KR102189444B1 - 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 낮은 누설전류도 정확하게 측정할 수 있는 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법을 제공하기 위하여, 기 설정된 온도가 유지되는 환경에서 커패시터의 일단은 박막 트랜지스터의 소스전극과 연결시키고, 상기 커패시터의 타단은 접지시키는 단계; 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 드레인전압을 인가하고 상기 게이트전압을 상기 박막트랜지스터의 게이트전극에 인가하는 단계; 및 상기 게이트전압에서 시간에 따라 변화하는 상기 소스 전극의 소스전압을 측정하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법을 제공한다.

Description

박막트랜지스터의 누설전류 측정방법{Method For Measuring Leakage Current Of Thin Film Transistor}
본 발명은 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법에 관한 것으로, 특히, 낮은 누설전류도 정확하게 측정할 수 있는 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치와 유기전계 발광소자에 있어서 공통적으로 화소영역 각각을 온(on)/오프(off) 제거하기 위해서 필수적으로 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 구비한 어레이 기판이 구성되고 있다.
이러한 구성을 갖는 어레이 기판을 살펴보면 서로 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 게이트 및 데이터 배선이 구비되고 있으며, 각 화소영역에는 스위칭 및 구동 소자의 역할을 하는 박막트랜지스터가 적어도 하나 또는 2개 이상 다수 개 구비되고 있다.
한편, 이렇게 어레이 기판의 각 화소영역에 구비되는 박막트랜지스터는 이의 일 구성요소인 반도체층을 이루는 구성 물질에 따라 다양한 구조를 이루고 있다.
즉, 상기 반도체층은 비정질 실리콘, 산화물 반도체 물질, 폴리실리콘 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
먼저, 앞으로 설명하는 내용에 있어서, 10^
Figure 112014082819210-pat00001
ⁿ(여기서, n은 1이상의 자연수)은 E-n(여기서, n은 1이상의 자연수)으로 표현한다.
한편, 게이트배선을 통해 하이(High) 게이트 신호에 해당하는 게이트전압이 게이트전극에 인가되면 박막트랜지스터는 온(on)상태가 되어 드레인전극에서 소스전극으로 드레인전류가 흐르게 된다.
이후 상기 게이트배선을 통해 로우(low) 게이트신호에 해당하는 게이트전압이 인가되면 이상적인 박막트랜지스터는 오프(off)상태가 되어 소스전극과 드레인전극 사이에는 전류가 흐르지 않지만, 실제적인 박막트랜지스터는 오프(off) 상태일 때 드레인전극에서 소스전극으로 미세한 전류가 흐르게 되고 이때의 드레인전류를 누설전류라고 한다.
또한, 누설전류는 박막트랜지스터의 종류에 따라 차이가 있으며, 일반적으로 비정질실리콘계열 박막트랜지스터는 1E-12A, 폴리실리콘계열 박막트랜지스터는 1E-14A, 산화물계열 박막트랜지스터는 1E-18A의 누설전류가 흐른다.
따라서, 폴리실리콘계열 박막트랜지스터 및 산화물계열 박막트랜지스터가 비정질실리콘계열 박막트랜지스터에 비해 누설전류가 상당히 작다.
특히, 누설전류의 크기를 정확히 측정해야 박막트랜지스터의 특성을 예측할 수 있는데, 폴리실리콘계열 박막트랜지스터 및 산화물계열 박막트랜지스터의 누설전류는 작기 때문에 종래의 측정 방법으로 정확히 측정하지 못하는 문제점이 있다.
도 1은 종래의 박막트랜지스터의 누설전류를 측정하는 방법을 나타낸 도면이다.
도면에 도시한 바와 같이, 박막트랜지스터의 소스전극(S), 드레인전극(D)에 일정 전압을 인가한 상태에서, 게이트전극(G)에 가변전압을 인가하여 게이트전극(G)의 전압에 따른 드레이전극(D)에서 소스전극(S)으로 흐르는 드레인전류(Ids)를 측정한다.
도2는 도1의 방법으로 비정질실리콘계열 박막트랜지터의 드레인전류를 측정한 그래프이다.
도면에 도시한 바와 같이, 세로축은 단위가 암페어(A)인 드레인전류(Ids)를 나타내고, 가로축은 단위가 볼트(V)인 게이트전극(G)의 전압(Vg)을 나타낸다.
이때, 도면에 나타난 그래프는 기 설정된 온도 25℃에서 소스전극(S)의 전압(Vs)을 0V, 드레인전극(D)의 전압(Vd)을 10V로 고정하고, 게이트전극(G)의 전압을 20V에서 -20V까지 가변하면서 드레인전류(Ids)를 측정하여 기록한 것이다.
이때, 게이트전극(G)의 전압(Vg)이 약 5V에서는 약 1E-5A의 드레인전류(Ids)가 드레인전극(D)에서 소스전극(S)으로 흐르고, -5V이하에서는 약 1E-10A의 드레인전류(Ids) 드레인전극(D)에서 소스전극(S)으로 흐른다.
즉, 하이(High) 게이트신호에 해당하는 5V의 전압이 게이트전극(G)에 인가되면 1E-5A의 드레인전류(Ids)가 드레인전극(D)에서 소스전극(S)으로 흐르고, 로우(Low) 게이트신호에 해당하는 -5V의 전압이 게이트전극(G)에 인가되면 1E-10A의 드레인전류(Ids) 즉, 누설전류가 생긴다.
도 3은 도1의 방법으로 폴리실리콘계열 박막트랜지터의 드레인전류를 측정한 그래프이다.
도면에 도시한 바와 같이, 세로축은 단위가 암페어(A)인 드레인전류(Ids)를 나타내고, 가로축은 단위가 볼트(V)인 게이트전극(G)의 전압(Vg)을 나타낸다.
이때, 도면에 나타난 그래프는 기 설정된 온도 25℃에서 소스전극(S)의 전압(Vs)을 0V, 드레인전극(D)의 전압(Vd)을 10V로 고정하고, 게이트전극(G)의 전압(Vg)을 20V에서 -20V까지 가변하면서 드레인전류(Ids)를 측정한 것이다.
이때, 약 5V에서는 약 1E-3A의 드레인전류(Ids)가 드레인전극(D)에서 소스전극(S)으로 흐르고, 0V이하에서는 약 1E-12A의 드레인전류(Ids)가 드레인전극(D)에서 소스전극(S)으로 흐른다.
즉, 하이(High) 게이트신호에 해당하는 5V의 전압이 게이트전극(G)에 인가되면 1E-5A의 드레인전류(Ids)가 드레인전극(D)에서 소스전극(S)으로 흐르고, 로우(Low) 게이트신호에 해당하는 0V 이하의 전압이 게이트전극(G)에 인가되면 1E-12A의 드레인전류(Ids) 즉, 누설전류가 생긴다.
다만, 폴리실리콘계열 박막트랜지터가 기 설정된 온도나 외부요인에 의해 드레인 전류(Ids) 즉, 누설전류가 1E-12A이하일 경우에는 정확한 측정이 어려운 문제점이 있다.
도 4는 도1의 방법으로 산화물계열 박막트랜지터의 드레인전류를 측정한 그래프이다.
도면에 도시한 바와 같이, 세로축은 단위가 암페어(A)인 드레인전류(Ids)를 나타내고, 가로축은 단위가 볼트(V)인 게이트전극(G)의 전압(Vg)을 나타낸다.
이때, 도면에 나타난 그래프는 기 설정된 온도 25℃에서 소스전극의 소스전압(Vs)을 0V, 드레인전압(Vd)을 10V로 고정하고, 게이트전극의 전압(Vg)을 20V에서 -20V까지 변화하면서 드레인전류(Ids)를 측정한 것이다.
이때, 게이트전극의 전압이 약 5V에서 약 E-5A의 드레인전류가 드레인전극(D)에서 소스전극(S)으로 흐르고, 약 0V이하에서는 1E-13A에서 1E-14A 수준의 노이즈(noise)로 인해 드레인전류(Ids)의 정확한 값을 측정할 수 없다.
즉, 하이(High) 게이트신호에 해당하는 5V의 전압이 게이트전극에 인가되면 1E-5A의 드레인전류(Ids)가 드레인전극(D)에서 소스전극(S)으로 흐르고, 로우(Low) 게이트신호에 해당하는 0V 이하의 전압이 게이트전극(G)에 인가되면 드레인전류(Ids) 즉, 누설전류를 정확히 측정할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제를 해결하기 위한 것으로, 박막트랜지스터의 소스전극에 커패시터의 일단을 연결시키고 상기 커패시터의 타단은 접지시켜, 상기 소스전극의 소스전압을 측정함으로써 상기 박막트랜지스터의 누설전류를 정확히 측정할 수 있는 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기 설정된 온도가 유지되는 환경에서 커패시터의 일단은 박막 트랜지스터의 소스전극과 연결시키고, 상기 커패시터의 타단은 접지시키는 단계; 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 드레인전압을 인가하고 상기 게이트전압을 상기 박막트랜지스터의 게이트전극에 인가하는 단계; 및 상기 게이트전압에서 시간에 따라 변화하는 상기 소스 전극의 소스전압을 측정하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법을 제공한다.
또한, <수학식> V=(I/C)*t (여기서, V는 상기 소스전극의 소스전압, I는 상기 드레인전류, C는 상기 커패시터의 용량, t는 상기 게이트 전극에 게이트전압 인가시간)에 의해 기울기(I/C)를 산출하는 단계를 더 포함하는 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법을 제공한다.
또한, 상기 기울기(I/C) 및 상기 커패시터의 용량에 의해 상기 게이트전압에서의 상기 박막트랜지스터의 누설전류를 산출하는 단계를 더 포함하는 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법을 제공한다.
또한, 상기 게이트 전극의 게이트전압은 -10V내지 0V인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 박막트랜지스터는 폴리실리콘계열 박막트랜지스터 또는 산화물계열 박막트랜지스터인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법은 박막트랜지스터의 소스전극에 커패시터의 일단을 연결시키고 상기 커패시터의 타단은 접지시켜, 상기 소스전극의 소스전압을 측정함으로써 상기 박막트랜지스터의 누설전류를 정확히 측정할 수 있는 효과를 갖는다.
특히, 폴리실리콘계열 박막트랜지스터 및 산화물계열 박막트랜지스터와 같이 누설전류가 1E-12A 이하의 경우 종래의 측정방법으로는 노이즈(noise)로 인해 정확히 측정할 수 없었지만, 본 발명의 측정방법은 이 경우에도 누설전류를 정확히 측정할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 종래의 박막트랜지스터의 누설전류를 측정하는 방법을 나타낸 도면이다.
도2는 도1의 방법으로 비정질실리콘계열 박막트랜지터의 드레인전류를 측정한 그래프이다.
도 3은 도1의 방법으로 폴리실리콘계열 박막트랜지터의 드레인전류를 측정한 그래프이다.
도 4는 도1의 방법으로 산화물계열 박막트랜지터의 드레인전류를 측정한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예로 박막트랜지스터의 드레인전류 측정하기 위해 박막트랜지스터와 커패시터를 연결한 회로도이다.
도 6은 본 발명의 실시예의 박막트랜지스터의 드레인전류 측정방법을 설명하기 위해 시간에 따라 변화하는 소스전극의 소스전압을 그래프로 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예로 측정한 비정질실리콘계열 박막트랜지스터의 시간에 따라 변화하는 소스전극의 소스전압을 그래프로 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예로 측정한 폴리실리콘계열 박막트랜지스터의 시간에 따라 변화하는 소스전극의 소스전압을 그래프로 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예로 측정한 산화물계열 박막트랜지스터의 시간에 따라 변화하는 소스전극의 소스전압을 그래프로 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
먼저, 앞으로 본 발명에 따른 실시예를 설명하는 내용에 있어서, 10^­ⁿ(여기서, n은 1이상의 자연수)은 E-n(여기서, n은 1이상의 자연수)으로 표현한다.
본 발명의 박막 트랜지스터의 누설전류 측정방법은 기 설정된 온도가 유지되는 환경에서 일정 용량을 갖는 커패시터의 일단은 박막 트랜지스터의 소스전극과 연결시키고, 커패시터의 타단은 접지시키는 단계, 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 일정 드레인전압을 인가하고 누설전류를 측정하고자 하는 게이트전압을 게이트전극에 인가하는 단계 및 상기 게이트전압에서 시간에 따라 변화하는 소스 전극의 소스전압을 측정하는 단계를 포함한다.
도 5는 본 발명의 실시예로 박막트랜지스터의 드레인전류 측정하기 위해 박막트랜지스터와 커패시터를 연결한 회로도이다.
먼저, 도면에 도시한 바와 같이, 박막트랜지스터는 소스전극(S), 드레인전극(D) 및 게이트전극(G)으로 구성되며, 박막트랜지스터의 소스전극(S)에 일정 용량(C)을 갖는 커패시터(cap)의 일단을 연결하고, 상기 커패시터(cap)의 타단은 접지(GND)시킨다.
도 6은 본 발명의 실시예의 박막트랜지스터의 드레인전류의 측정방법을 설명하기 위해 시간에 따라 변화하는 소스전극의 소스전압을 그래프로 나타낸 도면이다.
도면에 도시한 바와 같이, 그래프의 가로축은 단위가 초(sec)인 시간(t), 세로축은 단위가 볼트(V)인 소스전극(S)의 소스전압(Vs)을 나타낸다.
먼저, 기 설정된 온도가 유지되는 환경에서 일정 용량(C)을 갖는 커패시터(cap)의 일단은 박막 트랜지스터의 소스전극(S)과 전기적으로 연결시키고, 커패시터(cap)의 타단은 접지(GND)시킨다.
다음, 박막트랜지스터의 드레인전극(D)에 일정 드레인전압(Vd)을 인가하고, 누설전류를 측정하고자 하는 게이트전압(Vg)을 게이트전극(G)에 인가한다.
다음, 상기 게이트전압(Vg)에서 시간에 따라 변화하는 소스전극(S)의 소스전압(Vs)을 측정한다.
이때, 전류I는 수학식1로 정의된다.
[수학식 1]
I=Q/t
여기서, Q는 전하량, t는 시간이다.
또한, 전하량 Q는 수학식2로 정의된다.
[수학식 2]
Q=C*V
여기서, C는 커패시터의 용량, V는 전압이다.
또한, 수학식1과 수학식2를 통해 전압V가 수학식3으로 정의된다.
[수학식 3]
V=(I/C)*t
여기서, I는 전류, C는 커패시터의 용량, t는 시간이다.
결과적으로, 일정한 용량 C(여기서, C는 상수)를 갖는 커패시터(cap)의 타단은 접지상태(GND)에 놓여있고 소스전극(S)의 소스전압을 Vs라 하면, 드레인 전극(Vd)에 일정한 전압 Vd(여기서, Vd는 상수)을 인가하고, 누설전류(Ids)를 측정하고자 하는 게이트 전압 Vg(역기서, Vg는 상수)를 게이트전극(G)에 인가하면, 드레인 전극(D)에 인가된 전압 Vd에 의해 드레인 전극(D)에서 소스전극(S) 및 소스전극(S)과 연결된 커패시터(cap)의 일단에 전하가 공급되기 시작하고, 시간(t)이 지남에 따라 커패시터의 일단에 전하량 Qc가 증가하게 된다.
따라서, 수식2에 의해 커패시터(cap)의 용량 C가 일정하고, 전압 V는 전하량 Q에 비례하는 관계이므로, 시간(t)이 지남에 따라 커패시터(cap)의 일단에 전하량 Qc가 증가하면 커패시터(cap)의 일단과 연결된 소스전극(S)의 소스전압 Vs도 비례적으로 증가하게 된다.
따라서, 이를 매 시간(t)마다 소스전극(S)의 소스전압(Vs)을 측정하여 그래프로 표시하면, 도6의 그래프와 같이 일정한 기울기를 갖는 직선형태가 된다.
이때, 상기 그래프를 통해 시간(t) 변화에 따른 소스전극(S)의 소스전압(Vs)의 변화 즉, 기울기(Ids/C) 값을 산출할 수 있고, C는 커패시터(cap)의 용량으로 정해진 상수값이므로 기울기(Ids/C) 값에 커패시터(cap)의 용량 C를 곱하면, 누설전류 Ids를 산출할 수 있다.
또한, 박막트랜지스터의 누설전류는 게이트전극에 로우(Low) 게이트신호에 해당하는 게이트전압이 인가되었을 때, 드레인전극에서 소스전극으로 흐르는 드레인전류이므로, 본 발명의 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법은 로우(Low) 게이트신호에 대응되는 게이트전압일 때의 드레인전류를 측정하는 것이 바람직하다.
도 7은 본 발명의 실시예로 측정한 비정질실리콘계열 박막트랜지스터의 시간에 따라 변화하는 소스전극의 소스전압을 그래프로 나타낸 도면이다.
도면에 도시한 바와 같이, 그래프의 가로축은 단위가 초(sec)인 시간(t), 세로축은 단위가 볼트(V)인 소스전극(S)의 소스전압(Vs)을 나타낸다.
본 발명의 실시예에 따라, 기 설정된 온도 25℃에서 드레인전극(D)의 전압(Vd)은 10V, 게이트전극(G)의 전압(Vg)은 -10V, 커패시터(cap)의 용량(C)은 1nF으로 설정하고, 매 초(t)당 소스전극(S)의 소스전압(Vs)을 측정하여 그래프 상에 검정색 점으로 표시하면 불규칙적으로 표시되는데, 이를 평균적으로 산출하여 근사화 하면 일정 기울기를 갖는 직선형태의 빨간 선으로 그래프 상에 표시할 수 있다.
따라서, 수학식3에 의해 빨간 선의 기울기(Ids/C)를 구하면 1.53E-3이되고, 커패시터(cap)의 용량(C)는 1nF이므로 기울기(Ids/C)값 1.53E-3에 커패시터(cap)의 용량(C) 1nF을 곱하면, 게이트전극(G)의 전압(Vg)이 -10V일 때 누설전류(Ids)값 1.53E-12A가 산출된다.
도 8은 본 발명의 실시예로 측정한 폴리실리콘계열 박막트랜지스터의 시간에 따라 변화하는 소스전극의 소스전압을 그래프로 나타낸 도면이다.
도면에 도시한 바와 같이, 그래프의 가로축은 단위가 초(sec)인 시간(t), 세로축은 단위가 볼트(V)인 소스전극(S)의 소스전압(Vs)을 나타낸다.
본 발명의 실시예에 따라, 기 설정된 온도 25℃에서 드레인전극(D)의 전압(Vd)은 10V, 게이트전극(G)의 전압(Vg)은 -10V, 커패시터(cap)의 용량(C)은 1nF으로 설정하고, 매 초(t)당 소스전극(S)의 소스전압(Vs)을 측정하여 그래프 상에 검정색 점으로 표시하면 불규칙적으로 표시되는데, 이를 평균적으로 산출하여 근사화 하면 일정 기울기를 갖는 직선형태의 빨간 선으로 그래프 상에 표시할 수 있다.
따라서, 수학식3에 의해 빨간 선의 기울기(Ids/C)를 구하면 6.336E-4이되고, 커패시터(cap)의 용량(C)은 1nF이므로 기울기(Ids/C)값 6.336E-4에 커패시터(cap)의 용량(C) 1nF을 곱하면, 게이트전극(G)의 전압(Vg)이 -10V일 때 누설전류(Ids)값 6.33E-13A가 산출된다.
도 9는 본 발명의 실시예로 측정한 산화물계열 박막트랜지스터의 시간에 따라 변화하는 소스전극의 소스전압을 그래프로 나타낸 도면이다.
도면에 도시한 바와 같이, 그래프의 가로축은 단위가 초(sec)인 시간(t), 세로축은 단위가 볼트(V)인 소스전극(S)의 소스전압(Vs)을 나타낸다.
본 발명의 실시예에 따라, 기 설정된 온도 25℃에서 드레인전극(D)의 전압(Vd)은 10V, 게이트전극(G)의 전압(Vg)은 -10V, 커패시터의 용량(C)은 1nF으로 설정하고, 매 초(t)당 소스전극(S)의 소스전압(Vs)을 측정하여 그래프 상에 검정색 점으로 표시하면 불규칙적으로 표시되는데, 이를 평균적으로 산출하여 근사화 하면 일정 기울기를 갖는 직선형태의 빨간 선으로 그래프 상에 표시할 수 있다.
따라서, 수학식3에 의해 빨간 선의 기울기(Ids/C)를 구하면 2.79E-6이되고, 커패시터(cap)의 용량(C)은 1nF이므로 기울기(Ids/C)값 2.79E-6에 커패시터(cap)의 용량(C) 1nF을 곱하면, 게이트전극(G)의 전압(Vg)이 -10V일 때 누설전류(Ids)값 2.79E-17A가 산출된다.
따라서, 본 발명의 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법은 누설전류를 측정하고자 하는 각 게이트전압마다 소스전극의 소스전압을 측정하여, 측정된 소스전압의 평균값을 통해 각 게이트전압마다 누설전류를 산출하기 때문에, 게이트전극에 표본 시간(sampling time)동안 가변적으로 게이트전압을 인가면서 드레인전류를 측정하는 종래의 측정방법보다 더 정확한 박막트랜지스터의 누설전류를 산출할 수 있는 효과가 있다.
따라서, 폴리실리콘계열 박막트랜지스터 및 산화물계열 박막트랜지스터와 같이 누설전류가 10E-12A 이하의 경우 종래의 측정방법으로는 노이즈(noise)로 인해 정확히 측정할 수 없었지만, 본 발명의 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법은 이 경우에도 박막트랜지스터의 누설전류를 정확히 측정할 수 있는 효과를 갖는다.
본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
S : 소스전극
D : 드레인전극
G : 게이트전극
A : 전류계
GND : 접지
Ids : 드레인전류

Claims (6)

  1. 기 설정된 온도가 유지되는 환경에서 커패시터의 일단은 박막 트랜지스터의 소스전극과 연결시키고, 상기 커패시터의 타단은 접지시키는 단계;
    상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 드레인전압을 인가하고 게이트전압을 상기 박막트랜지스터의 게이트전극에 인가하는 단계;
    및 상기 게이트전압 및 상기 드레인전압 인가 상태에서 시간에 따라 변화하는 상기 소스 전극의 소스전압을 측정하는 단계;
    V=(I/C)*t(여기서, V는 상기 소스전극의 소스전압, I는 상기 드레인전극에서 상기 소스전극으로 흐르는 누설전류, C는 상기 커패시터의 용량, t는 상기 게이트 전극에 상기 게이트전압 인가시간)에 의해 기울기(I/C)를 산출하는 단계;
    상기 산출된 기울기(I/C)에 상기 커패시터의 용량(C)을 곱하여 상기 누설전류(I)를 산출하는 단계
    를 포함하고,
    상기 드레인전압은 상기 누설전류(I)가 흐르도록 0V 보다 큰 양의 전압을 갖고,
    상기 게이트전압은 상기 박막트랜지스터를 오프 상태로 하는 로우 게이트신호에 대응되는 전압인
    박막트랜지스터의 누설전류 측정방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 폴리실리콘계열 박막트랜지스터 또는 산화물계열 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 누설전류는 10E-12A 이하인 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법.
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