KR102224210B1 - Semiconductor device, and semiconductor element protection material - Google Patents

Semiconductor device, and semiconductor element protection material Download PDF

Info

Publication number
KR102224210B1
KR102224210B1 KR1020207009101A KR20207009101A KR102224210B1 KR 102224210 B1 KR102224210 B1 KR 102224210B1 KR 1020207009101 A KR1020207009101 A KR 1020207009101A KR 20207009101 A KR20207009101 A KR 20207009101A KR 102224210 B1 KR102224210 B1 KR 102224210B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor device
weight
protecting
semiconductor element
cured product
Prior art date
Application number
KR1020207009101A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200037437A (en
Inventor
다까시 니시무라
히로시 마에나까
시게루 나까무라
다꾸지 아오야마
유우스께 고바야시
Original Assignee
세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 filed Critical 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority to KR1020217006250A priority Critical patent/KR102294307B1/en
Publication of KR20200037437A publication Critical patent/KR20200037437A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102224210B1 publication Critical patent/KR102224210B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/70—Additives characterised by shape, e.g. fibres, flakes or microspheres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend

Abstract

경화물의 방열성이 우수하고, 경화물의 보이드가 적으며, 경화물의 절연 신뢰성이 우수하여, 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있는 반도체 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 장치는, 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비하고, 상기 경화물을 얻기 위한 반도체 소자 보호용 재료는, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 상기 경화물에 있어서의 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하이다.Provided is a semiconductor device capable of excellent heat dissipation of a cured product, less voids of a cured product, excellent insulation reliability of a cured product, and good protection of semiconductor elements. A semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor element and a cured product disposed on a first surface of the semiconductor element, and the material for protecting a semiconductor element for obtaining the cured product includes a thermosetting compound, a curing agent or a curing catalyst, and , Containing an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more, and does not contain a cyclic siloxane compound from a trimer to a decomer, or contains 500 ppm or less of a cyclic siloxane compound from a trimer to a decer, The content of the inorganic filler in the cargo is 60% by weight or more and 92% by weight or less, and the electric conductivity of the cured product is 50 µS/cm or less.

Description

반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료{SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT PROTECTION MATERIAL}Materials for semiconductor device and semiconductor device protection {SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT PROTECTION MATERIAL}

본 발명은, 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하여 사용되는 반도체 소자 보호용 재료에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device using a material for protecting semiconductor elements. Further, the present invention relates to a material for protecting a semiconductor device, which is applied and used on the surface of the semiconductor device to protect the semiconductor device.

반도체 장치의 고성능화가 진행되고 있다. 이에 따라서 반도체 장치로부터 발해지는 열을 방산시킬 필요가 높아지고 있다. 또한, 반도체 장치에서는, 반도체 소자의 전극은, 예를 들어 전극을 표면에 갖는 다른 접속 대상 부재에 있어서의 전극과 전기적으로 접속되어 있다.The high performance of semiconductor devices is progressing. Accordingly, the need to dissipate heat emitted from semiconductor devices is increasing. In addition, in a semiconductor device, an electrode of a semiconductor element is electrically connected, for example, to an electrode in another connection object member having an electrode on its surface.

반도체 장치에서는, 예를 들어 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 에폭시 수지 조성물을 배치한 후, 해당 에폭시 수지 조성물을 경화시킴으로써, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재가 접착 및 고정되어 있다. 또한, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되는 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물은, 반도체 소자의 표면을 보호하기 위한 재료와는 상이하다.In a semiconductor device, for example, after disposing an epoxy resin composition between a semiconductor element and another member to be connected, the epoxy resin composition is cured so that the semiconductor device and the member to be connected are adhered and fixed. Further, the cured product of the epoxy resin composition disposed between the semiconductor element and the other member to be connected is different from the material for protecting the surface of the semiconductor element.

또한, 반도체 장치에서는, 반도체 소자를 밀봉하기 위해서, 에폭시 수지 조성물이 사용되는 경우가 있다.Moreover, in a semiconductor device, in order to seal a semiconductor element, an epoxy resin composition may be used.

상기와 같은 에폭시 수지 조성물이, 예를 들어 하기 특허문헌 1 내지 5에 개시되어 있다.The epoxy resin composition as described above is disclosed in, for example, Patent Documents 1 to 5 below.

하기 특허문헌 1에는, 에폭시 수지와, 페놀계 경화제와, 트리스(2,6-디메톡시페닐)포스핀 또는 트리스(2,4,6-트리메톡시페닐)포스핀인 경화 촉진제와, 알루미나를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 1의 실시예에서는, 분체인 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 1에서는, IC, LSI, 트랜지스터, 사이리스터, 다이오드 등의 반도체 장치의 밀봉용, 프린트 회로판의 제조 등에 적절하게 사용되는 것이 기재되어 있다.In the following Patent Document 1, an epoxy resin, a phenolic curing agent, a curing accelerator that is tris(2,6-dimethoxyphenyl)phosphine or tris(2,4,6-trimethoxyphenyl)phosphine, and alumina. An epoxy resin composition containing is disclosed. In Examples of Patent Document 1, an epoxy resin composition which is a powder is described. Regarding the use of the epoxy resin composition, Patent Document 1 discloses that it is suitably used for sealing semiconductor devices such as ICs, LSIs, transistors, thyristors, diodes, and the like for manufacturing printed circuit boards.

하기 특허문헌 2에는, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제와, 경화 촉진제와, 무기 충전제를 포함하는 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 2의 실시예에서는, 분체인 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 2에서는, 일반 성형 재료로서 사용할 수 있음이 기재되어 있고, 또한 반도체 장치의 밀봉재에 사용되며, 특히 박형, 다핀, 롱 와이어, 좁은 패드 피치, 또는 유기 기판 또는 유기 필름 등의 실장 기판 상에 반도체 칩이 배치된, 반도체 장치의 밀봉재에 적합하게 사용되는 것이 기재되어 있다.In the following Patent Document 2, an epoxy resin composition for sealing comprising an epoxy resin, a phenol resin curing agent, a curing accelerator, and an inorganic filler is disclosed. In Examples of Patent Document 2, an epoxy resin composition for sealing, which is a powder, is described. Regarding the use of the epoxy resin composition, Patent Document 2 describes that it can be used as a general molding material, and is also used for a sealing material of a semiconductor device, particularly thin, multi-pin, long wire, narrow pad pitch, or organic substrate Alternatively, it is described that a semiconductor chip is disposed on a mounting substrate such as an organic film, which is suitably used as a sealing material for a semiconductor device.

하기 특허문헌 3에는, 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지와, 경화제와, 무기질 충전제를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 3의 실시예에서는, 고체인 에폭시 수지 조성물(용융 점도가 75℃ 이상)이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 3에는, 일반 성형 재료로서 사용할 수도 있지만, 반도체 장치, 예를 들어 TQFP, TSOP, QFP 등의 다핀 박형 패키지, 특히 매트릭스 프레임을 사용한 반도체 장치의 밀봉재로서 적합하게 사용되는 것이 기재되어 있다.In the following Patent Document 3, an epoxy resin composition comprising a bisphenol F-type liquid epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler is disclosed. In Examples of Patent Document 3, a solid epoxy resin composition (melting viscosity of 75°C or higher) is described. Regarding the use of the epoxy resin composition, in Patent Document 3, although it can also be used as a general molding material, it is suitable as a sealing material for a semiconductor device, for example, a multi-pin thin package such as TQFP, TSOP, and QFP, especially a semiconductor device using a matrix frame. It is described that it is used in a way.

하기 특허문헌 4에는, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제와, 고열전도성 충전제와, 무기질 충전제를 포함하는 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 4의 실시예에서는, 분체인 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 4에서는, 반도체 소자 등의 전자 부품의 밀봉 재료로서 사용되는 것이 기재되어 있다.In the following Patent Document 4, an epoxy resin composition for sealing a semiconductor comprising an epoxy resin, a phenol resin curing agent, a high thermal conductivity filler, and an inorganic filler is disclosed. In Examples of Patent Document 4, an epoxy resin composition for sealing semiconductors, which is a powder, is described. Regarding the use of the epoxy resin composition for semiconductor sealing, in Patent Document 4, it is described that it is used as a sealing material for electronic components such as semiconductor elements.

또한, 하기 특허문헌 5에는, 비스페놀 A형 에폭시 수지와, 골격 내에 가요성을 갖는 에폭시 수지를 포함하는 제1제와, 산 무수물 화합물과 경화 촉진제를 포함하는 제2제를 갖는 2액 타입의 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 5에서는, 2액 타입의 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서는, 케이스 내 충전재로서 유용한 것이 기재되어 있다.In addition, in the following Patent Document 5, a two-component type epoxy having a bisphenol A type epoxy resin, a first agent containing an epoxy resin having flexibility in the skeleton, and a second agent containing an acid anhydride compound and a curing accelerator. A resin composition is disclosed. In Patent Document 5, regarding the use of the two-component epoxy resin composition, what is useful as a filler in the case is described.

일본 특허 공개 평5-86169호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-86169 일본 특허 공개 제2007-217469호 공보Japanese Patent Publication No. 2007-217469 일본 특허 공개 평10-176100호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 10-176100 일본 특허 공개 제2005-200533호 공보Japanese Patent Publication No. 2005-200533 일본 특허 공개 제2014-40538호 공보Japanese Patent Publication No. 2014-40538

특허문헌 1 내지 4에서는, 구체적으로는, 분체 또는 고체인 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 이러한 분체 또는 고체인 에폭시 수지 조성물은 도포성이 낮고, 소정의 영역에 고정밀도로 배치하는 것이 곤란하다.In Patent Documents 1 to 4, specifically, a powder or solid epoxy resin composition is disclosed. Such a powdery or solid epoxy resin composition has low applicability, and it is difficult to arrange it in a predetermined area with high precision.

또한, 종래의 에폭시 수지 조성물의 경화물에서는, 방열성이 낮은 경우가 있다. 또한, 종래의 에폭시 수지 조성물의 경화물에서는, 보이드가 발생하는 경우가 있다. 보이드가 발생하면, 경화물의 박리가 발생하는 경우가 있다.In addition, in a conventional cured product of an epoxy resin composition, heat dissipation may be low. Further, in a conventional cured product of an epoxy resin composition, voids may occur. When voids occur, peeling of the cured product may occur.

또한, 특허문헌 1 내지 4에서는, 에폭시 수지 조성물의 구체적인 용도로서, 주로 밀봉 용도가 기재되어 있다. 특허문헌 5에서는, 에폭시 수지 조성물의 구체적인 용도로서, 주로 케이스 내 충전재 용도가 기재되어 있다. 한편, 반도체 장치에 있어서는, 반도체 소자를 밀봉하지 않더라도, 반도체 소자를 충분히 보호하는 것이 바람직하다. 또한, 특허문헌 1 내지 5에 기재된 에폭시 수지 조성물은, 일반적으로, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 해당 반도체 소자의 표면 상에 도포하여 사용되지 않는다.In addition, in Patent Documents 1 to 4, as specific uses of the epoxy resin composition, mainly sealing uses are described. In Patent Document 5, as a specific use of the epoxy resin composition, the use of a filler in a case is mainly described. On the other hand, in a semiconductor device, even if the semiconductor element is not sealed, it is preferable to sufficiently protect the semiconductor element. In addition, the epoxy resin compositions described in Patent Documents 1 to 5 are generally not used by coating on the surface of the semiconductor device in order to protect the semiconductor device.

또한, 근년, 장치의 얇음이나 의장성의 관점에서 IC 드라이버를 감소시킬 것이 요구되고 있다. IC 드라이버를 적게 하면, 반도체 소자에 가해지는 부담이 증대되고, 또한 상당한 열을 띠기 쉬워진다. 종래의 경화물에서는, 방열성이 낮기 때문에, 방열성이 높은 경화물이 요구되고 있다.Further, in recent years, it is demanded to reduce the number of IC drivers from the viewpoint of device thinness and design. When the number of IC drivers is reduced, the load on the semiconductor element increases, and it is easy to take a considerable amount of heat. In the conventional cured product, since the heat dissipation property is low, a cured product having high heat dissipation property is required.

본 발명의 목적은, 경화물의 방열성이 우수하고, 경화물의 보이드가 적으며, 경화물의 절연 신뢰성이 우수하여, 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of excellent heat dissipation of a cured product, less voids of a cured product, excellent insulation reliability of a cured product, and good protection of a semiconductor element.

또한, 본 발명은, 반도체 장치에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 해당 반도체 소자의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention provides a material for protecting a semiconductor element used to form a cured product on the surface of the semiconductor element by coating it on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element in a semiconductor device. It is aimed at.

또한, 본 발명의 목적은, 상기 용도에 있어서, 방열성이 우수하고, 보이드가 적고, 절연 신뢰성이 우수한 경화물을 얻을 수 있어, 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있는 반도체 소자 보호용 재료를 제공하는 것이다.In addition, an object of the present invention is to provide a material for protecting semiconductor elements capable of obtaining a cured product having excellent heat dissipation properties, few voids, and excellent insulation reliability in the above applications, and capable of adequately protecting semiconductor elements. .

본 발명의 넓은 국면에서는, 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비하고, 상기 경화물이, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물이며, 상기 반도체 소자 보호용 재료가, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 상기 반도체 소자 보호용 재료가, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 상기 경화물에 있어서의 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하인, 반도체 장치가 제공된다.In a broad aspect of the present invention, a semiconductor device and a cured product disposed on the first surface of the semiconductor device are provided, and the cured product is a cured product of a material for protecting a semiconductor device, and the material for protecting a semiconductor device is thermosetting. A compound, a curing agent or a curing catalyst, and an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more are included, and the material for protecting a semiconductor device does not contain a cyclic siloxane compound from a trimer to a decerite, or ten from a trimer. Provided is a semiconductor device comprising 500 ppm or less of a cyclic siloxane compound up to the polymer, the content of the inorganic filler in the cured product is 60% by weight or more and 92% by weight or less, and the electrical conductivity of the cured product is 50 μS/cm or less do.

본 발명의 넓은 국면에서는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이며, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재가 박리되지 않도록 접착 및 고정시키는 경화물을 형성하는 것과는 상이하고, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고, 150℃에서 2시간 가열하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하인, 반도체 소자 보호용 재료가 제공된다.In a broad aspect of the present invention, in order to protect a semiconductor device, it is a material for protecting a semiconductor device, which is applied on the surface of the semiconductor device and used to form a cured product on the surface of the semiconductor device, and is a different connection to the semiconductor device. It is different from forming a cured product that is disposed between the target members and adheres and fixes the semiconductor element and the other connection target member so that they do not peel off, and the thermosetting compound, a curing agent or a curing catalyst, and a thermal conductivity of 10 W/m·K It contains the above inorganic filler, does not contain a cyclic siloxane compound from trimer to decmer, or contains 500 ppm or less of cyclic siloxane compound from trimer to decmer, and the content of the inorganic filler is 60% by weight or more It is 92% by weight or less, and when a cured product is obtained by heating at 150° C. for 2 hours, there is provided a material for protecting a semiconductor element in which the electrical conductivity of the cured product is 50 μS/cm or less.

본 발명의 넓은 국면에서는, 접속 대상 부재 상에 실장된 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 상기 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 상기 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이며, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고, 150℃에서 2시간 가열하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하인, 반도체 소자 보호용 재료가 제공된다.In a broad aspect of the present invention, in order to protect a semiconductor element mounted on a member to be connected, it is applied on a surface of the semiconductor element opposite to the side of the member to be connected, and Is a material for protecting semiconductor devices used to form a cured product on the opposite surface, and contains a thermosetting compound, a curing agent or a curing catalyst, and an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more, The cyclic siloxane compound is not included, or the cyclic siloxane compound from the trimer to the decer is contained in an amount of 500 ppm or less, and the content of the inorganic filler is 60% by weight or more and 92% by weight or less, and heated at 150°C for 2 hours. When a cured product is obtained, there is provided a material for protecting a semiconductor element, wherein the cured product has an electrical conductivity of 50 µS/cm or less.

본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이 에폭시 화합물 또는 실리콘 화합물을 포함한다.In certain aspects of the semiconductor device and the material for protecting semiconductor elements according to the present invention, the thermosetting compound contains an epoxy compound or a silicone compound.

본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이 실리콘 화합물을 포함한다.In certain aspects of the semiconductor device and the material for protecting semiconductor elements according to the present invention, the thermosetting compound contains a silicon compound.

본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 경화제가 알릴페놀노볼락 화합물이다.In certain aspects of the semiconductor device and the material for protecting semiconductor elements according to the present invention, the curing agent is an allylphenol novolac compound.

본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이 가요성 에폭시 화합물을 포함한다.In certain aspects of the semiconductor device and the material for protecting semiconductor elements according to the present invention, the thermosetting compound contains a flexible epoxy compound.

본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이, 상기 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물을 포함한다.In certain aspects of the semiconductor device and the material for semiconductor element protection according to the present invention, the thermosetting compound includes the flexible epoxy compound and an epoxy compound different from the flexible epoxy compound.

본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료에 포함되는 상기 가요성 에폭시 화합물이, 알킬렌글리콜기가 9 이상 반복된 구조 단위를 갖는 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르이다.In certain aspects of the semiconductor device and the material for protecting a semiconductor device according to the present invention, the flexible epoxy compound contained in the material for protecting a semiconductor device is a polyalkylene glycol digly having a structural unit in which an alkylene glycol group is repeated 9 or more. It is cidyl ether.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는 물을 포함하지 않거나, 또는 물을 1000ppm 이하로 포함한다.In a specific aspect of the material for protecting a semiconductor device according to the present invention, the material for protecting a semiconductor device does not contain water, or contains 1000 ppm or less of water.

본 발명에 따른 반도체 장치의 어느 특정 국면에서는, 상기 반도체 장치는, 접속 대상 부재를 구비하고, 상기 접속 대상 부재 상에, 상기 반도체 소자가 상기 제1 표면과는 반대의 제2 표면측으로부터 실장되어 있다.In a specific aspect of the semiconductor device according to the present invention, the semiconductor device includes a member to be connected, and on the member to be connected, the semiconductor element is mounted from a second surface side opposite to the first surface. have.

본 발명에 따른 반도체 장치의 어느 특정 국면에서는, 상기 반도체 장치는, 제2 전극을 표면에 갖는 접속 대상 부재를 구비하고, 상기 반도체 소자가, 상기 제1 표면측과는 반대의 제2 표면측에 제1 전극을 갖고, 상기 반도체 소자의 제1 전극이, 제2 전극을 표면에 갖는 접속 대상 부재에 있어서의 상기 제2 전극과 전기적으로 접속되어 있다.In a specific aspect of the semiconductor device according to the present invention, the semiconductor device includes a member to be connected having a second electrode on its surface, and the semiconductor element is located on a second surface side opposite to the first surface side. It has a first electrode, and the 1st electrode of the said semiconductor element is electrically connected with the said 2nd electrode in a connection object member which has a 2nd electrode on its surface.

본 발명에 따른 반도체 장치의 어느 특정 국면에서는, 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름이 배치되어 있거나, 또는 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있다.In certain aspects of the semiconductor device according to the present invention, a protective film is disposed on a surface opposite to the semiconductor element side of the cured product, or the surface opposite to the semiconductor element side of the cured product is exposed. .

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위해 사용되거나, 또는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있는 반도체 장치를 얻기 위해 사용된다.In the semiconductor device protection material according to the present invention, in order to protect the semiconductor device, a cured product is formed on the surface of the semiconductor device, and a protective film is disposed on the surface of the cured product opposite to the semiconductor device side. , In order to obtain a semiconductor device, or to protect a semiconductor device, a semiconductor device in which a cured product is formed on the surface of the semiconductor device, and the surface opposite to the semiconductor device side of the cured product is exposed. Used to get

본 발명에 따른 반도체 소자 장치는, 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비하고, 상기 경화물이, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물이며, 상기 반도체 소자 보호용 재료가, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 상기 반도체 소자 보호용 재료가, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 상기 경화물에 있어서의 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하이므로, 경화물의 방열성이 우수하고, 경화물의 보이드가 적으며, 경화물의 절연 신뢰성이 우수하여, 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.A semiconductor element device according to the present invention includes a semiconductor element and a cured product disposed on a first surface of the semiconductor element, the cured product is a cured product of a material for protecting a semiconductor element, and the material for protecting a semiconductor element is , A thermosetting compound, a curing agent or a curing catalyst, and an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more, and the material for protecting a semiconductor device does not contain a cyclic siloxane compound from a trimer to a decer or as a trimer. It contains 500 ppm or less of cyclic siloxane compound from to a decamer, and the content of the inorganic filler in the cured product is 60% by weight or more and 92% by weight or less, and the electric conductivity of the cured product is 50 μS/cm or less. The heat dissipation of water is excellent, there are few voids in the cured product, the insulation reliability of the cured product is excellent, and the semiconductor element can be well protected.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 물을 포함하지 않거나, 또는 물을 1000ppm 이하로 포함하고, 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이며, 150℃에서 2시간 가열하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하이므로, 방열성이 우수하고, 보이드가 적으며, 절연 신뢰성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하고, 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를, 접속 대상 부재 상에 실장된 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 상기 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에 도포하고, 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.The material for protecting a semiconductor device according to the present invention includes a thermosetting compound, a curing agent or a curing catalyst, and an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more, and does not contain a cyclic siloxane compound from a trimer to a decerite, or It contains 500 ppm or less of cyclic siloxane compound from trimer to decomer, does not contain water, or contains 1000 ppm or less of water, and the content of the inorganic filler is 60% by weight or more and 92% by weight or less, and 150°C When a cured product was obtained by heating at 2 hours, the electric conductivity of the cured product was 50 μS/cm or less, so that a cured product having excellent heat dissipation property, few voids, and excellent insulation reliability can be obtained. Therefore, the semiconductor device can be well protected by coating and curing the semiconductor device protective material according to the present invention on the surface of the semiconductor device in order to protect the semiconductor device. In addition, in order to protect the semiconductor element mounted on the member to be connected, the material for protecting a semiconductor element according to the present invention is applied on a surface of the semiconductor element opposite to the member to be connected, and cured to protect the semiconductor device. The device can be well protected.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.1 is a partially cut-away front sectional view showing a semiconductor device using a semiconductor element protection material according to a first embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a partially cut-away front sectional view showing a semiconductor device using a semiconductor element protection material according to a second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 반도체 장치는, 반도체 소자와 경화물을 구비한다. 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 상기 경화물은, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치되어 있다. 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 상기 경화물은, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물이다.The semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor element and a cured product. In the semiconductor device according to the present invention, the cured product is disposed on the first surface of the semiconductor element. In the semiconductor device according to the present invention, the cured product is a cured product of a material for protecting semiconductor elements.

본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 어느 특정 국면에서는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용된다. 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재가 박리되지 않도록 접착 및 고정시키는 경화물을 형성하는 것(재료)과는 상이하다.The material for protecting a semiconductor element according to the present invention is applied on the surface of the semiconductor element to form a cured product on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element in certain aspects. The material for protecting a semiconductor element according to the present invention is disposed between a semiconductor element and another member to be connected to form a cured product that adheres and fixes the semiconductor element and the other member to be connected so as not to be peeled off (material). Different.

또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 어느 특정 국면에서는, 접속 대상 부재 상에 실장된 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 상기 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용된다.In addition, the semiconductor element protection material according to the present invention is applied on a surface of the semiconductor element opposite to the connection object member side in order to protect the semiconductor element mounted on the connection object member in certain aspects, It is used to form a cured product on the surface of the semiconductor device.

본 발명에 따른 반도체 장치에 사용되는 반도체 소자 보호용 재료, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, (A) 열경화성 화합물과, (B) 경화제 또는 경화 촉매((B1) 경화제 또는 (B2) 경화 촉매)와, (C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 장치에 사용되는 반도체 소자 보호용 재료, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 예를 들어 반도체 소자의 표면 상에 도포되기 때문에, 23℃에서 액상인 것이 바람직하고, 23℃에서 고체가 아닌 것이 바람직하다. 또한, 액상에는, 점조(粘稠)한 페이스트도 포함된다.The material for protecting a semiconductor element used in the semiconductor device according to the present invention, and the material for protecting a semiconductor element according to the present invention, include (A) a thermosetting compound, (B) a curing agent or a curing catalyst ((B1) a curing agent or (B2) a curing catalyst. ) And (C) an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more. The material for protecting semiconductor elements used in the semiconductor device according to the present invention, and the material for protecting semiconductor elements according to the present invention, are preferably liquid at 23° C., since they are applied on the surface of the semiconductor element, for example. It is preferred that it is not solid. In addition, a viscous paste is also contained in the liquid phase.

본 발명에 따른 반도체 장치에 사용되는 반도체 소자 보호용 재료, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 장치에 사용되는 반도체 소자 보호용 재료, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료에 있어서의 저분자량의 (X) 실록산 화합물의 함유량은 적다. 본 발명에 따른 반도체 장치의 경화물 100중량％ 중, (C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이다. 본 발명에 따른 반도체 장치에 사용되는 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러의 함유량은 바람직하게는 60중량％ 이상, 바람직하게는 92중량％ 이하이다. 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이다.The material for protecting a semiconductor device used in the semiconductor device according to the present invention, and the material for protecting a semiconductor device according to the present invention, do not contain a cyclic siloxane compound from (X) trimer to decamer, or (X) from trimer. It contains 500 ppm or less of a cyclic siloxane compound up to a decamer. The content of the low molecular weight (X) siloxane compound in the material for protecting semiconductor elements used in the semiconductor device according to the present invention and the material for protecting semiconductor elements according to the present invention is small. In 100% by weight of the cured product of the semiconductor device according to the present invention, (C) the content of the inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more is 60% by weight or more and 92% by weight or less. In 100% by weight of the material for semiconductor element protection used in the semiconductor device according to the present invention, (C) the content of the inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more is preferably 60% by weight or more, preferably 92% by weight or less. . In 100% by weight of the material for semiconductor element protection according to the present invention, (C) the content of the inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more is 60% by weight or more and 92% by weight or less.

본 발명에 따른 반도체 장치의 경화물, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 전기 전도도는 50μS/cm 이하이다.The electric conductivity of the cured product of the semiconductor device according to the present invention and the cured product of the material for protecting a semiconductor element according to the present invention is 50 μS/cm or less.

상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자의 표면 상에 도포할 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자의 방열성을 높이고자 하는 부위의 표면 상에 선택적으로, 고정밀도로, 상기 반도체 소자 보호용 재료를 도포할 수 있다.The semiconductor element protection material can be applied on the surface of the semiconductor element. For example, the semiconductor element protection material can be selectively and accurately coated on the surface of a portion where the heat dissipation property of the semiconductor element is to be increased.

본 발명에 따른 반도체 장치는, 상술한 구성을 구비하고 있으므로, 경화물의 방열성이 우수하다. 이 때문에, 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 경유하여, 열을 충분히 방산시킬 수 있다. 이 때문에, 반도체 장치의 열 열화를 효과적으로 억제할 수 있다.Since the semiconductor device according to the present invention has the above-described configuration, it is excellent in heat dissipation of a cured product. For this reason, heat can be sufficiently dissipated from the surface of the semiconductor element via the cured product. For this reason, it is possible to effectively suppress thermal deterioration of the semiconductor device.

또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 상술한 구성을 구비하고 있으므로, 경화물의 방열성이 우수하다. 이 때문에, 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 배치함으로써, 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 경유하여, 열을 충분히 방산시킬 수 있다. 이 때문에, 반도체 장치의 열 열화를 효과적으로 억제할 수 있다.In addition, the material for protecting a semiconductor element according to the present invention has the above-described configuration, and is therefore excellent in heat dissipation of a cured product. For this reason, by disposing the cured product on the surface of the semiconductor element, heat can be sufficiently dissipated from the surface of the semiconductor element via the cured product. For this reason, it is possible to effectively suppress thermal deterioration of the semiconductor device.

또한, 본 발명에 따른 반도체 장치, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료에서는, 경화물에 보이드를 발생하기 어렵게 할 수 있고, 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 박리하기 어렵게 할 수 있다.Further, in the semiconductor device according to the present invention and the material for protecting a semiconductor element according to the present invention, it is possible to make it difficult to generate voids in the cured product, and to make it difficult to peel the cured product from the surface of the semiconductor element.

또한, 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 경화물의 절연 신뢰성이 우수하다. 따라서, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.Further, in the semiconductor device according to the present invention, the insulation reliability of the cured product is excellent. Therefore, the semiconductor device can be well protected.

또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료에서는, 절연 신뢰성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하고, 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를, 접속 대상 부재 상에 실장된 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 상기 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에 도포하고, 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.Further, in the material for protecting semiconductor elements according to the present invention, a cured product having excellent insulation reliability can be obtained. Therefore, the semiconductor device can be well protected by coating and curing the semiconductor device protective material according to the present invention on the surface of the semiconductor device in order to protect the semiconductor device. In addition, in order to protect the semiconductor element mounted on the member to be connected, the material for protecting a semiconductor element according to the present invention is applied on a surface of the semiconductor element opposite to the member to be connected, and cured to protect the semiconductor device. The device can be well protected.

절연 신뢰성을 높이는 관점에서, (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물의 함유량은 많아도, 500ppm이다. 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물의 함유량은 바람직하게는 250ppm 이하이다. (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물의 함유량은 적을수록 좋다. From the viewpoint of enhancing the insulation reliability, the content of the cyclic siloxane compound from the trimer to the decer (X) is 500 ppm, even if there is a large amount. From the viewpoint of further enhancing the insulation reliability, the content of the cyclic siloxane compound from the trimer to the decer (X) is preferably 250 ppm or less. (X) The smaller the content of the cyclic siloxane compound from the trimer to the decer, the better.

삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물이란, 헥사메틸시클로트리실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산, 데카메틸시클로펜타실록산, 도데카메틸시클로헥사실록산, 테트라데카메틸시클로헵타실록산, 헥사데카메틸시클로옥타실록산, 옥타데카메틸시클로노나실록산, 에이코사메틸시클로데카실록산을 의미한다.The cyclic siloxane compound from trimer to decer is hexamethylcyclotrisiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, decamethylcyclopentasiloxane, dodecamethylcyclohexasiloxane, tetradecamethylcycloheptasiloxane, hexadecamethylcyclooctasiloxane , Octadecamethylcyclononasiloxane, eicosamethylcyclodecasiloxane.

보이드를 한층 더 효과적으로 억제하는 관점에서, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, (Y) 물을 포함하지 않거나, 또는 (Y) 물을 1000ppm 이하로 포함하는 것이 바람직하다. 보이드를 한층 더욱 억제하는 관점에서는, (Y) 물의 함유량은 바람직하게는 800ppm 이하이다. (Y) 물의 함유량은 적을수록 좋다.From the viewpoint of more effectively suppressing voids, the material for protecting a semiconductor element according to the present invention preferably does not contain (Y) water, or (Y) contains 1000 ppm or less of water. From the viewpoint of further suppressing voids, the content of (Y) water is preferably 800 ppm or less. (Y) The smaller the water content, the better.

상기 물의 함유량은, 칼 피셔 수분계(교토 덴시 고교사제 「MKV-710B」)를 사용하여 측정된다.The content of the water is measured using a Karl Fischer moisture meter (Kyoto Denshi Kogyo Co., Ltd. "MKV-710B").

절연 신뢰성을 높이는 관점에서, 본 발명에 따른 반도체 장치의 상기 경화물의 전기 전도도는 50μS/cm 이하이다. 절연 신뢰성을 높이는 관점에서, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 전기 전도도는 50μS/cm 이하이다. 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 경화물의 전기 전도도는 바람직하게는 30μS/cm 이하이다. 상기 경화물의 전기 전도도의 하한은 특별히 한정되지 않는다.From the viewpoint of enhancing insulation reliability, the electrical conductivity of the cured product of the semiconductor device according to the present invention is 50 μS/cm or less. From the viewpoint of enhancing insulation reliability, when the material for protecting a semiconductor element according to the present invention is heated at 150° C. for 2 hours to obtain a cured product, the electrical conductivity of the cured product is 50 μS/cm or less. From the viewpoint of further enhancing the insulation reliability, the electrical conductivity of the cured product is preferably 30 µS/cm or less. The lower limit of the electrical conductivity of the cured product is not particularly limited.

상기 전기 전도도는, 이하와 같이 하여 측정된다. 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 상기 반도체 장치의 경화물을 준비한다. 본 발명에 따른 반도체 장치 보호용 재료에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간으로 경화시켜 경화물을 얻는다. 이들 경화물을 한 변이 5mm 정도인 정사각형으로 분쇄하고, 분쇄물 2.5g에 이온 교환수 25mL를 첨가하여, PCT(121℃±2℃/습도 100％/2atm의 조)에서 20Hr 둔다. 그 후, 실온(25℃)까지 냉각시켜 얻은 추출액을 시험액으로서 얻는다. 이 시험액의 전기 전도도를 전도도계(도아 덴파 고교사제의 전기 전도율계 「CM-30G」, 「CM-42X」 등)를 사용하여 측정한다.The electrical conductivity is measured as follows. In the semiconductor device according to the present invention, a cured product of the semiconductor device is prepared. In the material for protecting a semiconductor device according to the present invention, the material for protecting a semiconductor element is cured at 150° C. for 2 hours to obtain a cured product. These cured products are pulverized into a square having one side of about 5 mm, 25 mL of ion-exchanged water is added to 2.5 g of the pulverized product, and 20 hr is placed in a PCT (121°C±2°C/humidity 100%/2atm bath). After that, an extract obtained by cooling to room temperature (25°C) is obtained as a test liquid. The electrical conductivity of this test solution is measured using a conductivity meter (electric conductivity meter "CM-30G", "CM-42X", etc. manufactured by Doa Denpa Kogyo Co., Ltd.).

도포성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료의 25℃ 및 10rpm에서의 점도는, 바람직하게는 40Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 50Pa·s 이상이며, 바람직하게는 140Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 130Pa·s 이하이다.From the viewpoint of further enhancing the applicability, the viscosity of the semiconductor element protection material at 25° C. and 10 rpm is preferably 40 Pa·s or more, more preferably 50 Pa·s or more, preferably 140 Pa·s or less, More preferably, it is 130 Pa·s or less.

상기 점도는, B형 점도계(도끼 산교사제 「TVB-10형」)를 사용하여 측정된다.The viscosity is measured using a B-type viscometer ("TVB-10 type" manufactured by Toki Sangyo).

경화성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, (B1) 경화제와, (D) 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further enhancing curability, it is preferable that the material for protecting a semiconductor element contains (B1) a curing agent and (D) a curing accelerator.

또한, 반도체 소자 보호용 재료의 반도체 소자의 표면에 대한 습윤성을 높이고, 경화물의 유연성을 한층 더 높이며, 또한 경화물의 내습성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, (E) 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, from the viewpoint of increasing the wettability of the material for semiconductor element protection to the surface of the semiconductor element, further increasing the flexibility of the cured product, and further increasing the moisture resistance of the cured product, the material for protecting a semiconductor element includes (E) a coupling agent. It is preferable to include.

경화물의 절연 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, (F) 이온 포착제를 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of effectively enhancing the insulation reliability of the cured product, it is preferable that the material for protecting a semiconductor element contains (F) an ion scavenger.

이하, 상기 반도체 소자 보호용 재료에 사용할 수 있는 각 성분을 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component that can be used in the semiconductor device protection material will be described in detail.

((A) 열경화성 화합물)((A) thermosetting compound)

(A) 열경화성 화합물로서는, 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀 화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물 및 폴리이미드 화합물 등을 들 수 있다. (A) 열경화성 화합물은, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(A) Examples of the thermosetting compound include an oxetane compound, an epoxy compound, an episulfide compound, a (meth)acrylic compound, a phenol compound, an amino compound, an unsaturated polyester compound, a polyurethane compound, a silicone compound, and a polyimide compound. have. (A) As for the thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

본 발명의 효과를 효과적으로 발휘하고, 내열성을 한층 더 높게 하며, 또한 크랙이 한층 더 발생하기 어렵게 하는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물은, (A1) 에폭시 화합물 또는 (A2) 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. (A) 열경화성 화합물은, (A1) 에폭시 화합물을 포함하고 있어도 되고, (A2) 실리콘 화합물을 포함하고 있어도 된다. 고온 하에 노출된 후의 접속 대상 부재의 휨을 한층 더 억제하는 관점에서는, (A2) 실리콘 화합물의 분자량은, 300 이상인 것이 바람직하다. 고온 하에 노출된 후의 접속 대상 부재의 휨을 한층 더 억제하는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물이, (A2) 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of effectively exerting the effects of the present invention, further enhancing heat resistance, and making cracking more difficult to generate, the (A) thermosetting compound includes (A1) an epoxy compound or (A2) a silicone compound. desirable. (A) The thermosetting compound may contain an epoxy compound (A1), and may contain a silicone compound (A2). From the viewpoint of further suppressing the warpage of the member to be connected after being exposed to a high temperature, the molecular weight of the silicone compound (A2) is preferably 300 or more. From the viewpoint of further suppressing the warpage of the member to be connected after being exposed to a high temperature, it is preferable that the (A) thermosetting compound contains the (A2) silicone compound.

상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A) 열경화성 화합물의 함유량은 바람직하게는 1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 2중량％ 이상이며, 바람직하게는 20중량％ 이하, 보다 바람직하게는 15중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 10중량％ 이하, 특히 바람직하게는 8중량％ 이하이다. (A) 열경화성 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.The content of the thermosetting compound (A) in 100% by weight of the semiconductor element protection material is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, preferably 20% by weight or less, more preferably 15% by weight. % Or less, more preferably 10% by weight or less, particularly preferably 8% by weight or less. (A) When the content of the thermosetting compound is more than the lower limit and less than the upper limit, the coating property of the material for protecting a semiconductor element, the flexibility and moisture resistance of the cured product are further improved, and the adhesion of the cured product to the semiconductor element is even better. And can further suppress adhesion to the protective film.

상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A1) 에폭시 화합물과 (A2) 실리콘 화합물의 합계 함유량은, 바람직하게는 1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 2중량％ 이상이며, 바람직하게는 20중량％ 이하, 보다 바람직하게는 15중량％ 이하이다. (A1) 에폭시 화합물과 (A2) 실리콘 화합물의 합계 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.In 100% by weight of the semiconductor element protection material, the total content of the (A1) epoxy compound and (A2) silicone compound is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, and preferably 20% by weight. It is below, More preferably, it is 15 weight% or less. When the total content of the (A1) epoxy compound and the (A2) silicone compound is greater than or equal to the above lower limit and less than or equal to the upper limit, the coating properties of the semiconductor element protection material, flexibility and moisture resistance of the cured product are further improved, and the cured product to the semiconductor device The adhesiveness becomes even better, and adhesion to the protective film can be further suppressed.

(A1) 에폭시 화합물:(A1) Epoxy compound:

상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A1) 에폭시 화합물의 함유량은, 바람직하게는 1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 2중량％ 이상이며, 바람직하게는 10중량％ 이하, 보다 바람직하게는 8중량％ 이하이다. (A1) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.The content of the epoxy compound (A1) in 100% by weight of the semiconductor element protection material is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, preferably 10% by weight or less, more preferably 8 It is not more than% by weight. (A1) When the content of the epoxy compound is more than the above lower limit and less than the above upper limit, the coating property of the semiconductor element protection material, the flexibility and moisture resistance of the cured product are further improved, and the adhesion of the cured product to the semiconductor element is even better. And can further suppress adhesion to the protective film.

(A1) 에폭시 화합물로서는, (A11) 가요성 에폭시 화합물 및 (A12) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물을 들 수 있다. 본 발명의 효과를 효과적으로 발휘하는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물은, (A11) 가요성 에폭시 화합물과, (A12) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.Examples of the (A1) epoxy compound include an epoxy compound different from the (A11) flexible epoxy compound and the (A12) flexible epoxy compound. From the viewpoint of effectively exerting the effect of the present invention, it is preferable that the (A) thermosetting compound contains an epoxy compound different from the (A11) flexible epoxy compound and the (A12) flexible epoxy compound.

(A12) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물은, 가요성을 갖지 않는다. (A11) 가요성 에폭시 화합물과 함께 (A12) 에폭시 화합물을 사용함으로써, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 내습성이 높아지고, 보호 필름에 대한 부착성을 저하시킬 수 있다. (A12) 에폭시 화합물은, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(A12) The epoxy compound different from the flexible epoxy compound does not have flexibility. By using the (A12) epoxy compound together with the (A11) flexible epoxy compound, the moisture resistance of the cured product of the material for protecting a semiconductor element increases, and the adhesion to the protective film can be reduced. (A12) As for the epoxy compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

(A) 열경화성 화합물은, (A11) 가요성 에폭시 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. (A11) 가요성 에폭시 화합물을 사용함으로써, 경화물의 유연성을 높일 수 있다. (A11) 가요성 에폭시 화합물을 사용함으로써, 반도체 소자에 대한 변형 응력 등에 의해, 반도체 소자의 손상이 발생하기 어려워지고, 또한 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 박리하기 어렵게 할 수 있다. (A11) 가요성 에폭시 화합물은, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(A) It is preferable that the thermosetting compound contains the (A11) flexible epoxy compound. (A11) By using a flexible epoxy compound, the flexibility of a cured product can be improved. (A11) By using a flexible epoxy compound, damage to the semiconductor element becomes difficult to occur due to deformation stress or the like on the semiconductor element, and it is possible to make it difficult to peel the cured product from the surface of the semiconductor element. (A11) As for the flexible epoxy compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

(A11) 가요성 에폭시 화합물로서는, 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리부타디엔디글리시딜에테르, 술피드 변성 에폭시 수지 및 폴리알킬렌옥시드 변성 비스페놀 A형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 경화물의 유연성을 한층 더 높이는 관점에서는, 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르가 바람직하다.(A11) Examples of the flexible epoxy compound include polyalkylene glycol diglycidyl ether, polybutadiene diglycidyl ether, sulfide-modified epoxy resin, and polyalkylene oxide-modified bisphenol A-type epoxy resin. From the viewpoint of further enhancing the flexibility of the cured product, polyalkylene glycol diglycidyl ether is preferable.

경화물의 유연성을 한층 더 높이고 접착력을 향상시키는 관점에서는, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르는, 알킬렌글리콜기가 9 이상 반복된 구조 단위를 갖는 것이 바람직하다. 알킬렌기의 반복수의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 알킬렌기의 반복수는, 30 이하여도 된다. 상기 알킬렌기의 탄소수는, 바람직하게는 2 이상이며, 바람직하게는 5 이하이다.From the viewpoint of further increasing the flexibility of the cured product and improving the adhesive strength, the polyalkylene glycol diglycidyl ether preferably has a structural unit in which 9 or more alkylene glycol groups are repeated. The upper limit of the number of repetitions of the alkylene group is not particularly limited. The number of repetitions of the alkylene group may be 30 or less. The number of carbon atoms of the alkylene group is preferably 2 or more, and preferably 5 or less.

상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르로서는, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르 및 폴리테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르 등을 들 수 있다.Examples of the polyalkylene glycol diglycidyl ether include polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, and polytetramethylene glycol diglycidyl ether.

상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A11) 가요성 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 3중량％ 이상, 보다 바람직하게는 5중량％ 이상이며, 바람직하게는 10중량％ 이하, 보다 바람직하게는 8중량％ 이하이다. (A11) 가요성 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면, 경화물의 유연성이 한층 더 높아진다. (A11) 가요성 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아진다.In 100% by weight of the semiconductor element protection material, the content of the flexible epoxy compound (A11) is preferably 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, preferably 10% by weight or less, more preferably It is 8% by weight or less. (A11) When the content of the flexible epoxy compound is more than the above lower limit, the flexibility of the cured product is further increased. (A11) When the content of the flexible epoxy compound is less than or equal to the above upper limit, the coating property of the material for protecting a semiconductor element is further increased.

상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A11) 가요성 에폭시 화합물과 (A12) 에폭시 화합물의 합계 함유량은 바람직하게는 5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 8중량％ 이상이며, 바람직하게는 15중량％ 이하, 보다 바람직하게는 12중량％ 이하이다. (A11) 가요성 에폭시 화합물과 (A12) 에폭시 화합물의 합계 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.In 100% by weight of the semiconductor element protection material, the total content of the (A11) flexible epoxy compound and (A12) epoxy compound is preferably 5% by weight or more, more preferably 8% by weight or more, and preferably 15% by weight. % Or less, more preferably 12% by weight or less. When the total content of the (A11) flexible epoxy compound and the (A12) epoxy compound is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the coating properties of the material for protecting a semiconductor device, flexibility and moisture resistance of the cured product are further improved, and the semiconductor device of the cured product The adhesion to the protective film is further improved, and adhesion to the protective film can be further suppressed.

(A12) 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 화합물, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 화합물, 아다만탄 골격을 갖는 에폭시 화합물, 플루오렌 골격을 갖는 에폭시 화합물, 비페닐 골격을 갖는 에폭시 화합물, 바이(글리시딜옥시페닐)메탄 골격을 갖는 에폭시 화합물, 크산텐 골격을 갖는 에폭시 화합물, 안트라센 골격을 갖는 에폭시 화합물, 및 피렌 골격을 갖는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 이들의 수소 첨가물 또는 변성물을 사용해도 된다. (A12) 에폭시 화합물은, 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르가 아닌 것이 바람직하다.(A12) As the epoxy compound, an epoxy compound having a bisphenol skeleton, an epoxy compound having a dicyclopentadiene skeleton, an epoxy compound having a naphthalene skeleton, an epoxy compound having an adamantane skeleton, an epoxy compound having a fluorene skeleton, biphenyl An epoxy compound having a skeleton, an epoxy compound having a bi(glycidyloxyphenyl)methane skeleton, an epoxy compound having a xanthene skeleton, an epoxy compound having an anthracene skeleton, and an epoxy compound having a pyrene skeleton. You may use these hydrogenated substances or modified substances. (A12) It is preferable that the epoxy compound is not a polyalkylene glycol diglycidyl ether.

본 발명의 효과가 한층 더 우수한 점에서, (A12) 에폭시 화합물은, 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물(비스페놀형 에폭시 화합물)인 것이 바람직하다.Since the effect of the present invention is still more excellent, the (A12) epoxy compound is preferably an epoxy compound having a bisphenol skeleton (bisphenol type epoxy compound).

상기 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형 또는 비스페놀 S형의 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a bisphenol skeleton include an epoxy monomer having a bisphenol A type, a bisphenol F type, or a bisphenol S type bisphenol skeleton.

상기 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 디시클로펜타디엔디옥시드, 및 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 페놀노볼락에폭시 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a dicyclopentadiene skeleton include dicyclopentadiene dioxide and a phenol novolac epoxy monomer having a dicyclopentadiene skeleton.

상기 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1-글리시딜나프탈렌, 2-글리시딜나프탈렌, 1,2-디글리시딜나프탈렌, 1,5-디글리시딜나프탈렌, 1,6-디글리시딜나프탈렌, 1,7-디글리시딜나프탈렌, 2,7-디글리시딜나프탈렌, 트리글리시딜나프탈렌 및 1,2,5,6-테트라글리시딜나프탈렌 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a naphthalene skeleton include 1-glycidylnaphthalene, 2-glycidylnaphthalene, 1,2-diglycidylnaphthalene, 1,5-diglycidylnaphthalene, and 1,6-diglycidyl And dilnaphthalene, 1,7-diglycidylnaphthalene, 2,7-diglycidylnaphthalene, triglycidylnaphthalene, 1,2,5,6-tetraglycidylnaphthalene, and the like.

상기 아다만탄 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,3-비스(4-글리시딜옥시페닐)아다만탄 및 2,2-비스(4-글리시딜옥시페닐)아다만탄 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having an adamantane skeleton include 1,3-bis(4-glycidyloxyphenyl)adamantane and 2,2-bis(4-glycidyloxyphenyl)adamantane. have.

상기 플루오렌 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 9,9-비스(4-글리시딜옥시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-브로모페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-메톡시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디클로로페닐)플루오렌 및 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디브로모페닐)플루오렌 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a fluorene skeleton include 9,9-bis(4-glycidyloxyphenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycidyloxy-3-methylphenyl)fluorene, 9,9 -Bis(4-glycidyloxy-3-chlorophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycidyloxy-3-bromophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycy) Dyloxy-3-fluorophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycidyloxy-3-methoxyphenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycidyloxy-3,5 -Dimethylphenyl)fluorene, 9,9-bis(4-glycidyloxy-3,5-dichlorophenyl)fluorene and 9,9-bis(4-glycidyloxy-3,5-dibromo Phenyl) fluorene, etc. are mentioned.

상기 비페닐 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 4,4'-디글리시딜비페닐 및 4,4'-디글리시딜-3,3',5,5'-테트라메틸비페닐 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a biphenyl skeleton include 4,4'-diglycidylbiphenyl and 4,4'-diglycidyl-3,3',5,5'-tetramethylbiphenyl. .

상기 바이(글리시딜옥시페닐)메탄 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,1'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,1'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,1'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,2'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,2'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄 및 1,2'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a bi(glycidyloxyphenyl)methane skeleton include 1,1'-bi(2,7-glycidyloxynaphthyl)methane, 1,8'-bi(2,7-glycy) Dyloxynaphthyl)methane, 1,1'-bi(3,7-glycidyloxynaphthyl)methane, 1,8'-bi(3,7-glycidyloxynaphthyl)methane, 1,1 '-Bi(3,5-glycidyloxynaphthyl)methane, 1,8'-bi(3,5-glycidyloxynaphthyl)methane, 1,2'-bi(2,7-glycy) Diloxynaphthyl)methane, 1,2'-bi(3,7-glycidyloxynaphthyl)methane, and 1,2'-bi(3,5-glycidyloxynaphthyl)methane, and the like. have.

상기 크산텐 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,3,4,5,6,8-헥사메틸-2,7-비스-옥시라닐메톡시-9-페닐-9H-크산텐 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a xanthene skeleton include 1,3,4,5,6,8-hexamethyl-2,7-bis-oxiranylmethoxy-9-phenyl-9H-xanthene.

(A11) 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대하여, (A12) 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 10중량부 이상, 보다 바람직하게는 20중량부 이상이며, 바람직하게는 100중량부 이하, 보다 바람직하게는 90중량부 이하이다. (A12) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 높아진다. (A12) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물의 유연성이 한층 더 높아진다.(A11) The content of the epoxy compound (A12) is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 20 parts by weight or more, preferably 100 parts by weight or less, more preferably with respect to 100 parts by weight of the flexible epoxy compound. Is 90 parts by weight or less. (A12) When the content of the epoxy compound is more than the above lower limit, the coating property of the material for protecting a semiconductor element is further increased, and the adhesion of the cured product to the semiconductor element is further increased. (A12) When the content of the epoxy compound is less than or equal to the above upper limit, the flexibility of the cured product is further increased.

(A2) 실리콘 화합물은, 예를 들어 규소 원자에 결합된 알케닐기를 갖는 실리콘 화합물과, 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는 실리콘 화합물을 포함한다. 규소 원자에 결합된 알케닐기를 갖는 실리콘 화합물은, 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖지 않아도 된다.(A2) The silicone compound includes, for example, a silicone compound having an alkenyl group bonded to a silicon atom and a silicone compound having a hydrogen atom bonded to a silicon atom. A silicon compound having an alkenyl group bonded to a silicon atom need not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom.

상기 규소 원자에 결합된 알케닐기를 갖는 실리콘 화합물은, 하기 식(1A)으로 표시되는 실리콘 화합물, 하기 식(2A)으로 표시되는 실리콘 화합물, 또는 하기 식(3A)으로 표시되는 실리콘 화합물인 것이 바람직하다.The silicone compound having an alkenyl group bonded to the silicon atom is preferably a silicone compound represented by the following formula (1A), a silicone compound represented by the following formula (2A), or a silicone compound represented by the following formula (3A) Do.

(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b ··· (1A)( R1R2R3SiO 1/2 ) a (R4R5SiO 2/2 ) b ... (1A)

상기 식(1A) 중, a 및 b는, 0.01≤a≤0.2, 0.8≤b≤0.99를 충족시키고, R1 내지 R5의 1mol％ 이상 20mol％ 이하는 알케닐기를 나타내고, R1 내지 R5의 80mol％ 이상 99mol％ 이하는 메틸기 및 페닐기를 나타내고, 알케닐기, 메틸기 및 페닐기 이외의 R1 내지 R5는, 탄소수 2 내지 6의 알킬기를 나타낸다.In the formula (1A), a and b satisfy 0.01≦a≦0.2 and 0.8≦b≦0.99, and 1 mol% or more and 20 mol% or less of R1 to R5 represents an alkenyl group, and 80 mol% or more of R1 to R5 99 mol% or less represents a methyl group and a phenyl group, and R1 to R5 other than an alkenyl group, a methyl group and a phenyl group represent an alkyl group having 2 to 6 carbon atoms.

(R1R2R3SiO1/2)a(SiO4/2)b ··· (2A)(R1R2R3SiO 1/2 ) a (SiO 4/2 ) b ... (2A)

상기 식(2A) 중, a 및 b는, 0.7≤a≤0.9, 0.1≤b≤0.3을 충족시키고, R1 내지 R3의 1mol％ 이상 33mol％ 이하는 알케닐기를 나타내고, R1 내지 R3의 67mol％ 이상 99mol％ 이하는 메틸기 및 페닐기를 나타내고, 알케닐기, 메틸기 및 페닐기 이외의 R1 내지 R3은, 탄소수 2 내지 6의 알킬기를 나타낸다. R1 내지 R3의 1mol％ 이상 20mol％ 이하는 알케닐기를 나타내어도 되고, R1 내지 R3의 80mol％ 이상 99mol％ 이하는 메틸기 및 페닐기를 나타내어도 된다.In the formula (2A), a and b satisfy 0.7≦a≦0.9 and 0.1≦b≦0.3, and 1 mol% or more and 33 mol% or less of R1 to R3 represent an alkenyl group, and 67 mol% or more of R1 to R3 99 mol% or less represents a methyl group and a phenyl group, and R1 to R3 other than an alkenyl group, a methyl group and a phenyl group represent an alkyl group having 2 to 6 carbon atoms. 1 mol% or more and 20 mol% or less of R1 to R3 may represent an alkenyl group, and 80 mol% or more and 99 mol% or less of R1 to R3 may represent a methyl group and a phenyl group.

(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c ··· (3A)( R1R2R3SiO 1/2 ) a (R4R5SiO 2/2 ) b (R6SiO 3/2 ) c ··· (3A)

상기 식(3A) 중, a, b 및 c는, 0.05≤a≤0.3, 0≤b≤0.8, 0.15≤c≤0.85를 충족시키고, R1 내지 R6의 2mol％ 이상 20mol％ 이하는 알케닐기를 나타내고, R1 내지 R6의 80mol％ 이상 95mol％ 이하는 메틸기 및 페닐기를 나타내고, 알케닐기, 메틸기 및 페닐기 이외의 R1 내지 R6은, 탄소수 2 내지 6의 알킬기를 나타낸다.In the formula (3A), a, b, and c satisfy 0.05≦a≦0.3, 0≦b≦0.8, and 0.15≦c≦0.85, and 2 mol% or more and 20 mol% or less of R1 to R6 represent an alkenyl group. , 80 mol% or more and 95 mol% or less of R1 to R6 represent a methyl group and a phenyl group, and R1 to R6 other than an alkenyl group, a methyl group and a phenyl group represent an alkyl group having 2 to 6 carbon atoms.

상기 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는 실리콘 화합물은, 하기 식(1B)으로 표시되는 실리콘 화합물인 것이 바람직하다.The silicon compound having a hydrogen atom bonded to the silicon atom is preferably a silicon compound represented by the following formula (1B).

(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b ··· (1B)( R1R2R3SiO 1/2 ) a (R4R5SiO 2/2 ) b ... (1B)

상기 식(1B) 중, a 및 b는, 0.1≤a≤0.67, 0.33≤b≤0.9를 충족시키고, R1 내지 R5의 1mol％ 이상 25mol 이하％는 수소 원자를 나타내고, R1 내지 R5의 75mol％ 이상 99mol％ 이하는 메틸기 및 페닐기를 나타내고, 수소 원자, 메틸기 및 페닐기 이외의 R1 내지 R5는, 탄소수 2 내지 6의 알킬기를 나타낸다.In the formula (1B), a and b satisfy 0.1≦a≦0.67 and 0.33≦b≦0.9, 1 mol% or more and 25 mol% or less of R1 to R5 represent a hydrogen atom, and 75 mol% or more of R1 to R5 99 mol% or less represents a methyl group and a phenyl group, and R1 to R5 other than a hydrogen atom, a methyl group and a phenyl group represent an alkyl group having 2 to 6 carbon atoms.

(A2) 실리콘 화합물은, 상기 식(1A)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. (A2) 실리콘 화합물은, 상기 식(1A)으로 표시되는 실리콘 화합물과, 상기 식(2A)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하거나, 또는 상기 식(1A)으로 표시되는 실리콘 화합물과, 상기 식(3A)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.(A2) It is preferable that the silicone compound contains the silicone compound represented by the said formula (1A). (A2) The silicone compound includes a silicone compound represented by the formula (1A) and a silicone compound represented by the formula (2A), or a silicone compound represented by the formula (1A), and the formula (3A) It is preferable to include a silicone compound represented by ).

경화물의 접착성을 효과적으로 높이고, 경화물의 박리를 효과적으로 높이는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물이, (A1) 실리콘 화합물로서, 상기 식(2A) 또는 (3A)로 표시되는 실리콘 화합물과, 상기 식(1B)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 절연 신뢰성을 높이는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물이, (A1) 실리콘 화합물로서, 상기 식(3A)으로 표시되는 실리콘 화합물과, 상기 식(1B)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 접속 대상 부재의 휨을 한층 더 억제하는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물이, (A1) 실리콘 화합물로서, 상기 식(1A)으로 표시되는 실리콘 화합물과, 상기 식(1B)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of effectively increasing the adhesion of the cured product and effectively increasing the peeling of the cured product, the (A) thermosetting compound is a silicone compound represented by the formula (2A) or (3A) as the (A1) silicone compound, and the formula ( It is preferable to contain the silicone compound represented by 1B). From the viewpoint of enhancing insulation reliability, it is preferable that the (A) thermosetting compound contains a silicone compound represented by the formula (3A) and a silicone compound represented by the formula (1B) as the silicone compound (A1). From the viewpoint of further suppressing the warpage of the member to be connected, the (A) thermosetting compound includes a silicone compound represented by the formula (1A) and a silicone compound represented by the formula (1B) as the (A1) silicone compound. It is desirable to do it.

상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A2) 실리콘 화합물의 함유량은, 바람직하게는 5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 8중량％ 이상이며, 바람직하게는 20중량％ 이하, 보다 바람직하게는 15중량％ 이하이다. (A2) 실리콘 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.In 100% by weight of the semiconductor element protection material, the content of the silicon compound (A2) is preferably 5% by weight or more, more preferably 8% by weight or more, preferably 20% by weight or less, more preferably 15 It is not more than% by weight. (A2) When the content of the silicone compound is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the coating properties of the material for protecting semiconductor elements, the flexibility and moisture resistance of the cured product are further improved, and the adhesion of the cured product to the semiconductor device is further improved. And can further suppress adhesion to the protective film.

상기 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는 실리콘 화합물 100중량부에 대하여, 상기 규소 원자에 결합된 알케닐기를 갖는 실리콘 화합물의 함유량은 바람직하게는 10중량부 이상이며, 바람직하게는 400중량부 이하이다. 이 함유량의 관계를 만족시키면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.With respect to 100 parts by weight of the silicon compound having a hydrogen atom bonded to the silicon atom, the content of the silicon compound having an alkenyl group bonded to the silicon atom is preferably 10 parts by weight or more, and preferably 400 parts by weight or less. . If the relationship between this content is satisfied, the coating properties of the semiconductor element protection material, the flexibility and moisture resistance of the cured product are further improved, the adhesiveness of the cured product to the semiconductor element is further improved, and the adhesion to the protective film is further improved. It can be further suppressed.

((B) 경화제 또는 경화 촉매)((B) curing agent or curing catalyst)

(B) 경화제 또는 경화 촉매로서, (B1) 경화제를 사용해도 되고, (B2) 경화 촉매를 사용해도 된다. (A1) 에폭시 화합물을 사용하는 경우에는, (B1) 경화제가 바람직하다. (A2) 실리콘 화합물을 사용하는 경우에는, (B2) 경화 촉매가 바람직하다.As (B) a curing agent or a curing catalyst, a curing agent (B1) may be used, or a curing catalyst (B2) may be used. (A1) When using an epoxy compound, (B1) hardening agent is preferable. (A2) When using a silicone compound, (B2) curing catalyst is preferable.

(B1) 경화제는, 23℃에서 액상이어도 되고, 고형이어도 된다. 반도체 소자 보호용 재료의 도포성을 한층 더 높이는 관점에서는, (B1) 경화제는, 23℃에서 액상인 경화제인 것이 바람직하다. 또한, 23℃에서 액상인 경화제의 사용에 의해, 반도체 소자 보호용 재료의 반도체 소자의 표면에 대한 습윤성이 높아진다. (B1) 경화제는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. (B2) 경화 촉매는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(B1) The curing agent may be liquid or solid at 23°C. From the viewpoint of further enhancing the applicability of the material for protecting semiconductor elements, the (B1) curing agent is preferably a liquid curing agent at 23°C. Further, the use of a liquid curing agent at 23° C. increases the wettability of the semiconductor element protective material to the surface of the semiconductor element. (B1) As for the hardening agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. (B2) As for the curing catalyst, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

(B1) 경화제로서는, 아민 화합물(아민 경화제), 이미다졸 화합물(이미다졸 경화제), 페놀 화합물(페놀 경화제) 및 산 무수물(산 무수물 경화제) 등을 들 수 있다. (B1) 경화제는 이미다졸 화합물이 아니어도 된다.(B1) Examples of the curing agent include amine compounds (amine curing agents), imidazole compounds (imidazole curing agents), phenol compounds (phenol curing agents), and acid anhydrides (acid anhydride curing agents). (B1) The curing agent may not be an imidazole compound.

경화물 중에서의 보이드의 발생을 한층 더 억제하고, 경화물의 내열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (B1) 경화제는, 페놀 화합물인 것이 바람직하다.From the viewpoint of further suppressing the generation of voids in the cured product and further enhancing the heat resistance of the cured product, the curing agent (B1) is preferably a phenolic compound.

반도체 소자 보호용 재료의 도포성을 한층 더 높이고, 경화물 중에서의 보이드의 발생을 한층 더 억제하고, 경화물의 내열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (B1) 경화제는, 알릴기를 갖는 것이 바람직하고, 상기 페놀 화합물이 알릴기를 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further enhancing the coatability of the material for semiconductor element protection, further suppressing the occurrence of voids in the cured product, and further increasing the heat resistance of the cured product, (B1) the curing agent preferably has an allyl group, and the phenol It is preferable that the compound has an allyl group.

상기 페놀 화합물로서는, 페놀노볼락, o-크레졸노볼락, p-크레졸노볼락, t-부틸페놀노볼락, 디시클로펜타디엔 크레졸, 폴리파라비닐페놀, 비스페놀 A형 노볼락, 크실릴렌 변성 노볼락, 데칼린 변성 노볼락, 폴리(디-o-히드록시페닐)메탄, 폴리(디-m-히드록시페닐)메탄 및 폴리(디-p-히드록시페닐)메탄 등을 들 수 있다.Examples of the phenolic compounds include phenol novolac, o-cresol novolac, p-cresol novolac, t-butylphenol novolac, dicyclopentadiene cresol, polyparavinylphenol, bisphenol A type novolac, xylylene modified furnace Rockfish, decalin-modified novolac, poly(di-o-hydroxyphenyl)methane, poly(di-m-hydroxyphenyl)methane, and poly(di-p-hydroxyphenyl)methane.

(B1) 경화제를 사용하는 경우에, (A) 열경화성 화합물 100중량부에 대하여, (B1) 경화제의 함유량은, 바람직하게는 50중량부 이상, 보다 바람직하게는 75중량부 이상, 더욱 바람직하게는 100중량부 이상이며, 바람직하게는 250중량부 이하, 보다 바람직하게는 225중량부 이하, 더욱 바람직하게는 200중량부 이하이다. (B1) 경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료를 양호하게 경화시킬 수 있다. (B1) 경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물 내에 있어서 경화에 기여하지 않은 (B1) 경화제의 잔존량이 적어진다.(B1) In the case of using a curing agent, the content of the (B1) curing agent is preferably 50 parts by weight or more, more preferably 75 parts by weight or more, further preferably based on 100 parts by weight of the (A) thermosetting compound. It is 100 parts by weight or more, preferably 250 parts by weight or less, more preferably 225 parts by weight or less, and even more preferably 200 parts by weight or less. (B1) When the content of the curing agent is more than the above lower limit, the material for protecting a semiconductor element can be satisfactorily cured. When the content of the (B1) curing agent is less than or equal to the upper limit, the amount of the curing agent (B1) remaining in the cured product that does not contribute to curing decreases.

(B2) 경화 촉매로서는, 히드로실릴화 반응용 촉매 및 축합 촉매 등의 금속 촉매 등을 들 수 있다.(B2) Examples of the curing catalyst include metal catalysts such as a catalyst for hydrosilylation reaction and a condensation catalyst.

상기 경화 촉매로서는, 예를 들어 주석계 촉매, 백금계 촉매, 로듐계 촉매 및 팔라듐계 촉매 등을 들 수 있다. 투명성을 높게 할 수 있기 때문에, 백금계 촉매가 바람직하다.Examples of the curing catalyst include a tin-based catalyst, a platinum-based catalyst, a rhodium-based catalyst, and a palladium-based catalyst. Since transparency can be made high, a platinum-based catalyst is preferable.

상기 히드로실릴화 반응용 촉매는, 실리콘 화합물 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자와, 실리콘 화합물 중의 알케닐기를 히드로실릴화 반응시키는 촉매이다. 상기 히드로실릴화 반응용 촉매는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The catalyst for hydrosilylation reaction is a catalyst for hydrosilylation reaction between a hydrogen atom bonded to a silicon atom in a silicone compound and an alkenyl group in a silicone compound. As the catalyst for hydrosilylation reaction, only one type may be used, or two or more types may be used in combination.

상기 백금계 촉매로서는, 백금 분말, 염화백금산, 백금-알케닐 실록산 착체, 백금-올레핀 착체 및 백금-카르보닐 착체를 들 수 있다. 특히, 백금-알케닐 실록산 착체 또는 백금-올레핀 착체가 바람직하다.Examples of the platinum-based catalyst include platinum powder, chloroplatinic acid, platinum-alkenyl siloxane complex, platinum-olefin complex, and platinum-carbonyl complex. Particularly, a platinum-alkenyl siloxane complex or a platinum-olefin complex is preferable.

상기 백금-알케닐 실록산 착체에 있어서의 알케닐 실록산으로서는, 예를 들어 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 및 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산 등을 들 수 있다. 상기 백금-올레핀 착체에 있어서의 올레핀으로서는, 예를 들어 알릴에테르 및 1,6-헵타디엔 등을 들 수 있다.Examples of the alkenyl siloxane in the platinum-alkenyl siloxane complex include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1. ,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane, etc. are mentioned. Examples of the olefins in the platinum-olefin complex include allyl ether and 1,6-heptadiene.

상기 백금-알케닐 실록산 착체 및 백금-올레핀 착체의 안정성을 향상시킬 수 있기 때문에, 상기 백금-알케닐 실록산 착체 또는 백금-올레핀 착체에, 알케닐 실록산, 오르가노실록산 올리고머, 알릴에테르 또는 올레핀을 첨가하는 것이 바람직하다. 상기 알케닐 실록산은, 바람직하게는 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산이다. 상기 오르가노실록산 올리고머는, 바람직하게는 디메틸실록산 올리고머이다. 상기 올레핀은, 바람직하게는 1,6-헵타디엔이다.Since the stability of the platinum-alkenyl siloxane complex and the platinum-olefin complex can be improved, alkenyl siloxane, organosiloxane oligomer, allyl ether or olefin is added to the platinum-alkenyl siloxane complex or platinum-olefin complex. It is desirable to do it. The alkenyl siloxane is preferably 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane. The organosiloxane oligomer is preferably a dimethylsiloxane oligomer. The olefin is preferably 1,6-heptadiene.

(B2) 경화 촉매를 사용하는 경우에, (A) 열경화성 화합물 100중량부에 대하여, (B2) 경화 촉매의 함유량은, 바람직하게는 0.001중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.01중량부 이상, 더욱 바람직하게는 0.05중량부 이상이며, 바람직하게는 2 중량부 이하, 보다 바람직하게는 1 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 중량부 이하이다. (B2) 경화 촉매의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료를 양호하게 경화시킬 수 있다. (B2) 경화 촉매의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물 내에 있어서 경화에 기여하지 않은 (B2) 경화 촉매의 잔존량이 적어진다.(B2) In the case of using a curing catalyst, the content of the (B2) curing catalyst is preferably 0.001 parts by weight or more, more preferably 0.01 parts by weight or more, further preferably based on 100 parts by weight of the (A) thermosetting compound. Preferably, it is 0.05 parts by weight or more, preferably 2 parts by weight or less, more preferably 1 part by weight or less, and even more preferably 0.5 parts by weight or less. (B2) If the content of the curing catalyst is more than the above lower limit, the material for protecting a semiconductor element can be satisfactorily cured. When the content of the (B2) curing catalyst is less than or equal to the above upper limit, the residual amount of the curing catalyst (B2) that does not contribute to curing in the cured product decreases.

((C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러)((C) Inorganic filler with thermal conductivity of 10W/m·K or more)

(C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 사용함으로써, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성을 높게 유지하면서, 또한 경화물의 유연성을 높게 유지하면서, 경화물의 방열성을 높일 수 있다. (C) 무기 필러는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(C) By using an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more, it is possible to increase the heat dissipation property of the cured product while maintaining high coatability of the material for protecting semiconductor elements and maintaining high flexibility of the cured product. (C) As for the inorganic filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

경화물의 방열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (C) 무기 필러의 열전도율은, 바람직하게는 10W/m·K 이상, 보다 바람직하게는 15W/m·K 이상, 더욱 바람직하게는 20W/m·K 이상이다. (C) 무기 필러의 열전도율의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 열전도율이 300W/m·K 정도인 무기 필러는 널리 알려져 있고, 또한 열전도율이 200W/m·K 정도인 무기 필러는 용이하게 입수할 수 있다.From the viewpoint of further enhancing the heat dissipation of the cured product, (C) the thermal conductivity of the inorganic filler is preferably 10 W/m·K or more, more preferably 15 W/m·K or more, and still more preferably 20 W/m·K or more. to be. (C) The upper limit of the thermal conductivity of the inorganic filler is not particularly limited. Inorganic fillers having a thermal conductivity of about 300 W/m·K are widely known, and inorganic fillers having a thermal conductivity of about 200 W/m·K are readily available.

경화물의 방열성을 효과적으로 높이는 관점에서는, (C) 무기 필러는, 알루미나, 질화알루미늄 또는 탄화규소인 것이 바람직하다. 이들 바람직한 무기 필러를 사용하는 경우에, 이들 무기 필러는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. (C) 무기 필러로서, 상기 이외의 무기 필러를 적절히 사용해도 된다.From the viewpoint of effectively enhancing the heat dissipation property of the cured product, (C) the inorganic filler is preferably alumina, aluminum nitride, or silicon carbide. When using these preferable inorganic fillers, these inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more. (C) As an inorganic filler, you may use an inorganic filler other than the above suitably.

반도체 소자 보호용 재료의 도포성을 효과적으로 높게 유지하면서, 또한 경화물의 유연성을 효과적으로 높게 유지하면서, 경화물의 방열성을 효과적으로 높이는 관점에서는, (C) 무기 필러는, 열전도율이 10W/m·K 이상이고, 또한 구상인 무기 필러인 것이 바람직하다. 구상이란, 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 1 이상 2 이하인 것을 말한다.From the viewpoint of effectively increasing the heat dissipation property of the cured product while effectively maintaining high coatability of the material for semiconductor element protection, and effectively maintaining high flexibility of the cured product, (C) the inorganic filler has a thermal conductivity of 10 W/m·K or more, and It is preferable that it is a spherical inorganic filler. The spherical shape means that the aspect ratio (long diameter/short diameter) is 1 or more and 2 or less.

(C) 무기 필러의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상이며, 바람직하게는 150㎛ 이하이다. (C) 무기 필러의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상이면, (C) 무기 필러를 고밀도로 용이하게 충전할 수 있다. (C) 무기 필러의 평균 입자 직경이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아진다.(C) The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.1 µm or more, and preferably 150 µm or less. (C) If the average particle diameter of the inorganic filler is more than the above lower limit, the (C) inorganic filler can be easily filled with high density. (C) When the average particle diameter of the inorganic filler is less than or equal to the above upper limit, the coating property of the material for protecting a semiconductor element is further increased.

상기 「평균 입자 직경」이란, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정한 체적 평균에서의 입도 분포 측정 결과로부터 구해지는 평균 입자 직경이다.The "average particle diameter" is an average particle diameter determined from a particle size distribution measurement result in a volume average measured by a laser diffraction particle size distribution measuring device.

상기 경화물 100중량％ 중, 및 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (C) 무기 필러의 함유량은 바람직하게는 60중량％ 이상 92중량％ 이하이다. 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (C) 무기 필러의 함유량은 보다 바람직하게는 70중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 80중량％ 이상, 특히 바람직하게는 82중량％ 이상이며, 보다 바람직하게는 90중량％ 이하이다. (C) 무기 필러의 함유량이 상기 하한 이상이면, 경화물의 방열성이 한층 더 높아진다. (C) 무기 필러의 함유량이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아지고, 경화물의 성상이 한층 더 양호해진다.In 100% by weight of the cured product and in 100% by weight of the semiconductor element protection material, the content of the (C) inorganic filler is preferably 60% by weight or more and 92% by weight or less. In 100% by weight of the semiconductor element protection material, the content of the (C) inorganic filler is more preferably 70% by weight or more, still more preferably 80% by weight or more, particularly preferably 82% by weight or more, and more preferably It is 90% by weight or less. (C) When the content of the inorganic filler is more than the above lower limit, the heat dissipation property of the cured product is further increased. (C) When the content of the inorganic filler is less than or equal to the above upper limit, the coating property of the material for protecting a semiconductor element is further increased, and the properties of the cured product are further improved.

((D) 경화 촉진제)((D) hardening accelerator)

(D) 경화 촉진제의 사용에 의해, 경화 속도를 빠르게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 효율적으로 경화시킬 수 있다. (D) 경화 촉진제는 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(D) By using a curing accelerator, the curing speed is accelerated, and the material for protecting a semiconductor element can be cured efficiently. (D) Hardening accelerators may be used alone or in combination of two or more.

(D) 경화 촉진제로서는, 이미다졸 화합물, 인 화합물, 아민 화합물 및 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 효과가 한층 더 우수한 점에서, 이미다졸 화합물이 바람직하다.(D) Examples of the curing accelerator include imidazole compounds, phosphorus compounds, amine compounds and organometallic compounds. Among them, an imidazole compound is preferable because the effect of the present invention is still more excellent.

상기 이미다졸 화합물로서는, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-메틸이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 및 2-페닐-4-메틸-5-디히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 또한, 공지된 이미다졸계 잠재성 경화제를 사용할 수 있다. 구체예로서는, PN23, PN40, PN-H(상품명, 모두 아지노모또 파인테크노사제)를 들 수 있다. 또한, 마이크로캡슐화 이미다졸이라고도 불리는, 아민 화합물의 에폭시 어덕트의 수산기에 부가 반응시킨 경화 촉진제를 들 수 있고, 예를 들어 노바큐어 HX-3088, 노바큐어 HX-3941, HX-3742, HX-3722(상품명, 모두 아사히 가세이 이-매터리얼즈사제) 등을 들 수 있다. 또한, 포섭 이미다졸을 사용할 수도 있다. 구체예로서는, TIC-188(상품명, 닛본 소다사제)을 들 수 있다.Examples of the imidazole compound include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, and 2-phenyl -4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimida Sol, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyano Ethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1' )]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 -[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1') ]-Ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydr Hydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethylimidazole, and the like. In addition, a known imidazole-based latent curing agent can be used. As a specific example, PN23, PN40, and PN-H (brand names, all made by Ajinomoto Fine Techno) are mentioned. Further, also referred to as microencapsulated imidazole, a curing accelerator obtained by addition reaction to a hydroxyl group of an epoxy adduct of an amine compound, for example, Novacure HX-3088, Novacure HX-3941, HX-3742, HX-3722 (Brand name, all made by Asahi Kasei E-Materials), etc. are mentioned. In addition, it is also possible to use posup imidazole. As a specific example, TIC-188 (a brand name, the Nippon Soda company make) is mentioned.

상기 인 화합물로서는, 트리페닐포스핀 등을 들 수 있다.Examples of the phosphorus compound include triphenylphosphine.

상기 아민 화합물로서는, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디에틸렌테트라민, 트리에틸렌테트라민 및 4,4-디메틸아미노피리딘 등을 들 수 있다.Examples of the amine compound include 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, diethylamine, triethylamine, diethylenetetramine, triethylenetetramine, and 4,4-dimethylaminopyridine.

상기 유기 금속 화합물로서는, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 옥틸산주석, 옥틸산코발트, 비스아세틸아세토나토코발트(II) 및 트리스아세틸아세토나토코발트(III) 등을 들 수 있다.Examples of the organometallic compound include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonatocobalt (II), trisacetylacetonatocobalt (III), and the like.

(A) 열경화성 화합물의 합계 100중량부에 대하여, (D) 경화 촉진제의 함유량은, 바람직하게는 0.1중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량부 이상이며, 바람직하게는 10중량부 이하, 보다 바람직하게는 8 중량부 이하이다. (D) 경화 촉진제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료를 양호하게 경화시킬 수 있다. (D) 경화 촉진제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물 내에 있어서 경화에 기여하지 않은 (D) 경화 촉진제의 잔존량이 적어진다.(A) The content of the curing accelerator is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.5 parts by weight or more, preferably 10 parts by weight or less, more preferably with respect to 100 parts by weight of the total of the thermosetting compound. It is 8 parts by weight or less. (D) When the content of the curing accelerator is more than the above lower limit, the material for protecting a semiconductor element can be satisfactorily cured. When the content of the (D) curing accelerator is less than or equal to the above upper limit, the residual amount of the curing accelerator (D) that does not contribute to curing in the cured product decreases.

((E) 커플링제)((E) coupling agent)

상기 반도체 소자 보호용 재료는, (E) 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다. (E) 커플링제의 사용에 의해, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 내습성이 한층 더 높아진다. (E) 커플링제는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.It is preferable that the said semiconductor element protection material contains (E) a coupling agent. (E) With the use of a coupling agent, the moisture resistance of the cured product of the material for protecting a semiconductor element is further increased. (E) As for the coupling agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 경화물 100중량％ 중, 및 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (E) 커플링제의 함유량은 바람직하게는 0.1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.2중량％ 이상이며, 바람직하게는 2중량％ 이하, 보다 바람직하게는 1중량％ 이하이다. (E) 커플링제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 내습성이 한층 더 높아진다. (E) 커플링제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아진다.In 100% by weight of the cured product and in 100% by weight of the material for protecting a semiconductor element, the content of the (E) coupling agent is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.2% by weight or more, and preferably 2% by weight. % Or less, more preferably 1% by weight or less. (E) When the content of the coupling agent is more than the above lower limit, the moisture resistance of the cured product of the material for protecting a semiconductor element is further increased. (E) When the content of the coupling agent is less than or equal to the above upper limit, the coating property of the material for protecting a semiconductor element is further increased.

상기 (E) 커플링제는, 100℃에서의 중량 감소가 10중량％ 이하인 실란 커플링제, 100℃에서의 중량 감소가 10중량％ 이하인 티타네이트 커플링제, 또는 100℃에서의 중량 감소가 10중량％ 이하인 알루미네이트 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다. 이들 바람직한 커플링제를 사용하는 경우에, 이들 커플링제는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The (E) coupling agent is a silane coupling agent having a weight loss of 10% by weight or less at 100°C, a titanate coupling agent having a weight loss of 10% by weight or less at 100°C, or a weight loss of 10% by weight at 100°C. It is preferable to include the following aluminate coupling agents. When using these preferable coupling agents, only one type of these coupling agents may be used, and two or more types may be used in combination.

100℃에서의 중량 감소가 10중량％ 이하이면, 경화 중에 (E) 커플링제의 휘발이 억제되어, 반도체 소자에 대한 습윤성이 한층 더 높아지고, 경화물의 방열성이 한층 더 높아진다.If the weight reduction at 100°C is 10% by weight or less, the volatilization of the (E) coupling agent during curing is suppressed, the wettability to the semiconductor element is further increased, and the heat dissipation property of the cured product is further increased.

또한, 100℃에서의 중량 감소는, 적외 수분계(게쯔토 가가꾸 겡뀨쇼사제 「FD-720」)를 사용하여, 50℃/분의 승온 속도로 100℃까지 승온시키고, 10분 후의 중량 감소를 측정함으로써 구할 수 있다.In addition, the weight reduction at 100°C is achieved by increasing the temperature to 100°C at a heating rate of 50°C/min using an infrared moisture meter ("FD-720" manufactured by Getsuto Chemical Industry Co., Ltd.), and reducing the weight after 10 minutes. It can be obtained by measuring.

((F) 이온 포착제)((F) ion scavenger)

경화물의 절연 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, (F) 이온 포착제를 포함하는 것이 바람직하다. (F) 이온 포착제는 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.From the viewpoint of effectively enhancing the insulation reliability of the cured product, it is preferable that the material for protecting a semiconductor element contains (F) an ion scavenger. (F) Only 1 type may be used for an ion scavenger, and 2 or more types may be used together.

(F) 이온 포착제는 특별히 한정되지 않는다. 해당 (F) 이온 포착제로서, 종래 공지된 이온 포착제가 사용 가능하다.(F) The ion scavenger is not particularly limited. As the (F) ion scavenger, a conventionally known ion scavenger can be used.

(F) 이온 포착제의 구체예로서는, 구리가 이온화되어 녹기 시작하는 것을 방지하기 위해 동해(銅害) 방지제로서 알려진 화합물을 들 수 있고, 예를 들어 트리아진티올 화합물, 비스페놀계 환원제 등을 사용할 수 있다. 비스페놀계 환원제로서는, 2,2'-메틸렌-비스-(4-메틸-6-제3 부틸페놀) 및 4,4'-티오-비스-(3-메틸-6-제3 부틸페놀) 등을 들 수 있다. 또한, (F) 이온 포착제의 구체예로서는, 무기 음이온 교환체, 무기 양이온 교환체 및 무기 양쪽 이온 교환체 등도 들 수 있고, 구체적으로는, 일반식 BiOX(OH)Y(NO3)Z[여기서, X는 0.9 내지 1.1, Y는 0.6 내지 0.8, Z는 0.2 내지 0.4의 양수임]로 표시되는 산화비스무트계 이온 포착제, 산화안티몬계 이온 포착제, 인산티타늄계 이온 포착제, 인산지르코늄계 이온 포착제, 및 일반식 MgXAlY(OH)2X+3Y-2Z(CO3)Z·mH2O[여기서, X, Y, Z는 2X+3Y-2Z≥0을 만족시키는 양수, m은 양수임]로 표시되는 히드로탈사이트계 이온 포착제 등을 들 수 있다. 이들 이온 포착제의 시판품으로서는, 예를 들어 IXE-100(도아 고세이사제, 인산지르코늄계 이온 포착제), IXE-300(도아 고세이사제, 산화안티몬계 이온 포착제), IXE-400(도아 고세이사제, 인산티타늄계 이온 포착제), IXE-500(도아 고세이사제, 산화비스무트계 이온 포착제), IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제), DHT-4A(히드로탈사이트계 이온 포착제, 교와 가가꾸 고교사제) 및 쿄와드 KW-2000(히드로탈사이트계 이온 포착제, 교와 가가꾸 고교사제) 등을 들 수 있다. 경화물의 전기 신뢰성을 한층 더 낮추는 관점에서는, (F) 이온 포착제는, 무기 양이온 교환체 또는 무기 양쪽 이온 교환체인 것이 바람직하다.(F) As a specific example of the ion scavenger, a compound known as an anti-freezing agent may be mentioned in order to prevent copper from starting to be ionized and melted. For example, a triazinethiol compound, a bisphenol-based reducing agent, etc. can be used. have. Examples of the bisphenol-based reducing agent include 2,2'-methylene-bis-(4-methyl-6-tertiary butylphenol) and 4,4'-thio-bis-(3-methyl-6-tertiary butylphenol). Can be lifted. Further, as specific examples of the (F) ion scavenger, an inorganic anion exchanger, an inorganic cation exchanger, an inorganic zwitterion exchanger, etc. are also mentioned, and specifically, the general formula BiO X (OH) Y (NO 3 ) Z [ Here, X is 0.9 to 1.1, Y is 0.6 to 0.8, Z is a positive number of 0.2 to 0.4]. Ion scavenger, and the general formula Mg X Al Y (OH) 2X+3Y-2Z (CO 3 ) Z ·mH 2 O [wherein, X, Y, Z are positive numbers satisfying 2X+3Y-2Z≥0, m Is a positive water] and a hydrotalcite-based ion scavenger represented by. As a commercial item of these ion scavengers, for example, IXE-100 (manufactured by Toa Kosei, zirconium phosphate ion scavenger), IXE-300 (manufactured by Toa Kosei, antimony oxide ion scavenger), IXE-400 (manufactured by Toa Kosei Corporation) , Titanium phosphate ion scavenger), IXE-500 (Toa Kosei company make, bismuth oxide ion scavenger), IXE-600 (Toa Kosei company make, antimony oxide bismuth oxide ion scavenger), DHT-4A (hydrotalum) Sight-based ion scavenger, Kyowa Chemical Co., Ltd. product), and Kyowad KW-2000 (hydrotalcite ion scavenger, Kyowa Chemical Co., Ltd. product), etc. are mentioned. From the viewpoint of further lowering the electrical reliability of the cured product, the (F) ion scavenger is preferably an inorganic cation exchanger or an inorganic zwitterion exchanger.

마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 양이온 교환체는, Zr계 양이온 교환체 또는 Sb계 양이온 교환체인 것이 바람직하고, Zr계 양이온 교환체인 것이 보다 바람직하고, 또한 상기 양이온 교환체는, 지르코늄 원자를 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further suppressing migration and further enhancing insulation reliability, the cation exchanger is preferably a Zr-based cation exchanger or an Sb-based cation exchanger, more preferably a Zr-based cation exchanger, and the cation exchanger. It is preferable that the exchanger contains a zirconium atom.

마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 음이온 교환체는, Bi계 음이온 교환체, Mg-Al계 음이온 교환체 또는 Zr계 음이온 교환체인 것이 바람직하고, Mg-Al계 음이온 교환체인 것이 보다 바람직하고, 또한 상기 음이온 교환체는, 마그네슘 원자와 알루미늄 원자를 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further suppressing migration and further enhancing insulation reliability, the anion exchanger is preferably a Bi-based anion exchanger, an Mg-Al-based anion exchanger, or a Zr-based anion exchanger, and Mg-Al-based anion It is more preferable that it is an exchanger, and it is preferable that the said anion exchanger contains a magnesium atom and an aluminum atom.

마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 양이온 교환체의 중성 교환 용량은, 바람직하게는 1meq/g 이상, 보다 바람직하게는 2meq/g 이상이며, 바람직하게는 10meq/g 이하, 보다 바람직하게는 4meq/g 이하이다.From the viewpoint of further suppressing migration and further enhancing insulation reliability, the neutral exchange capacity of the cation exchanger is preferably 1 meq/g or more, more preferably 2 meq/g or more, and preferably 10 meq/g Below, it is more preferably 4 meq/g or less.

마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 음이온 교환체의 중성 교환 용량은, 바람직하게는 0.1meq/g 이상, 보다 바람직하게는 1meq/g 이상이며, 바람직하게는 10meq/g 이하, 보다 바람직하게는 5meq/g 이하이다.From the viewpoint of further suppressing migration and further enhancing insulation reliability, the neutral exchange capacity of the anion exchanger is preferably 0.1 meq/g or more, more preferably 1 meq/g or more, preferably 10 meq/ g or less, more preferably 5 meq/g or less.

마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 양이온 교환체의 메디안 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하이다.From the viewpoint of further suppressing migration and further enhancing insulation reliability, the median diameter of the cation exchanger is preferably 0.1 µm or more, more preferably 0.5 µm or more, preferably 10 µm or less, more preferably It is less than 3㎛.

마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 음이온 교환체의 메디안 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하이다.From the viewpoint of further suppressing migration and further enhancing insulation reliability, the median diameter of the anion exchanger is preferably 0.1 µm or more, more preferably 0.5 µm or more, preferably 10 µm or less, more preferably It is less than 3㎛.

마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 경화물 100중량％ 중, 및 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (F) 이온 포착제의 함유량은, 바람직하게는 0.1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.3중량％ 이상이며, 바람직하게는 3중량％ 이하, 보다 바람직하게는 2중량％ 이하이다.From the viewpoint of further suppressing migration and further enhancing insulation reliability, the content of the ion scavenger (F) in 100% by weight of the cured product and 100% by weight of the semiconductor element protection material is preferably 0.1% by weight. It is at least 0.3% by weight, more preferably at least 0.3% by weight, preferably at most 3% by weight, and more preferably at most 2% by weight.

(다른 성분)(Other ingredients)

상기 반도체 소자 보호용 재료는, 필요에 따라서, 카르나우바 왁스 등의 천연 왁스, 폴리에틸렌 왁스 등의 합성 왁스, 스테아르산이나 스테아르산아연 등의 고급 지방산 및 그의 금속염류 또는 파라핀 등의 이형제; 카본 블랙, 벵갈라 등의 착색제; 브롬화에폭시 수지, 삼산화안티몬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 붕산아연, 몰리브덴산아연, 포스파젠 등의 난연제; 산화비스무트 수화물 등의 무기 이온 교환체; 실리콘 오일, 실리콘 고무 등의 저응력화 성분; 산화 방지제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The material for protecting semiconductor elements may include natural waxes such as carnauba wax, synthetic waxes such as polyethylene wax, higher fatty acids such as stearic acid and zinc stearate, and metal salts thereof or release agents such as paraffin, as necessary; Colorants such as carbon black and bengala; Flame retardants such as brominated epoxy resin, antimony trioxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, zinc borate, zinc molybdate, and phosphazene; Inorganic ion exchangers such as bismuth oxide hydrate; Low-stress components such as silicone oil and silicone rubber; Various additives, such as an antioxidant, may be contained.

상기 반도체 소자 보호용 재료는, 분산제를 포함하는 것이 바람직하다. 분산제의 구체예로서는, 폴리카르복실산염, 알킬암모늄염, 알킬올암모늄염, 인산에스테르염, 아크릴계 블록 공중합물 및 중합체염 등을 들 수 있다.It is preferable that the said semiconductor element protection material contains a dispersing agent. Specific examples of the dispersant include polycarboxylates, alkyl ammonium salts, alkylol ammonium salts, phosphate ester salts, acrylic block copolymers and polymer salts.

상기 경화물 100중량％ 중, 및 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, 분산제의 함유량은, 바람직하게는 0.1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.2중량％ 이상이며, 바람직하게는 2중량％ 이하, 보다 바람직하게는 1중량％ 이하이다.In 100% by weight of the cured product and in 100% by weight of the semiconductor element protection material, the content of the dispersant is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.2% by weight or more, preferably 2% by weight or less, More preferably, it is 1 weight% or less.

(반도체 소자 보호용 재료의 기타 상세 및 반도체 장치)(Other details of materials for semiconductor element protection and semiconductor devices)

상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하여 사용된다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재가 박리되지 않도록 접착 및 고정시키는 경화물을 형성하는 것과는 상이하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자의 표면을 피복하는 피복 재료인 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자의 측면 상에 도포되지 않는 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 상기 반도체 소자를 밀봉하기 위한 재료와는 상이한 것이 바람직하고, 상기 반도체 소자를 밀봉하기 위한 밀봉제가 아닌 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 언더필재가 아닌 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자가, 제2 표면측에 제1 전극을 갖고, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 상기 반도체 소자의 상기 제2 표면측과는 반대의 제1 표면 상에 도포되어 사용되는 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 장치에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 적합하게 사용된다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 적합하게 사용되고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위하여 적합하게 사용된다. 상기 반도체 장치에 있어서, 상기 경화물의 전기 전도도는 50μS/cm 이하인 것이 바람직하다.The semiconductor element protection material is applied and used on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element. The material for protecting a semiconductor element is different from that of forming a cured product which is disposed between a semiconductor element and another member to be connected to be bonded and fixed so that the semiconductor element and the member to be connected are not peeled off. It is preferable that the said semiconductor element protection material is a coating material which coats the surface of a semiconductor element. It is preferable that the material for protecting the semiconductor element is not applied on the side surface of the semiconductor element. The material for protecting the semiconductor element is preferably different from the material for sealing the semiconductor element, and is preferably not a sealing agent for sealing the semiconductor element. It is preferable that the material for protecting a semiconductor element is not an underfill material. It is preferable that the semiconductor element has a first electrode on the second surface side, and the semiconductor element protection material is applied and used on a first surface opposite to the second surface side of the semiconductor element. The semiconductor element protection material is suitably used for forming a cured product on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element in a semiconductor device. The semiconductor device protection material is suitably used to form a cured product on the surface of the semiconductor device in order to protect the semiconductor device, and a protective film is disposed on the surface of the cured product opposite to the semiconductor device side. Thus, it is suitably used to obtain a semiconductor device. In the above semiconductor device, the electrical conductivity of the cured product is preferably 50 μS/cm or less.

상기 반도체 소자 보호용 재료를 도포하는 방법으로서는, 디스펜서에 의한 도포 방법, 스크린 인쇄에 의한 도포 방법, 및 잉크젯 장치에 의한 도포 방법 등을 들 수 있다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 디스펜서, 스크린 인쇄, 진공 스크린 인쇄 또는 잉크젯 장치에 의한 도포 방법에 의해 도포되어 사용되는 것이 바람직하다. 도포가 용이하고, 또한 경화물 중에 보이드를 한층 더 발생하기 어렵게 하는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 디스펜서에 의해 도포되어 사용되는 것이 바람직하다.As a method of applying the semiconductor element protection material, a coating method using a dispenser, a coating method using screen printing, a coating method using an inkjet device, and the like may be mentioned. The semiconductor element protection material is preferably applied and used by a dispenser, screen printing, vacuum screen printing, or coating method using an inkjet device. From the viewpoint of being easy to apply and making voids more difficult to occur in the cured product, the semiconductor element protection material is preferably applied by a dispenser and used.

본 발명에 따른 반도체 장치는, 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비한다. 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 상기 경화물이, 상술한 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다.A semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor element and a cured product disposed on the first surface of the semiconductor element. In the semiconductor device according to the present invention, the cured product is formed by curing the aforementioned material for protecting a semiconductor element.

상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위해 사용되거나, 또는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있는 반도체 장치를 얻기 위해 사용되는 것이 바람직하다. 본 발명의 효과가 한층 더 유효하게 발휘되는 점에서, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 드라이버 IC 칩의 보호용 재료인 것이 바람직하다.In the semiconductor device protection material, in order to protect the semiconductor element, a cured product is formed on the surface of the semiconductor element, and a protective film is disposed on the surface of the cured product opposite to the semiconductor element side, and the semiconductor device Used to obtain a semiconductor device, or to protect a semiconductor device, to form a cured product on the surface of the semiconductor device, and to obtain a semiconductor device in which the surface opposite to the side of the semiconductor device of the cured product is exposed It is desirable to be. Since the effect of the present invention is more effectively exhibited, the material for protecting a semiconductor element is preferably a material for protecting a driver IC chip.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.1 is a partially cut-away front sectional view showing a semiconductor device using a semiconductor element protection material according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 나타낸 반도체 장치(1)는, 반도체 소자(2)와, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상에 배치된 경화물(3)을 구비한다. 경화물(3)은, 상술한 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 경화물(3)은, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상의 일부 영역에 배치되어 있다.The semiconductor device 1 shown in FIG. 1 includes a semiconductor element 2 and a cured product 3 disposed on the first surface 2a of the semiconductor element 2. The cured product 3 is formed by curing the above-described material for protecting a semiconductor element. The cured product 3 is disposed in a partial region on the first surface 2a of the semiconductor element 2.

반도체 소자(2)는, 제1 표면(2a) 측과는 반대의 제2 표면(2b)측에, 제1 전극(2A)을 갖는다. 반도체 장치(1)는 접속 대상 부재(4)를 더 구비한다. 접속 대상 부재(4)는 표면(4a)에 제2 전극(4A)을 갖는다. 반도체 소자(2)와 접속 대상 부재(4)는, 다른 경화물(5)(접속부)을 개재하여 접착 및 고정되어 있다. 반도체 소자(2)는 접속 대상 부재(4) 상에 실장되어 있다. 반도체 소자(2)의 제1 전극(2A)과, 접속 대상 부재(4)의 제2 전극(4A)이 대향하고 있으며, 도전성 입자(6)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 제1 전극(2A)과 제2 전극(4A)이 접촉됨으로써, 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 경화물(3)은, 반도체 소자(2)의 제1 전극(2A)이 배치되어 있는 측과 반대의 제1 표면(2a) 상에 배치되어 있다. 경화물(3)은, 반도체 소자(2)의 접속 대상 부재(4)측과 반대의 제1 표면(2a) 상에 배치되어 있다.The semiconductor element 2 has a first electrode 2A on the second surface 2b side opposite to the first surface 2a side. The semiconductor device 1 further includes a member 4 to be connected. The connection object member 4 has a second electrode 4A on the surface 4a. The semiconductor element 2 and the member to be connected 4 are adhered and fixed via another cured product 5 (connection portion). The semiconductor element 2 is mounted on the member 4 to be connected. The first electrode 2A of the semiconductor element 2 and the second electrode 4A of the member to be connected 4 face each other, and are electrically connected by the conductive particles 6. The first electrode 2A and the second electrode 4A may be electrically connected by being in contact with each other. The cured product 3 is disposed on the first surface 2a opposite to the side on which the first electrode 2A of the semiconductor element 2 is disposed. The cured product 3 is disposed on the first surface 2a opposite to the connection object member 4 side of the semiconductor element 2.

경화물(3)의 반도체 소자(2)측과는 반대의 표면 상에, 보호 필름(7)이 배치되어 있다. 그에 의해, 경화물(3)에 의해 방열성 및 반도체 소자의 보호성을 높일 뿐만 아니라, 보호 필름(7)에 의해서도, 반도체 소자의 보호성을 한층 더 높일 수 있다. 경화물(3)은, 상술한 조성을 가지고 얻어지기 때문에, 경화물(3)의 보호 필름(7)에 대한 부착을 억제할 수 있다.A protective film 7 is disposed on the surface of the cured product 3 opposite to the semiconductor element 2 side. Thereby, not only the heat dissipation property and the protection property of a semiconductor element are improved by the hardened|cured material 3, but also the protection of a semiconductor element can be improved further by the protective film 7. Since the cured product 3 is obtained with the above-described composition, adhesion of the cured product 3 to the protective film 7 can be suppressed.

상기 접속 대상 부재로서는, 유리 기판, 유리 에폭시 기판 및 플렉시블 프린트 기판 등을 들 수 있다. 상기 플렉시블 프린트 기판으로서는, 폴리이미드 기판 등의 수지 기판 등을 들 수 있다. 본 발명의 효과가 한층 더 유효하게 발휘되는 점에서, 상기 접속 대상 부재는, 기판인 것이 바람직하고, 플렉시블 프린트 기판인 것이 바람직하고, 수지 기판인 것이 바람직하고, 폴리이미드 기판인 것이 보다 바람직하다.Examples of the member to be connected include a glass substrate, a glass epoxy substrate, and a flexible printed circuit board. Examples of the flexible printed circuit board include resin substrates such as polyimide substrates. Since the effect of the present invention is more effectively exhibited, the member to be connected is preferably a substrate, preferably a flexible printed circuit board, preferably a resin substrate, and more preferably a polyimide substrate.

반도체 소자의 표면 상에 있어서, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 두께는, 바람직하게는 400㎛ 이상, 보다 바람직하게는 500㎛ 이상이며, 바람직하게는 2000㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1900㎛ 이하이다. 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 두께는, 반도체 소자의 두께보다 얇아도 된다.On the surface of the semiconductor element, the thickness of the cured product of the semiconductor element protective material is preferably 400 µm or more, more preferably 500 µm or more, preferably 2000 µm or less, and more preferably 1900 µm or less. The thickness of the cured product of the semiconductor element protection material may be thinner than that of the semiconductor element.

도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.Fig. 2 is a partially cut-away front sectional view showing a semiconductor device using a semiconductor element protection material according to a second embodiment of the present invention.

도 2에 나타낸 반도체 장치(1X)는, 반도체 소자(2)와, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상에 배치된 경화물(3X)을 구비한다. 경화물(3X)은, 상술한 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 경화물(3X)은, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상의 전체 영역에 배치되어 있다. 경화물(3X)의 반도체 소자(2)측과는 반대의 표면 상에, 보호 필름은 배치되어 있지 않다. 경화물(3X)의 반도체 소자(2)측과는 반대의 표면은 노출되어 있다.The semiconductor device 1X shown in FIG. 2 includes a semiconductor element 2 and a cured product 3X disposed on the first surface 2a of the semiconductor element 2. The cured product 3X is formed by curing the above-described material for protecting semiconductor elements. The cured product 3X is disposed in the entire region on the first surface 2a of the semiconductor element 2. On the surface of the cured product 3X opposite to the semiconductor element 2 side, no protective film is disposed. The surface of the cured product 3X opposite to the semiconductor element 2 side is exposed.

상기 반도체 장치에서는, 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름이 배치되어 있거나, 또는 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있는 것이 바람직하다.In the semiconductor device, it is preferable that a protective film is disposed on a surface of the cured product opposite to the side of the semiconductor element, or a surface of the cured product opposite to the side of the semiconductor element is exposed.

또한, 도 1, 2에 나타낸 구조는, 반도체 장치의 일례에 지나지 않고, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 배치 구조 등은 적절히 변형될 수 있다.In addition, the structure shown in Figs. 1 and 2 is only an example of a semiconductor device, and the arrangement structure of a cured product of the material for protecting a semiconductor element can be appropriately modified.

반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 열전도율은 특별히 한정되지 않지만, 1.1W/m·K를 초과하는 것이 바람직하고, 1.5W/m·K 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.8W/m·K 이상인 것이 더욱 바람직한다.The thermal conductivity of the cured product of the semiconductor element protection material is not particularly limited, but it is preferably more than 1.1 W/m·K, more preferably 1.5 W/m·K or more, and even more preferably 1.8 W/m·K or more. .

이하, 본 발명의 구체적인 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 명백하게 한다. 또한, 본 발명은, 이하의 실시예로 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be clarified by giving specific examples and comparative examples of the present invention. In addition, the present invention is not limited to the following examples.

이하의 재료를 사용하였다.The following materials were used.

(A1) 에폭시 화합물(A1) Epoxy compound

EX-821(n=4)((A11) 가요성 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스사제, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 185)EX-821 (n=4) ((A11) flexible epoxy compound, manufactured by Nagase Chemtex, polyethylene glycol diglycidyl ether, epoxy equivalent: 185)

EX-830(n=9)((A11) 가요성 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스사제, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 268)EX-830 (n=9) ((A11) flexible epoxy compound, manufactured by Nagase Chemtex, polyethylene glycol diglycidyl ether, epoxy equivalent: 268)

EX-931(n=11)((A11) 가요성 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스사제, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 471)EX-931 (n=11) ((A11) flexible epoxy compound, manufactured by Nagase Chemtex, polypropylene glycol diglycidyl ether, epoxy equivalent: 471)

EX-861(n=22)((A11) 가요성 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스사제, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 551)EX-861 (n=22) ((A11) flexible epoxy compound, manufactured by Nagase Chemtex, polyethylene glycol diglycidyl ether, epoxy equivalent: 551)

PB3600(다이셀사제, 폴리부타디엔 변성 에폭시 수지, 에폭시 당량: 200)PB3600 (manufactured by Daicel, polybutadiene-modified epoxy resin, epoxy equivalent: 200)

jER828((A12) 에폭시 화합물, 미쯔비시 가가꾸사제, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 188)jER828 ((A12) epoxy compound, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent: 188)

jER834((A12) 에폭시 화합물, 미쯔비시 가가꾸사제, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 연화점: 30℃, 에폭시 당량: 255)jER834 ((A12) epoxy compound, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, bisphenol A type epoxy resin, softening point: 30°C, epoxy equivalent: 255)

(A2) 실리콘 화합물(A2) silicone compound

[실리콘 화합물인 중합체 A의 합성][Synthesis of Polymer A, which is a silicone compound]

온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000mL의 세퍼러블 플라스크에, 디메틸디메톡시실란 164.1g, 메틸페닐디메톡시실란 20.1g 및 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 4.7g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 안에, 수산화칼륨 2.2g을 물 35.1g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하여, 반응시켜, 반응액을 얻었다. 이어서, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 반응액에 아세트산 2.4g을 첨가하고, 감압 하에서 가열하였다. 그 후, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여, 중합체 A를 얻었다.In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 164.1 g of dimethyldimethoxysilane, 20.1 g of methylphenyldimethoxysilane and 4.7 of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane g was put, and the mixture was stirred at 50°C. A solution in which 2.2 g of potassium hydroxide was dissolved in 35.1 g of water was slowly added dropwise, followed by stirring at 50° C. for 6 hours to react, thereby obtaining a reaction solution. Subsequently, the volatile component was removed under reduced pressure, and 2.4 g of acetic acid was added to the reaction solution, followed by heating under reduced pressure. Then, potassium acetate was removed by filtration, and a polymer A was obtained.

얻어진 중합체 A의 수 평균 분자량은 15000이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 A는, 하기 평균 조성식을 갖고 있었다.The number average molecular weight of the obtained polymer A was 15000. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer A had the following average composition formula.

(Me2SiO2/2)0.85(PhMeSiO2/2)0.10(ViMe2SiO1/2)0.05 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.85 (PhMeSiO 2/2 ) 0.10 (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.05

상기 식 중, Me는 메틸기, Vi는 비닐기, Ph는 페닐기를 나타낸다. 얻어진 중합체 A의 페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 97.6몰％, 비닐기의 함유 비율은 2.4몰％였다.In the above formula, Me represents a methyl group, Vi represents a vinyl group, and Ph represents a phenyl group. The resulting polymer A had a phenyl group and a methyl group content of 97.6 mol%, and a vinyl group content of 2.4 mol%.

또한, 각 중합체의 분자량은, 10mg에 테트라히드로푸란 1mL를 첨가하여, 용해될 때까지 교반하고, GPC 측정에 의해 측정하였다. GPC 측정에서는, Waters사제의 측정 장치(칼럼: 쇼와 덴코사제 Shodex GPC LF-804(길이 300mm)×2개, 측정 온도: 40℃, 유속: 1mL/min, 용매: 테트라히드로푸란, 표준 물질: 폴리스티렌)를 사용하였다.In addition, 1 mL of tetrahydrofuran was added to 10 mg of the molecular weight of each polymer, stirred until dissolved, and measured by GPC measurement. In the GPC measurement, a waters measuring device (column: Shodex GPC LF-804 (length 300 mm) manufactured by Showa Denko Inc.)×2, measurement temperature: 40°C, flow rate: 1 mL/min, solvent: tetrahydrofuran, standard substance: Polystyrene) was used.

[실리콘 화합물인 중합체 B 내지 D의 합성][Synthesis of Polymers B to D as Silicone Compounds]

합성에 사용되는 유기 규소 화합물의 종류 및 배합량을 바꾼 것 이외에는 중합체 A의 합성과 동일하게 하여, 중합체 B 내지 D를 얻었다.Polymers B to D were obtained in the same manner as in the synthesis of polymer A, except that the type and amount of the organosilicon compound used for synthesis were changed.

중합체 B:Polymer B:

(SiO4/2)0.20(ViMe2SiO1/2)0.40(Me3SiO1/2)0.40 (SiO 4/2 ) 0.20 (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.40 (Me 3 SiO 1/2 ) 0.40

수 평균 분자량 2000Number average molecular weight 2000

페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 83.3몰％, 비닐기의 함유 비율은 16.7몰％The content ratio of phenyl group and methyl group is 83.3 mol%, and the content ratio of vinyl group is 16.7 mol%

중합체 C:Polymer C:

(MeSiO3/2)0.20(PhMeSiO2/2)0.70(ViMe2SiO1/2)0.10 (MeSiO 3/2 ) 0.20 (PhMeSiO 2/2 ) 0.70 (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.10

수 평균 분자량 4000Number average molecular weight 4000

페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 94.7몰％, 비닐기의 함유 비율은 5.3몰％The content ratio of phenyl group and methyl group is 94.7 mol%, and the content rate of vinyl group is 5.3 mol%

중합체 D:Polymer D:

(PhSiO3/2)0.80(ViMe2SiO1/2)0.20 (PhSiO 3/2 ) 0.80 (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.20

수 평균 분자량 1700Number average molecular weight 1700

페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 85.7몰％, 비닐기의 함유 비율은 14.3몰％The content ratio of phenyl group and methyl group is 85.7 mol%, and the content rate of vinyl group is 14.3 mol%

[실리콘 화합물인 중합체 E의 합성][Synthesis of Polymer E, which is a silicone compound]

온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000mL의 세퍼러블 플라스크에, 디페닐디메톡시실란 80.6g 및 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 45g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 안에, 아세트산 100g과 물 27g의 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하여, 반응시켜, 반응액을 얻었다. 이어서, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체를 얻었다. 얻어진 중합체에 헥산 150g과 아세트산에틸 150g을 첨가하고, 이온 교환수 300g으로 10회 세정을 행하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체 E를 얻었다.In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device, and a stirrer, 80.6 g of diphenyldimethoxysilane and 45 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane were put and stirred at 50°C. A solution of 100 g of acetic acid and 27 g of water was slowly added dropwise therein, and after the dropwise addition, the mixture was stirred at 50° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Then, the volatile component was removed under reduced pressure to obtain a polymer. 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added to the obtained polymer, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, and the volatile component was removed under reduced pressure to obtain a polymer E.

얻어진 중합체 E의 수 평균 분자량은 850이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 E는, 하기 평균 조성식을 갖고 있었다.The number average molecular weight of the obtained polymer E was 850. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer E had the following average composition formula.

(Ph2SiO2/2)0.67(HMe2SiO1/2)0.33 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.67 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.33

상기 식 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기를 나타낸다. 얻어진 중합체 E의 페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 74.9몰％, 규소 원자에 결합된 수소 원자의 함유 비율은 25.1％였다.In the above formula, Me represents a methyl group and Ph represents a phenyl group. The content ratio of the phenyl group and the methyl group of the obtained polymer E was 74.9 mol%, and the content ratio of the hydrogen atom bonded to the silicon atom was 25.1%.

[실리콘 화합물인 중합체 F의 합성][Synthesis of Polymer F, which is a silicone compound]

중합체 E의 합성에 있어서, 이온 교환수로의 세정을 1회로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여, 중합체 F를 얻었다.In the synthesis of polymer E, polymer F was obtained in the same manner except that washing with ion-exchanged water was changed once.

[실리콘 화합물인 중합체 G의 합성][Synthesis of Polymer G, which is a silicone compound]

온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000mL의 세퍼러블 플라스크에, 디메틸디메톡시실란 80.6g 및 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 45g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 안에, 아세트산 100g과 물 27g의 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하여, 반응시켜, 반응액을 얻었다. 이어서, 얻어진 반응액에 헥산 150g과 아세트산에틸 150g을 첨가하고, 이온 교환수 300g으로 10회 세정을 행하고, 분액으로 용제 성분을 제거하여 중합체 G를 얻었다.In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device, and a stirrer, 80.6 g of dimethyldimethoxysilane and 45 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane were put and stirred at 50°C. A solution of 100 g of acetic acid and 27 g of water was slowly added dropwise therein, and after the dropwise addition, the mixture was stirred at 50° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added to the obtained reaction solution, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, and the solvent component was removed by separation to obtain a polymer G.

얻어진 중합체 G의 수 평균 분자량은 350이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 G는, 하기 평균 조성식을 갖고 있었다.The number average molecular weight of the obtained polymer G was 350. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, polymer G had the following average composition formula.

(Me2SiO2/2)0.50(HMe2SiO1/2)0.50 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.50 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.50

상기 식 중, Me는 메틸기를 나타낸다. 얻어진 중합체 G의 페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 80몰％, 규소 원자에 결합된 수소 원자의 함유 비율은 20％였다.In the above formula, Me represents a methyl group. The content ratio of the phenyl group and the methyl group of the obtained polymer G was 80 mol%, and the content ratio of the hydrogen atom bonded to the silicon atom was 20%.

(B) 경화제 또는 경화 촉매(B) curing agent or curing catalyst

후지큐어 7000(후지 가세이사제, 23℃에서 액상, 아민 화합물)Fuji Cure 7000 (manufactured by Fuji Kasei, liquid at 23°C, amine compound)

MEH-8005(메이와 가세이사제, 23℃에서 액상, 알릴페놀노볼락 화합물)MEH-8005 (Meiwa Kasei Co., Ltd., liquid at 23°C, allylphenol novolac compound)

TD-2131(DIC사제, 23℃에서 고체 상태, 페놀노볼락 화합물)TD-2131 (manufactured by DIC, solid at 23°C, phenol novolac compound)

백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체Platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex

(D) 경화 촉진제(D) hardening accelerator

SA-102(산아프로사제, DBU 옥틸산염)SA-102 (manufactured by San Apro, DBU octylate)

(C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러(C) Inorganic filler with a thermal conductivity of 10W/m·K or more

FAN-f05(후루카와 덴시제, 질화알루미늄, 열전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 6㎛)FAN-f05 (manufactured by Furukawa Denshi, aluminum nitride, thermal conductivity: 100W/m·K, spherical shape, average particle diameter: 6㎛)

FAN-f50(후루카와 덴시제, 질화알루미늄, 열전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 30㎛)FAN-f50 (manufactured by Furukawa Denshi, aluminum nitride, thermal conductivity: 100W/m·K, spherical shape, average particle diameter: 30㎛)

CB-P05(쇼와 덴코사제, 산화알루미늄, 열전도율: 20W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 4㎛)CB-P05 (made by Showa Denko, aluminum oxide, thermal conductivity: 20 W/m·K, spherical shape, average particle diameter: 4 μm)

CB-P40(쇼와 덴코사제, 산화알루미늄, 열전도율: 20W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 44㎛)CB-P40 (made by Showa Denko, aluminum oxide, thermal conductivity: 20 W/m·K, spherical shape, average particle diameter: 44 μm)

SSC-A15(시나노 덴끼 세이렌제, 탄화규소, 열전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 19㎛)SSC-A15 (manufactured by Shinano Denki Siren, silicon carbide, thermal conductivity: 100W/m·K, spherical shape, average particle diameter: 19 μm)

SSC-A30(시나노 덴끼 세이렌제, 탄화규소, 열전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 34㎛)SSC-A30 (made by Shinano Denki Siren, silicon carbide, thermal conductivity: 100W/m·K, spherical shape, average particle diameter: 34 μm)

(C') 그 밖의 무기 필러(C') other inorganic fillers

HS-306(마이크론사제, 산화규소, 열전도율: 2W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 2.5㎛)HS-306 (Made by Micron, silicon oxide, thermal conductivity: 2W/m·K, spherical shape, average particle diameter: 2.5 μm)

HS-304(마이크론사제, 산화규소, 열전도율: 2W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 25㎛)HS-304 (Made by Micron, silicon oxide, thermal conductivity: 2W/m·K, spherical shape, average particle diameter: 25 μm)

(E) 커플링제(E) coupling agent

KBM-403(신에쯔 가가꾸 고교사제, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 100℃에서의 중량 감소: 10중량％를 초과함)KBM-403 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, weight reduction at 100°C: exceeding 10% by weight)

A-LINK599(모멘티브(momentive)사제, 3-옥타노일티오-1-프로필트리에톡시실란, 100℃에서의 중량 감소: 10중량％ 이하)A-LINK599 (manufactured by Momentive, 3-octanoylthio-1-propyltriethoxysilane, weight reduction at 100°C: 10% by weight or less)

TOG(IPA 커트)(닛본 소다사제, 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트, 100℃에서의 중량 감소: 10중량％ 이하)TOG (IPA cut) (manufactured by Nippon Soda, titanium-i-propoxyoctylene glycolate, weight reduction at 100°C: 10% by weight or less)

AL-M(아지노모또 파인테크노사제, 아세트알콕시알루미늄디이소프로필레이트, 100℃에서의 중량 감소: 10중량％ 이하)AL-M (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., acetalkoxy aluminum diisopropylate, weight reduction at 100°C: 10% by weight or less)

(다른 성분)(Other ingredients)

BYK-9076(BYK사제, 분산제)BYK-9076 (manufactured by BYK, dispersant)

(F) 이온 포착제(F) ion scavenger

IXE-300(도아 고세이사제, 산화안티몬계 이온 포착제)IXE-300 (Toa Kosei Co., Ltd., antimony oxide ion trapping agent)

IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제)IXE-600 (Toa Kosei Co., Ltd., antimony oxide/bismuth oxide ion trapping agent)

DHT-4A(교와 가가꾸 고교사제, 히드로탈사이트계 이온 포착제)DHT-4A (Kyowa Chemical Industry Co., Ltd., hydrotalcite ion trapping agent)

(실시예 1)(Example 1)

EX-821(n=4)을 6.5중량부, jER828을 2.5중량부, 후지큐어 7000을 5중량부, SA-102를 0.5중량부, CB-P05를 42.5중량부, CB-P40을 42.5중량부, 및 BYK-9076을 0.5중량부 혼합하고, 탈포를 행하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.6.5 parts by weight of EX-821 (n=4), 2.5 parts by weight of jER828, 5 parts by weight of Fuji Cure 7000, 0.5 parts by weight of SA-102, 42.5 parts by weight of CB-P05, 42.5 parts by weight of CB-P40 , And 0.5 parts by weight of BYK-9076 were mixed and degassed to obtain a material for semiconductor element protection.

(실시예 2 내지 22 및 비교예 1, 2)(Examples 2 to 22 and Comparative Examples 1 and 2)

배합 성분의 종류 및 배합량을 하기 표 1 내지 4에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.A material for protecting a semiconductor element was obtained in the same manner as in Example 1, except that the type and amount of the compounded components were changed as shown in Tables 1 to 4 below.

(평가)(evaluation)

(1) 25℃에 있어서의 점도의 측정(1) Measurement of viscosity at 25°C

B형 점도계(도끼 산교사제 「TVB-10형」)를 사용하여 반도체 소자 보호용 재료의 25℃에 있어서의 10rpm에서의 점도(Pa·s)를 측정하였다.The viscosity (Pa·s) of the semiconductor element protection material at 25°C at 10 rpm was measured using a B-type viscometer ("TVB-10 type" manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

(2) (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물의 함유량(2) (X) Content of cyclic siloxane compound from trimer to decer

얻어진 반도체 소자 보호용 재료에 있어서, 가스 크로마토그래프 질량 분석 장치(GC-MS)(시마즈 세이사쿠쇼사제 「QP2010SE」)를 사용하여, (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물의 함유량을 평가하였다.In the obtained semiconductor element protection material, using a gas chromatograph mass spectrometer (GC-MS) ("QP2010SE" manufactured by Shimadzu Corporation), (X) the content of the cyclic siloxane compound from the trimer to the decer was evaluated. I did.

(3) (Y) 물의 함유량(3) (Y) content of water

얻어진 반도체 소자 보호용 재료에 있어서, JIS K7215에 준거하여, 칼 피셔 수분계(교토 덴시 고교사제 「MKV-710B」)를 사용해서 (Y) 물의 함유량을 평가하였다.In the obtained material for semiconductor element protection, according to JIS K7215, the content of (Y) water was evaluated using a Karl Fischer moisture meter ("MKV-710B" manufactured by Kyoto Denshi Kogyo Co., Ltd.).

(4) 전기 전도도(4) electrical conductivity

반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 경화시켜 경화물을 얻었다. 얻어진 경화물을 한 변이 5mm 정도인 정사각형으로 분쇄하고, 분쇄물 2.5g에 이온 교환수 25mL를 첨가하여, PCT(121℃±2℃/습도 100％/2atm의 조)에서 20Hr 두었다. 그 후, 실온까지 냉각시켜 얻은 추출액을 시험액으로서 얻었다. 이 시험액의 전기 전도도를 전도도계(도아 덴파 고교사제의 전기 전도율계 「CM-42X」)를 사용하여 측정하였다.The material for protecting semiconductor elements was cured at 150° C. for 2 hours to obtain a cured product. The obtained cured product was pulverized into a square having one side of about 5 mm, 25 mL of ion-exchanged water was added to 2.5 g of the pulverized product, and 20 hr was placed in a PCT (121° C.±2° C./humidity 100%/2 atm bath). Then, the extract obtained by cooling to room temperature was obtained as a test liquid. The electrical conductivity of this test solution was measured using a conductivity meter (electric conductivity meter "CM-42X" manufactured by Toa Denpa Kogyo Co., Ltd.).

(5) 열전도율(5) thermal conductivity

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여, 경화시켜, 100mm×100mm×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.The obtained material for protecting a semiconductor element was heated at 150° C. for 2 hours and cured to obtain a cured product having a thickness of 100 mm×100 mm×50 μm. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플의 열전도율을, 교토 덴시 고교사제 열전도율계 「신속 열전도율계 QTM-500」을 사용하여 측정하였다. 또한, 열전도율이 1.1W/m·K 이하인 경우에, 열전도율을 「×」라고 판정하였다.The thermal conductivity of the obtained evaluation sample was measured using a thermal conductivity meter "rapid thermal conductivity meter QTM-500" manufactured by Kyoto Denshi Kogyo Corporation. In addition, when the thermal conductivity was 1.1 W/m·K or less, the thermal conductivity was determined as "x".

(6) 도포성(6) Applicability

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 디스펜서 장치(무사시 엔지니어링사제 「SHOTMASTER-300」)로부터, 폴리이미드 필름에 직경 5mm, 높이 2mm가 되도록 직접 토출한 후, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켰다. 경화 후의 반도체 소자 보호용 재료의 형상으로부터 도포성을 하기 기준으로 판정하였다.The obtained semiconductor element protective material was directly discharged from a dispenser device ("SHOTMASTER-300" manufactured by Musashi Engineering Co., Ltd.) to a polyimide film so as to have a diameter of 5 mm and a height of 2 mm, and then the semiconductor element protective material was heated and cured at 150° C. for 2 hours. . The coating properties were determined based on the following criteria from the shape of the material for protecting semiconductor elements after curing.

[도포성의 판정 기준][Applicability Criteria]

○: 직경 5.3mm 이상, 높이 1.8mm 미만(유동성 있음)○: 5.3 mm or more in diameter and less than 1.8 mm in height (with fluidity)

△: 직경 5mm를 초과하고, 5.3mm 미만, 높이 1.8mm를 초과하고, 2mm 미만(유동성 조금 있음)△: More than 5mm in diameter, less than 5.3mm, more than 1.8mm in height, and less than 2mm (there is little fluidity)

×: 직경 5mm, 높이 2mm 그대로(유동성 없음)×: 5mm in diameter, 2mm in height as it is (no fluidity)

(7) 보이드의 유무(7) presence or absence of voids

폴리이미드 필름에 언더필제(나믹스사제, U8437-2)를 폭 3mm, 길이 18mm가 되도록 도포하고, 폭 3mm, 길이 18mm, 두께 0.3mm의 Si 칩을 싣고, 150℃에서 1시간 경화시킨 시험편을 준비하였다. 준비한 시험편에, 얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 디스펜서 장치(무사시 엔지니어링사제 「SHOTMASTER-300」)로부터, Si 칩을 모두 덮도록, 폭 5mm, 길이 21mm, 두께 0.9mm가 되도록 직접 토출한 후, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켰다. 경화 후의 반도체 소자 보호용 재료에 있어서의 보이드의 유무를 현미경으로 관찰하여 평가하였다.An underfill agent (manufactured by Namics, U8437-2) was applied to a polyimide film so that it had a width of 3 mm and a length of 18 mm, and a Si chip having a width of 3 mm, a length of 18 mm, and a thickness of 0.3 mm was loaded, and the specimen was cured at 150° C. for 1 hour. Ready. To the prepared test piece, the obtained semiconductor element protection material was directly discharged from a dispenser device (“SHOTMASTER-300” manufactured by Musashi Engineering Co., Ltd.) to cover all of the Si chips so that the width was 5 mm, the length was 21 mm, and the thickness was 0.9 mm. The material was cured by heating at 150° C. for 2 hours. The presence or absence of voids in the material for protecting semiconductor elements after curing was observed under a microscope and evaluated.

[보이드 유무의 판정 기준][Criteria for determining the presence or absence of a void]

○: 보이드 없음○: no void

△: 직경 100㎛ 미만의 눈으로 확인 불가능한 보이드가 있음△: There is a void that cannot be seen with a diameter of less than 100 µm

△△: 직경 100㎛ 이상 150㎛ 미만의 눈으로 확인 가능한 보이드가 있음△△: There are visible voids with a diameter of 100 µm or more and less than 150 µm

×: 직경 150㎛ 이상의 눈으로 확인 가능한 보이드가 있음×: There is a void that can be seen with a diameter of 150 µm or more

(8) 내습성(8) moisture resistance

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여, 경화시켜, 100mm×100mm×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.The obtained material for protecting a semiconductor element was heated at 150° C. for 2 hours and cured to obtain a cured product having a thickness of 100 mm×100 mm×50 μm. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플을 DSM-8104(히오키 덴끼사제, 디지털 초절연/미소 전류계), 평판 시료용 전극 SME-8310(히오키 덴끼사제)을 사용하여 체적 저항률을 측정하였다.The volume resistivity of the obtained evaluation sample was measured using DSM-8104 (manufactured by Hioki Denki Corporation, digital ultra-insulation/microammeter) and electrode SME-8310 (manufactured by Hioki Denki Corporation) for a flat plate sample.

이어서, 프레셔 쿠커 시험을 고도 가속 수명 시험 장치 EHS-211(에스펙사제)에서 행하였다. 121℃, 습도 100％RH 및 2atm의 조건에서 24시간 방치하고, 다음으로 23℃ 및 습도 50％RH의 환경에서 24시간 방치한 후, 체적 저항률을 측정하였다. 프레셔 쿠커 시험 전후의 체적 저항률의 저하율을 계산하고, 내습성을 하기 기준으로 판정하였다.Next, the pressure cooker test was performed with the highly accelerated life test apparatus EHS-211 (manufactured by SPEC). After leaving to stand for 24 hours in an environment of 121°C, humidity of 100%RH and 2atm, and then left to stand in an environment of 23°C and humidity of 50%RH for 24 hours, the volume resistivity was measured. The rate of decrease in the volume resistivity before and after the pressure cooker test was calculated, and the moisture resistance was determined based on the following criteria.

[내습성의 판정 기준][Criteria for judging moisture resistance]

○: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 10％ 이하○: The reduction rate of the volume resistivity before and after the test is 10% or less

△: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 10％를 초과하고, 20％ 이하△: The reduction rate of the volume resistivity before and after the test exceeds 10%, and is 20% or less

×: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 20％를 초과한다X: The reduction rate of the volume resistivity before and after the test exceeds 20%

(9) 접착력(다이 전단 강도)(9) Adhesion (die shear strength)

폴리이미드 기판 상에, 접착 면적이 3mm×3mm가 되도록 반도체 소자 보호용 재료를 도포하고, 한 변이 3mm인 정사각형의 Si 칩을 적재하여, 테스트 샘플을 얻었다.On the polyimide substrate, a material for semiconductor element protection was applied so that the bonding area was 3 mm x 3 mm, and a square Si chip having a side of 3 mm was mounted to obtain a test sample.

얻어진 테스트 샘플을 150℃에서 2시간 가열하여, 반도체 소자 보호용 재료를 경화시켰다. 이어서, 다이 전단 시험기(아크텍사제 「DAGE4000」)를 사용하여, 300㎛/초의 속도로, 25℃에서의 다이 전단 강도를 평가하였다.The obtained test sample was heated at 150° C. for 2 hours to cure the semiconductor element protection material. Next, the die shear strength at 25°C was evaluated at a rate of 300 µm/sec using a die shear tester ("DAGE4000" manufactured by Arctek Co., Ltd.).

[다이 전단 강도의 판정 기준][Criteria for determining die shear strength]

○: 다이 전단 강도가 10N 이상○: Die shear strength is 10N or more

△: 다이 전단 강도가 6N 이상 10N 미만△: Die shear strength is 6N or more and less than 10N

△△: 다이 전단 강도가 5N 이상 6N 미만△△: Die shear strength is 5N or more and less than 6N

×: 다이 전단 강도가 5N 미만×: Die shear strength is less than 5N

(10) 점착성(보호 필름의 부착성)(10) Adhesiveness (adhesiveness of the protective film)

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여, 경화시켜, 100mm×100mm×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.The obtained material for protecting a semiconductor element was heated at 150° C. for 2 hours and cured to obtain a cured product having a thickness of 100 mm×100 mm×50 μm. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플을 23℃ 및 습도 50％RH의 분위기 하에서 24시간 방치하였다. 24시간 방치 후 즉시, 평가 샘플의 표면 점착성을, 점착성 시험기 TA-500(UBM사제)를 사용하여 점착성을 측정하였다.The obtained evaluation sample was allowed to stand for 24 hours in an atmosphere of 23°C and 50% RH of humidity. Immediately after leaving for 24 hours, the surface tackiness of the evaluation sample was measured using a tackiness tester TA-500 (manufactured by UMB).

[점착성의 판정 기준][Criteria for judging adhesiveness]

○: 응력이 50gf/cm2 미만○: The stress is less than 50 gf/cm 2

△: 응력이 50gf/cm2 이상 100gf/cm2 미만△: the stress is 50gf / cm 2 or more and less than 100gf / cm 2

×: 응력이 100gf/cm2 이상×: the stress is 100 gf/cm 2 or more

(11) 필름 휨(11) film warping

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 디스펜서 장치(무사시 엔지니어링사제 「SHOTMASTER-300」)로부터, 폴리이미드 필름에 세로 20mm, 가로 100mm, 높이 10mm가 되도록 직접 토출한 후, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켰다. 경화 후에 폴리이미드 필름의 휨을 눈으로 확인하고, 필름 휨을 하기 기준으로 판정하였다.The obtained semiconductor element protection material was directly discharged from a dispenser device (“SHOTMASTER-300”, manufactured by Musashi Engineering Co., Ltd.) onto a polyimide film so as to have a length of 20 mm, a width of 100 mm, and a height of 10 mm, and then the semiconductor element protection material is heated at 150°C for 2 hours. And cured. After curing, the warpage of the polyimide film was visually checked, and the film warpage was determined based on the following criteria.

[필름 휨의 판정 기준][Criteria for judging film warpage]

○: 폴리이미드 필름의 휨 없음○: No warpage of the polyimide film

△: 폴리이미드 필름의 휨이 조금 발생(사용상 문제 없음)△: Slight warpage of the polyimide film occurs (no problem in use)

×: 폴리이미드 필름의 휨 발생(사용상 문제 있음)×: Warpage of the polyimide film occurs (there is a problem in use)

(12) 내열성(12) heat resistance

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여, 경화시켜, 100mm×100mm×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.The obtained material for protecting a semiconductor element was heated at 150° C. for 2 hours and cured to obtain a cured product having a thickness of 100 mm×100 mm×50 μm. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플을 DSM-8104(히오키 덴끼사제, 디지털 초절연/미소 전류계), 평판 시료용 전극 SME-8310(히오키 덴끼사제)을 사용하여 체적 저항률의 측정을 측정하였다.The obtained evaluation sample was measured for volume resistivity using DSM-8104 (manufactured by Hioki Denki Corporation, digital ultra-insulation/microammeter) and electrode SME-8310 (manufactured by Hioki Denki Corporation) for a flat plate sample.

이어서, 180℃에서 100시간 방치하고, 다음으로 23℃ 및 습도 50％RH의 환경에서 24시간 방치한 후, 체적 저항률을 측정하였다. 내열 시험 전후의 체적 저항률의 저하율을 계산하고, 내열성을 하기 기준으로 판정하였다.Then, it was left to stand at 180°C for 100 hours, and then left to stand at 23°C and a humidity of 50%RH for 24 hours, and then the volume resistivity was measured. The rate of decrease in the volume resistivity before and after the heat resistance test was calculated, and the heat resistance was determined based on the following criteria.

[내열성의 판정 기준][Criteria for judging heat resistance]

○○: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 5％ 이하○○: The reduction rate of the volume resistivity before and after the test is 5% or less

○: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 5％를 초과하고, 10％ 이하(Circle): The reduction rate of the volume resistivity before and after the test exceeds 5%, and is 10% or less

△: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 10％를 초과하고, 20％ 이하△: The reduction rate of the volume resistivity before and after the test exceeds 10%, and is 20% or less

×: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 20％를 초과한다X: The reduction rate of the volume resistivity before and after the test exceeds 20%

(13) 절연 신뢰성(13) insulation reliability

기판(폴리이미드 필름) 상에 형성된 빗살형 전극(재질: 구리 상에 주석 도금, 패턴 피치: 50㎛, L/S=25㎛/25㎛) 상에, 열경화 솔더 레지스트(닛본 폴리테크사제 「NPR-3300」)를 10㎛의 막 두께로 도포하고 150℃에서 1시간 가열 경화시켜, 테스트 패턴을 준비하였다. 상기 테스트 패턴에 반도체 소자 보호용 재료를 도포하고, 150℃에서 2시간 가열 경화시켜, 시험편을 얻었다. 가열 후의 시험편을 85℃ 및 습도 85％의 조(에스펙사제 「SH641」)에 넣고, 마이그레이션 테스터(IMV사제 「MIG-8600B」)를 사용하여 전극 사이에 40V의 직류 전압을 인가하고, 전극 사이의 저항을 측정하였다. 절연 신뢰성을 이하의 기준으로 판정하였다. ○, △ 또는 △△의 판정 기준인 경우에, 절연 신뢰성은 합격이라고 판단되고, 실사용에 지장이 없는 절연성 유지성이 있으며, 절연 신뢰성이 우수하다.On a comb-shaped electrode (material: tin plating on copper, pattern pitch: 50 µm, L/S = 25 µm/25 µm) formed on a substrate (polyimide film), a thermosetting solder resist (manufactured by Nippon Polytech Co., Ltd.) NPR-3300") was applied to a film thickness of 10 µm and cured by heating at 150° C. for 1 hour to prepare a test pattern. A material for semiconductor element protection was applied to the test pattern, followed by heating and curing at 150° C. for 2 hours to obtain a test piece. Put the test piece after heating into a bath ("SH641" manufactured by SPEC) with 85°C and 85% humidity, and apply a 40V DC voltage between the electrodes using a migration tester ("MIG-8600B" manufactured by IMV). The resistance of was measured. Insulation reliability was determined based on the following criteria. In the case of a criterion of ○, △, or △△, the insulation reliability is judged to be pass, and there is no problem in actual use, and insulation is maintained, and insulation reliability is excellent.

[절연 신뢰성의 판정 기준][Insulation Reliability Judgment Criteria]

○: 저항이 1×109Ω 이상으로 100시간 이상 지속되어, 절연성이 매우 양호○: Resistance is 1×10 9 Ω or more and lasts for 100 hours or more, and insulation is very good

△: 저항이 1×108Ω 이상 1×109Ω 미만으로 100시간 이상 지속되어, 절연성이 양호△: Resistance is 1×10 8 Ω or more and less than 1×10 9 Ω for more than 100 hours, and insulation is good

△△: 100시간 미만에 저항이 1×108Ω 미만으로 저하되지만, 1×108Ω 이상의 저항이 50시간 이상 100시간 미만 지속되어, 절연성이 약간 양호△△: The resistance decreases to less than 1×10 8 Ω in less than 100 hours, but the resistance of 1×10 8 Ω or more lasts 50 hours or more for less than 100 hours, and the insulation is slightly good.

×: 50시간 미만에 저항이 1×108Ω 미만으로 저하되어, 절연 불량으로 간주된다×: The resistance decreases to less than 1×10 8 Ω in less than 50 hours, and is regarded as an insulation failure.

(14) 내열 시험 후의 필름 휨(14) Film warpage after heat resistance test

상기 (11) 필름 휨의 평가 후에, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물과 폴리이미드 필름과의 적층체를, 180℃에서 100시간 방치하였다. 방치 후에, 폴리이미드 필름의 휨을 눈으로 확인하고, 내열 시험 후의 필름 휨을 하기 기준으로 판정하였다.After evaluation of the said (11) film warpage, the laminated body of the cured product of the material for semiconductor element protection and a polyimide film was left to stand at 180 degreeC for 100 hours. After leaving to stand, the warpage of the polyimide film was visually confirmed, and the film warpage after the heat resistance test was determined according to the following criteria.

[내열 시험 후의 필름 휨의 판정 기준][Criteria for judging film warpage after heat resistance test]

○: 내열 시험 전의 필름의 휨량에 대하여, 내열 시험 후의 필름의 휨량이 1.1배 미만○: With respect to the amount of warpage of the film before the heat resistance test, the amount of warpage of the film after the heat resistance test is less than 1.1 times

△: 내열 시험 전의 필름의 휨량에 대하여 내열 시험 후의 필름의 휨량이 1.1배 이상 1.2배 미만△: The amount of warpage of the film after the heat resistance test is 1.1 times or more and less than 1.2 times the warpage amount of the film before the heat resistance test.

×: 내열 시험 전의 필름의 휨량에 대하여 내열 시험 후의 필름의 휨량이 1.2배 이상X: The amount of warpage of the film after the heat resistance test is 1.2 times or more with respect to the amount of warpage of the film before the heat resistance test.

배합 성분의 상세, 조성 및 결과를 하기 표 1 내지 4에 나타낸다.The details, compositions, and results of the blended components are shown in Tables 1 to 4 below.

Figure 112020032904835-pat00001
Figure 112020032904835-pat00001

Figure 112020032904835-pat00002
Figure 112020032904835-pat00002

Figure 112020032904835-pat00003
Figure 112020032904835-pat00003

Figure 112020032904835-pat00004
Figure 112020032904835-pat00004

(실시예 23)(Example 23)

반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-300(도아 고세이사제, 산화안티몬계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.In the manufacture of the material for semiconductor element protection, a material for semiconductor element protection was obtained in the same manner as in Example 1 except that 0.5 parts by weight of IXE-300 (manufactured by Toa Kosei Co., Ltd., an antimony oxide ion scavenger) was further added.

(실시예 24)(Example 24)

반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.In the manufacture of the material for semiconductor element protection, a material for semiconductor element protection was obtained in the same manner as in Example 1, except that 0.5 parts by weight of IXE-600 (manufactured by Toa Kosei Co., Ltd., an antimony oxide/bismuth oxide-based ion scavenger) was further added.

(실시예 25)(Example 25)

반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, DHT-4A(교와 가가꾸 고교사제, 히드로탈사이트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.In the manufacture of the semiconductor element protection material, in the same manner as in Example 1, except that 0.5 parts by weight of DHT-4A (Kyowa Chemical Co., Ltd., a hydrotalcite ion scavenger) was further added, a semiconductor element protection material was obtained. .

(실시예 26)(Example 26)

반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-300(도아 고세이사제, 산화안티몬계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 18과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.In the manufacture of the material for semiconductor element protection, a material for semiconductor element protection was obtained in the same manner as in Example 18 except that 0.5 parts by weight of IXE-300 (manufactured by Toa Kosei Co., Ltd., an antimony oxide ion scavenger) was further added.

(실시예 27)(Example 27)

반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 18과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.In the manufacture of the material for semiconductor element protection, a material for semiconductor element protection was obtained in the same manner as in Example 18, except that 0.5 parts by weight of IXE-600 (manufactured by Toa Kosei Co., Ltd., an antimony oxide/bismuth oxide-based ion scavenger) was further added.

(실시예 28)(Example 28)

반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, DHT-4A(교와 가가꾸 고교사제, 히드로탈사이트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 18과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.In the manufacture of the semiconductor device protection material, in the same manner as in Example 18, except that 0.5 parts by weight of DHT-4A (Kyowa Chemical Co., Ltd., a hydrotalcite ion scavenger) was further added, a semiconductor device protection material was obtained. .

(실시예 29)(Example 29)

반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 19와 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.In the manufacture of the material for semiconductor element protection, a material for semiconductor element protection was obtained in the same manner as in Example 19 except that 0.5 parts by weight of IXE-600 (manufactured by Toa Kosei Co., Ltd., an antimony oxide/bismuth oxide-based ion scavenger) was further added.

(실시예 30)(Example 30)

반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 20과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.In the manufacture of the material for semiconductor element protection, a material for semiconductor element protection was obtained in the same manner as in Example 20, except that 0.5 parts by weight of IXE-600 (manufactured by Toa Kosei Co., Ltd., an antimony oxide/bismuth oxide-based ion scavenger) was further added.

(실시예 31)(Example 31)

반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 21과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.In the manufacture of the material for semiconductor element protection, a material for semiconductor element protection was obtained in the same manner as in Example 21 except that 0.5 parts by weight of IXE-600 (manufactured by Toa Kosei Co., Ltd., an antimony oxide/bismuth oxide-based ion scavenger) was further added.

(평가)(evaluation)

실시예 23 내지 31에 대해서, 상기 (13) 절연 신뢰성의 평가를 실시하였다.For Examples 23 to 31, the above (13) insulation reliability was evaluated.

이 결과, 실시예 23 내지 31의 절연 신뢰성의 결과는 모두, 「○」였다.As a result, all the results of the insulation reliability of Examples 23 to 31 were "(circle)".

또한, 실시예 1 및 실시예 23 내지 25의 절연 신뢰성의 결과는 「○」이지만, 100시간 후의 전압 인가 시의 저항은, 실시예 23 내지 25 쪽이 실시예 1보다 높아, 실시예 23 내지 25 쪽이 실시예 1보다 절연 신뢰성이 우수하였다. 또한, 실시예 20 및 실시예 30의 절연 신뢰성의 결과는 「○」이지만, 100시간 후의 전압 인가 시의 저항은, 실시예 30 쪽이 실시예 20보다 높아, 실시예 30 쪽이 실시예 20보다 절연 신뢰성이 우수하였다. 또한, 실시예 21 및 실시예 31의 절연 신뢰성의 결과는 「○」이지만, 100시간 후의 전압 인가 시의 저항은, 실시예 31 쪽이 실시예 21보다 높아, 실시예 31 쪽이 실시예 21보다 절연 신뢰성이 우수하였다.In addition, the result of the insulation reliability of Example 1 and Examples 23 to 25 is "○", but the resistance at voltage application after 100 hours is higher in Examples 23 to 25 than in Example 1, and Examples 23 to 25 Insulation reliability was superior to that of Example 1. In addition, although the result of the insulation reliability of Example 20 and Example 30 is "○", the resistance at the time of voltage application after 100 hours is higher in Example 30 than in Example 20, and Example 30 is higher than in Example 20. Insulation reliability was excellent. In addition, although the result of the insulation reliability of Example 21 and Example 31 is "○", the resistance at voltage application after 100 hours was higher in Example 31 than in Example 21, and Example 31 was higher than in Example 21. Insulation reliability was excellent.

또한, 실시예 23 내지 31에 대해서는, 실시예 1 내지 22 및 비교예 1, 2에서 행한 다른 평가 항목에 대해서도, 양호한 결과가 얻어졌다. 또한, (A2) 실리콘 화합물을 사용한 실시예 19 내지 21의 내열 시험 후의 필름 휨의 결과에 있어서의 휨량의 증가 비율은, (A1) 에폭시 화합물을 사용한 실시예 1 내지 17의 내열 시험 후의 필름 휨의 결과에 있어서의 휨량의 증가 비율보다 작았다.In addition, for Examples 23 to 31, good results were obtained also for the other evaluation items performed in Examples 1 to 22 and Comparative Examples 1 and 2. In addition, (A2) the increase ratio of the warpage amount in the result of the film warpage after the heat resistance test of Examples 19 to 21 using the silicone compound was (A1) of the film warpage after the heat resistance test of Examples 1 to 17 using the epoxy compound. It was smaller than the increase rate of the warpage amount in the result.

1, 1X: 반도체 장치
2: 반도체 소자
2a: 제1 표면
2b: 제2 표면
2A: 제1 전극
3, 3X: 경화물
4: 접속 대상 부재
4a: 표면
4A: 제2 전극
5: 다른 경화물
6: 도전성 입자
7: 보호 필름1, 1X: semiconductor device
2: semiconductor device
2a: first surface
2b: second surface
2A: first electrode
3, 3X: cured product
4: Connection target member
4a: surface
4A: second electrode
5: other cured products
6: conductive particles
7: protective film

Claims (24)

플렉시블 프린트 기판과,
상기 플렉시블 프린트 기판에 접착 및 고정된 반도체 소자와,
상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비하고,
상기 경화물이, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물이며,
상기 반도체 소자 보호용 재료가, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고,
상기 반도체 소자 보호용 재료의 25℃ 및 10rpm에서의 점도는, 40Pa·s 이상 140Pa·s 이하이고,
상기 반도체 소자 보호용 재료가, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고,
상기 경화물에 있어서의 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고,
상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하인, 반도체 장치.A flexible printed circuit board,
A semiconductor device adhered and fixed to the flexible printed circuit board,
Having a cured product disposed on the first surface of the semiconductor device,
The cured product is a cured product of a material for protecting semiconductor elements,
The semiconductor element protection material includes a thermosetting compound, a curing agent or a curing catalyst, and an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more,
The viscosity of the semiconductor element protection material at 25° C. and 10 rpm is 40 Pa·s or more and 140 Pa·s or less,
The material for protecting a semiconductor device does not contain a cyclic siloxane compound from trimer to decmer, or contains 500 ppm or less of a cyclic siloxane compound from trimer to decmer,
The content of the inorganic filler in the cured product is 60% by weight or more and 92% by weight or less,
The semiconductor device, wherein the cured product has an electrical conductivity of 50 μS/cm or less. 제1항에 있어서, 상기 무기 필러가 알루미나를 포함하는, 반도체 장치.The semiconductor device according to claim 1, wherein the inorganic filler contains alumina. 제1항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르를 포함하는, 반도체 장치.The semiconductor device according to claim 1, wherein the thermosetting compound contains polyalkylene glycol diglycidyl ether. 제1항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 비스페놀형 에폭시 화합물을 포함하는, 반도체 장치.The semiconductor device according to claim 1, wherein the thermosetting compound contains a bisphenol-type epoxy compound. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 소자 보호용 재료가 상기 경화제를 포함하고,
상기 경화제가 알릴페놀노볼락 화합물인, 반도체 장치.The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the semiconductor element protection material contains the curing agent,
The semiconductor device, wherein the curing agent is an allylphenol novolak compound. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플렉시블 프린트 기판이 폴리이미드 기판인, 반도체 장치.The semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, wherein the flexible printed circuit board is a polyimide substrate. 플렉시블 프린트 기판에 접착 및 고정된 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 상기 플렉시블 프린트 기판측과는 반대의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 상기 플렉시블 프린트 기판측과는 반대의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이며,
열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고,
상기 반도체 소자 보호용 재료의 25℃ 및 10rpm에서의 점도는, 40Pa·s 이상 140Pa·s 이하이고,
삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고,
상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고,
150℃에서 2시간 가열하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.In order to protect the semiconductor device adhered and fixed to the flexible printed circuit board, it is applied on the surface of the semiconductor device opposite to the side of the flexible printed circuit board, and applied on the surface of the semiconductor device opposite to the side of the flexible printed board. It is a material for protecting semiconductor elements used to form a cured product,
A thermosetting compound, a curing agent or a curing catalyst, and an inorganic filler having a thermal conductivity of 10 W/m·K or more,
The viscosity of the semiconductor element protection material at 25° C. and 10 rpm is 40 Pa·s or more and 140 Pa·s or less,
It does not contain a cyclic siloxane compound from trimer to decamer, or contains 500 ppm or less of cyclic siloxane compound from trimer to decamer,
The content of the inorganic filler is 60% by weight or more and 92% by weight or less,
When a cured product is obtained by heating at 150° C. for 2 hours, the electrical conductivity of the cured product is 50 μS/cm or less. 제7항에 있어서, 상기 무기 필러가 알루미나를 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to claim 7, wherein the inorganic filler contains alumina. 제7항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이, 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물을 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to claim 7, wherein the thermosetting compound contains a flexible epoxy compound and an epoxy compound different from the flexible epoxy compound. 제9항에 있어서, 상기 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대하여, 상기 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물의 함유량이 90중량부 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to claim 9, wherein a content of an epoxy compound different from the flexible epoxy compound is 90 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the flexible epoxy compound. 제9항에 있어서, 상기 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대하여, 상기 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물의 함유량이 67중량부 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to claim 9, wherein a content of an epoxy compound different from the flexible epoxy compound is 67 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the flexible epoxy compound. 제9항에 있어서, 상기 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대하여, 상기 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물의 함유량이 49중량부 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to claim 9, wherein the content of an epoxy compound different from the flexible epoxy compound is 49 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the flexible epoxy compound. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대하여, 상기 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물의 함유량이 10중량부 이상인, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to any one of claims 9 to 12, wherein a content of an epoxy compound different from the flexible epoxy compound is 10 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the flexible epoxy compound. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 상기 가요성 에폭시 화합물로서 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르를 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to any one of claims 9 to 12, wherein the thermosetting compound contains polyalkylene glycol diglycidyl ether as the flexible epoxy compound. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이, 상기 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물로서 비스페놀형 에폭시 화합물을 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to any one of claims 9 to 12, wherein the thermosetting compound contains a bisphenol-type epoxy compound as an epoxy compound different from the flexible epoxy compound. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르를 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to any one of claims 8 to 12, wherein the thermosetting compound contains polyalkylene glycol diglycidyl ether. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 비스페놀형 에폭시 화합물을 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to any one of claims 8 to 12, wherein the thermosetting compound contains a bisphenol-type epoxy compound. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 소자 보호용 재료가 상기 경화제를 포함하고,
상기 경화제가 알릴페놀노볼락 화합물인, 반도체 소자 보호용 재료.The method according to any one of claims 8 to 12, wherein the semiconductor element protection material contains the curing agent,
The material for protecting a semiconductor device, wherein the curing agent is an allylphenol novolak compound. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재가 박리되지 않도록 접착 및 고정시키는 경화물을 형성하는 것과는 상이한, 반도체 소자 보호용 재료.The method according to any one of claims 8 to 12, wherein the semiconductor element protection material is disposed between a semiconductor element and another connection object member to adhere and fix the semiconductor element and the other connection object member so as not to be peeled off. A material for protecting a semiconductor element, different from that of forming a cured product. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플렉시블 프린트 기판이 폴리이미드 기판인, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor element according to any one of claims 8 to 12, wherein the flexible printed circuit board is a polyimide substrate. 제9항에 있어서, 상기 반도체 소자 보호용 재료에 포함되는 상기 가요성 에폭시 화합물이 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르이고,
가요성 에폭시 화합물과는 다른 상기 에폭시 화합물이 비스페놀 A형 에폭시 화합물이고,
상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르 100중량부에 대하여, 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 함유량이 10중량부 이상 49중량부 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The method of claim 9, wherein the flexible epoxy compound contained in the semiconductor device protection material is polyalkylene glycol diglycidyl ether,
The epoxy compound different from the flexible epoxy compound is a bisphenol A type epoxy compound,
The material for protecting a semiconductor device, wherein the content of the bisphenol A epoxy compound is 10 parts by weight or more and 49 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the polyalkylene glycol diglycidyl ether. 제21항에 있어서, 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계 함유량은 8중량％ 이상인, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to claim 21, wherein the total content of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A-type epoxy compound is 8% by weight or more in 100% by weight of the material for protecting a semiconductor device. 제21항 또는 제22항에 있어서, 경화 촉진제를 더 포함하며,
상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르와 상기 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대하여, 상기 경화 촉진제의 함유량은 8 중량부 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The method of claim 21 or 22, further comprising a curing accelerator,
The material for protecting a semiconductor device, wherein the content of the curing accelerator is 8 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total of the polyalkylene glycol diglycidyl ether and the bisphenol A-type epoxy compound. 제7항에 있어서, 상기 반도체 소자 보호용 재료의 25℃ 및 10rpm에서의 점도는 50Pa·s 이상 140Pa·s 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.The material for protecting a semiconductor device according to claim 7, wherein the semiconductor device protecting material has a viscosity of 50 Pa·s or more and 140 Pa·s or less at 25°C and 10 rpm.
KR1020207009101A 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material KR102224210B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020217006250A KR102294307B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015160674 2015-08-17
JPJP-P-2015-160674 2015-08-17
PCT/JP2016/073934 WO2017030126A1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187014799A Division KR102097004B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217006250A Division KR102294307B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200037437A KR20200037437A (en) 2020-04-08
KR102224210B1 true KR102224210B1 (en) 2021-03-08

Family

ID=58052215

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187014799A KR102097004B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material
KR1020217026566A KR102460328B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material
KR1020177023796A KR101864096B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor devices and materials for protecting semiconductor devices
KR1020217006250A KR102294307B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material
KR1020207009101A KR102224210B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187014799A KR102097004B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material
KR1020217026566A KR102460328B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material
KR1020177023796A KR101864096B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor devices and materials for protecting semiconductor devices
KR1020217006250A KR102294307B1 (en) 2015-08-17 2016-08-16 Semiconductor device, and semiconductor element protection material

Country Status (5)

Country Link
JP (3) JP6275863B2 (en)
KR (5) KR102097004B1 (en)
CN (2) CN111900137A (en)
TW (1) TWI630230B (en)
WO (1) WO2017030126A1 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102455665B1 (en) * 2016-09-29 2022-10-19 다우 도레이 캄파니 리미티드 Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
KR102561855B1 (en) * 2017-03-30 2023-08-02 아지노모토 가부시키가이샤 Paste-like resin composition
US11760870B2 (en) * 2018-01-23 2023-09-19 Nagase Chemtex Corporation Resin composition for encapsulation
JP6981914B2 (en) * 2018-04-09 2021-12-17 信越化学工業株式会社 Thermally conductive silicone composition and its cured product
WO2019216388A1 (en) * 2018-05-10 2019-11-14 積水化学工業株式会社 Curable composition, material for protecting semiconductor element, and semiconductor device
US11718770B2 (en) 2018-11-14 2023-08-08 Nagase Chemtex Corporation Curable resin composition and curable sheet
JP7247003B2 (en) 2019-04-12 2023-03-28 本田技研工業株式会社 Heat-dissipating paint composition and method for producing heat-dissipating coating
CN114641551A (en) * 2019-12-24 2022-06-17 富士胶片株式会社 Adhesive for endoscope, cured product thereof, endoscope, and method for producing endoscope
JP7328184B2 (en) * 2020-08-06 2023-08-16 信越化学工業株式会社 Thermally conductive two-liquid addition-curable silicone composition and its production method
WO2024005037A1 (en) * 2022-07-01 2024-01-04 三井化学株式会社 Display device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210612A (en) 2005-01-27 2006-08-10 Rohm Co Ltd Semiconductor device
JP2013030637A (en) 2011-07-29 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd Liquid resin composition and semiconductor device
JP2015074712A (en) 2013-10-08 2015-04-20 ナミックス株式会社 Resin composition for film, insulating film and semiconductor device

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2817474B2 (en) 1991-09-25 1998-10-30 信越化学工業株式会社 Epoxy resin composition and cured product
JP3821173B2 (en) 1996-12-19 2006-09-13 信越化学工業株式会社 Epoxy resin composition
JP4190080B2 (en) * 1999-03-16 2008-12-03 日東電工株式会社 Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same
JP3847032B2 (en) * 1999-08-26 2006-11-15 住友ベークライト株式会社 Liquid encapsulating resin composition and semiconductor device using the same
JP3921630B2 (en) * 2000-04-05 2007-05-30 株式会社日立製作所 Epoxy resin composite material and apparatus using the same
EP1661174A1 (en) * 2003-08-08 2006-05-31 Dow Corning Corporation Process for fabricating electronic components using liquid injection molding
JP2005200533A (en) 2004-01-15 2005-07-28 Kyocera Chemical Corp Epoxy resin composition for sealing semiconductor and resin-sealed semiconductor device
JP2006232950A (en) * 2005-02-23 2006-09-07 Matsushita Electric Works Ltd Sealing liquid epoxy resin composition, semiconductor device, and method for producing the same
JP2007217469A (en) 2006-02-14 2007-08-30 Kyocera Chemical Corp Sealing epoxy resin composition and semiconductor device sealed therewith
JP4823161B2 (en) * 2007-07-20 2011-11-24 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 Semiconductor device
US20100297453A1 (en) * 2007-09-05 2010-11-25 Hiroshi Maenaka Insulating sheet and multilayer structure
JP2009263601A (en) * 2008-04-30 2009-11-12 Hitachi Chem Co Ltd Epoxy resin molding material for sealing and electronic part device
JP5721416B2 (en) * 2010-12-13 2015-05-20 積水化学工業株式会社 Thermally conductive adhesive
JP6134089B2 (en) * 2011-02-22 2017-05-24 積水化学工業株式会社 Insulating material and laminated structure
JP2012199544A (en) * 2011-03-09 2012-10-18 Sekisui Chem Co Ltd Anisotropic conductive paste, connection structure and manufacturing method of connection structure
JP2013001861A (en) * 2011-06-20 2013-01-07 Kyocera Chemical Corp Resin composition for semiconductor sealing, production method thereof, and semiconductor apparatus
JP2013067673A (en) * 2011-09-20 2013-04-18 Hitachi Chemical Co Ltd Resin paste composition and semiconductor device
JP5913884B2 (en) * 2011-09-27 2016-04-27 積水化学工業株式会社 Insulating material and laminated structure
JP5444315B2 (en) * 2011-12-07 2014-03-19 積水化学工業株式会社 Die bond material for optical semiconductor device and optical semiconductor device using the same
JP2014040538A (en) 2012-08-23 2014-03-06 Hitachi Chemical Co Ltd Epoxy resin composition of double-liquid type
CN104823276A (en) * 2013-11-21 2015-08-05 东部Hitek株式会社 Cof-type semiconductor package and method of manufacturing same
KR101808472B1 (en) * 2014-07-18 2017-12-12 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Material for semiconductor element protection and semiconductor device
JP5766867B1 (en) * 2014-11-25 2015-08-19 積水化学工業株式会社 Semiconductor element protecting material and semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210612A (en) 2005-01-27 2006-08-10 Rohm Co Ltd Semiconductor device
JP2013030637A (en) 2011-07-29 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd Liquid resin composition and semiconductor device
JP2015074712A (en) 2013-10-08 2015-04-20 ナミックス株式会社 Resin composition for film, insulating film and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180061405A (en) 2018-06-07
JP2020170867A (en) 2020-10-15
JPWO2017030126A1 (en) 2017-08-17
JP6905129B2 (en) 2021-07-21
KR101864096B1 (en) 2018-06-01
KR20180013842A (en) 2018-02-07
KR102460328B1 (en) 2022-10-28
JP2018056595A (en) 2018-04-05
WO2017030126A1 (en) 2017-02-23
TW201723071A (en) 2017-07-01
KR102294307B1 (en) 2021-08-26
CN111900137A (en) 2020-11-06
JP6275863B2 (en) 2018-02-07
KR20200037437A (en) 2020-04-08
KR102097004B1 (en) 2020-04-03
KR20210107160A (en) 2021-08-31
CN107735859A (en) 2018-02-23
KR20210027521A (en) 2021-03-10
JP6731906B2 (en) 2020-07-29
TWI630230B (en) 2018-07-21
CN107735859B (en) 2020-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102224210B1 (en) Semiconductor device, and semiconductor element protection material
JP6539150B2 (en) Semiconductor element protecting material and semiconductor device
TWI682958B (en) Curable composition, method for producing curable composition, and semiconductor device
KR102313846B1 (en) Material for semiconductor element protection and semiconductor device
JP2017041633A (en) Semiconductor device and semiconductor element protective material
JP5766867B1 (en) Semiconductor element protecting material and semiconductor device
JP2016023219A (en) Two-liquid mixing type first and second liquids for protecting semiconductor element, and semiconductor device
JP6475593B2 (en) Semiconductor element protecting material and semiconductor device
JP2017039801A (en) Material for protecting semiconductor element and semiconductor device
JP2017039799A (en) Material for protecting semiconductor element and semiconductor device
JP2017039800A (en) Material for protecting semiconductor element and semiconductor device
JP2019123774A (en) Material for protecting semiconductor element, and semiconductor device
JP2017039804A (en) Cured body and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant