KR102182334B1 - 폐기판으로부터 실리콘 카바이드를 회수하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폐기판으로부터 실리콘 카바이드를 회수하는 방법에 관한 것으로서, 회수한 복수의 회로 기판을 로스팅기의 히팅 드럼에 일정량 채워지도록 하는 단계; 상기 히팅 드럼이 회전하면서 일정 온도로 가열되도록 하여 회로 기판으로부터 납땜 처리된 다양한 소자들과 IC 칩이 분리되도록 하는 단계; 상기 로스팅기의 히팅 드럼으로부터 분리된 회로 기판과 다양한 소자들과 IC 칩들을 인출되도록 하는 단계; 상기 히팅 드럼으로부터 인출한 회로 기판과 다양한 소자들과 IC 칩들은 종류별로 선별되도록 하는 단계; 상기 단계에서 선별에 의해 수집한 IC 칩들은 황산이 채워진 반응기에 담가 상기 IC 칩들로부터 실리콘 카바이드 결정체들이 분리되도록 하는 단계: 상기 IC 칩으로부터 분리시킨 실리콘 카바이드 결정체들만을 수집하여 세척과 건조되도록 하는 단계에 의해 회수되도록 한다.

Description

폐기판으로부터 실리콘 카바이드를 회수하는 방법{Methods for collecting silicon carbide from disposal circuit board}
본 발명은 폐기판으로부터 실리콘 카바이드를 회수하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 폐기판으로부터 분리한 IC 칩을 황산에 함침시켜 실리콘 카바이드만 분리시켜 분리한 실리콘 카바이드를 다양한 용도로서 재활용할 수 있도록 하는 폐기판으로부터 실리콘 카바이드를 회수하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 실리콘 카바이드(SiC)는 실리콘(Si)과 탄소(C)를 원료로 만든 화합물로 압축강도가 높고, 높은 온도에서도 변형이 적으며, 열전도성이 좋고, 세라믹의 성질과 금속의 성질을 혼합하여 보유하는 물질로서 내식성이 대단히 뛰어난 소재이다.
실리콘 카바이드로 다양한 형태의 물건을 제작할 수는 있으나 일단 소성한 후에는 재접합과 가공이 쉽지 않은 단점이 있기는 하지만 유기화합물뿐만 아니라 부식성이 큰 산 또는 알칼리 화합물에도 견디며 고온에서도 침식되지 않고 기계적 강도와 내마모성이 매우 우수하여 반도체 공정의 웨이퍼 홀더나 내산성 펌프의 베어링 소재, 화학공장에서 배출되는 고온 산성 배기가스의 열교환기 소재 등의 매우 다양한 용도로 활용되고 있다.
이러한 실리콘 카바이드가 최근 많이 사용되고 있는 분야가 IC 칩이다.
실리콘 카바이드는 그 물리적 강도와 높은 내화학적, 내고온성으로 인해 최근 수년 동안 다양한 전자 장치 및 목적을 위해서 반도체 재료로서 사용되어 왔으며 또한, 방사선에 대한 내구성, 높은 절연-파괴(breakdown) 전기장, 상대적으로 넓은 밴드갭, 높은 전자 포화 드리프트(drift) 속력, 고온 작동, 및 스펙트럼 상의 청색, 보라색, 자외선 영역에서 고에너지 포톤(photon)의 흡수와 방출 등의 우수한 전자적 특성을 가지고 있다.
따라서 GaN 등의 갈륨함유 질화물 박막 형성시에 기존의 산화알루미늄에 비하여 실리콘 카바이드는 더 우수한 기판 특성을 가진다.
등록특허 제1001674호(2010.12.09)의 실리콘 카바이드 기판 제조방법에서는 실리콘 카바이드 재질의 시드층과 지지대를 사용하여 시드층 상에 실리콘 카바이드 성장층을 성장시켜 시드층과 지지대의 일부가 기판의 일부로 사용될 수 있도록 하는 방식에 의해 기판이 제조되도록 한 바 있다.
이 외에도 실리콘 카바이드는 다양한 방식으로 기판에 적용되어 사용되고 있지만 이렇게 사용용도가 다양한 실리콘 카바이드가 적용된 기판을 현재는 그대로 폐기하고 있으므로 막대한 자원의 손실을 초래하는 매우 비경제적인 문제점이 발생되고 있다.
(문헌 1) 등록특허 제1001674호(2010.12.09)
이에 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 회로 기판으로부터 IC 칩을 분리한 후 IC 칩으로부터는 비교적 고가의 재질인 실리콘 카바이드만을 분리시켜 재활용할 수 있도록 하는 폐기판으로부터의 실리콘 카바이드 회수방법을 제공하는데 주된 목적이 있다.
또한, 본 발명은 폐기판의 IC 칩으로부터 분리되도록 한 실리콘 카바이드를 다양한 분야에서 재활용할 수 있도록 함으로써 실리콘 카바이드의 생산비용을 절감할 수 있도록 하는 폐기판으로부터의 실리콘 카바이드 회수방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
상기한 목적 달성을 위하여 본 발명에 따른 폐기판으로부터의 실리콘 카바이드 회수방법은, 수거한 복수의 회로 기판을 로스팅기의 히팅 드럼에 일정량 채워지도록 하는 단계; 상기 히팅 드럼이 회전하면서 일정 온도로 가열되도록 하여 회로 기판으로부터 납땜 처리된 다양한 소자들과 IC 칩이 분리되도록 하는 단계; 상기 로스팅기의 히팅 드럼으로부터 분리된 회로 기판과 다양한 소자들과 IC 칩들을 인출되도록 하는 단계; 상기 히팅 드럼으로부터 인출한 회로 기판과 다양한 소자들과 IC 칩들은 종류별로 선별되도록 하는 단계; 상기 단계에서 선별에 의해 수집한 IC 칩들은 황산이 채워진 반응기에 담가 상기 IC 칩들로부터 실리콘 카바이드 결정체들이 분리되도록 하는 단계: 상기 IC 칩으로부터 분리시킨 실리콘 카바이드 결정체들만을 수집하여 세척과 건조되도록 하는 단계에 의해 회수되도록 하는데 특징이 있다.
상기 단계에서 로스팅기의 히팅 드럼은 300℃ 이상으로 가열되도록 한다.
상기 단계에서 상기 IC 칩은 진동식 선별 스크린에 의해 회로 기판 및 다양한 소자들과 선별되도록 한다.
상기 반응기에 채워지는 황산은 순도 98%의 공업용 황산이다.
상기 반응기에서 황산은 70~80℃ 온도로 유지되도록 한다.
상기와 같은 본 발명의 폐기판으로부터의 실리콘 카바이드 회수방법을 통해 폐기되는 각종 IC 칩으로부터 비교적 간단하게 실리콘 카바이드를 회수할 수가 있도록 한다.
또한, 본 발명은 회수되는 실리콘 카바이드를 다양한 분야에서 재활용될 수가 있으므로 폐기물의 재활용 효율을 높일 수가 있는 동시에 비교적 고가의 소재인 실리콘 카바이드를 다양한 분야에서 재사용함으로써 실리콘 카바이드 생산에 따른 생산 비용을 보다 절감시킬 수 있도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 폐기판으로부터의 실리콘 카바이드 회수방법에 의한 순서도
도 2는 본 발명에 따른 폐기판으로부터의 실리콘 카바이드 회수방법을 통해 회수한 회로 기판을 보인 사진
도 3은 본 발명에 따른 폐기판으로부터의 실리콘 카바이드 회수방법을 통해 회로 기판으로부터 분리되도록 한 IC 칩을 예시한 사진
도 4은 본 발명에 따른 폐기판으로부터의 실리콘 카바이드 회수방법을 통해 황산을 이용하여 IC 칩으로부터 분리시킨 실리콘 카바이드 결정체를 예시한 사진
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 실시예의 설명 중 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하며, 경우에 따라 동일한 참조부호에 대한 설명은 생략하도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 폐기판으로부터의 실리콘 카바이드 회수방법에 의한 순서도이다.
예시한 바와 같이 본 발명은 다양한 전자 장비에서 회수되는 회로 기판으로부터 실리콘 카바이드를 함유하는 IC 칩을 분리되도록 하고, 이 IC 칩으로부터 실리콘 카바이드가 분리되도록 하는 것이다.
모든 전자 제품에는 전자 제어를 위한 하나 이상의 회로 기판들이 장착되고 있으며, 이들 전자 제품들이 고장 또는 수명이 다하면 통상 회로 기판에 장착되는 다양한 소자들 또는 IC 칩에 이상이 발생되어 더 이상 수리가 불가하게 되므로 전자 제품을 폐기 처분하도록 하고 있다.
이때 전자 제품에는 매우 다양한 구성들이 있기는 하지만 대부분은 폐기 처리하고, 회로 기판만은 별도로 수거하게 된다.
즉, 회로 기판에 사용되는 사용 가능한 소자나 특정 금속이나 고가의 성분을 회수하기 위하여 회로 기판은 단순 폐기보다는 재활용 가능한 소자나 고가의 성분을 추출한 후 폐기되도록 하고 있다.
이때 수거되는 복수의 회로 기판들은 로스팅기의 히팅 드럼에 일정량이 채워지도록 하며, 로스팅기에서는 일정 온도의 조건에서 히팅 드럼을 회전시키면서 회로 기판들이 로스팅되도록 한다.
회로 기판의 로스팅은 회로 기판으로부터 납땜에 의해 연결된 콘덴서나 다이오드 등과 같은 다양한 소자들과 IC 칩이 분리될 수 있도록 하기 위한 과정이다.
로스팅기에서의 로스팅 온도는 회로 기판으로부터 납땜이 녹는 300℃ 이상으로 가열되도록 하는 것이 가장 바람직하다.
로스팅기에서의 로스팅에 의하여 회로 기판으로부터는 다양한 소자들과 함께 IC 칩이 분리되고, 이렇게 분리된 회로 기판과 소자들 및 IC 칩들은 로스팅기의 히팅 드럼으로부터 인출되도록 한다.
로스팅기에서 로스팅되어 회로 기판으로부터 분리되도록 한 다양한 소자들과 IC 칩들은 히팅 드럼으로부터 인출되도록 하고, 인출된 회로 기판들과 다양한 소자들과 IC 칩들은 서로 혼합되어 있는 상태이므로 이를 종류별로 선별되도록 한다.
즉, 회로 기판과 다양한 소자들 그리고 IC 칩들은 사이즈에 다르게 형성되므로 IC 칩들을 기준으로 다양한 소자들은 보다 작은 사이즈이고, 회로 기판은 큰 사이즈이므로 선별 스크린을 사용하게 되면 비교적 작은 사이즈의 소자들로부터 회로 기판과 IC 칩들을 분리되게 할 수가 있다.
이렇게 다양한 소자들과 분리된 회로 기판과 IC 칩들로부터는 회로 기판과 IC 칩을 육안으로도 쉽게 분리할 수가 있으며, 별도의 선별 스크린을 이용하여 분리될 수 있도록 할 수도 있다.
선별에 의해 분리된 회로 기판과 IC 칩들은 도 2와 도 3을 통해 예시되고 있다.
다만, 다양한 작은 사이즈의 소자들로부터 회로 기판(10)과 IC 칩(20)을 분리되게 하는 선별 스크린과 회로 기판(10)과 IC 칩(20)을 분리되게 하는 선별 스크린들은 진동에 의해 선별되도록 하는 진동 스크린 방식으로 구비되게 하는 것이 보다 바람직하다.
다양한 소자들과 함께 회로 기판(10)으로부터 분리되도록 한 IC 칩(20)들은 일정량의 황산이 채워져 있는 반응기(미도시)에 침지되도록 한다.
이때 사용되는 황산은 98%의 공업용 황산을 사용하는 것이 보다 바람직하며, 이때 반응기에 채워진 황산은 70~80℃의 온도 조건을 유지하도록 한다.
IC 칩(20)들을 황산이 채워진 반응기에 침지되도록 하면 IC 칩(20)들은 황산과의 반응에 의해서 실리콘 카바이드 성분만이 분리된다.
이렇게 황산과의 반응에 의해 IC 칩(20)으로부터는 IC 칩(20)을 구성하는 다양한 성분들 중 실리콘 카바이드가 결정체의 형상으로 분리된다.
즉, IC 칩(20)들이 황산과의 화학적 반응에 의해서 IC 칩(20)으로부터 실리콘 카바이드 성분만 분리되도록 하면서 분리되는 실리콘 카바이드는 비교적 입자가 작은 결정체로서 분리된다.
이와 같이 IC 칩(20)으로부터 분리되는 실리콘 카바이드 결정체(30)와 IC 칩(20)들을 반응기로부터 꺼내 IC 칩(20)들을 분리하게 되면 도 4에서와 같은 실리콘 카바이드 결정체(30)만을 수집할 수가 있다.
이렇게 수집된 실리콘 카바이드 결정체(30)는 물을 사용한 세척을 통하여 표면에 묻어있는 황산이 완전히 제거되도록 하고, 건조과정을 거치도록 하면 일정 크기의 결정체로서 실리콘 카바이드를 얻을 수가 있게 된다.
수집한 실리콘 카바이드 결정체(30)는 사용 분야 및 용도에 따라서 다양한 형태로 가공하여 재사용할 수가 있으며, 회수한 실리콘 카바이드 결정체(30)는 재차 제조 공정을 생략할 수가 있어 제조하는데 따른 시간과 비용을 대폭적으로 절감할 수가 있을 뿐만 아니라 폐기물을 보다 줄일 수가 있도록 한다.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
10 : 인쇄 기판
20 : IC 칩
30 : 실리콘 카바이드 결정체

Claims (5)

  1. 수거한 복수의 회로 기판을 로스팅기의 히팅 드럼에 일정량 채워지도록 하는 단계;
    상기 히팅 드럼이 회전하면서 일정 온도로 가열되도록 하여 회로 기판으로부터 납땜 처리된 다양한 소자들과 IC 칩이 분리되도록 하는 단계;
    상기 로스팅기의 히팅 드럼으로부터 분리된 회로 기판과 다양한 소자들과 IC 칩들을 인출되도록 하는 단계;
    상기 히팅 드럼으로부터 인출한 회로 기판과 다양한 소자들과 IC 칩들은 종류별로 선별되도록 하는 단계;
    상기 단계에서 선별에 의해 수집한 IC 칩들은 황산이 채워진 반응기에 담가 상기 IC 칩들로부터 실리콘 카바이드 결정체들이 분리되도록 하는 단계:
    상기 IC 칩으로부터 분리시킨 실리콘 카바이드 결정체들만을 수집하여 세척과 건조되도록 하는 단계;로 이루어지고,
    상기 단계에서 로스팅기의 히팅 드럼은 300℃ 이상으로 가열되도록 하며,
    상기 단계에서 상기 IC 칩은 진동식 선별 스크린에 의해 회로 기판 및 다양한 소자들과 선별되도록 하고,
    상기 반응기에 채워지는 황산은 순도 98%의 공업용 황산으로 이루어지는 폐기판으로부터 실리콘 카바이드를 회수하는 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114505326A (zh) * 2022-01-06 2022-05-17 广州巽文智能科技有限公司 一种智能卡芯片回收处理设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007190551A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Hsieh Sen Wu 廃棄プリント基板の回収方法
KR101001674B1 (ko) 2009-02-20 2010-12-15 주식회사 티씨케이 실리콘 카바이드 기판 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007190551A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Hsieh Sen Wu 廃棄プリント基板の回収方法
KR101001674B1 (ko) 2009-02-20 2010-12-15 주식회사 티씨케이 실리콘 카바이드 기판 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114505326A (zh) * 2022-01-06 2022-05-17 广州巽文智能科技有限公司 一种智能卡芯片回收处理设备

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