KR102201530B1 - Organic Light Emitting Display Device - Google Patents

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강민형
김정환
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엘지디스플레이 주식회사
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields

Abstract

본 발명은, 기판 상의 화소 영역에 형성된 화소; 상기 화소에 전원을 공급하는 전원 배선; 상기 화소에 데이터 전압을 공급하는 데이터 배선; 및 상기 화소 영역의 외곽에 형성된 정전 방전부를 포함하여 이루어지고, 상기 정전 방전부는 정전기를 방전하기 위한 연결 배선 및 상기 연결 배선과 연결된 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어지고, 상기 연결 배선은 섬 구조로 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치를 제공한다. The present invention provides a pixel formed in a pixel area on a substrate; A power line supplying power to the pixel; A data line supplying a data voltage to the pixel; And an electrostatic discharge unit formed outside the pixel region, wherein the electrostatic discharge unit includes a connection line for discharging static electricity and a thin film transistor connected to the connection line, and the connection line is formed in an island structure. It provides an organic light emitting display device.

Description

유기 발광 표시 장치{Organic Light Emitting Display Device}Organic Light Emitting Display Device

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 정전 방전부를 구비한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light-emitting display device, and more particularly, to an organic light-emitting display device having an electrostatic discharge unit.

유기 발광 표시 장치는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 형성된 구조를 가지며, 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 엑시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 하는 원리를 이용한 표시 장치이다. An organic light emitting diode display has a structure in which an emission layer is formed between a cathode injecting electrons and an anode injecting holes, and electrons generated at the cathode and holes generated at the anode are the emission layer. When injected into the interior, the injected electrons and holes are combined to generate excitons, and the generated excitons fall from an excited state to a ground state to emit light.

이하, 도면을 참조로 종래의 유기 발광 표시 장치에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a conventional organic light emitting display device will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래의 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 1 is a schematic plan view of a conventional organic light emitting display device.

도 1에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에는 화소 영역(Pixel Area; PA), 정전 방전부(Electrostatic Discharge; ESD), 게이트 구동부(20), 및 데이터 구동부(30)가 형성되어 있다. As can be seen from FIG. 1, a pixel area (PA), an electrostatic discharge (ESD), a gate driver 20, and a data driver 30 are formed on the substrate 10.

상기 화소 영역(PA)에는 복수의 화소(P)가 가로방향 및 세로방향으로 배열되어 있다. 상기 복수의 화소(P) 각각은 광을 발광하는 발광부(E) 및 상기 발광부(E)의 발광을 제어하는 회로부(C)를 포함하여 이루어진다. 구체적으로 도시하지는 않았지만, 상기 발광부(E)는 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기층을 포함하여 이루어지고, 상기 회로부(C)는 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 및 커패시터를 포함하여 이루어진다. In the pixel area PA, a plurality of pixels P are arranged in a horizontal direction and a vertical direction. Each of the plurality of pixels P includes a light emitting portion E that emits light and a circuit portion C that controls light emission of the light emitting portion E. Although not specifically shown, the light-emitting unit E includes an anode, a cathode, and an organic layer formed between the anode and the cathode, and the circuit unit C includes a gate line, a data line, a power line, and a switching thin film transistor. , A driving thin film transistor, and a capacitor.

상기 정전 방전부(ESD)는 상기 화소 영역(PA)을 둘러싸도록 형성된다. 이와 같은 정전 방전부(ESD)는 제조 공정 중 발생하는 정전기에 의해서 상기 화소(P) 내의 회로부(C)가 손상되는 것을 방지한다. The electrostatic discharge part ESD is formed to surround the pixel area PA. The electrostatic discharge unit ESD prevents damage to the circuit unit C in the pixel P by static electricity generated during the manufacturing process.

상기 게이트 구동부(20)는 상기 화소 영역(PA)의 제1측, 예로서 좌측 주변에 형성되어 있다. 상기 게이트 구동부(20)는 상기 회로부(C)의 게이트 배선에 게이트 신호를 인가한다. The gate driver 20 is formed on the first side of the pixel area PA, for example, on the left side. The gate driving part 20 applies a gate signal to the gate wiring of the circuit part C.

상기 데이터 구동부(30)는 상기 화소 영역(PA)의 제2측, 예로서 상측 주변에 형성되어 있다. 상기 데이터 구동부(30)는 상기 회로부(C)의 데이터 배선에 데이터 신호를 인가한다. The data driver 30 is formed around the second side, for example, the upper side of the pixel area PA. The data driver 30 applies a data signal to the data line of the circuit unit C.

이와 같은 종래의 유기 발광 표시장치는 화살표로 인출된 확대도에서 알 수 있듯이, 하측 정전 방전부(ESD)의 위에 화소(P)가 형성되며, 특히, 하측 정전 방전부(ESD)의 바로 위에 화소(P)를 구성하는 회로부(C)가 형성되어 있다. In such a conventional organic light emitting display device, as can be seen from the enlarged view drawn by an arrow, a pixel P is formed on the lower electrostatic discharge unit ESD. In particular, the pixel P is formed on the lower electrostatic discharge unit ESD. The circuit portion C constituting (P) is formed.

상기 회로부(C)는 전술한 바와 같이 다양한 배선들을 포함하고 있는데, 정전 방전부(ESC)와 상기 회로부(C)가 인접할 경우 정전 방전부(ESC)와 상기 회로부(C)의 배선 사이에서 정전기가 발생할 수 있다. 이와 같이, 정전 방전부(ESC)와 상기 회로부(C) 사이에 정전기가 발생하게 되면, 상기 회로부(C)를 구성하는 배선을 통해 흐르는 정전기로 인해서 화상 재현시 줄무늬 띠가 보이는 문제가 있다. The circuit part (C) includes various wires as described above. When the electrostatic discharge part (ESC) and the circuit part (C) are adjacent, static electricity between the electrostatic discharge part (ESC) and the wires of the circuit part (C) Can occur. As described above, when static electricity is generated between the electrostatic discharge unit ESC and the circuit unit C, there is a problem in that a striped band is visible during image reproduction due to static electricity flowing through the wiring constituting the circuit unit C.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 정전 방전부와 회로부 사이에서 정전기가 발생하는 문제를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been devised to solve the above-described conventional problem, and an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of preventing a problem of generating static electricity between an electrostatic discharge unit and a circuit unit.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판 상의 화소 영역에 형성된 화소; 상기 화소에 전원을 공급하는 전원 배선; 상기 화소에 데이터 전압을 공급하는 데이터 배선; 및 상기 화소 영역의 외곽에 형성된 정전 방전부를 포함하여 이루어지고, 상기 정전 방전부는 정전기를 방전하기 위한 연결 배선 및 상기 연결 배선과 연결된 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어지고, 상기 연결 배선은 섬 구조로 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention comprises: a pixel formed in a pixel region on a substrate; A power line supplying power to the pixel; A data line supplying a data voltage to the pixel; And an electrostatic discharge unit formed outside the pixel region, wherein the electrostatic discharge unit includes a connection line for discharging static electricity and a thin film transistor connected to the connection line, and the connection line is formed in an island structure It provides an organic light emitting display device.

이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above has the following effects.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 정전 방전부의 연결 배선을 섬 구조로 형성함으로써 상기 연결 배선에서의 전하 충전량을 감소시킬 수 있어 상기 연결 배선에 의한 정전기 발생이 방지될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, by forming the connection wiring of the electrostatic discharge unit in an island structure, it is possible to reduce the amount of charge in the connection wiring, thereby preventing the generation of static electricity by the connection wiring.

도 1은 종래의 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 화소와 정전 방전부를 도시한 평면도로서, 이는 4개의 더미 화소를 도시한 것이다.
도 4는 도 3의 I-I라인의 일 실시예에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)의 회로도이다.
1 is a schematic plan view of a conventional organic light emitting display device.
2 is a schematic plan view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a plan view illustrating a dummy pixel and an electrostatic discharge unit according to an embodiment of the present invention, which shows four dummy pixels.
4 is a cross-sectional view of the line II of FIG. 3 according to an exemplary embodiment.
5 is a circuit diagram of a pixel P according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms different from each other, and only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to those who have it, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are exemplary, and the present invention is not limited to the illustrated matters. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When'include','have','consists of' and the like mentioned in the present specification are used, other parts may be added unless'only' is used. In the case of expressing the constituent elements in the singular, it includes the case of including the plural unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is interpreted as including an error range even if there is no explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as'upper','upper of','lower of','next to','right' Or, unless'direct' is used, one or more other parts may be located between the two parts.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, when a temporal predecessor relationship is described as'after','following','after','before', etc.,'right' or'direct' It may also include cases that are not continuous unless this is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.First, second, etc. are used to describe various elements, but these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Accordingly, the first component mentioned below may be a second component within the technical idea of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. Each of the features of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments can be implemented independently of each other or can be implemented together in a related relationship. May be.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 2 is a schematic plan view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에는 화소 영역(Pixel Area; PA), 더미 화소 영역(Dummy Pixel Area; DPA), 정전 방전부(Electrostatic Discharge; ESD), 게이트 구동부(110), 및 데이터 구동부(120)가 형성되어 있다. As can be seen from FIG. 2, on the substrate 100, a pixel area (PA), a dummy pixel area (DPA), an electrostatic discharge (ESD), a gate driver 110, and data The driving unit 120 is formed.

상기 화소 영역(PA)에는 복수의 화소(P)가 가로방향 및 세로방향으로 배열되어 있다. 상기 복수의 화소(P) 각각은 광을 발광하는 발광부(E) 및 상기 발광부(E)의 발광을 제어하는 회로부(C)를 포함하여 이루어진다. In the pixel area PA, a plurality of pixels P are arranged in a horizontal direction and a vertical direction. Each of the plurality of pixels P includes a light emitting portion E that emits light and a circuit portion C that controls light emission of the light emitting portion E.

구체적으로 도시하지는 않았지만, 상기 발광부(E)는 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기층을 포함하여 이루어진다. 상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 및 전자주입층을 포함하여 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 회로부(C)는 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 기준 배선, 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 센스 박막 트랜지스터 및 커패시터 등을 포함하여 이루어진다. 이와 같은 회로부(C)의 구성은 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. Although not specifically shown, the light emitting part E includes an anode, a cathode, and an organic layer formed between the anode and the cathode. The organic layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an emission layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, but is not limited thereto. Further, the circuit unit C includes a gate wiring, a data wiring, a power wiring, a reference wiring, a switching thin film transistor, a driving thin film transistor, a sense thin film transistor, and a capacitor. The configuration of the circuit unit C may be changed in various forms known in the art.

상기 더미 화소 영역(DPA)은 상기 화소 영역(PA)을 둘러싸도록 형성된다. 즉, 도시된 바와 같이, 상기 더미 화소 영역(DPA)은 상기 화소 영역(PA)의 좌측 외곽, 우측 외곽, 상측 외곽, 및 하측 외곽에 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The dummy pixel area DPA is formed to surround the pixel area PA. That is, as illustrated, the dummy pixel area DPA may be formed on a left outer, right outer, upper outer, and lower outer outer of the pixel area PA, but is not limited thereto.

상기 더미 화소 영역(DPA)에는 복수의 더미 화소(DP)가 형성되어 있다. 이와 같은 더미 화소(DP)는 상기 화소 영역(PA)의 최외곽 화소(P)의 패턴 정밀도를 향상시키는 기능을 한다. 즉, 상기 화소 영역(PA)에 형성되는 복수의 화소(P)는 다수의 마스크 공정을 통한 다수의 패턴 형성 공정에 의해 형성되는데, 일반적으로 최외곽에 배치된 화소(P)의 경우 마스크 공정시 노광량 등을 정밀하게 제어하기 힘들어 다른 화소(P)와 달리 정밀하게 패턴 형성하기가 어려울 수 있다. 따라서, 화소 영역(PA) 내의 최외곽 화소(P)의 주변에 더미 화소(DP)를 추가로 형성함으로써 더미 화소(DP)가 최외곽에 배치된 화소가 되고, 그에 따라 화소 영역(PA) 내의 최외곽 화소(P)의 패턴 정밀도가 향상될 수 있다. A plurality of dummy pixels DP are formed in the dummy pixel area DPA. The dummy pixel DP functions to improve the pattern accuracy of the outermost pixel P of the pixel area PA. That is, the plurality of pixels P formed in the pixel area PA are formed by a plurality of pattern forming processes through a plurality of mask processes. In general, the outermost pixel P is formed during the mask process. Since it is difficult to precisely control the exposure amount, etc., it may be difficult to accurately form a pattern unlike other pixels P. Accordingly, by additionally forming the dummy pixel DP around the outermost pixel P in the pixel area PA, the dummy pixel DP becomes the outermost pixel, and accordingly, in the pixel area PA. The pattern precision of the outermost pixel P may be improved.

또한, 상기 더미 화소(DP)는 정전기 등에 의해 손상(damage)이 상기 화소 영역(PA) 내에서 발생하는 것을 최소화하는 기능도 수행한다. 즉, 최외곽에 더미 화소(DP)를 형성할 경우에는 정전기 문제가 발생하여도 주로 상기 더미 화소(DP)에 손상이 가해지므로 화소 영역(PA) 내의 화소(P)에 손상이 발생하는 것이 감소될 수 있다. In addition, the dummy pixel DP also performs a function of minimizing the occurrence of damage in the pixel area PA due to static electricity or the like. That is, when the dummy pixel DP is formed at the outermost part, damage to the pixel P in the pixel area PA is reduced because damage is mainly applied to the dummy pixel DP even if a static electricity problem occurs. Can be.

상기 더미 화소(DP)는 더미 발광부(DE) 및 더미 회로부(DC)를 포함하여 이루어진다. The dummy pixel DP includes a dummy light emitting part DE and a dummy circuit part DC.

상기 더미 발광부(DE)는 전술한 발광부(E)와 달리 발광을 하지 않는다. 예를 들어, 상기 더미 발광부(DE)는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기층 중 적어도 하나의 층을 구비하지 않음으로써 발광하지 않도록 구성될 수 있다. 특히, 상기 더미 발광부(DE)는 상기 유기층 중에서 발광기능을 수행하는 발광층을 구비하지 않음으로써 발광하지 않도록 구성될 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 더미 발광부(DE)가 상기 발광부(E)와 동일하게 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기층을 포함할 수도 있으며, 이 경우에는 상기 더미 회로부(DC)가 제기능을 하지 못하게 일부 구성이 삭제된다. The dummy light-emitting part DE does not emit light unlike the light-emitting part E described above. For example, the dummy light emitting part DE may be configured not to emit light by not including at least one of an anode, a cathode, and an organic layer formed between the anode and the cathode. In particular, the dummy light emitting part DE may be configured not to emit light by not including an emission layer that performs a light emission function among the organic layers. However, it is not necessarily limited thereto, and the dummy light emitting part DE may include an anode, a cathode, and an organic layer formed between the anode and the cathode in the same manner as the light emitting part E. In this case, the dummy circuit part Some configurations have been deleted to prevent (DC) from functioning properly.

상기 더미 회로부(DC)는 상기 더미 발광부(DE)와 연결되어 있다. 상기 더미 회로부(DC)는 상기 회로부(C)와 마찬가지로 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 기준 배선, 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 센스 박막 트랜지스터 및 커패시터 등을 포함하여 이루어질 수 있지만, 상기 구성들 중에서 어느 하나의 구성이 생략될 수 있다. 예를 들어, 상기 더미 회로부(DC)는 구동 박막 트랜지스터가 생략될 수 있다. 나아가, 상기 더미 회로부(DC)는 상기 구동 박막 트랜지스터의 일부 구성을 구비하지 않음으로써 상기 구동 박막 트랜지스터가 제기능을 수행하지 못하도록 구성될 수 있다. The dummy circuit part DC is connected to the dummy light emitting part DE. The dummy circuit unit DC, like the circuit unit C, may include a gate wiring, a data wiring, a power wiring, a reference wiring, a switching thin film transistor, a driving thin film transistor, a sense thin film transistor, and a capacitor, but the above configurations Any one of the configurations may be omitted. For example, the driving thin film transistor may be omitted in the dummy circuit unit DC. Further, the dummy circuit unit DC may not have a partial configuration of the driving thin film transistor, and thus may be configured to prevent the driving thin film transistor from performing its function.

상기 화소(P)가 위에서부터 아래 방향으로 발광부(E) 및 회로부(C)로 구성된 경우, 상기 더미 화소(P)도 위에서부터 아래 방향으로 더미 발광부(DE) 및 더미 회로부(DC)로 구성되는 것이 패턴 형성 공정 제어에 유리하다. 즉, 이 경우 상기 더미 발광부(DE)는 상기 회로부(C)와 상기 더미 회로부(DC) 사이에 형성된다. When the pixel P is composed of a light emitting part E and a circuit part C from top to bottom, the dummy pixel P is also directed to a dummy light emitting part DE and a dummy circuit part DC from top to bottom. It is advantageous for controlling the pattern formation process to be configured. That is, in this case, the dummy light emitting part DE is formed between the circuit part C and the dummy circuit part DC.

상기 정전 방전부(ESD)는 상기 화소 영역(PA)의 외곽에서 상기 더미 화소 영역(DPA)을 둘러싸도록 형성된다. 즉, 상기 정전 방전부(ESD)는 상기 더미 화소 영역(DPA)의 좌측 외곽, 우측 외곽, 상측 외곽, 및 하측 외곽에 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The electrostatic discharge part ESD is formed to surround the dummy pixel area DPA outside the pixel area PA. That is, the electrostatic discharge unit ESD may be formed on a left outer side, a right outer side, an upper outer side, and a lower outer side of the dummy pixel area DPA, but is not limited thereto.

이와 같은 정전 방전부(ESD)는 제조 공정 중에 발생하는 정전기를 방전시킴으로써 정전기가 상기 화소 영역(PA) 내로 유입되는 것을 방지하여 상기 화소(P) 내의 회로부(C)가 정전기에 의해 손상되는 것을 방지한다. Such an electrostatic discharge unit (ESD) prevents static electricity from flowing into the pixel area PA by discharging static electricity generated during the manufacturing process, thereby preventing the circuit unit C in the pixel P from being damaged by static electricity. do.

상기 게이트 구동부(110)는 상기 기판(100)의 일 측변, 예를 들어 좌 측변에 형성된다. 상기 게이트 구동부(110)가 상기 기판(100)의 좌 측변 및 우 측변에 각각 형성되는 것도 가능하다. 상기 게이트 구동부(110)는 상기 화소 영역(PA) 내의 게이트 배선에 게이트 신호를 인가한다. The gate driver 110 is formed on one side of the substrate 100, for example, on the left side. The gate driver 110 may be formed on the left and right sides of the substrate 100, respectively. The gate driver 110 applies a gate signal to a gate line in the pixel area PA.

상기 게이트 구동부(110)는 게이트 구동 집적 회로가 상기 기판(100) 상에 실장되는 COG(Chip On Glass) 구조로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 게이트 구동 집적 회로가 연성 인쇄 회로 필름(flexible printed circuit film) 상에 실장된 구조로 이루어질 수도 있고, 게이트 구동 집적 회로가 상기 기판(100) 상에 직접 형성되는 GIP(Gate In panel) 구조로 이루어질 수도 있다. The gate driving unit 110 may be formed of a COG (Chip On Glass) structure in which a gate driving integrated circuit is mounted on the substrate 100, but is not necessarily limited thereto, and the gate driving integrated circuit is a flexible printed circuit film ( A structure mounted on a flexible printed circuit film) or a gate driving integrated circuit may be formed in a GIP (Gate In Panel) structure formed directly on the substrate 100.

상기 데이터 구동부(120)는 상기 기판(100)의 타 측변, 예를 들어 상 측변에 형성된다. 상기 데이터 구동부(120)가 상기 기판(100)의 상 측변 및 하 측변에 각각 형성되는 것도 가능하다. 상기 데이터 구동부(120)는 상기 화소 영역(PA) 내의 데이터 배선에 데이터 신호를 인가한다.The data driver 120 is formed on the other side of the substrate 100, for example, on the upper side. The data driver 120 may be formed on an upper side and a lower side of the substrate 100, respectively. The data driver 120 applies a data signal to a data line in the pixel area PA.

상기 데이터 구동부(120)는 데이터 구동 집적 회로가 상기 기판(100) 상에 실장되는 COG(Chip On Glass) 구조로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 데이터 구동 집적 회로가 연성 인쇄 회로 필름(flexible printed circuit film) 상에 실장된 구조로 이루어질 수도 있다. The data driving unit 120 may be formed of a COG (Chip On Glass) structure in which a data driving integrated circuit is mounted on the substrate 100, but is not limited thereto, and the data driving integrated circuit is a flexible printed circuit film ( Flexible printed circuit film) may be mounted on a structure.

이상의 본 발명의 일 실시예에 따르면, 화소 영역(PA)과 정전 방전부(ESD) 사이에 더미 화소 영역(DPA)을 형성함으로써 정전기에 의해서 화소 영역(PA)이 손상되는 것이 줄어든다. According to the exemplary embodiment of the present invention, damage of the pixel area PA by static electricity is reduced by forming the dummy pixel area DPA between the pixel area PA and the electrostatic discharge unit ESD.

특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 더미 회로부(DC)가 상기 더미 발광부(DE)와 상기 정전 방전부(ESD) 사이에 형성되기 때문에, 상기 더미 회로부(DC)와 상기 정전 방전부(ESD)가 서로 인접하게 위치하게 되고, 그에 따라서 상기 더미 회로부(DC)와 상기 정전 방전부(ESD) 사이에서 정전기가 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 정전 방전부(ESD)에서 정전기 발생의 원인이 되는 배선의 구조를 변경함으로써, 상기 더미 회로부(DC)와 상기 정전 방전부(ESD) 사이에서 정전기가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 대해서 구체적으로 설명하면 다음과 같다. In particular, according to an embodiment of the present invention, since the dummy circuit unit DC is formed between the dummy light emitting unit DE and the electrostatic discharge unit ESD, the dummy circuit unit DC and the electrostatic discharge unit The ESDs are positioned adjacent to each other, and accordingly, static electricity may be generated between the dummy circuit unit DC and the electrostatic discharge unit ESD. However, according to an embodiment of the present invention, static electricity is generated between the dummy circuit unit DC and the electrostatic discharge unit ESD by changing the structure of the wiring that causes the generation of static electricity in the electrostatic discharge unit ESD. It can be prevented from occurring. This will be described in detail as follows.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 화소와 정전 방전부를 도시한 평면도로서, 이는 4개의 더미 화소를 도시한 것이다. 3 is a plan view showing a dummy pixel and an electrostatic discharge unit according to an exemplary embodiment of the present invention, which shows four dummy pixels.

도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 배선(GL1, GL2), 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4), 전원 배선(VDD), 기준 배선(Ref), 더미 화소(DP), 및 정전 방전부(ESD)를 포함하여 이루어진다. As can be seen from FIG. 3, in the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention, gate wirings GL1 and GL2, data wirings DL1, DL2, DL3, and DL4, power wiring VDD, and reference wiring Ref ), a dummy pixel DP, and an electrostatic discharge unit ESD.

상기 게이트 배선(GL1, GL2)은 제1 방향, 예로서 가로 방향으로 배열된 제1 게이트 배선(GL1) 및 제2 게이트 배선(GL2)을 포함하여 이루어진다. 상기 제1 게이트 배선(GL1)은 상기 더미 화소(DP)를 구성하는 더미 발광부(DE)와 더미 회로부(DC) 사이에 형성되고, 상기 제2 게이트 배선(GL2)은 상기 더미 화소(DP)를 구성하는 더미 회로부(DC)와 상기 정전 방전부(ESD) 사이에 형성된다. The gate wirings GL1 and GL2 include a first gate wiring GL1 and a second gate wiring GL2 arranged in a first direction, for example, in a horizontal direction. The first gate line GL1 is formed between the dummy light emitting unit DE and the dummy circuit unit DC constituting the dummy pixel DP, and the second gate line GL2 is the dummy pixel DP. It is formed between the dummy circuit part DC and the electrostatic discharge part ESD.

이와 같은 제1 게이트 배선(GL1) 및 제2 게이트 배선(GL2)은 각각 상기 더미 회로부(DC)와 전기적으로 연결된다. 예로서, 상기 제1 게이트 배선(GL1)은 상기 더미 회로부(DC)의 스위칭 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 게이트 배선(GL2)은 상기 더미 회로부(DC)의 센싱 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다. The first gate line GL1 and the second gate line GL2 are electrically connected to the dummy circuit unit DC, respectively. For example, the first gate wiring GL1 may be electrically connected to the switching thin film transistor of the dummy circuit unit DC, and the second gate wiring GL2 may be electrically connected to the sensing thin film transistor of the dummy circuit unit DC. Can be connected to.

상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)은 제2 방향, 예로서 세로 방향으로 배열된 제1 데이터 배선(DL1), 제2 데이터 배선(DL2), 제3 데이터 배선(DL3), 및 제4 데이터 배선(DL4)을 포함하여 이루어진다. 상기 제1 데이터 배선(DL1)과 제2 데이터 배선(DL2)은 서로 인접하게 나란히 배열되어 있고, 상기 제3 데이터 배선(DL3)과 제4 데이터 배선(DL4)도 서로 인접하게 나란히 배열되어 있다. 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)은 상기 화소(P)에 데이터 전압을 공급하게 된다. The data lines DL1, DL2, DL3, and DL4 include a first data line DL1, a second data line DL2, a third data line DL3, and a third data line DL3 arranged in a second direction, for example, a vertical direction. It includes 4 data lines DL4. The first data line DL1 and the second data line DL2 are arranged adjacent to each other, and the third data line DL3 and the fourth data line DL4 are also arranged adjacent to each other. The data lines DL1, DL2, DL3, and DL4 supply a data voltage to the pixel P.

상기 제1 데이터 배선(DL1), 제2 데이터 배선(DL2), 제3 데이터 배선(DL3), 및 제4 데이터 배선(DL4)은 각각 상기 더미 회로부(DC)와 전기적으로 연결되며, 구체적으로, 상기 더미 회로부(DC)의 스위칭 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다. The first data line DL1, the second data line DL2, the third data line DL3, and the fourth data line DL4 are each electrically connected to the dummy circuit unit DC, specifically, It may be electrically connected to the switching thin film transistor of the dummy circuit part DC.

상기 전원 배선(VDD)은 화소(도 2의 P)에 전원을 공급하는 것으로서 상기 제2 방향, 예로서 세로 방향으로 배열되어 있으며, 상기 제2 데이터 배선(DL2)과 제3 데이터 배선(DL3) 사이에 형성되어 있다. The power line VDD supplies power to a pixel (P in FIG. 2) and is arranged in the second direction, for example, in a vertical direction, and the second data line DL2 and the third data line DL3 It is formed between.

상기 전원 배선(VDD)은 좌측의 2개의 화소 및 우측의 2개의 화소 각각에 전원을 공급하기 때문에, 좌우로 연장된 가로 방향의 섬(island) 구조의 배선(미도시)과 전기적으로 연결되며, 이와 같은 섬 구조의 배선이 각각의 회로부(C), 구체적으로 각각의 회로부(C)의 구동 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전원 배선(VDD)과 섬 구조의 배선 사이의 연결구성은 더미 화소(DP)에도 동일하게 적용될 수 있다. Since the power wiring VDD supplies power to each of the two pixels on the left and the two pixels on the right, it is electrically connected to a horizontal island-structured wiring (not shown) extending left and right, Such island-structured wiring may be electrically connected to each of the circuit units C, specifically, the driving thin film transistors of each of the circuit units C. The connection configuration between the power wiring VDD and the island-structured wiring may be equally applied to the dummy pixel DP.

상기 기준 배선(Ref)은 상기 제2 방향, 예로서 세로 방향으로 배열되어 있으며, 상기 제1 데이터 배선(DL1)의 좌측 및 상기 제4 데이터 배선(DL4)의 우측에 형성되어 있다. The reference wiring Ref is arranged in the second direction, for example, in a vertical direction, and is formed on the left side of the first data line DL1 and on the right side of the fourth data line DL4.

이와 같은 기준 배선(Ref)도 전술한 전원 배선(VDD)과 마찬가지로 좌측의 2개의 화소 및 우측의 2개의 화소 각각과 연결될 수 있으며, 이를 위해서 좌우로 연장된 가로 방향의 섬(island) 구조의 배선(미도시)이 상기 기준 배선(Ref)과 연결되고, 이와 같은 섬 구조의 배선이 각각의 회로부(C), 구체적으로 각각의 회로부(C)의 센싱 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기준 배선(Ref)과 섬 구조의 배선 사이의 연결구성은 더미 화소(DP)에도 동일하게 적용될 수 있다. Like the above-described power wiring VDD, the reference wiring Ref can be connected to each of the two pixels on the left and the two pixels on the right. To this end, a wiring of an island structure in a horizontal direction extending left and right (Not shown) is connected to the reference wiring Ref, and the island-structured wiring may be electrically connected to each of the circuit units C, specifically, the sensing thin film transistors of each of the circuit units C. The connection configuration between the reference wiring Ref and the island-structured wiring may be equally applied to the dummy pixel DP.

상기 센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하기 위한 것으로서, 상기 센싱 박막 트랜지스터는 상기 제2 게이트 배선(GL2)에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 구동 박막 트랜지스터의 전류를 상기 기준 배선(Ref)으로 공급한다. The sensing thin film transistor is for sensing a threshold voltage deviation of the driving thin film transistor that causes the image quality to deteriorate, and the sensing thin film transistor is in response to a sensing control signal supplied from the second gate line GL2. Current is supplied to the reference wiring Ref.

다만, 상기 더미 화소(DP)는 발광을 하지 않기 때문에, 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 및 센싱 박막 트랜지스터 중 적어도 하나가 형성되지 않을 수 있다. However, since the dummy pixel DP does not emit light, at least one of a switching thin film transistor, a driving thin film transistor, and a sensing thin film transistor may not be formed.

상기 제1 데이터 배선(DL1)과 기준 배선(Ref) 사이에서 하나의 더미 화소(DP)가 마련되고, 상기 제2 데이터 배선(DL2)과 전원 배선(VDD) 사이에서 다른 하나의 더미 화소(DP)가 마련되고, 상기 전원 배선(VDD)과 상기 제3 데이터 배선(DL3) 사이에서 또 다른 하나의 더미 화소(DP)가 마련되고, 상기 제4 데이터 배선(DL4)과 기준 배선(Ref) 사이에서 또 다른 하나의 더미 화소(DP)가 마련된다. 이와 같은 구성에 의할 때, 하나의 전원 배선(VDD)으로 4개의 화소(P)에 각각 고전위 전원을 공급할 수 있고, 또한 하나의 기준 배선(Ref)이 4개의 화소(P)와 각각 연결될 수 있어, 전체 배선 수가 감소되는 효과가 있다. One dummy pixel DP is provided between the first data line DL1 and the reference line Ref, and another dummy pixel DP is provided between the second data line DL2 and the power line VDD. ) Is provided, another dummy pixel DP is provided between the power line VDD and the third data line DL3, and between the fourth data line DL4 and the reference line Ref Another dummy pixel DP is provided in FIG. According to this configuration, high potential power can be supplied to each of the four pixels P with one power line (VDD), and one reference line (Ref) can be connected to each of the four pixels (P). So that the total number of wirings is reduced.

다만, 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4), 전원 배선(VDD), 및 기준 배선(Ref)의 배열 모습이 반드시 도 3과 같은 구조로 한정되는 것은 아니다. However, the arrangement of the data lines DL1, DL2, DL3, and DL4, the power line VDD, and the reference line Ref is not necessarily limited to the structure shown in FIG. 3.

상기 더미 화소(DP)는 더미 발광부(DE)와 더미 회로부(DC)로 이루어진다. 이때, 상기 더미 회로부(DC)와 상기 정전 방전부(ESD)가 서로 인접하고 있기 때문에, 상기 더미 회로부(DC)와 상기 정전 방전부(ESD) 사이에서 정전기가 발생할 수 있다. 특히, 상기 더미 회로부(DC)를 구성하는 제2 게이트 배선(GL2)과 상기 정전 방전부(ESC)를 구성하는 연결 배선(210)이 서로 인접하고 있기 때문에, 상기 제2 게이트 배선(GL2)과 상기 연결 배선(210) 사이에서 정전기가 발생할 수 있다. The dummy pixel DP includes a dummy light emitting part DE and a dummy circuit part DC. At this time, since the dummy circuit unit DC and the electrostatic discharge unit ESD are adjacent to each other, static electricity may be generated between the dummy circuit unit DC and the electrostatic discharge unit ESD. In particular, since the second gate wiring GL2 constituting the dummy circuit unit DC and the connection wiring 210 constituting the electrostatic discharge unit ESC are adjacent to each other, the second gate wiring GL2 and Static electricity may be generated between the connection wirings 210.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 연결 배선(210)을 패드 링크 배선(220)과 분리하여 형성함으로써, 상기 제2 게이트 배선(GL2)과 상기 연결 배선(210) 사이의 정전기 발생을 줄일 수 있게 된다. 이하에서 구체적으로 설명한다. However, according to an embodiment of the present invention, by forming the connection wiring 210 separately from the pad link wiring 220, generation of static electricity between the second gate wiring GL2 and the connection wiring 210 is prevented. Can be reduced. It will be described in detail below.

참고로, 도면에는 제1, 제2 게이트 배선(GL1, GL2)과 더미 회로부(DC)를 별개로 도시하였지만, 이는 더미 회로부(DC)를 더미 발광부(DE)과 구분하기 위해서 편의상 도시한 것일 뿐, 제1, 제2 게이트 배선(GL1, GL2)은 더미 회로부(DC)를 구성하는 구성요소이다. 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4), 전원 배선(VDD), 및 기준 배선(Ref)도 마찬가지로 더미 회로부(DC)를 구성하는 구성요소이다.For reference, in the drawings, the first and second gate wirings GL1 and GL2 and the dummy circuit unit DC are separately shown, but this is for convenience to distinguish the dummy circuit unit DC from the dummy light emitting unit DE. However, the first and second gate wirings GL1 and GL2 are constituent elements constituting the dummy circuit unit DC. The data wirings DL1, DL2, DL3, and DL4, the power wiring VDD, and the reference wiring Ref are similarly components constituting the dummy circuit unit DC.

상기 정전 방전부(ESD)는 박막 트랜지스터(T) 및 상기 박막 트랜지스터(T)와 연결된 연결 배선(210)을 포함하여 이루어진다. The electrostatic discharge unit ESD includes a thin film transistor T and a connection wiring 210 connected to the thin film transistor T.

상기 정전 방전부(ESD)에 형성된 박막 트랜지스터(T)는 각각의 더미 화소(DP)에 대응하게 형성된다. 즉, 4개의 더미 화소(DP) 각각에 상기 박막 트랜지스터(T)가 전기적으로 연결되어 있다. 다만, 상기 더미 화소(DP)가 형성되지 않을 경우, 상기 정전 방전부(ESD)의 박막 트랜지스터(T)는 4개의 화소(P) 각각에 전기적으로 연결된다. The thin film transistor T formed in the electrostatic discharge part ESD is formed corresponding to each dummy pixel DP. That is, the thin film transistor T is electrically connected to each of the four dummy pixels DP. However, when the dummy pixel DP is not formed, the thin film transistor T of the electrostatic discharge unit ESD is electrically connected to each of the four pixels P.

상기 박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(G), 액티브층(미도시), 소스 전극(S), 및 드레인 전극(D)을 포함하여 이루어진다. 상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 게이트 전극(G)이 상기 액티브층(미도시)의 아래에 위치하는 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조로 형성될 수도 있고, 상기 게이트 전극(G)이 상기 액티브층(미도시)의 위에 위치하는 탑 게이트(Top Gate) 구조로 형성될 수도 있다. The thin film transistor T includes a gate electrode G, an active layer (not shown), a source electrode S, and a drain electrode D. The thin film transistor T may be formed in a bottom gate structure in which the gate electrode G is positioned under the active layer (not shown), and the gate electrode G is the active layer ( (Not shown) may be formed in a top gate structure.

상기 게이트 전극(G)은 상기 제1, 제2 게이트 배선(GL1, GL2)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. The gate electrode G may be formed of the same material on the same layer as the first and second gate wirings GL1 and GL2.

상기 소스 전극(S)은 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)과 연결되어 있다. 이와 같은 소스 전극(S)은 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. The source electrode S is connected to the data lines DL1, DL2, DL3, and DL4. The source electrode S may be formed of the same material on the same layer as the data lines DL1, DL2, DL3, and DL4.

상기 드레인 전극(D)은 상기 소스 전극(S)과 마주하도록 형성되어 있다. 이와 같은 드레인 전극(D)은 상기 소스 전극(S)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 드레인 전극(D)은 연결 배선(210)에 전기적으로 연결되어 있다. 상기 드레인 전극(D)과 상기 연결 배선(210)은 서로 상이한 층에 형성되므로, 상기 드레인 전극(D)은 제3 콘택홀(CH3)을 통해서 상기 연결 배선(210)에 연결되어 있다. The drain electrode D is formed to face the source electrode S. The drain electrode D may be formed of the same material on the same layer as the source electrode S. The drain electrode D is electrically connected to the connection wiring 210. Since the drain electrode D and the connection wiring 210 are formed on different layers, the drain electrode D is connected to the connection wiring 210 through a third contact hole CH3.

상기 연결 배선(210)은 정전기를 방전하기 위한 것으로서 상기 박막 트랜지스터(T)와 연결됨과 동시에 상기 전원 배선(VDD)과도 연결되어 있다. 따라서, 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)에 흐르는 정전기는 상기 박막 트랜지스터(T)의 스위칭에 의해서 상기 연결 배선(210)을 경유하여 상기 고전압의 전원 배선(VDD)을 통해 빠져나갈 수 있다. The connection wiring 210 is for discharging static electricity, and is connected to the thin film transistor T and to the power wiring VDD at the same time. Therefore, static electricity flowing through the data lines DL1, DL2, DL3, and DL4 can escape through the high voltage power supply line VDD through the connection line 210 by switching of the thin film transistor T. have.

전술한 바와 같이 상기 연결 배선(210)은 제3 콘택홀(CH3)을 통해서 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)에 연결되어 있다. 또한, 상기 연결 배선(210)은 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 상기 전원 배선(VDD)에 연결되어 있다. 즉, 상기 연결 배선(210)과 상기 전원 배선(VDD)은 서로 상이한 층에 형성되므로, 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 상기 연결 배선(210)과 상기 전원 배선(VDD)이 서로 전기적으로 연결된다. 상기 연결 배선(210)은 상기 제1, 제2 게이트 배선(GL1, GL2)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. 도면에는 1개의 제1 콘택홀(CH1)만을 도시하였지만, 상기 연결 배선(210)과 상기 전원 배선(VDD) 사이의 전기적 연결을 위해서 복수 개의 제1 콘택홀(CH1)이 형성될 수도 있다. As described above, the connection wiring 210 is connected to the drain electrode D of the thin film transistor T through the third contact hole CH3. In addition, the connection wiring 210 is connected to the power wiring VDD through a first contact hole CH1. That is, since the connection wiring 210 and the power wiring VDD are formed on different layers, the connection wiring 210 and the power wiring VDD are electrically connected to each other through the first contact hole CH1. Connected. The connection wiring 210 may be formed of the same material on the same layer as the first and second gate wirings GL1 and GL2. Although only one first contact hole CH1 is shown in the drawing, a plurality of first contact holes CH1 may be formed for electrical connection between the connection line 210 and the power line VDD.

상기 연결 배선(210)은 각각의 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)과 상기 전원 배선(VDD)을 연결하는 역할을 하기 때문에, 상기 전원 배선(VDD) 영역을 중심으로 하여 좌우 방향으로 연장된다. 따라서, 도시된 바와 같이 제1 방향, 즉, 상기 제2 게이트 배선(GL2)과 나란하게 가로 방향으로 연장되어 있다.Since the connection wiring 210 serves to connect the drain electrode D of each thin film transistor T and the power wiring VDD, it extends in the left and right direction around the power wiring VDD region. do. Accordingly, as shown, it extends in the first direction, that is, in the horizontal direction parallel to the second gate wiring GL2.

상기 연결 배선(210)이 가로 방향으로 연장되므로 상기 연결 배선(210)은 세로 방향으로 연장된 복수의 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)과 교차하게 된다. 이와 같이 하나의 연결 배선(210)이 복수의 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)과 교차하기 때문에, 하나의 연결 배선(210)을 각각의 박막 트랜지스터(T)를 통해서 복수의 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)과 연결할 수 있고, 그에 따라 복수의 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)에서 발생하는 정전기가 하나의 연결 배선(210)을 통해서 방출될 수 있게 된다. Since the connection wire 210 extends in the horizontal direction, the connection wire 210 intersects a plurality of data wires DL1, DL2, DL3, and DL4 extending in the vertical direction. In this way, since one connection line 210 crosses the plurality of data lines DL1, DL2, DL3, and DL4, one connection line 210 is connected to a plurality of data lines ( It can be connected to DL1, DL2, DL3, and DL4, and accordingly, static electricity generated in the plurality of data lines DL1, DL2, DL3, and DL4 can be discharged through one connection line 210.

한편, 상기 연결 배선(210)이 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)과 교차하게 형성되므로, 양자의 교차 영역에서 상기 연결 배선(210)과 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4) 사이의 정전기 발생을 방지할 필요가 있고, 그에 따라 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4)과 교차하는 상기 연결 배선(210)의 영역에는 홀(H)이 형성되어 있다. 즉, 상기 홀(H)에 의해서 상기 연결 배선(210)과 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4) 사이의 중첩 면적이 감소되어 양자 사이의 정전기 발생이 감소될 수 있다. Meanwhile, since the connection wire 210 is formed to cross the data wires DL1, DL2, DL3, and DL4, the connection wire 210 and the data wires DL1, DL2, DL3, and DL4 are formed in both cross-regions. ), it is necessary to prevent generation of static electricity, and accordingly, a hole H is formed in an area of the connection line 210 that crosses the data lines DL1, DL2, DL3, and DL4. That is, the overlapping area between the connection wiring 210 and the data wirings DL1, DL2, DL3, and DL4 may be reduced by the hole H, so that generation of static electricity between them may be reduced.

이와 같은 연결 배선(210)은 섬(island) 구조로 형성되어 있다. 따라서, 상기 연결 배선(210)은 상기 패드 링크 배선(220)과 마주하면서 이격되어 있다. 상기 패드 링크 배선(220)은 상기 전원 배선(VDD)을 전원 패드(미도시)와 연결시키는 역할을 하는 것이다. 따라서, 상기 패드 링크 배선(220)의 일단은 상기 전원 배선(VDD)과 전기적으로 연결되고, 상기 패드 링크 배선(220)의 타단은 상기 전원 패드(미도시)와 연결되어 있다. 상기 패드 링크 배선(220)과 상기 전원 배선(VDD)은 서로 상이한 층에 형성되므로, 상기 패드 링크 배선(220)은 제2 콘택홀(CH2)을 통해서 상기 전원 배선(VDD)과 전기적으로 연결된다. 도면에는 1개의 제2 콘택홀(CH2)만을 도시하였지만, 상기 패드 링크 배선(220)과 상기 전원 배선(VDD) 사이의 전기적 연결을 위해서 복수 개의 제2 콘택홀(CH2)이 형성될 수도 있다. The connection wiring 210 is formed in an island structure. Accordingly, the connection wiring 210 is spaced apart while facing the pad link wiring 220. The pad link wiring 220 serves to connect the power wiring VDD to a power pad (not shown). Accordingly, one end of the pad link wiring 220 is electrically connected to the power wiring VDD, and the other end of the pad link wiring 220 is connected to the power pad (not shown). Since the pad link wiring 220 and the power wiring VDD are formed on different layers, the pad link wiring 220 is electrically connected to the power wiring VDD through a second contact hole CH2. . Although only one second contact hole CH2 is shown in the drawing, a plurality of second contact holes CH2 may be formed for electrical connection between the pad link line 220 and the power line VDD.

상기 패드 링크 배선(220)은 상기 연결 배선(210)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1, 제2 게이트 배선(GL1, GL2), 상기 연결 배선(210), 및 상기 패드 링크 배선(220)은 모두 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. The pad link wiring 220 may be formed of the same material on the same layer as the connection wiring 210. Accordingly, the first and second gate wirings GL1 and GL2, the connection wiring 210, and the pad link wiring 220 may all be formed of the same material on the same layer.

상기 연결 배선(210)과 상기 패드 링크 배선(220)은 서로 연결되어도 무방하다. 오히려, 상기 연결 배선(210)과 상기 패드 링크 배선(220)을 일체(one body)로 형성하는 것이 패턴 공정을 용이하게 할 수 있다. 그러나, 상기 연결 배선(210)과 상기 패드 링크 배선(220)이 서로 연결되어 있으면, 상기 연결 배선(210)에서의 전하 충전(charging)이 커지게 되어, 그로 인해서 서로 나란히 배열되면서 마주하고 있는 상기 연결 배선(210)과 상기 제2 게이트 배선(GL2) 사이에서 정전기 발생 가능성이 커지게 된다. The connection wiring 210 and the pad link wiring 220 may be connected to each other. Rather, forming the connection wiring 210 and the pad link wiring 220 as one body may facilitate a pattern process. However, when the connection wiring 210 and the pad link wiring 220 are connected to each other, the charge charging in the connection wiring 210 increases, so that the The possibility of generating static electricity between the connection wiring 210 and the second gate wiring GL2 increases.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 연결 배선(210)을 섬(island) 구조로 형성하여 상기 연결 배선(210)과 상기 패드 링크 배선(220)을 서로 이격되도록 분리형성함으로써, 상기 연결 배선(210)에서의 전하 충전량을 감소시킬 수 있고, 그에 따라 서로 나란히 배열되면서 마주하고 있는 상기 연결 배선(210)과 상기 제2 게이트 배선(GL2) 사이에서 정전기 발생이 방지될 수 있다. Accordingly, according to an embodiment of the present invention, the connection wiring 210 is formed in an island structure to separate the connection wiring 210 and the pad link wiring 220 so as to be spaced apart from each other. The amount of charge in the wiring 210 may be reduced, and accordingly, generation of static electricity may be prevented between the connection wiring 210 and the second gate wiring GL2 facing each other while being arranged side by side.

도 4는 도 3의 I-I라인의 일 실시예에 따른 단면을 도시한 것이다. 4 is a cross-sectional view of the line I-I of FIG. 3 according to an exemplary embodiment.

도 4에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에는 연결 배선(210)과 패드 링크 배선(220)이 서로 이격되어 있고, 상기 연결 배선(210)과 패드 링크 배선(220) 상에는 게이트 절연막(300)이 형성되어 있다. As can be seen in FIG. 4, the connection wiring 210 and the pad link wiring 220 are spaced apart from each other on the substrate 100, and the gate insulating layer 300 is formed on the connection wiring 210 and the pad link wiring 220. Is formed.

상기 게이트 절연막(300) 상에는 에치 스톱퍼층(400)이 형성되어 있는데, 상기 에치 스톱퍼층(400)은 경우에 따라서 생략할 수도 있다. An etch stopper layer 400 is formed on the gate insulating layer 300, and the etch stopper layer 400 may be omitted in some cases.

상기 에치 스톱퍼층(400) 상에는 전원 배선(VDD)이 형성되어 있다. 상기 전원 배선(VDD)은 상기 연결 배선(210) 및 패드 링크 배선(220)과 각각 연결되어 있다. 구체적으로 설명하면, 상기 게이트 절연막(300) 및 상기 에치 스톱퍼층(400)은 상기 연결 배선(210)이 노출되도록 그 내부에 제1 콘택홀(CH1)이 형성되어 있고, 상기 전원 배선(VDD)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 상기 연결 배선(210)과 연결되어 있다. 또한, 상기 게이트 절연막(300) 및 상기 에치 스톱퍼층(400)은 상기 패드 링크 배선(220)이 노출되도록 그 내부에 제2 콘택홀(CH2)이 형성되어 있고, 상기 전원 배선(VDD)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해서 상기 패드 링크 배선(220)과 연결되어 있다. A power line VDD is formed on the etch stopper layer 400. The power wiring VDD is connected to the connection wiring 210 and the pad link wiring 220, respectively. Specifically, the gate insulating layer 300 and the etch stopper layer 400 have a first contact hole CH1 formed therein so that the connection wiring 210 is exposed, and the power wiring VDD Is connected to the connection wiring 210 through the first contact hole CH1. In addition, the gate insulating layer 300 and the etch stopper layer 400 have a second contact hole CH2 formed therein so that the pad link wiring 220 is exposed, and the power wiring VDD is It is connected to the pad link wiring 220 through a second contact hole CH2.

상기 전원 배선(VDD) 상에는 보호막(500)이 형성되어 있고, 상기 보호막(500) 상에는 평탄화막(600)이 형성되어 있다. A protective layer 500 is formed on the power line VDD, and a planarization layer 600 is formed on the protective layer 500.

이상은 화소(P)와 정전 방전부(ESD) 사이에 더미 화소(DP)가 형성된 경우에 대해서 설명하였지만, 본 발명이 반드시 더미 화소(DP)를 포함해야 하는 것은 아니다. 즉, 본 발명은 더미 화소(DP)가 생략되어 화소(P)의 외곽에 바로 정전 방전부(ESD)가 형성되는 경우를 포함한다. 이 경우 화소(P)의 구조는 전술한 더미 화소(P)와 유사하며, 다만 상이한 점은 발광을 위해서 필요한 구성이 모두 포함된다는 것이다. In the above, the case where the dummy pixel DP is formed between the pixel P and the electrostatic discharge unit ESD has been described, but the present invention does not necessarily include the dummy pixel DP. That is, the present invention includes a case in which the dummy pixel DP is omitted so that the electrostatic discharge unit ESD is formed immediately outside the pixel P. In this case, the structure of the pixel P is similar to that of the dummy pixel P described above, except that all configurations necessary for light emission are included.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)의 회로도이다. 이하에서 설명하는 화소는 전술한 게이트 배선(GL1, GL2), 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4), 전원 배선(VDD), 기준 배선(Ref), 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 센싱 박막 트랜지스터, 및 커패시터를 모두 포함한 일 예이다. 5 is a circuit diagram of a pixel P according to an exemplary embodiment of the present invention. The pixels described below are the gate wirings GL1 and GL2, the data wirings DL1, DL2, DL3, and DL4, the power wiring VDD, the reference wiring Ref, the switching thin film transistor, the driving thin film transistor, and the sensing thin film. This is an example including both a transistor and a capacitor.

도 5에서 알 수 있듯이, 각각의 화소(P)는 제1 게이트 배선(GL1), 제2 게이트 배선(GL2), 데이터 배선(DL), 전원 배선(VDD), 기준 배선(Ref), 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 구동 박막 트랜지스터(T2), 센싱 박막 트랜지스터(T3), 커패시터(C), 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함하여 이루어진다. As can be seen from FIG. 5, each pixel P is a first gate line GL1, a second gate line GL2, a data line DL, a power line VDD, a reference line Ref, and a switching thin film. A transistor T1, a driving thin film transistor T2, a sensing thin film transistor T3, a capacitor C, and an organic light emitting diode OLED are included.

상기 제1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제2 게이트 배선(GL2)은 제1 방향, 예로서 가로 방향으로 나란히 배열되어 있다. The first gate wiring GL1 and the second gate wiring GL2 are arranged side by side in a first direction, for example, a horizontal direction.

상기 데이터 배선(DL), 상기 전원 배선(VDD), 및 상기 기준 배선(Ref)은 제2 방향, 예로서 세로 방향으로 나란히 배열되어 있다. The data line DL, the power line VDD, and the reference line Ref are arranged side by side in a second direction, for example, a vertical direction.

상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 상기 제1 게이트 배선(GL1) 및 상기 데이터 배선(DL)과 각각 연결되어 있다. 상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 상기 제1 게이트 배선(GL1)에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 배선(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)에 공급한다. The switching thin film transistor T1 is connected to the first gate line GL1 and the data line DL, respectively. The switching thin film transistor T1 is switched according to a gate signal supplied to the first gate line GL1 to supply a data voltage supplied from the data line DL to the driving thin film transistor T2.

상기 구동 박막 트랜지스터(T2)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1) 및 상기 전원 배선(VDD)과 각각 연결되어 있다. 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 전원 배선(VDD)에서 공급되는 고전위 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 상기 유기 발광 다이오드(OLED)에 공급한다. The driving thin film transistor T2 is connected to the switching thin film transistor T1 and the power line VDD, respectively. The driving thin film transistor T2 is switched according to the data voltage supplied from the switching thin film transistor T1 to generate a data current from the high potential power supplied from the power wiring VDD to the organic light emitting diode OLED. Supply.

상기 센싱 박막 트랜지스터(T3)는 상기 구동 박막 트랜지스터(T3), 상기 제2 게이트 배선(GL2), 및 상기 기준 배선(Ref)과 각각 연결되어 있다. 상기 센싱 박막 트랜지스터(T3)는 화질 저하의 원인이 되는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 문턱 전압 편차를 센싱하기 위한 것으로서, 이와 같은 문턱 전압 편차의 센싱은 센싱 모드에서 수행한다. 상기 센싱 박막 트랜지스터(T3)는 상기 제2 게이트 배선(GL2)에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 전류를 상기 기준 배선(Ref)으로 공급한다.The sensing thin film transistor T3 is connected to the driving thin film transistor T3, the second gate wiring GL2, and the reference wiring Ref, respectively. The sensing thin film transistor T3 is for sensing a threshold voltage deviation of the driving thin film transistor T2 that causes image quality deterioration, and the sensing of the threshold voltage deviation is performed in a sensing mode. The sensing thin film transistor T3 supplies the current of the driving thin film transistor T2 to the reference line Ref in response to a sensing control signal supplied from the second gate line GL2.

상기 커패시터(C)는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 단자 및 소스 단자와 각각 연결되어 있다. 상기 커패시터(C)는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시킨다. The capacitor C is connected to a gate terminal and a source terminal of the driving thin film transistor T2, respectively. The capacitor C maintains the data voltage supplied to the driving thin film transistor T2 for one frame.

상기 유기 발광 다이오드(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2) 및 저전위 전원(VSS)과 각각 연결되어 있다. 상기 유기 발광 다이오드(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)에서 공급되는 데이터 전류에 따라 소정의 광을 발광한다. The organic light emitting diode OLED is connected to the driving thin film transistor T2 and the low potential power supply VSS, respectively. The organic light emitting diode OLED emits light according to a data current supplied from the driving thin film transistor T2.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다 Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 기판 110: 게이트 구동부
120: 데이터 구동부 210: 연결 배선
220: 패드 링크 배선 300: 게이트 절연막
400: 에치 스톱퍼층 500: 보호막
600: 평탄화막
100: substrate 110: gate driver
120: data driver 210: connection wiring
220: pad link wiring 300: gate insulating film
400: etch stopper layer 500: protective film
600: planarization film

Claims (7)

기판 상의 화소 영역에 형성된 화소;
상기 화소에 전원을 공급하는 전원 배선;
상기 화소에 데이터 전압을 공급하는 데이터 배선; 및
상기 화소 영역의 외곽에 형성된 정전 방전부를 포함하여 이루어지고,
상기 정전 방전부는 정전기를 방전하기 위한 연결 배선 및 상기 연결 배선과 연결된 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어지고,
상기 연결 배선은 섬 구조로 형성되어 있고,
상기 연결 배선은 제1 콘택홀을 통해서 상기 전원 배선과 연결되어 있는 유기 발광 표시 장치.
A pixel formed in a pixel area on the substrate;
A power line supplying power to the pixel;
A data line supplying a data voltage to the pixel; And
Comprising an electrostatic discharge unit formed outside the pixel area,
The electrostatic discharge unit includes a connection wiring for discharging static electricity and a thin film transistor connected to the connection wiring,
The connection wiring is formed in an island structure,
The connection wire is connected to the power wire through a first contact hole.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 전원 배선과 제2 콘택홀을 통해서 연결되는 패드 링크 배선을 추가로 포함하고,
상기 연결 배선은 상기 패드 링크 배선과 마주하면서 이격되어 있는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
Further comprising a pad link wiring connected through the power wiring and the second contact hole,
The connection wire is spaced apart from the pad link wire.
제1항에 있어서,
상기 연결 배선은 상기 데이터 배선과 교차하도록 형성되며, 상기 데이터 배선과 교차하는 상기 연결 배선의 영역에는 홀이 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
The connection wiring is formed to cross the data line, and a hole is formed in an area of the connection line crossing the data line.
제4항에 있어서,
상기 연결 배선은 복수의 데이터 배선과 교차하는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 4,
The connection wiring crosses a plurality of data wirings.
제1항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극 및 상기 연결 배선과 제3 콘택홀을 통해서 연결된 드레인 전극을 포함하여 이루어진 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
The thin film transistor includes a source electrode connected to the data line and a drain electrode connected to the connection line through a third contact hole.
제1항에 있어서,
상기 화소와 상기 정전 방전부 사이에 더미 화소가 추가로 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
An organic light-emitting display device in which a dummy pixel is additionally formed between the pixel and the electrostatic discharge part.
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