KR102217873B1 - 기체분사시스템 - Google Patents

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KR102217873B1
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Abstract

본 발명의 실시예들은 원료를 기화하는 기화기 및 상기 기화기로부터 유체가 유입되는 유입구, 상방으로 돌출된 제1플레이트, 하방으로 돌출된 제2플레이트, 상기 제1플레이트와 제2플레이트의 하부에 배치되고 제1플레이트와 결합되며 배수구가 형성되는 중간판 및 상기 유체의 기체성분을 배출하는 배기구를 포함하여 구성되는 액체포집장치를 포함하고, 상기 제1플레이트 및 제2플레이트는 상기 유입구와 배기구 사이에 교대로 배치되고 상기 배수구는 상기 제1플레이트 주변 또는 제2플레이트가 향하는 지점의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공한다.
이에, 본 발명의 실시예들은 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있고 파이프 교체 비용을 줄여 유지관리비용을 감소시킬 수 있고 파이프 교체 시 설비가동중지에 따른 손실도 감소시킬 수 있으며 기화 불량, 재액화 등으로 인하여 기판 상에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
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Description

기체분사시스템 {GAS INJECTION SYSTEM}
본 발명은 기체분사시스템에 관한 것이며, 더욱 상세하게는, 액체원료를 기화시켜 기판을 처리하는 기체분사시스템에 관한 것이다.
기판 처리 공정 중에는 액체 원료를 기화시킨 후에 기화된 물질을 기판에 분사하는 공정이 있다. 이러한 공정의 문제점과 관련하여, 일례로 HMDS 분사공정을 살펴본다.
HMDS(hexamethyldisilane) 분사공정은 기판에 감광막을 도포하기 전에 HMDS를 분사하는 공정으로, 기판에 분사된 HMDS(hexamethyldisilane) 분자막은 감광막이 기판에 잘 붙도록 한다.
HMDS 분사공정을 진행하기 위해서는 먼저 액체상태의 HMDS 원료를 기화시켜야 하는데, 기화 불량, 재액화가 발생하여 파이프가 막히거나 기판 상에 파티클이 발생하는 경우가 있다.
특히, 기화된 HMDS가 파이프 내에서 재액화 되면 파이프가 자주 막히게(clogging) 되고 막힌 파이프를 자주 교체해야 하므로 유지관리비용이 증가하고 파이프를 교체하는 동안 설비 가동을 중지해야 하므로 설비가동중지에 따른 손실도 증가하게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위한 종래기술은 다음과 같다.
한국공개특허 제10-2001-0053597호는 적절한 기판 상에 액체 전구체를 기화시키고 박막을 증착하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 고용량 다이나믹 메모리 모듈 내에서 유용한 집적회로를 제조하기 위해 실리콘 웨이퍼 상에 바륨 스트론튬 티타네이트(BST) 박막과 같은 금속산화물 박막을 증착하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 이러한 기화기는 용이하게 조립 및 해체되도록 구성된 열적으로 제어된 구성요소를 포함하고 주 기화부는 순간 기화를 위한 큰 가열 표면을 제공하고 고전도성 브로커가 연장된 기화 표면을 제공하도록 기화기의 하단부에 배치되며 선택적으로, 기화되지 않은 드롭렛을 포획하도록 필터가 적용될 수도 있는 것을 특징으로 한다.
그러나, 종래기술은 기화 불량, 재액화 등으로 인하여 파이프가 막히거나 기판 상에 파티클이 발생하는 문제를 간단하고 효과적으로 해결하는 방법을 제시하지 못한다.
전술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 실시예들은 원료를 기화하는 기화기 및 상기 기화기로부터 유체가 유입되는 유입구, 상방으로 돌출된 제1플레이트, 하방으로 돌출된 제2플레이트, 상기 제1플레이트와 제2플레이트의 하부에 배치되고 제1플레이트와 결합되며 배수구가 형성되는 중간판 및 상기 유체의 기체성분을 배출하는 배기구를 포함하여 구성되는 액체포집장치를 포함하고, 상기 제1플레이트 및 제2플레이트는 상기 유입구와 배기구 사이에 교대로 배치되고 상기 배수구는 상기 제1플레이트 주변 또는 제2플레이트가 향하는 지점의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 제1플레이트 또는 제2플레이트는 돌출방향으로 갈수록 곡률이 감소하는 오목한 곡선 형태로 단면이 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 배수구가 제1플레이트와 중간판이 결합된 지점 또는 제2플레이트가 향하는 중간판의 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 원료를 기화하는 기화기 및 상기 기화기로부터 유체가 유입되는 유입구, 상기 유체에서 액체성분을 포집하는 액체포집필터, 상기 액체포집필터의 하부에 배치되고 액체포집필터와 결합되며 배수구가 형성되는 중간판 및 상기 유체의 기체성분을 배출하는 배기구를 포함하여 구성되는 액체포집장치를 포함하고, 상기 배수구는 상기 액체포집필터의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 배수구는 상기 액체포집필터와 중간판이 결합된 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 중간판이 상기 지점부터 상기 이격되어 형성된 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 중간판이 배수구의 양쪽에서 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 중간판에서 배수구가 형성된 부분이 배수구를 최저지점으로 하여 아래로 휘어진 원호 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는 원료를 기화하는 기화기 및 상기 기화기로부터 유체가 유입되는 유입구, 상방으로 돌출된 제1플레이트, 하방으로 돌출된 제2플레이트, 상기 제1플레이트와 제2플레이트의 하부에 배치되고 제1플레이트와 결합되며 배수구가 형성되는 중간판 및 상기 유체의 기체성분을 배출하는 배기구를 포함하여 구성되는 액체포집장치를 포함하고, 상기 제1플레이트 및 제2플레이트는 상기 유입구와 배기구 사이에 교대로 배치되고 상기 배수구는 상기 제1플레이트 주변 또는 제2플레이트가 향하는 지점의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공한다.
일 실시예에서, 상기 제1플레이트 또는 제2플레이트는 돌출방향으로 갈수록 곡률이 감소하는 오목한 곡선 형태로 단면이 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 배수구는 상기 제1플레이트와 중간판이 결합된 지점 또는 상기 제2플레이트가 향하는 중간판의 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성될 수 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 실시예는 원료를 기화하는 기화기 및 상기 기화기로부터 유체가 유입되는 유입구, 상기 유체에서 액체성분을 포집하는 액체포집필터, 상기 액체포집필터의 하부에 배치되고 액체포집필터와 결합되며 배수구가 형성되는 중간판 및 상기 유체의 기체성분을 배출하는 배기구를 포함하여 구성되는 액체포집장치를 포함하고, 상기 배수구는 상기 액체포집필터의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공한다.
다른 일 실시예에서, 상기 배수구는 상기 액체포집필터와 중간판이 결합된 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 중간판은 상기 지점부터 상기 이격되어 형성된 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 중간판은 상기 배수구의 양쪽에서 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 중간판에서 상기 배수구가 형성된 부분은 배수구를 최저지점으로 하여 아래로 휘어진 원호 형태로 형성될 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예들은 원료를 기화하는 기화기 및 상기 기화기로부터 유체가 유입되는 유입구, 상방으로 돌출된 제1플레이트, 하방으로 돌출된 제2플레이트, 상기 제1플레이트와 제2플레이트의 하부에 배치되고 제1플레이트와 결합되며 배수구가 형성되는 중간판 및 상기 유체의 기체성분을 배출하는 배기구를 포함하여 구성되는 액체포집장치를 포함하고, 상기 제1플레이트 및 제2플레이트는 상기 유입구와 배기구 사이에 교대로 배치되고 상기 배수구는 상기 제1플레이트 주변 또는 제2플레이트가 향하는 지점의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공함으로써, 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있고 파이프 교체 비용을 줄여 유지관리비용을 감소시킬 수 있고 파이프 교체 시 설비가동중지에 따른 손실도 감소시킬 수 있으며 기화 불량, 재액화 등으로 인하여 기판 상에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 제1플레이트 또는 제2플레이트는 돌출방향으로 갈수록 곡률이 감소하는 오목한 곡선 형태로 단면이 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공함으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있고 압력손실을 줄일 수 있으며 챔버에 분사되는 압력을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 배수구가 제1플레이트와 중간판이 결합된 지점 또는 제2플레이트가 향하는 중간판의 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공함으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 원료를 기화하는 기화기 및 상기 기화기로부터 유체가 유입되는 유입구, 상기 유체에서 액체성분을 포집하는 액체포집필터, 상기 액체포집필터의 하부에 배치되고 액체포집필터와 결합되며 배수구가 형성되는 중간판 및 상기 유체의 기체성분을 배출하는 배기구를 포함하여 구성되는 액체포집장치를 포함하고, 상기 배수구는 상기 액체포집필터의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공함으로써, 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있고 파이프 교체 비용을 줄여 유지관리비용을 감소시킬 수 있고 파이프 교체 시 설비가동중지에 따른 손실도 감소시킬 수 있으며 기화 불량, 재액화 등으로 인하여 기판 상에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 배수구는 상기 액체포집필터와 중간판이 결합된 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공함으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 중간판이 상기 지점부터 상기 이격되어 형성된 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공함으로써, 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 중간판이 배수구의 양쪽에서 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공함으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 중간판에서 배수구가 형성된 부분이 배수구를 최저지점으로 하여 아래로 휘어진 원호 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템을 제공함으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
이상의 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기체분사시스템을 나타낸 도면이다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기체분사시스템을 나타낸 도면이다.
본 발명에 관한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시예들에 불과하므로, 본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시예들에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 본 실시예들은 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 본 발명의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 발명에서 제시된 목적 또는 효과는 특정 실시예가 이를 전부 포함하여야 한다거나 그러한 효과만을 포함하여야 한다는 의미는 아니므로, 본 발명의 권리범위는 이에 의하여 제한되는 것으로 이해되어서는 아니 될 것이다.
또한, 이하에 첨부되는 도면들은 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 상세한 설명과 함께 실시예들을 제공한다. 다만, 본 발명의 기술적 특징이 특정 도면에 한정되는 것은 아니며, 각 도면에서 개시하는 특징들은 서로 조합되어 새로운 실시예로 구성될 수 있다.
이하의 실시예들에서 개시되는 기체분사시스템에 대해 각 도면을 참조하여 보다 구체적으로 살펴보기로 한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기체분사시스템을 나타낸 도면이다.
도 1 내지 도 6를 참조하면, 일 실시예에 따른 기체분사시스템(10)은 원료저장탱크(100), 기화기(200), 액체포집장치(300), 기체공급파이프(400) 및 챔버(500)를 포함하여 구성된다.
원료저장탱크(100)는 기화기(200)와 연결될 수 있고 액체 또는 고체 상태의 원료를 저장할 수 있다. 예를 들면, 원료저장탱크(100)는 액체상태의 HMDS(hexamethyldisilane) 원료를 저장할 수 있다.
기화기(200)는 원료저장탱크(100) 및 액체포집장치(300)와 연결될 수 있고 원료저장탱크(100)로부터 원료를 전달받아서 기화시킬 수 있다. 예를 들면, 기화기(200)는 원료저장탱크(100)로부터 액체상태의 HMDS 원료를 전달받고 질소탱크(미도시됨)으로부터 질소 가스를 공급받아서 HMDS 원료를 질소 가스와 반응시켜서 HMDS 원료를 기화시킬 수 있다.
또한, 기화기(200)는 기화된 원료가 포함된 유체를 액체포집장치(300)에 공급할 수 있다. 이 때에, 기화기(200)가 액체포집장치(300)에 공급하는 유체는 기체성분뿐만 아니라 액체성분을 포함할 수 있다. 유체에 포함된 액체성분은 기화기(200)의 기화불량 또는 기화된 원료의 재액화 등에 의해 발생할 수 있다.
액체포집장치(300)는 유입구(310), 제1플레이트(320), 제2플레이트(325), 중간판(340) 및 배기구(350)를 포함하여 구성될 수 있다.
유입구(310)는 기화기(200)와 연결될 수 있고 유입구(310)를 통해 기화기(200)에서 공급된 유체가 액체포집장치(300) 내부로 유입될 수 있다.
제1플레이트(320)는 액체포집장치(300) 내부에 구비되고, 제1플레이트(320)의 하부에 배치된 중간판(330)과 결합될 수 있고 상방으로 돌출된 형상에 해당할 수 있다. 예를 들면, 제1플레이트(320)는 중간판(330) 위에 고정된 직육면체 형상의 플레이트에 해당할 수 있다.
제1플레이트(320)의 양쪽 측면은 액체포집장치(300) 내측의 양쪽 측면과 결합될 수 있고 제1플레이트(320)의 높이는 중간판(340)과 액체포집장치(300) 내측 상면 사이의 높이보다 작도록 형성되어 액체포집장치(300) 내측 상면으로부터 하방으로 이격되어 배치될 수 있다.
제1플레이트(320)의 단면은 도 1 내지 도 5와 같이 직사각형에 해당할 수도 있고 도 6과 같이 상방으로 갈수록 곡률이 감소하는 오목한 곡선 형태에 해당할 수도 있다. 다만, 제1플레이트(320)의 단면은 도 1 내지 도 6의 형태에 한정되는 것은 아니다. 이와 관련하여, 후술한다.
제1플레이트(320)는 유입구(310)에서 유입된 유체가 제1플레이트(320)에 부딪혀서 유체에 포함된 액체성분이 제1플레이트(320)에 달라붙은 후에 응집되어 아래로 흐를 수 있도록 한다.
제2플레이트(325)는 액체포집장치(300) 내부에 구비되고, 하방으로 돌출된 형상에 해당할 수 있다. 예를 들면, 제2플레이트(325)는 액체포집장치(300) 내측 상면에 고정된 직육면체 형상의 플레이트에 해당할 수 있다.
제2플레이트(325)의 상면은 액체포집장치(300) 내측의 상면과 결합될 수 있고 양쪽 측면은 액체포집장치(300) 내측의 양쪽 측면과 결합될 수 있으며 제2플레이트(325)의 높이는 중간판(340)과 액체포집장치(300) 내측 상면 사이의 높이보다 작도록 형성되어 중간판(340)으로부터 상방으로 이격되어 배치될 수 있다.
제2플레이트(325)의 단면은 도 1 내지 도 5와 같이 직사각형에 해당할 수도 있고 도 6과 같이 하방으로 갈수록 곡률이 감소하는 오목한 곡선 형태에 해당할 수도 있다. 다만, 제2플레이트(325)의 단면은 도 1 내지 도 6의 형태에 한정되는 것은 아니다. 이와 관련하여, 후술한다.
제2플레이트(325)는 유입구(310)에서 유입된 유체가 제2플레이트(325)에 부딪혀서 유체에 포함된 액체성분이 제2플레이트(325)에 달라붙은 후에 응집되어 아래로 흐를 수 있도록 한다.
한편, 제1플레이트(320) 및 제2플레이트(325)는 유입구(310)와 배기구(350) 사이에 교대로 배치될 수 있다.
이와 같이, 제1플레이트(320) 및 제2플레이트(325)가 유입구(310)와 배기구(350) 사이에 교대로 배치됨으로써, 유체의 이동 경로가 복잡해져서 유체에 포함된 액체성분이 제1플레이트(320) 또는 제2플레이트(325)에 달라붙고 응집될 확률을 높일 수 있다.
중간판(340)은 액체포집장치(300) 내부에 구비되고, 제1플레이트(320)와 제2플레이트(325)의 하부에 배치되고 제1플레이트(320)와 결합되며 중간판(340)에는 하나 이상의 배수구(342)가 형성될 수 있다. 또한, 중간판(340)의 측면은 액체포집장치(300) 내측의 측면과 결합될 수 있다.
중간판(340)은 제1플레이트(320)를 지지할 수 있고 유체가 이동하는 영역(액체포집장치의 상부)과 유체에 포함된 액체성분이 최종적으로 모이는(포집되는) 영역(액체포집장치의 하부)을 구획할 수 있다.
이와 같이, 중간판(340)은 유체가 이동하는 영역과 유체에 포함된 액체성분이 최종적으로 모이는(포집되는) 영역을 구획함으로써, 유체에 포함된 액체성분이 유체에서 분리되어 포집된 후에 다시 유체에 포함되는 것을 방지하여 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
또한, 중간판(340)은 경사지도록 형성될 수 있는데 이와 관련된 사항은 후술한다.
배수구(342)는 중간판(340)에 하나 이상 형성될 수 있고 제1플레이트(320) 주변 또는 제2플레이트(325)가 향하는 지점의 주변에 형성될 수 있다.
여기에서, 제1플레이트(320) 주변이란 제1플레이트(320)와 중간판(340)이 결합되는 지점의 주변을 의미할 수 있고, 제2플레이트(325)가 향하는 지점이란 예를 들면, 도 1 내지 도 6과 같이 제2플레이트(325)가 연직하방으로 돌출 또는 배치된 경우에 제2플레이트(325)로부터 연직 하방으로 그은 직선과 중간판(340)이 만나는 지점을 의미할 수 있다.
배수구(342)는, 제1플레이트(320) 또는 제2플레이트(325)에 달라붙어 응집된 후에, 제1플레이트(320)를 따라 아래로 흘러서 중간판(340)에 도달하거나 제2플레이트(325)를 따라 흐르다가 아래로 떨어져서 중간판(340)에 도달한 액체성분이 중간판(340) 아래로 흘러 내려갈 수 있도록 한다.
이 때에, 배수구(342)의 위치가 문제되는데 이와 관련하여 도 1 및 도 2를 살펴본다.
배수구(342)가 도 1과 같이, 제1플레이트(320)와 중간판(340)이 결합되는 지점 또는 제2플레이트(325)가 향하는 지점에 인접하게 형성되면, 제1플레이트(320)를 따라 아래로 흘러서 중간판(340)에 도달하거나 제2플레이트(325)를 따라 흐르다가 아래로 떨어져서 중간판(340)에 도달한 액체성분이 그대로 중간판(340)을 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 포집될 수 있다.
그런데, 도 1에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 제1플레이트(320) 또는 제2플레이트(325)에 부딪힌 유체 중에서 상당량이 배수구(342)를 통해 중간판(340)을 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 있다. 즉, 액체성분뿐만 아니라 유체에 포함된 기체성분의 상당량이 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 있다.
이 때에, 만약, 액체포집장치(300)의 하부에 액체배출튜브(미도시됨)가 연결된 경우에는 액체배출튜브(미도시됨)를 통해 유체에 포함된 기체성분도 상당량이 배출되어 손실될 수 있다.
또한, 액체포집장치(300)의 하부에 유입된 유체가 액체포집장치(300)의 하부에 포집된 액체성분을 다시 포함하여 배수구(320)를 통해 액체포집장치(300)의 상부로 빠져나오게 되어 액체포집장치(300)의 액체포집 효율을 저감시킬 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 배수구(342)는 도 2와 같이, 제1플레이트(320)와 중간판(340)이 결합된 지점 또는 제2플레이트(325)가 향하는 중간판(340)의 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성될 수 있다.
도 2에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 제1플레이트(320) 또는 제2플레이트(325)에 부딪힌 유체는 도 1과 달리, 곧바로 중간판(340)을 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 없다.
이와 같이, 배수구(342)가 제1플레이트(320)와 중간판(340)이 결합된 지점 또는 제2플레이트(325)가 향하는 중간판(340)의 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성되도록 함으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
그런데, 도 2의 경우에는 제1플레이트(320)를 따라 아래로 흘러서 중간판(340)에 도달하거나 제2플레이트(325)를 따라 흐르다가 아래로 떨어져서 중간판(340)에 도달한 액체성분이 도 1과 달리, 중간판(340)을 그대로 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 포집될 수 없기 때문에, 액체성분이 액체포집장치(300)의 상부에 머무르게 되어 유체에 다시 포함될 수 있으므로 액체포집장치(300)의 액체포집 효율을 저감시킬 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 중간판(340)은 도 3과 같이, 제1플레이트(320)와 중간판(340)이 결합된 지점 또는 제2플레이트(325)가 향하는 중간판(340)의 지점부터 이격되어 형성된 배수구(342)를 향해 아래로 경사지도록 형성될 수 있다.
도 3에서, 제1플레이트(320)를 따라 아래로 흘러서 중간판(340)에 도달하거나 제2플레이트(325)를 따라 흐르다가 아래로 떨어져서 중간판(340)에 도달한 액체성분은 도 2와 달리, 중간판(340)에 형성된 경사를 따라 용이하게 배수구(342)를 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 포집될 수 있다.
이와 같이, 중간판(340)이 제1플레이트(320)와 중간판(340)이 결합된 지점 또는 제2플레이트(325)가 향하는 중간판(340)의 지점부터 이격되어 형성된 배수구(342)를 향해 아래로 경사지도록 형성됨으로써, 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
그런데, 도 3에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 중간판(340)의 경사를 따라 아래로 비스듬히 이동하는 유체 중에서 상당량이 배수구(342)를 통해 중간판(340)을 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 있다. 즉, 액체성분뿐만 아니라 유체에 포함된 기체성분의 상당량이 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 있다.
따라서, 도 3의 경우에는 도 1과 같이, 기체성분이 상당량 손실될 수 있고 액체포집 효율이 저감될 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 중간판(340)은 도 4와 같이, 배수구(342)의 양쪽에서 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성될 수 있다.
도 4에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 중간판(340)의 경사를 따라 아래로 비스듬히 이동한 유체는 배수구(342) 건너편에 형성된 경사를 따라 위로 비스듬히 이동하게 되므로, 도 3과 달리, 유체에 포함된 기체성분의 상당량이 액체포집장치(300)의 하부에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 중간판(340)이 배수구(342)의 양쪽에서 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성됨으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
그런데, 이 때에도 중간판(340)의 경사를 따라 아래로 비스듬히 이동한 유체의 일부는 여전히 배수구(342)를 통해 중간판(340)을 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 있다.
따라서, 도 4의 경우에는 도 3과 같이, 기체성분이 손실될 수 있고 액체포집 효율이 저감될 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 도 5와 같이, 중간판(340)에서 배수구(342)가 형성된 부분은 배수구(342)를 최저지점으로 하여 아래로 휘어진 원호 형태로 형성될 수 있다.
도 5에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 원호 형태의 경사를 따라 아래로 비스듬히 이동한 유체는 최저점인 배수구(342)의 상부에서는 수평방향으로 이동하고 배수구(342)의 상부를 지나면 배수구(342)의 건너편에 형성된 경사를 따라 위로 비스듬히 이동하게 되므로, 도 4와 달리, 유체에 포함된 기체성분의 소량이 액체포집장치(300)의 하부에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 중간판(340)에서 배수구(342)가 형성된 부분이 배수구(342)를 최저지점으로 하여 아래로 휘어진 원호 형태로 형성되도록 형성됨으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
한편, 도 1 내지 도 5와 같이, 제1플레이트(320) 또는 제2플레이트(325)의 단면이 유체의 유입 방향과 수직으로 형성된 경우에는 유체가 제1플레이트(320) 또는 제2플레이트(325)에 부딪힌 경우에 난류(난기류) 또는 와류가 발생하므로, 배수구(342)를 통해 액체포집장치(300)의 하부에 기체성분이 유입되어 기체성분을 손실하며 액체포집 효과가 저감될 수 있고 압력손실이 커질 수 있으며 챔버(500)에 분사되는 압력이 낮아질 수 있다.
여기에서, 압력손실이란 유체가 원활하게 배출되지 못하여 발생하는 압력에 의해 기화기(200) 등의 운전동력 부하가 크게 증가하고 각종 설비의 압력부하가 크게 증가하는 손실을 의미한다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 도 6과 같이, 제1플레이트(320) 또는 제2플레이트(325)는 돌출방향으로 갈수록 곡률이 감소하는 오목한 곡선 형태로 단면이 형성될 수 있다.
여기에서, 돌출방향이란 제1플레이트(320)의 경우에는 상방을 의미하고 제2플레이트(325)의 경우에는 하방을 의미한다.
도 6에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 곡선 형태로 단면이 형성이 형성된 제1플레이트(320) 또는 제2플레이트(325)를 따라 유체가 이동하므로 도 1 내지 도 5와 달리 유체의 이동이 원활해질 수 있다. 따라서, 유체가 제1플레이트(320) 또는 제2플레이트(325)에 부딪힌 경우에 난류(난기류), 와류 발생이 줄어들 수 있다.
이와 같이, 제1플레이트(320) 또는 제2플레이트(325)는 돌출방향으로 갈수록 곡률이 감소하는 오목한 곡선 형태로 단면이 형성됨으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있고 압력손실을 줄일 수 있으며 챔버(500)에 분사되는 압력을 높일 수 있다.
배기구(350)는 기체공급파이프(400)와 연결될 수 있고 유체의 기체성분을 배출할 수 있다.
기체공급파이프(400)는 액체포집장치(300) 및 챔버(500)와 연결될 수 있고 액체포집장치(300)로부터 공급된 기체성분을 챔버(500)에 공급할 수 있다.
이와 같이, 기체공급파이프(400)가 액체포집장치(300)에서 기화불량 또는 재액화에 의해 발생한 액체성분을 제거한 기체성분을 공급받음으로써, 기화된 원료가 기체공급파이프(400) 내에서 재액화되는 것을 해소할 수 있으므로 파이프 교체 비용을 줄여 유지관리비용이 감소하고 파이프 교체 시 설비가동중지에 따른 손실도 감소하게 된다.
챔버(500)는 기체공급파이프(400)와 연결되어 기체공급파이프(400)로부터 액체포집장치(300)를 통과한 기체를 공급받아 기판(미도시됨)에 분사할 수 있다.
이와 같이, 챔버(500)가 액체포집장치(300)를 통과한 기체를 공급받음으로써, 기화 불량, 재액화 등으로 인하여 기판 상에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기체분사시스템을 나타낸 도면이다.
도 7 내지 도 11을 참조하면, 일 실시예에 따른 기체분사시스템(10)은 원료저장탱크(100), 기화기(200), 액체포집장치(300), 기체공급파이프(400) 및 챔버(500)를 포함하여 구성된다.
도 7 내지 도 11은 전술한 도 1 내지 도 5와 대응되므로, 차이점만 살펴본다.
도 7 내지 도 11에서, 액체포집장치(300)는 제1플레이트(320) 및 제2플레이트(325) 대신에 액체포집필터(330)을 포함하여 구성될 수 있다.
액체포집필터(330)는 액체포집장치(300) 내부에 구비되고, 액체포집필터(330)의 하부에 배치된 중간판(330)과 결합될 수 있고 상면은 액체포집장치(300) 내측의 상면과 결합될 수 있으며 양쪽 측면은 액체포집장치(300) 내측의 양쪽 측면과 결합될 수 있다.
또한, 액체포집필터(330)는 스폰지 등과 같이 다수의 공극을 포함하여 액체를 흡수할 수 있는 재료로 형성될 수 있다.
액체포집필터(330)는 유입구(310)에서 유입된 유체에서 액체성분을 포집할 수 있다. 구체적으로, 액체포집필터(330)는 다수의 공극이 서로 연통되어 망 형태를 가지며 액체성분이 이들 공극 사이로 스며들어 액체성분을 포집할 수 있고 액체성분을 응집시킬 수 있다. 응집된 액체성분은 액체포집필터(330)를 따라 아래로 흐를 수 있다.
중간판(340)은 액체포집필터(330)의 하부에 배치되고 액체포집필터(330)와 결합될 수 있다.
배수구(342)는 중간판(340)에 하나 이상 형성될 수 있고 액체포집필터(330)의 주변에 형성될 수 있다. 여기에서, 액체포집필터(330)의 주변이란 액체포집필터(330)와 중간판(340)이 결합되는 지점의 주변을 의미할 수 있다.
배수구(342)는, 액체포집필터(330)에 포집되어 응집된 후에, 액체포집필터(330)를 따라 아래로 흘러서 중간판(340)에 도달한 액체성분이 중간판(340) 아래로 흘러 내려갈 수 있도록 한다.
이 때에, 배수구(342)의 위치가 문제되는데 이와 관련하여 도 7 및 도 8을 살펴본다.
배수구(342)가 도 7과 같이, 액체포집필터(330)와 중간판(340)이 결합되는 지점에 인접하게 형성되면, 액체포집필터(330)를 따라 아래로 흘러서 중간판(340)에 도달한 액체성분이 그대로 중간판(340)을 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 포집될 수 있다.
그런데, 도 7에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 액체포집필터(330)에 부딪힌 유체 중에서 상당량이 배수구(342)를 통해 중간판(340)을 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 있다. 즉, 액체성분뿐만 아니라 유체에 포함된 기체성분의 상당량이 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 있다.
이 때에, 만약, 액체포집장치(300)의 하부에 액체배출튜브(미도시됨)가 연결된 경우에는 액체배출튜브(미도시됨)를 통해 유체에 포함된 기체성분도 상당량이 배출되어 손실될 수 있다.
또한, 액체포집장치(300)의 하부에 유입된 유체가 액체포집장치(300)의 하부에 포집된 액체성분을 다시 포함하여 배수구(320)를 통해 액체포집장치(300)의 상부로 빠져나오게 되어 액체포집장치(300)의 액체포집 효율을 저감시킬 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 배수구(342)는 도 8과 같이, 액체포집필터(330)와 중간판(340)이 결합된 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성될 수 있다.
도 8에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 액체포집필터(330)에 부딪힌 유체는 도 7과 달리, 곧바로 중간판(340)을 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 없다.
이와 같이, 배수구(342)가 액체포집필터(330)와 중간판(340)이 결합된 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성되도록 함으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
그런데, 도 8의 경우에는 액체포집필터(330)를 따라 아래로 흘러서 중간판(340)에 도달한 액체성분이 도 7과 달리, 중간판(340)을 그대로 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 포집될 수 없기 때문에, 액체성분이 액체포집장치(300)의 상부에 머무르게 되어 유체에 다시 포함될 수 있으므로 액체포집장치(300)의 액체포집 효율을 저감시킬 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 중간판(340)은 도 9와 같이, 액체포집필터(330)와 중간판(340)이 결합된 지점부터 이격되어 형성된 배수구(342)를 향해 아래로 경사지도록 형성될 수 있다.
도 9에서, 액체포집필터(330)를 따라 아래로 흘러서 중간판(340)에 도달한 액체성분은 도 8과 달리, 중간판(340)에 형성된 경사를 따라 용이하게 배수구(342)를 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 포집될 수 있다.
이와 같이, 중간판(340)이 액체포집필터(330)와 중간판(340)이 결합된 지점부터 이격되어 형성된 배수구(342)를 향해 아래로 경사지도록 형성됨으로써, 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
그런데, 도 9에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 중간판(340)의 경사를 따라 아래로 비스듬히 이동하는 유체 중에서 상당량이 배수구(342)를 통해 중간판(340)을 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 있다. 즉, 액체성분뿐만 아니라 유체에 포함된 기체성분의 상당량이 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 있다.
따라서, 도 9의 경우에는 도 7과 같이, 기체성분이 상당량 손실될 수 있고 액체포집 효율이 저감될 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 중간판(340)은 도 10과 같이, 배수구(342)의 양쪽에서 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성될 수 있다.
도 10에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 중간판(340)의 경사를 따라 아래로 비스듬히 이동한 유체는 배수구(342) 건너편에 형성된 경사를 따라 위로 비스듬히 이동하게 되므로, 도 9와 달리, 유체에 포함된 기체성분의 상당량이 액체포집장치(300)의 하부에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 중간판(340)이 배수구(342)의 양쪽에서 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성됨으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
그런데, 이 때에도 중간판(340)의 경사를 따라 아래로 비스듬히 이동한 유체의 일부는 여전히 배수구(342)를 통해 중간판(340)을 통과하여 액체포집장치(300)의 하부에 유입될 수 있다.
따라서, 도 10의 경우에는 도 9와 같이, 기체성분이 손실될 수 있고 액체포집 효율이 저감될 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 도 11과 같이, 중간판(340)에서 배수구(342)가 형성된 부분은 배수구(342)를 최저지점으로 하여 아래로 휘어진 원호 형태로 형성될 수 있다.
도 11에서 유체의 흐름을 나타낸 화살표를 통해 알 수 있듯이, 원호 형태의 경사를 따라 아래로 비스듬히 이동한 유체는 최저점인 배수구(342)의 상부에서는 수평방향으로 이동하고 배수구(342)의 상부를 지나면 배수구(342)의 건너편에 형성된 경사를 따라 위로 비스듬히 이동하게 되므로, 도 10과 달리, 유체에 포함된 기체성분의 소량이 액체포집장치(300)의 하부에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 중간판(340)에서 배수구(342)가 형성된 부분이 배수구(342)를 최저지점으로 하여 아래로 휘어진 원호 형태로 형성되도록 형성됨으로써, 기체성분이 손실되는 것을 방지하고 액체성분을 간단하고 효과적으로 포집할 수 있다.
이상에서와 같이, 본 출원의 바람직한 실시예 들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 기체분사시스템
100 : 원료저장탱크 200 : 기화기
300 : 액체포집장치 310 : 유입구
320 : 제1플레이트 325 : 제2플레이트
330 : 액체포집필터 340 : 중간판
342 : 배수구 350 : 배기구
400 : 기체공급파이프 500 : 챔버

Claims (8)

  1. 원료를 기화하는 기화기; 및
    상기 기화기로부터 유체가 유입되는 유입구, 상방으로 돌출된 제1플레이트, 하방으로 돌출된 제2플레이트, 상기 제1플레이트와 제2플레이트의 하부에 배치되고 제1플레이트와 결합되며 배수구가 형성되는 중간판 및 상기 유체의 기체성분을 배출하는 배기구를 포함하여 구성되는 액체포집장치를 포함하고,
    상기 제1플레이트 및 제2플레이트는 상기 유입구와 배기구 사이에 교대로 배치되고 상기 배수구는 상기 제1플레이트 주변 또는 제2플레이트가 향하는 지점의 주변에 형성되고,
    상기 제1플레이트 또는 제2플레이트는 돌출방향으로 갈수록 곡률이 감소하는 오목한 곡선 형태로 단면이 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템.
  2. 삭제
  3. 원료를 기화하는 기화기; 및
    상기 기화기로부터 유체가 유입되는 유입구, 상방으로 돌출된 제1플레이트, 하방으로 돌출된 제2플레이트, 상기 제1플레이트와 제2플레이트의 하부에 배치되고 제1플레이트와 결합되며 배수구가 형성되는 중간판 및 상기 유체의 기체성분을 배출하는 배기구를 포함하여 구성되는 액체포집장치를 포함하고,
    상기 제1플레이트 및 제2플레이트는 상기 유입구와 배기구 사이에 교대로 배치되고 상기 배수구는 상기 제1플레이트 주변 또는 제2플레이트가 향하는 지점의 주변에 형성되고,
    상기 배수구는 상기 제1플레이트와 중간판이 결합된 지점 또는 상기 제2플레이트가 향하는 중간판의 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성되고,
    상기 중간판은,
    상기 지점부터 상기 이격되어 형성된 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성되는 구조, 상기 배수구의 양쪽에서 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성되는 구조 및 상기 상기 배수구가 형성된 부분이 배수구를 최저지점으로 하여 아래로 휘어진 원호 형태로 형성되는 구조 중 어느 하나의 구조로 구비되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템.
  4. 원료를 기화하는 기화기; 및
    상기 기화기로부터 유체가 유입되는 유입구, 상기 유체에서 액체성분을 포집하는 액체포집필터, 상기 액체포집필터의 하부에 배치되고 액체포집필터와 결합되며 배수구가 형성되는 중간판 및 상기 유체의 기체성분을 배출하는 배기구를 포함하여 구성되는 액체포집장치를 포함하고,
    상기 배수구는 상기 액체포집필터의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 배수구는 상기 액체포집필터와 중간판이 결합된 지점으로부터 특정한 거리만큼 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 중간판은 상기 지점부터 상기 이격되어 형성된 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 중간판은 상기 배수구의 양쪽에서 배수구를 향해 아래로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 중간판에서 상기 배수구가 형성된 부분은 배수구를 최저지점으로 하여 아래로 휘어진 원호 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 기체분사시스템.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013233508A (ja) 2012-05-09 2013-11-21 Nippon Soken Inc 気液分離装置
JP2015202486A (ja) 2014-04-16 2015-11-16 新日鉄住金エンジニアリング株式会社 分離装置、分離方法および分離回収ガス

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07110324B2 (ja) * 1992-01-28 1995-11-29 株式会社タナカ 連続固液分離装置およびその方法
KR100590653B1 (ko) * 2004-06-17 2006-06-19 모딘코리아 유한회사 에어컨의 압축기 오일 분리장치
KR20080020289A (ko) * 2006-08-31 2008-03-05 주성엔지니어링(주) 기화된 원료물질을 챔버로 안정적으로 공급하는 버블러
KR102025152B1 (ko) * 2017-03-31 2019-11-04 (주)씨앤지테크 와류형 세정집진장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013233508A (ja) 2012-05-09 2013-11-21 Nippon Soken Inc 気液分離装置
JP2015202486A (ja) 2014-04-16 2015-11-16 新日鉄住金エンジニアリング株式会社 分離装置、分離方法および分離回収ガス

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