KR102218075B1 - 방사성동위원소 발생장치용 키토산 코팅 금속산화물 흡착제, 그 제조방법 및 이를 이용한 방사성동위원소 발생방법 - Google Patents
방사성동위원소 발생장치용 키토산 코팅 금속산화물 흡착제, 그 제조방법 및 이를 이용한 방사성동위원소 발생방법 Download PDFInfo
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Abstract
68Ge을 효과적으로 제거할 수 있는 68Ge/68Ga방사성동위원소 발생장치용 키토산 코팅 금속산화물 흡착제, 그 제조방법 및 이를 이용한 방사성동위원소 발생방법이 개시된다. 68Ge을 효과적으로 제거할 수 있는 68Ge/68Ga방사성동위원소 발생장치용 키토산 코팅 금속산화물 흡착제, 그 제조방법 및 이를 이용한 방사성동위원소 발생방법이 개시된다. 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 키토산 금속산화물 흡착제 제조방법은, 아세트산 용액에 키토산 분말을 투입하여 제1 용액을 제조하는 단계, 제1 용액에 지르코늄포스페이트 분말을 첨가하여 제2 용액을 제조하는 단계, 제 2용액을 암모니아수에 떨어트려 비드를 형성하는 단계, 비드를 세척하는 단계 및 비드를 건조 및 소결하는 단계를 포함한다. 제조된 키토산 금속산화물 흡착제는 효과적인 흡탈착능을 보이고 안정성과 용출능에 대한 문제를 해결함으로써, 68Ge을 효과적으로 제거할 수 있는 68Ge/68Ga 방사성동위원소 발생장치용 흡착제를 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 키토산 코팅 금속산화물 흡착제 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 키토산에 결합시킨 지르코늄 금속산화물을 제조하여 68Ge에 대한 흡착 반응성 및 68Ga 탈착 반응성을 높여, 68Ge/68Ga를 효과적으로 흡탈착 할 수 있는 68Ge/68Ga 방사성동위원소 발생장치용 키토산 코팅 금속산화물 흡착제 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 급격한 서구화에 따라 암 등의 난치성 질병이 급격히 증가하고 있는 추세이며 이러한 질병의 진단에는 핵자기공명영상(Magnetic Resonance Imaging;MRI), 양전자방출단층촬영(Positron Emission Tomography; PET), 컴퓨터단층촬영(Computed Tomography; CT), 초음파(Ultrasound; US) 등과 같은 영상 장비가 활용되고 있다.
특히, 조기진단에 이용되는 의료용 영상기기인 PET는 생체내의 기능이나 대사능을 영상화한다. PET는 생체 내에 양전자를 방출하는 방사성동위원소로 표지된 방사성의약품을 투여한 후, 방사성의약품에서 방출된 양전자가 인체 내에서 주변의 전자와 결합할 때 발생하는 두 개의 511KeV의 소멸방사선을 체외에서 검출하여 영상화하는 방법을 사용한다. 두 개의 소멸 방사선은 운동량 보존의 법칙에 의하여 서로 반대 방향으로 방출되고, 이것을 360 ℃ 방향으로 있는 측정기를 이용하여 방사능의 분포를 재구성해서 인체 내에서 일어나는 생화학적, 생리적인 변화를 정량적으로 평가해낼 수 있다.
PET에서 사용되는 방사성금속동위원소 중 Ga-68과 같은 핵종은 방사성동위원소 발생장치(generator system)을 통해 간단히 생산 할 수 있고, 사이클로트론 같은 거대 장치가 필요하지 않으며, 일정한 시간마다 용출해 사용할 수 있는 장점을 가진다. 또한, 수개월에서 1년이 넘는 기간 동안 용출시켜 사용할 수 있고, 주로 사용되어왔던 F-18 이나 C-11에 비해 상대적으로 쉬운 화학반응을 이용해 다양한 화합물과 결합시킬 수 있는 장점을 가지고 있어 국내에서의 활용도가 증가 추세에 있다.
그러나, 68Ge/68Ga 발생장치에 활용되는 기존의 흡착제는 용리액에 의한 장기간 사용에 따른 안정성이 많이 결여된 상태이며 또한 Kd value (특정 흡착질 농도 또는 흡착제 투여량 조건에서의 실험적인 흡착평형상수) 에 대한 체계적인 연구가 미진한 상태이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 키토산에 결합시킨 지르코늄 금속산화물을 제조하여 68Ge에 대한 흡착 반응성 및 68Ga 탈착 반응성을 높여, 68Ge/68Ga 방사성동위원소 발생장치용 키토산 코팅 금속산화물 흡착제, 제조방법 및 이를 이용한 방사성동위원소 발생장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 키토산 금속산화물 흡착제 제조방법은, 아세트산 용액에 키토산 분말을 투입하여 제1 용액을 제조하는 단계, 상기 제1 용액에 지르코늄 포스페이트 분말을 투입하여 제2 용액을 제조하는 단계, 상기 제 2용액을 암모니아수에 떨어트려 비드를 형성하는 단계, 상기 비드를 세척하는 단계 및 상기 비드를 건조 및 소결하는 단계를 포함한다.
상기 제1 용액을 제조하는 단계는, 4.75wt% 아세트산에 키토산 분말 0.8~1wt%를 투입하여 24시간 교반하는 것일 수 있다.
상기 제2 용액을 제조하는 단계는, 8.38wt% 지르코늄 포스페이트 분말을 제 1 용액에 넣고 2시간 교반하는 단계를 포함할 수 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 키토산 금속산화물 흡착제 지르코늄 금속산화물은, 불활성 지지체인 키토산이 지르코늄 금속산화물을 고정하여 용리액에 대한 안정성을 유지하며 방사성동위원소를 흡착한다.
상기 방사성동위원소는 68Ge/68Ga일 수 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 키토산 금속산화물 흡착제를 이용하여 방사성동위원소를 발생하는 방법은, 방사성동위원소 발생장치의 투입부에 산용액을 투입하는 단계, 상기 산용액이 상기 방사성동위원소 발생장치의 반응부를 통과하며 키토산 금속산화물 흡착제 및 상기 키토산 금속산화물과 흡착된 방사성동위원소와 반응하는 단계 및 상기 반응부를 통과하며 형성된 반응용액이 상기 방사성동위원소 발생장치의 배출구를 통해 배출되는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 Ga-68을 생산하기 위한 68Ge/68Ga 흡착제의 제조방법, 흡착제 및 이를 이용한 방사성동위원소 발생장치에서 흡착제는 효과적인 흡탈착능을 보이는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 합성 기술을 통해서 안정성과 용출능에 대한 문제를 동시에 해결함으로써, 68Ge/68Ga 발생장치용 흡착재료로서 사용할 수 있는 가능성이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 키토산 금속산화물 흡착제의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 68Ge/68Ga방사성동위원소 발생장치의 원리를 도시한 개념도이다.
도 3는 본 키토산 지르코늄 금속산화물의 X선 회절 분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 4은 키토산 지르코늄 금속산화물의 주사전자현미경-원소 지도 이미지 분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 5는 키토산이 코팅되지 않은 지르코늄 인산염의 Kd 값의 그래프이다.
도 6은 키토산이 코팅되지 않은 Al/W/Ti 합금 흡착제의 Kd 값의 그래프이다.
도 7는 키토산이 코팅된 지르코늄 금속 산화물 흡착제의 Kd 값의 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 68Ge/68Ga방사성동위원소 발생장치의 원리를 도시한 개념도이다.
도 3는 본 키토산 지르코늄 금속산화물의 X선 회절 분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 4은 키토산 지르코늄 금속산화물의 주사전자현미경-원소 지도 이미지 분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 5는 키토산이 코팅되지 않은 지르코늄 인산염의 Kd 값의 그래프이다.
도 6은 키토산이 코팅되지 않은 Al/W/Ti 합금 흡착제의 Kd 값의 그래프이다.
도 7는 키토산이 코팅된 지르코늄 금속 산화물 흡착제의 Kd 값의 그래프이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 키토산 금속산화물 흡착제를 이용한 68Ge/68Ga방사성동위원소 발생장치의 원리를 도시한 개념도이다.
도 1에 도시된 바에 따르면, 발생장치(100)는 내부에 본 발명의 일 실시예에 따른 키토산 금속산화물 흡착제 및 68Ge를 포함한다. 상기 키토산 금속산화물 흡착제의 상기 금속산화물은 지르코늄 금속산화물이다. 또한, 상기 68Ge는 상기 키토산 금속산화물 흡착제와 흡착되어 상기 발생장치 내부에 배치된다. 이 때, 68Ge는 상기 발생장치 내부에서 68Ga로 붕괴되어, 68Ge/68Ga상태로 상기 키토산 금속산화물 흡착제와 흡착되어 존재할 수 있다.
상기 방사성동위원소 발생장치(100)는, 산용액이 투입되는 투입부(110), 상기 산용액이 68Ge/68Ga가 흡착된 상기 키토산 금속산화물 흡착제(122)와 반응하는 반응부(120) 및 상기 산용액이 반응하여 형성된 반응용액을 배출하는 배출부(130)를 포함한다. 이때, 배출부에는 상기 반응용액을 거를 수 있는 필터가 더 포함될 수 있다.
상기 68Ga는 산용액과 반응하여 용출이 가능하므로, 상기 방사성동위원소 발생장치의 투입부(110)에 산용액을 투입한다. 상기 투입된 산용액은 HCl 용액일 수 있으며, 상기 산용액이 상기 반응부(120)를 통과하며 상기 68Ge /68Ga가 흡착된 키토산 금속산화물 흡착제(122)와 반응하게 되어, 68GaCl3 용액이 상기 배출부(130)로 배출되어, 68Ga를 높은 순도로 얻을 수 있다. 이때 HCl은 1.5N HCl인 것이 바람직하다.
상기 키토산 금속산화물 흡착제의 제조방법은 하기의 실시예들을 통하여 더욱 자세하게 설명하고, 상기 키토산 금속산화물 흡착제의 성능을 실험예들을 통하여 더욱 자세하게 설명하도록 한다.
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실시예
1> 키토산 지르코늄 금속산화물 흡착제의 제조
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 키토산 금속산화물 흡착제의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 키토산 금속산화물 흡착제는, 지르코늄 금속산화물에 키토산이 코팅되어 방사성동위원소를 흡착하는 흡착제일 수 있다.
먼저 키토산 분말을 용해시키기 위하여 아세트산 용액에 템플릿으로서 키토산 분말을 투입하여 24시간 교반하여 제1 용액을 제조한다(S10). 상기 아세트산 용액은 4.75wt% 아세트산이며, 상기 제1 용액에서 키토산은 0.9~1wt% 정도의 양이 바람직하다. 키토산 분말은 중간점도(cP200~800)를 가지는 분말을 사용할 수 있다.
이어, 제2 용액을 제조한다(S20). 상기 제2 용액은 상기 제1 용액에 지르코늄 포스페이트를 8.38wt%를 2시간 동안 교반하여 준비한다.
그 후, 상기 제2 용액을 28% 암모니아수에 천천히 떨어트려 응고시켜 비드를 형성한다(S30).
이어, 상기 비드를 건조 및 소결하는 단계를 거쳐 키토산 금속산화물 흡착제 분말을 얻어 합성공정을 완료한다. 상기 건조 및 소결하는 단계에서는, 필터와 증류수로 세척과정을 2회 실시한 후 건조오븐에서 80℃로 6시간 건조시킬 수 있으며, 전기로에서 450℃로 3시간 동안 소결을 실시할 수 있다(S40).
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실험예
1> 키토산 금속산화물의 X선 회절분석
도 3은 본 키토산 지르코늄 금속산화물의 X선 회절 분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 3에 따르면, 결과에서 나타나듯이 지르코늄 옥사이드 형태의 XRD 패턴을 확인 하였으며, >99%의 결정화도를 확인하였다. 또한 키토산 지르코늄 금속산화물의 크리스탈 사이즈 543Å로 비교적 작은 형태로 결정들이 존재함을 확인 하였다.
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실험예
2> 키토산 금속산화물 흡착제의 주사전자현미경 및
맵핑
분석
도 4는 키토산 지르코늄 금속산화물 흡착제의 주사전자현미경-원소 지도 이미지 분석 결과도이다.
도 4를 참고하면, 주사전자현미경과 맵핑 분석 결과 키토산 지르코늄 금속산화물 또한 타원형의 형태로 560X450μm로 확인되었으며, 탄소 약 3%, 산소 약 29%, 지르코늄 약 68%의 비율로 구성되어있음을 확인하였다.
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실험예
3>
방사성동위원소
68
Ge
및
68
Ga를
이용한
K
d
값 측정
68Ge/68Ga 흡탈착능은 모핵종인 68Ge을 키토산 금속산화물 흡착제에 충분히 흡착시킨 후에 용리액(염산)을 이용하여 그의 딸핵종인 68Ga을 용출하는 실험을 통해, 다양한 농도의 용리액으로 68Ga을 용출하여 이에 대한 용출능을 평가하고 모핵종인 68Ge의 흡착제에 대한 흡착능을 평가할 수 있다.
Kd 값은 분배 계수로서, 흡착질 농도 또는 흡착제 투여량에 다른 흡착 평형 상수이다. 68Ge 및 68Ga에 대한 Kd 값을 용리액으로 사용되는 염산의 농도에 따라서 실험을 진행한다.
방정식 (1)은 Kd 값을 구하는 식으로, C0는 초기 방사능량, C는 방사평형에서의 방사능량, W는 흡착제의 무게, V는 용액의 총 부피를 나타낸다. 상기 방정식 (1)에서 보이는 바와 같이 분모는 흡착 평형 조건에서 흡착제 단위 질량당 흡착량을 나타내고 분자는 흡착 평형 후 용액 중의 흡착질 평형 농도를 나타낸다. 상기 방정식 (1)을 통하여 Kd 값을 측정함으로써 흡착제에 어떤 용리액의 조건에서 모핵종과 딸핵종의 흡탈착능이 가장 우수한가를 예측할 수 있다.
68Ge 및 68Ga에 대한 Kd 값을 측정하기 위하여, 키토산 금속산화물 흡착제 100mg을 15mL 코니칼 튜브에 넣고 0.01, 0.05, 0.1, 0.5, 1M 염산과 37kBq의 68Ge/68Ga 이퀼리브리엄(equilibrium)용액을 각각의 튜브에 2mL의 총 부피로 맞추어 넣는다. 모핵종(68Ge)과 딸핵종(68Ga)의 충분한 흡착을 위해 1시간 교반 시킨 후 0.22μm PVDF 필터를 이용해 반응액을 분리한다. 분리된 반응액을 감마카운터 장비를 이용하여 68Ga의 방사능량을 측정한 후 68Ge의 측정을 위해 24 시간 후 다시 방사능량을 측정하고, 측정된 방사능량을 이용하여 Kd 값을 산출한다.
도 5는 키토산이 코팅되지 않은 지르코늄 인산염의 Kd 값의 그래프이고,
도 6은 키토산이 코팅되지 않은 Al/W/Ti 합금 흡착제의 Kd 값의 그래프이며,
도 7는 키토산이 코팅된 지르코늄 금속 산화물 흡착제의 Kd 값의 그래프이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 기존 흡착재료인 내산성 지르코늄 인산염은 68Ga에 대한 탈착능이 0.1 N HCl에서 Kd 값 100mL/g으로 확인되었으며, 기존 흡착재료인 다성분계 금속산화물 Al/W/Ti 의 68Ge/68Ga 에 대한 흡탈착능 Kd 값이 각각 250, 150 mL/g으로 흡착재료로서 비교적 낮은 값을 포함하고 있으며, 용리액에 대한 안정성 또한 떨어진다.
반면, 도 7을 참조하면, 도 7에 도시된 바와 같이 키토산 지르코늄 금속산화물의 68Ge/68Ga 에 대한 흡탈착능 Kd 값은 0.1 N HCL에서 각각 290, 60 mL/g의 적합한 흡탈착능을 보이며, 68Ga의 효율적인 용출능을 가지고 있어 흡착제로서 적합한 것으로 보인다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 발생장치 110: 투입부
120: 반응부 130: 배출부
120: 반응부 130: 배출부
Claims (8)
- 하기 단계를 포함하는 키토산 금속산화물 흡착제의 합성 방법으로서,
아세트산 용액에 키토산 분말을 투입하여 제1 용액을 제조하는 단계;
상기 제1 용액 에 지르코늄 포스페이트 분말을 투입하여 제2 용액을 제조하는 단계;
상기 제2 용액을 암모니아수에 떨어뜨려 비드를 형성하는 단계;
상기 비드를 세척하는 단계; 및
상기 비드를 건조 및 소결하는 단계를 포함하고,
상기 키토산 금속산화물 흡착제는 68Ge인 방사성동위원소를 흡착하는 것을 특징으로 하는 키토산 금속산화물 흡착제 합성 방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 제1 용액을 제조하는 단계는,
4.75wt% 아세트산에 키토산 분말 0.8~1 wt%을 투입하여 24시간 교반하고,
상기 제 2 용액을 제조하는 단계는,
상기 제1 용액에 8.38 wt% 지르코늄 포스페이트 분말을 투입하고 2시간 교반하여 준비하는 키토산 금속산화물 흡착제 합성 방법.
- 지르코늄 금속산화물에 불활성 지지체인 키토산이 코팅되어 방사성동위원소를 흡착하는 키토산 금속산화물 흡착제에 있어서,
상기 방사성동위원소는 68Ge인 것을 특징으로 하는 키토산 금속산화물 흡착제.
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