CN109841556B - 晶圆承载盘维修方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种能延长晶圆承载盘使用寿命的晶圆承载盘维修方法，包括下列步骤：检测步骤：在每次MOCVD磊晶制程后，对晶圆承载盘进行检测作业，检查是否存在损伤；判断步骤：判断损伤是否有发生石墨底材裸露的状况；以及修补步骤：针对判断结果，在损伤处设置相应并具有纯硅的修补对象，紧接着置入真空高温炉，加热至硅熔点以上的温度，保持一段时间，让纯硅转为液相硅，渗透入损伤处反应生长出碳化硅，与原有的碳化硅镀层合为一体，让晶圆承载盘恢复到不会被氨气侵蚀的状态，能重新投入制程继续使用。

Description

晶圆承载盘维修方法

技术领域

本发明涉及一种晶圆承载盘维修方法，尤其涉及一种应用于有机金属化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)磊晶炉的晶圆承载盘(susceptor,wafer carrier or substrate holder)的维修方法。

背景技术

近年来氮化镓(GaN)系列化合物半导体材料，已经被成功应用于发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)照明，并将成为新一代5G行动通讯系统中，不可或缺的高频与大功率微波电子组件，未来氮化镓(GaN)电子组件若能大量应用于电力转换设备上，还可在每个变电环节，减少电能耗损，堪称最具发展潜力的第三代半导体材料，而目前商品化的氮化镓(GaN)系半导体光电组件，大都是以MOCVD磊晶技术制作。

LED芯片的良率，是由其发光波长的均匀性所决定，MOCVD磊晶炉为了精确调控LED磊晶圆发光波长的均匀性，其晶圆承载盘需配合加热器，提供一优化晶圆温度均匀性，以沉积高质量的磊晶层，故晶圆承载盘为MOCVD磊晶炉中，非常重要的一个组件，同时也是LED磊晶厂的主要耗材之一。

如图1A、1B和图2A、2B所示，晶圆承载盘100不管是单片式或是多片式的型式，其两者的承载盘本体，通常会采用石墨材料来制作，并在顶面设置对应数量的口袋(pocket)110，参阅图1A和图2A，以承载晶圆200；底面中心则有一转轴孔120，参阅图1B和图2B，用于支撑与旋转承载盘，而整个表面上会再利用CVD法，镀一层70至120μm厚度的碳化硅镀层20，参阅图3。

其中，碳化硅镀层20的主要功能如下所示：

第一点：保护石墨底材10免于被MOCVD磊晶制程中的氨气(NH3)反应气体侵蚀；碳化硅材料具有极佳的高温化学稳定性，且CVD碳化硅镀层20是一致密的气相生长多晶膜，在石墨底材10表面镀碳化硅后，能有效隔绝MOCVD制程气体。

第二点：石墨底材10在高温下容易大量放气(outgassing)，释出的气体会污染MOCVD制程反应气氛，降低磊晶层质量，石墨制的晶圆承载盘100镀上碳化硅镀层20密封后，可有效防止此放气现象。

第三点：提高石墨制的晶圆承载盘100，其热传性质，由于碳化硅的热传导与热辐射系数皆高于石墨，在石墨底材10表面镀上一层碳化硅可获得较佳的盘面均温性。

第四点：由于石墨底材10的材料特性，表面易于剥离产生粉尘，会对磊芯片造成微粒(particle)污染，以CVD碳化硅镀膜后形成高硬度耐磨表层，不易产生微粒。

承载盘在使用过程中，会经常性地遭受到外力撞击，可能来自于搬运过程，上下料或人为意外碰撞，但最主要的撞击因素，还是来自于晶圆200的碰撞，况且当前LED磊晶的晶圆200，为蓝宝石晶圆(Sapphire(Al2O3)Wafer)，非常坚硬；撞击的问题，尤其常见于高转速型的MOCVD磊晶炉之中，其晶圆承载盘100的转速，高达每分钟1000转，机台在启动与停止的过程当中，由于惯性力的作用，坚硬的蓝宝石制的晶圆200，经常会被甩动，撞击晶圆承载盘100的口袋(Pocket)110的侧壁或边缘，造成碳化硅镀层20出现一些损伤，例如：裂纹a或缺角e，请参阅图3；更严重的是，新一代大型的磊晶炉，其晶圆承载盘100的外径约700mm，强大的离心力，使得晶圆200的撞击力更大，破坏力更强。

长期研究报废的碳化硅镀膜石墨承载盘，发现其损坏都源自于承载盘的损伤，再经由MOCVD磊晶制程高温裂解氨气(NH3)的强烈气相蚀刻作用，淘空石墨底材形成蛀孔k，最终导致承载盘报废。

为了解决承载盘报废问题，本案发明人提出了专利文献1，为一种回收再生晶圆承载盘及其修复方法、公告号I574336，利用化学气相渗透(CVI)碳化硅(SiC)的方法，形成一SiC/SiC复合材料填补于报废晶圆承载盘的破损孔洞处，也就是蛀孔k处。

专利文献1主要针对报废的晶圆承载盘，对其做修复以再次使用，是一种亡羊补牢的作法。

本发明则是一种防范未然的作法，在损伤还未扩大形成蛀孔k前，实时发现、马上修补，可以大幅延长晶圆承载盘的正常使用寿命，降低MOCVD磊晶制程的耗材成本。

现阶段LED磊晶厂对于晶圆承载盘的状况，通常是经由磊晶圆的发光质量来反馈的，做法上是依据光激发荧光(Photoluminescence，简称PL)谱图初步分析LED磊晶圆发光波长与强度的分布，藉以判断晶圆承载盘是否出现任何异常状况，而对于晶圆承载盘只有两种处理方式：继续使用或报废，因为截至目前为止，还没有晶圆承载盘的维修方法被提出来。

其实，晶圆承载盘从有损伤开始到报废，这期间所跑的每一回MOCVD磊晶制程，石墨底材10都不断地被氨气侵蚀，反应生成的碳氢化合物气体，混入气相磊晶的气氛中，使得磊晶层的碳杂质浓度升高，将加大LED磊晶圆的发光波长变异性，降低LED芯片的发光亮度，但过早的晶圆承载盘报废，会产生过高的耗材成本，质量与成本是考验LED磊晶厂的两难问题。

为了解决上述问题，本发明提出一种晶圆承载盘维修方法，以早期发现损伤，尽早进行修补，既可以大幅延长承载盘的使用寿命，降低MOCVD磊晶制程的耗材成本，又可以提升传统LED芯片的生产良率及发光亮度。

发明内容

本发明目的在于提供一种能延长晶圆承载盘使用寿命的晶圆承载盘维修方法。

为解决上述问题及达到本发明的目的，本发明是这样实现的，为一种晶圆承载盘维修方法，应用于晶圆承载盘的修补，所述晶圆承载盘包含有一顶面凹设有至少一口袋的石墨底材、及一包覆在所述石墨底材表面外的碳化硅镀层，包括下列步骤：检测步骤：在每次MOCVD磊晶制程后，对晶圆承载盘进行检测作业，检查所述晶圆承载盘是否存在损伤，存在前述损伤时，进行下一步骤，不存在前述损伤时，则留下等待进行下一次的MOCVD磊晶制程；判断步骤：上述损伤存在时，需取出所述晶圆承载盘，以对所述损伤进行判断，是否有发生所述石墨底材裸露的状况；以及修补步骤：针对上述判断结果，在所述损伤处，设置相应的修补对象，所述修补对象具有纯硅，紧接着再将所述晶圆承载盘置入真空高温炉，加热至硅熔点以上的温度，保持一段时间，让所述纯硅转为液相硅，以渗透入所述损伤处，最终在所述损伤处，反应生长出碳化硅，与原有的所述碳化硅镀层合为一体，修补完成便能将所述晶圆承载盘投入MOCVD磊晶制程，以继续正常使用。

更优选的是，所述纯硅为纯硅颗粒或纯硅粉末；所述纯硅的纯度至少为98％。

更优选的是，所述修补对象还包括：碳膏、胶黏剂和胶结剂中的一种或几种组合；所述碳膏，其能在判断所述石墨底材未发生裸露状况时，配合所述纯硅应用在修补上；所述胶黏剂，其能在判断所述石墨底材发生裸露状况时，配合所述纯硅应用在修补上；所述胶结剂，其能在判断所述石墨底材未发生裸露状况时，配合所述纯硅及所述碳膏，应用在修补上，而当判断所述石墨底材发生裸露状况时，则还能配合所述纯硅，应用在修补上。

更优选的是，所述修补步骤中，其真空高温炉的真空压力范围，为0.001至0.5torr。

更优选的是，所述修补步骤中，其真空高温炉的加热温度范围，为1450℃至1650℃。

更优选的是，所述检测步骤中，所述检测作业为下列方式之一或其下列方式的混合：人工检测和计算机检测。

本发明的有益效果在于：

第一点：本发明晶圆承载盘维修方法，能大幅延长晶圆承载盘的使用寿命，降低MOCVD磊晶制程的耗材成本。

第二点：早期发现损伤，尽早进行修补，不让损伤扩大，侵蚀掉太多石墨底材，影响晶圆承载盘的温度均匀性，实时修补受损处，阻止损伤处石墨被氨气侵蚀释出，有效降低MOCVD磊晶制程的碳杂质浓度，进一步提升目前LED芯片的生产良率与发光亮度。

第三点：本发明的修补方法，是利用液相硅与碳反应来生长碳化硅，所以能只针对损伤处进行局部生长碳化硅，不会再增加整体晶圆承载盘，其碳化硅镀层的厚度，对晶圆承载盘整体外观尺寸的影响也很小，更重要的是，不影响晶圆承载盘的温度均匀特性，让晶圆承载盘恢复到不会被氨气侵蚀的状态，以继续正常使用。

附图说明

图1A为单片式晶圆承载盘的立体示意图。

图1B为单片式晶圆承载盘另一视角的立体示意图。

图2A为多片式晶圆承载盘的立体示意图。

图2B为多片式晶圆承载盘另一视角的立体示意图。

图3为图2A的x-x剖面示意图。

图4A为第一类损伤中裂纹的照片示意图。

图4B为第一类损伤中微裂纹的照片示意图。

图4C为第一类损伤中撞点的照片示意图。

图4D为第一类损伤中刮痕的照片示意图。

图5A为第二类损伤中缺角的照片示意图。

图5B为第二类损伤中破点的照片示意图。

图5C为第二类损伤中崩边的照片示意图。

图5D为第二类损伤中裂缝的照片示意图。

图5E为第二类损伤中脱皮的照片示意图。

图6为多片式晶圆承载盘具有裂纹时的立体示意图。

图7为多片式晶圆承载盘具有缺角时的立体示意图。

图8为图6中y-y剖面处第一类损伤的蛀孔损坏机制示意图。

图9为图7中z-z剖面处第二类损伤的蛀孔损坏机制示意图。

图10为本发明的流程示意图。

图11为本发明针对第一类损伤进行修补时的实施示意图。

图12为本发明针对第二类损伤进行修补时的实施示意图。

附图标记说明：

1 损伤 a 裂纹

2 修补物件 b 微裂纹

21 纯硅 c 撞点

211 液相硅 d 刮痕

22 碳膏 e 缺角

221 碳 f 崩边

23 胶黏剂 g 破点

24 胶结剂 h 裂缝

25 硅黏土 j 脱皮

3 碳化硅 k 蛀孔

100 晶圆承载盘 k1 蛀空区

110 口袋 k2 多孔石墨区

120 转轴孔 m 裂口

10 石墨底材 Ⅰ 检测步骤

20 碳化硅镀层 Ⅱ 判断步骤

200 晶圆 Ⅲ 修补步骤

具体实施方式

以下依据图面所示的实施例详细说明如后：

观察大量遭受外力撞击受损的碳化硅镀膜石墨承载盘，可以归纳出两大类型的损伤：第一类损伤为CVD碳化硅镀层20破损者，第二类损伤为底材(substrate)石墨外露者。

其中，常见的第一类损伤包括：裂纹a、微裂纹b、撞点c、刮痕d等，损伤只发生在碳化硅镀层20，石墨底材并没有外露；承载盘上常见的第一类损伤，请参阅图4A至图4D的照片。

另外，常见的第二类损伤包括：缺角e、崩边f、破点g、裂缝h、脱皮j等，属于较严重的撞击破坏，表面的CVD碳化硅镀层20已破碎、脱落，使得石墨底材10直接裸露在外，通常连石墨底材10也断裂。承载盘上常见的第二类损伤，请参阅图5A至图5E的照片。

长期研究报废的碳化硅镀膜石墨承载盘，发现其损坏都源自上述的两大类型损伤，再经由MOCVD制程氨气(NH3)的气相蚀刻作用，使得损伤不停地扩大，形成蛀孔k，最后导致承载盘报废，以下分别说明两大类型损伤所引发的蛀孔k损坏机制。

第一类损伤的蛀孔k损坏机制，以裂纹a为例说明，请参阅图6的y-y剖面及图8中的ⅰ示意图，为一碳化硅镀层20的裂纹a，所有的第一类损伤在MOCVD制程的循环热应力影响下，都有可能发展成贯穿碳化硅镀层20的反应气体通道，如图8中的ⅱ示意图所示；接着，由于氮化镓半导体材料MOCVD磊晶制程中的氨气，经高温热裂解，会产生大量的原子态氢(H)，而原子态氢对石墨相的碳，有着很强的反应性，当经由反应气体通道接触到石墨底材10，将强烈蚀刻石墨，反应生成气态碳氢化合物(CHX)，并在石墨底材10形成蛀孔k，如图8中的ⅲ示意图所示，产生出包含蛀空区k1和多孔石墨区k2，两者为典型的蛀孔k结构，蛀空区k1指的是石墨底材10全部被侵蚀淘空的部分，多孔石墨区k2指的是石墨底材10被侵蚀成多孔状材料的部分；接下来，蛀孔k会在每一回的MOCVD磊晶制程中不停地成长，蛀空石墨底材10，扩大蛀蚀范围，如图8中的ⅳ示意图所示，也不断地从裂口m释出大量碳氢化合物气体，混到磊晶气氛中，影响每一回所生长LED芯片的发光波长与亮度，最后导致承载盘报废。

第二类损伤的蛀孔k损坏机制，以缺角e为例说明，请参阅图7的z-z剖面及图9中的ⅰ示意图，为一发生在口袋110边缘的缺角e，其中石墨底材10已裸露在外，接触到磊晶制程的氨气，通常在这种情况下蛀孔k会很快形成，产生出包含蛀空区k1和多孔石墨区k2的典型蛀孔k结构，如图9中的ⅱ示意图所示；接下来，蛀孔k会在每一回的MOCVD磊晶制程中迅速地成长，也影响每一回所生长LED芯片的发光波长与亮度，大量蛀空石墨底材10后，留下底材被掏空的碳化硅表层，如图9中的ⅲ示意图所示，悬空的碳化硅镀层20，在随后的使用过程中，易于破裂或崩塌，形成大的裂口m，释出更大量的气态碳氢化合物(CHx)，到磊晶气氛中，影响LED磊晶圆的面积、范围更大，致使承载盘提早报废。

以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。

如图10至图12所示，本发明为一种晶圆承载盘维修方法，应用于晶圆承载盘100的修补，所述晶圆承载盘100包含有一顶面凹设有至少一口袋110的石墨底材10、及一包覆在所述石墨底材10表面外的碳化硅镀层20，其方法包括下列步骤：检测步骤Ⅰ：在每次MOCVD磊晶制程后，对晶圆承载盘100进行检测作业，检查所述晶圆载盘100是否存在损伤1，存在前述损伤1时，进行下一步骤，不存在前述损伤承1时，则留下等待进行下一次的MOCVD磊晶制程；判断步骤Ⅱ：上述损伤1存在时，需取出所述晶圆承载盘100，以对所述损伤1进行判断，是否有发生所述石墨底材10裸露的状况；以及修补步骤Ⅲ：针对上述判断结果，在所述损伤1处，设置相应的修补对象2，所述修补对象2具有纯硅21，紧接着再将所述晶圆承载盘100置入真空高温炉，加热至硅熔点以上的温度，保持一段时间，让纯硅21转为液相硅211，以渗透入所述损伤1处，最终在所述损伤1处，反应生长出碳化硅3，与原有的所述碳化硅镀层20合为一体，修补完成便能将所述晶圆承载盘100投入MOCVD磊晶制程，以继续正常使用。

本发明晶圆承载盘100的维修方法，强调实时发现、马上修补，在如图8中的ⅰ示意图或图9中的ⅰ示意图所示，蛀孔k还未形成阶段，就应所述要针对损伤1处进行修补，防止损伤1进一步扩大形成蛀孔k，如图8中的ⅳ示意图或图9中的ⅲ示意图所示；其中，所述检测步骤Ⅰ设在每一回MOCVD磊晶制程后，目的在于实时发现损伤1，尽早进行修补。

上述中，所述检测步骤Ⅰ中，其检测作业为下列方式之一或下列方式的混合：人工检测和计算机检测。

其中，关于晶圆承载盘100的检查，除了人工检测之外，也可以利用计算机检测，配备有感测视觉仪器，例如：自动对焦相机或传感器等的检测机器，进行机器视觉检测，筛选出受损的晶圆承载盘100。

其次，晶圆承载盘100的检查，以人工检测的方式进行时，说的就是以人工目测的方式进行，能配合照明照度(illuminance)至少在1000勒克斯(lux)以上，且可辅以3倍或3倍以上的工作放大灯，分别对晶圆承载盘100正面和背面，仔细检视，是否有第一类及/或第二类的损伤1发生，请参见图4A至图5E，在损伤1还未扩大形成蛀孔k前，参见图8和图9，实时筛选出受损的晶圆承载盘100。

上述中，所述纯硅21为纯硅颗粒或纯硅粉末；所述纯硅21的纯度至少为98％。

其中，根据应用需要，配合使用的纯硅21，能以纯硅颗粒或纯硅粉末来实施，提供不同的修补对象2，在修补损伤1时能更加方便。

上述中，所述修补对象2还包括碳膏22、胶黏剂23和胶结剂24中的一种或几种组合；所述碳膏22，其能在判断所述石墨底材10未发生裸露状况时，配合所述纯硅21应用在修补上；所述胶黏剂23，其能在判断所述石墨底材10发生裸露状况时，配合所述纯硅21应用在修补上；所述胶结剂24，其能在判断所述石墨底材10未发生裸露状况时，配合所述纯硅21及所述碳膏22，应用在修补上，而当判断所述石墨底材10发生裸露状况时，则还能配合所述纯硅21，应用在修补上。

其中，修补对象2的选择，关系到第一类与第二类的损伤1的修补方式，如图11和图12所示，实施方式如下所示：

第一类的损伤1，也就是说石墨底材10未发生裸露状况，请参见11图的ⅰ～ⅴ，以如图11的ⅰ所示的裂纹a此种损伤1为例，修补对象2包括纯硅21及碳膏22，或再进一步增加有胶结剂24，首先，如图11的ⅱ所示在裂纹a处对应涂抹一层碳膏22，刷涂方式可使用小支水彩笔或毛笔，沿着裂纹a涂抹。

碳膏22有两个作用，一是当做黏着剂，暂时固定纯硅21，二是提供液相硅211反应生长碳化硅(SiC)所需要的碳(C)，因为本发明是利用高温下液相硅211与碳反应生长出碳化硅3，如下列基本化学反应所示：Si(l)+C(s)→SiC(s)。

碳膏22会在高温下热分解而留下碳221，纯硅21受热而转变成为液相硅211，两者反应生长出碳化硅3，碳膏22较佳的制备方法为，将5wt％(重量百分比)乙炔碳黑(acetylene black)，粒径约为20至30nm，与95wt％黏结剂混合，黏结剂能采用聚乙稀醇、聚醋酸乙稀酯或甲基纤维素，并加入适量的水，做为溶剂，搅拌成膏状，加入水的比例为100份重量份数(parts by weight)的乙炔碳黑与黏结剂，加入约10至30份重量份数的水。

接着，如图11的ⅲ所示，将纯硅21黏在前述裂纹a处的碳膏22上，纯硅21为纯硅颗粒，纯度至少98％以上，颗粒的粒径范围为小于美国筛网4目、大于美国筛网18目。

另外，如图11的ⅲ’所示，纯硅21也可以采用纯硅粉末与胶结剂24做成的硅黏土25，揉成长条状压贴在碳膏22上，硅黏土25的制备方法较佳为：将100份重量份数的纯硅粉末，纯度至少98％以上，粉末的粒径范围为小于美国筛网270目、大于美国筛网1250目，与100至120份重量份数的胶结剂24，混合搅拌成一硅黏土25，胶结剂24能采用聚乙稀醇、聚醋酸乙稀酯或甲基纤维素。

其中，如图11的ⅳ所示，将晶圆承载盘100放入真空高温炉中，加热至硅熔点以上的温度，能让液相硅211通过毛细渗透进入损伤1中，并与碳膏22热分解后留下的碳，反应生长碳化硅。

如图11的ⅴ所示，在硅熔点以上的温度，恒温保持一段时间，较佳的时间长短为1至2小时，让利用液相硅211反应生长的硅化碳，在裂纹a中，经由成核与生长，重新填满裂纹a，修补、愈合裂纹a处，防止裂纹a进一步发展成贯穿碳化硅镀层20的反应气体通道。

第二类的损伤1，也就是说石墨底材10发生裸露的状况，请参见图12的ⅰ～ⅳ，以如图12的ⅰ所示的缺角e此种损伤1为例，由于缺角e处石墨底材10外露，可以接触液相硅211直接进行反应生长碳化硅，不需要再提供碳，能用胶黏剂23来取代碳膏22，胶黏剂23主要为能暂时黏结固定纯硅21，没有特殊限制，但为了操作上的方便，较佳的选择为压敏胶黏剂，压敏胶黏剂的选用如丙稀酸酯压敏胶、氯丁橡胶压敏胶或聚氯酯压敏胶。

如图12的ⅱ所示，此处的修补对象2包括纯硅21及胶黏剂23，先将胶黏剂23用小支水彩笔或毛笔，涂抹在缺角e处，然后将纯硅21直接黏满整个缺角e处。

或是如图12的ⅱ’所示，于此处让修补对象2包括纯硅21及胶结剂24做成的硅黏土25，直接将硅黏土25捏成球状，压黏在缺角e处。

随后，如图12的ⅲ所示，将晶圆承载盘100置入真空高温炉加热，让纯硅21转为液相硅211，而胶黏剂23或胶结剂24随高温而气化，液相硅211通过毛细渗透进入缺角e处石墨底材10的孔隙中，反应生长碳化硅。

最后，如图12的ⅳ所示，液相硅211与外露石墨底材10的石墨表层，反应生成一连续且致密的碳化硅膜，膜厚约10至30μm，包覆在缺角e处外露的石墨底材10表面，能隔绝MOCVD制程的氨气，避免直接侵蚀外露的石墨底材10。

另外，液相硅211毛细渗透石墨底材10的渗透反应层厚度大约在0.5至1.0mm，液相硅211进入石墨底材10原有的孔隙中，反应生长的碳化硅，能够进一步强化缺角e处石墨底材10的强度，防止缺角e处周围在随后使用过程中再度破裂。

上述中，所述修补步骤Ⅲ中，真空高温炉加热至硅熔点以上的温度后，所保持的一段时间长短，为1至2小时。

又上述中，所述修补步骤Ⅲ中，其真空高温炉的真空压力范围，为0.001至0.5torr。

再上述中，所述修补步骤Ⅲ中，其真空高温炉的加热温度范围，为1450℃至1650℃。

以上，依据图式所示的实施例详细说明本发明的构造、特征及作用效果；惟以上所述仅为本发明之较佳实施例，但本发明不以图面所示限定实施范围，因此举凡与本发明意旨相符的修饰性变化，只要在均等范围内都应涵属于本发明专利范畴。

Claims (6)

1.一种晶圆承载盘维修方法，应用于晶圆承载盘(100)的修补，所述晶圆承载盘(100)包含有一顶面凹设有至少一口袋(110)的石墨底材(10)、及一包覆在所述石墨底材(10)表面外的碳化硅镀层(20)，其特征在于：包括下列步骤：

检测步骤(Ⅰ)：在每次MOCVD磊晶制程后，对晶圆承载盘(100)进行检测作业，检查所述晶圆承载盘(100)是否存在损伤(1)，存在前述损伤(1)时，进行下一步骤，不存在前述损伤(1)时，则留下等待进行下一次的MOCVD磊晶制程；

判断步骤(Ⅱ)：上述损伤(1)存在时，需取出所述晶圆承载盘(100)，以对所述损伤(1)进行判断，是否有发生所述石墨底材(10)裸露的状况；以及

修补步骤(Ⅲ)：针对上述判断结果，在所述损伤(1)处，设置相应的修补对象(2)，所述修补对象(2)具有纯硅(21)，紧接着再将所述晶圆承载盘(100)置入真空高温炉，加热至硅熔点以上的温度，保持一段时间，让所述纯硅(21)转为液相硅(211)，以渗透入所述损伤(1)处，最终在所述损伤(1)处，反应生长出碳化硅(3)，与原有的所述碳化硅镀层(20)合为一体，修补完成便能将所述晶圆承载盘(100)投入MOCVD磊晶制程，以继续正常使用。

2.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述纯硅(21)为纯硅颗粒或纯硅粉末；

所述纯硅(21)的纯度至少为98％。

3.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述修补对象(2)还包括碳膏(22)、胶黏剂(23)和胶结剂(24)中的一种或几种组合；

所述碳膏(22)，其能在判断所述石墨底材(10)未发生裸露状况时，配合所述纯硅(21)应用在修补上；

所述胶黏剂(23)，其能在判断所述石墨底材(10)发生裸露状况时，配合所述纯硅(21)应用在修补上；

所述胶结剂(24)，其能在判断所述石墨底材(10)未发生裸露状况时，配合所述纯硅(21)及所述碳膏(22)，应用在修补上，而当判断所述石墨底材(10)发生裸露状况时，则还能配合所述纯硅(21)，应用在修补上。

4.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述修补步骤(Ⅲ)中，其真空高温炉的真空压力范围为0.001至0.5torr。

5.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述修补步骤(Ⅲ)中，其真空高温炉的加热温度范围，为1450℃至1650℃。

6.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述检测步骤(Ⅰ)中，所述检测作业为下列方式之一或下列方式的混合：人工检测和计算机检测。

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