KR102186319B1 - 습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법 - Google Patents
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Abstract
습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법이 개시된다. 개시된 습식 배기가스 정화 장치는 본체, 배기가스의 입구, 적어도 하나의 세정수 분사노즐 및 클린가스의 출구를 포함하는 논패킹 습식 배기가스 정화 장치로서, 상기 습식 배기가스 정화 장치는 배수조, 상기 배수조로부터 배출된 배수 중의 입자를 제거하도록 구성된 오토스트레이너, 상기 세정수 분사노즐의 분무압을 조절하도록 구성된 노즐 분무압 조절수단, 상기 세정수 분사노즐의 분무량을 조절하도록 구성된 노즐 분무량 조절수단 및 상기 배기가스의 공급속도를 조절하도록 구성된 가스속도 조절수단을 포함한다.
Description
습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법이 개시된다. 보다 상세하게는, 충진재 및 필터를 포함하지 않는 습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법이 개시된다.
습식 배기가스 정화 장치(예를 들어, 습식 스크러버)에 충진재를 넣지 않고 사용하는 경우는 주로 SOx 배기가스를 처리하는 경우이나, 이때의 세정효율은 90% 수준에 머무르고 있는 수준이며, 노즐 막힘으로 인해 노즐 입경이 크고 다량의 물을 분무해야 한다는 문제점이 있다.
그러나, 반도체, 디스플레이 등 IT 분야의 배기가스에는 산 또는 알칼리가 포함되어 있어서 99% 이상의 오염물질의 처리가 요구되고 있다. 따라서, 배기가스(산 또는 알칼리) 처리 효율을 높이기 위해서 습식 배기가스 정화 장치 내부에 충진재를 충진하고, 이 충진재에 세정수를 뿌려줌으로써 기액 접촉 면적을 높여 배기가스를 제거하고 있다. 구체적으로, 산성 가스에는 알칼리성 세정수를 뿌려주고, 알칼리성 가스에는 산성 세정수를 뿌려준다.
일반적으로 배기가스 처리 시설은 공장 옥상에 설치되어 제한된 공간 내에서 처리 효율을 만족하는 습식 배기가스 정화 장치가 요구되기 때문에, 수직 또는 수평 구조를 갖는 습식 배기가스 정화 장치를 적절히 사용하고 있지만, 두 구조 모두 충진재를 충진한 상태에서 배기가스를 처리하고 있는 실정이다.
그러나, 습식 배기가스 정화 장치에 충진재가 충진되는 경우 충진재에 미생물을 포함하는 슬러지가 형성되어 충진재의 전단과 후단 사이의 차압이 증가하기 때문에 충진재의 주기적인 세정이 요구되며, 시간이 지남에 따라 충진재의 오염으로 인한 차압 상승으로 말미암아 장치 작동을 중단시키고 세정작업을 진행하거나 충진재를 교체해야 하며 운전 중에도 노즐 막힘 현상으로 인해 처리효율이 저하되는 문제점이 있다.
이를 개선하기 위하여 최근에 충진재 대신 하이브리드 필터를 습식 배기가스 정화 장치 내에 설치하여 차압 증가에 대한 개선을 이루었지만, 근본적으로 습식 배기가스 정화 장치 내에 필터가 포함되어 있어서 필터의 주기적인 세정이 요구된다.
또한, 세정수조에 pH 조절 약품(즉, 중화제)을 주입하므로 세정수 배출시 다량의 약품도 같이 배출되어 약품 소모량이 많은 문제점이 있다.
또한, 수평 구조의 습식 배기가스 정화 장치의 경우, 배기가스의 풍향과 세정수 분사노즐의 분사 방향이 90도 방향으로 교차하기 때문에 풍속에 의해 세정수가 습식 배기가스 정화 장치의 외부로 비산하여 2차 오염을 일으키는 문제점도 있다.
도 1은 충진재(17)를 포함하는 종래의 수직 구조의 습식 배기가스 정화 장치(10)를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 충진재(17)를 포함하는 종래의 수직 구조의 습식 배기가스 정화 장치(10)는 본체(11), 세정수(W)의 저장조(12), 배기가스(Gin)의 입구(13), 클린가스(Gout)의 출구(14), 하향 배치된 세정수 분사노즐(15), 배수 공급관(16) 및 충진재(17)를 포함한다.
도 2는 충진재(27)를 포함하는 종래의 수평 구조의 습식 배기가스 정화 장치(20)를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 충진재(27)를 포함하는 종래의 수평 구조의 습식 배기가스 정화 장치(20)는 본체(21), 세정수(W)의 저장조(22), 배기가스(Gin)의 입구(23), 클린가스(Gout)의 출구(24), 하향 배치된 세정수 분사노즐(25), 배수 공급관(26) 및 충진재(27)를 포함한다.
도 3은 필터(36)를 포함하는 종래의 수평 구조의 습식 배기가스 정화 장치(30)를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 필터(36)를 포함하는 종래의 수평 구조의 습식 배기가스 정화 장치(30)는 본체(31), 세정수(W)의 저장조(32), 배기가스(Gin)의 입구(33), 클린가스(Gout)의 출구(34), 세정수 분사노즐(35), 배수 공급관(미도시) 및 필터(36)를 포함한다.
본 발명의 일 구현예는 충진재 및 필터를 포함하지 않는 습식 배기가스 정화 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 구현예는 충진재 및 필터를 사용하지 않는 습식 배기가스 정화 방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면은,
본체, 배기가스의 입구, 적어도 하나의 세정수 분사노즐 및 클린가스의 출구를 포함하는 논패킹 습식 배기가스 정화 장치로서,
상기 습식 배기가스 정화 장치는,
배수조;
상기 배수조로부터 배출된 배수 중의 입자를 제거하도록 구성된 오토스트레이너;
상기 세정수 분사노즐의 분무압을 조절하도록 구성된 노즐 분무압 조절수단;
상기 세정수 분사노즐의 분무량을 조절하도록 구성된 노즐 분무량 조절수단; 및
상기 배기가스의 공급속도를 조절하도록 구성된 가스속도 조절수단을 포함하는 습식 배기가스 정화 장치를 제공한다.
상기 습식 배기가스 정화 장치는 상기 오토스트레이너에서 배출된 예비 세정수를 공급받도록 구성된 세정수조 및 상기 예비 세정수의 pH를 조절하여 상기 세정수 분사노즐에 공급되는 세정수를 생성하도록 구성된 pH 조절 수단을 더 포함할 수 있다.
상기 습식 배기가스 정화 장치는 상기 입구로 공급되는 상기 배기가스 중의 오염가스 농도를 측정하도록 구성된 제1 농도 측정수단 및 상기 출구에서 배출되는 상기 클린가스 중의 오염가스 농도를 측정하도록 구성된 제2 농도 측정수단을 더 포함할 수 있다.
상기 습식 배기가스 정화 장치는 상기 제1 농도 측정수단 및 상기 제2 농도 측정수단으로부터 각각 오염가스 농도 데이터를 제공받아 상기 노즐 분무압 조절수단, 상기 노즐 분무량 조절수단 및 가스속도 조절수단의 작동을 제어함으로써 액기비(분무압 기준), 액기비(분무량 기준) 및 상기 배기가스의 선속도를 조절하도록 구성된 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 pH 조절 수단은 상기 배수조가 아닌 상기 세정수조에만 중화제를 첨가하도록 구성될 수 있다.
상기 습식 배기가스 정화 장치는 데미스터를 포함하지 않을 수 있다.
상기 습식 배기가스 정화 장치는 상기 입구로 유입된 상기 배기가스가 중력방향의 이동경로를 포함하는 적어도 하나의 이동경로를 갖도록 하고, 상기 각 세정수 분사노즐이 상기 세정수를 중력의 역방향으로 분사하도록 구성될 수 있다.
상기 적어도 하나의 세정수 분사노즐은 제1 높이에 상향 배치된 적어도 하나의 제1 세정수 분사노즐, 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이에 상향 배치된 적어도 하나의 제2 세정수 분사노즐 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 습식 배기가스 정화 장치는 상기 세정수를 중력방향으로 분사하도록 구성된 적어도 하나의 추가 세정수 분사노즐을 더 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 세정수 분사노즐은 제1 높이에 상향 배치된 적어도 하나의 제1 세정수 분사노즐을 포함하고, 상기 적어도 하나의 추가 세정수 분사노즐은 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이에 하향 배치된 적어도 하나의 제2 세정수 분사노즐을 포함할 수 있다.
상기 습식 배기가스 정화 장치는 상기 각 세정수 분사노즐을 하나씩 격리하도록 상하방향으로 연장된 격자형 중공 기둥 구조의 격벽을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면은,
본체, 배기가스의 입구, 적어도 하나의 세정수 분사노즐 및 클린가스의 출구를 포함하는 논패킹 습식 배기가스 정화 장치를 이용하는 습식 배기가스 정화 방법으로서,
상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압, 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무량 및 상기 입구로 공급되어 상기 본체 내부를 통과하는 상기 배기가스의 선속도를 조절하여 세정효율을 조절하는 단계를 포함하는 습식 배기가스 정화 방법을 제공한다.
상기 습식 배기가스 정화 방법은 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압, 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무량 및 상기 배기가스의 선속도를 조절하여 액기비(분무압 기준)를 0.6bar/m/sec 초과로 조절하고, 이와 동시에 액기비(분무량 기준)를 3L/m3 초과로 조절할 수 있다.
상기 습식 배기가스 정화 방법은 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압을 2bar 이상으로 조절하고, 상기 배기가스의 선속도를 3.0m/sec 이하로 조절하고, 액기비(분무압 기준)를 1.5bar/m/sec 이하로 조절하고, 액기비(분무량 기준)를 7L/m3 이하로 조절할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법은 세정효율이 우수하고, 노즐 막힘 현상을 개선할 수 있다.
또한, 상기 습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법은 중화제 소모량이 적어 중화제 비용을 절감할 수 있다.
또한, 상기 습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법은 충진재 및 필터를 포함하지 않아 구조가 간단하고 제조비용이 낮으며 주기적인 세정이 불필요하여 유지보수를 위한 시간 및 비용을 절감할 수 있다.
또한, 상기 습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법은 세정수가 배기가스의 풍속에 의해 장치의 외부로 비산하는 것을 원천적으로 차단하여 2차 오염을 방지할 수 있다.
도 1은 종래의 수직 구조의 충진재 포함 습식 배기가스 정화 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 수평 구조의 충진재 포함 습식 배기가스 정화 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 종래의 수평 구조의 필터 포함 습식 배기가스 정화 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 습식 배기가스 정화 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 구현예들에 따른 습식 배기가스 정화 장치에서 데드존을 줄이기 위한 세정수 분사노즐의 배치 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 수평 구조의 충진재 포함 습식 배기가스 정화 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 종래의 수평 구조의 필터 포함 습식 배기가스 정화 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 습식 배기가스 정화 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 구현예들에 따른 습식 배기가스 정화 장치에서 데드존을 줄이기 위한 세정수 분사노즐의 배치 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 구현예에 따른 습식 배기가스 정화 장치를 상세히 설명한다.
본 명세서에서, 「논패킹(non-packing)」은 충진재, 필터 및 다공판과 같은 기액 접촉 촉진 부재를 포함하지 않음을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「기액 접촉 촉진 부재」는 배기가스와 세정수의 접촉 면적을 증가시키는 부재로서, 세정수 분사노즐 및/또는 격벽을 제외한 부재를 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「배기가스의 선속도」는 장치 내의 배기가스 정화 영역을 통과하는 배기가스의 유량을 배기가스 정화 영역의 단면적으로 나누어 얻은 선속도를 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「배기가스 정화 영역」은 장치 내의 기액 접촉이 주로 이루어지는 영역을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「액기비(분무압 기준)」는 노즐 분무압(단위: bar)을 배기가스의 선속도(단위: m/sec)로 나누어 얻은 값을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「액기비(분무량 기준)」는 노즐 분무량(단위: Liter)을 배기가스의 유량(단위: m3)으로 나누어 얻은 값을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「상부, 상단 또는 상단부」는 상대적으로 중력의 역방향에 위치한 부분 또는 단부를 의미하고, 「하부, 하단 또는 하단부」는 상대적으로 중력방향의 순방향에 위치한 부분 또는 단부를 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「상향 또는 상방」은 중력의 역방향을 의미하고, 「하향 또는 하방」은 중력방향을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「횡방향」은 중력방향과 수직한 방향을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「횡단면」은 중력방향과 수직한 방향으로 절개한 단면을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「높이」는 중력의 역방향으로의 상대적 위치를 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「상향 배치」는 세정수 분사노즐이 세정수를 중력의 역방향으로 분사하도록 배치되는 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「하향 배치」는 세정수 분사노즐이 세정수를 중력방향으로 분사하도록 배치되는 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「세정」이란 세정수 분사노즐이 배기가스를 세정수와 접촉시켜 상기 배기가스로부터 오염물질(오염가스 및 미립자 포함)을 제거하는 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「격자형 중공 기둥 구조의 격벽」이란 상하로 관통된 복수개의 중공을 가져서 횡단면 모양이 격자형인 기둥 구조의 격벽을 의미한다.
또한 본 명세서에서, 「배기가스」란 반도체 제조공정, 화학공정, 전자제품 제조공정, 전자부품 제조공정, 정밀기계 제조공정 및 이차전지 제조공정과 같은 각종 산업공정에서 배출되는 가스로서 산성 및 염기성 오염물질(미립자, NH3, BCl3, Cl2, HCl, HF, F2, HBr, SiCl4, TiCl4, SiF4, ClF3 등)을 함유하는 가스를 의미한다.
본 발명의 일 구현에에 따른 습식 배기가스 정화 장치는 배기가스 처리시 장치의 차압 상승문제를 해결하기 위해 충진재, 다공판 및 필터와 같은 기액 접촉 촉진 부재를 채용하지 하지 않는 대신에 장치 내부에서 배기가스와 세정수의 접촉 기회를 높여 유해가스 제거 효율을 향상시키기 위해 배기가스 흐름 방향과 세정수 분사 방향을 반대방향으로 설정하고, 세정수를 상향으로 분사하도록 구성된다. 또한, 세정효율을 더욱 향상시키기 위해 각 노즐별 커버리지를 확인하여 데드존이 없도록 최적 간격으로 노즐을 배치한다. 또한, 본 발명자들은 노즐 분무압과 가스유속의 상관관계를 최초로 파악하여 최적의 운전조건 범위를 찾아내어 세정효율을 향상시켰으며, 노즐 막힘 현상을 개선하고자 배수조와 세정수조를 분리하고 오토스트레이너로 배수내 입자를 제거한 후 세정수조로 공급하도록 장치를 구성하였다.
구체적으로, 상기 습식 배기가스 정화 장치는 본체, 배기가스의 입구, 적어도 하나의 세정수 분사노즐 및 클린가스의 출구를 포함한다.
상기 습식 배기가스 정화 장치는 충진재, 다공판 및 필터와 같은 기액 접촉 촉진 부재를 포함하지 않을 수 있다.
상기 충진재는 상기 필터를 제외한 것으로서, 기액 접촉을 증가시키 위한 일체의 물질을 지칭한다. 예를 들어, 상기 충진재는 Berl saddle, Intalox saddle, Raschig ring, Lessing ring, Pall ring, Tellerette, 다공판, 쇄석, 펠렛, 스펀지, 철 수세미, 입자, 글래스울 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
또한, 상기 습식 배기가스 정화 장치는 데미스터(demister)를 포함하지 않을 수 있다.
또한, 상기 습식 배기가스 정화 장치는 상기 입구로 유입된 배기가스가 중력방향의 이동경로를 포함하는 적어도 하나의 이동경로를 갖도록 구성될 수 있다.
또한, 상기 습식 배기가스 정화 장치는 상기 각 세정수 분사노즐이 세정수를 중력의 역방향으로 분사하도록 구성될 수 있다.
상기 세정수는 중성 수용액, 산성 수용액 또는 염기성 수용액을 포함할 수 있다.
상기 중성 수용액은 물일 수 있다.
상기 산성 수용액은 pH가 2~6일 수 있다. 상기 산성 수용액은 황산 수용액, 질산 수용액, 염산 수용액 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 염기성 수용액은 pH가 8~10일 수 있다. 상기 염기성 수용액은 수산화나트륨 수용액, 수산화칼슘 수용액, 수산화칼륨 수용액, 암모니아수, 수산화마그네슘 수용액 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
또한, 상기 습식 배기가스 정화 장치는 상기 입구로 유입된 상기 배기가스가, 중력방향으로 이동하는 상태에서, 상기 각 세정수 분사노즐로부터 분사되어 중력의 역방향으로 이동하는 세정수(즉, 상향 세정수)와 1차로 접촉하도록 한 후, 상기 각 세정수 분사노즐로부터 중력의 역방향으로 분사된 후 다시 중력방향으로 낙하하는 세정수(즉, 하향 세정수)과 2차로 접촉하도록 구성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 습식 배기가스 정화 장치(40)를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 습식 배기가스 정화 장치(40)는 본체(41), 배수조(42), 배기가스(Gin)의 입구(43), 클린가스(Gout)의 출구(44), 세정수 분사노즐(45), 오토스트레이너(46), 세정수조(47), pH 조절 수단(미도시), 노즐 분무압 조절수단(미도시), 노즐 분무량 조절수단(미도시) 및 가스속도 조절수단(미도시)을 포함한다.
본체(41)는 습식 배기가스 정화 장치(40)의 하우징에 해당하는 것으로서, 기액 접촉에 의해 배기가스(Gin)의 세정이 일어나는 장소이다.
배수조(42)는 세정수 분사노즐(45)에서 분사되어 배기가스(Gin)의 세정에 사용된 배수(WW, 즉 폐액)를 모으는 장소이다.
배수조(42)는 배수(WW)를 포함하는 액상부 및 상기 액상부의 상부에 위치하는 기상부를 포함하고, 클린가스(Gout)는 상기 기상부를 통과한 후 출구(44)를 통해 습식 배기가스 정화 장치(40)의 외부로 배출될 수 있다.
배기가스(Gin)의 입구(43)는 배기가스(Gin)가 유입되는 통로로서 본체(41)와 연통되어 있다.
배기가스(Gin)는 입구(43)를 통해 중력방향으로 유입될 수 있다.
클린가스(Gout)의 출구(44)는 배수조(42)와 연통될 수 있다.
세정수 분사노즐(45)은 세정수(CW)를 중력의 역방향으로 분사하도록 구성될 수 있다.
예를 들어, 세정수 분사노즐(45)은 적어도 하나의 제1 세정수 분사노즐(45-1) 및 적어도 하나의 제2 세정수 분사노즐(45-2)을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 세정수 분사노즐(45-1) 전체가 생략되거나, 제2 세정수 분사노즐(45-2) 전체가 생략될 수도 있다.
일례로서, 적어도 하나의 제1 세정수 분사노즐(45-1)은 본체(41) 내의 입구(43)의 하부로서 제1 높이에 상향 배치되고, 적어도 하나의 제2 세정수 분사노즐(45-2)은 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이에 상향 배치될 수 있다.
다른 예로서, 습식 배기가스 정화 장치(40)는 세정수(CW)를 중력방향으로 분사하도록 구성된 적어도 하나의 추가 세정수 분사노즐(미도시)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 적어도 하나의 제1 세정수 분사노즐(45-1)은 본체(41) 내의 입구(43)의 하부로서 제1 높이에 상향 배치되고, 적어도 하나의 추가 세정수 분사노즐(미도시)은 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이에 하향 배치된 적어도 하나의 제2 세정수 분사노즐(미도시)을 포함할 수 있다.
배수 배출관(L1)을 통해 배수조(42)로부터 배출된 배수(WW)는 펌프(P1)의 작용으로 배수 공급관(L2, L3)을 통해 오토스트레이너(46)로 공급될 수 있다.
오토스트레이너(auto strainer)(46)는 배수조(42)로부터 배출된 배수(WW) 중의 입자를 제거하도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 오토스트레이너(46)는 배수(WW) 중의 입자를 제거하여 세정수 분사노즐(45) 및/또는 상기 추가 세정수 분사노즐의 노즐 막힘을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
세정수조(47)는 오토스트레이너(46)로부터 배출된 예비 세정수를 예비 세정수 공급관(L3)을 통해 공급받도록 구성될 수 있다.
세정수 공급관(L4)을 통해 세정수조(47)로부터 배출된 세정수(CW)는 펌프(P2)의 작용으로 세정수 공급관(L5)을 통해 세정수 분사노즐(45) 및/또는 상기 추가 세정수 분사노즐로 공급될 수 있다.
상기 pH 조절 수단은 상기 예비 세정수의 pH를 조절하여(즉, 상기 예비 세정수를 중화시켜), 세정수 분사노즐(45) 및/또는 상기 추가 세정수 분사노즐에 공급되는 세정수(CW)를 생성하도록 구성될 수 있다.
또한, 상기 pH 조절 수단은 배수조(42)가 아닌 세정수조(47)에만 중화제(C)를 첨가하도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 습식 배기가스 정화 장치(40)의 운전 또는 유지 보수를 위하여 배수조(42) 내의 배수(WW) 중 일부를 외부로 배출시킬 경우, 상기 배출된 배수(WW)와 함께 배출되는 중화제의 양을 감소시켜 중화제의 소모량 및 비용을 절감할 수 있다.
중화제(C)는 산성 물질 또는 염기성 물질을 포함할 수 있다.
상기 산성 물질은 황산, 질산, 염산 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 염기성 물질은 수산화나트륨, 수산화칼슘, 수산화칼륨, 암모니아수, 수산화마그네슘 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 노즐 분무압 조절수단은 세정수 분사노즐(45) 및/또는 상기 추가 세정수 분사노즐의 분무압을 조절하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 노즐 분무압 조절수단은 펌프(P2), 노즐의 개수, 노즐의 종류, 노즐 구멍의 입경 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 노즐 분무량 조절수단은 세정수 분사노즐(45) 및/또는 상기 추가 세정수 분사노즐의 분무량을 조절하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 노즐 분무량 조절수단은 펌프(P2), 노즐의 개수, 노즐의 종류, 노즐 구멍의 입경 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 노즐 분무압 조절수단 및 상기 노즐 분무량 조절수단은 각각 별개로 구성될 수도 있고, 일체로 구성될 수도 있다.
상기 가스속도 조절수단은 배기가스(Gin)의 공급속도를 조절하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 가스속도 조절수단은 질량유량계(mass flow controller)를 포함할 수 있다.
또한, 습식 배기가스 정화 장치(40)는 제1 농도 측정수단(미도시) 및 제2 농도 측정수단(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 농도 측정수단은 입구(43)로 공급되는 배기가스(Gin) 중의 오염가스 농도(예를 들어, 암모니아 농도)를 측정하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 농도 측정수단은 가스크로마토그래프를 포함할 수 있다.
상기 제2 농도 측정수단은 클린가스(Gout) 중의 오염가스 농도(예를 들어, 암모니아 농도)를 측정하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 농도 측정수단은 가스크로마토그래프를 포함할 수 있다.
또한, 습식 배기가스 정화 장치(40)는 상기 제1 농도 측정수단 및 상기 제2 농도 측정수단으로부터 각각 오염가스 농도 데이터를 제공받아 상기 노즐 분무압 조절수단, 상기 노즐 분무량 조절수단 및 가스속도 조절수단의 작동을 제어함으로써 액기비(분무압 기준), 액기비(분무량 기준) 및 상기 배기가스의 선속도를 조절하도록 구성된 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 제어부는 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압, 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무량 및 상기 배기가스(Gin)의 선속도를 조절하여 액기비(분무압 기준)를 0.6bar/m/sec 초과로 조절하고, 이와 동시에 액기비(분무량 기준)를 3L/m3 초과로 조절할 수 있다.
구체적으로, 상기 제어부는 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압을 2bar 이상(예를 들어, 2~3bar)으로 조절하고, 상기 배기가스의 선속도를 3.0m/sec 이하(예를 들어, 2.0~3.0m/sec)로 조절하고, 액기비(분무압 기준)를 1.5bar/m/sec 이하로 조절하고, 액기비(분무량 기준)를 7L/m3 이하(예를 들어, 6L/m3 이하 또는 3~6L/m3)로 조절하도록 구성될 수 있다. 상기 노즐 분무압, 배기가스(Gin)의 선속도 및 액기비가 각각 상기 범위이내이면, 낮은 설치 및 운전 비용으로도 우수한 세정효율을 얻을 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 일 구현예에 따른 습식 배기가스 정화 장치(40)의 작용 및 효과를 상세히 설명한다.
먼저, 배기가스(Gin)가 입구(43)를 통해 본체(41)내로 2.0~3.0m/sec의 선속도로 유입된다. 이때, 배수조(42)에 저장되어 있던 배수(WW) 중 일부는 배수 배출관(L1), 펌프(P1) 및 배수 공급관(L2)을 차례로 경유하여 오토스트레이너(46)로 공급된다. 또한, 배수조(42) 내의 배수(WW) 중 일부는 연속적으로 또는 간헐적으로 외부로 배출될 수 있다.
오토스트레이너(46)에서는 배수(WW) 중의 입자를 제거하여 예비 세정수를 생성한다.
상기 예비 세정수는 예비 세정수 공급관(L3)을 경유하여 세정수조(47)로 공급된다.
세정수조(47)에는 중화제(C)가 첨가되어 상기 예비 세정수를 세정수(CW)로 전환시킨다. 또한, 세정수조(47)에는 깨끗한 물이 외부로부터 연속적으로 또는 간헐적으로 공급될 수 있다.
세정수(CW)는 세정수 공급관(L4), 펌프(P2) 및 세정수 공급관(L5)을 차례로 경유하여 세정수 분사노즐(45)로 공급되고, 세정수 분사노즐(45)은 세정수(CW)를 2~3bar의 노즐 분무압으로 상방으로 분사한다.
이후, 본체(41)로 유입된 배기가스(Gin)는 세정수 분사노즐(45)에서 상방으로 분사된 세정수(CW)와 1차로 접촉한 후, 세정수 분사노즐(45)로부터 상방으로 분사된 후 다시 하방으로 낙하하는 세정수(CW)와 2차로 접촉한다. 이때, 배기가스(Gin)에 함유된 오염물질이 제거(즉, 흡수)되는데, 동일한 배기가스(Gin)가 동일 또는 상이한 세정수(CW)와 2회 이상 접촉하기 때문에 오염물질의 제거효율(즉, 세정효율)이 향상될 수 있다.
이후, 오염물질이 제거된 배기가스(Gin), 즉 클린가스(Gout)는 배수조(42)의 기상부를 거쳐 클린가스(Gout)의 출구(44)를 통해 습식 배기가스 정화 장치(40)의 외부로 배출된다. 또한, 배기가스(Gin)와 접촉한 세정수(CW)는 최종적으로는 낙하하여 배수조(42)로 유입된다.
상기와 같은 구성을 갖는 습식 배기가스 정화 장치(40)는 배기가스(Gin)가 하방으로 유입되고, 세정수(CW)도 일단 상방으로 분사되었다가 결국에는 하방으로 낙하하도록 구성되기 때문에, 세정수(CW)가 습식 배기가스 정화 장치(40)의 외부로 비산하여 2차 오염이 발생하는 문제점을 갖지 않는다.
또한, 습식 배기가스 정화 장치(40)는 전술한 바와 같이 기액 접촉 촉진 부재 및 데미스터를 포함하지 않고도 오염물질의 제거효율이 높기 때문에, 구조가 간단하고, 제조비용이 낮으며, 주기적인 세정이 불필요하여 유지보수를 위한 시간 및 비용을 절감할 수 있다.
또한, 습식 배기가스 정화 장치(40)는 논패킹 구조의 특성상 장치 자체의 막힘이 없어 입자가 많이 발생하는 공정에서의 빈번한 청소로 인한 장치 운전 중단을 최소화할 수 있으며, 배수조(42)와 세정수조(47)를 분리하고 오토스트레이너(46)를 적용하여 배수(WW)내 입자를 제거하도록 구성됨으로써 노즐 막힘 현상으로 인한 세정효율 저하 요인을 해결할 수 있다.
또한, 배수조(42)와 세정수조(47)를 분리하고 세정수조(47)에만 중화제(C)를 첨가하여 배수조(42)로부터 배수(WW) 배출시 배수(WW)와 함께 중화제(C)가 배출되지 않도록 함으로써 중화제 소모량을 줄일 수 있다.
또한, 습식 배기가스 정화 장치(40)는 배수조(42)와 세정수조(47)를 분리하고 오토스트레이너(46)로 노즐 막힘을 방지하여 노즐 입경을 줄여 노즐 분무압을 높일 수 있어서 적은 물량에서도 높은 처리 효율이 가능하다.
또한, 습식 배기가스 정화 장치(40)는 IT 산업 공정의 배출 가스뿐만 아니라, 화공 플랜트, 발전 플랜트 등의 배기가스를 제거하기 위한 모든 습식 스크러버로서 범용적으로 사용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 구현예들에 따른 습식 배기가스 정화 장치에서 데드존(dead zone)을 줄이기 위한 세정수 분사노즐의 배치 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5의 (a)를 참조하면, 습식 배기가스 정화 장치 내벽(IW1)의 횡단면 형상을 요철 형상으로 구성하고, 7개의 세정수 분사노즐(SN1)을 등간격으로 분산 배치함으로써, 기액 접촉이 불완전하게 일어나는 데드존을 줄일 수 있다.
또한 도 5의 (b)를 참조하면, 습식 배기가스 정화 장치 내벽(IW2)의 횡단면 형상을 요철 형상으로 구성하고, 7개의 세정수 분사노즐(SN2)을 등간격으로 분산 배치하고, 각 세정수 분사노즐(SN2)을 하나씩 격리하도록 상하방향으로 연장된 격자형 중공 기둥 구조의 격벽(PT2)을 더 포함함으로써, 기액 접촉이 불완전하게 일어나는 데드존을 더욱 더 줄일 수 있다.
또한 도 5의 (c)를 참조하면, 습식 배기가스 정화 장치 내벽(IW3)의 횡단면 형상을 정사각형 형상으로 구성하고, 9개의 세정수 분사노즐(SN3)을 등간격으로 분산 배치함으로써, 기액 접촉이 불완전하게 일어나는 데드존을 줄일 수 있다.
또한 도 5의 (d)를 참조하면, 습식 배기가스 정화 장치 내벽(IW4)의 횡단면 형상을 정사각형 형상으로 구성하고, 9개의 세정수 분사노즐(SN4)을 등간격으로 분산 배치하고, 각 세정수 분사노즐(SN4)을 하나씩 격리하도록 상하방향으로 연장된 격자형 중공 기둥 구조의 격벽(PT4)을 더 포함함으로써, 기액 접촉이 불완전하게 일어나는 데드존을 더욱 더 줄일 수 있다.
그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 다양한 세정수 분사노즐의 배치 구조가 채용될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 구현예에 따른 습식 배기가스 정화 방법을 상세히 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 습식 배기가스 정화 방법은 본체, 배기가스의 입구, 적어도 하나의 세정수 분사노즐 및 클린가스의 출구를 포함하는 논패킹 습식 배기가스 정화 장치를 이용한다.
상기 습식 배기가스 정화 방법에 이용되는 상기 논패킹 습식 배기가스 정화 장치는 전술한 습식 배기가스 정화 장치(40)와 동일한 것일 수 있다.
또한, 상기 습식 배기가스 정화 방법은 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압, 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무량 및 상기 입구로 공급되어 상기 본체 내부를 통과하는 상기 배기가스의 선속도(구체적으로, 배기가스 정화 영역에서의 선속도)를 조절하여 세정효율을 조절하는 단계를 포함한다.
상기 습식 배기가스 정화 방법은 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압, 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무량 및 상기 배기가스의 선속도를 조절하여 액기비(분무압 기준)를 0.6bar/m/sec 초과로 조절하고, 이와 동시에 액기비(분무량 기준)를 3L/m3 초과로 조절할 수 있다.
또한, 상기 습식 배기가스 정화 방법은 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압을 2bar 이상으로 조절하고, 상기 배기가스의 선속도를 3.0m/sec 이하로 조절하고, 액기비(분무압 기준)를 1.5bar/m/sec 이하로 조절하고, 액기비(분무량 기준)를 7L/m3 이하로 조절할 수 있다.
본 발명자들은 배기가스 정화 영역에서 "노즐 분무압", "노즐 분무량" 및 "배기가스의 선속도"의 특별한 조합이 세정효율을 극대화한다는 사실을 최초로 발견하였다.
일반적으로 패킹을 사용하는 습식 배기가스 정화 방법에서는 노즐 분무압을 고려하지 않은 상태에서 노즐 분무량을 조절하고 패킹내에서의 기액 접촉을 극대화하여 세정효율 향상을 도모하였다.
기존의 논패킹 습식 배기가스 정화 방법에서는 일반적으로 기액 접촉을 극대화하기 위해 원심력을 이용한 관성 충돌 효과, 미세분무 효과, 또는 물속으로 배기가스를 직접 불어넣는 버블링 효과를 이용하였다.
또한, 기존의 논패킹 습식 배기가스 정화 방법에서는 노즐 분무압을 조절하여 세정효율 향상을 시도할 경우 그 효과가 작을 것이라는 것이 통상의 기술자에게 일반적으로 알려져 있는 관념이었다. 즉, 논패킹 습식 배기가스 정화 장치 내에서 어느 정도 차압이 생겨야 기액 접촉이 효과적으로 일어나 세정효율이 향상된다고 생각하는 사람들이 대부분이었다. 따라서, 실제 논패킹 습식 배기가스 정화 장치(예를 들어, 습식 스크러버)를 설계할 때 노즐 분무압은 전혀 고려하지 않고 가스와 접촉하는 세정수의 분무량을 계산해서 설계하는 것이 일반적이었다.
이하, 실시예들을 들어 본 발명에 관하여 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명이 이러한 실시예들에 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1: 습식 배기가스 정화 장치의 제조
도 4에 도시된 것과 동일한 구성을 갖는 습식 배기가스 정화 장치를 제조하였다. 세정수 분사노즐의 배치 구조는 도 5의 (c)와 동일한 것을 채용하였다.
비교예 1: 습식 배기가스 정화 장치의 제조
세정수조를 생략하고, 중화제를 배수조에 직접 첨가한 것을 제외하고는, 도 4에 도시된 것과 동일한 구성을 갖는 습식 배기가스 정화 장치를 제조하였다. 세정수 분사노즐의 배치 구조는 도 5의 (c)와 동일한 것을 채용하였다.
실시예 2-1~2-9 및 비교예 2-1~2-4: 습식 배기가스 정화 장치의 운전
실시예 1에서 제조된 습식 배기가스 정화 장치를 이용하여 하기 표 1에 기재된 조건으로 암모니아를 함유하는 배기가스를 처리하여 클린가스를 얻었다. 이때, 세정수로는 황산 수용액(pH=2)을 사용하였다. 이때, 배수조로부터 배수 중 일부를 외부로 배출시키는 양은 0.05m3/day이었으며, 약품(황산) 소모량은 0.05L/day이었다. 노즐 분무압(NP), 배기가스의 선속도(GS), 액기비(분무압 기준), 액기비(분무량 기준), 배기가스 중의 암모니아 농도(UAC), 클린가스 중의 암모니아 농도(TAC) 및 세정효율(WE)을 하기 표 1에 나타내었다.
비교예 2-3: 습식 배기가스 정화 장치의 운전
비교예 1에서 제조된 습식 배기가스 정화 장치를 이용하여 하기 표 1에 기재된 조건으로 암모니아를 함유하는 배기가스를 처리하여 클린가스를 얻었다. 이때, 세정수로는 황산 수용액(pH=2)을 사용하였다. 이때, 배수조로부터 배수 중 일부를 외부로 배출시키는 양은 0.15m3/day이었으며, 약품(황산) 소모량은 1.5L/day이었다. 노즐 분무압(NP), 배기가스의 선속도(GS), 액기비(분무압 기준), 액기비(분무량 기준), 배기가스 중의 암모니아 농도(UAC), 클린가스 중의 암모니아 농도(TAC) 및 세정효율(WE)을 하기 표 1에 나타내었다.
| NP (bar) |
GS (m/s) |
액기비 (bar/m/sec) |
액기비 (L/m3) |
UAC (ppm) (부피 기준) |
TAC(ppm) (부피 기준) |
WE(%)*1 | |
| 실시예 2-1 | 2.0 | 2.0 | 1.0 | 4.6 | 50 | 0.50 | 99.0 |
| 실시예 2-2 | 2.0 | 2.5 | 0.8 | 3.7 | 52 | 0.78 | 98.5 |
| 실시예 2-3 | 2.0 | 3.0 | 0.7 | 3.1 | 50 | 0.90 | 98.2 |
| 실시예 2-4 | 2.5 | 2.0 | 1.3 | 5.2 | 51 | 0.26 | 99.5 |
| 실시예 2-5 | 2.5 | 2.5 | 1.0 | 4.1 | 52 | 0.62 | 98.8 |
| 실시예 2-6 | 2.5 | 3.0 | 0.8 | 3.4 | 50 | 0.75 | 98.5 |
| 실시예 2-7 | 2.8 | 2.5 | 1.1 | 4.5 | 51 | 0.46 | 99.1 |
| 실시예 2-8 | 3.0 | 2.5 | 1.2 | 4.7 | 51 | 0.20 | 99.6 |
| 실시예 2-9 | 2.5 | 1.5 | 1.7 | 6.9 | 52 | 0.10 | 99.8 |
| 비교예 2-1 | 1.5 | 2.5 | 0.6 | 3.2 | 50 | 1.55 | 96.9 |
| 비교예 2-2 | 2.5 | 3.5 | 0.7 | 3.0 | 50 | 1.40 | 97.2 |
| 비교예 2-3 | 1.5 | 2.5 | 0.6 | 3.2 | 50 | 1.55 | 96.9 |
*1: 세정효율(WE)(%) = (배기가스 중 암모니아 농도 - 클린가스 중 암모니아 농도)/(배기가스 중 암모니아 농도)×100
상기 표 1을 참조하면, 실시예 2-1~2-9에서 실시된 습식 배기가스 정화 방법은 세정효율이 높고(≥ 98%), 약품 사용량도 상대적으로 적은 것으로 나타났다.
반면에, 비교예 2~1 및 비교예 2-2에서 실시된 습식 배기가스 정화 방법은 세정효율이 낮지만(< 98%), 약품 사용량은 상대적으로 적은 것으로 나타났다.
비교예 2~3에서 실시된 습식 배기가스 정화 방법은 세정효율이 낮고(< 98%), 약품 사용량도 상대적으로 많은 것으로 나타났다.
또한 상기 비교예 2-1~2-2의 결과로부터, 논패킹 습식 배기가스 정화 장치를 이용하는 습식 배기가스 정화 방법에서는 액기비(분무량 기준)가 소정 기준치(3L/m3)를 초과하더라고 액기비(분무압 기준)가 소정 기준치(0.6bar/m/sec) 이하일 경우, 또는 액기비(분무압 기준)가 소정 기준치(0.6bar/m/sec)를 초과하더라고 액기비(분무량 기준)이 소정 기준치(3L/m3) 이하일 경우에는 세정효율이 낮아짐을 확인할 수 있다. 따라서, 논패킹 습식 배기가스 정화 장치를 이용하는 습식 배기가스 정화 방법에서 우수한 세정효율을 얻기 위해서는 액기비(분무량 기준)뿐만 아니라 액기비(분무압 기준)도 함께 조절하여야 함을 확인할 수 있다.
이상에서 도면 및 실시예를 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 구현예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 구현예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
40: 습식 배기가스 정화 장치 41: 본체
42: 배수조 43: 배기가스의 입구
44: 클린가스의 출구 45: 세정수 분사노즐
46: 오토스트레이너 47: 세정수조
L1: 배수 배출관 L2: 배수 공급관
L3: 예비 세정수 공급관 L4, L5: 세정수 공급관
SN1~SN4: 세정수 분사노즐 IW1~IW4: 장치 내벽
PT2, PT4: 격벽
42: 배수조 43: 배기가스의 입구
44: 클린가스의 출구 45: 세정수 분사노즐
46: 오토스트레이너 47: 세정수조
L1: 배수 배출관 L2: 배수 공급관
L3: 예비 세정수 공급관 L4, L5: 세정수 공급관
SN1~SN4: 세정수 분사노즐 IW1~IW4: 장치 내벽
PT2, PT4: 격벽
Claims (14)
- 본체, 배기가스의 입구, 적어도 하나의 세정수 분사노즐 및 클린가스의 출구를 포함하는 논패킹 습식 배기가스 정화 장치로서,
상기 습식 배기가스 정화 장치는,
배수조;
상기 배수조로부터 배출된 배수 중의 입자를 제거하도록 구성된 오토스트레이너;
상기 세정수 분사노즐의 분무압을 조절하도록 구성된 노즐 분무압 조절수단;
상기 세정수 분사노즐의 분무량을 조절하도록 구성된 노즐 분무량 조절수단; 및
상기 배기가스의 공급속도를 조절하도록 구성된 가스속도 조절수단을 포함하는 습식 배기가스 정화 장치. - 제1항에 있어서,
상기 오토스트레이너에서 배출된 예비 세정수를 공급받도록 구성된 세정수조 및 상기 예비 세정수의 pH를 조절하여 상기 세정수 분사노즐에 공급되는 세정수를 생성하도록 구성된 pH 조절 수단을 더 포함하는 습식 배기가스 정화 장치. - 제1항에 있어서,
상기 입구로 공급되는 상기 배기가스 중의 오염가스 농도를 측정하도록 구성된 제1 농도 측정수단 및 상기 출구에서 배출되는 상기 클린가스 중의 오염가스 농도를 측정하도록 구성된 제2 농도 측정수단을 더 포함하는 습식 배기가스 정화 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제1 농도 측정수단 및 상기 제2 농도 측정수단으로부터 각각 오염가스 농도 데이터를 제공받아 상기 노즐 분무압 조절수단, 상기 노즐 분무량 조절수단 및 가스속도 조절수단의 작동을 제어함으로써 액기비(분무압 기준), 액기비(분무량 기준) 및 상기 배기가스의 선속도를 조절하도록 구성된 제어부를 더 포함하고, 상기 액기비(분무압 기준)는 노즐 분무압(단위: bar)을 배기가스의 선속도(단위: m/sec)로 나누어 얻은 값을 의미하고, 상기 액기비(분무량 기준)는 노즐 분무량(단위: Liter)을 배기가스의 유량(단위: m3)으로 나누어 얻은 값을 의미하는 습식 배기가스 정화 장치. - 제2항에 있어서,
상기 pH 조절 수단은 상기 배수조가 아닌 상기 세정수조에만 중화제를 첨가하도록 구성된 습식 배기가스 정화 장치. - 제1항에 있어서,
상기 습식 배기가스 정화 장치는 데미스터를 포함하지 않는 습식 배기가스 정화 장치. - 제1항에 있어서,
상기 입구로 유입된 상기 배기가스가 중력방향의 이동경로를 포함하는 적어도 하나의 이동경로를 갖도록 하고, 상기 각 세정수 분사노즐이 상기 세정수를 중력의 역방향으로 분사하도록 구성된 습식 배기가스 정화 장치. - 제7항에 있어서,
상기 적어도 하나의 세정수 분사노즐은 제1 높이에 상향 배치된 적어도 하나의 제1 세정수 분사노즐, 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이에 상향 배치된 적어도 하나의 제2 세정수 분사노즐 또는 이들의 조합을 포함하는 습식 배기가스 정화 장치. - 제7항에 있어서,
상기 세정수를 중력방향으로 분사하도록 구성된 적어도 하나의 추가 세정수 분사노즐을 더 포함하는 습식 배기가스 정화 장치. - 제9항에 있어서,
상기 적어도 하나의 세정수 분사노즐은 제1 높이에 상향 배치된 적어도 하나의 제1 세정수 분사노즐을 포함하고, 상기 적어도 하나의 추가 세정수 분사노즐은 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이에 하향 배치된 적어도 하나의 제2 세정수 분사노즐을 포함하는 습식 배기가스 정화 장치. - 제1항에 있어서,
상기 각 세정수 분사노즐을 하나씩 격리하도록 상하방향으로 연장된 격자형 중공 기둥 구조의 격벽을 더 포함하는 습식 배기가스 정화 장치. - 본체, 배기가스의 입구, 적어도 하나의 세정수 분사노즐 및 클린가스의 출구를 포함하는 논패킹 습식 배기가스 정화 장치를 이용하는 습식 배기가스 정화 방법으로서,
상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압, 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무량 및 상기 입구로 공급되어 상기 본체 내부를 통과하는 상기 배기가스의 선속도를 조절하여 세정효율을 조절하는 단계를 포함하는 습식 배기가스 정화 방법. - 제12항에 있어서,
상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압, 상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무량 및 상기 배기가스의 선속도를 조절하여 액기비(분무압 기준)를 0.6bar/m/sec 초과로 조절하고, 이와 동시에 액기비(분무량 기준)를 3L/m3 초과로 조절하고, 상기 액기비(분무압 기준)는 노즐 분무압(단위: bar)을 배기가스의 선속도(단위: m/sec)로 나누어 얻은 값을 의미하고, 상기 액기비(분무량 기준)는 노즐 분무량(단위: Liter)을 배기가스의 유량(단위: m3)으로 나누어 얻은 값을 의미하는 습식 배기가스 정화 방법. - 제13항에 있어서,
상기 각 세정수 분사노즐의 노즐 분무압을 2bar 이상으로 조절하고, 상기 배기가스의 선속도를 3.0m/sec 이하로 조절하고, 액기비(분무압 기준)를 1.5bar/m/sec 이하로 조절하고, 액기비(분무량 기준)를 7L/m3 이하로 조절하는 습식 배기가스 정화 방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020200069833A KR102186319B1 (ko) | 2020-06-09 | 2020-06-09 | 습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법 |
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| KR1020200069833A KR102186319B1 (ko) | 2020-06-09 | 2020-06-09 | 습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법 |
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| KR102186319B1 true KR102186319B1 (ko) | 2020-12-03 |
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| KR1020200069833A KR102186319B1 (ko) | 2020-06-09 | 2020-06-09 | 습식 배기가스 정화 장치 및 습식 배기가스 정화 방법 |
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| JP2000176239A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-27 | Nkk Corp | アンモニアの生物脱臭装置 |
| JP2002045740A (ja) * | 2000-05-25 | 2002-02-12 | Nippon Paint Co Ltd | 塗料ヤニ取り装置および塗料ヤニ取り方法 |
| JP2011520610A (ja) * | 2008-05-20 | 2011-07-21 | 玉川大学 農学部 | 生物の生産に関連する構造物内を起源として発生する悪臭や臭気ガス物質の浄化および脱臭方法 |
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-
2020
- 2020-06-09 KR KR1020200069833A patent/KR102186319B1/ko active IP Right Grant
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