KR102194145B1 - Apparatus for treating substrate and method for treating substrate using the same - Google Patents

Apparatus for treating substrate and method for treating substrate using the same Download PDF

Info

Publication number
KR102194145B1
KR102194145B1 KR1020140068557A KR20140068557A KR102194145B1 KR 102194145 B1 KR102194145 B1 KR 102194145B1 KR 1020140068557 A KR1020140068557 A KR 1020140068557A KR 20140068557 A KR20140068557 A KR 20140068557A KR 102194145 B1 KR102194145 B1 KR 102194145B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
frame
substrate
electrode plate
bending
bending frame
Prior art date
Application number
KR1020140068557A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150140497A (en
Inventor
프루신스키 발레리
김민수
노석원
강태욱
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140068557A priority Critical patent/KR102194145B1/en
Priority to CN201510032913.6A priority patent/CN105304547B/en
Publication of KR20150140497A publication Critical patent/KR20150140497A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102194145B1 publication Critical patent/KR102194145B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Abstract

기판 처리 장치는 기판 상에 배치된 전극플레이트 및 상기 전극플레이트의 가장자리에 배치된 벤딩프레임을 포함한다. 상기 벤딩프레임은 제1 방향으로 연장된 가상선을 기준으로 상기 가상선의 양측에 배치된 제1 프레임 및 제2 프레임을 포함하며, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이의 각도를 조절하여 상기 기판을 상기 전극플레이트에 고정시킨다. The substrate processing apparatus includes an electrode plate disposed on a substrate and a bending frame disposed at an edge of the electrode plate. The bending frame includes a first frame and a second frame disposed on both sides of the virtual line based on a virtual line extending in a first direction, and adjusting an angle between the first frame and the second frame to the substrate Is fixed to the electrode plate.

Description

기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE USING THE SAME}Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE USING THE SAME}

본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same.

액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED), 태양 전지, 그리고 반도체 소자 등의 처리 공정은 기상 증착(vapor deposition) 공정, 식각(etching) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정 등 다양한 처리 공정을 포함한다. Liquid Crystal Display (LCD), Organic Light-Emitting Diode (OLED), solar cell, and semiconductor devices are processed by vapor deposition, etching, and sputtering. It includes various treatment processes such as (sputtering) process.

최근에는 기판이 대형화됨에 따라 기판을 균일하게 처리하는 장치 및 방법에 대한 많은 연구가 진행 중이다.Recently, as substrates become larger, many studies are underway on apparatuses and methods for uniformly treating substrates.

본 발명의 실시예들은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus capable of uniformly processing a substrate, and a substrate processing method using the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판을 고정시키는 전극플레이트 및 상기 기판을 벤딩시키는 벤딩프레임을 포함한다. 상기 전극플레이트는 상기 기판 상에 배치된다. 상기 전극플레이트의 일면에는 상기 기판의 상면이 부착된다. 상기 전극플레이트는 평면상에서 볼 때, 제1 방향으로 연장된 제1 단변과 제2 단변 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장된 제1 장변과 제2 장변을 갖는 직사각 형상으로 제공될 수 있다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes an electrode plate for fixing the substrate and a bending frame for bending the substrate. The electrode plate is disposed on the substrate. An upper surface of the substrate is attached to one surface of the electrode plate. The electrode plate may be provided in a rectangular shape having a first short side and a second short side extending in a first direction and a first long side and a second long side extending in a second direction orthogonal to the first direction when viewed in plan view. I can.

상기 벤딩프레임은 상기 전극플레이트의 가장자리를 따라 배치된다. 상기 벤딩프레임은 평면상에서 볼 때, 직사각형의 고리형상으로 제공될 수 있다. 상기 벤딩프레임은 상기 제1 방향으로 연장된 가상선을 기준으로 상기 가상선의 양측에 배치된 제1 프레임 및 제2 프레임을 포함한다. 상기 가상선은 평면상에서 볼 때, 상기 전극플레이트 일면의 중앙부와 중첩된다. The bending frame is disposed along the edge of the electrode plate. When viewed in plan view, the bending frame may be provided in a rectangular annular shape. The bending frame includes a first frame and a second frame disposed on both sides of the virtual line based on the virtual line extending in the first direction. The imaginary line overlaps with a central portion of one surface of the electrode plate when viewed in a plan view.

상기 제1 프레임은 상기 제1 단변에 대응되며 상기 전극플레이트의 일면과 수직한 제1 측벽부 및 상기 제1 측벽부로부터 절곡 연장되며 상기 전극플레이트의 일면과 마주보는 제1 지지부를 포함한다. 또한, 상기 제1 프레임은 상기 제1 측벽부에 연결되며 상기 제1 장변 및 상기 제2 장변을 따라 상기 제2 방향으로 연장된 제1 연장부 및 제2 연장부를 더 포함한다. The first frame includes a first sidewall portion corresponding to the first short side and perpendicular to one surface of the electrode plate, and a first support portion bent and extended from the first sidewall portion and facing one surface of the electrode plate. In addition, the first frame further includes a first extension part and a second extension part connected to the first side wall part and extending in the second direction along the first long side and the second long side.

상기 제2 프레임은 상기 제2 단변에 대응되며 상기 전극플레이트의 일면과 수직한 제2 측벽부 및 상기 제2 측벽부로부터 절곡 연장되며 상기 전극플레이트의 일면과 마주보는 제2 지지부를 포함한다. 또한, 상기 제2 프레임은 상기 제2 측벽부에 연결되며 상기 제1 장변 및 상기 제2 장변을 따라 상기 제2 방향의 반대방향으로 연장된 제3 연장부 및 제4 연장부를 더 포함한다.The second frame includes a second sidewall portion corresponding to the second short side and perpendicular to one surface of the electrode plate, and a second support portion bent and extended from the second sidewall portion and facing one surface of the electrode plate. In addition, the second frame further includes a third extension part and a fourth extension part connected to the second sidewall part and extending in a direction opposite to the second direction along the first long side and the second long side.

상기 제1 연장부의 일부분과 상기 제3 연장부의 일부분은 상기 가상선과 만나는 부분에서 서로 중첩된다. 또한, 상기 제2 연장부의 일부분과 상기 제4 연장부의 일부분은 상기 가상선과 만나는 부분에서 서로 중첩된다. A portion of the first extension portion and a portion of the third extension portion overlap each other at a portion meeting the virtual line. In addition, a portion of the second extension portion and a portion of the fourth extension portion overlap each other at a portion meeting the virtual line.

상기 벤딩프레임은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 상기 가상선과 만나는 부분에 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임을 연결시키는 연결부재를 더 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연결부재는 힌지이다. The bending frame further includes a connecting member connecting the first frame and the second frame to a portion where the first frame and the second frame meet the virtual line. In one embodiment of the present invention, the connecting member is a hinge.

상기 연결부재는 상기 제1 연장부와 상기 제3 연장부가 중첩되는 부분 및 상기 제2 연장부와 상기 제4 연장부가 중첩되는 부분에 각각 제공된다. The connecting member is provided at a portion where the first extension portion and the third extension portion overlap and a portion where the second extension portion and the fourth extension portion overlap.

상기 벤딩프레임은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이의 각도를 조절하여 상기 기판을 벤딩시킬 수 있다.The bending frame may bend the substrate by adjusting an angle between the first frame and the second frame.

상기 벤딩프레임의 상기 제1 연장부와 상기 제3 연장부 사이의 제1 각도는 약 90˚이상 내지 약 270°이하일 수 있다. 또한, 상기 벤딩프레임의 상기 제2 연장부와 상기 제4 연장부 사이의 제2 각도는 약 90°이상 내지 약 270°이하일 수 있다. A first angle between the first extension part and the third extension part of the bending frame may be about 90° or more to about 270° or less. In addition, a second angle between the second extension part and the fourth extension part of the bending frame may be about 90° or more to about 270° or less.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판에 유기물질을 제공하는 재료 공급부를 더 포함할 수 있다. 상기 재료 공급부는 상기 전극플레이트에 고정된 상기 기판의 하부면을 향하여 상기 유기물질을 제공할 수 있다.The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a material supply unit for providing an organic material to the substrate. The material supply unit may provide the organic material toward the lower surface of the substrate fixed to the electrode plate.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 기판 처리를 이용한 기판 처리 방법은 전극플레이트 및 벤딩프레임을 이동시키는 단계, 상기 전극플레이트의 가장자리를 따라 배치된 상기 벤딩프레임에 기판을 안착시키는 단계, 상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판을 벤딩시킨 후, 상기 기판의 중앙부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계, 상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계, 및 상기 기판을 처리하는 단계를 포함한다.The substrate processing method using the substrate processing according to an embodiment of the present invention includes the steps of moving an electrode plate and a bending frame, placing a substrate on the bending frame disposed along the edge of the electrode plate, and placing the bending frame. After bending the substrate by using, attaching the central portion of the substrate to the electrode plate, attaching the remaining portions except the central portion of the substrate to the electrode plate using the bending frame, and the substrate It includes processing.

상기 전극플레이트 및 벤딩프레임을 이동시키는 단계에서는 상기 기판 상의 제1 위치에 위치한 상기 전극플레이트 및 상기 벤딩프레임을 상기 기판이 상기 전극플레이트와 상기 벤딩프레임 사이에 위치되는 제2 위치까지 이동시킨다. In the step of moving the electrode plate and the bending frame, the electrode plate and the bending frame located at a first position on the substrate are moved to a second position at which the substrate is located between the electrode plate and the bending frame.

상기 전극플레이트가 상기 제2 위치에 이동될 때, 상기 벤딩프레임은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분이 약 90˚이상 내지 약 180°미만의 각도를 갖도록 벤딩된다. 이에 따라, 상기 기판은 상기 전극플레이트와 상기 벤딩프레임 사이의 공간에 위치할 수 있다.When the electrode plate is moved to the second position, the bending frame is bent such that a portion at which the first frame and the second frame are connected has an angle of about 90° or more to about 180°. Accordingly, the substrate may be located in a space between the electrode plate and the bending frame.

그 후, 상기 벤딩프레임의 벤딩된 부분이 펴져 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 약 180°일 때, 상기 기판이 상기 벤딩프레임에 안착된다.Thereafter, when the bent portion of the bending frame is unfolded and the angle of the portion where the first frame and the second frame are connected is about 180°, the substrate is mounted on the bending frame.

상기 벤딩프레임이 벤딩되어 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 약 180˚초과 내지 약 270˚이하일 때, 상기 기판의 중앙부분이 벤딩되어 상기 전극플레이트의 일면에 부착된다. When the bending frame is bent and the angle of the portion at which the first frame and the second frame are connected is greater than about 180° and less than about 270°, the central portion of the substrate is bent and attached to one surface of the electrode plate.

상기 벤딩프레임이 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 약 90˚이상 내지 약 180°미만이 되도록 벤딩될 때, 상기 기판의 벤딩된 부분이 펴지면서 상기 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분이 상기 전극플레이트의 일면에 부착된다.When the bending frame is bent so that the angle of the portion at which the first frame and the second frame are connected is greater than or equal to about 90° to less than about 180°, the bent portion of the substrate is unfolded and the central portion of the substrate is Except for the remaining portions, are attached to one surface of the electrode plate.

그 후, 상기 전극플레이트에 고정된 상기 기판의 하부면에 대해 유기물질을 증착하는 처리 공정을 수행할 수 있다.Thereafter, a treatment process of depositing an organic material on the lower surface of the substrate fixed to the electrode plate may be performed.

본 발명의 실시예들에 의하면, 기판을 평평하게 고정하여 기판 표면에 유기물을 균일하게 증착할 수 있다.According to embodiments of the present invention, an organic material may be uniformly deposited on the surface of the substrate by fixing the substrate flat.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩프레임의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩된 벤딩프레임의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩된 벤딩프레임의 사시도이다.
도 6a 내지 도 6e는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 정면도이다.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a front view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view of a bending frame according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a bent bending frame according to an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view of a bent bending frame according to an embodiment of the present invention.
6A to 6E are front views sequentially showing a substrate processing method using a substrate processing apparatus.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In the present invention, various modifications can be made and various forms can be applied, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific form disclosed, it should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the present application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features. It is to be understood that the presence or addition of elements or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, does not preclude in advance the possibility of being added. In addition, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the case where the other part is "directly above", but also the case where there is another part in the middle. Conversely, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "below" another part, this includes not only the case where the other part is "directly below", but also the case where there is another part in the middle.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 다수의 표현을 포함한다.In describing each drawing, similar reference numerals have been used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown to be enlarged than actual for clarity of the present invention. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by terms. The terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be referred to as a second element, and similarly, a second element may be referred to as a first element. Singular expressions include multiple expressions unless the context clearly indicates otherwise.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도로서, 기판 처리 장치에 기판이 고정되기 전의 모습을 도시한 것이다. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, illustrating a state before a substrate is fixed to the substrate processing apparatus.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 정면도로서, 기판 처리 장치에 기판이 고정된 모습을 도시한 것이다. 2 is a front view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, illustrating a state in which a substrate is fixed to the substrate processing apparatus.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩프레임의 사시도이다.3 is a perspective view of a bending frame according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판(SUB)을 고정시키는 전극플레이트(EP) 및 상기 기판(SUB)을 벤딩시키는 벤딩프레임(BF)을 포함한다.1 to 3, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes an electrode plate EP for fixing a substrate SUB and a bending frame BF for bending the substrate SUB. .

상기 기판(SUB)은 유리, 실리콘, 금속, 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다. 상기 기판(SUB)은 가요성 기판, 또는 비가요성 기판 중 어느 하나일 수 있다.The substrate SUB may be made of glass, silicon, metal, plastic, or the like. The substrate SUB may be either a flexible substrate or a non-flexible substrate.

상기 기판(SUB)은 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판(SUB)은 한 쌍의 단변과 한 쌍의 장변을 갖는 직사각형의 판상으로 제공되며, 상기 단변의 연장 방향을 제1 방향(D1), 상기 장변의 연장 방향을 제2 방향(D2)으로 표시하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 기판(SUB)은 직사각형상인 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 기판(SUB)은 원형 또는 다각형상 등으로 제공될 수 있다. The substrate SUB may be provided in various shapes. In one embodiment of the present invention, the substrate (SUB) is provided in a rectangular plate shape having a pair of short sides and a pair of long sides, the extension direction of the short side is the first direction (D1), the extension of the long side The direction is indicated by the second direction D2 for explanation. In an embodiment of the present invention, the substrate SUB has been described as having a rectangular shape, but the present invention is not limited thereto, and the substrate SUB may be provided in a circular or polygonal shape.

상기 전극플레이트(EP)는 상기 기판(SUB) 상에 배치된다. 상기 전극플레이트(EP)는 정전기적 인력을 이용해 상기 전극플레이트(EP)의 일면에 상기 전극플레이트(EP)의 일면과 마주보는 상기 기판(SUB)의 상면을 부착시킬 수 있다.The electrode plate EP is disposed on the substrate SUB. The electrode plate EP may attach an upper surface of the substrate SUB facing one surface of the electrode plate EP to one surface of the electrode plate EP using electrostatic attraction.

상기 전극플레이트(EP)는 전도성 재질, 예를 들어, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe) 등으로 이루어질 수 있다. The electrode plate EP may be made of a conductive material, for example, aluminum (Al), copper (Cu), iron (Fe), or the like.

상기 전극플레이트(EP)는 서로 평행한 두 쌍의 변들을 가지는 직사각형의 판상으로 마련될 수 있다. 상기 전극플레이트(EP)는 평면상에서 볼 때, 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 단변(SS1)과 제2 단변(SS2), 및 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 제1 장변(LS1)과 제2 장변(LS2)을 갖는다. The electrode plate EP may have a rectangular plate shape having two pairs of sides parallel to each other. The electrode plate EP has a first short side SS1 and a second short side SS2 extending in the first direction D1, and a first long side extending in the second direction D2 when viewed in plan view. It has (LS1) and a second long side (LS2).

상기 전극플레이트(EP)의 넓이는 상기 기판(SUB)의 넓이와 같거나 상기 기판(SUB)의 넓이보다 더 크게 또는 더 작게 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 전극플레이트(EP)는 직사각형인 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 전극플레이트(EP)는 원형 또는 다각형상 등으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 전극플레이트(EP)의 넓이가 상기 기판(SUB)의 넓이보다 크거나 작게 제공되더라도, 상기 기판(SUB)이 상기 전극플레이트(EP)에 부착되어 고정될 수 있다면, 그 형상이 특별히 한정되는 것은 아니다.The width of the electrode plate EP may be the same as the width of the substrate SUB, or may be provided larger or smaller than the width of the substrate SUB. In an embodiment of the present invention, the electrode plate EP has been described as having a rectangular shape, but is not limited thereto, and the electrode plate EP may be provided in a circular or polygonal shape. In addition, even if the width of the electrode plate EP is larger or smaller than that of the substrate SUB, if the substrate SUB can be attached to and fixed to the electrode plate EP, the shape is specially limited. It does not become.

상기 기판 처리 장치는 상기 전극플레이트(EP)의 위치를 조절하며, 상기 전극플레이트(EP)에 전하를 인가하는 전극플레이트 구동부(미도시)를 더 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus may further include an electrode plate driver (not shown) that adjusts the position of the electrode plate EP and applies electric charges to the electrode plate EP.

상기 전극플레이트 구동부(미도시)는 상기 전극플레이트(EP)에 양전하 또는 음전하를 인가하여 상기 기판(SUB)을 음전하 또는 양전하로 대전시킬 수 있다. 그 결과, 상기 전극플레이트(EP)와 상기 기판(SUB) 사이에는 서로 잡아당기는 인력이 작용하여 상기 기판(SUB)이 상기 전극플레이트(EP)의 일면에 부착되게 된다. The electrode plate driver (not shown) may charge the substrate SUB with negative or positive charges by applying positive or negative charges to the electrode plate EP. As a result, an attraction force that pulls each other between the electrode plate EP and the substrate SUB acts, so that the substrate SUB is attached to one surface of the electrode plate EP.

상기 전극플레이트 구동부(미도시)는 상기 전극플레이트(EP)에 유선 또는 무선으로 연결되어 제공될 수 있다.The electrode plate driver (not shown) may be provided by being connected to the electrode plate EP by wire or wirelessly.

상기 벤딩프레임(BF)은 상기 전극플레이트(EP)의 가장자리를 따라 배치된다. 상기 벤딩프레임(BF)은 평면상에서 볼 때, 직사각형의 고리형상으로 제공될 수 있다. 그러나, 상기 벤딩프레임(BF)은 상기 기판(SUB)의 형상에 따라 다각형, 원형 등으로 다양하게 제공될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. The bending frame BF is disposed along the edge of the electrode plate EP. When viewed in plan view, the bending frame BF may be provided in a rectangular annular shape. However, the bending frame BF may be variously provided in a polygonal or circular shape according to the shape of the substrate SUB, but is not limited thereto.

상기 벤딩프레임(BF)은 상기 기판(SUB)을 지지하며, 상기 벤딩프레임(BF)에 안착된 상기 기판(SUB)을 벤딩시키는 역할을 한다. 상기 기판(SUB)은 상기 벤딩프레임(BF)에 의해 상기 기판(SUB)의 일부분이 제3 방향(D3) 또는 상기 제3 방향(D3)의 반대방향으로 벤딩될 수 있다. The bending frame BF supports the substrate SUB and serves to bend the substrate SUB mounted on the bending frame BF. In the substrate SUB, a portion of the substrate SUB may be bent in a third direction D3 or in a direction opposite to the third direction D3 by the bending frame BF.

상기 벤딩프레임(BF)은 금속, 실리콘, 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다. 그러나, 상기 벤딩프레임(BF)이 상기 기판(SUB)을 지지 및 벤딩시킬 수 있다면, 그 재료가 특별히 한정되는 것은 아니다.The bending frame BF may be made of metal, silicon, plastic, or the like. However, if the bending frame BF can support and bend the substrate SUB, the material is not particularly limited.

상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 가상선(IL)을 기준으로 상기 가상선(IL)의 양측에 배치된 제1 프레임(F1) 및 제2 프레임(F2)을 포함한다. 상기 가상선(IL)은 평면상에서 볼 때, 상기 전극플레이트(EP) 일면의 중앙부와 중첩한다. The bending frame BF includes a first frame F1 and a second frame F2 disposed on both sides of the virtual line IL based on the virtual line IL extending in the first direction D1. Include. The imaginary line IL overlaps with the central portion of one surface of the electrode plate EP when viewed in a plan view.

상기 제1 프레임(F1)은 제1 측벽부(W1) 및 제1 지지부(SP1)를 포함할 수 있다. The first frame F1 may include a first sidewall portion W1 and a first support portion SP1.

상기 제1 측벽부(W1)는 상기 전극플레이트(EP)의 상기 제1 단변(SS1)에 대응되며, 상기 제3 방향(D3)과 반대방향으로 연장되어 제공된다. The first sidewall portion W1 corresponds to the first short side SS1 of the electrode plate EP, and is provided to extend in a direction opposite to the third direction D3.

상기 제1 지지부(SP1)는 상기 제1 측벽부(W1)로부터 절곡되어 상기 제2 방향(D2)으로 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제1 지지부(SP1)는 상기 전극플레이트(EP)의 일면과 마주보며 제공될 수 있다. The first support part SP1 may be bent from the first side wall part W1 to extend in the second direction D2 to be provided. The first support part SP1 may be provided facing one surface of the electrode plate EP.

상기 제1 프레임(F1)은 상기 제1 측벽부(W1)에 연결되며 상기 전극플레이트(EP)의 상기 제1 장변(LS1) 및 상기 제2 장변(LS2)을 따라 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 제1 연장부(EX1) 및 제2 연장부(EX2)를 더 포함한다.The first frame F1 is connected to the first side wall portion W1 and is in the second direction D2 along the first long side LS1 and the second long side LS2 of the electrode plate EP. It further includes a first extension portion EX1 and a second extension portion EX2 extended to each other.

상기 제2 프레임(F2)은 제2 측벽부(W2) 및 제2 지지부(SP2)를 포함할 수 있다. The second frame F2 may include a second sidewall portion W2 and a second support portion SP2.

상기 제2 측벽부(W2)는 상기 전극플레이트(EP)의 상기 제2 단변(SS2)에 대응되며, 상기 제3 방향(D3)의 반대방향으로 연장되어 제공된다. 상기 제2 측벽부(W2)는 상기 제1 측벽부(W1)와 서로 평행하게 제공될 수 있다. The second sidewall portion W2 corresponds to the second short side SS2 of the electrode plate EP, and is provided to extend in a direction opposite to the third direction D3. The second sidewall portion W2 may be provided in parallel with the first sidewall portion W1.

상기 제2 지지부(SP2)는 상기 제2 측벽부(W2)로부터 절곡되어 상기 제2 방향(D2)의 반대반향으로 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제2 지지부(SP2)는 상기 전극플레이트(EP)의 일면과 마주보며 제공될 수 있다.The second support part SP2 may be bent from the second side wall part W2 and may be provided to extend in a direction opposite to the second direction D2. The second support part SP2 may be provided to face one surface of the electrode plate EP.

상기 제2 프레임(F2)은 상기 제2 측벽부(W2)에 연결되며 상기 전극플레이트(EP)의 상기 제1 장변(LS1) 및 상기 제2 장변(LS2)을 따라 상기 제2 방향(D2)의 반대방향으로 연장된 제3 연장부(EX3) 및 제4 연장부(EX4)를 더 포함한다. The second frame F2 is connected to the second sidewall portion W2 and is in the second direction D2 along the first long side LS1 and the second long side LS2 of the electrode plate EP. It further includes a third extension portion EX3 and a fourth extension portion EX4 extending in the opposite direction of.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 연장부(EX1)의 일부분과 상기 제3 연장부(EX3)의 일부분은 상기 가상선(IL)과 만나는 부분에서 서로 중첩될 수 있다. 상기 제1 연장부(EX1)와 상기 제3 연장부(EX3)가 서로 중첩되는 부분에서 상기 제1 연장부(EX1)의 외부면은 상기 제3 연장부(EX3)의 내부면과 맞닿을 수 있다. 또는 그 반대로, 상기 제1 연장부(EX1)의 내부면이 상기 제3 연장부(EX3)의 외부면과 맞닿을 수 있다. In an embodiment of the present invention, a part of the first extension part EX1 and a part of the third extension part EX3 may overlap each other at a part meeting the virtual line IL. In a portion where the first and third extensions EX1 and EX3 overlap each other, the outer surface of the first extension EX1 may contact the inner surface of the third extension EX3. have. Or vice versa, the inner surface of the first extension part EX1 may contact the outer surface of the third extension part EX3.

또한, 상기 제2 연장부(EX2)의 일부분과 상기 제4 연장부(EX4)의 일부분은 상기 가상선(IL)과 만나는 부분서 서로 중첩될 수 있다. 상기 제2 연장부(EX2)와 상기 제4 연장부(EX4)가 서로 중첩되는 부분에서 상기 제2 연장부(EX2)의 내부면은 상기 제4 연장부(EX4)의 외부면과 맞닿을 수 있다. 또는 그 반대로, 상기 제2 연장부(EX2)의 외부면이 상기 제4 연장부(EX4)의 내부면과 맞닿을 수 있다. In addition, a part of the second extension part EX2 and a part of the fourth extension part EX4 may overlap each other at a part meeting the virtual line IL. In a portion where the second extension part EX2 and the fourth extension part EX4 overlap each other, the inner surface of the second extension part EX2 may contact the outer surface of the fourth extension part EX4. have. Or vice versa, the outer surface of the second extension part EX2 may contact the inner surface of the fourth extension part EX4.

상기 제1 지지부(SP1) 및 상기 제2 지지부(SP2)는 상기 기판(SUB)의 양단부 하부면에 위치하여 상기 기판(SUB)을 지지하는 역할을 한다. 또한, 상기 상기 제1 지지부(SP1) 및 상기 제2 지지부(SP2)는 상기 벤딩프레임(BF)이 벤딩될 때, 상기 기판(SUB)의 양단부에 힘을 가하여 상기 기판(SUB)을 벤딩시킬 수 있다.The first support part SP1 and the second support part SP2 are positioned on lower surfaces of both ends of the substrate SUB and serve to support the substrate SUB. In addition, when the bending frame BF is bent, the first support part SP1 and the second support part SP2 apply force to both ends of the substrate SUB to bend the substrate SUB. have.

상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2)이 상기 가상선(IL)과 만나는 부분에 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2)을 연결시키는 연결부재(LM)를 더 포함한다. 상기 연결부재(LM)는 상기 제1 연장부(EX1)와 상기 제3 연장부(EX3)가 중첩되는 부분 및 상기 제2 연장부(EX2)와 상기 제4 연장부(EX4)가 중첩되는 부분에 각각 제공된다. The bending frame (BF) connects the first frame (F1) and the second frame (F2) to a portion where the first frame (F1) and the second frame (F2) meet the virtual line (IL). It further includes a connecting member (LM). The connecting member LM is a portion where the first extension portion EX1 and the third extension portion EX3 overlap, and a portion where the second extension portion EX2 and the fourth extension portion EX4 overlap Each is provided in.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연결부재(LM)는 힌지이다. 이에 따라, 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2)은 상기 힌지를 축으로 회전될 수 있다. 즉, 상기 제1 프레임(F1)은 상기 가상선(IL)을 축으로 시계방향 또는 그 반대방향으로 회전할 수 있다. 또한, 상기 제2 프레임(F2)은 상기 가상선(IL)을 축으로 반시계방향 또는 그 반대방향으로 회전할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the connecting member (LM) is a hinge. Accordingly, the first frame F1 and the second frame F2 may rotate about the hinge. That is, the first frame F1 may rotate in a clockwise direction or an opposite direction about the virtual line IL. In addition, the second frame F2 may rotate in a counterclockwise direction or an opposite direction about the virtual line IL.

상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2) 사이의 각도 즉, 상기 제1 연장부(EX1)와 상기 제3 연장부(EX3) 사이의 제1 각도(θ1) 및 상기 제2 연장부(EX2)와 상기 제4 연장부(EX4) 사이의 제2 각도(θ2)가 조절됨에 따라 벤딩될 수 있다. 상기 제1 각도(θ1) 및 상기 제2 각도(θ2)는 약 90°이상 내지 약 270°이하일 수 있다. The bending frame BF is an angle between the first frame F1 and the second frame F2, that is, a first angle between the first extension part EX1 and the third extension part EX3 ( It may be bent as θ1 and a second angle θ2 between the second extension part EX2 and the fourth extension part EX4 are adjusted. The first angle θ1 and the second angle θ2 may be about 90° or more to about 270° or less.

상기 기판 처리 장치는 상기 벤딩프레임(BF)을 벤딩시키는 벤딩프레임 구동부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 벤딩프레임 구동부(미도시)는 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2)의 사이의 상기 제1 각도(θ1) 및 상기 제2 각도(θ2)를 조절하여 상기 벤딩프레임(BF)을 벤딩시킬 수 있다. 상기 벤딩프레임 구동부(미도시)는 상기 벤딩프레임(BF)에 유선 또는 무선으로 연결될 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a bending frame driver (not shown) that bends the bending frame BF. The bending frame driver (not shown) adjusts the first angle (θ1) and the second angle (θ2) between the first frame (F1) and the second frame (F2) to adjust the bending frame (BF). ) Can be bent. The bending frame driver (not shown) may be connected to the bending frame BF by wire or wirelessly.

이하, 도면을 더 참조하여, 상기 벤딩프레임(BF)의 벤딩된 모습을 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩된 벤딩프레임의 사시도로서, 상기 벤딩프레임(BF)이 상기 제1 각도(θ1) 및 상기 제2 각도(θ2)가 약 90°이상 내지 약 180°미만이 되도록 벤딩된 모습을 도시한 것이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩된 벤딩프레임의 사시도로서, 상기 벤딩프레임(BF)이 상기 제1 각도(θ1) 및 상기 제2 각도(θ2)가 약 180˚초과 내지 약 270°미만이 되도록 벤딩된 모습을 도시한 것이다. Hereinafter, the bending state of the bending frame BF will be described with further reference to the drawings. 4 is a perspective view of a bent bending frame according to an embodiment of the present invention, wherein the bending frame BF has the first angle θ1 and the second angle θ2 from about 90° or more to about 180° It shows a state bent to be less than. 5 is a perspective view of a bent bending frame according to an embodiment of the present invention, wherein the bending frame BF has the first angle θ1 and the second angle θ2 exceeding about 180° to about 270° It shows a state bent to be less than.

다시 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 전극플레이트(EP) 및 상기 벤딩프레임(BF)을 수용하며, 상기 기판(SUB)에 대해 다양한 처리 공정이 이루어질 수 있는 공정 챔버(CHM)를 더 포함할 수 있다. 상기 공정 챔버(CHM) 내에서는 상기 전극플레이트(EP)에 고정된 상기 기판(SUB)에 유기물질을 증착시키는 공정이 수행될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않으며, 상기 공정 챔버(CHM) 내에서는 기상 증착(vapor deposition) 공정, 식각(etching) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정 등 다양한 공정이 수행될 수 있다. Referring back to FIG. 2, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention accommodates the electrode plate EP and the bending frame BF, and various processing processes can be performed on the substrate SUB. It may further include a process chamber (CHM). In the process chamber CHM, a process of depositing an organic material on the substrate SUB fixed to the electrode plate EP may be performed. However, the present invention is not limited thereto, and various processes such as a vapor deposition process, an etching process, and a sputtering process may be performed in the process chamber CHM.

상기 기판 처리 장치는 상기 공정 챔버(CHM) 내에서 수행되는 처리 공정에 따라, 유기물질, 무기물질 등의 처리물질을 제공하는 재료 공급부(SP)를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판(SUB)에 상기 처리물질을 증착시키기 위한 증착 마스크(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 증착 마스크(미도시)는 상기 재료 공급부(SP)와 상기 기판(SUB) 사이에 배치되며, 상기 증착 마스크(미도시)의 일부 영역에서만 상기 유기물질을 통과시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 증착 마스크(미도시)를 통과한 처리물질만이 상기 기판(SUB)에 증착되게 된다.The substrate processing apparatus may further include a material supply unit SP that provides a processing material such as an organic material or an inorganic material according to a processing process performed in the process chamber CHM. In addition, the substrate processing apparatus may further include a deposition mask (not shown) for depositing the processing material on the substrate SUB. The deposition mask (not shown) is disposed between the material supply unit SP and the substrate SUB, and allows the organic material to pass through only a partial area of the deposition mask (not shown). Accordingly, only the processing material that has passed through the deposition mask (not shown) is deposited on the substrate SUB.

기존에는 상기 기판을 상기 기판 상에 위치한 전극플레이트에 고정시키는데 있어서, 상기 기판의 일부분이 중력에 의해 하부방향으로 쳐지는 형상이 발생했다. 이 경우, 상기 기판의 하부면에 유기물질을 증착하는 등의 기판 처리 공정을 하는데 있어서, 상기 기판의 하부면에 대한 처리 정밀도가 떨어지게 된다. Conventionally, in fixing the substrate to an electrode plate located on the substrate, a shape in which a portion of the substrate is struck downward by gravity has occurred. In this case, in performing a substrate processing process such as depositing an organic material on the lower surface of the substrate, the processing precision of the lower surface of the substrate is degraded.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 전극플레이트(EP)에 상기 기판(SUB)의 중앙부분에서부터 상기 기판(SUB)의 중앙부분을 제외한 나머지 부분까지 순차적으로 부착시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(SUB)은 중력에 의해 쳐지는 부분 없이 상기 전극플레이트(EP)에 평평하게 고정될 수 있다. 이 경우, 상기 기판(SUB)의 하부면에 유기물질을 증착하는 등의 기판 처리 공정을 수행하는데 있어서, 상기 기판(SUB)의 하부면에 대한 처리 정밀도를 높일 수 있다. However, according to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus may be sequentially attached to the electrode plate EP from the central portion of the substrate SUB to the remaining portions excluding the central portion of the substrate SUB. have. Accordingly, the substrate SUB may be flatly fixed to the electrode plate EP without being struck by gravity. In this case, in performing a substrate processing process such as depositing an organic material on the lower surface of the substrate SUB, processing precision for the lower surface of the substrate SUB may be improved.

이하, 도면을 참조하여, 상기 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 본 발명의 일 실시예에서는 기판에 유기물질을 증착시키는 기판 처리 방법을 일 예로 설명한다. 설명의 편의를 위해, 전술한 상기 기판 처리 장치의 설명과 중복되는 설명은 생략한다. Hereinafter, a substrate processing method using the substrate processing apparatus will be described with reference to the drawings. In an embodiment of the present invention, a substrate processing method of depositing an organic material on a substrate will be described as an example. For convenience of description, a description that is duplicated with the description of the above-described substrate processing apparatus will be omitted.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 전극플레이트 및 벤딩프레임을 이동시키는 단계, 상기 벤딩프레임에 상기 기판을 안착시키는 단계, 상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판을 벤딩시킨 후, 상기 기판의 중앙부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계, 상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계 및 상기 기판을 처리하는 단계를 포함한다. A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes moving an electrode plate and a bending frame, mounting the substrate on the bending frame, bending the substrate using the bending frame, and then bending the substrate at the center of the substrate. Attaching a portion to the electrode plate, attaching a portion other than the central portion of the substrate to the electrode plate using the bending frame, and processing the substrate.

도 6a 및 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 기판 처리 장치의 정면도이다.6A and 6E are front views of a substrate processing apparatus sequentially showing a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6a는 전극플레이트 및 벤딩프레임을 이동시키는 단계를 도시한 것으로서, 기판(SUB) 상의 제1 위치(P1)에 배치된 전극플레이트(EP) 및 벤딩프레임(BF)을 제3 방향(D3)의 반대방향으로 제2 위치(P2)까지 이동시키는 모습을 도시한 것이다.6A is a diagram illustrating a step of moving the electrode plate and the bending frame, and the electrode plate EP and the bending frame BF disposed at the first position P1 on the substrate SUB are moved in the third direction D3. It shows a state of moving to the second position P2 in the opposite direction.

상기 전극플레이트(EP) 및 상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제2 위치(P2), 즉 상기 기판(SUB)이 상기 전극플레이트(EP)와 상기 벤딩프레임(BF) 사이의 공간에 위치하는 지점까지 이동할 수 있다. 이때, 상기 벤딩프레임(BF)은 벤딩되며, 제1 프레임(F1) 및 제2 프레임(F2) 사이의 제1 각도(θ1)가 약 90°이상 내지 약 180°미만이 된다. 상기 벤딩프레임(BF)이 벤딩됨에 따라, 상기 벤딩프레임(BF)의 제1 지지부(SP1)와 제2 지지부(SP2) 사이의 거리는 상기 기판(SUB)의 양단의 길이보다 길거나 같아진다. 이에 따라, 상기 기판(SUB)은 상기 전극플레이트(EP)과 상기 벤딩프레임(BF) 사이에 위치할 수 있다. The electrode plate EP and the bending frame BF are at the second position P2, that is, to a point where the substrate SUB is located in the space between the electrode plate EP and the bending frame BF. You can move. At this time, the bending frame BF is bent, and the first angle θ1 between the first frame F1 and the second frame F2 is greater than or equal to about 90° to less than about 180°. As the bending frame BF is bent, the distance between the first support portion SP1 and the second support portion SP2 of the bending frame BF is greater than or equal to the lengths of both ends of the substrate SUB. Accordingly, the substrate SUB may be positioned between the electrode plate EP and the bending frame BF.

도 6b는 벤딩프레임에 기판을 안착시키는 단계를 도시한 것이다. 6B shows a step of mounting a substrate on a bending frame.

상기 전극플레이트(EP) 및 상기 벤딩프레임(BF)이 상기 제2 위치(P2)로 이동되면, 상기 벤딩프레임(BF)의 벤딩된 부분이 펴지게 된다. 이때, 상기 제1 지지부(SP1) 및 상기 제2 지지부(SP2)는 상기 기판(SUB)의 양단 하부면으로 이동되어 상기 기판(SUB)을 지지하게 된다. 상기 벤딩프레임(BF)이 펴져 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2)이 평행하게 위치할 때, 상기 제1 지지부(SP1)와 상기 제2 지지부(SP2) 사이의 거리는 상기 기판(SUB)의 장변의 길이보다 짧아진다. 이에 따라, 상기 기판(SUB)은 상기 제1 지지부(SP1) 및 상기 제2 지지부(SP2) 상에 놓여 상기 벤딩프레임(BF)에 의해 안착될 수 있다. When the electrode plate EP and the bending frame BF are moved to the second position P2, the bent portion of the bending frame BF is unfolded. At this time, the first support part SP1 and the second support part SP2 are moved to the lower surfaces of both ends of the substrate SUB to support the substrate SUB. When the bending frame BF is unfolded and the first frame F1 and the second frame F2 are positioned in parallel, the distance between the first support part SP1 and the second support part SP2 is the substrate It becomes shorter than the length of the long side of (SUB). Accordingly, the substrate SUB may be placed on the first support part SP1 and the second support part SP2 and may be seated by the bending frame BF.

도 6c는 기판의 중앙부분을 전극플레이트에 부착시키는 단계를 도시한 것으로서, 상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제1 각도(θ1)가 약 180˚초과 내지 약 270˚이하가 되도록 벤딩되는 것을 도시한 것이다. 6C shows a step of attaching the central portion of the substrate to the electrode plate, and the bending frame BF shows that the first angle θ1 is bent so that the first angle θ1 is greater than about 180° to less than about 270°. will be.

도 6c와 같이 상기 벤딩프레임(BF)이 벤딩됨에 따라, 상기 제1 지지부(SP1)와 상기 제2 지지부(SP2) 사이의 거리는 상기 벤딩프레임(BF)이 벤딩되기 전의 상기 제1 지지부(SP1)와 상기 제2 지지부(SP2) 사이의 거리보다 더 좁아진다. 이때, 상기 제1 프레임(F1) 및 상기 제2 프레임(F2)에 의해 상기 기판(SUB)의 양단부에 압축응력이 가해져, 상기 기판(SUB)의 중앙부분이 상기 전극플레이트(EP)를 향하여 벤딩된다. 상기 기판(SUB)의 중앙부분은 상기 전극플레이트(EP)가 구동됨에 따라 발생된 정전기적 인력에 의해 상기 전극플레이트(EP)의 일면에 부착되게 된다. As the bending frame BF is bent as shown in FIG. 6C, the distance between the first support part SP1 and the second support part SP2 is the first support part SP1 before the bending frame BF is bent. It becomes narrower than the distance between the and the second support part SP2. At this time, compressive stress is applied to both ends of the substrate SUB by the first frame F1 and the second frame F2, so that the central portion of the substrate SUB is bent toward the electrode plate EP. do. The central portion of the substrate SUB is attached to one surface of the electrode plate EP by electrostatic attraction generated as the electrode plate EP is driven.

도 6d는 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분을 전극플레이트에 부착시키는 단계를 도시한 것으로서, 상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제1 각도(θ1)가 약 90˚이상 내지 약 180°미만이 되도록 벤딩되는 것을 도시한 것이다. 6D shows the step of attaching the rest of the substrate except the central part to the electrode plate, wherein the bending frame BF is bent so that the first angle θ1 is greater than or equal to about 90° to less than about 180°. It shows what becomes.

도 6d와 같이 상기 벤딩프레임(BF)이 벤딩됨에 따라, 상기 제1 지지부(SP1)와 상기 제2 지지부(SP2)는 상기 기판(SUB)의 양단부를 상기 제3 방향(D3)으로 들어올리게 된다. 이에 따라, 상기 기판(SUB)의 벤딩된 부분이 펴지면서 상기 기판(SUB)의 양단부가 상기 전극플레이트(EP)의 일면측으로 향하게 된다. 그 결과, 상기 기판(SUB)의 양단부는 상기 전극플레이트(EP)와의 정전기적 인력에 의해 상기 전극플레이트(EP)의 일면에 부착된다. As the bending frame BF is bent as shown in FIG. 6D, the first support part SP1 and the second support part SP2 lift both ends of the substrate SUB in the third direction D3. . Accordingly, while the bent portion of the substrate SUB is unfolded, both ends of the substrate SUB are directed toward one side of the electrode plate EP. As a result, both ends of the substrate SUB are attached to one surface of the electrode plate EP by electrostatic attraction with the electrode plate EP.

도 6e는 기판 처리 단계를 도시한 것으로서, 상기 전극플레이트(EP)에 고정된 상기 기판(SUB)의 하부면에 유기물질을 증착시키는 모습을 도시한 것이다.6E is a diagram illustrating a substrate processing step, illustrating a state in which an organic material is deposited on a lower surface of the substrate SUB fixed to the electrode plate EP.

상기 전극플레이트(EP)에 평평하게 부착된 상기 기판(SUB)의 하부면에 재료 공급부(SP)로부터 유기물질을 제공함에 따라, 상기 기판(SUB)의 하부면에 대한 유기물질의 증착 정밀도를 높일 수 있다. By providing an organic material from the material supply unit SP to the lower surface of the substrate SUB attached flat to the electrode plate EP, the deposition accuracy of the organic material on the lower surface of the substrate SUB is improved. I can.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 기준하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although the above has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those of ordinary skill in the relevant technical field will not depart from the spirit and scope of the invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and changes can be made to the present invention within the scope of the invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the content described in the detailed description of the specification, but should be determined by the claims.

EP : 전극플레이트 BF : 벤딩프레임
IL : 가상선 LM : 연결부재
F1 : 제1 프레임 F2 : 제2 프레임
SP1 : 제1 지지부 SP2 : 제2 지지부
SP : 재료 공급부 CHM : 공정 챔버EP: Electrode plate BF: Bending frame
IL: virtual line LM: connecting member
F1: 1st frame F2: 2nd frame
SP1: 1st support part SP2: 2nd support part
SP: Material supply part CHM: Process chamber

Claims (20)

기판 상에 배치되며, 상기 기판의 상면이 부착되는 전극플레이트; 및
상기 전극플레이트의 가장자리를 따라 배치되며, 제1 방향으로 연장된 가상선을 기준으로 상기 가상선의 양측에 배치된 제1 프레임 및 제2 프레임을 포함하는 벤딩프레임;을 포함하며,
상기 벤딩프레임은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이의 각도를 조절하여 상기 기판을 벤딩시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. An electrode plate disposed on a substrate and to which an upper surface of the substrate is attached; And
Includes; a bending frame disposed along the edge of the electrode plate and including a first frame and a second frame disposed on both sides of the virtual line based on a virtual line extending in a first direction,
The bending frame bends the substrate by adjusting an angle between the first frame and the second frame. 제1 항에 있어서,
상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 상기 가상선과 만나는 부분에 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임을 연결시키는 연결부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And a connecting member connecting the first frame and the second frame to a portion where the first frame and the second frame meet the virtual line. 제2 항에 있어서,
상기 연결부재는 힌지인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The substrate processing apparatus, wherein the connecting member is a hinge. 제1 항에 있어서,
상기 가상선은 평면상에서 볼 때, 상기 전극플레이트 일면의 중앙부와 중첩하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The virtual line, when viewed in a plan view, overlaps with a central portion of one surface of the electrode plate. 제1 항에 있어서,
상기 전극플레이트는 평면 상에서 볼 때 상기 제1 방향으로 연장된 제1 단변과 제2 단변 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장된 제1 장변과 제2 장변을 갖는 직사각 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The electrode plate has a rectangular shape having a first short side and a second short side extending in the first direction and a first long side and a second long side extending in a second direction orthogonal to the first direction when viewed in plan view. Substrate processing apparatus made into. 제5 항에 있어서,
상기 벤딩프레임은 평면상에서 볼 때, 직사각형의 고리형상으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The bending frame is a substrate processing apparatus, characterized in that provided in a rectangular annular shape when viewed in plan view. 제5 항에 있어서,
상기 제1 프레임은
상기 제1 단변에 대응되며 상기 전극플레이트의 일면과 수직한 제1 측벽부;
상기 제1 측벽부로부터 절곡 연장되며, 상기 전극플레이트의 일면과 마주보는 제1 지지부; 및
상기 제1 측벽부에 연결되며 상기 제1 장변 및 상기 제2 장변을 따라 상기 제2 방향으로 연장된 제1 연장부 및 제2 연장부를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The first frame
A first sidewall portion corresponding to the first short side and perpendicular to one surface of the electrode plate;
A first support portion bent and extended from the first sidewall portion and facing one surface of the electrode plate; And
A substrate processing apparatus comprising: a first extension portion and a second extension portion connected to the first sidewall portion and extending in the second direction along the first long side and the second long side. 제7 항에 있어서,
상기 제2 프레임은
상기 제2 단변에 대응되며 상기 전극플레이트의 일면과 수직한 제2 측벽부;
상기 제2 측벽부로부터 절곡 연장되며, 상기 전극플레이트의 일면과 마주보는 제2 지지부; 및
상기 제2 측벽부에 연결되며 상기 제1 장변 및 상기 제2 장변을 따라 상기 제2 방향의 반대방향으로 연장된 제3 연장부 및 제4 연장부를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The second frame
A second sidewall portion corresponding to the second short side and perpendicular to one surface of the electrode plate;
A second support portion bent and extended from the second sidewall portion and facing one surface of the electrode plate; And
A substrate processing apparatus comprising: a third extension portion and a fourth extension portion connected to the second sidewall portion and extending in a direction opposite to the second direction along the first long side and the second long side. 제8 항에 있어서,
상기 제1 연장부의 일부분과 상기 제3 연장부의 일부분은 상기 가상선과 만나는 부분에서 서로 중첩되며,
상기 제2 연장부의 일부분과 상기 제4 연장부의 일부분은 상기 가상선과 만나는 부분에서 서로 중첩되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
A portion of the first extension portion and a portion of the third extension portion overlap each other at a portion meeting the virtual line,
A substrate processing apparatus, wherein a portion of the second extension portion and a portion of the fourth extension portion overlap each other at a portion meeting the virtual line. 제9 항에 있어서,
상기 연결부재는 상기 제1 연장부와 상기 제3 연장부가 중첩되는 부분 및 상기 제2 연장부와 상기 제4 연장부가 중첩되는 부분에 각각 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
And the connecting member is provided at a portion where the first extension portion and the third extension portion overlap, and a portion where the second extension portion and the fourth extension portion overlap, respectively. 제8 항에 있어서,
상기 벤딩프레임의 상기 제1 연장부와 상기 제3 연장부 사이의 제1 각도는 90°이상 내지 270˚이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
A substrate processing apparatus, wherein a first angle between the first extension part and the third extension part of the bending frame is 90° or more and 270° or less. 제8 항에 있어서,
상기 벤딩프레임의 상기 제2 연장부와 상기 제4 연장부 사이의 제2 각도는 90˚이상 내지 270°이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
A substrate processing apparatus, wherein a second angle between the second extension portion and the fourth extension portion of the bending frame is 90° or more and 270° or less. 제1 항에 있어서,
상기 기판에 유기물질을 제공하는 재료 공급부를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A substrate processing apparatus further comprising a material supply unit for providing an organic material to the substrate. 전극플레이트의 가장자리를 따라 배치된 벤딩프레임에 기판을 안착시키는 단계;
상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판을 벤딩시킨 후, 상기 기판의 중앙부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계;
상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계; 및
상기 기판을 처리하는 단계를 포함하며,
상기 벤딩프레임은
제1 방향으로 연장된 가상선을 기준으로 상기 가상선의 양측에 배치된 제1 프레임 및 제2 프레임; 및
상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 상기 가상선과 만나는 부분에 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임을 연결시키는 연결부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Mounting a substrate on a bending frame disposed along an edge of the electrode plate;
After bending the substrate using the bending frame, attaching a central portion of the substrate to the electrode plate;
Attaching the rest of the substrate except for the central portion of the substrate to the electrode plate using the bending frame; And
And processing the substrate,
The bending frame
First frames and second frames disposed on both sides of the virtual line based on the virtual line extending in a first direction; And
And a connecting member connecting the first frame and the second frame to a portion where the first frame and the second frame meet the virtual line. 제14 항에 있어서,
상기 기판을 안착시키는 단계 전에 상기 기판 상의 제1 위치에 위치한 상기 전극플레이트 및 상기 벤딩프레임을 상기 기판이 상기 전극플레이트와 상기 벤딩프레임 사이에 위치되는 제2 위치까지 이동시키는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 14,
Prior to the step of mounting the substrate, moving the electrode plate and the bending frame located at a first position on the substrate to a second position at which the substrate is located between the electrode plate and the bending frame Way. 제15 항에 있어서,
상기 전극플레이트가 상기 제2 위치로 이동될 때, 상기 벤딩프레임은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분이 90˚이상 내지 180˚미만의 각도를 갖도록 벤딩되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 15,
When the electrode plate is moved to the second position, the bending frame is bent such that a portion where the first frame and the second frame are connected to each other has an angle of 90° or more to less than 180° Way. 제16 항에 있어서,
상기 벤딩프레임의 벤딩된 부분이 펴져 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 180°때, 상기 기판이 상기 벤딩프레임에 안착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
The substrate processing method, wherein when the bent portion of the bending frame is unfolded and the angle of the portion at which the first frame and the second frame are connected is 180°, the substrate is seated on the bending frame. 제17 항에 있어서,
상기 벤딩프레임이 벤딩되어 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 180˚초과 내지 270˚이하일 때, 상기 기판의 중앙부분이 벤딩되어 상기 전극플레이트의 일면에 부착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 17,
When the bending frame is bent and the angle of the portion at which the first frame and the second frame are connected is greater than 180° to less than 270°, the central portion of the substrate is bent and attached to one surface of the electrode plate. Substrate processing method. 제14 항에 있어서,
상기 벤딩프레임이 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 90˚이상 내지 180˚미만이 되도록 벤딩될 때, 상기 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분이 상기 전극플레이트의 일면에 부착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 14,
When the bending frame is bent so that the angle of the portion at which the first frame and the second frame are connected is greater than or equal to 90° to less than 180°, the rest of the substrate except for the center portion is attached to one surface of the electrode plate. A substrate processing method, characterized in that the. 제14 항에 있어서,
상기 기판 처리 단계는 상기 기판에 유기물질을 증착시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.

The method of claim 14,
The substrate processing step comprises depositing an organic material on the substrate.
KR1020140068557A 2014-06-05 2014-06-05 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate using the same KR102194145B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140068557A KR102194145B1 (en) 2014-06-05 2014-06-05 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate using the same
CN201510032913.6A CN105304547B (en) 2014-06-05 2015-01-22 Substrate processing device and the Method of processing a substrate for using it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140068557A KR102194145B1 (en) 2014-06-05 2014-06-05 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150140497A KR20150140497A (en) 2015-12-16
KR102194145B1 true KR102194145B1 (en) 2020-12-23

Family

ID=55080624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140068557A KR102194145B1 (en) 2014-06-05 2014-06-05 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate using the same

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102194145B1 (en)
CN (1) CN105304547B (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003005145A (en) 2001-06-25 2003-01-08 Sharp Corp Device and method for sticking substrate
KR100382426B1 (en) 1994-10-04 2003-07-18 셍-고벵 비뜨라지 Sheet glass bending apparatus and method
JP2007207632A (en) 2006-02-03 2007-08-16 Canon Inc Mask film forming method and mask film forming device
KR101252457B1 (en) 2011-04-18 2013-04-16 엘아이지에이디피 주식회사 Thin Film Deposition Apparatus
KR101334816B1 (en) 2012-07-13 2013-11-29 에이피시스템 주식회사 Apparatus for bonding substrate and method for operating the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100479082C (en) * 2003-04-04 2009-04-15 松下电器产业株式会社 Method for manufacturing plasma display panel
KR100703070B1 (en) * 2004-03-22 2007-04-05 두산디앤디 주식회사 Apparatus for holding and stretching of flat panel
KR100694530B1 (en) * 2004-12-17 2007-03-13 주식회사 에이디피엔지니어링 Apparatus for attaching substrates
JP4777681B2 (en) * 2005-04-08 2011-09-21 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 Anodic bonding apparatus, anodic bonding method and acceleration sensor manufacturing method
JP4875905B2 (en) * 2006-02-24 2012-02-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ Sample holding device and charged particle beam device
JP4524268B2 (en) * 2006-04-28 2010-08-11 信越化学工業株式会社 Ceramic heater with electrostatic chuck function and manufacturing method thereof
KR101603222B1 (en) * 2009-07-28 2016-03-15 엘지디스플레이 주식회사 Method for Forming Pattern in Flat Panel Display and Apparatus for Forming pattern with Using the Same
KR101267396B1 (en) * 2011-06-13 2013-05-30 주성엔지니어링(주) Apparatus and method for thin film deposition, apparatus and method for manufacturing organic light emitting device using the same
JP5422767B1 (en) * 2013-05-09 2014-02-19 信越エンジニアリング株式会社 Bonding separation method and separation apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100382426B1 (en) 1994-10-04 2003-07-18 셍-고벵 비뜨라지 Sheet glass bending apparatus and method
JP2003005145A (en) 2001-06-25 2003-01-08 Sharp Corp Device and method for sticking substrate
JP2007207632A (en) 2006-02-03 2007-08-16 Canon Inc Mask film forming method and mask film forming device
KR101252457B1 (en) 2011-04-18 2013-04-16 엘아이지에이디피 주식회사 Thin Film Deposition Apparatus
KR101334816B1 (en) 2012-07-13 2013-11-29 에이피시스템 주식회사 Apparatus for bonding substrate and method for operating the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN105304547A (en) 2016-02-03
CN105304547B (en) 2019-11-19
KR20150140497A (en) 2015-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102412623B1 (en) Glass substrate and display device including same
KR101113849B1 (en) Method for isolating flexible substrate from support substrate
KR102159738B1 (en) Flexible device peeling apparatus and peeling method using the same
US20140085840A1 (en) Electronic circuit and method of fabricating the same
WO2010032946A3 (en) Alignment material, alignment layer, liquid crystal display device and manufacturing method thereof
EP2372442A3 (en) Liquid crystal display panel, method for manufacturing the same, and surface alignment reactant
WO2015032202A1 (en) Array substrate, flexible display device and method of manufacturing array substrate
JP2007034298A (en) Apparatus and method for manufacturing substrate for display device
KR20160130914A (en) Glass substrate, fabricating method of the same, and display device having the same
CN104766820B (en) The manufacturing method of flexible display apparatus
TW200617541A (en) Method of manufacturing electro-optical device, device for manufacturing the same, electro-optical device, and electronic apparatus
US9125295B2 (en) Substrate separation apparatus and method
TW201425606A (en) Unit mask, mask assembly and method of manufacturing OLED display
KR102292888B1 (en) Film gig apparatus using in thin film deposition
KR20160112123A (en) Method for manufacturing display with curved shape and display with curved shape using the method
JP5809892B2 (en) Mask unit
CN203712702U (en) Manipulator arm for carrying glass substrate
TW201607370A (en) Substrate edge masking system and apparatus having the same and method for masking edges of a substrate
KR20150107009A (en) Substrate peeling apparatus and method of manufacturing device using the same
KR101610692B1 (en) Method for manufacturing display with curved shape and display with curved shape using the method
KR102194145B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate using the same
US9590055B2 (en) Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate, and display device
KR20170000465U (en) Carrier and method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber
KR102566329B1 (en) Separable jig, and coating apparatus and method having the same
KR102153046B1 (en) Apparatus for fixing substrate and method for treating substrate using the same

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant