 치수를 가지는 피쳐를 내포할 수 있다. 신중하게 설계된 계측 타겟은 제품 피쳐가 반응하는 방식과 유사한 방식으로 (평균적으로) 프로세스 변동에 반응한다. 그러면 프로세스 제어가 정확해진다.
또한, 계측 타겟은 기판 및/또는 레티클에 걸쳐 최적으로 분산될 필요가 있다. 임의의 불필요한 측정을 하면 리소그래피 프로세스의 쓰루풋에 부정적으로 영향을 줄 수 있기 때문에, 임계 구역 내의 계측 타겟이 없으면 리소그래피 프로세스의 수율에 부정적으로 영향을 줄 수 있다. 계측 타겟을 최적으로 위치설정 및/또는 최적으로는 측정하는 것에 관련된 기술적 필드는 흔히 "기법 최적화(scheme optimization)"라고 불린다. 과도한 양의 측정을 수행하거나 리던던트 계측 타겟을 내포하기 위해서 기판 또는 레티클 상의 소중한 공간을 희생하지 않으면서 리소그래피 프로세스를 최적으로 제어하기 위해서 신중하게 선택된 계측 기법이 중요하다.
현재, 리소그래피 장치의 제어는 대부분 제품 피쳐를 대표하는 타겟에 대한 측정과 연관된 계측 데이터에 기초한다. 바람직하게는 조밀한 그리드 레이아웃 상의 전체 기판에 걸친 성능 파라미터(초점, 선량, CD, 오버레이)의 거동에 관련된 정보를 제공하기 위해서, 계측 데이터가 처리(모델링, 보간, 외삽)된다. 리소그래피 장치 제어 기반구조는 처리된 계측 데이터가, 기판(들)의 후속 노광 도중에 적용될 필요가 있는 요구된 정정으로 변환되도록 보장한다.
요구된 정정은: 리소그래피 툴의 투영 렌즈의 조절, 리소그래피 툴의 선량 셋팅의 조절, 기판 테이블 제어 파라미터의 조절, 레티클의 조절 중 하나 이상을 구현하는 하나 이상의 디바이스에 의해 구현될 수 있다. 일반적으로, 정정의 효과는 계측 타겟(기판의 노광 중에 생성됨)에 대한 측정에 의해 검증된다. 이러한 방식으로 성능 파라미터가 전체 기판에 걸친 그 거동에 기초하여 측정되고, 최적화되며 증명된다. 측정, 최적화(정정 메커니즘에 기초함) 및 증명의 이러한 흐름은 진보된 반도체 제조 프로세스를 위해 채용된 중요한 제어 전략이다.
"전체 기판" 제어 개념에 대한 제 1 적응예로서, 완전히 노광되지 않은 다이(이러한 다이는 최종품의 일부가 되지 않을 것임)와 연관된 성능 파라미터의 값이 무시될 수 있다. 그러면, 사양에 속하는 완전히 노광된 다이를 얻기 위해서 더 많은 정정 포텐셜이 사용되게 된다.
제 2 적응예로서, 제어 전략은 성능 파라미터 값을 기판 상의 특정 위치에서의 프로세스 윈도우의 크기를 나타내는 숫자로 가중하는 것을 포함할 수 있다. 프로세스 윈도우는, 리소그래피 프로세스가 사양에 속해서 수행되는 대상인 성능 파라미터(초점, 오버레이, CD, 선량)의 범위이다. 예를 들어, 초점 제어는 초점 변동에 만감한 것으로 알려지는 다이의 부분, 예를 들어 작은 프로세스 윈도우(이러한 경우에는 초점 파라미터에 대한 프로세스 윈도우)를 가지는 부분에 특이하게 표적화될 수 있다. 그러면, 다이의 덜 중요한 부분은 최적에 못 미치는 초점 제어를 받게 될 것이지만, 덜 중요한 부분은 더 큰 프로세스 윈도우를 가지고 따라서 최적에 못 미치는 초점 제어에 더 많은 내성을 가지기 때문에 제품의 품질에는 크게 영향이 없을 것이다.
제 3 전략으로서, 성능 파라미터는 기대된 다이-인-스펙(dies-in-spec) 기준에 기초(부분적으로)하여 제어될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼에 걸친 초점 제어 전략은 성능 파라미터가 어떤 기준을 만족시키는 다이의 개수를 최적화하도록 조절된다; 예를 들어, CD 변동은 CD의 공칭 값의 8% 미만에 남아 있어야 한다.
모든 제안된 제어 전략에 대하여, 리소그래피 장치의 제어가 기초하는 신뢰가능한 성능 파라미터 데이터 세트를 가지는 것이 바람직하다. 실무상, 계측 데이터 이용가능성은 제한되고, 기판에 걸친 성능 파라미터 분포(지문)의 충분히 정확한 추정을 제공하려면 샘플 기법이 최적일 필요가 있다. 계측 데이터를 외삽 및 보간하기 위해서 이용된 모델은 사실적(realistic)이고 계측 데이터 처리에 적합할 필요가 있다. 어떠한 경우에서도, 성능 파라미터 데이터를 모델링하면 기판 상의 어떤 위치에 연관된 성능 파라미터 값의 불확실성의 추정치를 할당할 가능성이 생긴다. 모델이 단지 계측 데이터의 평균 값이라면(모델은 성능 파라미터가 기판에 걸쳐서 일정하다고 가정함), 불확실성은 단지 성능 파라미터 값(기판에 걸쳐서 측정됨)의 표준 편차일 것이다. 일반적으로, 이러한 내용은 더 복잡한 모델(다항식, 레이디얼(radial) 기초 함수)에도 적용된다; 불확실성은 측정된 성능 파라미터 값과 기대된 성능 파라미터 값(모델 가정에 기초함) 사이의 차분의 표준 편차이다.
기판 상의 어떤 위치에서의 성능 파라미터의 불확실성은 제어 전략을 위한 소중한 입력일 수 있다. 불확실성이 높으면 성능 파라미터가 요구되는 값에서 크게 벗어날 수 있다는 것을 나타낸다. 그러므로, 리소그래피 장치의 제어는 a) 성능 파라미터를 목표 값을 향해 옮기거나, b) 높은 불확실성 구역이 성능이 사양에 속하지 않을 높은 위험을 가진다고 인정하고 더 낮은 불확실성을 보여주는(예를 들어 더 양호하게 제어가능한) 기판 상의 구역을 초점 제어하도록 표적화될 필요가 있을 수 있다. 전략 b)는 거의 모든 제어 노력이 성능 사양을 만족시킬 다이의 최대 수율을 향해 지향되는 "다이-인-스펙" 제어 전략의 변형이다. 기본적으로 성능 파라미터의 불확실성이 높은 기판의 부분은 성능 파라미터의 불확실성이 더 낮은 기판 상의 구역과 연관된 성능 파라미터를 개선하기 위해서 희생된다.
불확실성 메트릭은, 기판 상의 피쳐에 대해서 성능 파라미터 제어가 얼마나 중요한지의 지식과 결합될 수 있다. 후자는 기본적으로 기판에 걸친 프로세스 윈도우의 크기를 나타낸다.
제안된 개념의 실용적 구현형태가 도 2, 도 3, 도 4 및 도 5 에 의해 예시된다. 도 2 는 계측 장치(MET)에 의해 측정된 계측 데이터(MD) 및 리소그래피 장치(LA)에 의해 측정된 데이터(예를 들어 센서 데이터(SD) 및/또는 액츄에이터 데이터(AD))가, CD, 오버레이 또는 초점과 같은 성능 파라미터의 지문(PF)을 추정하기 위하여 프로세서 유닛(PU) 내에서 어떻게 결합되는지를 보여준다. 지문은 웨이퍼에 걸쳐서 추정될 수 있고, 따라서 필드들 사이(= 필드간) 변동 또는 한 필드에 걸친(해당 필드 내 = 필드내) 변동을 포함한다. 지문이 추정되고 성능 파라미터의 연관된 불확실성 지문(UF)이 유도된다. 성능 파라미터의 지문 및 그 불확실성은 결합된 파라미터 지문이라고 간주될 수 있다. (x, y)가 필드 내 그리고 웨이퍼 상에서의 위치에 대한 일반적인 의존성을 나타낸다는 것에 주의한다. 불확실성 지문(UF)(도 2b)은 측정 노이즈의 기여분(제한된 측정 정확도) 및 성능 파라미터 값을 추정하기 위하여 사용되는 보간 및 외삽 방법의 제한된 정확도에 의해 생기는 기여분을 포함한다.
계산 또는 실험적 방법에 기초하여, 프로세스 윈도우 및/또는 성능 파라미터에 대한 마진이, 도 3a 및 도 3b 에 도시되는 바와 같이 결정된다. 이러한 마진은 일반적으로 IC 제조 프로세스의 수율에 관련된다; 성능 파라미터가 이러한 마진을 초과하면 수율은 허용할 수 없을 정도로 낮아질 수 있다. 프로세스 윈도우가 계산에 의해 유도된다면, 다음의 입력이 바람직하다: 레티클 디자인(RD) - 어떤 피쳐가 어디에 존재하는가 - 및 리소그래피 장치의 임계 상태-파라미터(SP) - 예를 들어, 측정된 렌즈 수차, 측정된 선량 특징, 측정된 초점 제어 파라미터. 계산형 리소그래피 시스템(CL)을 사용하여 기판에 걸쳐서 프로세스 윈도우를 측정 / 계산함으로써, 프로세스 윈도우 지문(PWF)이 유도된다.
또한, 프로세스 윈도우 및 또는 마진을 계산하는 입력으로서, 노광된 기판 상에서 수행된 측정의 결과를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 프로세스 윈도우가 작은 기판 상의 구역을 식별하는 것을 돕기 위해서, 결함 계측 측정이 사용될 수 있다.
결정된 불확실성 지문 및 결정된 프로세스 윈도우 지문에 기초하여, 어떤 위치에서 성능 파라미터가 사양을 벗어나게 될 수 있는지가 결정된다.
리소그래피 장치는, 액츄에이터라고 불리는 복수 개의 정정 디바이스를 이용하여 성능 파라미터를 제어한다. 작동 범위 및 정정 프로파일의 공간적 특성(예를 들어 프로파일의 어떤 범위가 정정가능한지)에 제약이 없다면, 리소그래피 장치는 불확실성 지문이 프로세스 윈도우 지문에 대해서 중앙에 위치되는 방식으로 제어될 수 있다. 실무상, 액츄에이터에 관련된 제약(예를 들어 제한된 공간 분해능)이 있으면 성능 파라미터의 잔차 지문(RF)이 생기게 되고, 그 위에 불확실성 범위(UR)가 도 4 에 도시된 바와 같이 중첩된다. 잔차 지문은 어떤 정정 디바이스가 사용되는지 그리고 이용된 정정 디바이스의 설정에 따라 달라진다. 정정 디바이스를 신중하게 선택하고 구성하면 기판 상의 제 1 구역에 고정확도 제어(낮은 잔차)가 이루어질 수 있지만, 기판 상의 제 2 구역에서는 제어의 정확도가 낮아질 것이다(더 높은 잔차가 생김). 도 4 에서 잔차 지문은 "균형잡힌(balanced)" 거동을 보여주고 있으며, 제어의 정확도는 기판 상의 특정 구역에 대해서 최적화되지 않아서, 기판에 걸쳐서 작은 변동만을 보여주는 잔차 지문이 된다.
일 실시예에서, 프로세스 윈도우 지문, 잔차 지문 및 불확실성 지문은 중첩되어 관련된 성능 파라미터(들)가 사양을 벗어나게 될 확률이 계산될 수 있게 된다. 도 4 에서 빗금 구역은 기판의 어디에서 이러한 확률이 특정 레벨보다 높은지를 표시한다. 이러한 계산된 확률은 반도체 제조 프로세스의 최대 수율을 위하여 액츄에이터 셋팅을 최적화하기 위하여 사용될 수 있다. 액츄에이터는, 액츄에이터와 연관된 잔차 지문이 4 에 도시된 바와 같은 빗금 구역의 면적을 최소화하도록 구성되고 선택된다; 그러면 성능 파라미터가 그 사양을 만족시키지 않을 확률은 기판 상의 구역(또는 전체 기판)에 걸쳐서 실효적으로 적분된다. 적분된 확률은 정정 디바이스를 선택하고 구성함으로써 최소화될 수 있다. 일반적으로, 확률과 연관된 다른 메트릭(예를 들어 기판 전체의 평균, 최대 또는 메디안)이 결정되고, 정정 디바이스를 제어하기 위하여 사용될 수 있다.
다른 실시예에서, 전체 웨이퍼/ 필드 구역에 대해서 확률을 최적화하는 것에 추가하여, 각각의 필드 내에 다이의 레이아웃이 포함될 수도 있다. 도 5 는 수율 확률이 다이들의 서브세트에 대해서 어떻게 최적화되는지를 보여준다. 이것은 다이들의 특정 서브세트의 수율 확률이 매우 낮은 경우, 예를 들어 기판의 에지에 있는 다이의 경우에 유익할 수 있다. 도 5 에서 도시된 예에서, 다이 번호 3 은, 기판의 내부 구역(예를 들어 기판의 에지로부터 멀리 있음)과 연관된 다이 1 및 2 의 수율 확률을 개선시키기 위해서 "희생된다(sacrificed)". 이상적으로는, 다이 레벨 최적화는 모든 성능 파라미터(선량, 초점, 오버레이) 및 필요할 경우에는 여러 층을 다루어야 한다. 하나 이상의 다이가 한 층 안에서 희생되는 경우, 다른 층에서 만일 희생이 필요하다면 그러한 다른 층에서도 동일한 다이가 희생되는 것이 바람직할 수 있다.
비록 통상적으로는 리소그래피 장치 내의 정정 디바이스(액츄에이터)가 사용되지만, 에칭 스테이션, 트랙(레지스트 현상) 및 다른 처리 장비와 같은 처리 장치에 속하는 정정 디바이스도 고려될 수 있다는 것에 주의한다. 이것은, 성능 파라미터가 에칭 후에 측정되고(AEI = 에칭후 검사) 에칭 스테이션의 제어가 기판 전체의 CD 또는 오버레이 파라미터를 크게 개선할 수 있는 경우에 특히 그러하다.
다른 실시예에서, 계측 타겟의 배치를 최적화함으로써(또는 계측 타겟 또는 측정되도록 선택된 다른 구조체와 연관된 측정 위치의 선택을 최적화함으로써) 추가적인 최적화가 달성될 수 있다. 샘플링 기법 최적화는 지문 불확실성 및 균일성에만 기초할 수 있지만, 프로세스 윈도우 지문 / 핫스폿 위치를 역시 고려하는 것이 바람직하다. 핫스폿 위치는 그 프로세스 윈도우가 작기 때문에 프로세스의 수율을 제한할 위험성이 높은 것으로 식별되는 위치이다. 핫스폿 위치를 고려하면, 핫스폿 위치에서의 성능 파라미터의 불확실성을 감소시킬 수 있고, 사양을 만족시키는 다이의 개수가 더욱 개선된다.
다른 실시예에서, 리소그래피 프로세스의 수율은 리소그래피 프로세스를 제어하기 위하여 이용되는 성능 파라미터 데이터를 적응시킴으로써 개선된다. 전술된 바와 같이, 리소그래피 프로세스는 통상적으로 성능 파라미터 데이터에 기초하여 제어된다. 제어는 프로세스 윈도우가 작은 기판 상의 위치에서 가장 중요하다; 이것은 성능 파라미터가 상대적으로 작게 달라져도 이러한 관심 위치에서는 커다란 수율 손실이 초래될 수 있다는 것을 암시한다. 성능 파라미터 값을 가중화(기판 상의 특정 위치에서의 프로세스 윈도우의 크기를 나타내는 숫자로 가중화)하는 하나의 대안이 제안된다. 성능 파라미터 데이터가 리소그래피 프로세스의 제어 기반구조에 의해 이용되기 전에 수정하는 것이 제안된다. 예를 들어, 어떤 중요한 위치에서 성능 파라미터의 값을 증폭함으로써, 리소그래피 프로세스의 제어기는 기판 상의 중요한 위치에는 더 큰 정정을 적용하지만, 제어 전략의 제한사항 때문에, 기판 상의 덜 중요한 위치에는 공칭 정정보다 적은 정정을 적용하도록 강제될 수 있다.
이러한 실시예에서, 프로세스 윈도우는 통상적으로 수율 값과 성능 파라미터 값 사이의 관계에 의해 표현된다. 중요한 위치와 연관된 프로세스 윈도우가 도 6a 의 그래프에 표시된다. 수율 파라미터는 성능 파라미터(이러한 경우에는 오버레이)가 자신의 공칭 값(여기에서는 공칭 값이 0 임)으로부터 점점 벗어남에 따라 급격하게 감소한다. 기판 상의 덜 중요한 위치와 연관된 프로세스 윈도우는 도 6b 에서 표시되는데, 수율 파라미터는 오버레이가 증가하기 시작할 때 처음에는 크게 변하지 않는다. 큰 오버레이 변동(자신의 공칭 값으로부터의 오버레이의 큰 편차)에 대해서만 수율이 급격하게 감소한다.
통상적으로 성능 데이터를 수정하기 전에, 성능 파라미터 데이터는 정규화되거나 레퍼런스 값에 참조된다. 예를 들어, 성능 파라미터 데이터가 임계 치수(CD)를 가리키는 경우, 임계 치수 데이터는 임계 치수의 공칭 값에 참조될 수 있다. 예를 들어 공칭 CD가 40nm이면, CD의 (측정된) 값은 CD의 (측정된) 값으로부터 40nm를 감산하고 선택적으로는 얻어진 값을 40nm로 나누어서 정규화된 값을 얻음으로써 그 공칭 값에 참조될 수 있다. CD 값에 유사하게, 오버레이, 초점, 선량 또는 에지 배치 오차(Edge Placement Error; EPE)도 성능 파라미터로서 관련될 수 있다.
성능 파라미터 데이터의 (선택적인) 참조 및/또는 정규화 이후에, 성능 파라미터 데이터는 리소그래피 프로세스의 수율에 유익한 영향을 줄 수 있는, 수정에 대한 제어된 응답을 유발하도록 수정된다. 통상적으로 이것은 기판 상의 중요한 위치와 연관된 성능 파라미터를 증폭시킴(예를 들어, 성능 파라미터 값을 1 보다 큰 인자로 스케일링함)으로써 달성된다. 대안적으로 또는 추가적으로, 덜 중요한 위치와 연관된 성능 파라미터 데이터를 감쇠시키는 것(예를 들어, 성능 파라미터를 1 보다 작은 인자로 스케일링하는 것)도 역시 구현될 수 있다.
성능 파라미터 데이터의 수정에 응답하여, 리소그래피 프로세스의 제어 시스템은 덜 중요한 위치에 대한 성능 파라미터 보다 중요한 위치에 대한 성능 파라미터를 더 큰 정도로 정정할 수 있다. 그 효과로서, 중요한 위치는 이제 더 큰 정도로 최적화되지만, 기판 상의 덜 중요한 위치에 대한 일부 성능을 희생한다. 제어의 예는: 기판의 적어도 일부에 걸쳐 성능 파라미터 지문을 제어하기 위해 리소그래피 장치 내의 렌즈 조작기를 사용하는 것, 리소그래피 프로세스 도중에 기판의 위치설정을 수정하기 위해 웨이퍼 테이블 액츄에이터를 사용하는 것 및/또는 기판의 에칭 프로세스 도중에 기판의 열적 작용(thermal actuation)의 조절을 사용하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에서, 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서, 기판의 적어도 일부와 연관된 성능 파라미터 데이터를 획득하는 단계 - 상기 성능 파라미터 데이터는 상기 리소그래피 프로세스를 제어하기 위해서 활용되는 것임 -; 상기 기판의 상기 적어도 일부에 걸쳐 상기 성능 파라미터의 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -; 및 상기 리소그래피 프로세스의 수율에 대한 상기 성능 파라미터 데이터의 수정의 예측된 영향에 기초하여 상기 성능 파라미터 데이터를 수정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법이 제안된다.
프로세스 윈도우는 성능 파라미터의 값과 기판 상의 위치 또는 영역의 수율과 연관된 값 사이의 관계를 나타낸다. 성능 파라미터를 수정하는 것은, 성능 파라미터의 값을 증폭 또는 감쇠시키는 것을 포함한다. 성능 파라미터의 값은, 성능 파라미터 값의 증폭 또는 감쇠를 적용하기 전에 레퍼런스 값으로 참조되거나 정규화될 수 있다. 리소그래피 프로세스를 제어하는 것은, 리소그래피 프로세스를 수행하기 위해 이용되는 장치와 연관된 액츄에이터를 조절하는 것을 통상적으로 포함한다. 액츄에이터는: 렌즈 요소, 스테이지 이동, 에칭 프로세스의 온도, 에칭 프로세스의 방향(예를 들어 플라즈마 에칭 방향) 중 하나를 제어할 수 있다. 성능 파라미터는 통상적으로 오버레이, CD, EPE, 초점, 선량 중 하나이다.
비록 본 발명의 특정한 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
일 실시예는, 도 1 에서 도시되는 바와 같은 다양한 장치가 전술된 바와 같이 측정 및 최적화 단계를 수행하고 후속 노광 프로세스를 제어하도록 명령하게 구성된 머신-판독가능 명령의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램을 포함할 수 있다. 이러한 컴퓨터 프로그램은 예를 들어 도 1 의 제어 유닛(LACU) 또는 감독 제어 시스템(SCS) 또는 양자 모두의 조합 내에서 실행될 수 있다. 그 안에 저장된 이러한 컴퓨터 프로그램을 포함하는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기적 또는 광학적 디스크)가 역시 제공될 수 있다.
비록 위에서 광 리소그래피의 콘텍스트에서 본 발명의 실시예를 사용하는 것에 대해 특정하여 언급하였지만, 본 발명이 다른 애플리케이션, 예를 들어 임프린트(imprint) 리소그래피에서 사용될 수도 있고, 콘텍스트가 허용하는 경우 광 리소그래피로 제한되는 것이 아니라는 것이 인정될 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 장치의 토포그래피는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 장치의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트의 층에 프레스될 수도 있고, 그 위에서 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 이들의 조합을 인가함으로써 경화된다. 패터닝 장치는 레지스트가 경화된 후에 레지스트 외부로 이동됨으로써 그 내부에 패턴을 잔류시킨다.
본 발명의 다른 실시예들은 아래의 번호가 매겨진 실시예들의 목록에서 개시된다:
1. 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
기판에 걸쳐 성능 파라미터의 파라미터 지문을 결정하는 단계 - 상기 파라미터 지문은 상기 성능 파라미터에 있어서의 불확실성에 관련된 정보를 포함하는 것임 -;
상기 기판에 걸쳐 상기 성능 파라미터의 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -; 및
상기 파라미터 지문 및 상기 프로세스 윈도우 지문을 사용하여, 상기 성능 파라미터가 허용가능 범위를 벗어날 확률과 연관된 확률 메트릭(probability metric)을 결정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법.
2. 제 1 실시예에 있어서,
상기 방법은,
상기 확률 메트릭에 기초하여 상기 리소그래피 프로세스에 대한 정정을 결정하는 단계를 더 포함하는, 수율 개선 방법.
3. 제 2 실시예에 있어서,
상기 정정을 결정하는 단계는, 상기 정정을 적용하는 것으로부터 초래되는 잔차 파라미터 지문을 개선하기 위한 정정을 결정하는 것을 포함하는, 수율 개선 방법.
4. 제 3 실시예에 있어서,
상기 정정은 기판 전체의 평균 잔차 파라미터 지문을 최소화하도록 결정되는, 수율 개선 방법.
5. 제 3 실시예에 있어서,
상기 정정은 상기 기판의 부분 내의 잔차 파라미터 지문을 최소화하도록 결정되는, 수율 개선 방법.
6. 제 2 실시예 내지 제 5 실시예 중 어느 한 실시예에 있어서,
상기 정정은 상기 리소그래피 장치 내의 정정 디바이스에 의하여 적용되는, 수율 개선 방법.
7. 제 2 실시예 내지 제 5 실시예 중 어느 한 실시예에 있어서,
상기 정정은, 에칭 스테이션, 증착 스테이션 또는 연마 스테이션과 같은 프로세스 스테이션 내의 정정 디바이스에 의하여 적용되는, 수율 개선 방법.
8. 제 2 실시예 내지 제 7 실시예 중 어느 한 실시예에 있어서,
상기 함수 메트릭은 전체 기판에 걸쳐 상기 확률을 적분함으로써 계산되는, 수율 개선 방법.
9. 제 2 실시예 내지 제 8 실시예 중 어느 한 실시예에 있어서,
상기 확률 메트릭은 다이들의 서브세트에 걸쳐 상기 확률을 적분함으로써 계산되는, 수율 개선 방법.
10. 제 9 실시예에 있어서,
상기 다이들의 서브세트는 완전히 노광된 다이들인, 수율 개선 방법.
11. 제 9 실시예 또는 제 10 실시예에 있어서,
상기 다이들의 서브세트는 상기 기판 상의 내부 영역에서 노광되는 다이들인, 수율 개선 방법
12. 제 2 실시예 내지 제 11 실시예 중 어느 한 실시예에 있어서,
상기 정정은, 성능 파라미터가 허용가능 범위 안에 있는 상기 다이의 개수를 최적화하는, 수율 개선 방법.
13. 제 2 실시예 내지 제 9 실시예 중 어느 한 실시예에 있어서,
상기 정정은, 각각의 다이가 하나 이상의 층으로 정확하게 형성될 누적 확률을 최적화하는, 수율 개선 방법.
14. 제 1 실시예 내지 제 13 실시예 중 어느 한 실시예에 있어서,
상기 성능 파라미터는: 초점 파라미터; 선량 파라미터; CD 파라미터; 오버레이 파라미터; 측벽각 파라미터; 및 에지 배치 파라미터 중 하나인, 수율 개선 방법.
15. 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
기판에 걸쳐 성능 파라미터의 불확실성 지문을 결정하는 단계;
상기 기판에 걸쳐 상기 성능 파라미터의 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -;
상기 성능 파라미터가 허용가능 범위를 벗어날 확률과 연관된 확률 메트릭을 결정하는 단계; 및
상기 확률 메트릭에 기초하여 상기 기판 상의 계측 타겟의 위치를 결정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법.
16. 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
기판에 걸쳐 성능 파라미터의 불확실성 지문을 결정하는 단계;
상기 기판에 걸쳐 상기 성능 파라미터의 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -;
상기 성능 파라미터가 허용가능 범위를 벗어날 확률과 연관된 확률 메트릭을 결정하는 단계; 및
상기 확률 메트릭에 기초하여 상기 기판 상의 계측 타겟의 측정 위치를 결정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법.
17. 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
기판의 적어도 일부와 연관된 성능 파라미터 데이터를 획득하는 단계 - 상기 성능 파라미터 데이터는 상기 리소그래피 프로세스를 제어하기 위해서 활용되는 것임 -;
상기 기판의 상기 적어도 일부에 걸쳐 상기 성능 파라미터의 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -; 및
상기 성능 파라미터 데이터를 수정하는 단계로서, 상기 리소그래피 프로세스의 수율에 대한 상기 수정의 예측된 영향에 기초하여 상기 성능 파라미터 데이터를 수정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법.
18. 제 17 실시예에 있어서,
상기 방법은,
수정된 성능 파라미터 데이터에 기초하여 상기 리소그래피 프로세스를 제어하는 단계를 더 포함하는, 수율 개선 방법.
19. 제 17 실시예 또는 제 18 실시예에 있어서,
상기 프로세스 윈도우는 성능 파라미터의 값과 기판 상의 위치 또는 영역의 수율과 연관된 값 사이의 관계를 나타내는, 수율 개선 방법.
20. 제 17 실시예 내지 제 19 실시예 중 어느 한 실시예에 있어서,
상기 성능 파라미터 데이터를 수정하는 것은 레퍼런스 값을 감산하는 것 및/또는 성능 파라미터 데이터를 정규화하는 것을 포함하는, 수율 개선 방법.
21. 제 17 실시예 내지 제 20 실시예 중 어느 한 실시예에 있어서,
상기 성능 파라미터 데이터의 수정은, 상기 성능 파라미터 데이터의 증폭 또는 감쇠를 포함하는, 수율 개선 방법.
22. 제 18 실시예에 있어서,
상기 리소그래피 프로세스의 제어는, 상기 리소그래피 프로세스를 수행하기 위해 이용되는 장치와 연관된 액츄에이터를 조절하는 것을 포함하는, 수율 개선 방법.
23. 제 22 실시예에 있어서,
상기 액츄에이터는, 렌즈 요소, 스테이지 이동, 에칭 프로세스의 온도, 에칭 프로세스의 방향 중 하나를 제어하는, 수율 개선 방법.
24. 제 17 실시예 내지 제 23 실시예 중 어느 한 실시예에 있어서,
상기 성능 파라미터는, 오버레이, CD, EPE, 초점, 선량 중 하나인, 수율 개선 방법.
25. 디바이스 제조 방법으로서,
리소그래피 프로세스의 수율을 개선하도록 제 1 실시예 내지 제 24 실시예 중 어느 한 실시예의 방법을 수행하는 단계, 및
상기 리소그래피 프로세스를 수행하여 디바이스를 제조하는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
26. 컴퓨터 시스템에 의해 실행되면, 상기 컴퓨터 시스템이 제 1 실시예 내지 제 24 실시예 중 어느 한 실시예의 방법을 수행하게 하는 컴퓨터-판독가능 명령을 포함하는 컴퓨터 프로그램.
본원에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 약 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선(예컨대, 1-100 nm 범위의 파장을 가짐), 및 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는, 모든 타입의 전자기 방사선을 망라한다. 산란계 및 다른 검사 장치의 구현형태는 적합한 소스를 사용하여 UV 및 EUV 파장에서 제작될 수 있고, 본 발명은 절대로 IR 및 가시광선을 사용한 시스템으로 한정되는 것이 아니다.
본 명세서에 사용된 "렌즈"라는 용어는, 문맥이 허용한다면, 굴절, 회절, 반사, 자기, 전자자기, 및 정전기 광 컴포넌트를 포함하는 다양한 타입의 광 컴포넌트 중 임의의 것 또는 조합을 가리킬 수 있다. 반사성 컴포넌트는 UV 및/또는 EUV 범위에서 동작하는 장치 내에서 사용될 가능성이 있다.
본 발명의 적용 범위 및 범위는 전술한 예시 실시예의 어떠한 것에 의해서도 한정되어서는 안 되며, 후속하는 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.

Claims (15)

  1. 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
    기판의 적어도 일부에 걸쳐 성능 파라미터의 공간적 변동을 나타내는 제1 지문을 결정하는 단계 - 상기 제1 지문은 상기 성능 파라미터에 있어서의 불확실성에 관련된 정보를 포함하는 것임 -;
    상기 기판의 적어도 일부에 걸쳐 상기 성능 파라미터에 대한 프로세스 윈도우의 공간적 변동을 나타내는 제2 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -; 및
    상기 제1 지문 및 상기 제2 지문을 사용하여, 상기 성능 파라미터가 허용가능 범위를 벗어날 확률과 연관된 확률 메트릭(probability metric)을 결정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 확률 메트릭에 기초하여 상기 리소그래피 프로세스에 대한 정정을 결정하는 단계를 더 포함하는, 수율 개선 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 정정은 리소그래피 장치 내의 정정 디바이스에 의하여 적용되는, 수율 개선 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 정정은 물리적 처리 스테이션 내의 정정 디바이스에 의하여 적용되는, 수율 개선 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 확률 메트릭은 다이들의 서브세트에 걸쳐 상기 확률을 적분함으로써 계산되는, 수율 개선 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 다이들의 서브세트는 완전히 노광된 다이들인, 수율 개선 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 다이들의 서브세트는 상기 기판 상의 내부 영역에서 노광되는 다이들인, 수율 개선 방법
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 정정은, 성능 파라미터가 허용가능 범위 안에 있는 다이의 개수를 최적화하는, 수율 개선 방법.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 정정은, 각각의 다이가 하나 이상의 층으로 정확하게 형성될 누적 확률(cumulative probability)을 최적화하는, 수율 개선 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 성능 파라미터는: 초점 파라미터; 선량 파라미터; CD 파라미터; 오버레이 파라미터; 측벽각 파라미터; 및 에지 배치 파라미터 중 하나인, 수율 개선 방법.
  11. 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
    기판의 적어도 일부와 연관된 성능 파라미터 데이터를 획득하는 단계 - 상기 성능 파라미터 데이터는 상기 리소그래피 프로세스를 제어하기 위해서 활용되는 것임 -;
    상기 기판의 상기 적어도 일부에 걸쳐 상기 성능 파라미터에 대한 프로세스 윈도우의 공간적 변동을 나타내는 프로세스 윈도우 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -; 및
    상기 성능 파라미터 데이터의 적어도 일부를 수정하는 단계로서, 상기 리소그래피 프로세스의 수율에 대한 상기 수정의 예측된 영향에 기초하여 상기 성능 파라미터 데이터의 적어도 일부를 수정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 방법은,
    수정된 성능 파라미터 데이터에 기초하여 상기 리소그래피 프로세스를 제어하는 단계를 더 포함하는, 수율 개선 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 성능 파라미터 데이터의 적어도 일부의 수정은, 상기 성능 파라미터 데이터의 증폭 또는 감쇠를 포함하는, 수율 개선 방법.
  14. 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
    기판의 적어도 일부에 걸쳐 성능 파라미터의 불확실성의 공간적 변동을 나타내는 제1 지문을 결정하는 단계;
    상기 기판의 적어도 일부에 걸쳐 상기 성능 파라미터에 대한 프로세스 윈도우의 공간적 변동을 나타내는 제2 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -; 및
    상기 제1 지문 및 상기 제2 지문을 사용하여, 상기 성능 파라미터가 허용가능 범위를 벗어날 확률과 연관된 확률 메트릭을 결정하는 단계; 및
    상기 확률 메트릭에 기초하여 상기 기판 상의 계측 타겟의 위치를 결정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법.
  15. 리소그래피 프로세스의 수율을 개선하는 방법으로서,
    기판의 적어도 일부에 걸쳐 성능 파라미터의 불확실성의 공간적 변동을 나타내는 제1 지문을 결정하는 단계;
    상기 기판의 적어도 일부에 걸쳐 상기 성능 파라미터에 대한 프로세스 윈도우의 공간적 변동을 나타내는 제2 지문을 결정하는 단계 - 프로세스 윈도우는 상기 성능 파라미터의 허용가능 범위와 연관되는 것임 -; 및
    상기 제1 지문 및 상기 제2 지문을 사용하여, 상기 성능 파라미터가 허용가능 범위를 벗어날 확률과 연관된 확률 메트릭을 결정하는 단계; 및
    상기 확률 메트릭에 기초하여 상기 기판 상의 계측 타겟의 측정 위치를 결정하는 단계를 포함하는, 수율 개선 방법.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109891324B (zh) * 2016-10-26 2021-05-25 Asml荷兰有限公司 用于光刻过程的优化的方法
EP3396458A1 (en) * 2017-04-28 2018-10-31 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for optimization of lithographic process
KR102411813B1 (ko) 2017-05-05 2022-06-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디바이스 제조 프로세스의 수율의 예측 방법
WO2019063206A1 (en) 2017-09-27 2019-04-04 Asml Netherlands B.V. METHOD FOR DETERMINING CONTROL PARAMETERS OF DEVICE MANUFACTURING PROCESS
WO2019121486A1 (en) 2017-12-22 2019-06-27 Asml Netherlands B.V. Process window based on defect probability
EP3594749A1 (en) 2018-07-10 2020-01-15 ASML Netherlands B.V. Method to label substrates based on process parameters
US11630396B2 (en) 2018-08-14 2023-04-18 Asml Netherlands B.V. Model calibration and guided metrology based on smart sampling
EP3647873A1 (en) 2018-11-02 2020-05-06 ASML Netherlands B.V. Method to characterize post-processing data in terms of individual contributions from processing stations
CN112969968A (zh) * 2018-11-08 2021-06-15 Asml荷兰有限公司 基于过程变化度的空间特性对不合格的预测
US11796978B2 (en) 2018-11-26 2023-10-24 Asml Netherlands B.V. Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process
EP3705959A1 (en) 2019-03-04 2020-09-09 ASML Netherlands B.V. Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process
EP3891558A1 (en) 2018-12-03 2021-10-13 ASML Netherlands B.V. Method to predict yield of a semiconductor manufacturing process
CN113168115A (zh) * 2018-12-03 2021-07-23 Asml荷兰有限公司 制造器件的方法
CN113168116B (zh) 2018-12-07 2024-04-16 Asml荷兰有限公司 用于确定影响半导体制造过程中的产率的根本原因的方法
CN114174927A (zh) * 2019-07-04 2022-03-11 Asml荷兰有限公司 光刻工艺及关联设备的子场控制
EP3767391A1 (en) * 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
US11061373B1 (en) * 2019-08-20 2021-07-13 Siemens Industry Software Inc. Method and system for calculating probability of success or failure for a lithographic process due to stochastic variations of the lithographic process
KR20220132624A (ko) * 2020-02-12 2022-09-30 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 제조 프로세스를 제어하기 위한 방법 및 연관된 장치
EP3869271A1 (en) * 2020-02-20 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
US11687010B2 (en) 2020-02-21 2023-06-27 Onto Innovation Inc. System and method for correcting overlay errors in a lithographic process
US20230175983A1 (en) * 2021-12-08 2023-06-08 Kla Corporation Process window qualification modulation layouts

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030219658A1 (en) * 2002-02-18 2003-11-27 Hitachi High-Technologies Corporation Method of observing exposure condition for exposing semiconductor device and its apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20070050749A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Brion Technologies, Inc. Method for identifying and using process window signature patterns for lithography process control
JP2010152356A (ja) * 2008-12-18 2010-07-08 Brion Technologies Inc リソグラフィプロセスウィンドウ最大化光近接効果補正のための方法及びシステム
JP2011171732A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置を制御するための方法および装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7474001B2 (en) 2001-11-21 2009-01-06 Hermes-Microvision, Inc. Method for in-line monitoring of via/contact holes etch process based on test structures in semiconductor wafer manufacturing
WO2005073807A1 (en) 2004-01-29 2005-08-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Computer-implemented methods for detecting defects in reticle design data
US7374957B2 (en) 2005-07-11 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Method of calibrating or qualifying a lithographic apparatus or part thereof, and device manufacturing method
US7921383B1 (en) * 2006-01-11 2011-04-05 Olambda, Inc Photolithographic process simulation including efficient result computation for multiple process variation values
KR101274828B1 (ko) * 2006-01-30 2013-06-13 가부시키가이샤 니콘 처리 조건 결정 방법 및 장치, 표시 방법 및 장치, 처리 장치, 측정 장치 및 노광 장치, 기판 처리 시스템 및 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능한 정보 기록 매체
US8102408B2 (en) 2006-06-29 2012-01-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods and systems for determining different process windows for a wafer printing process for different reticle designs
IL210832A (en) 2010-02-19 2016-11-30 Asml Netherlands Bv Lithographic facility and method of manufacturing facility
SG183108A1 (en) * 2010-02-19 2012-09-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9177219B2 (en) 2010-07-09 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Method of calibrating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product
NL2011276A (en) * 2012-09-06 2014-03-10 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus and lithographic processing cell.
US8856698B1 (en) * 2013-03-15 2014-10-07 Globalfoundries Inc. Method and apparatus for providing metric relating two or more process parameters to yield
KR101860038B1 (ko) 2013-12-30 2018-05-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 타겟의 디자인을 위한 방법 및 장치
US10372043B2 (en) * 2014-12-17 2019-08-06 Asml Netherlands B.V. Hotspot aware dose correction
CN109891324B (zh) * 2016-10-26 2021-05-25 Asml荷兰有限公司 用于光刻过程的优化的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030219658A1 (en) * 2002-02-18 2003-11-27 Hitachi High-Technologies Corporation Method of observing exposure condition for exposing semiconductor device and its apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20070050749A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Brion Technologies, Inc. Method for identifying and using process window signature patterns for lithography process control
JP2010152356A (ja) * 2008-12-18 2010-07-08 Brion Technologies Inc リソグラフィプロセスウィンドウ最大化光近接効果補正のための方法及びシステム
JP2011171732A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置を制御するための方法および装置

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Publication number Publication date
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