KR102209032B1 - Wafer carrier - Google Patents

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Abstract

실시예의 웨이퍼 캐리어는 몸체의 상부면이 함몰되어 복수의 포켓이 형성되고, 각각의 포켓은 피가공물이 배치되는 제1 포켓부와 제1 포켓부 상의 제2 포켓부를 포함하고, 제1 포켓부는 제1 바닥면과 제1 측면을 포함하며, 제2 포켓부의 상부의 지름은 제1 포켓부의 상부의 지름보다 큰 것으로서, 웨이퍼 엣지(Edge) 부분에서의 기체 소스의 플로우를 원활히 하여 웨이퍼 상에 반도체층을 균일하게 형성할 수 있다.In the wafer carrier of the embodiment, the upper surface of the body is recessed to form a plurality of pockets, each pocket includes a first pocket portion on which a workpiece is disposed and a second pocket portion on the first pocket portion, and the first pocket portion is 1 Includes a bottom surface and a first side surface, and the diameter of the upper portion of the second pocket portion is larger than the diameter of the upper portion of the first pocket portion, and the semiconductor layer on the wafer facilitates the flow of the gas source at the wafer edge portion. Can be formed uniformly.

Description

웨이퍼 캐리어{WAFER CARRIER}Wafer carrier {WAFER CARRIER}

실시예는 포켓에 특징을 가지는 웨이퍼 캐리어에 관한 것이다.An embodiment relates to a wafer carrier with pocket features.

발광다이오드(Light Emitting Diode)와 같은 반도체 발광소자를 제작하기 위해서는 사파이어 기판 또는 실리콘 기판과 같은 웨이퍼 상에 반도체층들을 형성하는 에피텍셜 성장(epitaxial growth) 공정을 필요로 한다.In order to manufacture a semiconductor light emitting device such as a light emitting diode, an epitaxial growth process of forming semiconductor layers on a wafer such as a sapphire substrate or a silicon substrate is required.

이러한 에피텍셜 성장 공정에는 가스 상태인 다수의 반도체층 형성 물질을 기판 상에 증착시키는 기상 증착 공정이 이용되며, 특히 질화물 반도체층의 증착은 유기 금속 화학 기상 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 방법이 주로 이용되고 있다.In this epitaxial growth process, a vapor deposition process in which a plurality of gaseous semiconductor layer-forming materials are deposited on a substrate is used, and in particular, the deposition of a nitride semiconductor layer is a Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method. This is mainly used.

한편, 제작된 반도체 발광 소자의 발광 성능이나 신뢰성은 이를 구성하는 반도체층의 품질에 의하여 크게 영향을 받으며, 이러한 반도체층의 품질은 기상 증착 공정의 조건 및 증착 장치의 구조에 의하여 영향을 받을 수 있다.Meanwhile, the light emitting performance or reliability of the manufactured semiconductor light emitting device is greatly affected by the quality of the semiconductor layer constituting it, and the quality of such a semiconductor layer may be affected by the conditions of the vapor deposition process and the structure of the deposition apparatus. .

반도체층 형성을 위한 에피텍셜 성장 공정에서 장비 내로 유입되는 기체 소스는 웨이퍼 표면으로 공급되게 되며, 이때 웨이퍼의 표면 전체에 균일하게 기체 소스가 공급되지 않는 경우 에피층의 성장이 웨이퍼 전체에서 균일하게 일어나지 않아 반도체층의 결함이 발생할 수 있다.In the epitaxial growth process for semiconductor layer formation, the gas source flowing into the equipment is supplied to the wafer surface. In this case, if the gas source is not uniformly supplied to the entire surface of the wafer, epitaxial growth does not occur uniformly across the wafer. As a result, defects in the semiconductor layer may occur.

또한, 반도체층 형성 공정 중 온도가 상승됨에 따라 웨이퍼와 이를 배치하는 포켓(Pocket) 사이의 열팽창 계수의 차이로 인하여 웨이퍼와 성장된 에피층 전체에서 온도 불균일이 발생할 수 있으며, 이러한 온도 불균일의 문제는 반도체 소자의 특성에도 영향을 미칠 수 있다.In addition, as the temperature increases during the semiconductor layer formation process, temperature non-uniformity may occur in the entire wafer and the grown epi layer due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the wafer and the pocket in which it is placed. It can also affect the characteristics of the semiconductor device.

특히, 포켓에 인접하는 웨이퍼의 엣지(Edge) 부분에서는 기체 소스 플로우의 불균일이나 응력 집중이 발생할 수 있으며, 이로 인하여 반도체 박막층에 결함이 형성되거나 웨이퍼 상에 크랙(Crack)이 생기는 문제가 있다.In particular, in the edge portion of the wafer adjacent to the pocket, uneven gas source flow or stress concentration may occur, and thus, there is a problem that defects are formed in the semiconductor thin film layer or cracks are generated on the wafer.

실시예는 웨이퍼 캐리어에 배치되는 피가공물의 표면에 균일하게 소스 가스가 공급되도록 하는 웨이퍼 캐리어를 제공한다.The embodiment provides a wafer carrier that uniformly supplies a source gas to a surface of a workpiece disposed on the wafer carrier.

실시예는 몸체의 상부면이 함몰되어 복수의 포켓이 형성되고, 각각의 상기 포켓은 피가공물이 배치되는 제1 포켓부와 상기 제1 포켓부 상의 제2 포켓부를 포함하고, 상기 제1 포켓부는 제1 바닥면과 제1 측면을 포함하며, 상기 제2 포켓부의 상부의 지름은 상기 제1 포켓부의 상부의 지름보다 큰 웨이퍼 캐리어를 제공한다.In the embodiment, the upper surface of the body is recessed to form a plurality of pockets, each of the pockets comprising a first pocket portion in which a workpiece is disposed and a second pocket portion on the first pocket portion, and the first pocket portion The wafer carrier includes a first bottom surface and a first side surface, and a diameter of an upper portion of the second pocket portion is greater than a diameter of an upper portion of the first pocket portion.

상기 제1 측면은 상기 제1 바닥면에 수직일 수 있다.The first side surface may be perpendicular to the first bottom surface.

상기 제2 포켓부는 상기 제1 측면의 상부로부터 상기 제1 바닥면과 평행한 상기 몸체의 상부면으로 연장되는 제2 측면을 포함할 수 있다.The second pocket portion may include a second side surface extending from an upper portion of the first side surface to an upper surface of the body parallel to the first bottom surface.

상기 제1 바닥면의 일부 영역에 배치되고 상기 피가공물을 지지하는 지지부를 더 포함할 수 있다.It may further include a support portion disposed in a partial region of the first bottom surface to support the workpiece.

상기 제2 측면은 경사면일 수 있다.The second side surface may be an inclined surface.

상기 경사면은 중심축에 가까울수록 상기 제1 바닥면에 대한 경사각이 더 큰 것일 수 있으며, 여기서, 상기 중심축은 상기 몸체의 중앙에서 상기 제1 바닥면과 수직한 방향의 가상의 선일 수 있다.The closer the inclined surface is to the central axis, the greater the inclination angle to the first floor surface may be. Here, the central axis may be a virtual line in a direction perpendicular to the first floor surface at the center of the body.

상기 경사면은 상기 제1 바닥면과 10도 내지 60도의 경사를 가질 수 있다.The inclined surface may have a slope of 10 degrees to 60 degrees with the first floor surface.

상기 경사면의 상기 중심축 방향으로의 높이는 상기 피가공물의 두께의 1/30 내지 1/3 배일 수 있다.The height of the inclined surface in the direction of the central axis may be 1/30 to 1/3 times the thickness of the workpiece.

상기 경사면은 상기 복수의 포켓에서 서로 다른 경사 각도를 가질 수 있다.The inclined surface may have different inclination angles in the plurality of pockets.

상기 경사각은 상기 복수의 포켓 중 상기 중심축을 기준으로 외측에 배치된 포켓에서 더 작은 값을 가질 수 있다.The inclination angle may have a smaller value in a pocket disposed outside of the plurality of pockets with respect to the central axis.

상기 제2 측면은 곡면이거나 계단 형상일 수 있다.The second side surface may have a curved surface or a step shape.

실시예에 따른 웨이퍼 캐리어는 포켓에 배치되는 피가공물의 엣지(edge) 부분에도 균일하게 소스 가스가 공급되도록 하여 피가공물 상에 성장되는 에피층의 균일도를 향상시킬 수 있다.The wafer carrier according to the embodiment may improve the uniformity of the epitaxial layer grown on the workpiece by uniformly supplying the source gas to the edge of the workpiece disposed in the pocket.

도 1은 일 실시예의 웨이퍼 캐리어를 포함하는 반도체 제조 장치를 나타낸 도면이고,
도 2는 일 실시예의 웨이퍼 캐리어의 일부 영역의 단면을 나타낸 도면이고,
도 3a 내지 도 3b는 종래와 실시예의 웨이퍼 캐리어에서의 가스 플로우를 간략히 나타낸 도면이고,
도 4는 다른 실시예의 웨이퍼 캐리어의 일부 영역의 단면을 나타낸 도면이고,
도 5는 다른 실시예의 웨이퍼 캐리어의 일부 영역의 단면을 나타낸 도면이고,
도 6은 일 실시예의 웨이퍼 캐리어의 평면 및 포켓의 단면을 나타낸 도면이고,
도 7은 다른 실시예의 웨이퍼 캐리어의 평면을 나타낸 도면이고,
도 8a 내지 도 8c는 다양한 포켓 형상을 가지는 웨이퍼 캐리어의 다른 실시예들을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a semiconductor manufacturing apparatus including a wafer carrier according to an embodiment,
2 is a view showing a cross-section of a partial region of the wafer carrier according to an embodiment,
3A to 3B are views schematically showing a gas flow in a wafer carrier according to the prior art and the embodiment,
4 is a view showing a cross section of a partial region of a wafer carrier according to another embodiment,
5 is a view showing a cross section of a partial region of a wafer carrier according to another embodiment,
6 is a view showing a plane and a cross section of a pocket of a wafer carrier according to an embodiment,
7 is a view showing a plane of the wafer carrier in another embodiment,
8A to 8C are views showing other embodiments of a wafer carrier having various pocket shapes.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention capable of realizing the above object will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where it is described as being formed in "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) (on or under) includes both elements in direct contact with each other or in which one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed as "on or under", the meaning of not only an upward direction but also a downward direction based on one element may be included.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.In addition, relational terms such as "first" and "second," "upper" and "lower" used below do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements. Thus, it may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size.

도 1은 웨이퍼 캐리어를 포함하는 반도체 제조 장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus including a wafer carrier.

도 1을 참조하면, 반도체 제조장치는 소스 가스(Source gas) 공급부, 반응 챔버(100), 웨이퍼 캐리어(120) 및 회전축(110)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a semiconductor manufacturing apparatus may include a source gas supply unit, a reaction chamber 100, a wafer carrier 120, and a rotation shaft 110.

소스 가스(source gas) 공급부는 반도체 제조 장치의 챔버(100) 상부에 배치될 수 있다. 소스 가스 공급부는 반도체층을 성장 시키기 위한 반응 기체를 공급하는 것일 수 있으며, 반응 챔버(100)의 상부로부터 반응 챔버(100) 내부로 소스 가스를 공급하여 웨이퍼 캐리어(120)의 상부면에 배치되는 피가공물의 표면으로 반응 가스가 공급되게 할 수 있다.The source gas supply unit may be disposed above the chamber 100 of the semiconductor manufacturing apparatus. The source gas supply unit may supply a reaction gas for growing a semiconductor layer, and is disposed on the upper surface of the wafer carrier 120 by supplying a source gas into the reaction chamber 100 from the top of the reaction chamber 100. Reactive gas can be supplied to the surface of the workpiece.

공급되는 소스 가스는 형성하고자 하는 반도체층의 종류에 따라 달라질 수 있으며, 공급된 소스 가스는 챔버(100) 내에서 화학반응에 의하여 피가공물의 표면에 증착되어 반도체 박막 또는 절연막 등을 형성할 수 있다.The supplied source gas may vary depending on the type of semiconductor layer to be formed, and the supplied source gas may be deposited on the surface of the workpiece through a chemical reaction in the chamber 100 to form a semiconductor thin film or an insulating film. .

웨이퍼 캐리어(120)는 반응 챔버(100) 내에 배치될 수 있으며, 웨이퍼 캐리어(120) 하부에는 회전축(110)이 축 결합하여 배치될 수 있다.The wafer carrier 120 may be disposed in the reaction chamber 100, and a rotation shaft 110 may be axially coupled to the lower portion of the wafer carrier 120 to be disposed.

회전축(110)에 지지되어 배치되는 웨이퍼 캐리어(120)는 회전축(110)을 회전시킴으로써 반도체 제조장치의 챔버(100) 내에서 회전될 수 있다.The wafer carrier 120 supported and disposed on the rotation shaft 110 may be rotated in the chamber 100 of the semiconductor manufacturing apparatus by rotating the rotation shaft 110.

웨이퍼 캐리어(120)의 몸체(130) 상부면에는 복수의 포켓(150)을 포함할 수 있으며, 복수의 포켓(150) 각각에는 피가공물이 안착될 수 있다.The upper surface of the body 130 of the wafer carrier 120 may include a plurality of pockets 150, and a workpiece may be seated in each of the plurality of pockets 150.

소스가스 공급부로부터 챔버 내로 공급되는 소스 기체는 웨이퍼 캐리어(120)의 상단 표면의 중심에서 외주 방향을 향하여 웨이퍼 캐리어(120)의 상단 표면을 가로질러 흐를 수 있다.The source gas supplied into the chamber from the source gas supply unit may flow across the upper surface of the wafer carrier 120 toward the outer circumferential direction from the center of the upper surface of the wafer carrier 120.

한편, 사용된 기체는 웨이퍼 캐리어(120)의 하부에 위치하고 회전축(110) 주위에 분산되어 배치되는 출구(140)를 통해 반응 챔버(100)로부터 외부로 배출될 수 있다.On the other hand, the used gas may be discharged from the reaction chamber 100 to the outside through an outlet 140 located under the wafer carrier 120 and distributed and disposed around the rotation shaft 110.

실시예의 반도체 제조 장치는 피가공물 상에 반도체 물질을 증착하는 장치일 수 있으며, 예를 들어 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)장치, 분자 빔 에픽텍시(MBE:Molecular Beam Epitaxy)증착 장치, 화학 기상 증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)장치 등일 수 있다.The semiconductor manufacturing apparatus of the embodiment may be a device for depositing a semiconductor material on a workpiece, for example, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) device, a molecular beam epitaxy (MBE). ) It may be a deposition device, a chemical vapor deposition (CVD) device, or the like.

도 2는 일 실시예의 웨이퍼 캐리어(120A)의 단면 중 일부 영역을 나타낸 것이다.2 shows a partial area of the cross section of the wafer carrier 120A according to an embodiment.

실시예의 웨이퍼 캐리어(120A)는 몸체(130)의 상부면(130a)이 함몰되어 복수의 포켓(150)이 형성되고, 각각의 상기 포켓(150)은 피가공물이 배치되는 제1 포켓부(151)와 상기 제1 포켓부(151) 상의 제2 포켓부(153)를 포함할 수 있다.In the wafer carrier 120A of the embodiment, the upper surface 130a of the body 130 is recessed to form a plurality of pockets 150, and each of the pockets 150 includes a first pocket part 151 in which a workpiece is disposed. ) And a second pocket portion 153 on the first pocket portion 151.

웨이퍼 캐리어(120A)의 몸체(130)는 디스크 형상일 수 있으며, 몸체(130)는 반도체 박막 형성 공정에서 사용되는 공정 조건인 고온 및 고압 조건에서도 변형이 발생하지 않는 안정적인 재료로 형성될 수 있다.The body 130 of the wafer carrier 120A may have a disk shape, and the body 130 may be formed of a stable material that does not deform even under high temperature and high pressure conditions, which are process conditions used in the semiconductor thin film formation process.

예를 들어, 몸체(130)는 카본(Carbon), SiC(Silicone Carbide), BN(Boron Nitride), AlN(Aluminum Nitride) 등의 재질로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.For example, the body 130 may be formed of a material such as carbon, SiC (Silicone Carbide), BN (Boron Nitride), AlN (Aluminum Nitride), but is not limited thereto.

제1 포켓부(151)와 제2 포켓부(153)를 포함하는 복수의 포켓(150)은 반도체 박막 형성 공정 중 피가공물을 수용할 수 있다. 포켓(150)은 반도체 제조 공정진행 중에서 웨이퍼 캐리어(120A)의 회전이 있는 경우에도 피가공물이 이탈되지 않고 웨이퍼 캐리어(120A) 상에 유지되도록 할 수 있다.The plurality of pockets 150 including the first pocket portion 151 and the second pocket portion 153 may accommodate a workpiece during a semiconductor thin film forming process. The pocket 150 may be maintained on the wafer carrier 120A without detachment of the workpiece even when the wafer carrier 120A rotates during the semiconductor manufacturing process.

실시예의 웨이퍼 캐리어(120A)의 포켓(150)에 배치되는 피가공물은 반도체 소자 형성시 기판(substrate)이 되는 사파이어(Al2O3) 웨이퍼 또는 실리콘(Si) 웨이퍼일 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The workpiece disposed in the pocket 150 of the wafer carrier 120A according to the embodiment may be a sapphire (Al 2 O 3 ) wafer or a silicon (Si) wafer that becomes a substrate when forming a semiconductor device, but is not limited thereto. .

제1 포켓부(151)는 제1 바닥면(151b)과 제1 측면(151a)을 포함할 수 있다.The first pocket portion 151 may include a first bottom surface 151b and a first side surface 151a.

제1 바닥면(151b)은 웨이퍼 캐리어(120A)의 몸체 상부면(130a)에 평행한 플랫(flat)한 면으로 형성될 수 있으며, 배치되는 피가공물의 재질 특성에 따라 몸체의 상부면(130a) 방향으로 볼록한 형상이거나 또는 몸체(130)의 하부면 방향으로 오목한 형상으로도 형성될 수 있다.The first bottom surface 151b may be formed as a flat surface parallel to the upper surface 130a of the body of the wafer carrier 120A, and the upper surface 130a of the body may be formed according to the material characteristics of the object to be disposed. ) Or may be formed in a concave shape in the direction of the lower surface of the body 130.

제2 포켓부(153)는 제1 포켓부(151) 상에 형성될 수 있으며, 제2 포켓부(153)의 상부의 지름(d2)은 제1 포켓부(151)의 상부의 지름(d1)보다 클 수 있다.The second pocket portion 153 may be formed on the first pocket portion 151, and the diameter d2 of the upper portion of the second pocket portion 153 is the diameter d1 of the upper portion of the first pocket portion 151 Can be greater than ).

도 2에서 제1 포켓부(151)와 제2 포켓부(153)는 점선으로 구분하여 나타내고 있으나, 제1 포켓부(151)와 제2 포켓부(153)는 하나의 공간으로 서로 연결된 영역일 수 있다.In FIG. 2, the first pocket portion 151 and the second pocket portion 153 are shown by dividing it with a dotted line, but the first pocket portion 151 and the second pocket portion 153 are regions connected to each other in one space. I can.

또한, 피가공물은 제1 포켓부(151)에 주로 배치될 수 있으나 피가공물의 상측 일부는 제2 포켓부(153) 영역에 배치될 수 있다.In addition, the workpiece may be mainly disposed in the first pocket portion 151, but a portion of the upper side of the workpiece may be disposed in the area of the second pocket portion 153.

제1 포켓부(151)의 제1 측면(151a)은 원기둥의 상부면과 하부면을 제외한 측면일 수 있고, 제1 측면(151a)은 제1 바닥면(151b)에 수직으로 형성될 수 있으나, 제1 측면(151a) 및 제1 바닥면(151b)의 배치 및 형상은 도면에 도시된 실시예에 한정하지 않는다.The first side surface 151a of the first pocket portion 151 may be a side surface excluding the upper and lower surfaces of the cylinder, and the first side surface 151a may be formed perpendicular to the first bottom surface 151b. , The arrangement and shape of the first side surface 151a and the first bottom surface 151b are not limited to the embodiment illustrated in the drawings.

또한, 제2 포켓부(153)는 제1 포켓부(151)의 제1 측면(151a)의 상부로부터 제1 바닥면(151b)과 평행한 몸체의 상부면(130a)으로 연장되는 제2 측면(153a)을 포함할 수 있다.In addition, the second pocket portion 153 is a second side extending from the top of the first side surface 151a of the first pocket portion 151 to the upper surface 130a of the body parallel to the first bottom surface 151b. (153a) may be included.

도 2의 실시예에서 제2 포켓부(153)의 제2 측면(153a)은 경사면일 수 있다.In the embodiment of FIG. 2, the second side surface 153a of the second pocket portion 153 may be an inclined surface.

제2 측면(153a)은 제1 바닥면(151b)을 기준으로 경사각(θ)을 이루며 형성될 수 있다. 즉, 제1 바닥면(151b)과 평행한 제1 포켓부(151) 상부의 가상의 선을 기준으로 경사각(θ)을 이루며 제2 측면(153a)이 형성될 수 있다.The second side surface 153a may be formed with an inclination angle θ based on the first bottom surface 151b. That is, the second side surface 153a may be formed with an inclination angle θ based on a virtual line above the first pocket portion 151 parallel to the first bottom surface 151b.

경사면이 이루는 경사각(θ)은 제2 측면(153a) 전체에서 균일할 수 있다.The inclination angle θ formed by the inclined surface may be uniform throughout the second side surface 153a.

제2 측면(153a)의 경사각(θ)은 제1 바닥면(151b)을 기준으로 10°내지 60°의 각도를 가질 수 있다.The inclination angle θ of the second side surface 153a may have an angle of 10° to 60° based on the first bottom surface 151b.

제2 측면(153a)의 경사각(θ)은 포켓(150)의 제1 측면(151a)과 접하는 피가공물의 측면 형상에 따라 달라질 수 있으며, 예를 들어 피가공물의 측면 엣지(edge)부분이 경사를 이루는 경우 제2 측면(153a)의 경사각(θ)은 피가공물의 엣지(edge)부분이 이루는 경사각과 대응되는 값을 가질 수 있다.The inclination angle θ of the second side 153a may vary according to the shape of the side of the workpiece in contact with the first side 151a of the pocket 150, for example, the side edge of the workpiece is inclined. In the case of forming, the inclination angle θ of the second side surface 153a may have a value corresponding to an inclination angle formed by an edge portion of the workpiece.

실시예와 같이 제2 측면(153a)이 경사면을 가짐으로써 피가공물 측면의 상부 엣지(edge) 부분으로 소스 기체의 흐름을 원활하게 할 수 있다.As in the embodiment, since the second side 153a has an inclined surface, it is possible to smooth the flow of the source gas to the upper edge of the side of the workpiece.

제2 측면(153a)을 이루는 경사면의 높이(h)는 포켓(150)에 안착되는 피가공물 두께의 1/30 내지 1/3이 될 수 있다.The height h of the inclined surface forming the second side surface 153a may be 1/30 to 1/3 of the thickness of the workpiece seated in the pocket 150.

예를 들어, 경사면의 높이(h)는 제1 포켓부(151)의 제1 바닥면(151b)과 평행한 제1 포켓부(151) 상부의 가상의 선을 기준으로 중심축 방향으로의 경사면의 높이일 수 있다. 여기에서, 중심축은 몸체(130)의 중앙에서 제1 바닥면(151b)과 수직한 방향의 가상의 선일 수 있다.For example, the height h of the inclined surface is an inclined surface in the direction of the central axis based on an imaginary line above the first pocket portion 151 parallel to the first bottom surface 151b of the first pocket portion 151 Can be the height of Here, the central axis may be a virtual line in a direction perpendicular to the first bottom surface 151b at the center of the body 130.

경사면의 높이(h)가 피가공물 두께의 1/30보다 작은 경우 피가공물의 상부로 공급되는 소스가스의 흐름을 변경할 수 있는 제2 포켓부(153)의 제2 측면(153a)의 영향이 작아 포켓의 측면과 인접한 피가공물의 상부면에 소스 가스의 흐름을 개선하는 효과를 기대할 수 없다.When the height (h) of the inclined surface is less than 1/30 of the thickness of the workpiece, the influence of the second side (153a) of the second pocket portion 153 that can change the flow of the source gas supplied to the upper portion of the workpiece is small. The effect of improving the flow of the source gas on the upper surface of the workpiece adjacent to the side of the pocket cannot be expected.

반면에 경사면의 높이(h)가 피가공물 두께의 1/3보다 큰 경우 웨이퍼 캐리어(120)의 몸체 상부(130a)와 피가공물의 표면 사이의 공간이 과도하게 커지게 되어 그 공간 사이에서 공급되는 소스 가스 흐름에 요동(fluctuation)이 생겨 소스 가스가 피가공물 표면 상으로 원활하게 공급되지 않을 수 있다.On the other hand, when the height (h) of the inclined surface is greater than 1/3 of the thickness of the workpiece, the space between the upper body 130a of the wafer carrier 120 and the surface of the workpiece becomes excessively large, and is supplied between the spaces. Due to fluctuations in the flow of the source gas, the source gas may not be smoothly supplied to the surface of the workpiece.

도 3a 및 도 3b는 종래의 웨이퍼 캐리어와 실시예의 웨이퍼 캐리어에서의 소스 가스의 공급 흐름을 개략적으로 나타낸 것이다.3A and 3B schematically show the supply flow of the source gas in the conventional wafer carrier and the wafer carrier of the embodiment.

도 3a는 종래의 웨이퍼 캐리어의 포켓 구조에서, 포켓의 제1 측면(151a)과 피가공물(W)의 측면 상부 엣지 부분이 인접하고 있는 포켓의 상단부에서의 소스 가스의 흐름을 나타낸 것이다.3A illustrates a flow of source gas at an upper end portion of a pocket in which a first side surface 151a of the pocket and an upper edge portion of the side surface of the workpiece W are adjacent in a pocket structure of a conventional wafer carrier.

종래의 웨이퍼 캐리어에서 포켓의 제1 측면(151a)은 반도체 제조 공정 중 회전에 의한 피가공물(W)의 이탈을 방지하고 피가공물(W)이 휘는(Bowing) 방향을 고려하여 제1 측면(151a)이 제1 바닥면(151b)에 수직하지 않고 피가공물(W) 측으로 기울어진 형상일 수 있다.In a conventional wafer carrier, the first side (151a) of the pocket prevents separation of the work piece (W) due to rotation during the semiconductor manufacturing process, and considers the direction in which the work piece (W) is bowed. ) May be inclined toward the workpiece W without being perpendicular to the first bottom surface 151b.

이러한 제1 측면(151a)의 형상으로 인하여, 종래의 웨이퍼 캐리어에서는 도 3a에 도시된 바와 같이, 피가공물(W)의 상부로 공급되는 소스 가스가 포켓의 제1 측면(151a)에 인접한 피가공물(W)의 상부 엣지 부분에 공급되지 못하는 흐름이 형성될 수 있다.Due to the shape of the first side 151a, in the conventional wafer carrier, as shown in FIG. 3A, the source gas supplied to the top of the work W is the work piece adjacent to the first side 151a of the pocket. A flow that cannot be supplied to the upper edge portion of (W) may be formed.

도 3b는 실시예의 웨이퍼 캐리어의 구조에서 포켓의 측면(151a, 153a)과 피가공물(W)의 상부 엣지 부분이 인접한 영역에서의 소스 가스의 흐름을 나타낸 것이다.3B is a diagram illustrating a flow of a source gas in a region adjacent to the side surfaces 151a and 153a of the pocket and the upper edge portion of the workpiece W in the structure of the wafer carrier according to the embodiment.

실시예의 웨이퍼 캐리어에서는 제2 포켓부(153)의 제2 측면(153a)이 제1 바닥면(151b)과 경사각(θ)을 이루는 경사면으로 형성되어 웨이퍼 캐리어의 상부로 공급되는 소스 가스를 피가공물(W)의 상부 엣지 부분에도 원활하게 공급되게 할 수 있다.In the wafer carrier of the embodiment, the second side surface 153a of the second pocket portion 153 is formed as an inclined surface forming an inclination angle θ with the first bottom surface 151b, so that the source gas supplied to the upper portion of the wafer carrier is processed. It can be smoothly supplied to the upper edge of (W).

도 4 내지 도 5는 웨이퍼 캐리어(120)의 다른 실시예들을 나타낸 도면이다.4 to 5 are views showing other embodiments of the wafer carrier 120.

이하의 실시예에 대한 설명에서는 도 2의 웨이퍼 캐리어(120A)의 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 차이점을 중심으로 설명한다.In the following description of the embodiment, content overlapping with the embodiment of the wafer carrier 120A of FIG. 2 will not be described again, and will be described focusing on differences.

도 4에 도시된 실시예의 웨이퍼 캐리어(120B)는 상술한 도 2의 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어(120A)에서 지지부(160)를 더 포함한 것일 수 있다.The wafer carrier 120B of the embodiment shown in FIG. 4 may further include a support unit 160 in the wafer carrier 120A according to the embodiment of FIG. 2 described above.

지지부(160)는 제1 바닥면(151b)의 일부 영역에 배치될 수 있으며, 예를 들어, 지지부(160)는 제1 바닥면(151b)과 제1 측면(151a)의 일부와 맞닿으며 제1바닥면(151a) 상에 형성될 수 있다.The support unit 160 may be disposed in a partial area of the first bottom surface 151b. For example, the support unit 160 contacts a portion of the first bottom surface 151b and the first side surface 151a, It may be formed on one bottom surface 151a.

피가공물(W)은 제1 바닥면(151b)과 소정의 공간을 사이에 두고 마주보며 지지부(160) 상에 배치될 수 있으며, 지지부(160)는 포켓(150) 내에서 피가공물(W)을 지지하는 역할을 할 수 있다. The workpiece (W) may be disposed on the support unit 160 while facing the first floor surface (151b) with a predetermined space therebetween, and the support unit 160 is a workpiece (W) within the pocket 150 Can play a role in supporting

지지부(160)는 몸체(130)와는 다른 재료로 형성될 수 있으며, 따라서 지지부(160)의 열전도도는 몸체(130)와 다를 수 있다. 예를 들어, 지지부(160)의 열전도도는 몸체(120)의 열전도도보다 낮을 수 있으며, 지지부(160) 상에 피가공물(W)을 배치함으로써, 몸체(130)에서 피가공물(W)로 직접적으로 열 전달이 이루어지는 것을 방지할 수 있어 피가공물(W)의 중심 영역과 엣지 영역 간의 온도 편차를 줄일 수 있다.The support unit 160 may be formed of a material different from that of the body 130, and thus, the thermal conductivity of the support unit 160 may be different from that of the body 130. For example, the thermal conductivity of the support unit 160 may be lower than the thermal conductivity of the body 120, and by arranging the work piece (W) on the support unit 160, the body 130 to the work piece (W) Since it is possible to prevent direct heat transfer, a temperature deviation between the center region and the edge region of the workpiece W can be reduced.

도 5의 웨이퍼 캐리어(120C) 실시예에서 제2 포켓부(153)의 제2 측면(153a1, 153a2)이 이루는 경사각(θ1, θ2)은 제2 측면(153a1, 153a2)의 위치에 따라 서로 다를 수 있다.In the embodiment of the wafer carrier 120C of FIG. 5, the inclination angles θ1 and θ2 formed by the second side surfaces 153a1 and 153a2 of the second pocket part 153 are different depending on the positions of the second side surfaces 153a1 and 153a2. I can.

제1 바닥면(151b)을 기준으로 한 경사각(θ1, θ2)은 제2 측면(153a1, 153a2)을 이루는 경사면이 웨이퍼 캐리어의 중심축에 가까울수록 더 클 수 있다. 여기서, 중심축은 웨이퍼 캐리어(120) 상부면의 형상인 원의 중심에 해당할 수 있다.The inclination angles θ1 and θ2 based on the first bottom surface 151b may be larger as the inclined surfaces forming the second side surfaces 153a1 and 153a2 are closer to the central axis of the wafer carrier. Here, the central axis may correspond to the center of a circle that is the shape of the upper surface of the wafer carrier 120.

예를 들어, 도 5에서 복수의 포켓이 형성된 웨이퍼 캐리어(120C)의 중심축에 가까운 제2 측면(153a1)의 경사면이 이루는 각도가 θ1 이고, 상대적으로 중심축으로부터 떨어진 제2 측면(153a2)의 경사면이 이루는 각도를 θ2라고 할 때, θ1은 θ2보다 클 수 있다.For example, in FIG. 5, the angle formed by the inclined surface of the second side surface 153a1 close to the central axis of the wafer carrier 120C having a plurality of pockets is θ1, and the second side surface 153a2 relatively away from the central axis. When the angle formed by the inclined surface is θ2, θ1 may be greater than θ2.

반도체 제조 장치에 있어서 소스 가스는 웨이퍼 캐리어(120C)의 상부로 전체적으로 공급될 수 있으나, 웨이퍼 캐리어(120C)의 상부면 중 중심축에 가까운 웨이퍼 캐리어의 내측(inner)이 외측(outer)과 비교하여 소스 가스의 흐름이 원활하지 않을 수 있으므로, 제2 포켓부(153)의 측면(153a1, 153a2)의 경사각은 캐리어의 내측(inner)과 가까운 측면에서 더 큰 경사각을 가질 수 있다.In the semiconductor manufacturing apparatus, the source gas may be entirely supplied to the upper portion of the wafer carrier 120C, but the inner side of the wafer carrier close to the central axis among the upper surfaces of the wafer carrier 120C is compared with the outer side. Since the flow of the source gas may not be smooth, the inclination angles of the side surfaces 153a1 and 153a2 of the second pocket portion 153 may have a larger inclination angle at the side closer to the inner side of the carrier.

즉, 소스 가스는 웨이퍼 캐리어(120C) 상부 측에서 공급되어 피가공물의 상부면을 통과하고 웨이퍼 캐리어의 중심에서 외곽쪽으로 흘러 출구로 배출될 수 있으므로, 중심축에 인접한 제2 측면(153a1)의 경사면의 경사각(θ1)을 더 크게 함으로써, 중심축에 인접한 제2 측면(153a1)과 맞닿아 있는 피가공물의 상부 엣지 부분에서 소스 가스 공급의 흐름을 개선할 수 있다.That is, the source gas is supplied from the upper side of the wafer carrier 120C, passes through the upper surface of the workpiece, flows outward from the center of the wafer carrier, and can be discharged through the outlet, so that the inclined surface of the second side 153a1 adjacent to the central axis By increasing the inclination angle θ1 of, it is possible to improve the flow of the source gas supply at the upper edge portion of the workpiece in contact with the second side surface 153a1 adjacent to the central axis.

이러한 소스 가스 공급 흐름의 개선을 통하여 피가공물의 엣지 부분에서도 소스 가스가 균일하게 공급되어 성장되는 에피층의 품질을 개선할 수 있다.Through the improvement of the source gas supply flow, the source gas is uniformly supplied even at the edge of the workpiece, thereby improving the quality of the epitaxial layer grown.

도 2와 도 5의 웨이퍼 캐리어(120A, 120C)의 실시예에 의하면 포켓(150) 상단인 제2 포켓부(153)의 제2 측면(153a1, 153a2)을 이루는 경사면은 중심축을 기준으로 하여 양 측면(153a1, 153a2)이 대칭되도록 배치될 수 있으며, 또한 소스 가스의 흐름이 원활하지 않은 부분의 경사가 더 크도록 비대칭적으로 형성될 수도 있다.According to the embodiment of the wafer carriers 120A and 120C of FIGS. 2 and 5, the inclined surfaces forming the second side surfaces 153a1 and 153a2 of the second pocket portion 153 at the top of the pocket 150 are positive The side surfaces 153a1 and 153a2 may be disposed to be symmetrical, and may be formed asymmetrically so that the inclination of the portion where the flow of the source gas is not smooth is larger.

도 6 내지 도 7은 복수 개의 포켓(150)이 배치된 웨이퍼 캐리어(120)의 실시예들을 나타낸 도면이다.6 to 7 are views showing embodiments of the wafer carrier 120 in which a plurality of pockets 150 are disposed.

도 6을 참조하면, 디스크 형상의 웨이퍼 캐리어(120) 상에 복수의 포켓(150)이 동일 원주 상에 배치될 수 있다. 동일 원주 상에 배치된 각각의 포켓(150)은 상술한 실시예들의 포켓(150) 형상을 모두 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, a plurality of pockets 150 may be disposed on the same circumference on the disk-shaped wafer carrier 120. Each pocket 150 disposed on the same circumference may include all the pockets 150 of the above-described embodiments.

도 6에 도시된 실시예의 웨이퍼 캐리어(120)에 배치되는 포켓(150)의 AA`의 단면을 참조하면, 웨이퍼 캐리어(120)의 중심축에 인접한 제2 측면(153a1)의 경사각(θ1)이 웨이퍼 캐리어의 외주면에 인접한 제2 측면(153a2)의 경사각(θ2)보다 클 수 있다. 따라서, 중심축에 인접한 제2 측면(153a1)으로 소스 가스의 공급이 원활하게 이루어질 수 있다.Referring to the cross-section AA′ of the pocket 150 disposed on the wafer carrier 120 of the embodiment illustrated in FIG. 6, the inclination angle θ1 of the second side 153a1 adjacent to the central axis of the wafer carrier 120 is It may be greater than the inclination angle θ2 of the second side surface 153a2 adjacent to the outer peripheral surface of the wafer carrier. Accordingly, the source gas can be smoothly supplied to the second side surface 153a1 adjacent to the central axis.

도 7은 복수 개의 포켓이 배치된 웨이퍼 캐리어(120)의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.7 is a view showing another embodiment of the wafer carrier 120 in which a plurality of pockets are arranged.

도 7에서 도시된 바와 같이 복수의 포켓(150) 중 일부(P1 내지 P4)는 웨이퍼 캐리어(120)의 중심에 인접하여 형성될 수 있고, 나머지 일부 복수의 포켓(P5 내지 P13)은 웨이퍼 캐리어의 몸체 상부면(130a)의 외곽 쪽으로 배치될 수 있다.As shown in FIG. 7, some (P1 to P4) of the plurality of pockets 150 may be formed adjacent to the center of the wafer carrier 120, and the remaining plurality of pockets (P5 to P13) are It may be disposed toward the outside of the upper body surface (130a).

도 7에 도시된 복수의 포켓(150)은 상술한 실시예들의 포켓(150) 형상을 모두 포함할 수 있다.The plurality of pockets 150 shown in FIG. 7 may include all the pockets 150 of the above-described embodiments.

복수 개의 포켓(150)에서의 각각의 제2 포켓부의 측면 경사각은 모두 동일 할 수 있다.Side inclination angles of each of the second pocket portions in the plurality of pockets 150 may be the same.

또한, 복수의 포켓(150) 중 중심축을 기준으로 웨이퍼 캐리어(120)의 외측에 배치된 포켓에서의 경사각이 더 작을 수 있다. 예를 들어, P5 내지 P13의 포켓(150)의 제2 측면(153a)이 이루는 경사각은 P1 내지 P4의 포켓(150)의 제2 측면(153a)이 이루는 경사각보다 작을 수 있다.In addition, an inclination angle of a pocket disposed outside the wafer carrier 120 may be smaller among the plurality of pockets 150 with respect to the central axis. For example, the inclination angle formed by the second side surface 153a of the pocket 150 of P5 to P13 may be smaller than the inclination angle formed by the second side surface 153a of the pocket 150 of P1 through P4.

복수의 포켓(150)에서의 제2 측면(153a)의 경사각은 배치되는 피가공물의 종류 및 공급되는 소스 가스의 종류 또는 소스 가스의 흐름 방향에 따라 다양하게 형성될 수 있다.The inclination angle of the second side surface 153a of the plurality of pockets 150 may be variously formed according to the type of the object to be disposed and the type of the source gas supplied or the flow direction of the source gas.

도 6 내지 도 7에서는 웨이퍼 캐리어(120)의 몸체 상부면(130a)에 동심원 형태로 복수의 포켓(150)이 형성된 것으로 도시하였으나, 포켓(150) 배치 방법은 이에 한정하지 않으며 또한, 웨이퍼 캐리어(120) 상에 배치되는 복수의 포켓(150)은 서로 다른 크기를 가질 수 있으며, 형성되는 포켓(150)의 개수도 도시된 실시예에 한정하지 않는다.6 to 7 illustrate that a plurality of pockets 150 are formed in a concentric circle shape on the upper surface 130a of the body of the wafer carrier 120, the method of arranging the pockets 150 is not limited thereto, and the wafer carrier ( The plurality of pockets 150 disposed on 120) may have different sizes, and the number of pockets 150 to be formed is not limited to the illustrated embodiment.

상술한 실시예들에서 제2 측면(153a)은 제2 측면의 높이(h)에 관계없이 경사각이 동일한 경사면에 한정되지 않으며, 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 캐리어(120) 상부로 공급되는 소스 가스의 공급 방법 및 도입되는 가스 흐름 방향에 따라 제2 측면(153a)의 형상이 달라질 수 있다.In the above-described embodiments, the second side 153a is not limited to an inclined surface having the same inclination angle regardless of the height h of the second side, and the source gas supplied to the upper portion of the wafer carrier 120 in the semiconductor manufacturing process is supplied. The shape of the second side surface 153a may be changed according to the method and the direction of the introduced gas flow.

도 8a 내지 도 8c는 다양한 제2 측면(153a) 형상을 가지는 웨이퍼 캐리어(120D, 120E)의 다른 실시예들을 나타낸 도면이다.8A to 8C are diagrams illustrating other embodiments of wafer carriers 120D and 120E having various second side 153a shapes.

도 8a와 도 8b에서 도시된 바와 같이 제2 포켓부(153)의 제2 측면(153a)은 곡면을 이루는 것일 수 있다.As illustrated in FIGS. 8A and 8B, the second side surface 153a of the second pocket portion 153 may have a curved surface.

제2 측면(153a)은 제1 포켓부(151)의 측면 상단으로부터 제2 포켓부(153)의 상단까지 곡면을 이루며 형성될 수 있다.The second side surface 153a may be formed to form a curved surface from the upper end of the side surface of the first pocket portion 151 to the upper end of the second pocket portion 153.

제2 포켓부(153)의 측면을 이루는 곡면은 몸체의 상부로 향하는 방향으로 볼록한 형태일 수 있으며, 또한 몸체의 하부로 향하는 방향으로 오목한 형태일 수 있다.The curved surface forming the side surface of the second pocket portion 153 may be convex in a direction toward the upper portion of the body, and may also be concave toward the lower portion of the body.

예를 들어, 도 8a의 실시예의 경우 제2 측면(153a)은 제 1포켓부(151)의 상부로부터 몸체 상부면(130a)방향으로 볼록한 곡면을 형성한 것일 수 있으며, 도 8b의 실시예의 경우 도 8a의 실시예와 반대 방향인 몸체(130)의 하부면 방향으로 오목한 곡면을 형성한 것일 수 있다.For example, in the case of the embodiment of FIG. 8A, the second side surface 153a may be formed of a convex curved surface from the top of the first pocket portion 151 toward the upper body surface 130a, and in the case of the embodiment of FIG. 8B A concave curved surface may be formed in the direction of the lower surface of the body 130 in the opposite direction to the embodiment of FIG.

제2 측면(153a)이 곡면을 이루는 도 8a 및 도 8b의 실시예의 경우에도 제2 측면(153a)을 따라 소스 가스의 흐름이 발생하여 제1 포켓부(151) 상에 배치되는 피가공물의 상부 엣지 부분으로 소스 가스를 균일하게 공급하여 엣지 부분에서도 결함이 없는 에피층을 형성할 수 있다.In the case of the embodiment of FIGS. 8A and 8B in which the second side 153a forms a curved surface, the flow of the source gas occurs along the second side 153a so that the upper portion of the workpiece disposed on the first pocket part 151 By uniformly supplying the source gas to the edge portion, it is possible to form an epilayer without defects even at the edge portion.

도 8c는 제2 측면(153a)이 계단 형상을 가지는 경우의 웨이퍼 캐리어(120F)의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 계단 형상으로 이루어진 도 8c의 실시예의 경우에도 제2 측면(153a)을 따라 소스 가스가 피가공물의 상부면 쪽으로 도입될 수 있어 피가공물 상부면 전체에 균일하게 소스 가스를 공급될 수 있다.8C is a view showing another embodiment of the wafer carrier 120F when the second side surface 153a has a step shape. Even in the case of the embodiment of FIG. 8C having a step shape, the source gas may be introduced toward the upper surface of the workpiece along the second side 153a, so that the source gas may be uniformly supplied to the entire upper surface of the workpiece.

상술한 실시예들의 웨이퍼 캐리어(120A, 102B, 120C, 120D, 120E, 120F)에서 웨이퍼 포켓(150)의 제2 포켓부(153)의 측면(153a)이 경사면, 곡면 또는 계단 형상인 경우에 있어서, 피가공물의 상부 엣지 부분에서도 소스 가스가 균일하게 공급될 수 있으며, 피가공물의 엣지 부분에서 쉽게 발생할 수 있는 크랙(crack) 결함을 방지할 수 있어 개선된 품질의 에피층을 형성할 수 있다.In the case where the side surface 153a of the second pocket portion 153 of the wafer pocket 150 in the wafer carriers 120A, 102B, 120C, 120D, 120E, and 120F of the above-described embodiments has an inclined surface, a curved surface, or a step shape, , Source gas can be uniformly supplied to the upper edge of the workpiece, and crack defects that may easily occur at the edge of the workpiece can be prevented, thereby forming an epi layer of improved quality.

실시예들에 대한 설명에서 에피 성장 공정에 사용되는 웨이퍼 캐리어를 예를 들어 설명하였으나, 웨이퍼 캐리어는 반도체층 형성 공정 이외의 공정에서도 사용될 수 있으며, 예를 들어, 화학 기상 증착, 웨이퍼의 화학적 에칭 등과 같은 다양한 웨이퍼 처리공정에도 실시예의 웨이퍼 캐리어가 적용될 수 있다.In the description of the embodiments, a wafer carrier used in the epi-growth process has been described as an example, but the wafer carrier may be used in processes other than the semiconductor layer formation process, for example, chemical vapor deposition, chemical etching of the wafer, etc. The wafer carrier of the embodiment may be applied to the same various wafer processing processes.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs are not illustrated above within the scope not departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100 챔버 110 회전축
120, 120A, 120B, 120C, 120D, 120E, 120F 웨이퍼 캐리어
130 몸체 150 포켓
151 제1 포켓부 151a 제1 측면
151b 제1 바닥면 153 제2 포켓부
153a 제2 측면 160 지지부100 chamber 110 rotating shaft
120, 120A, 120B, 120C, 120D, 120E, 120F wafer carrier
130 body 150 pockets
151 First pocket portion 151a First side
151b First bottom surface 153 Second pocket part
153a second side 160 support

Claims (12)

몸체의 상부면이 함몰되어 복수의 포켓이 형성되고,
각각의 상기 포켓은 피가공물이 배치되는 제1 포켓부와 상기 제1 포켓부 상의 제2 포켓부를 포함하고,
상기 제1 포켓부는 제1 바닥면과 제1 측면을 포함하며,
상기 제2 포켓부의 상부의 지름은 상기 제1 포켓부의 상부의 지름보다 크고,
상기 제2 포켓부는 상기 제1 측면의 상부로부터 상기 제1 바닥면과 평행한 상기 몸체의 상부면으로 연장되는 제2 측면을 포함하고,
상기 제2 측면은 경사면이고,
상기 경사면은 중심축에 가까울수록 상기 제1 바닥면에 대한 경사각이 더 크고,
상기 중심축은 상기 몸체의 중앙에서 상기 제1 바닥면과 수직한 방향의 가상의 선인 웨이퍼 캐리어.The upper surface of the body is recessed to form a plurality of pockets,
Each of the pockets includes a first pocket portion in which a workpiece is disposed and a second pocket portion on the first pocket portion,
The first pocket portion includes a first bottom surface and a first side surface,
A diameter of an upper portion of the second pocket portion is greater than a diameter of an upper portion of the first pocket portion,
The second pocket portion includes a second side surface extending from an upper portion of the first side surface to an upper surface of the body parallel to the first bottom surface,
The second side is an inclined surface,
The closer the inclined surface is to the central axis, the larger the inclination angle with respect to the first floor surface,
The central axis is a virtual line in a direction perpendicular to the first bottom surface at the center of the body. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 제1 바닥면의 일부 영역에 배치되고 상기 피가공물을 지지하는 지지부를 더 포함하는 웨이퍼 캐리어.The wafer carrier according to claim 1, further comprising a support portion disposed on a partial region of the first bottom surface and supporting the workpiece. 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 경사면은 상기 제1 바닥면과 10도 내지 60도의 경사를 갖고,
상기 경사면의 상기 중심축 방향으로의 높이는 상기 피가공물의 두께의 1/30 내지 1/3 배인 웨이퍼 캐리어.The method of claim 1, wherein the inclined surface has a slope of 10 degrees to 60 degrees with the first floor surface,
The wafer carrier having a height of the inclined surface in the direction of the central axis is 1/30 to 1/3 times the thickness of the workpiece. 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 경사면은 상기 복수의 포켓에서 서로 다른 경사 각을 갖는 웨이퍼 캐리어.The wafer carrier of claim 1, wherein the inclined surfaces have different inclination angles in the plurality of pockets. 제1 항에 있어서, 상기 경사각은 상기 복수의 포켓 중 상기 중심축을 기준으로 외측에 배치된 포켓에서 더 작은 값을 갖는 웨이퍼 캐리어.The wafer carrier of claim 1, wherein the inclination angle has a smaller value in a pocket disposed outside of the plurality of pockets with respect to the central axis. 삭제delete 삭제delete
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